DE4229449A1 - Faseroptischer Quarz-Spannungs-Sensor - Google Patents

Faseroptischer Quarz-Spannungs-Sensor

Info

Publication number
DE4229449A1
DE4229449A1 DE4229449A DE4229449A DE4229449A1 DE 4229449 A1 DE4229449 A1 DE 4229449A1 DE 4229449 A DE4229449 A DE 4229449A DE 4229449 A DE4229449 A DE 4229449A DE 4229449 A1 DE4229449 A1 DE 4229449A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
quartz
quartz body
crystallographic
axis
disk
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE4229449A
Other languages
English (en)
Inventor
Mathias Dr Ingold
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ABB Research Ltd Switzerland
Original Assignee
ABB Research Ltd Switzerland
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ABB Research Ltd Switzerland filed Critical ABB Research Ltd Switzerland
Priority to DE4229449A priority Critical patent/DE4229449A1/de
Priority to EP93918862A priority patent/EP0619022A1/de
Priority to US08/232,098 priority patent/US5475773A/en
Priority to PCT/CH1993/000216 priority patent/WO1994006025A1/de
Publication of DE4229449A1 publication Critical patent/DE4229449A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R15/00Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
    • G01R15/14Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
    • G01R15/24Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-modulating devices
    • G01R15/248Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-modulating devices using a constant light source and electro-mechanically driven deflectors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Gyroscopes (AREA)

Description

Technisches Gebiet
Die vorliegende Erfindung betrifft einen faseroptischen Sensor zur Messung elektrischer Feldstärken oder Spannungen mit einem Quarzkörper gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Stand der Technik
Faseroptische Sensoren dieser Art sind bekannt z. B. aus EP- A1-0 316 619, EP-A1-0 316 635 und EP-A1-0 433 324 sowie aus K. Bohnert, J. Nehring, Appl. Opt. 27, 4814 (1988) oder K. Bohnert, J. Nehring, Opt. Lett. 14, 290 (1989).
Das Meßprinzip beruht bei den bekannten Sensoren darauf, daß eine kreisrunde, mit einer Glasfaser umwickelte Scheibe aus einem piezoelektrischen Material (z. B. Quarz) im E-Feld eine Umfangsänderung erfährt, welche durch die resultierende Längenänderung der Glasfaser interferometrisch gemessen werden kann. Dabei hat sich vor allem das Zweimoden- Interferometer als ein einfacher Interferometertpy erwiesen (vergl. B. Y. Kim et al., Opt. Lett. 12, 729 (1987)). Die Signalerfassung erfolgt durch Kompensation der zu messenden differentiellen Phasenverschiebung zwischen den Fasermoden.
Quarz ist als piezoelektrisches Sensormaterial sehr gut geeignet, weil es einen hinreichend großen piezoelektrischen Effekt und eine kleine Dielektrizitätskonstante besitzt. Darüberhinaus kann man mit Quarzscheiben, die senkrecht zur kristallographischen x-Achse (Achsendefinition gemäß IRE Standard 1949, siehe weiter unten) geschnitten sind, selektiv E-Feldkomponenten in x-Richtung messen, d. h. das Skalarprodukt (E, x) bilden, und durch Hintereinanderschalten mehrerer Quarzscheiben das Linienintegral des elektrischen Feldes ∫ Edx approximieren und somit die Spannung geometrieunabhängig messen (EP-A1-0 316 619, EP-A1-0 316 635).
Für die Meßsignalkompensation wird meistens ein piezoelektrischer Keramikzylinder verwendet (EP-A1-0 433 824), dessen Piezoeffekte im Vergleich zu Quarz um mindestens zwei Größenordnungen stärker sind und dadurch eine erhebliche Spannungsuntersetzung ermöglichen.
Als nachteilig hat sich bei den bekannten Sensoren erwiesen, daß ihre Meßempfindlichkeit eine störende Temperaturabhängigkeit zeigt. Mit dem bisher meistens verwendeten Fasertyp findet man im Zweimodeninterferometer eine Abnahme des Meßsignals um typischerweise einige Prozent zwischen -20°C und +70°C. Ursachen dafür sind einerseits die Temperaturabhängigkeiten der piezoelektrischen Koeffizienten und andererseits die Temperaturabhängigkeiten des Faserinterferometers.
In der EP-A1-0 433 824 wurde vorgeschlagen, die Temperaturabhängigkeit dadurch zu eliminieren, daß der piezoelektrische Sensor und der Kompensator aus gleichem Material hergestellt und auf gleicher Temperatur gehalten werden. Die temperaturbedingte Verfälschung des Meßsignals (E-Feld bzw. elektrische Spannung) wird hierbei aktiv eliminiert bzw. reduziert, was einen nicht unerheblichen apparativen sowie regelungstechnischen Aufwand erfordert.
Aus der Uhrenindustrie sind für die dort zur Frequenzstabilisierung verwendeten Schwingquarze vielfältige Quarzschnitte bekannt zur Kompensation der Temperaturabhängigkeit der piezoelektrischen Resonanzfrequenz der Quarze in erster oder auch zweiter Ordnung (vergl. z. B. J. C. Brice, Review of Modern Physiscs 57 (1), 105 (1985); US- A-3,766,616; US-A-4,503,353; US-A-4,447,753; US-A-4,453,105). Bei dem hier betrachteten faseroptischen Sensor geht es jedoch nicht um eine Frequenzstabilisierung, sondern darum, wie sich eine piezoelektrisch bedingte Dimensionsänderung eines Quarzkörpers in eine Längenänderung eines mit ihm verbundenen Längenabschnitts einer Glasfaser umsetzt und um die Temperaturabhängigkeit dieses Effektes.
Darstellung der Erfindung
Durch die vorliegende Erfindung, wie sie im Patentanspruch 1 gekennzeichnet ist, wird aufgezeigt, wie sich bei einem faseroptischen Sensor der eingangs genannten Art die Temperaturabhängigkeit des Meßsignals auch rein passiv eliminieren oder wenigstens teilweise kompensieren läßt.
Die Erfindung berücksichtigt, daß Quarz auf Grund seiner Kristallsymmetrie (nur) zwei unabhängige piezoelektrische Koeffizienten besitzt. Es sind dies, wie noch eingehender erläutert wird, die Koeffizienten d11 und d14. Deren Temperaturabhängigkeiten sind einander gerade entgegengesetzt. Der Koeffizient d11 nimmt mit zunehmender Temperatur um ca. 2% pro 100°C ab; Der Koeffizient d14 nimmt um ca. 13% pro 100°C zu (vergl. J. Tischy, G. Gautschi, "Piezoelektrische Meßtechnik", Springer Verlag Berlin, Heidelberg, New York (1950), mit weiteren Referenzen). Diese entgegengesetzte Temperaturabhängigkeit der beiden unabhängigen Koeffizienten macht sich die Erfindung zunutze. Während bei den bekannten Sensoren zur Gewinnung des Meßsignals bisher ausschließlich der Koeffizient d11 ausgenutzt wurde, schlägt die Erfindung vor, die Temperaturabhängigkeit des Meßsignals (E-Feld bzw. elektrische Spannung) durch eine Mischung beider unabhängiger Koeffizienten in gewünschter Weise zu beeinflussen.
Im Rahmen des erfindungsgemäßen Lösungskonzeptes sind verschiedene Mischungen der beiden unabhängigen Koeffizienten möglich, da auf die Temperaturabhängigkeit des Meßsignals unter verschiedenen Kriterien Einfluß genommen werden kann. Das angestrebte Ziel muß dabei nicht notwendig in der vollständigen Eliminierung der Temperaturabhängigkeit der piezoelektrisch verursachten Längenänderungen der Glasfaser liegen. Insbesondere kann das angestrebte Ziel auch darin bestehen, die Temperaturabhängigkeit des Gesamtsensors, d. h. einschließlich der Detektionsmittel (Interferometer) zu eliminieren oder wenigstens teilweise zur kompensieren. Weiter sind im Rahmen des erfindungsgemäßen Lösungskonzeptes auch verschiedene Geometrien bezüglich der Form des Quarzkörpers und/oder der Anordnung des Glasfaserabschnitts auf diesem möglich. Gewisse Geometrien erfordern zusätzlich eine bestimmte Orientierung des Quarzkörpers im zu messenden elektrischen Feld. Statt lediglich eines Quarzkörpers können insbesondere mehrere Quarzkörper in Kombination miteinander verwendet werden. Einige bevorzugte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen gekennzeichnet.
Kurze Erläuterung der Figuren
Die Erfindung soll nachfolgend im Zusammenhang mit den Figuren näher erläutert werden. Es zeigen
Fig. 1 unter a) und b) in zwei Ansichten einen als elliptische Scheibe ausgebildeten Quarzkörper gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 2 in einem Diagramm die Temperaturabhängigkeit der unabhängigen piezoelektrischen Koeffizienten d11 und d14 von α-Quartz (Linksquarz);
Fig. 3 in einem Diagramm den relativen Temperaturkoeffizienten erster Ordnung Tdeff (1) als Funktion der Elliptizität ε des Quarzkörpers von Fig. 1 für verschiedene Rotationswinkel ϕ der kleinen Ellipsen-Hauptachse gegenüber der kristallographischen y-Achse des Quarzkörpers;
Fig. 4 in einem Diagramm den effektiven piezoelektrischen Temperaturkoeffizienten 0-ter Ordnung deff (0) als Funktion der Elliptizität ε des Quarzkörpers von Fig. 1 für verschiedene Rotationswinkel ϕ der kleinen Ellipsen-Hauptachse gegenüber der kristallographischen y-Achse des Quarzkörpers;
Fig. 5 in einem Diagramm die Kombinationen von ϕ und ε, für welche Tdeff (1) verschwindet;
Fig. 6 in einem Diagramm den zugehörigen effektiven piezoelektrischen Temperaturkoeffizienten 0-ter Ordnung deff((0) als Funktion von der Elliptizität ε des Quarzkörpers von Fig. 1;
Fig. 7 in einem Diagramm die Kombinationen von ϕ und ε, für welche Tdeff (1) den Wert von +6 * 10-4/°C annimmt;
Fig. 8 in einem Diagramm den zugehörigen Verlauf von deff (0) als Funktion von der Elliptizität ε des Quarzkörpers von Fig. 1;
Fig. 9 zwei jeweils als elliptische Scheiben ausgebildete Quarzkörper gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 10 Tdeff (1) in Abhängigkeit von der Elliptizität der beiden elliptischen Quarzkörper von Fig. 9 für mehrere Kombinationen von Windungsverhältnissen n und Rotationswinkeln ϕ1 und ϕ2 jeweils der kleinen Hauptachse gegenüber jeweils der kristallographischen y-Achse der Quarzkörper;
Fig. 11 Tdeff (1) in Abhängigkeit vom Windungsverhältnis M der Glasfaser auf beiden Quarzkörpern von Fig. 9 für zwei Kombinationen von ϕ1 und ϕ22 und ε12=0,4;
Fig. 12 deff((o) als Funktion von M für die gleichen Kombinationen von ϕ1 und ϕ2 und wiederum ε12=0,4;
Fig. 13 deff (0) als Funktion von ε für den Fall, daß Tdeff (1) verschwindet sowie für gleiche Kombinationen von ϕ1, ϕ2 (zum Vergleich gestrichelt der Fall einer Ellipse (siehe Fig. 6));
Fig. 14 die Abhängigkeit von M von ε für den gleichen Fall;
Fig. 15 deff (0) als Funktion von ε für den Fall, daß Tdeff (1) den Wert von +6 * 10-4/°C annimmt sowie für gleiche Kombinationen von ϕ1 und ϕ2 (zum Vergleich gestrichelt wieder der Fall einer Ellipse (siehe Fig. 7));
Fig. 16 die Abhängigkeit von M von ε für den gleichen Fall;
Fig. 17 ein als kreisrunde Scheibe ausgebildeter Quarzkörper, welcher in seiner Scheibenebene die kristallographische x-Achse enthält, gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 18 mehrere Quarzkörper der Art von Fig. 17 in einer Linie zur Linienintegralmessung des elektrischen Feldes angeordnet; und
Fig. 19 ein als kreisrunde Scheibe ausgebildeter Quarzkörper, welcher in seiner Scheibenebene die kristallographische Y-Achse sowie die zu messende Komponente des E-Feldes enthält, gemäß einer vierten Ausführungsform der Erfindung.
Wege zur Ausführung der Erfindung
Für die Dimensionsänderung, welche ein piezoelektrischer Kristall auf Grund des sog. inversen piezoelektrischen Effektes in einem elektrischen Feld erfährt, gilt eine lineare Beziehung zwischen den Komponenten Ek des elektrischen Feldvektors E und den die Dimensionsänderung beschreibenden Komponenten des Spannungstensors sÿ
sÿ = Σ dkÿEk (1)
Die insgesamt 27 piezoelektrischen Koeffizienten dkÿ bilden den piezoelektrischen Tensor, welcher ein Tensor dritter Stufe und symmetrisch bezüglich i und j ist. Auf Grund dieser Symmetrie sind höchstens 18 der 27 Koeffizienten unabhängig. Ersetzt man die Indizes i und j wie folgt durch lediglich einen einzelnen Index
so läßt sich der piezoelektrische Tensor übersichtlich in matrixähnlicher Form (kontrahierte Notation) schreiben:
wobei gemäß Konvention (siehe J. F. Nye, "Physical Properties of Crystals", S. 125, Oxford University Press, London and New York (1957)) dkl=dkii (i,l=1, 2, 3) und dikl=2dkÿ (i≠j; i,j=1, 2, 3; 1=4, 5, 6) ist.
Betrachtet man nunmehr einen speziellen piezoelektrischen Kristall, so lassen sich von den 18 Koeffizienten dieses Schemas weitere auf Grund der Symmetrien des betrachteten Kristalls eliminieren. Für Quarz, auf den sich die folgenden Ausführungen allein beziehen, ergibt sich speziell folgendes Schema für den piezoelektrischen Tensor in kontrahierter Notation mit den bereits erwähnten lediglich zwei unabhängigen piezoelektrischen Koeffizienten d11 und d14:
Hierbei wurde für die Orientierung der kristallographischen Achsen (x,y,z) des Quarzes der IRE Standard 1949 (vergl. J. Tichy, G. Gautschi, "Piezoelektrische Meßtechnik", Seite 103, Springer-Verlag Berlin, Heidelberg, New York (1980); J. F. Nye, "Physical Properties of Crystals", Seite 125, Oxford University Press, London and New York (1975)) zugrunde gelegt. Dieser legt fest, daß für Rechts- und für Linksquarze einheitlich ein rechtshändiges Koordinatensystem verwendet wird mit der x-Achse in Richtung einer der drei zweizähligen elektrischen Achsen und mit der z-Achse (dreizählige Achse) in der Richtung der optischen Achse des Quarzes. Als Rechtsquarz (Linksquarz) wird ein Quarz definiert, welcher beim Zurückschauen in die Lichtquelle die Polarisationsebene linear polarisierten Lichts im (gegen den) Uhrzeigersinn dreht. Die positive x-Richtung zeigt dorthin, wo bei Dehnung des Quarzes entlang der x-Achse durch den direkten piezoelektrischen Effekt eine positive Ladung entsteht (sowohl für Rechts- als auch Linksquarz). Bei dieser Wahl des Koordinatensystems besitzen die Koeffizienten d11 und d14 immer das gleiche Vorzeichen, nämlich beide "+" für Linksquarz und beide "-" für Rechtsquarz. Im Rahmen der vorliegenden Erfindung sind beide Enantiomorphe des Quarzes einsetzbar, wobei dem Übergang von Rechts- zu Linksquarz ein Wechsel der Ex-Feldrichtung von "+x" zu "-x" entspricht. Die folgenden Betrachtungen beziehen sich auf Linksquarz.
Als ein erstes Ausführungsbeispiel wird im folgenden eine Konfiguration betrachtet, wie sie Fig. 1 zeigt, mit einem Quarzkörper 1 und einer Glasfaser 2, wobei der Quarzkörper 1 die Form einer elliptischen Scheibe aufweist und die Glasfaser 2 in mindestens einer Windung straff um die Mantelfläche 3 der Scheibe gewickelt ist. Das zentrale Loch in der Scheibe ist nicht unbedingt erforderlich und kann auch entfallen. Dies gilt auch für nachstehend noch erläuterte weitere Ausführungsbeispiele. Die Scheibenflächen sollen senkrecht zur kristallographischen x-Achse des dem Quarzkörper zugrunde liegenden Quarzkristalls ausgerichtet sein, so daß die kristallographische x-Achse in der Scheibenebene liegt.
Der Umfang Uo einer Ellipse ist durch die Länge ihrer beiden Hauptachsen ao und bo gegeben
Durch den piezoelektrischen Effekt ändert sich die Länge der Hauptachsen zu a=ao(1+saa) und b=bo(1+sbb). Die Umfangsänderung beträgt in erster Ordnung in den Dehnungen saa und sbb
ΔU ist eine lineare Funktion von d11 und d14, wobei die Temperaturabhängigkeit dieser Koeffizienten, welche im Diagramm von Fig. 2 dargestellt ist, näherungsweise geschrieben werden kann als
d₁₁ = d₁₁(0) + d₁₁(1) (T - 20°C) + d₁₁(2) (T - 20°C)² + . . . (6)
d₁₄ = d₁₄(0) + d₁₄(1) (T - 20°C) + d₁₄(2) (T - 20°C)² + . . . (7)
Das Diagramm von Fig. 2 ist aus J. Tichy, G. Gautschi, "Piezoelektrische Meßtechnik", Springer Verlag Berlin, Heidelberg, New York, (1980) entnommen.
Für die weiteren Betrachtungen ist es von Vorteil, einen effektiven piezoelektrischen Koeffizienten wie folgt zu definieren
der unabhängig vom Ellipsenumfang Uo und der Windungszahl n der Glasfaser ist, wobei deff (0), deff (1), deff (2) die effektiven piezoelektrischen Koeffizienten 0-ter, 1-ter sowie 2-ter Ordnung sind.
Im folgenden soll nun aufgezeigt werden, wie sich die Größe und das Temperaturverhalten von deff in Abhängigkeit von der Wahl der Geometrie, insbesondere mit der Ellipizität εo=bo/ao und bei einer Rotation um die kristallographische x-Achse ändert.
Zunächst soll die Winkelabhängigkeit behandelt werden. Betrachtet man ausgehend von einer Orientierung der elliptischen Quarzscheibe mit der kristallographischen z- Achse entlang der großen Hauptachse a und der kristallographischen y-Achse entlang der kleinen Hauptachse b eine Rotation
der Koordinatenachsen um die x-Achse um den Winkel ϕ, so gilt für eine beliebige E-Feldrichtung
sxx = d₁₁E₁ (10)
sy′y′ = (- cos² ϕd₁₁ + cos ϕ sin ϕd₁₄) E₁ (11)
sz′z′ = (- sin² ϕd₁₁ - cos ϕ sin ϕd₁₄) E₁ (12)
Eine piezoelektrische Deformation wird nur durch die Ex- Feldkomponenten verursacht, da die piezoelektrischen Koeffizienten der Ey- und der Ez-Feldkomponenten verschwinden.
Mit ao=zo′, bo=yo′, εo=bo/ao<1, saa=sz′z′, sbb= sy′y′ findet man
wobei
Es gilt -1<A<0, und -1/2<B<1/2 in Abhängigkeit von ϕ und εo. Durch Wahl des Rotationswinkels und der Elliptizität kann man die piezoelektrischen Koeffizienten d11 und d14 und damit auch jeweils ihre Temperaturkoeffizienten d11 (i) und d14 (j) mischen und zwar in den Grenzen
wobei i=0,1,2, . . . Insbesondere kann man erreichen, daß der effektive piezoelektrische Temperaturkoeffizient 1-ter Ordnung deff (1) i.a. das gleiche Vorzeichen erhält, wie der Koeffizient 0-ter Ordnung deff (0).
In Fig. 3 sind der relative Temperaturkoeffizient erster Ordnung Tdeff (1)
und in Fig. 4 deff (0) als Funktion der Elliptizität für verschiedene Rotationswinkel dargestellt. Für alle Berechnungen wurden die Werte d11 (0)=+2,3 pm/V, d11 (1)=-4,531 * 10-4pm/V°C, d14 (0)=+0,68pm/V und d14 (1)=+11,152 * 10-4pm/V°C verwendet.
Anhand von Fig. 3 läßt sich erkennen, daß der relative Temperaturkoeffizient erster Ordnung Tdeff(1) für mehrere Kombinationen von εo und ϕ z. B. zum Verschwinden gebracht werden kann. Aus
erhält man die entsprechende Beziehung zwischen εo und ϕ zu
wobei D=d14 (1)/d11 (1) ist. Gleichung (19) hat nur für εo<0.59 Lösungen, nämlich ϕ1o) und ϕ2o), die in Fig. 5 dargestellt sind. Fig. 6 zeigt die zugehörigen Werte des Koeffizienten deff (0), welcher ein Maß für die absolute Größe des piezoelektischen Effektes ist.
Die Entscheidung für eine bestimmte Kombination von εo und ϕ sollte in der Praxis unter Berücksichtigung insbesondere der folgenden beiden Kriterien getroffen werden:
  • - Der Piezoeffekt sollte absolut möglichst groß sein, damit man interferometrisch ein großes Signal erhält (z. B. deff (0))<0,5 pm/V).
  • - Der Wert von εo sollte möglichst nahe bei 1 liegen, damit die Kraftübertragung von der elliptischen Quarzscheibe auf die Glasfaser möglichst gleichmäßig ist.
Aus Fig. 6 läßt sich ablesen, daß diese Forderungen nicht gleichzeitig optimal erfüllbar sind. Es muß deshalb ein Kompromiß zwischen beiden Forderungen getroffen werden. Z.B. könnte für εo ein Wert von 0.48 geeignet sein, bei welchem sich für den Koeffizienten deff (0) ein Wert von -1.5 pm/V ergibt.
Nicht in jedem Falle ist es erwünscht, den effektiven piezoelektrischen Temperaturkoeffizienten 1-ter Ordnung deff (1) zum Verschwinden zu bringen, dann nämlich, wenn auch die übrigen Komponenten des gesamten Sensoraufbaus eine gewisse Temperaturabhängigkeit bezüglich des Meßsignals verursachen. In diesem Fall könnte versucht werden, durch geeignete Wahl von ε0 und ϕ für den Gesamtsensor einen verschwindenden Temperaturkoeffizienten zu realisieren. Auf Grund von Erfahrungswerten mit bisher bekannten Sensoren müßte Tdeff (1) dazu etwa einen Wert von +6 * 10-4/°c aufweisen. Wieder unter Verwendung von Gleichung (19), in der allerdings D durch
D′ = (d₁₄(1) - 6 * 10⁻⁴/°C * d₁₄(0))/(d₁₁(1) - 6 * 10⁻⁴/°C * d₁₁(0)) (20)
ersetzt werden muß, lassen sich die Kombinationen von ε₀ und ϕ berechnen, für die Tdeff (1) gerade diesen Wert erhält.
Lösungen ϕ1(ε₀) und ϕ20) existieren nur für ε0<0.115 und sind in Fig. 7 dargestellt. Fig. 8 zeigt die zugehörigen Werte für deff (0).
Auch hier muß wieder der vorerwähnte Kompromiß getroffen werden, wobei εo allerdings z. B. zu 0.04 gewählt werden müßte, damit der Wert von deff (0) nicht kleiner als 0.5 pm/V wird.
Durch geeignete Wahl der vorstehend diskutierten Parameter lassen sich weitere spezielle und ggf. erwünschte Effekte erzielen. Einer dieser Effekte könnte beispielsweise darin bestehen, daß lediglich der quadratische Term deff (2) zum Verschwinden gebracht wird. Man erhält dann eine exakt lineare Temperaturabhängigkeit des Piezoeffektes.
Als weiteres Ausführungsbeispiel wird nunmehr eine Konfiguration betrachtet, wie sie Fig. 9 zeigt, mit zwei Quarzkörpern 4 und 5 und einer Glasfaser 6, wobei beide Quarzkörper die Form einer elliptischen Scheibe aufweisen und die Glasfaser 6 in jeweils mindestens einer Windung um die Mantelfläche beider Scheiben gewickelt ist. Beide Scheibenflächen sollen senkrecht zur kristallographischen x- Achse der den Quarzkörpern jeweils zugrunde liegenden Quarzkristalle ausgerichtet sein. Bezüglich des elektrischen Feldes E sollen beide Quarzkörper mit entgegengesetzter Orientierung der kristallographischen x-Achse angeordnet sein. Dann gilt
wobei die Indizes 1, 2 sich auf die beiden elliptischen Quarzkörper 5, 6 beziehen, n1, n2 die Anzahl der Windungen der Glasfaser auf den einzelnen Quarzkörpern bedeutet, n=n2/n1 und deff(ε,ϕ) den Gleichungen (13)-(16) zu entnehmen ist. Da deff wieder die Gestalt A′d11+B′d14 hat, wobei A′ und B′ Funktionen von ε1122 und M sind, gelten die oben für lediglich einen elliptischen Quarzkörper gemachten Aussagen sinngemäß. Insbesondere läßt sich nun der effektive piezoelektrische Temperaturkoeffizient 1-ter Ordnung deff (1) (2 Ellipsen) in den erweiterten Grenzen
variieren. Darüberhinaus hat die Verwendung zweier elliptischer Quarzkörper praktische Vorzüge:
  • (i) Der relative Temperaturkoeffizient 1-ter Ordnung Tdeff (1) kann schon bei geringerer Elliptizität (ε näher bei 1) stärker positiv gewählt werden. In Fig. 10 ist deff (1) als Funktion von ε für verschiedene Fälle dargestellt.
  • (ii) Der Temperaturgang kann durch Variation des Windungsverhältnisses zusätzlich in einfacher Weise beeinflußt werden. Fig. 11 zeigt für zwei Vergleichsfälle die Abhängigkeit von Tdeff (1) vom Windungsverhältnis M. Fig. 12 zeigt für die gleichen Fälle die Abhängigkeit von deff (0) von M.
Im folgenden sollen zur Veranschaulichung drei Spezialfälle betrachtet werden:
  • (i) ε12, ϕ1=-ϕ2, M=1. In diesem Fall heben sich die Beiträge von d11 vollständig auf und übrig bleibt lediglich der (stark positive) Temperaturgang von d14: deff (T)₂Ellipsen = - α sin 2ϕ₁ d₁₄ (T) (24)Der erzielbare Piezoeffekt ist absolut allerdings klein: Mit ϕ₁=45°, ε12=0.4 (realistisch) wird deff (0) =-0.2 pm/V. Mit ε12=0.1 (unrealistisch) wird deff (0)=-0.32 pm/V. Zum Vergleich: Im Falle lediglich eines elliptischen Quarzkörpers tritt deff∼d14 nur für ε → 0 auf.
    Durch Beimischung von d11 lassen sich jedoch wieder Effekte in der bisherigen Größenordnung von deff (0)≈ -1/2d11 (0) erzielen. In der Praxis möchte man die Elliptizität, wie bereits erwähnt, möglichst nahe bei 1 wählen, um eine möglichst gleichmäßige Aufwicklung und Kraftübertragung auf die Faser zu erreichen. Auch das Windungsverhältnis M sollte nahe bei 1 liegen, um bei gleich dicken Quarzkörpern möglichst viele Windungen realisieren zu können. Außerdem wird man Ellipsen identischer Größe und Form (ε12) bevorzugen. Im folgenden sei daher stets ε12=ε<1 und M=<1 angenommen. Die Parameter ϕ1 und ϕ2 sowie ε und M bleiben in gewissen Grenzen beliebig wählbar, um die Größe und das Temperaturverhalten des Piezoeffektes zu optimieren. Für verschwindenden oder positiven Temperaturkoeffizienten ist es vorteilhaft, ϕ1<0 und ϕ2<0 zu wählen.
  • (ii) Tdeff (1)=0. Dann kann man M als Funktion von ϕ1 und ϕ2 sowie ε darstellen und findet damit deff (0) (ε, ϕ1, ϕ2). deff (0) wird betragsmäßig am größten für ϕ1≈+45° und ϕ2≈-45°, wobei Abweichungen um ±10° keinen wesentlichen Einfluß haben. Im Fall ϕ1=+45° und ϕ2=- 30°läßt sich sowohl deff (0) groß machen als auch ε und M nahe bei 1 wählen. In den Fig. 13 und 14 sind die entsprechenden Abhängigkeiten von deff (0) und M graphisch dargestellt. Zum Vergleich ist in Fig. 15 die sich für lediglich einen elliptischen Quarzkörper ergebende Kurve eingetragen.
  • (iii) Die Fig. 15 und 16 zeigen die gleichen Abhängigkeiten wie die Fig. 13 und 14, jedoch für den Fall Tdeff (1))=+6 * 10-4/°C.
Als drittes Ausführungsbeispiel sei eine runde Quarzscheibe 6 gemäß Fig. 17 betrachtet, welche die kristallographische x- Achse als auch das zu messende E-Feld (parallel zu x) enthält.
Die Rotation Rx(ϕ) führt hier zu
deff (T) = cos² ϕd₁₁ (T) - cos ϕ sin ϕd₁₄ (T) (25)
Es sollen zwei Spezialfälle näher betrachtet werden:
  • (i) deff (1) =0, d. h. verschwindender Temperaturkoeffizient. Dies führt zu → ϕ=-22.1° und deff (0)=2.21 pm/V.
  • (ii) deff (1)=max, d. h. maximaler Temperaturkoeffizient 1-ter Ordnung. Dies führt zu → ϕ=-56.1°, deff (0)=+1.03 pm/V und deff (1)/deff (0)=+3.65%/100°C.
Die Vorteile dieser dritten Ausführungsform liegen vor allem darin, daß die Herstellung elliptischer Quarzkörper entfällt, und daß die Anordnung nur auf die Ex- Feldkomponente empfindlich ist. Durch Hintereinanderanordnung mehrerer gleichartiger Quarzkörper 6, wie dies Fig. 18 zeigt, läßt sich dann das Linienintergral der elektrischen x- Feldkomponente approximieren. Als eher nachteilig ist es bei dieser Ausführungsform jedoch anzusehen, daß das zu messende E-Feld in der Scheibenebene des Quarzkörpers liegt. Man kann deshalb das E-Feld auch nicht über Elektroden anlegen und es treten darüberhinaus Feldverzerrungen auf.
Als viertes Ausführungsbeispiel soll eine runde Quarzscheibe 7 betrachtet werden, welche gemäß Fig. 19 sowohl die kristallographische y-Achse als auch das zu messende E-Feld enthält.
Mit einer Rotation
der Koordinatenachsen um die y-Achse um den Winkel γ erhält man für eine beliebige E-Feldrichtung die piezoelektrischen Dehnungen
sx′′x′′ = d₁₁ cos² γ (cos γE₁′ - sin γE₃′) - d₁₄ cos γ sin γE₂′ (29)
sy′′y′′ = - d₁₁ (cos γE₁′ - sin γE₃′) (30)
sz′′z′′ = d₁₁ sin² γ (cos γE₁′ - sin γE₃′) + d₁₄ cos γ sin γE₂′ (31)
Für E-Felder, deren E₂′-Komponente nicht verschwindet, ergibt sich wieder eine Mischung von d11 und d14. Dabei gehören Beiträge von d11 und d14 zu orthogonalen E-Feldkomponenten, wodurch die Temperaturabhängigkeit des Piezoeffektes mit der E-Feldrichtung variiert. Für Anwendungen dürfte das eher unerwünscht sein.
Als eine im Prinzip ebenfalls mögliche Ausführungsform soll schließlich auch noch ein zylindrischer Quarzkörper mit schräg aufgewickelter Glasfaser und in anderer Dimension schräg angelegtem E-Feld erwähnt werden.
Von den vorstehend erläuterten Ausführungsformen ist die zweite, bei welcher zwei ellipsenförmige Quarzscheiben jeweils senkrecht zur kristallographischen X-Achse verwendet werden, als bevorzugt anzusehen.

Claims (7)

1. Faseroptischer Sensor zur Messung elektrischer Feldstärken oder Spannungen, umfassend mindestens einen aus einem Quarz­ kristall mit piezoelektrischen Koeffizienten d11 und d14 ge­ schnittenen Quarzkörper, eine in mindestens einem Längenab­ schnitt mit dem mindestens einen Quarzkörper verbundene Glas­ faser und ein Meßsignal erzeugende Mittel zum Detektieren von durch piezoelektrisch bedingte Formänderungen des mindestens einen Quarzkörpers verursachte Längenänderungen der Glasfa­ ser, dadurch gekennzeichnet, daß die Form des mindestens ei­ nen Quarzkörpers relativ zu den kristallographischen Achsen des dem Quarzkörper zugrunde liegenden Quarzkristalls und/oder die Länge und Lage des mit dem mindestens einen Quarzkörper verbundenen mindestens einen Längenabschnitts der Glasfaser und/oder die Orientierung des Quarzkörpers relativ zur elektrischen Feldrichtung so gewählt sind, daß beide piezoelektrischen Koeffizienten d11 und d14 zu den genannten Längenänderungen der Glasfaser einen Beitrag leisten und daß die Mischung der Beiträge beider Koeffizienten d11 und d14 so gewählt ist, daß die genannten Längenänderungen der Glasfa­ ser und/oder das Meßsignal wenigstens annähernd temperaturun­ abhängig sind.
2. Faseroptischer Sensor nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß ein Quarzkörper (1) vorgesehen ist, welcher die Form einer elliptischen Scheibe aufweist, daß die Schei­ benflächen des Quarzkörpers senkrecht zur kristallographi­ schen x-Achse des dem Quarzkörper zugrunde liegenden Quarz­ kristalls ausgerichtet sind, daß die Hauptachsen der ellip­ tischen Scheibe mit der kristallographischen y-Achse des dem Quarzkörper zugrunde liegenden Quarzkristalls einen endlichen Winkel einschließen, und daß auf der Mantelfläche (3) des Quarzkörpers ein Längenabschnitt der Glasfaser (2) mit dem Quarzkörper verbunden ist.
3. Faseroptischer Sensor nach Anspruch 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß zwei Quarzkörper (4, 5) vorgesehen sind, welche jeweils die Form einer elliptischen Scheibe aufweisen, daß die Scheibenflächen beider Scheiben senkrecht zur kristallo­ graphischen x-Achse der ihnen jeweils zugrunde liegenden Quarzkristalle ausgerichtet sind, daß die Hauptachsen der elliptischen Scheiben mit der kristallographischen y-Achse der den Quarzkörpern jeweils zugrunde liegenden Quarzkristal­ le jeweils einen endlichen Winkel einschließen und daß auf den Mantelflächen beider Quarzkörper jeweils ein Längenab­ schnitt der Glasfaser (6) angeordnet und dort mit dem Quarz­ körper jeweils verbunden ist.
4. Faseroptischer Sensor nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß ein Quarzkörper (7) vorgesehen ist welcher die Form einer Scheibe aufweist, daß die kristallographische x- Achse des dem Quarzkörper zugrunde liegenden Quarzkristalls in der Scheibenebene des Quarzkörpers liegt, und daß ein Längenabschnitt der Glasfaser auf dem Scheibenumfang angeord­ net und dort mit dem Quarzkörper verbunden ist.
5. Faseroptischer Sensor nach Anspruch 4, dadurch gekenn­ zeichnet, daß zur Messung des Linienintegrals eines elektri­ schen Feldes, d. h. einer elektrischen Spannung zwischen zwei Punkten unabhängig von der Geometrie des elektrischen Feldes, mehrere Quarzkörper (7) vorgesehen sind, welche jeweils die Form einer Scheibe aufweisen, daß die kristallographische x- Achse des dem Quarzkörper zugrunde liegenden Quarzkristalls in der Scheibenebene des Quarzkörpers liegt, daß jeweils ein Längenabschnitt der Glasfaser auf dem Scheibenumfang der ein­ zelnen Quarzkörper angeordnet und dort mit dem jeweiligen Quarzkörper verbunden ist und daß die Quarzkörper in einer nicht notwendig geraden Linie, welche die beiden genannten Punkte verbindet, derart hintereinander angeordnet sind, daß diese Linie die einzelnen kreisrunden Quarzscheiben jeweils entlang der kristallografischen x-Achse und jeweils nach Art eines Durchmessers schneidet.
6. Faseroptischer Sensor nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß ein Quarzkörper (8) vorgesehen ist welcher die Form einer Scheibe aufweist, daß die kristallographische y- Achse des dem Quarzkörper zugrunde liegenden Quarzkristalls in der Scheibenebene des Quarzkörpers liegt und daß ein Län­ genabschnitt der Glasfaser auf dem Scheibenumfang angeordnet und dort mit dem Quarzkörper verbunden ist.
7. Faseroptischer Sensor nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Quarzkörper (8) die Form ei­ ner kreisrunden oder elliptischen Scheibe aufweist.
DE4229449A 1992-09-03 1992-09-03 Faseroptischer Quarz-Spannungs-Sensor Withdrawn DE4229449A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4229449A DE4229449A1 (de) 1992-09-03 1992-09-03 Faseroptischer Quarz-Spannungs-Sensor
EP93918862A EP0619022A1 (de) 1992-09-03 1993-09-02 Faseroptischer quarz-spannungs-sensor
US08/232,098 US5475773A (en) 1992-09-03 1993-09-02 Fiber-optic quartz voltage sensor
PCT/CH1993/000216 WO1994006025A1 (de) 1992-09-03 1993-09-02 Faseroptischer quarz-spannungs-sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4229449A DE4229449A1 (de) 1992-09-03 1992-09-03 Faseroptischer Quarz-Spannungs-Sensor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE4229449A1 true DE4229449A1 (de) 1994-03-10

Family

ID=6467154

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4229449A Withdrawn DE4229449A1 (de) 1992-09-03 1992-09-03 Faseroptischer Quarz-Spannungs-Sensor

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5475773A (de)
EP (1) EP0619022A1 (de)
DE (1) DE4229449A1 (de)
WO (1) WO1994006025A1 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995024654A1 (de) * 1994-03-10 1995-09-14 Siemens Aktiengesellschaft Streckenneutraler optischer spannungssensor
DE4436181A1 (de) * 1994-10-10 1996-04-11 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zum Messen einer elektrischen Wechselgröße mit Temperaturkompensation durch Fitting
DE19743658A1 (de) * 1997-10-02 1999-04-08 Abb Research Ltd Faseroptischer Spannungssensor für Freiluft-Hochspannungsanlagen

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6252388B1 (en) 1998-12-04 2001-06-26 Nxtphase Corporation Method and apparatus for measuring voltage using electric field sensors
US6380725B1 (en) 2000-02-15 2002-04-30 Nxtphase Corporation Voltage sensor

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2856183A1 (de) * 1978-12-27 1980-07-10 Aeg Telefunken Kabelwerke Mechano- oder thermooptischer messwandler
US4319186A (en) * 1978-05-05 1982-03-09 National Research Development Corporation Signal sensors
US4477723A (en) * 1981-11-04 1984-10-16 Optical Technologies, Inc. Fiber optic electric field sensor/phase modulator
US4503353A (en) * 1982-07-14 1985-03-05 Centre Electronique Horloger S.A. Cut angles for tuning fork type quartz resonators
US4524322A (en) * 1982-11-18 1985-06-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Fiber optic system for measuring electric fields
EP0316619A1 (de) * 1987-11-05 1989-05-24 Asea Brown Boveri Ag Faseroptischer Sensor
EP0316635A1 (de) * 1987-11-13 1989-05-24 ABB Management AG Faseroptischer Spannungssensor
DE4025911A1 (de) * 1989-09-25 1991-04-04 Asea Brown Boveri Anordnung fuer die spannungsmessung in einer gis-anlage
EP0433824A1 (de) * 1989-12-22 1991-06-26 Asea Brown Boveri Ag Faseroptischer Sensor

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH536561A (de) * 1971-03-15 1973-04-30 Kistler Instrumente Ag Piezoelektrisches Kristallelement
US3766616A (en) * 1972-03-22 1973-10-23 Statek Corp Microresonator packaging and tuning
JPS5748819A (en) * 1980-09-08 1982-03-20 Seiko Epson Corp Coupling tuning fork type quartz oscillator
US4447753A (en) * 1981-03-25 1984-05-08 Seiko Instruments & Electronics Ltd. Miniature GT-cut quartz resonator
US4729622A (en) * 1983-12-05 1988-03-08 Litton Systems, Inc. Fiber optic polarizer with error signal feedback
US4735506A (en) * 1985-04-01 1988-04-05 Litton Systems, Inc. Phase nulling optical gyroscope

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4319186A (en) * 1978-05-05 1982-03-09 National Research Development Corporation Signal sensors
DE2856183A1 (de) * 1978-12-27 1980-07-10 Aeg Telefunken Kabelwerke Mechano- oder thermooptischer messwandler
US4477723A (en) * 1981-11-04 1984-10-16 Optical Technologies, Inc. Fiber optic electric field sensor/phase modulator
US4503353A (en) * 1982-07-14 1985-03-05 Centre Electronique Horloger S.A. Cut angles for tuning fork type quartz resonators
US4524322A (en) * 1982-11-18 1985-06-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Fiber optic system for measuring electric fields
EP0316619A1 (de) * 1987-11-05 1989-05-24 Asea Brown Boveri Ag Faseroptischer Sensor
US4929830A (en) * 1987-11-05 1990-05-29 Asea Brown Boveri Ag Fiber-optic electric field sensor with piezoelectric body sensor
EP0316635A1 (de) * 1987-11-13 1989-05-24 ABB Management AG Faseroptischer Spannungssensor
DE4025911A1 (de) * 1989-09-25 1991-04-04 Asea Brown Boveri Anordnung fuer die spannungsmessung in einer gis-anlage
EP0433824A1 (de) * 1989-12-22 1991-06-26 Asea Brown Boveri Ag Faseroptischer Sensor
US5053693A (en) * 1989-12-22 1991-10-01 Asea Brown Boveri Ltd. Fibreoptical sensor

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BOHNERT, K. *
BOHNERT, K.M. *
NEHRING, J.: Fiber-optic sensing of electric field components. In: APPLIED-OPTICS, Vol.27, No.23, 1. Dez. 1988, S.4814-4818 *
NEHRING, J.: Fiber-Optic sensing of voltages by line integration of the electric field. In: OPTICS LETTERS, Vol.14, No.5, March 1, 1989, S.290 ff. *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995024654A1 (de) * 1994-03-10 1995-09-14 Siemens Aktiengesellschaft Streckenneutraler optischer spannungssensor
DE4436181A1 (de) * 1994-10-10 1996-04-11 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zum Messen einer elektrischen Wechselgröße mit Temperaturkompensation durch Fitting
US5895912A (en) * 1994-10-10 1999-04-20 Siemens Aktiengesellschaft Method and device for measuring an alternating electric quantity with temperature compensation by fitting
DE19743658A1 (de) * 1997-10-02 1999-04-08 Abb Research Ltd Faseroptischer Spannungssensor für Freiluft-Hochspannungsanlagen
US6140810A (en) * 1997-10-02 2000-10-31 Abb Research Ltd. Fiber-optic voltage sensor for outdoor high-voltage installations
DE19743658B4 (de) * 1997-10-02 2007-02-08 Abb Research Ltd. Faseroptischer Spannungssensor

Also Published As

Publication number Publication date
EP0619022A1 (de) 1994-10-12
US5475773A (en) 1995-12-12
WO1994006025A1 (de) 1994-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10000306B4 (de) Faseroptischer Stromsensor
EP0316619B1 (de) Faseroptischer Sensor
DE3049033A1 (de) &#34;ringinterferometer&#34;
DE2835794B2 (de) Faseroptische Anordnung zur Messung der Stärke eines elektrischen Stromes
DE3404608A1 (de) Vorrichtung zur optischen messung eines elektrischen feldes
DE2617924B2 (de) Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung zur Farbanzeige
DE2600256A1 (de) Quarzthermometer
EP0410234B1 (de) Verfahren zur Messung eines elektrischen Feldes oder einer elektrischen Spannung und Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE2541072C3 (de) Magnetooptischer Meßwandler zur Herstellung von Hochspannungsströmen
DE3917764C2 (de) Magnetische Trimmanordnung zur Korrektur der harmonischen Komponenten n-ter Ordnung einer Komponente des Hauptmagnetfeldes einer mit magnetischer Kernresonanz arbeitenden Vorrichtung
DE4229449A1 (de) Faseroptischer Quarz-Spannungs-Sensor
EP1462810B1 (de) Temperaturkompensierter elektrooptischer Spannungssensor
EP1421393B1 (de) Optische stromsensoren
DE4121374C2 (de) Kompensierter Magnetfeldsensor
DE68911992T2 (de) Magnetfeldmessgerät.
DE19506338A1 (de) Piezoelektrisches Meßelement
EP1229337A1 (de) Verfahren zur temparaturkompensierten elektro-optischen Messung einer elektrischen Spannung
DE2433432C2 (de) Magnetooptischer HochspannungsstrommeBwandler
DE2827267C2 (de) Restspannungs-Regelschaltung für ein Hall-Element
DE4434921A1 (de) Achromatisches Phasenverzögerungselement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1964623C3 (de) Einrichtung zur Messung einer elektrischen Spannung, die dem Quadrat der Feldstärke eines Magnetfeldes proportional ist
EP0927360A1 (de) Verfahren zur gewinnung eines temperaturgangkompensierten ausgangssignals bei einem optischen strommessensor
EP0981756B1 (de) Generator und verfahren zur messung einer generatorspannung
DE2347208C2 (de) Tempetaturkompensierter magnetooptischer Meßwändler
DE1591867B1 (de) Magnetometer mit magnetischer Kernresonanz zur Messung der Feldstaerke eines schwachen magnetischen Feldes

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8128 New person/name/address of the agent

Representative=s name: LUECK, G., DIPL.-ING. DR.RER.NAT., PAT.-ANW., 7976

8139 Disposal/non-payment of the annual fee