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HINTERGRUND
DER ERFINDUNG
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1. Gebiet
der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft im Allgemeinen Systeme und Verfahren
zum chemisch-mechanischen Polieren (CMP) zum Verbessern der Leistungsfähigkeit
und der Effektivität
von CMP-Vorgängen.
Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung CMP-Systeme, die
ein bandförmiges
Abrichtmedium zum Abrichten der Oberflächen eines Kissens verwenden.
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2. Beschreibung der verwandten
Technik
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Bei
der Herstellung von Halbleiterbauelementen besteht ein Bedarf, CMP-Vorgänge durchzuführen, einschließlich Polieren,
Glanzschleifen und Wafer-Reinigen.
Typischerweise sind Bauelemente mit integrierten Schaltkreisen in
Form von Strukturen mit mehreren Ebenen aufgebaut. Auf der Substratebene
sind Transistorbauelemente mit Diffusionsbereichen gebildet. Auf
anschließenden
Ebenen sind metallisierte Verbindungsleitungen ausgebildet und mit
den Transistorbauelementen elektrisch verbunden, um das gewünschte Funktionsbauelement
zu erhalten. Wie allgemein bekannt ist, sind strukturierte leitende
Schichten von anderen leitenden Schichten durch dielektrische Materialien,
wie zum Beispiel Siliziumdioxid, isoliert. Auf jeder metallisierten
Ebene und/oder der zugehörigen
dielektrischen Schicht besteht die Notwendigkeit, das Metall und/oder
das dielektrische Material zu planarisieren. Ohne Planarisierung
wird die Fertigung von zusätzlichen
metallisierten Schichten, bedingt durch die größeren Schwankungen in der Oberflächentopographie,
erheblich schwieriger.
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Bei
anderen Anwendungen werden metallisierte Leitungsstrukturen in dem
dielektrischen Material gebildet, und dann werden Metall-CMP-Vorgänge durchgeführt, um
die überschüssige Metallisierung zu
entfernen.
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CMP-Systeme
umfassen typischerweise Band-, Umlauf- oder Bürstenstationen, in denen Bänder, Kissen
oder Bürsten
verwendet werden, um eine oder beide Seiten eines Wafers zu polieren,
glanzzuschleifen oder zu schrubben. Ein Aufschlämmmaterial wird verwendet,
um den CMP-Vorgang zu vereinfachen und zu verstärken. Das Aufschlämmmaterial wird üblicherweise
auf eine sich bewegende Bearbeitungsfläche, beispielsweise ein Band,
ein Kissen, eine Bürste
und ähnliches,
aufgebracht und sowohl auf der Bearbeitungsfläche als auch auf der Oberfläche des
Halbleiter-Wafers verteilt, der poliert, glanzgeschliffen oder auf
andere Weise mit dem CMP-Vorgang bearbeitet werden soll. Die Verteilung
wird im Allgemeinen durch eine Kombination aus der Bewegung der
Bearbeitungsfläche,
der Bewegung des Halbleiter-Wafers und der zwischen dem Halbleiter-Wafer
und der Bearbeitungsfläche
erzeugten Reibung bewirkt.
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1 zeigt
ein beispielhaftes CMP-System 100 nach dem Stand der Technik.
Das CMP-System 100 von 1 ist ein
System vom Bandtyp, das so bezeichnet wird, weil die Bearbeitungsfläche ein
endloses Polierkissen 108 ist, das auf zwei Trommeln 114 angeordnet
ist, die das Polierband 108 in einer Drehrichtung bewegen,
wie sie von den Richtungspfeilen 116 für die Polierkissenrotation
angedeutet ist. Auf einem Träger 104 ist
ein Wafer 102 angeordnet. Der Träger 104 wird in Richtung 106 gedreht.
Der sich drehende Wafer 102 wird dann gegen das rotierende
Polierkissen 108 gedrückt.
Einige CMP-Verfahren erfordern die Aufwendung einer erheblichen Kraft
F. Zum Stabilisieren des Polierkissens 108 und um eine
feste Oberfläche
vorzusehen, gegen die der Wafer 102 gedrückt wird,
ist eine Platte 112 vorgesehen. Ein Aufschlämmmaterial 118,
das typischerweise aus einer wässrigen
Lösung
mit darin verteilten abrasiven Partikeln (z.B. SiO2,
Al2O3, CeO3 usw.) besteht, wird dem Wafer 102 vorgeschaltet
zugeführt. Der
Vorgang des Schrubbens, Polierens und Glanzschleifens der Oberfläche des
Wafers kann entweder unter Verwendung eines Polierkissens mit nicht
fixiertem Schleifmittel oder unter Verwendung eines Polierkissens
mit fixiertem Schleifmittel durchgeführt werden. Die Konditionierung
der Polierkissen mit nicht fixiertem Schleifmittel unterscheidet
sich aufgrund der unterschiedlichen Charakteristika in gewissem
Umfange von der Konditionierung der Polierkissen mit fixiertem Schleifmittel.
Nachstehend werden kurze Beschreibungen der Konditionierung von
Polierkissen mit nicht fixiertem Schleifmittel und von Polierkissen
mit fixiertem Schleifmittel gegeben.
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Die
Polierkissen mit nicht fixiertem Schleifmittel bestehen aus porösen oder
faserigen Materialien und festen abrasiven Partikeln, die in Form
einer wässrigen
Lösung
(auch als Aufschlämmung
bekannt) in das System eingebracht werden. Wie in 1 gezeigt
ist, wird die Konditionierscheibe 122 der Konditionieranordnung 110 gegen
die Oberfläche des
Polierkissens 108 mit nicht fixiertem Schleifmittel gedrückt, nachdem
der Wafer 102 mit dem Polierkissen 108 mit nicht
fixiertem Schleifmittel poliert worden ist, so dass die Rückstände entfernt
werden, die aus abrasiven Partikeln der Aufschlämmung und aus von dem Wafer 102 entfernten
Partikeln bestehen (und die die poröse Oberfläche des Kissens 108 verstopfen).
Wie in der Querschnittsansicht einer Konditionieranordnung 110 in 1A-1 gezeigt ist, umfasst die Oberfläche einer
Konditionierscheibe 122 einen diamantbesetzten Bereich 124.
Das Polierkissen 108 mit nicht fixiertem Schleifmittel
wird konditioniert, indem die Konditionierscheibe 122 und
damit der diamantbesetzte Bereich 124 entlang einer Führungsschiene 123 und
damit über
die Polierfläche des
Polierkissens 108 mit nicht fixiertem Schleifmittel bewegt
werden. Bei CMP-Systemen mit Polierkissen mit nicht fixiertem Schleifmittel
entfernt die Konditionierscheibe 122 dementsprechend partikelförmige Materialien
und die anhaftenden Materialien der Aufschlämmung von der Oberfläche des
Polierkissens 108 mit nicht fixiertem Schleifmittel, so
dass das Polierkissen 108 mit nicht fixiertem Schleifmittel
gereinigt und aufgeraut wird und eine frische Schicht des Polierkissens
mit nicht fixiertem Schleifmittel freigelegt wird.
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Normalerweise
können
Konditionierscheiben mit unterschiedlichen Größen verwendet werden, um die
Oberfläche
des Polierkissens 108 mit nicht fixiertem Schleifmittel
zu konditionieren. Weiterhin können die
Konditionierscheiben abrasive Partikel in verschiedenen Größen aufweisen,
da einige Polierkissen mit nicht fixiertem Schleifmittel eine Konditionierung
mit besonders feinen abrasiven Partikeln erfordern. Ein Beispiel
für abrasive
Partikel wird durch diamantbesetzte Bereiche definiert, die auf
den Trägerscheiben
unter Verwendung verschiedener Verbindungstechnologien fixiert sind.
Ein allgemeines Problem bei der Verwendung von diamantbesetzten
Bereichen zum Konditionieren der Polierkissen mit nicht fixiertem
Schleifmittel besteht jedoch darin, dass Diamanten aus den diamantbesetzten
Bereichen herausfallen. Wie in 1A-2 gezeigt
ist, fallen Diamanten 124' aus
einem diamantbesetzten Bereich 124 durch starken Verschleiß der Konditionierscheibe 122 heraus.
Weiterhin tritt das Herausfallen der Diamanten 124' unabhängig von
der Größe der Trägerscheiben 122 und
der Größe der Diamanten 124' im diamantbesetzten
Bereich 124 sowie unabhängig von
der zum Fixieren der diamantbesetzten Bereiche 124 auf
den Konditionierscheiben 122 verwendeten Technologie auf.
Die heraus gefallenen Diamanten 124' könnten auf dem Polierkissen 108 verbleiben, könnten während des
Poliervorganges zwischen dem Polierkissen 108 und dem Wafer 102 festgehalten
werden und könnten
die Oberfläche
des zu polierenden Wafers 102 zerkratzen.
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Eine
weitere Herausforderung bei der Verwendung von Konditionierscheiben
mit diamantbesetzten Bereichen besteht darin, diamantbesetzte Bereiche
mit sehr kleinen Diamanten instand zu halten. Sogar nach einer kurzen
Einsatzzeit der Konditionierscheibe lösen sich diese Diamanten leicht.
Sogar kleine Diamanten, die während
des Polierens lose auf einem Kissen liegen, können dazu führen, dass die Oberfläche des
Halbleiter-Wafers stark verkratzt wird. Dies kann zu elektrischen
Kurzschlüssen in
den elektronischen Schaltkreiselementen führen und kann den Ausfall einiger
Elemente auf dem Wafer zur Folge haben. Hierdurch wird die Produktionsausbeute
erheblich reduziert. Aus diesem Grunde sollten Konditionierscheiben
oft ersetzt werden, um starken Verschleiß zu vermeiden. In jedem dieser Fälle wird
die Rate, mit der die Partikel und die anhaftende Aufschlämmung entfernt
werden, durch das Herausfallen der Diamanten 124' und den intensiven Verschleiß der Konditionierscheibe
reduziert. Die Gesamtzahl der Defekte und das feine Zerkratzen der Wafer
während
des CMP-Vorganges werden durch die Partikel und die Aufschlämmung ebenfalls
erhöht. Darüber hinaus
ist das Ersetzen der kompletten Konditionierscheibe sehr unpraktisch
und zeitraubend. Zusätzlich
muss das CMP-System abgeschaltet werden, um den Ersatz der kompletten
Konditionierscheibe oder der heraus gefallenen Diamanten zu ermöglichen,
so dass der Gesamtdurchsatz des CMP-Systems verringert wird.
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Ein
spezieller Typ eines Polierkissens, der eine Konditionierung durch
besonders feine abrasive Materialien erfordert, ist ein Polierkissen
mit fixiertem Schleifmittel. 1B-1 zeigt
ein Polierkissen 108 mit fixiertem Schleifmittel mit einer
fixierten abrasiven Polierschicht. Mehrere dreidimensionale zylindrische Vorsprünge, die
als "Säulen" 108' bezeichnet
werden, erstrecken sich über
die Oberfläche
dieser Art von Polierkissen und sind darin eingebettet. Jede Säule 108' kann einen
Durchmesser von ungefähr 200
Mikrometern und eine Höhe
von ungefähr
40 Mikrometern aufweisen. Die Querschnittsansicht des Polierkissens
mit fixiertem Schleifmittel von 1B-2 zeigt,
dass jede Säule 108' eine Vielzahl von
abrasiven Partikeln 108a enthält. Weiterhin ist auf dem Polierkissen 108 mit
fixiertem Schleifmittel eine Vielzahl von Bereichen 108b gezeigt,
die die Säulen
voneinander trennen. Dementsprechend wird der Wafer 102 bei
CMP-Systemen, bei denen Polierkissen 108 mit fixiertem
Schleifmittel verwendet werden, durch die an dem polierenden Übergangsbereich
auftretende Reibung zwischen den eingebetteten abrasiven Partikeln 108a und
der Oberfläche
des Wafers 102 poliert.
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Weiterhin
kann bei einigen CMP-Systemen mit fixiertem Schleifmittel zusätzliches
Aufschlämmmaterial
auf den polierenden Übergangsbereich
aufgebracht werden, um den Planarisiervorgang zu verbessern und
zu beschleunigen. Wie in 1B-3 gezeigt
ist, besteht jede Säule 108' mit fixiertem
Schleifmittel aus einer polymeren Matrix mit einer gewünschten
Härte,
und die abrasiven Partikel 108a sind in jede der Säulen 108' eingebettet
(d.h. fixiert). Damit die Säule 108' ihre Polierarbeit
auf dem Halbleitersubstrat (d.h. dem Wafer 102) durchführen kann,
muss eine oberste Schicht 111 der polymeren Matrix entfernt
werden, um frische eingebettete Partikel 108a des fixierten
Schleifmittels freizulegen, die dann in Kontakt mit der Oberfläche des
Wafers 102 gebracht werden können. Das Polierkissen 108 mit
fixiertem Schleifmittel muss daher konditioniert werden, so dass
die polymere Schicht 111 vom oberen Ende der Säulen 108' entfernt wird,
um frische fixierte abrasive Partikel 108a freizulegen.
Demgemäß bezweckt
die Konditionierung des Polierkissens mit fixiertem Schleifmittel
ein "Abrichten" des Polierkissens
mit fixiertem Schleifmittel, indem frische abrasive Partikel freigelegt
werden. Das Konditionieren des Polierkissens mit fixiertem Schleifmittel,
das durch das Entfernen der obersten Schicht 111 der polymeren
Matrix der Säulen
des Polierkissens mit fixiertem Schleifmittel erfolgt, um frische
Partikel des fixierten Schleifmittels freizulegen, wird nachfolgend
als "Abrichten" bezeichnet.
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Das
Abrichten des Polierkissens 108 mit fixiertem Schleifmittel
wird gegenwärtig
durch die Bewegung der topographischen Strukturmerkmale des Wafers 102 erreicht.
Wie in 1B-4 dargestellt ist, drückt der
Träger 104 den
Wafer 102 gegen das Polierkissen 108 mit fixiertem
Schleifmittel. In 1B-4 sind weiterhin die Kanten
einer Vielzahl von topographischen Strukturmerkmalen 102a dargestellt.
Durch die Reibung zwischen dem Polierkissen 108 mit fixiertem
Schleifmittel und den Strukturmerkmalen 102a des Wafers,
kommen die Kanten der topographischen Strukturmerkmale 102a in
Kontakt mit der obersten Schicht 111 der polymeren Matrix,
so dass die oberste Schicht 111 der polymeren Matrix der Säulen 108' entfernt wird,
wodurch frische abrasive Partikel 108a freigelegt werden.
Dies führt
dazu, dass das Abrichten des Polierkissens mit fixiertem Schleifmittel
und damit der chemisch-mechanische Poliervorgang vom topographischen
Muster des Wafers abhängig
sind. Genauer gesagt, ist das Abrichten des Polierkissens 108 mit
fixiertem Schleifmittel von der Größe der Strukturmerkmale 102a relativ
zu den Säulen 108a und
von der Anzahl der Kanten der Strukturmerkmale 102a abhängig, die
sich über
einen bestimmten Zeitraum quer über
jede der Säulen 108a bewegen.
In Situationen, in denen die Abmessungen der Wafermerkmale 102a klein
sind, wird das Polierkissen 108 mit fixiertem Schleifmittel
daher sehr schnell konditioniert. In Situationen, in denen die Breite
der Wafermerkmale 102a mehr als ungefähr 10 μm beträgt, wird das Polierkissen mit
fixiertem Schleifmittel jedoch mit einer erheblich niedrigeren Geschwindigkeit
konditioniert. Die Abhängigkeit
der Geschwindigkeit, mit der die oberste Schicht der polymeren Matrix
der Säulen
des Polierkissens mit fixiertem Schleifmittel entfernt wird, von
der Größe und/oder
der Dichte der Strukturmerkmale des Wafers kann daher eine wichtige
Rolle spielen, wenn bei der Durchführung von chemisch-mechanischen
Poliervorgängen
von der Verwendung von Polierkissen mit fixiertem Schleifmittel
abgeraten wird.
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Eine
Lösung
des Problems könnte
darin bestehen, das Abrichten des Polierkissens mit fixiertem Schleifmittel
aus dem Polierschritt beim chemisch-mechanischen Polieren auszukoppeln.
Bei einer derartigen Situation kann das Abrichten des Polierkissens
mit fixiertem Schleifmittel durch die Verwendung eines externen
Abrichtmediums erreicht werden, das besonders feine abrasive Partikel
aufweist, die den Strukturmerkmalen ähnlich sind, die häufig auf
der Oberfläche
von zu polierenden Wafern zu finden sind. Die Polierkissen mit fixiertem
Schleifmittel weisen Träger
aus Mylar und abrasive Partikel auf, die erheblich kleiner als 1 μm sind und
die vorzugsweise einen Durchmesser von ungefähr 0,1 μm aufweisen. Es können Diamantscheiben
gefertigt werden, die Diamanten aufweisen, die klein genug sind,
um schonende Konditionierarbeiten an den oben genannten Kissen mit
fixiertem Schleifmittel durchzuführen.
Die Herstellung derartiger Diamantabrichtscheiben ist jedoch nicht
lohnenswert, da die Diamantabrichtscheiben relativ schnell verschleißen und
damit ihre Effektivität
verlieren. Die Diamantabrichtscheiben müssen daher bereits dann ausgetauscht
werden, nachdem das Polierkissen mit fixiertem Schleifmittel erst
einige Wafer poliert hat. Indem die Diamantabrichtscheiben weiterhin
komplett gegen frische Scheiben ausgetauscht werden müssen, ist
es erforderlich, das CMP-System
abzuschalten, so dass die Durchsatzleistung verringert wird. Darüber hinaus
kann der Vorgang des Austauschens sehr zeitraubend und arbeitsintensiv
sein.
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Angesichts
der vorstehenden Ausführungen besteht
auf dem Gebiet ein Bedarf an einer Konditionieranordnung zur Verwendung
bei chemisch-mechanischen Poliersystemen, die eine Konditionierung eines
Polierkissens, das zum Polieren der Oberflächen eines Wafers verwendet
wird, ermöglicht,
wobei die Konditionieranordnung preiswerter gewartet werden kann
und nach der Verwendung effektiver wiederhergestellt werden kann,
wenn das Konditioniermaterial die Effektivität des Konditioniervorganges herabsetzt.
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ZUSAMMENFASSUNG
DER ERFINDUNG
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Allgemein
gesprochen, erfüllt
die vorliegende Erfindung diese Anforderungen, indem sie eine Vorrichtung
und damit zusammenhängende
Verfahren bereitstellt, um die Polierfläche eines Polierkissens effektiv
zu konditionieren.
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Gemäß der vorliegenden
Erfindung ist eine Abrichtvorrichtung für Polierkissen zur Verwendung in
einer Vorrichtung für
das chemisch-mechanische Polieren gemäß Anspruch 1 vorgesehen.
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Die
CMP-Vorrichtung ist vorzugsweise so konstruiert, dass sie ein Abrichtmedium
aufweist, das preiswerter instand zu halten ist und das nach Verlust seiner
Effektivität
beim Konditionieren effizienter gewartet werden kann. In bevorzugten
Ausführungsformen
ist das Abrichtmedium zwischen einer Zufuhrwalze und einer Aufnahmewalze
angeordnet. Es ist selbstverständlich,
dass die vorliegende Erfindung auf zahlreiche Arten durchgeführt werden
kann. Mehrere Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung werden nachstehend beschrieben.
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In
einer Ausführungsform
ist eine Konditioniervorrichtung für ein Polierkissen zur Verwendung in
einer Vorrichtung für
das chemisch-mechanische Polieren (CMP) offenbart. Die Konditioniervorrichtung
für ein
Polierkissen umfasst ein bandförmiges Abrichtmedium
mit einer Kontaktfläche,
die zwischen einem ersten Punkt und einem zweiten Punkt definiert
ist. Der erste Punkt ist zum zweiten Punkt beabstandet. Das bandförmige Abrichtmedium
ist so ausgebildet, dass es über
einem Polierkissen mit fixiertem Schleifmittel platziert werden
kann, so dass die Kontaktfläche
des bandförmigen
Abrichtmediums gegen die abrasive Polierfläche des Polierkissens mit fixiertem
Schleifmittel gedrückt
werden kann. Die Konditioniervorrichtung für Polierkissen weist weiterhin eine
Druck ausübende
Beaufschlagungsplatte auf, die so ausgebildet ist, dass sie gegen
eine Beaufschlagungsfläche
des bandförmigen
Abrichtmediums gedrückt
werden kann.
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Die
Vorteile der bevorzugten Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung sind zahlreich. Besonders erwähnenswert
ist, dass ein Vorrat des Konditioniermediums zwischen einer Zufuhrwalze und
einer Aufnahmewalze in einem Bandführungssystem anstelle einer
scheibenartigen oder linearen Kissenkonditioniervorrichtung zur
Verfügung
steht. Somit kann der Austausch verbrauchter Abschnitte des Konditioniermediums
gegen frische Abschnitte des Konditioniermediums unter Anwendung
eines nur minimalen Aufwandes und in einer bedeutend kürzeren Zeitspanne
durchgeführt
werden. Weiterhin kann das Konditioniermedium leicht und schnell
erneut zugeführt
werden, so dass die erforderliche Zeitspanne minimiert wird, während der
das chemisch-mechanische Poliersystem abgeschaltet werden muss,
wodurch sich nur minimale Auswirkungen auf die Durchsatzleistung
des Systems ergeben. Darüber
hinaus ermöglichen
die programmierbaren Anzeigemerkmale der Vorrichtung und der Verfahren gemäß der vorliegenden
Erfindung eine gleichmäßige Konditionierung
des Kissens, bezogen auf die Zeit, was weiterhin die Instabilität des Konditioniermaterials
des Standes der Technik durch Abnutzung vermeidet, den Anfall von
Fehlern verringert und die gesamte Lebensdauer des Kissens erhöht. Zusätzlich verbessert
die vorliegende Erfindung insgesamt das feine Zerkratzen und Beschädigen beim CMP-Vorgang.
Die Vorrichtung gemäß der vorliegenden
Erfindung sorgt besonders für
eine im Wesentlichen gleichförmige
Abrichtgeschwindigkeit bei Ausführungsformen,
bei denen ein im Wesentlichen feines abrasives Abrichten der Polieroberflächenschichten
eines Polierkissens erwünscht
ist, ungeachtet der Dichte oder der Größe der Topographiemerkmale
des Wafers. Die wichtigste Tatsache ist, dass die Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung beim Einsatz von Technologien mit fixierten Schleifmitteln
sehr wirkungsvoll sind.
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Andere
Aspekte und Vorteile der Erfindung werden aus der folgenden detaillierten
Beschreibung im Zusammenhang mit den beigefügten Zeichnungen ersichtlich,
die in beispielhafter Weise die Prinzipien der vorliegenden Erfindung
darstellen.
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KURZE BESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNGEN
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Die
vorliegende Erfindung wird durch die folgende detaillierte Beschreibung
im Zusammenhang mit den beigefügten
Zeichnungen sofort verstanden werden, wobei gleiche Bauteile mit
gleichen Bezugszeichen bezeichnet werden.
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1 zeigt
ein beispielhaftes CMP-System gemäß dem Stand der Technik.
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1A-1 ist eine Querschnittsansicht eines diamantbesetzten
Bereiches einer Konditionieranordnung gemäß dem Stand der Technik.
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1A-2 ist eine Querschnittsansicht einer Konditionieranordnung
gemäß dem Stand
der Technik, bei der Diamanten heraus gefallen sind.
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1B-1 ist eine Draufsicht auf ein abrasives Polierkissenmedium
gemäß dem Stand
der Technik.
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1B-2 ist eine Querschnittsansicht eines abrasiven
Polierkissenmediums gemäß dem Stand der
Technik, die eine Vielzahl von Säulen
zeigt, die eine Vielzahl von abrasiven Partikeln aufweisen.
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1B-3 ist eine Querschnittsansicht eines abrasiven
Polierkissenstreifens gemäß dem Stand der
Technik, die eine polymere Matrix und darin eingebettete abrasive
Partikel für
eine Vielzahl von Säulen
zeigt.
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1B-4 ist eine Querschnittsansicht beim Konditionieren
eines Polierkissens mit fixiertem Schleifmittel gemäß dem Stand
der Technik durch die Bewegung eines Wafers mit topographischen
Strukturmerkmalen.
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2A-1 zeigt ein bandförmiges CMP-System, bei dem
eine bandförmige
Abrichtanordnung gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
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2A-2 ist eine vereinfachte Querschnittsansicht
einer Abrichtanordnung, die die relativen Positionen einer Zufuhrwalze,
einer Aufnahmewalze und eines Abrichtmediums gemäß einem weiteren Aspekt der
vorliegenden Erfindung zeigt.
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2A-3 ist eine vereinfachte Querschnittsansicht
einer Abrichtanordnung gemäß noch einem weiteren
Aspekt der vorliegenden Erfindung, die eine Zufuhrwalze und eine
Aufnahmewalze zeigt, wobei die Zufuhrwalze einen Vorrat des Abrichtmediums aufweist.
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2B-1 ist eine Darstellung eines bandförmiges CMP-Systems,
bei dem eine bandförmige
Abrichtanordnung gemäß noch einer
weiteren Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
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2B-2 ist eine Querschnittsansicht einer Abrichtanordnung
gemäß einer
weiteren Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung.
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3A ist
eine Darstellung eines bandförmigen
CMP-Systems, bei dem sich eine Abrichtanordnung gemäß einer
weiteren Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung quer über
ein Polierkissen bewegt.
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3B ist
eine Darstellung eines CMP-Systems des Rotationstyps gemäß noch einer
weiteren Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung, bei dem eine Abrichtanordnung eine Polierscheibe
abrichtet, indem sie sich von einer Mitte der Scheibe zu einem Rand
der Scheibe und von dem Rand der Scheibe zur Mitte der Scheibe bewegt.
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4A zeigt
eine Abrichtanordnung gemäß noch einer
weiteren Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung, die in einem Gehäuse untergebracht ist und bei
der eine Druck ausübende
Beaufschlagungsplatte in rechteckiger Form vorgesehen ist.
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4B zeigt
eine Abrichtanordnung gemäß einer
weiteren Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung, die in einem Gehäuse untergebracht ist und bei
der ein Druck ausübendes
Beaufschlagungselement in Form einer Walze vorgesehen ist.
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GENAUE BESCHREIBUNG
DER BEISPIELHAFTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Es
werden Ausführungsformen
einer Kissen-Konditioniervorrichtung zur Verwendung beim chemisch-mechanischen
Polieren beschrieben, die eine effiziente Konditionierung der Oberflächenschichten
von Polierkissen ermöglichen.
Die Konditioniervorrichtung ist vorzugsweise mit einem Konditioniermedium
versehen, das kostengünstiger
instand zu halten ist und effizienter gewartet werden kann, wenn
das Konditioniermedium seine Effektivität beim Konditionieren verliert.
Das Konditioniermaterial ist vorzugsweise in Form eines Konditioniermediums vorgesehen,
das zwischen einer Zufuhrwalze und einer Aufnahmewalze angeordnet
ist. Diese Konfiguration wird hier als "Bandführungs-System" bezeichnet. In bevorzugten
Ausführungsformen
wird eine Abrichtvorrichtung gegen ein Polierkissen mit fixiertem Schleifmittel
gedrückt,
um polymeres Matrixmaterial von den Säulen des Polierkissens mit
fixiertem Schleifmittel zu entfernen, so dass frische Partikel des
fixierten Schleifmittels freigelegt werden.
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In
der folgenden Beschreibung werden zahlreiche spezifische Einzelheiten
angeführt,
um ein gründliches
Verständnis
der vorliegenden Erfindung zu ermöglichen. Für einen Fachmann ist es jedoch selbstverständlich,
dass die vorliegende Erfindung ohne einige oder ganz ohne diese
spezifischen Einzelheiten ausgeführt
werden kann. In anderen Fällen sind
weitläufig
bekannte Verfahrensschritte nicht im Einzelnen beschrieben worden,
um die vorliegende Erfindung nicht unnötigerweise undeutlich zu machen.
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2A-1 zeigt ein bandförmiges chemisch-mechanisches
Poliersystem (CMP) 200a, bei dem eine bandförmige Abrichtanordnung 210 gemäß einer
Ausfüh rungsform
der vorliegenden Erfindung verwendet wird. In dem CMP-System 200a rotiert
ein auf zwei Walzen 214 angeordnetes endloses Polierkissen 208 in
der Drehrichtung 216 des Polierkissens. In einer bevorzugten
Ausführungsform
handelt es sich bei dem Polierkissen 208 um ein Polierkissen mit
fixiertem Schleifmittel. Für
einen Fachmann ist es jedoch offensichtlich, dass das Polierkissen 208 in anderen
Ausführungsformen
jede beliebe Art von Polierkissen sein kann (z.B. konventionelle
CMP-Polierkissen, ungeachtet der Tatsache, ob dieses Polierkissen
ein weiches Polierkissen oder ein hartes Polierkissen ist).
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Weiterhin
ist in 2A-1 eine Platte 212 gezeigt,
die unter dem Polierkissen 208 mit fixiertem Schleifmittel
angeordnet ist, um eine feste Unterlage mit einem Luftlager oder
einem Wasserlager vorzusehen, auf der ein Wafer angeordnet werden
kann. Die Platte 212 ist weiterhin so ausgebildet, dass
sie das Polierkissen 208 mit fixiertem Schleifmittel stabilisiert,
wenn es sich in der Drehrichtung 216 des Polierkissens
dreht. Auf der Oberfläche
des Polierkissens mit fixiertem Schleifmittel ist weiterhin ein
Bearbeitungsbereich 244 für den Wafer gezeigt, um den Polier-Übergangsbereich
zwischen dem Wafer und dem Polierkissen 208 mit fixiertem
Schleifmittel zu kennzeichnen. In dieser Ausführungsform ist die als Bandführungsanordnung
ausgebildete Abrichtanordnung 210 über dem Polierkissen 208 mit
fixiertem Schleifmittel angeordnet. Wie dargestellt ist, ist die Kontaktfläche zwischen
der Abrichtanordnung 210 und dem Polierkissen 208 mit
fixiertem Schleifmittel dem Bearbeitungsbereich 244 für den Wafer
vorangestellt. Somit ist die Abrichtanordnung 210 so ausgebildet,
dass sie die Oberfläche
des Polierkissens 208 mit fixiertem Schleifmittel abrichtet,
bevor das Polierkissen 208 mit fixiertem Schleifmittel
die Oberflächenschichten
des zu polierenden Wafers poliert, so dass die Polierleistung des
Polierkissens 208 mit fixiertem Schleifmittel optimiert
wird.
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Weiterhin
sind in einer bandartigen Abrichtanordnung 210 des CMP-Systems 200a eine
Zufuhrwalze 232a und eine Aufnahmewalze 232b gezeigt, die
in dieser Ausführungsform
so ausgebildet sind, dass sie über
dem Polierkissen 208 mit fixiertem Schleifmittel platziert
werden können.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform
sind die Zufuhrwalze 232a und die Aufnahmewalze 232b symmetrisch
einander gegenüberliegend
angeordnet, so dass die Breite der Zufuhrwalze 232a und
der Aufnahmewalze 232b im Wesentlichen über und parallel zu den Rändern des
Polierkissens 208 mit fixiertem Schleifmittel angeordnet
ist. Die Zufuhrwalze 232a ist so ausgebildet, dass sie
eine Rolle des Abrichtmediums 234 trägt und das Abrichtmedium 234 der
Aufnahmewalze 232b in der Bewegungsrichtung 242 des
Abrichtmediums zuführt,
die ihrerseits so ausgebildet ist, dass sie das Abrichtmedium 234 aufnimmt.
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Der
lineare Abstand zwischen der Zufuhrwalze 232a und der Aufnahmewalze 232b und
damit die Kontaktfläche
zwischen dem Abrichtmedium 234 und dem Polierkissen 208 mit
fixiertem Schleifmittel ist vorzugsweise so ausgebildet, dass er
bzw. sie im Wesentlichen der Breite des Polierkissens 208 mit
fixiertem Schleifmittel entspricht. In dieser Ausführungsform
sind die Zufuhrwalze 232a und die Aufnahmewalze 232b so
ausgebildet, dass sie ungefähr eine
Breite W233 von ungefähr 4 mm bis ungefähr 100 mm
aufweisen. Vorzugsweise beträgt
die Breite der Zufuhrwalze 232a und der Aufnahmewalze 232b jedoch
ungefähr
8 mm bis ungefähr
25 mm, mit einer besonders bevorzugten Breite von 15 mm.
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Über dem
Abrichtmedium 234 ist eine Druckbeaufschlagungsplatte 236 angeordnet,
die so ausgebildet ist, dass sie Druck auf das Abrichtmedium 234 ausübt, wodurch
das Abrichtmedium 234 gegen das Polierkissen 208 mit
fixiertem Schleifmittel gedrückt
wird. Ein Stabilisierungselement 240, das einen Betätigungsarm 238 aufweist,
ist so ausgebildet, dass es den erforderlichen Druck auf die Druckbeaufschlagungsplatte 236 ausübt, um zu
verhindern, dass die Druckbeaufschlagungsplatte 236 auf
der Oberfläche
des Abrichtmediums 234 verrutscht. In dieser Ausführungsform
ist die Größe der Druckbeaufschlagungsplatte 236 vorzugsweise
so gewählt, dass
sie im Wesentlichen gleich der Kontaktfläche zwischen dem Abrichtmedium 234 und
dem Polierkissen 208 mit fixiertem Schleifmittel ist. Zusätzlich ist die
Druck ausübende
Beaufschlagungsplatte 236 so ausgebildet, dass sie unter
Verwendung verschiedener Mecha nismen auf das Polierkissen 208 mit
fixiertem Schleifmittel herunter gedrückt oder vom Polierkissen 208 mit
fixiertem Schleifmittel abgehoben wird, wobei die Mechanismen so
ausgebildet sind, dass sie sich selbst ausrichten, so dass eine
gleichmäßige Verteilung
des Druckes erzielt werden kann (z.B. hydraulische Mechanismen,
pneumatische Mechanismen, Federmechanismen usw.). Weiterhin kann
die Druck ausübende
Beaufschlagungsplatte 236 aus jedem beliebigen Material
hergestellt sein (z.B. aus rostfreiem Stahl, Kunststoff usw.).
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Obwohl
die Druck ausübende
Beaufschlagungsplatte 236 in diesem Ausführungsbeispiel
die Form eines Rechtecks hat, ist es für einen Fachmann selbstverständlich,
dass die Druckbeaufschlagungsplatte 236 jede beliebige
Form haben kann, solange ihre Funktion, das Abrichtmedium 234 auf
das Polierkissen 208 mit fixiertem Schleifmittel herunterzudrücken, gewährleistet
ist.
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2A-2 ist eine Querschnittsansicht einer Abrichtanordnung 210 gemäß einem
Aspekt der vorliegenden Erfindung. Die Positionen einer Zufuhrwalze 232a,
einer Aufnahmewalze 232b und eines Abrichtmediums 234 relativ
zu einem Polierkissen 208 mit fixiertem Schleifmittel sind
klar dargestellt. Wie gezeigt ist, werden zunächst die Zufuhrwalze 232a, die
Aufnahmewalze 232b und das Abrichtmedium 234 über dem
Polierkissen 208 mit fixiertem Schleifmittel platziert.
Weiterhin ist eine Druck ausübende Beaufschlagungsplatte 236 gezeigt,
die oberhalb des Abrichtmediums 234 angeordnet ist. Wenn
ein Betätigungsarm 238 die
Druckbeaufschlagungsplatte 236 nach unten drückt, werden
die Druckbeaufschlagungsplatte 236 und das Abrichtmedium 234 nach unten
geschoben, so dass das Abrichtmedium 234 gegen das Polierkissen 208 mit
fixiertem Schleifmittel gedrückt
wird, wodurch das Polierkissen 208 mit fixiertem Schleifmittel
abgerichtet wird, wenn es sich in einer Drehrichtung 216 des
Kissens bewegt.
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Eine
vereinfachte Querschnittsansicht einer Abrichtanordnung 210 gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung ist in 2A-3 dargestellt.
Wie gezeigt ist, wird ein gewisser Abschnitt eines Abrichtmediums 234 einer
Aufnahmewalze 232b zugeführt. Nachdem ein Polierkissen 208 mit
fixiertem Schleifmittel eine bestimmte Anzahl von Wafern poliert
hat, verliert der Abschnitt des Abrichtmediums 234, der
in Kontakt mit dem Polierkissen 208 mit fixiertem Schleifmittel
gekommen ist und der hier als Kontaktfläche des Abrichtmediums 234 bezeichnet
wird, seine Abricht-Effektivität
und muss ausgetauscht werden. Dann wird der benutzte Abschnitt des
Abrichtmediums 234 gegen einen unbenutzten Abschnitt des
Abrichtmediums 234 mittels der Zufuhrwalze 232a,
die das Abrichtmedium 234 unter Verwendung einer programmierbaren
Geschwindigkeit zuführt,
ersetzt. Für
jede CMP-Anwendung können
diese Zufuhrparameter in Abhängigkeit
von der Größe der abrasiven
Partikel und vom Bereich des Polierkissens mit fixiertem Schleifmittel,
der poliert werden soll, optimiert werden. Weiterhin kann die Zuführung dadurch
erfolgen, dass ein frischer Abschnitt des Abrichtmediums 234 über der
gesamten Breite des Polierkissens 208 mit fixiertem Schleifmittel
platziert wird. Als Alternative kann die Abrichtanordnung 210, für den Fall,
dass nur ein kleiner Abschnitt des Abrichtmediums 234 ersetzt
werden muss, so programmiert werden, dass nur ein kleiner Abschnitt
des Abrichtmediums 234 zugeführt wird. Wenn das Abrichtmedium 234 zugeführt wird,
werden die benutzten Abschnitte des Abrichtmediums 234 von
der Aufnahmewalze 232b aufgenommen. Wenn der Vorrat des Abrichtmediums 234 auf
der Zufuhrwalze 232a vollständig aufgebraucht ist, kann
es gegen eine neue Rolle des Abrichtmediums 234 einfach
ausgetauscht werden. Der Vorgang des erneuten Versorgens der Zufuhrwalze 232a mit
dem Abrichtmedium 234 für das
Kissen ist weder zeitraubend noch arbeitsintensiv. Es ist sehr wichtig,
das die CMP-Vorrichtung gegebenenfalls weniger oft und für eine wesentlich
kürzere
Zeitspanne ausgeschaltet werden muss, wodurch sich nur minimale
Auswirkungen auf die Durchsatzleistung der Maschine ergeben.
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In 2A-3 ist eine abrasive Schicht 234' des Abrichtmediums 234 vereinfacht
dargestellt. Das Abrichtmedium 234 wird so von der Zufuhrwalze 232a und
der Aufnahmewalze 232b aufgenommen, dass die abrasive Schicht 234' des Abrichtmediums 234 außen liegt.
Wenn der Betätigungsarm 238 daher
die Druck ausübende
Beaufschlagungsplatte 236 auf das Abrichtmedium 234 drückt, wird die
abrasive Schicht 234' des
Abrichtmediums 234 dadurch mit dem Polierkissen 208 mit
fixiertem Schleifmittel in Kontakt gebracht. Die abrasive Schicht 234' ist so ausgebildet,
dass sie eine Vielzahl von abrasiven Partikeln aufweist, die Einheiten
bilden, so dass die abrasiven Einheiten in Kontakt mit dem Polierkissen 208 mit
fixiertem Schleifmittel kommen, wodurch das polymere Material von
den Säulen
des Polierkissens 208 mit fixiertem Schleifmittel entfernt
wird und so frische abrasive Partikel auf den Säulen freigelegt werden. In
einer bevorzugten Ausführungsform
ist die durchschnittliche Größe der abrasiven
Einheiten der abrasiven Schicht 234' so bemessen, dass sie ungefähr im Bereich
von wenigen Mikrometern liegt. Die abrasiven Einheiten können aus
Diamanten oder jedem anderen abrasiven Material gebildet werden,
solange sie ihre Funktion, Polymermaterial oder unerwünschte Partikel
zu entfernen, ausüben
können.
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Die
Ausführungsform
von 2B-1 zeigt eine Abrichtanordnung 210 eines
bandartigen CMP-Systems 200b gemäß einer weiteren Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung. Ein auf zwei Trommeln 214 angeordnetes
Polierkissen 208 rotiert in der Drehrichtung 216 des
Kissens. In dieser Ausführungsform
ist das Polierkissen 208 vorzugsweise ein Polierkissen
mit fixiertem Schleifmittel. Ein kreisförmiger Wafer-Bearbeitungsbereich 244 ist
auf der Oberseite des Polierkissens 208 mit fixiertem Schleifmittel
gebildet und stellt den polierenden Übergangsbereich zwischen dem
Polierkissen 208 mit fixiertem Schleifmittel und dem zu
polierenden Wafer dar. In dieser Ausführungsform sind eine Zufuhrwalze 232a und
eine Aufnahmewalze 232b über dem Polierkissen 208 mit
fixiertem Schleifmittel angeordnet und so ausgebildet, dass sie
sich in der Bewegungsrichtung 242 des Abrichtmediums drehen.
In dieser Ausführungsform
sind die Breiten der Zufuhrwalze 232a und der Aufnahmewalze 232b vorzugsweise
so bemessen, dass sie im Wesentlichen gleich der Breite des Polierkissens 208 mit
fixiertem Schleifmittel sind. Die Zufuhrwalze 232a und
die Aufnahmewalze 232b sind so ausgebildet, dass sie im
Wesentlichen parallel zu den Trommeln 214 angeordnet sind.
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Weiterhin
ist eine Druck ausübende
Beaufschlagungsplatte 236 dargestellt, die auf der Oberseite
des Abrichtmediums 234 angeordnet ist, um das Abrichtmedium 234 zu
stabilisieren, wenn das Abrichtmedium 234 nach unten auf
das Polierkissen 208 mit fixiertem Schleifmittel gedrückt wird.
Wie dargestellt ist, ist die Kontaktfläche des Abrichtmediums 234 in
dieser Ausführungsform
dem polierenden Übergangsbereich
zwischen dem Polierkissen 208 mit fixiertem Schleifmittel
und dem zu polierenden Wafer vorangestellt. Folglich wird das Polierkissen 208 mit
fixiertem Schleifmittel abgerichtet, bevor es den Wafer-Bearbeitungsbereich 244 erreicht,
wodurch sichergestellt wird, dass eine ausreichende Menge von abrasiven
Einheiten im polierenden Übergangsbereich
zur Verfügung
steht. Wie eindeutig dargestellt ist, kann die Abrichtanordnung 210 in
dieser Ausführungsform
so ausgebildet sein, dass die Kontaktfläche des Abrichtmediums 234 in
Abhängigkeit vom
Umfang des erforderlichen Abrichtens des Polierkissens 208 mit
fixiertem Schleifmittel variieren kann. Die Druck ausübende Beaufschlagungsplatte 236 und
damit die Kontaktfläche
des Abrichtmediums 234 für das Polierkissen 208 mit
fixiertem Schleifmittel hat jedoch vorzugsweise eine Breite W237 von ungefähr 4 mm bis ungefähr 100 mm,
wobei eine Breite W237 der Druckbeaufschlagungsplatte 236 von
ungefähr
12 mm besonders bevorzugt ist. 2B-2 ist eine
vereinfachte Querschnittsansicht einer Abrichtanordnung 210,
die die Flexibilität
beim Einsatz einer Abrichtanordnung zeigt, wenn die Kontaktfläche des Abrichtmediums 234 wesentlich
kleiner ist. Bei dieser Ausführungsform
wird die Zeitspanne begrenzt, mit der jeder vorgegebene Bereich
des Polierkissens 208 mit fixiertem Schleifmittel abgerichtet
wird, so dass die Gefahr eines unerwünschten zu starken Abrichtens
oder zu schwachen Abrichtens des Polierkissens 208 mit
fixiertem Schleifmittel wesentlich reduziert wird.
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Das
Ausführungsbeispiel
von 3A zeigt ein bandartiges CMP-System 200c,
bei dem eine Abrichtanordnung 210' gemäß einer weiteren Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung so ausgebildet ist, dass sie sich quer über ein
Polierkissen 208 bewegt. Das Polierkissen 208 des
CMP-Systems 200c ist auf Trommeln 214 angeordnet,
und ist vorzugsweise ein Polierkissen mit fixiertem Schleifmittel.
Wie gezeigt ist, sind eine Zufuhrwalze 232a, eine Aufnahmewalze 232b und
ein Abrichtmedium 234 so ausgebildet, dass sie über dem
Polierkissen 208 mit fixiertem Schleifmittel angeordnet
sind. In dieser Ausführungsform
sind die Längen
der Zufuhrwalze 232a, der Aufnahmewalze 232b und
einer Druck ausübende
Beaufschlagungsscheibe 236' der
Abrichtanordnung 210' so
bemessen, dass sie kleiner als die Breite des Polierkissens 208 sind.
In der bevorzugten Ausführungsform
betragen die Längen
der Zufuhrwalze 232a und der Aufnahmewalze 232b ungefähr 12 mm
bis ungefähr
75 mm. Da sich die Abrichtanordnung 210' in der Bewegungsrichtung 239 quer über das
Polierkissen 208 mit fixiertem Schleifmittel bewegt, ist
es weiterhin bevorzugt, dass die Druckbeaufschlagungsplatte 236' die Form einer
Scheibe hat. Der Durchmesser der Druckbeaufschlagungsscheibe 236' ist hierbei
vorzugsweise gleich den Längen
der Zufuhrwalze 232a und der Aufnahmewalze 232b.
In der bevorzugten Ausführungsform
beträgt
der Durchmesser der Druckbeaufschlagungsscheibe 236' ungefähr 12 mm
bis ungefähr
75 mm, vorzugsweise hat sie einen Durchmesser von ungefähr 25 mm.
Weiterhin beträgt
die Dicke der Druck ausübenden
Beaufschlagungsscheibe 236' von
ungefähr
2 mm bis ungefähr
30 mm. Selbstverständlich
können
auch andere scheibenartige Formen, rechteckige Formen, quadratische
Formen und ähnliches
eingesetzt werden, solange die gewünschte Konditionierung erreicht
wird.
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Auf ähnliche
Weise zeigt das Ausführungsbeispiel
von 3B ein CMP-System 200c' des Rotationstyps, bei dem eine
Abrichtanordnung 210' so ausgebildet
ist, dass eine Polierscheibe 208' abgerichtet wird. in dieser Ausführungsform
ist die Abrichtanordnung 210' so
ausgebildet, dass sie sich in der Bewegungsrichtung 250 von
der Mitte der Polierscheibe 208' zum Rand der Polierscheibe 208' sowie vom Rand
der Polierscheibe 208' zur
Mitte der Polierscheibe 208' bewegt.
Vorzugsweise ist die Polierscheibe 208' des CMP-Systems 200c' als Polierkissen
mit fixiertem Schleifmittel ausgebildet.
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Eine
Abrichtanordnung 210 gemäß der Ausführungsform von 4A ist
so ausgebildet, dass sie eine Zufuhrwalze 232a und eine
Aufnahmewalze 232b aufweist, wobei ein Abrichtmedium 234 von
der Zufuhrwalze 232a zur Aufnahmewalze 232b in
einer Bewegungsrichtung 242 des Abrichtmediums bewegt wird.
Die Zufuhrwalze, die Aufnahmewalze und das Abrichtmedium 234 sind
so ausgebildet, dass sie über
dem Polierkissen 208 platziert werden können. In dieser Ausführungsform
ist das Polierkissen 208 als Polierkissen mit fixiertem
Schleifmittel ausgebildet. Wie dargestellt ist, ist ein Betätigungsarm 238 vorgesehen,
um Druck auf eine Druck ausübende Beaufschlagungsplatte 236 auszuüben, so
dass sie nach unten auf das Abrichtmedium 234 gedrückt wird,
was dazu führt,
dass das Abrichtmedium 234 gegen das Polierkissen 208 mit
fixiertem Schleifmittel gedrückt
wird. In dieser Ausführungsform
ist vorzugsweise vorgesehen, dass die Zufuhrwalze 232a,
die Aufnahmewalze 232b, das Abrichtmedium 234,
der Betätigungsarm
und die Druckbeaufschlagungsplatte 236 der Abrichtanordnung 210 von
einem Gehäuse 252 aufgenommen
werden, wodurch verhindert wird, dass die Abrichtanordnung 210 durch
Tropfen, Wasser, Spritzer usw. verschmutzt wird. Weiterhin ist die Abrichtanordnung 210 auf
einem Behälter 256 montiert,
der einen Druckregler 254 aufweist. Der Behälter 256 und
damit die Abrichtanordnung 210 rotieren in der Drehrichtung 262.
Somit richtet die Abrichtanordnung 210 das Polierkissen 208 mit
fixiertem Schleifmittel ab, während
sie sich dreht und sich über das
Polierkissen 208 mit fixiertem Schleifmittel bewegt, so
dass frische abrasive Partikel freigelegt werden.
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In
einer anderen Ausführungsform,
die in 4B dargestellt ist, ist ein
Druck ausübendes
Beaufschlagungselement 236'' in Form einer
Walze vorgesehen. Wie dargestellt ist, kann das Druckbeaufschlagungselement 236'' somit jede beliebige Form aufweisen,
solange seine Funktion, nach unten auf das Abrichtmedium 234 und
auf das Polierkissen 208 mit fixiertem Schleifmittel zu
drücken,
gewährleistet ist.
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Obwohl
diese Erfindung zum besseren Verständnis in näheren Einzelheiten beschrieben
worden ist, ist es selbstverständlich,
dass gewisse Änderungen
und Modifikationen innerhalb des Bereiches der beigefügten Ansprüche vorgenommen
werden können.
Zum Beispiel beziehen sich die hier beschriebenen Ausführungsformen
in erster Linie auf das Konditionieren von Wafern; es ist jedoch
selbstverständlich,
dass die Konditioniervorgänge
zum Konditionieren jeder beliebigen Art von Substrat geeignet sind.
Weiterhin beziehen sich die hier beschriebenen Ausführungsbeispiele
insbesondere auf das Abrichten von Polierkissen mit fixiertem Schleifmittel,
es ist jedoch selbstverständlich,
dass die Konditioniervorgänge
zum Konditionieren aller Arten von Polierkissen gut geeignet sind.
Die vorliegenden Ausführungsbeispiele
sind daher als beschreibend und nicht als einschränkend anzusehen,
und die Erfindung soll nicht auf die dort beschriebenen Einzelheiten
beschränkt
werden, sondern kann innerhalb des Umfanges der beigefügten Ansprüche modifiziert werden.