DE68927760T2 - Sonnenzelle mit niedergeschlagener Siliziumschicht - Google Patents

Sonnenzelle mit niedergeschlagener Siliziumschicht

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Description

    Gebiet der Erfindung
  • Diese Erfindung bezieht sich auf das technische Gebiet der photoelektrischen Dünnfilm-Solarzellen für die Umwandlung von Sonnenlicht in Elektrizität.
    • Hintergrund der Erfindung
  • Photoelektrische Solarzellen sind Halbleitergeräte, die Sonnenlicht in Elektrizität umwandeln. Solarzellen auf der Basis von kristallinem Silizium ergeben den Vorteil eines hohen Nutzeffekts und hoher Stabilität. Die hauptsächliche Schranke für eine erweiterte Anwendung von Silizium-Solarzeilen für die Erzeugung von elektrischer Energie sind die gegenwärtigen hohen Kosten der Solarzellen.
  • Beträchtliche Kostenverringerungen ksnnen durch die Verwendung von Dünnfilm-Solarzellen erreicht werden. Dünnfilm Solarzellen verwenden dünne Schichten von Halbleitermaterialien, die auf Substraten niedriger Kosten abgelagert oder darauf gewachsen werden. Eine Veröffentlichung von A. M. Barnett et al in Conference Record of 19th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (1987) Seiten 1266 - 1270 beschreibt polykristalline Dünnfilm-Silizium-Solarzellen auf keramischen Substraten geringer Kosten. Der Siliziumdünnfilm weist eine photoelektrische Verbindung auf und ist von dem Substrat durch eine metallurgische Sperre getrennt. Das Substrat schafft einen mechanischen Träger und wird zur Bereitstellung eines thermischen Expansionskoeffizienten ausgewählt, der mit dem Halbleiter zusammenpaßt. Ein elektrischer Kontakt ist auf der Oberseite der Solarzelle bereitgestellt. Zusätzlich zu den niedrigen Kosten, die aus der Verwendung von Silizium mit einem geringeren photoelektrischen Grad resultieren, d.h. aus einer Schicht einer Dicke von weniger als 100 µm anstelle eines Wafers einer Dicke von 400 µm, wird ein verbesserter Nutzeffekt als eine Folge der Dünnheit des Siliziums vorhergesagt. Die Veröffentlichung beschreibt eine weitere Vergrößerung des Nutzeffekts als das Ergebnis der Verwendung von optischen Verfeinerung-Techniken. In einer ähnlichen Veröffentlichung, die in Technical Digest of the Third International Photovoltaic Science and Engineering Conference, PVSEC-3 (1987) Seiten 101 - 104 erschienen ist, werden von A. M. Barnett et al eine Anzahl von Gestaltungskriterien für Dünnfilmsilizium beschrieben, um Solarzellen mit einem hohen Nutzeffekt zu ergeben.
  • Im Stand der Technik sind eine Anzahl von Beschreibungen von dünnen Silizium-Solarzellen zu finden. Bspw. beschreibt das U.S. Patent No. 4 571 488 von A. M. Barnett eine Dünnfilm-Solarzelle, die auf verschiedenen Substratmaterialen gebildet ist und bei welcher eine leitende oder eine halbleitende metallurgische Barriereschicht zwischen dem Substrat auf den aktiven Schichten der Solarzelle angeordnet ist. M. G. Mauk et al beschreiben in Conference Record of the 18th IEEE Photovoltaics Specialists Conference (1985) Seiten 192 - 197 eine Solarzelle mit dünnen epitaktischen aktiven Siliziumschichten auf einem schwer dotierten Siliziumwafer mit einem Dünnfilm aus Siliziumdioxid zwischen den aktiven Schichten und dem Substrat. Eine Vielzahl von Durchgängen schafft Verbindungen zwischen den aktiven Schichten und dem Substrat. Das U.S. Patent NO. 4 677 250 von A. M. Barnett et al beschreibt Solarzellen, die aktive polykristalline Dünnfilm-Halbleiterschichten verwenden, die auf verschiedenen Substraten niedergeschlagen sind, und einen Isolator mit leitfähigen Keimbildungsstellen zwischen dem Substrat und der aktiven Halbleiterschicht.
  • Es ist eine Aufgabe dieser Erfindung, eine hoch wirksame dünne Silizium-Solarzelle mit niedrigen Kosten bereitzustellen, die auf einem Substrat von niedrigen Kosten ausgebildet wird.
    • Zusammenfassung der Erfindung
  • Eine photoelektrische Solarzelle mit einer aktiven polykristallinen Dünnfilm-Silizium-Halbleiterschicht ist über einem Substrat mit einer zusammenpassenden dynamischen Expansion ausgebildet. Zwischen dem Substrat und dem aktiven Halbleiter befindet sich eine Barriere- bzw. Sperrschicht, die ausgewählt ist für die Bereitstellung einer Reflektion von Licht, eine Minimierung der Rekombination der rückwärtigen Seite und die Verhinderung einer Kontamination der aktiven Halbleiterschicht durch das Substrat. Die Sperrschicht weist eine Vielzahl von Kontaktbereichen auf, wo der aktive Halbleiter eine elektrische Verbindung mit der leitenden Ebene des Substrats besitzt. Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist das Substrat ein leitfähiges Keramikmaterial, welches Silizium in einer Menge von 20 bis 90 Gew.-% und bis zu 80 Gew.-% Siliziumkarbid oder Glas oder ein Gemisch davon enthält. Die Barriere oder Sperre ist ein Isoliermaterial, und die Kontaktbereiche sind Öffnungen in der Barriereoder Sperrschicht, die weniger als 5 % des Substrats freilegen, und der aktive Halbleiter ist ein p-n Silizium-Homoübergang.
    • Zeichnungen
  • Die Figur ist eine Querschnittsansicht, vergrößert und nicht maßstabsgenau, einer Dünnfilm-Solarzelle gemäß dieser Erfindung.
    • Detaillierte Beschreibung
  • Die gewünschten Eigenschaften eines aktiven polykristallinen Dünnfilm-Silizium-Halbleiters gemäß den Lehren dieser Erfindung sind: ein planarer Film mit Einkristallkörnern, die wenigstens zweimal so breit wie dick sind; eine Dicke in dem Bereich von 5 bis 100 µm; günstige Korngrenzen; eine Minorität der Träger-Diffusionslänge wenigstens doppelt so groß wie die Dicke. und ein Substrat, das einen mechanischen Träger und einen Leiter der rückwärtigen Ebene bereitstellt.
  • Die Kriterien hinsichtlich des Kornanteils, der Diffusionslänge und der Korngrenzen werden für eine Minimierung der Rekombinationsverluste angewandt. Eine optische Verfeinerung ist ebenfalls erforderlich, um den Verlust des durch Licht erzeugten Stroms auszugleichen, der auf die Dünnheit des Siliziums zurückzuführen ist. Die optische Verkleinerung erreicht dies durch eine Vergrößerung der effektiven Photoabsorptionslänge in dünnen Silizium-Solarzellen.
  • In der Figur ist ein schematischer Querschnitt einer Solarzelle 10 gemäß der Erfindung gezeigt. Dieses Gerät stimmt überein mit den vorerwähnten Gestaltungskriterien und kann mit niedrigen Kosten hergestellt werden. Die Solarzelle ist auf einem Substrat 100 ausgebildet, welches als ein mechanischer Träger funktioniert und einen Leiter 110 an der rückwärtigen Ebene aufweist, über welchem die Solarzelle ausgebildet ist. Das Substratmaterial wird für die Auswahl eines thermischen Expansionskoeffizienten ausgewählt, der mit dem Silizium zusammenpaßt, um während der Herstellung der Solarzelle Spannungen zu minimieren, die eine Verarbeitung bei Temperaturen von etwa 1410ºC, dem Schmelzpunkt von Silizium, erfordern können. Der thermische Expansionskoeffizient von Silizium erhöht sich monoton von 4 bis 5 x 10&supmin;&sup6; cm/cm-ºC in dem Temperaturbereich von 400 bis 1000ºC. Ein Substratmaterial gemäß den Lehren dieser Erfindung mit einem thermischen Expansionskoeffizienten von 4 x 10&supmin;&sup6; cm/cm-ºC ist annehmbar. Das Substrat kann elektrisch leitfähig oder nicht leitfähig sein, obwohl ein leitfähiges Substrat bevorzugt wird. Wenn das Substrat nicht leitfähig ist, dann wird an der rückwärtigen Ebene ein Leitermaterial (nicht gezeigt in der Figur), bspw. eine Metallschicht, an der Oberfläche des Substrats vorgesehen, auf welcher die Zelle ausgebildet wird. Wahlweise kann ein Leitermaterial der rückwärtigen Ebene gleichwertig auch als eine separate Schicht über einem leitfähigen Substrat vorgesehen werden. Das Substrat kann auch texturiert sein, um eine diffuse Reflektion von Licht und eine optische Verfeinerung bereitzustellen. In dem Fall eines leitfähigen Substrats werden äußere elektrische Kontaktmittel, wie bspw. Silber, an dem Boden des Substrats 100 angebracht.
  • Das Substrat gemäß den Lehren dieser Erfindung ist ein Keramikmaterial, das aus Silizium niedriger Reinheit in dem Bereich von 20 bis 90 Gew.-% und bis zu 80 Gew.-% Siliziumkarbid und/oder Glas besteht. Ein leitfähiges keramisches Substrat wird bspw. aus einem Gemisch von 40 Gew.-% Siliziumpulver mit einer anfänglichen Teilchengröße von weniger als 500 µm und 60 % SiC mit einer Teilchengröße von weniger als 100 µm mittels pulvermetallurgischer Techniken hergestellt, einschließlich einem Sintern in einer Vorrichtung mit einer sauerstoffreien Kammer, die ein Graphitheizgerät verwendet, das für die Bereitstellung eines passenden thermischen Profils zur Erreichbarkeit des Sinterprodukts gestaltet ist. Das Pulvergemisch wird so zu einem Körper niedriger Dichte ausgebildet, der bei einer genügend hohen Temperatur gesintert oder geschmolzen wird, um ein dichtes leitfähiges keramisches Substrat mit einem mittleren Schüttwiderstand von 0.001 bis 10.00 Ohm/cm, einer mittleren Dichte von etwa 1.5 bis 1.9 g/cm³, einer Dicke von 0.03 bis 0.08 cm und einer Flache von 10 cm x 10 cm oder größer auszubilden. Auf dem Leiter der rückwärtigen Ebene des Substrats wird eine Barriere- oder Sperrschicht 200 ausgebildet und über dieser Barriereschicht ein aktiver Halbleiter 300. Die Barriereschicht 200 wird ausgewählt, um eine Festigkeit bei den Temperaturen zu schaffen, die für die Herstellung der Zelle benötigt werden; um als eine Sperre zu wirken, die eine Diffusion von Unreinheiten von dem Substrat in die aktive Schicht der Solarzelle verhindert; um die Grenzfläche zwischen der Barriereschicht und dem aktiven Halbleiter passiv zu machen, damit die Oberfläche-Rekombination von durch Licht erzeugten Trägern minimiert wird; um einen Brechungsindex zu erhalten, der sich von demjenigen des aktiven Halbleiters unterscheidet, damit eine reflektierende Oberfläche für eine optische Verfeinerung bereitgestellt wird. Die Barriereschicht 200 kann eine einzige Schicht sein oder mehrere Schichten, wobei jede Schicht eine oder mehrere dieser Erfordernisse befriedigt. Die mehrfache Barriereschicht besteht aus einer ersten Barriereschicht aus Titandiborid oder Titandioxid oder Aluminiumoxid über dem Substrat, um die Festigkeit zu erhalten und als eine Diffusionsbarriere zu wirken. Eine zweite Barriereschicht aus Siliziumdioxid, die für eine Minimierung der Oberfläche- Rekombination und auch für die Bereitstellung der Reflektion wirkt, bedeckt die erste Barriereschicht, um eine mehrschichtige Barriere oder Sperre gemäß den Lehren dieser Erfindung zu bilden. Wenn eine mehrschichtige Barriere oder Sperre verwendet wird, die Titandiborid aufweist, dann kann das Titandiborid auch als der Leiter 110 der rückwärtigen Ebene dienen sowie als ein Reflektor. Für die vielschichtige Ausbildung werden Titandiborid und zusätzlich Siliziumdioxid bevorzugt. Die Dicke der Barriereschicht 200 beträgt 0.1 bis 1.0 µm. In dem Fall einer einzigen Schicht können Siliziumdioxid oder Siliziumnitrid verwendet werden, wobei Siliziumdioxid bevorzugt wird. Die Dicke der einzigen Siliziumdioxid-Barriereschicht beträgt 0.4 µm.
  • Kontaktbereiche 210 ergeben eine elektrische Verbindung zwischen der rückwärtigen Kontaktebene 110 und dem aktiven Halbleiter 300. Die Kontaktbereiche 210 gemäß den Lehren dieser Erfindung sind eine Vielheit von Öffnungen in der Barriereschicht 200. Die Größe und raummäßige Verteilung der Öffnungen wird so gewählt, daß die Kontaktbereiche 210 0.5 bis 5 % der Fläche der Barriereschicht 200 einnehmen. Bspw. waren eine Anordnung von kreisförmigen Öffnungen mit einem Durchmesser von 10 µm und einem Mittenabstand von 100 µm oder eine Reihe von parallelen Nuten einer Breite von 10 µm und in einem Abstand von 500 µm passend.
  • Die Barrierschicht 200 und die Kontaktbereiche 210 können durch eine Beschichtung der rückwärtigen Kontaktebene 110 des Substrats 100 ausgebildet werden, wobei die Barriereschicht das gewünschte Muster erhält. Ein Siebdrucken, eine Sprühbeschichtung oder ein Sputtern durch eine Maske hindurch sind nützliche Verfahren der Ausbildung der Barriereschicht mit den Kontaktbereichen gemäß dieser Erfindung. Alternativ kann die Barrierschicht als eine einzige kontinuierliche Schicht aufgebracht werden, und die Kontaktbereiche können durch eine selektive Entfernung des Barrierematerials gebildet werden. Eine selektive Entfernung kann auch durch eine Vielzahl von Techniken erreicht werden, einschließlich der photolithographischen oder serigraphischen Bemusterung, gefolgt von einem chemischen Ätzen, einem mechanischen Einritzen oder einem Ätzen mit Düsen.
  • Diese Erfindung befaßt sich weiterhin mit einer solchen Ausbildung der Kontaktbereiche 210, daß die Höhe der Barnereschicht 200 über der rückwärtigen Kontaktebene und die Höhe der Kontaktbereiche etwa gleich sind, damit die Anbringung der aktiven Halbleiterschicht 300 ermöglicht wird. Dies kann erreicht werden durch ein selektives Auffüllen der Öffnungen in der Barriereschicht mit einem geeigneten Material, wie bspw. einer leitfähigen Keramik oder Metall. Das Material sollte dazu fähig sein, einen ohmschen Kontakt mit der Halbleiterschicht zu ergeben, und es kann weiterhin als eine Dotierstoffquelle zur Ausbildung eines rückwärtigen Oberflächenfeldes in dem Halbleiter dienen.
  • Wenn das Substrat eine genügende Reinheit hat, dann kann auf die Barriereschicht 200 verzichtet werden, wobei einiger Verlust des Wirkungsgrades als Folge der Abwesenheit einer optischen Vergroßerung auftritt, die durch die Barriereschicht erhalten wird. Es wird ein Wirkungsgrad von 15 % erwartet, wenn die Barriereschicht weggelassen wird.
  • Die aktive Halbleiterschicht 300 besteht aus zwei aneinandergrenzenden Bereichen von entgegengesetzter Leitfähigkeit und aus einem photoelektrischen Übergang. In Übereinstimmung mit dieser Erfindung ist die Halbleiterschicht 300 ein polykristalliner Dünnfilm aus Silizium einer Dicke zwischen 5 und 100 µm und vorzugsweise einer Dicke von 30 µm. Der Korndurchmesser des polykristallinen Siliziums sollte wenigstens zweimal so groß sein wie die Fumdicke. Der Basisbereich 310 der Halbleiterschicht 300 ist ein p-Typ Silizium mit einer Dicke von 5 bis 100 µm und ist für eine Trägerkonzentration des p-Typs von 1 x 10¹&sup6; bis 5 x 10¹&sup6; cm&supmin;³ dotiert und er ist gekennzeichnet durch eine Minorität- Trägerdiffusionslänge wenigstens doppelt so groß wie die Dicke. Ein dünner Silizium-Emitterbereich 320 des n-Typs einer typischen Dicke von 0.2 µm und einer Trägerkonzentration des n-Typs von 10²&sup0;cm&supmin;³ bildet einen p-n Homoübergang zu dem Basisbereich 320. Eine Solarzelle, die einen polykristallinen Silizium-Dünnfilm-Halbleiter gemäß dieser Erfindung aufweist, wird erwartungsgemäß einen Umwandlungswirkungsgrad von mehr als 19 % haben. Ein weiteres Merkmal der dünnen Solarzelle dieser Erfindung besteht darin, daß die Erfordernisse für die Minorität-Trägertransporteigenschaften weit weniger streng sind als für die herkömmlichen dicken Siliziumzellen. Wenn der aktive Halbleiter bspw. eine Dicke von 30 µm hat, dann wird eine Diffusionsmenge von nur 60 µm für diesen hohen Nutzeffekt benötigt. Eine große Flexibilität bei dem Verfahren der Ausbildung des aktiven Halbleiters steht daher für die Anpassung der Herstellungsverfahren niedriger Kosten zur Verfügung, um die Solarzelle gemäß dieser Erfindung zu produzieren. Unter den Verfahren, die für die Formgebung des aktiven Halbleiters geeignet sind, sind die allgemein bekannten Beschichtungstechniken, die allein oder in Verbindung mit einer Rekristallisationsstufe im Anschluß an die Anbringung des Halbleitermaterials angewandt werden können. Bspw. können Beschichtungsverfahren, wie die chemische Dampfabscheidung, ein Wachstum aus einer flüssigen gesättigten Lösung, ein Sputtern, eine Vakuumverdampfung, eine Ablagerung mit einem ionisierten Haufenstrahl, eine Sprühbeschichtung, eine Plasmalichtbogen-Besprühung und die Pulvermetallurgie angewandt werden, um den aktiven Halbleiter abzulagern. Für die Formgebung des Basisbereichs 310 des aktiven Halbleiters 300 wird die chemische Dampfabscheidung in Verbindung mit einer Rekristallisation bevorzugt, und für die Formgebung des Emitterbereichs 310 wird die Diffusionsdotierung bevorzugt.
  • Die Solarzelle dieser Erfindung wird mit einer transparenten Kontakteinrichtung 400 vervollständigt, wie bspw. einem Metallgitter, das auf die Licht empfangende Oberfläche des Halbleiters 300 aufgebracht wird unter Anwendung von bekannten Verfahren, wie bspw. einem Siebdruck, einer Verdampfung u.dgl. Antireflektion- und Oberflächenpassivierung-Beschichtungen, die alle in der Technik bekannt sind, können ebenfalls aufgebracht werden, um den Nutzeffekt der Solarzelle in Übereinstimmung mit den Lehren dieser Erfindung zu vergrößern.

Claims (25)

1. Polykristalline Dünnfilm-Silizium-Solarzelle, bestehend aus: einem Substrat (100), wenigstens einer polykristallinen Silizium-Halbleiterschicht (300), die wenigstens eine photoelektrische Verbindung aufweist, und einer elektrischen Kontakteinrichtung (400), wobei das Substrat (100) als ein mechanischer Träger fungiert und für den Besitz eines thermischen Expansionskoeffizienten ausgewählt ist, der mit dem Halbleiter zusammenpaßt, dadurch gekennzeichnet, daß
das Substrat (100) aus einem keramischen Material besteht, welches Silizium mit einer Menge von 20 bis 90 Gew.-% und bis zu 80 Gew.-% Siliziumkarbid oder Glas oder ein Gemisch davon enthält;
ein separater und zu dem Substrat (100) verschiedenartiger Rückwandplatine-Leiter (110) zwischen dem Substrat (100) und der polykristallinen Silizium-Halbleiterschicht (300) angeordnet ist und als ein zusätzlicher elektrischer Kontakt fungiert; und
eine Sperrschicht (200) zwischen dem Rückwandplatine Leiter (110) und der polykristallinen Silizium-Halbleiterschicht (300) angeordnet ist, wobei die Sperrschicht eine Vielzahl von Kontaktbereichen (210) aufweist, die durch Öffnungen in der Sperrschicht gebildet sind.
2. Solarzelle (10) nach Anspruch 1, bei welcher das Substrat elektrisch leitfähig ist.
3. Solarzelle (10) nach Anspruch 2, bei welcher der Rückwandplatine-Leiter (110) eine Oberfläche des Substrats (100) ist.
4. Solarzelle (10) nach Anspruch 1, bei welcher der Rückwandplatine-Leiter (110) eine über dem Substrat (100) ausgebildete Metallschicht ist.
5. Solarzelle (10) nach Anspruch 1, bei welcher das Substrat (100) ein durch die Schicht des keramischen Materials bedecktes Metall ist.
6. Solarzelle (10) nach Anspruch 1, bei welcher das Substrat (100) texturiert ist, um eine optische Einengung zu schaffen
7. Solarzelle (10) nach Anspruch 1, bei welcher die Sperrschicht (200) einen Brechungsindex aufweist, der von dem Index des Halbleiters (300) verschieden ist, um eine Lichtreflexion bereitzustellen.
8. Solarzelle (10) nach Anspruch 1, bei welcher die Sperrschicht (200) ausgewählt ist für eine Minimierung der Rückseite-Rekombination in der Solarzelle.
9. Solarzelle (10) nach Anspruch 1, bei welcher die Sperrschicht (200) eine Siliziumdioxidschicht ist.
10. Solarzelle (10) nach Anspruch 1, bei welcher die Sperrschicht (200) eine Siliziumnitridschicht ist.
11. Solarzelle (10) nach Anspruch 1, bei welcher die Sperrschicht (200) wenigstens aus zwei Schichten besteht.
12. Solarzelle (10) nach Anspruch 11, bei welcher die Sperrschicht (200) aus einer ersten Sperrschicht, ausgewählt aus Titandiborid, Titandioxid oder Aluminiumoxid, und einer zweiten Sperrschicht aus Siliziumdioxid besteht.
13. Solarzelle (10) nach Anspruch 12, bei welcher die erste Sperrschicht Titandiborid ist, welches als der Rückwandplatine-Leiter (110) fungiert.
14. Solarzelle (10) nach Anspruch 1, bei welcher die Kontaktbereiche (210) eine Vielzahl von Öffnungen sind, die durch die Sperrschicht (200) hindurch zu der rückseitigen Kontaktebene (110) verlaufen und welche 0.5 bis 5 % der Fläche der Sperrschicht (200) einnehmen.
15. Solarzelle (10) nach Anspruch 14, bei welcher die Öffnungen (210) mit einem leitfähigen Material bis zu einem Höhenniveau mit der Sperrschicht (200) aufgefüllt sind.
16. Solarzelle (10) nach Anspruch 15, bei welcher das leitfähige Material eine Keramik ist.
17. Solarzelle (10) nach Anspruch 15, bei welcher das leitfähige Material ein Metall ist.
18. Solarzelle (10) nach Anspruch 16, bei welcher das leitfähige Material einen Dotierstoff zur Ausbildung eines Rückseitenfeldes in der Halbleiterschicht (300) aufweist
19. Solarzelle (10) nach Anspruch 1, bei welcher die Halbleiterschicht (300) weniger als 100 µm dick ist.
20. Solarzelle (10) nach Anspruch 1, bei welcher der Halbleiter (300) durch einen Korndurchmesser gekennzeichnet ist, der wenigstens die doppelte Dicke aufweist.
21. Solarzelle (10) nach Anspruch 1, bei welcher der Halbleiter (300) gekennzeichnet ist durch eine Minoritäten- Trägerdiffusionslänge, welche die doppelte Dicke aufweist.
22. Solarzelle (10) nach Anspruch 1, bei welcher der Halbleiter (300) aus zwei Bereichen (310 und 320) von entgegengesetztem Leitertyp besteht und die photoelektrische Verbindung eine Homoverbindung ist.
23. Photoelektrische Dünnfilm-Solarzelle (10) nach Anspruch 1, bei welcher
die Sperrschicht (200) eine Siliziumdioxidschicht (200) über dem Substrat ist, um eine Lichtreflexion zu schaffen, die Rückseite-Rekombination zu minimieren und eine Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern;
die Kontaktbereiche in einer Vielzahl von Öffnungen (210) in der Sperrschicht ausgebildet sind, die wenigstens 5 % der Fläche des Substrats (100) einnehmen, um einen elektrischen Kontakt mit dem Substrat (100) zu schaffen; und
die Halbleiterschicht (300) eine polykristalline Siliziumschicht (300) ist von weniger als 100 um Dicke über der Sperre ist, welche einen Bereich (310) des p-Typs und einen Bereich (320) des n-Typs aufweist, zwischen denen eine photoelektrische Homoverbindung ausgebildetist
24. Photoelektrische Dünnfilm-Solarzelle (10) nach Anspruch 1, bei welcher die Halbleiterschicht eine polykristalline Siliziumschicht (300) mit einer Dicke von weniger als 100 µm über dem Substrat ist, welches einen Bereich (310) des p-Typs und einen Bereich (320) des n-Typs aufweist, zwischen denen eine photoelektrische Homoverbindung ausgebildet ist.
25. Solarzelle nach Anspruch 1, bei welcher das Substrat mit einer leitfähigen Keramik ausgebildet ist, die aus etwa 40 Gew.-% Siliziumpulver mit einer anfänglichen Teilchengröße von weniger als 500 µm und etwa 60 Gew.-% Siliziumkarbid mit einer Teilchengröße von weniger als 100 µm besteht.
DE68927760T 1988-05-04 1989-05-02 Sonnenzelle mit niedergeschlagener Siliziumschicht Expired - Fee Related DE68927760T2 (de)

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