DE4041851A1

DE4041851A1 - Measuring power of optical beam using quartz oscillator to measure temp. - determining difference in reactance between temp.-measuring quartz exposed to light beam and quartz not exposed to light beam

Info

Publication number: DE4041851A1
Application number: DE19904041851
Authority: DE
Inventors: Martin Kowatsch
Original assignee: Wandel and Golterman GmbH and Co
Current assignee: Wandel and Golterman GmbH and Co
Priority date: 1990-12-24
Filing date: 1990-12-24
Publication date: 1992-07-02

Abstract

The method of measuring the power of an optical beam involves feeding the beam to a temp. measurement quartz (1) and determining the reactance properties of the quartz when exposed and not exposed to the beam. The light power is determined from the difference in reactance properties for exposed and not exposed cases. The reactance properties can be determined by measuring the frequency or period of an oscillator contg. the temp. measurement quartz as the frequency defining element. ADVANTAGE - High stability, high resolution not affected by changes in ambient temp., air pressure, humidity etc.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Messen der Leistung ei ner optischen Strahlung (Lichtleistung) gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1, eine Anordnung zur Durchführung des Verfahrens sowie einen hierfür geeigneten Temperaturmeßquarz.The invention relates to a method for measuring the power egg ner optical radiation (light output) according to the preamble of Claim 1, an arrangement for performing the method and a suitable temperature measuring quartz.

Aus KOHLRAUSCH, Praktische Physik 1, Kapitel 5.2.2.2, 23. Aufla ge, Seiten 519 bis 521, Verlag Teubner, Stuttgart, sind zur Mes sung von Lichtleistung verschiedene jeweils einen Absorber, einen Fühler und eine Wärmesenke aufweisende thermische Empfänger bzw. Meßmethoden bekannt.From KOHLRAUSCH, Practical Physics 1, Chapter 5.2.2.2, 23rd ed ge, pages 519 to 521, Verlag Teubner, Stuttgart, are at the Mes solution of light output different one absorber, one Sensors and a heat sink having thermal receivers or Known measurement methods.

Bei Bolometern wird die Lichtleistung aus der Änderung eines der Temperaturerhöhung ausgesetzen temperaturabhängigen Widerstandes abgeleitet (a.a.O., Seite 521).With bolometers, the light output becomes one of the changes Temperature increase exposed to temperature-dependent resistance derived (loc. cit., page 521).

Weiterhin ist als Fühler eine Thermosäule bekannt, wobei die Tem peraturdifferenz zwischen einer bestrahlten, aktiven Fläche und einem Gehäuse mittels in Reihe geschalteter Thermoelemente gemes sen wird. (a.a.O., Seite 521).Furthermore, a thermopile is known as a sensor, the tem temperature difference between an irradiated, active surface and a housing by means of thermocouples connected in series will. (op. cit., page 521).

Es ist auch bekannt, die Lichtleistung mit Hilfe eines wasserge kühlten Hohlraumabsorbers zu messen, wobei die Strahlung an den Innenwänden des Hohlraums absorbiert und die dadurch auftretende Temperaturdifferenz zwischen zu- und abfließendem Kühlwasser festgestellt wird. Alsdann wird die Lichtleistung unter Beibehal ten der festgestellten Temperaturdifferenz durch elektrische Lei stung substituiert (a.a.O, Seite 520). It is also known to increase the light output with the help of a water to measure cooled cavity absorber, the radiation at the Absorbed inner walls of the cavity and the resulting Temperature difference between incoming and outgoing cooling water is detected. Then the light output is maintained th of the detected temperature difference through electrical conduction substituted (loc. cit., page 520).

Die bekannten Meßverfahren bzw. Meßanordnungen haben die haupt sächlichen Nachteile, daß sie unempfindlich und von Umwelteinflüs sen abhängig sind.The known measuring methods and measuring arrangements have the main material disadvantages that they are insensitive and environmental are dependent.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die genannten Nachteile zu vermeiden.The invention has for its object the disadvantages mentioned to avoid.

Diese Aufgabe wird hinsichtlich des gattungsgemäßen Verfahrens durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1, hinsichtlich der gattungsgemäßen Anordnung durch die kennzeich nenden Merkmale des Anspruchs 6 oder 7, hinsichtlich des gattungsgemäßen Temperaturmeßquarzes durch das kennzeichnende Merkmal des Anspruchs 8 gelöst.This task is carried out with regard to the generic method by the characterizing features of claim 1, with regard to the generic arrangement by the character nenden features of claim 6 or 7, with regard to the generic temperature measuring quartz by characterizing feature of claim 8 solved.

Die mit der Erfindung erzielbaren Vorteile bestehen insbesondere darin, daß eine hohe Empfindlichkeit, eine hohe Stabilität und eine hohe Auflösung erreicht wird. Änderung der Temperatur, des Luftdrucks und der Luftfeuchtigkeit sowie Luftbewegungen bleiben ohne Einfluß. Die Alterung ist gering. Die Messung ist wellenlän genunabhängig. Es können auch geringe Leistungen genau erfaßt werden. Es müssen keine sehr kleine Ströme oder Spannungen verar beitet werden. Weiterhin weist der Temperaturmeßquarz eine rela tiv große aktive Fläche auf, so daß die gesamte Strahlung erfaßt wird.The advantages that can be achieved with the invention are in particular in that high sensitivity, high stability and high resolution is achieved. Change in temperature, of Air pressure and humidity as well as air movements remain without influence. The aging is slight. The measurement is wave length genetically independent. Low power can also be recorded precisely will. No very small currents or voltages have to be processed be prepared. Furthermore, the temperature measuring quartz has a rela tiv large active area so that all the radiation is detected becomes.

Die Erfindung wird nachstehend an Hand der in der Zeichnung dar gestellten Ausführungsbeispiele erläutert. Hierbei zeigtThe invention is illustrated below with reference to the in the drawing presented embodiments explained. Here shows

Fig. 1 ein Prinzip-Blockschaltbild einer Leistungsmeßanordnung, Fig. 1 is a schematic block diagram of a Leistungsmeßanordnung,

Fig. 2 ein Blockschaltbild eines ersten Ausführungsbeispiels, Fig. 2 is a block diagram of a first embodiment;

Fig. 3 ein Blockschaltbild einer Weiterbildung des ersten Aus führungsbeispiels mit Frequenzumsetzung, Fig. 3 is a block diagram of a development of the first guide From example with frequency conversion,

Fig. 4 ein Blockschaltbild eines zweiten Ausführungsbeispiels mit Strahlunterbrechung Fig. 4 is a block diagram of a second embodiment with beam interruption

Fig. 5 ein Blockschaltbild eines dritten Ausführungsbeispiels mit einer Reaktanzmeßbrücke, Fig. 5 is a block diagram of a third embodiment with a Reaktanzmeßbrücke,

Fig. 6 einen Schnitt durch einen Temperaturmeßquarz entspre chend der Schnittlinie VI-VI in Fig. 7 und Fig. 6 shows a section through a temperature measuring quartz accordingly line VI-VI in Fig. 7 and

Fig. 7 einen Schnitt durch die Einrichtung gemäß Fig. 6 ent sprechend der Schnittlinie VII-VII in Fig. 6. FIG. 7 shows a section through the device according to FIG. 6 corresponding to the section line VII-VII in FIG. 6.

Wie Fig. 1 zeigt, besteht die Anordnung im Prinzip aus einem Temperaturmeßquarz 1, einer Meßschaltung 2 und einer Wandler schaltung 3. Der Temperaturmeßquarz 1 wird mit einer Strahlung 4, deren Leistung zu messen ist, beaufschlagt. Der Temperaturmeß quarz 1 ändert den frequenzabhängigen Verlauf seiner Reaktanz in Abhängigkeit von der Quarztemperatur, die sich entsprechend der empfangenen Strahlungsleistung ergibt. Die Änderung des Reaktanz wird von einer Meßschaltung 2 erfaßt und mittels einer Wandler schaltung 3 in die gesuchte Meßgröße "Strahlungsleistung" umge setzt. Letztere wird schließlich in einer Auswerteschaltung 5 anzeigt, registriert oder sonstwie ausgegeben.As Fig. 1 shows, the arrangement in principle of a Temperaturmeßquarz 1, a measuring circuit 2, and a converter circuit 3. The temperature measuring quartz 1 is exposed to radiation 4 , the power of which is to be measured. The temperature measuring quartz 1 changes the frequency-dependent course of its reactance depending on the quartz temperature, which results in accordance with the received radiation power. The change in the reactance is detected by a measuring circuit 2 and by means of a converter circuit 3 in the measured variable "radiation power" is converted. The latter is finally displayed, registered or otherwise output in an evaluation circuit 5 .

Das in Fig. 2 dargestellte erste Ausführungsbeispiel einer Meßanordnung enthält eine Oszillatorschaltung 6, deren frequenz bestimmendes Element der Temperaturmeßquarz 1 ist, eine Meßschal tung 7, die die Frequenz oder die Periodendauer der erzeugten Oszillatorschwingung mißt, und eine Wandlerschaltung 8, die die ermittelte Frequenz oder Periodendauer in die gesuchte Meßgröße "Strahlungsleistung" umwandelt. Ein Ausgang der Wandlerschaltung 8 liegt an einer Auswerteschaltung 9.The first embodiment of a measuring arrangement shown in FIG. 2 contains an oscillator circuit 6 , the frequency-determining element of which is the temperature measuring crystal 1 , a measuring circuit 7 which measures the frequency or the period of the oscillator oscillation generated, and a converter circuit 8 which determines the frequency or Period duration converted into the measured variable "radiation power". An output of the converter circuit 8 is at an evaluation circuit 9 .

Die in Fig. 3 ausschnittsweise dargestellte Weiterbildung des ersten Ausführungsbeispiels enthält zwischen der Oszillatorschal tung 6 (Fig. 2) und der Meßschaltung 7 (Fig. 2) einen von einem Ortoszillator 10 beaufschlagten ersten Mischer 11, einen Tiefpaß 12, einen zweiten Mischer 13, einen Regelverstärker 14, einen spannungssteuerbaren Oszillator 15 und einen Frequenzteiler 16, dessen Ausgang den Eingang des Frequenzteilers 16 beaufschlagt.The detail of the first embodiment shown in detail in FIG. 3 contains between the oscillator circuit 6 ( FIG. 2) and the measuring circuit 7 ( FIG. 2) a first mixer 11 acted upon by a local oscillator 10 , a low-pass filter 12 , a second mixer 13 , a control amplifier 14 , a voltage controllable oscillator 15 and a frequency divider 16 , the output of which acts on the input of the frequency divider 16 .

Das Ausgangssignal des Oszillators 6 wird im ersten Mischers 11 mittels des Signals des Ortoszillators 10 zunächst in eine niede re Frequenzlage umgesetzt und dem Tiefpaß 12 zugeführt. Hierbei bleibt die durch die Strahlungsleistung bedingte Frequenzänderung des Oszillatorsignals erhalten. Das Ausgangssignal des Tiefpasses 12 wird mittels des von dem zweiten Mischer 13, dem Regelverstär ker 14, dem spannungssteuerbaren Oszillator 15 und dem Frequenz teiler 16 gebildeten Frequenzvervielfachers in eine höhere Fre quenzlage zurückversetzt. Hierbei wird die Frequenzänderung ent sprechend dem Teilungsverhältnis des Frequenzteilers 19 verviel facht. Die weitere Auswertung des Signals des Oszillators 15 er folgt wie in Fig. 3 (7, 8, 9). The output signal of the oscillator 6 is first implemented in the first mixer 11 by means of the signal of the local oscillator 10 in a low frequency range and fed to the low-pass filter 12 . The frequency change of the oscillator signal caused by the radiation power is retained. The output signal of the low-pass filter 12 is reset by means of the frequency multiplier formed by the second mixer 13 , the control amplifier 14 , the voltage-controllable oscillator 15 and the frequency divider 16 to a higher frequency position. Here, the frequency change is multiplied accordingly the division ratio of the frequency divider 19 . The further evaluation of the signal of the oscillator 15 he follows as in Fig. 3 (7, 8, 9).

Bei dem in Fig. 4 dargestellten zweiten Ausführungsbeispiel ei ner Meßanordnung gelangt die zu messenden Strahlung 17 über einen Strahlunterbrecher 18 zum Temperaturmeßquarz 19, der die Frequenz eines Oszillators 20 bestimmt. Das Oszillatorsignal wird einem Frequenzteiler 21 zugeführt, dessen Ausgangssignal eine Torschal tung 22 steuert, die Zählimpulse eines Referenzoszillators 23 zu einem Frequenzzähler 24 durchläßt, der die Periodendauer des Os zillatorsignals bestimmt. Eine vom Frequenzteiler 21 synchroni sierte Steuerschaltung 26 betätigt einerseits den Strahlunterbre cher 18 und andererseits eine Wandler- und Auswerteschaltung 27, die die Differenz zwischen den Periodendauern der Oszillator schwingung feststellt, die mit und die ohne Bestrahlung erzeugt werden, und die Differenz in die gesuchte Meßgröße "Strahlungs leistung" umwandelt.In the second embodiment shown in FIG. 4 egg ner measuring arrangement, the radiation 17 to be measured passes via a beam interrupter 18 to the temperature measuring crystal 19 , which determines the frequency of an oscillator 20 . The oscillator signal is fed to a frequency divider 21 , the output signal of a gate 22 controls the counting pulses of a reference oscillator 23 passes to a frequency counter 24 which determines the period of the oscillator signal. A control circuit 26 synchronized by the frequency divider 21 actuates on the one hand the beam interrupter 18 and on the other hand a converter and evaluation circuit 27 which determines the difference between the periods of the oscillator oscillation, which are generated with and without irradiation, and the difference in the desired measured variable "Radiant power" converted.

Das in Fig. 5 dargestellte dritte Ausführungsbeispiel einer Meß anordnung enthält eine Reaktanzmeßbrücke 28, eine selbstätige Abgleichschaltung 29 und eine Wandler- und Auswerteschaltung 30.The third exemplary embodiment of a measuring arrangement shown in FIG. 5 contains a reactance measuring bridge 28 , an automatic adjustment circuit 29 and a converter and evaluation circuit 30 .

An einer ersten Brückendiagonale liegt einerseits die Reihen schaltung eines Temperaturmeßquarzes 31 und eines von der selb stätigen Abgleichschaltung 28 einstellbaren Brückenzweiges 32 und andererseits die Reihenschaltung zweier Normalwiderstände 33, 34. Ein Generator 35 speist die erste Brückendiagonale.On a first bridge diagonal there is on the one hand the series connection of a temperature measuring crystal 31 and a bridge branch 32 adjustable by the self-adjusting adjustment circuit 28 and on the other hand the series connection of two normal resistors 33 , 34 . A generator 35 feeds the first bridge diagonal.

Eine zweite Brückendiagonale liegt am Eingang der selbstätigen Abgleichschaltung 29, die eine Abgleichstellgröße 36 zur Einstel lung des Brückenzweiges 32 liefert. Die Abgleichstellgröße 36 gelangt auch an die Wandler- und Auswerteschaltung 30, die sie in die gesuchte Meßgröße "Strahlungsleistung" umwandelt.A second bridge diagonal lies at the input of the automatic adjustment circuit 29 , which provides an adjustment manipulated variable 36 for setting the bridge arm 32 . The adjustment manipulated variable 36 also arrives at the converter and evaluation circuit 30 , which converts it into the desired measured variable "radiation power".

Fig. 6 zeigt einen Längsschnitt gemäß der Schnittlinie VII-VII in Fig. 7 und Fig. 7 einen Querschnitt gemäß der Schnittlinie VI-VI in Fig. 6 durch ein Ausführungsbeispiel eines Temperatur meßquarzes. Er benutzt ein TO-3- Gehäuse, dessen Kappe 36 oben mit einem Ausschnitt versehen ist, der gasdicht mit einer licht durchlässigen Scheibe 37 verschlossen ist. Fig. 6 shows a longitudinal section along the section line VII-VII in Fig. 7 and Fig. 7 shows a cross section along the section line VI-VI in Fig. 6 through an embodiment of a temperature measuring quartz. He uses a TO-3 housing, the cap 36 of which is provided at the top with a cutout, which is sealed gas-tight with a transparent pane 37 .

Unterhalb der Scheibe 37 und parallel zu ihr ist eine Quarzschei be 38 angeordnet, die auf ihrer Oberseite mit einer Elektrode 39 und auf ihrer Unterseite mit einer Elektrode 40 beschichtet ist. Die Elektroden 39 und 40 sind über Bonddrähte 41 mit Anschluß stiften 42 verbunden, die isoliert durch einen Gehäuseboden 43 geführt sind. Die dem Fenster 37 zugewandte Elektrode 39 trägt eine schwarze Schicht 44, die durch eine chemische Behandlung der Elektrode 39 erzeugt ist. Die Quarzscheibe 38 ist in einer aus Kunststoff bestehenden Quarzhalterung gelagert, die aus einem auf dem Gehäuseboden 43 befestigten Ring 45 besteht, der vier am Rand der Quarzscheibe 38 angreifende Fortsätze 46 aufweist. Das Innere des Gehäuses ist mit einem wärmeleitendes Gas gefüllt, z. B. mit Neon, Argon oder auch Stickstoff.Below the disk 37 and parallel to it, a quartz disk 38 is arranged, which is coated on its top with an electrode 39 and on its underside with an electrode 40 . The electrodes 39 and 40 are connected via bonding wires 41 with pins 42 which are insulated through a housing bottom 43 . The electrode 39 facing the window 37 has a black layer 44 which is produced by chemical treatment of the electrode 39 . The quartz disk 38 is mounted in a quartz holder made of plastic, which consists of a ring 45 fastened to the housing base 43 , which has four extensions 46 which engage on the edge of the quartz disk 38 . The inside of the housing is filled with a thermally conductive gas, e.g. B. with neon, argon or nitrogen.

Die schwarze Schicht 44 wird von der durch die Scheibe 37 einfal lenden Strahlung, deren Leistung zu bestimmen ist, getroffen und wandelt diese in Wärme um, die über die obere Elektrode 39 zur Quarzscheibe 38 gelangt. Die Quarzscheibe 38 ist über die Gasfüllung mit dem als Wärmesenke wirkenden Gehäuseboden 43 ge koppelt. Bei Auftreffen von Strahlung erwärmt sich die Quarz scheibe 38, wodurch sich deren frequenzabhängiger Reaktanzverlauf bzw. deren Resonanzfrequenz in Abhängigkeit von der Strahlungs leistung entsprechend ändert.The black layer 44 is hit by the incident radiation through the disk 37 , the power of which is to be determined, and converts this into heat, which reaches the quartz disk 38 via the upper electrode 39 . The quartz disk 38 is coupled via the gas filling to the housing bottom 43 acting as a heat sink. When radiation strikes, the quartz disc 38 heats up, causing its frequency-dependent reactance curve or its resonance frequency to change as a function of the radiation power.

Die schwarze Schicht 44 kann auch durch eine lacktechnische Be handlung der oder durch Aufdampfen auf die Elektrode 39 erzeugt sein.The black layer 44 can also be produced by a lacquer treatment or by vapor deposition on the electrode 39 .

Claims

1. Verfahren zum Messen der Leistung einer optischen Strahlung, dadurch gekennzeichnet,
daß die optische Strahlung einem Temperaturmeßquarz (1, 19, 31) zugeführt wird,
daß das Reaktanzverhalten des unbestrahlten und des bestrahlten Temperaturmeßquarzes bestimmt wird und
daß aus dem Unterschied des Reaktanzverhaltens des unbestrahlten und des bestrahlten Temperaturmeßquarzes die Meßgröße "Licht leistung" abgeleitet wird.1. A method for measuring the power of optical radiation, characterized in that
that the optical radiation is supplied to a temperature measuring quartz ( 1 , 19 , 31 ),
that the reactance behavior of the unirradiated and the irradiated temperature measuring quartz is determined and
that from the difference in the reactance behavior of the unirradiated and the irradiated temperature measuring quartz the parameter "light output" is derived.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Reaktanzverhalten des Temperaturmeßquarzes (1, 19) durch Fre quenz- bzw. Periodendauermessung der Schwingungen eines Oszilla tors (6, 20) bestimmt wird, der den Temperaturmeßquarz als fre quenzbestimmendes Element enthält.2. The method according to claim 1, characterized in that the reactance behavior of the temperature measuring quartz ( 1 , 19 ) by Fre quenz- or period measurement of the oscillations of an oscillator gate ( 6 , 20 ) is determined, which contains the temperature measuring quartz as frequency-determining element.

3. Verfahren zum Messen der Leistung einer optischen Strahlung, dadurch gekennzeichnet,
daß die Reaktanz des Temperaturmeßquarzes (31) bestimmt wird,
daß die optische Strahlung dem Temperaturmeßquarz zugeführt wird und
daß aus dem Unterschied der Reaktanz des unbestrahlten und der des bestrahlten Temperaturmeßquarzes die Meßgröße "Lichtleistung" abgeleitet wird.3. A method for measuring the power of an optical radiation, characterized in that
that the reactance of the temperature measuring quartz ( 31 ) is determined,
that the optical radiation is supplied to the temperature measuring quartz and
that the measured variable "light output" is derived from the difference in the reactance of the unirradiated and that of the irradiated temperature measuring quartz.

4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Strahlung dem Temperaturmeßquarz (19) intermittierend zuge führt wird und daß die Meßgröße von den intermittierenden Ände rungen der Frequenz oder der Periodendauer des Oszillatorsignals bzw. von den periodischen Änderungen der Reaktanz des Temperatur meßquarzes abgeleitet wird.4. The method according to claim 1 or 3, characterized in that the radiation of the temperature measuring quartz ( 19 ) is intermittently supplied and that the measured variable from the intermittent changes in the frequency or the period of the oscillator signal or from the periodic changes in the reactance of the temperature measuring quartz is derived.

5. Verfahren nach Anspruch 1 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Periodendauer einer durch Teilen der Schwingfrequenz auf die Größenordnung von 1 Hertz erzeugten Frequenz ausgewertet wird. 5. The method according to claim 1 or 4, characterized in that the period of one by dividing the oscillation frequency to the Order of magnitude of 1 Hertz generated frequency is evaluated.

6. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Oszillatorschaltung (6; 20) deren im wesentlichen frequenzbestimmendes Element der Temperaturmeßquarz (1; 19) ist,
durch eine die Frequenz bzw. die Periodendauer der Oszillator schwingung bestimmende Schaltung (2; 7; 21 bis 27)
und durch eine die Frequenz bzw. die Periodendauer der Oszilla torschwingung in die gesuchte Meßgröße "Strahlungsleistung" um setzende Wandlerschaltung (3; 8).6. Arrangement for performing the method according to claim 1, characterized by an oscillator circuit ( 6 ; 20 ) whose essentially frequency-determining element is the temperature measuring crystal ( 1 ; 19 ),
by a circuit ( 2 ; 7 ; 21 to 27 ) which determines the frequency or the period of the oscillator oscillation
and by means of a converter circuit ( 3 ; 8 ) which converts the frequency or the period of the oscillation of the gate into the measured variable "radiation power".

7. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch eine Reaktanzmeßbrücke (31), in der der Tem peraturmeßquarz (32) einen Meßzweig bildet, und durch eine die gemessene Reaktanz des Temperaturmeßquarzes (32) in die gesuchte Meßgröße "Strahlungsleistung" umsetzende Wandlerschaltung (34). 7. Arrangement for performing the method according to claim 2, characterized by a reactance measuring bridge ( 31 ), in which the Tem peraturmeßquarz ( 32 ) forms a measuring branch, and by a measured reactance of the temperature measuring quartz ( 32 ) in the measured variable "radiation power" converting Converter circuit ( 34 ).

8. Temperaturmeßquarz mit einer stark temperaturabhängig ge schnittenen Quarzscheibe zur Verwendung beim Verfahren nach An spruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Quarzscheibe (38) mit einer geschwärzten Schicht (43) versehen ist.8. Temperature measuring quartz with a highly temperature-dependent cut quartz disk for use in the method according to claim 1 or 2, characterized in that the quartz disk ( 38 ) is provided with a blackened layer ( 43 ).

9. Temperaturmeßquarz nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekenn zeichnet, daß die Quarzscheibe (38) in Wärmekontakt mit einer Wärmesenke steht.9. temperature measuring quartz according to claim 7 or 8, characterized in that the quartz disc ( 38 ) is in thermal contact with a heat sink.

10. Temperaturmeßquarz nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekenn zeichnet, daß die geschwärzte Schicht (43) eine chemisch behan delte Elektrode (39) des Temperaturmeßquarzes ist.10. temperature measuring quartz according to claim 7 or 8, characterized in that the blackened layer ( 43 ) is a chemically treated electrode ( 39 ) of the temperature measuring quartz.

11. Temperaturmeßquarz nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekenn zeichnet, daß die geschwärzte Schicht (43) lacktechnisch auf ei ner Elektrode des Temperaturmeßquarzes erzeugt ist.11. Temperature measuring quartz according to claim 7 or 8, characterized in that the blackened layer ( 43 ) is produced in terms of paint technology on egg ner electrode of the temperature measuring quartz.

12. Temperaturmeßquarz nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekenn zeichnet, daß die geschwärzte Schicht (43) auf eine Elektrode (39) des Temperaturmeßquarzes aufgedampft ist.12. Temperature measuring quartz according to claim 7 or 8, characterized in that the blackened layer ( 43 ) is evaporated onto an electrode ( 39 ) of the temperature measuring quartz.

13. Temperaturmeßquarz nach Anspruch 7 oder einem der folgenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Quarzscheibe (38) in einem strahlungsdurchlässigen Gehäuse angeordnet ist.13. Temperature measuring quartz according to claim 7 or one of the following claims, characterized in that the quartz disc ( 38 ) is arranged in a radiation-permeable housing.

14. Temperaturmeßquarz nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse ein Glasgehäuse ist.14. Temperature measuring quartz according to claim 12, characterized in that the case is a glass case.

15. Temperaturmeßquarz nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse ein Metallgehäuse (37, 43) mit einem strahlungs durchlässigen Fenster (37′) ist.15. Temperature measuring quartz according to claim 12, characterized in that the housing is a metal housing ( 37 , 43 ) with a radiation-permeable window ( 37 ').

16. Temperaturmeßquarz nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmesenke ein Boden (43) des Gehäuses ist.16. Temperature measuring quartz according to claim 12, characterized in that the heat sink is a bottom ( 43 ) of the housing.