DE885755C - Method and apparatus for the production of crystallodes, e.g. B. semiconductor diodes or transistors - Google Patents

Description

Bei der Herstellung von Kristalloden, z. B. Halbleiter-Dioden und Transistoren, ist die Verbindung der Gegenelektroden, z. B. des sog. Whiskers, mit der Halbleiteroberfläche von großer Bedeutung. Es dürfen keinerlei Verschiebungen durch Handhabung oder mechanische Erschütterungen auftreten.In the manufacture of crystallodes, e.g. B. semiconductor diodes and transistors, is the connection the counter electrodes, e.g. B. the so-called. Whisker, with the semiconductor surface of large Meaning. There must be no shifts due to handling or mechanical vibrations appear.

Die Stabilitätkann auf zwei Arten erreicht werden: einmal dadurch, daß man nach dem Aufsetzen der Gegenelektroden durch Aufbringen eines geeigneten, als Kitt dienenden Materials eine gute Haftung erzielt, so daß dabei der elektrische Kontakt nicht beeinträchtigt wird, und zweitens durch Verschweißen der Gegenelektroden mit dem Halbleitermaterial. Vorzugsweise werden auch beide Mittel gleichzeitig angewendet.The stability can be achieved in two ways: on the one hand by having the Counter electrodes achieve good adhesion by applying a suitable material that serves as a putty achieved so that the electrical contact is not impaired, and secondly by welding the counter electrodes with the semiconductor material. Both means are also preferred applied simultaneously.

Das Aufbringen des verbindenden Materials ist bei dem heutigen Verfahren mühsam und unsicher, denn man spritzt den Kitt im allgemeinen durch ein Fenster der Hülle ein, nachdem die Kristallode in ihrer Hülle fertig gebaut und eingestellt ist. Da für die Hülle meist undurchsichtiges Material benutzt wird, entzieht sich der Kittvorgang der Beobachtung.The application of the connecting material is laborious and unsafe with today's method, for the putty is generally injected through a window in the envelope after the crystal is completely built and adjusted in its shell. As for the cover mostly opaque material is used, the cementing process eludes observation.

Die Erfindung besteht darin, daß man das Überschieben der Hülle erst vornimmt, nachdem die inneren Teile in einer Einspannvorrichtung bei zunächst abseits stehender Hülle zusammengesetzt und die Kontaktstellen verschweißt und/oder formiert und/oder verkittet sind. Hierzu sind Vorrichtungen gefunden worden, welche ein Festhalten der Teile ohne Hülle und deren nachträglichesThe invention consists in the fact that the sheath is pushed over only after the inner parts assembled in a jig with the shell initially standing apart and the contact points are welded and / or formed and / or cemented. There are devices for this have been found, which a retention of the parts without a cover and their subsequent

Aufbringen ohne Beanspruchung der Elektroden gestatten.Allow application without stressing the electrodes.

Als Ausführungsbeispiel wird die Anwendung des Verfahrens bei der Herstellung einer Kristalldiode an Hand der Zeichnung beschrieben: In eine Aussparung des Einspannkörpers ι wird zunächst von oben der profilierte Halter 2 mit dem Halbleiter 3 und dem Zuführungsdraht 4 eingesetzt und mittels der Schraube 5 festgeklemmt. Daraufhin werden oben die Hülle 6 mit der Fassung 7 eingeführt. Die Fassung 7 ist ein profiliertes Metallstück, welches in das Röhrchen 6, das z. B. aus Plexiglas bestehen kann, eingepreßt ist. Nach dem Einführen liegt die Hülle 6 auf einem oder mehreren Stäbchen 8 auf. Diese sind in dem Einspannkörper ι axial verschiebbar· und weichen bei einer Abwärtsbewegung der Hülle 6 gegen einen Federdruck nach unten aus. Sodann wird der in einer Bohrung der Fassung 7 noch bewegliche Elektrodenhalter 9 mit der Elektrode 10 auf den Halbleiter 3 aufgesetzt. Das genaue Aufsetzen und Justieren geschieht beispielsweise dadurch, daß der Elektrodenhalter 9 von einer (nicht gezeichneten) Vorrichtung gehalten wird, die es erlaubt, ihn sehr fein längs zu verschieben und um seine Achse zu drehen und, nachdem ein günstiger Punkt auf der Oberfläche des Halbleiters 3 ausgesucht ist, mittels einer Stellschraube 11 im Vorrichtungskopf 12 festzustellen.As an exemplary embodiment, the application of the method in the production of a crystal diode described with reference to the drawing: In a recess of the clamping body ι is the profiled holder 2 with the semiconductor 3 and the feed wire 4 are first inserted from above and clamped by means of the screw 5. The sheath 6 with the socket 7 are then inserted at the top. The socket 7 is a profiled piece of metal which is inserted into the tube 6, which, for. B. off Plexiglass can exist, is pressed in. After insertion, the sheath 6 lies on an or several double crochets 8. These are axially displaceable in the clamping body and give way a downward movement of the sheath 6 against a spring pressure downward. Then the in a hole in the socket 7 still movable electrode holder 9 with the electrode 10 on the Semiconductor 3 put on. The exact placement and adjustment is done, for example, in that the Electrode holder 9 is held by a (not shown) device that allows him very fine to move lengthways and to rotate about its axis and, after a favorable point on the The surface of the semiconductor 3 is selected by means of an adjusting screw 11 in the device head 12 ascertain.

Nachdem die Kontaktstelle 14 der Elektrode 10 mit dem Halbleiter 3 geschweißt und/oder formiert ist, wird das verbindende Kittmaterial 16, z. B. Hartwachs, Lack, durch ein in dem Vorrichtungskörper ι geeignet angebrachtes Fenster 13 auf die Kontaktstelle 14 aufgebracht und erstarren gelassen. Dann wird die Hülle 6 mit der eingepreßten Fassung heruntergedrückt, so daß sich auch die profilierte untere Fassung 2 in das Hüllenmaterial fest einpreßt. Zum Herunterdrücken können Hebelarme und Schlitze dienen, die in der Abbildung nicht eingezeichnet sind. Zur Fertigstellung der Diode ist noch der Elektrodenhalter 9 mit der Fassung 7 zu verlöten. Das erforderliche Lot 15, bereits beim Zusammensetzen der Teile als Band oder Draht eingebracht, fließt zwischen die beispielsweise durch Hochfrequenzwärme schnellAfter the contact point 14 of the electrode 10 is welded and / or formed with the semiconductor 3, the connecting cement material 16, e.g. B. hard wax, paint, applied through a window 13 suitably mounted in the device body ι on the contact point 14 and allowed to solidify. Then the casing 6 with the pressed-in socket is pressed down so that the profiled lower socket 2 is also pressed firmly into the casing material. Lever arms and slots, which are not shown in the illustration, can be used for pressing down. To complete the diode, the electrode holder 9 has to be soldered to the socket 7. The required solder 15, already introduced as a tape or wire when assembling the parts, flows quickly between them, for example through high-frequency heat

erhitzten Teile 7 und 9 und verbindet sie. Gleichzeitig wird dadurch der Innenraum der Kristalldiode hermetisch abgeschlossen. Die fertige Diode kann leicht aus dem beispielsweise aufklappbaren 50 Vorrichtungskörper 1 herausgenommen werden. In der Abbildung ist rechts eine fertige Kristalldiode gezeigt.heated parts 7 and 9 and connects them. At the same time, this creates the interior of the crystal diode hermetically sealed. The finished diode can easily be removed from the 50, which can be opened, for example Device body 1 can be taken out. In the picture on the right is a finished crystal diode shown.

Claims (5)

PATENTANSPRÜCHE:PATENT CLAIMS: 1. Verfahren zur Herstellung von Kristalloden, z. B. Dioden oder Transistoren, dadurch gekennzeichnet, daß Halbleiter und Gegenelektroden in einer Einspannvorrichtung bei zunächst abseits stehender Hülle (6) zusammengesetzt und eingestellt werden, die Kontaktstellen (14) verschweißt und/oder formiert und/oder verkittet werden und daß dann die Hülle (6) aufgebracht und mit dem Halbleiter und den Gegenelektroden bzw. den Haltern (2, 7, 9) starr verbunden wird.1. Process for the production of crystallodes, e.g. B. diodes or transistors, thereby characterized in that semiconductors and counter electrodes are included in a jig first assembled and set apart from the standing shell (6), the contact points (14) are welded and / or formed and / or cemented and that then the Sheath (6) applied and with the semiconductor and the counter electrodes or the holders (2, 7, 9) is rigidly connected. 2. Einspannvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie eine zylindrische Führung zur Aufnahme der Hülle für die Kristallode aufweist und daß an beiden Enden der Führung Vorrichtungen zum Feststellen der Fassungen des Halbleiters und der Gegenelektrode nach erfolgter Einstellung vorgesehen sind und daß Fenster die Beobachtung und Behandlung der Kontaktstelle ermöglichen.2. Clamping device for performing the method according to claim 1, characterized in that that it has a cylindrical guide for receiving the shell for the Kristallode and that at both ends of the Guide devices for determining the sockets of the semiconductor and the counter electrode after adjustment are provided and that window the observation and treatment enable the contact point. 3. Einspannvorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung zum Feststellen der Halter der Gegenelektroden als Kappe ausgebildet ist, die nach Einführung der Hülle für die Kristallode aufgesetzt wird.3. Clamping device according to claim 2, characterized in that the device to fix the holder of the counter-electrodes is designed as a cap, which after introduction the shell for the crystal is put on. 4. Einspannvorrichtung nach Anspruch 2 und 3, gekennzeichnet durch vorzugsweise unter Federdruck stehende Stifte (8), die die Hülle während der Einstellung und Bearbeitung der Kontaktstelle festhalten.4. Clamping device according to claim 2 and 3, characterized by preferably spring loaded pins (8) that hold the sheath during setting and machining the point of contact. 5. Einspannvorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß Mittel vorgesehen sind, um die miteinander zu verlötenden Teile innerhalb der Vorrichtung durch Hochfrequenzströme zu erhitzen.5. Clamping device according to claim 2, characterized in that means are provided are to the parts to be soldered together within the device by high frequency currents to heat. Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings $303 7. S3'$ 303 7. S3 '