DE4414808A1 - Antireflexschicht und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes unter Verwendung derselben - Google Patents
Antireflexschicht und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes unter Verwendung derselbenInfo
- Publication number
- DE4414808A1 DE4414808A1 DE4414808A DE4414808A DE4414808A1 DE 4414808 A1 DE4414808 A1 DE 4414808A1 DE 4414808 A DE4414808 A DE 4414808A DE 4414808 A DE4414808 A DE 4414808A DE 4414808 A1 DE4414808 A1 DE 4414808A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- further characterized
- reflective
- resin
- hardening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
- H01L21/0276—Photolithographic processes using an anti-reflective coating
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/942—Masking
- Y10S438/948—Radiation resist
- Y10S438/952—Utilizing antireflective layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Antireflexbeschichtungs
zusammensetzung, eine daraus bestehende Antireflexschicht, ein
Verfahren zur Herstellung derselben und auf ein Verfahren zur
Herstellung eines Halbleiterbauelementes, in welchem eine
derartige Antireflexschicht verwendet wird.
Es ist bekannt, feine Strukturen in einem Halbleiterbauelement
auf fotolithographischem Wege zu erzeugen. Ein Verfahren zur
Herstellung von Strukturen mittels Fotolithographie läßt sich
schematisch wie folgt beschreiben. Als erstes wird auf ein zu
strukturierendes Substrat, wie z. B. einen Halbleiterwafer, eine
dielektrischen Schicht oder eine leitfähigen Schicht, ein Foto
resistfilm aus organischen Materialien aufgebracht, der die
Eigenschaft hat, seine Löslichkeit gegenüber einer alkalischen
Lösung nach Belichtung mit ultraviolettem (UV) Licht, Röntgen
strahlung etc. verglichen mit dem unbelichteten Zustand zu
ändern. Der Resistfilm wird unter Verwendung einer Masken
struktur über dem Fotoresistfilm selektiv belichtet und dann
entwickelt, um den Bereich mit hoher Löslichkeit zu entfernen
(im Fall eines positiven Resists wird der belichtete Bereich
entfernt), während der Bereich geringer Löslichkeit zur Bildung
von Resiststrukturen verbleibt. Durch Ätzen des Substrats in
dem Bereich, in welchem das Resist für die Strukturbildung ent
fernt wurde, und anschließendem Beseitigen des verbliebenen
Resists lassen sich dann die gewünschten Strukturen zur Ver
drahtung, für Elektroden etc. erzielen.
Die Strukturierungsmethode mit der oben beschriebenen Foto
lithographietechnik wird in großem Umfang verwendet, da sich
durch sie feine Strukturen mit hoher Auflösung erreichen
lassen. Um jedoch noch feinere Strukturen zu erzeugen, sind
noch weitere Verbesserungen im Herstellungsprozeß erforderlich.
Die Linienbreite der nach Belichten und Entwickeln des Foto
resistfilms erzeugten, feinen Strukturen sollte dieselbe sein
wie diejenige der Fotomaske bei einem bestimmten Verkleine
rungsfaktor. Da jedoch viele Schritte während des Fotolitho
graphieprozesses erforderlich sind, ist es schwierig, die
Linienbreite der Muster konsistent zu halten. Variationen der
Linienbreite werden hauptsächlich verursacht durch Schwankungen
der Belichtungsdosis aufgrund von Schwankungen in der Resist
dicke sowie durch Lichtinterferenz aufgrund diffuser Licht
reflexion über der Topographie (s. S. Wolf und R. N. Tauber,
Silicon Processing for the VLSI Era, Vol. 1, S. 439, 1986).
Heutzutage erfordert die Miniaturisierung von Systemen, die
komplexe integrierte Schaltkreise verwenden, Schaltkreischip
entwürfe mit beträchtlich geringerer Abmessung. Eine derartige
Verkleinerung der Abmessungen sowie das Anwachsen der Lei
stungsdichte erfordern eine Miniaturisierung des fotolitho
graphischen Prozesses, wofür zunächst die Verwendung einer
ebeneren Topographie und Licht kleinerer Wellenlänge in Be
tracht kommt. Die Verwendung von höherfrequentem Licht als
Belichtungsquelle ergibt jedoch eine neue Schwierigkeit. So
besitzen KaF-Excimerlaser und Lichtquellen im fernen UV, die
beispielsweise für eine Verwendung bei der Herstellung von
256 Mbit DRAMs (dynamische Direktzugriffsspeicher) in Betracht
kommen, Licht kürzerer Wellenlänge als die g-Linie, i-Linie
etc . . Wenn derartiges Licht jedoch zur Belichtung verwendet
wird, werden bestimmte Defekte von Bedeutung, insbesondere die
jenigen, die auf Reflexionen an einer unteren Schicht mit einer
unebenen Oberfläche beruhen. Dies bedeutet, daß eine Schwankung
in der kritischen Abmessung (CD) aufgrund Interferenz oder
diffuser Reflexion an der Oberfläche mit unebener Topographie
auftritt.
Um dieser Schwierigkeit zu begegnen, erscheint das Aufbringen
einer Antireflexschicht unvermeidlich. Eine Antireflexschicht
ist beispielsweise in der Patentschrift US 4.910.122 beschrie
ben. Die Schicht wird unter einer fotosensitiven Schicht, z. B.
ein Fotoresist, angeordnet und dient dazu, Defekte aufgrund von
reflektiertem Licht auszuschließen. Die Schicht enthält licht
absorbierende Farbstoffkomponenten und ist als ebene und dünne
Schicht aufgebracht, so daß scharfe fotosensitive Schicht
strukturen durch Verwendung einer solchen Antireflexschicht
hergestellt werden können, da diese Schicht das vom Substrat
reflektierte Licht in herkömmlicher Weise zu absorbieren ver
mag.
Die herkömmliche Antireflexschicht für Licht im fernen UV be
sitzt jedoch komplexe Komponenten und setzt der Materialwahl
Grenzen. Dies erhöht die Produktionskosten und macht die An
wendung aufwendig. Als ein Beispiel einer herkömmlichen Anti
reflexbeschichtungszusammensetzung ist in der obigen US-Patent
schrift eine sechskomponentige Mischungszusammensetzung aus
Polyamidsäure, Kurkumin, Bixin, Sudan Orange G, Cyclohexanon
und N-methyl-2-Pyrrolidon offenbart. Diese Komposition besteht
folglich aus vier Farbstoffkomponenten, die jeweils Licht einer
bestimmten Wellenlänge absorbieren, sowie zwei Lösungsmitteln
zum Lösen der vier Farbstoffkomponenten. Von dieser beispiel
haften Zusammensetzung ist es bekannt, daß sie verhältnismäßig
komplex und ihre Herstellung aufwendig ist. Da die Komposition
aus vielen Komponenten zusammengesetzt ist, besteht außerdem
die Schwierigkeit einer Vermischung mit der auf die Oberfläche
der Antireflexschicht aufgebrachten Resistkomposition, was in
unerwünschten Produkten resultieren kann.
Der Erfindung liegt als technisches Problem die Bereitstellung
einer vereinfachten Antireflexbeschichtungszusammensetzung,
einer daraus bestehenden Antireflexschicht, die sich gut für
die Verwendung in Lithographieprozessen zur Halbleiterbauele
mentstrukturierung eignet, sowie eines Verfahrens zur Her
stellung einer solchen Antireflexschicht und eines Verfahrens
zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes unter Verwendung
einer solchen Antireflexschicht zugrunde.
Dieses Problem wird durch eine Antireflexbeschichtungszusammen
setzung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1, ein Verfahren
zur Herstellung einer Antireflexschicht mit den Merkmalen des
Patentanspruchs 5, eine Antireflexschicht mit den Merkmalen des
Patentanspruchs 13 sowie ein Verfahren zur Herstellung eines
Halbleiterbauelementes mit den Merkmalen des Patentanspruchs 15
gelöst. Dadurch ist es z. B. möglich, eine einkomponentige Anti
reflexschicht vorzusehen, was Aufwand und Kosten gering hält
und der Schwierigkeit einer Vermischung mit einem benachbarten
Resistmaterial begegnet.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unter
ansprüchen angegeben.
Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung sind in den Zeich
nungen dargestellt und werden nachfolgend beschrieben. Hierbei
zeigen:
Fig. 1 ein Diagramm des Reflexionsvermögens für Licht mit
einer Wellenlänge von 248 nm in Abhängigkeit von der
Härtetemperatur während der Herstellung einer Anti
reflexschicht nach Aufbringen einer Antireflexbe
schichtungszusammensetzung,
Fig. 2 ein Diagramm der relativen Intensitätsänderung des
FT-IR-Spitzenwertes in Abhängigkeit von der Härte
temperatur während der Herstellung einer Antireflex
schicht, wobei die Kennlinie "a" zu einem 1500 cm-1-
Spitzenwert und die Kennlinie "b" zu einem 1720 cm-1-
Spitzenwert gehört,
Fig. 3A und 3B Diagramme des Transmissionsgrads von Antireflex
schichten in Abhängigkeit von UV-Lichtwellenlängen
bei verschiedenen Härtetemperaturen, wobei Fig. 3a zu
einer 150 nm dicken Antireflexschicht aus einer Poly
merzusammensetzung, die aus einem Harz auf Novolakba
sis und einer totoaktiven Verbindung auf Diazonaphto
quinonbasis besteht, und Fig. 3B zu einer 500 nm
dicken Antireflexschicht aus einem Harz auf Novolak
basis gehört,
Fig. 4 ein Diagramm des Reflexionsgrades für Licht mit einer
Wellenlänge von 248 nm in Abhängigkeit von der
Schichtdicke, wobei die Kennlinie "a" den Fall ohne
Verwendung einer Antireflexschicht wiedergibt,
während die Kennlinie "b" den Fall der Verwendung
einer Antireflexschicht darstellt,
Fig. 5 ein Diagramm der Variation der kritischen Abmessung
(CD) von unter Verwendung von Licht einer Wellenlänge
von 248 nm erzeugten Strukturen in Abhängigkeit von
der Schichtdicke, wobei die Kennlinie "a" den Fall
ohne Verwendung einer Antireflexschicht wiedergibt,
während die Kennlinie "b" den Fall der Verwendung
einer Antireflexschicht darstellt,
Fig. 6 einen Verfahrensablaufplan für die Herstellung eines
Halbleiterbauelementes unter Verwendung einer Anti
reflexschicht,
Fig. 7A bis 7D rasterelektronenmikroskopische Aufnahmen, welche die
Charakteristika von Strukturen mit 300 nm- Stufen, die
durch das herkömmliche Verfahren mit einem einzelnen
Resist hergestellt wurden, illustrieren, wobei die
Linienbreiten der Strukturen in den Teilfiguren
A, B,
C und D 0,3 µm, 0,32 µm, 0,34 µm bzw. 0,36 µm betragen
und die Resistdicke jeweils 0,5 µm beträgt, und
Fig. 8A und 8B rasterelektronenmikroskopische Aufnahmen, welche die
Charakteristika von Strukturen mit 300 nm-Stufen,
welche unter Verwendung einer Antireflexschicht
hergestellt wurden, illustrieren, wobei die Resist
dicken in den Teilbildern A und B 0,5 µm bzw. 0,8 µm
und die Linienbreiten der Strukturen jeweils 0,3 µm
betragen.
Eine erfindungsgemäße Antireflexbeschichtungszusammensetzung
für ein Halbleiterbauelement beinhaltet eine Polymerlösung, die
als hauptsächliche Komponente eine Verbindung enthält, für die
ein Harz auf Phenolbasis, ein wasserlösliches Harz oder ein
Acrylharz gewählt wird.
Die Gruppe der bevorzugten Harze auf Phenolbasis umfaßt Harze
auf Novolakbasis, Harze auf Polyvinylphenolbasis, eine Mischung
dieser beiden Typen oder ein Harz auf Copolymerbasis, das
wenigstens eine der vorstehend genannten Verbindungen enthält.
Die bevorzugten wasserlöslichen Harze umfassen ein Polyvinyl
alkohol-Harz. Als Lösungsmittel für die Polymerlösung kommt
jedes beliebige in Betracht, welches die Harzkomponente zu
lösen vermag, und wenigstens ein aus der Gruppe, die Alkohole,
aromatische Kohlenwasserstoffe, Ketone, Ester und deionisiertes
Wasser umfaßt, ausgewähltes kann bei Bedarf verwendet werden.
Zur Herstellung einer erfindungsgemäßen Antireflexschicht wird
eine Polymerlösung, die als Hauptkomponente wenigstens eine
Verbindung enthält, welche aus der Gruppe ausgewählt ist, die
Harze auf Phenolbasis, wasserlösliche Harze und Acrylharze
umfaßt, auf ein Substrat aufgebracht, wonach die aufgebrachte
Polymerlösung bei einer hohen Temperatur gehärtet wird. Das
Härten bei hoher Temperatur erfolgt vorzugsweise in Umgebungs-
oder Sauerstoffatmosphäre im Temperaturbereich zwischen 200°C
und 400°C und für eine Zeitdauer zwischen 30 Sekunden und 5
Minuten, wobei die bevorzugte Dicke der aufgebrachten Schicht
nach dem Aushärten bei hoher Temperatur geringer als 150 nm ist.
Ein sanfter Härtungsprozeß kann nach dem Beschichtungsvorgang
zum Aufbringen der Antireflexschicht, jedoch vor dem Härten bei
hoher Temperatur durchgeführt werden, wobei dies bevorzugt bei
100°C bis 250°C für eine Zeitdauer zwischen 30 Sekunden und 5
Minuten erfolgt. Nach dem sanften Härtungsvorgang kann ein
dickensteuernder Prozeß für die aufgebrachte Schicht vorgesehen
werden, der darin besteht, den oberen Teil der aufgebrachten
Schicht vor dem Härten bei hoher Temperatur unter Verwendung
wenigstens eines Lösungsmittels zu entfernen, welches aus der
Gruppe ausgewählt wird, die aus Alkoholen, aromatischen Kohlen
wasserstoffen, Ketonen, Estern und deionisiertem Wasser be
steht.
Die Verwendung der wenigstens eines der Harze auf Phenolbasis,
der wasserlöslichen Harze, wie Polyvinylalkohol, und der Acryl
harze als Hauptkomponente enthaltenden Polymerlösung hat zur
Folge, daß ein herkömmliches Resist verwendet werden kann. Die
Erfindung ist dadurch charakterisiert, daß ein Aushärtungsvor
gang erfolgt, um dem Harz eine lichtabsorbierende Funktion zu
verleihen. Das Härten bei hoher Temperatur bewirkt für jedes
Harz eine thermische Reaktion, und durch die thermische Reak
tion verändert sich die Molekularstruktur des Harzes durch
Oxidation, wonach das Harz in der Lage ist, Licht im fernen UV
zu absorbieren. Die Erfindung ermöglicht das Aufbringen des
Harzes als dünnen Film, und der Wirkungsgrad der Antireflex
schicht läßt sich, da die Dicke der Antireflexschicht gesteuert
werden kann, besonders an Stufen optimieren, so daß die während
eines Ätzvorgangs auftretenden Schwierigkeiten so gering wie
möglich gehalten werden können.
Die grundlegenden Schritte des erfindungsgemäßen Verfahrens zur
Herstellung der Antireflexschicht sind im einzelnen die folgen
den. Zunächst wird ein Harz durch eine Beschichtungstechnik,
wie z. B. Schleuderbeschichtung, auf ein Substrat aufgebracht.
Optional kann das Harz zum Entfernen des Lösungsmittels gehär
tet und der obere Teil des Harzes unter Verwendung eines
Lösungsmittels, wie Alkohole, aromatische Kohlenwasserstoffe,
Ketone, Ester oder deionisiertes Wasser, entfernt werden. Die
Dicke des Harzes kann durch Steuern der Temperatur während
dieses ersten Härtens und der Lösungsmittelbehandlungsdauer
gesteuert werden, wenn dies erforderlich ist. Wenn bereits mit
dem Harzbeschichtungsschritt eine aufgebrachte Schicht mit der
gewünschten Dicke vorliegt, kann dieser Prozeß entfallen. Als
nächstes wird ein Härtungsvorgang bei hoher Temperatur aus
geführt, so daß die Harzschicht ihre lichtabsorbierenden Eigen
schaften erhält. Während dieses Aushärtens bei hoher Temperatur
erhält die Harzschicht ihre Antireflexeigenschaften.
Die Antireflexschicht und die durch sie erzielbaren Wirkungen
werden nachfolgend im Detail unter Bezugnahme auf die Zeich
nungen beschrieben.
Fig. 1 veranschaulicht die Beziehung zwischen der Aushärtungs
temperatur und dem Reflexionsgrad des Harzes. Die Antireflex
schicht wurde durch die unten in Beispiel 1 beschriebene Vor
gehensweise hergestellt. Dabei wurden die Härtetemperatur
variiert und der Reflexionsgrad bei 248 nm gemessen und in
Abhängigkeit von der Härtetemperatur aufgetragen. Aus der Figur
ist ersichtlich, daß der Reflexionsgrad bei ungefähr 200°C
maximal ist und dann mit steigender Härtetemperatur allmählich
abnimmt. Bei 300°C ist er auf ungefähr 45% abgesunken, und die
aufgebrachte Schicht verändert sich zu einem Licht bei 248 nm
absorbierenden Körper. Es ist weiter ersichtlich, daß zunächst
mit steigender Härtetemperatur eine Schicht mit besserer Anti
reflexwirkung erzielbar ist. Aufgrund der Versuche der Erfinder
wurde gefunden, daß die bevorzugte Härtetemperatur im Bereich von
200°C bis 400°C liegt. Wenn die Härtetemperatur höher als 400°C
ist, neigt das Harz dazu, sich aufgrund von Effekten wie
Brennen des Harzes in eine unerwünschte Konstitution zu ver
ändern, und wenn die Härtetemperatur unterhalb von 200°C liegt,
wird das Lösungsmittel in der aufgebrachten Schicht nicht voll
ständig beseitigt, und es resultiert eine Vermischung mit den
Fotoresistkomponenten, die anschließend auf die Antireflex
schicht aufgebracht werden. Deshalb wird der oben genannte
Temperaturbereich bevorzugt, wobei der Bereich zwischen 260°C
und 320°C einen besonders bevorzugten Temperaturbereich dar
stellt.
Fig. 2 veranschaulicht graphisch die Änderung der relativen
Intensität des fouriertransformierten Infrarot (FT-IR)-Spitzen
wertes in Abhängigkeit von der Härtetemperatur während der Her
stellung der Antireflexschicht gemäß dem unten beschriebenen
Beispiel 1, wobei die Kennlinie "a" dem Spitzenwert bei unge
fähr 1500 cm-1 und die Kennlinie "b" demjenigen bei ungefähr
1720 cm-1 entspricht. Aus der Kennlinie "a", welche die Änderung
des 1500 cm-1-Spitzenwertes in Abhängigkeit von der Härtetempe
ratur in dieser Figur zeigt, bestätigt sich, daß der Spitzen
wert mit steigender Temperatur allmählich abnimmt und sich
oberhalb von 260°C abrupt verringert. Da dieser Spitzenwert zu
der aromatischen Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindung gehört,
bedeutet dies, daß diese aromatische Kohlenstoff-Kohlenstoff-
Doppelbindung abnimmt. Insgesamt bedeutet dies mit Sicherheit,
daß sich die Struktur des Harzes verändert.
Aus der Kennlinie "b", welche die Variation des 1720 cm-1-
Spitzenwertes in Abhängigkeit von der Härtetemperatur dar
stellt, ist ersichtlich, daß der Spitzenwert bei Temperaturen
oberhalb von 260°C abrupt ansteigt und im Gegensatz zur Kenn
linie "a" bei Temperaturen oberhalb von 300°C maximal ist. Da
dieser IR-Spitzenwert bei 1720 cm-1 zur C=O-Doppelbindung ge
hört, wird angenommen, daß die C=O-Doppelbindungen in der
Novolakharzstruktur mehr werden. Dies bedeutet, daß sich die
Sauerstoffmenge in dem Harz durch das Härten erhöht, und diese
Art der Veränderung der Molekularstruktur des herkömmlichen
Novolakharzes läßt ein transformiertes Harz entstehen, welches
eine erhöhte Fähigkeit zur Absorption von Licht mit einer
Wellenlänge von 248 nm besitzt.
In den Fig. 3A und 3B sind Kurven dargestellt, welche den
Transmissionsgrad in Abhängigkeit von der Wellenlänge für Anti
reflexschichten mit unterschiedlichen Härtetemperaturen darge
stellen, wobei Fig. 3A zu einer 150 nm dicken Antireflexschicht
aus einer Polymerzusammensetzung gehört, die aus einem Harz auf
Novolakbasis und einer fotoaktiven Verbindung auf Diazonaph
toquinonbasis besteht, und wobei Fig. 3B zu einer 500 nm dicken
Antireflexschicht aus einem Harz auf Novolakbasis gehört. Aus
den Fig. 3A und 3B ergibt sich, daß sich der Transmissionsgrad
mit steigender Härtetemperatur verringert (was bedeutet, daß
sich der Absorptionsgrad des Harzes erhöht). Dieser Effekt wird
durch das Härten des Harzes verursacht. Die erfindungsgemäße
Antireflexschicht, die bei besonders hoher Temperatur gehärtet
wird, besitzt die Eigenschaft, in einem weiten Wellenlängen
bereich zu absorbieren.
Die Erfinder haben die Änderung des Transmissionsgrades für die
Antireflexschichten, die durch ein Polymer bestehend aus Novo
lakharz und einer fotoaktiven Verbindung auf Diazonaphtoquinon
basis mit einer Dicke von 150 nm gebildet wurden, und für die
jenigen, die aus Novolakharz mit einer Dicke von 500 nm gebildet
wurden, beobachtet. Aus den Ergebnissen läßt sich folgern, daß
die Abnahme des Transmissionsgrades nicht durch das fotosensi
tive Material, d. h. Diazonaphtoquinon, verursacht ist, sondern
durch die Strukturveränderung des Harzes auf Novolakbasis auf
grund thermischer Reaktion. Das fotosensitive Material, das den
größten Kostenanteil unter den Komponenten der herkömmlichen
Resistzusammensetzung ausmacht, braucht daher in der erfin
dungsgemäßen Antireflexbeschichtungszusammensetzung nicht ent
halten zu sein.
Fig. 4 zeigt Kurven, welche den Reflexionsgrad des Fotoresists
bei einer Wellenlänge von 248 nm wiedergeben, wobei die Kurve
"a" den Fall ohne Verwendung einer Antireflexschicht betrifft,
während die Kurve "b" zu dem Fall der Verwendung einer durch
das erfindungsgemäße Verfahren aufgebrachten Antireflexschicht
gehört. Der Reflexionsgrad der Fotoresistschicht, welche ohne
ein gehärtetes Harz als Antireflexschicht verwendet wird, ist
hoch, und die Änderung des Reflexionsgrad in Abhängigkeit von
der Schichtdicke ist ebenfalls beträchtlich, wobei die maximale
Differenz 43% beträgt. Demgegenüber ist der Reflexionsgrad der
Fotoresistschicht, bei der ein gehärtetes Harz als Antireflex
schicht verwendet wird, gering (kleiner als 30%), und zwar über
den gesamten Schichtdickenbereich, wobei die maximale Schwan
kung 10% beträgt.
Fig. 5 zeigt Kurven, welche die Änderung der CD (kritischen
Abmessung) eines unter Verwendung einer Wellenlänge von 248 nm
gebildeten Struktur wiedergeben, wobei die Kurve "a" zu dem
Fall ohne Verwendung einer Antireflexschicht gehört, während
die Kurve "b" den Fall der Verwendung einer durch das erfin
dungsgemäße Verfahren aufgebrachten Antireflexschicht dar
stellt. Fig. 5 bestätigt, daß die CD-Änderung für die Struk
turen, die ohne Verwendung der Antireflexschicht gebildet
wurden, groß ist, wobei das Maximum bei 0,16 µm liegt, während
die maximale CD-Änderung für die Strukturen, zu deren Bildung
die Antireflexschicht verwendet wurde, demgegenüber nur 0,04 µm
beträgt.
Fig. 6 veranschaulicht den Verfahrensablauf für die Herstellung
eines Halbleiterbauelementes unter Verwendung einer erfindungs
gemäßen Antireflexschicht. In Verbindung mit Fig. 6 wird nun
ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel zur Herstellung eines Halb
leiterbauelementes nach der Erfindung mit konkreten Zahlenan
gaben beschrieben.
Als erstes wird eine Aluminiumschicht auf einem Substrat ge
bildet, wonach ein Harz auf die Aluminiumschicht durch ein
Schleuderbeschichtungsverfahren aufgebracht wird. Daraufhin
wird ein weicher Härtevorgang bei ungefähr 210°C für ca. 50
Sekunden und anschließend bei ungefähr 120°C für ca. 50 Sekun
den zur Entfernung von Lösungsmitteln angewendet. Mehrschritti
ges, weiches Härten erhöht die Gleichmäßigkeit der Schicht. Als
nächstes wird der obere Teil der Harzschicht unter Verwendung
eines Lösungsmittels, wie Ethylcellosolveacetat, durch ein
Puddelverfahren entfernt, wonach die verbliebene Schicht durch
Schleudern getrocknet wird. Dieser dickensteuernde Schritt kann
unterbleiben, wenn er nicht erforderlich ist. Im allgemeinen
besitzt die durch Oberflächenabtrag dickengesteuerte Schicht
eine erhöhte Gleichmäßigkeit. Die Dicke der Schicht kann auf
einfache Weise durch Regulieren der Härtetemperatur je nach Art
des verwendeten Lösungsmittels gesteuert werden.
Daraufhin wird ein Härtevorgang bei einer hohen Temperatur von
250°C oder mehr auf einer heißen Platte für 50 Sekunden oder
länger, beispielsweise bei 300°C für ungefähr 90 Sekunden,
durchgeführt, um dem Harz seine Antireflexfunktion zu ver
leihen. Während dieses zweiten Härtevorgangs wird das Harz
oxidiert und wird zu einem lichtabsorbierenden Körper. Mit
steigender Temperatur dieses zweiten Härtevorgangs reduziert
sich der Reflexionsgrad. Anschließend wird auf der so erhal
tenen Antireflexschicht mittels eines herkömmlichen Litho
graphieprozesses, der das Aufbringen eines Resists und dessen
Belichten, Härten (Nachbelichtungs-Härtevorgang, abgekürzt NBH)
sowie Entwickeln beinhaltet, eine Resiststruktur erzeugt. Der
Resistfilm und die Antireflexschicht können dabei separat
strukturiert werden, indem das Resist zur Bildung der Resist
strukturen strukturiert und dann die Antireflexschicht unter
Verwendung der Resiststruktur als Maske geätzt wird. Danach
wird die unter der Antireflexschicht liegende Aluminiumschicht
durch Ätzen strukturiert. Die Antireflexschicht kann auch im
Schritt des Ätzens der Aluminiumschicht geätzt und strukturiert
werden.
Nachfolgend werden bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfin
dung im Detail beschrieben.
Durch Schleuderbeschichtung bei 5200 U/min für 30 Sekunden
wurde auf ein Siliziumsubstrat MC Kasei BL-1, 2 CP (Waren
zeichen, hergestellt von Mitsubishi Kasei), ein Harz auf
Novolakbasis, aufgebracht, wobei sich eine Schichtdicke von
130 nm ergab. Die aufgebrachte Schicht wurde sanft auf einer
heißen Platte bei 210°C für 50 Sekunden und dann nochmals für
50 Sekunden bei 100°C zur Lösungsmittelbeseitigung gehärtet.
Die Dicke der Schicht wurde unter Verwendung von Ethylcello
solveacetat mittels eines Puddelverfahrens für 60 Sekunden auf
70 nm eingestellt. Ein abschließender Härteschritt bei 300°C für
90 Sekunden ergab eine erfindungsgemäße Antireflexschicht. Der
Reflexionsgrad für Licht mit einer Wellenlänge von 248 nm ver
ringerte sich nach dem Härten auf 45% desjenigen eines blanken
Siliziumwafers.
Daraufhin wurde durch ein konventionelles Verfahren ein Resist
film aufgebracht, und durch Entwickeln, Belichten etc. wurden
Resiststrukturen erzeugt. Anschließend wurde ein Ätzprozeß
durchgeführt. Als Fotoresist wurde XP89131 (Warenzeichen, her
gestellt von Shipley Co.,) verwendet, und die Dicke des Resist
films betrug mindestens 0,8 µm, da sich dessen Dicke während des
Ätzens verringert. Ein Nikon EX1755-Stepper (Warenzeichen,
hergestellt von Nikon Co., Ltd.) mit einem KrF-Excimerlaser
wurde als Lichtquelle verwendet. Eine wäßrige TMAH (Tetrame
thylammoniumhydroxid)-Lösung wurde als Entwicklerlösung ver
wendet, und Cl₂ sowie O₂ wurden zum Ätzen der Antireflexschicht
in einem Zeitätzverfahren benutzt. Mit den obigen Bedingungen
wurde eine L/A(Linie/Abstand)-Abmessung von 0,30 µm erhalten,
sogar für eine Stufe von 300 nm.
Eine erfindungsgemäße Antireflexschicht wurde in derselben
Weise, wie im Beispiel 1 beschrieben, hergestellt, mit der
Ausnahme, daß anstelle des Resists auf Novolakbasis ein Resist
auf Polyvinylphenolbasis verwendet wurde. Der Reflektionsgrad
verringerte sich unter denselben Bedingungen auf 45%.
Eine erfindungsgemäße Antireflexschicht wurde in derselben
Weise hergestellt, wie im Beispiel 1 beschrieben, mit der Aus
nahme, daß anstelle des Resists auf Novolakbasis ein reines
Novolakharz verwendet wurde. Hierbei betrug der Gewichts
durchschnitt des Molekulargewichts 6000 und das Verhältnis von
Gewichtsdurchschnitt des Molekulargewichts zum Anzahldurch
schnitt des Molekulargewichts 7. Es wurde dieselbe Wirkung wie
im Beispiel 1 erzielt.
Es wurden Resiststrukturen in derselben Weise erzeugt, wie im
Beispiel 1 beschrieben, mit der Ausnahme, daß keine Antireflex
schicht aufgebracht wurde.
Die Fig. 7A bis 7D zeigen rasterelektronenmikroskopische Auf
nahmen von Strukturcharakteristika für eine 300 nm-Stufe, die
durch ein konventionelles Verfahren mit einem einzelnen Resist
ohne Verwendung einer Antireflexschicht hergestellt wurde,
wobei die Linienbreiten der Strukturen 0,30 µm, 0,32 µm,
0,34 µm, bzw. 0,36 µm und die Resistdicken sämtlich 0,5 µm
betragen.
Die Fig. 8A und 8B zeigen rasterelektronenmikroskopische Auf
nahmen von Strukturcharakteristika für eine 300 nm-Stufe, die
unter Verwendung einer erfindungsgemäßen Antireflexschicht her
gestellt wurde, wobei die Resistdicken in den Fig. 8A und 8B
bei 0,5 µm bzw. 0,8 µm liegen und die Linienbreiten der Struk
turen jeweils 0,3 µm betragen.
Aus den Fig. 7A bis 7D sowie 8A und 8B ergibt sich, daß die
durch Verwendung der erfindungsgemäßen Antireflexschicht her
gestellten Resiststrukturen ein besseres Profil aufweisen.
Wie oben ausgeführt, bezieht sich die Erfindung auf eine Anti
reflexschicht, die dazu verwendet wird, die durch Reflexion des
Lichtes am Substrat während der Belichtung hervorgerufenen
Defekte zu eliminieren. Dabei werden die Schwierigkeiten bei
der herkömmlichen Antireflexschicht bezüglich der Auswahl
komplexer Komponenten und der hohen Kosten überwunden, und es
kann in einfacher Weise ein Lösungsmittel ausgewählt werden, da
eine Einzelkomponente verwendbar ist. Des weiteren wird bei
Verwendung der unter Benutzung einer erfindungsgemäßen Kompo
sition hergestellten Antireflexschicht ein gutes Strukturprofil
erzielt, was es wiederum möglich macht, Halbleiterbauelemente
hoher Qualität herzustellen.
Da die Schichtdicke während der Bildung einer aufzubringenden
Schicht frei eingestellt werden kann, kann die Wirkung der
Antireflexschicht insbesondere an Stufen optimiert werden, und
Schwierigkeiten, die während des Ätzens nach einem fotolitho
graphischen Prozeß auftreten, können minimiert werden. Es ver
steht sich, daß für den Fachmann verschiedenartige Modifika
tionen der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele hinsichtlich
Form und Details ausführbar sind, ohne den Schutzbereich der
Erfindung zu verlassen, wie er durch die beigefügten Ansprüche
festgelegt ist.
Claims (16)
1. Antireflexbeschichtungszusammensetzung für ein Halb
leiterbauelement, dadurch gekennzeichnet, daß sie aus einer
Polymerlösung besteht, die als Hauptkomponente wenigstens eine
Verbindung beinhaltet, welche aus der Gruppe ausgewählt ist,
die Harze auf Phenolbasis, wasserlösliche Harze und Acrylharze
beinhaltet.
2. Antireflexbeschichtungszusammensetzung nach Anspruch 1,
weiter dadurch gekennzeichnet, daß das Harz auf Phenolbasis ein
Harz auf Novolakbasis, ein Harz auf Polyvinylphenolbasis, eine
Mischung dieser beiden Harze oder ein Harz auf Copolymerbasis
ist, das wenigstens eine Verbindung hiervon enthält.
3. Antireflexbeschichtungszusammensetzung nach Anspruch 1
oder 2, weiter dadurch gekennzeichnet, daß das wasserlösliche
Harz ein Polyvinylalkoholharz ist.
4. Antireflexbeschichtungszusammensetzung nach einem der
Ansprüche 1 bis 3, weiter dadurch gekennzeichnet, daß das
Lösungsmittel der Polymerlösung wenigstens ein ausgewähltes aus
einer Gruppe ist, die aus Alkoholen, aromatischen Kohlenwasser
stoffen, Ketonen, Estern und deionisierten Wasser besteht.
5. Verfahren zur Herstellung einer Antireflexschicht,
gekennzeichnet durch folgende Schritte:
- - Aufbringen einer Antireflexbeschichtungszusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 4 und
- - Härten der aufgebrachten Zusammensetzung bei einer hohen Temperatur.
6. Verfahren nach Anspruch 5, weiter dadurch gekennzeich
net, daß das Härten bei einer Temperatur zwischen 200°C und
400°C für eine Zeitdauer zwischen 30 Sekunden und 5 Minuten
durchgeführt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, weiter dadurch
gekennzeichnet, daß das Härten in einer Umgebungs- oder Sauer
stoffatmosphäre durchgeführt wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7, weiter
dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der nach dem Härten er
haltenen Antireflexschicht kleiner als 150 nm ist.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 8, weiter
dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Beschichtungsschritt ein
sanftes Härten zur Lösungsmittelentfernung durchgeführt wird.
10. Verfahren nach Anspruch 9, weiter dadurch gekennzeich
net, daß das sanfte Härten bei einer Temperatur zwischen 100°C
und 250°C für eine Zeitdauer zwischen 30 Sekunden und 5 Minuten
durchgeführt wird.
11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, weiter gekennzeich
net durch einen Schritt zur Schichtdickensteuerung für die auf
gebrachte Schicht nach dem sanften Härtevorgang.
12. Verfahren nach Anspruch 11, weiter dadurch gekenn
zeichnet, daß der schichtdickensteuernde Schritt durch Ent
fernen des oberen Teils der aufgebrachten Schicht unter Ver
wendung wenigstens eines Lösungsmittels durchgeführt wird, das
aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Alkoholen, aromatischen
Kohlenwasserstoffen, Ketonen, Estern und deionisiertem Wasser
besteht.
13. Antireflexschicht, dadurch gekennzeichnet, daß sie
durch ein Verfahren nach den Ansprüchen 5 bis 12 hergestellt
ist.
14. Antireflexschicht nach Anspruch 13, weiter dadurch
gekennzeichnet, daß die Schicht Licht im fernen UV und Licht im
Bereich der Wellenlänge von 248 nm absorbiert.
15. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes,
gekennzeichnet durch folgende Schritte:
- - Aufbringen einer Antireflexschicht gemäß dem Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 12,
- - Aufbringen einer fotosensitiven Schicht auf die Oberfläche der Antireflexschicht und
- - Belichten und Entwickeln der fotosensitiven Schicht.
16. Verfahren nach Anspruch 15, weiter dadurch gekennzeich
net, daß die fotosensitive Schicht mit Licht einer Wellenlänge
von 300 nm oder weniger belichtet wird.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019930018016A KR970004447B1 (ko) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | 반사방지막 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
KR93-18016 | 1993-09-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4414808A1 true DE4414808A1 (de) | 1995-03-09 |
DE4414808B4 DE4414808B4 (de) | 2006-09-07 |
Family
ID=19363136
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4414808A Expired - Lifetime DE4414808B4 (de) | 1993-09-08 | 1994-04-28 | Verwendung einer Antireflexbeschichtungszusammensetzung und Herstellungsverfahren für eine Antireflexschicht und ein Halbleiterbauelement |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5593725A (de) |
JP (1) | JP3440122B2 (de) |
KR (1) | KR970004447B1 (de) |
CN (1) | CN1053993C (de) |
DE (1) | DE4414808B4 (de) |
FR (1) | FR2709869B1 (de) |
TW (1) | TW289766B (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1212788A1 (de) * | 1999-08-26 | 2002-06-12 | Brewer Science | Verbessertes füllmaterial für ein dual-damaszene-verfahren |
US7998318B2 (en) | 1999-08-26 | 2011-08-16 | Brewer Science Inc. | Crosslinkable fill compositions for uniformly protecting via and contact holes |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5597868A (en) * | 1994-03-04 | 1997-01-28 | Massachusetts Institute Of Technology | Polymeric anti-reflective compounds |
JP2762972B2 (ja) * | 1995-10-25 | 1998-06-11 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3316407B2 (ja) * | 1997-02-26 | 2002-08-19 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3202649B2 (ja) * | 1997-04-17 | 2001-08-27 | 日本電気株式会社 | 反射防止膜形成用材料およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
US7804115B2 (en) * | 1998-02-25 | 2010-09-28 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor constructions having antireflective portions |
US6274292B1 (en) * | 1998-02-25 | 2001-08-14 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods |
US6297170B1 (en) | 1998-06-23 | 2001-10-02 | Vlsi Technology, Inc. | Sacrificial multilayer anti-reflective coating for mos gate formation |
US6379872B1 (en) * | 1998-08-27 | 2002-04-30 | Micron Technology, Inc. | Etching of anti-reflective coatings |
US6268282B1 (en) | 1998-09-03 | 2001-07-31 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods of forming and utilizing antireflective material layers, and methods of forming transistor gate stacks |
US6281100B1 (en) | 1998-09-03 | 2001-08-28 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods |
US6410209B1 (en) * | 1998-09-15 | 2002-06-25 | Shipley Company, L.L.C. | Methods utilizing antireflective coating compositions with exposure under 200 nm |
US6828683B2 (en) | 1998-12-23 | 2004-12-07 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor devices, and semiconductor processing methods |
US7235499B1 (en) * | 1999-01-20 | 2007-06-26 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods |
US6110653A (en) | 1999-07-26 | 2000-08-29 | International Business Machines Corporation | Acid sensitive ARC and method of use |
US7067414B1 (en) | 1999-09-01 | 2006-06-27 | Micron Technology, Inc. | Low k interlevel dielectric layer fabrication methods |
EP1266264A1 (de) * | 1999-11-30 | 2002-12-18 | Brewer Science, Inc. | Nicht-aromatische chromophoren zur verwendung in polymerischen antireflexionsbeschichtungen |
US6440860B1 (en) * | 2000-01-18 | 2002-08-27 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods of transferring patterns from patterned photoresists to materials, and structures comprising silicon nitride |
KR100365434B1 (ko) * | 2000-10-26 | 2002-12-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 웨이퍼 가장자리 부분의 환형 잔유물 제거 방법 |
KR100503061B1 (ko) * | 2002-03-21 | 2005-07-25 | 삼성전자주식회사 | 유기 감광체용 오버코트 형성용 조성물 및 이로부터형성된 오버코트층을 채용한 유기 감광체 |
JP2003318126A (ja) * | 2002-04-25 | 2003-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
AU2003287194A1 (en) * | 2002-10-21 | 2004-05-13 | Shipley Company L.L.C. | Photoresists containing sulfonamide component |
US6960419B2 (en) * | 2003-12-12 | 2005-11-01 | Kodak Polychrome Graphics Llc | Antihalation dye for negative-working printing plates |
US7390709B2 (en) * | 2004-09-08 | 2008-06-24 | Intel Corporation | Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode |
KR100733920B1 (ko) * | 2004-09-17 | 2007-07-02 | 주식회사 엘지화학 | 에칭 레지스트용 잉크 조성물, 이를 이용한 에칭 레지스트패턴 형성 방법 및 미세 유로 형성 방법 |
US7262138B1 (en) * | 2004-10-01 | 2007-08-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Organic BARC with adjustable etch rate |
SG125214A1 (en) * | 2005-02-17 | 2006-09-29 | Agency Science Tech & Res | Method of low temperature imprinting process with high pattern transfer yield |
EP1906249A3 (de) * | 2006-09-26 | 2008-12-24 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Antireflexbeschichtungszusammensetzungen für Photolithographie |
JP5051133B2 (ja) * | 2006-09-28 | 2012-10-17 | Jsr株式会社 | レジスト下層膜形成方法及びそれに用いるレジスト下層膜用組成物並びにパターン形成方法 |
US7718529B2 (en) * | 2007-07-17 | 2010-05-18 | Globalfoundries Inc. | Inverse self-aligned spacer lithography |
KR100960464B1 (ko) | 2007-08-09 | 2010-05-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반사방지막용 중합체, 이를 포함하는 반사방지막 조성물 및이를 이용한 패턴 형성방법 |
KR100960463B1 (ko) | 2007-08-09 | 2010-05-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반사방지막용 중합체, 이를 포함하는 반사방지막 조성물 및이를 이용한 패턴 형성방법 |
WO2009119201A1 (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | Jsr株式会社 | レジスト下層膜及びレジスト下層膜形成用組成物並びにレジスト下層膜形成方法 |
KR101037842B1 (ko) * | 2008-12-31 | 2011-05-31 | 덕양산업 주식회사 | 태양 전지 모듈을 구비한 차량의 인스트루먼트 패널 |
JP6375669B2 (ja) * | 2014-04-03 | 2018-08-22 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法 |
CN114686057B (zh) * | 2020-12-28 | 2023-06-02 | 中国科学院微电子研究所 | 一种图形化用抗反射涂层组合物及图形化方法 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE266430C (de) * | ||||
US4362809A (en) * | 1981-03-30 | 1982-12-07 | Hewlett-Packard Company | Multilayer photoresist process utilizing an absorbant dye |
US4446171A (en) * | 1982-02-12 | 1984-05-01 | Owens-Illinois, Inc. | Process of making glass articles having antireflective coating |
US4910122A (en) * | 1982-09-30 | 1990-03-20 | Brewer Science, Inc. | Anti-reflective coating |
JPS6083032A (ja) * | 1983-10-13 | 1985-05-11 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 光透過性に優れたフオトマスク用防塵カバ− |
US4741926A (en) * | 1985-10-29 | 1988-05-03 | Rca Corporation | Spin-coating procedure |
JPS62159143A (ja) * | 1985-12-30 | 1987-07-15 | Hitachi Chem Co Ltd | レジストの下層材料用組成物 |
US4863827A (en) * | 1986-10-20 | 1989-09-05 | American Hoechst Corporation | Postive working multi-level photoresist |
US5008156A (en) * | 1986-11-07 | 1991-04-16 | Exion Technology, Inc. | Photochemically stable mid and deep ultraviolet pellicles |
JP2611215B2 (ja) * | 1987-03-23 | 1997-05-21 | ソニー株式会社 | パターン形成方法 |
US4906552A (en) * | 1988-02-22 | 1990-03-06 | Hughes Aircraft Company | Two layer dye photoresist process for sub-half micrometer resolution photolithography |
JPH0259752A (ja) * | 1988-08-25 | 1990-02-28 | Toshiba Corp | 感光性組成物 |
US5110697A (en) * | 1988-09-28 | 1992-05-05 | Brewer Science Inc. | Multifunctional photolithographic compositions |
US5026624A (en) * | 1989-03-03 | 1991-06-25 | International Business Machines Corporation | Composition for photo imaging |
US5278010A (en) * | 1989-03-03 | 1994-01-11 | International Business Machines Corporation | Composition for photo imaging |
US4940508A (en) * | 1989-06-26 | 1990-07-10 | Digital Equipment Corporation | Apparatus and method for forming die sites in a high density electrical interconnecting structure |
JP2603148B2 (ja) * | 1990-06-08 | 1997-04-23 | 三菱電機株式会社 | パターン形成方法 |
US5276126A (en) * | 1991-11-04 | 1994-01-04 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected novolak resin planarization layer for lithographic applications |
US5286607A (en) * | 1991-12-09 | 1994-02-15 | Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. | Bi-layer resist process for semiconductor processing |
US5234990A (en) * | 1992-02-12 | 1993-08-10 | Brewer Science, Inc. | Polymers with intrinsic light-absorbing properties for anti-reflective coating applications in deep ultraviolet microlithography |
US5265177A (en) * | 1992-05-08 | 1993-11-23 | At&T Bell Laboratories | Integrated optical package for coupling optical fibers to devices with asymmetric light beams |
US5294680A (en) * | 1992-07-24 | 1994-03-15 | International Business Machines Corporation | Polymeric dyes for antireflective coatings |
JP2547944B2 (ja) * | 1992-09-30 | 1996-10-30 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 二層レジスト組成物を使用する光学リソグラフによりサブ−ハーフミクロンパターンを形成する方法 |
-
1993
- 1993-09-08 KR KR1019930018016A patent/KR970004447B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1993-10-15 JP JP28172893A patent/JP3440122B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-04-28 DE DE4414808A patent/DE4414808B4/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-30 TW TW083103940A patent/TW289766B/zh not_active IP Right Cessation
- 1994-05-11 FR FR9405849A patent/FR2709869B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1994-05-13 CN CN94105508A patent/CN1053993C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1994-09-12 US US08/304,197 patent/US5593725A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-04-14 US US08/840,270 patent/US5759755A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1212788A1 (de) * | 1999-08-26 | 2002-06-12 | Brewer Science | Verbessertes füllmaterial für ein dual-damaszene-verfahren |
EP1212788A4 (de) * | 1999-08-26 | 2008-04-16 | Brewer Science | Verbessertes füllmaterial für ein dual-damaszene-verfahren |
US7998318B2 (en) | 1999-08-26 | 2011-08-16 | Brewer Science Inc. | Crosslinkable fill compositions for uniformly protecting via and contact holes |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0792684A (ja) | 1995-04-07 |
JP3440122B2 (ja) | 2003-08-25 |
FR2709869B1 (fr) | 1996-02-02 |
FR2709869A1 (fr) | 1995-03-17 |
TW289766B (de) | 1996-11-01 |
KR970004447B1 (ko) | 1997-03-27 |
DE4414808B4 (de) | 2006-09-07 |
US5759755A (en) | 1998-06-02 |
KR950009969A (ko) | 1995-04-26 |
CN1053993C (zh) | 2000-06-28 |
US5593725A (en) | 1997-01-14 |
CN1115496A (zh) | 1996-01-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4414808B4 (de) | Verwendung einer Antireflexbeschichtungszusammensetzung und Herstellungsverfahren für eine Antireflexschicht und ein Halbleiterbauelement | |
DE102007001796B4 (de) | Verfahren zum Ausbilden von Resiststruktur und Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung | |
EP0002795B1 (de) | Verfahren zum Erzeugen von Masken für lithographische Prozesse unter Verwendung von Photolack | |
DE10120676B4 (de) | Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht | |
DE19912047B4 (de) | Resistzusammensetzung des Negativtyps | |
DE10014083A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung | |
DE10361257B4 (de) | Verfahren zur Herstellung von feinen Mustern | |
DE10328610A1 (de) | Mikromuster erzeugendes Material, Verfahren zum Erzeugen von Mikromustern und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung | |
DE69325417T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Photomasken mit einer Phasenverschiebringsschicht | |
DE4317925C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung | |
DE10120673B4 (de) | Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht | |
DE4203557C2 (de) | Verfahren zur Bildung eines Photoresistmusters und Verwendung einer organischen Silanverbindung | |
DE4341302A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung und einer darin verwendeten Resistverbindung | |
DE3337315A1 (de) | Zweifach-lichtempfindliche zusammensetzungen und verfahren zur erzeugung bildmustergemaesser photoresistschichten | |
DE60101953T2 (de) | Zusammensetzung für Antireflexionsbeschichtung und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen | |
DE102006002032A1 (de) | Fotoempfindliche Beschichtung zum Verstärken eines Kontrasts einer fotolithographischen Belichtung | |
DE602006000087T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Mustern | |
DE69031153T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
DE3443400A1 (de) | Verfahren zur erzeugung eines bildes | |
DE10131667B4 (de) | Negativ Resistprozess mit simultaner Entwicklung und Silylierung | |
DE10120674B4 (de) | Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht | |
DE3685766T2 (de) | Photolackbildherstellungsverfahren. | |
DE69131732T2 (de) | Verfahren zur Erzeugung eines Musters | |
DE10228546B4 (de) | Verfahren zur Strukturierung einer Lithographiemaske | |
DE2855723C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Negativmusters einer Vorlage aus einem Positivlack |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: PATENTANWAELTE RUFF, WILHELM, BEIER, DAUSTER & PAR |
|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R071 | Expiry of right | ||
R071 | Expiry of right |