DE69117166T2 - Verfahren zur Herstellung eines faserverstärkten keramischen Verbundwerkstoffs - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines faserverstärkten keramischen VerbundwerkstoffsInfo
- Publication number
- DE69117166T2 DE69117166T2 DE69117166T DE69117166T DE69117166T2 DE 69117166 T2 DE69117166 T2 DE 69117166T2 DE 69117166 T DE69117166 T DE 69117166T DE 69117166 T DE69117166 T DE 69117166T DE 69117166 T2 DE69117166 T2 DE 69117166T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- preform
- temperature
- torr
- chamber
- pascal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000011226 reinforced ceramic Substances 0.000 title claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 31
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 20
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 claims description 5
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 3
- 238000001171 gas-phase infiltration Methods 0.000 claims description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 3
- -1 silicon halides Chemical class 0.000 claims description 3
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 claims description 2
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical class N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical class [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 6
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011153 ceramic matrix composite Substances 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 229910007264 Si2H6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005096 Si3H8 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004014 SiF4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010066 TiC14 Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N chloro(methyl)silane Chemical compound C[SiH2]Cl YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/584—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/71—Ceramic products containing macroscopic reinforcing agents
- C04B35/78—Ceramic products containing macroscopic reinforcing agents containing non-metallic materials
- C04B35/80—Fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/045—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung faserverstärkter keramischer Verbundwerkstoffe mittels CVI (Gasphaseninfutration nach chemischem Verfahren) und insbesondere faserverstärkte keramische Verbundmaterialien mit Siliziumnitrid-Matrix.
- Beschreibung des Hintergrunds der Erfindung: Keramische Faser-Keramik-Matrixverbundwerkstoffe sind dafür bekannt, daß sie eine höher Festigkeit und höheren Widerstand aufweisen als konventionelle Keramiken, wobei die Eigenschaften von Keramiken, wie Feuerbeständigkeit und hoher Widerstand gegen Abnutzung und Korrosion, erhalten bleiben.
- Es wurden bereits verschiedene Verfahren basierend auf Gasphaseninfiltration nach chemischem Verfahren seit den frühen 70er Jahren getestet, um die Matrix faserverstärkter keramischer Verbundwerkstoffe zu bilden.
- Die Matrizen sowie die Verbundwerkstoffe zeigen gute mechanische Eigenschaften, jedoch beträgt die Herstellungszeit mehrere Wochen, was in einem industriellen Verfahren nicht akzeptabel ist. Drei verschiedene Arten von CVI-Verfahren wurden bei der Herstellung dieser Verbundwerkstoffe verwendet: ein isothermes Verfahren, bei dem CVD-Gase in einen Vorformling diffundieren, ein Verfahren mit thermischem Gradienten, in welchem CVD-Gase mittels eines Druckgradient in einen Vorformling gedrückt werden.
- Kürzlich wurde von D. STINTON et al in einem Artikel mit dem Titel "Synthesis offiber-reinforced SiC composites by Chemical Vapor Infiltrationlt, veröffentlicht im Ceramic Bulletin, Band 65, Nr.2 - 1986 - eine Gasphaseninfiltration nach chemischem Verfahren vorgeschlagen, das einen thermischen Gradienten und einen Druckgradienten vorsieht und in Figur 1 dargestellt ist. Bei diesem Verfahren wird ein Faservorformling 2 in einem wassergekühlten Graphithalter 4 gehaltert, der den Boden 7 und Seitenflächen des Vorformlings kühlt.
- Die Oberfläche 8 des Vorformlings 2 wird der heißen Zone ausgesetzt, die durch Heizelemente 6 der CVD-Kammer mit einem steilen Temperaturgradienten entlang des gekühlten Teils des Vorformlings und weiter entlang des heißen Teils erzeugt wird, wo sich Methylchlorsilan und Siliziumkarbid SiC auf den und um die Fasern des Vorformlings abscheiden um die Matrix zu bilden. Mit fortschreitender Abscheidung von Matrixmaterial in der heißen Zone und zunehmender Dichte und thermischer Leitfähigkeit, bewegt sich die heiße Zone abwärts.
- Die Oberfläche wird gasundurchlässig, wobei die Gase radial durch den Vorformling zu einer ringförmigen Ausnehmung um den Vorformling strömen und durch Entlüftungsmittel 11 austreten. In Abhängigkeit von dem als Vorformling verwendeten Material (unidirektionale, gewebte oder zerhackte Fasern) werden SiC-Fasern/SiC-Matrix-Verbundwerkstoffe in etwa 18 bis 31 Stunden hergestellt. Obwohl die Matrix von der Oberseite zur Unterseite des Vorformlings diffundiert, ist die so erzielte Dichte des Verbundwerkstoffes jedoch höchstens 90% und variiert von etwa 50% bis etwa 90%; das bedeutet, daß zwischen 10 bis 50 % geschlossene Poren im Verbundmaterial verbleiben.
- Aus dem Artikel mit dem Titel "Pulse CVI of porous carbon" K. SUGIYAMA et al, veröffentlicht im Journal von Material Science Letters (6) - 1987 - Seiten 331 - 333, ist es ebenfalls bekannt, druckgepulstes CVD in einem CVI-Verfahren zu verwenden, um die Effektivität der Infiltration des Matrixmaterials in einem Faservorformling zu erhöhen.
- Ein poröser Kohlenstoffvorformling wurde auf diese Weise mit Titancarbid TiC bei konstanter Temperatur (zwischen 850ºC und 1050ºC) mit einem Druckpuls von 1 bis 5 Torr während 7 Sek. und 600 Torr während 3 Sek. infiltriert. Die verwendete Gasmischung umfaßt H2, N2 und TiC14. Die Tiefe der Matrix ist jedoch nicht mehr als etwa 100 µm, was für viele industrielle Anwendungen zu wenig ist.
- Es ist eine Aufgabe der Erfindung, die Dicke der infiltrierten Schicht des Matrixmaterials in einem Vorformling oder ähnlichem zu verbessern. Dicken von mehr als 50 mm sind machbar.
- Es ist eine andere Aufgabe der Erfindung, eine Matrix mit verbesserter Dichte zur Verfügung zu stellen.
- Es ist eine weitere Aufgabe der Erfindung, eine Matrix mit einer Dichte von wenigstens 95% mit nur wenigen verbleibenden geschlossenen Poren herzustellen.
- Es ist eine weitere Aufgabe der Erfindung, eine Matrix mit einer Dicke der infiltrierten Schicht von wenigstens 50 mm herzustellen.
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von faserverstärkten keramischen Verbundmaterialien mit CVI bei gleichzeitiger Verwendung eines Temperaturgradienten im Vorformling und kombiniertem gepulstem Druck-Temperatur- CVD-Verf ahren, während ein Gemisch von Stickstoffhydrid und einem Gas, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die Siliziumhydrid oder Siliziumhalogenid oder eine Mischung davon umfaßt, eingeleitet wird.
- Die Verwendung einer Kammer mit kalten Wänden und asymme trischer Heizung des Werkstückes in der Kammer erzeugt einen großen Temperaturgradienten durch das Werkstück.
- Fig.1 ist eine CVI-Vorrichtung gemäß einem Verfahren nach dem Stand der Technik.
- Fig.2 ist eine Vorrichtung gemäß der Erfindung, mit der das Verfahren gemäß der Erfindung durchgeführt werden kann.
- Fig.3 zeigt schematisch Temperatur- und Druckänderungen im Verfahren gemäß der Erfindung.
- Der bevorzugt verwendete Vorformling zur Durchführung der Erfindung ist üblicherweise aus porösem Material gefertigt, mit Porendurchmessern, die bevorzugt zwischen etwa 0,1 µm bis etwa 100 µm liegen. Die zur Herstellung des Vorformlings verwendeten Fasern sind kontinuierliche, zerhackte oder Whisker-Fasern mit einem Durchmesser zwischen etwa 1 µm bis 100µm. Sie können aus einer großen Zahl von Werkstoffen bestehen, die SiC, Si&sub2;N&sub4;, C, Al&sub2;O&sub3;, ZrO&sub2;, B, BN, W, Mo, etc. oder ein Gemisch davon umfassen.
- Das Verfahren gemäß der Erfindung kann unabhängig von der Form des Vorformlings angewendet werden.
- Als Ausgangsgas für die Abscheidung der Siliziumnitridmatrix gemäß der Erfindung, können verschieden Gase verwendet werden, wie Siliciumhydride SinH2n+2 (vorzugsweise SiH&sub4;, Si&sub2;H&sub6;, Si&sub3;H&sub8;, ...), Siliziumhalogenide (vorzugsweise SiCl&sub4;, SiF&sub4;, etc. ...) und Stickstoffhydride (vorzugsweise NH&sub3;, N&sub2;H&sub4;&sub1; etc. ...) oder eine Mischung davon, wobei zu beachten ist, daß wenigstens zwei Gase in der CVD-Kammer notwendig sind, wobei wenigstens eines Silizium und wenigstens eines Stickstoff enthält. Siliziumhydride werden zur Vermeidung der Entstehung von korrodierendem Gas am Ausgang der Kammer bevorzugt.
- Um die Effektivität des Verfahrens gemäß der Erfindung zu verbessern, ist es unter bestimmten Umständen angebracht, Oberflächenoxid auf den verwendeten Fasern zu entfernen und/oder die Oberfläche der Fasern in einer Vorbehandlung in der CVD-Kammer oder einer anderen Kammer vor der Si&sub3;N&sub4; Abscheidung zu aktivieren. Diese Vorbehandlung wird beispielsweise unter einer reduzierenden Atmosphäre von H&sub2;, NH&sub3; oder jedem anderen geeigneten Gas oder einem Gemisch davon durchgeführt.
- Die Vorrichtung, die bevorzugt für die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens verwendet wird, ist in Figur 2 dargestellt.
- Sie umfaßt in erster Linie Infrarotheizmittel 20 wie FORCUS IR-Heizer, die in der Nähe aber außerhalb der LP-CVD-Kammer 31 angeordnet sind.
- Die CVD-Kammer 31 ist über dem IR-Heizer 20 angeordnet, der vor einem Wärme in die Kammer 31 übertragenden SiO&sub2;-Glasfenster der Kammer angeordnet ist.
- Die Kammer selbst umfaßt rostfreie Stahlwände 32 mit wenigstens einem Gaseinlaß 26 und wenigstens einem Gasauslaß 33, eine SiO&sub2;-Glasplatte 22 gegenüber dem SiO&sub2;-Glasfenster 21, die eine SiC- oder C-Platte 23 trägt, die wiederum den Faservorformling 24 mit Thermopaar-Mitteln 25, die mit der Ober- und Unterseite des Vorformlings 24 zur Messung des Temperaturgradienten zwischen der oberen und unteren Fläche des Vorformlings 24 verbunden sind, trägt. Um die obere Fläche des Vorformlings zu kühlen und den Temperaturgradienten darin aufrecht zu halten und zu regeln, ist eine Kühlung über eine thermisch leitende Kohlenstoffplatte 30 vorgesehen, die in Kontakt mit der wassergekühlten rostfreien Stahldeckplatte 28 steht. Die Thermopaar-Mittel sind mit (in Figur 2 nicht dargestellten) Temperaturregelmitteln verbunden, während der Gaseinlaß 26 mit Gaserzeugungsmitteln verbunden ist, die das geeignete Gasgemisch, wie oben dargelegt, erzeugen und der Gasauslaß 33 ist mit Gaspumpmitteln oder Gasrückgewinnungsmitteln (in Figur 2 nicht dargestellt) verbunden. Der Vorformling wird somit asymmetrischen Heizmitteln ausgesetzt, die im vorliegenden Fall unten Heizmittel und oben Kühlmittel sind.
- Das Verfahren wird nun unter Bezugnahme auf Figur 3 erklärt.
- Der Keramik- oder Metallvorformling wird in die Vakuumkammer eingebracht, die als erstes auf wenigstens 1,33 x 10&supmin;¹ Pa (10&supmin;³ Torr) (P1) evakuiert wird. Dann wird das geeignete Gasgemisch in die Kammer mit einem Druck P2 und einer Temperatur unter der Zerfallstemperatur (T1) des Gasgemischs eingeblasen. Die Gase diffundieren schnell in den Faservorformling. Dann wird der Faservorformling auf die Zerfallstemperatur (T2) geheizt, wodurch das Matrixmaterial sich aus der Gasphase auf den Fasern des Vorformlings abscheidet.
- Dann wird die Reaktionskammer weiter auf 1,33 10&supmin;¹ Pa (10&supmin;³ Torr) evakuiert und der Faservorformling auf eine Temperatur (T3), die höher als T&sub2; ist, aufgeheizt. In diesem letzten Schritt treten folgende Effekte auf:
- - Teilweise Kristallisation des abgeschiedenen Matrixmaterials,
- - Verbesserte Bindungsfestigkeit zwischen den abgeschiedenen Matrixschichten,
- - Öffnen von geschlossenen Poren im abgeschiedenen Matrixmaterial um neues Ausgangsgas zuzuführen.
- (Dieses Phänomen tritt dann auf, wenn das imprägnierte Werkstück Atmosphärendruck ausgesetzt wird, d.h. wenn eine hohe Druckdifferenz zwischen dem Äußeren und dem Inneren der geschlossenen Poren entsteht)
- - Der Temperaturbereich, dem das Werkstück in der Kammer ausgesetzt wird, ist nachfolgend definiert: Werkstück-Temperatur Oben Unten
- T&sub1; Gas-Einblas-Temperatur in den Faser-Vorformling.
- T&sub2; = Abscheidungs-Temperatur.
- T&sub3; Glühtemperatur.
- RT = Raumtemperatur.
- Die Beziehung zwischen den Temperaturen T1, T2 und T3 ist folgendermaßen definiert:
- 30ºC < T&sub2; - T< T&sub2;
- 30ºC < T&sub3; - T&sub2; < 1400ºC - T&sub2;
- Die verschiedenen, während der Durchführung des Verfahrens auftretenden Drücke sind folgende: Druckbereich
- Drücke P1 und P2 sind über folgende Beziehung miteinander verbunden:
- 25 1,33 x 10¹ Pascal < P&sub1; - P&sub2; < 1,33 x 10&sup5; Pascal (0,1 Torr < P&sub2; - P&sub1; < Torr)
- Die gepulste CVI-Technik gemäß der Erfindung hat, wie in Figur 3 dargestellt, drei Temperaturniveaus und zwei Druckniveaus in einem Zyklus.
- Ein weiterer wichtiger Punkt der Erfindung ist die Verwen dung eines erheblichen thermischen Gradienten in dem Werkstück unter C.V. Infiltration.
- Das Werkstück wird von seiner Unterseite her durch zwei Quarzglasplatten 21 und 22 hindurch (Figur 2) erhitzt (hier mit einem FORCUS IR-Heizer).
- Eine (21) ist ein Fenster der Kammer und die andere (22) dient dem Schutz der Gaszuführung an die Unterseite des Werkstückes. Die Quarzglasplatte 22 in der Kammer hat einen hohen Schmelzpunkt, hohe IR-Durchlässigkeit und niedrige thermische Leitfähigkeit. Dies erlaubt, das Werkstück auf 1400ºC aufzuheizen, während die Platte 22 auf einer niedrigeren Temperatur bleibt.
- Die Oberseite des Werkstückes 24 wird unter Verwendung eines Wasserkreislaufs innerhalb der oberen Reaktorplatte mittels thermischer Leitung durch die Kohlenstoffplatte 30 (Figur 2) gekühlt. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung hat der thermische Gradient einen Wert von vorzugsweise wenigstens 20ºC/mm und besonders bevorzugt einen Wert von 60ºC/mm.
- Die Pulsdauer (Figur 3) variiert bevorzugt zwischen etwa 55 und etwa 1 Stunde.
- Die nachfolgenden Beispiele wurden unter folgenden Bedingungen durchgeführt
- Der Durchmesser des verwendeten Vorformlings aus zerhackten Kohlenstoffasern betrug 40mm, seine Dicke 5mm und die verwendeten Fasern hatten einen Durchmesser von 10 µm.
- Die gepulste Einblasrate von Silangas SiH&sub4; und Ammoniak gas NH&sub3; betrug
- SiH&sub4; 0,01 Liter/Puls
- NH&sub3; 0,15 Liter/Puls
- (diese Volumen gelten für Bedingungen unter Normaldruck und Normaltemperatur)
- - Das Volumen der Kammer ist etwa 2 Liter.
- - Der Druck P&sub1; war gleich 1,33 Pa (10&supmin;² Torr), während der Druck P&sub2; gleich 9,33 x 10&supmin;³ Pascal (70 Torr) war.
- Die Temperaturen des Werkstückes waren folgende (Figur 3) TEMPERATUR Unterseite des Werkstückes Oberseite des Werkstückes
- Es wurde das folgender Pulsmuster verwendet (Figur 3):
- Dauer eines jeden Pulses : 100s
- t1 : 10 S
- t2 : 10 S
- t3 : 50 S
- t4 : 10 S
- t5 : 5 S
- t6 : 15 S
- Die Druckhaltezeit Pt&sub1; (Figur 3), die 1/2 t&sub1;+t&sub2;+t&sub3; entspricht, war 65s und die Anzahl der Pulse betrug 1500 (40 Stunden).
- - Die folgenden Resultate wurden erhalten :
- Infiltrationsrate : 1,33 µm/Puls
- Dichte des Verbundwerkstoffes 2,33 g/cm³, was 95% der theoretischen Dichte (2,46 g/cm³) entspricht, was die maximal zu erwartende Dichte ist.
- - Keine Erzeugung von Pulver
- - Anteil der gasinfiltrierten Matrix : 25%
- Unter den verschiedenen möglichen Anwendungen der obigen Erfindung sollte man die Herstellung eines Verbundwerkstoffes, beispielsweise durch Verdichtung eines Vorformlings mittels Tiefen-CVD, berücksichtigen, einschließlich faserverstärkter Keramiken (FRC), keramischer Matrixverbundwerkstoffe (CMC) und funktioneller Gradientmaterialien (FGM)
Claims (11)
1. Verfahren zur Herstellung eines faserverstärkten
keramischen Verbundwerkstoffs mittels Gasphaseninfiltration
nach chemischem Verfahren mit den Schritten Einführen
eines porösen Vorformlings in eine CVD-Kammer,
Evakuieren der Kammer auf einen ersten Druck (P1),
Aufheizen des Vorfor-ulings auf eine erste Temperatur
(T1), in die Kammer Einblasen einer Mischung aus
Stickstoffhydrid und eines Gases ausgewählt aus der
Gruppe die Siliziumwasserstoff und Silziumhalogenide
oder eine Mischung davon umfaßt, mit einer derartigen
Flußrate und während einer derartigen Zeitdauer, daß in
der Kammer ein zweiter Druck P2 erreicht wird, der im
wesentlichen höher als P1 ist, Aufheizen des
Vorformlings unter Anwesenheit eines thermischen Gradienten
über den Vorformling auf wenigstens die
Zersetzungstemperatur T2 des Gases, welche größer als T1 ist, um
die Abscheidung eines Siliziumnitrid bildenden Matrix-
Materials zu erreichen, Evakuieren der Kammer auf den
ersten Druck P1, Erniedrigen der Temperatur des
Vorformlings auf T1, Wiederholen der obigen Schitte so
lange wie nötig, um eine Infiltration des Vorformlings
in der benötigten Tiefe zu erreichen, wobei die erste
Temperatur T1 niedriger ist als die
Zersetzungstemperatur des Gases in der Kammer, die ein CVD-
Kaltwand-Reaktor ist, um den substantiellen thermischen
3Gradienten über den Vorformling sicher zu stellen, wobei
dieses Verfahren weiterhin einen Schritt Erhöhen der
Temperatur des Vorformlings bis auf die
Ausgluhtenperatur T3 des Matrix-Materials umfaßt, während
gleichzeitig die Kammer auf den Druck P1 evakuiert wird,
dann Erniedrigen der Temperatur des Vorformlings auf T1
und Wiederholen der obigen Schritte so lange wie
notwendig.
2. Ein Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei P1 niedriger als
40 1.33 x 10² Pascal (1 Torr) ist.
3. Ein Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei P2 zwischen
1.33 x 10¹ Pascal (10&supmin;¹ Torr) und 1.33 x 10&sup5; Pascal
(10³ Torr) liegt.
4. Ein Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei die Temperaturen
T&sub1; und T&sub2; folgendes Verhältnis haben:
30ºC < T&sub2; - T&sub1; < T&sub2;
5. Ein Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei die Temperaturen
T&sub2; und T&sub3; folgendes Verhältnis haben:
30ºC < T&sub3; - T&sub2; < 1400 ºC - T&sub2;
6. Ein Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei die Temperaturen
T&sub1;, T&sub2; oder T&sub3; folgende Bereiche haben:
Temperatur
Oben
Unten
T&sub1; = Gas-Einblas-Temperatur in den Faser-Vorformling.
T&sub2; = Abscheidungs-Temperatur.
T&sub3; = Ausglüh-Temperatur.
RT = Raumtemperatur.
7. Ein Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei die Drücke P&sub1; und
P&sub2; gemäß dem folgenden Verhältnis sind:
1.33 X 10¹ Pascal (0.1 Torr) < P&sub2; - P&sub1; < 1.33 x 10&sup5; Pascal (10³ Torr)
8. Ein Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei die Drücke P&sub1; und
P&sub2; innerhalb der folgenden Bereiche variieren:
1.33 x 10&supmin;³ Pascal (10&supmin;&sup5; Torr) < P&sub1; < 1.33 X 102 Pascal (1 Torr)
1.33 x 10¹ Pascal (10-1 Torr) < P&sub2; < 1.33 x 10&sup5; Pascal (10³ Torr)
9. Ein Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei der thermische
Gradient in dem Vorformling wenigstens 20ºC/mm ist.
10. Ein Verfahren gemäß Anspruch 9 wobei der thermische
Gradient in dem Vorformling wenigstens 60ºC/mm ist.
11. Ein Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei die Haltezeit des
Druckes während deren die Kammer unter dem Druck P&sub2;
steht zwischen etwa is und etwa 1 Stunde liegt.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP91400405A EP0499004B1 (de) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | Verfahren zur Herstellung eines faserverstärkten keramischen Verbundwerkstoffs |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69117166D1 DE69117166D1 (de) | 1996-03-28 |
DE69117166T2 true DE69117166T2 (de) | 1996-07-04 |
Family
ID=8208545
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69117166T Expired - Fee Related DE69117166T2 (de) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | Verfahren zur Herstellung eines faserverstärkten keramischen Verbundwerkstoffs |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0499004B1 (de) |
DE (1) | DE69117166T2 (de) |
Families Citing this family (228)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5411763A (en) * | 1993-01-11 | 1995-05-02 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Method of making a modified ceramic-ceramic composite |
US20020132495A1 (en) * | 2001-03-16 | 2002-09-19 | Siegel Richard W. | Flash CVD process for synthesis of carbon nanotrees |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
DE102017204258B4 (de) * | 2017-03-14 | 2023-08-17 | Schunk Kohlenstofftechnik Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines porösen Körpers |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
CN107698271B (zh) * | 2017-09-11 | 2020-11-06 | 西北工业大学 | 耐高温高强韧性氮化硅基透波复合材料及制备方法 |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
KR102633318B1 (ko) | 2017-11-27 | 2024-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 청정 소형 구역을 포함한 장치 |
WO2019103613A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
WO2019158960A1 (en) | 2018-02-14 | 2019-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
TW202409324A (zh) | 2018-06-27 | 2024-03-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料之循環沉積製程 |
TW202405221A (zh) | 2018-06-27 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
IT201800009953A1 (it) | 2018-10-31 | 2020-05-01 | Petroceramics Spa | Metodo ed un assieme di infiltrazione e la deposizione rapida da fase vapore di componenti porosi |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
EP3647459A1 (de) | 2018-10-31 | 2020-05-06 | Petroceramics S.p.A. | Verfahren und anordnung durch chemische gasphaseninfiltration von porösen komponenten |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210078405A (ko) | 2019-12-17 | 2021-06-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
KR20210089079A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 채널형 리프트 핀 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
CN113555279A (zh) | 2020-04-24 | 2021-10-26 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
KR20210145080A (ko) | 2020-05-22 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4580524A (en) * | 1984-09-07 | 1986-04-08 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Process for the preparation of fiber-reinforced ceramic composites by chemical vapor deposition |
FR2594119B1 (fr) * | 1986-02-10 | 1988-06-03 | Europ Propulsion | Installation pour l'infiltration chimique en phase vapeur d'un materiau refractaire autre que le carbone |
US4895108A (en) * | 1988-06-22 | 1990-01-23 | The Babcock & Wilcox Company | CVD apparatus and process for the preparation of fiber-reinforced ceramic composites |
US4980202A (en) * | 1989-07-03 | 1990-12-25 | United Technologies Corporation | CVD SiC matrix composites containing carbon coated fibers |
-
1991
- 1991-02-15 DE DE69117166T patent/DE69117166T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-02-15 EP EP91400405A patent/EP0499004B1/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0499004B1 (de) | 1996-02-14 |
DE69117166D1 (de) | 1996-03-28 |
EP0499004A1 (de) | 1992-08-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69117166T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines faserverstärkten keramischen Verbundwerkstoffs | |
DE69316172T2 (de) | Durch CVD-hergestelltes Siliciumkarbid | |
JP3274740B2 (ja) | 金属およびセラミツク微粉末を製造するための装置及び方法 | |
DE69526259T2 (de) | Vorrichtung zur Druckfeld CVD/CVI, Verfahren und Produkt | |
Hlavacek et al. | Chemical engineering aspects of advanced ceramic materials | |
Sotirchos | Dynamic modeling of chemical vapor infiltration | |
JPH0673401A (ja) | 微粒子金属粉 | |
DE69008815T2 (de) | Chemisches Gasphasenabscheidungsverfahren zur Nachbildung der Oberflächenbeschaffenheit und/oder der Form von Formkörpern. | |
DE102017204258B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines porösen Körpers | |
DE60000725T2 (de) | Mitteltemperatur-cvd-verfahren | |
DE3719515A1 (de) | Oxidationsbeständiger Körper aus Kohlenstoff und Verfahren zu seiner Herstellung | |
US3622369A (en) | Process for forming stoichiometric silicon carbide coatings and filaments | |
DE69016930T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von einem gegen Oxidation geschützten Komposit-Material, und nach diesem Verfahren hergestelltes Material. | |
DE3315971C2 (de) | ||
DE69620577T2 (de) | Chemische abscheidung von mullitschichten und mullitpulvern aus der gasphase | |
US2528454A (en) | Coating process | |
US4153483A (en) | Deposition method and products | |
Motojima et al. | Chemical vapour growth of β-SiC whiskers from a gas mixture of Si2Cl6-CH4-H2-Ar | |
US3367826A (en) | Boron carbide article and method of making | |
US3825469A (en) | Boron carbide fiber production | |
Miyake et al. | Chemical vapor deposition of niobium on graphite | |
DE3025680A1 (de) | Heizkoerper fuer einen hochtemperaturofen | |
US3658680A (en) | Apparatus for forming silicon carbide filaments | |
US3012856A (en) | Flexible feltable fibers of titanium nitride and their preparation | |
DE69309968T2 (de) | VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON CVD Si3N4 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |