DE4424748C2 - Verfahren zum Bilden von Elektroden mit niedrigem Widerstand sowie Flachtafelanzeigevorrichtung - Google Patents
Verfahren zum Bilden von Elektroden mit niedrigem Widerstand sowie FlachtafelanzeigevorrichtungInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfah
ren zum selbstausgerichteten Ausstatten einer Elek
trode mit einem Material niedrigen Widerstands, ferner
eine Flachtafelanzeigevorrichtung.
Anzeiger, wie sie z. B. bei Laptop-Computer-Bildschir
men üblicherweise verwendet werden, arbeiten mithilfe
von auf Energie oder Spannung ansprechenden
Substanzen (Flüssigkristalle, Plasma, Leuchtstoffe
oder anderes Material), die zwischen Elektroden ange
ordnet sind. Bei Erregung der auf Energie oder Span
nung ansprechenden Substanzen gestatten diese entweder
einen Durchgang von Licht durch eine transparente
Elektrode hindurch zu dem Betrachter, oder sie erzeu
gen selbst Licht, das durch eine transparente Elek
trode hindurch zu dem Betrachter gelangt.
Flachbildschirmanzeigen verwenden integrierte Schaltungs
technologie zur Erzeugung von dünnen Anzeigen bzw.
Bildschirmen mit hoher Auflösung, bei denen jedes
Bildelement bzw. Pixel durch einen Satz von Elektroden
aktiviert wird. Die Flachbildschirmanzeigen-Technologie
erhält zunehmend Bedeutung bei Geräten, bei denen
tragbare Bildschirme mit niedrigem Gewicht erforder
lich sind.
Unter den Vorrichtungen, die mindestens eine transpa
rente Elektrode an einer Bildelementstelle verwenden,
befinden sich Flüssigkristallanzeigen (LCD), Elektro
luminiszenzanzeigen (EL), Plasmaanzeigen sowie elektrochrome
Anzeigen. Diese Anzeigen verwenden zueinan
der orthogonale, elektrisch leitfähige Reihen- und
Spaltenelektroden zum Induzieren einer sichtbaren
Bildelementstelle für einen Betrachter. Die Elektroden
werden üblicherweise in Reihen und Spalten angeordnet.
Zwischen den Elektroden werden auf Energie oder Span
nung ansprechende Materialien angeordnet.
Damit das Licht durch die Elektrode hindurch zu dem
Betrachter gelangen kann, müssen die Reihenelektroden,
die Spaltenelektroden oder beide aus einem transparen
ten Material hergestellt werden.
Das transparente Elektrodenmaterial muß auch elek
trisch leitfähig sein, wie dies z. B. bei Indiumzinn
oxid der Fall ist. Leider haben die leitfähigen Ma
terialien mit transparenten Eigenschaften auch die
Tendenz, im Vergleich zu opaquen oder reflektierenden
Metallleitern hohe Widerstandswerte aufzuweisen. Die
hohen Widerstandswerte haben die Tendenz, daß sie ein
langsameres Laufen der Anzeigevorrichtung sowie einen
höheren Energieverbrauch verursachen. Der Energiever
brauch der Anzeige nimmt aufgrund des Widerstands der
Reihen (bzw. Spalten) zu, wodurch die Energieverluste
steigen. Die Geschwindigkeit des Anzeigenbetriebs wird
aufgrund einer Erhöhung der RC-Zeitkonstante der Rei
hen oder Spalten beeinträchtigt. Aus diesem Grund
würde eine Elektrode mit niedrigem Widerstand den Ge
samtbetrieb der Anzeige verbessern.
Derzeitige Verfahren zum Herstellen von Elektroden mit
niedrigem Widerstand besitzen mehrere Nachteile. Eini
ge dieser Verfahren verwenden einen Fotoätzschritt zur
Erzielung der erforderlichen Mustergebung bzw. Struk
turieren sowie zum Ätzen der Elektroden. Da der Vorgang
nicht selbstausgerichtet ist, läßt er sich
schwieriger steuern.
Weitere Verfahren verwenden die Elektroplattierung zum
Steigern der Leitfähigkeit der Elektroden. In diesem
Zusammenhang wird z. B. verwiesen auf Liu et al. "P-29:
Conductivity Enhancement of Transparent Electrode by
Side-wall Copper Electroplating".
Speziell ist aus der US 4 963 788 die Maßnahme be
kannt, auf den einzelnen Elektrodenbahnen eine Bahn
aus gut leitendem Material vorzusehen, wobei diese
zusätzliche Bahn schmaler ist als die transparente
Elektrodenbahn. Ein weiteres Beispiel für diese Me
thode ist in der EP 518 296 A2 beschrieben. Dort wird
auf einer ITO-Elektrode (Indiumzinnoxid) eine mehrla
gige schmale Streifenanordnung aus Molybdän, Aluminium
und wiederum Molybdän angebracht.
Aus der US 5 008 732 ist ein Dünnschicht-Anschluß
element bekannt, bei dem ein schmaler Anschlußlappen
des zu kontaktierenden Dünnschichtelements zunächst
von einer Isolierschicht überzogen wird, auf der dann
eine obere Elektrode angebracht wird, welche den An
schlußlappen kreuzt, ohne mit diesem in Kontakt zu
treten.
Aus der US 4 952 783 ist eine Heizplatte für bei
spielsweise elektronische Geräte bekannt, bei der auf
einem Substrat eine transparente leitende Schicht (zum
Beispiel aus ITO) angeordnet ist, an deren zwei ein
ander abgewandten Rändern Elektroden aufgebracht sind.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfah
ren der eingangs genannten Art abzugeben, durch wel
ches die Leitfähigkeit der Elektrode in einfacher Weise
gesteigert werden kann, ohne daß die Ausrichtung
des einen niedrigen elektrischen Widerstand aufweisen
den Materials mit der Elektrode selbst Schwierigkeiten
bereitet. Außerdem soll eine Flachtafelanzeigevorrich
tung mit Elektroden geringen elektrischen Widerstands
geschaffen werden.
Gelöst wird diese Aufgabe durch die im Anspruch 1 bzw.
im Anspruch 7 angegebenen Merkmale.
Die Elektrode wird vorzugsweise aus einem im wesentli
chen transparenten Material gebildet, auf der ein Ma
terial mit niedrigem Widerstand (d. h. mit hoher Leit
fähigkeit) angeordnet wird. Dieses Material mit hoher
Leitfähigkeit wird anschließend derart geätzt, daß es
entlang der Seiten der Elektrode übrigbleibt.
Die Elektrode kann direkt auf einem Substrat oder al
ternativ auf einer oder mehreren isolierenden oder
leitfähigen Schichten angeordnet werden. Bei einem
weiteren Ausführungsbeispiel wird ein auf Energie oder
Spannung ansprechendes Material (d. h. Leuchtstoffe,
Flüssigkristalle, Plasma usw.) zwischen der Elektrode
und dem Substrat angeordnet.
Bevorzugte Weiterbildungen der Erfindung sind in den
Unteransprüchen angegeben.
Die Erfindung und Weiterbildungen der Erfindung werden
im folgenden anhand der zeichnerischen Darstellung
mehrerer Ausführungsbeispiele noch näher erläutert.
In den Zeichnungen zeigen
Fig. 1 eine schematische Querschnittsansicht eines
bevorzugten Ausführungsbeispiels der vorlie
genden Erfindung, wobei eine zusätzliche Iso
lierschicht auf den Elektroden strukturiert ist
und das Material mit niedrigem Widerstand ge
mäß dem erfindungsgemäßen Verfahren anisotrop
geätzt worden ist, um dadurch Abstandselemente
entlang der Elektroden zu schaffen;
Fig. 2 eine schematische Querschnittsansicht der
Elektroden der Fig. 1 vor der Bildung der Bah
nen mit niedrigem Widerstand;
Fig. 3 eine schematischen Querschnittsansicht der
Elektroden der Fig. 2, wobei das Material mit
niedrigem Widerstand auf diese aufgebracht
ist;
Fig. 4 eine schematische Querschnittsansicht eines
alternativen Ausführungsbeispiels der vorlie
genden Erfindung, bei dem eine zusätzliche
Isolierschicht unter den Elektroden angeordnet
ist;
Fig. 5 eine schematische Querschnittsansicht eines
alternativen Ausführungsbeispiels der vorlie
genden Erfindung ohne zusätzliche Isolier
schichten;
Fig. 6 eine schematische Querschnittsansicht eines
alternativen Ausführungsbeispiels der vorlie
genden Erfindung, bei dem zusätzliche Isolier
schichten über und unter den Elektroden ange
ordnet sind; und
Fig. 7 eine schematische Querschnittsansicht einer
Flüssigkristallanzeigevorrichtung zur Erläu
terung einer Anwendung der vorliegenden Er
findung.
Zur Vereinfachung der Erläuterungen wird die vorlie
gende Erfindung unter Bezugnahme auf eine Elektro
luminiszenzanzeige beschrieben. Für den Fachmann ver
steht sich jedoch, daß die Erfindung auch bei anderen
Anzeigen anwendbar ist, die von mindestens einer
transparenten Elektrode Gebrauch machen. Der Betrieb
von Elektroluminiszenzanzeigen ist allgemein bekannt
und wird daher nicht weiter erläutert. Diesbezüglich
wird auf die US 4 006 383, US 4 042 854 und US 4 114 070
verwiesen.
Wie in Fig. 2 gezeigt ist, wird eine Reihenelektrode
(oder Spaltenelektrode) 2 aus einem leitfähigen
transparenten Material, wie z. B. Indiumzinnoxid oder
Zinnoxid, auf einem Substrat 1 hergestellt und weist ein darauf ange
ordnetes, transparentes Isoliermaterial 3 auf, wobei
es sich z. B. um Siliziumdioxid handelt. Tantaloxid und
silicierte Materialien können ebenfalls zur Bildung
des Isoliermaterials 3 verwendet werden.
Wenn die Elektroden 2 nicht vollständig aus einem (im
wesentlichen) transparenten Material hergestellt wer
den, so sollten doch große Bereiche der Elektroden 2
transparent sein.
Ein Vorteil der Verwendung einer Siliziumdioxidschicht
3 gemäß der vorliegenden Erfindung besteht in der Er
höhung der Stapelhöhe zur praktischen Ausbildung ge
ätzter Abstandselemente 4 (siehe Fig. 1). Wenn der zu ätzende Stapel
höher ist, hat man mehr Flexibilität hinsichtlich der
Ätzparameter, insbesondere hinsichtlich der Ätz-
Gleichmäßigkeit sowie des Ausmaßes der Überätzung. Die
Elektroden 2 besitzen eine Höhe etwa im Bereich von
100 nm bis 500 nm.
Bei einem alternativen Ausführungsbeispiel, wie es
z. B. in Fig. 5 dargestellt ist, wird die transparente
Siliziumdioxidschicht 3 nicht verwendet. In diesem
Fall wird der Ätzschritt schwieriger, da die leitfä
hige transparente Elektrode 2 normalerweise sehr klein
ist und während der Überätzungsphase des Ätzschritts
erodiert werden kann. Die Isolierschicht 3 schafft
mehr Freiraum beim Ätzen und macht dadurch das erfin
dungsgemäße Verfahren wirtschaftlich praktikabler.
Das Substrat 1 kann aus einem beliebigen bekannten
Material bestehen, die Auswahl des Materials für das
Substrat 1 kann im Hinblick auf die Kosten sowie auch
im Hinblick auf den hergestellten Anzeigentyp erfol
gen. Ein übliches Material ist ein Glasmaterial, wie
z. B. des Typs Corning 7059 oder Sodaline Float Glass,
wobei dieses Glas geschwärzt, dotiert oder anderweitig
behandelt werden kann.
Die vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiele be
sitzen außerdem eine Isolierschicht, die zwischen dem
Substrat 1 und der bzw. den Elektroden 2 angeordnet
ist. Das Ausführungsbeispiel der Fig. 6 besitzt eine
weitere zusätzliche Isolierschicht 3, die unter den
Elektroden 2 angeordnet, ist sowie eine Isolierschicht
3A, die über den Elektroden 2 angeordnet ist. Das Aus
führungsbeispiel der Fig. 4 zeigt die Elektroden 2 mit
einer unter diesen angeordneten Isolierschicht 3.
Die Isolierschicht 3 ist ebenfalls vorzugsweise aus
transparentem Material, wie z. B. Siliziumdioxid, Tan
taloxid oder einem silicierten Material hergestellt.
Je nach Anzeige können weitere Isolierschichten sowie
weitere leitfähige Schichten zwischen den Elektroden 2
und dem Substrat 1 angeordnet werden. Weiterhin können
auf Energie ansprechende Elemente oder Materialien
(z. B. Plasma, Flüssigkristalle, Leuchtstoffe usw.)
zwischen den Elektroden 2 und dem Substrat 1 angeord
net werden. Bei weiteren Ausführungsformen (nicht ge
zeigt) können die Elektroden 2 direkt auf dem Substrat
1 angeordnet sein.
Fig. 3 zeigt das Material 4 mit niedrigem Widerstand,
das auf den Reihenelektroden 2 sowie entlang der Ober
fläche des Substrats 1 angeordnet ist. Bei dem einen
niedrigen Widerstand aufweisenden leitfähigen Material
4 kann es sich um einen mit dem Laser abgetragenen,
einen durch chemische Dampfphasenabscheidung (CVD)
aufgebrachten, einen aufgedampften oder aufgesputter
ten Metallfilm oder um ein anderes geeignetes leitfähiges
Material handeln. Weiterhin kann ein schützender
Überzugsfilm (nicht gezeigt) aufgebracht werden, um
ein anschließendes seitliches Ätzen des Films 4 mit
niedrigem Widerstand während des Abstandselement-Ätz
vorgangs zu verhindern.
Fig. 1 zeigt die Reihenelektroden 2 nach dem Ätzen des
leitfähigen Materials 4 mit niedrigem Widerstand. Es
verbleiben Abstandselemente 4, die sich über die Länge
der Reihenelektroden 2 erstrecken. Das einen niedrigen
Widerstand aufweisende leitfähige Material 4 wird vor
zugsweise unter Verwendung eines Reaktionsionenätzvor
gangs geätzt, wobei jedoch auch jegliches andere ge
eignete, in der Technik bekannte Ätzverfahren verwendet
werden kann.
Fig. 7 dient als erläuterndes Beispiel der vorliegen
den Erfindung bei Verwendung derselben in einer Anzei
gevorrichtung. In diesem speziellen Beispiel verwendet die Anzei
ge Flüssigkristalle. Die vorliegende Erfindung ist
jedoch ebenso zur Verwendung bei anderen Anzeigen ge
eignet, die eine transparente Elektrode verwenden. Die
einen hohen Widerstand aufweisenden Reihenelektroden
enthalten einen transparenten Isolator 3 und eine In
diumzinnoxidschicht 2 sowie die Abstandselementgebilde
4 der vorliegenden Erfindung.
Der Betrachter blickt auf die Anzeige durch eine Glas
scheibe, an der die transparente Spaltenelektrode an
gebracht ist. Die Flüssigkristalle sind zwischen der
Spaltenelektrode und den Reihenelektroden angeordnet,
die gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt
sind. Die Reihenelektroden sind ebenfalls auf einem
Substrat angeordnet, wobei bei diesem Beispiel das
Substrat 1 aus Glas besteht. Eine Flüssigkristallan
zeige wird von der Rückseite der Elektroden her beleuchtet,
deshalb die Begriffe "von hinten beleuchtet" und
"Licht von hinten".
Während die einen niedrigen Widerstand aufweisende,
spezielle Elektrode zur Verwendung bei Flachbildschirman
zeigen, wie sie hierin gezeigt und ausführlich be
schrieben ist, voll in der Lage ist, die vorstehend
genannten Ziele und Vorteile zu erreichen, versteht es
sich, daß diese Elektrode lediglich als Beispiel für
die derzeit bevorzugten Ausführungsformen der Erfin
dung zu verstehen ist. Das bevorzugte Ausführungsbei
spiel ist zwar unter Bezugnahme auf LCDs mit passiver
Matrix beschrieben worden, doch für den Fachmann ver
steht es sich, daß die vorliegende Erfindung auch bei
anderen Anzeigentechnologien verwendbar ist, die zu
einander orthogonale, elektrisch leitfähige Reihen-
und Spaltenelektroden zum Induzieren einer sichtbaren
Bildelementstelle für einen Betrachter verwenden, wie
z. B. eine Plasmaanzeige, eine Elektroluminiszenzan
zeige oder eine elektrochrome Anzeige.
Claims (7)
1. Verfahren zum selbstausgerichteten Ausstatten einer Elektrode mit
einem Material niedrigen elektrischen Widerstands, umfassend die
Schritte:
- - Strukturieren einer Elektrode (2) über einem Substrat (1), wobei die Elektrode (2) eine Oberseite und zwei einander abgewandte Seitenflächen aufweist; und
- - Aufbringen eines Materials (4) geringen spezifischen elektrischen Widerstands auf mindestens eine der Seitenflächen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das
Aufbringen des Materials (4) dadurch erfolgt, daß
auf die Elektrode (2) und das darunterliegende Substrat (1) eine Schicht aus dem Material geringen Widerstands aufgebracht wird, und
die Materialschicht derart geätzt wird, daß das Material als Abstandselement (4) nur an einer Seitenfläche oder an beiden Seitenflächen der Elektrode (2) stehen bleibt.
auf die Elektrode (2) und das darunterliegende Substrat (1) eine Schicht aus dem Material geringen Widerstands aufgebracht wird, und
die Materialschicht derart geätzt wird, daß das Material als Abstandselement (4) nur an einer Seitenfläche oder an beiden Seitenflächen der Elektrode (2) stehen bleibt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß
das Material geringen elektrischen Widerstands aus der Gruppe
dotiertes Silizium, Tantaloxid und siliziertes Material ausgewählt ist.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die Elektrode aus Indiumzinnoxid oder
Zinnoxid gebildet wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß zwischen der Elektrode (2) und dem Substrat
(1) und/oder auf der Elektrode eine Isoliermaterialschicht (3)
gebildet und das Material geringen Widerstands auf der Seitenfläche
bzw. den Seitenflächen auf der Isoliermaterialschicht gebildet wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem für eine
Flachtafelanzeige die Elektrode (2) aus transparentem Material
gebildet wird, das einen relativ hohen elektrischen Widerstand im
Vergleich zu dem Material geringen Widerstands aufweist.
7. Flachtafelanzeigevorrichtung mit Elektroden, die auf mindestens
einem Substrat als transparente Elektroden mit Hilfe eines Materials
mit einem relativ hohen spezifischen Widerstand ausgebildet sind,
die eine dem Substrat abgewandte Oberseite und zwei Seitenflächen
besitzen, insbesondere hergestellt nach dem Verfahren gemäß einem
der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß sich auf
zumindest einer der zwei Seitenflächen ein Material mit relativ
geringem elektrischen spezifischen Widerstand befindet.
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US5975975A (en) * | 1994-09-16 | 1999-11-02 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for stabilization of threshold voltage in field emission displays |
TW289864B (de) * | 1994-09-16 | 1996-11-01 | Micron Display Tech Inc | |
US6417605B1 (en) | 1994-09-16 | 2002-07-09 | Micron Technology, Inc. | Method of preventing junction leakage in field emission devices |
US5486126A (en) * | 1994-11-18 | 1996-01-23 | Micron Display Technology, Inc. | Spacers for large area displays |
US5630741A (en) * | 1995-05-08 | 1997-05-20 | Advanced Vision Technologies, Inc. | Fabrication process for a field emission display cell structure |
US5644188A (en) * | 1995-05-08 | 1997-07-01 | Advanced Vision Technologies, Inc. | Field emission display cell structure |
US5811929A (en) * | 1995-06-02 | 1998-09-22 | Advanced Vision Technologies, Inc. | Lateral-emitter field-emission device with simplified anode |
US5674407A (en) * | 1995-07-03 | 1997-10-07 | Texas Instruments Incorporated | Method for selective etching of flat panel display anode plate conductors |
US5716251A (en) * | 1995-09-15 | 1998-02-10 | Micron Display Technology, Inc. | Sacrificial spacers for large area displays |
US5886461A (en) * | 1995-10-24 | 1999-03-23 | Micron Display Technology, Inc. | Transparent conductor for field emission displays |
US5813893A (en) * | 1995-12-29 | 1998-09-29 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Field emission display fabrication method |
US5916004A (en) * | 1996-01-11 | 1999-06-29 | Micron Technology, Inc. | Photolithographically produced flat panel display surface plate support structure |
US5705079A (en) * | 1996-01-19 | 1998-01-06 | Micron Display Technology, Inc. | Method for forming spacers in flat panel displays using photo-etching |
US5984746A (en) | 1996-12-12 | 1999-11-16 | Micron Technology, Inc. | Attaching spacers in a display device |
US5851133A (en) * | 1996-12-24 | 1998-12-22 | Micron Display Technology, Inc. | FED spacer fibers grown by laser drive CVD |
US5888112A (en) * | 1996-12-31 | 1999-03-30 | Micron Technology, Inc. | Method for forming spacers on a display substrate |
US5986391A (en) * | 1998-03-09 | 1999-11-16 | Feldman Technology Corporation | Transparent electrodes |
US6037005A (en) * | 1998-05-12 | 2000-03-14 | 3M Innovative Properties Company | Display substrate electrodes with auxiliary metal layers for enhanced conductivity |
US6083767A (en) * | 1998-05-26 | 2000-07-04 | Micron Technology, Inc. | Method of patterning a semiconductor device |
JP4511652B2 (ja) * | 1998-06-15 | 2010-07-28 | シャープ株式会社 | 表示装置用電極基板の製造方法 |
US6503564B1 (en) | 1999-02-26 | 2003-01-07 | 3M Innovative Properties Company | Method of coating microstructured substrates with polymeric layer(s), allowing preservation of surface feature profile |
US6155900A (en) * | 1999-10-12 | 2000-12-05 | Micron Technology, Inc. | Fiber spacers in large area vacuum displays and method for manufacture |
US6469436B1 (en) * | 2000-01-14 | 2002-10-22 | Micron Technology, Inc. | Radiation shielding for field emitters |
US6849935B2 (en) | 2002-05-10 | 2005-02-01 | Sarnoff Corporation | Low-cost circuit board materials and processes for area array electrical interconnections over a large area between a device and the circuit board |
USRE41914E1 (en) | 2002-05-10 | 2010-11-09 | Ponnusamy Palanisamy | Thermal management in electronic displays |
US20090165296A1 (en) * | 2006-04-04 | 2009-07-02 | Yoash Carmi | Patterns of conductive objects on a substrate and method of producing thereof |
US7992293B2 (en) * | 2006-04-04 | 2011-08-09 | Hanita Coatings R.C.A. Ltd | Method of manufacturing a patterned conductive layer |
JP4305485B2 (ja) * | 2006-09-26 | 2009-07-29 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置、液晶装置の駆動方法、プロジェクタ及び電子機器 |
CN101939698B (zh) * | 2007-12-14 | 2014-09-17 | 3M创新有限公司 | 制备电子器件的方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4108521A (en) * | 1976-08-30 | 1978-08-22 | Burroughs Corporation | Method of making a display panel and the anodes therefor |
EP0369450A2 (de) * | 1988-11-18 | 1990-05-23 | Seiko Instruments Inc. | Eingangschutzschaltung für eine elektrooptische Vorrichtung |
US4929059A (en) * | 1987-12-10 | 1990-05-29 | Seiko Epson Corporation | Non-linear element for liquid crystal displays |
US4952783A (en) * | 1989-03-20 | 1990-08-28 | W. H. Brady Co. | Light transmitting flexible film electrical heater panels |
US4963788A (en) * | 1988-07-14 | 1990-10-16 | Planar Systems, Inc. | Thin film electroluminescent display with improved contrast |
EP0421429A2 (de) * | 1989-10-03 | 1991-04-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Verfahren zur Erzeugung eines Elektrodenmusters |
US5008732A (en) * | 1988-12-09 | 1991-04-16 | Ricoh Company, Ltd. | Thin film two terminal element |
DE4118987A1 (de) * | 1990-06-11 | 1992-01-09 | Planar Int Oy | Duennfilm-matrix-struktur, insbesondere fuer eine leuchtanzeige |
EP0518296A2 (de) * | 1991-06-12 | 1992-12-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Elektrodenplatte und ihr Herstellungsprozess |
DE4243653A1 (en) * | 1991-12-27 | 1993-07-01 | Rohm Co Ltd | Liquid crystal display field electrode structure - has low resistivity transparent ITO electrodes covered by high resistivity electrodes on glass substrate |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4042854A (en) * | 1975-11-21 | 1977-08-16 | Westinghouse Electric Corporation | Flat panel display device with integral thin film transistor control system |
US4006383A (en) * | 1975-11-28 | 1977-02-01 | Westinghouse Electric Corporation | Electroluminescent display panel with enlarged active display areas |
US4114070A (en) * | 1977-03-22 | 1978-09-12 | Westinghouse Electric Corp. | Display panel with simplified thin film interconnect system |
US4670097A (en) * | 1985-12-23 | 1987-06-02 | Gte Products Corporation | Method for patterning transparent layers on a transparent substrate |
US4986876A (en) * | 1990-05-07 | 1991-01-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of smoothing patterned transparent electrode stripes in thin film electroluminescent display panel manufacture |
DE69109547T2 (de) * | 1990-07-06 | 1996-01-18 | Seiko Epson Corp | Verfahren zur Herstellung eines Substrates für eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung. |
-
1993
- 1993-07-14 US US08/092,311 patent/US5342477A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-07-13 DE DE4424748A patent/DE4424748C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-07-14 JP JP6184140A patent/JP2771118B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4108521A (en) * | 1976-08-30 | 1978-08-22 | Burroughs Corporation | Method of making a display panel and the anodes therefor |
US4929059A (en) * | 1987-12-10 | 1990-05-29 | Seiko Epson Corporation | Non-linear element for liquid crystal displays |
US4963788A (en) * | 1988-07-14 | 1990-10-16 | Planar Systems, Inc. | Thin film electroluminescent display with improved contrast |
EP0369450A2 (de) * | 1988-11-18 | 1990-05-23 | Seiko Instruments Inc. | Eingangschutzschaltung für eine elektrooptische Vorrichtung |
US5008732A (en) * | 1988-12-09 | 1991-04-16 | Ricoh Company, Ltd. | Thin film two terminal element |
US4952783A (en) * | 1989-03-20 | 1990-08-28 | W. H. Brady Co. | Light transmitting flexible film electrical heater panels |
EP0421429A2 (de) * | 1989-10-03 | 1991-04-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Verfahren zur Erzeugung eines Elektrodenmusters |
DE4118987A1 (de) * | 1990-06-11 | 1992-01-09 | Planar Int Oy | Duennfilm-matrix-struktur, insbesondere fuer eine leuchtanzeige |
EP0518296A2 (de) * | 1991-06-12 | 1992-12-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Elektrodenplatte und ihr Herstellungsprozess |
DE4243653A1 (en) * | 1991-12-27 | 1993-07-01 | Rohm Co Ltd | Liquid crystal display field electrode structure - has low resistivity transparent ITO electrodes covered by high resistivity electrodes on glass substrate |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JP 1-86429 A, In: Patents Abstr. of Japan, Sect. E, Vol. 13, 1989, No. 317 (E-789) * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5342477A (en) | 1994-08-30 |
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