DE7505830U - Vorrichtung zum hochspannungsfesten und gut waermeleitenden einbau von halbleiter-bauelementen - Google Patents
Vorrichtung zum hochspannungsfesten und gut waermeleitenden einbau von halbleiter-bauelementenInfo
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Description
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20
25
8 München 2,
Vorrichtung zum hochspannungsfesten und gut wärmeleitenden Einbau von Halbleiter-Bauelementen
Die Neuerung betrifft eine Vorrichtung zum hochspannungsfesten und gut wärmeleitenden Einbau von Halbleiterbauelementen, insbesondere
mit Flanschgehäuse, in elektrische Baugruppen.
Beim Einbau von Halbleiterbauelementen stellt sich immer wieder das Problem, die im Bauelement anfallende Verlustwär&e abzuleiten,
um damit eine überhöhte Temperatur im Bauteileraum zu verhindern. Die hohen Temperaturen insbesondere von aktiven Bauelementen
hoher Leistungsabgabe können zum einen eine Zerstörung des betreffenden Bauelements selbst bewirken sowie auc_ eine
V/äi^mebeeinflussung benachbarter Bauelemente und damit eine Funktionsstörung
der gesamten Baugruppe. Zum Zweck der Wärmeableitung sind daher beispielsweise wärmeableitende Mittel vorgesehen,
die mit dem Halbleiterbauelement in guter thermischer Verbindung stehen oder bei Halbleiterbauelementen mit Flanschgehäusen ist
das Flanschgehäuse mit einer wärmeableitenden Wandung des Gehäuses gut wärmeleitend verbunden. Bei derartigen Halbleiterbauelementen
steht also eine gute Ableitung der im Bauelement anfallenden Verlustwärme im Vordergrund. Soll der Einbau der Bauelemente
zudem auch mit hoher Spannungsfestigkeit erfolgen, also auch eine hohe elektrische Isolation zur Montagefläche gegeben
sein, so führt dies nach der herkömmlichen Technik zu recht aufwendigen konstruktiven Lösungen zum Erhalt der notwendigen Isolationsstrecken.
Der Neuerung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung einfachen
Aufbau*· zu schaffen, mit der das Bauelement guten thermischen
Kontakt und hohe elektrische Isolation zur Montagefläche aufweist i ί
Diese Aufgabe wird gemäß der Neuerung mit einer Vorrichtung gelöst,
bei der das Halbleiterbauelement von einer Vergußmasse
VPA 9/641/5005 Klu/Ath
7505SL30 02.09.76
aus einem gut wärmeleitenden und hochisolierenden Gießhf.rz ein- ] ■
geschlossen ist und bodenseitig an der Montageseite, unter ausreichendem Isolationsabstand zum Halbleiterbauelement angeordnet,
eine Hontageplatte eingegossen ist. ;
ί
"Weitere Einzelheiten der Neuerung werden nachstehend anhand eines f
in der Figur dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert. |
Das Halbleiterbauelement besteht im dargestellten Ausführungs- t
beispiel aus einem Transistor 2 mit Flanschgehäuse. Dieses Bauele- [
ment ist samt seinem Flanschgehäuse in einem gut wärmeleitenden f.
und hoch isolierenden Gießharz 1 eingegossen, wobei lediglich die ^j
Transistoranschlüsse aus dem Vergußteil 1 herausragen. An der j
den Transistoranschlüssen gegenüberliegenden Seite des Verguß- f»
teiles 1 ist bodenseitig eine mit Gewindebohrungen versehene f"
Montageplatte J5 eingegossen. Die Montageplatte 3>
über die das !■ Vergußteil 1 auf der Montagefläche 4 des Gerätes mittels der
Schrauben 5 aufgeschraubt ist, bringt den gewünschten Wärmekon- Ij
takt zur Montagefläche. Mit diesem zugleich sehr raumsparenden V
Verguß wird die Verlustwärme des Halbleiterbauelementes gut abgeleitet und ein hochspannungsfester Aufbau (mindestens 6 kV
gegen Masse) erreicht. :
1 Schutzanspruch
1 Figur
1 Figur
VPA 9/641/5005
75058^30 02.09.76
Claims (1)
- SchutzanspruchVorrichtung zum hochspannungsfesten und gut wärmeleitenden Einbau von Halbleiterbauelementen, insbesondere mit Flanschgehäuse, in elektrischen Baugruppen, gekennzeichnet durch eine das Halbleiterbauelement (2) einschließende Vergußmasse (1) aus einem gut wärmeleitenden und hochisolierenden Gießharz und eine bodenseitig an der Montageseite eingegossene, unter ausreichendem Isolationsabstand zum Halbleiterbauelement (2) angeordnete Montageplatte (3).VPA 9/641/50057505430 02.09.76
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19757505830 DE7505830U (de) | 1975-02-25 | 1975-02-25 | Vorrichtung zum hochspannungsfesten und gut waermeleitenden einbau von halbleiter-bauelementen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19757505830 DE7505830U (de) | 1975-02-25 | 1975-02-25 | Vorrichtung zum hochspannungsfesten und gut waermeleitenden einbau von halbleiter-bauelementen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE7505830U true DE7505830U (de) | 1976-09-02 |
Family
ID=31958831
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19757505830 Expired DE7505830U (de) | 1975-02-25 | 1975-02-25 | Vorrichtung zum hochspannungsfesten und gut waermeleitenden einbau von halbleiter-bauelementen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE7505830U (de) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3611658A1 (de) * | 1985-04-05 | 1986-10-16 | Omron Tateisi Electronics Co., Kyoto | Elektronikbauteilaufbau |
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DE4224720A1 (de) * | 1992-07-27 | 1994-02-03 | Duerrwaechter E Dr Doduco | Gehäuse für eine elektronische Schaltung mit einem Leistungshalbleiter |
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-
1975
- 1975-02-25 DE DE19757505830 patent/DE7505830U/de not_active Expired
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