DE4041130A1 - Solid-state laser generating single frequency and visible, pulsed beams - comprises laser diode pumped solid-state laser with electronic supply and regulating unit as well as optical head with adjusters - Google Patents

Solid-state laser generating single frequency and visible, pulsed beams - comprises laser diode pumped solid-state laser with electronic supply and regulating unit as well as optical head with adjusters

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Abstract

A micro-system laser (10) is formed from hybrid components on a base chip (11). All necessary components such as excitation light source, semiconductor laser material, mirror, resonator configurations and elements specific to application, radiation sensors, measuring systems, control and regulating electronics as well as cooling systems are integrated. A monolithic laser crystal (14), focussing optics (13) and a pump laser diode (12) are mounted on the chip. The diode is of semiconductor material and the solid state laser material is of doped crystal or glass. Part of the radiation from the crystal reaches a monitor (15) for a radiation detector and a regulating electronic circuit (17). ADVANTAGE - Can be miniaturised. Optimum adaptation to application by easy variation of componenets. High flexibility in range of applications.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Festkörper-Lasersystem gemäß dem Gat­ tungsbegriff des Anspruches 1.The invention relates to a solid-state laser system according to the gate term of claim 1.

Festkörper-Lasersysteme deren Festkörperlaser durch Laserdioden gepumpt werden, sind an sich bekannt. Ein solches System besteht aus einem elek­ tronischen Stromversorgungs- und Regelkreis, einer Kühlmöglichkelt für Laserdiode und gegebenenfalls für den Laserkristall und anderen opti­ schen Komponenten sowie mechanischen Halterungs-, Justier- und Regelvor­ richtungen. Die laserdiodengepumpten Festkörperlaser nach dem Stand der Technik bestehen aus mindestens zwei räumlich voneinander getrennten Einheiten, nämlich einer elektronischen Versorgungs- und Regeleinheit sowie einem optischen Kopf mit zugehörigen mechanischen Vorrichtungen. Der elektronische Versorgungs- und Regelteil besteht aus diskret aufge­ bauten elektronischen Elementen, der optische Kopf hat typische Abmes­ sungen von 100 mm·50 mm·50 mm.Solid-state laser systems whose solid-state lasers are pumped through laser diodes are known per se. Such a system consists of an elek tronic power supply and control circuit, a cooling facility for Laser diode and optionally for the laser crystal and other opti components as well as mechanical mounting, adjustment and control devices directions. The laser diode pumped solid state lasers according to the state of the Technology consist of at least two spatially separated Units, namely an electronic supply and control unit and an optical head with associated mechanical devices. The electronic supply and control section consists of discretely built electronic elements, the optical head has typical dimensions solutions of 100 mm x 50 mm x 50 mm.

Bestimmend für die Größe des optischen Kopfes sind hierbei nicht im we­ sentlichen die optischen Elemente, welche bei weitem kleiner gefertigt werden könnten, sondern vielmehr die gegenüber den Abmessungen der opti­ schen Elemente recht makroskopischen, mechanischen Justier- und Stell­ elemente. Die Größe der Elektronik ist im wesentlichen bestimmt durch einen Mangel an systemspezifisch integrierten elektronischen Bauteilen.Determining the size of the optical head are not important here noticeably the optical elements, which are manufactured much smaller could be, but rather compared to the dimensions of the opti elements quite macroscopic, mechanical adjustment and adjustment elements. The size of the electronics is essentially determined by a lack of system-specific integrated electronic components.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein diodengepump­ tes Festkörperlaser-System der eingangs genannten Art zu schaffen, das wesentlich miniaturisiert und in seinen Anwendungsmöglichkeiten durch leichte Variierung seiner Komponenten bzw. seiner hohen Flexibilität be­ züglich der Anwendungsspezifikationen optimiert ist. The present invention has for its object a diode pump tes solid-state laser system of the type mentioned to create that significantly miniaturized and in its application possibilities slight variation of its components or its high flexibility is optimized with regard to the application specifications.  

Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 aufgezeigten Maßnahmen in überraschend einfacher Weise gelöst. In den Unteransprüchen sind Ausge­ staltungen und Weiterbildungen angegeben und in der nachfolgenden Be­ schreibung werden einige Ausführungsbeispiele erläutert und in den Figu­ ren der Zeichnung skizziert. Es zeigen:This object is achieved by the measures indicated in claim 1 solved surprisingly simple way. In the subclaims are Ausge Events and further training specified and in the following Be some exemplary embodiments are explained and in the Figu out of the drawing. Show it:

Fig. 1 eine perspektivische Ansicht eines Grundausführungsbeispieles in schematischer Darstellung, Fig. 1 is a perspective view of a basic embodiment in a schematic representation;

Fig. 2a ein Schemabild eines Ausführungsbeispiel es von einem Einfrequenz- Kristall-Laser, FIG. 2a is a schematic diagram of an exemplary embodiment of a single-frequency laser crystal

Fig. 2b ein Schemabild eines Ausführungsbeispieles von einem abstimmba­ ren Einfrequenz-Kristall-Laser, Fig. 2b is a schematic diagram of an embodiment of a single-frequency abstimmba ren crystal laser,

Fig. 3 ein Schemabild eines Ausführungsbeispieles eines Einfrequenz-Kri­ stall-Lasers mit ringartiger Formung des Resonators, Fig. 3 is a schematic diagram of an embodiment of a single-frequency laser with Kri stall ring-like shaping of the resonator,

Fig. 4 ein Schemabild eines Ausführungsbeispieles von einem Einfrequenz- Mikrosystem-Laser durch Einbringung weiterer Intra-Cavity-Elemen­ te, Fig. 4 is a schematic diagram of an embodiment of a single-frequency laser microsystem further by introducing th intra-cavity elemene,

Fig. 5 ein Schemabild eines Ausführungsbeispieles eines gütegeschalte­ ten und frequenzverdoppelten Mikrosystem-Lasers, Fig. 5 is a schematic diagram of an embodiment of a gütegeschalte th and frequency doubled laser microsystem,

Fig. 6 ein Schemabild eines Ausführungsbeispieles von einem "gain-ge­ schalteten" Mikrosystem-Laser, Fig. 6 is a schematic diagram of an embodiment of a "gain-switched ge" Microsystems laser,

Fig. 7 ein Schemabild eines Ausführungsbeispiels mit einer Pumplichtin­ tegration mehrerer Laserdioden zum Pumpen des einzigen Laserkri­ stalls. Fig. 7 is a schematic image of an embodiment with a Pumplichtintegration of several laser diodes for pumping the single Laserkri stall.

Die Fig. 1 zeigt den prinzipiellen Aufbau eines Mikrosystem-Festkörper­ lasers 10, wie ihn die Erfindung in seiner Grundkonzeption vorsieht. Auf einem Basis-Chip 11 aus Silizium, Galliumarsenid, Keramik oder ähnlichem ist eine Pumplicht-Halbleiterlaserdiode 12 dergestalt montiert, daß die Strahlung dieser Pumplichtdiode 12 über eine geeignete Optik 13 so auf einen Laserkristall 14 fokussiert wird, daß dieser optisch angeregt in­ nerhalb eines Resonators, welcher auf dem dargestellten Ausführungsbei­ spiel monolithisch auf dem Laserkristall aufgedampft ist, seinerseits Laserstrahlung emittiert. Ein Teil der Laserstrahlung wird über einen Strahlteiler 15 auf einem auf dem Basis-Chip 11 angebrachten Strahlungs­ detektor 16 registriert, das elektrische Signal desselben wird zu einem Regelelektronik-Kreis 17 geführt, welcher dieses Signal auswertet und seinerseits eine Stromregelung der Laserdiode durchführt. Innerhalb des Basis-Chips 11 können sich Kühlkanäle 20 befinden, welche sowohl die La­ serdiode 12 als auch den Laserkristall 14 kühlen. Insbesondere die Halb­ leiterlaserdiode 12 muß auf einer konstanten Temperatur gehalten werden, da über diese ihre Emissionswellenlänge bestimmt wird, welche ihrerseits für einen optimalen Pumpprozeß innerhalb streng definierter Grenzen zu halten ist. Die Regelung des Kühlmitteldurchflusses erfolgt vorzugsweise mikromechanisch, wobei die zur Ansteuerung der Mechanik notwendigen elektrischen Impulse von der Regelelektronik bzw. von deren Mikroprozes­ sor 17 geliefert werden. Auch Spiegel, Optik oder weitere - hier nicht näher skizzierte - Elemente, können mikromechanisch manipuliert werden. Die Kühlung kann auch durch geeignete andere Elemente, wie z. B. Peltier- Elemente geschehen. Fig. 1 shows the basic structure of a microsystem solid-state laser 10 , as provided by the invention in its basic concept. On a base chip 11 made of silicon, gallium arsenide, ceramic, or the like is a pumping light semiconductor laser diode 12 in such a way assembled that the radiation of the pumping light diode is focused 12 via a suitable optical system 13 to a laser crystal 14 that this optically excited in nerhalb a resonator , which is monolithically vapor-deposited on the laser crystal in the embodiment shown, in turn emits laser radiation. Part of the laser radiation is registered via a beam splitter 15 on a radiation detector 16 mounted on the base chip 11 , the electrical signal of the same is passed to a control electronics circuit 17 , which evaluates this signal and in turn carries out a current control of the laser diode. Cooling channels 20 can be located within the base chip 11 , which cool both the laser diode 12 and the laser crystal 14 . In particular, the semiconductor laser diode 12 must be kept at a constant temperature, since this is used to determine its emission wavelength, which in turn is to be kept within strictly defined limits for an optimal pumping process. The control of the coolant flow is preferably micromechanical, the electrical impulses required to control the mechanics being supplied by the control electronics or their microprocessor 17 . Mirrors, optics or other elements - not outlined here - can also be manipulated micromechanically. The cooling can also be carried out by suitable other elements, such as. B. Peltier elements happen.

Durch Anordnung weiterer oder durch spezielle Formung anderer "Intra-Ca­ vity-Elemente" ist es nun möglich, solche wie vorbeschrieben hybrid auf­ gebaute Festkörperlaser den jeweils gewünschten Anwendungsspezifikatio­ nen anzupassen, wie nachfolgend in einigen Ausführungsbeispielen erläu­ tert wird. By arranging further or by special shaping other "Intra-Ca vity elements "it is now possible to hybridize to those as described above built solid-state lasers the desired application specification NEN adapt, as explained below in some embodiments is tert.  

Das in Fig. 2a gezeigte Ausführungsbeispiel veranschaulicht eine auf dem Basis-Chip 11 integrierte, mit einem Kühlkörper 18 versehene, Laserdiode 12, die über eine Kollimations- und Fokussleroptik 13 einen Laserkri­ stall 14 pumpt. Sind auf diesem Laserkristall 14 die beiden Spiegel­ schichten monolithisch beidseitig aufgedampft - wie dies von der Anmel­ derin bereits vorgeschlagen worden ist - und weist der Laserkristall ei­ ne Dicke von typischerweise < 1 mm auf, so daß sich in diesem so gebilde­ ten Resonator nur eine einzelne Resonatormode ausbilden kann, so führt der so angeregte Laserkristall zu Einfrequenzstrahlung. Ein Teil der emittierten Strahlung wird über den Strahlteiler 15 (Beam Splitter) aus der Ausgangsstrahlung ausgekoppelt und seine Intensität über eine Foto­ diode 16 gemessen. Ein aus diesem Meßstrahl mittels des Spiegels 15a ausgekoppelter Teilstrahl durchläuft ein Fabry-Perot-Interferometer 21, an dessen Ende ebenfalls eine Fotodiode 22 angebracht ist. Auf diese Weis bekommt die Regelelektronik (µP) 17 sowohl Informationen über die Intensität der Laserstrahlung als auch über die spektrale Lage der Ausgangsstrahlung bezüglich eines resonanten Referenz-Resonators 21. In dieser und den weiteren angegebenen Figuren der Zeichnungen ist die exakte Ansteuerung der Laserdiode und des Kühlmittelflusses 18, 19, 20 aus Übersichtsgründen nicht skizziert.The embodiment shown in Fig. 2a illustrates an integrated on the base chip 11 , provided with a heat sink 18 , laser diode 12 which pumps a Laserkri stall 14 via a collimation and focus optics 13 . Are on this laser crystal 14, the two mirrors layers deposited monolithically on both sides - as has already been proposed by the applicant - and the laser crystal has a thickness of typically <1 mm, so that only a single one in this so formed resonator Can form resonator mode, so the excited laser crystal leads to single-frequency radiation. Part of the emitted radiation is coupled out of the output radiation via the beam splitter 15 (beam splitter) and its intensity is measured via a photo diode 16 . A partial beam coupled out of this measuring beam by means of the mirror 15 a passes through a Fabry-Perot interferometer 21 , at the end of which a photodiode 22 is also attached. In this way, the control electronics (μP) 17 receive information about the intensity of the laser radiation as well as about the spectral position of the output radiation with respect to a resonant reference resonator 21 . In this and the other figures shown in the drawings, the exact control of the laser diode and the coolant flow 18 , 19 , 20 is not sketched out for reasons of clarity.

Die Fig. 2b veranschaulicht eine etwas erweiterte Konfiguration. Der Mi­ krokristall-Laser 14 ist hier mit einem einseitig bedampften Laserkri­ stall versehen, dem - durch einen Spalt 14s getrennt - ein beweglich ge­ lagerter Glasspiegel 23 zugeordnet ist. Durch entsprechende Positions­ einstellung des Spiegels 23 ist die Resonatormode veränderbar und der Laser in seiner Frequenz einstellbar. Wird hier der Spiegel 23 durch ei­ nen nichtlinearen, frequenzverdoppelnden Kristall gebildet, dessen eine Seite die Laserspiegelschicht 23′ trägt, so ist die Möglichkeit geschaf­ fen, die Grundwellenlänge der Laserstrahlung frequenzverdoppelnd oder aber durch Mischung der Grundwellenlänge mit der Pumplicht-Wellenlänge mittels Summenfrequenz-Erzeugung Laserstrahlung im sichtbaren Bereich zu erhalten. The Fig. 2b illustrates a somewhat more advanced configuration. The Mi microcrystalline laser 14 is provided with a one-sided steamed Laserkri stall, which - separated by a gap 14 s - a movably mounted glass mirror 23 is assigned. The resonator mode can be changed and the frequency of the laser can be adjusted by adjusting the position of the mirror 23 accordingly. If here the mirror 23 is formed by a non-linear, frequency-doubling crystal, one side of which carries the laser mirror layer 23 ', the possibility is created, frequency doubling the basic wavelength of the laser radiation or by mixing the basic wavelength with the pump light wavelength by means of sum frequency generation Obtain laser radiation in the visible range.

Die Fig. 3 veranschaulicht ein weiteres Ausführungsbeispiel, bei dem, Einfrequenz-Laserbetrieb dadurch erreicht wird, daß der Laserkristall 114 so ausgebildet ist, daß sich eine ringförmige Resonatormode ausbil­ det, welche durch weitere "Intracavity-Elemente" 114a unidirektional se­ lektiert wird. Auch dieser Resonator emittiert Eigenfrequenzstrahlung, kann jedoch über die Anordnung von mehreren Laserdioden 112, 112′, 112′′ und entsprechend mehreren Pumplichtoptiken 113, 113′, 113′′ optisch ange­ regt werden, so daß insgesamt eine höhere Laserstrahl-Ausgangsleistung zur Verfügung steht. Analog zu dem Ausführungsbeispiel gemäß den Fig. 2a und 2b wird ein Teil der Laserstrahlung über einen Strahlteller 115 aus­ gekoppelt, dieser Teilstrahl seinerseits wieder aufgeteilt auf eine Fo­ todiode 116 und ein Fabry-Perot-Interferometer 121. Am Ausgang des letz­ teren ist ebenfalls eine Fotodiode 122 angeordnet. Auch hier geben die Fotodioden 116, 122 die Regelelektronik 117 Informationen über Ausgangs­ leistung und Frequenz des Lasers. Fig. 3 illustrates a further embodiment in which, single-frequency laser operation is achieved in that the laser crystal 114 is formed so that an annular resonator mode is formed, which is unidirectionally selected by further "intracavity elements" 114a . This resonator also emits natural frequency radiation, but can be optically excited by the arrangement of a plurality of laser diodes 112 , 112 ', 112 ''and correspondingly a plurality of pumping light optics 113 , 113 ', 113 '', so that overall a higher laser beam output power is available . Analogous to the exemplary embodiment according to FIGS. 2a and 2b, part of the laser radiation is coupled out via a beam plate 115 , this part beam in turn divided into a photodiode 116 and a Fabry-Perot interferometer 121 . A photodiode 122 is also arranged at the output of the last one. Here, too, the photodiodes 116 , 122 give the control electronics 117 information about the output power and frequency of the laser.

Ein weiteres Ausführungsbeispiel ist in der Fig. 4 skizziert. Durch Ein­ bringen weiterer Elemente in einen Resonator, der sich aus einem Laser­ kristall 214, der von einer Laserdiode 212 über eine Pumplichtoptik 213 kollinear mit der Laserstrahlung angeregt wird, und zwei Viertelwellen­ plättchen 225 zusammensetzt, selektieren diese Plättchen 225 die sich im Kristall ausbreitende Mode derart, daß zusammen mit einem Brewster-Pola­ risator 226 sich innerhalb des durch das Plättchen 225 und den Auskop­ pelspiegel 227 gebildeten Resonators nur eine einzelne longitudinale Mo­ de ausbildet. Der Spiegel ist hierbei monolithisch auf das erste Vier­ telwellenplättchen 225 aufgedampft, der zweite Spiegel 227 kann hierzu piezoelektrisch oder analog mechanisch zur Frequenzabstimmung bewegt werden. Das Verfahren der Ausgangsleistungs- und Frequenzabstimmung ist analog der vorherigen Ausführungen.Another embodiment is outlined in FIG. 4. By a bring other elements in a resonator which is crystal, which is excited by a laser diode 212 via a pump light optical system 213 is collinear with the laser radiation from a laser 214 and two quarter-wave plate 225 composed, these platelets select 225 the propagating in the crystal Mode such that, together with a Brewster polarizer 226 , only a single longitudinal mo de forms within the resonator formed by the plate 225 and the Auskop pelspiegel 227 . The mirror is monolithically evaporated onto the first four-wave plate 225 , the second mirror 227 can be moved piezoelectrically or analogously mechanically for frequency tuning. The procedure of output power and frequency tuning is analogous to the previous explanations.

In Fig. 5 wird durch einen in den von den Spiegeln 325 und 327 gebilde­ ten Resonator eingebrachten Güteschalter 328 die Resonatorgüte perio­ disch geschaltet, so daß durch Speicherung der Pumplichtenergie bei Durchlässigkeit des Güteschalters 328 sehr hohe Laserpulsleistungen ent­ stehen. Dieser Güteschalter 328 kann sowohl aus elektrooptischem Mate­ rial als auch aus akustooptischem oder auch aus mikromechanischen Ein­ richtungen bestehen. Ein gegebenenfalls in den Resonator eingebrachter nichtlinearer Kristall 329 führt hier zu einer sehr effizienten Fre­ quenzverdopplung oder -mischung.In Fig. 5, the resonator quality is periodically switched by a quality switch 328 introduced by the mirrors 325 and 327 th resonator, so that very high laser pulse powers are produced by storing the pump light energy with permeability of the quality switch 328 . This Q-switch 328 can consist of electro-optical material as well as acousto-optical or micromechanical devices. A nonlinear crystal 329 which is optionally introduced into the resonator here leads to a very efficient frequency doubling or mixing.

Ein Ausführungsbeispiel, mit dem Laserlichtpulse erzeugt werden und die Pulsform des Lasers sehr genau modifizierbar ist, veranschaulicht die Fig. 6. Ein Festkörperlaser, bestehend aus monolithisch auf dem Laser­ kristall 414 aufgebrachten Einkoppelspiegel 425 sowie einem extern befe­ stigten Auskoppelspiegel 427, optisch gepumpt über eine Laserdiode 412 mittels einer Kollimations- und Fokussieroptik 413 wird zusätzlich transversal von einem Laserdioden-Array 430 gepumpt. Hierbei werden die Laserdiode 413 sowie die Dioden des Laser-Arrays 430 so angesteuert, daß die Laserdiode 413 eine kontinuierliche Pumpleistung solcher Intensität emittiert, daß der Festkörperlaser gerade an der sogenannten Laser­ schwelle betrieben wird. Die Ausgangsleistung ist hierbei minimal, je­ doch bildet sich ein sehr stabiler Pulsbetrieb dann aus, wenn periodisch das Array 430 pulsförmig angesteuert wird.An exemplary embodiment with which laser light pulses are generated and the pulse shape of the laser can be modified very precisely is illustrated in FIG. 6. A solid-state laser consisting of a coupling mirror 425 applied monolithically on the laser crystal 414 and an externally attached coupling mirror 427 , optically pumped via a Laser diode 412 by means of collimation and focusing optics 413 is additionally pumped transversely by a laser diode array 430 . Here, the laser diode 413 and the diodes of the laser array 430 are driven so that the laser diode 413 emits a continuous pumping power of such intensity that the solid-state laser is operated at the so-called laser threshold. The output power is minimal in this case, but a very stable pulse operation is formed when the array 430 is periodically activated in pulse form.

In der Fig. 7 ist ein Ausführungsbeispiel für die optische Anregung ei­ nes Festkörperlasers 514 gezeigt, bei dem über ein aus mehreren Laser­ dioden bestehendes Array 530 gepumpt wird. Die Pumplichtleistung wird hierbei über ein Pumplichtintegrationselement 531 in die Kollimations­ und Fokussieroptik 513 gekoppelt. Dieses Pumplichtintegrationselement 531 kann sowohl aus mehreren justierten Glasfaserstücken 515 als auch aus einem integrierten Wellenleiter gebildet werden. FIG. 7 shows an exemplary embodiment for the optical excitation of a solid-state laser 514 , in which an array 530 consisting of a plurality of laser diodes is pumped. The pump light power is coupled into the collimation and focusing optics 513 via a pump light integration element 531 . This pump light integration element 531 can be formed both from a plurality of adjusted glass fiber pieces 515 and from an integrated waveguide.

Mit den hier vorgeschlagenen Maßnahmen ist die Möglichkeit geschaffen worden, festkörperlaser-Systeme mit anwendungsspezifizierten Lasereigen­ schaften sehr weitgehend zu miniaturisieren, denn alle Elemente des Festkörper-Lasersystems, der Optik, Mechanik und der Elektronik sind hy­ brid auf einem einzigen Basis-Chip aufgebaut. Ein derart ausgebildeter Mikrosystem-Festkörperlaser bildet einen zu Intelligenten Sensoren kom­ plementären intelligenten Sender, welcher nicht nur bisherige Meßsysteme stark miniaturisiert, sondern aufgrund dessen Kompaktheit und Integra­ tionsgrad völlig neuartige Sensor- und Meßanordnungen ausführbar gewor­ den sind, beispielsweise für die militärische und zivile Meßtechnik, als auch die Verwendung solcher neuer Lasersysteme in Display-Systemen und in der Unterhaltungselektronik.The measures proposed here create the possibility solid-state laser systems with application-specific laser properties miniaturize very largely, because all elements of the  Solid state laser systems, optics, mechanics and electronics are hy brid built on a single base chip. Such a trained one Microsystem solid-state laser forms an intelligent sensor complementary intelligent transmitter, which not only previous measuring systems strongly miniaturized, but due to its compactness and integra degree of completely new sensor and measuring arrangements are, for example for military and civil measurement technology, as also the use of such new laser systems in display systems and in consumer electronics.

Claims (16)

1. Festkörper-Lasersystem, bestehend aus einem laserdiodengepumpten Festkörperlaser mit einer elektronischen Versorgungs- und Regeleinheit so­ wie einem optischen Kopf mit zugehörigen Justier- und Stellelementen, da­ durch gekennzeichnet, daß zur Bildung eines Mikrosystem-Festkörper-Laser­ systems (10) in einem hybride aufgebauten Bauelement auf einem Basis-Chip (11) alle zum Betrieb eines Festkörper-Lasers notwendigen Elemente, wie Anregungslichtquelle, Festkörper-Lasermaterial, Spiegel, anwendungsspezi­ fische Resonatorkonfigurationen und Elemente, Strahlungssensoren und Meß­ systeme, Steuer- und Regelelektronik sowie Kühlungssysteme integriert sind.1. Solid-state laser system, consisting of a laser-diode-pumped solid-state laser with an electronic supply and control unit as well as an optical head with associated adjusting and adjusting elements, characterized in that to form a microsystem solid-state laser system ( 10 ) in a hybrid built component on a base chip ( 11 ) all the elements necessary for operating a solid-state laser, such as excitation light source, solid-state laser material, mirror, application-specific resonator configurations and elements, radiation sensors and measuring systems, control and regulating electronics and cooling systems are integrated. 2. System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf einem Basis-Chip (11) die Pumplichtdiode (12), die Fokussieroptik (13), der mo­ nolithische Laserkristall (14) - von dessen Strahlung ein Teil mittels ei­ nes Strahltellers (15) einem Strahlungsdetektor (16) eingegeben und einem Regelelektronik-Kreis (17) zugeleitet wird - wobei diese Elektronikelemen­ te (15, 16, 17) zusammen mit Kühleinrichtungen (18, 19, 20) und weiterer spezifischer "intra-cavity-Elemente" in mikromechanischer Ausführung und Manipulation integriert sind.2. System according to claim 1, characterized in that on a base chip ( 11 ), the pumping light diode ( 12 ), the focusing optics ( 13 ), the monolithic laser crystal ( 14 ) - part of whose radiation by means of egg nes beam plate ( 15th ) a radiation detector ( 16 ) is input and a control electronics circuit ( 17 ) is fed - these electronics elements ( 15 , 16 , 17 ) together with cooling devices ( 18 , 19 , 20 ) and other specific "intra-cavity elements" in micromechanical execution and manipulation are integrated. 3. System nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Pumplichtdiode (12) eine Halbleiter-Laserdiode ist und das Festkörper-La­ sermaterial aus dotiertem Kristall- oder Glasmaterial gebildet wird.3. System according to claim 1 or 2, characterized in that the pumping light diode ( 12 ) is a semiconductor laser diode and the solid-state laser material is formed from doped crystal or glass material. 4. System nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß durch Wahl der Kristallgeometrie oder durch Einbringen weiterer Elemente in den Resonator Einfrequenzbetrieb erzielbar ist. 4. System according to claims 1 to 3, characterized in that by choosing the crystal geometry or by adding further elements single-frequency operation can be achieved in the resonator.   5. System nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Ba­ sis-Chip (11) aus Silizium, Galliumarsenid, Keramik, Metallen oder einer Kombination dieser besteht und mit Kühlkanälen (20) für die Laserdiode (12) und den Laserkristall (14) versehen ist.5. System according to claim 1 to 4, characterized in that the Ba sis chip ( 11 ) made of silicon, gallium arsenide, ceramic, metals or a combination of these and with cooling channels ( 20 ) for the laser diode ( 12 ) and the laser crystal ( 14 ) is provided. 6. System nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der Laserkristall (14) zur Bildung eines monolithischen Resonators für eine Eigenfrequenzstrahlung an seiner Strahl eingangs- und seiner -ausgangfläche je mit einer Spiegelschicht versehen ist und ihm (14) ein Strahlteiler (15) nachgeordnet ist, der einen Teil (St) der Aus­ gangsstrahlung (S) zur Intensitätsmessung über eine Fotodiode (16) einem Mikroprozessor des Regelelektronik-Kreises (17) eingibt und diesem Teil­ strahl (S′) einen weiteren Tellstrahl (S′′) über einen Spiegel (15a) zur Eingabe in ein Fabry-Perot-Interferometer (21) als resonanter Referenz-Re­ sonator und einer nachgeordneten Fotodiode (22) auskoppelt.6. System according to one or more of claims 1 to 5, characterized in that the laser crystal ( 14 ) to form a monolithic resonator for natural frequency radiation on its beam input and output surface is each provided with a mirror layer and him ( 14 ) a beam splitter ( 15 ) is arranged, which inputs a part (St) of the output radiation (S) for intensity measurement via a photodiode ( 16 ) to a microprocessor of the control electronics circuit ( 17 ) and this part beam (S ') a further tell beam (S '') via a mirror ( 15 a) for input into a Fabry-Perot interferometer ( 21 ) as a resonant reference re sonator and a downstream photodiode ( 22 ). 7. System nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Mikrokristall-Laser (14) aus einem einseitig mit einer Einkoppel-Spie­ gelschicht bedampften Laserkristall (14′) besteht, dem auf der Auskoppel­ seite nach Bildung eines kleinen Spaltes (14s) ein bewegbar gelagerter Glasspiegel (23) zugeordnet ist.7. System according to claims 1 to 6, characterized in that the micro-crystal laser ( 14 ) consists of a one-sided with a Einkoppel-Spie gel layer vaporized laser crystal ( 14 '), which on the decoupling side after formation of a small gap ( 14 s) a movably mounted glass mirror ( 23 ) is assigned. 8. System nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Glasspie­ gel (23) durch einen nichtlinearen, frequenzverdoppelnden Kristall (23′) gebildet wird, dessen eine Seite die Laserauskoppel-Spiegelschicht trägt.8. System according to claim 7, characterized in that the glass mirror ( 23 ) is formed by a non-linear, frequency-doubling crystal ( 23 '), one side of which carries the laser coupling-out mirror layer. 9. System nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der Laserkristall (114) zur Bildung einer ringförmigen Resonatormode geformt ist, die durch weitere "Intracavity-Elemente" (114a) unidirektional selektiert wird, wobei den einzelnen Flächen des Kristalls zur Anregung weitere Pumplichtdioden (112, 112′...) mit ihren Optiken (113, 113′...) zugeordnet sind. 9. System according to one or more of claims 1 to 7, characterized in that the laser crystal ( 114 ) is shaped to form an annular resonator mode, which is selected unidirectionally by further "intracavity elements" ( 114 a), the individual Surfaces of the crystal for exciting further pump light diodes ( 112 , 112 ′ ...) with their optics ( 113 , 113 ′ ...) are assigned. 10. System nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß dem Laserkristall (214) strahleingangs- und strahl­ ausgangsseitig je ein Viertelwellenplättchen (225) zugeordnet sind und vor dem Resonatorauskoppelspiegel (227) ein Brewster-Polarisator (226) ange­ ordnet ist.10. System according to one or more of claims 1 to 9, characterized in that the laser crystal ( 214 ) beam input and beam output side are each assigned a quarter-wave plate ( 225 ) and in front of the resonator coupling mirror ( 227 ) a Brewster polarizer ( 226 ) is arranged. 11. System nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Resonatorspiegeln (325 und 327) eine Gü­ teschalter (328) aus elektrooptischem, akustooptischen Material oder eine entsprechende mikromechanische Vorrichtung angeordnet ist.11. System according to one or more of claims 1 to 10, characterized in that between the resonator mirrors ( 325 and 327 ) a Gü teschalter ( 328 ) made of electro-optical, acousto-optical material or a corresponding micromechanical device is arranged. 12. System nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß dem aus einem monolithischen Laserkristall (414) mit aufgebrachter Einkoppelspiegelschicht (425) und einem extern angeordneten Auskoppelspiegel (427) gebildeten und optisch über eine Kollimations- und Fokussieroptik (413) von einer Laserdiode (412) gepumpten Festkörperlaser ein Laserdiodenarray (430) zum zusätzlichen transversalen Pumpen zugeord­ net ist.12. System according to one or more of claims 1 to 11, characterized in that from a monolithic laser crystal ( 414 ) with applied coupling mirror layer ( 425 ) and an externally arranged coupling mirror ( 427 ) formed and optically via a collimation and focusing optics ( 413 ) from a laser diode ( 412 ) pumped solid-state laser, a laser diode array ( 430 ) is assigned to additional transverse pumps. 13. System nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß zur optischen Anregung des Laserkristalls (514) die­ sem ein aus mehreren Laserdioden bestehendes Array (530) mit einem Pump­ licht-Integrationselement (531) für die Kollimations- und Fokussieroptik (513) zugeordnet ist.13. System according to one or more of claims 1 to 12, characterized in that for the optical excitation of the laser crystal ( 514 ) the sem a consisting of several laser diodes array ( 530 ) with a pump light integration element ( 531 ) for the collimation and Focusing optics ( 513 ) is assigned. 14. System nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Pump­ licht-Integrationselement (531) aus mehreren justierten Glasfasern (515) oder aus einem Integrierten Wellenleiter gebildet wird.14. System according to claim 13, characterized in that the pump light-integration element ( 531 ) is formed from a plurality of adjusted glass fibers ( 515 ) or from an integrated waveguide. 15. System nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Pump­ licht-Integrationselement (531) aus holografischoptischen Elementen ge­ bildet wird, wobei diese sowohl aus Flächen- als auch aus Volumenholo­ grammen, insbesondere phasenkonjugierenden Systemen bestehen. 15. System according to claim 13, characterized in that the pump light-integrating element ( 531 ) is formed from holographic-optical elements, these being both area and volume holograms, in particular phase-conjugating systems. 16. System nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Basis-Chip neben den Kühleinrichtungen (18, 19, 20) eine Temperatur-Sensorik (18a) und eine vom Mikroprozessor (17) gesteuerte Temperatur-Regeleinrichtung integriert sind.16. System according to one or more of claims 1 to 15, characterized in that on the base chip in addition to the cooling devices ( 18 , 19 , 20 ), a temperature sensor system ( 18 a) and a temperature controlled by the microprocessor ( 17 ) Control device are integrated.
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DE (1) DE4041130A1 (en)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4139859A1 (en) * 1991-12-03 1993-06-09 Deutsche Aerospace Ag, 8000 Muenchen, De Tunable two wavelength laser for super heterodyne interferometer - comprises diode pumped solid state laser and allows tuning of differential frequency of two wavelengths in typical range of 0 to 30 GHz by phase modulation
DE4211899A1 (en) * 1992-04-09 1993-10-21 Deutsche Aerospace Process for the production of a microsystem and the formation of a microsystem laser
DE4229500A1 (en) * 1992-09-04 1994-03-10 Deutsche Aerospace Solid-state hybrid laser system - with laser diode chip and associated cooling and temp. regulation elements contained in standard housing
DE4323197A1 (en) * 1992-09-04 1994-03-17 Deutsche Aerospace Regulating operating parameters of diode-pumped solid state laser - raising operating temp. of laser diode in steps with reduction of laser diode current to maintain constant output power
DE19510705A1 (en) * 1995-03-15 1996-09-19 Las Laser Analytical Systems G Diode pumped solid state laser device
EP0759538A2 (en) * 1995-08-17 1997-02-26 Kabushiki Kaisha Topcon Laser system for surveying
DE19647878A1 (en) * 1996-11-19 1998-05-20 Daimler Benz Ag Laser and amplifier system for generating laser radiation in the visible wavelength range
WO1998057400A1 (en) * 1997-06-11 1998-12-17 Raytheon Company Optically pumped compact laser resonator
EP0939464A2 (en) * 1998-02-27 1999-09-01 Litton Systems, Inc. Submount assembly and associated packaging method
EP0997991A2 (en) * 1998-10-30 2000-05-03 Litton Systems, Inc., Delaware Temperature-controlled microchip laser assembly and associated submount assembly
US6172997B1 (en) 1998-06-16 2001-01-09 Aculight Corporation Integrated semiconductor diode laser pumped solid state laser
WO2005050797A3 (en) * 2003-11-14 2005-09-01 Honeywell Int Inc Optical bench for diode-pumped solid state lasers in field applications
EP1643603A1 (en) * 2004-09-29 2006-04-05 Wavelight Laser Technologie AG Lasersystem with solid state laser heads
DE19818271B4 (en) * 1997-04-24 2008-04-30 Shibuya Kogyo Co., Ltd., Kanazawa Production process for solid-state lasers
CN113867448A (en) * 2021-10-27 2021-12-31 北京工业大学 Temperature control device of nonlinear optical crystal
CN115360568A (en) * 2022-08-25 2022-11-18 湖北华中长江光电科技有限公司 Heat transfer device, laser module, laser array system and design method
DE102022125325A1 (en) 2022-09-30 2024-04-04 Ams-Osram International Gmbh PHOTONIC INTEGRATED CIRCUIT WITH AMPLIFICATION MEDIUM AND OPTOELECTRONIC DEVICE

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1944076B2 (en) * 1969-08-29 1973-10-11 Siemens Ag, 1000 Berlin U. 8000 Muenchen Optical transmitter (laser)
US4969155A (en) * 1989-10-10 1990-11-06 Hughes Aircraft Company Integrating laser diode pumped laser apparatus
DE3925201A1 (en) * 1989-07-29 1991-02-07 Messerschmitt Boelkow Blohm OPTICAL BENCH FOR MOUNTING OPTICAL, ELECTRICAL AND OTHERS COMPONENTS

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1944076B2 (en) * 1969-08-29 1973-10-11 Siemens Ag, 1000 Berlin U. 8000 Muenchen Optical transmitter (laser)
DE3925201A1 (en) * 1989-07-29 1991-02-07 Messerschmitt Boelkow Blohm OPTICAL BENCH FOR MOUNTING OPTICAL, ELECTRICAL AND OTHERS COMPONENTS
US4969155A (en) * 1989-10-10 1990-11-06 Hughes Aircraft Company Integrating laser diode pumped laser apparatus

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4139859A1 (en) * 1991-12-03 1993-06-09 Deutsche Aerospace Ag, 8000 Muenchen, De Tunable two wavelength laser for super heterodyne interferometer - comprises diode pumped solid state laser and allows tuning of differential frequency of two wavelengths in typical range of 0 to 30 GHz by phase modulation
DE4211899C2 (en) * 1992-04-09 1998-07-16 Daimler Benz Aerospace Ag Microsystem laser arrangement and microsystem laser
DE4211899A1 (en) * 1992-04-09 1993-10-21 Deutsche Aerospace Process for the production of a microsystem and the formation of a microsystem laser
DE4323197A1 (en) * 1992-09-04 1994-03-17 Deutsche Aerospace Regulating operating parameters of diode-pumped solid state laser - raising operating temp. of laser diode in steps with reduction of laser diode current to maintain constant output power
DE4229500A1 (en) * 1992-09-04 1994-03-10 Deutsche Aerospace Solid-state hybrid laser system - with laser diode chip and associated cooling and temp. regulation elements contained in standard housing
DE19510705A1 (en) * 1995-03-15 1996-09-19 Las Laser Analytical Systems G Diode pumped solid state laser device
EP1717548A1 (en) * 1995-08-17 2006-11-02 Kabushiki Kaisha Topcon Laser system for surveying
EP0759538A3 (en) * 1995-08-17 1998-07-08 Kabushiki Kaisha Topcon Laser system for surveying
EP0759538A2 (en) * 1995-08-17 1997-02-26 Kabushiki Kaisha Topcon Laser system for surveying
DE19647878A1 (en) * 1996-11-19 1998-05-20 Daimler Benz Ag Laser and amplifier system for generating laser radiation in the visible wavelength range
DE19818271B4 (en) * 1997-04-24 2008-04-30 Shibuya Kogyo Co., Ltd., Kanazawa Production process for solid-state lasers
WO1998057400A1 (en) * 1997-06-11 1998-12-17 Raytheon Company Optically pumped compact laser resonator
US5923695A (en) * 1997-06-11 1999-07-13 Raytheon Company Compact pumped laser resonator and method
EP0939464A2 (en) * 1998-02-27 1999-09-01 Litton Systems, Inc. Submount assembly and associated packaging method
EP0939464A3 (en) * 1998-02-27 2002-01-02 Litton Systems, Inc. Submount assembly and associated packaging method
US6172997B1 (en) 1998-06-16 2001-01-09 Aculight Corporation Integrated semiconductor diode laser pumped solid state laser
US6292499B1 (en) 1998-06-16 2001-09-18 Aculight Corporation Solderable optical mount
EP0997991A2 (en) * 1998-10-30 2000-05-03 Litton Systems, Inc., Delaware Temperature-controlled microchip laser assembly and associated submount assembly
EP0997991A3 (en) * 1998-10-30 2000-11-22 Litton Systems, Inc., Delaware Temperature-controlled microchip laser assembly and associated submount assembly
US7068700B2 (en) 2003-11-14 2006-06-27 Honeywell International Inc. Optical bench for diode-pumped solid state lasers in field applications
WO2005050797A3 (en) * 2003-11-14 2005-09-01 Honeywell Int Inc Optical bench for diode-pumped solid state lasers in field applications
EP1643603A1 (en) * 2004-09-29 2006-04-05 Wavelight Laser Technologie AG Lasersystem with solid state laser heads
WO2006034783A1 (en) * 2004-09-29 2006-04-06 Wavelight Laser Technologie Ag Laser system with solid laser heads
CN113867448A (en) * 2021-10-27 2021-12-31 北京工业大学 Temperature control device of nonlinear optical crystal
CN115360568A (en) * 2022-08-25 2022-11-18 湖北华中长江光电科技有限公司 Heat transfer device, laser module, laser array system and design method
CN115360568B (en) * 2022-08-25 2023-06-20 湖北华中长江光电科技有限公司 Heat transfer device, laser module, laser array system and design method
DE102022125325A1 (en) 2022-09-30 2024-04-04 Ams-Osram International Gmbh PHOTONIC INTEGRATED CIRCUIT WITH AMPLIFICATION MEDIUM AND OPTOELECTRONIC DEVICE

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