DE602004008877T2 - MOLEC CROSSBAR LATCH WITH CONTROLLED ENTRANCE - Google Patents
MOLEC CROSSBAR LATCH WITH CONTROLLED ENTRANCE Download PDFInfo
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Description
Technisches GebietTechnical area
Die vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf elektronische Vorrichtungen, deren Funktionslängenmaßstäbe in Nanometern gemessen werden, und insbesondere auf einen Latch zur Verwendung bei Kreuzschienenarrays, die auf gekreuzten Nanometer-Drähten basieren, die durch spannungssetzbare Schalter an den sich schneidenden Verbindungen verbunden sind.The The present invention relates generally to electronic devices. their functional length scales in nanometers measured, and in particular a latch for use Crossbar arrays based on crossed nanometer wires, by the voltage-adjustable switch on the intersecting connections are connected.
Stand der TechnikState of the art
Das Nanocomputerwesen basiert auf der Voraussetzung von Schaltern, die bei der/den Funktionsabmessung(en) einen Nanometermaßstab aufweisen. Beispiele für eine Technologie, die beim Implementieren von Nano-Schaltern verwendet wird, sind in den folgenden Dokumenten offenbart und beansprucht: US-Patent Nr. 6,459,095 mit dem Titel „Chemically Synthesized and Assembled Electronic Devices", erteilt an James R. Heath u.a. am 1. Oktober 2002; US-Patent 6,314,019 mit dem Titel „Molecular Wire Crossbar Interconnect (MWCI) for Signal Routing and Communications" erteilt an Philip J. Kuekes u.a. am 6. November 2001; Anmeldung Seriennummer 09/280,045 mit dem Titel „Molecular Wire Crossbar Logic (MWCL); eingereicht am 29. März 1999 im Namen von Philip J. Kuekes u. a.; U.S.-Patent 6,128,214 mit dem Titel „Molecular Wire Crossbar Memory" erteilt an Philip J. Kuekes u. a. am 3. Oktober 2000; und U.S.-Patent 6,256,767 mit dem Titel „Demultiplexer for a Molecular Wire Crossbar Network", erteilt an Philip J. Kuekes u. a. am 3. Juli 2001, die alle an den gleichen Anmelder wie die vorliegende Anmeldung übertragen sind.The Nano-computer engineering is based on the requirement of switches that have a nanometer scale at the functional dimension (s). examples for a technology used in implementing nano switches are disclosed and claimed in the following documents: U.S. Patent No. 6,459,095 entitled "Chemically Synthesized and Assembled Electronic Devices ", granted to James R. Heath et al. on October 1, 2002; U.S. Patent 6,314,019 entitled "Molecular Wire Crossbar Interconnect (MWCI) for Signal Routing and Communications "issued to Philip J. Kuekes et al. on 6 November 2001; Registration serial number 09 / 280,045 entitled "Molecular Wire Crossbar Logic (MWCL); filed on March 29, 1999 in the name of Philip J. Kuekes u. al .; U.S. Patent 6,128,214 entitled "Molecular Wire Crossbar Memory "granted to Philip J. Kuekes u. a. on October 3, 2000; and U.S. Patent 6,256,767 entitled "Demultiplexer for a Molecular Wire Crossbar Network ", issued to Philip J. Kuekes et al. on July 3, 2001, all to the same applicant as the present one Transfer application are.
Für ein völlig allgemeines Berechnen müssen nicht nur Logikfunktionen und Speicherfunktionen vorliegen, sondern auch die Möglichkeit, eine logische Variable in einem Speicher abzulegen und dieselbe als die Eingabe für eine andere Logikfunktion wiederzuverwenden. Dies ermöglicht es, endliche Zustandsmaschinen herzustellen und somit ein vollkommen allgemeines Berechnen durchzuführen. Ein diesbezügliches Verfahren besteht darin, einen Latch zu verwenden.For a completely general Have to calculate not only logic functions and memory functions exist, but also the possibility store a logical variable in a memory and the same as the input for to reuse another logic function. This makes it possible produce finite state machines and thus a perfect perform general computing. A related matter The method is to use a latch.
Obwohl ein derartiger Latch in der Technik des allgemeinen Berechnens bekannt ist, erfordern, da sich die Technik im Jahr 2003 weiterentwickelt hat, Fortschritte in der Technik des Nanoberechnens neue Lösungsansätze zum Entwickeln einer Latchfunktionalität im Nanometerbereich.Even though Such a latch is known in the art of general computing is required as the technology evolves in 2003 Advances in the art of nano calculation have new approaches to solution Developing a latch functionality in the nanometer range.
Die US 2003/080775 A1 offenbart ein Molekularkreuzschienenlatch mit zwei Steuerdrähten und einem Signaldraht, der die zwei Steuerdrähte in einem Winkel ungleich Null kreuzt, um dadurch einen Übergang mit jedem Steuerdraht zu bilden. Jeder Übergang bildet einen Schalter und der Übergang weist eine Funktionsabmessung in Nanometern auf. Der Signaldraht weist selektiv zumindest zwei unterschiedliche Spannungszustände auf, die von einem 0-Zustand zu einem 1-Zustand reichen, wobei eine Asymmetrie im Hinblick auf die Richtung des Stromflusses von dem Signaldraht durch einen Übergang im Vergleich zu einem anderen Übergang derart vorliegt, dass der Strom, der durch einen Übergang in den (aus dem) Signaldraht fließt, den Schalter öffnen (schließen) kann, während Strom, der durch den anderen Übergang aus dem (in den) Signaldraht fließt, den Schalter schließen (öffnen) kann, und wobei eine Spannungsschwelle zum Schalten zwischen einem offenen Schalter und einem geschlossenen Schalter vorliegt. Ferner werden Verfahren bereitgestellt zum Zwischenspeichern (Latchen) von Logikwerten auf Nanodrähte in einem Logikarray, zum Invertieren eines Logikwerts und zum Wiederherstellen eines Spannungswerts eines Signals in einem Nanometer-Maßstab-Draht.The US 2003/080775 A1 discloses a molecular cross-linker with two control wires and a signal wire which unequalizes the two control wires at an angle Zero crosses to make a transition to form with each control wire. Each transition forms a switch and the transition points a functional dimension in nanometers. The signal wire points selectively at least two different states of stress, which range from a 0 state to a 1 state, with an asymmetry with regard to the direction of current flow from the signal wire through a transition in the Compared to another transition such that the current passing through a transition flows into (out of) the signal wire, can open (close) the switch, while Electricity passing through the other transition from the (in the) signal wire flows, the switch can close (open), and wherein a voltage threshold for switching between an open Switch and a closed switch is present. Further will be Method provided for latching logic values on nanowires in a logic array, inverting a logic value and restoring a voltage value of a signal in a nanometer scale wire.
Es ist eine Aufgabe der Erfindung, einen Molekularkreuzschienenlatch, ein Verfahren zum Zwischenspeichern von Logikwerten, ein Verfahren zum Wiederherstellen eines geschwächten Spannungswerts und ein Verfahren zum Invertieren des logischen Werts eines Signals in einem Nanoschalter zu schaffen, die geeignet für eine Nanometerberechnung sind.It an object of the invention is to provide a molecular crossbar lattice, a method for latching logic values, a method to restore a weakened voltage value and a Method for inverting the logical value of a signal in one To create nanoswitches that are suitable for a nanometer calculation are.
Diese Aufgabe wird durch einen Latch gemäß Anspruch 1 und durch Verfahren gemäß Anspruch 10 und 11 gelöst.These The object is achieved by a latch according to claim 1 and by methods according to claim 10 and 11 solved.
Bislang wurde kein Latch im Nanometerbereich vorgestellt. Die vorliegende Erfindung ermöglicht, dass ein Nanometerlatch sowohl hergestellt als auch unter Verwendung der Kreuzschiene mit anderen Schaltungen integriert wird. Ferner liefert die vorliegende Erfindung im Nanometerbereich: Latchen eines beliebigen Logiksignals, Wiederherstellung einer Logiksignalstärke, mögliche Invertierung des gelatchten Ausgangssignals und Mehrfachlatches mit sehr wenigen Taktungsverbindungen zu Schaltungen außerhalb. Die Kombination der fortschreitenden Merkmale ermöglicht die Herstellung von beliebig komplexen Logikentwürfen.So far No latches in the nanometer range were presented. The present Invention allows that a nanometer latches are both made and used the crossbar is integrated with other circuits. Further provides the present invention in the nanometer range: Latchen one any logic signal, restore a logic signal strength, possible inversion of the latched output signal and multiple latches with very few Clock connections to circuits outside. The combination of progressive characteristics the production of arbitrarily complex logic designs.
Kurze Beschreibung der ZeichnungenBrief description of the drawings
Beste Ausführungen der ErfindungBest embodiments of the invention
Definitionendefinitions
Der Ausdruck „selbstangeordnet", wie derselbe hier verwendet wird, bezieht sich auf ein System, das von selbst aufgrund der Identität der Komponenten des Systems ein bestimmtes geometrisches Muster annimmt; das System erreicht durch die Annahme dieser Konfiguration zumindest ein lokales Minimum bezüglich seiner Energie.Of the Expression "self-arranged", as the same here is used refers to a system that by itself due the identity the components of the system a certain geometric pattern adopts; the system achieves by adopting this configuration at least a local minimum regarding its energy.
Der Ausdruck „einfach konfigurierbar" bedeutet, dass ein Schalter seinen Zustand nur einmal über einen unumkehrbaren Prozess, wie z. B. eine Oxidations- oder Reduktionsreaktion, verändern kann; ein derartiger Schalter kann z. B. die Grundlage eines programmierbaren Nur-Lese-Speichers (PROM) sein.Of the Expression "simple configurable "means that a switch will switch its state only once through an irreversible process, such as B. an oxidation or reduction reaction, can change; such a switch can, for. B. the basis of a programmable Read-only memory (PROM).
Der Ausdruck „wieder konfigurierbar" bedeutet, dass ein Schalter seinen Zustand mehrere Male über einen umkehrbaren Prozess, wie z. B. eine Oxidation oder Reduktion, verändern kann; in anderen Worten kann der Schalter mehrere Male geöffnet und geschlossen werden, wie z. B. die Speicherbits bei einem Direktzugriffsspeicher (RAM) oder ein Farbpixel bei einer Anzeige.Of the Expression "again configurable "means that a switch its state several times through a reversible process, such as As an oxidation or reduction, can change; in other words the switch can be opened and closed several times, such as B. the memory bits in a random access memory (RAM) or a color pixel in a display.
Der Ausdruck „bistabil", wie derselbe bei einem Molekül angewandt wird, bedeutet ein Molekül, das zwei relativ niedrige Energiezustände aufweist, die durch eine Energie-(oder Aktivierungs-)Barriere getrennt sind. Das Molekül kann entweder unumkehrbar von einem Zustand zu dem anderen umgeschaltet werden (einfach konfigurierbar) oder umkehrbar von einem Zustand zu dem anderen geschaltet werden (wieder konfigurierbar).The term "bistable," as applied to a molecule, means a molecule that has two relatively low energy states that are trapped by an energy (or activation) barrier are separated. The molecule can either be switched irreversibly from one state to the other (easily configurable) or reversibly switched from one state to the other (reconfigurable).
Mikrometerabmessungen beziehen sich auf Abmessungen, die sich in einem Größenbereich von 1 μm bis zu einigen wenigen Mikrometern bewegen.Micrometer dimensions refer to dimensions that are in a size range of 1 μm to move up to a few microns.
Submikrometerabmessungen beziehen sich auf Abmessungen, die in einem Bereich von 1 μm bis zu 0,05 μm liegen.submicron refer to dimensions ranging from 1 μm up to 0.05 μm lie.
Nanometerabmessungen beziehen sich auf Abmessungen, die in einem Bereich von 0,1 nm bis 50 nm (0,05 μm) liegen.Nanometer dimensions refer to dimensions ranging from 0.1 nm to 50 nm (0.05 μm) lie.
Mikrometer- und Submikrometerdrähte beziehen sich auf staboder bandförmige Leiter oder Halbleiter mit Breiten oder Durchmessern, die die Abmessungen von 0,05 bis 10 μm aufweisen, Höhen, die in einem Bereich von einigen wenigen zig Nanometern bis zu 1 μm liegen können, und Längen von mehreren Mikrometern und länger.micrometer and submicron wires refer to rod or band-shaped Conductors or semiconductors with widths or diameters that are the dimensions from 0.05 to 10 microns have, heights that in a range of a few tens of nanometers to 1 micron can, and lengths of several microns and longer.
Wie er hierin verwendet wird, bedeutet der Ausdruck „elektrisch verbunden", dass die Spannung an einer Seite der Verbindung die Spannung auf der anderen Seite der Verbindung wesentlich (im Hinblick auf die Logikfunktion) beeinflussen kann.As As used herein, the term "electrically connected" means that the voltage is at one side of the connection the tension on the other side of the Significantly affect connection (in terms of logic function) can.
Vorliegende ErfindungPresent invention
Die vorliegende Erfindung ermöglicht es, Latches aus Kreuzschienenschaltern herzustellen. Kreuzschienenschalter sind in den im Vorhergehenden aufgelisteten Patentanmeldungen und erteilten Patenten offenbart.The present invention enables to make latches from crossbar switches. Crossbar switch are in the above-listed patent applications and granted patents.
Die
Grundfunktionalität,
die notwendig ist, um einen Latch herzustellen, besteht darin, zwischen einer
Spannungsdarstellung eines logischen Wertes (Logik) und einer Schalterdarstellung
eines logischen Wertes (Speicher) hin- und herwechseln zu können. Die
Jeder Übergang
Beispiele für bistabile Moleküle, die ein Umschalten bei einer elektrochemischen Reaktion (Reduktion-Oxidation oder „Redox") durchführen, umfassen die Rotaxane, Pseudo-Rotaxane, Katenane und Spiropyrane. Derartige bistabile Moleküle können in der Praxis der vorliegenden Erfindung verwendet werden.Examples of bistable molecules that perform switching in an electrochemical reaction (reduction-oxidation or "redox") include the rotaxanes, pseudo-rotaxanes, catenanes and spiropyrans. Such bistable molecules can be used in the practice of the present invention become.
Die
Funktionalität
der asymmetrischen Schalter
Die
interessierende Variation, die das Kernstück der vorliegenden Erfindung
darstellt, besteht darin, dass bedingte Öffnen- oder Schließen-Pulse erzeugt
werden können,
wie es in
Der
Latch
Das Öffnen und
Schließen
des Schalters
Die
Die
Die
Sequenz von Spannungen ist in den
Die Spannungssequenz weist drei Schritte auf:
- (1)
Beide Schalter
128 und228 unbedingt öffnen (8a ). - (2) Schalter
128 bedingt schließen, falls S = 1; Schalter228 bedingt schließen, falls S = 0 (8b ). - (3) Draht
130 mit dem Spannungspegel einer logischen 1 verbinden (9a ); Draht230 mit dem Spannungspegel einer logischen 0 verbinden (9b ).
- (1) Both switches
128 and228 necessarily open (8a ). - (2) switch
128 conditionally close if S = 1; switch228 conditionally close if S = 0 (8b ). - (3) wire
130 connect to the voltage level of a logical 1 (9a ); wire230 connect to the voltage level of a logical 0 (9b ).
Schritt
2 kann für
beide Schalter simultan erfolgen, wie es in
Die
vorliegende Erfindung liefert auch eine Logikinvertierungsfunktion.
Bei dem letzten Schritt (3) kann, falls durch ein Wählen, die
Spannungen umzukehren, umgekehrt wird, welcher Draht hochgezogen
und welcher Draht heruntergezogen wird, ein Signal durch ein Latchen
desselben invertiert werden. Durch ein Setzen des Drahtes
Wie
es in den
Gesteuerter Eingang.Controlled entrance.
Bei
vielen Anwendungen eines Latch ist es wünschenswert, in der Lage zu
sein, den Logikwert der Eingabe in den Latch zu ändern, nachdem das Signal gelatcht
ist, während
der gelatchte Wert beibehalten wird.
Für diesen
Fall eines gesteuerten Eingangs muss der Draht
Alle der drei obigen Funktionen des Latchs (Latchen, Wiederherstellen und Invertieren) können mit dem hierin offenbarten Gattermechanismus kombiniert sein. Zwei Sequenzschritte (1a) und (3') werden für diese Funktionen zu der oben erwähnten Dreischrittsequenz hinzugefügt.All of the three above functions of the latch (Latch, Restore and inverting) can with be combined with the gate mechanism disclosed herein. Two sequence steps (1a) and (3 ') for this Functions for the above-mentioned three-step sequence added.
Ausführen der Latchsequenz mit sechs Schritten:
- (1) Beide
Schalter
128 und228 unbedingt öffnen (8a ). - (1a) Die erste Gatterspannung an den Gatterdraht
60 anlegen, um den Eingang132a mit dem Latch132b zu verbinden. - (2a) Bedingtes Schließen
des Schalters
128 , wenn S = 1. - (2b) Bedingtes Schließen
des Schalter
228 , wenn S = 0 (8b ). - (3') Anlegen
einer zweiten Gatterspannung an den Gatterdraht
60 , um den Eingang132a von dem Latch132b abzutrennen. - (3) Draht
130 mit dem Spannungspegel einer logischen 1 verbinden (9a ); Draht230 mit dem Spannungspegel einer logischen 0 verbinden (9b ).
- (1) Both switches
128 and228 necessarily open (8a ). - (1a) The first gate voltage to the gate wire
60 create to the entrance132a with the latch132b connect to. - (2a) Conditional closing of the switch
128 if S = 1. - (2b) Conditional closing of the switch
228 if S = 0 (8b ). - (3 ') Apply a second gate voltage to the gate wire
60 to the entrance132a from the latch132b separate. - (3) wire
130 connect to the voltage level of a logical 1 (9a ); wire230 connect to the voltage level of a logical 0 (9b ).
Alternativ
können
Schritte (1) und (1a) zu einem Schritt verbunden werden oder Schritte
(3) und (3') können zu
einem Schritt verbunden werden. Dies reduziert die Anzahl von Schritten
auf Kosten eines möglichen
kurzen „Störimpulses" oder inkorrekten Werts
an dem Signaldraht
Wo
die Kanalregion
Eine
alternative Implementierung der Vorrichtung aus
Der
Gatterdraht
In
diesem Fall erfordert der gesteuerte Eingang nicht, dass der Signaldraht
Es
besteht eine Anzahl von Möglichkeiten zum
Herstellen von elektrischen Verbindungen. Eine Möglichkeit ist, konfigurierbare
(programmierbare) Verbindungen unter Verwendung bistabiler Moleküle herzustellen.
Ein bevorzugtes Verfahren zum Herstellen einer solchen Verbindung
ist, wenn der Übergang
Ein weiteres Beispiel zum Herstellen von konfigurierbaren Verbindungen basiert auf molekularen Systemen, die auf Bandlückenänderungen basieren, die durch ein elektrisches Feld induziert werden. Ein Beispiel von molekularen Systemen, die durch ein elektrisches Feld induzierte Bandlückenänderungen umfassen, ist offenbart und beansprucht in der Patentanmeldung Seriennummer 09/823,195, eingereicht am 29. März 2001.One another example of making configurable connections is based on molecular systems based on band gap changes generated by an electric field can be induced. An example of molecular Systems, the band-gap induced by an electric field is disclosed and claimed in the patent application serial number 09 / 823,195, filed March 29 2,001th
Beispiele von Molekülen, die bei dem Lösungsansatz der durch das elektrische Feld induzierten Bandlückenänderung verwendet werden, umfassen Moleküle, die Folgendes aufweisen:
- (1) molekulare Konformationsänderung oder eine Isomerisierung;
- (2) Änderung einer erweiterten Konjugation über eine Änderung einer chemischen Verbindung, um die Bandlücke zu ändern; oder
- (3) molekulares Falten oder Strecken.
- (1) molecular conformational change or isomerization;
- (2) changing an extended conjugation via a chemical compound change to change the bandgap; or
- (3) molecular folding or stretching.
Ein Ändern der erweiterten Konjugation über die Änderung einer chemischen Verbindung, um die Bandlücke zu ändern, kann auf eine der nachfolgenden Weisen erreicht werden:
- (2a) Ladungs-Trennung- oder -Neukombination begleitet von einer ansteigenden oder abnehmenden Bandlückenlokalisierung; oder
- (2b) Ändern der erweiterten Konjugation über eine Ladungs-Trennung oder -Neukombination und π-Verbindungs-Unterbrechung oder -Bildung.
- (2a) charge separation or recombination accompanied by increasing or decreasing bandgap localization; or
- (2b) Altering the extended conjugation via charge separation or recombination and π-connection disruption or formation.
Alternativ können permanente (nicht programmierbare) Verbindungen in der Praxis der verschiedenen Ausführungsbeispiele hierin eingesetzt werden. Ein Beispiel dieses Lösungsansatzes umfasst die Verwendung von Mehr-Ebenen-Verbindungen, wie sie z. B. durch Eindrucktechniken erzeugt werden. Diese Referenz umfasst eine Form mit einem hervorstehenden Muster, das in einen dünnen Polymerfilm über einen Eindruckprozess gepresst ist. Gesteuerte Verbindungen zwischen Nanodrähten und Mikrodrähten und anderen lithogra phisch hergestellten Elementen einer elektronischen Schaltungsanordnung sind vorgesehen. Ein Eindruckstempel ist konfiguriert, um Arrays aus ungefähr parallelen Nanodrähten zu bilden, die (1) Mikroabmessungen in der X-Richtung, (2) Nanoabmessungen und eine Nano-Beabstandung in der Y-Richtung und drei oder mehr unterschiedliche Höhen in der Z-Richtung aufweisen. Der somit gebildete Stempel kann verwendet werden, um spezifische individuelle Nanodrähte mit spezifischen mikroskopischen Regionen aus mikroskopischen Drähten oder Anschlussflächen zu verbinden. Das hervorstehende Muster in der Form erzeugt eine Aussparung in dem dünnen Polymerfilm, so dass die Polymerschicht die Umkehrung des Musters auf der Form annimmt. Nachdem die Form entfernt wird, wird der Film derart verarbeitet, dass das Polymermuster auf ein Metall/Halbleiter-Muster auf dem Substrat übertragen werden kann.alternative can permanent (non-programmable) connections in the practice of various embodiments used herein. An example of this approach includes use of multi-level connections, as they are z. B. generated by imprinting techniques. This reference includes a mold with a protruding pattern, which in a thin polymer film over one Impression process is pressed. Controlled connections between nanowires and microwires and other lithographically produced elements of an electronic Circuitry are provided. An imprint stamp is configured around arrays out of about parallel nanowires to form (1) micro dimensions in the X direction, (2) nano dimensions and a nano-spacing in the Y direction and three or more different ones Heights in have the Z direction. The stamp thus formed can be used to specific individual nanowires with specific microscopic Regions of microscopic wires or pads connect to. The protruding pattern in the shape creates a Recess in the thin Polymer film, so that the polymer layer on the reversal of the pattern takes the form. After the mold is removed, the film becomes processed so that the polymer pattern on a metal / semiconductor pattern transferred to the substrate can be.
Die vorangehenden verschiedenen Verbindungs-Ansätze sind ausschließlich exemplarisch und die vorliegenden Ausführungsbeispiele sind nicht nur auf diese bestimmten Verbindungsschemen beschränkt.The preceding various connection approaches are exemplary only and the present embodiments are not limited to these specific connection schemes.
Im
Gegensatz zu
Wo
die Kanalregion
Bei
einem bevorzugten Ausführungsbeispiel weisen
die zwei Steuerdrähte
Bei
einem anderen bevorzugten Ausführungsbeispiel
ist zumindest entweder der Gatterdraht
Gewerbliche AnwendbarkeitIndustrial Applicability
Es wird erwartet, dass der hier offenbarte Molekularkreuzschienenlatch bei Nanorechenarchitekturen Verwendung findet. Mit einem Latch können endliche Zustandsmaschinen erzeugt werden. Eine endliche Zustandsmaschine ist ausreichend leistungsfähig, um grundsätzlich jede Funktion zu berechnen. Ohne einen Latch im Nanobereich stünde nur eine kombinatorische Logik zur Verfügung, die keine absolut allgemeine Berechnung durchführen kann.It It is expected that the molecular crossbar lattice disclosed herein in nanorechenarchitekturen use finds. With a Latch can be finite State machines are generated. A finite state machine is sufficiently powerful, in principle to calculate every function. Without a nano-scale latch would only a combinational logic available that is not absolutely general Calculation can perform.
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