DE4033608A1 - Micro-mechanical scanning mirror - has mirrored plate with electrode undersurface forming capacitor with base - Google Patents

Abstract

In the appts. a first computer is provided for mean pulse frequency per time unit, detected from a pulse signal unit cycle. A decision unit for a basic pulse frequency compares the mean value of the pulse frequency from the computer with a subsequent mean pulse frequency value. The lowest mean value is temporarily stored in a memory, in which it is repeatedly renewed by a system comparing the lowest pulse frequency values of the same person with previous measurements. The comparison is carried out when the last measured lowest value is lower than the stored pulse frequency value. A second computer calculates the stress level by subtracting the lowest value of the same person, measured in the past, from the basic pulse frequency on the examination day. The stress level is displayed. ADVANTAGE - Small, lightweight, easy to use and wear.

Description

Die Erfindung betrifft mikromechanisch gefertigte Lichtab­ lenker und geht aus von einem in Siliziummikromechanik gefertigten Lichtablenker für unterschiedlichste Abtast­ zwecke, der in dem Artikel "Silicon Torsional Scanning Mirror", K. E. Petersen, IBM J. Res. Develop. 24 631 (1980) beschrieben ist.The invention relates to micromechanically manufactured lights handlebar and assumes one in silicon micromechanics manufactured light deflector for different scans purposes described in the article "Silicon Torsional Scanning Mirror ", K.E. Petersen, IBM J. Res. Develop. 24 631 (1980) is described.

Der dort beschriebene Lichtablenker bietet eine kompakte, leichte und kostengünstig herstellbare Alternative zu her­ kömmlichen elektromagnetisch bzw. piezoelektrisch angesteu­ erten mechanischen Hochfrequenz-Scannern und erreicht bei geringer Leistungsaufnahme vergleichbare Betriebseigen­ schaften. Er umfaßt im wesentlichen zwei Komponenten, eine Glasplatte mit einer rechteckig ausgenommenen Vertiefung und einen Einkristall-Siliziumwafer, aus dessen Mitte eine verspiegelte Siliziumplatte herausgearbeitet ist, die über zwei gegenüberliegende Torsionsstege noch mit dem Wafer verbunden ist. Der Rand des diesen Siliziumspiegel umgeben­ den Waferrahmens ist durch Bonden mit der Glasplatte ver­ bunden, wobei sich die Torsionsstege und der bewegbare Spiegel über der Vertiefung befinden. In der Vertiefung sind zwei parallel zu den Stegen und zueinander verlaufende streifenförmige feste Gegenelektroden vorgesehen. Bei Anle­ gen einer Wechselspannung an die zum Rand der Glasplatte verlängerten festen Gegenelektroden und einen Anschluß am hierzu offenbar beidseitig metallisierten Spiegel führt dieser Torsionsschwingungen um die durch die Torsionsstege gehende Achse aus, wobei er durch die alternierenden elek­ trostatischen Kräfte jeweils abwechselnd auf eine der Gegenelektroden gezogen wird.The light deflector described there offers a compact, light and inexpensive to produce alternative to conventional electromagnetic or piezoelectric control mechanical high-frequency scanners and reaches low power consumption comparable in-house create. It essentially comprises two components, one Glass plate with a rectangular recess and a single crystal silicon wafer, one in the middle mirrored silicon plate is worked out, the over two opposite torsion bars still with the wafer connected is. The edge of this silicon mirror surround it the wafer frame is bonded to the glass plate bound, the torsion bars and the movable Mirrors are located above the recess. In the recess are two parallel to the webs and to each other strip-shaped fixed counter electrodes are provided. At Anle alternating voltage to the edge of the glass plate extended fixed counter electrodes and a connection on this apparently leads to metallized mirrors on both sides of these torsional vibrations around through the torsion bars outgoing axis, whereby it is characterized by the alternating elec trostatic forces alternately on one of the Pulling counter electrodes.

Um hierbei transversale Schwingungen zu vermeiden, wird die Spiegelmitte durch eine sich zwischen den Stegen auf der Glasplatte erstreckende Stabilisierungsrippe gestützt. Den­ noch bereiten herstellungsbedingte Fehler (Überätzen und unvollkommene Bondierungen) Schwierigkeiten bei der Vermei­ dung von Transversalschwingungen und es ist infolge der starken Torsionskräfte in den Stegen eine Verbiegung des Spiegels nicht vermeidbar. Auch ist die Torsionsbeanspru­ chung im Hinblick auf Ermüdungserscheinungen im angestreb­ ten Langzeitbetrieb nicht unproblematisch.To avoid transverse vibrations, the Mirror center through a between the webs on the  Stabilizing rib extending glass plate supported. Den manufacturing errors (overetching and imperfect bonds) Difficulties in avoiding formation of transverse vibrations and it is due to the strong torsional forces in the webs a bending of the Mirror cannot be avoided. The torsional stress is also with regard to signs of fatigue in the target Long-term operation is not without problems.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen verbesser­ ten mikromechanischen Lichtablenker zu schaffen, dessen Spiegelfläche sich bei seiner Auslenkung möglichst nicht verbiegt, der gute Frequenzeigenschaften aufweist und dabei einfach herzustellen ist.The invention has for its object to improve to create th micromechanical light deflector, its If possible, the mirror surface should not be deflected bends, which has good frequency characteristics and thereby is easy to manufacture.

Diese Aufgabe wird durch den Gegenstand des Patentanspruchs 1 gelöst. Danach werden statt der Torsionsstege Biegebalken in Form elastischer Stege verwendet, an denen die verspie­ gelte Siliziumplatte auslegerartig gehaltert ist. Abgesehen davon, daß bei dieser Anordnung nur eine Elektrode vorzuse­ hen ist, wodurch sich der Herstellungsprozeß vereinfacht, konnten mit einem solchen Lichtablenker z. B. bei einer Eigenfrequenz von etwa 2000 Hz bis zu 1000 Hz Betriebsfre­ quenz von der Frequenz unabhängige Schwingungsamplituden erzeugt werden. Auch wurde in Testreihen für verschiedene Betriebfrequenzen und Amplituden ermittelt, daß sich die Spiegelfläche nicht verbiegt und mit hoher Genauigkeit plan bleibt. Dieses wichtige Merkmal des erfindungsgemäßen Lichtablenkers ermöglicht, daß dieser als hochgenauer Mikroscanner und als zuverlässige optische Justiereinrich­ tung (z. B. zum Einkoppeln von Licht in Lichtleitfasern) einsetzbar ist. This object is the subject of the claim 1 solved. Thereafter, bending beams are used instead of the torsion bars used in the form of elastic webs on which the spat Gelelt silicon plate is held like a cantilever. Except of the fact that in this arrangement only one electrode is used hen, which simplifies the manufacturing process, could with such a light deflector. B. at a Natural frequency from approximately 2000 Hz to 1000 Hz operating fre oscillation amplitudes independent of the frequency be generated. Also has been used in test series for various Operating frequencies and amplitudes determined that the Mirror surface not bent and flat with high accuracy remains. This important feature of the invention Light deflector allows this to be highly accurate Microscanner and as a reliable optical adjustment device device (e.g. for coupling light into optical fibers) can be used.  

Die Verwendung zweier elastischer Stege fördert die Stabi­ lität und verhindert zur eigentlichen Schwingungsrichtung transversale Schwingungen. Um insbesondere bei größeren Amplituden eine plan bleibende Spiegelfläche zu garantie­ ren, werden die Stege mit deutlich geringerer Dicke als die Siliziumplatte ausgebildet. Der Faktor, um den die Stege im Vergleich zur Siliziumplatte heruntergedünnt werden, hängt von den zu erzielenden Eigenschaften ab. Bei dünneren Ste­ gen und größerem Elektrodenabstand zwischen verspiegelter Siliziumplatte und Gegenelektrode sind größere Ablenkwinkel bei kleineren Frequenzen möglich, wohingegen höhere Fre­ quenzen auf Kosten des maximal möglichen Ablenkwinkels erzielt werden.The use of two elastic bars promotes the stabilization lity and prevents the actual direction of vibration transverse vibrations. In particular with larger ones Amplitudes guarantee a flat mirror surface ren, the webs are significantly less thick than that Silicon plate formed. The factor by which the webs in the Thinning down compared to the silicon plate depends depends on the properties to be achieved. With thinner ste and larger electrode distance between the mirrored Silicon plate and counter electrode are larger deflection angles possible at lower frequencies, whereas higher fre sequences at the expense of the maximum possible deflection angle be achieved.

Zur Realisierung des Elektrodenabstandes wird wahlweise in die Trägerplatte der Gegenelektrode eine der verspiegelten Siliziumplatte entsprechende Vertiefung ausgebildet oder deren Dicke entsprechend gegenüber dem sie umgebenden Sili­ ziumrahmen reduziert. Für den Fall, daß man als Träger­ platte Glas verwendet, empfiehlt sich die letztere Lösung, da Silizium leichter heruntergeätzt werden kann.To implement the electrode spacing, either the backing plate of the counter electrode is one of the mirrored ones Silicon plate corresponding recess formed or their thickness corresponding to the surrounding sili reduced frame. In the event that one as a carrier plate glass, the latter solution is recommended, because silicon can be etched down more easily.

Trotz der unterschiedlichen Abhängigkeit von der Auslenkung für die auslenkende elektrostatische Kraft und die rück­ treibende Kraft sind überraschenderweise stabile Auslenkun­ gen der verspiegelten Platte bis zu etwa 80% der durch den Elektrodenabstand bestimmten maximal möglichen Auslenkung erzielbar. Despite the different dependence on the deflection for the deflecting electrostatic force and the back the driving force is surprisingly stable deflection up to about 80% of that of the mirrored plate The electrode spacing determined the maximum possible deflection achievable.  

Das Frequenzverhalten kann noch weiterhin verbessert wer­ den, indem in der Gegenelektrode Luftschlitze oder -löcher vorgesehen werden, die die Luftdämpfung herabsetzen und die gezielte Einstellung der aperiodischen Dämpfung gestatten.The frequency behavior can still be improved by making air slots or holes in the counter electrode are provided, which reduce the air damping and the allow targeted adjustment of the aperiodic damping.

Somit sind erfindungsgemäß sehr kleine, hochgenaue Ablenke­ lemente geschaffen, die mit Methoden der modernen Massen­ fertigung der Si-Mikromechanik herstellbar sind.Thus, according to the invention, there are very small, highly accurate deflections elements created using methods of modern masses production of Si micromechanics can be produced.

Im folgenden wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigenIn the following the invention with reference to the drawings explained in more detail. Show it

Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Lichtablenkers und Fig. 1 shows an embodiment of the light deflector according to the invention and

Fig. 2 einen Siliziumwafer mit bereits herausgetrennter Spiegelplatte zur Verwendung in Fig. 1. Fig. 2 shows a silicon wafer having been mirror out of separate plate for use in FIG. 1.

Der in Fig. 1 schematisch dargestellte Lichtablenker umfaßt als Spiegel eine bewegliche, auf der Oberseite verspiegelte Siliziumplatte 1, die über zwei elastische Stege 2 mit einem festen Siliziumrahmen 3 verbunden ist und pendelartig an diesem Rahmen aufgehängt ist. Spiegelplatte, Stege und Rahmen sind aus einem Siliziumwafer geätzt. Das Material ist dabei so hoch dotiert, daß die Spiegelplatte bereits Elektrodenmaterialeigenschaften hat und die Unterseite des Spiegels nicht mehr metallisiert werden muß.The light deflector shown schematically in FIG. 1 comprises as a mirror a movable silicon plate 1 mirrored on the upper side, which is connected to a fixed silicon frame 3 via two elastic webs 2 and is suspended from this frame in a pendulum-like manner. The mirror plate, bars and frame are etched from a silicon wafer. The material is so highly doped that the mirror plate already has electrode material properties and the underside of the mirror no longer has to be metallized.

Eine Gegenelektrode 4, die z. B. aus einer aufgedampften Aluminiumschicht besteht, ist auf einem Gegenelektrodenträ­ ger 5 vorzugsweise in Form von Glas, z. B. Pyrexglas, ausge­ bildet. Die Gegenelektrode 5 erstreckt sich unterhalb der rechteckigen Spiegelunterseite und weist einen zum Rand des Trägers 5 verlängerten Anschlußstreifen auf. Der nötige Be­ wegungsabstand zwischen dem aus beweglichem Spiegel 1 und Gegenelektrode 4 gebildeten Kondensator ist dadurch reali­ siert, daß die Unterseite des Spiegels um diesen Abstand heruntergeätzt wurde. Stattdessen kann auch eine entspre­ chende Vertiefung in den Glasträger eingeätzt werden. Im Ausführungsbeispiel beträgt der Elektrodenabstand etwa 10 µm.A counter electrode 4 , the z. B. consists of a vapor-deposited aluminum layer is on a counter electrode Ger 5 preferably in the form of glass, for. B. Pyrex glass forms out. The counterelectrode 5 extends below the rectangular underside of the mirror and has a connecting strip which is extended to the edge of the carrier 5 . The necessary movement distance between the capacitor formed from the movable mirror 1 and counter electrode 4 is realized in that the underside of the mirror has been etched down by this distance. Instead, a corresponding recess can also be etched into the glass carrier. In the exemplary embodiment, the electrode spacing is approximately 10 μm.

Der Rahmen 3, der in Fig. 2 von oben vollständig dargestellt ist, weist im Ausführungsbeispiel eine Fläche von etwa 10 mm² und eine Dicke von etwa 300 µm auf. Der Spiegel ist einige mm² groß. Die Stege 2 sind deutlich dünner ausgebil­ det und im Ausführungsbeispiel auf etwa 1/3 der Waferdicke und damit etwa auch des Spiegels heruntergeätzt. Die Her­ stellung des Rahmens 3 und des daran hebelartig über die Stege 2 aufgehängten Spiegel 1 gemäß Fig. 2 erfolgt vor­ zugsweise durch entsprechende Ätzschritte eines Fotolitho­ grafieverfahrens, das für eine große Anzahl von Siliziumwa­ fern gleichzeitig durchgeführt wird. Das gleiche gilt für die Verspiegelung der Oberseite der Spiegelplatten 1. Der Rahmen wird durch anodisches Bonden fest mit dem Träger 5 verbunden, nachdem die Gegenelektrode 4 aufgedampft worden ist. (Prinzipiell ist es auch möglich, den Träger 5 aus Silizium zu fertigen.) Abgesehen vom noch zu erfolgenden Anschluß von Anschlußdrähten für die Betriebsspannung ist der Lichtablenker damit fertiggestellt.The frame 3 , which is shown completely in FIG. 2 from above, has an area of approximately 10 mm ² and a thickness of approximately 300 μm in the exemplary embodiment. The mirror is a few mm ^{2 in} size. The webs 2 are significantly thinner ausgebil det and etched down to about 1/3 of the wafer thickness and thus about the mirror in the embodiment. The position of the frame 3 and the lever 1 suspended thereon via the webs 2 according to FIG. 2 is preferably carried out before by corresponding etching steps of a photolithography method which is carried out simultaneously for a large number of silicon wa. The same applies to the mirroring of the top of the mirror plates 1 . The frame is firmly connected to the carrier 5 by anodic bonding after the counter electrode 4 has been evaporated. (In principle, it is also possible to manufacture the carrier 5 from silicon.) Apart from the connection wires for the operating voltage that still have to be made, the light deflector is thus completed.

Bei Untersuchungsreihen am obigen Ausführungsbeispiel wur­ den zur elektrostatischen Auslenkung des Spiegels Spannun­ gen bis zu etwa 150 V angelegt. Ferner wurden auch zur Ver­ ringerung der Luftdämpfung in der Gegenelektrode Luft­ schlitze vorgesehen, mit denen der aperiodische Grenzfall im Wechselspannungsbetrieb eingestellt werden konnte.In series of tests on the above embodiment, the voltage for the electrostatic deflection of the mirror applied up to about 150 V. Furthermore, ver  reduction of air damping in the counter electrode air slots provided with which the aperiodic limit case could be set in AC mode.

U.a. wurden Spiegelablenkungen von etwa 1 mrad mit einer resultierenden Ablenkung eines am Spiegel reflektierten Lichtstrahles um 2 mrad erzeugt. Bei einer Eigenfrequenz von 2000 Hz war die Amplitude des Spiegels mit Abweichungen von weniger als 10% bis etwa 1000 Hz von der Frequenz unab­ hängig.Among other things were mirror deflections of about 1 mrad with a resulting deflection of a reflected on the mirror Light beam generated by 2 mrad. At a natural frequency of 2000 Hz was the amplitude of the mirror with deviations from less than 10% to about 1000 Hz independent of frequency pending.

Um deutlich werden zu lassen, daß der erfindungsgemäße Lichtablenker nicht auf dieses spezielle Ausführungsbei­ spiel beschränkt ist, sondern eine Vielzahl anderer Dimen­ sionierungen und Auslegungen zuläßt (z. B. auch mit einem elastischen Steg), größeren, kleineren, dickeren und dünne­ ren Spiegeln und anderen Elektrodenabständen, wird im folgenden auf die theoretischen Grundlagen des Ablenkers eingegangen.To make it clear that the invention Light deflectors are not based on this special design game is limited, but a variety of other dimensions sions and interpretations (e.g. also with a elastic bridge), larger, smaller, thicker and thin ren mirrors and other electrode distances, is in the following on the theoretical basics of the deflector received.

Die durch das elektrische Feld zwischen den Kondensator­ platten 1, 4 elektrostatisch erzeugte Kraft ist gegeben durchThe plates generated by the electric field between the capacitor plates 1 , 4 is given by

F_e = U² ∈₀ S/2 (d₀-x)², (1)F _e = U² ∈₀ S / 2 (d₀-x) ², (1)

wobei U die elektrische Spannung am Kondensator, ∈₀ die Dielektrizitätskonstante, S die Kondensatorfläche (gleich Spiegelfläche) und d₀ der Kondensatorabstand im Ruhezustand sind. Ferner bezeichnet x die Auslenkung des Spiegels. where U is the electrical voltage across the capacitor, ∈₀ the dielectric constant, S the capacitor area (equal to mirror area) and d ₀ the capacitor spacing in the idle state. Furthermore, x denotes the deflection of the mirror.

Der auslenkenden elektrostatischen Kraft wirkt proportional zur Auslenkung eine rücktreibende mechanische Kraft F = k_mx entgegen. Dabei wird die Federkonstante k_m durch die Höhe h, Breite b und Länge l der oder des elastischen Steges sowie durch den Elastizitätsmodul E von Silizium bestimmt zuThe deflecting electrostatic force counteracts a repelling mechanical force F = k _m x proportional to the deflection. The spring constant k _{m is} determined by the height h, width b and length l of the elastic web (s) and by the modulus of elasticity E of silicon

F_m = (Eh³B/4ml³)x = mw₀²x (2)F _m = (Eh³B / 4ml³) x = mw₀²x (2)

wobei w₀ ² = Eh³B/4ml³ die Eigenfrequenz des elastisch auf­ gehängten Spiegels ist.where w ₀ ² = Eh ³ B / 4ml ^{3 is} the natural frequency of the elastically suspended mirror.

Gleichung (2) gilt exakt nur solange die Kreisfrequenz w der auslenkende Kraft gegen Null geht. Für höhere Frequen­ zen hängt die Auslenkung des Spiegels stark von der Fre­ quenz der auslenkenden Kraft und der Dämpfung δ des Systems im Verhältnis zur Eigenfrequenz w₀ ab. Dabei wird die Dämp­ fung δ im wesentlichen durch die Luftdämpfung gegeben.Equation (2) only applies exactly as long as the angular frequency w of the deflecting force goes to zero. For higher frequencies, the deflection of the mirror depends heavily on the frequency of the deflecting force and the damping δ of the system in relation to the natural frequency w ₀ . The damping δ is essentially given by the air damping.

Durch eine Reihe von Schlitzen in der Gegenelektrode kann δ soweit reduziert werden, daß δ/w₀ dem optimalen Wert des aperiodischen Grenzfalls von 0,7 nahe kommt.Through a series of slots in the counter electrode, δ can be reduced to such an extent that δ / w ₀ comes close to the optimum value of the aperiodic limit case of 0.7.

Da die auslenkende Kraft gemäß (1) quadratisch mit (d₀-x) anwächst, die rücktreibende Kraft gemäß (2) jedoch nur linear mit x zunimmt, ist der Spiegel theoretisch nur bis zu einer bestimmten Auslenkung x stabil. Bei größeren Aus­ lenkungen ist zu erwarten, daß er instabil wird und gegen die Gegenelektrode schlägt. Bei einem parallel zur Gegen­ elektrode bewegten Spiegel ergibt die Abschätzung des mini­ mal möglichen Abstandes d₀/3. Experimentell wurde anhand des Ausführungsbeispieles festgestellt, daß die Spiegel­ spitze des pendelartig aufgehängten Spiegels stabil auf über 80% von d₀ auslenkbar ist und etwa bis zu einem Ab­ stand d₀/9 von der Gegenelektrode stabil bleibt. Für den Wert d₀ = 10 µm ergeben sich dabei die Spiegelauslenkung zu 2 mrad und die des Lichtstrahls zu 4 mrad.Since the deflecting force according to (1) increases quadratically with (d ₀ -x), but the repelling force according to (2) only increases linearly with x, the mirror is theoretically stable only up to a certain deflection x. With larger deflections, it is to be expected that it will become unstable and strike against the counter electrode. In a parallel to the counter electrode results in moving mirror the estimation of the mini possible times distance d _0/3 system. It was experimentally determined on the basis of the embodiment in that the mirror tip of the pendulum-like suspended mirror stable at about 80% of d ₀ is deflectable and about up to a stand from d _0/9 remains stable from the counter electrode. For the value d ₀ = 10 µm, the mirror deflection is 2 mrad and that of the light beam is 4 mrad.

Anhand dieser Betrachtungen wird deutlich, daß je nach Ein­ satz des Lichtablenkers (für hochfrequente Ablenkungen, niederfrequente oder statische Ablenkungen, für große und kleine Amplituden usw.) die Auslegung von Stegen und Spie­ gelplatte entsprechend variiert werden kann. Solche Varia­ tionen sind zudem bei der Herstellung durch Änderung der Ätzzeiten und/oder -masken leicht realisierbar.On the basis of these considerations it becomes clear that depending on the one set of light deflector (for high-frequency deflections, low frequency or static distractions, for large and small amplitudes etc.) the design of bars and spie gel plate can be varied accordingly. Such a Varia ions are also in the manufacture by changing the Etching times and / or masks can be easily implemented.

Claims (7)

1. Mikromechanisch gefertigter Lichtablenker mit einer als Elektrode schaltbaren verspiegelten Siliziumplatte, die mit einer Stegverbindung zu einem festen Rahmen aus einem Siliziumwafer herausgearbeitet ist, mit einer plattenförmigen an diesem Rahmen befestigten Gegenelek­ trodeneinrichtung, gegenüber der die Siliziumplatte bewegbar ist, und mit Anschlüssen zum Anlegen von Span­ nung an den von der Siliziumplatte und der Gegenelektro­ deneinrichtung gebildeten Kondensator, dadurch gekennzeichnet, daß die Stegverbindung aus einem oder mehreren Biegebal­ ken in Form elastischer Stege (2) besteht, über die die verspiegelte Siliziumplatte (1) einseitig, hebelartig am Rahmen (3) gehaltert ist und daß die Gegenelektrodenein­ richtung eine einzige Gegenelektrode (4) aufweist.1. Micromechanically manufactured light deflector with a switchable as an electrode mirrored silicon plate, which is worked out with a bridge connection to a fixed frame from a silicon wafer, with a plate-shaped counterelectrode device attached to this frame, against which the silicon plate is movable, and with connections for applying Voltage to the capacitor formed by the silicon plate and the counterelectrode device, characterized in that the web connection consists of one or more bending beams in the form of elastic webs ( 2 ) via which the mirrored silicon plate ( 1 ) on one side, lever-like on the frame ( 3 ) is supported and that the counter-electrode device has a single counter-electrode ( 4 ). 2. Lichtablenker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwei Stege (2) vorgesehen sind.2. Light deflector according to claim 1, characterized in that two webs ( 2 ) are provided. 3. Lichtablenker nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der oder die Stege (2) mit geringerer Dicke als die Siliziumplatte (1), vorzugsweise etwa einem Drittel deren Dicke ausgebildet sind. 3. Light deflector according to claim 1 or 2, characterized in that the one or more webs ( 2 ) with a smaller thickness than the silicon plate ( 1 ), preferably about a third of its thickness are formed. 4. Lichtablenker nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zur Ausbildung des Plattenabstandes vom Kondensator entweder eine Vertiefung im plattenförmigen Träger (5) der Gegenelektrode (4) ausgenommen ist oder die Dicke der verspiegelten Siliziumplatte (1) gegenüber dem Siliziumrahmen (3) entsprechend dünner ausgebildet ist.4. Light deflector according to one of the preceding claims, characterized in that to form the plate distance from the capacitor either a recess in the plate-shaped carrier ( 5 ) of the counter electrode ( 4 ) is excluded or the thickness of the mirrored silicon plate ( 1 ) relative to the silicon frame ( 3 ) is formed correspondingly thinner. 5. Lichtablenker nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß in der Gegenelektrode (4) zur Verringerung der Luft­ dämpfung Schlitze oder Löcher ausgebildet sind.5. Light deflector according to one of the preceding claims, characterized in that slits or holes are formed in the counter electrode ( 4 ) to reduce the air damping. 6. Lichtablenker nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß Anzahl und Größe der Luftschlitze oder Löcher so ausgelegt sind, daß bezüglich der Dämpfung der aperiodi­ sche Grenzfall möglichst weitgehend realisiert ist.6. light deflector according to claim 5, characterized, that number and size of the louvers or holes so are designed that with regard to the damping of the aperiodi limit case is largely implemented. 7. Lichtablenker nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliziumplatte (1) so dotiert ist, daß sie Elek­ trodenmaterialeigenschaften aufweist.7. Light deflector according to one of the preceding claims, characterized in that the silicon plate ( 1 ) is doped so that it has electrode material properties.