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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Werkzeug zum Behandeln eines
Wafers, insbesondere eines Halbleitermaterial-Wafers, nach dem Oberbegriff des
Patentanspruchs 1, sowie eine dieses aufweisende Epitaxiewachstumsstation.
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Bei
einer Anlage zur Herstellung integrierter Halbleiterschaltungen
(Chips) stellt die Behandlung von Wafern eine sehr wichtige Tatsache
dar; tatsächlich
ist es erforderlich, zu vermeiden, dass durch Behandlung der Wafer
derartige Beschädigungen
bei ihrer Struktur oder ihren Oberflächen hervorgerufen werden,
welche Betriebsausfälle
in den sich ergebenden integrierten Schaltungen hervorrufen.
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Üblicherweise
bestehen die Wafer aus Halbleitermaterial, jedoch werden manchmal
Substrate in Form einer Scheibe aus einem Isoliermaterial eingesetzt.
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Die
Wafer weisen eine Vorderseite und eine Rückseite auf; die Vorderseite
ist jene Seite des Wafers, an welcher die Strukturen vorgesehen
sind, welche die integrierte Schaltung bilden; daher ist es besonders
wesentlich, keine Beschädigungen
bei dieser Oberfläche
des Wafers hervorzurufen; in der Praxis ist es erforderlich, dass
diese Oberfläche überhaupt
nicht in Kontakt mit irgendetwas gelangt.
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Weiterhin
weist der Wafer einen Rand auf, üblicherweise
abgerundet, der sich über
einige Millimeter sowohl auf seiner Rückseite als auch auf seiner
Vorderseite erstreckt. Die Randoberfläche wird nicht zur Ausbildung
integrierter Schaltungen verwendet, und daher kann sie, falls erforderlich,
in Kontakt mit Werkzeugen gelangen, jedoch immer mit großer Vorsicht.
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Normalerweise
ist es vorzuziehen, den Wafer über
seine Rückseite
zu behandeln.
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Allerdings
ist dies bei einigen Waferbehandlungsphasen nicht möglich, beispielsweise
in den Epitaxiereaktoren.
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In
diesem Fall ist es erforderlich, den Rand zu verwenden; offensichtlich
bringt dies beträchtliche Schwierigkeiten
mit sich.
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Aus
der Patentanmeldung WO 00/48234 (derselben Anmelderin wie bei der
vorliegenden Patentanmeldung) ist eine Vorrichtung zum Behandeln von
Wafern gemäß dem Oberbegriff
des Patentanspruchs 1 bekannt, und ist ebenfalls eine Epitaxiewachstumsstation
bekannt, welche die Vorrichtung in vorteilhafter Weise einsetzt.
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In
der voranstehend erwähnten
Patentanmeldung wird ein Roboter für das automatische Einführen bzw.
Abziehen von Wafern in die Reaktionskammer bzw. von dieser der Station
beschrieben, mit einem Arm, der mit einer Saugleitung versehen ist, die
an ein Saugsystem angeschlossen ist, an deren einem Ende ein Werkzeug
zum Behandeln eines Wafers angebracht ist.
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Das
Werkzeug weist eine kreisförmige Scheibe
mit einem großen
zentralen Loch auf, die eine Oberseite und eine Unterseite aufweist;
die Unterseite ist so geformt, dass sie in Kontakt mit dem Wafer
nur entlang dem Rand des Wafers gelangt; die Scheibe ist im Innern
mit einer Saugkammer versehen, welche die Form eines zylindrischen
Rings aufweist; die Saugkammer steht in Verbindung mit der Außenseite
der Scheibe über
Sauglöcher,
und mit der Saugleitung über
eine Saugöffnung;
die Sauglöcher
sind zur Unterseite der Scheibe hin offen.
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Wenn
der Wafer in Kontakt mit der Unterseite der Scheibe steht, und das
Saugsystem aktiv ist, wird der Wafer durch das Werkzeug durch Saugwirkung gehaltert.
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Ein
derartiges Werkzeug ermöglicht
eine ordnungsgemäße Behandlung
der Wafer, ohne dass Beschädigungen
hervorgerufen werden; weiterhin tritt, da die Saugwirkung nur in
der Nähe
des Kontaktbereichs zwischen dem Werkzeug und dem Wafer einwirkt,
bei dem Wafer keine nennenswerte Verformung auf.
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Bei
diesem Werkzeug rufen die Sauglöcher nicht
nur eine Saugwirkung bei dem Wafer hervor, sondern auch eine beträchtliche
Saugwirkung in Bezug auf die Gase der Atmosphäre, welche den Wafer umgibt,
infolge des Vorhandenseins des großen, zentralen Lochs in der
Scheibe. Eine derartige zusätzliche
Saugwirkung macht eine entsprechende Übergröße des Saugsystems erforderlich,
insbesondere in Bezug auf die elektrische Energie und die Verwendung
spezieller Materialien in dem Saugsystem infolge einer derartigen
Atmosphäre.
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Würde man
als Lösung überlegen,
einfach das große,
zentrale Loch zu schließen,
gäbe es
keine Saugwirkung für
die Atmosphäre
mehr, aber dann bestünde
das Risiko, dass die Saugwirkung Verformungsdefekte bei dem Wafer
hervorruft, der von dem Werkzeug gehaltert wird; dieses Risiko wäre größer während der
Phase des Abziehens der Wafer aus der Reaktionskammer, während diese
noch beträchtlich warm
ist (einige Hundert Grad Celsius).
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Daher
besteht das Ziel der vorliegenden Erfindung in der Bereitstellung
eines alternativen Werkzeugs, welches es ermöglicht, die Wafer ordnungsgemäß zu behandeln,
und ohne sie zu beschädigen, insbesondere
ohne sie mit der Auswirkung von Defekten zu verformen, und mit niedrigeren
Anforderungen an das Saugsystem.
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Dieses
Ziel wird im Wesentlichen durch das Werkzeug zum Behandeln von Wafern
erreicht, welches die im Patentanspruch 1 angegebenen Merkmale aufweist.
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Gemäß einem
weiteren Aspekt betrifft die vorliegende Erfindung weiterhin eine
Station für
Epitaxiswachstumsbehandlungen, welche die im unabhängigen Patentanspruch
9 angegebenen Merkmale aufweist, in welcher ein derartiges Werkzeug
in vorteilhafter Weise eingesetzt werden kann.
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Weitere
vorteilhafte Aspekte der vorliegenden Erfindung sind in den abhängigen Patentansprüchen angegeben.
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Die
grundlegende Idee der vorliegenden Erfindung besteht in der Verwendung
einer Scheibe ohne ein zentrales Loch, so dass keine nennenswerte
Saugwirkung für
die Atmosphäre
stattfindet.
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Bei
dieser neuen Ausbildung des Werkzeugs wird die Saugwirkung effektiver,
und wird daher ermöglicht,
sie beträchtlich
zu verringern; bei einem derartigen Werkzeug entspricht eine verringerte Saugwirkung
einer begrenzten Druckabsenkung, die auf dem behandelten Wafer einwirkt,
und daher kleinen Verformungen des Wafers; zusätzlich wurde bestätigt, dass
derartige kleine Verformungen weder permanent sind, noch nennenswerte
Beschädigungen
bei der Struktur oder den Oberflächen
des Wafers hervorrufen.
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Die
Erfindung wird aus der folgenden Beschreibung im Zusammenhang mit
den beigefügten Zeichnungen
deutlicher, bei welchen:
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1 eine
Station für
Epitaxiewachstumsbehandlungen gemäß einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt;
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2 den
Querschnitt des Endteils des Roboterarms der Station von 1 zeigt;
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3 den
Querschnitt eines Werkzeugs gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung in Kontakt mit einem Halbleitermaterial-Wafer zeigt;
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4 eine
Aufsicht auf das Werkzeug von 3 ist;
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5 die
Aufsicht auf ein Bauteil des Werkzeugs von 3 ist, nämlich die
Schale;
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6 die
Aufsicht auf das Endteil des Roboterarms von 2 ist;
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7 eine
Teilquerschnittsansicht einer Tasche des Suszeptors der Station
von 1 zeigt; und
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8 denselben
Querschnitt zeigt wie 7, wenn ein Halbleitermaterial-Wafer
vorhanden ist, und wenn ein Werkzeug gemäß der vorliegenden Erfindung
diesen aufnehmen soll.
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In 1 weist
eine Station 1 für
Epitaxiewachstumsbehandlungen von Wafern im Wesentlichen eine Reaktionskammer 2 auf,
eine Übertragungskammer 16,
eine Waschkammer 13 und einen Aufbewahrungsbereich 17.
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Innerhalb
des Aufbewahrungsbereichs 17 befindet sich normalerweise
eine erste Kassette 14, welche die Wafer enthält, die
noch behandelt werden sollen, sowie eine zweite Kasssette 15,
welche die Wafer enthält,
die bereits in der Station behandelt wurden.
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Ein
externer Roboter 18, der nur sehr schematisch in 1 dargestellt
ist, sorgt dafür,
vor der Behandlung die Wafer einzeln aus der Kassette 14 abzuziehen,
und sie in die Waschkammer 13 einzuführen, und nach der Behandlung
die Wafer einzeln aus der Waschkammer 13 abzuziehen, und
sie in die Kassette 15 einzuführen. Innerhalb der Übertragungskammer 16 ist
ein innerer Roboter 4 angeordnet, der dafür sorgt,
vor der Behandlung die Wafer einzeln aus der Waschkammer 13 abzuziehen,
und sie in die Reaktionskammer 2 einzuführen, und nach der Behandlung
die Wafer einzeln aus der Reaktionskammer 2 abzuziehen,
und sie in die Waschkammer 13 einzuführen.
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Im
Innern der Reaktionskammer 2 befindet sich eine Halterung 9 für die zu
behandelnden Wafer, die normalerweise als "Suszeptor" in den Reaktoren bezeichnet wird, die
induktiv geheizt werden.
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Im
Allgemeinen ist die Halterung 9 dazu ausgebildet, eine
bestimmte Anzahl an Wafern aufzunehmen, auch in Abhängigkeit
von ihrem Durchmesser; dieser Durchmesser kann heutzutage 12 Zoll
erreichen, also etwa 30 Zentimeter, jedoch ist in der Mikroelektronikindustrie
der Trend vorhanden, immer größere Wafer
einzusetzen.
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Die
Wafer sitzen in Taschen 12, die auf der Oberfläche der
Halterung 9 vorgesehen sind.
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Die
Halterung 9 ist normalerweise drehbar, so dass der Roboter 4 die
verschiedenen Wafer in den verschiedenen Taschen jeweils mit Hilfe
der gleichen Bewegung anordnen kann.
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Um
die erforderlichen Bewegungen durchzuführen, weist der Roboter 4 verschiedene
Arme auf, die geeignet gelenkartig miteinander verbunden sind; auf
einem letzten Arm 5 des Roboters 4 ist ein Werkzeug 7 angebracht,
das dazu ausgebildet ist, die Wafer einzeln zu behandeln.
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Bei
einer Station gemäß der vorliegenden
Erfindung, etwa jener, die in 1 gezeigt
ist, besteht der Arm 5 im Wesentlichen aus einem starren
Rohr 6, das auch als Saugleitung dient. Das Rohr 6 ist
an einer Seite an ein Saugsystem 3 über ein flexibles Rohr 8 angeschlossen.
An der anderen Seite, an seinem Ende, ist das Rohr 6 mit
einer Platte 10 verbunden, um das Anbringen des Werkzeugs 7 zu
erleichtern, wie dies nachstehend verdeutlicht wird.
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Wie
aus den 3, 4 und 5 hervorgeht,
ist das Werkzeug 7 gemäß der vorliegenden
Erfindung zur Handhabung eines Wafers 100 in einer Epitaxiswachstumsstation
einsetzbar. Der Wafer 100 weist eine Vorderseite 101 auf,
eine Rückseite 102 und
einen Rand 103.
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Das
Werkzeug 7 ist dazu ausgebildet, an dem Arm 5 (des
inneren Roboters 4) angebracht zu werden, der mit der Saugleitung 6 versehen
ist, die an das Saugsystem 3 angeschlossen ist.
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Das
Werkzeug 7 gemäß der vorliegenden Erfindung
weist eine Scheibe 20 auf, die eine Oberseite 21 und
eine Unterseite 22 hat; die Unterseite 22 ist
so geformt, dass sie in Kontakt mit dem Wafer 100 nur entlang
dem Rand 108 des Wafers gelangt; die Scheibe 20 ist
im Innern mit einer Saugkammer 24 versehen, die in Verbindung
mit der Außenseite
der Scheibe 20 über
ein oder mehrere Sauglöcher 25 steht
(bei der in den Figuren dargestellten Ausführungsform sind acht Löcher vorhanden),
und die dazu ausgebildet ist, in Verbindung mit der Saugleitung 6 über eine
Saugöffnung 26 versetzt
zu werden.
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Bei
dem Werkzeug 7 ist die Scheibe 20 so ausgebildet,
dass sie vollständig
den Wafer 100 und die Sauglöcher 25 abdeckt, die
zur Unterseite 22 der Scheibe 20 hin offen sind,
wodurch dann, wenn der Wafer 100 in Kontakt mit der Unterseite 22 der
Scheibe 20 steht, und das Saugsystem 3 aktiv ist,
der Wafer 100 von dem Werkzeug 7 mittels Saugwirkung
gehalten wird.
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Selbstverständlich kann
die Kammer 24 verschiedene Formen aufweisen, beispielsweise
die eines Zylinders, eines Torus, eines zylindrischen Rings, eines
Sterns, oder eine verzweigte Form; tatsächlich hat sie im Wesentlichen
die Funktion, die Löcher 25 mit
der Öffnung 26 zu
verbinden; gemäß einer
besonders vereinfachten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung ist das Werkzeug 7 nur mit einem
derartigen Saugloch versehen, und besteht die Saugkammer 24 im
Wesentlichen einfach aus einem Saugkanal innerhalb der Scheibe 20,
welcher das Loch 25 mit der Öffnung 26 verbindet.
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Durch
diese neue Ausbildung des Werkzeugs wird die Saugwirkung effektiver,
und wird daher ermöglicht,
sie beträchtlich
zu verringern; bei einem derartigen Werkzeug entspricht eine verringerte Saugwirkung
einer begrenzten Druckabsenkung, die auf den behandelten Wafer einwirkt,
und daher kleinen Verformungen des Wafers; gleichzeitig wurde bestätigt, dass
derartige kleine Verformungen weder permanent sind, noch nennenswerte
Beschädigungen
der Struktur oder der Oberfläche
des Wafers hervorrufen.
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Ein
derartiges Werkzeug ist besonders geeignet zum Einsatz in Epitaxiswachstumsstationen mit
einem scheibenförmigen
Suszeptor, da bei diesen Stationen das Werkzeug (und auch der Wafer) sich
immer in einer horizontalen Position befindet; daher ist die Saugwirkung äußerst effektiv
zum Haltern des Wafers, da ihre Einwirkung direkt dem Gewicht des
Wafers entgegenwirkt.
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Damit
eine gleichmäßige und
stabile Einwirkung auf den Wafer 100 erzielt wird, ist
es vorteilhaft, bei der Scheibe 20 an deren Unterseite 22 in
ihrem zentralen Teil einen Saughohlraum 27 vorzusehen;
in diesem Fall wäre
es gut, wenn die Sauglöcher 25 zur Unterseite 22 der
Scheibe 20 in den Saughohlraum 27 hin offen sind.
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Zur
Erzielung einer einfachen Konstruktion der Scheibe 20,
und zum einfachen Anbringen des Werkzeugs 7 am Arm 5,
ist es vorteilhaft, dass sich die Öffnung 26 zur Oberseite 21 der
Scheibe 20 öffnet.
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Um
das Anbringen der Scheibe 20 am Arm 5 des Roboters 4 zu
erleichtern, kann die Scheibe 20 mit einer Platte 23 versehen
sein; in diesem Fall ist die Öffnung 26 zur
Platte 23 oder nahe bei dieser offen; typischerweise wird
die Platte 23 an der entsprechenden Platte des Arms 5 beispielsweise
mittels Schrauben befestigt.
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Die
Bereitstellung einer derartigen Scheibe ist immer mit großen Schwierigkeiten
verbunden; tatsächlich
wird sie aus Quarz hergestellt, und muss so hergestellt werden,
dass sie unter sehr harten Bedingungen arbeitet und diesen standhält, wie
jenen eines Epitaxisreaktors.
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Bei
einer konstruktiv vorteilhaften Ausführungsform weist die Scheibe 20 eine
Schale 28 auf, die einen im Wesentlichen ringförmigen Umriss
und einen im Wesentlichen U-förmigen
Querschnitt aufweist, und einen Deckel 29, der im Wesentlichen flach
ist, und im Wesentlichen kreisförmig
ist, und mit der Schale 28 so verbunden ist, dass eine
geschlossene Kammer 24 entsprechend der Saugkammer ausgebildet
wird, und einen Hohlraum 27, der im Wesentlichen zylinderförmig ist
und dem Saughohlraum entspricht; die Schale 28 ist so geformt,
dass sie in Kontakt mit dem Wafer 100 nur entlang dem Rand 103 des
Wafers gelangt.
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Bei
dieser Ausführungsform
sind die Sauglöcher 25 zu
den Querwänden
des zylinderförmigen Hohlraums 27 hin
offen.
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Ebenfalls
bei dieser Ausführungsform
ist es in konstruktiver Hinsicht vorteilhaft, dass die Sauglöcher 25 aus
Nuten bestehen, die auf dem inneren Rand der Schale 28 an
der Grenze zum Deckel 29 vorgesehen sind.
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Ebenfalls
bei dieser Ausführungsform
ist es in konstruktiver Hinsicht vorteilhaft, dass dann, wenn die
Scheibe 20 mit der Platte 23 versehen ist, diese Platte
ein Teil des Deckels 29 ist, und die Saugöffnung 26 zur
Platte 23 oder zu deren Nähe hin offen ist.
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Wie
wiederum aus 1 hervorgeht, muss die Station 1 gemäß der vorliegenden
Erfindung für die
Epitaxiewachstumsbehandlungen von Wafern, insbesondere von Halbleitermaterial-Wafern,
eine Reaktionskammer 2 aufweisen, ein Saugsystem 3, und
einen Roboter 4 für
das automatische Einführen bzw.
Abziehen von Wafern in die Reaktionskammer 2 bzw. aus dieser
heraus; der Roboter 4 muss mit einem Arm 5 versehen
sein, der eine Saugleitung 6 aufweist, der an das Saugsystem 3 angeschlossen ist;
weiterhin muss sie ein Werkzeug 7 der voranstehend geschilderten
Art aufweisen, das mit einer Saugkammer 24 versehen ist,
und zum Behandeln eines Wafers 100 ausgebildet ist; das
Werkzeug 7 muss am Arm 5 des Roboters 4 angebracht
werden, und die Saugkammer 24 muss in Verbindung mit der Saugleitung 6 stehen.
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Bei
einer Epitaxiswachstumsstation mit einem scheibenförmigen Suszeptor
würde ein
Werkzeug der voranstehend geschilderten Art in besonders vorteilhafter
Weise eingesetzt werden können, wie
bereits erläutert.
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Wie
bereits geschildert, wird bei dieser neuen Ausbildung des Werkzeugs
die Saugwirkung auf dem Wafer effektiver; daher wird ermöglicht,
eine begrenzte Saugwirkung einzusetzen, mit vorteilhaften Auswirkungen
auf das Saugsystem 3.
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Die
Verringerung der Menge an angesaugter Reaktionskammeratmosphäre führt auch
zu vorteilhaften Auswirkungen auf das Saugsystem 3.
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Wenn
der Arm 5 des Roboters 4 im Wesentlichen aus einem
Rohr besteht, dem Rohr 6, kann dies gleichzeitig sowohl
als Halterung des Werkzeugs 7 als auch als Saugleitung
dienen.
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Vorzugsweise
weist der Arm 5 des Roboters 4 eine Platte 10 auf,
die mit einem Ende des Rohres 6 verbunden ist, und dazu
ausgebildet ist, am Werkzeug 7 angebracht zu werden, und
die mit einer inneren Leitung 11 versehen ist, die das
Rohr 6 des Arms 5 in Verbindung mit der Saugöffnung 26 der
Scheibe 20 versetzt; dies lässt sich noch besser unter
Bezugnahme auf 2 und 6 verstehen.
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Speziell
wird, wenn das Werkzeug mit einer eigenen Platte versehen ist, die
Platte 10 des Arms 5 an der entsprechenden Platte 23 des
Werkzeugs 7 angebracht (beispielsweise mit Hilfe von Schrauben).
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Um
das Werkzeug gemäß der vorliegenden Erfindung
am besten einzusetzen, muss zumindest ein Teil des Querbereichs
des Randes 103 des Wafers 100 für das Werkzeug
zugänglich
sein. In der Waschkammer 13 ist dies normal. Im Gegensatz hierzu
werden in der Reaktionskammer 2 die Wafer normalerweise
in die Taschen 12 der Halterung 9 eingelassen,
und muss daher das Werkzeug in Kontakt mit der Halterung 9 gelangen,
was einen Nachteil darstellt.
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Man
könnte
sich überlegen,
die Taschen 12 mit einer Tiefe auszubilden, die kleiner
ist als die zu behandelnden Wafer, jedoch wird, wenn der Rand des
Wafers nicht durch den Rand der Tasche maskiert wird, während der
Behandlung dieser einem beträchtlichen
Wärmeverlust
ausgesetzt, der zu kristallographischen Fehlern von dem Waferrand
aus führt, beispielsweise "Gleitlinien" und "Versetzungen".
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Wie
aus 7 und 8 hervorgeht, besteht eine vorteilhafte
Lösung
dieses Problems darin, die Tasche 12 der Halterung 9,
die zum Einsetzen von zu behandelnden Wafern 200 ausgebildet
ist, so auszubilden, dass sie aus einem ersten Hohlraum 121 und
einem zweiten Hohlraum 122 besteht, der in dem ersten Hohlraum 121 vorgesehen
ist, und einen im Wesentlichen flachen Boden aufweist, und eine solche
Form und solche Abmessungen aufweist, welche dem zu behandelnden
Wafer entsprechen.
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Wie
besonders deutlich aus 8 hervorgeht, berührt die
Scheibe 20 den Wafer 200 an seinem Rand 203,
ohne die Vorderseite 201, die Rückseite 202 oder die
Halterung 9 zu berühren;
darüber hinaus
wird der Rand 203 des Wafers 200 vollständig durch
den Rand der Tasche 12 maskiert.
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Die
Tiefe des zweiten Hohlraums 122 ist vorzugsweise geringer
als die Breite des zu behandelnden Wafers 200; da im Markt
Wafer mit relativ stark unterschiedlichen Breiten vorhanden sind,
muss in diesem Fall eine "universelle" Halterung den dicksten Wafer
berücksichtigen.
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Die
Gesamttiefe des ersten Hohlraums 121 und des zweiten Hohlraums 122 ist
vorzugsweise größer als
die Breite des zu behandelnden Wafers 200; da im Markt
Wafer mit relativ unterschiedlichen Breiten vorhanden sind, muss
in diesem Fall eine "universelle" Halterung den dicksten
Wafer berücksichtigen.
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Selbstverständlich ist
es bei der Bestimmung der Größe des Hohlraums 121 und
des Hohlraums 122 erforderlich, nicht nur sämtliche
möglichen
Formen und Abmessungen der zu behandelnden Wafer zu berücksichtigen,
sondern auch die Form und die Abmessung der Unterseite 22 der
Scheibe 20 des Werkzeugs 7.
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Mit
dem Ziel, so weit wie möglich
Verformungen in den Wafern zu vermeiden, ist es vorteilhaft, dafür zu sorgen,
dass das Saugsystem 3 so ausgebildet ist, dass es eine
Saugwirkung erzielt, die von der Waferbehandlungsphase abhängt, auf
solche Art und Weise, dass auf den behandelten Wafer beispielsweise
immer nur die minimal erforderliche Druckabsenkung einwirkt.
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Wenn
beispielsweise die Station mit einem Einlassbereich für zu behandelnde
Wafer versehen ist, entsprechend der Waschkammer 13, mit
einem Auslassbereich für
bereits behandelte Wafer, immer noch entsprechend der Waschkammer 13,
und mit einem Behandlungsbereich, entsprechend der Reaktionskammer 2,
ist es vorteilhaft, wenn das Saugsystem 3 dazu ausgebildet
ist, zur Verfügung
zu stellen:
- – eine Saugwirkung mit einem
ersten Wert während
einer Phase des Transports eines Wafers von dem Einlassbereich zu
dem Behandlungsbereich und während
einer Phase des Transports eines Wafers von dem Behandlungsbereich
zu dem Auslassbereich,
- – eine
Saugwirkung mit einem zweiten Wert während einer Phase des Aufnehmens
eines Wafers von dem Einlassbereich,
- – eine
Saugwirkung mit einem dritten Wert während einer Phase des Aufnehmens
eines Wafers von dem Behandlungsbereich;
wobei der dritte
Wert größer ist
als der zweite Wert, und der zweite Wert größer ist als der erste Wert.
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Bei
einer weniger aufwändigen
Lösung
können
nur zwei Saugwerte verwendet werden: einer zum Einladen der Wafer
in den Reaktor und einer zum Entladen der Wafer aus dem Reaktor.
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Dies
kann gerechtfertigt sein, da während der
Aufnehmungsphase immer eine Fangwirkung vorhanden ist, während derer
Trägheitsmomente
gewonnen werden. Darüber
hinaus ist zwischen der Aufnehmungsphase eines heißen Wafers
von einem Suszeptor eine bestimmte Haftung zwischen dem Wafer und
dem Suszeptor vorhanden.
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Selbstverständlich ist
es auf jeden Fall wesentlich, dass das Saugsystem 3 dazu
ausgebildet ist, eine derartige Druckabsenkung in dem Raum zwischen
der Scheibe 20 und dem behandelten Wafer 100 hervorzurufen,
dass keine Beschädigung
der Struktur oder der Oberflächen
des behandelten Wafers 100 auftritt. Beim Einsatz des Werkzeugs
gemäß der vorliegenden
Erfindung liegt die betreffende Druckabsenkung im Bereich zwischen
wenigen Millibar und einigen zehn Millibar.
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Die
Steuerung der Saugwirkung, die vom Saugsystem 3 erzeugt
wird, kann eine Steuerkette oder eine Regelung mit geschlossenem
Ein- und Ausgang sein.
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Das
Saugsystem 3 kann von jener Art sein, das auf einer Pumpe
mit einem Vakuumregler beruht, wobei das Vakuum beispielsweise durch
einen Computer programmiert werden kann.
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Angesichts
der begrenzten Flussrate, welche vom Saugsystem 3 gefordert
wird, kann dieses vorzugsweise von jener Art sein, die auf Grundlage des
Venturi-Effekts arbeitet, also von jener Art, die auf der Druckabsenkung
beruht, die in der Nähe
einer Verengung hervorgerufen wird, wenn ein Fluid fließt; in diesem
Fall wird dem System vorzugsweise ein Fluss aus Inertgas zugeführt.
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In
diesem Fall kann, wenn eine variable Saugwirkung erwünscht ist,
das Saugsystem 3 vorzugsweise eine Massenflusssteuerung
[MFC] aufweisen, die beispielsweise durch einen Computer programmierbar
ist, welcher "Einstellpunkte" sendet; eine derartige
Steuerung steuert den Fluss an Inertgas und daher die hervorgerufene
Druckabsenkung.