DE60037248T2 - Laterale DMOS-Transistoranordnung - Google Patents
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- 210000000746 body region Anatomy 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7833—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's
- H01L29/7835—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's with asymmetrical source and drain regions, e.g. lateral high-voltage MISFETs with drain offset region, extended drain MISFETs
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Halbleitervorrichtungen und betrifft im Spezielleren einen lateralen DMOS-Feldeffekttransistor, wie er im Oberbegriff des Anspruchs 1 angegeben ist.
- Ein lateraler DMOS-Transistor (doppelt diffundierter Metalloxidhalbleitertransistor), bei dem der Drain-Bereich einen Bereich mit einer niedrigen Konzentration von Fremdstoffen aufweist, der als "Driftbereich" oder "Drain-Erweiterungsbereich" bekannt ist, ist z. B. aus der
EP 267 768 1 und2 zeigen in einer Draufsicht bzw. einer Schnittdarstellung einen Transistor dieses Typs, der Bestandteil einer integrierten Schaltung ist, die in einem Siliciumsubstrat gebildet ist, das bei dem Bezugszeichen10 dargestellt ist. Ein p-leitender Bereich11 , der in dem Substrat10 ausgebildet ist, bildet den Körperbereich des Transistors. Verschiedene aktive Bereiche sind an der vorderen Oberfläche des Substrats10 definiert und sind durch Siliciumdioxid-(Feldoxid-)Auflagen12 voneinander isoliert. Die Auflagen12 können z. B. durch herkömmliche Techniken für die selektive Oxidation von Silicium gebildet werden. Ein n-leitender Bereich13 mit einer geringen Konzentration von Fremdstoffen, der mit N– bezeichnet ist, erstreckt sich in dem Körperbereich11 teilweise unterhalb einer Feldoxidauflage12 und bildet den Driftbereich des Transistors. Ein n-leitender Bereich14 mit einer hohen Konzentration, der mit N+ bezeichnet ist, erstreckt sich in dem Bereich13 , nimmt einen aktiven Beeich vollständig ein und bildet den hohe Konzentration aufweisenden Bereich des Drain-Bereichs. Ein Metallelement15 in Kontakt mit dem Bereich14 bildet die Drain-Elektrode D des Transistors. Ein weiterer n-leitender Bereich16 mit hoher Konzentration erstreckt sich in dem Körperbereich11 und grenzt mit dem Bereich13 einen Kanal17 ab. Ein Metallelement18 , das mit dem Bereich16 in Kontakt steht, bildet die Source-Elektrode S des Transistors. Ein Streifen19 aus elektrisch leitfähigem Material, wie z. B. dotiertem polykristallinen Silicium, erstreckt sich über dem Kanalbereich und über einem Teil des Driftbereichs13 , um die Gateelek trode des Transistors zu bilden. Dieser Streifen ist von der vorderen Oberfläche des Substrats10 durch eine dünne Schicht9 aus isolierendem Material getrennt, welches das Gatedielektrikum bildet. Ferner verläuft der Streifen19 teilweise über der Auflage12 , die die beiden aktiven Bereiche trennt, in denen der Transistor gebildet ist, und oben auf dem Streifen19 befindet sich ein Metallkontaktelement20 des Gates G. Ein p-leitender Bereich21 mit einer hohen Konzentration von Fremdstoffen erstreckt sich in dem Körperbereich11 , um einen Ohm'schen Kontakt zwischen diesem Bereich und einem Metallelement22 zu gewährleisten, das die Körperelektrode B des Transistors bildet. - Wenn eine über einem vorbestimmten Schwellenwert liegende Spannung zwischen der Gateelektrode und der Körperelektrode angelegt wird, wird bekanntermaßen die Leitfähigkeit des Kanals, d. h. des Bereichs des Körperbereichs
11 unter der Gateelektrode, umgekehrt, sodass ein Strom zwischen der Source-Elektrode18 und der Drain-Elektrode15 fließen kann. Unter diesen Bedingungen wirkt der Driftbereich13 als Widerstand, der zwischen der Drain-Elektrode15 und dem Kanalbereich17 verteilt ist, sodass das Potenzial des Drain-Bereichs in der Nähe des Kanals niedriger ist als das Potenzial der Drain-Elektrode. - Dieser Transistor kann durch das gleiche Verfahren gebildet werden, wie es auch für herkömmliche MOS- und CMOS-Transistoren von logischen Schaltungen mit niedriger Spannung (2–3 V) verwendet wird, doch aufgrund der vorstehend beschriebenen Eigenschaft kann er bei höheren Versorgungsspannungen (7–8 V) verwendet werden. Einige Schaltungen, denen hohe Spannungen zugeführt werden müssen, wie z. B. Steuerschaltungen für nicht-flüchtige Speicher, können somit unter Verwendung von Transistoren dieses Typs mit einer geringeren Anzahl von Komponenten und damit wiederum auf kleineren Flächen der integrierten Schaltung hergestellt werden.
- Jedoch ist es nicht möglich, die vorteilhaften Eigenschaften des vorstehend beschriebenen Transistors in optimaler Weise zu nutzen, da der Spannungsabfall in dem Driftbereich bei leitendem Transistor im Stadium der Konstruktion der integrierten Schaltung nicht exakt ausgewertet werden kann, da die Produktionsparameter schwanken. Zum Vermeiden des Risikos, dass das zwischen der Gateelektrode
19 und dem Driftbereich13 in der Nähe des Kanals17 gebildete elektrische Feld Werte annimmt, die für die Integrität des Gatedielektrikums9 gefährlich sind, muss die Vorrichtung somit mit recht hohen Sicherheitsspielräumen ausgebildet werden. - Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Schaffung eines lateralen DMOS-Transistors, der die vorstehend geschilderten Einschränkungen nicht aufweist.
- Gelöst wird diese Aufgabe durch die Schaffung des Transistors, wie er allgemein im Anspruch 1 definiert und gekennzeichnet ist.
- Die Erfindung und die daraus resultierenden Vorteile werden im Folgenden unter Bezugnahme auf eine Ausführungsform ausführlich erläutert, die anhand eines nicht einschränkenden Beispiels unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben wird; darin zeigen:
-
1 eine Draufsicht auf einen bekannten lateralen DMOS-Transistor; -
2 eine Schnittdarstellung entlang der Linie II-II der1 ; -
3 eine Draufsicht auf einen lateralen DMOS-Transistor gemäß der Erfindung; -
4 eine Schnittdarstellung entlang der Linie IV-IV der3 ; und -
5 eine schematische Darstellung eines Bereichs einer integrierten Schaltung, bei der der erfindungsgemäße Transistor verwendet wird. -
3 , in der mit1 identische Elemente oder entsprechende Elemente mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind, zeigt einen lateralen DMOS-Transistor gemäß der Erfindung. Es ist darauf hinzuweisen, dass die Schnittdarstellung der2 auch für den erfindungsgemäßen Transistor gilt. Letzterer unterscheidet sich von dem in den1 und2 dargestellten bekannten Transistor darin, dass er eine zusätzliche Kontaktelektrode aufweist, die auf dem Drift bereich13 an einer Stelle näher bei dem Kanalbereich17 als bei dem eine hohe Konzentration aufweisenden Bereich14 des Drain-Bereichs angeordnet ist. Die zusätzliche Elektrode, die bei dem Bezugszeichen25 dargestellt ist, steht mittels eines hohe Konzentration aufweisenden n-leitenden Bereichs, der in4 bei dem Bezugszeichen26 dargestellt ist, mit dem Driftbereich in Kontakt. Die zusätzliche Elektrode25 ist neben dem Kanal an einer Stelle angeordnet, an der sie den Leitungszustand des Transistors nicht beeinträchtigt und die effektive Breite des Transistors nicht verändert. - Die zusätzliche Elektrode gestattet eine direkte Messung des Potenzials des Drain-Bereichs an einer sehr nahe bei dem Kanal befindlichen Stelle. Durch Ausführen einer derartigen Messung kann der Konstruktionsingenieur Information erhalten, die für die Auslegung der charakteristischen Eigenschaften des Transistors sowie zum Auswählen der Abmessungen von diesem von Nutzen ist, sodass sich auf diese Weise die elektrische Leistungsfähigkeit und die Zuverlässigkeit sowohl des Transistors an sich als auch der gesamten integrierten Schaltung optimieren lassen, die den Transistor enthält.
- Die Information kann in einem Register für die Verwendung bei der Konstruktion der integrierten Schaltung gespeichert werden oder sie kann direkt genutzt werden, indem eine Schutzschaltung aktiviert wird, um das Anlegen von übermäßigen Spannungen an gewisse Komponenten der integrierten Schaltung zu verhindern.
-
5 veranschaulicht in schematischer Weise eine vorteilhafte Verwendung des erfindungsgemäßen Transistors, genauer gesagt eines Reihen-Decoders eines EPROM-Speichers. Eine allgemeine EPROM-Zelle, wie sie bei dem Bezugszeichen30 dargestellt ist, einer nicht weiter dargestellten Matrix von Zellen ist mit ihrem Gateanschluss mit dem Ausgang einer Treiberschaltung31 für hohe Spannung verbunden. Die Amplitude der durch die Treiberschaltung31 zugeführten Spannung wird durch einen Rampenspannungsgenerator32 bestimmt. Eine Schaltvorrichtung33 , die durch eine Steuerlogikschaltung des Speichers (nicht gezeigt) gesteuert wird, kann dem Rampenspannungsgenerator32 eine hohe Versorgungsspannung VH oder eine niedrige Versorgungsspannung VL zuführen. Die hohe Versorgungsspannung VH wird durch eine Spannungsver sorgung34 , beispielsweise eine Ladungspumpe, mittels eines Spannungsregulierers35 zugeführt. Die Schaltungen des Reihen-Decoders nutzen vorteilhafterweise laterale DMOS-Transistoren, um den recht hohen Spannungen (7–8 V) Stand zu halten, die zum Polarisieren der Reihe der Matrix erforderlich sind. Im Spezielleren weisen die Schaltungen31 ,32 und33 Transistoren des in den1 und2 dargestellten Typs auf, und der Spannungsregulierer35 weist mindestens einen erfindungsgemäßen Transistor TR auf, wie z. B. den in den3 und4 gezeigten, dem die von der Versorgung34 bereitgestellte Spannung zugeführt wird. - Gemäß dem Stand der Technik sind die Schaltungen
31 bis33 derart ausgebildet, dass sie die Tatsache berücksichtigen, dass das Potenzial des Driftbereichs13 in der Nähe des Kanals17 nicht exakt bekannt sein kann, wie dies vorstehend unter Bezugnahme auf die1 und2 erläutert worden ist, sodass die Spannung zwischen den Source- und den Drain-Bereichen der lateralen DMOS-Transistoren in klugerweise niedrig gehalten werden muss. Ferner ist es gemäß dem Stand der Technik notwendig, geeignete Maßnahmen zum Schützen der Schaltungen vor möglichen Versorgungsüberspannungen zu ergreifen, wobei dies Begrenzer und weitere zusätzliche Schaltungen erforderlich macht. - Diese Einschränkungen des Standes der Technik werden unter Verwendung des erfindungsgemäßen Transistors, wie dies im Folgenden erläutert wird, vollständig eliminiert.
- Der Transistor TR ist mit seinem bei dem Bezugszeichen D2 dargestellten zusätzlichen Drain-Anschluss mit einem ersten Eingangsanschluss eines Komparators
36 verbunden. Ein zweiter Eingangsanschluss des Komparators ist mit einer Spannungsversorgung37 verbunden, die eine konstante Spannung Vlim erzeugt, die im Konstruktionsstadium auf einen Sicherheitswert unterhalb der Durchbruchspannung des Gatedielektrikums gesetzt werden kann. Der Ausgang des Komparators ist mit dem Spannungsregulierer35 verbunden. Wenn die Spannung an dem zusätzlichen Anschluss D2 gleich oder größer ist als die Spannung Vlim, beispielsweise aufgrund eines Übergangsimpulses in der Versorgung34 , erscheint ein Signal an dem Ausgang des Komparators36 und aktiviert eine in dem Regulierer35 enthaltene geeignete Einrichtung zum Schüt zen des Transistors TR, bei der es sich z. B. um eine Begrenzungseinrichtung (nicht gezeigt) handelt. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel ist der Ausgang des Komparators ferner mit dem Schaltkreis33 verbunden, sodass im Fall von Überspannungen in der Versorgung34 der Schalter aktiviert wird und die hohe Spannungsversorgung VH der Schaltungen31 ,32 und33 unterbrochen wird. Alternativ hierzu kann das Ausgangssignal des Komparators36 auch zum Aktivieren von speziellen Schutzeinrichtungen der lateralen DMOS-Transistoren verwendet werden. - Wie zu erkennen ist, ermöglicht die Verwendung des erfindungsgemäßen Transistors eine maximale Nutzung der vorteilhaften Eigenschaften von lateralen DMOS-Transistoren, und zwar aufgrund der Tatsache, dass der zusätzliche Anschluss des Transistors TR eine exakte Kenntnis nicht nur der maximalen Spannung, der der Transistor TR Stand halten kann, sondern auch der maximalen Spannung zulässt, der laterale DMOS-Transistoren ohne zusätzliche Anschlüsse Stand halten können. In der Tat werden diese in der gleichen integrierten Schaltung durch exakt das gleiche Verfahren hergestellt, sodass sie mit dem Transistor TR hinsichtlich der maximalen Spannung, der sie Stand halten können, identisch sind. In Anbetracht der Tatsache, dass die Schutzfunktion gegen Überspannungen in der Versorgung aufwärts von bzw. vor den Schaltungen
31 bis33 stattfindet, sind keine speziellen Schaltungsvorrichtungen zum Schützen der einzelnen Schaltungen notwendig. Ferner ist es mit dem erfindungsgemäßen Transistor auch möglich, Schaltungen herzustellen, die einfacher und somit kleiner als bekannte Schaltungen sind.
Claims (7)
- Lateraler DMOS-Transistor mit einem Substrat aus Halbleitermaterial (
10 ), das eine vordere Oberfläche aufweist, mit einem Körperbereich (11 ), der einen ersten Leitfähigkeits-Typ (p) hat und sich in dem Substrat von der vorderen Oberfläche weg erstreckt, mit einem Source-Bereich (16 ) und einem Drain-Bereich (13 ,14 ), die einen zweiten Leitfähigkeits-Typ (n) aufweisen und sich in dem Körperbereich (11 ) von der vorderen Oberfläche weg erstrecken und zwischen sich einen Kanalbereich (17 ) abgrenzen, mit einer Gateelektrode (19 ), die sich über den Kanalbereich (17 ) erstreckt und von der vorderen Oberfläche durch eine Schicht aus dielektrischem Material (9 ) isoliert ist, und mit einer Körperelektrode (B), einer Source-Elektrode (S) und einer Drain-Elektrode (D), die mit dem Körperbereich (11 ), dem Source-Bereich (16 ) bzw. dem Drain-Bereich (13 ,14 ) in Kontakt stehen, wobei der Drain-Bereich (13 ,14 ) einen Bereich (14 ) mit hoher Konzentration aufweist, mit dem die Drain-Elektrode (D) in Kontakt steht, sowie einen Bereich (13 ) mit niedriger Konzentration aufweist, der durch den Kanalbereich (17 ) abgegrenzt ist, dadurch gekennzeichnet, dass der Transistor eine zusätzliche Elektrode (25 ) in Kontakt mit dem eine niedrige Konzentration aufweisenden Bereich (13 ) des Drain-Bereichs (13 ,14 ) an einer Stelle aufweist, die sich näher bei dem Kanalbereich (17 ) als bei dem eine hohe Konzentration aufweisenden Bereich (14 ) des Drain-Bereichs befindet. - Transistor nach Anspruch 1, wobei die zusätzliche Elektrode (
25 ) neben dem Kanalbereich (17 ) angeordnet ist. - Integrierte Schaltung mit mindestens einem Transistor nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, weiterhin mit einem Spannungskomparator (
36 ), einer Quelle (37 ) mit begrenzter Spannung (Vlim) sowie mit einer Einrichtung zum Schützen des Transistors vor Überspannungen, wobei der Komparator einen ersten Eingangsanschluss, der mit der zusätzlichen Elektrode (D2) des Transistors verbunden ist, einen zweiten Eingangsanschluss, der mit der Quelle (37 ) mit begrenzter Spannung (Vlim) verbunden ist, sowie einen Ausgangsanschluss, der mit der Einrichtung zum Schützen des Transistors (TR) verbunden ist, aufweist und ein Ausgangssignal erzeugen kann, wenn die Spannung an seinem ersten Eingangsanschluss höher ist als die Spannung an seinem zweiten Eingangsanschluss. - Integrierte Schaltung nach Anspruch 3, wobei die Schutzeinrichtung eine Spannungsbegrenzungseinrichtung aufweist.
- Integrierte Schaltung nach Anspruch 3 oder Anspruch 4, mit mindestens einem Transistor gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 und ferner mit einer Einrichtung zum Schützen dieses letzteren Transistors vor Überspannungen, wobei der Ausgangsanschluss des Komparators (
36 ) auch mit der weiteren Schutzeinrichtung verbunden ist. - Integrierte Schaltung nach Anspruch 5, mit einem Reihen-Decoder eines EEPROM-Speichers, der mindestens einen Spannungsregulierer (
35 ) aufweist, mit einem Transistor nach Anspruch 1 oder Anspruch 2 und mit mindestens einer Schaltung (31 ,32 ,33 ) mit mindestens einem Transistor gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1. - Integrierte Schaltung nach Anspruch 6, wobei die weitere Schutzeinrichtung mindestens eine Schaltvorrichtung (
33 ) aufweist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP00830628A EP1191601B1 (de) | 2000-09-21 | 2000-09-21 | Laterale DMOS-Transistoranordnung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE60037248D1 DE60037248D1 (de) | 2008-01-10 |
DE60037248T2 true DE60037248T2 (de) | 2008-10-09 |
Family
ID=8175486
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE60037248T Expired - Lifetime DE60037248T2 (de) | 2000-09-21 | 2000-09-21 | Laterale DMOS-Transistoranordnung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6624471B2 (de) |
EP (1) | EP1191601B1 (de) |
DE (1) | DE60037248T2 (de) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7602019B2 (en) | 2006-04-20 | 2009-10-13 | Texas Instruments Incorporated | Drive circuit and drain extended transistor for use therein |
DE102006033692B4 (de) * | 2006-07-20 | 2011-01-05 | Austriamicrosystems Ag | Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Dielektrikums für einen LDMOS-Transistor |
DE102011087845B4 (de) * | 2011-12-06 | 2015-07-02 | Infineon Technologies Ag | Laterales transistorbauelement und verfahren zu dessen herstellung |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2457605A2 (fr) * | 1979-05-21 | 1980-12-19 | France Etat | Perfectionnements aux portes logiques a transistors mos multidrains |
FR2477778A1 (fr) * | 1980-03-04 | 1981-09-11 | Thomson Csf | Structure de transistor a effet de champ a grille isolee et application a une realisation de portes logiques |
EP0267768A1 (de) * | 1986-11-10 | 1988-05-18 | SILICONIX Incorporated | Drifted-Drain-MOS-Transistor für hohe Spannungen |
FR2618943B1 (fr) * | 1987-07-31 | 1989-12-01 | Thomson Hybrides Microondes | Dispositif semi-conducteur a effet de champ comportant une electrode annexe |
JP3346193B2 (ja) * | 1996-11-18 | 2002-11-18 | 松下電器産業株式会社 | 電力増幅器 |
US6303961B1 (en) * | 1998-04-29 | 2001-10-16 | Aqere Systems Guardian Corp. | Complementary semiconductor devices |
-
2000
- 2000-09-21 EP EP00830628A patent/EP1191601B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-09-21 DE DE60037248T patent/DE60037248T2/de not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-09-20 US US09/960,254 patent/US6624471B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6624471B2 (en) | 2003-09-23 |
EP1191601A1 (de) | 2002-03-27 |
US20020040995A1 (en) | 2002-04-11 |
EP1191601B1 (de) | 2007-11-28 |
DE60037248D1 (de) | 2008-01-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition |