DE7505830U - Vorrichtung zum hochspannungsfesten und gut waermeleitenden einbau von halbleiter-bauelementen - Google Patents

Vorrichtung zum hochspannungsfesten und gut waermeleitenden einbau von halbleiter-bauelementen

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DE7505830U
DE7505830U DE19757505830 DE7505830U DE7505830U DE 7505830 U DE7505830 U DE 7505830U DE 19757505830 DE19757505830 DE 19757505830 DE 7505830 U DE7505830 U DE 7505830U DE 7505830 U DE7505830 U DE 7505830U
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Description

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8 München 2,
Vorrichtung zum hochspannungsfesten und gut wärmeleitenden Einbau von Halbleiter-Bauelementen
Die Neuerung betrifft eine Vorrichtung zum hochspannungsfesten und gut wärmeleitenden Einbau von Halbleiterbauelementen, insbesondere mit Flanschgehäuse, in elektrische Baugruppen.
Beim Einbau von Halbleiterbauelementen stellt sich immer wieder das Problem, die im Bauelement anfallende Verlustwär&e abzuleiten, um damit eine überhöhte Temperatur im Bauteileraum zu verhindern. Die hohen Temperaturen insbesondere von aktiven Bauelementen hoher Leistungsabgabe können zum einen eine Zerstörung des betreffenden Bauelements selbst bewirken sowie auc_ eine V/äi^mebeeinflussung benachbarter Bauelemente und damit eine Funktionsstörung der gesamten Baugruppe. Zum Zweck der Wärmeableitung sind daher beispielsweise wärmeableitende Mittel vorgesehen, die mit dem Halbleiterbauelement in guter thermischer Verbindung stehen oder bei Halbleiterbauelementen mit Flanschgehäusen ist das Flanschgehäuse mit einer wärmeableitenden Wandung des Gehäuses gut wärmeleitend verbunden. Bei derartigen Halbleiterbauelementen steht also eine gute Ableitung der im Bauelement anfallenden Verlustwärme im Vordergrund. Soll der Einbau der Bauelemente zudem auch mit hoher Spannungsfestigkeit erfolgen, also auch eine hohe elektrische Isolation zur Montagefläche gegeben sein, so führt dies nach der herkömmlichen Technik zu recht aufwendigen konstruktiven Lösungen zum Erhalt der notwendigen Isolationsstrecken.
Der Neuerung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung einfachen Aufbau*· zu schaffen, mit der das Bauelement guten thermischen Kontakt und hohe elektrische Isolation zur Montagefläche aufweist i ί
Diese Aufgabe wird gemäß der Neuerung mit einer Vorrichtung gelöst, bei der das Halbleiterbauelement von einer Vergußmasse
VPA 9/641/5005 Klu/Ath
7505SL30 02.09.76
aus einem gut wärmeleitenden und hochisolierenden Gießhf.rz ein- ] ■ geschlossen ist und bodenseitig an der Montageseite, unter ausreichendem Isolationsabstand zum Halbleiterbauelement angeordnet, eine Hontageplatte eingegossen ist. ;
ί
"Weitere Einzelheiten der Neuerung werden nachstehend anhand eines f
in der Figur dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert. |
Das Halbleiterbauelement besteht im dargestellten Ausführungs- t
beispiel aus einem Transistor 2 mit Flanschgehäuse. Dieses Bauele- [
ment ist samt seinem Flanschgehäuse in einem gut wärmeleitenden f.
und hoch isolierenden Gießharz 1 eingegossen, wobei lediglich die ^j
Transistoranschlüsse aus dem Vergußteil 1 herausragen. An der j
den Transistoranschlüssen gegenüberliegenden Seite des Verguß- f»
teiles 1 ist bodenseitig eine mit Gewindebohrungen versehene f"
Montageplatte J5 eingegossen. Die Montageplatte 3> über die das !■ Vergußteil 1 auf der Montagefläche 4 des Gerätes mittels der
Schrauben 5 aufgeschraubt ist, bringt den gewünschten Wärmekon- Ij
takt zur Montagefläche. Mit diesem zugleich sehr raumsparenden V Verguß wird die Verlustwärme des Halbleiterbauelementes gut abgeleitet und ein hochspannungsfester Aufbau (mindestens 6 kV
gegen Masse) erreicht. :
1 Schutzanspruch
1 Figur
VPA 9/641/5005
75058^30 02.09.76

Claims (1)

  1. Schutzanspruch
    Vorrichtung zum hochspannungsfesten und gut wärmeleitenden Einbau von Halbleiterbauelementen, insbesondere mit Flanschgehäuse, in elektrischen Baugruppen, gekennzeichnet durch eine das Halbleiterbauelement (2) einschließende Vergußmasse (1) aus einem gut wärmeleitenden und hochisolierenden Gießharz und eine bodenseitig an der Montageseite eingegossene, unter ausreichendem Isolationsabstand zum Halbleiterbauelement (2) angeordnete Montageplatte (3).
    VPA 9/641/5005
    7505430 02.09.76
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE3611658A1 (de) * 1985-04-05 1986-10-16 Omron Tateisi Electronics Co., Kyoto Elektronikbauteilaufbau
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