DE69738147T2 - Photoelectric conversion device - Google Patents
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Die Erfindung bezieht sich auf eine fotoelektrische Wandlervorrichtung und betrifft insbesondere eine großflächige fotoelektrische Wandlervorrichtung mit einem hohen Störabstand (einem hohen Signal/Rauschverhältnis), die sich für eine Verwendung bei einem radiografischen Gerät wie einem digitalen Röntgen-Bildaufnahmegerät für medizinische Zwecke eignet.The The invention relates to a photoelectric conversion device and more particularly relates to a large area photoelectric conversion device with a high signal to noise ratio (a high signal-to-noise ratio), for themselves a use in a radiographic device such as a digital medical X-ray imaging device Purposes.
Nicht nur in einem Land mit einem rasch zunehmenden Anteil der älteren Bevölkerung wie Japan sondern auch weltweit besteht ein erheblicher Bedarf an einer Verbesserung der Diagnoseeffizienz in Kliniken sowie an genauer arbeitenden Geräten für die Medizintechnik. Derzeit findet jedoch meist noch ein mit einem Filmverfahren arbeitendes Röntgen-Bildaufnahmegerät (Film-Röntgengerät) Verwendung.Not only in a country with a rapidly increasing proportion of the elderly population like Japan but also worldwide there is a considerable need for an improvement in diagnostic efficiency in clinics as well as more accurate working devices for the Medical technology. Currently, however, there is usually one with a film process working X-ray image recorder (film X-ray machine) use.
Ein solches Film-Röntgengerät ist jedoch nicht unproblematisch, worauf nachstehend näher eingegangen wird.One however, such a film X-ray machine is not unproblematic, which will be discussed in more detail below.
Bevor ein Arzt das Röntgenbild eines Patienten erhält, muss nämlich der sehr zeitaufwändige und arbeitsintensive Entwicklungsvorgang des Films abgeschlossen sein.Before a doctor x-ray receives a patient, must be the very time consuming and labor-intensive development process of the film completed be.
Auch muss in Fällen, bei denen sich der Patient während der Röntgenbildaufnahme bewegt oder eine ungeeignete Belichtung vorliegt, eine solche Röntgenbildaufnahme zwangsläufig wiederholt werden. Diese Faktoren stehen einer Verbesserung der Diagnoseeffizienz in Kliniken im Wege.Also must in cases in which the patient is during the X-ray image moved or an inappropriate exposure is present, such an X-ray image inevitably be repeated. These factors improve diagnostic efficiency in clinics in the way.
Ferner kann je nach dem erforderlichen Bildaufnahmewinkel des betreffenden Bereichs häufig kein deutliches Röntgenbild erhalten werden. Um ein für eine Diagnose erforderliches klares Röntgenbild zu erhalten, müssen daher aus diesem Grund häufig mehrere Bilder unter veränderten Bildaufnahmewinkeln erstellt werden. Eine solche Vorgehensweise ist jedoch nicht unproblematisch, insbesondere dann, wenn es sich bei einem Patienten um ein Kleinkind oder einen schwangeren weiblichen Patienten handelt.Further may vary depending on the required image pickup angle of the subject Area often no clear radiograph to be obtained. To get one for Therefore, to get a diagnosis clear X-ray image required For this reason, often several Pictures under changed Imaging angles are created. Such an approach is not without problems, especially if it is in a patient around a toddler or a pregnant female Patient acts.
Außerdem müssen die Filme der Röntgenbildaufnahmen nach erfolgter Bildaufnahme für eine gewisse Zeitdauer in Kliniken aufbewahrt werden, was dazu führt, dass in Kliniken schließlich eine sehr große Anzahl solcher Filme vorhanden ist und auch ein entsprechend hoher Verwaltungsaufwand anfällt, da die Filme bei jedem Patientenbesuch entnommen und wieder verwahrt werden müssen.In addition, the Films of x-ray pictures after taking picture for be kept in clinics for a certain period of time, which leads to in clinics eventually a very big one Number of such films is present and also a correspondingly high Administrative overhead is incurred since The films are taken and stored again at each patient visit Need to become.
Wenn ferner ein Patient die normalerweise zur medizinischen Behandlung aufgesuchte Klinik z.B. auf Grund der Tatsache wechseln muss, dass eine Diagnose nur in einer hochmodernen Universitätsklinik oder im Ausland erfolgen kann, müssen die Filme der Röntgenaufnahmen nach der Belichtung und Entwicklung einer anderen Klinik in geeigneter Weise übermittelt werden. Andernfalls ist bei dem Patienten in der neuen Klinik eine erneute Röntgenbildaufnahme erforderlich. Diese Probleme behindern den Aufbau eines neuen zukünftigen Systems der medizinischen Behandlung in erheblichem Maße.If and a patient who is usually on medical treatment visited clinic e.g. must change due to the fact that one Diagnosis can only be made in a state-of-the-art university clinic or abroad can, must the films of the x-rays after the exposure and development of another clinic in a suitable manner become. Otherwise, the patient in the new clinic has one new X-ray image required. These problems hinder the construction of a new future Systems of medical treatment to a considerable extent.
In diesem Zusammenhang wird auf dem Gebiet der Medizintechnik in jüngerer Zeit immer häufiger die Forderung nach einer "Digitalisierung von Röntgenbildinformationen" erhoben. Mit Hilfe einer solchen Digitalisierung kann ein Arzt nämlich die Röntgenbildinformationen eines Patienten unter optimalen Aufnahmewinkeln in Echtzeit erhalten, wobei die erhaltenen Röntgenbildinformationen unter Verwendung von Aufzeichnungsträgern wie magnetooptischen Platten aufgezeichnet und verwaltet werden können. Wenn hierbei ein Nachrichtenübertragungssystem wie ein Faksimilesystem oder dergleichen zur Verfügung steht, können die Röntgenbildinformationen dann innerhalb kürzester Zeit weltweit einer Klinik übermittelt werden. Wenn die erhaltenen digitalen Röntgenbildinformationen darüberhinaus einer Bildverarbeitung unter Verwendung eines Computers unterzogen werden, lässt sich eine erheblich genauere Diagnose als bei dem üblichen Verfahren realisieren, womit sich sämtliche Probleme des üblichen Filmverfahrens lösen lassen.In This connection is used in the field of medical technology more recently more frequently the demand for a "digitization of x-ray image information "with help Such a digitization, a doctor can namely the X-ray image information of a Receiving patients under optimal recording angles in real time, wherein the obtained X-ray image information using record carriers such as magneto-optical disks can be recorded and managed. If this is a messaging system how a facsimile system or the like is available, can the X-ray image information then within the shortest possible time Time worldwide delivered to a clinic become. If the obtained digital X-ray image information in addition subjected to image processing using a computer be, lets a much more accurate diagnosis than the usual Realize process, bringing all the problems of the usual Solve film process to let.
Zur Erfüllung der Forderung nach einer "Digitalisierung von Röntgenbildinformationen" ist in jüngerer Zeit auch bereits ein Röntgen-Bildaufnahmegerät vorgeschlagen worden, bei dem anstelle des Films ein CCD-Festkörper-Bildaufnahmeelement Verwendung findet. Bei Verwendung eines solchen CCD-Festkörper-Bildaufnahmeelements muss allerdings die Fluoreszenz, d.h. das vom Szintillator erhaltene Röntgenbild, mit Hilfe eines optischen Verkleinerungssystems auf der CCD-Lichtempfangsfläche abgebildet werden, was zu einer problematischen Vergrößerung der Abmessungen des Röntgen-Bildaufnahmegeräts führt. Da ferner das Röntgenbild mit Hilfe einer Linse erzeugt wird, kann davon ausgegangen werden, dass sich der Störabstand (das Signal-Rauschverhältnis) beim Lichtdurchtritt durch die Linse um zwei bis drei Größenordnungen verringert, was einen gravierenden Nachteil in Bezug auf die Verwendung eines CCD-Festkörper-Bildaufnahmeelements bei medizinischen Geräten darstellt, die eine hohe Gradationscharakteristik erfordern.To meet the demand for a "digitization of X-ray image information", an X-ray image recording apparatus has also been proposed recently, in which instead of the film, a CCD solid state image pickup element is used. However, when using such a CCD solid-state imaging element, the fluorescence, ie, the X-ray image obtained by the scintillator, must be detected by means of an optical reduction system on the CCD light-receiving surface be imaged, which leads to a problematic increase in the dimensions of the X-ray image recording apparatus. Furthermore, since the X-ray image is generated by means of a lens, it can be assumed that the signal-to-noise ratio (signal-to-noise ratio) decreases by two to three orders of magnitude as it passes through the lens, which has a serious disadvantage with respect to the use of a CCD. Solid state imaging element in medical devices that require a high Gradationscharakteristik.
Weiterhin
sind im Rahmen der jüngeren
Entwicklung von fotoelektrischen Wandlern in Form von Halbleiter-Dünnschichten aus hydriertem
amorphem Silicium (das nachstehend abgekürzt als a-Si bezeichnet wird)
auch sogenannte Kontaktsensoren in großem Umfang entwickelt worden,
die durch Ausbildung von fotoelektrischen Wandlerelementen auf einem
großflächigen Substrat
erhalten werden und mit Hilfe eines optischen Systems im gleichen
Maßstab in
Bezug auf eine Informationsquelle ausgelesen werden können. Da
a-Si nicht nur als Material für
fotoelektrische Wandler sondern auch zur Ausbildung von Dünnschicht-Feldeffekttransistoren
(die nachstehend vereinfacht als Dünnschichttransistoren bezeichnet
werden) Verwendung finden kann, können Halbleiterschichten für fotoelektrische
Wandler und Dünnschichttransistoren
gemeinsam auf einem einzigen Substrat ausgebildet werden. Da hierbei
der Oberflächenbereich
derart vergrößert werden kann, dass
sich ein Bild im gleichen Maßstab
ohne Verwendung eines Verkleinerungssystems auslesen lässt, kann
ein höherer
Störabstand
(Signal-Rauschverhältnis)
als im Falle des CCD-Festkörper-Bildaufnahmeelements
erhalten werden. Das optische Verkleinerungssystem kann somit entfallen,
sodass sich eine Verkleinerung des Gerätes erzielen lässt und
ein solches Gerät
sich insbesondere für
einen Einsatz unter räumlich
eingeschränkten
Bedingungen wie im Falle eines Diagnosefahrzeugs mit einem Röntgen-Bildaufnahmegerät und dergleichen
eignet. Auf Grund dieser Vorzüge
sind Röntgen-Bildaufnahmegeräte unter
Verwendung einer a-Si-Halbleiterdünnschicht bereits in großem Umfang
entwickelt worden, d.h., es sind bereits Röntgen-Bildaufnahmegeräte entwickelt worden, bei denen
fotoelektrische Wandlerelemente und Dünnschichttransistoren aus a-Si-Halbleiterdünnschichten
den Film
In Kliniken wird meist ein oberer Grenzwert für die Röntgendosis bei einem menschlichen Körper eingehalten, obwohl dieser Grenzwert in gewissem Umfang von den jeweils betroffenen Bereichen bzw. Organen abhängt. Insbesondere bei der Durchführung einer Diagnose bei Kindern oder schwangeren Frauen muss diese Röntgendosis jedoch möglichst weitgehend verringert werden. Demzufolge sind im allgemeinen die Lichtemission eines Scintillators (Leuchtstoffs), der Röntgenstrahlen absorbiert und sie in sichtbare Lichtstrahlen umsetzt, sowie die Ladungsmenge bei einem diese Fluoreszenz aufnehmenden und fotoelektrisch umsetzenden fotoelektrischen a-Si-Wandlerelement relativ gering. Um dennoch ein deutliches Bild von einem relativ schwachen Signal zu erhalten, müssen Verbindungsleitungen möglichst kurz gehalten werden, damit Rausch- und Störungseinstreuungen bei den analogen Signalverbindungsleitungen eines fotoelektrischen Wandlerfeldes vermieden werden, wobei ein Analogsignal zur Verringerung der Impedanz über einen Pufferverstärker geführt werden muss. Ferner wird das Analogsignal zur Unterdrückung von Rauschen bzw. Störungseinstreuungen vorzugsweise in der Nähe des Pufferverstärkers zur Speicherung von Digitaldaten in einem Speicher einer Analog-Digital-Umsetzung unterzogen.In Clinics will usually be an upper limit for the X-ray dose in a human Body respected, although this limit is to some extent affected by each Areas or organs. Especially in the implementation A diagnosis in children or pregnant women needs this X-ray dose however, as far as possible be reduced. As a result, the light emission is generally a scintillator (phosphor) that absorbs X-rays and they converted into visible light rays, as well as the amount of charge at a this fluorescence receiving and photoelectrically converting photoelectric a-Si transducer element relatively low. Nevertheless, a clear picture from getting a relatively weak signal, interconnecting lines must be as possible be kept short so that noise and Störseinstreuungen in the analog signal connection lines of a photoelectric converter field be avoided, wherein an analog signal to reduce the impedance over a buffer amplifier guided must become. Further, the analog signal for suppression of Noise or interference preferably in the vicinity of the buffer amplifier for storing digital data in a memory of an analog-to-digital conversion subjected.
Bei einem digitalen Röntgen-Bildaufnahmegerät mit einem von zweidimensional angeordneten fotoelektrischen Wandlerelementen aus a-Si-Halbleiterdünnschichten gebildeten fotoelektrischen Wandlerfeld wird allgemein eine Auflösung akzeptiert, bei der die Bildelementrasterung bzw. der Bildelementabstand vorzugsweise auf 100 μm oder weniger eingestellt ist. Ferner wird davon ausgegangen, dass zur Durchführung von Brustraumaufnahmen einer Person der effektive Bildelementbereich der fotoelektrischen Wandlerelemente vorzugsweise Abmessungen von zumindest 400 mm × 400 mm aufweist. Wenn somit ein fotoelektrisches Wandlerfeld mit einem effektiven Bildelementbereich von 400 mm × 400 mm mit einer Bildelementrasterung von 100 μm ausgebildet wird, erreicht die Anzahl von Bildelementen den hohen Wert von 16 Millionen. Zur Verarbeitung der fotoelektrischen Umsetzungssignale von einer derart großen Anzahl von Bildelementen sind integrierte Hochgeschwindigkeits-Schaltkreise für Pufferverstärker und die Analog-Digital-Umsetzung erforderlich. Insbesondere bei der Verarbeitung von beweglichen Bildern ist eine noch höhere Verarbeitungsgeschwindigkeit erforderlich, wobei jeder integrierte Schaltkreis einen erheblichen Stromverbrauch aufweist. Wenn eine große Datenmenge von Digitaldaten von einem Röntgen-Aufnahmeraum mit hoher Geschwindigkeit in den Außenbereich übertragen werden soll, bedingt dies die Verwendung eines zur Unterdrückung von Übertragungsfehlern erforderlichen Hochgeschwindigkeits-Leitungstreibers, der aus einem im wesentlichen von bipolaren Transistoren gebildeten integrierten Schaltkreis besteht, sodass die Erzielung höherer Übertragungsgeschwindigkeiten auch zu einem höheren Stromverbrauch und damit zu einer nicht unbeträchtlichen Wärmeerzeugung führt.at a digital x-ray imaging device with a of two-dimensionally arranged photoelectric conversion elements of a-Si semiconductor thin films formed photoelectric converter field is generally accepted a resolution, in which the pixel rasterization or the pixel spacing is preferred to 100 microns or less is set. It is also assumed that to carry out from thoracic images of a person the effective pixel area the photoelectric conversion elements preferably have dimensions of at least 400 mm × 400 mm. Thus, when a photoelectric conversion field with a effective pixel area of 400mm x 400mm with a pixel grid formed of 100 microns the number of pixels reaches the high value of 16 Millions. For processing the photoelectric conversion signals from such a big one Number of picture elements are high-speed integrated circuits for buffer amplifiers and the analog-to-digital conversion required. Especially at the Processing of moving pictures is an even higher processing speed required, with each integrated circuit a significant Has power consumption. If a large amount of data from digital data from an X-ray recording room be transferred at high speed in the outdoor area, conditionally this requires the use of one necessary for the suppression of transmission errors High-speed line driver, the from a substantially bipolar transistors formed integrated circuit, so achieving higher transmission speeds also to a higher one Electricity consumption and thus to a not inconsiderable heat generation leads.
In jüngerer Zeit sind zwar integrierte CMOS-Hochgeschwindigkeits-Schaltkreise mit geringem Stromverbrauch entwickelt worden, wobei diesbezüglich weitere Fortschritte zu erwarten sind, jedoch ist in Bezug auf vielseitige integrierte Schaltkreise die Leistung solcher integrierter CMOS-Schaltkreise nicht mit der Leistung der von bipolaren Transistoren gebildeten integrierten Schaltkreise vergleichbar. Somit ist weiterhin die Verwendung von integrierten Schaltkreisen erforderlich, die von bipolaren Hochgeschwindigkeitstransistoren gebildet werden, wobei die auf Grund des höheren Stromverbrauch von den integrierten Schaltkreisen selbst erzeugte Wärme sich bei einem Röntgen-Bildaufnahmegerät in besonderem Maße nachteilig auswirkt.Recently, although integrated CMOS high-speed circuits with ge However, with regard to versatile integrated circuits, the performance of such CMOS integrated circuits is not comparable to the performance of integrated circuits formed by bipolar transistors. Thus, the use of integrated circuits formed by bipolar high-speed transistors is also required, with the heat generated by the integrated circuits themselves due to the higher power consumption being particularly detrimental to an X-ray imager.
Die von einem integrierten Schaltkreis erzeugte Wärme führt nämlich zu einem Temperaturanstieg bei den aus a-Si bestehenden fotoelektrischen Wandlerelementen und Dünnschichttransistoren in dem Röntgen-Bildaufnahmegerät, wobei sich im allgemeinen die Dunkelströme und Fotoströme der fotoelektrischen a-Si-Wandlerelemente entsprechend diesem Temperaturanstieg verändern. Da Änderungen der Dunkelströme wiederum zu Temperaturunterschieden in der zweidimensionalen Anordnung von fotoelektrischen Wandlerelementen führen, können in der Bildebene unterschiedliche Dunkelströme auftreten, was dann die nachteilige Auswirkung eines Strukturrauschens (FPN) hat.The Namely, heat generated by an integrated circuit results in a temperature rise in the a-Si photoelectric conversion elements and thin film transistors in the X-ray imaging apparatus, wherein In general, the dark currents and photocurrents of the photoelectric Change a-Si transducer elements according to this temperature rise. Because changes the dark currents again to temperature differences in the two-dimensional arrangement of Photoelectric conversion elements can be different in the image plane Dark currents occur what then the adverse effect of a structure noise (FPN) Has.
Außerdem kann sogenanntes Schrotrauschen bzw. weißes Rauschen bei den fotoelektrischen Wandlerelementen zu dem nachteiligen Auftreten eines statistischen Rauschens bzw. Grundrauschens (RDN) führen. Weiterhin können beim Auslesen der fotoelektrischen Wandlerelemente entstehende Temperaturschwankungen zu ausgangssignalabhängigen Bildebenen-Abschattungen führen. Darüberhinaus wird sogenanntes KTC-Rauschen (K: Boltzmann-Konstante, T: absolute Temperatur, C: Kapazität im Übertragungssystem) bei der Überführung von akkumulierten Signalladungen von den fotoelektrischen Wandlerelementen erzeugt, was ebenfalls nachteilige Auswirkungen in Bezug auf das Grundrauschen (RDN) haben kann. Der vorstehend beschriebene Temperaturanstieg bei den fotoelektrischen Wandlerelementen und Dünnschichttransistoren führt somit zu einer Verringerung des Störabstands (Signal-Rauschverhältnisses) des Röntgen-Bildaufnahmegeräts sowie zu Schwankungen des Störabstands zwischen Bildelementen, was eine Abnahme der Bildqualität zur Folge hat. Darüberhinaus kann die Zuverlässigkeit des gesamten Gerätes beeinträchtigt werden.In addition, can so-called shot noise or white noise in the photoelectric Transducer elements to the adverse occurrence of a statistical Noise (RDN). Furthermore, at Reading the photoelectric transducer elements resulting temperature fluctuations to output signal dependent Lead to image plane shadowing. Furthermore becomes so-called KTC noise (K: Boltzmann constant, T: absolute Temperature, C: capacity in the transmission system) in the transfer of accumulated signal charges from the photoelectric conversion elements which also has adverse effects on background noise (RDN) can have. The temperature increase described above in the photoelectric conversion elements and thin film transistors thus leads to a reduction of the signal to noise ratio (Signal to noise ratio) the X-ray image capture device as well to fluctuations of the signal-to-noise ratio between picture elements, resulting in a decrease in picture quality Has. Furthermore can the reliability of the entire device.
Da ferner nicht immer sämtliche Röntgenstrahlen von dem Leuchtstoff in sichtbare Lichtstrahlen umgesetzt werden, fallen verstreute oder hindurchtretende Röntgenstrahlen auch auf den vorstehend beschriebenen Pufferverstärker, den Speicher oder andere digitale integrierte Schaltkreise, die sich in der Nähe des fotoelektrischen Wandlerfeldes befinden. Solche Röntgenstrahlen beeinträchtigen die Leistung von integrierten Schaltkreisen, die aus kristallinem Silicium bestehen, sodass im Verlauf einer längeren Verwendung des Gerätes Fehlfunktionen auftreten können, die dann ein Zuverlässigkeitsproblem darstellen. Außer den vorstehend beschriebenen Problemen sollte aus diesem Grund daher vorzugsweise auch verhindert werden, dass unerwünschte Bereiche einer Röntgenstrahlung ausgesetzt sind.There furthermore, not always all X-rays be converted by the phosphor into visible light rays, scattered or transmitted X-rays also fall on the buffer amplifier described above, the memory or others digital integrated circuits located near the photoelectric Wandlerfeldes are located. Such X-rays impair the performance of integrated circuits, which are made of crystalline Silicon exist, so that malfunctions occur in the course of prolonged use of the device can, the then a reliability problem represent. Except For this reason, therefore, the problems described above should be avoided preferably also prevents unwanted areas of X-rays are exposed.
Diese Probleme können jedoch nicht nur bei einer in Verbindung mit einem Röntgen-Bildaufnahmegerät verwendeten fotoelektrischen Wandlervorrichtung sondern auch bei einer großflächigen fotoelektrischen Wandlervorrichtung mit einer Vielzahl von Bildelementen auftreten, bei der eine Umsetzung von Lichtinformationen in elektrische Informationen erfolgt.These Problems can but not only in one used in conjunction with an X-ray imager Photoelectric conversion device but also in a large-area photoelectric Transducer device having a plurality of picture elements occur in the conversion of light information into electrical information he follows.
Ferner können solche Probleme nicht nur bei einer fotoelektrischen Wandlervorrichtung für ein Bildaufnahmegerät, bei dem eine Strahlung wie Röntgenstrahlung als Lichtquelle eingesetzt wird, sondern auch bei einer zu zerstörungsfreien Untersuchungen bzw. Prüfungen eingesetzten fotoelektrischen Wandlervorrichtung auftreten, bei der im Rahmen einer großflächigen Struktur eine Hochgeschwindigkeitsverarbeitung in Verbindung mit einer hohen Auflösung angestrebt wird.Further can such problems not only in a photoelectric conversion device for an image pickup device in which a radiation such as X-rays is used as a light source, but also in a nondestructive Examinations or examinations used in photoelectric conversion device occur in the context of a large-scale structure a high-speed processing in conjunction with a high resolution is sought.
Darüberhinaus
ist aus der
Weiterhin
ist aus der
Außerdem ist
aus der
Ferner
ist aus der
Schließlich ist
aus der
Der Erfindung liegt demgegenüber als Aufgabe die Lösung des Problems zu Grunde, dass auf Grund eines geringen Störabstands (Signal-Rauschverhältnisses), der von der von einem für die Signalverarbeitung bei einer riesigen Anzahl von Bildelementen erforderlichen integrierten Hochgeschwindigkeits-Schaltkreis erzeugten Wärme und dem hierdurch erfolgenden Temperaturanstieg eines fotoelektrischen Wandlerelements (z.B. eines Wandlerelements mit einer a-Si-Halbleiterschicht) und eines Schaltelements (wie z.B. eines Dünnschichttransistors) hervorgerufen wird, kein qualitativ hochwertiges Bild ausgelesen werden kann.Of the Invention is in contrast as task the solution based on the problem that due to a low signal to noise ratio (Signal to noise ratio), the one from the one for the signal processing with a huge number of picture elements required high-speed integrated circuit Heat and the resulting increase in temperature of a photoelectric Transducer element (e.g., a transducer element having an a-Si semiconductor layer) and a switching element (such as a thin film transistor) is, no high quality image can be read.
Diese Aufgabe wird mit den in dem unabhängigen Patentanspruch angegebenen Mitteln gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den zugehörigen Unteransprüchen angegeben.These The object is achieved with the specified in the independent claim Means solved. advantageous Embodiments of the invention are specified in the appended subclaims.
Auf diese Weise lassen sich das Problem einer temperaturbedingten geringen Zuverlässigkeit des Gerätes lösen, eine fotoelektrische Wandlervorrichtung realisieren, bei der integrierte Schaltkreise in periphere Schaltungsanordnungen integriert sind, so dass durch die von den integrierten Schaltkreisen in den peripheren Schaltungsanordnungen erzeugte Wärme keine Beeinträchtigungen entstehen, und auch die Probleme in Bezug auf eine abnehmende Leistung und Fehlfunktionen bei längerer Verwendung von aus kristallinem Si bestehenden integrierten Schaltkreisen auf Grund zunehmender Röntgenstrahlbelastung dieser integrierten Schaltkreise lösen.On this way, the problem of a temperature-related low can be solved Reliability of the equipment to solve, realize a photoelectric conversion device, in the integrated Circuits are integrated into peripheral circuitry, so that by the of the integrated circuits in the peripheral Circuitries generated heat no impairment and also the problems of decreasing performance and malfunction with longer Use of crystalline Si integrated circuits due to increasing X-ray exposure solve these integrated circuits.
Bei den Zeichnungen zeigen:at show the drawings:
Nachstehend wird ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel für fotoelektrische Wandlerelemente näher beschrieben, die bei der erfindungsgemäßen fotoelektrischen Wandlervorrichtung Verwendung finden können.below becomes a preferred embodiment for photoelectric Closer to transducer elements described in the photoelectric conversion device according to the invention Can be used.
Außerdem ist
jedes Schaltelement
Zunächst wird
zur Bildung einer ersten Metall-Dünnschicht
Diese
Schichten bilden jeweils die Isolierschicht/fotoelektrische Wandler-Halbleiterschicht/Defektelektronen-Injektionssperrschicht
eines jeden fotoelektrischen Wandlerelements
Nach
der Bildung dieser Schichten werden die zu Kontaktlöchern (siehe
Obwohl
in
Nachstehend
wird auf die Betriebs- und Wirkungsweise eines jeweiligen fotoelektrischen
Wandlerelements
Die
Gemäß
Um
von diesem Zustand auf den fotoelektrischen Umsetzungsbetrieb gemäß
Wenn
nach Aufrechterhaltung dieses fotoelektrischen Umsetzungsbetriebs
(
Wenn
sich jedoch die fotoelektrische Umsetzungsperiode aus gewissen Gründen verlängert oder wenn
das einfallende Licht eine hohe Leuchtstärke aufweist, fließt häufig auch
bei einfallendem Licht kein elektrischer Strom. Dies beruht dann
darauf, dass in der in
Wenn
gemäß vorstehender
Beschreibung die Defektelektronen in der i-Schicht
Aus
den nachstehend näher
beschriebenen Gründen
stellt außerdem
die Injektion von Elektronen in die i-Schicht
Nachstehend
wird unter Bezugnahme auf die
Nachstehend
wird ein Ausführungsbeispiel für den fotoelektrischen
Umsetzungsablauf im Falle einer zweidimensionalen Anordnung der
fotoelektrischen Wandlerelemente gemäß
Wie
in
Über Schieberegister SR1 und SR2 werden Impulse mit Hi-Pegel Steuerleitungen g1 bis g3 und Signalleitungen s1 bis s3 zugeführt. Hierdurch werden die Übertragungsschalttransistoren T11 bis T33 elektrisch mit Schaltern M1 bis M3 verbunden, während die G-Elektroden von sämtlichen fotoelektrischen Wandlerelementen S11 bis S33 an Massepotential gelegt werden (da der Eingang eines Integrationsdetektorverstärkers an Massepotential liegt). Gleichzeitig gibt die Auffrischungssteuerschaltung RF einen Impuls mit Hi-Pegel zum Durchschalten des Schalters SWr ab, sodass die D-Elektroden von sämtlichen fotoelektrischen Wandlerelementen S11 bis S33 durch die Auffrischungsspannungsquelle Vr an ein positives Potential gelegt werden. Auf diese Weise werden sämtliche fotoelektrische Wandlerelemente S11 bis S33 einem Auffrischungsvorgang unterzogen und aufgefrischt. Bei der nächsten Steuerung gibt die Auffrischungssteuerschaltung RF einen Impuls mit Lo-Pegel zum Durchschalten des Schalters SWs ab, sodass die D-Elektroden von sämtlichen fotoelektrischen Wandlerelementen S11 bis S33 durch die Lesespannungsquelle Vs an ein positives Potential gelegt werden. Hierdurch werden alle fotoelektrischen Wandlerelemente S11 bis S33 auf den fotoelektrischen Umsetzungsbetrieb eingestellt. In diesem Zustand führen die Schieberegister SR1 und SR2 den Steuerleitungen g1 bis g3 und den Signalleitungen s1 bis s3 Impulse mit Lo-Pegel zu. Durch diese Impulse werden die Schalter M1 bis M3 der Übertragungsschalttransistoren T11 bis T33 gesperrt bzw. abgeschaltet, wobei die fotoelektrischen Wandlerelemente S11 bis S33 ihre Potential aufrecht erhalten, obwohl sich die G-Elektroden von sämtlichen fotoelektrischen Wandlerelementen S11 bis S33 gleichspannungsmäßig im Leerlauf befinden, da die Elemente gleichzeitig auch Kondensatoren darstellen. Da hierbei keine Röntgenstrahlen einfallen, fällt auch kein Licht auf die fotoelektrischen Wandlerelemente S11 bis S33, sodass kein Fotostrom fließt. Wenn jedoch in diesem Zustand Röntgenstrahlimpulse abgegeben werden und durch den Scintillator hindurchtreten, fällt die vom Scintillator erzeugte Fluoreszenz auf die fotoelektrischen Wandlerelemente S11 bis S33. Die Fluoreszenz enthält hierbei Informationen bezüglich des inneren Aufbaus oder Gewebes eines menschlichen Körpers. Die in Abhängigkeit von dem einfallenden Licht fließenden Fotoströme werden dann als Ladungen in den fotoelektrischen Wandlerelementen gespeichert und nach Beendigung der Abgabe der Röntgenstrahlen aufrecht erhalten. Wenn sodann das Schieberegister SR1 der Steuerleitung g1 einen Steuerimpuls mit Hi-Pegel und das Schieberegister SR2 den Signalleitungen s1 bis s3 Steuerimpulse zuführen, werden über die Übertragungsschalttransistoren T11 bis T13 und die Schalter M1 bis M3 aufeinanderfolgend Ausgangssignale v1 bis v3 abgegeben. In ähnlicher Weise werden auch die weiteren optischen Signale durch eine entsprechende Steuerung der Schieberegister SR1 und SR2 aufeinanderfolgend abgegeben. Durch diese Signale wird eine zweidimensionale Information bezüglich der internen Struktur z.B. eines menschlichen Körpers in Form der Ausgangssignale v1 bis v9 erhalten. Durch die bisher beschriebenen Vorgänge wird ein Stehbild erhalten. Wenn jedoch ein bewegliches Bild erhalten werden soll, erfolgt dies durch Wiederholung der vorstehend beschriebenen Vorgänge.Via shift registers SR1 and SR2, pulses with Hi level control lines g1 to g3 and signal lines s1 to s3 are supplied. As a result, the transfer switching transistors T11 to T33 are electrically connected to switches M1 to M3 while the G electrodes of all the photoelectric conversion elements S11 to S33 are grounded (because the input of an integration detector amplifier is at ground potential). At the same time, the refresh control circuit RF outputs a Hi-level pulse to turn on the switch SWr, so that the D electrodes of all the photoelectric conversion elements S11 to S33 are set to a positive potential by the refresh voltage source Vr. In this way, all the photoelectric conversion elements S11 to S33 are subjected to a refreshing process and refreshed. In the next control, the refresh control circuit RF outputs a Lo-level pulse to turn on the switch SWs, so that the D electrodes of all the photoelectric conversion elements S11 to S33 are put to a positive potential by the read voltage source Vs. As a result, all the photoelectric conversion elements S11 to S33 are set to the photoelectric conversion operation. In this state, the shift registers SR1 and SR2 supply the Lo-level pulses to the control lines g1 to g3 and the signal lines s1 to s3. By these pulses, the switches M1 to M3 of the transfer switching transistors T11 to T33 are turned off and the photoelectric conversion elements S11 to S33 maintain their potential even though the G electrodes of all the photoelectric conversion elements S11 to S33 are DC in idle The elements also represent capacitors. Since no X-rays are incident, no light is incident on the photoelectric conversion elements S11 to S33, so that no photocurrent flows. However, when X-ray pulses are emitted in this state and pass through the scintillator, the fluorescence generated by the scintillator falls on the photoelectric conversion elements S11 to S33. The fluorescence here contains information regarding the internal structure or tissue of a human body. The photocurrents flowing in response to the incident light are then stored as charges in the photoelectric conversion elements and maintained after completion of emission of the X-rays. Then, when the shift register SR1 of the control line g1 supply a control pulse of Hi level and the shift register SR2 supply signal pulses s1 to s3, output signals v1 to v3 are successively output via the transfer switching transistors T11 to T13 and the switches M1 to M3. Similarly, the other optical signals are successively output by a corresponding control of the shift registers SR1 and SR2. These signals become two-dimensional information with respect to the internal structure of, for example, a human body in the form of the output signals v1 to v9. Through the operations described so far, a still picture is obtained. However, if a moving picture is to be obtained, it is done by repeating the above-described operations.
Gemäß
Nachstehend werden unter Verwendung der vorstehend beschriebenen fotoelektrischen Wandlerelemente aufgebaute bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die zugehörigen Zeichnungen näher beschrieben.below are using the photoelectric described above Converter elements constructed preferred embodiments of the invention with reference to the associated Drawings closer described.
Erstes AusführungsbeispielFirst embodiment
Wie
in
Die
Als Material für den Scintillator findet hierbei CsI:Ta, Gd2O2S:Tb, Y2O2S:Eu oder dergleichen Verwendung.As the material for the scintillator here CsI: Ta, Gd 2 O 2 S: Tb, Y 2 O 2 S: Eu or the like Ver turn.
Jedes
fotoelektrische Wandlerelement
Wie
aus
Der
integrierte Verarbeitungsschaltkreis
Diese integrierten Schaltkreise bestehen im wesentlichen aus kristallinem Si, sodass ihre Leistungsfähigkeit bei einer erheblichen Strahlungsbelastung abnimmt, was z.B. bei energiereichen Röntgenstrahlen der Fall ist. Im schlimmsten Falle können hierbei die Funktionen dieser integrierten Schaltkreise vollständig ausfallen.These Integrated circuits consist essentially of crystalline Si, so their performance at a significant radiation load, which is e.g. at high-energy X-rays the case is. In the worst case, here are the functions of these integrated circuits completely fail.
Zur
Strahlungsabschirmung dieser integrierten Schaltkreise ist daher
ein Abschirmelement in Form eines Strahlungsabsorptionselements
Durch
die in
Hierbei
ist auch von Bedeutung, dass jeder integrierte Verarbeitungsschaltkreis
Wie
in
Durch diese Anordnung kann die Wärme, die von den im wesentlichen von bipolaren Transistoren gebildeten und zur Hochgeschwindigkeitsverarbeitung der von einer sehr großen Anzahl von Bildelementen erhaltenen Informationen unerlässlichem integrierten Schaltkreisen erzeugt wird, zu Metallen mit einer hohen Wärmeleitfähigkeit wie Pb und Al abgeführt werden. Das mit der gedruckten Leiterplatte in Kontakt stehende Element aus Siliconfett trägt auch zur Wärmeabführung von der gedruckten Leiterplatte bei.By this arrangement can heat, those formed by the essentially bipolar transistors and high-speed processing of a very large number Information obtained from pixels is essential to integrated circuits is dissipated to metals having a high thermal conductivity such as Pb and Al. The element in contact with the printed circuit board made of silicone grease also for the heat dissipation of the printed circuit board at.
Als Leiterbahnmaterial findet bei der gedruckten Leiterplatte normalerweise Kupfer Verwendung, das einen geringen elektrischen Widerstand und außerdem eine exzellente Wärmeleitfähigkeit aufweist. Somit wird ein möglichst großes festes Kupfermuster in einem keine integrierten Schaltkreise enthaltenden Bereich der gedruckten Leiterplatte ausgebildet und ein Wärmeabführungselement auf der Basis von Siliconfett derart daran angebracht, dass die von der gedruckten Leiterplatte abgewandte Oberfläche des Siliconfett-Elements mit Pb oder Al in Kontakt steht und auf diese Weise die von den integrierten Schaltkreisen erzeugte Wärme über die gedruckte Leiterplatte abgeführt wird.When Printed circuit board material usually occurs in the printed circuit board Copper use that has low electrical resistance and Furthermore has excellent thermal conductivity. Thus, a possible great solid copper pattern contained in a no integrated circuits Formed area of the printed circuit board and a heat dissipation element attached on the basis of silicone grease so that the facing away from the printed circuit board surface of the Silicon grease element is in contact with Pb or Al and on this The heat generated by the integrated circuits on the printed circuit board dissipated becomes.
Die
von den integrierten Verarbeitungsschaltkreisen
In Abhängigkeit von der Verteilung der von den integrierten Schaltkreisen bei einem Röntgen-Bildaufnahmegerät erzeugten Wärme kann somit auch die von einigen integrierten Schaltkreisen erzeugte Wärme über die Siliconfett-Elemente zu Pb oder Al abgeführt werden, während die verbleibenden integrierten Schaltkreise zur Abführung der von ihnen erzeugten Wärme direkt mit Pb oder Al in Kontakt gebracht werden können.In dependence from the distribution of the integrated circuits at one X-ray image recorder generated Heat can Thus, the heat generated by some integrated circuits on the Silicon grease elements are discharged to Pb or Al, while the remaining integrated circuits to dissipate the generated by them Heat directly can be contacted with Pb or Al.
Außer der Funktion einer Wärmeabführung und der Funktion der Übertragung von Röntgenstrahlen kann das Aluminiumchassis auch die Funktion einer mechanischen Halterung für den vorstehend beschriebenen Leuchtstoff, das Isoliersubstrat, die mit den integrierten Schaltkreisen versehene gedruckte Leiterplatte, die Bleiplatte und dergleichen haben.Except the Function of a heat dissipation and the function of the transmission of x-rays The aluminum chassis can also function as a mechanical holder for the phosphor described above, the insulating substrate, with the integrated circuits provided printed circuit board, the Lead plate and the like have.
Bei
den eine hohe thermische Leitfähigkeit aufweisenden
wärmeleitenden
Elementen
Hierbei
können
in Bezug auf die eine hohe Wärmeleitfähigkeit
aufweisenden Elemente
Bei der durch die Siliconfett-Elemente erfolgenden Wärmeabführung kann auch eine Wärmeableitungsstruktur zur mechanischen Halterung von TCP-Kapselungen der integrierten Schaltkreise und Pb oder Al zur stabilen Fixierung der integrierten Schaltkreise an Pb oder Al in Betracht gezogen werden.at The heat dissipation by the silicone grease elements can also be a heat dissipation structure for mechanical mounting of TCP encapsulations of the integrated Circuits and Pb or Al for stable fixation of the integrated circuits be considered at Pb or Al.
Zur Verbesserung der Wärmeleitfähigkeit finden vorzugsweise Siliconfett, Wärmeableitungs-Siliconkautschuk sowie ein Wärmeableitungsklebstoff vermischt mit Keramikpartikeln (wie z.B. Aluminiumoxidpartikeln) Verwendung. Ferner wird zur Verbesserung der mechanischen Festigkeit vorzugsweise Wärmeableitungs-Siliconkautschuk vermischt mit einem Glasfasergewebe verwendet.to Improvement of the thermal conductivity preferably find silicone grease, heat dissipation silicone rubber and a heat dissipation adhesive mixed with ceramic particles (such as alumina particles) use. Further, for improving the mechanical strength, it is preferable to use heat-dissipating silicone rubber used mixed with a glass fiber fabric.
In Bezug auf das einseitige und doppelseitige Wärmeableitungs-Klebeband steht ein Keramikpartikel (wie z.B. Aluminiumoxidpartikel) enthaltendes druckempfindliches Acryl-Klebeband zur Verfügung, wobei jedoch auch sowohl ein Klebeband, bei dem als Basismaterial ein Polyimid-Kunstharz, Aluminium, ein Glasfasergewebe oder dergleichen Verwendung findet, als auch ein Klebeband, das lediglich aus einer Klebmasse ohne ein Basismaterial besteht, verwendet werden können.In Regarding the one-sided and double-sided heat dissipation tape stands a pressure sensitive material containing a ceramic particle (such as alumina particles) Acrylic tape available, taking but also both an adhesive tape in which as a base material Polyimide resin, Aluminum, a glass fiber fabric or the like is used, as well as an adhesive tape, which merely consists of an adhesive without a Base material can be used.
Zweites AusführungsbeispielSecond embodiment
Bei der unter Verwendung der Siliconfett-Elemente erfolgenden Wärmeableitung kann auch eine Wärmeableitungsstruktur zur mechanischen Halterung von TCP-Kapselungen der integrierten Schaltkreise und des Bleis oder Aluminium zur stabilen Fixierung der integrierten Schaltkreise an dem Blei oder Aluminium in Betracht gezogen werden.at the dissipation of heat using the silicone grease elements can also have a heat dissipation structure for mechanically supporting TCP encapsulations of the integrated circuits and lead or aluminum for stable fixation of the integrated Circuits on the lead or aluminum are considered.
Die bei diesem Ausführungsbeispiel vorgesehenen wärmeleitenden Elemente können ebenfalls in geeigneter Weise aus den vorstehend beschriebenen verschiedenen Arten von wärmeleitenden Elementen ausgewählt werden.The in this embodiment provided heat-conducting Elements can also suitably from the various described above Types of heat-conducting Elements selected become.
In Bezug auf die wärmeleitenden Elemente können natürlich auch die thermische Leitfähigkeit und Elastizität von Metallen wie Kupfer, Phosphorbronze und dergleichen genutzt werden, wobei solche Metalle auch in Kombination mit den vorstehend beschriebenen wärmeleitenden Elementen Verwendung finden können.In Respect to the heat-conducting Elements can Naturally also the thermal conductivity and elasticity used by metals such as copper, phosphor bronze and the like Such metals may also be used in combination with those described above thermally conductive Elements can be used.
Wenn die von einer Lichtquelle einschließlich einer Strahlungsquelle (wie z.B. einer Röntgenquelle) abgestrahlte Energie direkt erfasst werden kann, kann natürlich der vorstehend beschriebene Leuchtstoff auch entfallen und/oder ein anderes Wellenlängen-Wandlerelement als der Leuchtstoff eingesetzt werden.If that of a light source including a radiation source (such as an X-ray source) radiated energy can be detected directly, of course, the The phosphor described above also accounts for and / or a another wavelength conversion element used as the phosphor.
Wenn ferner weder Beeinträchtigungen noch Beschädigungen von peripheren Schaltungsanordnungen wie den integrierten Schaltkreisen bei Einfall einer energiereichen Strahlung wie Röntgenstrahlung berücksichtigt werden müssen, entfällt natürlich auch das Erfordernis einer Anbringung des vorstehend beschriebenen Strahlungsabsorptionselements in Form z.B. eines Bleielements.If furthermore neither impairments still damages peripheral circuitry such as the integrated circuits considered in case of incidence of high-energy radiation such as X-rays Need to become, deleted of course, too the requirement of attachment of the above-described radiation absorption element in Form e.g. a lead element.
Wirkung und VorteileEffect and advantages
Da somit in der vorstehend beschriebenen Weise die von den integrierten Schaltkreisen erzeugte Wärme zu dem Strahlungsabsorptionselement wie einer Bleiplatte oder dem Chassiselement wie z.B. einem Aluminiumkörper zur Verhinderung einer übermäßigen Wärmeübertragung auf die fotoelektrischen Wandlerelement und Dünnschicht-Schalttransistoren abgeführt oder diese Wärme bei ihrer Ableitung auf einen vernachlässigbaren Wert reduziert wird, lässt sich erfindungsgemäß das Problem eines geringen Störabstands (Signal-Rauschverhältnisses) lösen und damit die Zuverlässigkeit der fotoelektrischen Wandlervorrichtung und eines Systems verbessern, bei dem die fotoelektrische Wandlervorrichtung Verwendung findet.There thus in the manner described above that of the integrated Circuits generated heat to the radiation absorption element such as a lead plate or the Chassis element such as e.g. an aluminum body to prevent excessive heat transfer dissipated to the photoelectric conversion element and thin-film switching transistors or this heat is reduced to a negligible value in its derivation, can be According to the invention, the problem a low signal to noise ratio (Signal to noise ratio) solve and thus the reliability the photoelectric conversion device and a system improve the photoelectric conversion device is used.
Erfindungsgemäß lässt sich bei der fotoelektrischen Wandlervorrichtung außerdem durch Anordnung der integrierten Schaltkreise in Form von peripheren Schaltungsanordnungen das Problem einer nachteiligen Beeinflussung durch die von den integrierten Schaltkreisen erzeugte Wärme zumindest weitgehend vermeiden.According to the invention can be in the photoelectric conversion device also by arranging the integrated circuits in the form of peripheral circuits the problem of being adversely affected by that of the integrated ones Circuits generated heat at least largely avoided.
Da erfindungsgemäß außerdem ein hoher Störabstand gewährleistet werden kann, ohne dass dies zu einem höheren Strukturrauschen oder einem höheren statistischen Rauschen führt, können qualitativ hochwertige Bilder während einer längeren Zeit oder aufeinanderfolgend sowie über eine lange Betriebslebensdauer hinweg erhalten werden.There According to the invention also a high signal to noise ratio guaranteed can be, without causing a higher structure noise or a higher one statistical noise leads, can high quality pictures during a longer one Time or sequential and over a long service life be obtained.
Darüberhinaus kann erfindungsgemäß dieser hohe Störabstand des fotoelektrischen Wandlerelements unter Verwendung einer a-Si-Halbleiterdünnschicht gewährleistet werden, ohne dass dies zu einem höheren Strukturrauschen oder einem höheren statistischen Rauschen führt, sodass qualitativ hochwertige Bilder ausgelesen werden können.Furthermore can according to the invention this high signal-to-noise ratio of the photoelectric conversion element using an a-Si semiconductor thin film guaranteed without causing a higher structure noise or a higher one statistical noise leads, so that high-quality images can be read.
Da die erfindungsgemäße fotoelektrische Wandlervorrichtung einen Faktor darstellt, durch den sich ein digitales Röntgen-Diagnosesystem mit einem eine solche fotoelektrische Wandlervorrichtung aufweisenden Röntgen-Bildaufnahmegerät realisieren lässt, kann sie zur Verbesserung der Diagnoseeffizienz in Kliniken und bei Gebäude-Materialprüfungen beitragen und ermöglicht den Aufbau eines zukünftigen weltweiten Diagnoseinformations-Netzwerksystems.There the photoelectric conversion device according to the invention represents a factor by which a digital X-ray diagnostic system having a such a photoelectric conversion device having Realize X-ray image recording device leaves, It can improve the diagnostic efficiency in clinics and contribute to building materials testing and allows building a future worldwide diagnostic information network system.
Außerdem lässt sich erfindungsgemäß auch die in der Medizintechnik in jüngerer Zeit immer stärker geforderte "Digitalisierung von Röntgenbildinformationen" realisieren, sodass sich nicht nur die Diagnoseeffizienz in Kliniken in erheblichem Maße verbessern lässt sondern auch ein landesweites medizinisches Diagnoseinformationsnetzwerk aufgebaut werden kann. Auf diese Weise kann die Diagnoseeffizienz auf dem gesamten Gebiet der medizinischen Behandlung und Betreuung erheblich verbessert werden. So kann z.B. ein Patient auch an einem abgelegenen Ort eine hochqualifizierte Diagnose erhalten, die er andernfalls nur in einer Universitätsklinik erhalten könnte.In addition, according to the invention, the "digitalization of x-ray image information", which is increasingly demanded in medical technology more recently, can be implemented so that not only the diagnostic efficiency in hospitals can be significantly improved, but also a nationwide medical diagnostic information network is built up can be. In this way, the diagnostic efficiency in the entire field of medical treatment and care can be significantly improved. For example, a patient may receive a highly qualified diagnosis in a remote location that he or she might otherwise only receive at a university hospital.
Wie vorstehend beschrieben, befinden sich bei einer fotoelektrischen Wandlervorrichtung mit peripheren integrierten Schaltkreisen diese peripheren integrierten Schaltkreise über ein wärmeleitendes Element jeweils in thermischem Kontakt mit einem fotoelektrische Wandlerelemente enthaltenden Substrat und einem die peripheren integrierten Schaltkreise umgebenden und eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweisenden Gehäuse, wodurch sich die z.B. in einem geringen Störabstand (Signal-Rauschverhältnis) bestehenden nachteiligen Auswirkungen der von den peripheren integrierten Schaltkreisen erzeugten Wärme unterdrücken lassen.As described above, are in a photoelectric Converter device with peripheral integrated circuits these peripheral integrated circuits via a thermally conductive element respectively in thermal contact with a photoelectric conversion element containing substrate and one of the peripheral integrated circuits surrounding and having a high thermal conductivity Casing, whereby the e.g. existing in a low signal-to-noise ratio (signal-to-noise ratio) adverse effects of the peripheral integrated circuits generated heat suppress to let.
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