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Gebiet der
Erfindung
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Die Erfindung bezieht sich auf Verbesserungen
in einem Plasmareaktor und auf ein Verfahren des Behandelns eines
Substrats in dem Plasmareaktor, wie zum Beispiel durch Plasmaätzen einer
Oxidschicht auf eine Halbleiterscheibe (Wafer).
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Hintergrund
der Erfindung
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Vakuumbehandlungskammern werden im Allgemeinen
für die
chemische Gasphasenabscheidung (CVD: Chemical Vapor Deposition)
verwendet und zum Ätzen
von Materialien auf Substrate, durch Zuführen eines Prozessgases in
die Vakuumkammer und durch Anlegen eines HF-Feldes (HF: Hochfrequenz)
an das Gas. Beispiele von Parallelplatten-, transformergekoppelten
Plasma- (TCPTM, auch ICP genannt) und Elektron-Zyklotron-Resonanz-Reaktoren
(ICR) sind in den US-Patenten mit den Nummern 4,340,462; 4,948,458
und 5,200,232 desselben Patentinhabers offenbart. Die Substrate
werden an ihrem Platz innerhalb der Vakuumkammer während des
Behandelns durch Substrathalter gehalten. Herkömmliche Substrathalter umfassen
mechanische Klammern und elektrostatische Klammern (ESC). Beispiele
für Substrathalter
mit mechanischen Klammern und ESC sind in dem US-Patent mit der
Nummer 5,262,029 desselben Patentinhabers und in der US-Patentanmeldung
desselben Inhabers mit der Nummer 08/401,524, die am 10. März 1995
eingereicht wurde, dargestellt. Substrathalter in der Form einer
Elektrode können
eine Hochfrequenzleistung (HF-Leistung)
in die Kammer zuführen,
wie in dem US-Patent mit der Nummer 4,579,618 offenbart ist.
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Plasmareaktoren, in welchen eine
Antenne, die an eine Hochfrequenzquelle (HF-Quelle) gekoppelt ist, Gas in einen
Plasmazustand innerhalb einer Behandlungskammer energetisiert, sind
in den US-Patenten mit den Nummern 4,948,458; 5,198,718; 5,241,245;
5,304,279; 5,401,350; 5,531,834; 5,464,476; 5,525,159; 5,529,657
und 5,580,385 offenbart. In solchen Systemen ist die Antenne von
dem Inneren der Behandlungskammer durch ein dielektrisches Element,
wie zum Beispiel ein dielektrisches Fenster, eine Gasverteilungsplatte, eine
einkapselnde Schicht eines Epoxydharzes oder Ähnliches getrennt, und die
HF-Energie wird in die Kammer durch das dielektrische Element zugeführt. Solche
Behandlungssysteme können
für eine
Vielzahl von Halbleiter-Behandlungsanwendungen,
wie zum Beispiel Ätzen,
Abscheiden, Resist-Strippen, etc. verwendet werden.
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Während
einer Oxidätzung
einer Halbleiterscheibe in einem Plasmareaktor kann sich Polymer auf
der ausgesetzten Oberfläche
des dielektrischen Elementes aufbauen/niederschlagen. Weil der Polymeraufbau
zunimmt, kann die Gleichförmigkeit
des Behandelns des Substrates beeinflusst werden und/oder das Polymer
kann von dem dielektrischen Element abbröckeln. Wenn das dielektrische
Element direkt oberhalb des Substrates und der Aufspanneinrichtung
(sog. Chuck) positioniert ist, können
Polymerteilchen direkt auf das Substrat oder die Aufspanneinrichtung
darunter fallen. Dies kann das Substrat ruinieren, was die Ausbeute
vermindert, oder Aufspannungsprobleme verursachen. Zudem muss die
Bearbeitung/der Prozess gestoppt werden und die Kammer gereinigt
werden. Die Verzögerung aufgrund
der „Down-Time" (Stillstandzeit),
welche für das
Reinigen erforderlich ist, stellt ebenso einen wesentlichen Verlust
in der Produktionsausbeute dar. Daher ist die Kontrolle der Ablagerung
von Polymer auf dem dielektrischen Element kritisch für das Erreichen
einer hohen Ausbeute und das Beibehalten eines Durchsatzes von Substraten
in dem Plasmareaktor.
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Zusammenfassung
der Erfindung
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Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung
ist es, den Durchsatz von bearbeiteten Substraten zu vergrößern, wenn
Substrate, wie zum Beispiel Halbleiterscheiben (Wafer) kontinuierlich
in einem Plasmareaktor prozessiert werden, wobei eine Oberfläche eines
dielektrischen Elementes, wie zum Beispiel ein dielektrisches Fenster
oder eine Gasverteilungsplatte (GDP: Gas Distribution Plate), dem
Substrat gegenübersteht.
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Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung,
den Ablagerungs-/Niederschlagsaufbau auf
einer inneren Oberfläche
in einem Plasmareaktor zu steuern und dabei die Ausbeute an produzierten Substraten
zu vergrößern und
den Ausfallzeitbedarf zum Reinigen des Reaktors zu verringern.
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Die vorhergehende und andere Aufgaben werden
durch ein verbessertes Verfahren und eine Vorrichtung zum Steuern
der Spannungs-Stehwelle, welche durch eine Antenne, die von dem
Inneren eines Plasmareaktors durch ein dielektrisches Element getrennt
ist, hervorgebracht wird, gelöst.
Gemäß eines
Aspekts der vorliegenden Erfindung hat man festgestellt, dass in
dem Bereich oder den Bereichen einer großen Amplitude der Spannungs-Stehwelle der
Antenne Ablagerungen von dem dielektrischen Element durch Ionen-Bombardement gereinigt
werden. Auf der anderen Seite, bei Regionen entlang der Antenne,
in welchen die Amplitude der Stehwellenspannung klein ist, werden
Ablagerungen eine dicke, manchmal schlecht anhaftende Schicht aufbauen.
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Dementsprechend stellt die vorliegende
Erfindung ein Verfahren des Reduzierens des Ablagerungsaufbaus auf
einer inneren Oberfläche
einer Plasma-Behandlungskammer
zur Verfügung,
in welcher Substrate behandelt werden, die Plasma-Behandlungskammer
umfasst eine Antenne und ein dielektrisches Element, welches die
Antenne von einem Inneren der Plasma-Behandlungskammer trennt, gekennzeichnet
durch die folgenden Schritte:
- (a) das Erzeugen
von Plasma in dem Inneren der Plasma-Behandlungskammer durch Anlegen eines
Hochfrequenz-Stromes an die Antenne, wobei ein Teil des Hochfrequenz-Stromes
kapazitiv in das Plasma durch eine Spannungs-Stehwelle gekoppelt
wird; und
- (b) das Steuern des Ablagerungsaufbaus auf der inneren Oberfläche des
dielektrischen Elementes durch Verschieben einer Position einer
Maximalspannungs-Amplitude der Spannungs-Stehwelle entlang der Antenne,
so dass ein Ausmaß eines Ionen-Bombardements
auf der inneren Oberfläche
des dielektrischen Elements variiert wird und eine gleichförmige Substratbehandlung
während des
sequentiellen Behandelns von Substraten in der Plasma-Behandlungskammer
erzielt werden kann.
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Die Erfindung erstreckt sich ferner
auf eine Plasma-Behandlungskammer, umfassend:
einen Substrathalter
zum Tragen eines Substrates innerhalb eines Inneren der Plasma-Behandlungskammer;
ein
dielektrisches Element, welches eine ausgesetzte Oberfläche aufweist,
die einer Reaktionszone benachbart einem Substrat, welches auf dem
Substrathalter gehalten wird, gegenübersteht;
eine Gaszufuhr
zum Zuführen
von Prozessgas in die Reaktionszone;
eine Antenne zum Zuführen von
Hochfrequenz-Energie in das Innere der Plasma-Behandlungskammer und
zum Energetisieren des Prozessgases in einen Plasmazustand zum Behandeln
eines Substrates, wobei ein Bereich der Hochfrequenz-Energie kapazitiv
in das Plasma durch eine Spannungs-Stehwelle gekoppelt wird; und
eine
elektrische Schaltung, welche die Position einer maximalen Spannungsamplitude
der Spannungs-Stehwelle entlang der Antenne verschiebt, so dass
ein Ausmaß eines
Ionen-Bombardements auf die innere Oberfläche des dielektrischen Elementes variiert
wird, und das gleichförmige
Substratbehandeln während
des sequentiellen Behandelns von Substraten in der Plasma-Behandlungskammer
erzielt werden kann.
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Gemäß einer beispielhaften Ausführung der Erfindung
wird der Wert der Abschlussimpedanz der Antenne variiert, um die
Position der Amplituden der hohen Spannung und der niedrigen Spannung
der Stehwelle auf der Antenne zu steuern. Gemäß dieser Ausführung der
Erfindung wird der Wert des Abschlusskondensators variiert, so dass
die Bereiche des niedrigen und hohen Ionen-Bombardements sich über das
dielektrische Element bewegen.
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Gemäß einer beispielhaften Ausführung, wenn
der Abschlusskondensator sich auf einem hohen Wert befindet, wird
ein zentraler Reinigungsbereich ausgebildet und ein Ablagerungsaufbau
tritt in einem äußeren Bereich,
welcher den zentralen Bereich umschließt, auf. Bei niedrigen Kondensatorwerten
unterliegt der zentrale Bereich einem Ablagerungsaufbau und der äußere Bereich
wird durch Ionen-Bombardement
gereinigt. Durch Steuern des Ionen-Bombardements von diesen Regionen
können die
Gleichförmigkeit
und das Anhaften des Ablagerungsaufbaus auf dem dielektrischen Element
gesteuert werden.
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Gemäß einer beispielhaften Ausführung kann
der Abschlusskondensator zweimal oder öfter variiert werden, kontinuierlich
variiert werden oder auf einen gewünschten Wert während des
Behandelns eines individuellen Substrates gesetzt werden, wie zum
Beispiel während
eines Oxidätzens
einer Halbleiterscheibe (zum Beispiel Silizium-Wafer) in dem Plasmareaktor
und/oder während
eines Reinigungsdurchlaufs, welcher dem Ätzschritt folgt. Der Abschlusskondensator
kann zum Beispiel auf einem Wert während des Behandelns (zum Beispiel
während
eines Wafer-Ätzprozesses)
betrieben werden, und der Kondensator kann auf einem unterschiedlichen
Wert während
eines Reinigungsschrittes (zum Beispiel während eines Sauerstoff-Reinigungsdurchlaufes)
betrieben werden.
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Kurze Beschreibung
der Zeichnungen
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Die Erfindung wird in größerem Detail
mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben, in welchen
sich entsprechende Elemente mit den selben Bezugszeichen versehen
sind und in welchen:
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die 1 eine
quergeschnittene Ansicht einer Vakuum-Behandlungskammer ist, welche
einen Einsatz (Liner), einen Fokusring, eine Gasverteilungsplatte
aufweist, gemäß einer
beispielhaften Ausführung
der Erfindung;
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die 2 eine
Draufsicht einer Gasverteilungsplatte mit 89 Löchern gemäß einer beispielhaften Ausführung der
Erfindung ist;
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die 3 eine
Antenne in der Form einer flachen spiralförmigen Spule gemäß einer
beispielhaften Ausführung
der Erfindung darstellt;
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die 4a bis 4b Darstellungen von Ablagerungsaufbaumustern
(gezeigt mit Querschraffierungen) sind, mit Variation in der Abschlusskapazität;
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die 5 eine
beispielhafte Schaltungsanordnung für eine Antenne in der Form
der spiralförmigen
Spule, die in der 3 gezeigt
ist, darstellt;
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die 6 die
Wirkung der Variationen des C4-Wertes der
Schaltung, welche in der 5 gezeigt
ist, auf Werte von C1, C2 und
C3 darstellt, welche die reflektierte Leistung
minimieren;
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die 7 die
Wirkung der Variationen des C4-Wertes auf
die Antennenspannungsamplitude und die HF-Spannung der Bodenelektrode
darstellt; und
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die 8 die
Wirkung der Variationen des C4-Wertes auf
die Antennenstromamplitude und den HF-Strom der Bodenelektrode darstellt.
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Detaillierte Beschreibung
der vorzuziehenden Ausführungen
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Die Erfindung stellt Verbesserungen
bei der Reduzierung der Teilchenkontamination von Substraten, wie
zum Beispiel Halbleiterscheiben (zum Beispiel Silizium-, Galliumarsenid-Wafer,
etc.), Substrate für
Flachbildschirme und Ähnlichem,
zur Verfügung.
Zudem stellt die Erfindung das gleichförmige und wiederholbare Behandeln
von sequentiell behandelten Substraten zur Verfügung, wobei extrem lange kontinuierliche
Prozessabläufe
(zum Beispiel über
100, vorzugsweise über
1000 und noch eher vorzuziehen über
2000 Wafer-Durchläufe)
zwischen Abschaltungen zum Reinigen des Reaktors zugelassen werden.
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Beim Plasmaätzen von Substraten können Merkmale
in Schichten aus verschiedenen Materialien auf Substraten, wie zum
Beispiel Silizium-Wafern, geätzt
werden. Bei solchen Ätzprozessen
kann eine Gasverteilungsplatte verwendet werden, um die räumliche
Verteilung der Gasströmung
in das Volumen des Reaktors über
der Ebene des Substrats zu steuern. In dem TCPTM 9100TM Plasmaätzreaktor, welcher
von der LAM Research Incorporated erhältlich ist, ist die Gasverteilungsplatte
eine kreisförmige Platte,
welche direkt unterhalb des TCPTM Fensters positioniert
ist, welches ebenso die vakuumabdichtende Fläche am oberen Ende des Reaktors
in einer Ebene oberhalb und parallel zu einer Halbleiterscheibe
(Wafer) ist. Die Gasverteilungsplatte ist gegen einen Gasverteilungsring
abgedichtet, der an dem Umfang der Gasverteilungsplatte positioniert
ist, wobei ein O-Ring verwendet wird. Der Gasverteilungsring führt Gas
von einer Quelle in das Volumen ein, welches durch die Gasverteilungsplatte,
eine Innenseitenoberfläche
eines Fensters, welches unter einer Antenne in der Form einer flachen
spiralförmigen Spule,
die HF-Energie in den Reaktor zuführt, liegt, und den Gasverteilungsring
definiert wird. Die Gasverteilungsplatte beinhaltet ein Feld von
Löchern/Bohrungen
eines vorgegebenen Durchmessers, welche sich durch die Platte erstrecken.
Die räumliche
Verteilung der Löcher
durch die Gasverteilungsplatte kann variiert werden, um die Ätzgleichförmigkeit
der Schichten, welche geätzt
werden sollen, zu optimieren, beispielsweise eine Photoresist-Schicht,
eine Siliziumdioxid-Schicht und ein unterliegendes Material auf
dem Wafer. Die Querschnittsform der Gasverteilungsplatte kann variiert werden,
um die Verteilung von HF-Leistung in das Plasma in dem Reaktor zu manipulieren.
Der Werkstoff der Gasverteilungsplatte muss ein Dielektrikum sein,
um zu ermöglichen,
dass diese HF-Leistung durch die Gasverteilungsplatte in den Reaktor
gekoppelt wird. Ferner ist es für
den Werkstoff der Gasverteilungsplatte wünschenswert, dass er hochwiderstandsfähig gegenüber chemischem
Sputter-Ätzen in Umgebungen,
wie zum Beispiel Sauerstoff oder einem Hydrofluorcarbongas-Plasma,
ist, um ein Zusammenbrechen und die resultierende Teilchenerzeugung,
welche damit verbunden ist, zu vermeiden.
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Eine Vakuumbehandlungskammer gemäß einer
Ausführung
der vorliegenden Erfindung ist in der 1 dargestellt.
Die Vakuumbehandlungskammer 10 umfasst einen Substrathalter 12 in
der Form einer Bodenelektrode, welche eine elektrostatische Klemmkraft
für ein
Substrat 13 zur Verfügung
stellt, sowie eine HF-Vorspannung für ein Substrat, welches darauf
getragen wird, und einen Fokusring 14 zum Beschränken von
Plasma in einem Bereich über dem
Substrat, während
es He-rückgekühlt wird.
Eine Energiequelle zum Aufrechterhalten eines hochdichten Plasmas
(zum Beispiel mit 1011 bis 1012 Ionen/cm3) in der Kammer, wie zum Beispiel eine Antenne 18 in
der Form einer flachen spiralförmigen Spule,
die durch eine geeignete HF-Quelle und eine geeignete HF-Impedanzanpassungsschaltung
mit Leistung versorgt wird, koppelt induktiv HF-Energie in die Kammer 10, so
dass ein hochdichtes Plasma zur Verfügung gestellt wird. Die Kammer
umfasst eine geeignete Vakuumpumpeinrichtung zum Halten des Inneren
der Kammer auf einem gewünschten Druck,
zum Beispiel unterhalb von 6,7 Pa (50 mTorr), typischennreise auf
0,1 bis 2,7 Pa (1 bis 20 mTorr). Ein im wesentlichen ebenes dielektrisches
Fenster 20 einer gleichförmigen Dicke ist zwischen der
Antenne 18 und dem Inneren der Behandlungskammer 10 vorgesehen
und bildet die Vakuumwand an dem oberen Ende der Behandlungskammer 10 aus.
Eine Gasverteilungsplatte, im Allgemeinen Brausekopf (Showerhead) 22 genannt,
ist unter dem Fenster 20 vorgesehen und umfasst eine Vielzahl
von Öffnungen,
wie zum Beispiel kreisförmige
Bohrungen (nicht gezeigt) zum Zuführen von Prozessgas, welches durch
die Gaszufuhr 23 zugeführt
wird, in die Prozesskammer 10. Ein konischer Einsatz 30 erstreckt sich
ausgehend von der Gasverteilungsplatte und umschließt den Substrathalter 12.
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Die Antenne 18 kann mit
einem Kanal 24 versehen sein, durch welchen ein Temperatursteuerfluid geleitet
wird, über
die Einlass- und Auslasskanäle 25, 26.
Die Antenne 18 und/oder das Fenster 20 können jedoch
durch andere Techniken gekühlt
werden, wie zum Beispiel durch Blasen von Luft über die Antenne und das Fenster,
durch Durchleiten eines Kühlmediums
durch oder in einem Wärmeübertragungskontakt
mit dem Fenster und/oder der Gasverteilungsplatte, etc.
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Beim Betrieb wird ein Wafer auf dem
Substrathalter 12 positioniert und wird typischerweise durch
eine elektrostatische Klammer, eine mechanische Klammer oder andere
Klammerungsmechanismen am Platz gehalten, wenn He-Rückkühlung angewendet wird. Prozessgas
wird dann in die Vakuumbehandlungskammer 10 zugeführt, durch
Leiten des Prozessgases durch eine Lücke zwischen dem Fenster 20 und
der Gasverteilungsplatte 22. Geeignete Gasverteilungsplattenanordnungen,
das heißt Brausekopf-Anordnungen,
sind in den US-Patentanmeldungen mit den Anmeldenummern 08/509,080; 08/658,258
und 08/658,259 desselben Inhabers offenbart. Die Gasverteilungsplatte
kann verschiedene Ausführungen
aufweisen, von denen ein Beispiel in der 2 gezeigt ist. Die Gasverteilungsplatte 22, welche
in der 2 gezeigt ist,
umfasst 89 Bohrungen 41 und vier Wulste 42 nahe
der Mitte derselben, um einen Durchlass für eine Zufuhr von Prozessgas zwischen
der Gasverteilungsplatte und dem dielektrischen Fenster zur Verfügung zu
stellen. Die Gasverteilungsplatte, der Einsatz und/oder der Fokusring können in
den Kammern der Typen montiert werden, welche in den US-Patentanmeldungen
mit den Anmeldenummern 08/658,261 und 08/658,262 desselben Inhabers
offenbart sind. Eine vollständige
Beschreibung eines Prozesses zum Produzieren von Halbleitersubstraten
zur Verwendung mit der vorliegenden Erfindung ist in der US-Patentanmeldung
mit der Anmeldenummer 08/722,371 desselben Inhabers offenbart.
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Wenn man sich nun der 3 zuwendet, ist eine Darstellung
einer TCPTM Spule 50 gezeigt, welche über einem
Plasma 52 positioniert ist, welches durch die Spule erzeugt
wurde. Das äußere Ende
der Spule 50 ist an einen variablen Abschlusskondensator 60 angeschlossen,
welcher jeweils eine Ausgangsspannung und -strom V0 und
I0 aufweist. Das innere Ende der Spule ist
an eine HF-Leistungsversorgung angeschlossen, welche HF-Leistung
durch den Abgleichschaltkreis 65 zuführt, so dass das innere Ende
der Spule jeweils eine Eingangsspannung und -strom von V1 und I1 aufweist.
Die Abgleichschaltungen, wie zum Beispiel 65, sind dem Fachmann
bekannt und werden daher vorliegend nicht weiter beschrieben. Als
eine verlustbehaftete Übertragungsleitung
bringt die TCPTM Spule 50 eine
Spannungsstehwelle hervor, welche entlang ihrer Länge durch
Variieren der Abschlussimpedanz der Spule verschoben werden kann.
In dem Beispiel, welches in der 3 gezeigt
ist, wird die Abschlussimpedanz durch den Kondensator 60 zur
Verfügung
gestellt. Es ist jedoch naheliegend für den Fachmann, dass die Versetzung der
Spannungsstehwelle durch andere Techniken erreicht werden kann.
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In einem Bereich der Spule 50,
welcher eine Stehwelle mit hoher Spannungsamplitude (das heißt Spitzenspannung)
hervorbringt, gibt es einen entsprechenden Bereich eines hohen Ionen-Bombardements
auf der Gasverteilungsplatte 22. Im Bereich dieses hohen
Ionen-Bombardements verbleibt die Gasverteilungsplatte relativ frei
von einem Polymeraufbau. In anderen Regionen, in welchen das Ionen-Bombardement
gering ist, kann ein Aufbau von Polymer auftreten. In anderen Worten,
in den Bereichen der Spule 50, in denen die Spitzenspannung hoch
ist, wird der Polymeraufbau in benachbarten Bereichen auf der inneren
Oberfläche
der Gasverteilungsplatte minimiert.
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Die Position der größten Spannungsamplitude
der Stehlwelle kann entlang der Spule 50 durch Manipulieren
der Abschlussimpedanz versetzt werden. In einer beispielhaften Ausführung wird
der Kondensator verwendet, um die Abschlussimpedanz zu variieren.
Durch Variieren des Wertes der Kapazität des Kondensators 60 können die
Bereiche mit einem hohen und geringen Ionen-Bombardement über der Oberfläche der
Gasverteilungsplatte 22 bewegt werden, um ein Reinigen
der Platte 22 zu bewirken.
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Gemäß einer beispielhaften Ausführung der Erfindung
hat man festgestellt, dass, wenn der Abschlusskondensator auf einen
niedrigen Wert gesetzt wurde, das dielektrische Element 70 einen
inneren Bereich 72 eines Polymeraufbaus umfasst und einen äußeren relativ
sauberen Bereich 74, wie in der 4a gezeigt ist. Durch Anheben der Kapazität des Kondensators 16 kann
der Bereich des Polymeraufbaus in einen äußeren Bereich 76 verschoben
werden, und der vorherige Aufbau auf dem inneren Bereich kann durch
ein Ionen-Bombardement des Bereiches reduziert werden, um einen
relativ sauberen inneren Bereich 78 auszubilden, wie in
der 4b gezeigt ist.
Gemäß der Erfindung
kann die Kapazität gesteuert
und/oder variiert werden, um die sauberen Zonen über die innere Oberfläche eines
dielektrischen Elementes, wie zum Beispiel die Gasverteilungsplatte,
zu bewegen, um einen Ablagerungsaufbau zu unterdrücken.
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Die Kapazität des regelbaren/variablen
Kondensators 60 kann zum Beispiel elektromechanisch durch
eine Steuerschaltung 68 gesteuert werden. Gemäß dieser
Ausführung
der Erfindung können
wenigstens zwei Steuerschemata implementiert werden. Ein erstes
Steuerschema variiert systematisch die Kapazität des Kondensators 60 während des
Behandelns, wie zum Beispiel bei einem Ätzschritt oder einem Sauerstoff-Reinigungsschritt.
Gemäß einer vorzuziehenden
Ausführung
wird die Kapazität
auf demselben Weg in jedem Durchlauf geändert, um ein gleichförmiges und
wiederholbares Prozessieren von sequentiell behandelten Substraten
auszuführen.
Ein zweites Steuerverfahren betreibt den Kondensator 60 auf
einem Wert während
eines Bearbeitungsdurchlaufes und einem zweiten Wert während des Sauerstoff-Reinigungsdurchlaufes.
Alternativ könnte, in
dem Fall, in dem das Substrat eine kleinere Größe als die Antenne aufweist,
die Kapazität
auf einen Wert gesetzt werden, welcher einen gleichförmigen Aufbau
von Ablagerungen auf einem Bereich des dielektrischen Elementes
erreicht, welcher gleich groß mit
dem des Substrates ist. In diesem Fall kann ein gleichförmiges Substratbehandeln
erzielt werden, gefolgt von einem optionalen Reinigungsschritt,
um den Ablagerungsaufbau zu entfernen. Die 5 bis 8 stellen
Details einer Schaltung dar, welche verwendet werden kann, um die
TCPTM Spule, welche in der 1 gezeigt ist, zu betreiben. Wie in der 5 gezeigt ist, liegt die
Antenne in der Form einer TCPTM Spule vor,
welche mit HF-Leistung durch eine Schaltungsanordnung versorgt wird,
die die Kondensatoren C1, C2 und
C3 mit einem Abschlusskondensator Ca, der
an einen Ausgang der Spule angeschlossen ist, umfasst. Die 6 stellt die Wirkung der
Variationen des C4-Wertes (normalisiert)
der Schaltung, welche in der 5 gezeigt
ist, auf normalisierte Werte von C1, C2 und C3 dar, welche
die reflektierte Leistung minimieren. Für eine automatische Abstimmung
(Autotuning) können
C2 und C3 geregelt
angetrieben (servo driven) sein, und C3 kann
manuell eingestellt werden. Die 7 stellt
die Wirkung der Variationen des C4-Wertes
(normalisiert) auf die Antennenspitzenspannung (normalisiert) und
die Bodenelektrode-HF-Spannung (normalisiert) dar. Die optimierten
Werte von C1, C2,
C3 und C4 werden
von vielen Faktoren abhängen,
wie zum Beispiel dem Typ des Substrates, welches prozessiert werden
soll, dem Typ der Antenne, dem Typ des Prozesses, welcher ausgeführt werden
soll, etc.
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Die Bodenelektrode wird verwendet,
um eine große
HF-Vorspannung (Biss) an das Substrat, welches behandelt wird, anzulegen.
Zum Beispiel ist es üblich,
einen 4 MHz HF-Strom an die Bodenelektrode anzulegen. Die HF-Spannung
und der Strom an der Bodenelektrode werden durch die Reaktorimpedanz mit
einem Plasma, welches in dem Reaktor aufgebaut ist, bestimmt. Die 7 zeigt, dass die HF-Spannung
auf die Bodenelektrode eine Funktion des C4-Wertes
ist. Die Änderungen
in der HF-Spannung auf der Bodenelektrode haben keine Hauptwirkung
auf die Behandlung eines Substrats. Wie in der 8 gezeigt ist, wird die Gleichstrom-Spannung (das
heißt
HF-Vorspannung) auf der Bodenelektrode negativer, wenn die Plasmaerzeugung
in Richtung der Kammerwände
für höhere C4-Werte verschoben wird.
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Es wird besonders erwähnt, dass
die oben beschriebenen Ausführungen
nur für
illustrative Zwecke zur Verfügung
gestellt wurden, und dass andere Ausführungen sich selber dem Fachmann
vorschlagen werden. Zum Beispiel können andere Antennen als die
oben beschriebene flache spiralförmige
Spule 50 verwendet werden, um das Ionen-Bombardement der
Gasverteilungsplatte zu steuern. Zum Beispiel kann mehr als eine
Antenne verwendet werden und/oder die Antenne kann nichtebene Konfigurationen
aufweisen oder eine nichtspiralförmige
Form haben. Wenn eine spiralförmige
Spule verwendet wird, kann die Anzahl von Windungen derselben ausgewählt werden,
basierend auf der Größe des Substrates,
welches behandelt werden soll. Zudem, während die Erfindung im Hinblick
auf die Steuerung der Kapazität
des Kondensators 60 beschrieben worden ist, können andere
Techniken verwendet werden, um das Ionen-Bombardement auf die Gasverteilungsplatte
zu steuern. Zum Beispiel können
Induktivitäten verwendet
werden, um die Spule 50 abzuschließen und um eine variable Impedanz
gemäß der vorliegenden
Erfindung zur Verfügung
zu stellen. Ferner kann zusätzlich
oder anstelle des Variierens der Abschlussimpedanz die Stehwelle
durch elektrische Komponenten modifiziert werden, die an andere
Bereiche der Spule angeschlossen sind (zum Beispiel die optionale
Schaltungskomponente 90, wie sie in gepunkteten Linien
in der 3 gezeigt ist).
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Das Vorhergehende hat die Prinzipien,
vorzuziehende Ausführungen
und Betriebsmodi der vorliegenden Erfindung beschrieben. Die Erfindung
soll jedoch nicht so ausgelegt werden, dass sie durch die besonderen
diskutierten Ausführungen
beschränkt wird.
Somit sollen die oben beschriebenen Ausführungen eher als illustrativ
betrachtet werden denn als restriktiv, und es soll angenommen werden,
dass Variationen an diesen Ausführungen
durch Facharbeiter ausgeführt
werden können,
ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen, wie
er durch die nachfolgenden Ansprüche
definiert wird.