DE8915751U1 - Isolierendes Gehäuseteil mit einer Leiterdurchführung - Google Patents

Isolierendes Gehäuseteil mit einer Leiterdurchführung

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DE8915751U1
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B17/00Insulators or insulating bodies characterised by their form
    • H01B17/26Lead-in insulators; Lead-through insulators
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    • H01B17/42Means for obtaining improved distribution of voltage; Protection against arc discharges

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  • Power Engineering (AREA)
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Description

GR 89 G 4082 Siemens Aktiengesellschaft
Isolierendes Gehäuseteil mit einer Leiterdurchführung 5
Die Erfindung liegt auf dem Gebiet der Hochspannungsgeräte und ist bei der konstruktiven Ausgestaltung einer Leiterdurchführung durch ein isolierendes Gehäuseteil anzuwenden. Solche Gehäuseteile dienen beispielsweise zur Aufnahme einer elektrischen Kontaktanordnung. Bei einem solchen Gehäuseteil kann es sich beispielsweise um das becher- oder kastenförmige, aus Glas oder Keramik bestehende Gehäuseteil eines Vakuumrelais handeln.
Die Durchführung eines Leiter^ beispielsweise einer metallenen Kontakizuführung, tfureh eine &khgr;salierend; Gehäusewand erfolgt in aller Regel derart, daß entweder um dij Durchführungsöffnung herum eine kreisringförmige Metallisierung aufgebracht, an diese Metallisierung eine Kappe stumpf angelötet und der Leiter in eine öffnung im Kontaktboden eingelötet wird (US-Z "Electronics Industry, Mi/ 1986, Seite 39) oder derart, daß die Gehäusebohrung metallisiert und dia als dünnwandiges Rohr ausbildete Kontaktzuführung in die Bohrung eingelötet wird (DE-Z "Siemens Components (1986), Heft 4, Seite 145/144).
Ausgehend von einem isolierenden Gehäuseteil mit den Merkmalen des Oberbegriffes des Patentanspruches 1 liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, die Hochspannungsfestigkeit bzw. die Uberschlagsfestigkeit solcher Durchführungen zu verbessern und damit die Möglichkeit zu schaffen, die Abmessungen solcher Gehäuseteile zu verkleinern bzw. die Nennspannungsebene zu erhöhen.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist gemäß der Erfindung vorgesehen, daß um die jeweilige Durchführungsöffnung herum die äußere Oberfläche des Gehäuseteiles abgesenkt und in diesem abgesenkten Bereich mit einer elektrisch leitenden Beschichtung versehen ist.
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Zm/Ro / 06.02.1991
2 GR 89 G 4082
Durch die gemäß der Erfindung vorgesehene Maßnahme werden Feldstärkekonzentrationen im Bereich der Oberfläche des keramischen Gehäuseteiles vermindert, was eine höhere Überschlags- bzw. Hochspannungsfestigkeit im Bereich der Leiterdurchführung zur Folge hat. Als elektrisch leitende Beschichtung kommen vor allem Leitlacke sowie Metallisierungen in Betracht.
Um Grenzkanteneffskte zwischen der Jjitfähigen Beschichtung im Bereich der abgesenkten Oberfläche des isolierenden Gehäuseteiles und der äußeren Oberfläche des Gehäuseteiles zu vermeiden und damit die Hochspannungsfestigkeit noch weiter zu erhöhen, ist es vorteilhaft, die Seitenwand des abgesenkten Bleiche;» an der oberen Kante mit einer unbeschichteten Fase zu versehen. Um die Fertigungssicherheit einer solchen Leiterdurchführung zu verbessern, wird der Leiter zweckmäßig nicht direkt in der Durchfuhrungsöffnung sondern mittels eines auf die abgesenkte Oberfläche aufgelöteten Halteeiementes fixiert, wobei als elektrisch leitende Beschichtung eine Metallisierung vorzusehen ist. Hierzu eignet sich besonders ein Halteelement, das aus einem konischen Rohrstück mit einem auf der abgesenkten Oberfläche aufsitzenden ringförmigen Fußteil und einem an dem Leiter anliegenden manschettenartigen Halsteil besteht. Dabei sollte zur geometrischen Abgrenzung der Lötfläche gegen die Wand des abgesenkten Oberflächenbereiches d'.e abgesenkte Oberfläche en ihrem Rand mit einer umlaufenden Rinne versehen sein. - Im übrigen kann auch die Oberfläche der jeweiligen Durchführuncvsöffnung mit einer elektrisch leitenden Beschichtung versehen sein.
Die Erfindung ist insbesondere bei topfartigen Gehäuseteilen aus Keramik anzuwenden, die die Schaltkammer eines Vakuumrelais bilden.
Zwei Ausführungsbeispiele des neuen isolierenden Gehäuseteiles sind in den Figuren 1 bis 3 dargestellt. Dabei zeigt Figur 1 ein keramisches Gehäuseteil mit drei Kontaktzuführungen und Halterung dieser Kontaktzuführungen auf abgesenkten,
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3 GR 89 G 4062
mit einer umlaufenden Rinne versehenen Oberflächenteilen, Figur 2 eine vergrößerte Darstellung des Durchführungsbereiches und
Figur 3 eine Variante des Durchführungsbereiches gemäß Figur 2. Figur 1 zeigt ein topfartiges, keramisches Gehäuseteil 1, das i am unteren Rand mit einem angelöteten Befestigungsring 2 ver- &Iacgr; sehen ist. In das Innere des Gehäuseteiles ragen als Leiter radial drei Kontaktzuführungen 3, 4 und .5 hinein, die an ihren inneren Enden als feststehende Relaiskontakte ausgebildet sind und an ihren äußeren Enden zur Befestigung einer Spannungs- und/oder Stromzuführung vorbereitet sind. Im Bereich der nicht näher bezeichneten Durchführungsbohrung des Gehäuseteiles 1 ist die äußere Oberfläche des Keramikgehäuses abgesenkt, wodurch sich ein abgesenkter Bereich 6 ergibt. Dieser ist an seinem Rand mit einer Rille 7 versehen, wodurch ein podestartiger Bereich entsteht. Die gesamte abgesenkt* Oberfläche ist gemäß Figur 2 mit einer Metallisierung 8 versehen.
Zur Fixierung der Kontaktzuführungen ist jeweils ein Halteele-
ment 9 vorgesehen, das ein manschettenartiges, an der Kontaktzuführung anliegendes Halsteil, ein konisches Rohrstück und ein ringförmiges Fußteil aufweist. Das ringförmige Fußteil ist mit der Metallisierung 8 und das manschettenartige Halsteil mit der Kontaktzuführung 3 bzw. 4 bzw. 5 verlötet.
Gemäß Figur 3 kann auch die Durchführungsöffnung mit einer Metallisierung 8 versehen sein. Weiterhin besteht die Möglichkeit, an der oberen Kante des abgesenkten Bereiches eine Fase 10 vorzusehen, die nicht metallisiert ist. Dadurch wird erreicht, daß die spannungsführende äußere Kante der Metallisierung 8 unterhalb der eigentlichen Oberfläche des keramischen Gehäuseteiles liegt, wodurch Feldstärkekonzentrationen im umgebenden Medium, insbesondere Luft, an dieser kritischen Stellt vermieden werden.
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Claims (5)

4 GR 89 G 4062 SchutZbDsprüche
1. Isolierendes Gehäuseteil mit wenigstens einem durch die Geh£ijsewand hindurchgeführten Leiter, wobei der Leiter im Bereich der jeweiligen Durchführungsöffnung mittels einer Metallisierung unter Anwendung einer Lötverbindung fixiert ist, dadurch gekennzeichnet , daß um die Jeweilige Durchführungsöffnung herum die äuQere Oberfläche des Gehäuseteiles (1) abgesenkt und in diesem abgesenkten Bereich (6) mit einer elektrisch leitenden Beschichtung (8) versehen ist.
2. Isolierendes Gehäuseteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Seitenwand des abgesenkten Bereiches an der oberen Kante mit einer nichtbeschichteten Fase (10) versehen ist.
3. Isolierendes Gehäuseteil nach Anspruch 1 oder 2 mit einem Halteelement zur Fixierung des Leiters und einer Metallisierung als elektrisch leitender Beschichtung, dadurch gekennzeichnet, daß das Halteelement (9) aus einem konischen Rohrstück mit einem auf der abgesenkten Oberfläche (6) aufliegenden ringförmigen Fußteil und einem an der Kontaktzuführung (3) anliegenden manschettenartigen Halsteil besteht.
4. Isolierendes Gehäuseteil nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die abgesenkte Oberfläche (6) an ihrem Rand mit einer umlaufenden Rinne (7) versehen ist.
5.. Isolierendes Gehäuseteil nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet , daß auch die Durchführungsöffnung mit einer elektrisch leitenden Beschichtung (81) versehen ist.
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DE8915751U 1989-06-19 1989-06-19 Isolierendes Gehäuseteil mit einer Leiterdurchführung Expired - Lifetime DE8915751U1 (de)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19614706A1 (de) * 1996-04-13 1997-10-16 Telefunken Microelectron Verfahren zur Herstellung von elektrisch leitenden Durchführungen in metallisierten Kunststoffgehäusen

Cited By (3)

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DE19614706A1 (de) * 1996-04-13 1997-10-16 Telefunken Microelectron Verfahren zur Herstellung von elektrisch leitenden Durchführungen in metallisierten Kunststoffgehäusen
DE19614706C2 (de) * 1996-04-13 1998-02-26 Telefunken Microelectron Verfahren zur Herstellung von elektrisch leitenden Durchführungen in metallisierten Kunststoffgehäusen
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