DE4409374A1 - Elektronenstrahllithographie-Gerät mit Elektronenoptik-Korrektursystem - Google Patents
Elektronenstrahllithographie-Gerät mit Elektronenoptik-KorrektursystemInfo
- Publication number
- DE4409374A1 DE4409374A1 DE4409374A DE4409374A DE4409374A1 DE 4409374 A1 DE4409374 A1 DE 4409374A1 DE 4409374 A DE4409374 A DE 4409374A DE 4409374 A DE4409374 A DE 4409374A DE 4409374 A1 DE4409374 A1 DE 4409374A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electron beam
- electron
- correction
- substrate
- optics
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 claims abstract description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000002996 emotional effect Effects 0.000 description 1
- 210000003608 fece Anatomy 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30455—Correction during exposure
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft Elektronenstrahllitho
graphie-Geräte, die in Halbleiterfertigungsprozessen
verwendet werden, und insbesondere ein Elektronenstrahl
lithographie-Gerät gemäß dem Oberbegriff des Anspruches
1, das ein Elektronenoptik-Korrektursystem enthält.
Im Stand der Technik wird eine Korrektur der Elektronen
optik eines Elektronenstrahllithographie-Geräts wie etwa
eine Fokuskorrektur oder eine Astigmatimuskorrektur unter
Verwendung eines rechteckigen Strahls oder eines punkt
förmigen Strahls von Elektronen ausgeführt. Beispielswei
se wird eine Leiterkreuzung mittels eines rechteckigen
oder punktförmigen Elektronenstrahls in X- und Y-Richtung
abgetastet, wobei die durchgelassenen Elektronen oder die
reflektierten Elektronen mittels eines Elektronendetek
tors erfaßt werden. Dann werden die erfaßten Signale nach
der Abtaststrecke linear differenziert, um die Profile
der Elektronenstrahlen in X- und Y-Richtung zu bestimmen,
woraufhin die Korrektur der Elektronenoptik unter Bezug
nahme auf diese Profile ausgeführt wird.
Herkömmliche Elektronenoptik-Korrekturtechniken können
nicht auf ein Elektronenstrahllithographie-Gerät angewen
det werden, das die Lithographie mittels eines Zellenpro
jektionsverfahrens ausführt. In einem Zellenprojektions
verfahren besitzen die Figuren in der Zelle eine komplexe
Form, wobei der herkömmliche rechteckige oder punktför
mige Elektronenstrahl nicht angemessen dimensioniert und
geformt werden kann, um eine Abtastung der Zellenfiguren
mit dem Ziel der Gewinnung von hochaufgelösten Erfas
sungssignalen, die für die Korrektur der Elektronenoptik
verwendet werden können, zu erlauben. Ein herkömmlicher
rechteckiger Elektronenstrahl nimmt nämlich eher eine
trapezförmige Gestalt an, wie sie in Fig. 9 gezeigt ist,
wobei die vertikal sich erstreckenden Seiten des Strahls
um 1 µm nach innen eingezogen sind, wodurch es schwierig
ist, die Randschärfe einer Form mit einer minimalen
Merkmalsgröße von 0,1 µm zu messen. Das bedeutet, daß die
Form des Elektronenstrahls nicht so gesteuert werden
kann, daß eine ausreichende Randschärfe erhalten wird, um
eine komplexe Figur wie etwa diejenige, die in der in
einem Zellenprojektionsverfahren verwendeten Zelle
angetroffen wird, abzutasten. Daher sind die herkömmli
chen Verfahren für die Elektronenoptik-Korrektur für ein
ein Zellenprojektionsverfahren verwendendes Elektronen
strahllithographie-Gerät nicht geeignet.
Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die
obenerwähnten Probleme im Stand der Technik für die
Korrektur der Elektronenoptik eines ein Zellenprojekti
onsverfahren verwendenden Elektronenstrahllithographie-
Gerätes zu beseitigen und ein Elektronenstrahl-Korrektur
system für den Einsatz in einem ein Zellenprojektionsver
fahren verwendenden Elektronenstrahl lithographie-Gerät
sowie ein Elektronenstrahllithographie-Gerät zu schaffen,
das eine Elektronenoptik besitzt, die mit diesem Elektro
nenstrahl-Korrektursystem korrigiert werden kann.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch ein
gattungsgemäßes Elektronenstrahllithographie-Gerät, das
die im kennzeichnenden Teil des Anspruches 1 angegebenen
Merkmale besitzt.
Erfindungsgemäß wird die Elektronenoptik des Elektronen
strahllithographie-Geräts durch direktes Verwenden des
unmodifizierten geformten Elektronenstrahls einer Zellen
projektion korrigiert. Hierzu wird der geformte Elektro
nenstrahl durch ein Substrat mit einem kleinen Loch
geschickt, wobei die das feine Loch passierenden Elektro
nen von einem Elektronendetektor erfaßt werden. Das
Ausgangssignal des Detektors wird analysiert und kann für
die Steuerung der Elektronenoptik verwendet werden, um
den Elektronenstrahl zu formen. Insbesondere kann die
Elektronenoptik des Lithographie-Gerätes so eingestellt
werden, daß die Randschärfe und der Kontrast des Bildes,
das durch die Erfassung des geformten Elektronenstrahls
erhalten wird, maximiert werden.
Vorzugsweise liegt die Größe des feinen Lochs in einem
Bereich, der von einem Wert, der kleiner als die minimale
Merkmalsgröße einer lithographischen Figur einer Zelle
ist, bis zur doppelten minimalen Merkmalsgröße der
lithographischen Figur der Zelle reicht. Das das feine
Loch aufweisende Substrat wird in der Nähe der Oberfläche
der Probe angeordnet, die der Lithographie unterzogen
wird, wobei das Substrat vorzugsweise eine Dicke besitzt,
die ausreichend kleiner als die Elektronenreichweite ist,
beispielsweise kleiner als 10 µm. Vorzugsweise wird das
feine Loch unter Verwendung eines Dünnschichtsubstrats
hergestellt. Beispielsweise stellt für die Herstellung
eines runden Lochs mit einem Durchmesser von 0,1 µm ein
Substrat mit einer Dicke von ungefähr 1 µm die technolo
gische Grenze dar, wenn angenommen wird, daß ein Schlank
heitsverhältnis von 10 die technologische Grenze dar
stellt. Die Form des Lochs im Substrat ist vorzugsweise
quadratisch, ein Loch mit einer runden Form ist jedoch
annehmbar. Durch die Verwendung eines Erfassungssignals,
das aus den das feine Loch passierenden Elektronen
erzeugt wird, kann ein geformter Elektronenstrahl von
komplexer Gestalt mit ausreichend hoher Auflösung beob
achtet werden, um eine genaue Fokus- und Astigmatismus
korrektur der Elektronenoptik zu ermöglichen.
Optional kann zwischen dem das feine Loch besitzenden
Substrat und dem Elektronendetektor eine Begrenzungs
blende vorgesehen sein, um den Elektronendetektor gegen
den Empfang von Elektronen abzuschirmen, die nicht das
Loch passieren, sondern vom Substrat gestreut werden.
Wenn eine solche Begrenzungsblende vorgesehen ist, kann
das Verhältnis der Anzahl der das Loch passierenden
Elektronen, die vom Elektronendetektor erfaßt werden, zur
Anzahl der gestreuten Elektronen, die erfaßt werden,
wenigstens 60 : 1 betragen.
Für die Korrektur der Elektronenoptik wird vorzugsweise
ein Elektronenstrahl verwendet, dessen Form nicht kom
plex, sondern verhältnismäßig einfach ist. Wie in Fig. 7
gezeigt, wird ein einfaches Linien-Zwischenraum-Muster
verwendet, um den geformten Elektronenstrahl zu erzeugen.
Wenn der Strahl das Linien-Zwischenraum-Muster abtastet,
werden, wie in Fig. 2 gezeigt ist, Signalintensitätsspit
zen erzeugt, die mit den Zwischenräumen der Figur, durch
die der Elektronenstrahl geschickt wird, korrelieren.
Durch Beobachten des Signalintensitätsausgangs kann die
Elektronenoptik so eingestellt werden, daß die Intensität
der Spitzen maximiert wird. Wenn der Elektronenstrahl
durch eine Zelle geschickt wird, die, wie in Fig. 8
gezeigt, eine Figur mit Punkten besitzt, die in der X-
und in der Y-Abtastrichtung regelmäßig angeordnet sind,
ist es ferner möglich, eine simultane zweidimensionale
Korrektur der Elektronenoptik auszuführen.
Gemäß der vorliegenden Erfindung müssen die vom Detektor
empfangenen Signale nicht wie im Stand der Technik
differenziert werden. Statt dessen werden erfindungsgemäß
Erfassungssignale erzeugt, die ein ausreichend hohes
Signal-/Rauschverhältnis besitzen, so daß die Elektronen
optik einfach und genau korrigiert werden kann.
Weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung
sind in den Unteransprüchen angegeben, die sich auf
bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung
beziehen.
Die Erfindung wird im folgenden anhand bevorzugter
Ausführungsformen mit Bezug auf die Zeichnungen näher
erläutert; es zeigen:
Fig. 1 eine Darstellung zur Erläuterung der Erfas
sung von Elektronen eines durch ein feines
Loch in einem Substrat geschickten, geformten
Elektronenstrahls gemäß einer ersten Ausfüh
rungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2 ein Diagramm der Signalintensität eines
Signalausgangs des Elektronendetektors, das
die Intensitätsverteilung für ein Signal ver
anschaulicht, das aus einem geformten Elek
tronenstrahl erhalten wird, der eine Zelle
mit einem Linien-Zwischenraum-Muster pas
siert hat;
Fig. 3 eine schematische Darstellung eines ein
Zellenprojektionsverfahren verwendenden Elek
tronenstrahllithographie-Geräts mit einer
Elektronenoptik, die unter Verwendung der er
findungsgemäßen Korrekturtechnik korrigiert
wird;
Fig. 4A-4C Diagramme von beispielhaften Signalen, die in
Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfin
dung von einem Elektronendetektor erhalten
werden, der einen geformten Elektronenstrahl
empfängt, der ein Substrat mit einem feinen
Loch passiert hat;
Fig. 5 eine Darstellung zur Erläuterung der Erfas
sung eines geformten Elektronenstrahls gemäß
einer zweiten Ausführungsform der vorliegen
den Erfindung, wobei der Elektronenstrahl ein
feines Loch in einem Substrat passiert hat
und zwischen dem Elektronendetektor und dem
Substrat eine Begrenzungsblende angeordnet
ist;
Fig. 6 ein Diagramm, das die Beziehung zwischen dem
Verhältnis der durchgelassenen Elektronen
(die das Loch passieren) zu den gestreuten
Elektronen und einem Bereich von Grenzwinkeln
angibt, wenn eine Begrenzungsblende gemäß der
zweiten Ausführungsform der Erfindung verwen
det wird;
Fig. 7 die bereits erwähnte Darstellung einer Zelle
mit einem Linien-Zwischenraum-Muster, das von
dem geformten Elektronenstrahl während der
Grobkorrektur der Elektronenoptik abgetastet
wird;
Fig. 8 die bereits erwähnte Darstellung einer Zelle
mit einem in X- und Y-Richtung regelmäßig an
geordneten Punktmuster, das in einer zweidi
mensionalen Elektronenoptik-Korrekturtechnik
verwendet wird;
Fig. 9 das bereits erwähnte Diagramm zur Erläuterung
des Profils eines herkömmlichen, rechteckigen
Elektronenstrahls; und
Fig. 10 eine Darstellung zur Erläuterung einer alter
nativen Ausführungsform einer Bühne gemäß der
vorliegenden Erfindung, die ein Substrat mit
einem feinen Loch trägt, durch das ein ge
formter Elektronenstrahl geschickt wird.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein geformter
Elektronenstrahl von einem ein Zellenprojektionsverfahren
verwendenden Elektronenstrahllithographie-Gerät durch ein
feines Loch in einem Substrat geschickt, wobei das
Substrat auf einer Probenbühne angeordnet ist, so daß es
mit der der Lithographie zu unterziehenden Probe im
wesentlichen bündig ist. Die durch das feine Loch verlau
fenden Elektronen werden von einem Elektronendetektor
erfaßt, wobei der Ausgang des Elektronendetektors beob
achtet und für die Korrektur der Elektronenoptik des
Lithographie-Gerätes verwendet wird.
Das Substrat, in dem das feine Loch gebildet ist, besitzt
eine Dicke, die erheblich kleiner als die Elektronen
reichweite eines durch ein herkömmliches Elektronen
strahllithographie-Gerät erzeugten Elektronenstrahls ist.
Daher dringen die Elektronen, die nicht direkt das feine
Loch passieren, in das Substrat ein und werden dort zu
gestreuten Elektronen. Wenn das Substrat eine Dicke
besitzt, die größer als die zehnfache mittlere freie
Weglänge der Elektronen ist, werden die Elektronen jedoch
im Substrat meist mit großen Winkeln gestreut, so daß sie
vom Elektronendetektor nicht empfangen werden. Daher
beträgt die Dicke des Substrats vorzugsweise 1 bis 3 um.
Andererseits liegt die Größe des Lochs, durch das der
Elektronenstrahl verläuft, vorzugsweise in einem Bereich,
der nach oben durch die doppelte minimale Merkmalsgröße
der im Zellenprojektionsverfahren verwendeten Figur
begrenzt ist.
In Fig. 3 ist eine besondere Ausführungsform einer ein
Zellenprojektionsverfahren verwendenden Elektronenstrahl
vorrichtung, auf die die vorliegende Erfindung gerichtet
ist, schematisch gezeigt. Ein Elektronenstrahl von einer
Elektronenkanone 8 wird durch eine erste Blende 9 ge
schickt, um dessen Größe zu begrenzen, anschließend wird
der Elektronenstrahl durch Projektionslinsen 11 auf eine
zweite Blende 12 projiziert. Die zweite Blende 12 besitzt
eine Anzahl von Figur-Blenden oder Zellen, die in dem
Zellenprojektionsverfahren verwendet werden. Der Elektro
nenstrahl wird durch eine Zellenablenkeinrichtung 10
abgelenkt, um gemäß diesem Verfahren eine dieser Zellen
für den Durchgang auszuwählen. Nach dem Durchgang des
Elektronenstrahls durch die ausgewählte Zelle der zweiten
Blende 12 wird der Elektronenstrahl von einer Rückablen
keinrichtung 13 entgegengesetzt abgelenkt und durch
Reduzierlinsen 14, eine Objektivblende 15 und eine
Objektivlinse 16 fokussiert, so daß er auf der Oberfläche
einer auf einer Probenbühne 21 angeordneten Probe fokus
siert ist. Zusätzlich sind Fokuskorrekturlinsen 17 und
Astigmatismuskorrekturlinsen 19 vorgesehen, um eine
geeignete Korrektur des Elektronenstrahls sicherzustel
len, so daß er auf der Bühne fokussiert wird.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird die Elektronenoptik
dadurch korrigiert, daß ein geformter Elektronenstrahl
durch ein feines Loch 3 geschickt wird, das in einem auf
der Probenbühne 21 angeordneten Substrat 2 ausgebildet
ist. Ein Detektor 4 empfängt die durch das feine Loch 3
verlaufenden Elektronen und gibt ein Erfassungssignal an
eine Daten-Steuereinrichtung 24 aus. Ein Computer 23
empfängt die Daten von der Datensteuereinrichtung 24 und
verarbeitet diese Daten, um Korrekturdaten aus zugeben,
die erforderlich sind, um eine geeignete Fokussierung des
geformten Elektronenstrahls auf der Oberfläche der
Probenbühne 21 zu gewährleisten. Eine Analog-Steuerein
richtung 22 empfängt die Korrekturdaten als Signale vom
Computer 23 und führt die geeignete Korrektur der Linsen
11, 14 und 16 bis 19 aus.
Gemäß einem Beispiel der ersten Ausführungsform der
Erfindung, das mit Bezug auf Fig. 1 erläutert wird, ist
das feine Loch 3 in einem Substrat 2 als quadratisches
Loch mit einer Kantenlänge von 0,25 µm ausgebildet. Das
Substrat 2 ist aus Silicium hergestellt und auf der
Probenbühne 21 so angeordnet, daß es mit der Oberfläche
der Probe 20, die dem Lithographieprozeß unterworfen
werden soll, nahezu bündig ist.
Das Substrat 2 wird mit dem geformten Elektronenstrahl 1
abgetastet, wobei dieser Elektronenstrahl dadurch geformt
wird, daß er durch eine Zelle mit einem Linien- Zwischen
raum-Muster wie etwa demjenigen von Fig. 7 geschickt
wird. Vorzugsweise beträgt die Gesamtgröße der Zelle 5,0
µm2, wobei die Linienbreite 0,3 µm beträgt. Gemäß dieser
Ausführungsform wird der Elektronenstrahl mit 50 kV
beschleunigt, wobei die Elektronen, die das feine Loch 3
passieren, mittels eines Elektronendetektors 4 wie etwa
eines Festkörperdetektors (SSD) aus dotiertem Silicium
erfaßt werden.
In dieser Ausführungsform ist die Dicke des Silicium
substrats 2 (1 µm) kleiner als die Reichweite des Elek
tronenstrahls, weshalb die Elektronen, die sich durch das
Siliciumsubstrat 2 bewegen, teilweise in den Elektronen
detektor 4 eintreten. Diese Elektronen werden jedoch im
Siliciumsubstrat 2 unter großen Winkeln gestreut und
treten in den Elektronendetektor 4 mit einer Wahrschein
lichkeit von 1/10 oder weniger ein. Daher werden die
Elektronen 5, die das feine Loch 3 im Siliciumsubstrat 2
passiert haben, erfaßt und ergeben einen Ausgang, das
einen Kontrast-, einen Randschärfe- und einen Spitzenin
tensitäts-Pegel besitzt, der den Grad der Fokus- und
Astigmatismuskorrektur des geformten Elektronenstrahls 1
repräsentiert, wenn dieser eine Abtastung des Lochs 3
ausführt.
Für diese Ausführungsform ist die Auflösung des aus dem
geformten Elektronenstrahl 1 erzeugten Elektronendetek
torsignals durch die Größe des feinen Lochs 3 bestimmt.
Bei Verwendung des Signals vom Detektor 4 wird der
geformte Elektronenstrahl 1 mit einer Auflösung von
ungefähr 0,25 µm reproduziert. In diesem Fall besitzt der
geformte Elektronenstrahl die Gestalt eines Linien-
Zwischenraum-Muster mit einer Linienbreite von ungefähr
0,3 µm. Im Ergebnis wird aus dem Ausgang des Elektronen
detektors 4 eine Darstellung des Linien- Zwischenraum-
Musters erhalten, wobei die Randschärfe des geformten
Elektronenstrahls aus dem Detektorsignal bestimmt werden
kann, so daß es möglich ist, eine Korrektur der Elektro
nenoptik wie etwa eine Fokuskorrektur und eine Astigma
tismuskorrektur auszuführen.
In den Fig. 4(A) bis 4(C) sind beispielhafte Ausgangssi
gnale vom Elektronendetektor gezeigt, die die Erfassung
eines geformten Elektronenstrahls repräsentieren, der ein
Linien-Zwischenraum-Muster einer Zelle passiert hat. Die
gezeigten Signale werden übrigens dadurch erhalten, daß
von den Signalen der Hintergrund subtrahiert wird. Wenn
der Gegenstand scharfgestellt ist, steigt der Spitzenin
tensitäts-Pegel des Signals an, so daß die Trennung des
Musters verbessert ist.
In Fig. 4(A) wird ein Pegel der magnetischen Erregung der
Objektivlinse 16 als Referenz verwendet, wobei dieser
Pegel geändert wird, wie in Fig. 4(B) gezeigt ist. Wenn
der Pegel der magnetischen Erregung der Objektivlinse 16
weiter geändert wird, wird ein Ausgang erhalten, wie er
in Fig. 4(C) gezeigt ist. Aus der Betrachtung der Signale
der Fig. 4(A) bis 4(C) ergibt sich, daß der Spitzeninten
sitäts-Pegel für das in Fig. 4(B) gezeigte Signal am
größten ist. Dies deutet darauf hin, daß die Objekti
vlinse scharfgestellt ist, wenn sie auf denjenigen Pegel
der magnetischen Erregung eingestellt ist, mit dem das in
Fig. 4(B) gezeigte Signal erhalten wird.
In der Praxis bewirkt die Ablenkung des Elektronenstrahls
für die Auswahl einer Zelle in der zweiten Blende 12, daß
der Elektronenstrahl aus der Achse der Elektronenoptik
abgelenkt wird. Der Abweichungsbetrag verändert sich in
Abhängigkeit von der gewählten Zelle und von den Figuren
in der Zelle. Daher entsteht im Elektronenstrahl ein
Astigmatismus. Ferner verändert sich die Intensität des
Elektronenstrahls in Abhängigkeit vom Öffnungsverhältnis
der gewählten Zelle, was geänderte Fokusbedingungen zur
Folge hat. Vor der Ausführung des Lithographieprozesses
unter Verwendung des Gerätes werden daher Korrekturbeträ
ge für die Fokuskorrektur für die Astigmatismuskorrektur
gemessen, indem der geformte Elektronenstrahl verwendet
wird, der tatsächlich im Lithographieprozeß einer Probe
verwendet wird. Diese Einstellbeträge werden dann für
jede Zelle oder für jede Figur beispielsweise im Computer
23 gespeichert, so daß diese Werte während des Lithogra
phieprozesses einer Probe wiedergewonnen werden können.
Auf diese Weise ist die Feineinstellung der Elektronenop
tik während des Lithographieprozesses von Proben selbst
dann gewährleistet, wenn der Elektronenstrahl während des
Lithographieprozesses anhand vieler unterschiedlicher
Zellen geformt wird. Beispielsweise kann unter Verwendung
des Gerätes bei der Formung des Elektronenstrahls durch
eine Linien-Zwischenraum-Figur ein Muster mit einem
Abstand von 0,2 µm genau gezeichnet werden.
In der in Fig. 5 gezeigten zweiten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung ist zwischen den Elektronendetek
tor 4 und das das feine Loch 3 aufweisende Substrat 2
eine Begrenzungsblende 7 eingesetzt. In einem besonderen
Beispiel gemäß dieser Ausführungsform besitzt das
Substrat 2 eine Dicke von 1,0 µm und ein quadratisch
geformtes feines Loch 3 mit Kantenlängen von 0,1 µm. Die
Begrenzungsblende besitzt einen Radius von 0,5 mm, so daß
die gestreuten Elektronen 6 größtenteils daran gehindert
werden, in den Elektronendetektor 4 einzutreten und von
diesem erfaßt zu werden, wodurch das Erfassungsverhältnis
zwischen den durch das Loch verlaufenden Elektronen zu
den gestreuten Elektronen verbessert wird.
Dieses Verhältnis steht mit dem Radius der Begrenzungs
blende 7 dadurch in Beziehung, daß der zwischen dem
feinen Loch 3 und der Umfangslinie der Blendenöffnung
gebildete Grenzwinkel 8 geändert wird, wenn der Radius
der Blendenöffnung zunimmt, wie in Fig. 6 gezeigt ist.
Wie dort gezeigt, nimmt das Verhältnis der erfaßten
Elektronen, die sich durch das feine Loch bewegt haben,
zu den gestreuten Elektronen ab, wenn der Grenzwinkel
oder der Radius der Begrenzungsblende 7 zunehmen. Der
bevorzugte Bereich des Begrenzungsblendenradius liegt
zwischen 0,5 mm und 2 mm, der tatsächliche Grenzwinkel
hängt jedoch auch vom Abstand ab, um den die Begrenzungs
blende 7 und das Substrat 2 voneinander getrennt sind.
Im vorliegenden Beispiel dieser Ausführungsform, in dem
eine Blende mit einem Radius von 0,5 mm vorgesehen ist,
ergeben die vom Detektor erhaltenen Signale einen sehr
hohen Kontrast im Vergleich zu den Signalen, die durch
die Anordnung der ersten Ausführungsform geschaffen
werden.
Ferner ermöglicht in dieser zweiten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung die Anordnung des feinen quadrati
schen Lochs 3 mit einer Kantenlänge von 0,1 µm die
Korrektur eines geformten Elektronenstrahls mit einer
Auflösung von 0,1 µm. Mit dem geformten Elektronenstrahl
1 wird wie in der ersten Ausführungsform eine Abtastung
ausgeführt, um vom Detektor den Ausgang zu erhalten, der
die Figur repräsentiert, woraufhin die Elektronenoptik
korrigiert wird, um die maximale Randschärfe zu erhalten.
In diesem Beispiel der zweiten Ausführungsform wurde bei
Verwendung eines Zellenprojektionsverfahrens ein Linien-
Zwischenraum-Muster bis zu einer Merkmalsgröße von 0,5 µm
erhalten.
In einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfin
dung wird der Elektronenstrahl unter Verwendung einer
Zelle mit einem Punktmuster, wie es in Fig. 8 gezeigt
ist, geformt. Wenn der Elektronenstrahl unter Verwendung
dieses Musters geformt wird, ist es einfach, die Elektro
nenoptik sowohl in X- als auch in Y-Richtung gleichzeitig
genau zu korrigieren, wobei insbesondere der Astigmatis
mus der Elektronenoptik korrigiert wird. In der dritten
Ausführungsform werden dieselbe Abtastrichtung und
dieselbe Schrittrichtung wie in der ersten und in der
zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung
verwendet.
In den vorangehenden Ausführungsformen umfaßt das Verfah
ren für die Korrektur der Optik vor der Lithographie
einer Probe das Bewegen eines ein feines Loch 3 aufwei
senden und unter der Objektivlinse angeordneten Substrats
2 innerhalb des Ablenkfeldes des Elektronenstrahls
mittels einer Bühne 21. Es wird angenommen, daß die
Oberfläche des Substrats 2 angenähert bündig mit der
Probe ist, die der Lithographie unterworfen werden soll,
um die Fokuskorrektur und die Astigmatismuskorrektur in
der geeigneten Höhe oder Korrekturebene oberhalb der
Bühne auszuführen. Daher wird in den obigen Ausführungs
formen nach der Korrektur der Elektronenoptik die Probe,
deren Oberfläche sich in der Korrekturebene befindet,
durch die Bühne in das Feld des Elektronenstrahls bewegt,
woraufhin die Lithographie ausgeführt wird, um auf der
Oberfläche der Probe die gewünschten Muster auszubilden.
In einer alternativen Ausführungsform, die in Fig. 10
gezeigt ist, sind auf einer Bühne 28 zwei Substrate 26a
und 26b angeordnet, wovon jedes eine andere relative Höhe
Z1 bzw. Z2 in bezug auf die Oberfläche der Bühne besitzt.
Vorzugsweise ist die Höhe Z1 größer als die Höhe Z3 der
Oberfläche der Probe 27, während die Höhe Z2 vorzugsweise
geringer als die Höhe Z3 ist. Somit liegt die Höhe der
Probenoberfläche Z3 zwischen den Referenzhöhen Z1 und Z2.
Um die Optik für ein Elektronenstrahllithographie-Gerät
unter Verwendung einer Bühne mit zwei Substraten mit
feinen Löchern, wie in Fig. 10 gezeigt, einzustellen,
wird zunächst mittels der Bühne das feine Loch des
Substrats 26a mit der Höhe Z1 in das Ablenkfeld des
Elektronenstrahls bewegt. Dann werden die Elektronen, die
das feine Loch passieren, vom Elektronendetektor 29a
erfaßt. Die Daten bezüglich dieser Elektronen werden
gespeichert, woraufhin dieser Prozeß für das Substrat 26b
mit der Höhe Z2, das mittels der Bühne in das Ablenkfeld
des Elektronenstrahls bewegt wird, wiederholt, um durch
den Elektronendetektor 29b die Elektronen zu erfassen,
die das feine Loch im Substrat 26b passieren. Wenn die
Daten für die beiden Substrate mit den unterschiedlichen
Höhen Z1 bzw. Z2 erfaßt worden sind, berechnet ein Compu
ter wie etwa der in Fig. 3 gezeigte Computer 23 durch
einen vorgegebenen Algorithmus die optimalen Korrekturda
ten, die diesen Höhen entsprechen.
Wenn dann mittels der Bühne eine Probe 27 mit einer
Oberflächenhöhe Z3 in das Ablenkfeld des Elektronen
strahls bewegt wird, um die Lithographie auszuführen,
werden durch einen Algorithmus, der beispielsweise eine
Interpolation verwendet, die Höhe Z3 bestimmt und die
optimalen Korrekturdaten berechnet. Anschließend wird die
Korrektur der Elektronenoptik unter Verwendung der
berechneten Korrekturdaten, die für die Probe 27 optimal
sind, ausgeführt.
Bei der in Fig. 10 gezeigten Anordnung können Proben mit
Oberflächen auf unterschiedlichen Höhen verwendet werden,
wobei diese unterschiedlichen Höhen unterschiedliche
Korrekturebenen für die Korrektur der Elektronenoptik,
die vorzugsweise im Bereich von Z1 bis Z2 (relativ zur
Bühne) oder gerade außerhalb dieses Bereichs liegen, zur
Folge haben, ohne daß eine Einstellung der Höhe der
Substrate mit den feinen Löchern notwendig ist. Daher muß
im Gegensatz zu den Anordnungen der ersten und der
zweiten Ausführungsform das das feine Loch aufweisende
Substrat nicht weitgehend bündig mit der Probe sein, die
dem Lithographieprozeß unterworfen werden soll.
Obwohl die Erfindung anhand bevorzugter Ausführungsformen
im einzelnen erläutert worden ist, kann der Fachmann
selbstverständlich Abwandlungen und Änderungen vornehmen
und weitere Ausführungsformen schaffen, ohne vom Umfang
der vorliegenden Erfindung abzuweichen, der durch die
folgenden Ansprüche definiert ist.
Claims (5)
1. Elektronenstrahllithographie-Gerät, das ein
Zellenprojektionsverfahren verwendet, um den Elektronen
strahl in einen geformten Elektronenstrahl (5) zu formen,
gekennzeichnet durch
eine Elektronenoptik (9 bis 19) zum Fokussieren des Elektronenstrahls auf einer Ebene, wobei die Elektro nenoptik eine Einrichtung (22) für die Fokus- und Astig matismuskorrektur des geformten Elektronenstrahls (5) enthält;
eine Bühne (21), die in der Ebene angeordnet ist und eine dem Lithographieprozeß zu unterwerfende Probe sowie ein Substrat (2) trägt, wobei das Substrat (2) ein Loch (3) besitzt, das während der Korrektur der Elektro nenoptik (9 bis 19) in einem Abtastweg des geformten Elektronenstrahls (5) angeordnet ist;
einen Elektronendetektor (4), der in der Nähe des Lochs (3) angeordnet ist, um die Elektronen des geformten Elektronenstrahls (5) zu empfangen, die das Loch (3) passieren, und um Ausgangssignale zu erzeugen, die die Intensität der erfaßten Elektronen repräsentieren; und
Einrichtungen (23, 24) für die Verarbeitung der Ausgangssignale vom Elektronendetektor (4), um Korrektur signale zu erzeugen;
wobei die Korrektureinrichtung (22) die Korrek tursignale empfängt und auf der Grundlage der Korrektur signale eine Fokuskorrektur und/oder eine Astigmatismus korrektur der Elektronenoptik (9 bis 19) ausführt.
gekennzeichnet durch
eine Elektronenoptik (9 bis 19) zum Fokussieren des Elektronenstrahls auf einer Ebene, wobei die Elektro nenoptik eine Einrichtung (22) für die Fokus- und Astig matismuskorrektur des geformten Elektronenstrahls (5) enthält;
eine Bühne (21), die in der Ebene angeordnet ist und eine dem Lithographieprozeß zu unterwerfende Probe sowie ein Substrat (2) trägt, wobei das Substrat (2) ein Loch (3) besitzt, das während der Korrektur der Elektro nenoptik (9 bis 19) in einem Abtastweg des geformten Elektronenstrahls (5) angeordnet ist;
einen Elektronendetektor (4), der in der Nähe des Lochs (3) angeordnet ist, um die Elektronen des geformten Elektronenstrahls (5) zu empfangen, die das Loch (3) passieren, und um Ausgangssignale zu erzeugen, die die Intensität der erfaßten Elektronen repräsentieren; und
Einrichtungen (23, 24) für die Verarbeitung der Ausgangssignale vom Elektronendetektor (4), um Korrektur signale zu erzeugen;
wobei die Korrektureinrichtung (22) die Korrek tursignale empfängt und auf der Grundlage der Korrektur signale eine Fokuskorrektur und/oder eine Astigmatismus korrektur der Elektronenoptik (9 bis 19) ausführt.
2. Elektronenstrahllithographie-Gerät gemäß Anspruch
1, dadurch gekennzeichnet, daß
das Loch (3) des Substrats (2) eine quadratische
Form mit einer Kantenlänge besitzt, deren Wert in einem
Bereich liegt, der von weniger als der minimalen Merk
malsgröße einer lithographischen Figur für die Formung
des geformten Elektronenstrahls (5) bis zur zweifachen
minimalen Merkmalsgröße reicht.
3. Elektronenstrahllithographie-Gerät gemäß Anspruch
2, dadurch gekennzeichnet, daß
das Substrat (2), durch das das Loch (3) ver
läuft, eine Dicke besitzt, die kleiner als die Elektro
nenreichweite des geformten Elektronenstrahls (5) ist.
4. Elektronenstrahllithographie-Gerät gemäß Anspruch
1, gekennzeichnet durch
eine Begrenzungsblende (7), die zwischen dem
Substrat (2) und dem Elektronendetektor (4) angeordnet
ist, um die Erfassung von gestreuten Elektronen zu
verhindern, die nicht das Loch (3) passiert haben.
5. Elektronenstrahllithographie-Gerät gemäß Anspruch
1, dadurch gekennzeichnet, daß
der geformte Elektronenstrahl (5) dadurch geformt
wird, daß der Elektronenstrahl entweder durch eine Zelle,
die ein Linien-Zwischenraum-Muster besitzt, oder durch
eine Zelle geschickt wird, die ein Feld von Punkten
besitzt, die in zueinander senkrechten Richtungen regel
mäßig angeordnet sind.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05852493A JP3274212B2 (ja) | 1993-03-18 | 1993-03-18 | 電子線検出器及びそれを用いた電子線描画装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4409374A1 true DE4409374A1 (de) | 1994-09-22 |
Family
ID=13086823
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4409374A Withdrawn DE4409374A1 (de) | 1993-03-18 | 1994-03-18 | Elektronenstrahllithographie-Gerät mit Elektronenoptik-Korrektursystem |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5396077A (de) |
JP (1) | JP3274212B2 (de) |
KR (1) | KR100282678B1 (de) |
DE (1) | DE4409374A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10024634B4 (de) * | 1999-05-20 | 2004-10-21 | Hitachi, Ltd. | Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung und -verfahren |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3552344B2 (ja) * | 1995-07-05 | 2004-08-11 | 株式会社ニコン | 荷電粒子線によるパターン転写方法および転写装置 |
US6025600A (en) * | 1998-05-29 | 2000-02-15 | International Business Machines Corporation | Method for astigmatism correction in charged particle beam systems |
US6825480B1 (en) * | 1999-06-23 | 2004-11-30 | Hitachi, Ltd. | Charged particle beam apparatus and automatic astigmatism adjustment method |
US6831282B2 (en) * | 2001-02-09 | 2004-12-14 | Nikon Corporation | Methods and devices for evaluating beam blur in a charged-particle-beam microlithography apparatus |
JP2003077814A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置の結像性能の計測方法及びその計測装置、荷電粒子線露光装置 |
JP2003077813A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置の結像性能の評価方法、荷電粒子線露光装置の調整方法、ビームぼけ計測装置及び荷電粒子線露光装置 |
JP2003347192A (ja) * | 2002-05-24 | 2003-12-05 | Toshiba Corp | エネルギービーム露光方法および露光装置 |
JP2005116731A (ja) | 2003-10-07 | 2005-04-28 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法 |
JP4557603B2 (ja) * | 2004-05-24 | 2010-10-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子ビーム応用装置および電子線描画装置 |
JP4511303B2 (ja) * | 2004-10-05 | 2010-07-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置および寸法測定方法 |
JP5116996B2 (ja) * | 2006-06-20 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線描画方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2008004596A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Canon Inc | 荷電粒子線描画方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP6356538B2 (ja) * | 2014-08-27 | 2018-07-11 | 株式会社アドバンテスト | 露光装置 |
US10964522B2 (en) * | 2018-06-06 | 2021-03-30 | Kla Corporation | High resolution electron energy analyzer |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5961134A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム露光装置 |
US5171965A (en) * | 1984-02-01 | 1992-12-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and apparatus |
DE3410885A1 (de) * | 1984-03-24 | 1985-10-03 | Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart | Fehlerkorrigierte korpuskularstrahllithographie |
JPH07118440B2 (ja) * | 1986-07-09 | 1995-12-18 | 東芝機械株式会社 | 電子ビ−ム描画装置 |
-
1993
- 1993-03-18 JP JP05852493A patent/JP3274212B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-03-14 KR KR1019940004993A patent/KR100282678B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-03-16 US US08/213,737 patent/US5396077A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-03-18 DE DE4409374A patent/DE4409374A1/de not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10024634B4 (de) * | 1999-05-20 | 2004-10-21 | Hitachi, Ltd. | Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung und -verfahren |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5396077A (en) | 1995-03-07 |
KR940022718A (ko) | 1994-10-21 |
KR100282678B1 (ko) | 2001-11-30 |
JP3274212B2 (ja) | 2002-04-15 |
JPH06275500A (ja) | 1994-09-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69422825T2 (de) | Wahrnehmungsvorrichtung für die messung starker höhenunterschiedsverhältnisse | |
DE69422351T2 (de) | Teilchenanalyse von gekerbten Scheiben | |
DE102005002537B4 (de) | Vorrichtung für einen Strahl geladener Teilchen zum Messen eines Abbildungsvergrösserungsfehlers | |
DE69620371T2 (de) | Verfahren zur Messung von Dimensionen von Mustern auf einer Probe | |
DE69737862T2 (de) | Automatische justierung eines energiefiltrierenden transmissionselektronenmikroskops | |
DE10000365B4 (de) | Spannungskontrastverfahren zum Nachweis von Defekten in einem strukturiertem Substrat | |
DE69231213T2 (de) | Elektronenstrahlgerät | |
DE69023592T2 (de) | Verfahren zur Korrektur des Astigmatismus eines Strahles dessen Querschnittsform veränderbar ist. | |
DE4409374A1 (de) | Elektronenstrahllithographie-Gerät mit Elektronenoptik-Korrektursystem | |
DE3884688T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung für die Korrektur von Fehlern in Röntgenstrahlmasken. | |
DE69123677T2 (de) | Reflektionsmaske und eine solche Reflektionsmaske verwendendes geladenes Teilchenstrahl-Belichtungsgerät | |
DE112014004151B4 (de) | Verfahren zur Korrektur der Neigung eines Strahls geladener Teilchen und mit einem Strahl geladener Teilchen arbeitende Vorrichtung | |
DE112014007154B4 (de) | Ladungsteilchen-Strahlvorrichtung | |
DE102005061687B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Abstandsmessung sowie Verwendung des Verfahrens und der Vorrichtung zur Topographiebestimmung | |
DE3031814A1 (de) | Elektronenstrahlvorrichtung | |
DE69028060T2 (de) | Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung und Verfahren zur Anwendung derselben | |
DE68925266T2 (de) | Korpuskularbestrahlungsverfahren mit einer Maske | |
DE102005014793B4 (de) | Verfahren und Inspektionssystem zur CD-Messung auf der Grundlage der Bestimmung von Flächenanteilen | |
DE19721313A1 (de) | Proben-KD-Messsystem | |
DE2850991A1 (de) | Elektronenstrahl-lithographieverfahren | |
DE102014212563B4 (de) | Messvorrichtung und Verfahren zum Bestimmen einer Positionsänderung eines Teilchenstrahls eines Rasterteilchenmikroskops | |
DE3032818A1 (de) | Durchstrahlungsrasterelektronenmikroskop mit automatischer strahlkorrektur | |
DE10024634B4 (de) | Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung und -verfahren | |
DE3003125A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur elektronenstrahllithographie | |
DE69925131T2 (de) | Elektronenmikroskop |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8141 | Disposal/no request for examination |