DE69516047T2 - Vorrichtung zur Aktivierung einer Vorspannungsquelle - Google Patents

Vorrichtung zur Aktivierung einer Vorspannungsquelle

Info

Publication number
DE69516047T2
DE69516047T2 DE69516047T DE69516047T DE69516047T2 DE 69516047 T2 DE69516047 T2 DE 69516047T2 DE 69516047 T DE69516047 T DE 69516047T DE 69516047 T DE69516047 T DE 69516047T DE 69516047 T2 DE69516047 T2 DE 69516047T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
bias voltage
voltage source
source
standby state
state
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69516047T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69516047D1 (de
Inventor
Colette Morche
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SA
Original Assignee
STMicroelectronics SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics SA filed Critical STMicroelectronics SA
Publication of DE69516047D1 publication Critical patent/DE69516047D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69516047T2 publication Critical patent/DE69516047T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/04Modifications for accelerating switching
    • H03K17/041Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/0416Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the output circuit
    • H03K17/04163Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the output circuit in field-effect transistor switches

Landscapes

  • Dram (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Direct Current Feeding And Distribution (AREA)
  • Control Of Voltage And Current In General (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Einschalten eines Bereitschaftszustands bei einer Vorspannungsquelle. Im einzelnen bezieht sie sich auf eine Vorrichtung, die einen Inverter verwendet, welcher die Deaktivierung einer Vorspannungsquelle steuert.
  • Die Vorrichtungen zum Einschalten eines Bereitschaftszustands werden verwendet, um die Energie zu reduzieren, die von einer Schaltung während Perioden der Nichtbenutzung verbraucht wird, indem die Vorspannungsquelle desaktiviert wird, jedoch ohne dass es erforderlich ist, die Schaltung außer Betrieb zu setzen. Sie sind von besonderer Bedeutung in autonomen Versorgungsvorrichtungen, die beispielsweise aus wiederaufladbaren Batterien oder Elementen wie Fernmessfühler aufgebaut sind. Derartige Messfühler dienen beispielsweise dazu, Informationen an eine Zentrale im Fall einer Änderung des Zustands des Messfühlers zu übertragen. In derartigen Vorrichtungen ist es unerlässlich, den Verbrauch des Messfühlers während der Perioden einzuschränken, in denen sein Zustand stabil ist. Zu diesem Zweck wird die Vorspannungsquelle seiner Sendeorgane in Bereitschaftszustand versetzt, wenn der Messfühler in einem stabilen Zustand während eines Intervalls vorbestimmter Zeit ist. Dies gestattet, den Verbrauch der Vorrichtung während dieser Perioden zu reduzieren. Die Vorspannungsquelle wird reaktiviert, sobald das Steuersignal zum Einschalten eines Bereitschaftszustands den Zustand ändert, was darauf hinweist, dass sich der Messfühler nicht mehr in einem stabilen Zustand befindet.
  • Herkömmlicherweise ist eine Vorrichtung zum Einschalten eines Bereitschaftszustands bei einer Vorspannungsquelle aus einem Inverter auf Basis zweier MOS-Transistoren gebildet, die zwischen zwei Versorgungsanschlüssen der Vorspannungsquelle geschaltet sind.
  • Fig. 1 zeigt eine bekannte Vorrichtung zum Einschalten eines Bereitschaftszustands. Eine Vorspannungsquelle 1 wird durch eine Versorgungsspannung zwischen zwei Anschlüssen A, B gespeist, die jeweils Potentiale Vcc und Vss darstellen.
  • Die Vorspannungsquelle kann beispielhaft aus einer Stromquelle mit ΔVbe/R gebildet sein. Das bekannte Detail ihres Aufbaus ist nicht dargestellt. Man beschränkt sich darauf, daran zu erinnern, dass sie beispielsweise aus zwei Transistorenzweigen zusammengesetzt ist, die als Spiegel zwischen den Klemmen A und B der Versorgungsspannung geschaltet sind. Jeder Zweig ist aus einem bipolaren Transistor vom Typ NPN und zwei MOS-Transistoren gebildet, einem ersten Transistor mit P-Kanal und einem zweiten Transistor mit N- Kanal, wobei ein Polarisierungswiderstand zwischen dem bipolaren Transistor und dem ersten MOS-Transistor des zweiten Zweigs geschaltet ist.
  • Die Senken der MOS-Transistoren des ersten Zweigs bilden einen Steuereingang E. Dieser Steuereingang E empfängt ein Steuersignal zum Einschalten eines Bereitschaftszustands "Stand-by" vermittels eines CMOS-Inverters, der aus zwei MOS- Transistoren MP1, MN2 gebildet ist. Diese beiden Transistoren MP1, MN2 sind zwischen den Versorgungsanschlüssen A, B geschaltet. Die Quelle des Transistors mit P-Kanal MP1 ist an der positiven Versorgungsklemme A mit dem Potential Vcc angeschlossen, während ihre Senke mit der Senke des Transistors mit N-Kanal MN2 verbunden ist. Die Quelle des Transistors MN2 ist an der negativen Versorgungsklemme B mit dem Potential Vss angeschlossen. Die beiden Transistoren MP1, MN2 empfangen an ihren Gates ein Steuersignal zum Einschalten eines Bereit schaftszustands "Stand-by", während ihre Senken den Ausgang des Inverters bilden, der an den Steuereingang E der Vorspannungsquelle 1 gesendet wird.
  • Die Rolle des Inverters besteht darin, die Schnittstelle zwischen der übrigen Schaltung und der Vorspannungsquelle 1 sicherzustellen. Ferner invertiert er die Zustände des Steuersignals zum Einschalten eines Bereitschaftszustandes "Stand-by", das allgemein ein logisches Signal ist, dessen niedrigerer Zustand V- eine Anforderung zum Einschalten eines Bereitschaftszustands der Vorspannungsquelle 1 darstellt. Wenn eine Anforderung zum Einschalten eines Bereitschaftszustands auftritt, d. h., wenn das Signal "Stand-by" von seinem hohen Zustand auf seinen niedrigen Zustand übergeht, invertiert der Ausgang der aus dem CMOS- Inverter MP1, MN2 gebildeten Vorrichtung zum Einschalten eines Bereitschaftszustands dieses Signal. Da der Ausgang des Inverters auf die Senken der MOS-Transistoren des ersten Zweigs der Vorspannungsquelle 1 gesendet wird, blockiert dieser Ausgang den oberen MOS-Transistor dieses Zweigs, indem er sein Gate auf das Potential Vcc beim Spannungsabfall im Serienwiderstand des nahen Transistors MP1 bringt. Die Vorspannungsquelle 1 befindet sich in dem Fall im Bereitschaftszustand.
  • Der Ausgang S einer derartigen Vorspannungsquelle 1 ist durch die Senken der MOS-Transistoren des zweiten Zweigs gebildet. Er ist dazu bestimmt, die Polarisierung von Modulen der Schaltung, in der die Vorspannungsquelle 1 implantiert ist, mittels Stromquellen 2, die durch die Vorspannungsquelle 1 gesteuert sind, zu aktivieren. Diese Stromquellen sind beispielsweise aus N-Kanal-MOS-Transistoren gebildet, die als Spiegel zu den unteren N-Kanal-MOS-Transistoren der Vorspannungsquelle 1 angebracht sind.
  • Fig. 2 zeigt in Form von Zeitdiagrammen den Strom linv, der im CMOS-Inverter zirkuliert, unter Bezugnahme auf ein Beispiel eines Signals "Stand-by" zum Einschalten eines Bereitschaftszustands sowie auf das Potential E zur Steuerung der Vorspannungsquelle 1.
  • Wie man feststellen kann, weist der Strom linv einen Gipfel im Zeitpunkt der Zustandsänderung des Signals "Stand-by" in einen Zustand der Einschaltung eines Bereitschaftszustands auf. Dieser Gipfel schwingt aus, indem er dem Signal "Standby" zum Einschalten eines Bereitschaftszustands folgt. Die Spannung E wird invertiert, um die Vorspannungsquelle 1 auszuschalten, der Strom, der im Inverter zirkuliert, verursacht jedoch einen Verbrauch, der für die Unabhängigkeit der Vorrichtungen schädlich ist, in denen er implantiert ist. In der Tat, wenn die Amplitude des Gipfels eines Stroms linv durch die Oberfläche der CMOS-Transistoren beherrschbar ist, die den Inverter bilden, hängt ihre Breite vom Signal wie in dieser Figur gezeigt zum Einschalten eines Bereitschaftszustands ("Stand-by") ab. In der Tat hängt sie ab von der Umschaltzeit des Signals "Stand-by" zwischen seinen beiden logischen Zuständen.
  • Überdies kommt es häufig vor, dass das Steuersignal zum Einschalten eines Bereitschaftszustands "Stand-by" sich nicht, wie in dieser Figur gezeigt, zwischen den beiden Potentialen Vcc und Vss zur Speisung der Vorspannungsquelle bewegt, sondern zwischen zwei Zwischenpotentialen V+ und V-. In diesem Fall ist die Leitung im Inverter während des Bereitschaftszustands der Vorspannungsquelle 1 permanent, was einen bedeutenden Restverbrauch während der Bereitschaftsperioden der Vorspannungsquelle verursacht. Es ist zu bemerken, dass der Wert des Potentials V+ höher als der Wert Vcc-Vgsp sein muss, wobei Vgsp die Schwellenspannung Gate-Quelle des Transistors MP1 darstellt, andernfalls ist die Vorspannungsquelle 1 in permanenter Bereitschaft.
  • Die Erfindung zielt darauf ab, die durch einen Inverter dieses Typs verbrauchte Energie zu verringern und auf diesem Wege die Unabhängigkeit der Systeme mit autonomer Versorgung zu erhöhen, in denen eine Vorrichtung zum Einschalten eines Bereitschaftszustands einer Vorspannungsquelle implantiert ist. Eine erste Aufgabe besteht darin, diesen Verbrauch bei der Umschaltung des Inverters zu reduzieren. Eine zweite Aufgabe besteht darin, den Strom, der im Inverter zirkuliert, von den Potentialen der logischen Zustände des Steuersignals zum Einschalten eines Bereitschaftszustands unabhängig zu machen.
  • Um diese Aufgaben zu erfüllen, sieht die vorliegende Erfindung eine Vorrichtung zum Einschalten eines Bereitschaftszustands bei einer Vorspannungsquelle durch ein Steuersignal für den Bereitschaftszustand vor, die einen Inverter mit aktiver Last aufweist, die durch die Vorspannungsquelle gesteuert wird.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst der Inverter einen ersten MOS-Transistor mit P-Kanal, dessen Quelle an einen positiven Anschluss der Versorgungsspannung der Vorspannungsquelle angeschlossen ist, dessen Senke den Ausgang des Inverters bildet, der an einen Steuereingang der Vorspannungsquelle angeschlossen ist und dessen Gate den Eingang des Inverters bildet, der das Steuersignal für den Bereitschaftszustand empfängt.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Senke des ersten Transistors an eine Stromquelle angeschlossen, welche die aktive Last darstellt, die durch die Vorspannungsquelle gesteuert wird.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Stromquelle aus einem zweiten MOS-Transistor mit N-Kanal gebildet, dessen Quelle an einen negativen Versorgungsanschluss der Vorspannungsquelle angeschlossen ist und dessen Senke an die Senke des ersten Transistors des Inverters angeschlossen ist, wobei das Gate des zweiten Transistors an den Ausgang der Vorspannungsquelle angeschlossen ist.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist der zweite Transistor des Inverters als Stromspiegel zu einem Transistor der Vorspannungsquelle ausgebildet.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist das Steuersignal für den Bereitschaftszustand ein logisches Signal, dessen Potentialzustände sich von den Potentialen, die an den Versorgungsanschlüssen der Vorspannungsquelle anliegen, unterscheiden, wobei jeder Zustand des Steuersignals für den Bereitschaftszustand einem Zustand, aktiv oder inaktiv, der Vorspannungsquelle entspricht.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist die Vorrichtung außerdem Mittel auf, um die Vorspannungsquelle beim Übergang des Steuersignals für den Bereitschaftszustand in seinen Zustand, der dem aktiven Zustand der Vorspannungsquelle entspricht, zu reaktivieren.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind die Mittel zur Reaktivierung von einer äußeren Quelle gebildet, die ein Steuersignal für die aktive Last abgibt, das von dem Steuersignal für den Bereitschaftszustand ausgelöst wird, wobei das Steuersignal für die aktive Last aktiviert wird, während das Steuersignal für den Bereitschaftszustand von dem Zustand, der dem inaktiven Zustand der Vorspannungsquelle entspricht, auf den Zustand, der dem aktiven Zustand der Vorspannungsquelle entspricht, umschaltet.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird die Vorrichtung bei einer Vorspannungsquelle mit ΔVbe/R eingesetzt.
  • Die Inanspruchnahme einer aktiven Last in dem Inverter des Steuersignals zum Einschalten eines Bereitschaftszustands der Vorspannungsquelle und die Tatsache, dass diese Last durch die Vorspannungsquelle selbst gesteuert wird, gestattet, die Zirkulation des Stroms im Inverter abzuschalten, sobald die Vorspannungsquelle desaktiviert ist.
  • Somit wird die Breite des Stromgipfels während der Umschaltung des Inverters beträchtlich verringert, was die in diesem Inverter während der Umschaltphase verbrauchte Energie einschränkt.
  • Überdies wird der Strom, welcher im Inverter zirkuliert, vom Wert der Potentiale der Zustände des Steuersignals zum Einschalten eines Bereitschaftszustands unabhängig gemacht. Der Wert dieses Stroms wird nunmehr durch die Stromquelle festgesetzt, die die aktive Last bildet. Somit wird der Energieverbrauch des Inverters in dem Fall wesentlich verringert, wo sich die Potentiale der Zustände des Steuersignals zum Einschalten eines Bereitschaftszustands von den Potentialen an den Versorgungsanschlüssen der Vorspannungsquelle unterscheiden.
  • Diese und weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung gehen detailliert aus der folgenden Beschreibung besonderer beispielhafter nichtbeschränkender Aus führungsformen unter Bezugnahme auf die beigefügten Figuren hervor, von denen:
  • - die vorstehend beschriebenen Fig. 1 und 2 dazu bestimmt sind, den Stand der Technik und das gestellte Problem darzustellen;
  • - Fig. 3 schematisch eine Ausführungsform einer Vorrichtung zum Einschalten eines Bereitschaftszustands gemäß der vorliegenden Erfindung darstellt und
  • - Fig. 4 in Form von Zeitdiagrammen die Form der Spannungen und des Stroms darstellt, die für die in Fig. 3 dargestellte Vorrichtung zum Einschalten eines Bereitschaftszustands am bezeichnendsten sind.
  • Die erfindungsgemäße Vorrichtung zum Einschalten eines Bereitschaftszustands, die in Fig. 3 dargestellt ist, ist ein Inverter mit aktiver Last. Er ist aus einem MOS-Transistor MP1 gebildet, dessen Quelle an einen positiven Anschluss A mit dem Potential Vcc einer Versorgungsspannung einer Vorspannungsquelle 1 angeschlossen ist. Die Senke dieses Transistors MP1 ist mit einem positiven Anschluss einer Stromquelle 3 verbunden, deren negativer Anschluss an einen negativen Anschluss Vss der Versorgungsspannung der Vorspannungsquelle 1 angeschlossen ist. Ein Steuersignal "Stand-by" zum Einschalten eines Bereitschaftszustands wird an das Gate des Transistors MP1 gesendet, während das Ausgangssignal des Inverters an seiner Senke entnommen wird. Dieses Ausgangssignal wird an einen Steuereingang E der Vorspannungsquelle 1 gesendet. Die Stromquelle 3, die die aktive Last des Inverters bildet, wird durch den Ausgang S der Vorspannungsquelle 1 gesteuert. Diese Steuerung wird ausgeführt, indem der Strom reproduziert wird, der einen der Zweige der Vorspannungsquelle 1 durchquert. Mit anderen Worten ist die Stromquelle 3 als Spiegel zu einer Stromquelle der Vorspannungsquelle 1 ausgebildet.
  • Somit wird der Ausgang S der Vorspannungsquelle 1, der herkömmlicherweise dazu dient, Stromquellen 2 der anzuschaltenden Module zu aktivieren, dazu verwendet, die aktive Last 3 des Inverters zu steuern.
  • In dem Fall, wo die Vorspannungsquelle 1 eine Quelle mit ΔVbe/R ist, ist die aktive Last 3 aus einem MOS-Transistor mit N-Kanal gebildet, der als Spiegel zu den unteren MOS- Transistoren mit N-Kanal der Vorspannungsquelle 1 ausgebildet ist. Die Senke dieses Transistors ist mit der Senke des Transistors MP1 verbunden, während seine Quelle mit dem Anschluss B der Versorgungsspannung verbunden ist, wobei das Gate dieses Transistors mit N-Kanal mit dem Ausgangsanschluss S der Vorspannungsquelle 1 verbunden ist. Auf diese Weise wird die Stromquelle 3 durch den Strom gesteuert, der in der Vorspannungsquelle 1 zirkuliert. In dem Fall einer Vorspannungsquelle 1 mit ΔVbe/R wird immer ihr Steuereingang E durch die Senken der beiden MOS-Transistoren ihres ersten Zweigs gebildet.
  • Die Funktionsweise dieser Vorrichtung zum Einschalten eines Bereitschaftszustands wird durch Fig. 4 veranschaulicht. Diese Figur stellt in Form von Zeitdiagrammen den Strom I(MP1), der im Transistor MP1 zirkuliert, in bezug auf das Signal "Stand-by" und das Potential des Steuerungseingangs E der Vorspannungsquelle 1 dar, das dem Potential der Senke des Transistors MP1 entspricht.
  • Das Signal "Stand-by" ist ein Signal mit zwei Zuständen zwischen zwei Potentialen V+ und V-. Bei ausbleibender Ein schaltung des Bereitschaftszustands, d. h., solange das Signal "Stand-by" auf dem Potential V+ ist, zirkuliert keinerlei Strom in dem Transistor MP1. Sobald das Signal "Stand-by", indem es auf seinen unteren Zustand V- übergeht, unter das Potential Vcc-Vgsp (Zeitpunkt t0) gelangt, gelangt der Transistor MP1 in Leitung. Dies verursacht einen Gipfel des Stroms I(MP1), dessen Amplitude von der Stromquelle 3 abhängt. Sobald der Abfall der Spannung am Ausgang des Inverters ausreichend ist, um die Vorspannungsquelle 1 (Zeitpunkt t1) zu desaktivieren, verschwindet das Signal, das durch diese Letztgenannte an die Stromquelle 3 gesendet wurde. In der Tat, da keinerlei Strom mehr in der Vorspannungsquelle 1 zirkuliert, kann keinerlei Strom an der Stromquelle 3 reproduziert werden. Aus diesem Grund wird der Strom I(MP1) im Transistor MPl Null. Somit wird die Breite des Gipfels des Stroms I(MP1) von der Übergangsbreite des Signals "Stand-by" unabhängig gemacht. Überdies, selbst wenn dieses Signal, wie dargestellt, zwischen zwei verschiedenen Potentialen V+, V- der Versorgungsspannung der Vorspannungsquelle 1 variiert, zirkuliert keinerlei Strom im Inverter.
  • Wenn das Steuersignal zum Einschalten eines Bereitschaftszustands "Stand-by" in seinen hohen Zustand zurückkehrt, was einer Anforderung eines aktiven Zustands für die Vorspannungsquelle 1 entspricht, ist es erforderlich, das Wiedereinschalten der Vorspannungsquelle 1 hervorzurufen.
  • Zu diesem Zweck ist es erforderlich, die Leitung in der Stromquelle 3 zu forcieren, damit das Potential des Steuereingangs E der Vorspannungsquelle 1 auf einen Wert gebracht werden kann, der die Leitungswiederherstellung der oberen MOS-Transistoren mit P-Kanal der Vorspannungsquelle 1 gestattet. Diese Vorspannung der oberen MOS-Transistoren der Vorspannungsquelle 1 wird durch den Inverter ausgeführt, wenn das Signal "Stand-by", indem es auf seinen oberen Zustand V+ übergeht, wieder über das Potential Vcc-Vgsp ansteigt, jedoch unter der Bedingung, dass ein Strom im Inverter zirkulieren kann.
  • Um dieses Wiedereinschalten zu gestatten, können mehrere Lösungen ausgeführt werden.
  • Beispielsweise kann man, wie in Fig. 3 dargestellt, an den Steuereingang der Stromquelle 3 ein Steuersignal "Ext" anlegen, das von einer äußeren Quelle herrührt. Dieses Signal "Ext" kann ein Rechteckimpuls mit einer Amplitude sein, die ausreicht, um die aktive Last 3 wieder in Leitung zu versetzen. Die Breite dieses Rechteckimpulses wird beispielsweise durch die aufsteigende Front des Signals "Stand-by" initialisiert und durch die absteigende Front des Signals beendet, das am Steuereingang E der Vorspannungsquelle 1 anliegt. Außerhalb dieser Perioden wird keinerlei äußeres Signal an die Stromquelle 3, die die aktive Last bildet, angelegt, so dass sie in dem Fall einzig durch die Vorspannungsquelle 1 gesteuert wird. Das Steuersignal "Ext" dient einzig dazu, die Leitung in der aktiven Last 3 zu forcieren und somit die Leitung im Inverter zu gestatten, wenn das Steuersignal zum Einschalten eines Bereitschaftszustands "Stand-by" in seinen oberen Zustand V+ zurückkehrt.
  • Ferner könnte man beispielsweise am Steuereingang der Stromquelle 3 eine Gleichspannung von geringem Wert anlegen, die vom Signal "Stand-by" unabhängig ist. Dies hätte in dem Fall zur Wirkung, die aktive Last 3 des Inverters permanent in Leitung zu halten, jedoch bei einem Stromwert, der vom Signal "Stand-by" unabhängig ist. Dieser Stromaufrechterhaltungswert kann sehr niedrig gewählt werden.
  • Wie vorstehend erkennbar, gestattet die Erfindung, den Energieverbrauch einer Vorrichtung zum Einschalten eines Bereitschaftszustands zu verringern, ohne dem Funktionsprinzip der Einschaltung eines Bereitschaftszustands einer Vorspannungsquelle zu schaden. Diese Verringerung des Verbrauchs ist um so bedeutender, da die Differenz zwischen dem unteren Zustand V- des Steuersignals zum Einschalten eines Bereitschaftszustands "Stand-by" und dem Potential Vss des negativen Anschlusses B der Vorspannungsquelle 1 groß ist. Die Breite des Gipfels des Stroms, der im Inverter zirkuliert, hängt nicht mehr nur von der Umschaltzeit der Transistoren ab, die die Vorspannungsquelle 1 bilden.
  • Außerdem gestattet die Erfindung durch einen sekundären Effekt, das Einschalten eines Bereitschaftszustands mittels eines Signals "Stand-by" in Form von Impulsen zu steuern. Bei den bekannten Schaltungen ist es tatsächlich erforderlich, dass das Steuersignal zum Einschalten eines Bereitschaftszustands kontinuierlich ist, andernfalls startet die Vorspannungsquelle neu. Nunmehr ist ein Impuls des Signals zum Einschalten eines Bereitschaftszustands ausreichend, um die Vorspannungsquelle 1 zu desaktivieren. Solange kein Signal anliegt, das die Leitung der aktiven Last 3 forciert, bleibt die Vorspannungsquelle 1 tatsächlich desaktiviert, unabhängig von der Entwicklung des Steuersignals zum Einschalten eines Bereitschaftszustands.
  • Wohlgemerkt birgt die vorliegende Erfindung verschiedene Varianten und Modifikationen, die für den Fachmann offenkundig sind. Insbesondere in der vorstehenden Beschreibung wurde für den hohen bzw. niedrigen Zustand des Steuersignals zum Einschalten eines Bereitschaftszustands angenommen, dass er dem aktiven bzw. inaktiven Zustand der Vorspannungsquelle entspricht. Das Gegenteil kann ebenso leicht ausgeführt werden, beispielsweise, indem das Steuersignal zum Einschalten eines Bereitschaftszustands invertiert wird. Ferner kann jede der beschriebenen Komponenten zum Ausführen der Bestandteile des Inverters durch ein oder mehrere Elemente ersetzt werden, die dieselbe Funktion erfüllen. Außerdem kann die Vorspannungsquelle, die als Beispiel für eine Quelle mit ΔVbe/R beschrieben wurde, eine Quelle eines beliebigen Typs sein.

Claims (9)

1. Vorrichtung zum Einschalten eines Bereitschaftszustands bei einer Vorspannungsquelle (1) durch ein Steuersignal für den Bereitschaftszustand ("Stand-by"), die einen Inverter aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass der Inverter eine aktive Last (3) aufweist, die von einem Ausgang (S) der Vorspannungsquelle (1) gesteuert wird.
2. Vorrichtung zum Einschalten eines Bereitschaftszustandes nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Inverter einen ersten MOS-Transistor (MP1) mit P-Kanal aufweist, dessen Quelle an einen positiven Anschluss (A) der Versorgungsspannung der Vorspannungsquelle (1) angeschlossen ist, dessen Senke den Ausgang des Inverters bildet, der an einen Steuereingang (E) der Vorspannungsquelle (1) angeschlossen ist und dessen Gate den Eingang des Inverters bildet, der das Steuersignal für den Bereitschaftszustand ("Stand-by") empfängt.
3. Vorrichtung zum Einschalten eines Bereitschaftszustandes nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Senke des ersten Transistors (MP1) an eine Stromquelle (3) angeschlossen ist, welche die aktive Last darstellt, die durch den Ausgang (S) der Vorspannungsquelle (1) gesteuert wird.
4. Vorrichtung zum Einschalten eines Bereitschaftszustandes nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Stromquelle (3) einen zweiten MOS-Transistor mit N-Kanal aufweist, dessen Quelle an einen negativen Versorgungsanschluss (B) der Vorspannungsquelle (1) angeschlossen ist und dessen Senke an die Senke des ersten Transistors (MP1) des Inverters angeschlossen ist, wobei das Gate des zweiten Transistors an den Ausgang (S) der Vorspannungsquelle (1) angeschlossen ist.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Transistor des Inverters als Stromspiegel zu einem Transistor der Vorspannungsquelle (1) ausgebildet ist.
6. Vorrichtung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Steuersignal für den Bereitschaftszustand ("Standby") ein logisches Signal ist, dessen Potentialzustände (V+, V-) sich von den Potentialen (Vcc, Vss), die an den Versorgungsanschlüssen (A, B) der Vorspannungsquelle (1) anliegen, unterscheiden, wobei jeder Zustand des Steuersignals für den Bereitschaftszustand ("Stand-by") einem Zustand, aktiv oder inaktiv, der Vorspannungsquelle (1) entspricht.
7. Vorrichtung zum Einschalten eines Bereitschaftszustandes nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass sie ausserdem Mittel aufweist, um beim Übergang des Steuersignals für den Bereitschaftszustand ("Stand-by") in seinen Zustand, der dem aktiven Zustand der Vorspannungsquelle (1) entspricht, die Vorspannungsquelle (1) zu reaktivieren.
8. Vorrichtung zum Einschalten eines Bereitschaftszustandes nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Mittel zur Reaktivierung von einer äusseren Quelle gebildet werden, die ein Steuersignal ("Ext") für die aktive Last (3) abgibt, das von dem Steuersignal für den Bereitschaftszustand ("Standby") ausgelöst wird, wobei das Steuersignal ("Ext") für die aktive Last (3) aktiv ist, während das Steuersignal für den Bereitschaftszustand ("Stand-by") von dem Zustand (V-), der dem inaktiven Zustand der Vorspannungsquelle (1) entspricht, auf den Zustand (V+), der dem aktiven Zustand der Vorspannungsquelle (1) entspricht, umschaltet.
9. Vorrichtung zum Einschalten eines Bereitschaftszustandes nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass sie bei einer Vorspannungsquelle (1) mit ΔVbe/R eingesetzt wird.
DE69516047T 1994-06-27 1995-06-21 Vorrichtung zur Aktivierung einer Vorspannungsquelle Expired - Fee Related DE69516047T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9408118A FR2721771B1 (fr) 1994-06-27 1994-06-27 Dispositif de mise en veille d'une source de polarisation.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69516047D1 DE69516047D1 (de) 2000-05-11
DE69516047T2 true DE69516047T2 (de) 2000-10-12

Family

ID=9464878

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69516047T Expired - Fee Related DE69516047T2 (de) 1994-06-27 1995-06-21 Vorrichtung zur Aktivierung einer Vorspannungsquelle

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5892392A (de)
EP (1) EP0690575B1 (de)
JP (1) JP2779485B2 (de)
DE (1) DE69516047T2 (de)
FR (1) FR2721771B1 (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3147079B2 (ja) * 1998-04-14 2001-03-19 日本電気株式会社 半導体回路
TWI420496B (zh) * 2010-02-12 2013-12-21 Raydium Semiconductor Corp 電壓比較器、包含該電壓比較器之液晶顯示裝置驅動電路及轉態加速方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4450367A (en) * 1981-12-14 1984-05-22 Motorola, Inc. Delta VBE bias current reference circuit
US4713560A (en) * 1986-06-05 1987-12-15 Fairchild Semiconductor Corporation Switched impedance emitter coupled logic gate
JP2724872B2 (ja) * 1989-04-12 1998-03-09 三菱電機株式会社 半導体集積回路用入力回路
US5038053A (en) * 1990-03-23 1991-08-06 Power Integrations, Inc. Temperature-compensated integrated circuit for uniform current generation
DE4034371C1 (de) * 1990-10-29 1991-10-31 Eurosil Electronic Gmbh, 8057 Eching, De
JP3001014B2 (ja) * 1991-03-13 2000-01-17 富士通株式会社 バイアス電圧発生回路
US5155384A (en) * 1991-05-10 1992-10-13 Samsung Semiconductor, Inc. Bias start-up circuit
JP3318365B2 (ja) * 1992-10-20 2002-08-26 富士通株式会社 定電圧回路
KR940017214A (ko) * 1992-12-24 1994-07-26 가나이 쓰토무 기준전압 발생회로
US5404096A (en) * 1993-06-17 1995-04-04 Texas Instruments Incorporated Switchable, uninterruptible reference generator with low bias current

Also Published As

Publication number Publication date
EP0690575A1 (de) 1996-01-03
JP2779485B2 (ja) 1998-07-23
EP0690575B1 (de) 2000-04-05
US5892392A (en) 1999-04-06
JPH0895653A (ja) 1996-04-12
FR2721771A1 (fr) 1995-12-29
DE69516047D1 (de) 2000-05-11
FR2721771B1 (fr) 1996-09-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69524265T2 (de) Spannungspegelverschieber
DE69927663T2 (de) Über- oder unterspannungstolerantes Transfergatter
DE102014119479B4 (de) Ein Push-Pull-Treiber, ein Sender, ein Empfänger, ein Sendeempfänger, eine integrierte Schaltung, ein Verfahren zum Erzeugen eines Signals an einem Ausgang
DE69520848T2 (de) Ausgangsschaltung zur Verwendung in einer integrierten Halbleiterschaltung
DE69428782T2 (de) Anstiegszeitsteuerung und Optimierung des Leistungsverbrauchs in einer Leistungsstufe
DE69429671T2 (de) Schaltnetzteil mit überstromschutzmitteln
DE69412891T2 (de) Überspannungsschutzschaltung
DE69329791T2 (de) Schaltkreis zur abschaltung einer induktiven last
DE19525237A1 (de) Pegelschieberschaltung
DE2102829A1 (de) Treiberschaltung mit Rückkoppelsteuerkreis
DE69005460T2 (de) Stabiler Referenzspannungsgenerator.
DE69216663T2 (de) Schaltkreis
DE4135528A1 (de) Tristate-treiberschaltung
DE60110363T2 (de) Referenzspannungserzeugungsschaltung
DE68922240T2 (de) Komplementärausgangsschaltung für eine logische Schaltung.
DE69025875T2 (de) Leseverstärker
DE69517287T2 (de) Pegelumsetzer
DE10339215A1 (de) Zerhacker-Vergleicher
DE69738366T2 (de) Pull-Up-Schaltung und damit ausgerüstete Halbleitervorrichtung
DE3630679A1 (de) Stromversorgungsschalter-schaltkreis fuer groesstintegration auf einem wafer
DE2036619A1 (de) Transistorisierter Schaltkreis
DE69516047T2 (de) Vorrichtung zur Aktivierung einer Vorspannungsquelle
EP0640259B1 (de) Schmitt-trigger
DE3443788C2 (de) Taktgesteuerte Master-Slave-Kippschaltung
DE69129411T2 (de) Nicht-invertierende Transistorschalter mit drei Anschlüssen

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee