DE4340593A1 - Flüssigkristalldisplay - Google Patents
FlüssigkristalldisplayInfo
- Publication number
- DE4340593A1 DE4340593A1 DE19934340593 DE4340593A DE4340593A1 DE 4340593 A1 DE4340593 A1 DE 4340593A1 DE 19934340593 DE19934340593 DE 19934340593 DE 4340593 A DE4340593 A DE 4340593A DE 4340593 A1 DE4340593 A1 DE 4340593A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- liquid crystal
- insulating film
- film
- alignment
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133734—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by obliquely evaporated films, e.g. Si or SiO2 films
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/13378—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
- G02F1/133784—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation by rubbing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Flüssigkristalldisplay, das den
elektrooptisch bistabilen Effekt eines nematischen Flüssig
kristalls verwendet.
Zu bisherigen Anzeigeverfahren unter Verwendung eines Flüs
sigkristalls gehören das Verfahren mit dynamischer Streuung
(DS) zum Umsetzen eines an einen Flüssigkristall gelegten
elektrischen Signals in optische Daten, das Verfahren mit
elektrisch gesteuerter Doppelbrechung (ECB = Electrically
Controlled Birefrigence), das Phasenänderungs(PC = Phase
Change)-Verfahren, das Speichermusterverfahren, das Gast-
Wirt(GH = Guest-Host)-Verfahren und das Verfahren mit einem
oberflächenstabilisierten Ferroelektrikum (SSF = Surface
Stabilized Ferroelectric).
Unter den Verfahren, die für Anzeigevorrichtungen in Erzeug
nissen wie Uhren, wissenschaftlichen Taschenrechnern, Wort
prozessoren, PCs und Fernsehgeräten verwendet werden, sind
vor allem das Verfahren mit verdrillt nematischem Flüssig
kristall (TN = Twisted Nematic) und das Verfahren mit super
verdrilltem nematischem Flüssigkristall (STN = Supertwisted
Nematic), das eine Verbesserung des TN-Verfahrens ist, von
Bedeutung.
Diese Verfahren nutzen alle einfachstabile Flüssigkristalle,
wobei dieselben einer solchen Orientierungsbehandlung unter
zogen werden, daß die Flüssigkristallmoleküle parallel zum
Substrat in einer Richtung ausgerichtet sind. Es existiert
bereits eine Patentanmeldung für Flüssigkristalldisplays mit
einer Isolierschicht zwischen dem Glassubstrat und der Aus
richtungsbehandlungsschicht (s. Veröffentlichung Nr. 51
(1976)-124941 zu einer japanischen Patentanmeldung). Ferner
existiert eine Patentanmeldung in bezug auf ein Verfahren,
bei dem als Teil einer Ausrichtungsbehandlung Schrägabschei
dung aus der Dampfphase erfolgt oder ein isolierender, anor
ganischer Dünnfilm auf ein Substrat mit einer Elektrode auf
getragen wird (s. Veröffentlichung Nr. 57 (1982)-112714 zu
einer japanischen Patentanmeldung).
Als bistabile Flüssigkristalldisplays, die einen nematischen
Flüssigkristall benutzen, wie dies bei der Erfindung ge
schieht, hat G. Durand zwei verschiedene Arten vorgeschla
gen.
Die eine dieser Arten verwendet ein chirales Ion zum Erzeu
gen einer Verdrehungskraft (Veröffentlichung WO-91/11747 zu
einer internationalen Patentanmeldung). Bei einer solchen
Vorrichtung werden sowohl rechts- als auch linksdrehende
chirale Ionen mit einem Flüssigkristall vermischt, um eine
Abweichung der Ionenverteilung durch eine Spannung zu bewir
ken, um dadurch eine Verdrehkraft hervorzurufen. Bei einem
solchen Verfahren ermöglicht es das Anlegen eines impulsför
migen elektrischen Feldes, wie dies aus einem Flüssigkri
stalldisplay mit oberflächenstabilisiertem Ferroelektrikum
(SSFLCD) erkennbar ist, die Flüssigkristallmoleküle in eine
Lage parallel zur Substratfläche umzuschalten. Jedoch hat
dieses Verfahren einen wesentlichen Nachteil hinsichtlich
seiner Zuverlässigkeit, da es nicht reine Ionen zum Betrei
ben der Vorrichtung verwendet.
Die andere Art Flüssigkristalldisplay verwendet eine Verbie
gungspolarisation als antreibende Drehkraft. Als Ausrich
tungsfilm wird ein durch Schrägaufdampfung aus der Dampf
phase hergestellter SiO-Film verwendet. Diese Vorrichtung
nutzt die Tatsache, daß es eine geeignete Auswahl der Film
herstellbedingungen erlaubt, daß der nematische Flüssigkri
stall eine stabile Ausrichtung in zwei Richtungen zeigt
(Veröffentlichung WO-92/00546 zu einer internationalen Pa
tentanmeldung). Es wird angenommen, daß dort hohe Zuverläs
sigkeit ohne die Schwierigkeit von Verunreinigungen erwartet
werden kann, da die aus einer Ausrichtungsverzerrung herrüh
rende Verbiegungspolarisation als antreibende Verdrehkraft
verwendet wird. Bei diesem Verfahren erlaubt es das Anlegen
eines impulsförmigen elektrischen Feldes, wie dies auch beim
SSFLCD erkennbar ist, das Umschalten der Flüssigkristall
moleküle in eine Richtung parallel zur Oberfläche des Sub
strats. Die Ansprechzeit beträgt ungefähr 100 µsec. Da der
Flüssigkristall in eine Richtung parallel zur Substratfläche
umgeschaltet wird, kann keine Abhängigkeit des Betrachtungs
winkels erkannt werden. Daneben besteht bei dieser Vorrich
tung kein Ausrichtungsproblem wie bei einem SSFLCD, da diese
Art von Flüssigkristalldisplay einen nematischen Flüssigkri
stall verwendet, und es ist ein ausreichend großer Bereich
der Betriebstemperatur möglich. Das erfindungsgemäße Flüs
sigkristalldisplay gehört zum letzteren Typ.
Fig. 3 zeigt den Aufbau eines nematischen, bistabilen Dis
plays auf Grundlage der Verbiegungspolarisation, wie sie von
G. Durand berichtet wurde (s. SID-Dokumente, S. 606-607,
Appl. Phys. Lett. 60 (9), 2. März 1992, S. 1085-1086). In
Fig. 3 sind Glassubstrate 1a, eine Flüssigkristallschicht 6,
transparente Elektroden 2a, 2b, SiO-Ausrichtungsfilme 4a, 4b
sowie Abstandshalter 5a, 5b dargestellt. Der Dampfabschei
dungswinkel für den SiO-Ausrichtungsfilm ist auf ungefähr
74° gegen die Normale auf dem Substrat ausgerichtet, wobei
die Dicke des Films ungefähr 3 nm beträgt und der Durchmes
ser der Abstandshalter ungefähr 1 bis 3 µm ist. Unter diesen
Umständen sind die Flüssigkristallmoleküle, wie dies in Fig. 4
dargestellt ist, um den Winkel R° gegen die Substratfläche
geneigt. Darüber hinaus ist die auf die Substratfläche pro
jizierte Richtung um α° bis -α° verdrillt, um Richtungen A
und B zu erzeugen, in denen die Flüssigkristallmoleküle
einen bistabilen Zustand zeigen. Darüber hinaus zeigen die
Flüssigkristallmoleküle dann, wenn die Dicke der Zelle aus
reichend auf 1 bis 3 µm verringert wird, einen stabilen Zu
stand in der Richtung rechtwinklig zur Dampfabscheidungs
richtung des SiO und in der Richtung C parallel zur Sub
stratfläche auf.
Fig. 4 zeigt die SiO-Dampfabscheidungsrichtung und die Rich
tung, in der die Flüssigkristallmolekül-Ausrichtung stabil
sein kann. Die Ausrichtungsbehandlungsrichtungen für das
obere und untere Substrat werden so bestimmt, daß die Dampf
abscheidungsrichtung für das SiO um 45° gegen die antiparal
lele Richtung verdreht wird. Es wird ein Flüssigkristall
material verwendet, das so mit einem chiralen Material do
tiert ist, daß es zwischen dem oberen und unteren Substrat
eine Verdrillung von 22,5° hervorruft. Übrigens ist die Ver
drillrichtung der Flüssigkristallmoleküle so eingestellt,
daß sie der Verdrillrichtung gemäß der SiO-Dampfabscheidung
zwischen dem oberen und unteren Substrat entgegengesetzt
ist.
In den Zeichnungen bezeichnet der gestrichelte Pfeil die
SiO-Dampfabscheidungsrichtung. Bezugsziffern (1) bis (3)
sowie (1)′ bis (3)′ bezeichnen Richtungen stabiler Ausrich
tung, die die Flüssigkristallmoleküle an jeder Substratflä
che einnehmen können. Auf diese Weise ist die Struktur des
Flüssigkristalldisplays dadurch bedingt, daß die SiO-Dampf
abscheidung um 45° gegen die antiparallele Ausrichtung ver
dreht wird. Daher ist dann, wenn ein Flüssigkristallmaterial
mit den obigen Bedingungen in eine Zelle eingebracht wird,
die Orientierung, die im stabilen Zustand möglich ist, durch
die Wirkung des chiralen Materials begrenzt. Die Flüssigkri
stallmoleküle können in Kombinationen stabil sein, wie sie
mit (2) bis (3)′ sowie (3) bis (1)′ dargestellt sind.
Fig. 5 ist ein Querschnitt durch eine Zelle. Das Symbol a
entspricht der Ausrichtung (2) bis (3)′, während das Symbol
b der Ausrichtung (3) bis (1)′ entspricht. Wenn ein Flüssig
kristallmolekül Keilform aufweist, erzeugt die Ausrichtungs
verzerrung auf dem aufgesprühten Material eine Verbiegungs
polarisation. Der Pfeil in Fig. 6 bezeichnet die Richtung
der Verbiegungspolarisation. Hierbei sind die vertikalen
Komponenten der mit a und b bezeichneten Verbiegungspolari
sationen in zueinander entgegengesetzten Richtungen ausge
richtet. Dadurch ist es möglich, den bistabilen Zustand da
durch zu ändern, daß die vertikale Komponente der Verbie
gungspolarisation durch Anlegen eines impulsförmigen elek
trischen Feldes umgekehrt wird.
Wenn jedoch der SiO-Ausrichtungsfilm direkt auf dem Substrat
ausgebildet wird, wie dies beim obigen Verfahren der Fall
ist, unterscheiden sich die Orientierungsrichtungen für den
bistabilen Zustand auf der Glasoberfläche und der durchsich
tigen Elektrode aufgrund der Stufe zwischen der Glasober
fläche des Substrats und der darauf ausgebildeten durchsich
tigen Elektrode voneinander. Darüber hinaus wird die bista
bile Ausrichtung von der Glasoberfläche oder der durchsich
tigen Elektrode beeinflußt, da die Dicke des SiO-Ausrich
tungsfilms gering ist. Außerdem ist der Zustand stabiler
Ausrichtung in einen der folgenden stabilen Zustände abgeän
dert: einen Ausrichtungszustand I vor dem Anlegen eines
elektrischen Feldes oder einen Ausrichtungszustand II nach
dem Anlegen des elektrischen Feldes, bei dem das elektrische
Feld verstärkt wird. So kann kein bistabiles Umschalten er
zielt werden. Der Bericht von G. Durand beschreibt, daß Um
schalten in einer Flüssigkristalldomäne mit einer Größe von
1 mm realisiert wurde. Kein bistabiles Umschalten wird über
die gesamte Fläche des Anzeigeschirms erzielt. Demgemäß ist
es sehr schwierig, einen gleichmäßigen Ausrichtungszustand
über einen großen Teil einer Fläche zu erzielen. Außerdem
führt das Anlegen eines elektrischen Feldes zu Kurzschlüssen
zwischen dem oberen und unteren Substrat, da die Dicke der
Flüssigkristalle mit 1,5 µm bis 3,0 µm sehr gering ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein bistabiles
Flüssigkristalldisplay anzugeben, das über große Anzeigeflä
chen zuverlässig vom einen bistabilen Zustand in den anderen
umgeschaltet werden kann.
Das erfindungsgemäße Flüssigkristalldisplay ist durch die
Lehre des beigefügten Anspruchs 1 gegeben. Dieses Display
weist u. a. einen Isolierfilm zwischen dem Substrat und dem
Ausrichtungsfilm auf.
Vorzugsweise wird der Isolierfilm bei einem solchen Flüssig
kristalldisplay einer Ausrichtungsbehandlung unterzogen.
Außerdem liegt die Dicke des Isolierfilms vorzugsweise im
Bereich von 0,01 bis 1 µm oder beim 0,5- bis 3,0fachen der
Dicke der Elektrode.
Auch ist es bevorzugt, den Isolierfilm entweder aus einem
anorganischen Dünnfilm, der materialmäßig aus der aus SiO2,
SiNx, Al2O3 bestehenden Gruppe ausgewählt ist, oder aus
einem organischen Dünnfilm herzustellen, der materialmäßig
aus der ein Polyimid, einen Photoresistharz oder einen poly
meren Flüssigkristall enthaltenden Gruppe ausgewählt ist.
Die Erfindung wird im folgenden in Verbindung mit den beige
fügten Zeichnungen beschrieben, in denen:
Fig. 1 ein schematischer Schnitt durch ein erfindungsgemäßes
Flüssigkristalldisplay ist;
Fig. 2 eine schematische Darstellung für den Zusammenhang
zwischen der Dampfabscheidungsrichtung und der Ausrichtung
von Flüssigkristallmolekülen ist;
Fig. 3 ein schematischer Querschnitt durch ein herkömmliches
Flüssigkristalldisplay ist;
Fig. 4 eine allgemeine Darstellung zum Veranschaulichen des
bistabilen Zustands eines Flüssigkristalls ist;
Fig. 5 eine Darstellung zum Veranschaulichen der Beziehung
zwischen der Dampfabscheidungsrichtung und der Ausrichtung
von Flüssigkristallmolekülen ist; und
Fig. 6 eine Darstellung zum Veranschaulichen der Ausrichtung
von Flüssigkristallen über den Querschnitt einer Flüssig
kristallzelle ist.
Die Erfindung schafft ein Flüssigkristalldisplay unter Ver
wendung eines nematischen Flüssigkristalls mit gleichmäßigem
bistabilem Zustand über die gesamte Anzeigefläche sowohl in
einem ersten Ausrichtungszustand vor dem Anlegen eines elek
trischen Feldes als auch in einem zweiten Ausrichtungszu
stand nach dem Anlegen des elektrischen Feldes, wobei das
selbe abgetrennt wird.
Bei der Erfindung wird ein lichtdurchlässiges, isolierendes
Substrat, z. B. Glas, verwendet. Auf diesem isolierenden
Substrat wird eine durchsichtige Elektrode mit einem vorge
gebenen Muster aus einem elektrisch leitenden Dünnfilm wie
einem solchen aus InO3, SnO2 oder Indium-Zinn-Oxid (ITO =
Indium Tin Oxide) ausgebildet.
Auf dieser durchsichtigen Elektrode wird ein Isolierfilm
ausgebildet. Als Isolierfilmmaterial kann ein anorganisches
Material wie SiO2, SiNx oder Al2O3 verwendet werden oder ein
organisches Material wie Polyimid, ein Photoresistharz oder
ein polymerer Flüssigkristall. Wenn der Isolierfilm aus
einem anorganischen Material hergestellt wird, kann er durch
Dampfabscheidung, Sputtern, chemische Abscheidung aus der
Dampfphase (CVD) oder Lösungsbeschichtung ausgebildet wer
den. Insbesondere wird der Isolierfilm am besten durch Elek
tronenstrahl(EB = Electron Beam)-Dampfabscheidung ausgebil
det. Wenn für den Isolierfilm ein organisches Material ver
wendet wird, wird z. B. eine Lösung verwendet, in der ein
organisches Material oder ein Vorläufer desselben gelöst
ist, um den vorstehend genannten Dünnfilm durch ein Verfah
ren wie das Schleuderbeschichtungsverfahren, das Tauchbe
schichtungsverfahren, das Siebdruckverfahren, das Walzbe
schichtungsverfahren oder ein Verfahren aufzubringen, bei
dem das Material unter vorgegebenen Aushärtbedingungen (wie
der Anwendung von Wärme- oder Lichtstrahlung) gehärtet wird,
um den Isolierfilm auszubilden. Ferner ist es möglich, Ver
fahren wie Abscheidung aus der Dampfphase, Sputtern, CVD
oder das Langmuir-Blodgett (LB)-Verfahren anzuwenden.
Zu Ausrichtungsbehandlungsverfahren für den Isolierfilm ge
hören das Reibeverfahren und das Verfahren mit Schrägab
scheidung aus der Dampfphase. Das Reibeverfahren ist in dem
Fall bevorzugt, daß Flüssigkristalldisplays mit großer Flä
che hergestellt werden. Beim Reibeverfahren wird der Iso
lierfilm nach seiner Herstellung einer Reibebehandlung un
terzogen. Dabei wird z. B. parallel gerieben (wobei beide
Seiten eines Substratpaars der Reibebehandlung unterzogen
werden und sie so aufeinandergeschichtet werden, daß die
Reiberichtungen in derselben Richtung ausgerichtet sind),
das Antiparallel-Reibeverfahren (bei dem beide Seiten der
Substrate der Reibebehandlung unterzogen werden und so auf
einandergeschichtet werden, daß die Reiberichtungen in ent
gegengesetzten Richtungen zeigen), und das einseitige Reibe
verfahren, bei dem eine Seite der Substrate der Reibbehand
lung unterzogen wird).
Vorzugsweise verfügt der Isolierfilm über eine Dicke von
0,01 bis 1 µm, vorzugsweise 0,02 bis 0,5 µm. Wenn die Dicke
des Isolierfilms geringer als 0,01 µm ist, unterliegt er
einem ungünstigen Einfluß von der Oberfläche des Glases oder
der Oberfläche der durchsichtigen Elektrode. Wenn die Dicke
größer als 1 µm ist, kann dies der Grund für die Erzeugung
einer Stufe zwischen dem Substrat und dem Isolierfilm sein,
was sehr unerwünscht ist. Darüber hinaus hat der Isolierfilm
das 0,5- bis 3fache der Dicke der durchsichtigen Elektrode.
Wenn der Isolierfilm weniger als das 0,5fache der Dicke der
durchsichtigen Elektrode hat, neigt er dazu, von Aussparun
gen und Vorsprüngen der durchsichtigen Elektrode beeinflußt
zu werden. Dann wird die Ausrichtungseinstellung schwierig.
Wenn der Isolierfilm mehr als das 3fache der Dicke der
durchsichtigen Elektrode hat, muß die Ansteuerspannung er
höht werden. Darüber hinaus sammelt sich elektrische Ladung
im Isolierfilm an, wodurch ein elektrisches Feld in Umkehr
richtung erzeugt wird.
Auf dem Isolierfilm wird ein Ausrichtungsfilm ausgebildet.
Für den Ausrichtungsfilm kann entweder ein anorganisches
oder ein organisches Material verwendet werden. Wenn ein an
organisches Material verwendet wird, ist Schrägabscheidung
von Siliciumoxid aus der Dampfphase bevorzugt. Darüber hin
aus kann ein Verfahren wie Dampfabscheidung unter Rotation
verwendet werden. Wenn ein organisches Material verwendet
wird, können Materialien wie Nylon, Polyvinyle, Polyimide
oder dergleichen verwendet werden. Normalerweise erfolgt
eine Ausrichtungsbehandlung des Ausrichtungsfilms durch Rei
ben desselben. Darüber hinaus kann Ausrichtungsbehandlung
dadurch ausgeführt werden, daß ein Material wie ein polyme
rer Flüssigkristall, ein LB-Film oder ein magnetischer Film
verwendet wird oder ein Verfahren wie das Abstandshalter-
Kanten-Verfahren (Spacer Edge Method) oder dergleichen ver
wendet wird. Darüber hinaus können SiO2 und SiNx aus dem
Dampf abgeschieden werden, gefolgt von einem Reiben des
Films zum Erzielen einer Ausrichtung.
Der Vorabneigungswinkel ist als Neigungswinkel der Flüssig
kristallmoleküle gegen die Richtung rechtwinklig zum Sub
strat definiert. Der Vorabneigungswinkel kann dadurch geän
dert werden, daß ein Ausrichtungsfilm vom Polyimidtyp mit
einem Mittel zum Ändern der vertikalen Ausrichtung behandelt
wird wie N, N-Octadecyl-3-Amino-Propyltrimethoxysilylchlorid
(DMOAP), nachdem dieser Film gerieben wurde oder Silicium
oxid durch Schrägabscheidung aus der Dampfphase aufgebracht
wurde. Bei der Reibebehandlung kann der Vorabneigungswinkel
durch Ändern des zum Reiben verwendeten Tuchs, der Länge
eines Felds und die Anzahl von Umdrehungen einer Walze
geändert werden. Darüber hinaus können die Dampfabschei
dungsbedingungen abhängig vom Abscheidungswinkel für das
Siliciumoxid und der gewünschten Filmdicke geändert werden.
Erfindungsgemäß sind der Ausrichtungsfilm auf dem einen Sub
strat und der auf dem anderen vorzugsweise so ausgebildet,
daß sich ihre Ausrichtungsrichtungen voneinander unterschei
den, insbesondere um 0 bis 90°. Bevorzugter wird der Winkel
auf 15 bis 60° eingestellt.
Genauer gesagt, wird ein durch Schrägabscheidung aus der
Dampfphase hergestellter SiO-Film als Ausrichtungsfilm so
verwendet, daß die Abscheidungsrichtung auf den beiden Sub
straten auf ein kleineres Maß gegen die parallele Stellung
eingestellt wird, d. h. auf weniger als die Verdrillrichtung
von 90°, oder vorzugsweise auf ungefähr 45° (s. Fig. 2).
Zum erfindungsgemäßen Flüssigkristall gehören nematische
Flüssigkristalle vom Schiff-Chlor-Typ, vom Azotyp, vom
Azoxytyp, vom Benzoattyp, vom Biphenyltyp, vom Pyrimidintyp
und vom Dioxantyp sowie Mischungen derselben, insbesondere
Mehrkomponenten-Flüssigkristalle. Zu konkreten Flüssigkris
tallmischungen, wie sie käuflich erhältlich sind, gehören
die folgenden: von Merck hergestellte Reihe Z wie Z-1625,
Z-1565, Z-1780, Z-1800, Z-1840, Z-1825 und SCB, von BDH
hergestellte Reihe E wie E-7, E-37, E-31LV, E-80, E-44, die
von Roche hergestellte Reihe R wie R-200, R-623, R-701,
R-619, R-627C, die von Chisso hergestellte Reihe L wie
L-GR45, L-9106, L-EN24, L-P23NN23 und die von Dai Nippon Ink
hergestellte Reihe D wie D-601T, D-X01A und D-800. Außerdem
können diese Flüssigkristalle geeignet gemischt werden.
Dann wird dem vorstehend genannten Flüssigkristall ein chi
rales Hilfsmaterial (optisch aktive Verbindung) zugegeben.
Durch diese Vorgehensweise wird die Schraubenganghöhe der
Flüssigkristallphase eingestellt. Konkret verwendbare chira
le Hilfsstoffe sind die folgenden: Cholesterylbromid, Chole
steryl-n-Hexylether, Cholesterylbenzoat, Cholesteryl-n-Hepta
noat, Cholesterylnunanoat, 4,4-(2-methylbutyl)-phenylbenzoe
säure-4′-cyanophenylester, 4-n-Hexyloxybenzoesäure-4′-(2-
butoxycarbonyl)-phenylester, t-4-(2-Methylbutyl)cyclohexyl
carboxylsäure-cyanobiphenyl, 4-(4-Methylbutyl)-4′-cyano-p-
terphenyl, N-(4-Ethoxybenzyliden)-4-(2-methylbutyl)anilin,
4-(2-Methylbutyl)benzoesäure-4′-n-hexyloxyphenylester, 4-n-
Heptoxy-4′-(methylbutyloxycarbonyl)biphenyl, 4-(2-Methyl
butyl)-4′-carbonylphenyl und 4-4-(2-Methylbutyl)phenylben
zoesäure-4′-butylphenylester.
Zu käuflich erwerbbaren Erzeugnissen gehört S-8100 (von
Merck hergestellt).
Darüber hinaus können andere Verbindungen als die vorstehend
genannten nematischen Flüssigkristallverbindungen geeignet
gemischt werden. Solche Verbindungen müssen keine Flüssig
kristallphase aufweisen. Hierzu gehören:
- a) Verbindungen zum Einstellen des Temperaturbereichs der Flüssigkristallphase;
- b) optisch aktive Verbindungen, die eine große Spontanpola risation in der ferroelektrischen Flüssigkristallphase zei gen oder hervorrufen.
Nachdem der Flüssigkristall in die Zelle eingebracht ist,
wird eine Einfüllöffnung mit einem UV-härtbaren Acrylharz
gefüllt.
Darüber hinaus kann ein Flüssigkristalldisplay dadurch her
gestellt werden, daß ein Polarisator so angeordnet wird, daß
seine Polarisationsachse ungefähr rechtwinklig zur vertika
len Richtung der Flüssigkristallzelle verläuft und ein Pola
risator ungefähr einer der optischen Achsen der Flüssigkri
stalle in der Zelle entspricht.
Fig. 1 ist ein Hauptschnitt durch ein erfindungsgemäßes
Flüssigkristalldisplay.
Auf Glassubstraten 1a und 1b werden durchsichtige Elektroden
2a, 2b mit einer Dicke von 100 nm ausgebildet. Auf dem Glas
substrat wird als Isolierfilm ein SiO2-Film 3a, 3b durch Ab
scheidung aus der Dampfphase mit einer Dicke von 100 nm auf
gebracht. Danach werden darauf SiO-Ausrichtungsfilme durch
Schrägabscheidung aus der Dampfphase abgeschieden. Die Be
dingungen hierfür werden wie folgt vorgegeben: Dampfabschei
dungswinkel von 70° gegen die Normale auf dem Substrat, bei
einer Filmdicke von 7 nm. Das obere und untere Substrat wer
den so aufeinandergeschichtet, daß sie um 45° gegen die
Antiparallelrichtungen hinsichtlich der Dampfabscheidungs
richtung verdrillt werden. Die Zellendicke beträgt 1,5 µm.
In die so hergestellte Zelle wird ein nematischer Flüssig
kristall eingefüllt (bei dem 0,36 Gew.-% des chiralen Mate
rials S-811 zum Wirtsflüssigkristall SCB zugemischt sind).
Es ergibt sich eine gleichmäßige und stabile Ausrichtung
frei von Abweichungen im bistabilen Zustand. Der Kontrast
beträgt 20 zu 1.
Das Beispiel 2 eines erfindungsgemäßen Flüssigkristalldis
plays weist denselben Grundaufbau wie dasjenige des Bei
spiels 1 auf. Auf Glassubstraten werden durchsichtige Elek
troden mit einer Dicke von 100 nm ausgebildet. Nach Dampf
abscheidung von SiO2 mit einer Dicke von 100 nm als Isolier
film auf den Substraten folgt ein Reiben in derselben Rich
tung. Dann wird SiO durch Schrägaufdampfung aus der Dampf
phase abgeschieden, um einen Ausrichtungsfilm herzustellen.
Die Aufdampfbedingungen sind dieselben wie oben genannt. Das
obere und untere Substrat werden so aufeinandergeschichtet,
daß sie gegenüber der antiparallelen Richtung in bezug auf
die Dampfabscheidungsrichtung verdrillt werden. Die Dicke
der Flüssigkristallzelle beträgt wieder 1,5 µm. Es wird der
selbe Flüssigkristall wie beim Beispiel 1 angegeben einge
füllt. Es ergibt sich wieder ein gleichmäßiger und stabiler
Ausrichtungszustand ohne Abweichung vom bistabilen Zustand.
Das Beispiel 3 eines erfindungsgemäßen Flüssigkristalldis
plays weist denselben Grundaufbau wie dasjenige des Bei
spiels 1 auf. Auf Glassubstraten werden durchsichtige Elek
troden mit einer Dicke von 100 nm ausgebildet. Nach dem Auf
tragen und Ausrichten eines Photoresistharzes (OCD P-59310;
hergestellt von Tokyo Applied Chemistry) durch eine Schleu
dereinrichtung als Isolierfilm folgt ein Sintern bei 350°C.
Auf dem Isolierfilm wird SiO durch Schrägabscheidung aus der
Dampfphase aufgebracht, um einen Ausrichtungsfilm herzustel
len. Die so hergestellten beiden Substrate werden so aufein
andergeschichtet, daß sie um 45° gegenüber der zur Dampfab
scheidungsrichtung antiparallelen Richtung verdrillt werden.
Die Zellendicke und das Flüssigkristallmaterial sind diesel
ben wie bei den vorigen Ausführungsbeispielen. Es ergibt
sich eine gleichmäßige und stabile Ausrichtung frei von Ab
weichungen aus dem bistabilen Zustand.
Das Beispiel 4 eines erfindungsgemäßen Flüssigkristalldis
plays entspricht im wesentlichen dem Beispiel 1. Auf Glas
substraten wird ein SiO2-Film durch Schrägaufdampfung aus
der Dampfphase abgeschieden und ausgerichtet, um einen Aus
richtungsfilm zu bilden. Der Dampfabscheidungswinkel beträgt
74° gegenüber der Normalen auf dem Substrat; die Filmdicke
ist 7 nm. Die Substrate werden wie beim Beispiel 1 aufeinan
dergeschichtet (s. Fig. 2). Die Zelldicke beträgt wieder
1,5 µm. In die fertiggestellte Zelle wird ein nematischer
Flüssigkristall eingefüllt (in dem 0,36 Gew.-% des chiralen
Materials 9s zum Wirtsflüssigkristall SCB zugemischt sind).
Es kann ein gleichmäßiger und stabiler Ausrichtungszustand
erhalten werden. Wenn ein impulsförmiges elektrisches Feld
von 20 V an das Flüssigkristallpaneel angelegt wird, zeigt
sich ein stabiler Zustand. Der Kontrast beträgt 20 zu 1.
Der Grundaufbau beim Beispiel 5 eines erfindungsgemäßen
Flüssigkristalldisplays ist derselbe wie beim Beispiel 1.
Auf Glassubstraten werden durchsichtige Elektroden mit einer
Dicke von 100 nm ausgebildet. Auf dem Substrat wird SiO2 aus
der Dampfphase mit einer Dicke von 50 nm als Grundfilm abge
schieden. Dann wird auf diesem SiO aus der Dampfphase abge
schieden, um einen Ausrichtungsfilm zu bilden. Dabei wird
ein Dampfabscheidungswinkel von 74° verwendet; die Filmdicke
beträgt 7 nm. Die beiden Substrate werden wie beim Beispiel
1 aufeinandergeschichtet. Die Zellendicke beträgt wieder
1,5 µm. In die so fertiggestellte Zelle wird ein nematischer
Flüssigkristall eingefüllt (in dem 0,36 Gew.-% eines chira
len Materials zum Wirtsflüssigkristall 5CB zugemischt sind.
Es wird ein gleichmäßiger und stabiler Ausrichtungszustand
erhalten. Wenn ein impulsförmiges elektrisches Feld durch
Anlegen von 20 V an das wie vorstehend beschrieben herge
stellte Paneel hergestellt wird, ergibt sich ein stabiler
bistabiler Zustand; der Kontrast beträgt 20 zu 1.
Beispiel 6 hat denselben Grundaufbau wie die Flüssigkri
stallzelle beim Beispiel 1. Auf Glassubstraten werden durch
sichtige Elektroden mit einer Dicke von 100 nm ausgebildet.
Auf den Substraten wird SiO2 als Grundfilm mit einer Dicke
von 300 nm aus der Dampfphase abgeschieden. Dann wird darauf
SiO durch Schrägabscheidung aus der Dampfphase ausgebildet,
um einen Ausrichtungsfilm zu erzeugen. Der Dampfabschei
dungswinkel beträgt 74° gegen die Normale auf dem Substrat;
die Filmdicke ist 70°. Die Substrate werden wie beim Bei
spiel 1 aufeinandergeschichtet, wobei die Zelldicke wieder
1,5 µm beträgt. In die so fertiggestellte Zelle wird ein ne
matischer Flüssigkristall eingefüllt (bei dem 0,36 Gew.-%
eines chiralen Materials zum Wirtsflüssigkristall SCB zuge
mischt sind). Es wird eine gleichmäßige und stabile Ausrich
tung ohne Abweichung im bistabilen Zustand erhalten.
Der Grundaufbau des Flüssigkristalldisplays gemäß dem Ver
gleichsbeispiel 1 stimmt mit dem beim Beispiel 1 überein.
Auf dem Substrat wird SiO2 als Grundfilm mit einer Dicke von
30 nm aus der Dampfphase abgeschieden, um einen Ausrich
tungsfilm zu erzeugen. Der Dampfabscheidungswinkel beträgt
wieder 74°, die Dicke des Films 7 nm. Die Substrate werden
wie beim Beispiel 1 mit einer Zelldicke von 1,5 µm zusammen
gesetzt. In die so hergestellte Zelle wird ein nematischer
Flüssigkristall eingefüllt (bei dem 0,36 Gew.-% eines chira
len Materials in den Wirtsflüssigkristall SCB gemischt
sind). Eine Auswertung des Ausrichtungszustandes zeigt, daß
dieser auf der durchsichtigen Elektrode instabil ist. Das
Anlegen einer Spannung führt nicht zu einem bistabilen Zu
stand. Nach einiger Zeit entsteht ein Kurzschluß zwischen
dem oberen und unteren Substrat.
Das Vergleichsbeispiel 2 eines Flüssigkristalldisplays weist
denselben Grundaufbau auf wie das Beispiel 1 der Erfindung.
Auf dem Substrat werden durchsichtige Elektroden mit einer
Dicke von 100 nm ausgebildet. Dann wird ein SiO2-Grundfilm
mit einer Dicke von 500 nm aus der Dampfphase abgeschieden.
Darauf wird SiO als Ausrichtungsfilm aus der Dampfphase ab
geschieden. Der Dampfabscheidungswinkel beträgt 74° gegen
die Normale auf dem Substrat; die Filmdicke beträgt 7 nm.
Die Substrate werden wie beim Beispiel 1 aufeinanderge
schichtet, bei einer Zelldicke von 1,5 µm. Auch wird dersel
be Flüssigkristall wie beim Beispiel 1 eingefüllt. Die
Orientierung war relativ stabil. Beim Anlegen eines impuls
förmigen elektrischen Feldes durch eine Spannung von 20 V
wird die Vorrichtung nicht geschaltet. Dagegen wird sie
teilweise geschaltet, wenn durch Anlegen von 30 V ein im
pulsförmiges elektrisches Feld erzeugt wird.
Mit demselben Verfahren wird die Dicke der durchsichtigen
Elektrode auf 100 nm (festgelegt) eingestellt. Dann wird die
Dicke des Isolierfilms gemäß Beispielen zu 75, 100, 150,
200, 250 nm geändert. Als Vergleichsbeispiel wird eine An
zeigevorrichtung hergestellt, bei der die Dicke des Isolier
films 40 nm beträgt, um die Flüssigkristall-Ausrichtung aus
zuwerten. Tabelle 1 zeigt die Auswertung für den Ausrich
tungszustand im nematischen Flüssigkristall, wenn sich die
Dicke des Isolierfilms im Bereich von 30 bis 500 nm ändert.
Wie in Tabelle 1 dargestellt, zeigt der Flüssigkristall
dann, wenn die Dicke des Isolierfilms zwischen 60 und 300 nm
liegt, einen stabilen Ausrichtungszustand, und das Schalten
erfolgt stabil.
Bei diesem Beispiel wurde SiO2 oder ein Photoresistharz
(OCD P-59310; hergestellt von Tokyo Appl. Chem.) verwendet.
Bei der Erfindung muß nur das ganze Substrat gleichförmig
beschichtet werden, um für bistabile Ausrichtung zu sorgen.
Als Isolierfilm können Materialien wie Siliciumdioxid,
Titanoxid, Aluminiumoxid, Polyimid oder dergleichen verwen
det werden. Darüber hinaus kann zum Ausbilden des Isolier
films jedes Verfahren verwendet werden wie Sputtern, Ab
scheidung aus der Dampfphase, CVD oder Beschichten durch
Schleudern. Die Erfindung ist nicht auf die vorigen Beispie
le beschränkt. Die Dicke des Isolierfilms kann im Bereich
von 0,02 bis 0,5 µm, bevorzugt im Bereich von 0,05 bis
0,2 µm, eingestellt werden.
Die Erfindung ermöglicht das Herstellen eines Flüssigkri
stalldisplays mit großer Fläche, das mit erhöhter Geschwin
digkeit betrieben werden kann. Es zeigt einen gleichmäßigen
Orientierungszustand über eine größere Fläche als bei her
kömmlichen Displays. Das Display wird von Vertiefungen und
Vorsprüngen an der Oberfläche der durchsichtigen Elektroden
nicht beeinflußt, und es ist ein stabiler Zustand bei bista
bilen Schaltvorgängen möglich.
Claims (6)
1. Bistabiles Flüssigkristalldisplay, bei dem ein Paar
Substrate (1a, 1b), auf denen durchsichtige Elektroden (2a,
2b) ausgebildet sind, ungefähr parallel zueinander ausge
richtet sind, wobei ein Ausrichtungsfilm (4a, 4b) auf jeder
der durchsichtigen Elektroden ausgebildet ist und ein nema
tischer Flüssigkristall (6) zwischen das Paar Substrate ein
gefüllt ist, um eine Flüssigkristallzelle zu bilden, und
eine Umschaltvorrichtung angebracht ist, um die optische
Achse des Flüssigkristalls durch wahlweises Anlegen einer
Spannung an die Elektroden umzuschalten, dadurch gekenn
zeichnet, daß ein Isolierfilm (3a, 3b) zwischen dem Substrat
und dem Ausrichtungsfilm vorhanden ist.
2. Display nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
der Isolierfilm (3a, 3b) eine Ausrichtbehandlung erfahren
hat.
3. Display nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch ge
kennzeichnet, daß der Isolierfilm (3a, 3b) eine Dicke von
0,01 bis 1 µm aufweist.
4. Display nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch ge
kennzeichnet, daß der Isolierfilm (3a, 3b) eine Dicke auf
weist, die das 0,5- bis 3,0fache der Dicke der Elektroden
(2a, 2b) ist.
5. Display nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß der Isolierfilm (3a, 3b) ein Film aus
einem anorganischen Material ist, das aus der SiO2, SiNx
und Al2O3 umfassenden Gruppe ausgewählt ist.
6. Display nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch ge
kennzeichnet, daß der Isolierfilm (3a, 3b) aus einem orga
nischen Material besteht, das aus der aus Polyimid, einem
Photoresistharz und einem polymeren Flüssigkristall beste
henden Gruppe ausgewählt ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32084892 | 1992-11-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4340593A1 true DE4340593A1 (de) | 1994-06-01 |
DE4340593C2 DE4340593C2 (de) | 1998-09-03 |
Family
ID=18125925
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19934340593 Expired - Fee Related DE4340593C2 (de) | 1992-11-30 | 1993-11-29 | Bistabiles Flüssigkristalldisplay |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4340593C2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2846308A1 (fr) * | 2002-10-28 | 2004-04-30 | Valois Sas | Dispositif de distribution de produit fluide avec indicateur de dose |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2852395A1 (de) * | 1978-11-17 | 1980-06-04 | Bbc Brown Boveri & Cie | Elektrodenbelegungsschichten fuer fluessigkristallzellen |
DE2916670A1 (de) * | 1979-04-25 | 1980-11-06 | Bbc Brown Boveri & Cie | Verfahren zur herstellung von fluessigkristall-anzeigen |
DE2934386C2 (de) * | 1979-05-04 | 1988-08-11 | Eta S.A. Fabriques D'ebauches, Grenchen/Granges, Ch | |
DE3904029A1 (de) * | 1988-02-12 | 1989-08-24 | Alps Electric Co Ltd | Fluessigkristallanzeigeelement |
DE4012750A1 (de) * | 1990-04-21 | 1991-10-24 | Hoechst Ag | Ferroelektrisches fluessigkristalldisplay mit hohem kontrast und hoher helligkeit |
DE4015869A1 (de) * | 1990-05-17 | 1991-11-21 | Nokia Unterhaltungselektronik | Hochaufloesende passiv angesteuerte fluessigkristallanzeige |
-
1993
- 1993-11-29 DE DE19934340593 patent/DE4340593C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2852395A1 (de) * | 1978-11-17 | 1980-06-04 | Bbc Brown Boveri & Cie | Elektrodenbelegungsschichten fuer fluessigkristallzellen |
DE2916670A1 (de) * | 1979-04-25 | 1980-11-06 | Bbc Brown Boveri & Cie | Verfahren zur herstellung von fluessigkristall-anzeigen |
DE2934386C2 (de) * | 1979-05-04 | 1988-08-11 | Eta S.A. Fabriques D'ebauches, Grenchen/Granges, Ch | |
DE3904029A1 (de) * | 1988-02-12 | 1989-08-24 | Alps Electric Co Ltd | Fluessigkristallanzeigeelement |
DE4012750A1 (de) * | 1990-04-21 | 1991-10-24 | Hoechst Ag | Ferroelektrisches fluessigkristalldisplay mit hohem kontrast und hoher helligkeit |
DE4015869A1 (de) * | 1990-05-17 | 1991-11-21 | Nokia Unterhaltungselektronik | Hochaufloesende passiv angesteuerte fluessigkristallanzeige |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2846308A1 (fr) * | 2002-10-28 | 2004-04-30 | Valois Sas | Dispositif de distribution de produit fluide avec indicateur de dose |
WO2004039443A1 (fr) * | 2002-10-28 | 2004-05-13 | Valois Sas | Dispositif de distribution de produit fluide avec indicateur de dose |
US8267086B2 (en) | 2002-10-28 | 2012-09-18 | Valois Sas | Fluid product dispensing device with dose indicator |
CN1705498B (zh) * | 2002-10-28 | 2013-01-02 | 瓦卢瓦有限合伙公司 | 带计量指示器的流体产品分配装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4340593C2 (de) | 1998-09-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102004031440B4 (de) | Kompensationsfilm, Herstellverfahren für einen solchen sowie LCD unter Verwendung eines solchen | |
EP0260450B1 (de) | Flüssigkristallanzeige | |
DE3020645C2 (de) | Flüssigkristallanzeige und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE3630012A1 (de) | Ferroelektrische fluessigkristallvorrichtung | |
JPH08122750A (ja) | 液晶電気光学装置、それを利用した投射型表示装置及びそれらの駆動方法 | |
DE4237552C2 (de) | Flüssigkristallvorrichtung mit einem ferroelektrischen Flüssigkristall und einem Ausrichtungsfilm aus einem Polyimid | |
DE4012750A1 (de) | Ferroelektrisches fluessigkristalldisplay mit hohem kontrast und hoher helligkeit | |
DE2508913C2 (de) | Flüssigkristallzelle und Verfahren zu deren Herstellung | |
EP0376029B1 (de) | Flüssigkristalldisplay für Schwarz/Weiss-Darstellung | |
WO1991008272A1 (de) | Verwendung von komplexliganden für ionen in ferroelektrischen flüssigkristallmischungen | |
DE3524803C2 (de) | ||
DE3929113C2 (de) | ||
WO1990016007A1 (de) | Flüssigkristall- schalt- und anzeige-element | |
DE4340593C2 (de) | Bistabiles Flüssigkristalldisplay | |
DE4303236A1 (de) | ||
WO2004033584A1 (de) | Flüssigkristalline medien enthaltend polymere | |
DE69917664T2 (de) | Tristabile flüssigkristallanzeigevorrichtung | |
EP0556603A1 (de) | Flüssigkristallvorrichtung und Anzeigevorrichtung | |
EP1208182B1 (de) | Smektische flüssigkristallschalt- oder anzeigevorrichtung mit hohem kontrast | |
DE4422218A1 (de) | Farbstoffdotierte TN-LCD mit Verzögerungsfilmen für einen breiten Ansichtswinkel | |
DE4434518A1 (de) | Ferroelektrische Flüssigkristallanzeigeeinrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben | |
DE10111452B4 (de) | Bistabile elektrooptische Flüssigkristallanzeigen und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE19825487A1 (de) | Monostabiles ferroelektrisches Akivmatrix-Display | |
JP3068736B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
WO2000055684A1 (de) | Ferroelektrische flüssigkristallanzeige mit aktiven matrix elementen und unsymmetrischen orientierungsschichten |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: PATENTANWAELTE MUELLER & HOFFMANN, 81667 MUENCHEN |
|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |