DE4108073A1 - Verfahren zur verbindung von kupfer und kunststoff - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Verbindung von Kupfer
und Kunststoff, insbesondere ein Verfahren zur Verbindung von
Kupfer und Kunststoff mit lückenlos hoher Bindungsstärke und
reduzierter Bildung von "rosa Ringen" und "Laminat-Hohlräumen"
in einer gedruckten Schaltung durch Behandlung der zwischen dem
Kupfer und dem Kunststoff gebildeten Oxidschicht.
Da keine ausreichende Bindungsstärke zwischen einem Metall und
einem Kunststoff durch direkte Verbindung des Kunststoffs auf
der glatten Oberfläche des Metalls sichergestellt werden kann,
ist bisher eine Methode angewandt worden, bei der eine Oxid
schicht auf der Oberfläche eines Metalls gebildet wird, um die
Bindungsstärke zu verbessern (beschrieben in "Plating and
Surface Finishing" Band 69, No. 6, Seiten 96-99, Juni 1982).
Heute ist die Bildung einer Oxidschicht auf der inneren Ober
fläche von Kupfer zur Verbesserung der Bindung zwischen Kupfer
und Kunststoff ein unausweichlicher Schritt bei der Herstellung
von gedruckten Schaltungen oder vielschichtigen gedruckten
Schaltungen (Multilayer-Schaltungen). Ein inhärentes Problem
dieser Methode ist die leichte Abtragbarkeit des Kupferoxids bei
einem Kontakt mit einer wäßrigen, sauren Lösung, in der Kupfer
ionen in Lösung gehen. Zusätzlich haben sowohl die Sprödigkeit
und die schlechten mechanischen Eigenschaften als auch die
Tendenz der Oxidschicht Feuchtigkeit anzuziehen und deren
leichte Verschmutzbarkeit trotzdem die "rosa Ringe" und
"Laminat-Hohlräume" bei Schaltungsplatten verursacht, die nach
diesem Verfahren hergestellt sind. Die Bildung der "rosa Ringe"
und der "Laminat-Hohlräume" stellen ernsthafte Defekte der
Schaltungen dar, zumal in einer Zeit, in der steigende
Anforderungen an Qualität und Zuverlässigkeit gestellt werden.
Diese Defekte sind zum Engpaß bei der Produktion und der
Weiterentwicklung von Multilayer-Schaltungen geworden.
Im US-Patent 46 42 161 ist ein Verfahren zur Verbindung von
Kupfer und Kunststoff offenbart, das folgende Verfahrensschritte
umfaßt:
Bildung einer Kupferoxidschicht auf der Oberfläche des Kupfers durch Oxidation des Kupfers, Reduktion der Kupferoxidschicht zu metallischem Kupfer durch eine Reduktionslösung und Verbindung der Oberfläche des durch die Reduktion gebildeten metallischen Kupfers mit einem Kunststoff. Formaldehyd kann jedoch unter gewöhnlichen Bedingungen nicht als Reduktionslösung verwendet werden, da die auf der Oberfläche des Kupfers gebildete Kupferoxidschicht unter üblichen Bedingungen kaum durch Formaldehyd zu metallischem Kupfer reduziert wird.
Bildung einer Kupferoxidschicht auf der Oberfläche des Kupfers durch Oxidation des Kupfers, Reduktion der Kupferoxidschicht zu metallischem Kupfer durch eine Reduktionslösung und Verbindung der Oberfläche des durch die Reduktion gebildeten metallischen Kupfers mit einem Kunststoff. Formaldehyd kann jedoch unter gewöhnlichen Bedingungen nicht als Reduktionslösung verwendet werden, da die auf der Oberfläche des Kupfers gebildete Kupferoxidschicht unter üblichen Bedingungen kaum durch Formaldehyd zu metallischem Kupfer reduziert wird.
An sich wäre Formaldehyd eines der besten Reduktionsmittel, da
es kostengünstig, lang haltbar und leicht zu entsorgen ist.
Es ist ein Verfahren zur Verbindung von Kupfer und Kunststoff
vorgeschlagen worden, das folgende Verfahrensschritte umfaßt:
Bildung einer Kupferoxidschicht auf einer Oberfläche des Kupfers durch Oxidation des Kupfers, Reduktion der gebildeten Kupferoxidschicht zu Kupfer(I)-Oxid durch eine Reduktionslösung und Verbindung der Oberfläche des durch die Reduktion gebildeten Kupfer(I)-Oxides und eines Kunststoffs durch Heißpressen.
Bildung einer Kupferoxidschicht auf einer Oberfläche des Kupfers durch Oxidation des Kupfers, Reduktion der gebildeten Kupferoxidschicht zu Kupfer(I)-Oxid durch eine Reduktionslösung und Verbindung der Oberfläche des durch die Reduktion gebildeten Kupfer(I)-Oxides und eines Kunststoffs durch Heißpressen.
Zur Verbesserung der Verbindung zwischen Kupfer und Kunststoff
ist es bekannt, eine Kupferoxidschicht zwischen Kupfer und
Kunststoff bei der Produktion von gedruckten Schaltungen oder
Multilayer-Schaltungen zu bilden. Die Kupferoxidschicht dient
dazu:
- a) als Zwischenschicht zwischen Kupfer und Kunststoff einen direkten Kontakt des Kunststoffs mit dem Kupfer zu ver hindern, was die vorzeitige Alterung des Kunststoffs zur Folge haben kann und
- b) eine Oberfläche mit größerer Rauhigkeit zur Verbesserung der Verbindung zwischen Kupfer und Kunststoff zu erzielen.
Aufgrund ihrer sehr feinen Struktur unterliegt die Oxidschicht
Verunreinigungen durch Schmutz und Feuchtigkeit, was die
Bildung von "Laminat-Hohlräumen" zur Folge hat.
Da weiterhin die Oxidschicht leicht durch Lösung bei Kontakt mit
einer Säure abgetragen werden kann, zeigt der Bereich, von dem
die Oxidschicht abgetragen wurde, die Farbe des darunterliegen
den Kupfers und bewirkt so die Bildung der sogenannten "rosa
Ringe".
Der Bereich, in dem "Laminat-Hohlräume" und/oder "rosa Ringe"
auftreten, zeigt an, daß der Kunststoff keinen Kontakt mit dem
Kupfer aufweist, und die Verbindung somit schlecht ist. Mit an
deren Worten, je größer die Anzahl und die Ausdehnung vorhan
dener "Laminat-Hohlräume" und/oder "rosa Ringe" auf der ge
druckten Schaltung ist, desto geringer ist die Qualität der ge
druckten Schaltung.
Leider kranken fast alle gedruckten Schaltungen mit mehr als
vier Schichten an der Bildung von "rosa Ringen" und/oder
"Laminat-Hohlräumen". Daher ist die Reduzierung der Anzahl und
Größe der "rosa Ringe" und "Laminat-Hohlräume" eines der be
kanntesten und wichtigsten Themen auf dem Gebiet der Herstel
lung gedruckter Schaltungen und gedruckter Multilayer-Verbin
dungsplatten geworden.
Demgemäß wird ein neues Verfahren zur Verbindung von Kupfer und
Kunststoff beschrieben, das die oben genannten Nachteile
vermindert und/oder verhindert.
Es ist daher das primäre Ziel dieser Erfindung, ein Verfahren
zur Verbindung von Kupfer und Kunststoff bereitzustellen, das
eine gute Säurewiderstandsfähigkeit sowie eine ausreichend hohe
Bindungsstärke schafft und das insbesondere ein Verfahren zur
Verbindung von Kupfer und einem Kunststoff darstellt, dessen Er
zeugnis zur Schichtung bei der Herstellung von gedruckten
Multilayer-Verbindungsplatten mit reduzierter Bildung von "rosa
Ringen" und "Laminat-Hohlräumen" geeignet ist.
Das erfindungsgemäße Verfahren umfaßt folgende Verfahrensschrit
te:
- a) Bildung einer regelmäßigen haarähnlichen Morphologie einer Kupferoxidschicht auf der Oberfläche des Kupfers durch Oxidation des Kupfers;
- b) Reduktion der gebildeten regelmäßigen haarähnlichen Kupferoxidschicht zur regelmäßigen haarähnlichen Mor phologie metallischen Kupfers durch eine gut umgewälzte Reduktionslösung mit gesteuerter Konzentration und gesteuertem pH-Wert bei gesteuerter Temperatur innerhalb einer gesteuerten Reaktionszeit zur Morphologieänderung;
- c) Bildung einer dünnen und glatten Kupferoxidschicht auf der Oberfläche des regelmäßigen haarähnlichen metallischen Kupfers durch teilweises Ausbacken, so daß diese als Zwischenschicht zur Verbindung metallischen Kupfers und eines Kunststoffes wirken kann;
- d) Verbinden der Oberfläche des oben genannten durch Ausbacken gebildeten Kupferoxides mit einem Kunststoff, beispielsweise durch Heißpressen.
Der Verfahrensschritt zur Bildung einer Kupferoxidschicht auf
der glatten Oberfläche des Kupfers durch Oxydation des Kupfers
gehört zum Stand der Technik, und somit erübrigt sich die
weitere Beschreibung der Details dieses Schrittes.
Der Schritt der Reduktion der gebildeten Kupferoxidschicht zu
metallischem Kupfer muß in einer gut umgewälzten Reduktions
lösung mit gesteuerter Konzentration und gesteuertem pH-Wert bei
gesteuerter Temperatur innerhalb einer gesteuerten Reaktions
zeit stattfinden.
Erfindungsgemäß ist es vorteilhaft, daß die Reduktionslösung
hauptsächlich ein Reduktionsmittel aus Formaldehyd enthält.
Durch angemessene Zugabe einer alkalischen Lösung und eines Sta
bilisators kann das Reduktionsmittel aus Formaldehyd das Kupfer
oxid zu metallischem Kupfer reduzieren.
Erfindungsgemäß ist es vorteilhaft, daß die Konzentration des
hinzugefügten Formaldehyds in dem Bereich zwischen etwa 2% bis
30% gehalten wird.
Erfindungsgemäß ist es vorteilhaft, daß die hinzugefügte
alkalische Lösung eine KOH- oder eine NaOH-Lösung ist und die
Konzentration in dem Bereich zwischen 1% bis 20% gehalten wird.
Erfindungsgemäß ist es vorteilhaft, daß der versetzte Stabi
lisator ein Alkohol (ROH) oder eine organische Karboxylsäure
(RCOOH) ist, um so die Reaktion der Reduktion zu stabilisieren
und zu beschleunigen. Der Substituent R des Alkohols (ROH) und
der organischen karbonsauren Säure (RCOOH) ist eine Alkylgruppe
von C1-4, Phenyl oder ein Derivat davon. Die hinzugefügte Menge
des Stabilisators liegt in dem Bereich von etwa 0,1%-15%.
Erfindungsgemäß ist es vorteilhaft, daß die Temperatur der
Reduktionslösung in dem Bereich zwischen etwa 35°C und 60°C
konstant gehalten wird.
Erfindungsgemäß ist es vorteilhaft, daß die Reduktionslösung um
gewälzt wird, um die Lokalisierung der Reaktion während des
Reduktionsprozesses zu vermeiden.
Eine der Eigenschaften der vorliegenden Erfindung ist der Effekt
der Selbststeuerung. Das heißt, daß die Reaktion während der
Reduktion automatisch nach der vollständigen Reduktion ge
stoppt wird. Gewöhnlich liegt die Reaktionszeit in dem Bereich
zwischen etwa 1 und 20 Min. in Abhängigkeit von der Dicke des
Kupferoxides.
Während des Vorganges wird die mit Kupferoxid gebildete (entwe
der schwarzes Oxid oder braunes Oxid) gedruckte Schaltungsplatte
vertikal oder horizontal in die Reduktionslösung für etwa 1-20
min. in Abhängigkeit von dem Reduktionsgrad eingetaucht, die das
oben genannte umgewälzte Reduktionsmittel bei einer konstanten
Temperatur von etwa 35°C bis 60°C aufweist. Dabei wird eine
große Menge an CO2 und H2-Gas erzeugt.
Nach dem Reduktionsschritt wird die behandelte Platte mit der
metallischen Kupferschicht mit sauberem Wasser abgewaschen, ge
trocknet und ausgebacken. Die Temperatur zum Ausbacken wird in
dem Bereich
zwischen etwa 100°C bis 150°C für etwa 0,5 bis 4 Std. aufrecht
gehalten. Nach dem Schritt des Ausbackens wird die behandelte
Platte mit der dünnen Kupferoxidschicht dem Schritt der Verbin
dung der Oberfläche des Kupferoxids mit dem Kunststoff unter
zogen.
Der Verfahrensschritt der Verbindung der Oberfläche der oben ge
nannten durch das Ausbacken gebildeten Kupferoxidschicht und dem
Kunststoff kann durch Heißpressen ausgeführt werden, welches zum
Stand der Technik gehört und keiner weiteren Beschreibung
bedarf.
Es wurde festgestellt, daß die unbehandelte Oberfläche der ge
druckten Schaltungen oder der gedruckten Multilayer-Verbin
dungsplatte glatt ist (siehe Fig. 1); allerdings ist nach dem
Oxidationsschritt die glatte Oberfläche zu einer haarähnlichen
Morphologie der Kupferoxidschicht umgeformt. Die effektive
Oberfläche der haarähnlichen Morphologie der Kupferoxidschicht
ist dramatisch vergrößert. Das Merkmal der vergrößerten
Oberfläche bleibt nach dem Schritt der Reduktionsreaktion und
des Ausbackens erhalten (siehe Fig. 3). Die vergrößerte
Oberfläche vergrößert die Kontaktfläche zwischen der
Kupferplatte und einem Kunststoff, um so die Bindungsstärke
zwischen der Kupferplatte und einem Kunststoff zu vergrößern.
Die folgende Tabelle zeigt die Effektivität der vorliegenden Er
findung im Vergleich mit unbehandelten Kupferplatten, der
Kupferplatte nach der Oxidation und der Kupferplatte nach der
Oxidation und der Reduktion.
Aus dem Röntgendiffraktometerspektrum der Fig. 5 und 6 und
den Rasterelektronenmikroskop-Photos der Fig. 1 bis 3 ist zu
entnehmen, daß die Kupferoberfläche der gedruckten Schaltungen
oder der Multilayer-Schaltungen ursprünglich glatt ist, jedoch
wird erfindungsgemäß anschließend eine haarähnliche Morphologie
der Kupferoxidschicht, eine haarähnliche Morphologie der
metallischen Kupferschicht und eine dünne Oxidschicht auf der
Oberfläche der haarähnlichen Morphologie der metallischen
Kupferschicht gebildet. Die Ablösefestigkeit zwischen der
Kupferplatte und einem Kunststoff ändert sich von 0,02 lb/in zu
8,0 lb/in. Es ist offensichtlich, daß erfindungsgemäß die
Ablösefestigkeit zwischen der Kupferplatte und einem Kunststoff
dramatisch auf das 400fache erhöht wird. Dadurch kann die
Bildung von Laminat-Hohlräumen signifikant reduziert werden.
Bei Widerstandstests in einer wäßrigen Säure wurde festgestellt,
daß die Kupferoxidschicht, die auf der glatten Oberfläche der
gedruckten Schaltung oder einer gedruckten Multilayer-Verbin
dungsplatte gebildet wurde, sich in etwa 8 bis 12 sec. nach dem
Kontakt mit einer wäßrigen Säure, die 10% HCl enthält,
vollständig löst. Dagegen kann das erfindungsgemäße Produkt mehr
als eine Stunde den Kontakt mit einer wäßrigen Flüssigkeit, die
10% HCl enthält, aushalten. Bei der Produktion von gedruckten
Schaltungen oder Multilayer-Schaltungen wird daher das
erfindungsgemäße Produkt nicht durch den Kontakt mit einer
wäßrigen Säure abgetragen und vermindert die Nachteile der
"rosa Ringe", d. h. das Durchscheinen des darunterliegenden
rosafarbenen metallischen Kupfers.
Fig. 4 zeigt die Morphologie der Kupferoxidschicht, die auf der
Oberfläche der haarähnlichen Morphologie des metallischen
Kupfers gebildet ist, nach dem Eintauchen in eine wäßrige Säure,
die HCl enthält. Es ist zu sehen, daß die haarähnliche
Morphologie noch vorhanden ist.
Die dünne, auf der Oberfläche der haarähnlichen Morphologie des
metallischen Kupfers hergestellte Kupferoxidschicht ist
regelmäßig ausgebildet. Wenn der Kunststoff auf die dünne
Kupferoxidschicht gepreßt wird, kann die Kunststoffschicht jedes
Haar der Kupferschicht vollständig bedecken. Dadurch kann die
Bildung der "rosa Ringe" signifikant reduziert werden.
Desweiteren wurde festgestellt, daß die nach dem erfindungs
gemäßen Verfahren hergestellte gedruckte Schaltung folgende
verbesserte Eigenschaften besitzt:
- 1) Die Anzahl der "Laminat-Hohlräume" auf der Schaltung wird von ursprünglich 30 bis 60% auf weniger als 0,2% re duziert.
- 2) Die Abmessungen der "Laminat-Hohlräume" werden von ur sprünglich 75 bis 125 µm auf weniger als 25 µm redu ziert.
- 3) Die Abmessungen des Radius der "rosa Ringe" werden von der ursprünglichen Größe 275 bis 350 µm auf 25 bis 50 µm reduziert.
Desweiteren ist festzustellen, daß die vorliegende Erfindung die
folgenden Vorteile besitzt: geringe Beschränkungen bei der Aus
führung, einfacher Aufbau, keine Überreaktion, einfache
Steuerung bei der Herstellung und keine Beeinflussung der Quali
tät des Produkts durch die vorhergehende Behandlung.
Die vorliegende Erfindung ist anhand einer bevorzugten Aus
führungsform beispielhaft und nicht schutzbeschränkend erläutert
worden.
Claims (19)
1. Verfahren zur Verbindung von Kupfer und Kunststoff mit
folgenden Verfahrensschritten:
- a) Bildung einer Kupferoxidschicht auf einer Oberfläche des Kupfers durch Oxidation des Kupfers;
- b) Reduktion der so gebildeten Kupferoxidschicht zu metallischem Kupfer durch eine gut umgewälzte Reduktionslösung mit gesteuerter Konzentration und gesteuerter Temperatur innerhalb einer gesteuerten Reaktionszeit zur Morphologieänderung;
- c) Bildung einer Kupferoxidschicht auf der Oberfläche des metallischen Kupfers durch Ausbacken und
- d) Verbindung der Oberfläche des durch Ausbacken herge stellten Kupferoxids mit einem Kunststoff durch Heißpressen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Reduktionslösung
Formaldehyd enthält.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die
Konzentration des Formaldehyds in dem Bereich zwischen
etwa 2% und 30% gehalten wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, bei dem die
Reduktionslösung mit einer alkalischen Lösung und einem
Stabilisator versetzt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem als alkalische Lösung
eine KOH- oder eine NaOH-Lösung verwendet wird.
6. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem als Stabilisator
Alkohol (ROH) oder eine organische Karboxylsäure (RCOOH)
verwendet wird.
7. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem die Konzentration der
KOH- oder der NaOH-Lösung in dem Bereich zwischen 1% und
20% gehalten wird.
8. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem der Substituent R des
Alkohols (ROH) oder der organischen Karboxylsäure (RCOOH)
eine Alkylgruppe C1-4, eine Phenylgruppe oder ein Derivat
davon ist.
9. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem die Konzentration des
Stabilisators in dem Bereich zwischen etwa 0,1%-15%
gehalten wird.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei
dem die Temperatur der Reduktionslösung in dem Bereich
zwischen etwa 35°C und 60°C konstant gehalten wird.
11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei
dem die Reduktionslösung vollständig umgewälzt wird.
12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei
dem die Reaktionszeit des Kupferoxids mit der Reduktions
lösung so gesteuert wird, daß das gesamte Kupferoxid
gerade zu metallischem Kupfer reduziert wird.
13. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem die Reaktionszeit in
Abhängigkeit von der Vollständigkeit der Reduktion in dem
Bereich zwischen etwa 1 und 20 min liegt.
14. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei
dem eine Kupferplatte mit dem gebildeten Kupferoxid
vertikal in die Reduktionslösung eingetaucht wird.
15. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei
dem eine Vorrichtung zur Filterung der umgewälzten
Reduktionslösung eingesetzt wird.
16. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei
dem die behandelte Kupferplatte nach dem Eintauchen mit
sauberem Wasser abgewaschen und getrocknet wird.
17. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei
dem die Temperatur des Ausbackens in dem Bereich zwischen
100°C und 150°C gehalten wird.
18. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei
dem die Dauer des Ausbackens in dem Bereich zwischen etwa
0,5-4 Std. liegt.
19. Verfahren zur Verbindung von Kupfer und Kunststoff, mit
folgenden Verfahrensschritten:
- a) Bilden einer Kupferoxidschicht auf einer Oberfläche des Kupfers durch Oxidation des Kupfers;
- b) Reduktion der so gebildeten Kupferoxidschicht zu metallischem Kupfer durch eine umgewälzte Reduktionslösung, die Formaldehyd in einer Konzen tration zwischen etwa 2% und 30% mit Zugabe einer KOH- oder einer NaOH-Lösung in einer Konzentration zwischen etwa 1% bis 20% und einen Stabilisator enthält, der aus der Gruppe der Alkohole (ROH) und organischer Karboxylsäuren (RCOOH) ausgewählt wird, wobei der Substituent R ein Alkyl von C1-4, eine Phenylgruppe oder ein Derivat davon in einer Konzentration zwischen etwa 0,1-15% ist, durch vertikales Eintauchen einer mit dem Kupferoxid gebildeten Kupferplatte in die Reduktionslösung isotherm bei etwa 35°C bis 60°C für etwa 1 bis 20 min., wobei eine Vorrichtung zur filternden Umwälzung der Reduktionslösung eingesetzt wird und die behandelte Kupferplatte nach dem Eintauchen mit sauberem Wasser abgewaschen und getrocknet wird;
- c) Bilden einer Kupferoxidschicht auf der Oberfläche des metallischen Kupfers durch Ausbacken und
- d) Verbinden der Oberfläche des durch Ausbacken gebil deten Kupferoxids mit einem Kunststoff durch Heiß pressen.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4108073A DE4108073A1 (de) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | Verfahren zur verbindung von kupfer und kunststoff |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4108073A DE4108073A1 (de) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | Verfahren zur verbindung von kupfer und kunststoff |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4108073A1 true DE4108073A1 (de) | 1992-09-17 |
Family
ID=6427163
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4108073A Ceased DE4108073A1 (de) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | Verfahren zur verbindung von kupfer und kunststoff |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4108073A1 (de) |
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