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Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung, die eine
Überstromschutzschaltung einer Halbleiteranordnung für einen Wechselrichter umfaßt,
und im besonderen eine Schutzschaltung, die in ihrem Aufbau vereinfacht und mit
weniger Bauelementen hergestellt werden kann.
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EP-A-O 352 987 offenbart eine Anordnung, bei der der Strom von Leistungsschaltem
dadurch übenwacht wird, daß die Temperatur eines den Strom überwachenden
Temperaturfühlers mit dem Signal eines Umgebungstemperaturfühlers (Signal TIME-
CURRENT in Fig. 7) verglichen wird. Ein zusätzlicher Temperaturschutz ist (zur
Feststellung einer Überhitzung des Chips) vorgesehen und wird mit dem Überstromsignal
in einer OR-Schaltung (OVER-TEMP in Fig. 7) logisch kombiniert.
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Im folgenden werden gleiche Bezugszahlen und -zeichen zur Bezeichnung
entsprechender Teile in den beigefügten Zeichnungen verwendet.
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In den Zeichnungen zeigen:
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Fig. 1 ein Schaltbild einer Anwendungsform der vorliegenden Erfindung;
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Fig. 2 eine Wellenform zur Erläuterung der Funktionsweise der Schaltung in Fig. 1;
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Fig. 3 ein detailliertes Schaltbild einer Basistreiberschaltung mit Überstromschutzfunktion;
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Fig. 4 ein detailliertes Schaltbild einer Schaltung, bei der die Schaltung in Fig. 3 mit einem
Alarmschaltkreis versehen ist;
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Fig. 5 ein Schaltbild einer Basistreiberschaltung mit Überstromschutzfunktion;
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Fig. 6 eine Darstellung, die ein Beispiel für den sicheren Betriebsbereich bei Überlastung
(OLSOA - Abk. für "Over Load Safe Operation Area") eines Leistungstransistors zeigt.
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Fig. 7 eine Darstellung verschiedener Arten von Kurzschlußfehlern eines Wechseirichters,
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Fig. 8 eine Darstellung, die ein Beispiel für den Aufbau einer Dreiphasen-
Wechselnchterbrückenschaltung zeigt; und
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Fig. 9 eine Darstellung, die ein Beispiel für den Aufbau einer herkömmlichen
Basistreiberschaltung für einen Leistungstransistor zeigt.
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Wenn nun zuerst auf Fig. 9 Bezug genommen wird, dann wird dort ausführlich die
Basistreiberschaltung für einen als Leistungsschalter eingesetzten Leistungstransistor
ähnlich dem gezeigt, wie er im US-Patent US-A-4 949 213 des Anmelders der
vorliegenden Erfindung beschrieben wird.
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US-A-4 949 213 beschreibt eine allgemeine Treiberausgangsschaltung zur Steuerung
ungleicher Halbleiterschalter mit unterschiedlichen Treibereingangskennlinien durch
Einund Ausschalten der Gleichstromquellen zur Lieferung einer Spannung zwischen den
Treibereingangsanschlüssen jedes Halbleiterschalters über zwei Transistoren in
Darlington-Schaltung, wobei der Kollektorkreis eines der beiden Transistoren, der sich
nicht in der Ausgangsstufe befindet, eine in Reihe geschaltete Diode besitzt, deren
Polarität so gewählt ist, daß sie den Kollektorstrom durchläßt.
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In Fig. 9 bezeichnet TR ein Leistungstransistorpaar mit npn-Übergang in Darlington-
Schaltung, DR eine Basistreiberschaltung und die Zahl 3 eine Stromversorgung dieser
Basistreiberschaltung (eine Treiberstromversorgung). Die Bezugszeichen Si1 und Si2
beziehen sich auf die Eingangsanschlüsse eines Treibersignals S, das wiederum den
Leistungstransistor TR in den Durchlaß- bzw. Sperrzustand versetzt. In dieser Schaltung
wird der Leistungstransistor TR in den Durchlaß- und Sperrzustand gebracht, wenn der
Photokoppler PC1 ein- bzw. ausgeschaltet wird.
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Fig. 8 zeigt ein Beispiel für eine Wechselrichterschaltung, die die in Fig. 9 dargestellten
Basistreiberschaltungen und die Leistungstransistoren umfaßt.
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In Fig.8 sind TR1 bis TR6 Leistungstransistoren mit npn-Übergang, die als
Bruckenschaltung zur Bildung eines Dreiphasen-Wechselrichters ausgeführt sind, und
bezeichnet IM einen Induktionsmotor. In dieser Schaltung wird der elektrische
Gleichstrom, der zwischen einer Plus-Leitung (+) LP und einer Minus-Leitung (-) LN der
Hauptgleichstromelektrodenversorgung anliegt, in einen Dreiphasenwechselstrom
umgewandelt. Die drei Phasen U, V und W werden von jeder Verbindungsstelle (einem
Mittelpunkt) zwischen den oberen und unteren Zweigen der Brücke dem Induktionsmotor
IM zugeführt.
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Wenn die Basistreiberschaltung DR, wie sie in Fig.9 dargestellt ist, im Wechselrichter, wie
er in Fig. 8 dargestellt ist, verwendet wird, dann sind drei isolierte Treiberstromquellen 3
erforderlich die jeweils einem der Transistoren TR1, TR3 und TR5 entsprechen, weil
diese sich in den oberen Zweigen befinden und die Minus-Elektroden dieser
Treiberstromquellen 3 jeweils mit verschiedenen Ausgangsleitungen der drei Phasen
verbunden sind, die sich in ihrem Spannungspotential voneinander unterscheiden.
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Im Vergleich dazu kann nur eine Treiberstromquelle 3 für die Transistoren TR2, TR4 und
TR6 in den unteren Zweigen erforderlich sein, weil die Minus-Elektroden dieser
Treiberstromquellen 3 alle mit der Minus-Leitung (-) LN der Hauptgleichstromversorgung
verbunden sind und damit das gleiche Spannungspotential aufweisen. Das bedeutet daß
die Treiberstromquellen 3 bei einem Wechselrichter in Dreiphasen-Brückenschaltung aus
wenigstens vier Stromversorgungen bestehen können, d.h. drei für die oberen Zweige und
eine für die unteren Zweige.
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In der in Fig. 8 dargestellten Wechselrichterschaltung können Kurzschlußfehler auftreten,
wie beispielsweise ein Zweigkurzschluß, ein Reihenzweigkurzschluß, ein
Ausgangskurzschluß oder ein Erdschluß. Diese sind schematisch in Fig. 7 dargestellt.
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Wenn diese Fehler auftreten, dann fließt ein Überstrom durch den Leistungstransistor TR.
Der Leistungstransistor besitzt jedoch einen sicheren Betriebsbereich bei Überlastung
(OLSOA - Abk. "Over Load Safe Operation Area") in seiner Kollektorstrom/Kollektor-
Emitter-Spannungs-Kennlinie (ICP/VCE), wie sie in Fig. 6 dargestellt ist, und wird erst dann
ausfallen, wenn ICP außerhalb des OLSOA liegt. Bei einem Kurzschlußfehler müssen die
Leistungstransistoren dann sofort in den Sperrzustand gebracht werden, wenn ein
Überstrom mittels der in Fig. 5 dargestellten Schaltung festgestellt wird.
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Fig. 5 zeigt ein Schaltbild der Basistreiberschaltung mit Überstromschutzfunktion. In
diesem Schaltbild ist der von einer gestrichelten Linie eingeschlossene Teil eine
Überstromschutzschaltung OC.
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Der Leistungstransistorschutz in Fig. 5 hat folgende Funktion:
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1. Ein Treibersignal 5, das den Anschlüssen Si zugeführt wird, um den
Leistungstransistor in den Durchlaßzustand zu bringen, lädt einen Kondensator C1 über
einen Widerstand R1 auf und bringt gleichzeitig den Leistungstransistor TR über den
Widerstand R2 in den Durchlaßzustand.
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2. Der normal betriebene Leistungstransistor TR besitzt eine gesättigte Kollektor-
Emitter-Spannung VCE(sat), die weit unter der Lawinendurchbruchspannung einer Zener-
Diode ZD liegt. Der Kondensator C1 gibt dann seine Ladung über eine Diode D2 an den
Kollektor C des Leistungstransistors TR ab.
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3. Bei einem Kurzschlußfehler wird die gesättigte Kollektor-Emitter-Spannung VCE(sat)
des Leistungstransistors TR durch einen zu starken Strom, der im Leistungstransistor TR
zu fließen beginnt, über die Lawinendurchbruchspannung der Zener-Diode ZD hinaus
erhöht. Dadurch wird verhindert, daß der Kondensator C1 seine Ladung an den
Leistungstransistor TR abgibt.
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4. Die Anschlußklemmenspannung des Kondensators C1 wird infolgedessen über die
Lawinendurchbruchspannung der Zener-Diode ZD hinaus erhöht. Dadurch wird ein
Zusatztransistor Q2 in den Durchlaßzustand gebracht und die Basis-Emifler-Spannung
des Leistungstransistors TR auf die gesättigte Kollektor-Emitter-Spannung VCE(sat)
verringert, wodurch der Leistungstransistor TR in den Sperrzustand gebracht wird.
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Fig. 3 zeigt ein besonderes Beispiel für einen Schaltungsaufbau einer
Basistreiberschaltung (in diesem Fall einer Gate-Treiberschaltung) mit
Überstromschutzfunktion, bei der ein dem Leistungstransistor TR in Fig. 5 gleichwertiger
Transistor mit isolierter Gate- und Basiselektrode (IGBT) als Leistungsschalter verwendet
wird. In Fig.3 ist der von einer gestrichelten Linie eingeschlossene Teil ebenfalls eine
Überstromschutzschaltung OC und der andere Teil eine Basistreiberschaltung DR. Die
Grundfunktion der Schaltung in Fig. 3 ist die gleiche wie bei der Schaltung in Fig. 5,
wobei jedoch das Treibersignal S über einen Photokoppler PC1, wie es in Fig. 9 der Fall
ist, übermittelt wird und die Basistreiberschaltung DR kompuzierter ist.
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Der Schaltung, wie sie in Fig. 3 dargestellt ist, fehlt es jedoch an einer Möglichkeit zur
Übermittlung eines Ausgangssignals nach Auslösung der Überstromschutzschaltung OC
von der Schaltung nach außen. Die Schaltung ist deshalb gewöhnlich mit einem
Alarmschaltkreis ALMG versehen, der in Fig. 4 als von einer gestrichelten Linie
eingeschlossener Teil dargestellt ist. Die Überstromschutzschaltung in Fig. 4, die mit
einem Alarmschaltkreis versehen ist, wird der Einfachheit halber als
Überstromschutzschaltung mit Alarmschaltkreis OC1 bezeichnet.
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In einer gewöhnlichen Wechselrichterschaltung wird ein Alarmsignal ALM einer
Treibersignalerzeugungsschaltung zur Unterbrechung des Treibersignals S zugeführt,
wodurch des weiteren sechs Leistungsschalter in einer Dreiphasen-
Wechselrichterschaltung gleichzeitig in den Sperrzustand gebracht werden, um diese
Leistungsschalter auch dann zu schützen, wenn ein Überstrom nur durch einen der Chips
dieser Leistungstransistoren fließt.
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Die im vorhergehenden beschriebene Überstromschutzschaltung weist die im folgenden
beschriebenen Probleme auf. Wenn die Treiberschaltung mit Alarmschaltkreis in Fig 4 in
einer Dreiphasen-Wechselnchterschaltung, wie sie beispielsweise in Fig. 8 zu sehen ist,
verwendet wird, dann müssen die Leitungen für die Alarmsignale ALM für jeden
Leistungstransistor gegeneinander isoliert sein, um zusammengenommen die Signale
einem Gerät (beispielsweise einem Mikrocomputer) zuzuführen, das die Treibersignale für
die sechs Transistoren steuert, da sich die Spannungspotentiale der Treiberstromquellen
3 für jeden der Transistoren TR1 TR3 und TR5 in den oberen drei Zweigen und für alle
Transistoren TR2, TR4 und TR6 in den unteren drei Zweigen voneinander unterscheiden.
Infolgedessen sind insgesamt wenigstens vier Photokoppler, die als PC2 in Fig. 4
bezeichnet sind, zur Schaffung einer Alarmfunktion in der Wechselrichterschaltung
notwendig. Dadurch wird die Schaltung komplizierter und eine größere Anzahl
Bauelemente erforderlich.
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Die vorliegende Erfindung soll die oben beschriebenen Probleme lösen und eine
vereinfachte Schutzschaltung für eine Halbleiteranordnung liefern, die den Einsatz
elektronischer Bauelemente ermöglicht, die nur niedrigen Spannungen standhalten
können wodurch Kosten gesenkt werden.
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Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine Halbleiteranordnung mit Schutzschaltung zur
Verfügung gestellt, die dadurch gekennzeichnet ist, daß diese Halbleiteranordnung
Leistungsschalterelementechips umfaßt, die jeweils eine erste und eine zweite
Hauptelektrode und eine Steuerelektrode zum Ein- und Ausschalten einer Schaltung, die
im folgenden als Hauptschaltung bezeichnet wird, zwischen der ersten und der zweiten
Hauptelektrode entsprechend einem zwischen der zweiten Hauptelektrode und der
Steuerelektrode zugeführten Steuersignal besitzen, wobei die erste Hauptelektrode des
einen bzw. die zweite Hauptelektrode des anderen Paares der
Leistungsschalterelementechips an den Mittelpunkten miteinander verbunden sind, so daß
Reihenschaltungen entstehen, bei denen die Hauptschaltungen zweier Chips mit
derselben Polarität in Reihe geschaltet, mehrere dieser Reihenschaltungen in einem
Gehäuse untergebracht und mit derselben Polarität parallelgeschaltet sind, und
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eine Wechselspannung von diesen Mittelpunkten zwischen den entsprechenden Paaren
der in Reihe geschalteten Leistungsschalterelementechips durch Anlegen einer
Gleichspannung zwischen den Hauptanschlüssen der Schalterelementechips jedes in
Reihe geschalteten Paares, die nicht mit diesen Mittelpunkten verbunden sind,
ausgegeben wird und die Leistungsschalterelementechips durch Zuführung von
Treibersignalimpulsen an ihren Steuerelektroden in den Durchlaß- bzw. Sperrzustand
gebracht werden,
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die Schutzschaltung des weiteren umfaßt:
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eine Schaltung, die zu jedem der Leistungsschalterelementechips gehört, deren zweite
Hauptelektroden mit den Mittelpunkten verbunden sind, um die in den dazugehöriger
Leistungsschalterelementechips fließenden Überströme festzustellen und funktionell die
entsprechenden Leistungsschalterelementechips in einen nichtleitenden Zustand bis zum
Beginn des nächsten, ihren entsprechenden Steuerelektroden zugeführten
Treibersignalimpulses zu bringen, wobei die Anordnung so gewählt ist, daß
aufeinanderfolgende Perioden des Überstromflusses die Leistungsschalterelementechips
erhitzen läßt, Temperaturfühler zum Feststellen der Temperatur jedes der oder mehrerer
Leistungsschalterelementechips vorgesehen sind, deren zweite Hauptelektroden mit den
Mittelpunkten verbunden sind, die Zahl der Temperaturfühler gleich oder kleiner als die
Gesamtzahl dieser Leistungsschalterelementechips ist,
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eine Schaltung zur Erzeugung eines ersten Alarmsignals, wenn die von einem der
Temperaturfühler festgestellte Temperatur einen vorher festgelegten Wert überschreitet,
wobei die Schaltung mit einer Anschlußstelle, die im folgenden als Stelle mit
Bezugspotential bezeichnet wird, für die zweiten Hauptelektroden der
Leistungsschalterelementechips in jeder Reihenschaltung verbunden ist, und die
Schutzschaltung
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eine Schaltung zur Schaffung eines zweiten Alarmsignals umfaßt, durch die festgestellt
wird, wann der Strom einer der Hauptschaltungen in den Leistungsschalterelementechips,
deren zweite Elektroden mit der Stelle mit Bezugspotential verbunden sind, oder ein
addierter Strom mehrerer Hauptschaltungen in diesen Leistungsschalterelementechips
einen vorher festgelegten Wert überschreitet, und
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eine Schaltung, die das erste und zweite Alarmsignal empfängt und ein drittes
Alarmsignal abgibt, wenn eines oder mehr als eines der ersten und zweiten Alarmsignale
festgestellt wird.
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Eine auf einen Überstromzustand zurückzuführende Überhitzung wird bei
Leistungsschalterelementen, die sich wenigstens in den oberen Zweigen einer
Wechselrichterbrückenschaltung in Fig. 8 befindet, mit in der Nähe dieser Elemente
angebrachten Temperaturfühlern, wie beispielsweise Thermistoren, über elektrisch von
diesen Elementen isolierten Übertragungsleitungen festgestellt.
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Die bevorzugte Anwendungsform der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf
Fig. 1 bis 4 erläutert. Fig. 1 zeigt ein Schaltbild als Beispiel für Anwendungsformen der
vorliegenden Erfindung. Fig. 2 zeigt die entsprechenden Wellenformen eines Basisstroms
IB, eines Kollektorstroms IC und einer Kollektor-Emitter-Spannung VCE des
Leistungstransistors während des Überstromschutzes durch die Schaltungen in Fig. 3 bis
5.
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In Fig. 1 sind die entsprechenden Leistungstransistoren TR1 bis TR6, die einen
Wechselrichter in Dreiphasen-Brückenschaltung bilden, in diesem Fall
Leistungstransistorchips. Diese sechs Chips sind in einem Gehäuse untergebracht. Die
Überstromschutzschaltungen OC für die Leistungstransistoren TR1, TR3 und TR5 in den
oberen Zweigen der Brücke und eine Basistreiberschaltung DR sind die gleichen, wie sie
in Fig. 3 dargestellt sind, die keine Alarmsignale abgeben. Andererseits sind die
Überstromschutzschaltungen für die Leistungstransistoren TR2, TR4 und TR6 in den
unteren Zweigen der Brücke die Überstromschutzschaltungen, die Alarmsignale ALM1
abgeben so daß die Überstromschutzschaltung mit Alarmschaltkreis OC1, wie sie in
Fig. 4 zu sehen ist, dafür ohne jede Modifizierung verwendet werden kann. Dieses
Alarmsignal ALM1 kann jedoch direkt vom Alarmschaltkreis entnommen werden, ohne
über einen Photokoppler PC2, beispielsweise vom Kollektor eines Transistors Q3 in der
vorhergehenden Stufe, übertragen zu werden, da jeder Emitter dieser drei
Leistungstransistoren TR2, TR4 und TR6 zusammen mit der Minus-Leitung (-) LN einer
Hauptgleichstromquelle verbunden ist, die sich an einer Stelle mit Bezugspotential
befindet. In der vorliegenden Erfindung kann damit der Photokoppler PC2 aus der
Überstromschutzschaltung mit Alarmschaltkreis OC1 in Fig. 4 weggelassen werden. Diese
drei Alarmsignale ALM1 werden der OR-Schaltung G1 zugeführt. In den unteren Zweigen
sind die Basistreiberschaltungen DR für die Leistungstransistoren TR2, TR4 und TR6 die
gleichen, wie sie in Fig. 3 oder Fig. 4 dargestellt sind.
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In der Nähe der Chips oder Bauelemente der Leistungstransistoren TR1, TR3 und TR5
sind Temperaturfühler H, wie beispielsweise Thermistoren, angebracht. Jeder
Temperaturfühler H ist mit der OR-Schaltung G1 über eine entsprechende
Überhitzungsschutzschaltung OH verbunden, deren Minus-Leitung mit der Minus-Leitung
(-) der Hauptgleichstromquelle an der Stelle mit Bezugspotential verbunden ist.
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Wenn ein Überstrom durch einen der Leistungstransistoren TR1, TR3 und TR5 in den
oberen Zweigen fließt, dann ändern sich dessen Kollektorstrom IC und Kollektor-Emitter-
Spannung VCE so, wie es in Fig. 2 gezeigt wird, wodurch es zu einer Überhitzung des
Transistors kommt. Zur gleichen Zeit führt die entsprechende Überstromschutzschaltung
OC dazu, daß das dem Transistor direkt zugeführte Treibersignal ausgeschaltet wird
Dieser Zustand wird als OFF-Modus gehalten, da der Zusatztransistor Q2 in der OC
durch ständiges Entladen des Kondensators C1 im Durchlaßzustand bleibt. Das Halten
der Überstromschutzschaltung OC wird dann aufgehoben, wenn das Treiberimpulssignal
S, das der Basistreiberschaltung DR des Transistors als Eingangssignal zugeführt wird, in
den OFF-Modus gebracht wird, da der Kondensator C1 nicht über den Widerstand R1
aufgeladen wird, sondern seine Ladung über Q2 abgibt, wodurch die
Anschlußklemmenspannung unter die Lawinendurchbruchspannung der Zener-Diode ZD
gesenkt und dadurch Q2 in den Sperrzustand gebracht wird.
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Wenn das Treibersignal S wieder in den ON-Modus gebracht wird, so daß der Überstrom
fließen kann, dann besitzen infolgedessen IC und VCE des Leistungstransistors die
gleichen Wellenformen wie in Fig. 2, wodurch der Leistungstransistor wieder erhitzt wird.
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Durch Wiederholen dieser ON- und OFF-Modi werden die Leistungstransistoren TR1, TR3
und TR5, durch die der Überstrom fließt, überhitzt, und wenn die Temperatur eines
überhitzten Leistungstransistors einen vorher festgelegten Wert überschreitet, dann wird
die Überhitzungsschutzschaltung OH ausgelöst und dabei ein Alarmsignal ALM2 der OR
Schaltung G1 zugeführt. Die Alarmsignale, die auf einen Überstrom in einem der sechs
Leistungstransistoren TR1 bis TR6 zurückzuführen sind, werden so der OR-Schaltung G1
zugeführt. Das Ausgangssignal dieser OR-Schaltung G1, ein Alarmsignal ALMO wird
anschließend an einen Mikrocomputer (nicht dargestellt) weitergeleitet. Der
Mikrocomputer übermittelt den Überstromschutzschaltungen die Treibersignale S im OFF-
Modus, die dann über Signalübertragungsleitungen, die von den Hauptschaltungen isoliert
sind, an die sechs Transistoren über Photokoppler übertragen werden. Die sechs
Transistoren TR1 bis TR6 werden anschließend gleichzeitig in den Sperrzustand gebracht
und dadurch geschützt.
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In der Anwendungsform von Fig. 1 werden Leistungstransistoren als Schalterelemente
verwendet, wobei jedoch die Schalterelemente nicht nur auf Leistungstransistoren
begrenzt sind sondern alle Leistungsschalterelemente, die sich selbständig ausschalten,
bei der vorliegenden Erfindung Verwendung finden können.
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Die Anzahl der Temperaturfühler H kann des weiteren kleiner als die Anzahl der
Leistungstransistoren sein. Es können wenigstens zwei Fühler H vorgesehen sein, die ihre
Überstromschutzaufgabe erfüllen, wenn sich die Leistungstransistoren TR1, TR3 und TR5
in dichter Nähe befinden, so daß die Temperaturfühler so zwischen ihnen angeordnet
werden können, daß eine Überhitzung jedes der Leistungstransistoren TR1, TR3 oder
TR5 durch den Fühler festgestellt wird.
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Darüber hinaus sind in Fig. 1 die Überstromschutzschaltungen OC1 für die
Leistungstransistoren TR2, TR4 und TR6 in den unteren Zweigen der Brücke für jeden
Leistungstransistor vorgesehen, wobei jedoch der Zweck der vorliegenden Erfindung auch
beispielsweise dadurch erreicht werden kann, daß die Emitter der drei
Leistungstransistoren TR2, TR4 und TR6 zusammen mit einem Anschluß verbunden
werden, ein Parallelwiderstand zwischen diesem Anschluß und der Minus-Leitung (-) LN
der Hauptgleichstromquelle eingefügt wird, die Zunahme des Potentialunterschieds
zwischen beiden Seiten dieses Parallelwiderstands festgestellt und diese Zunahme nur
einer Überstromschutzschaltung übermittelt wird, die gleichzeitig die drei
Leistungstransistoren in den unteren Zweigen der Brücke in den Sperrzustand bringt,
wodurch der Überstromschutz erreicht wird.
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Eine weitere Anwendungsform, die auch nach der vorliegenden Erfindung angewendet
werden kann, ist die Anwendungsform, bei der das Überschreiten eines Normalwertes von
einer der gesättigten Kollektor-Emitter-Spannungen VCE(sat) der Leistungstransistoren
TR2, TR4 und TR6 durch eine Überstromschutzschaltung festgestellt wird, bei der drei
Dioden D2 mit den Kollektoren dieser drei Leistungstransistoren parallelgeschaltet sind
und ein Überstromschutz dadurch erfolgt, daß sie gleichzeitig in den Sperrzustand
gebracht werden.
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Darüber hinaus können zwei verschiedene OR-Schaltungen verwendet werden, ohne
dabei vom Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Dabei empfängt eine
der OR-Schaltungen die Alarmsignale ALM1 von den Überstromschutzschaltungen OC für
die Leistungstransistoren in den unteren drei Zweigen und die andere OR-Schaltung das
Alarmsignal ALM2 von der Überhitzungsschutzschaltung OH.
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Die Temperaturfühler H sind nicht immer notwendigerweise in demselben Gehäuse
zusammen mit TR1, TR3 und TR5 untergebracht, sondern können sich auch außerhalb
des Gehäuses befinden, wenn diese Fühler an Stellen angebracht sind, wo sie in
wirksamer Weise eine Überhitzung von TR1, TR3 und TR5 feststellen können.
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Durch Anwenden der Lehren aus der vorliegenden Erfindung sind keine Photokoppler zur
Ausgabe von Alarmsignalen für die Überstromschutzschaltung der Leistungstransistoren
in den oberen Zweigen notwendig, so daß Bauelemente, die nur schwachen Spannungen
standhalten, verwendet werden können