DE4318329A1 - Laser diode unit with monitoring circuit formed in semiconductor technology - is produced as multi substrate device with contact regions coupled by wide links to terminals of base element - Google Patents

Abstract

A monitoring detector (40) used with the laser diode unit is produced as a solid state device with a number of substrates with pn transfer regions. The monitoring detector (40) is mounted on a base with the laser diode mounted adjacent to it on a supporting pillar. The detector is formed with an active zone (44) on the top surface and is formed as a window region. Conductive tracks (70) are formed on both sides. A conductive region (46) is formed in a series of etching and deposition processes. Connectors are made with wire links to terminals on the main base. USE/ADVANTAGE - Optical communications. For DIP package, with effective positioning of monitoring detector.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Laseranordnung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 und betrifft einen Überwachungsdetek­ tor in Halbleiterausbildung zum Überwachen der optischen Emission einer Laserdiode, wobei sich die Erfindung im Spezielleren mit der Halbleiterkonstruktion und der Unterbringung eines solchen Überwa­ chungsdetektors befaßt.The present invention relates to a laser arrangement according to the preamble of claim 1 and relates to a surveillance detector Gate in semiconductor training to monitor the optical emission a laser diode, the invention in particular with the Semiconductor construction and the accommodation of such a monitor tion detector.

Auf dem Gebiet der Optoelektronik handelt es sich bei einem Halbleiter­ laser, der auch als Laserdiode bezeichnet wird, um eine Halbleitervor­ richtung, die kohärentes Licht von gegenüberliegenden Rändern oder Flächenbereichen ansprechend auf einen angelegten Laser-Treiberstrom emittiert. Das kohärente Licht bzw. die optische Emission von einem vorderen Flächenbereich ist als optische Trägerwelle für Nachrichtensig­ nale nutzbar. Überwachungsdetektoren sind zum Steuern der Ausgangs­ signale von Lasern entwickelt worden, wobei es sich bei dem Überwa­ chungsdetektor um eine Halbleiterkonstruktion handelt, z. B. eine pin- Diode. Der Überwachungsdetektor erzeugt ansprechend auf die optische Emission einen Ausgangsstrom zur Zufuhr zu dem elektrischen Strom­ kreis, der den Laser-Treiberstrom steuert. Der elektrische Stromkreis regelt den zur Anwendung kommenden Laser-Treiberstrom in Relation zu der relativen Stärke der von dem Monitor detektierten optischen Emission.In the field of optoelectronics, it is a semiconductor laser, also known as a laser diode, to a semiconductor direction, the coherent light from opposite edges or Areas responsive to an applied laser driver current emitted. The coherent light or optical emission from one front surface area is used as an optical carrier wave for news usable. Monitoring detectors are used to control the output signals have been developed by lasers, the monitoring being chungsdetektor is a semiconductor construction, for. B. a pin Diode. The surveillance detector generates in response to the optical Emission an output current for supply to the electrical current circuit that controls the laser driver current. The electrical circuit regulates the laser driver current used in relation to the relative strength of the optical detected by the monitor Emission.

Die US-PS 4,979,791 offenbart eine Verbinderanordnung zum lösbaren Koppeln einer optischen Faser mit der Gehäuseeinrichtung bzw. Bauein­ heit ohne Verwendung eines Anschlußkabels. Außerdem gestattet die Verbinderanordnung eine lösbare Koppelung mit einer optischen Vor­ richtung, wie z. B. einer Linse. Durch Eliminieren einer Anschlußkabel­ anordnung (einem Meßwertgeber oder Detektor, der zur Erzielung eines maximalen Wirkungsgrads mit einer Faser verbunden und nahe der Laserdiode angeordnet ist), wird die Verbinderanordnung im Vergleich zu einer Baueinheit, bei der eine Anschlußkabelanordnung erforderlich ist, in ihrer Größe reduziert. Bei der Verbinderanordnung sind die Laserdiode und der Überwachungsdetektor tandemartig mit einer Gruppe elektrischer Anschlüsse zur Verbindung mit dem elektrischen Schaltkreis ausgerichtet, der der Laserdiode den angelegten Strom zuführt.U.S. Patent 4,979,791 discloses a connector assembly for detachable Coupling an optical fiber with the housing device or Bauein unit without using a connection cable. In addition, the Connector arrangement a releasable coupling with an optical front direction, such as B. a lens. By eliminating a connection cable arrangement (a transmitter or detector which is used to achieve a Maximum efficiency associated with a fiber and close to that Laser diode is arranged), the connector arrangement is compared to a unit in which a connection cable arrangement is required  is reduced in size. In the connector arrangement, these are Laser diode and the monitoring detector tandem with a group electrical connections for connection to the electrical circuit aligned, which supplies the laser diode with the applied current.

Die vorstehend beschriebene bekannte Verbinderanordnung besitzt fol­ gende Vorteile: Die Verbinderanordnung ist für eine kompakte Unter­ bringung in einem Gehäuse ausgelegt, das schmal ist und somit weniger Raum über der Oberfläche einer Schaltungsplatte als ein DIP-Gehäuse verbraucht.The known connector assembly described above has fol Advantages: The connector arrangement is for a compact sub designed in a housing that is narrow and therefore less Space above the surface of a circuit board as a DIP package consumed.

Die vorstehend beschriebene, bekannte Verbinderanordnung besitzt jedoch auch folgenden Nachteil: Nach der in der Industrie üblichen Praxis verwendet eine Halbleitervorrichtung, die mit einer Laserdiode und einem Überwachungsdetektor ausgebildet ist, einen zentrierten Über­ wachungsdetektor, d. h. einen Überwachungsdetektor, der entlang eines kegelförmigen Musters der Emission von einem hinteren Flächenbereich der Laserdiode zentriert ist. Bei der Verbinderanordnung der US-PS 4,979,791 ist die Laserdiode in erhöhter Weise an einer säulenartigen Struktur angeordnet, wobei die Säule eine der stärksten Emissionen der kegelförmigen Emissionen abfängt und dadurch zu einem Hindernis für die Plazierung des Überwachungsdetektors wird.The known connector assembly described above has but also the following disadvantage: After the usual in the industry Practice uses a semiconductor device with a laser diode and a monitoring detector is formed, a centered over guard detector, d. H. a monitoring detector that runs along a cone-shaped pattern of emission from a rear surface area the laser diode is centered. In the connector arrangement of the US-PS 4,979,791, the laser diode is in an elevated manner on a columnar Structure arranged, with the pillar one of the strongest emissions of the intercepting conical emissions and thereby becoming an obstacle to the placement of the surveillance detector.

Ein wirksamer zentrierter Überwachungsdetektor muß somit derart ausgebildet und plaziert werden, daß diese Behinderung vermieden ist und sichergestellt ist, daß der aktive Bereich des Detektors wenigstens teilweise innerhalb eines der stärksten kegelförmigen Emissionsmuster liegt.An effective centered surveillance detector must therefore be such trained and placed that this disability is avoided and it is ensured that the active area of the detector at least partially within one of the strongest cone-shaped emission patterns lies.

Die vorliegende Erfindung befaßt sich mit einer Halbleitervorrichtung mit einer Konstruktion, die sowohl zur Verwendung in einem DIP- Gehäuse als auch bei einer Verbinderanordnung des in der US-PS 4,979,791 beschriebenen Typs geeignet ist.The present invention relates to a semiconductor device with a design that is both for use in a DIP Housing as well as a connector arrangement of the in the US-PS 4,979,791 type described is suitable.

Vorteilhafterweise schafft die Erfindung eine Halbleitervorrichtung mit einem versetzten rechteckigen aktiven Bereich des Überwachungsdetek­ tors, einem lichtempfindlichen Diffusionsbereich, der auf eine Seite der oberen Oberfläche der Halbleitervorrichtung versetzt ist, um eine Posi­ tionierung des aktiven Bereichs in vollständiger Weise innerhalb einer Begrenzung eines kegelförmigen Musters der Laserdiodenemission zu ermöglichen.The invention advantageously provides a semiconductor device an offset rectangular active area of the surveillance detector  tors, a light sensitive diffusion area, which is on one side of the top surface of the semiconductor device is offset to a position tion of the active area in a complete manner within a Limiting a conical pattern of laser diode emission enable.

Vorteilhafterweise schafft die Erfindung auf einer oberen Oberfläche einer Halbleitervorrichtung einen aktiven Bereich eines Überwachungs­ detektors sowie eine leitfähige Bondkontaktfläche eines vertieften n- leitenden Kontakts, die auf dieselbe Seite des aktiven Bereichs wie die leitfähige Bondkontaktfläche eines p-leitenden Kontakts des aktiven Bereichs seitlich versetzt ist, wodurch sich alle elektrischen Eingangs- und Ausgangsverbindungen für den Detektor durch Bondverbindungs­ drähte herstellen lassen, die über die obere Oberfläche der Vorrichtung geführt werden.Advantageously, the invention creates on an upper surface a semiconductor device an active area of a monitoring detector and a conductive bond contact area of a recessed n- conductive contact that is on the same side of the active area as the conductive bond contact area of a p-type contact of the active Area is laterally offset, which means that all electrical input and output connections for the detector by bond connection Allow wires to be made over the top surface of the device be performed.

Vorteilhafterweise schafft die Erfindung auf einer oberen Oberfläche einer Halbleitervorrichtung einen aktiven Bereich eines Überwachungs­ detektors, wobei sich zwei p-leitende Kontaktflächen seitlich auf ver­ schiedenen Seiten des aktiven Bereichs befinden und wobei sowohl eine p-leitende Kontaktfläche als auch eine n-leitende Kontaktfläche seitlich von den verschiedenen Seiten vorgesehen sind, um dadurch Drahtbond­ verbindungen mit der p-leitenden und der n-leitenden Kontaktfläche zu ermöglichen, ohne daß sich die Bondverbindungsdrähte dabei überkreu­ zen.Advantageously, the invention creates on an upper surface a semiconductor device an active area of a monitoring detector, with two p-type contact surfaces laterally on ver different sides of the active area and both are p-type contact surface and an n-type contact surface on the side from the different sides are provided to thereby wire bond connections with the p-type and the n-type contact surface enable without the bond connecting wires crossing each other Zen.

Ein weiterer Gesichtspunkt der Erfindung besteht in der Schaffung eines in Halbleitertechnologie ausgeführten Überwachungsdetektors für eine Laserdiodenemission, der zur Herstellung aller erforderlichen Verbin­ dungen eines pn-Übergangs des Überwachungsdetektors über eine obere Oberfläche desselben mit einem elektrischen Anschluß und einer exter­ nen Vorspannungsquelle ausgebildet ist.Another aspect of the invention is to provide a Monitoring detector implemented in semiconductor technology for a Laser diode emission, which is used to manufacture all the connections required a pn transition of the monitoring detector via an upper Surface of the same with an electrical connection and an external NEN bias voltage source is formed.

Gemäß einem weiteren Gesichtspunkt der Erfindung ist eine Halbleiter­ anordnung zur Ausbildung mit einer Laserdiode mit einem in Halbleiter­ technologie ausgebildeten Überwachungsdetektor für Laserdiodenemissio­ nen ausgebildet, wobei die Halbleiteranordnung weiterhin zur Herstel­ lung aller erforderlichen elektrischen Verbindungen für die Laserdiode und den Überwachungsdetektor ausgelegt ist, und zwar unter Verwen­ dung von Bondverbindungsdrähten, die über eine obere Oberfläche der Halbleiteranordnung verlegt sind, ohne daß sich diese Drähte dabei überkreuzen müssen.According to another aspect of the invention is a semiconductor Arrangement for training with a laser diode with a semiconductor technology-trained monitoring detector for laser diode emission  NEN formed, the semiconductor device continues to manufacture All necessary electrical connections for the laser diode and the surveillance detector is designed using Us formation of bond connecting wires, which over an upper surface of the Semiconductor arrangement are laid without these wires have to cross.

Weiterhin ist gemäß der vorliegenden Erfindung eine Halbleiteranord­ nung mit einer Laserdiode und einem Überwachungsdetektor zum Detek­ tieren der Laserdiodenemissionen ausgebildet, wobei die Laserdiode und der Überwachungsdetektor tandemartig mit einer oberen Oberfläche der Halbleiteranordnung ausgerichtet sind.Furthermore, according to the present invention, a semiconductor device voltage with a laser diode and a monitoring detector for detection animals of the laser diode emissions formed, the laser diode and the surveillance detector tandem with an upper surface of the Semiconductor arrangement are aligned.

Weiterhin umfaßt gemäß der vorliegenden Erfindung eine Halbleiteran­ ordnung zur Ausstattung mit einer Laserdiode eine Basis für Halbleiter­ material, mehrere sich durch die Basis hindurcherstreckende elektrische Anschlüsse, einen Überwachungsdetektor in Halbleiterausbildung (im folgenden auch kurz als Halbleiter-Überwachungsdetektor bezeichnet) für Laserdiodenemission, der eine obere Oberfläche aufweist, wobei diese obere Oberfläche ausgebildet ist mit einer leitfähigen ersten Seite eines pn-Übergangs des Überwachungsdetektors, einer sich in der Nähe ver­ schiedener Randbereiche der ersten Seite erstreckenden, leitfähigen zweiten Seite des pn-Übergangs, einer ersten Kontaktfläche, die mit einem der Anschlüsse verbunden ist und sich nahe der verschiedenen Randbereiche der ersten Seite erstreckt, sowie einer zweiten und einer dritten Kontaktfläche, die mit den jeweiligen Anschlüssen verbunden sind, wobei die erste und die zweite Seite des pn-Übergangs zur Ver­ bindung mit den entsprechenden Kontaktflächen durch über die obere Oberfläche geführte Drähte ausgelegt sind, ohne daß sich diese Drähte dabei überkreuzen müssen.Furthermore, according to the present invention comprises a semiconductor regulations for equipping with a laser diode a basis for semiconductors material, several electrical ones extending through the base Connections, a monitoring detector in semiconductor training (im hereinafter also referred to briefly as a semiconductor monitoring detector) for Laser diode emission, which has an upper surface, this top surface is formed with a conductive first side of a pn-transition of the monitoring detector, a ver verver different edge regions of the first side extending, conductive second side of the pn junction, a first contact surface that with one of the connectors is connected and close to the different Extends edge areas of the first side, and a second and one third contact surface connected to the respective connections are, the first and the second side of the pn transition to Ver binding with the corresponding contact areas through the top Surface guided wires are designed without these wires have to cross over.

Bevorzugte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unter­ ansprüchen.Preferred developments of the invention result from the sub claims.

Die Erfindung und Weiterbildungen der Erfindung werden im folgenden anhand der zeichnerischen Darstellungen eines Ausführungsbeispiels noch näher erläutert. In den Zeichnungen zeigen:The invention and further developments of the invention are as follows based on the drawings of an embodiment explained in more detail. The drawings show:

Fig. 1 eine Perspektivansicht eines Laserbausteins, der die Laseranordung und den Überwachungsdetektor gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet; Fig. 1 is a perspective view of a laser module, of the present invention uses the Laseranordung and the monitoring detector according to;

Fig. 2 eine von oben gesehene Draufsicht auf den in Fig. 1 gezeigten Laserbaustein; FIG. 2 shows a top view of the laser module shown in FIG. 1, seen from above;

Fig. 3 eine vergrößerte Ansicht des in Fig. 2 gezeigten Über­ wachungsdetektors; Fig. 3 is an enlarged view of the surveillance detector shown in Fig. 2;

Fig. 4 eine Querschnittsansicht des Sockels der Fig. 1 unter Darstel­ lung einer an einer vertikalen Säule angebrachten Laservorrich­ tung sowie eines n-leitenden Bondverbindungs-Kontaktdrahts, der sich von einem Anschlußstift zu dem Überwachungsdetektor erstreckt; Fig. 4 is a cross-sectional view of the base of Fig. 1 showing a laser column device attached to a vertical column and an n-type bond bond contact wire extending from a pin to the monitoring detector;

Fig. 5 eine von oben gesehene Draufsicht auf den Überwachungs­ detektor der vorliegenden Erfindung; Fig. 5 is a top plan view of the monitoring detector of the present invention;

Fig. 6-10 zeigen die Bildung des erfindungsgemäßen Überwachungs­ detektors; dabei zeigen: Fig. 6-10 show the formation of the monitoring detector according to the invention; show:

Fig. 6 eine erste Zwischenstufe nach dem epitaktischen Aufwachsen und Niederschlagen dielektrischer Schichten, bevor die p-leiten­ den und n-leitenden Bereiche gebildet werden; Shows a first intermediate stage after the epitaxial growth and deposition of dielectric layers before the p-guide will be the and n-type regions 6 are formed.

Fig. 7 eine Seitenansicht einer zweiten Zwischenstufe nach der Bil­ dung des lichtempfindlichen Bereichs; Fig. 7 is a side view of a second intermediate stage after the formation of the photosensitive region;

Fig. 8 eine Seitenansicht einer dritten Zwischenstufe nach der Bildung der p-leitenden Kontaktmetallisierung; Fig. 8 is a side view of a third intermediate conductive p-after the formation of the contact;

Fig. 9 eine Schnittansicht einer vierten Zwischenstufe nach der Bil­ dung der n-leitenden Kontaktmetallisierung und Fig. 9 is a sectional view of a fourth intermediate stage after the formation of the n-type contact metallization and

Fig. 10 eine Schnittansicht des Überwachungsdetektors gem. der vor­ liegenden Erfindung. Fig. 10 is a sectional view of the monitoring detector acc. the prior invention.

Die Fig. 1, 2 und 4 zeigen eine Laseranordnung 20, die in einer Baueinheit, wie z. B. einem sockelartigen Montageblock 92, angebracht ist. Die Laseranordnung 20 beinhaltet eine Basis 22, auf deren oberen Oberfläche 24 ein Überwachungsdetektor 40 angebracht ist, der zur Verwendung mit einer an einer säulenartigen Struktur 86 angebrachten Laserdiode 84 ausgelegt ist, die in bezug auf die Basisfläche 24 auf einem höheren Niveau angeordnet ist. Die Basis 22 beinhaltet weiterhin eine Mehrzahl von sich durch diese hindurcherstreckenden Anschlußauf­ nahmeöffnungen 26, in denen je ein elektrischer Anschluß 36 angeordnet ist. Wie am besten in Fig. 2 zu sehen ist, umgeben eine erste, eine zweite, eine dritte bzw. eine vierte Kontaktfläche 28, 30, 32, 34 die jeweiligen Öffnungen 26 sowie die zugehörigen Anschlußelemente 36. Der Detektor 40 ist auf der Basisfläche 24 derart positioniert, daß er in dem von der Laserdiode 84 emittierten Lichtkegel liegt. Wie am besten in den Fig. 2-5 zu sehen ist, besitzt der Detektor 40 eine obere Oberfläche 42 sowie eine sich in der Nähe des einen Randes des Detek­ tors 40 erstreckende leitfähige erste Seite 46 eines pn-Übergangs und eine leitfähige zweite Seite 68 des pn-Übergangs mit Bereichen 70, die sich auf entgegengesetzten Seiten der ersten pn-Übergangsseite 46 er­ strecken. Wie in Fig. 2 gezeigt ist, sind die erste Kontaktfläche 28 und ihr zugehöriger Anschluß 36 durch einen Bondverbindungsdraht 82 mit der ersten leitfähigen Seite 46 des pn-Übergangs elektrisch verbunden. Ein ähnlicher Bondverbindungsdraht 83 ist zwischen einer der Kon­ taktflächen 70 und der zweiten Kontaktfläche 30 ausgebildet. Wie in Fig. 2 deutlich zu sehen ist, lassen sich die Drähte 82, 83 außerhalb von den beiden Seiten des pn-Übergangs über die obere Oberfläche der Anordnung 20 zum Miteinanderverbinden der entsprechenden ersten und zweiten Kontaktflächen 28, 30 verlegen, ohne daß die Drähte 82, 83 einander dabei überkreuzen müssen. Wie weiterhin in den Fig. 1 und 4 zu sehen ist, befindet sich die Laserdiode 84 an einer erhöht ausgebilde­ ten Säule 86, wobei sie mit einer vierten leitfähigen Anschlußfläche und dem dieser zugehörigen Anschluß 36 elektrisch verbunden ist. Figs. 1, 2 and 4 show a laser device 20 which in one unit, such. B. a base-like mounting block 92 is attached. The laser assembly 20 includes a base 22 , on the top surface 24 of which a surveillance detector 40 is mounted, which is adapted for use with a laser diode 84 attached to a columnar structure 86 and arranged at a higher level with respect to the base surface 24 . The base 22 further includes a plurality of receiving openings 26 extending therethrough, in each of which an electrical connection 36 is arranged. As can best be seen in FIG. 2, a first, a second, a third and a fourth contact surface 28 , 30 , 32 , 34 surround the respective openings 26 and the associated connection elements 36 . The detector 40 is positioned on the base surface 24 such that it lies in the light cone emitted by the laser diode 84 . As best seen in Figures 2-5 to., Owned by the detector 40, an upper surface 42 and a in the vicinity of one edge of the door 40 Detek extending conductive first side 46 of a pn junction and a conductive second side 68 of the pn junction with regions 70 which extend on opposite sides of the first pn junction side 46 . As shown in FIG. 2, the first contact area 28 and its associated connection 36 are electrically connected to the first conductive side 46 of the pn junction by means of a bond connecting wire 82 . A similar bond wire 83 is formed between one of the contact surfaces 70 and the second contact surface 30 . As can be clearly seen in Fig. 2, the wires 82 , 83 can be laid outside of the two sides of the pn junction over the upper surface of the assembly 20 for connecting the corresponding first and second contact surfaces 28 , 30 without the wires 82 , 83 must cross each other. As can also be seen in FIGS. 1 and 4, the laser diode 84 is located on a raised column 86 , wherein it is electrically connected to a fourth conductive pad and the terminal 36 associated therewith.

Der Überwachungsdetektor 40 der vorliegenden Erfindung ist aus einer Mehrzahl von Schichten aus halbleitendem Material gebildet und derart hergestellt, daß durch laterale Vorspannung der mehreren Schichten verursachte Leckströme eliminiert werden, während gleichzeitig auch einen niedrigen Widerstand aufweisende Kontakte mit der Vorrichtung geschaffen werden.The monitoring detector 40 of the present invention is formed from a plurality of layers of semiconducting material and is fabricated to eliminate leakage currents caused by lateral biasing of the multiple layers while also providing low resistance contacts with the device.

Zur einfacheren Herstellung werden mehrere Detektoren auf der Ober­ fläche eines allgemein unter der Bezeichnung Wafer bekannten Substrats gebildet. Das Grundsubstrat bzw. der Wafer zur Bildung der Detektoren sowie anderer Halbleitervorrichtungen ist leicht im Handel erhältlich. Nach Beendigung der Bearbeitung wird der Wafer in einzelne Halbleiter­ detektoren zerteilt. Bei der vorliegenden Erfindung handelt es sich bei den fertigen Detektoren im wesentlichen um Quadrate mit einer Seiten­ länge von ca. 0,75 mm (0,030 Inch). Auf einem quadratischen Wafer mit einer Seitenlänge von ca. 25,4 mm (1 Inch) lassen sich ca. 1300 Detektoren ausbilden. Die Fig. 6-10 zeigen zwar nur die Ausbildung eines einzigen Detektors, doch es versteht sich, daß es sich bei den Zwischenstufen des Detektors sowie dem fertigen Detektor nur um ein Bruchstück der Waferstruktur handelt und daß eine Vielzahl von Detek­ toren gleichzeitig gebildet wird.For ease of manufacture, multiple detectors are formed on the surface of a substrate commonly known as a wafer. The base substrate or wafer for forming the detectors and other semiconductor devices is readily available commercially. After completion of the processing, the wafer is divided into individual semiconductor detectors. In the present invention, the finished detectors are essentially squares with a side length of about 0.75 mm (0.030 inches). About 1300 detectors can be formed on a square wafer with a side length of approximately 25.4 mm (1 inch). Although FIGS. 6-10 show only the formation of a single detector, but it should be understood that it is in the intermediate stages of the detector and the finished detector is only a fragment of the wafer structure, and that a plurality of Detek gates is simultaneously formed.

Die Herstellung des Halbleiter-Überwachungsdetektors 40 ist in den Fig. 6-10 dargestellt. Fig. 6 veranschaulicht die Ausbildung eines grundlegen­ den Halbleiterwafers vor der Herstellung der p-leitenden und n-leitenden Bereiche. Der Wafer beinhaltet eine Basisschicht 50, auf die man drei oder vier halbleitende Schichten hat aufwachsen lassen, und zwar unter Verwendungen bekannter Verfahren, wie z. B. Flüssigphasenepitaxie, Dampfphasenepitaxie, Molekularstrahlepitaxie, chemische Abscheidung aus der Gasphase einer metallorganischen Verbindung oder dergleichen. Bei der Basisschicht oder Substratschicht 50 handelt es sich um einen Indiumphosphid-Wafer mit einer Dicke von 381 ± 10 µm. Die Basis­ schicht 50 besitzt eine obere und eine untere Oberfläche 49 bzw. 51. The manufacture of the semiconductor monitoring detector 40 is shown in FIGS. 6-10. Fig. 6 illustrates the formation of a more basic the semiconductor wafer before the production of the p-type and n-type regions. The wafer includes a base layer 50 , on which three or four semiconducting layers have been grown, using known methods, such as e.g. B. liquid phase epitaxy, vapor phase epitaxy, molecular beam epitaxy, chemical vapor deposition of an organometallic compound or the like. The base layer or substrate layer 50 is an indium phosphide wafer with a thickness of 381 ± 10 μm. The base layer 50 has upper and lower surfaces 49 and 51, respectively.

Die Basisschicht 50 ist vorzugsweise mit einem elektrisch aktiven Zu­ satzstoff, wie z. B. Schwefel, auf eine Elektronenträgerkonzentration von 2·10¹⁸/cm³ dotiert. Im Rahmen der vorliegenden Offenbarung ist unter dem Begriff "Zusatzstoff" ein elementarer Stoff zu verstehen, der das Halbleitermaterial n-leitend oder p-leitend macht.The base layer 50 is preferably with an electrically active additive such as e.g. B. sulfur, doped to an electron carrier concentration of 2 · 10 ¹⁸ / cm ³ . In the context of the present disclosure, the term “additive” is to be understood as an elementary substance which makes the semiconductor material n-type or p-type.

Zur Schaffung einer glatten neuen Oberfläche für die weiteren Schichten wird eine Pufferschicht 52 aus Indiumphosphid, die mit einem elektrisch aktiven Zusatzstoff, wie Zinn oder Silizium, auf eine Elektronenträ­ gerkonzentration von 2-4·10¹⁶/cm³ dotiert ist und eine Dicke von ca. 4- 6 µm aufweist, auf der oberen Oberfläche 49 der Basis 50 angeordnet. Eine Schicht 54 aus Indiumgalliumarsenid, die als aktive Schicht bekannt ist, wird dann über der Pufferschicht 52 mit einer Dicke von ca. 1,75-2,25 µm aufgebracht. Die Zusammensetzung der Schicht 54 entspricht einem Kristallgitter-Fehlanpassungsparameter von (a_InGaAs - a_InP)/a_InP = ± 1·10^-3, wobei a die Gitterkonstante der jeweiligen Schicht ist. Die aktive Schicht 54 weist keine absichtliche Dotierung auf und besitzt eine Elektronenträgerkonzentration von < 1·10¹⁵/cm³. Eine fakultative Schicht 56 aus Indiumgalliumarsenidphosphid, die als Antimeltback- Schicht, d. h. einem Rückschmelzen entgegenwirkende Schicht, bekannt ist und eine Dicke von 0,2-03 µm aufweist, ist auf der aktiven Schicht 54 angeordnet. Die Schicht 56 besitzt einen Kristallgitter-Fehlan­ passungsparameter von (a_InGaAsP - a_InP)/a_InP = ± 1·10^-3 und eine Band­ abstandsenergie von 0,8 eV bis 1,17 eV. Die Schicht 56 ist ebenfalls un­ dotiert und besitzt eine Elektronenträgerkonzentration von <1·10¹⁶/cm³. Die Schicht 56 ist erforderlich, wenn die Vorrichtung mittels Flüssigphasenepitaxieverfahren hergestellt wird. Diese Schicht kann eliminiert werden, wenn die Vorrichtung durch chemische Abschei­ dungsverfahren aus der Gasphase einer metallorganischen Verbindung hergestellt wird.To create a smooth new surface for the other layers, a buffer layer 52 made of indium phosphide is doped with an electrically active additive, such as tin or silicon, to an electron carrier concentration of 2-4 · 10 ¹⁶ / cm ³ and a thickness of approx 4-6 µm, arranged on the upper surface 49 of the base 50 . A layer 54 of indium gallium arsenide, known as the active layer, is then applied over the buffer layer 52 with a thickness of approximately 1.75-2.25 μm. The composition of layer 54 corresponds to a crystal lattice mismatch parameter of (a _InGaAs - a _InP ) / a _InP = ± 1 · 10 ^-3 , where a is the lattice constant of the respective layer. The active layer 54 has no intentional doping and has an electron carrier concentration of <1 · 10 ¹⁵ / cm ³ . An optional layer 56 made of indium gallium arsenide phosphide, which is known as an anti-meltback layer, ie a layer that counteracts remelting, and has a thickness of 0.2-03 μm, is arranged on the active layer 54 . Layer 56 has a crystal lattice mismatch parameter of (a _InGaAsP - a _InP ) / a _InP = ± 1 · 10 ^-3 and a bandgap energy of 0.8 eV to 1.17 eV. Layer 56 is also un-doped and has an electron carrier concentration of <1 · 10 ¹⁶ / cm ³ . Layer 56 is required when the device is fabricated using liquid phase epitaxy techniques. This layer can be eliminated if the device is manufactured by chemical deposition processes from the gas phase of an organometallic compound.

Die abschließend gezüchtete Schicht Wachstums- oder Abdeckschicht 58 besteht aus Indiumgalliumarsenidphosphid und besitzt eine Dicke von 0,75-1,25 µm. Die Schicht 58 besitzt einen Kristallgitter-Fehlan­ passungsparameter von (a_InGaAsP - a_InP)/a_InP = ± 1·10^-3 sowie eine Band­ abstandsenergie von 0,97 eV bis 1,04 eV. Die Abdeckschicht besitzt keine absichtliche Dotierung und eine Elektronenträgerkonzentration von < 1·10¹⁶/cm³. Die gesamte Oberfläche der Abdeckschicht 58 wird dann mit zwei dielektrischen Schichten 60, 62 bedeckt, wobei es sich bei der ersten Schicht 60 um Siliziumnitrid und bei der zweiten Schicht 62 um Siliziumdioxid handelt, wodurch der erste Zwischenstufen-Artikel 55 fertiggestellt ist.The finally grown layer of growth or cover layer 58 consists of indium gallium arsenide phosphide and has a thickness of 0.75-1.25 μm. Layer 58 has a crystal lattice mismatch parameter of (a _InGaAsP - a _InP ) / a _InP = ± 1 · 10 ^-3 and a bandgap energy of 0.97 eV to 1.04 eV. The cover layer has no deliberate doping and an electron carrier concentration of <1 · 10 ¹⁶ / cm ³ . The entire surface of the cover layer 58 is then covered with two dielectric layers 60 , 62 , the first layer 60 being silicon nitride and the second layer 62 being silicon dioxide, whereby the first intermediate stage article 55 is completed.

Jeder Halbleiterdetektor 40 wird auf dem Wafer in nachfolgend beschrie­ benen Verfahrensschritten hergestellt. Wie in Fig. 5 gezeigt ist, besitzt jeder Halbleiterdetektor 40 einen aktiven Bereich 44, der zum Detektie­ ren einer optischen Emission dient. Bei dem derzeit bevorzugten Aus­ führungsbeispiel, wie es in den Zeichnungen dargestellt ist, handelt es sich bei dem aktiven Bereich 44 des Halbleiterdetektors 40 um einen rechteckigen Bereich bzw. ein rechteckiges Fenster, der bzw. das auf eine Seite der oberen Oberfläche 42 des Halbleiterdetektors 40 versetzt angeordnet ist und durch die nachfolgend beschriebenen und in Fig. 7 und 8 dargestellten Verfahrensschritte hergestellt wird. Ein nicht ge­ zeigtes Fotoresistmaterial wird nach einem bekannten fotolithografischen Verfahren derart aufgebracht, daß es die gesamte obere Oberfläche des ersten Zwischenstufen-Artikels 55 bedeckt. Dieses Fotoresistmaterial wird dann in einem rechteckigen Bereich, der das lichtempfindliche Fenster bzw. den lichtempfindlichen Bereich 44 eines jeden Detektors 40 bilden soll, selektiv maskiert, belichtet, entwickelt und entfernt. Als Nächstes werden die beiden dielektrischen Schichten 60, 62 selektiv von diesem rechteckig ausgebildeten, geöffneten Bereich in dem Fotoresist­ material entfernt, um dadurch die Abdeckschicht 58 freizulegen. Dieses Entfernen erfolgt durch eine Kombination von chemischen Naßätz­ vorgängen und trockenen Plasmaätzvorgängen. Nach diesem Schritt wird das gesamte unbelichtete Fotoresistmaterial von der Oberfläche des Wafers entfernt, wobei die Siliziumnitridschicht 60 und die Silizium­ dioxidschicht 62 übrigbleiben, die den Rest der Waferoberfläche be­ decken. Dann läßt man Zink in den nichtabgedeckten Bereich durch die Schicht 58 hindurch, jedoch nicht über die obere Oberfläche der Schicht 54, d. h. der Indiumgalliumarsenidschicht, hinaus eindiffundieren, wo­ durch ein p-leitendes Material geschaffen wird, das in die Schichten des aktiven Bereichs eindiffundiert ist, wie dies durch den gepunkteten Be­ reich 64 in Fig. 7 dargestellt ist. Eine Schicht 66 aus Siliziumnitrid wird dann über der gesamten Oberfläche einschließlich des lichtempfindlichen Fensterbereichs 44 niedergeschlagen, wodurch ein zweiter Zwischen­ stufen-Artikel 57 gebildet wird. Die Schicht 66, wie sie in Fig. 7 gezeigt ist, wirkt als Antireflexionsbeschichtung für den Detektor 40.Each semiconductor detector 40 is manufactured on the wafer in the method steps described below. As shown in FIG. 5, each semiconductor detector 40 has an active region 44 , which is used to detect an optical emission. In the currently preferred exemplary embodiment, as shown in the drawings, the active region 44 of the semiconductor detector 40 is a rectangular region or a rectangular window which faces one side of the upper surface 42 of the semiconductor detector 40 is arranged offset and is produced by the method steps described below and shown in FIGS. 7 and 8. A photoresist material, not shown, is applied by a known photolithographic method so that it covers the entire upper surface of the first intermediate article 55 . This photoresist material is then selectively masked, exposed, developed and removed in a rectangular area, which is to form the light-sensitive window or the light-sensitive area 44 of each detector 40 . Next, the two dielectric layers 60 , 62 are selectively removed from this rectangular, open area in the photoresist material to thereby expose the cover layer 58 . This removal is done by a combination of chemical wet etching and dry plasma etching. After this step, all of the unexposed photoresist material is removed from the surface of the wafer, leaving the silicon nitride layer 60 and the silicon dioxide layer 62 covering the rest of the wafer surface. Zinc is then allowed to diffuse into the uncovered area through layer 58 , but not beyond the top surface of layer 54 , ie the indium gallium arsenide layer, where it is created by a p-type material that has diffused into the layers of the active area , as shown by the dotted area 64 in FIG. 7. A layer 66 of silicon nitride is then deposited over the entire surface including the light sensitive window area 44 , thereby forming a second intermediate stage article 57 . Layer 66 , as shown in FIG. 7, acts as an anti-reflective coating for detector 40 .

Ein Verfahren zur Schaffung p-leitender Kontaktflächen 70 für den aktiven Bereich 44, in den Material eindiffundiert wurde, wird nun unter Bezugnahme auf Fig. 8 beschrieben. Es wird wiederum ein Fotoresist­ material in einem bekannten fotolithografischen Verfahren über der gesamten Oberfläche des zweiten Zwischenstufen-Artikels 57 aufgebracht und dann wird eine Maske angebracht, um das Resistmaterial an einem Umfangsrandbereichs 68 des Fensters 44 zu belichten. Das belichtete Resistmaterial wird entfernt. Das Fenstermaterial, bei dem es sich um den unbedeckten Bereich der Schicht 66 handelt, wird dann entlang des Umfangsrandbereich 68 geätzt, um die Oberfläche der Schicht 64, in die Zink eindiffundiert worden ist, entlang des Umfangsrandbereichs des Fensters 44 freizulegen. Das Fenstermaterial 66 kann in diesem Um­ fangsbereich entweder durch chemische Naßätztechniken oder vorzugs­ weise durch plasmaverstärktes Trockenätzen entfernt werden. Nach der Öffnung des Fenstermaterials wird das gesamte verbliebene Fotoresist­ material dann von der Oberfläche des teilweise hergestellten Artikels entfernt. Als Nächstes wird ein neues Fotoresistmaterial über der gesam­ ten Oberfläche des Zwischenstufen-Artikels 57 aufgebracht und von dem Umfangsbereich um das Fenster 44 herum sowie weiter zur Schaffung von zwei p-leitenden Bondkontaktflächenbereichen 70 auf der Oberfläche der Antireflexionsbeschichtung 66 selektiv entfernt, wie dies am besten in Fig. 5 zu sehen ist. Die beiden p-leitenden Bondkontaktbereiche 70 sind mit dem Umfangskontaktbereich 68 zusammenhängend ausgebildet. Eine Verbundmetallschicht aus Titan/Platin/Gold wird unter Verwendung bekannter Vakuumaufdampftechniken auf den freiliegenden Bereich aufgebracht, um dadurch eine leitfähige Bahn zu schaffen. Nach dem Niederschlagen der p-leitenden Metallisierungsschichten wird das übrige Fotoresist von dem dritten Zwischenstufen-Artikel 59 entfernt, wie es in Fig. 8 gezeigt ist, wobei die Metallisierung von den nicht in ein Muster gebrachten Bereichen auf der Oberfläche mitentfernt wird. Der Wafer erhält dann eine kurze Wärmebehandlung mit einer Dauer von 60 bis 120 Sekunden bei einer Temperatur von 370°C bis 410°C zum Aushei­ len der p-leitenden Metallisierungskontakte 68, 70 der mehreren Detek­ toren.A method of creating p-type pads 70 for the active region 44 into which material has been diffused will now be described with reference to FIG. 8. Again, a photoresist material is applied over the entire surface of the second intermediate stage article 57 in a known photolithographic process and then a mask is applied to expose the resist material to a peripheral edge region 68 of the window 44 . The exposed resist material is removed. The window material, which is the uncovered area of layer 66 , is then etched along the peripheral edge area 68 to expose the surface of the layer 64 into which zinc has been diffused along the peripheral edge area of the window 44 . The window material 66 can be removed in this range either by chemical wet etching techniques or preferably by plasma-enhanced dry etching. After opening the window material, all of the remaining photoresist material is then removed from the surface of the partially manufactured article. Next, a new photoresist material is applied over the entire surface of the intermediate stage article 57 and selectively removed from the peripheral area around the window 44 and further to create two p-type bond pads 70 on the surface of the anti-reflective coating 66 as best as possible can be seen in Fig. 5. The two p-type bond contact regions 70 are formed contiguously with the peripheral contact region 68 . A composite metal layer of titanium / platinum / gold is applied to the exposed area using known vacuum deposition techniques to thereby create a conductive trace. After the p-type metallization layers have been deposited, the remaining photoresist is removed from the third intermediate stage article 59 , as shown in FIG. 8, with the metallization being removed from the non-patterned areas on the surface. The wafer then receives a short heat treatment with a duration of 60 to 120 seconds at a temperature of 370 ° C to 410 ° C to anneal the p-type metallization contacts 68 , 70 of the several detectors.

Ein wichtiges Merkmal der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß alle elektrischen Verbindungen mit dem pin-Überwachungsdetektor von der Frontfläche des Überwachungsdetektors her hergestellt werden können. Bei der Erzielung dieses Merkmals ist es wichtig, daß die Eigenschaften eines Kontakts mit geringem Widerstand und einer Vor­ richtung mit geringem Leckstrom immer noch aufrechterhalten werden. Ein normales Verfahren zur Erzeugung eines einen niedrigen Widerstand aufweisenden n-leitenden Kontakts auf der oberen Oberfläche eines Detektors würde eine stark dotierte Abdeckschicht verwenden, um da­ durch einen niedrigen Kontaktwiderstand zu gewährleisten. Dieses Ver­ fahren würde jedoch zu einem übermäßigen Leckstrom zwischen dem p- leitenden Kontakt und dem n-leitenden Kontakt bei Betrieb des Detektors unter Vorspannung führen, wodurch der Detektor nutzlos würde. Wenn eine undotierte Abdeckschicht zur Bildung des n-leitenden Kontakts verwendet wird, ergibt sich ein hoher Kontaktwiderstand, und die Vor­ richtung ist wiederum unbrauchbar. Das bei der vorliegenden Erfindung verwendete Verfahren dagegen gestattet sowohl die Erzielung eines niedrigen Widerstand aufweisenden Kontakts sowie eines Detektors mit niedrigem Leckstrom.An important feature of the present invention is that all electrical connections to the pin monitoring detector from the front surface of the monitoring detector can. In achieving this feature, it is important that the Properties of a contact with low resistance and a front direction with low leakage current can still be maintained. A normal method of creating a low resistance having n-type contact on the upper surface of a Detector would use a heavily doped cladding layer there to ensure through a low contact resistance. This ver would drive to excessive leakage current between the p- conductive contact and the n-type contact when operating the detector lead under tension, which would make the detector useless. If an undoped cover layer to form the n-type contact is used, there is a high contact resistance, and the front direction is useless again. That with the present invention the method used, on the other hand, allows both to achieve a low resistance contact and a detector with low leakage current.

Unter Bezugnahme auf die Fig. 9 und 10 wird nun der Vorgang zur Herstellung eines elektrischen Kontaktbereichs bzw. n-leitenden Bereichs 46 auf der Basisschicht 50 des pin-Detektors beschrieben. Der n-leitende Kontaktbereich 46 befindet sich ebenfalls auf der oberen Oberfläche 42 des Detektors 40. Unter Verwendung bekannter fotolithografischer Ver­ fahren wird ein Fotoresistmaterial 72 auf die obere Oberfläche des drit­ ten Zwischenstufenartikels 59 aufgebracht. Dieses Fotoresistmaterial 72 wird dann in einem Bereich, der den n-leitenden Kontaktbereich bildet, maskiert, belichtet, entwickelt sowie von diesem Bereich entfernt. Als Nächstes werden die darunterliegende Antireflexionsschicht 66 und die anderen dielektrischen Schichten 62, 60 in diesem Bereich entfernt, um die ursprüngliche Oberfläche der Abdeckschicht 58 freizulegen. Die drei dielektrischen Schichten 66, 62, 60 können durch bekannte Verfahren entfernt werden, wie z. B. durch Plasmaätzen, bei dem z. B. ein Freon­ sauerstoffplasma verwendet wird. Ein chemischer Naßätzvorgang, bei dem z. B. eine Mischung aus Wasserstoffbromid, Phosphorsäure und Kaliumdichromat verwendet wird, wird dann zum aufeinanderfolgenden Wegätzen der freiliegenden aktiven bzw. halbleitenden Schichten 58, 56, 54 und 52 in diesem Kontaktbereich verwendet, um die Basisschicht 50 freizulegen, wobei das übrige Fotoresistmaterial den Rest des dritten Zwischenstufen-Artikels 59 vor dem Ätzmaterial schützt. Nach diesem Schritt werden Germanium, Nickel und Gold umfassende Metalle nieder­ geschlagen, um eine kombinierte Schicht 74 zu bilden, bei der es sich um die elektrische Verbindung mit der Basisschicht 50 handelt, wie dies in Fig. 9 gezeigt ist, wodurch der vierte Zwischenstufen-Artikel 61 gebildet ist. Diesem Metallisierungsschritt folgt ein Goldplattiervorgang zum Niederschlagen einer Schicht 76, um dadurch die Höhe des n-lei­ tenden elektrischen Kontakts 46 in etwa auf die Höhe der ursprünglichen Oberfläche des Artikels zu bringen, wobei die Plattierungsschicht vor­ zugsweise einen Vertiefungsbereich 77 aufweist, wie dies in Fig. 10 zu sehen ist. Nach Entfernen des Fotoresistmaterials 72 erhält der auf diese Weise gebildete Artikel eine zweite Wärmebehandlung für eine Zeit­ dauer von 60 bis 120 Sekunden bei einer Temperatur von 340°C bis 370°C zum Legieren der n-leitenden Metallisierungskontakte 74.The process for producing an electrical contact region or n-conducting region 46 on the base layer 50 of the pin detector will now be described with reference to FIGS. 9 and 10. The n-type contact region 46 is also located on the upper surface 42 of the detector 40 . Using known photolithographic processes, a photoresist material 72 is applied to the upper surface of the third intermediate article 59 . This photoresist material 72 is then masked, exposed, developed and removed from an area that forms the n-type contact area. Next, the underlying anti-reflective layer 66 and the other dielectric layers 62 , 60 in this area are removed to expose the original surface of the cover layer 58 . The three dielectric layers 66 , 62 , 60 can be removed by known methods, such as. B. by plasma etching, in which, for. B. a Freon oxygen plasma is used. A chemical wet etching process in which, for. B. a mixture of hydrogen bromide, phosphoric acid and potassium dichromate is then used to successively etch away the exposed active or semiconducting layers 58 , 56 , 54 and 52 in this contact area to expose the base layer 50 , with the remaining photoresist material the rest of the third intermediate stage article 59 protects from the etching material. After this step, metals comprising germanium, nickel, and gold are deposited to form a combined layer 74 , which is the electrical connection to the base layer 50 , as shown in FIG. 9, whereby the fourth intermediate stage Article 61 is formed. This metallization step is followed by a gold plating process to deposit a layer 76 , thereby bringing the height of the n-type electrical contact 46 approximately to the level of the original surface of the article, the plating layer preferably having a recess region 77 , as shown in FIG . 10 to be seen. After removal of the photoresist material 72 , the article formed in this way receives a second heat treatment for a period of 60 to 120 seconds at a temperature of 340 ° C. to 370 ° C. to alloy the n-type metallization contacts 74 .

Nach diesem Verfahren wird zum leichteren Trennen der Halbleitchips die untere Oberfläche 51 der Basis 50 des Wafers durch chemisch- mechanische Verfahren vorzugsweise dünner ausgebildet, so daß ein fertiger Wafer übrigbleibt, der eine Nettogesamtdicke von 150 µm ± 10 µm aufweist. Eine elektrisch isolierende dielektrische Schicht 78, wobei es sich z. B. um Siliziumdioxid handelt, wird dann auf die gesamte unte­ re Oberfläche 51 des Wafers aufgebracht.According to this method, for easier separation of the semiconductor chips, the lower surface 51 of the base 50 of the wafer is preferably made thinner by chemical-mechanical methods, so that a finished wafer remains which has a total net thickness of 150 μm ± 10 μm. An electrically insulating dielectric layer 78 , e.g. B. is silicon dioxide, is then applied to the entire lower surface 51 of the wafer.

Eine neue Schicht Fotoresist (nicht gezeigt) wird dann oben auf diese neu niedergeschlagene Schicht 78 aufgebracht. Das Fotoresist wird maskiert, belichtet und dann entwickelt, um ausgewählte resistfreie Bereiche auf der Rückseite der Halbleiterartikel zu definieren. Eine abschließende metallische Verbundschicht 80 aus Titan/Platin/Gold wird dann auf den freiliegenden Oberflächen der Schicht 78 des Wafers nie­ dergeschlagen. Das übrige Fotoresist wird dann von dem Wafer entfernt, wodurch die neu aufgebrachte Metallisierung in den ausgewählten, in ein Muster gebrachten Bereichen verbleibt, um dadurch die leitfähigen Flä­ chen zu bilden, die zum Anbringen eines einzelnen Detektors 40 an der zweiten leitfähigen Kontaktfläche 30 auf der jeweiligen Anordnung 20 unter Verwendung von Lötmaterial oder dergleichen dienen.A new layer of photoresist (not shown) is then applied to the top of this newly deposited layer 78 . The photoresist is masked, exposed and then developed to define selected resist-free areas on the back of the semiconductor article. A final metallic composite layer 80 of titanium / platinum / gold is then never struck on the exposed surfaces of layer 78 of the wafer. The remaining photoresist is then removed from the wafer, leaving the newly applied metallization in the selected patterned areas, thereby forming the conductive areas needed to attach a single detector 40 to the second conductive pad 30 on the serve respective arrangement 20 using soldering material or the like.

Claims (6)

1. In einer Baueinheit (92) angebrachte Laseranordnung (20) mit einer Basis (22) mit einem auf ihrer oberen Oberfläche (24) angebrachten Überwachungsdetektor (40) in Halbleiterausbildung, der zur Verwendung mit einer an einer säulenartigen Konstruktion (86) angebrachten Laser­ diode (84) ausgelegt ist, die sich in bezug auf die Basisfläche (24) auf einem höheren Niveau befindet, dadurch gekennzeichnet, daß der Überwachugsdetektor (40) einen akti­ ven Bereich (44) aufweist, der derart auf eine Seite einer oberen Ober­ fläche (42) des Überwachungsdetektors (40) versetzt angeordnet ist, daß sich der aktive Bereich (44) wenigstens teilweise innerhalb eines hinteren Flächenbereichs des Emissionskegels der Laserdiode befindet.1. In a structural unit ( 92 ) attached laser assembly ( 20 ) having a base ( 22 ) with a on its upper surface ( 24 ) attached monitoring detector ( 40 ) in semiconductor design, for use with a columnar structure ( 86 ) attached laser is designed diode ( 84 ), which is at a higher level with respect to the base surface ( 24 ), characterized in that the surveillance detector ( 40 ) has an active region ( 44 ) which in this way is on one side of an upper surface ( 42 ) of the monitoring detector ( 40 ) is arranged so that the active area ( 44 ) is at least partially within a rear surface area of the emission cone of the laser diode. 2. Laseranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei dem aktiven Bereich (44) des Überwachungsdetektors (40) in Halbleiterausbildung um einen rechteckigen Fensterbereich handelt, der auf eine Seite der oberen Oberfläche des Überwachungsdetektors (40) versetzt angeordnet ist.2. Laser arrangement according to claim 1, characterized in that it is in the active region ( 44 ) of the monitoring detector ( 40 ) in semiconductor design is a rectangular window area which is arranged offset on one side of the upper surface of the monitoring detector ( 40 ). 3. Laseranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die obere Oberfläche (42) eine sich in der Nähe des einen Randes des Detektors erstreckende leitfähige erste Seite (46) eines elektrischen Übergangs sowie eine leitfähige zweite Seite (68) des elektrischen Über­ gangs mit Bereichen (70) aufweist, die sich an entgegengesetzten Rand­ bereichen der ersten Seite (46) des elektrischen Übergangs erstrecken.3. Laser arrangement according to claim 1 or 2, characterized in that the upper surface ( 42 ) in the vicinity of one edge of the detector extending conductive first side ( 46 ) of an electrical transition and a conductive second side ( 68 ) of the electrical via has gangs with areas ( 70 ) which extend at opposite edge areas of the first side ( 46 ) of the electrical transition. 4. Laseranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die obere Oberfläche (42) einen leitfähigen elektrischen Kontakt­ bereich (46) und wenigstens zwei längliche Bondkontaktflächenbereiche (70) auf einer Antireflexionsbeschichtung (66) der Oberfläche (42) bein­ haltet. 4. Laser arrangement according to claim 1 or 2, characterized in that the upper surface ( 42 ) contains a conductive electrical contact area ( 46 ) and at least two elongated bond contact area areas ( 70 ) on an anti-reflection coating ( 66 ) of the surface ( 42 ). 5. Laseranordnung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß der leitfähige elektrische Kontaktbereich (46) zwischen den wenig­ stens zwei Bondkontaktflächenbereichen (70) angeordnet ist.5. Laser arrangement according to claim 3 or 4, characterized in that the conductive electrical contact region ( 46 ) between the least least two bond contact surface regions ( 70 ) is arranged. 6. Laseranordnung nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der elektrische Kontaktbereich (46) einen Rand auf­ weist, der eine gemeinsame Grenze mit einer obersten Antireflexions­ schicht (66) besitzt, und der Kontaktbereich (46) einen Vertiefungs­ bereich (77) aufweist, der auf niedrigerem Niveau als eine Anti­ reflexionsschicht (66) in dem aktiven Bereich (44) liegt.6. Laser arrangement according to one of claims 3 to 5, characterized in that the electrical contact area ( 46 ) has an edge which has a common boundary with an uppermost antireflection layer ( 66 ), and the contact area ( 46 ) has a recess area ( 77 ), which is at a lower level than an anti-reflection layer ( 66 ) in the active region ( 44 ).