DE4306919A1 - Mikrokristall-Laser - Google Patents
Mikrokristall-LaserInfo
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Description
Mikrokristall-Laser sind seit vielen Jahren bekannt und zum Beispiel in Demtröder, Laser
Spectroscopy, Springer Verlag, Berlin Heidelberg New York, 2. Auflage 1982, S. 286,
oder in EP 0 327 310 A2 beschrieben.
Mikrokristall-Laser basieren auf dem Prinzip, daß der Laserresonator hinreichend kurz ist
so, daß aufgrund des großen Modenabstandes nur eine einzige Resonatormode innerhalb der
Verstärkungsbandbreite des laseraktiven Materials verstärkt werden kann.
Eine andere Methode, single-frequency-Betrieb zu erhalten, ist beschrieben in Siegman,
Lasers, Univ. Science Books, Mill Valley, California, S. 486 sowie in Kintz, Baer, IEEE J.
QE, Vol. 26, No. 9. Sept. 1990 S. 1457 ff, und basiert auf der Positionierung eines Laser
spiegels sehr dicht am laseraktiven Medium, welches hinreichend kurz ist so, daß aufgrund
des hole-burning im laseraktiven Material höhere Moden durch mode-competition nicht
entstehen können.
Aus P 41 01 521.5-33 ist bekannt, daß Mikrokristall-Laser auf mehreren Linien simultan
emittieren können, welche mehreren Laserübergängen im laseraktiven Material zugeschrie
ben werden können. Der Laser emittiert somit auf mehreren Frequenzen gleichzeitig, ohne
daß es sich hierbei um höhere Moden handelt, sondern vielmehr um unabhängige Übergänge
zwischen den aufgrund des Stark-Effekts aufgespaltenen Niveaus.
Für eine Vielzahl von Anwendungen wie etwa der kohärenten Meßtechnik und der kohären
ten Nachrichtentechnik ist die simultane Emission auf mehreren Laserlinien störend und
unerwünscht.
Aus P 4218532.7 ist weiter ein Verfahren bekannt, mit Hilfe dessen durch Feinänderung der
Resonatorlänge durch thermische Stabilisierung auf eine bestimmte, feste Temperatur die
Emission von mehreren simultanen Frequenzen vermieden werden kann.
Durchstimmbare single-frequency-Laser sind von besonderer Bedeutung zum Beispiel für
die kohärente Meß- und Nachrichtentechnik.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Mikrokristall-Laser so auszu
führen, daß single-mode-Emission auf nur einer Laserlinie erfolgt, welche aber zusätzlich
über einen bestimmten Frequenzbereich durchstimmbar ist, ohne daß hierbei weitere Laser
linien auftreten können.
Diese Aufgabe wird durch eine geeignete Dimensionierung des Laserkristalles gemäß den in
Anspruch 1 sowie den folgenden Ansprüchen formulierten Kriterien in überraschend einfa
cher Weise gelöst.
Zur Lösung dieser Aufgabe sind die Lehren der oben genannten Referenzzitate nicht ausrei
chend. Vielmehr müssen zusätzlich zu der dort beschriebenen Maximallänge des Mikrokri
stall-Resonators weitere Bedingungen erfüllt werden, welche nicht aus dem Stand der
Technik abgeleitet werden können. Diese Bedingungen und Einzelheiten der Erfindung sind
in den Ansprüchen dieser Anmeldung genannt und werden in der Beschreibung erläutert. Es
zeigen:
Fig. 1a schematisch einen monolithischen Mikrokristall-Laser,
Fig. 1b schematisch einen halbmonolithischen Mikrokristall-Laser,
Fig. 2 eine Darstellung des Abstimmbereiches im Verstärkungsprofil,
Fig. 3 den Fall mit zwei Verstärkungsprofilen,
Fig. 4 die Abstimmbereiche unter verschiedenen Kriterien,
Fig. 5 den Gegenstand von Fig. 4 bei Abstimmung über eine Doppellinie,
Fig. 6 eine Darstellung der Resonator-Moden bei einem halbmonolithischen Nd-YAG-
Resonator
Fig. 7 eine Darstellung der Resonator-Moden bei einem monolithischen Nd-YAG-
Resonator
Mikrokristall-Laser sind in den letzten Jahren intensiv untersucht worden, insbesondere un ter dem Aspekt des Pumpens mit Halbleiter-Laserdioden. Dies hat den Vorteil sehr hoher Effizienz durch den spektralen wie auch den räumlichen Überlapp von Pumplichtspektrum und Absorptionsspektrum des laseraktiven Ions einerseits und Resonatormodenvolumen und Pumplichtvolumen andererseits. Die Mikrokristall-Laser sind hierbei meist entweder monoli thisch ausgeführt (Fig. 1a), was bedeutet, daß beide Laserspiegel 2, 3 direkt auf das laserak tive Material 1 der Länge 1 aufgedampft sind, oder aber halbmonolithisch (Fig. Ib) in dem Sinne, daß einer der beiden Spiegel 3 auf den Laserkristall 1 der Länge l₀ aufgebracht ist, die Gegenseite jedoch antireflektierend (4) beschichtet ist, so daß diesem Kristall ein exter ner Spiegel 5 zugeordnet ist, wobei zwischen externem Spiegel und Laserkristall 1 . . . s weitere intracavity-Elemente der Länge l1 . . . ls wie Frequenzverdopplungskristall 6 oder piezoelektri sche Aktoren 7 eingebracht werden können. Mikrokristall-Laser mit zwei externen Spiegeln sind ebenso bekannt, haben jedoch lediglich für labormäßige Untersuchungen eine Bedeu tung und sind für industriellen Einsatz selten realisiert.
Mikrokristall-Laser sind in den letzten Jahren intensiv untersucht worden, insbesondere un ter dem Aspekt des Pumpens mit Halbleiter-Laserdioden. Dies hat den Vorteil sehr hoher Effizienz durch den spektralen wie auch den räumlichen Überlapp von Pumplichtspektrum und Absorptionsspektrum des laseraktiven Ions einerseits und Resonatormodenvolumen und Pumplichtvolumen andererseits. Die Mikrokristall-Laser sind hierbei meist entweder monoli thisch ausgeführt (Fig. 1a), was bedeutet, daß beide Laserspiegel 2, 3 direkt auf das laserak tive Material 1 der Länge 1 aufgedampft sind, oder aber halbmonolithisch (Fig. Ib) in dem Sinne, daß einer der beiden Spiegel 3 auf den Laserkristall 1 der Länge l₀ aufgebracht ist, die Gegenseite jedoch antireflektierend (4) beschichtet ist, so daß diesem Kristall ein exter ner Spiegel 5 zugeordnet ist, wobei zwischen externem Spiegel und Laserkristall 1 . . . s weitere intracavity-Elemente der Länge l1 . . . ls wie Frequenzverdopplungskristall 6 oder piezoelektri sche Aktoren 7 eingebracht werden können. Mikrokristall-Laser mit zwei externen Spiegeln sind ebenso bekannt, haben jedoch lediglich für labormäßige Untersuchungen eine Bedeu tung und sind für industriellen Einsatz selten realisiert.
Aufgrund der geringen Dimensionen und der Tatsache, daß ein großer Teil des Resonators
durch das laseraktive Medium ausgefüllt ist, machen sich Temperaturänderungen des Reso
nators und die hieraus folgende Längenänderung des optischen Weges im Resonator bereits
stark bemerkbar in Bezug auf das spektrale Emissionsverhalten des Lasers.
Die optische Länge des Resonators kann geschrieben werden im Falle monolithischer Reso
natoren als
mit l0 der mechanischen Länge des Kristalles bei der Temperatur T = 0°C (zur Vereinfa
chung der Darstellung sind alle Formeln bezogen auf Konstanten, welche bei T = 0°C nor
miert sind. Für die üblichere Darstellung, gemäß der alle Konstanten bei T = 25°C definiert
sind, muß T ersetzt werden durch T′ = T + 25°), α ist der thermische Ausdehnungskoeffizi
ent, n0 der Brechungsindex und die Änderung des Brechungsindexes mit der Tempera
tur.
Analog kann für einen halbmonolithischen Resonator, bei dem ein Spiegel 4 direkt auf den
Kristall 1 aufgebracht ist, oder einem externen Resonator, wobei in beiden Fällen der Reso
antor aus s Komponenten zusätzlich zum Laserkristall der Länge 1 0 (Fig. 1b) besteht, ge
schrieben werden
mit li, αi und ni den entsprechenden Größen für die i. Komponente.
Unter Vernachlässigung von Termen, die ein Produkt von α und enthalten, kann die
thermische Längenänderung geschrieben werden zu
Unter Verwendung der Beziehung
("round" bezeichnet das Runden auf die nächstliegende ganze Zahl) wobei l0 opt definiert ist
für T in der Nähe von 0°C (1. Näherung), λ0 die zentrale Wellenlänge des Verstärkungs
profiles bezeichnet, über welches durchgestimmt werden soll, und unter der Annahme ohne
Einschränkung der Allgemeinheit, daß für eine Abstimmung über einen beschränkten Tem
peraturbereich ohne Modensprünge gilt
kann die thermisch induzierte Änderung der Resonatorfrequenz für monolithische Resonato
ren geschrieben werden zu
und für halbmonolithische Resonatoren zu
Single-mode-Emission des Lasers kann nun bekanntermaßen dadurch erzielt werden, daß die
Temperatur des Resonators so gewählt wird, daß die Resonatormoden derart verschoben
werden, daß nur noch eine einzige Resonatormode in den Bereich der Verstärkung des la
seraktiven Mediums fällt, im Bereich der unerwünschten Laserübergänge dagegen keine
Resonatormode zu liegen kommt (s. hierzu P 4218532.7).
Der Modenabstand ΔM läßt sich für monolithische Resonatoren schreiben zu
und zu
für externe oder halbmonolithische Resonatoren.
Um nun den Laser über einen Abstimmbereich A abstimmen zu können, ohne daß weitere
Laserübergänge oder auch Resonatormoden anschwingen können, sind eine Reihe von Be
dingungen zu erfüllen.
Diese sind im folgenden als K1 bis K5 bezeichnet.
Die Bedingungen lassen sich auch so umschreiben, daß eindeutige Grenzen für die Länge
es Mikrokristalles selbst gegeben sind. Im folgenden werden diese als K1M-K5M für
monolithische Resonatoren und als K1HM bis K5HM für halbmonolithische oder externe
Resonatoren bezeichnet.
Die erste Bedingung lautet
oder anders geschrieben
bzw.
mit l0 geometrische Resonatorlänge, λ0 Zentralwellenlänge des Verstärkungsprofiles, inner
halb dessen durchgestimmt werden soll und δλ0 spektrale Breite dieses Profiles bei system
bedingter Schwelle, gefaltet mit dem thermischen Shift der Linienmitte λ0 (resultierende
Verstärkungsbandbreite). Dies ist in Fig. 2 dargestellt und besagt, daß über den gewünsch
ten Abstimmbereich A keine weitere Resonatormode in den Bereich des gewünschten Ver
stärkungsprofiles
fällt.
Um zu verhindern, daß nun über den Abstimmbereich keine weiteren Laserübergänge an
schwingen können, muß die Resonatorlänge zusätzlich die folgenden Bedingungen erfüllen:
ΔM A + δλk (K2)
[F(Bk) +1] · ΔM Hk (K3)
F (Bk) · ΔM Gk (K4)
entsprechend geschrieben für monolithische Resonatoren
und für halbmonolithische bzw. externe Resonatoren
sowie einem fünften Kriterium, welches lediglich für Fälle von Bedeutung ist, bei denen die
Verstärkungsprofile nahe beieinander liegen, und welches geschrieben werden kann
falls F(Bk) < 0
und entsprechend für monolithische und halbmonolithische Resonatoren zu
und entsprechend für monolithische und halbmonolithische Resonatoren zu
falls F(Bk) < 0
respektive
respektive
mit λk der Zentralwellenlänge des k-ten Verstärkungsprofiles, innerhalb dessen keine Reso
natormode liegen soll, und δλk der spektralen Breite (definiert wie δλ0) dessen. Dies ist in
Fig. 3 veranschaulicht für den Fall k = 1 sowie λk < λ0; alle anderen Fälle sind hierzu
analog.
Die in obigen Kriterien angegebenen Funktionen und Konstanten sind hierbei definiert wie
folgt (P1-P11):
Die Resonatorlänge muß nun so gewählt sein, daß obige Kriterien K1-K5 erfüllt sind. Fig.
4 veranschaulicht dies für den Fall eines monolithischen Nd:YAG-Mikrokristall-Lasers,
dessen Kristall-Länge auf der X-Achse aufgetragen ist und der mögliche maximale Ab
stimmbereich auf der Y-Achse. Die obere Kurve bezeichnet nun den maximalen Abstimmbe
reich für den Fall, daß nur ein Laserübergang vorhanden wäre, somit also nur Kriterium K1
erfüllt wäre, und die untere Kurve bezeichnet den realen Fall, daß drei mögliche Laserüber
gänge bei 1064.4 ± 0.3 nm, 1064.95 ± 0.25 nm und 1061.8 ± 0.25 nm vorhanden sind, wo
bei die letzteren beiden unterdrückt und über den ersteren durchgestimmt werden soll.
Da Nd:YAG die Besonderheit aufweist, daß sich die Verstärkungslinien bei 1064.4 nm ± 0.3
nm und 1064.95 ± 0.25 nm überlappen (A-Linie und A′-Linie), kann bei entsprechender
Wahl der Resonatorlänge auch eine einfrequente Abstimmung über diese Doppellinie bei
gleichzeitiger Unterdrückung der Nebenlinie bei 1061.8 ± 0.25 nm vorgenommen werden.
Dies ist in Fig. 5 verdeutlicht.
Neben der Wahl der geeigneten Resonatorlänge ist eine Feinabstimmung der Resonatorlän
ge erforderlich, welche durch z. B. piezoelektrische Aktoren im Falle halbmonolithischen
Aufbaues vorgenommen werden kann; eine besonders einfache Feinabstimmung der Resona
torlänge sowohl im Falle monolithischen wie auch halbmonolithischen Aufbaues kann da
durch erzielt werden, daß die Resonatortemperatur geeignet eingestellt und stabilisiert wird.
Hierbei kann auch über die Temperaturänderung eine Abstimmung des Lasers vorgenommen
werden.
Die Anfangstemperatur für den Abstimmvorgang bei Abstimmung von kleinerer zu größerer
Wellenlänge ist hierbei bei n zu unterdrückenden Nebenlinien zu wählen gemäß
die Endtemperatur gemäß
so daß insgesamt ein Temperaturbereich von
zur Abstimmung überstrichen werden muß. (Jeweils unter Beachtung, daß hier To = 0°C
angenommen ist; bei To = 25°C muß T entsprechend um 25°C erhöht werden.)
Durch eine etwas andere Wahl der Starttemperatur kann ein solcher Laser auch gütegeschal
tet werden.
Hierzu ist notwendig, daß gilt
für monolithische Laser resp.
für halbmonolithische Laser mit Luftspalt 1 s und Brechungsindex ns im Spalt.
Die Temperatur ist nun so zu wählen, daß die Resonator-Wellenlänge gerade an den Gren
zen der Verstärkungsbandbreite zu liegen kommt, d. h.
Somit ist die Temperatur des Resonators so zu wählen, daß für monolithische Resonatoren
gilt
und für einen halbmonolithischen Laser mit Luftspalt
wobei für single-frequency-Betrieb lopt so zu wählen ist, daß zusätzlich die Kriterien K3, K4
und 5 erfüllt sind (K1 und K2 sind dies trivialerweise für den üblichen Fall, daß δλ0 < δλk).
Wird der Mikrokristall-Laser nun auf diese Temperatur stabilisiert und wird die Resonator
länge zusätzlich im Bereich einiger zehntel Mikrometer variiert, so wird die Resonatormode
gerade über die Grenze des Verstärkungsbereiches geschoben, das heißt, daß der Laser im
einen Zustand gerade nicht emittieren kann, da die Resonatormode außerhalb des Verstär
kungsbereiches liegt, und im anderen Zustand die Mode gerade in den Verstärkungsbereich
fällt, so daß der Laser emittieren kann. Auf diese Weise kann im ersten Zustand eine hohe
Inversion im Laserkristall aufgebaut werden, ohne daß stimulierte Emission entstehen kann,
um im zweiten Zustand dann in Form eines kurzen Pulses mit hoher Pulsleistung abgerufen
zu werden. Aufgrund der kurzen Resonatorlängen ist hier mit sehr kurzen Pulsen zu rech
nen, wie z. B. Zayhowski et. al. in Optics Letters, Vol. 17 No. 17, 1. September 1992, S.
1201ff nachgewiesen hat, wobei hier die Güteschaltung jedoch durch Ankoppelung eines
externen Resonators erfolgt ist.
Die oben genannte zusätzliche Längenmodulation kann zum einen wiederum über die Tem
peratur erfolgen, jedoch dürften für die meisten Anwendungen die Schaltzeiten hierbei zu
lange sein, so daß auf andere Anordnungen zurückzugreifen ist, so etwa bei halbmonolithi
schem Aufbau die Verwendung piezoelektrischer Aktoren oder im monolithischen Falle die
Verwendung von elektrostriktiven oder ferroelektrischen Materialien, welche mit laserakti
ven Ionen dotiert sind.
Fig. 6 veranschaulicht diesen Zusammenhang im Falle eines halbmonolithischen Nd:YAG-
Resonators mit 100 µm Luftspalt und Piezoaktuator in Form einer dünnen Polymer-Folie
(bspw. PVDF) zwischen Kristall und Spiegel, somit als Komponente des Resonators aufge
faßt ("Sandwich"-Bauweise) Unterhalb einer gewissen Resonatorlänge (hier ca. 480 µm)
können Moden (hier als Punkte eingezeichnet für diskrete Längenschritte auf der X-Achse
von 0.1 µm) außerhalb der Verstärkungsbandbreiten zu liegen kommen. Die Temperatur Tq
ist nun gerade so zu wählen, daß die Resonatormode am Rande des Verstärkungsbereiches
zu liegen kommt, so daß durch eine geringe Längenvariation der Laser an- und ausgeschaltet
werden kann.
Fig. 7 veranschaulicht denselben Zusammenhang für den Fall eines monolithsichen
Nd:LiNbO3-Mikrokristall-Lasers.
Claims (21)
1. Abstimmbarer, monolithischer Einfrequenz-Mikrokristall-Laser, dadurch gekennzeich
net, daß die Länge 10 des Mikrokristalles kleiner oder gleich ist
mit λ0 zentraler Wellenlänge des materialspezifischen Laser-Verstärkungsbereiches, n0
Brechungsindex des Lasermateriales, A Abstimmbereich und δλ0 spektraler Breite des Ver
stärkungsbereiches.
2. Abstimmbarer, monolithischer Einfrequenz-Mikrokristall-Laser gemäß Anspruch 1,
gekennzeichnet dadurch, daß die Länge 10 des Mikrokristalles kleiner oder gleich
mit λ0 zentraler Wellenlänge des materialspezifischen Laser-Verstärkungsbereiches, n0
Brechungsindex des Lasermateriales, A Abstimmbereich und δλk spektraler Breite des k-ten
Verstärkungsbereiches.
3. Abstimmbarer, monolithischer Einfrequenz-Mikrokristall-Laser gemäß den Ansprüchen 1
und 2, gekennzeichnet dadurch, daß die Länge l0 des Mikrokristalles den Kriterien
genügt.
4. Abstimmbarer, monolithischer Einfrequenz-Mikrokristall-Laser gemäß den Ansprüchen 1
bis 3, gekennzeichnet dadurch, daß die Länge l0 des Mikrokristalles kleiner oder gleich
ist.
5. Abstimmbarer, mehrkomponentiger Einfrequenz-Mikrokristall-Laser, bestehend aus s + 1
Komponenten, gekennzeichnet dadurch, daß die Länge l0 des Mikrokristalles kleiner oder
gleich
ist.
6. Abstimmbarer, mehrkomponentiger Einfrequenz-Mikrokristall-Laser gemäß Anspruch 5,
gekennzeichnet dadurch, daß die Länge l0 des Mikrokristalles kleiner oder gleich
ist.
7. Abstimmbarer, mehrkomponentiger Einfrequenz-Mikrokristall-Laser gemäß den Ansprü
chen 5 und 6, gekennzeichnet dadurch, daß die Länge l0 des Mikrokristalles den Kriterien
genügt
8. Abstimmbarer, mehrkomponentiger Einfrequenz-Mikrokristall-Laser gemäß den Ansprü
chen 5 bis 7, gekennzeichnet dadurch, daß die Länge l0 des Mikrokristalles kleiner oder
gleich
ist.
9. Abstimmbarer, monolithischer oder mehrkomponentiger Mikrokristall-Laser gemäß den
Ansprüchen 1 oder 5, gekennzeichnet dadurch, daß die Starttemperatur des Resonators
Tstart für den Abstimmvorgang gewählt wird gemäß
und die Endtemperatur gemäß
so daß insgesamt ein Temperaturbereich von
überstrichen wird.
10. Abstimmbarer, monolithischer oder mehrkomponentiger Mikrokristall-Laser gemäß den
Ansprüchen 1 oder 5, gekennzeichnet dadurch, daß die Starttemperatur des Resonators
Tstart für den Abstimmvorgang gewählt wird gemäß
und die Endtemperatur gemäß
so daß insgesamt ein Temperaturbereich von
überstrichen wird.
11. Monolithischer, gütegeschalteter Mikrokristall-Laser, gekennzeichnet dadurch, daß die
Kristall-Länge kleiner als
gewählt ist.
12. Mehrkomponentiger, gütegeschalteter Mikrokristall-Laser, bestehend aus s + l Kom
ponenten, gekennzeichnet dadurch, daß die Kristall-Länge kleiner als
gewählt ist mit l0 Länge des (Luft)spaltes und ns Brechungsindex des (Luft)spaltes.
13. Monolithischer Mikrokristall-Laser gemäß Anspruch 11, gekennzeichnet dadurch, daß
der Resonator auf einer Temperatur Tq von
stabilisiert wird.
14. Gütegeschalteter, mehrkomponentiger Mirkokristall-Laser gemäß Anspruch 12, gekenn
zeichnet dadurch, daß der Resonator auf einer Temperatur Tq von
stabilisiert wird.
15. Gütegeschalteter, monolithischer oder mehrkomponentiger Einfrequenz-Mikrokristall-
Laser gemäß den Ansprüchen 11-14, gekennzeichnet dadurch, daß die Länge des Mikrokri
stall-Laser den Kriterien K3M bis K5M genügt im Falle monolithischer Resonatoren und
K3HM bis K5HM im Falle halbmonolithischer oder externer Resonatoren.
16. Gütegeschalteter, monolithischer oder mehrkomponentiger Mikrokristall-Laser gemäß
einem oder mehreren der obigen Ansprüche, gekennzeichnet dadurch, daß die Resonator
länge zusätzlich zur thermischen Stabilisierung im Bereich von einigen 100 nm bis 1 µm
periodisch moduliert wird.
17. Gütegeschalteter, monolithischer oder mehrkomponentiger Mikrokristall-Laser gemaß
Anspruch 16, gekennzeichnet dadurch, daß die periodische Durchstimmung mit Hilfe eines
Piezo-Aktuators geschieht.
18. Gütegeschalteter, monolithischer oder mehrkomponentiger Mikrokristall-Laser gemaß
Anspruch 16, gekennzeichnet dadurch, daß die periodische Durchstimmung mit Hilfe einer
piezoelektrischen Polymerfolie (z. B. PVDF o. ä.) geschieht.
19. Gütegeschalteter, monolithischer oder mehrkomponentiger Mikrokristall-Laser gemäß
Anspruch 16, gekennzeichnet dadurch, daß die periodische Durchstimmung durch eine
zusätzliche thermische Modulation des Resonators durchgeführt wird.
20. Gütegeschalteter, monolithischer oder mehrkomponentiger Mikrokristall-Laser gemäß
einem oder mehreren der Ansprüche 16 bis 18, gekennzeichnet dadurch, daß der Aktuator
oder die Polymer-Folie Bestandteil eines mehrkomponentigen Mikrokristall-Resonators sind.
21. Gütegeschalteter, monolithischer Mikrokristall-Laser gemäß einem oder mehreren der
obigen Ansprüche, gekennzeichnet dadurch, daß als monolithisches, laseraktives Material
elektrostriktive oder ferroelektrische Wirtsmaterialien (wie z. B. LiNbO3, LiTaO3 o. ä.)
welche mit Ionen der Seltenen Erden dotiert sind, verwendet werden, und daß die periodi
sche Längenmodulation des Resonators durch ein an den Kristall angelegtes elektrisches
Feld vorgenommen wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4306919A DE4306919C2 (de) | 1993-03-05 | 1993-03-05 | Verfahren zur Abstimmung eines monolithischen Einfrequenz-Mirokristall-Lasers |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4306919A DE4306919C2 (de) | 1993-03-05 | 1993-03-05 | Verfahren zur Abstimmung eines monolithischen Einfrequenz-Mirokristall-Lasers |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4306919A1 true DE4306919A1 (de) | 1994-09-08 |
DE4306919C2 DE4306919C2 (de) | 1995-10-05 |
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ID=6482021
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4306919A Expired - Fee Related DE4306919C2 (de) | 1993-03-05 | 1993-03-05 | Verfahren zur Abstimmung eines monolithischen Einfrequenz-Mirokristall-Lasers |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4306919C2 (de) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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