DE69627415T2

DE69627415T2 - Dämpfungseinheit, Stufendämpfungsvorrichtung und elektronisches Gerät

Info

Publication number: DE69627415T2
Application number: DE69627415T
Authority: DE
Inventors: Kenji Iwai; Kazuhiko Kobayashi
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1995-04-11
Filing date: 1996-01-29
Publication date: 2003-12-24
Anticipated expiration: 2016-01-30
Also published as: EP0741452A3; US6181922B1; EP0741452A2; JP3270801B2; JPH08288791A; DE69627415D1; EP0741452B1

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

1. Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein einen Stufendämpfer und insbesondere eine Stufendämpfereinheit, die ein Hochfrequenzsignal in einer Funkeinrichtung dämpfen kann, in Übereinstimmung mit dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Die vorliegende Erfindung betrifft auch eine elektronische Vorrichtung, die den Stufendämpfer enthält.
In Bayruns et al., "A Monolithic DC-1.6 GHz Digital Attenuator" 1988, IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, vol. 1, Seiten 1295-1298 beschreibt einen digitalen 5-Bit-Dämpfer mit integralen TTL kompatiblen Schaltungstreibern. Insbesondere wird eine Brücken-T- Dämpferschaltung beschrieben.
Weiter wird in der US A-4 967 169 eine monolithische integrierte FET Mikrowellenschaltung eines Verstärkungsentzerrers mit variablen Verlauf unter Verwendung einer Brücken-T-Konfiguration beschrieben.
Ein Stufendämpfer ist ein Dämpfer, dessen Dämpfungswert flexibel als ein digitaler Wert ausgewählt werden kann. Dieser Stufendämpfer wird weitverbreitet für ein Steuern einer Übertragungsleistung einer Funkeinrichtung wie beispielsweise einem portablen Telefon verwendet.
Fig. 1 zeigt ein Blockdiagramm der Funkeinrichtung, in der der Stufendämpfer angewendet wird. Ein Stufendämpfer 6 ist zwischen einer Übertragungsschaltung 4 und einem Übertragungsleistungsverstärker 8 angeschlossen. Wenn beispielsweise eine extrem große Ausgangsleistung von der Funkeinrichtung übermittelt wird, kann die große Ausgangsleistung einen Empfangsverstärker in einer Funkeinrichtung an einem Übertragungsziel saturieren, und kann mit anderer Funkausrüstung interferieren. In solch einem Fall wird ein Dämpfungswert des Stufendämpfers 6 groß gewählt, um die Ausgangsleistung der Funkeinrichtung zu reduzieren.
Da der Stufendämpfer weitverbreitet für tragbare Vorrichtungen verwendet wird, ist eine Miniaturisierung des Stufendämpfers erforderlich. Weiter muss für ein Anwenden des Stufendämpfers auf eine Funkeinrichtung der Stufendämpfer eine Breitbandfrequenzleistungsfähigkeit aufweisen.
Fig. 2 zeigt eine typische Konfiguration des Stufendämpfers. Ein Stufendämpfer 20 ist aus einer Vielzahl von (3 in diesem Fall) Dämpfungseinheiten 22a, 22b, 22c aufgebaut, die in Serie verbunden sind.
Die Dämpfungseinheiten 22a, 22b, 22c enthalten jeweilig zwei Einzelpoldoppeldurchgangs- (SPDT (Single-Pole-Double-Through) Schalter 24a-1 und 24a-2, 24b-1 und 24b-2, 24c-1 und 24c-2, und feste Dämpfer 26a, 26b und 26c. In den SPDT-Schaltern kann durch ein Auswählen, ob ein geliefertes Signal durch den festen Dämpfer geführt wird oder das gelieferte Signal durch den anderen Pfad geführt wird, ein Dämpfungswert der Dämpfer 22a, 22b, 22c -Einheit digital gesteuert werden.
Bei einem typischen Stufendämpfer kann, wenn Dämpfungswerte der festen Dämpfer geeignet ausgewählt werden, durch ein geeignetes Schalten der SPDT-Schalter der Dämpfereinheiten, ein erwünschter Dämpfungswert digital ausgewählt werden. Bei dem in Fig. 2 gezeigten Stufendämpfer 20 weist der feste Dämpfer 26a der Dämpfungseinheit 22a einen Dämpfungswert 1 dB auf, der feste Dämpfer 26b der Dämpfereinheit 22b weist einen Dämpfungswert von 2 dB auf, und der feste Dämpfer 26c der Dämpfereinheit 22c weist einen Dämpfungswert von 4 dB auf.
Daher kann der gesamte Dämpfungswert des Stufendämpfers 20 von 0-7 dB mit einem 1 dB-Schritt verändert werden, durch Schalten der SPDT-Schalter der Dämpfereinheiten.
Bei jeder Dämpfereinheit werden für den festen Dämpfer normalerweise ein T-Typdämpfer und ein π-Typdämpfer verwendet.
Fig. 3 zeigt ein schematisches Diagramm einer Dämpfereinheit des Standes der Technik, unter Verwendung des T-Typdämpfers.
Fig. 4 zeigt ein schematisches Diagramm einer Dämpfereinheit des Standes der Technik, die den T-Typdämpfer verwendet. Eine Dämpfereinheit 30, in Fig. 3 gezeigt, enthält drei Widerstände R31, R32, R33, die den T-Typdämpfer darstellen, und zwei Feldeffekttransistoren (FETs) 32, 34, die als Schalter arbeiten. Wenn der FET 32 nichtleitend ist, und der FET 34 leitend ist, arbeitet die Dämpfereinheit 30 als der T- Typdämpfer, und erzeugt einen großen Dämpfungswert. Auf der anderen Seite, wenn der FET 32 leitend ist und der FET 34 nichtleitend ist, wird der Dämpfungswert der Dämpfereinheit 30 klein.
Eine Dämpfereinheit 40, in Fig. 4 gezeigt, enthält drei Widerstände R41, R42, R43, die den π-Typdämpfer darstellt, und drei FETs 42, 44, 46, die als Schalter arbeiten. Wenn der FET 42 nichtleitend ist, und die FETs 44, 46 leitend sind, arbeitet die Dämpfereinheit 40 als der π-Typdämpfer, und erzeugt einen großen Dämpfungswert. Auf der anderen Seite, wenn der FET 42 leitend ist und die FETs 44, 46 nichtleitend sind, wird der Dämpfungswert der Dämpfereinheit 40 klein.
Auf ein Shuntseite (Nebenschlusseite) der Dämpfereinheit 30, in Fig. 3 gezeigt, ist der FET 34 angeschlossen, während auf einer Shuntseite der Dämpfereinheit 40, in Fig. 4 gezeigt, die FETs 44, 46 angeschlossen sind. Da die Shuntseite des T- Typdämpfers mit einem einzelnen FET aufgebaut ist, und sich von dem π-Typdämpfer unterscheidet, kann auf diese Weise der Grad, mit dem eine Dispersion einer Frequenzleistungseigenschaft eines Widerstands in einem leitfähigen Zustand des FETs einen Einfluss auf die Dämpfereinheit 30 hat, kleiner sein als der, mit dem die Dispersion einen Einfluss auf die Dämpfereinheit 40 aufweist.
Wenn jedoch die Dämpfereinheit 30 mit dem T-Typdämpfer ausgelegt wird, um einen großen Dämpfungswert zu erzielen, muss der Widerstandswert auf der Shuntseite extrem sein. Solch ein extrem kleiner Widerstand benötigt einen großen Bereich und macht die Auslegung komplex.
Auf der anderen Seite vermeidet die Dämpfereinheit 40 mit dem π-Typdämpfer das oben diskutierte Problem, und somit ist die Dämpfereinheit 40 für einen Aufbau des Stufendämpfers geeignet.
Jedoch hat der oben diskutierte Stufendämpfer des Standes der Technik mit dem π-Typdämpfer die folgenden Probleme.
Da die Dämpfereinheit 40 zwei Strompfade auf der Shuntseite aufweist, sind zwei FETs erforderlich, und es ist somit schwierig, den Stufendämpfer mit kleiner Größe und hoher Dichte bereitzustellen. Als eine Folge ist die Größe des Stufendämpfers mit dem π-Typdämpfer größer als die unter Verwendung des T-Typdämpfers.
Darüberhinaus müssen die SPDT-Schalter in den Dämpfereinheiten gesteuert werden, um an- und ausgeschaltet zu werden. Dabei sind für die Dämpfereinheiten zwei Signale, ein Steuersignal und ein invertiertes Steuersignal, erforderlich. Wie in Fig. 2 gezeigt, können die invertierten Steuersignale durch ein Invertieren der Steuersignale in den Inverterschaltungen 28a, 28b, 28c erzeugt werden.
Fig. 5 zeigt ein schematisches Diagramm einer Inverterschaltung des Standes der Technik. Eine Inverterschaltung 50, in Fig. 5 gezeigt, ist mit einem Verarmungstyp-FET (D-FET) 52 und einem Anreicherungstyp-FET (E-FET) 54 aufgebaut. Ein an ein Gate des E-FET 54 angelegtes Signal wird invertiert und wird von einem Drain des E-FET 54 erzeugt.
Da die Inverterschaltung 50 zwei FETs enthält, wird eine elektrische Leistungseigenschaft der Inverterschaltung 50 durch eine Dispersion bei einem Prozess leicht verändert. Daher muss die Inverterschaltung 50 so entwickelt werden, dass sie Einflüsse aufgrund der Dispersion absorbiert.
Weiter ist die Größe der zwei FETs im Vergleich zu einer Schaltungsgröße des Stufendämpfers nicht vernachlässigbar, und somit wird die Stufendämpfergröße groß.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Stufendämpfer bereitzustellen, der mit kleiner Größe und hoher Dichte produziert werden kann. Weiter kann der Stufendämpfer einfach entwickelt werden. Auch können die Kosten des Stufendämpfers reduziert werden. Dieses erlaubt ein Vermeiden der oben beschriebenen Nachteile.
Die oben beschriebene Aufgabe wird durch einen Stufendämpfer mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.
In Übereinstimmung mit der in dem Stufendämpfer verwendeten Dämpfereinheit wird die Anzahl von Transistoren auf einer Shuntseite um einen im Vergleich zur Dämpfereinheit des Standes der Technik mit zweit FETs reduziert. Somit kann die Anzahl von Komponenten und ein Layoutbereich für die Dämpfereinheit reduziert werden, und somit kann eine einfach konfigurierte Dämpfereinheit realisiert werden. Weiter, da die zwei FETs auf der Shuntseite der Dämpfereinheit des Standes der Technik durch einen gemeinsamen einzelnen FET ersetzt werden, kann eine Verschlechterung der Frequenzleistungseigenschaft aufgrund einer Dispersion der FET Charakteristiken verhindert werden.
Zusätzlich, wenn die oben erwähnte verwendete Dämpfereinheit unter Verwendung eines MMIC-Verfahrens produziert wird, können Entwicklungskosten reduziert werden, aufgrund einer Reduktion eines Chipbereichs für die Dämpfereinheit. Weiter wird eine Massenproduktion der Dämpfereinheit möglich, da die Anzahl von einem Wafer erhältlichen Chips sich erhöht.
Zusätzlich, wenn eine Steuerspannung des Steuersignals nahe einer Pinch-Off-Spannung des FETs gewählt wird, kann die Dämpfereinheit als ein variabler Dämpfer arbeiten, dessen Dämpfungswert kontinuierlich verändert werden kann.
Weiter kann in Übereinstimmung mit dem oben erwähnten Stufendämpfer die Gesamtgröße des Stufendämpfers miniaturisiert und vereinfacht werden, da jede Dämpfereinheit eine einfache Konfiguration aufweist. Weiter, da jede Dämpfereinheit eine gute Frequenzleistungseigenschaft aufweist, kann der Stufendämpfer gemäß der vorliegenden Erfindung eine bessere Frequenzleistungseigenschaft aufweisen, als der Stufendämpfer mit der Dämpfereinheit des Standes der Technik.
Weiter kann in Übereinstimmung mit dem oben erwähnten Stufendämpfer, für eine Dämpfereinheit mit einem relativ großen Dämpfungswert, die Dämpfereinheit des Standes der Technik mit zwei FETs verwendet werden, um eine gute Dämpfungsleistungseigenschaft zu erzielen, und für Dämpfereinheiten mit einem relativ kleinen Dämpfungswert wird die Dämpfereinheit mit einem einzelnen FET für eine Miniaturisierung der Stufendämpfergröße verwendet.
In Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung umfasst mindestens eine der Vielzahl von Dämpfereinheiten weiter eine Inverterschaltung, die ein Steuersignal bereitstellt, das die Gatespannung des ersten Transistors oder die Gatespannung des zweiten Transistors steuert, wobei die Inverterschaltung umfasst: einen Verarmungstyp FET (D-FET); einen ersten Widerstand, zwischen einem Drain des ersten D-FET und einer ersten Energieversorgungsspannung angeschlossen ist; einen zweiten Widerstand, der zwischen einem Source des ersten D- FET und einer zweiten Energieversorgungsspannung angeschlossen ist; und einen dritten Widerstand, zwischen einem Gate des ersten D-FET und der zweiten Energieversorgungsspannung angeschlossen ist; wobei das an das Gate des ersten D-FET angelegte Steuersignal invertiert wird, und ein invertiertes Steuersignal vom Drain des ersten D-FET erzeugt wird.
Somit kann die Anzahl von Transistoren reduziert werden, die für die Kombination der Dämpfereinheit und den Inverter erforderlich ist, im Vergleich zu der Dämpfereinheit des Standes der Technik reduziert werden, und die Anzahl von Transistoren, die für die Inverterschaltung erforderlich ist, kann im Vergleich zur Inverterschaltung des Standes der Technik ebenso reduziert werden. Da der Stufendämpfer gemäß der vorliegenden Erfindung kleinere und weiter vereinfachte Dämpfereinheiten und Inverterschaltungen verwendet, kann daher der Stufendämpfer im Vergleich zum Stufendämpfer des Standes der Technik weiter miniaturisiert und vereinfacht werden.
Da die Dämpfereinheit und die Inverterschaltung in dem Stufendämpfer gemäß der vorliegenden Erfindung eine gute Frequenzleistungseigenschaft aufweist, kann weiter der Stufendämpfer eine bessere Frequenzleistungseigenschaft im Vergleich zum Stufendämpfer mit der Dämpfereinheit des Standes der Technik und der Inverterschaltung des Stande der Technik aufweisen.
Weiter kann in Übereinstimmung mit der oben erwähnten Inverterschaltung, auch mit der Konfiguration mit einem einzelnen FET, die Inverterschaltung realisiert werden. Daher kann die Inverterschaltung gemäß der vorliegenden Erfindung im Vergleich zur Inverterschaltung des Standes der Technik mit zwei FETs miniaturisiert werden. Weiter kann das Design der Inverterschaltung ebenso vereinfacht werden, und somit können die Kosten der Inverterschaltung reduziert werden.
Die oben beschriebene Aufgabe wird weiter durch ein Transmittermodul mit den Merkmalen des Anspruchs 3 gelöst.
In Übereinstimmung mit dem oben erwähnten Transmittermodul wird der kleinere und vereinfachte Stufendämpfer, oben erwähnt, verwendet. Daher kann das Transmittermodul weiter miniaturisiert und vereinfacht werden. Auch ist eine Kostenreduktion des Transmittermoduls erwartet.
Die oben beschriebene Aufgabe wird weiter durch ein Empfangsmodul mit den Merkmalen des Anspruchs 4 gelöst.
In Übereinstimmung mit dem oben erwähnten Empfängermodul wird der kleinere und vereinfachte Stufendämpfer, oben erwähnt, verwendet. Daher kann ebenso das Empfängermodul weiter miniaturisiert und vereinfacht werden. Auch eine Kostenreduktion des Empfängermoduls wird erwartet.
Die oben beschriebene Aufgabe wird auch durch eine schnurlose Karte mit den Merkmalen des Anspruchs 5 gelöst.
In Übereinstimmung mit der oben erwähnten schnurlosen Karte wird der oben erwähnte kleinere und vereinfachte Stufendämpfer verwendet, und eine Miniaturisierung der schnurlosen Karte kann einfach erreicht werden. Daher kann in der Datenverarbeitungsvorrichtung, wie beispielsweise einem Personal Computer, der für die schnurlose Karte erforderliche vorzusehende Raum reduziert werden, und ein kleinerer Personal Computer zur Unterstützung der schnurlosen Karte kann realisiert werden.
Andere Aufgaben und weitere Merkmale der vorliegenden Erfindung werden sich aus der folgenden detaillierten Beschreiben ergeben, wenn diese in Zusammenhang mit den begleitenden Zeichnungen gelesen wird.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Fig. 1 zeigt ein Blockdiagramm einer Funkeinrichtung, auf die ein Stufendämpfer angewendet ist;
Fig. 2 zeigt eine typische Konfiguration des Stufendämpfers;
Fig. 3 zeigt ein schematisches Diagramm einer Dämpfereinheit des Standes der Technik, unter Verwendung eines T-Typdämpfers;
Fig. 4 zeigt ein schematisches Diagramm einer Dämpfereinheit des Standes der Technik, unter Verwendung eines π-Typdämpfers;
Fig. 5 zeigt ein schematisches Diagramm einer Inverterschaltung des Standes der Technik;
Fig. 6 zeigt ein schematisches Diagramm einer Dämpfereinheit, die einen Stufendämpfer aufbaut, als Hintergrund der vorliegenden Erfindung;
Fig. 7 Zeit ein schematisches Diagramm eines Stufendämpfers als Hintergrund der vorliegenden Erfindung;
Fig. 8 zeigt Dämpfercharakteristiken der Dämpfereinheit aus Fig. 6 und der bekannten Dämpfereinheit, in Fig. 4 gezeigt;
Fig. 9 zeigt ein schematisches Diagramm eines Stufendämpfers als Hintergrund der vorliegenden Erfindung;
Fig. 10 zeigt ein schematisches Diagramm einer Inverterschaltung, die in Verbindung mit der in Fig. 6 gezeigten Dämpfereinheit zu verwenden ist, in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung;
Fig. 11 zeigt ein schematisches Diagramm eines SPDT- Schalters unter Verwendung der Inverterschaltung aus Fig. 10;
Fig. 12 zeigt ein schematisches Diagramm eines Ausführungsbeispiels des Stufendämpfers gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 13 zeigt ein schematisches Diagramm eines weiteren Ausführungsbeispiels des Stufendämpfers gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 14 zeigt ein Blockdiagramm einer Funkeinrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 15 zeigt ein Blockdiagramm einer schnurlosen Karte gemäß der vorliegenden Erfindung; und
Fig. 16 zeigt ein Anwendungsbeispiel der in Fig. 15 gezeigten schnurlosen Karte.

BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE

Unter Bezugnahme auf die Fig. 6 und 7 wird eine Beschreibung eines Stufendämpfers als technischer Hintergrund der vorliegenden Erfindung gegeben. Fig. 6 zeigt ein schematisches Diagramm einer Dämpfereinheit des Stufendämpfers. Eine Dämpfereinheit 100 weist einen Widerstand 106 auf, und Widerstände 108, 110, auf beiden Seiten des Widerstands 106 angeordnet. Diese drei Widerstände stellen einen π-Typdämpfer mit einem festen Dämpfungswert dar. Die Dämpfereinheit kann direkt als ein Dämpfer verwendet werden, und eine Vielzahl der Dämpfereinheiten kann als der Stufendämpfer verwendet werden.
In der Dämpfereinheit 100 ist ein Feldeffekttransistor (FET) 102 parallel mit dem Widerstand 106 verbunden. Ein FET 104 ist zwischen einem Verbindungsknoten des Widerstands 108 und des Widerstands 110 und Masse 112 verbunden. Eine Gatespannung des FET 102 wird durch ein externes Steuersignal S über einen Widerstand 114 gesteuert. Auf der anderen Seite wird ein Gate des FET 104 durch ein invertiertes externes Steuersignal gesteuert, was erzeugt wird, indem das externe Steuersignal S in einer Inverterschaltung 122 invertiert wird, über einen Widerstand 116. Eine Beschreibung der Inverterschaltung 122 wird später detailliert gegeben.
Als nächstes wird ein Betrieb der Dämpfereinheit 100 erläutert.
Wenn der FET 102 ausgeschaltet wird, und der FET 104 durch das externe Steuersignal S angeschaltet wird, arbeitet die Dämpfereinheit 100 als π-Typdämpfer. Daher wird ein an einen Anschluss 118 geliefertes Signal in Übereinstimmung mit einem Dämpfungswert gedämpft, bestimmt durch die Widerstände 106, 108 und 110, und ein gedämpftes Signal wird an einem Anschluss 120 erzeugt.
Auf der anderen Seite, wenn der FET 102 angeschaltet ist, und der FET 104 durch das externe Steuersignal S ausgeschaltet ist, wird ein Pfad zwischen dem Anschluss 118 und dem Anschluss 120 leiten. Daher wird das an einem Anschluss 118 geliefertes Signal an dem Anschluss 120 ohne Dämpfung bereitgestellt.
Auf diese Weise, durch digitales Steuern des FET 102 und des FET 104 kann ein gesamter Dämpfungswert über dem Pfad zwischen dem Anschluss 118 und dem Anschluss 120 mit einem gegebenen Schritt eingestellt werden.
Insbesondere ist in der Dämpfereinheit 100 die Anzahl von Transistoren auf der Shuntseite im Vergleich zur Dämpfereinheit des Standes der Technik, in Fig. 4 gezeigt, um eins reduziert. Daher kann die Anzahl von Komponenten und ein Layoutbereich für die Dämpfereinheit reduziert werden, und somit kann eine einfach konfigurierte Dämpfereinheit realisiert werden. Weiter kann, da die zwei FETs auf der Shuntseite der Dämpfereinheit 40 des Standes der Technik mit einem gemeinsamen einzelnen FET ersetzt sind, eine Verschlechterung der Frequenzleistungseigenschaft aufgrund einer Dispersion der FET Leistungseigenschaften reduziert werden.
Zusätzlich können Entwicklungskosten reduziert werden, wenn die Dämpfereinheit 100 unter Verwendung eines MMIC-Verfahrens erzeugt wird, aufgrund einer Reduktion eines Chipbereichs für die Dämpfereinheit 100. Da die Anzahl von einem Wafer erhältlichen Chips sich erhöht, wird eine Massenproduktion der Dämpfereinheit möglich.
Der oben erläuterte FET wird in einem AN-Zustand als ein Widerstand betrieben, und wird in einem AUS-Zustand als ein Kondensator betrieben. Wenn ein Drainstrom beginnt, zu fließen, ist eine Gatespannung, nämlich eine Pinch-Off- (Abschnür-)Spannung, beispielsweise -0,8 V. Daher wird als die Gatespannung des FET in normalen Betrieb eine Spannung angelegt, die sich von der Pinch-Off-Spannung unterscheidet, wie beispielsweise 0 V und -3 V.
Wenn jedoch eine Spannung in der Umgebung der Pinch-Off- Spannung an das Gate des FET angelegt wird, arbeitet der FET mit Charakteristiken sowohl des Widerstands, als auch des Kondensators. In diesem Fall kann die Dämpfereinheit einen analogen Dämpfungswert aufweisen, in Übereinstimmung mit der an das Gate des FET angelegten Steuerspannung. Wenn die Steuerspannung in der Nähe der Pinch-Off-Spannung ausgewählt wird, arbeitet damit die Dämpfereinheit als ein variabler Dämpfer, dessen Dämpfungswert kontinuierlich geändert werden kann.
Fig. 7 zeigt ein schematisches Diagramm eines weiteren Stufendämpfers als technischen Hintergrund der vorliegenden Erfindung. Ein in Fig. 7 gezeigter Stufendämpfer 150 enthält zwei Dämpfereinheiten 110-1, 110-2, 110-3, die in Serie miteinander verbunden sind. Jeder der Dämpfereinheiten 110-1, 110-2, 110-3 weist die gleiche Konfiguration auf, wie die Dämpfereinheit 110, in Fig. 6 gezeigt. Werte von Widerständen in jeder Dämpfereinheit werden so bestimmt, dass ein fester Dämpfungswert einer jeden Dämpfereinheit einen gegebenen Dämpfungswert aufweist.
Beispielsweise wird in der Dämpfereinheit 110-1 mit 11-Ω 436-Ω 436-Ω-Widerständen ein π-Typdämpfer mit einem 2-dB- Dämpfungswert aufgebaut. Auf die gleiche Weise wird in der Dämpfereinheit 110-2 mit 24-Ω, 220-Ω, 220-Ω-Widerständen ein π-Typdämpfer mit einem 4-dB-Dämpfungswert aufgebaut. Bei der Dämpfereinheit 110-3, mit 53-Ω 116-Ω, 116-Ω-Widerständen wird ein π-Typdämpfer mit einem 8-dB-Dämpfungswert aufgebaut.
In den Dämpfereinheiten 110-1, 110-2, 110-3 enthaltene FETs werden jeweilig durch externe Steuersignale S1, S2, S3 gesteuert. Wenn beispielsweise alle Dämpfereinheiten als Dämpfer über die externen Steuersignale S1, S2, S3 betrieben werden, kann der Stufendämpfer 150 einen Dämpfungswert von 14 dB aufweisen. Wenn nur die Dämpfereinheit 110-3 als ein Dämpfer betrieben wird, kann der Stufendämpfer 150 einen Dämpfungswert von 8-dB aufweisen. Auf diese Weise kann der Dämpfungswert des Stufendämpfers 150 von 0 dB bis 14 dB in einem 2-dB-Schritt ausgewählt werden.
Bei dem diese Dämpfereinheit verwendenden Stufendämpfer kann die Gesamtgröße des Stufendämpfers miniaturisiert und vereinfacht werden, da jede Dämpfereinheit einen einfachen Aufbau aufweist. Weiter kann der Stufendämpfer gemäß der vorliegenden Erfindung eine bessere Frequenzleistungseigenschaft aufweisen, als der Stufendämpfer mit der Dämpfereinheit des Standes der Technik, da jede Dämpfereinheit eine gute Frequenzleistungseigenschaft aufweist.
Bei dem Stufendämpfer 150 kann dann, wenn jede Dämpfereinheit als ein Dämpfer arbeitet, und wenn ein Eingangssignal mit großer Leistung angelegt wird, das folgende Problem auftreten.
Wenn die Dämpfereinheit normal arbeitet wird in den Widerständen der Shuntseite erzeugte Hochfrequenzleistung durch den FET auf der Shuntseite zu Masse abgeführt. Wenn sich jedoch die Leistung des Eingangssignals erhöht, und die Hochfrequenzleistung sich erhöht, wird ein Teil der Hochfrequenzleistung nicht zu Masse abgeführt, und kann zu einem Ausgangsanschluss über den Widerstand der anderen Seite auf der Shuntseite übermittelt werden. Daher kann ein erwünschter Dämpfungswert nicht erreicht werden.
Bei der Dämpfereinheit des Standes der Technik mit den zwei FETs auf der Shuntseite, in Fig. 4 gezeigt, fließt auf der anderen Seite die Hochfrequenzleistung, die in dem Einseitenwiderstand (beispielsweise R42) der Shuntseite erzeugt wird, nicht zu dem andersseitigen Widerstand (beispielsweise R43) der Shuntseite. Daher wird bei der Dämpfereinheit des Standes der Technik für die große Hochfrequenzleistung der erwünschte Dämpfungswert im wesentlichen erreicht.
Im folgenden wird ein Vergleich der Dämpfungscharakteristiken der oben erläuterten Dämpfungseinheit und der Dämpfungseinheit des Standes der Technik diskutiert werden.
Fig. 8 zeigt Dämpfungscharakteristiken der in Fig. 6 gezeigten Dämpfungseinheit und der in Fig. 4 gezeigten Dämpfungseinheit des Standes der Technik. Die horizontale Achse bezeichnet einen Ausgelegten Dämpfungswert, und die vertikale Achse zeigt einen gemessenen Dämpfungswert. In Fig. 8 wird unter dem vorgegebenen Dämpfungswert von 8 dE bei beiden Dämpfungseinheiten der gleiche Dämpfungswert wie der vorgegebene Dämpfungswert gemessen. Beim vorgegebenen Dämpfungswert von mehr als 10 dB jedoch unterscheidet sich der gemessene Dämpfungswert der in Fig. 8 gezeigten Dämpfungseinheit jedoch von dem vorgegebenen Dämpfungswert.
Auf der anderen Seite wird bei der Dämpfungseinheit des Standes der Technik, auch wenn der vorgegebene Dämpfungswert mehr als 10 dB ist, im wesentlichen der gleiche Dämpfungswert wie der vorgegebene Dämpfungswert gemessen. Bei der Dämpfungseinheit des Standes der Technik scheint eine Differenz zwischen einem theoretischem Wert (dem vorgegebenen Wert) und dem gemessenen Wert aufgrund eines Verlustes in dem FET, etc. vorzuliegen.
Wie oben erwähnt zeigt ein Beispiel in Fig. 8, dass bei dem vorgegebenen Dämpfungswert von weniger als 8 dB die Dämpfungseinheit gemäß der vorliegenden Erfindung wirksam arbeitet. Daher kann durch ein Anwenden der in Fig. 6 gezeigten Dämpfungseinheit auf einen Teil des Stufendämpfers, der die Dämpfungseinheit des Standes der Technik verwendet, ein kleinerer Stufendämpfer mit guter Leistungseigenschaft realisiert werden. Als nächstes wird eine Konfiguration und ein Betrieb eines solchen Stufendämpfers diskutiert.
Fig. 9 zeigt ein schematisches Diagramm eines weiteren Stufendämpfers als technischen Hintergrund der vorliegenden Erfindung. Ein in Fig. 9 gezeigter Stufendämpfer 160 enthält zwei Dämpfungseinheiten 110-4, 110-5 und eine Dämpfungseinheit 40-1, die in Serie miteinander verbunden sind. Jede der Dämpfereinheiten 110-4, 110-5 weist die gleiche Konfiguration wie die in Fig. 6 gezeigte Dämpfungseinheit 110 auf.
Die Dämpfungseinheit 40-1 weist die gleiche Konfiguration wie die in Fig. 4 gezeigte Dämpfungseinheit 40 auf.
Werte von Widerständen in jeder Dämpfereinheit werden so bestimmt, dass ein fester Dämpfungswert einer jeden Dämpfungseinheit einen gegebenen Dämpfungswert aufweist.
Beispielsweise wird bei der Dämpfungseinheit 110-4 mit 17-Ω, 292-Ω, 292-Ω-Widerständen ein fester Dämpfer mit einem 3 dB- Dämpfungswert aufgebaut. Auf die gleiche Weise wird mit den Dämpfungseinheiten 110-5 mit 24-Ω, 150-Ω, 150-Ω-Widerständen ein fester Dämpfer mit einem 6 dB-Dämpfungswert aufgebaut. Bei der Dämpfungseinheit 40-1 wird mit 93-Ω, 84-Ω, 84-Ω- Widerständen ein fester Dämpfer mit einem 12 dB-Dämpfungswert aufgebaut.
Bei den Dämpfungseinheiten 110-4, 110-5 ist der FET auf der Shuntseite so ausgelegt, dass auch dann, wenn der FET in einem leitenden ist, ein Widerstandswert des FET ausreichend klein ist im Vergleich zu den Widerständen (292 Ω, 150 Ω) der Widerstände auf der Shuntseite. Daher kann der Gesamtdämpfungswert des Stufendämpfers 160 von 0 dB bis 21 dB in drei dB-Schritten ausgewählt werden.
Da die Dämpfungseinheit 40-1 mit einer π-Typstruktur mit zwei FETs auf der Shuntseite aufgebaut ist, kann weiter die Dämpfungseinheit 40-1 eine gute Dämpfungsleistungseigenschaft aufweisen, auch für einen relativ großen Dämpfungswert.
Bei dem in Fig. 9 gezeigten Stufendämpfer 160 wird für die Dämpfungseinheit 40-1 mit einem relativ großen Dämpfungswert, beispielsweise 12 dE, die in Fig. 4 gezeigte Dämpfungseinheit des Standes der Technik verwendet, um eine gute Dämpfungsleistungseigenschaft zu erreichen, und für die Dämpfungseinheiten 110-4, 110-5 mit einem relativ kleinen Dämpfungswert, beispielsweise 3 dB und 6 dB, wird die in Fig. 6 gezeigte Dämpfungseinheit verwendet, für ein Miniaturisieren der Stufendämpfergröße.
Daher kann der Stufendämpfer miniaturisiert werden und kann eine gute Dämpfungsleistungseigenschaft auch für einen relativ großen Dämpfungswert aufweisen.
Als nächstes wird eine Inverterschaltung gemäß der vorliegenden Erfindung beschrieben.
Fig. 10 zeigt ein schematisches Diagramm eines Ausführungsbeispiels der Inverterschaltung, die in Kombination mit der oben erläuterten Dämpfereinheit zu verwenden ist, in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung. Eine in Fig. 10 gezeigte Inverterschaltung 200 enthält einen D-FET 202, und drei Widerstände R1, R2, R3. Der Widerstand R1 ist zwischen einem Drain des D-FET 202 und einer Energieversorgungsspannung Vcc angeschlossen, der Widerstand R2 ist zwischen einem Source des D-FET 202 und Masse angeschlossen, und der Widerstand R3 ist zwischen einem Gate des D-FET 202 und Masse angeschlossen. Ein Eingangssignal wird an das Gate des D-FET 202 angelegt.
Bei der Inverterschaltung 200 wird ein Widerstandswert des Widerstands R2 auf einen Wert eingestellt (absoluter Wert der Pinch-Off-Spannung/ein Strom zwischen dem Drain und dem Source), und ein Widerstandswert des Widerstands R3 wird auf mehr als mehrere kΩ eingestellt.
Wenn eine gegebene Spannung zwischen dem Drain und dem Source angelegt wird, fließt ein Strom entsprechend der Gatebreite des D-FET 202 in den Widerstand R2. Daher wird eine rückwärts gerichtete elektromotorische Kraft über dem Widerstand R2 erzeugt, und eine negative Spannung der rückwärtigen elektromotorischen Kraft wird an den Widerstand R3 angelegt, um eine Eigenvorspannung zu erzeugen. In diesem Fall kann durch ein Auswählen des Widerstandswertes des Widerstands R2 derart, dass er die gleiche rückwärts gerichtete elektromotorische Kraft wie die an das Gate angelegte Spannung erzeugt, der D-FET 202 in einem Pinch-Off-Zustand betrieben werden. Auf diese Weise wird eine Eigenvorspannungsschaltung gebildet, und ein Betriebspunkt wird in dem Pinch-Off-Zustand eingestellt.
Als eine Folge wird, wenn eine 0-V Spannung an das Gate des D-FET 202 angelegt wird, der D-FET 202 abgeschaltet, und wenn eine V1 Spannung an das Gate angelegt wird, wird der D-FET 202 angeschaltet (V2 ist eine gegebene Spannung, die es dem D-FET 202 ermöglicht, angeschaltet zu werden).
Als nächstes wird eine Ausgangsspannung Vout in diesem Fall beschrieben. In der folgenden Diskussion wird dann, wenn der D-FET 202 angeschaltet ist, ein Widerstandswert des D-FET 202 als Ron bezeichnet, und wenn der D-FET 202 ausgeschaltet ist, wird der Widerstandswert von diesem als Roff bezeichnet.
Wenn die Eingangsspannung 0 V ist:
Vout = (R2 + Roff)/(R1 + R2 + Roff) · Vcc = (1 + R2/Roff) (1 + (R1 + R2)/Roff) · Vcc = Vcc, (wobei, Roff > > R1, R2).
Auf diese Weise wird, wenn die Eingangsspannung 0 V ist, die Ausgangsspannung Vout zu Vcc. Wenn die Eingangsspannung V1 ist:
Vout = (R2 + Ron)/(R1 + R2 + Ron) · Vcc.
Da ein Wert (R2 + Ron)/(R1 + R2 + Ron) geringer als 1 ist wird, wenn die Eingangsspannung V1 ist, die Ausgangsspannung Vout geringer als Vcc (die Ausgangsspannung Vout zu diesem Zeitpunkt wird als V2 bezeichnet). In diesem Fall wird der Widerstandswert des Widerstands R1 so bestimmt, dass die Ausgangsspannung auf einem logisch niedrigen Pegel eingestellt sein kann.
Auf diese Weise kann von dem Drain des D-FET 202 ein invertiertes Signal des Eingangssignals, angelegt an das Gate des D-FET 202, erhalten werden.
Wie oben erläutert, kann auch mit der Konfiguration mit einem einzelnen FET die Inverterschaltung bereitgestellt werden. Daher kann die Inverterschaltung 200, die Teil der Schaltung gemäß der vorliegenden Erfindung bildet, im Vergleich zur Inverterschaltung 50 des Standes der Technik mit zwei FETs in Fig. 5 gezeigt, miniaturisiert werden. Weiter kann das Inverterschaltungsdesign vereinfacht werden, und somit können die Inverterschaltungskosten reduziert werden.
Fig. 11 zeigt ein schematisches Diagramm eines SPDT- Schalters, der das in Fig. 10 gezeigte Ausführungsbeispiel der Inverterschaltung verwendet. Ein in Fig. 11 gezeigter SPDT-Schalter 240 enthält zwei D-FETs 242, 244, und eine Inverterschaltung 200-1. Ein Steuersignal S wird an ein Gate des D-FET 242 angelegt, und ein invertiertes Signal, was erzeugt wird durch ein Invertieren des Steuersignals S in der Inverterschaltung 200-1, wird an ein Gate des D-FET 244 angelegt.
In dem SPDT-Schalter 240 wird durch das Steuersignal S1 der an die Anschlüsse 254, 256 angelegten Signale zu einem Anschluss 252 übermittelt. Weiter kann durch das Steuersignal ein an den Anschluss 252 geliefertes Signal zu einem der Anschlüsse 254, 256 geliefert werden.
Da der in Fig. 11 gezeigte SPDT-Schalter 240 die Inverterschaltung 200-1 verwendet, die miniaturisiert und vereinfacht werden kann, kann eine Miniaturisierung und Kostenreduktion des SPDT-Schalters realisiert werden.
Fig. 12 zeigt ein schematisches Diagramm eines Ausführungsbeispiels gemäß der vorliegenden Erfindung. Der in Fig. 12 gezeigte Stufendämpfer 300 ist aufgebaut durch ein Anwenden der in Fig. 10 gezeigten Inverterschaltung 200 auf den in Fig. 7 gezeigten Stufendämpfer 150. Der Stufendämpfer 300 arbeitet auf die gleiche Weise, wie der in Fig. 7 gezeigte Stufendämpfer 150.
Bei dem Stufendämpfer 300 kann die für die Dämpfereinheit erforderliche Anzahl von Transistoren im Vergleich zu in Fig. 4 gezeigten Dämpfereinheit des Standes der Technik reduziert werden, und die Anzahl von für die Inverterschaltung erforderlichen Transistoren kann im Vergleich zu der in Fig. 5 gezeigten Inverterschaltung des Standes der Technik ebenso reduziert werden. Daher kann, da der Stufendämpfer 300 die kleineren und weiter vereinfachten Dämpfereinheiten und Inverterschaltungen verwendet, der Stufendämpfer 300 im Vergleich zum Stufendämpfer des Standes der Technik weiter miniaturisiert und vereinfacht werden.
Da die Dämpfereinheit und die Inverterschaltung im Stufendämpfer 300 eine gute Frequenzleistungseigenschaft aufweist, kann der Stufendämpfer 300 weiter eine bessere Frequenzleistungseigenschaft im Vergleich zu dem Stufendämpfer mit der Dämpfereinheit des Standes der Technik und der Inverterschaltung des Standes der Technik aufweisen.
Fig. 13 zeigt ein schematisches Diagramm eines weiteren Ausführungsbeispiels gemäß der vorliegenden Erfindung. Ein in Fig. 13 gezeigter Stufendämpfer 350 ist aufgebaut durch ein Anwenden der in Fig. 10 gezeigten Inverterschaltung 200 auf den in Fig. 9 gezeigten Stufendämpfer 160. Der Stufendämpfer 350 arbeitet auf die gleiche Weise wie der in Fig. 9 gezeigte Stufendämpfer 160.
Bei dem Stufendämpfer 350 kann die Anzahl von für die Dämpfereinheit erforderlichen Widerständen im Vergleich zu dem in Fig. 4 gezeigten Dämpfereinheit des Standes der Technik reduziert werden, und die für die Inverterschaltung erforderliche Anzahl von Transistoren kann im Vergleich zu der in Fig. 5 gezeigten Inverterschaltung des Standes der Technik ebenso reduziert werden. Da der Stufendämpfer 350 kleinere und weiter vereinfachte Dämpfereinheiten und Inverterschaltungen verwendet, kann auf diese Weise der Stufendämpfer 350 im Vergleich zum Stufendämpfer des Standes der Technik weiter miniaturisiert und vereinfacht werden.
Weiter wird bei dem Stufendämpfer 350 zum Erlangen eines relativ großen Dämpfungswertes die Dämpfereinheit des Standes der Technik mit guter Dämpfungsleistungseigenschaft auch für den großen Dämpfungswert verwendet. Daher kann der Stufendämpfer 350 eine gute Dämpfungsleistungseigenschaft auch zum Erhalt des großen Dämpfungswertes aufweisen.
Als nächstes werden Anwendungen des Stufendämpfers gemäß der vorliegenden Erfindung beschrieben.
Ein erstes Beispiel, bei dem ein Stufendämpfer gemäß der vorliegenden Erfindung auf eine Funkeinrichtung angewendet ist, wird mit Bezug auf Fig. 14 beschrieben.
Fig. 14 zeigt ein Blockdiagramm der Funkeinrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung. Die in Fig. 14 gezeigte Funkeinrichtung enthält einen Übertragungsabschnitt und einen Empfangsabschnitt. Der Übertragungsabschnitt enthält eine Übertragungsschaltung 402, einen Stufendämpfer 404, und einen Leistungsverstärker 406. Der Empfangsabschnitt enthält einen Niedrigrauschverstärker 412, einen Stufendämpfer 414, und eine Empfangsschaltung 416. Auf die Stufendämpfer 404, 414 kann irgendeiner der oben erwähnten Stufendämpfer gemäß der vorliegenden Erfindung angewendet werden.
Der Stufendämpfer 404 kann ein Übertragungssignal mit einem gegebenen Dämpfungsschritt dämpfen, um eine durch ein Übertragungssignal mit großer Stärke erzeugte Interferenz zu reduzieren. Der Stufendämpfer 414 kann ein empfangenes Signal mit einem gegebenen Dämpfungsschritt dämpfen, um zu verhindern, dass die Empfangsschaltung 416 aufgrund eines Empfangssignals mit großer Stärke saturiert wird.
Bei der Funkeinrichtung 400 kann der Übertragungsabschnitt und der Empfangsabschnitt unter Verwendung des MMIC- Verfahrens hergestellt sein. Weiter kann mit dem Stufendämpfer 404 und dem Leistungsverstärker 406 ein Übertragungsverstärkermodul aufgebaut werden, und mit dem Stufendämpfer 414 und dem Niedrigrauschverstärker 416 kann ein Empfangsverstärkermodul bereitgestellt werden. In diesem Fall können die Verstärkermodule weiter miniaturisiert werden.
In dem obigen Beispiel der Funkeinrichtung ist der Stufendämpfer 414 in der den Niedrigrauschverstärker 412 folgenden Stufe positioniert, um eine Erhöhung einer Rauschgröße zu verhindern. Jedoch kann der Stufendämpfer 414 in der den Niedrigrauschverstärker 412 vorhergehenden Stufe positioniert sein, vom Gesichtspunkt eines Verhinderns einer Eingabe mit übergroßer Leistung ausgehend.
Auf diese Weise kann eine Miniaturisierung und Kostenreduktion der Funkeinrichtung 400 einfach realisiert werden, durch Verwenden des Stufendämpfers gemäß der vorliegenden Erfindung.
Ein zweites Beispiel, bei dem der Stufendämpfer gemäß der vorliegenden Erfindung auf eine schnurlose Karte angewendet ist, wird durch Bezugnahme auf Fig. 15 und Fig. 16 diskutiert.
Fig. 15 zeigt ein Blockdiagramm der schnurlosen Karte gemäß der vorliegenden Erfindung. Fig. 16 zeigt ein Anwendungsbeispiel der in Fig. 15 gezeigten schnurlosen Karte. Eine in Fig. 15 gezeigte schnurlose Karte 500 enthält eine Antenne 510, einen Hochfrequenzabschnitt 520, einen Zwischenfrequenz (IF) Abschnitt 530, einen Modulations- und Demodulations- (MOD/DEMOD) Abschnitt 540, einen Steuerabschnitt 550, und einen Schnittstellenabschnitt 560. Der Hochfrequenzabschnitt 520 enthält einen der oben diskutierten Stufendämpfer gemäß der vorliegenden Erfindung in einem Hochfrequenzsignalpfad.
Die in Fig. 15 gezeigte schnurlose Karte 500 kann beispielsweise einen Personal Computer Memory Card International Association (PCMCIA) Karte enthalten. Wie in Fig. 16 gezeigt, kann diese schnurlose Karte 500 in einen Personal Computer 570 eingefügt werden, und kann als eine Breitspektrum (SS) schnurlose LAN-Karte verwendet werden. In diesem Fall ist es über den Personal Computer 570 und die schnurlose LAN-Karte 500 möglich, mit einem anderen Personal Computer oder einem Hostcomputer zu kommunizieren.
Da die schnurlose Karte gemäß der vorliegenden Erfindung einen Stufendämpfer verwendet, wie er in Fig. 7, Fig. 9, Fig. 12 und Fig. 13 gezeigt ist, kann eine Miniaturisierung der schnurlosen Karte einfach vorgenommen werden. Daher kann in dem Personal Computer ein für die Einfügung der schnurlosen Karte erforderlicher Raum reduziert werden, und somit kann ein kleinerer Personal Computer realisiert werden, der die schnurlose Karte unterstützt.
Weiter ist die vorliegende Erfindung nicht auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt, sondern andere Abwandlungen und Modifikationen können vorgenommen werden, ohne vom Umfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen, wie durch die angefügten Ansprüche definiert.

Claims

1. Ein Stufendämpfer (150, 110), zur Dämpfung eines Signals entsprechend einem digitalen Kontrollsignal, mit zumindest einer ersten Dämpfungseinheit (110-1, 110-2, 110-3), wobei zumindest eine erste Dämpfungseinheit folgendes enthält:

einen π-artigen Dämpfer mit einem ersten Widerstand (106) und einem zweiten und dritten Widerstand (108, 110), die auf beiden Seiten des ersten Widerstandes angeordnet sind;

einen ersten Transistor (102), der parallel zu dem ersten Widerstand geschaltet ist; und

einen zweiten Transistor (104), der zwischen einem Verbindungsknoten des zweiten Widerstandes (108) und des dritten Widerstandes (110) und einem ersten Spannungswert (112) geschaltet ist;

worin durch die Kontrolle einer Gatterspannung des ersten Transistors und einer Gatterspannung des zweiten Transistors ein erster Dämpfungswert der Dämpfungseinheit geändert wird; und

worin die Dämpfungseinheit weiterhin einen Inverterschaltkreis (122) enthält, der zwischen einem Kontrollausgang des ersten Transistors und einem Kontrollausgang des zweiten Transistors geschaltet ist;

dadurch gekennzeichnet, dass

der Inverterschaltkreis (122) enthält:

einen ersten Verarmungsfeld-FET-Transistor (D-FET) (202);

einen ersten Widerstand (R1), der zwischen einem Drainanschluß eines ersten Verarmungsfeld-FET-Transistors und einer zweiten Stromversorgungsspannung geschaltet ist; und

einen dritten Widerstand (R3), der zwischen einem Gatter des ersten Verarmungsfeld-FET-Transistors und der zweiten Stromversorgungsspannung geschaltet ist;

worin das Kontrollsignal, das zum Gatter des ersten Verarmungsfeld-FET-Transistors geliefert wird, invertiert wird und ein invertiertes Kontrollsignal vom Drain des ersten Verarmungsfeld-FET-Transistors erzeugt wird.

2. Der Stufendämpfer gemäß Anspruch 1, zusätzlich enthaltend

eine zweite Dämpfungseinheit (40-1) mit

einem zweiten π-artigem Dämpfer, der einen sechsten Widerstand, und siebte und achte Widerstände hat, die auf beiden Seiten des sechsten Widerstands angeordnet sind;

einen dritten Widerstand, der zu dem sechsten Widerstand parallel geschaltet ist;

einen vierten Transistor, der zwischen dem siebten Widerstand und dem ersten Spannungswert geschaltet ist; und

einen fünften Transistor, der zwischen dem achten Widerstand und dem ersten Spannungswert geschaltet ist;

worin:

durch die Kontrolle einer Gatterspannung des dritten Transistors, einer Gatterspannung des vierten Transistors und einer Gatterspannung des fünften Transistors ein zweiter Dämpfungswert der zweiten Dämpfungseinheit geändert wird; und

der erste Dämpfungswert der ersten Dämpfungseinheit kleiner ist als der zweite Dämpfungswert der zweiten Dämpfungseinheit.

3. Ein Sendemodul, das einen Stufendämpfer gemäß Anspruch 1 und 2 enthält.

4. Ein Empfängermodul, das einen Stufendämpfer gemäß Anspruch 1 und 2 enthält.

5. Eine drahtlose Baugruppe, die einen Stufendämpfer gemäß Anspruch 1 und 2 enthält.