DE4424748C2 - Verfahren zum Bilden von Elektroden mit niedrigem Widerstand sowie Flachtafelanzeigevorrichtung - Google Patents

Verfahren zum Bilden von Elektroden mit niedrigem Widerstand sowie Flachtafelanzeigevorrichtung

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Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfah­ ren zum selbstausgerichteten Ausstatten einer Elek­ trode mit einem Material niedrigen Widerstands, ferner eine Flachtafelanzeigevorrichtung.
Anzeiger, wie sie z. B. bei Laptop-Computer-Bildschir­ men üblicherweise verwendet werden, arbeiten mithilfe von auf Energie oder Spannung ansprechenden Substanzen (Flüssigkristalle, Plasma, Leuchtstoffe oder anderes Material), die zwischen Elektroden ange­ ordnet sind. Bei Erregung der auf Energie oder Span­ nung ansprechenden Substanzen gestatten diese entweder einen Durchgang von Licht durch eine transparente Elektrode hindurch zu dem Betrachter, oder sie erzeu­ gen selbst Licht, das durch eine transparente Elek­ trode hindurch zu dem Betrachter gelangt.
Flachbildschirmanzeigen verwenden integrierte Schaltungs­ technologie zur Erzeugung von dünnen Anzeigen bzw. Bildschirmen mit hoher Auflösung, bei denen jedes Bildelement bzw. Pixel durch einen Satz von Elektroden aktiviert wird. Die Flachbildschirmanzeigen-Technologie erhält zunehmend Bedeutung bei Geräten, bei denen tragbare Bildschirme mit niedrigem Gewicht erforder­ lich sind.
Unter den Vorrichtungen, die mindestens eine transpa­ rente Elektrode an einer Bildelementstelle verwenden, befinden sich Flüssigkristallanzeigen (LCD), Elektro­ luminiszenzanzeigen (EL), Plasmaanzeigen sowie elektrochrome Anzeigen. Diese Anzeigen verwenden zueinan­ der orthogonale, elektrisch leitfähige Reihen- und Spaltenelektroden zum Induzieren einer sichtbaren Bildelementstelle für einen Betrachter. Die Elektroden werden üblicherweise in Reihen und Spalten angeordnet. Zwischen den Elektroden werden auf Energie oder Span­ nung ansprechende Materialien angeordnet.
Damit das Licht durch die Elektrode hindurch zu dem Betrachter gelangen kann, müssen die Reihenelektroden, die Spaltenelektroden oder beide aus einem transparen­ ten Material hergestellt werden.
Das transparente Elektrodenmaterial muß auch elek­ trisch leitfähig sein, wie dies z. B. bei Indiumzinn­ oxid der Fall ist. Leider haben die leitfähigen Ma­ terialien mit transparenten Eigenschaften auch die Tendenz, im Vergleich zu opaquen oder reflektierenden Metallleitern hohe Widerstandswerte aufzuweisen. Die hohen Widerstandswerte haben die Tendenz, daß sie ein langsameres Laufen der Anzeigevorrichtung sowie einen höheren Energieverbrauch verursachen. Der Energiever­ brauch der Anzeige nimmt aufgrund des Widerstands der Reihen (bzw. Spalten) zu, wodurch die Energieverluste steigen. Die Geschwindigkeit des Anzeigenbetriebs wird aufgrund einer Erhöhung der RC-Zeitkonstante der Rei­ hen oder Spalten beeinträchtigt. Aus diesem Grund würde eine Elektrode mit niedrigem Widerstand den Ge­ samtbetrieb der Anzeige verbessern.
Derzeitige Verfahren zum Herstellen von Elektroden mit niedrigem Widerstand besitzen mehrere Nachteile. Eini­ ge dieser Verfahren verwenden einen Fotoätzschritt zur Erzielung der erforderlichen Mustergebung bzw. Struk­ turieren sowie zum Ätzen der Elektroden. Da der Vorgang nicht selbstausgerichtet ist, läßt er sich schwieriger steuern.
Weitere Verfahren verwenden die Elektroplattierung zum Steigern der Leitfähigkeit der Elektroden. In diesem Zusammenhang wird z. B. verwiesen auf Liu et al. "P-29: Conductivity Enhancement of Transparent Electrode by Side-wall Copper Electroplating".
Speziell ist aus der US 4 963 788 die Maßnahme be­ kannt, auf den einzelnen Elektrodenbahnen eine Bahn aus gut leitendem Material vorzusehen, wobei diese zusätzliche Bahn schmaler ist als die transparente Elektrodenbahn. Ein weiteres Beispiel für diese Me­ thode ist in der EP 518 296 A2 beschrieben. Dort wird auf einer ITO-Elektrode (Indiumzinnoxid) eine mehrla­ gige schmale Streifenanordnung aus Molybdän, Aluminium und wiederum Molybdän angebracht.
Aus der US 5 008 732 ist ein Dünnschicht-Anschluß­ element bekannt, bei dem ein schmaler Anschlußlappen des zu kontaktierenden Dünnschichtelements zunächst von einer Isolierschicht überzogen wird, auf der dann eine obere Elektrode angebracht wird, welche den An­ schlußlappen kreuzt, ohne mit diesem in Kontakt zu treten.
Aus der US 4 952 783 ist eine Heizplatte für bei­ spielsweise elektronische Geräte bekannt, bei der auf einem Substrat eine transparente leitende Schicht (zum Beispiel aus ITO) angeordnet ist, an deren zwei ein­ ander abgewandten Rändern Elektroden aufgebracht sind.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfah­ ren der eingangs genannten Art abzugeben, durch wel­ ches die Leitfähigkeit der Elektrode in einfacher Weise gesteigert werden kann, ohne daß die Ausrichtung des einen niedrigen elektrischen Widerstand aufweisen­ den Materials mit der Elektrode selbst Schwierigkeiten bereitet. Außerdem soll eine Flachtafelanzeigevorrich­ tung mit Elektroden geringen elektrischen Widerstands geschaffen werden.
Gelöst wird diese Aufgabe durch die im Anspruch 1 bzw. im Anspruch 7 angegebenen Merkmale.
Die Elektrode wird vorzugsweise aus einem im wesentli­ chen transparenten Material gebildet, auf der ein Ma­ terial mit niedrigem Widerstand (d. h. mit hoher Leit­ fähigkeit) angeordnet wird. Dieses Material mit hoher Leitfähigkeit wird anschließend derart geätzt, daß es entlang der Seiten der Elektrode übrigbleibt.
Die Elektrode kann direkt auf einem Substrat oder al­ ternativ auf einer oder mehreren isolierenden oder leitfähigen Schichten angeordnet werden. Bei einem weiteren Ausführungsbeispiel wird ein auf Energie oder Spannung ansprechendes Material (d. h. Leuchtstoffe, Flüssigkristalle, Plasma usw.) zwischen der Elektrode und dem Substrat angeordnet.
Bevorzugte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Die Erfindung und Weiterbildungen der Erfindung werden im folgenden anhand der zeichnerischen Darstellung mehrerer Ausführungsbeispiele noch näher erläutert.
In den Zeichnungen zeigen
Fig. 1 eine schematische Querschnittsansicht eines bevorzugten Ausführungsbeispiels der vorlie­ genden Erfindung, wobei eine zusätzliche Iso­ lierschicht auf den Elektroden strukturiert ist und das Material mit niedrigem Widerstand ge­ mäß dem erfindungsgemäßen Verfahren anisotrop geätzt worden ist, um dadurch Abstandselemente entlang der Elektroden zu schaffen;
Fig. 2 eine schematische Querschnittsansicht der Elektroden der Fig. 1 vor der Bildung der Bah­ nen mit niedrigem Widerstand;
Fig. 3 eine schematischen Querschnittsansicht der Elektroden der Fig. 2, wobei das Material mit niedrigem Widerstand auf diese aufgebracht ist;
Fig. 4 eine schematische Querschnittsansicht eines alternativen Ausführungsbeispiels der vorlie­ genden Erfindung, bei dem eine zusätzliche Isolierschicht unter den Elektroden angeordnet ist;
Fig. 5 eine schematische Querschnittsansicht eines alternativen Ausführungsbeispiels der vorlie­ genden Erfindung ohne zusätzliche Isolier­ schichten;
Fig. 6 eine schematische Querschnittsansicht eines alternativen Ausführungsbeispiels der vorlie­ genden Erfindung, bei dem zusätzliche Isolier­ schichten über und unter den Elektroden ange­ ordnet sind; und
Fig. 7 eine schematische Querschnittsansicht einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung zur Erläu­ terung einer Anwendung der vorliegenden Er­ findung.
Zur Vereinfachung der Erläuterungen wird die vorlie­ gende Erfindung unter Bezugnahme auf eine Elektro­ luminiszenzanzeige beschrieben. Für den Fachmann ver­ steht sich jedoch, daß die Erfindung auch bei anderen Anzeigen anwendbar ist, die von mindestens einer transparenten Elektrode Gebrauch machen. Der Betrieb von Elektroluminiszenzanzeigen ist allgemein bekannt und wird daher nicht weiter erläutert. Diesbezüglich wird auf die US 4 006 383, US 4 042 854 und US 4 114 070 verwiesen.
Wie in Fig. 2 gezeigt ist, wird eine Reihenelektrode (oder Spaltenelektrode) 2 aus einem leitfähigen transparenten Material, wie z. B. Indiumzinnoxid oder Zinnoxid, auf einem Substrat 1 hergestellt und weist ein darauf ange­ ordnetes, transparentes Isoliermaterial 3 auf, wobei es sich z. B. um Siliziumdioxid handelt. Tantaloxid und silicierte Materialien können ebenfalls zur Bildung des Isoliermaterials 3 verwendet werden.
Wenn die Elektroden 2 nicht vollständig aus einem (im wesentlichen) transparenten Material hergestellt wer­ den, so sollten doch große Bereiche der Elektroden 2 transparent sein.
Ein Vorteil der Verwendung einer Siliziumdioxidschicht 3 gemäß der vorliegenden Erfindung besteht in der Er­ höhung der Stapelhöhe zur praktischen Ausbildung ge­ ätzter Abstandselemente 4 (siehe Fig. 1). Wenn der zu ätzende Stapel höher ist, hat man mehr Flexibilität hinsichtlich der Ätzparameter, insbesondere hinsichtlich der Ätz- Gleichmäßigkeit sowie des Ausmaßes der Überätzung. Die Elektroden 2 besitzen eine Höhe etwa im Bereich von 100 nm bis 500 nm.
Bei einem alternativen Ausführungsbeispiel, wie es z. B. in Fig. 5 dargestellt ist, wird die transparente Siliziumdioxidschicht 3 nicht verwendet. In diesem Fall wird der Ätzschritt schwieriger, da die leitfä­ hige transparente Elektrode 2 normalerweise sehr klein ist und während der Überätzungsphase des Ätzschritts erodiert werden kann. Die Isolierschicht 3 schafft mehr Freiraum beim Ätzen und macht dadurch das erfin­ dungsgemäße Verfahren wirtschaftlich praktikabler.
Das Substrat 1 kann aus einem beliebigen bekannten Material bestehen, die Auswahl des Materials für das Substrat 1 kann im Hinblick auf die Kosten sowie auch im Hinblick auf den hergestellten Anzeigentyp erfol­ gen. Ein übliches Material ist ein Glasmaterial, wie z. B. des Typs Corning 7059 oder Sodaline Float Glass, wobei dieses Glas geschwärzt, dotiert oder anderweitig behandelt werden kann.
Die vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiele be­ sitzen außerdem eine Isolierschicht, die zwischen dem Substrat 1 und der bzw. den Elektroden 2 angeordnet ist. Das Ausführungsbeispiel der Fig. 6 besitzt eine weitere zusätzliche Isolierschicht 3, die unter den Elektroden 2 angeordnet, ist sowie eine Isolierschicht 3A, die über den Elektroden 2 angeordnet ist. Das Aus­ führungsbeispiel der Fig. 4 zeigt die Elektroden 2 mit einer unter diesen angeordneten Isolierschicht 3.
Die Isolierschicht 3 ist ebenfalls vorzugsweise aus transparentem Material, wie z. B. Siliziumdioxid, Tan­ taloxid oder einem silicierten Material hergestellt.
Je nach Anzeige können weitere Isolierschichten sowie weitere leitfähige Schichten zwischen den Elektroden 2 und dem Substrat 1 angeordnet werden. Weiterhin können auf Energie ansprechende Elemente oder Materialien (z. B. Plasma, Flüssigkristalle, Leuchtstoffe usw.) zwischen den Elektroden 2 und dem Substrat 1 angeord­ net werden. Bei weiteren Ausführungsformen (nicht ge­ zeigt) können die Elektroden 2 direkt auf dem Substrat 1 angeordnet sein.
Fig. 3 zeigt das Material 4 mit niedrigem Widerstand, das auf den Reihenelektroden 2 sowie entlang der Ober­ fläche des Substrats 1 angeordnet ist. Bei dem einen niedrigen Widerstand aufweisenden leitfähigen Material 4 kann es sich um einen mit dem Laser abgetragenen, einen durch chemische Dampfphasenabscheidung (CVD) aufgebrachten, einen aufgedampften oder aufgesputter­ ten Metallfilm oder um ein anderes geeignetes leitfähiges Material handeln. Weiterhin kann ein schützender Überzugsfilm (nicht gezeigt) aufgebracht werden, um ein anschließendes seitliches Ätzen des Films 4 mit niedrigem Widerstand während des Abstandselement-Ätz­ vorgangs zu verhindern.
Fig. 1 zeigt die Reihenelektroden 2 nach dem Ätzen des leitfähigen Materials 4 mit niedrigem Widerstand. Es verbleiben Abstandselemente 4, die sich über die Länge der Reihenelektroden 2 erstrecken. Das einen niedrigen Widerstand aufweisende leitfähige Material 4 wird vor­ zugsweise unter Verwendung eines Reaktionsionenätzvor­ gangs geätzt, wobei jedoch auch jegliches andere ge­ eignete, in der Technik bekannte Ätzverfahren verwendet werden kann.
Fig. 7 dient als erläuterndes Beispiel der vorliegen­ den Erfindung bei Verwendung derselben in einer Anzei­ gevorrichtung. In diesem speziellen Beispiel verwendet die Anzei­ ge Flüssigkristalle. Die vorliegende Erfindung ist jedoch ebenso zur Verwendung bei anderen Anzeigen ge­ eignet, die eine transparente Elektrode verwenden. Die einen hohen Widerstand aufweisenden Reihenelektroden enthalten einen transparenten Isolator 3 und eine In­ diumzinnoxidschicht 2 sowie die Abstandselementgebilde 4 der vorliegenden Erfindung.
Der Betrachter blickt auf die Anzeige durch eine Glas­ scheibe, an der die transparente Spaltenelektrode an­ gebracht ist. Die Flüssigkristalle sind zwischen der Spaltenelektrode und den Reihenelektroden angeordnet, die gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt sind. Die Reihenelektroden sind ebenfalls auf einem Substrat angeordnet, wobei bei diesem Beispiel das Substrat 1 aus Glas besteht. Eine Flüssigkristallan­ zeige wird von der Rückseite der Elektroden her beleuchtet, deshalb die Begriffe "von hinten beleuchtet" und "Licht von hinten".
Während die einen niedrigen Widerstand aufweisende, spezielle Elektrode zur Verwendung bei Flachbildschirman­ zeigen, wie sie hierin gezeigt und ausführlich be­ schrieben ist, voll in der Lage ist, die vorstehend genannten Ziele und Vorteile zu erreichen, versteht es sich, daß diese Elektrode lediglich als Beispiel für die derzeit bevorzugten Ausführungsformen der Erfin­ dung zu verstehen ist. Das bevorzugte Ausführungsbei­ spiel ist zwar unter Bezugnahme auf LCDs mit passiver Matrix beschrieben worden, doch für den Fachmann ver­ steht es sich, daß die vorliegende Erfindung auch bei anderen Anzeigentechnologien verwendbar ist, die zu­ einander orthogonale, elektrisch leitfähige Reihen- und Spaltenelektroden zum Induzieren einer sichtbaren Bildelementstelle für einen Betrachter verwenden, wie z. B. eine Plasmaanzeige, eine Elektroluminiszenzan­ zeige oder eine elektrochrome Anzeige.

Claims (7)

1. Verfahren zum selbstausgerichteten Ausstatten einer Elektrode mit einem Material niedrigen elektrischen Widerstands, umfassend die Schritte:
  • - Strukturieren einer Elektrode (2) über einem Substrat (1), wobei die Elektrode (2) eine Oberseite und zwei einander abgewandte Seitenflächen aufweist; und
  • - Aufbringen eines Materials (4) geringen spezifischen elektrischen Widerstands auf mindestens eine der Seitenflächen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufbringen des Materials (4) dadurch erfolgt, daß
auf die Elektrode (2) und das darunterliegende Substrat (1) eine Schicht aus dem Material geringen Widerstands aufgebracht wird, und
die Materialschicht derart geätzt wird, daß das Material als Abstandselement (4) nur an einer Seitenfläche oder an beiden Seitenflächen der Elektrode (2) stehen bleibt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Material geringen elektrischen Widerstands aus der Gruppe dotiertes Silizium, Tantaloxid und siliziertes Material ausgewählt ist.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrode aus Indiumzinnoxid oder Zinnoxid gebildet wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Elektrode (2) und dem Substrat (1) und/oder auf der Elektrode eine Isoliermaterialschicht (3) gebildet und das Material geringen Widerstands auf der Seitenfläche bzw. den Seitenflächen auf der Isoliermaterialschicht gebildet wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem für eine Flachtafelanzeige die Elektrode (2) aus transparentem Material gebildet wird, das einen relativ hohen elektrischen Widerstand im Vergleich zu dem Material geringen Widerstands aufweist.
7. Flachtafelanzeigevorrichtung mit Elektroden, die auf mindestens einem Substrat als transparente Elektroden mit Hilfe eines Materials mit einem relativ hohen spezifischen Widerstand ausgebildet sind, die eine dem Substrat abgewandte Oberseite und zwei Seitenflächen besitzen, insbesondere hergestellt nach dem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß sich auf zumindest einer der zwei Seitenflächen ein Material mit relativ geringem elektrischen spezifischen Widerstand befindet.
DE4424748A 1993-07-14 1994-07-13 Verfahren zum Bilden von Elektroden mit niedrigem Widerstand sowie Flachtafelanzeigevorrichtung Expired - Lifetime DE4424748C2 (de)

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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2283123B (en) * 1993-10-23 1997-10-22 Samsung Display Devices Co Ltd A method of forming an electrode for a liquid crystal display
JPH07318962A (ja) * 1994-03-30 1995-12-08 Seiko Instr Inc 電気装置の電極基板、電極形成方法及び実装方法
US5975975A (en) * 1994-09-16 1999-11-02 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for stabilization of threshold voltage in field emission displays
TW289864B (de) * 1994-09-16 1996-11-01 Micron Display Tech Inc
US6417605B1 (en) 1994-09-16 2002-07-09 Micron Technology, Inc. Method of preventing junction leakage in field emission devices
US5486126A (en) * 1994-11-18 1996-01-23 Micron Display Technology, Inc. Spacers for large area displays
US5630741A (en) * 1995-05-08 1997-05-20 Advanced Vision Technologies, Inc. Fabrication process for a field emission display cell structure
US5644188A (en) * 1995-05-08 1997-07-01 Advanced Vision Technologies, Inc. Field emission display cell structure
US5811929A (en) * 1995-06-02 1998-09-22 Advanced Vision Technologies, Inc. Lateral-emitter field-emission device with simplified anode
US5674407A (en) * 1995-07-03 1997-10-07 Texas Instruments Incorporated Method for selective etching of flat panel display anode plate conductors
US5716251A (en) * 1995-09-15 1998-02-10 Micron Display Technology, Inc. Sacrificial spacers for large area displays
US5886461A (en) * 1995-10-24 1999-03-23 Micron Display Technology, Inc. Transparent conductor for field emission displays
US5813893A (en) * 1995-12-29 1998-09-29 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Field emission display fabrication method
US5916004A (en) * 1996-01-11 1999-06-29 Micron Technology, Inc. Photolithographically produced flat panel display surface plate support structure
US5705079A (en) * 1996-01-19 1998-01-06 Micron Display Technology, Inc. Method for forming spacers in flat panel displays using photo-etching
US5984746A (en) 1996-12-12 1999-11-16 Micron Technology, Inc. Attaching spacers in a display device
US5851133A (en) * 1996-12-24 1998-12-22 Micron Display Technology, Inc. FED spacer fibers grown by laser drive CVD
US5888112A (en) * 1996-12-31 1999-03-30 Micron Technology, Inc. Method for forming spacers on a display substrate
US5986391A (en) * 1998-03-09 1999-11-16 Feldman Technology Corporation Transparent electrodes
US6037005A (en) * 1998-05-12 2000-03-14 3M Innovative Properties Company Display substrate electrodes with auxiliary metal layers for enhanced conductivity
US6083767A (en) * 1998-05-26 2000-07-04 Micron Technology, Inc. Method of patterning a semiconductor device
JP4511652B2 (ja) * 1998-06-15 2010-07-28 シャープ株式会社 表示装置用電極基板の製造方法
US6503564B1 (en) 1999-02-26 2003-01-07 3M Innovative Properties Company Method of coating microstructured substrates with polymeric layer(s), allowing preservation of surface feature profile
US6155900A (en) * 1999-10-12 2000-12-05 Micron Technology, Inc. Fiber spacers in large area vacuum displays and method for manufacture
US6469436B1 (en) * 2000-01-14 2002-10-22 Micron Technology, Inc. Radiation shielding for field emitters
US6849935B2 (en) 2002-05-10 2005-02-01 Sarnoff Corporation Low-cost circuit board materials and processes for area array electrical interconnections over a large area between a device and the circuit board
USRE41914E1 (en) 2002-05-10 2010-11-09 Ponnusamy Palanisamy Thermal management in electronic displays
US20090165296A1 (en) * 2006-04-04 2009-07-02 Yoash Carmi Patterns of conductive objects on a substrate and method of producing thereof
US7992293B2 (en) * 2006-04-04 2011-08-09 Hanita Coatings R.C.A. Ltd Method of manufacturing a patterned conductive layer
JP4305485B2 (ja) * 2006-09-26 2009-07-29 セイコーエプソン株式会社 液晶装置、液晶装置の駆動方法、プロジェクタ及び電子機器
CN101939698B (zh) * 2007-12-14 2014-09-17 3M创新有限公司 制备电子器件的方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4108521A (en) * 1976-08-30 1978-08-22 Burroughs Corporation Method of making a display panel and the anodes therefor
EP0369450A2 (de) * 1988-11-18 1990-05-23 Seiko Instruments Inc. Eingangschutzschaltung für eine elektrooptische Vorrichtung
US4929059A (en) * 1987-12-10 1990-05-29 Seiko Epson Corporation Non-linear element for liquid crystal displays
US4952783A (en) * 1989-03-20 1990-08-28 W. H. Brady Co. Light transmitting flexible film electrical heater panels
US4963788A (en) * 1988-07-14 1990-10-16 Planar Systems, Inc. Thin film electroluminescent display with improved contrast
EP0421429A2 (de) * 1989-10-03 1991-04-10 Sharp Kabushiki Kaisha Verfahren zur Erzeugung eines Elektrodenmusters
US5008732A (en) * 1988-12-09 1991-04-16 Ricoh Company, Ltd. Thin film two terminal element
DE4118987A1 (de) * 1990-06-11 1992-01-09 Planar Int Oy Duennfilm-matrix-struktur, insbesondere fuer eine leuchtanzeige
EP0518296A2 (de) * 1991-06-12 1992-12-16 Canon Kabushiki Kaisha Elektrodenplatte und ihr Herstellungsprozess
DE4243653A1 (en) * 1991-12-27 1993-07-01 Rohm Co Ltd Liquid crystal display field electrode structure - has low resistivity transparent ITO electrodes covered by high resistivity electrodes on glass substrate

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4042854A (en) * 1975-11-21 1977-08-16 Westinghouse Electric Corporation Flat panel display device with integral thin film transistor control system
US4006383A (en) * 1975-11-28 1977-02-01 Westinghouse Electric Corporation Electroluminescent display panel with enlarged active display areas
US4114070A (en) * 1977-03-22 1978-09-12 Westinghouse Electric Corp. Display panel with simplified thin film interconnect system
US4670097A (en) * 1985-12-23 1987-06-02 Gte Products Corporation Method for patterning transparent layers on a transparent substrate
US4986876A (en) * 1990-05-07 1991-01-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method of smoothing patterned transparent electrode stripes in thin film electroluminescent display panel manufacture
DE69109547T2 (de) * 1990-07-06 1996-01-18 Seiko Epson Corp Verfahren zur Herstellung eines Substrates für eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung.

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4108521A (en) * 1976-08-30 1978-08-22 Burroughs Corporation Method of making a display panel and the anodes therefor
US4929059A (en) * 1987-12-10 1990-05-29 Seiko Epson Corporation Non-linear element for liquid crystal displays
US4963788A (en) * 1988-07-14 1990-10-16 Planar Systems, Inc. Thin film electroluminescent display with improved contrast
EP0369450A2 (de) * 1988-11-18 1990-05-23 Seiko Instruments Inc. Eingangschutzschaltung für eine elektrooptische Vorrichtung
US5008732A (en) * 1988-12-09 1991-04-16 Ricoh Company, Ltd. Thin film two terminal element
US4952783A (en) * 1989-03-20 1990-08-28 W. H. Brady Co. Light transmitting flexible film electrical heater panels
EP0421429A2 (de) * 1989-10-03 1991-04-10 Sharp Kabushiki Kaisha Verfahren zur Erzeugung eines Elektrodenmusters
DE4118987A1 (de) * 1990-06-11 1992-01-09 Planar Int Oy Duennfilm-matrix-struktur, insbesondere fuer eine leuchtanzeige
EP0518296A2 (de) * 1991-06-12 1992-12-16 Canon Kabushiki Kaisha Elektrodenplatte und ihr Herstellungsprozess
DE4243653A1 (en) * 1991-12-27 1993-07-01 Rohm Co Ltd Liquid crystal display field electrode structure - has low resistivity transparent ITO electrodes covered by high resistivity electrodes on glass substrate

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 1-86429 A, In: Patents Abstr. of Japan, Sect. E, Vol. 13, 1989, No. 317 (E-789) *

Also Published As

Publication number Publication date
US5342477A (en) 1994-08-30
DE4424748A1 (de) 1995-01-19
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JPH07166379A (ja) 1995-06-27

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