DE4106042A1 - Messverfahren zur bestimmung kleiner lichtabsorptionen - Google Patents
Messverfahren zur bestimmung kleiner lichtabsorptionenInfo
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- 230000031700 light absorption Effects 0.000 title claims abstract description 48
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 81
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 80
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 40
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 75
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 21
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 21
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 13
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 abstract description 10
- 230000009102 absorption Effects 0.000 description 38
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 38
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 10
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 9
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 6
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 241000881711 Acipenser sturio Species 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 102000006830 Luminescent Proteins Human genes 0.000 description 1
- 108010047357 Luminescent Proteins Proteins 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000012432 intermediate storage Methods 0.000 description 1
- 238000002796 luminescence method Methods 0.000 description 1
- 238000013208 measuring procedure Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
- G01B11/0625—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of absorption or reflection
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/314—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry with comparison of measurements at specific and non-specific wavelengths
- G01N21/3151—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry with comparison of measurements at specific and non-specific wavelengths using two sources of radiation of different wavelengths
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/59—Transmissivity
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/10—Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void
- G01J1/16—Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void using electric radiation detectors
- G01J1/1626—Arrangements with two photodetectors, the signals of which are compared
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
- G01N21/6489—Photoluminescence of semiconductors
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
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- Immunology (AREA)
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Meßverfahren zur Bestim
mung kleiner Lichtabsorptionen in beliebigen Materialien mit
einer zumindest quasi-gleichzeitigen Detektion der Trans
missionsintensitäten eines Meß- und eines Referenzlicht
strahls derart unterschiedlicher Wellenlängen, daß im wesent
lichen der Meßlichtstrahl von dem zu untersuchenden Material
absorbiert wird, und mit einer analogen gemeinsamen Erfassung
der detektierten Meß- und Referenzsignale unter Berücksich
tigung des natürlichen Intensitätsunterschieds zwischen Meß-
und Referenzlichtstrahl.
Durch den Einsatz von Meß- und Referenzlichtstrahl mit
unterschiedlichen Wellenlängen können Störeinflüsse, die sich
als systematische Fehler auf das Meßergebnis auswirken,
weitgehend eliminiert werden. Dazu wird die Wellenlänge des
Meßlichtstrahls so gewählt, daß dieser optimal von dem zu
untersuchenden Material absorbiert wird. Optimale Absorption
tritt bei Festkörpern, Flüssigkeiten und Gasen im Bereich
charakteristischer Absorptionsbanden auf, sowie in Festkör
pern oberhalb der Bandkante. Die Absorptionsfähigkeit eines
Materials ist also stark von der Wellenlänge des
transmittierenden Lichtstrahls abhängig. Zusätzlich wird der
Meßlichtstrahl bei der Transmission durch das zu unter
suchende Material noch von Störeinflüssen wie beispielsweise
Reflexion, Streuung, Verschmutzung oder zusätzliche
Absorption durch andere Medien geschwächt. Solche
Störeinflüsse haben als generelle Verluste meist einen
breiten Untergrund, weil sie nur eine schwache Abhängigkeit
von der Wellenlänge haben. Die Wellenlänge des Referenz
lichtstrahls wird der Meßwellenlänge benachbart, aber im
transparenten Spektralbereich des zu untersuchenden Materials
gewählt. Der Referenzlichtstrahl wird deshalb kaum
absorbiert, sondern im wesentlichen nur von den Stör
einflüssen geschwächt. Mit dem Referenzlichtstrahl wird also
die Transmissionsintensität ohne Absorption ermittelt, mit
dem Meßlichtstrahl dagegen die Transmissionsintensität mit
Absorption. Bei der gemeinsamen Erfassung der detektierten
Meß- und Referenzsignale ist die relative Intensitäts
schwächung durch Störeinflüsse in beiden Lichtstrahlen
weitgehend identisch. Korrigiert man die Signale bezüglich
des natürlichen Intensitätsunterschieds zwischen den beiden
Wellenlängen, so verbleibt nur die Intensitätsdifferenz, die
physikalisch der Lichtabsorption des zu untersuchenden
Materials entspricht.
Ein wie zuvor beschriebenes Meßverfahren ist aus dem Prospekt
"Transmissions Photometer" der Firma Pier Electronic GmbH,
Nassaustraße 35, D-6238 Hofheim-Wallau, bekannt. Mit diesem
Verfahren werden kleine Lichtabsorptionen durch eine analoge
gemeinsame Erfassung von mit hoher Wechselfrequenz
alternierend detektierten Meß- und Referenzsignalen in Form
ihres Quotienten bestimmt. Die Berücksichtigung des
natürlichen Intensitätsunterschieds zwischen Meß- und
Referenzlichtstrahl erfolgt durch rechnerische Einbeziehung
eines Intensitäts-Quotienten beider Lichtstrahlen ohne
Absorption durch das zu untersuchende Material. Die
Lichtabsorptionen werden bei diesem bekannten Verfahren also
indirekt bestimmt, da der ermittelte Quotient kein direktes
Maß für die Lichtabsorption ist. Diese berechnet sich erst
aus der Differenz der Zahl 1 zu dem Quotienten. Mit dieser
Umrechnung ist jedoch eine verstärkte Fehlerfortpflanzung
verbunden. Bei kleinen Absorptionen führen nämlich relativ
starke Änderungen der Lichtabsorption (z. B. von 1% auf 2%,
d. h. relativ um 100%) nur zu kleinen Änderungen des
Quotienten (z. B. von 0,99 auf 0,98, d. h. relativ um 1%).
Selbst kleine Meßfehler oder Digitalisierungssprünge bewirken
somit eine sehr viel größere Ungenauigkeit bei der Bestimmung
der Lichtabsorption. Insbesondere bei kleinen Lichtabsorp
tionen kann der Fehler daher ohne weiteres die Größenordnung
der Absorption annehmen oder überschreiten.
In der Weiterentwicklung der Technik wird es bei vielen
Anwendungsfällen des beschriebenen Meßverfahrens immer
wichtiger, auch kleine Lichtabsorptionen hochgenau messen zu
können. Hiermit im Zusammenhang steht auch das Bestreben, die
Lichtabsorption sehr schnell zu messen. Darüberhinaus soll
ein Meßverfahren in seinem Ablauf und in seinen Mitteln zur
Durchführung stets einfach und damit ökonomisch sein.
Derart hohe Anforderungen erfüllt das Meßverfahren nach der
vorliegenden Erfindung dadurch, daß die kleinen Lichtab
sorptionen direkt gemessen werden durch die gemeinsame Erfas
sung der detektierten Meß- und Referenzsignale in Form einer
Differenzbildung unter automatischer Berücksichtigung des
natürlichen Intensitätsunterschieds zwischen Meß- und
Referenzlichtstrahl durch eine Abstimmung der gebildeten
Differenz auf Null bei einer Messung ohne das zu unter
suchende Material.
Durch die direkte Messung der Lichtabsorptionen ist das
erfindungsgemäße Meßverfahren sehr genau und schnell. Die
Messung kann als direkt bezeichnet werden, weil die analog
gebildete Differenz zwischen Meß- und Referenzsignal die
physikalische Definition der Absorption realisiert. Durch die
automatische Berücksichtigung des natürlichen Intensitäts
unterschieds steht damit ohne weiteren Rechen- und Zeit
aufwand in einfacher Weise direkt der Meßwert für die
gesuchte Lichtabsorption zur Verfügung. Verbunden mit der
dadurch erreichten hohen Meßgeschwindigkeit ist eine hohe
Meßauflösung, da der Auflösungsbereich nur die Größenordnung
der Differenz und nicht die um ein Vielfaches größere
Größenordnung der Einzelgrößen umfaßt. Eine erhebliche
Verbesserung der Meßgenauigkeit wird bei dem erfindungs
gemäßen Meßverfahren dadurch erreicht, daß der bei der
direkten Differenzbildung eingehende meßtechnische Fehler
nicht verstärkt wird. Das bedeutet, daß sich der absolute
meßtechnische Fehler zu kleineren Lichtabsorptionen hin
ebenfalls verkleinert, der entscheidende relative Fehler aber
nahezu unverändert bleibt. Der Einfluß von Störgrößen, die
nur schwach wellenlängenabhängig sind, wird durch die
Differenzbildung ebenfalls derart verkleinert, daß er
unerheblich wird. Zeitliche Schwankungen der Lichtquellen und
der Auswerteelektronik werden bei dieser Art der direkten
Differenzbildung weitgehend kompensiert.
Es ist zwar aus dem Aufsatz "Direct observation of the
principal deep level (EL2) in undoped semiinsulating GaAs",
Brozel et al., Appl.Phys.Lett 42(7), 1 April 1983, Seiten 610
ff, bekannt, aus den detektierten Meß- und Referenzsignalen
eine Differenz zu bilden. Diese Differenz wird jedoch
mathematisch berechnet. Dazu werden die Meß- und Referenz
signale einzeln, zeitlich versetzt digital erfaßt. Der dabei
auftretende relative Fehler bezieht sich auf die erfaßten
großen Einzelwerte. Er ist daher entscheidend größer als der
relative Fehler, der bei der direkten Messung der wesentlich
kleineren Differenz gemacht wird. Außerdem treten Sprung
fehler bei der Digitalisierung auf. Weiterhin werden die Meß-
und Referenzsignale in einem zeitlich großen Abstand zuein
ander detektiert, so daß der Meß- und Referenzlichtstrahl und
die Auswerteelektronik zeitlich sehr stabil sein müssen. Die
Meßergebnisse stehen erst nach Vorliegen aller Einzelsignale
und deren rechnerischer Verarbeitung zur Verfügung.
Eine direkte Messung der Lichtabsorption bzw. der Intensi
tätsdifferenz mittels einer analogen gemeinsamen Erfassung
der detektierten Meß- und Referenzsignale ist aus dem Aufsatz
"Experimental requirements for quantitative mapping of midgap
flaw concentration in semi-insulating GaAs wafers by
measurement of near infrared transmittance", Dobrilla et al.,
J.Appl. Phys. 58(1), 1 July 1985, Seiten 208 ff, bekannt. Bei
diesem Meßverfahren wird zunächst an einem Referenzpunkt auf
dem zu untersuchenden Material die Lichtabsorption mit hohem
Aufwand genau bestimmt und elektronisch kompensiert. Bei den
anschließenden Messungen wird dann die relative Licht
absorption als Differenz zu der Absorption im Referenzpunkt
direkt gemessen. Meß- und Referenzlichtstrahl haben jedoch
die gleiche Wellenlänge. Reflexionsverluste als systematische
Fehler werden deshalb mathematisch unter Inkaufnahme einer
entsprechenden Diskrepanz zur Realität und eines großen
Zeitaufwandes berücksichtigt. Streuverluste werden nicht
berücksichtigt. Die Detektion von Meß- und Referenzlicht
strahl erfolgt in zeitlich großem Abstand; der Meßlicht
strahl, das Kompensationssignal und die Auswerteelektronik
müssen entsprechend zeitstabil sein.
Trotz seiner hohen Meßgenauigkeit und -schnelligkeit ist das
erfindungsgemäße Meßverfahren in seinem Ablauf und in seiner
Realisierung einfach. Diese Einfachheit wird neben der
unkomplizierten direkten Differenzbildung besonders durch die
automatische Berücksichtigung des natürlichen Intensitäts
unterschieds bei der Differenzbildung erreicht. Berücksich
tigt werden muß der Intensitätsunterschied, um in der gebil
deten Differenz ein direkt verwertbares Ergebnis zu haben,
das unabhängig von den natürlichen, unterschiedlichen Inten
sitäten von Meß- und Referenzlichtstrahl aufgrund ihrer
unterschiedlichen Wellenlängen ist. Gegenüber der rechne
rischen Berücksichtigung im Stand der Technik erfolgt diese
beim erfindungsgemäßen Verfahren automatisch. Dazu ist es
lediglich erforderlich, die gemessene Differenz vor Beginn
einer Meßreihe ohne das zu untersuchende Material auf Null
einzuregeln. Die Kenntnis der einzelnen Parameter durch deren
Messung oder Berechnung ist dazu nicht erforderlich. Diese
Nullabstimmung gleicht den natürlichen Intensitätsunter
schied zwischen Meß- und Referenzlichtstrahl aus, so daß alle
Störparameter nahezu den gleichen Einfluß haben. Nur durch
diesen Abgleich, durch den damit alle auftretenden Störgrößen
im wesentlichen, d. h. bis auf eine geringe Differenz aufgrund
ihrer sehr schwachen Wellenlängenabhängigkeit, bei der
Differenzbildung eliminiert werden, wird die direkte Messung
der Differenz bzw. Lichtabsorption überhaupt möglich und
sinnvoll. Weiterhin können durch die Nullabstimmung auch
Matrix-Effekte durch Umgebungseinflüsse weitgehend berück
sichtigt werden.
Entsprechend einer vorteilhaften Ausgestaltung des erfin
dungsgemäßen Meßverfahrens kann eine Abstimmung der
gebildeten Differenz auf Null optisch durch Schwächung der
Intensität des stärkeren der beiden Lichtstrahlen erfolgen.
Ein solcher Verfahrensschritt ist sehr einfach und erfordert
nur ein unkompliziertes Verstellen beispielsweise eines
Graukeils im entsprechenden Strahlengang. Bei dieser Aus
führungsform wird die Reproduzierbarkeit der Graueinstellung
beispielsweise über die Stellung einer Mikrometerschraube
erreicht.
Eleganter, aber ebenso einfach mit demselben Effekt ist eine
andere erfindungsgemäße Ausgestaltung, nach der die
Abstimmung der gebildeten Differenz auf Null elektronisch
durch Einstellen einer entsprechenden Gewichtung bei der
Differenzbildung erfolgt. Bei dieser Ausführungsform kann die
Nullabstimmung beispielsweise durch einen Rechner sehr genau
durch die digitale Veränderung von Verstärkungsfaktoren vor
der Differenzbildung über eine steuerbare Widerstandskaskade
erfolgen. Die exakte Reproduzierbarkeit und eine ständige
Kontrollmöglichkeit der Nullabstimmung sind damit gewähr
leistet. Es können keine mechanischen Justageprobleme und
damit verbundene Losen auftreten. Die Nullabstimmung ist sehr
zeitstabil.
Beide beschriebenen Nullabstimmungs-Methoden erfolgen direkt
im Meßaufbau, d. h. sie haben einen engen Bezug zu dem
Meßverfahren selbst, im Gegensatz zu beispielsweise einem
rechnerischen Abgleich durch eine vorgegebene Kennlinie, der
von dem eigentlichen Verfahren losgelöst wäre.
Nach einer anderen Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Ver
fahrens werden Meß- und Referenzlichtstrahl jeweils von einer
monochromatischen Lichtquelle erzeugt. Mögliche Lichtquellen
sind beispielsweise Laserdioden. Diese gewährleisten aufgrund
ihres geringen Strahldurchmessers eine hohe Ortsauflösung.
Durch eine entsprechende optische Anordnung können die beiden
Lichtstrahlen in einem Strahlengang in schnellem zeitlichem
Wechsel durch das zu untersuchende Material geschickt werden.
Die Abwechslung zwischen Meß- und Referenzlichtstrahl kann
mechanisch durch einen Chopper oder elektrisch durch eine
Modulation der Laserdioden erfolgen. Im ersten Fall wird
immer ein Lichtstrahl verdeckt, im zweiten Fall werden die
beiden Laserdioden im Wechselstrombetrieb gesteuert. In bei
den Fällen kann eine Rechnersteuerung eingesetzt werden.
Aus dem Aufsatz "Active layer thickness measurement system
for double heterostructure laser wafers", Nakano et al.,
OPTICAL ENGINEERING, January 1989, Vol. 28 No. 1, Seiten 042
ff, ist zwar zur Bestimmung der Netto-Absorption in Laser-
Substraten der Einsatz zweier Laserdioden bekannt. Diese
werden jedoch zeitlich in einem sehr großen Abstand nach
einander betrieben, d. h. das zu untersuchende Material wird
zunächst komplett mit dem Meßlichtstrahl und dann mit dem
Referenzlichtstrahl abgetastet. Dieses bedeutet einen hohen
Zeitversatz der Einzelmessungen bei entsprechender Meßdauer.
Eine sehr gute Stabilisierung der Laserdioden zur Vermeidung
von Leistungs- oder Temperaturdrift ist deshalb erforderlich.
Ein Leistungsabgleich der beiden Laserdioden ist bei diesem
bekannten Meßverfahren nicht vorgesehen. Das Leistungs
verhältnis der beiden Laserdioden ohne Absorption wird
eingerechnet. Die Meßergebnisse werden von einem Rechner
ermittelt und liegen erst nach Beendigung des zweiten
Abtastdurchgangs als Quotienten vor. Neben dem bereits
erwähnten großen Fehlereinfluß bei der Bestimmung kleiner
Lichtabsorption über Quotientenbildung aus Einzelwerten sind
aufgrund der zeitlich weit auseinanderliegenden Meßdurchgänge
mit zweimaligem Abrastern des zu untersuchenden Materials
auch Justageprobleme zur Erreichung eines jeweils identischen
Meßorts zu beherrschen.
Nach einer weiteren Ausgestaltung des erfindungsgemäßen
Meßverfahrens ist es vorteilhaft, wenn Meß- und Referenz
lichtstrahl aus einem nach der Material-Transmission optisch
geteilten Lichtstrahl einer einzigen Lichtquelle heraus
gefiltert werden. Durch diesen Verfahrensschritt ist gewähr
leistet, daß der Meß- und der Referenzlichtstrahl im exakt
gleichen Strahlengang, nämlich dem Strahlengang des gemein
samen Lichtstrahls, durch das zu untersuchende Material
hindurchtreten. Der Meßort ist damit genau definiert und für
beide Strahlen identisch. Aufwendige Justagen zur Strahl
überdeckung am Meßort und im weiteren Strahlengang, ein
Verschieben des zu untersuchenden Materials oder optische
Strahlumlenkeinrichtungen sind so vermieden. Weiterhin wirken
sich Schwankungen der Intensität der einzigen Lichtquelle auf
Meß- und Referenzlichtstrahl gleich aus, so daß diese bei der
Differenzbildung mit automatischer Berücksichtigung des
natürlichen Intensitätsunterschieds kompensiert werden.
Erfindungsgemäß wird der Lichtstrahl erst nach der Material-
Transmission optisch geteilt, damit aus den entstandenen
Einzelstrahlen der Meß- und der Referenzlichtstrahl heraus
gefiltert werden können. Bei der optischen Teilung ist es
dabei unerheblich, in welchem Verhältnis der Lichtstrahl
aufgeteilt wird, da dieses bei der Differenzbildung durch die
zuvor durchgeführte Nullabstimmung bei unverändertem
Teilungsverhältnis durch die dadurch erfolgende Symmetrierung
der beiden Lichtstrahlen automatisch berücksichtigt wird. Die
Ermittlung der Lichtabsorption als prozentuale Größe wird
davon in ihrer Genauigkeit nicht beeinflußt. Es ist nicht
einmal von Interesse, das Teilungsverhältnis zu kennen, es
kann beliebig sein, so daß sich für die Realisierung der
Teilung äußerst einfache Bauelemente verwenden lassen.
Wenn gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung des
erfindungsgemäßen Verfahrens Meß- und Referenzlichtstrahl
alternierend in einer ersten und der Referenzlichtstrahl
zusätzlich in einer zweiten Frequenz getaktet werden, kann
für die analoge Erfassung der Meß- und Referenzsignale die
allgemein bekannte Lock-In-Verstärkungstechnik eingesetzt
werden. Hiermit ist man in der Lage, die detektierten Signale
aufgrund der ihnen künstlich aufgeprägten Frequenzen zu
unterscheiden. Ein derartiger Verfahrensschritt ist immer
dann sinnvoll, wenn die Meß- und Referenzsignale durch einen
einzigen Detektor erzeugt werden. Es können somit bei dem
Einsatz von zwei Frequenzen gemäß der Erfindung zum einen die
Meß- und Referenzsignale für die Differenzbildung und zum
anderen zusätzlich zum Beispiel nur die Referenzsignale für
Normierungszwecke erfaßt und verarbeitet werden. Außerdem
können weitere Störeinflüsse, insbesondere allgemeine Hinter
grundstörungen, wie Raumlicht oder Staub im Strahlengang, mit
der Lock-In-Verstärkungstechnik eliminiert werden. Es werden
dazu nur die Signale bearbeitet, die den zuvor bestimmten
Frequenzen und auch Phasen zugeordnet sind. Störungen mit
anderen Frequenzen und anderen Phasen werden nicht berück
sichtigt.
Wenn Meß- und Referenzlichtstrahl aus einem einzigen Licht
strahl herausgefiltert werden, ist es entsprechend einer
weiteren vorteilhaften Ausgestaltung des erfindungsgemäßen
Verfahrens sinnvoll, daß der gemeinsame Lichtstrahl getaktet
wird. Hierbei kann dann wiederum die Lock-In-
Verstärkungstechnik mit ihren bereits genannten Vorteilen
eingesetzt werden. Da nur eine Frequenz benutzt wird, kann
die Zeitkonstante des Lock-In-Verstärkers sehr klein gewählt
werden, was zu kurzen Einstellzeiten und daher hoher
Meßgeschwindigkeit führt. Zur Unterscheidung der Meß- und
Referenzsignale zur Differenzbildung und zu Normierungs
zwecken werden hierbei zwei Detektoren eingesetzt, bei denen
es sich um einfache elektronische Bauteile handelt.
Eine andere, sehr wichtige vorteilhafte Weiterbildung des
erfindungsgemäßen Meßverfahrens sieht vor, daß die Detektion
der Transmissionsintensitäten von Meß- und Referenzlicht
strahl gleichzeitig erfolgt. Durch diesen Schritt von der
Quasi-Gleichzeitigkeit der Detektion im Stand der Technik zur
echten Gleichzeitigkeit entfallen zunächst zeitabhängige
Störeinflüsse, wie Kennlinien- und Temperaturdrift der Licht
quellen, der Detektoren oder der Auswerteeinheit. Darüber
hinaus wird aber auch die Meßgeschwindigkeit erhöht, da kein
Signal bis zum Eintreffen eines weiteren Signals mehr
zwischengespeichert werden muß. Deshalb werden auch die mit
der Zwischenspeicherung verknüpften Fehler vermieden. Mit dem
Wegfall der Zwischenspeicherung aufgrund der gleichzeitigen
Detektion ist auch die Möglichkeit verbunden, konti
nuierliche Meßreihen aus den analog erfaßten Meßwerten bilden
zu können. Die Diskretisierung der Meßwerte aufgrund der
Zwischenspeicherung entfällt. Das zu untersuchende Material
kann also nach dieser Ausgestaltung des erfindungsgemäßen
Verfahrens kontinuierlich, beispielsweise in einem Massen
strom oder über eine Oberfläche, auf sein Absorptions
verhalten hin, welches sich auch zeitlich extrem schnell
ändern kann, untersucht werden. Voraussetzung für eine
gleichzeitige Detektion ist, daß Meß- und Referenzlichtstrahl
nach Durchtritt durch das zu untersuchende Material gleich
zeitig vorliegen, um parallel auf zwei Detektoren geleitet
werden zu können. Diese Voraussetzung wird durch die oben
beschriebene erfindungsgemäße Ausgestaltung in einfacher
Weise erfüllt, indem Meß- und Referenzlichtstrahl aus einem
einzigen Lichtstrahl nach dessen Teilung herausgefiltert
werden.
In einer anderen Weiterbildung des erfindungsgemäßen Meß
verfahrens ist vorgesehen, die kleinen Lichtabsorptionen
ortsabhängig zu messen. Hierdurch kann die gemessene
Absorption einem bestimmten Ort zugeordnet werden. Das ist
besonders vorteilhaft, wenn Inhomogenitäten vorliegen, wie
dies häufig bei Festkörpern der Fall ist. Durch Variation des
Ortes kann dann die Absorption über die gesamte Oberfläche
des Festkörpers diskret oder kontinuierlich - je nach Wahl
des entsprechenden Verfahrensschritts - ermittelt werden.
Vorteilhaft ist es gemäß einer weiteren Ausgestaltung bei
einer ortsabhängigen Messung weiterhin, daß Meß- und
Referenzlichtstrahl auf den Meßort fokussiert werden. Durch
diese Maßnahme wird der eigentliche Meßort sehr klein , was
eine Erhöhung der Ortsauflösung bedeutet.
Im allgemeinen liegt der Fokus bzw. der Meßort zur Bestimmung
der Absorption in einem Festkörper auf dessen Oberseite mit
der auszumessenden Schicht, die von der Lichtquelle
abgewendet ist, um eine hohe Ortsauflösung zu gewährleisten.
Streuungen an seiner Rückseite können mit einer normalen
Sammellinse erfaßt werden, wenn die Rückseite als relativ
glatt angesehen werden kann. Bei einem Festkörper mit rauher
Rückseite als zu untersuchendes Material ist es jedoch gemäß
einer weiteren Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens
vorteilhaft, wenn der Fokus auf dessen Rückseite liegt. So
kann die Absorption durch den Festkörper exakt bestimmt
werden, ohne daß Streuungen des Lichtstrahls an der rauhen
Rückseite zu Verfälschungen führen könnten. Die auftretende
Streuung auch an extrem rauhen Oberflächen liegt dann im
Fokus einer nachgeordneten Sammellinse, deren Apertur
lediglich so groß gewählt sein muß, daß sie das gestreute
Licht im Vergleich zum Beleuchtungskegel nahezu vollständig
erfaßt.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung des Meßverfahrens nach der
Erfindung ist es vorteilhaft, wenn bei einem zu unter
suchenden Material mit opaker oder reflektierender Rückseite
die Detektion der Transmissionsintensitäten auf der Auflicht
seite erfolgt. Durch diesen Verfahrensschritt wird eine
Anwendung des Meßverfahrens auch für eine kontinuierliche
Prozeßüberwachung in Flüssigkeiten oder Gasen oder für
Festkörper möglich, die eine Transmission von Meß- und
Referenzlichtstrahl durch ihre Rückseite hindurch nicht
zulassen. Voraussetzung ist, daß Meß- und Referenzlichtstrahl
an der Rückseite des zu untersuchenden Materials oder, wenn
dieses das Licht nicht ausreichend reflektiert, an einem
direkt an die Rückseite anschließenden zusätzlichen Spiegel
reflektiert werden. Diese Voraussetzung trifft bei Beobach
tungsräumen für Prozeßabläufe in flüssigen oder gasförmigen
Medien mit einem Spiegel an der Raumrückwand oder insbeson
dere bei Festkörperproben mit Metallkontakten oder auf
Metallträgern zu. Von Vorteil ist auch, daß der Meßaufbau bei
dieser Verfahrensweise relativ wenig Platz benötigt. Für
Proben in Kryostaten, Präparationskammern o. ä. ist diese
erfindungsgemäße Ausgestaltung des Meßverfahrens deshalb
besonders geeignet. Gleiches gilt für Proben, die nur von
einer Seite zugänglich sind. Bei diesem Verfahrensschritt ist
die auftretende zweimalige Absorption entsprechend zu berück
sichtigen. Weiterhin ist das Referenzsignal bezüglich eines
Anteils zu korrigieren, der bereits an der Probenoberfläche
reflektiert wird und somit nicht zur Absorption beiträgt.
Ist der an der Oberfläche des zu untersuchenden Materials
reflektierte Lichtanteil unbekannt oder veränderlich, so kann
er rechnerisch nicht berücksichtigt werden. Dann ist es
entsprechend einer weiteren Ausgestaltung des erfindungs
gemäßen Meßverfahrens vorteilhaft, wenn das zu untersuchende
Material nach dem Dunkelfeld-Prinzip beleuchtet wird. Mit
diesem an sich bekannten Verfahren wird der an der Proben
oberfläche reflektierte Lichtanteil, der nicht der Absorption
zugeführt wird, aus dem Strahlengang ausgeblendet, so daß er
nicht detektiert werden kann. Der der Absorption zugeführte
Lichtanteil wird dagegen in einem so großen Raumwinkel
gestreut, daß er an der Ausblendeinrichtung vorbeifällt und
detektiert werden kann.
Eine andere Weiterbildung des erfindungsgemäßen Meßverfahrens
sieht vor, daß es mit dem Lumineszenz-Meßverfahren zur
Ermittlung charakteristischer Eigenschaften des zu unter
suchenden Materials gekoppelt ist. Das Lumineszenz-Meßver
fahren ist allgemein bekannt. Es arbeitet mit einem
kurzwelligen Laser zur Lumineszenz-Anregung, einem
dichroitischen Spiegel, der Strahlung abhängig von ihrer
Wellenlänge reflektiert oder transmittiert, und einem
durchstimmbaren Monochromator mit nachgeschaltetem Detektor
zur Aufnahme der langwelligen Emissionsspektren. Mit Hilfe
der Lumineszenz können charakteristische Eigenschaften des zu
untersuchenden Materials, insbesondere von Halbleitern und
hier speziell die Bandkante, ermittelt werden. Durch die
Kopplung der beiden Meßverfahren, die beispielsweise über
einen Umlenkspiegel optisch erfolgen kann, können für das zu
untersuchende Material in einer einzigen Präparation und
Anordnung zunächst die notwendigen charakteristischen Eigen
schaften und dann die kleinen Lichtabsorptionen bestimmt
werden; dies bedeutet eine große Zeit- und Arbeitseinsparung,
sowie eine nur geringe Belastung des zu untersuchenden
Materials. In teuren Reinräumen ist auch die Platzeinsparung
durch Kombination der beiden Verfahrensanordnungen
wesentlich.
Die Anwendungsmöglichkeiten für das erfindungsgemäße Meßver
fahren zur Bestimmung kleiner Lichtabsorptionen sind
vielfältig. Ein besonderes Kriterium für sein Einsatzgebiet
ist, daß es zerstörungsfrei und ohne jegliche Beeinträch
tigung des zu untersuchenden Materials arbeitet. Die Absorp
tionsmessungen können bei festen, flüssigen und gasförmigen
Materialien durchgeführt werden. Sie können diskret oder
kontinuierlich, ortsunabhängig bei strömenden Materialien
oder ortsaufgelöst bei Festkörpern durchgeführt werden.
Die ermittelten Lichtabsorptionswerte können für verschiedene
Bestimmungen herangezogen werden. Um diese Bestimmungs
möglichkeiten näher erläutern zu können, ist es hilfreich,
die mathematische Formel zu betrachten, aus der sich die
Lichtabsorption berechnet:
I = I₀ * e-kd
mit:
I: Lichtintensität mit Absorption
I₀: Lichtintensität ohne Absorption
k: Absorptionskoeffizient
d: Materialdicke
I₀: Lichtintensität ohne Absorption
k: Absorptionskoeffizient
d: Materialdicke
Für kleine Werte von kd kann der Faktor e-kd durch seine
Taylor-Entwicklung ersetzt werden:
e-kd = 1 - kd + (kd)²/2 - (kd)³/6 + . . .
Da die Potenzglieder bei kleinem kd extrem klein werden,
kann in guter Näherung gesetzt werden:
e-kd ≈ 1 - kd
Daraus ergibt sich für I:
I = I₀ * (1 - kd)
beziehungsweise:
(I₀ - I)/I₀ = kd
wobei die Differenz Io-I die mit dem erfindungsgemäßen
Meßverfahren direkt meßbare Lichtabsorption ist.
Kennt man nun durch Anwendung des erfindungsgemäßen Meß
verfahrens die Lichtabsorption Io-I und Io als Intensität
des Referenzlichtstrahls ohne Absorption, so kann man gemäß
der Formel den Absorptionskoeffizienten k des zu unter
suchenden Materials ermitteln, wenn man dessen Dicke kennt
oder umgekehrt die Dicke ermitteln, wenn der Absorptions
koeffizient bekannt ist. Bei Sandwich-Proben kann man hierbei
die Dicken der unterschiedlichen Schichten selektiv
bestimmen, wenn diese unterschiedliche Bandkanten und damit
unterschiedliches Absorptionsverhalten aufweisen. Als dritte
Möglichkeit kann man bei bekannter Dicke und bekanntem
Absorptionskoeffizienten des zu untersuchenden Materials
Konzentrationsbestimmungen von für die Absorption verantwort
lichen Spezia, wie z. B. Störatome in Festkörpern oder
Fremdmedien bzw. Partikel in Flüssigkeiten oder Gasen,
durchführen. Auch Stoffanalysen biologischer oder chemischer
Präparate sind möglich.
Von besonderem Interesse jedoch ist das erfindungsgemäße
Meßverfahren zur Bestimmung kleiner Lichtabsorptionen für die
Schichtdickenbestimmung von Halbleitermaterialien. Durch
moderne Technologien in der Herstellung und Verarbeitung
solcher Halbleiterschichten werden diese immer dünner, aber
auch immer störanfälliger. Deshalb ist es erforderlich
geworden, derartige Halbleiterschichten extrem genau in ihrer
Dicke, die im Extremfall nur noch 1 nm betragen kann, und in
ihrer Zusammensetzung zu kontrollieren. Abweichungen in der
Dicke, unerwünschte Strukturfehler oder schlechte Verteilung
von Dotierungs-Material können zur Unbrauchbarkeit des Halb
leiters führen. Dies gilt insbesondere für den Einsatz bei
den sogenannten "Quantum-Wells-Lasern". Bei solchen Lasern
können die Wellenlänge eingestellt und der Schwellstrom
minimiert werden durch die Wahl der Schichtdicke, die so
enorm dünn ist, daß sich bereits das Festkörperverhalten des
Materials ändert. Darüberhinaus ist es in der Produktion
extrem wichtig, jeden Halbleiterchip vollständig prüfen zu
können. Stichproben an Teilstellen oder zerstörende Prüfungen
sind hier sinnlos. Gerade für diesen Anwendungsfall ist das
erfindungsgemäße Meßverfahren hervorragend geeignet. Es kann
einen Schichtdickenmeßbereich von ca. 0,01 bis 2 µm umfassen,
arbeitet zerstörungsfrei, extrem genau, sehr schnell und läßt
kontinuierliche Schichtdickenbestimmungen zu. Deshalb wird in
den Ausführungsbeispielen verstärkt auf diese Anwendungsart
Bezug genommen.
Anhand der Figuren werden nachfolgend das erfindungsgemäße
Meßverfahren sowie besonders bevorzugte Ausführungsformen zu
seiner Durchführung näher erläutert. Die Darstellungen in den
Figuren sind schematisch.
Es zeigen dabei die
Fig. 1 den prinzipiellen Verfahrensablauf in drei Stufen,
Fig. 2 eine Anordnung zur Durchführung des erfindungs
gemäßen Meßverfahrens mit einer Lichtquelle und zwei
Detektoren,
Fig. 3 eine Anordnung zur Durchführung des erfindungs
gemäßen Meßverfahrens mit einer Lichtquelle und
einem Detektor,
Fig. 4 einen Ausschnitt einer Anordnung zur Durchführung
des erfindungsgemäßen Meßverfahrens mit zwei Licht
quellen und einem Detektor,
Fig. 5 einen Ausschnitt einer Anordnung mit Auflicht-
Beleuchtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen
Meßverfahrens und die
Fig. 6 eine Anordnung zur Durchführung des erfindungs
gemäßen Meßverfahrens in Kombination mit dem Lumi
neszenz-Meßverfahren.
Der in der Fig. 1 schematisch dargestellte Ablauf des
erfindungsgemäßen Meßverfahrens zur Bestimmung kleiner
Lichtabsorptionen ist in drei Verfahrensstufen a,b,c,
unterteilt. In der Vorstufe a wird eine Grundmessung ohne das
zu untersuchende Material MA durchgeführt, um den Ist-Zustand
der Meßanordnung festzustellen. In der Abstimmungsstufe b
wird dann eine in der Vorstufe a gegebenenfalls festgestellte
Nullabweichung abgestimmt. In der Meßstufe c schließlich wird
die eigentliche Meßreihe durchgeführt. Der Überschaubarkeit
wegen sind die drei Verfahrensstufen a, b, c in zeitlicher
Abfolge dargestellt. Auftretende Intensitäten IM, IR sind
jeweils über der Meßzeit t in kleinen Diagrammen aufgetragen,
die der Verdeutlichung der Zusammenhänge dienen sollen.
Zur Durchführung der Grundmessung in der Vorstufe a werden
ein Meßlichtstrahl M mit einer gewählten Meßwellenlänge λM
und einer von der Erzeugungsquelle abhängigen Grundintensität
IMa sowie ein Referenzlichtstrahl R mit einer gewählten
Referenzwellenlänge λR und einer ebenfalls von der Erzeu
gungsquelle abhängigen Grundintensität IRa einer Detektion DE
zugeführt. Abhängig von der Art der Erzeugungsquelle können
Meß- und Referenzlichtstrahl M, R als Einzelstrahlen oder
gemeinsam auftreten. In der Fig. 1 ist dies angedeutet durch
einen übergeordneten Strahlengang S, in dem Meß- und
Referenzlichtstrahl M, R enthalten sind. Die Detektion DE der
Grundintensitäten IMa und IRa kann quasi-gleichzeitig bei
zeitlich schnell abwechselnder Zuführung von Meß- und
Referenzlichtstrahl M, R oder exakt gleichzeitig bei zeitlich
paralleler Zuführung erfolgen.
Durch die Detektion DE entstehen ein Meßsignal UMa und ein
Referenzsignal URa. Diese werden einer analogen gemeinsamen
Erfassung E zugeleitet. Diese gemeinsame Erfassung E erfolgt
in Form einer Differenzbildung D zwischen Meß- und Referenz
signal UMa,URa. Als Ergebnis dieser Differenzbildung D wird
eine Intensitätsdifferenz ΔI zwischen den Intensitäten
IMa,IRa als direkt gemessene Lichtabsorption LA mit einer
analogen Anzeigeeinrichtung A angezeigt. Bei der Grundmessung
in Vorstufe a kann jedoch keine Lichtabsorption LA auftreten,
da kein absorbierendes Material MA im Strahlengang S
vorhanden ist. Bei der angezeigten Intensitätsdifferenz ΔI
handelt es sich daher um einen natürlichen Intensitäts
unterschied ΔIN zwischen Meß- und Referenzlichtstrahl M,R,
der seine Ursache in den unterschiedlichen Wellenlängen λM, λR
hat und zu einer unterschiedlichen Gewichtung von Meß- und
Referenzlichtstrahl M, R führt. Bliebe dieser Unterschied ΔIN
unberücksichtigt, würde er jedes Meßergebnis verfälschen, so
daß die auf der analogen Anzeigeeinrichtung A angezeigten
Werte keine schnelle und direkte Aussage über die gemessene
Lichtabsorption LA zuließen. Deshalb erfolgt bei dem Meßver
fahren eine automatische Berücksichtigung B des natürlichen
Intensitätsunterschieds ΔIN in Form einer Abstimmung AN der
Differenzbildung D auf Null. Dadurch kann jetzt jedes
folgende, mit der analogen Anzeigevorrichtung A angezeigte
Meßergebnis ohne zusätzliche Aufbereitung als direkt
gemessene Lichtabsorption LA interpretiert werden.
Die Abstimmung AN der Differenzbildung D auf Null erfolgt in
einer Abstimmungsmessung in der Abstimmungsstufe b. Es kann
eine optische Nullabstimmung OA oder eine elektronische
Nullabstimmung EA durchgeführt werden. Diese Alternative ist
in der Fig. 1 durch eine Strichelung der Wirkungslinien bei
der Differenzbildung D in der Vorstufe a dargestellt. Durch
geführt wird jedoch jeweils nur eine der beiden Abstimmungs
möglichkeiten, wobei beide dieselbe Wirkung erzielen. Bei
Durchführung der optischen Nullabstimmung OA wird der
stärkere der beiden Lichtstrahlen M, R soweit geschwächt, bis
die mit der analogen Anzeigevorrichtung A angezeigte
Differenz ΔIb zu Null wird (I=0). Bei dem in der Fig. 1
dargestellten Beispiel ist die Grundintensität IRa des
Referenzlichtstrahls R größer als die Grundintensität IMa des
Meßlichtstrahls M. Also wird der Referenzlichtstrahl R
beispielsweise mit einem Graukeil soweit geschwächt, bis
seine Abstimmungsintensität IRb identisch ist mit der
Grundintensität IMa des Meßlichtstrahls M, der unbeeinflußt
bleibt (IMa = IMb = IRb). Durch die optische Nullabstimmung
OA sind nun der Meßlichtstrahl M und der Referenzlichtstrahl
R optisch zueinander symmetriert, so daß sie nun stets der
gleichen absoluten Abschwächung durch wellenlängenabhängige
äußere Einflüsse unterliegen.
Das gleiche Ergebnis erreicht man auch, wenn man die
Symmetrierung nicht optisch sondern elektronisch mit der
elektronischen Nullabstimmung EA vornimmt. Hierbei bleiben
die Intensitäten IMa und IRa unverändert, es gehen jedoch
ihre entsprechenden Meß- und Referenzsignale UMa, URa durch
die Einstellung einer entsprechenden Gewichtung bei der
Differenzbildung D elektrisch unterschiedlich ein, so daß
sich die Signale UMb und URb ergeben, deren Differenz dann
Null ist (ΔU=0). Die Gewichtung kann beispielsweise durch
eine rechnergesteuerte Veränderung von Verstärkungsfaktoren
bei der Differenzbildung D eingestellt werden.
Neben der Abstimmung AN auf Null aufgrund des natürlichen
Intensitätsunterschieds ΔIN können mit dieser Abstimmung AN
auch Matrix-Effekte weitgehend kompensiert werden. Dazu wird
in der Abstimmungsstufe b beispielsweise eine das Meßergebnis
gegebenenfalls verfälschende Substratscheibe (ohne absorbie
rende Schicht) oder ein Lösungsmittel (ohne die zu analy
sierende Substanz) in den Strahlengang S eingebracht und die
Intensitätsdifferenz ΔI auf Null abgestimmt.
Nach Durchführung der Abstimmungsmessung in der Abstim
mungsstufe b mit der optischen Abstimmung OA oder der
elektronischen Abstimmung EA und gegebenenfalls einer
Kompensation von Matrix-Effekten wird jetzt der natürliche
Intensitätsunterschied ΔIN durch seine automatische Berück
sichtigung B in seinem Einfluß auf das Meßergebnis stets
neutralisiert. Es kann jetzt in der Meßstufe c die eigent
liche Messung erfolgen. Dazu wird das zu untersuchende
Material MA in den Strahlengang S eingebracht, so daß Meß-
und Referenzlichtstrahl M, R transmittieren. Dabei wird der
Meßlichtstrahl M aufgrund seiner Meßwellenlänge λM, die ober
halb der Absorptionskante bzw. im Bereich einer Absorptions
bande des Materials MA gewählt wurde, von dem Material MA
optimal absorbiert. Weiterhin wird er durch zusätzliche Stör
einflüsse, insbesondere Reflexion und Streuung, geschwächt.
Seine Grundintensität IMa erniedrigt sich auf die Trans
missionsintensität IMc. Der Referenzlichtstrahl R hingegen
weist die Referenzwellenlänge λR auf, die im transparenten
Spektralbereich des zu untersuchenden Materials MA nahe der
Meßwellenlänge λM gewählt ist. Er wird deshalb nur unwesent
lich von dem Material MA absorbiert, sondern unterliegt in
der Hauptsache den auftretenden Störeinflüssen. Seine
Abstimmungsintensität IRb (bei optischer Abstimmung OA; IRa
bei elektronischer Abstimmung EA) erniedrigt sich auf die
Transmissionsintensität IRc, die aber in jedem Falle noch
größer ist als die Transmissionsintensität IMc des Meßlicht
strahls M. Durch die nachfolgende Detektion DE ergeben sich
dann die Meß- und Referenzsignale UMc und URc (bei optischer
Abstimmung OA; URa bei elektronischer Abstimmung EA). Diese
werden der analogen Differenzbildung D nunmehr unter auto
matischer Berücksichtigung B des natürlichen Intensitäts
unterschieds ΔIN zugeführt. Das schnelle und hochgenaue
Meßergebnis dieser Differenzbildung D als direkt gemessener
Wert ist die Lichtabsorption LA durch das zu untersuchende
Material MA. Alle Störeinflüsse wurden bei der Differenz
bildung D weitgehend kompensiert.
Die Meßergebnisse der Lichtabsorptionen LA können anschlie
ßend beispielsweise in einer grafischen Darstellung GD
verarbeitet werden. Die Darstellung kann kontinuierlich oder
diskret je nach Art der Detektion DE, sowie ortsunabhängig
über die gesamte Meßzeit t oder abhängig vom Meßort x je nach
Art des zu untersuchenden Materials MA erfolgen.
In der Fig. 2 ist eine besonders bevorzugte Ausführungsform
zur Durchführung des Meßverfahrens in schematischer Form
dargestellt. Charakteristisch für diese Ausführungsform ist,
daß sie eine einzige Lichtquelle 20 und zwei Detektoren 21, 22
aufweist. Die Detektion DE erfolgt damit exakt gleichzeitig.
Das zu untersuchende Material MA ist im dargestellten
Beispiel ein Festkörper, dessen Dicke durch Messung der
Lichtabsorption LA ermittelt werden soll. Bei dem Festkörper
handelt es sich um einen epitaktischen Halbleiterchip 23 mit
einer absorbierenden InGaAsP-Schicht 24, die auf einer trans
parenten InP-Schicht 25 epitaktisch aufgewachsen ist. Die
absorbierende Schicht 24 weist eine Dicke zwischen 0,01 und 2 µm,
die transparente Schicht 25 eine Dicke um 300 µm auf.
Ausgehend von der Lichtquelle 20 wird ein gemeinsamer
Strahlengang S zunächst durch eine erste Sammellinse 26, dann
durch ein Raumfilter 27 und danach durch eine zweite
Sammellinse 28 zur besseren Strahlbündelung geleitet. Das
Raumfilter 27 stellt einen Lichtquellenersatz dar und dient
mit seiner starken Blende einer verbesserten Strahlfokus
sierung für eine hochgenaue Meßort-Auflösung. Hinter dem
Raumfilter 27 ist ein rotierender Chopper 29 angeordnet, der
den Strahlengang S als Wechsellicht, im Beispiel mit einer
Frequenz f von 1 kHz, taktet. Hierdurch kann - wie später
noch weiter ausgeführt wird - die allgemein bekannte Lock-In-
Verstärkungstechnik eingesetzt werden. Hinter der zweiten
Sammellinse 28 fällt der Strahlengang S auf einen
Umlenkspiegel 30 und von dort durch eine dritte Sammellinse
31 auf den Halbleiterchip 23, der auf einem in zwei
Richtungen x, y verfahrbaren Meßtisch 32 angeordnet ist. Ein
Fokussierungspunkt 33 liegt aufgrund der glatten Rückseite 25
des Halbleiterchips 23 auf dessen Oberseite 24. Bei einem zu
untersuchenden Festkörper mit einer rauhen Rückseite läge der
Fokussierungspunkt 33 auf dieser rauhen Rückseite, um das
Streulicht möglichst vollständig erfassen zu können. Der
Durchmesser des Fokussierungspunkts 33 ist abhängig von der
Qualität des Strahlengangs S und kann mit guter Genauigkeit
100 µm und weniger betragen.
Hinter dem Halbleiterchip 23 ist eine vierte Sammellinse 34
zur Strahlparallelisierung angeordnet, die eine große Apertur
entsprechend des Streuwinkels des auftretenden Streulichts
aufweist. Hinter dieser vierten Sammellinse 34 wird der
Strahlengang S auf einen Strahlteiler 35 geleitet, der den
Strahlengang S in zwei Einzelstrahlen 36, 37 aufteilt.
Aufgrund der Nullabstimmung ist das Teilungsverhältnis des
Strahlteilers 35 nicht von Interesse, es wird automatisch
berücksichtigt. Aus dem vom Strahlteiler 35 abgelenkten
Einzelstrahl 36 wird mit einem Meßwellenlängen-Filter 38 der
Meßlichtstrahl M mit der Meßwellenlänge λM herausgefiltert.
Diese ist entsprechend der Bandkante der absorbierenden
InGaAsP-Schicht 24 des Halbleiterchips 23 so gewählt, daß der
Meßlichtstrahl M maximal absorbiert wird. Außerdem erfährt er
bei der Transmission noch eine Schwächung durch auftretende
Störeffekte, in der Hauptsache Reflexion und Streuung. Der
durch den Strahlteiler 35 hindurchtretende Einzelstrahl 37
wird durch einen Referenzwellenlängen-Filter 39 geleitet,
wodurch der Referenzlichtstrahl R mit der Referenzwellenlänge
λR selektiert wird. Die Referenzwellenlänge λR ist im
transparenten Spektralbereich der InGaAsP-Schicht 24 in der
Nähe der Bandkante so gewählt, daß die Lichtabsorption LA nur
minimal ist. Deswegen wird der Referenzlichtstrahl R bei der
Transmission durch den Halbleiterchip 23 in der Hauptsache
durch die Störeffekte geschwächt.
Im dargestellten Ausführungsbeispiel wird der natürliche
Intensitätsunterschied ΔIN (s. Fig. 1) zwischen Meß- und
Referenzlichtstrahl M, R durch eine optische Abstimmung OA
automatisch ausgeglichen. Hierzu ist ein variables Grau
filter 40 im Referenzlichtstrahl R angeordnet. Dieses kann
von Hand über eine Mikrometerschraube oder motorisch über
eine Rechnersteuerung in seiner Stellung verändert werden.
Nach der künstlichen Intensitätsschwächung durch das
Graufilter 40 wird der Referenzlichtstrahl R dann durch eine
fünfte Sammellinse 41 auf den ersten Detektor 21 geleitet.
Der Meßlichtstrahl M fällt ohne weitere Beeinflussung durch
eine sechste Sammellinse 42 auf den zweiten Detektor 22. Die
absolut gleichzeitige Detektion DE mit den Detektoren 21, 22
wird durch die beschriebene Anordnung dadurch ermöglicht, daß
der eine Lichtstrahl S nach der Materialtransmission optisch
geteilt wird und aus den entstandenen Einzelstrahlen 35, 36
Meß- und Referenzlichtstrahl M, R herausgefiltert werden.
Jeder der beiden Detektoren 21, 22, bei denen es sich im
Beispiel um InGaAs- oder Ge-Photodioden handelt, ist mit
einem elektrischen Vorverstärker 43, 44 verbunden, die den von
den Detektoren 21, 22 erzeugten Photostrom in Meß- und
Referenzsignal UM, UR in Form von Spannungen umwandeln. Mit
Hilfe dieser Vorverstärker 43, 44 kann auch ein elektronischer
Abgleich durch rechnergesteuerte Variation ihrer
Verstärkungsfaktoren durchgeführt werden.
Die erzeugten Meß- und Referenzsignale UM, UR werden dann
einer analogen gemeinsamen Erfassung E in Form eines
Differenzverstärkers 45 zugeleitet, der aus den analogen
Einzelsignalen UM, UR die Signaldifferenz ΔU als Maß für die
gesuchte Lichtabsorption LA bildet. Da diese Signaldifferenz
ΔU sehr klein ist, kann sie mit hoher Auflösegenauigkeit
gemessen werden. Bei dem Differenzverstärker 45 handelt es
sich um einen ersten Lock-In-Verstärker 46, mit dem frequenz-
und phasenselektiv allgemeine Störeinflüsse unterdrückt
werden können. Nur die gesuchten Meß- und Referenzsignale
UM, UR werden von diesem ersten Lock-In-Verstärker 46 aufgrund
ihrer mit dem Chopper 29 aufgeprägten Wechselfrequenz f
phasenselektiv bearbeitet. Mit einem zweiten Lock-In-Verstär
ker 47 wird simultan zur analog ermittelten Signaldifferenz
ΔU das Referenzsignal UR gemessen. Beide Meßgrößen ΔU, UR sind
zur Berechnung der Schichtdicke erforderlich. Diese
Berechnung erfolgt im dargestellten Ausführungsbeispiel mit
einem Computer 48 (Atari, VME-Bus, Rhotron). Mit diesem
Computer 48 werden auch der Meßtisch 32 und das variable
Graufilter 40 gesteuert und eine erforderliche Kalibrierung
durchgeführt. Im Fall einer elektronischen Abstimmung EA kann
der Computer 48 auch die Steuerung der Vorverstärkungs
faktoren übernehmen. Die berechneten Schichtdicken werden
dann an einen Plotter 49 weitergeleitet, mit dem im Beispiel
ein dreidimensionales Schichtdicken-Mapping von dem Halb
leiterchip 23 hergestellt wird. Eine getrennte, direkte
Darstellung der analog ermittelten Absorptionswerte
(GD; s. Fig. 1) ist bei diesem Ausführungsbeispiel nicht
vorgesehen.
In Fig. 3 ist eine Ausführungsanordnung zur Durchführung des
Meßverfahrens schematisch dargestellt, die sich von dem
Ausführungsbeispiel in Fig. 2 im wesentlichen darin unter
scheidet, daß nur ein einziger Detektor 60 verwendet wird.
Die Detektion DE erfolgt damit quasi-gleichzeitig. Die
Elemente, die mit dem optischen Aufbau in Fig. 2
übereinstimmen, sind mit denselben Bezugszeichen versehen und
werden hier nicht weiter erläutert.
Im dargestellten Ausführungsbeispiel wird der erste Einzel
strahl 36 durch einen weiteren Umlenkspiegel 61 parallel zum
zweiten Einzelstrahl 37 geführt. Meß- und Referenzlichtstrahl
M, R werden mit einem ersten Chopper 62 in einer ersten
Frequenz f1 gemeinsam alternierend getaktet, und der
Referenzlichtstrahl R mit einem zweiten Chopper 63 in einer
zweiten Frequenz f2 zusätzlich getaktet. Die erste Taktung
mit der Frequenz f1 bewirkt, daß Meß- und Referenzlichtstrahl
M, R zeitlich schnell alternierend über eine weitere
Sammellinse 64 auf den einen Detektor 60 geleitet werden.
Zusätzlich erforderlich ist dafür eine optische Einkopplung
des Referenzlichtstrahls R in den Strahlengang des Meßlicht
strahls M. Dies erfolgt über einen dritten Umlenkspiegel 65
und einen zweiten Strahlteiler 66. Über die beschriebene
Einkopplungsanordnung 65,66 wird der Referenzlichtstrahl R
noch zusätzlich mit der durch den zweiten Chopper 63
eingestellten Frequenz f2 dem Detektor 60 zugeführt. Der
einzige Detektor 60 detektiert daher in der ersten Frequenz
f1 abwechselnd Meß- und Referenzlichtstrahl M,R und in der
zweiten Frequenz f2 nur den Referenzlichtstrahl R.
Die detektierten Meß- und Referenzsignale UM, UR werden dann
einem einzigen Vorverstärker 67 zugeführt. Da die Signale
UM, UR nur mit dem einen Detektor 60 und dem einen
Vorverstärker 67 bearbeitet werden, ist eine mögliche Drift
zwischen mehreren Detektoren und Vorverstärkern vermieden.
Die automatische Berücksichtigung B des natürlichen Intensi
tätsunterschieds ΔIN erfolgt ausschließlich durch die
optische Abstimmung OA. Aufgrund der unterschiedlichen
Modulation wird dann aus Meß- und Referenzsignal UM, UR mit
dem ersten Lock-In-Verstärker 46 bzw. dem Differenzverstärker
45 die Differenz ΔU gebildet, wobei der erste Lock-In-
Verstärker 46 über eine Leitung 68 mit der Frequenz f1 des
ersten Choppers 62 korreliert ist. Mit dem zweiten Lock-In-
Verstärker 47 wird das Referenzsignal UR zusätzlich bereit
gestellt. Über eine Leitung 69 wird dabei der zweite Lock-In-
Verstärker 47 mit der Frequenz f2 des zweiten Choppers 63
korreliert. Die Auswertung erfolgt über den Computer 48.
Dargestellt sind noch zusätzlich Steuerleitungen 70, 71 zur
automatischen Steuerung des Meßtischs 32 und des variablen
Graufilters 40 zur optischen Abstimmung OA.
Fig. 4 zeigt ausschnittsweise eine Meßanordnung für das
Verfahren, die sich von den beiden vorhergehenden
Ausführungsbeispielen in den Fig. 2 und 3 in der Erzeugung
von Meß- und Referenzlichtstrahl M, R unterscheidet. Diese
werden in den bereits beschriebenen Anordnungen durch
Herausfilterung aus zwei Einzelstrahlen erzeugt, die durch
optische Aufteilung eines einzigen Lichtstrahls einer
Lichtquelle entstehen. Bei dem in der Fig. 4 dargestellten
Aufbau werden Meß- und Referenzlichtstrahl M, R direkt mittels
zweier monochromatischer Lichtquellen erzeugt. Im gewählten
Beispiel handelt es sich dabei um zwei leistungs
stabilisierte Laserdioden 80, 81 mit den entsprechend dem zu
untersuchenden Material MA gewählten Wellenlängen λM und λR.
Durch Verwendung von scharf gebündeltem Laserlicht wird eine
sehr hohe Ortsauflösung im Bereich von wenigen µm erreicht.
Außerdem ist eine elektronische Abstimmung EA (s. Fig. 1) durch
Leistungsregelung der entsprechenden Laserdiode 80, 81 möglich
(nicht dargestellt).
Der weitere Strahlengang von Meß- und Referenzlichtstrahl M, R
entspricht im wesentlichen dem aus Fig. 3. Zunächst werden
Meß- und Referenzlichtstrahl M, R zur weiteren Bündelung über
Sammellinsen 82, 83 geleitet und danach durch einen Chopper 84
gemeinsam alternierend in einer Frequenz f3 getaktet.
Zusätzlich wird - aus den bereits beschriebenen Gründen - dem
Referenzlichtstrahl R mit einem zweiten Chopper 85 noch die
Frequenz f4 aufgeprägt. Da die verwendeten Laserdioden 80, 81
auch im Wechselbetrieb sehr stabile Ausgangssignale erzeugen,
können die mechanischen Chopper 84, 85 auch durch eine
elektrische Modulation ersetzt werden (nicht dargestellt).
Dazu ist es lediglich erforderlich, die beiden Laserdioden
80, 81 im Wechselstrombetrieb mit einer Phasenverschiebung von
180° anzusteuern, so daß sie alternierend ein- und
ausgeschaltet werden. Zur Einkopplung des Referenzlicht
strahls R in den Strahlengang S des Meßlichtstrahls M für
einen identischen Meßort auf dem zu untersuchenden Material
MA wird der Referenzlichtstrahl R zunächst über einen
Umlenkspiegel 86 und dann über einen Strahlteiler 87
geleitet. Beide Strahlen M, R werden im dargestellten
Ausführungsbeispiel - zum Beispiel aus Platzgründen - noch
über einen weiteren Umlenkspiegel 88 in ihrer Richtung um 90°
geschwenkt. Vor und hinter dem zu untersuchenden Material MA
ist wiederum je eine Sammellinse 89, 90 vorgesehen. Das zu
untersuchende Material MA ist in den Richtungen x, y durch
einen nicht dargestellten Meßtisch (32; s. Fig. 3) verschiebbar
angeordnet. Die Detektion DE erfolgt durch einen einzigen
Detektor 91, der identisch mit dem Detektor 60 aus Fig. 3
sein kann.
Der weitere Aufbau hinter dem Detektor 91 stimmt mit dem in
Fig. 3 überein und ist daher hier nicht weiter dargestellt.
Ebenfalls nicht dargestellt ist die automatische Berück
sichtigung des natürlichen Intensitätsunterschieds IN. Diese
kann in schon beschriebener Weise durch eine optische
Abstimmung (OA; s. Fig. 2) durch Schwächung des entsprechenden
Lichtstrahls vor dem Chopper 84 erfolgen oder durch eine
elektronische Abstimmung (EA; s. Fig. 2) mittels einer
Leistungsregelung der entsprechenden Laserdiode 80, 81.
Der in Fig. 5 dargestelle Ausschnitt einer Anordnung zur
Durchführung des Verfahrens stimmt im wesentlichen mit dem
beschriebenen Aufbau in Fig. 2 überein, der einzige
Unterschied besteht darin, daß die Detektion DE (in Fig. 5 nur
angedeutet) auf einer Auflichtseite 100 des zu untersuchenden
Materials MA erfolgt. Wegen der sonstigen Übereinstimmung
sind die bereits beschriebenen Einzelheiten mit denselben
Bezugszeichen gekennzeichnet wie in Fig. 2; der in Fig. 5
nicht dargestellte Aufbau von Detektion, Erfassung,
Abstimmung und Auswertung ist identisch mit dem in Fig. 2
und wird hier nicht näher erläutert.
Die in Fig. 5 gezeigte Anordnung ist immer dann sinnvoll,
wenn das zu untersuchende Material MA die Transmission von
Meß- und Referenzlichtstrahl M, R nicht zuläßt oder wenn
aufgrund bestimmter Anordnungen des Materials MA kein Platz
für die Durchlicht-Beleuchtung vorhanden ist. In der Fig. 5
ist eine Auflichtanordnung für einen Festkörper dargestellt.
Einsetzbar ist diese Anordnung aber beispielsweise auch für
eine Prozeßbeobachtung von flüssigen oder gasförmigen Medien.
Wesentlich ist, daß das zu untersuchende Material MA, im
gewählten Ausführungsbeispiel soll eine absorbierende Schicht
101 eines Festkörpers in seiner Dicke bestimmt werden, auf
seiner Rückseite 102, die von einem transparenten Substrat
103 gebildet wird, einen Reflektor 104 aufweist. Im
dargestellten Beispiel handelt es sich hierbei um einen mit
dem transparenten Substrat 103 fest verbundenen Metall-
Träger. Es kann sich aber auch um einen aufgedampften Metall-
Kontakt (z. B. aus Au) oder um einen externen Spiegel handeln.
Der Strahlengang S wird über einen halbdurchlässigen Spiegel
105 auf das zu untersuchende Material MA geleitet. An dem
Reflektor 104 wird er reflektiert, tritt dann durch den
Spiegel 105 und wird in schon beschriebener Weise (Fig. 2) der
Detektion DE zugeführt. Die Beleuchtung durch die Lichtquelle
20 und die Detektion DE liegen also beide auf der
Auflichtseite 100 des zu untersuchenden Materials MA, was
auch eine Platzeinsparung bedeutet.
Beachtet und in der Auswertung entsprechend berücksichtigt
werden muß bei dieser Art der Anordnung, daß der
Meßlichtstrahl M zweimal von der absorbierenden Schicht 101
geschwächt wird und daß die zu detektierende Intensität IRc
(s. Fig. 1) des Referenzlichtstrahls R zwei Reflexionsanteile
durch Reflexion an der Oberfläche der absorbierenden Schicht
101 und an dem Reflektor 104 aufweist.
Ist der Reflexionsanteil an der Oberfläche der absorbierenden
Schicht 101 unbekannt, so kann dieser durch eine Beleuchtung
des Materials MA nach dem Dunkelfeld-Prinzip von der
Detektion DE ausgenommen werden. Die Anordnung nach diesem
Prinzip ist zwar in der Fig. 5 nicht dargestellt, soll aber
an dieser Stelle kurz erläutert werden, da sie sich von der
dargestellten Anordnung nur in Details unterscheidet. Um den
an der Oberfläche der absorbierenden Schicht 101 reflek
tierten Lichtanteil auszublenden, damit er nicht fälsch
licherweise für die Absorptionsmessung detektiert wird, wird
der Strahlengang S über einen sehr kleinen Umlenkspiegel
(statt halbdurchlässigem Spiegel 105) auf das zu unter
suchende Material MA gelenkt. Alternativ ist auch ein großer
Umlenkspiegel mit einem kleinen Loch und einer Vertauschung
von Lichtquelle 20 und Detektion DE möglich. Der Lichteinfall
erfolgt senkrecht zu dem Material MA und ist auf die
Oberfläche der absorbierenden Schicht 101 fokussiert. Dadurch
wird der an der Oberfläche reflektierte Lichtanteil exakt im
Strahlengang S über den kleinen Umlenkspiegel zur Lichtquelle
20 zurückgeleitet. Er gelangt nicht in den Detektions
strahlengang. Derselbe Effekt wird auch erreicht, wenn statt
einer Fokussierung parallele Lichtstrahlen auf das zu
untersuchende Material MA fallen, beispielsweise durch
Anordnung des kleinen Umlenkspiegels zwischen der vierten
Sammellinse 34 und dem zu untersuchenden Material MA.
Der durch die absorbierende und die transparente Schicht
101, 103 hindurchgehende Lichtanteil wird an dem Reflektor 104
reflektiert. Dieser ist hierbei opak ausgebildet, so daß der
Lichtanteil in einem großen Raumwinkel reflektiert wird (den
gleichen Effekt bewirkt auch eine rauhe, streuende Rückseite
des zu untersuchenden Materials MA). Das reflektierte Licht
wird dann von der vierten Sammellinse 34, die eine ent
sprechend große Apertur aufweist, erfaßt und an dem kleinen
Umlenkspiegel vorbei in den Detektionsstrahlengang zur
Detektion DE geleitet. Bei der Auswertung ist dann wiederum
die zweimalige Absorption des detektierten Lichtanteils zu
berücksichtigen.
In Fig. 6 ist ein Anordnungsbeispiel für die Kombination des
Meßverfahrens für kleine Lichtabsorptionen mit dem an sich
bekannten Lumineszenzverfahren dargestellt. Im folgenden wird
dieses Verfahren nur ganz prinzipiell zur Herstellung des
Zusammenhangs erläutert, wesentlich für die Erfindung ist die
Kopplung beider Verfahren, die eine deutliche Verbesserung
bezüglich Ablauf und Dauer der Verfahren durch die nur einmal
erforderliche Justage des zu untersuchenden Materials MA
sowie durch die Zuordnung der mit den beiden Methoden
gemessenen Parameter zu identischen Probenpunkten erzielt.
Weiterhin werden die in Fig. 2 verwendeten Bezugszeichen,
soweit es sich um identische Anordnungsteile handelt,
übernommen.
Das Lumineszenz-Verfahren dient der Ermittlung charakte
ristischer Eigenschaften von Halbleitermaterialien, insbeson
dere der Bandkante (Absorptionskante). In technologisch
wichtigen Mischkristallen wie InGaAsP oder GaAlAs kann die
Bandkante durch das Mischungsverhältnis eingestellt werden.
Die Bandkante ist einer der wichtigsten Designparameter in
optoelektronischen Bauelementen. Aus Lumineszenz-Emissions
spektren kann dieser Parameter ermittelt werden. Für das
Meßverfahren zur Bestimmung kleiner Lichtabsorptionen ist
wichtig, daß aus Kenntnis der Bandkante die Meßwellenlänge
optimal gewählt und der Absorptionskoeffizient der jeweils zu
untersuchenden Schicht bei dieser Meßwellenlänge abgeleitet
werden kann. Zur Durchführung des Lumineszenz-Meßverfahrens
wird die absorbierende Schicht 24 des zu untersuchenden
Materials MA mit monochromatischem Licht einer Laserdiode
120, die aus einer Stromversorgung 121 gespeist wird,
bestrahlt. Dazu verläuft der Strahlengang S des Lichts über
eine erste Sammellinse 122, einen Farbfilter 123 zur
Herausfilterung von Untergrundstörungen, einen dichroitischen
Spiegel 124, einen Umlenkspiegel 125 und eine zweite
Sammellinse 126. Das Material MA wird von dem Licht zur
Emission charakteristischer Strahlung angeregt (Lumineszenz-
Effekt). Diese emittierte Lumineszenz-Strahlung wird über den
Umlenkspiegel 125 wiederum dem dichroitischen Spiegel 124
zugeführt. Dieser hat die Eigenschaft, daß er Licht abhängig
von dessen Wellenlänge entweder reflektiert oder passieren
läßt. Er ist so eingestellt, daß das Licht der Laserdiode 120
reflektiert wird, während das emittierte Licht des zu
untersuchenden Materials MA hindurchgelassen wird (in Fig. 6
durch die Pfeile angedeutet). Nach Passieren eines weiteren
Farbfilters 127 zum Abblocken der Laser-Reststrahlung wird
die Lumineszenz-Strahlung mit einer dritten Sammellinse 128
in einen durchstimmbaren Monochromator 129 abgebildet. Mit
einer motorischen Verstellung 130 wird der Monochromator 129
in der Wellenlänge variiert. Das spektral selektierte Licht
wird hinter dem Monochromator 129 mit einer vierten
Sammellinse 131 auf einen Detektor 132 abgebildet und mit
diesem das Emissionsspektrum aufgenommen.
In den Strahlengang S vor dem Monochromator 129 kann ein
zweiter Umlenkspiegel 133 eingebracht und so die integrale
Lumineszenz - ein wichtiges Maß für die Kristallqualität -
mit einem weiteren Detektor 134 gemessen werden. Die Signale
der Detektoren 132, 134 werden auf Differenzeingänge eines
Lock-In-Verstärkers 135 gegeben, wobei über einen Schalter
136 der jeweils nicht benötigte Detektor 132, 134 kurz
geschlossen wird. Die Steuerung der Wellenlängenverstellung
130 und des Meßtischs 32 über einen Schrittmotor 137 werden
von einem Computer 138 ausgeführt. Dieser dient gleichzeitig
der Auswertung.
Das Meßverfahren zur Bestimmung kleiner Lichtabsorptionen LA
wird nun folgendermaßen in den beschriebenen Aufbau für das
Lumineszenz-Meßverfahren eingekoppelt: Der von der Licht
quelle 20 ausgehende Strahlengang S wird zunächst in bereits
beschriebener Weise über eine Anordnung aus fünfter
Sammellinse 139, Raumfilter 27, Chopper 29 und sechster
Sammellinse 140 auf einen dritten Umlenkspiegel 141 geleitet.
Dieser lenkt den Strahlengang S über eine siebte Sammellinse
142 auf das zu untersuchende Material MA. Nach der Trans
mission wird der Strahlengang S über die zweite Sammellinse
126, den Umlenkspiegel 125, den dichroitischen Spiegel 124,
der im dargestellten Beispiel nur die Wellenlänge des Lichts
der Laserdiode 120 nicht hindurchtreten läßt, das Farbfilter
127 und die dritte Sammellinse 128 geführt. Statt des zweiten
Umlenkspiegels 133 wird nun ein Strahlteiler 143 in den
Strahlengang eingebracht. Dieser teilt den Lichtstrahl S in
einen ersten Teillichtstrahl 144 und einen zweiten Teillicht
strahl 145 auf. Der reflektierte erste Teillichtstrahl 144
wird dann durch das jetzt eingefügte Referenzwellenlängen-
Filter 39 gefiltert, so daß der Referenzlichtstrahl R
entsteht. Der Monochromator 129 wird auf die Meßwellenlänge
λM eingestellt, und aus dem zweiten Teillichtstrahl 130 wird
der Meßlichtstrahl M herausgefiltert. Meß- und Referenzlicht
strahl M, R werden dann mit den Detektoren 132 und 134
gleichzeitig detektiert und Meß- und Referenzsignal UM, UR der
Differenzbildung D zugeführt. Der Schalter 136 ist dabei in
einer Nullstellung und schließt keinen der beiden Detektoren
132, 134 kurz. Zur Gewinnung des Referenzsignals UR kann
entweder kurzzeitig der Detektor 132 über den Schalter 136
kurzgeschlossen werden oder das Referenzsignal UR wird zur
Erreichung einer hohen Meßgeschwindigkeit parallel auf einen
zweiten Lock-In-Verstärker geleitet (nicht dargestellt) .
Differenzsignal ΔU und Referenzsignal UR sind - wie bereits
ausgeführt - zur Berechnung der Schichtdicke des zu unter
suchenden Materials MA aus den gemessenen kleinen Licht
absorptionen erforderlich. Die für die direkte Messung der
kleinen Lichtabsorptionen erforderliche automatische Berück
sichtigung B des natürlichen Intensitätsunterschieds ΔIN
erfolgt bei der dargestellten Anordnung zur gekoppelten
Durchführung beider Meßverfahren durch die elektronische
Abstimmung EA bei der Differenzbildung D.
Claims (14)
1. Meßverfahren zur Bestimmung kleiner Lichtabsorptionen in
beliebigen Materialien mit einer zumindest quasi-gleichzei
tigen Detektion der Transmissionsintensitäten eines Meß- und
eines Referenzlichtstrahls derart unterschiedlicher Wellen
längen, daß im wesentlichen der Meßlichtstrahl absorbiert
wird, und mit einer analogen gemeinsamen Erfassung der
detektierten Meß- und Referenzsignale unter Berücksichtigung
des natürlichen Intensitätsunterschieds zwischen Meß- und
Referenzlichtstrahl,
dadurch gekennzeichnet, daß
die kleinen Lichtabsorptionen (LA) direkt gemessen werden
durch die analoge gemeinsame Erfassung (E) der detektierten
Meß- und Referenzsignale (UMc, URc) in Form einer Differenz
bildung (D) unter automatischer Berücksichtigung (B) des
natürlichen Intensitätsunterschieds (ΔIN) zwischen Meß- und
Referenzlichtstrahl (M, R) durch eine Abstimmung (AN) der
gebildeten Differenz (ΔIN) auf Null (ΔIB) bei einer Messung
(b) ohne das zu untersuchende Material (MA) (Fig. 1).
2. Meßverfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Abstimmung (AN) der gebildeten Differenz (ΔIN) auf Null
(ΔIb) optisch (OA) durch Schwächung der Intensität (IRa) des
stärkeren der beiden Lichtstrahlen (R) erfolgt (Fig. 1).
3. Meßverfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Abstimmung (AN) der gebildeten Differenz (ΔIN) auf Null
(ΔIb) elektronisch (EA) durch Einstellen einer entsprechenden
Gewichtung bei der Differenzbildung (D) erfolgt (Fig. 1) .
4. Meßverfahren nach Anspruch 2 oder 3,
dadurch gekennzeichnet, daß
Meß- und Referenzlichtstrahl (M, R) jeweils von einer
monochromatischen Lichtquelle (80, 81) erzeugt werden (Fig. 4).
5. Meßverfahren nach Anspruch 2 oder 3,
dadurch gekennzeichnet, daß
Meß- und Referenzlichtstrahl (M, R) aus einem nach der
Material-Transmission optisch geteilten (35) Lichtstrahl
einer einzigen Lichtquelle (20) herausgefiltert werden
(Fig. 2).
6. Meßverfahren nach Anspruch 4 oder 5,
dadurch gekennzeichnet, daß
Meß- und Referenzlichtstrahl (M, R) alternierend in einer
ersten (f1) und der Referenzlichtstrahl (R) zusätzlich in
einer zweiten (f2) Frequenz getaktet werden (Fig. 3) .
7. Meßverfahren nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet, daß
der gemeinsame Lichtstrahl getaktet (29) wird (Fig. 2).
8. Meßverfahren nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Detektion (DE) der Transmissionsintensitäten (IMc, IRc)
von Meß- und Referenzlichtstrahl (M, R) gleichzeitig erfolgt
(Fig. 1).
9. Meßverfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß
die kleinen Lichtabsorptionen (LA) ortsabhängig (32) gemessen
werden (Fig. 2).
10. Meßverfahren nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet, daß
Meß- und Referenzlichtstrahl (M, R) auf den Meßort fokussiert
(33) werden (Fig. 2).
11. Meßverfahren nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet, daß
bei einem Festkörper mit rauher Rückseite als zu unter
suchendes Material der Fokus auf dessen Rückseite liegt.
12. Meßverfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß
bei einem zu untersuchenden Material (MA) mit opaker oder
reflektierender Rückseite (102) die Detektion (DE) der
Transmissionsintensitäten (IMc, IRc) auf der Auflichtseite
(100) erfolgt (Fig. 5).
13. Meßverfahren nach Anspruch 12,
dadurch gekennzeichnet, daß
das zu untersuchende Material (MA) nach dem Dunkelfeld-
Prinzip beleuchtet wird.
14. Meßverfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß
es mit dem Lumineszenz-Meßverfahren zur Ermittlung der
charakteristischen Eigenschaften des zu untersuchenden
Materials (MA) gekoppelt ist (Fig. 6).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19914106042 DE4106042A1 (de) | 1990-02-22 | 1991-02-22 | Messverfahren zur bestimmung kleiner lichtabsorptionen |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4005864 | 1990-02-22 | ||
DE19914106042 DE4106042A1 (de) | 1990-02-22 | 1991-02-22 | Messverfahren zur bestimmung kleiner lichtabsorptionen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4106042A1 true DE4106042A1 (de) | 1991-08-29 |
Family
ID=25890493
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19914106042 Withdrawn DE4106042A1 (de) | 1990-02-22 | 1991-02-22 | Messverfahren zur bestimmung kleiner lichtabsorptionen |
Country Status (1)
Country | Link |
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-
1991
- 1991-02-22 DE DE19914106042 patent/DE4106042A1/de not_active Withdrawn
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