DE4103294C2 - Verfahren zum Herstellen von keramischen Leiterplatten mit Durchkontaktierungen - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von keramischen Leiterplatten mit DurchkontaktierungenInfo
- Publication number
- DE4103294C2 DE4103294C2 DE4103294A DE4103294A DE4103294C2 DE 4103294 C2 DE4103294 C2 DE 4103294C2 DE 4103294 A DE4103294 A DE 4103294A DE 4103294 A DE4103294 A DE 4103294A DE 4103294 C2 DE4103294 C2 DE 4103294C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- metal
- powder
- copper
- vias
- printed circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 9
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- JJLJMEJHUUYSSY-UHFFFAOYSA-L Copper hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Cu+2] JJLJMEJHUUYSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 239000005750 Copper hydroxide Substances 0.000 claims 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims 1
- 229910001956 copper hydroxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 Copper Chemical class 0.000 description 1
- LTXPJHHNLLTWOH-UHFFFAOYSA-L [Cu].[Cu](O)O Chemical compound [Cu].[Cu](O)O LTXPJHHNLLTWOH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/486—Via connections through the substrate with or without pins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4867—Applying pastes or inks, e.g. screen printing
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
- H05K3/4053—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques
- H05K3/4061—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques for via connections in inorganic insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0335—Layered conductors or foils
- H05K2201/0355—Metal foils
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0388—Other aspects of conductors
- H05K2201/0394—Conductor crossing over a hole in the substrate or a gap between two separate substrate parts
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
- H05K2201/09981—Metallised walls
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
- H05K2203/1105—Heating or thermal processing not related to soldering, firing, curing or laminating, e.g. for shaping the substrate or during finish plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
- H05K2203/1131—Sintering, i.e. fusing of metal particles to achieve or improve electrical conductivity
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/12—Using specific substances
- H05K2203/128—Molten metals, e.g. casting thereof, or melting by heating and excluding molten solder
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/102—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by bonding of conductive powder, i.e. metallic powder
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft Verfahren zum Herstellen von keramischen Leiterplatten, die beidseitig
metallisiert und mit elektrisch leitenden Durchkontaktierungen versehen sind.
Die DE 39 36 322 A1 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines keramischen
Substrates mit metallgefüllten Durchgangslöchern für Hybrid-Mikroschaltungen. Das
bekannte Verfahren geht aus von einem gebrannten Aluminiumoxid-Substrat, in das mittels
Laser eine Vielzahl von Löchern gebohrt wurden. Mit Hilfe einer Siebdruckschablone, deren
Druckbild exakt mit den lasergebohrten Löchern übereinstimmen muss, wird zunächst eine
wolframhaltige Dickschichtpaste in die Löcher gepreßt. Anschließend werden Substrat und
Wolframpaste in reduzierender Atmosphäre bei etwa 1375°C gesintert, wobei das
Bindemittel der Paste ausbrennt. Daraufhin wird mit der Siebdruckschablone eine zweite
Paste aus Kupferteilchen und Bindemittel in die Löcher gepreßt. Abschließend wird dieser
Verbund wiederum in reduzierender Atmosphäre auf etwa 1150°C erhitzt, wobei das
Bindemittel ausbrennt und das geschmolzene Kupfer in die Poren der Wolframmasse
einsintert. Dieses mehrstufige Verfahren ist zeit- und kostenaufwendig und setzt eine hoch
präzise Arbeitsweise voraus.
Aus der GB-A-13 52 557, der US-A- 37 44 120, der DE-C-23 19 854
und einer Vielzahl weiterer Publikationen ist bekannt, dass bestimmte Metalle, insbesondere
Kupfer, in einer ein reaktives Gas enthaltenden Atmosphäre und bei Temperaturen unterhalb
des Metallschmelzpunktes unter Bildung eines flüssigen Eutektikums mit Oxidkeramiken
haftfest verbunden werden können. Dieses Verfahren wird allgemein als Direct-Bonding-
Verfahren bezeichnet.
Aus der DE-A-34 34 449 ist ein weiteres Verfahren zur Herstellung eines keramischen
Mehrschichtsubstrates bekannt. Hier werden sowohl zur Herstellung der Leiterbahnen als
auch der Durchkontaktierungen Siebdruckpasten verwendet, die sowohl Metallpulver als
auch Glaspulver enthalten und bei Temperaturen zwischen 600 und 900°C eingebrannt
werden.
Das Herstellen von Durchkontaktierungen nach dieser Methode bei Keramiksubstraten mit
nach dem Direct-Bonding-Verfahren befestigten Leiterbahnen und Kontaktflächen ist jedoch
nachteilig. Zunächst einmal handelt es sich um zusätzliche Arbeitsgänge, dann ist die
Leitfähigkeit der eingebrannten Leiterpasten geringer als die von metallischem Kupfer, die
thermischen Ausdehnungskoeffizienten der eingebrannten Pasten unterscheiden sich von
dem Ausdehnungskoeffizienten des Kupfers und die Pasten sind in der Regel nicht lötbar.
Der vorliegenden Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben,
welches die Herstellung von elektrisch leitenden Durchkontaktierungen im selben
Arbeitsgang mit dem Bonden der metallischen Leiterbahnen und Kontaktflächen auf das
Keramiksubstrat ermöglicht.
Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist äußerst einfach, schnell und preiswert. Das
metallverbindungshaltige Pulver erzeugt in der Bohrung im Keramiksubstrat Kapillarkräfte,
die das Metall der darüberliegenden Leiterbahn bzw. Kontaktfläche in die Öffnung
hineinziehen. Bei sehr feinen Öffnungen werden diese völlig ausgefüllt, bei etwas weiteren
Öffnungen werden deren Wände haftfest bedeckt.
Das Pulver besteht wie schon erwähnt aus einer Verbindung zwischen dem
Metall und dem für das Direct-Bonding-Verfahren verwendeten Gas.
Wie an sich bekannt, eignet sich als Metall insbesondere Kupfer, als Gas Sauerstoff.
Um die Verarbeitung des Pulvers und das Einfüllen desselben in die Löcher zu erleichtern,
kann es mit einem Bindemittel zu einer Paste verarbeitet werden. Im Falle von Kupfer eignet
sich vorzugsweise Kupferhydroxid.
Anhand der Zeichnung soll die Erfindung in Form eines Ausführungsbeispiels näher erläutert
werden. Es zeigen
Fig. 1 einen Teilquerschnitt durch ein Substrat, vorbereitet zum Direct-Bonding-Verfahren
und
Fig. 2 den Teilquerschnitt durch das Substrat der Fig. 1 nach dem Direct-Bonding-
Verfahren.
Fig. 1 zeigt einen Teilquerschnitt durch ein mit einer durchgehenden Öffnung 6 versehenes
Keramiksubstrat 1, üblicherweise aus Aluminiumoxid. Unterseite und Oberseite des
Substrats 1 sind mit Metallfolien oder -blechen 2, 3, wegen der guten Leitfähigkeit und des
geringen Preises üblicherweise aus Kupfer, belegt. Die Öffnung 6 im Keramiksubstrat 1 ist
mit einem Pulver 4 ganz gefüllt, welches das Metall der Folien oder Bleche 2, 3 enthält, und
zwar als Legierung oder chemische Verbindung.
In diesem Zustand werden die Teile in einem Ofen, in dem eine Atmosphäre mit einem
reaktiven Gas aufrechterhalten wird, auf eine Temperatur aufgeheizt, die oberhalb der
eutektischen Temperatur der chemischen Verbindung zwischen Metall und reaktivem Gas
und unterhalb der Schmelztemperatur des Metalls liegt. Im Fall von Kupfer als Metall und
Sauerstoff als reaktivem Gas liegt die Prozeßtemperatur bei ca. 1075°C. Bei dieser
Temperatur entsteht an den Oberflächen der Metallfolien 2, 3 eine flüssige Phase. Die
Kapillarwirkung des Pulvers 4 überwindet die Kohäsion der flüssigen Phase, so dass das
Kupfermaterial in die Öffnung 6 hineingesaugt wird.
Fig. 2 zeigt das Ergebnis nach dem Abkühlen. Das Material des oberen Metallblechs 3 hat
zusammen mit dem Pulver 4 eine Beschichtung 5 der Wand der Öffnung 6 gebildet und sich
gleichzeitig mit dem unteren Metallblech 2 verbunden. Falls eine Durchgangsöffnung
gewünscht ist, kann der Bereich 7 der unteren Metallfolie 2 ausgebohrt werden.
Ob die Durchkontaktierung wie in Fig. 2 abgebildet als teilweise offene Bohrung, als offene
Durchgangsbohrung oder als massiver Metallkontakt ausfällt, hängt im wesentlichen vom
Durchmesser der Öffnung in der Keramik 1 und von der Dicke der Metallbleche 2, 3 ab. In
jedem Fall erhält man sowohl mechanisch als auch elektrisch einwandfreie
Durchkontaktierungen, so dass es möglich wird, durch abwechselndes Stapeln von
Metallfolien und Keramik in einem Arbeitsgang Multilayer-Substrate mit
Durchkontaktierungen zu erzeugen, ohne wie bisher auf die speziell für hochbelastete
elektrische Bauelemente idealen Eigenschaften der nach dem Direct-Bonding-Verfahren
hergestellten Keramik-Kupfer-Substrate verzichten zu müssen.
Claims (4)
1. Verfahren zum Herstellen von keramischen Leiterplatten (1) mit
Durchkontaktierungen, gekennzeichnet durch die Merkmale:
- - Füllen der Öffnungen (6) des Keramiksubstrats mit aus Metallverbindungen bestehendem Pulver (4),
- - beidseitiges Aufbringen von Metallfolien (2, 3),
- - Erwärmen des Verbundes in einer ein reaktives Gas enthaltenden Atmosphäre auf eine Temperatur, die oberhalb der eutektischen Temperatur der chemischen Verbindung zwischen dem Metall der Metallfolien (2, 3) und dem reaktiven Gas und unterhalb der Schmelztemperatur des Metalls liegt, und
- - Abkühlen des Verbundes,
- - wobei als Pulver (4) Metallverbindungen vorgesehen werden, die sich aus der Reaktion des Metalls der Metallfolien (2, 3) und dem reaktiven Gas ergeben.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Pulver (4) mit
einem Bindemittel zu einer Paste verarbeitet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass als Metall für die
Metallfolien (2, 3) Kupfer und als Pulver (4) Kupferoxid vorgesehen werden.
4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Bindemittel
wenigstens teilweise aus Kupferhydroxid besteht.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4103294A DE4103294C2 (de) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | Verfahren zum Herstellen von keramischen Leiterplatten mit Durchkontaktierungen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4103294A DE4103294C2 (de) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | Verfahren zum Herstellen von keramischen Leiterplatten mit Durchkontaktierungen |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE4103294A1 DE4103294A1 (de) | 1992-08-13 |
| DE4103294C2 true DE4103294C2 (de) | 2000-12-28 |
Family
ID=6424339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE4103294A Expired - Fee Related DE4103294C2 (de) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | Verfahren zum Herstellen von keramischen Leiterplatten mit Durchkontaktierungen |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE4103294C2 (de) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4318061C2 (de) * | 1993-06-01 | 1998-06-10 | Schulz Harder Juergen | Verfahren zum Herstellen eines Metall-Keramik-Substrates |
| DE19758452C2 (de) * | 1997-03-01 | 2001-07-26 | Schulz Harder Juergen | Verfahren zum Herstellen eines Metall-Keramik-Substrates und Metall-Keramik-Substrat |
| EP0862209B1 (de) * | 1997-03-01 | 2009-12-16 | Electrovac AG | Verfahren zum Herstellen eines Metall-Keramik-Substrates |
| DE19753149C2 (de) * | 1997-11-12 | 1999-09-30 | Curamik Electronics Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Keramik-Metall-Substrates |
| DE10007414B4 (de) * | 2000-02-18 | 2006-07-06 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG | Verfahren zur Durchkontaktierung eines Substrats für Leistungshalbleitermodule durch Lot und mit dem Verfahren hergestelltes Substrat |
| EP1478216A1 (de) * | 2003-05-14 | 2004-11-17 | A.B. Mikroelektronik Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung einer Trägerplatte für elektrische Schaltungen |
| JP5821389B2 (ja) * | 2011-04-20 | 2015-11-24 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板の製造方法及びパワーモジュール用基板 |
| EP3290399B1 (de) | 2016-08-29 | 2022-03-02 | Infineon Technologies AG | Verfahren zum herstellen eines metall-keramik-substrats mit mindestens einem via |
| DE102017114891A1 (de) * | 2017-07-04 | 2019-01-10 | Rogers Germany Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Durchkontaktierung in einer aus einer Keramik gefertigten Trägerschicht und Trägerschicht mit Durchkontaktierung |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3744120A (en) * | 1972-04-20 | 1973-07-10 | Gen Electric | Direct bonding of metals with a metal-gas eutectic |
| US3766634A (en) * | 1972-04-20 | 1973-10-23 | Gen Electric | Method of direct bonding metals to non-metallic substrates |
| GB1352775A (en) * | 1970-02-20 | 1974-05-08 | Commw Scient Ind Res Org | Chemical reaction processes involving metallic elements |
| DE3434449A1 (de) * | 1983-09-16 | 1985-05-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka | Keramisches mehrschichtsubstrat und verfahren zu seiner herstellung |
| DE3936322A1 (de) * | 1988-11-03 | 1990-05-10 | Micro Strates Inc | Keramisches substrat mit metallgefuellten durchgangsloechern fuer hybrid-mikroschaltungen und verfahren zu deren herstellung |
-
1991
- 1991-02-04 DE DE4103294A patent/DE4103294C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1352775A (en) * | 1970-02-20 | 1974-05-08 | Commw Scient Ind Res Org | Chemical reaction processes involving metallic elements |
| US3744120A (en) * | 1972-04-20 | 1973-07-10 | Gen Electric | Direct bonding of metals with a metal-gas eutectic |
| US3766634A (en) * | 1972-04-20 | 1973-10-23 | Gen Electric | Method of direct bonding metals to non-metallic substrates |
| DE3434449A1 (de) * | 1983-09-16 | 1985-05-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka | Keramisches mehrschichtsubstrat und verfahren zu seiner herstellung |
| DE3936322A1 (de) * | 1988-11-03 | 1990-05-10 | Micro Strates Inc | Keramisches substrat mit metallgefuellten durchgangsloechern fuer hybrid-mikroschaltungen und verfahren zu deren herstellung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4103294A1 (de) | 1992-08-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE10238320B4 (de) | Keramische Leiterplatte und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE102005042554B4 (de) | Metall-Keramik-Substrat und Verfahren zur Herstellung eines Metall-Keramik-Substrats | |
| KR100798263B1 (ko) | 마이크로파 어플리케이션에서의 ｌｔｃｃ 테이프를 위한후막 전도체 페이스트 조성물 | |
| DE3414065A1 (de) | Anordnung bestehend aus mindestens einem auf einem substrat befestigten elektronischen bauelement und verfahren zur herstellung einer derartigen anordnung | |
| DE69736144T2 (de) | Teil für Halbleiter aus Aluminiumnitrid-Substratmaterial und seine Herstellungsmethode | |
| DE2558361A1 (de) | Verfahren zum herstellen von durchgehend metallisierten bohrungen in mehrschichtigen keramischen moduln | |
| DE102009041574A1 (de) | Verbundmaterial, Verfahren zum Herstellen eines Verbundmaterials sowie Kleber oder Bondmaterial | |
| EP0016925B1 (de) | Verfahren zum Aufbringen von Metall auf Metallmuster auf dielektrischen Substraten | |
| DE102004033933B4 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Metall-Keramik-Substrates | |
| DE2724641C2 (de) | Verfahren zum Aufbringen von Lötungen auf Goldschichten | |
| EP2170026B1 (de) | Metall-Keramik-Substrat für elektrische Schaltkreise- oder Module, Verfahren zum Herstellen eines solchen Substrates sowie Modul mit einem solchen Substrat | |
| DE4103294C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von keramischen Leiterplatten mit Durchkontaktierungen | |
| DE10108666A1 (de) | Isolierende Dickschichtzusammensetzung, keramisches elektronisches Bauelement, bei dem diese verwendet wird, und elektronisches Gerät | |
| DE10207109B4 (de) | Keramische Leiterplatte | |
| DE3929789C2 (de) | Schaltkreissubstrat für Dickfilmschaltung und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| EP2844414B1 (de) | Verfahren zur herstellung eines metallisierten aus aluminium bestehenden substrats | |
| DE19945794C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Metall-Keramik-Leiterplatte mit DurchKontaktierungen | |
| DE19930190C2 (de) | Lötmittel zur Verwendung bei Diffusionslötprozessen | |
| EP1425167A2 (de) | Verfahren zur herstellung eines keramischen substrats und keramisches substrat | |
| EP3649834B1 (de) | Verfahren zur herstellung einer durchkontaktierung in einer aus einer keramik gefertigten trägerschicht und trägerschicht mit durchkontaktierung | |
| DE69522484T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer keramischen Leiterplatte | |
| DE3328342C2 (de) | ||
| DE202015001441U1 (de) | Leistungshalbleitermodul mit kombinierten Dickfilm- und Metallsinterschichten | |
| EP1085792B1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Leiterplatte sowie Leiterplatte | |
| EP1187521A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Trägerplatte für elektronische Bauteile |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |