DE4012843A1 - Ansteuerverfahren und ansteuerschaltung fuer einen als schneller schalter eingesetzten gto-thyristor - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Ansteuerverfahren für einen mit einem Löschkreis beschalteten, als schneller Schalter eingesetzten GTO-Thyristor gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Die Erfindung bezieht sich des weiteren auf eine Ansteuerschaltung zur Durchführung des Ansteuerverfahrens gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 5.

Ein solches Ansteuerverfahren bzw. eine solche Ansteuerschaltung sind aus Bornhardt, K. E.: "Switching Behaviour of a Pulse Commutated GTO", IEEE Conference on Power Electronics and Variable-Speed Drives, London, 1988, Seiten 83 bis 86, bekannt.

In ähnlicher Weise befassen sich C. Millour: 1987, "New perspectives for GTO used as conventional thyristors with gate assisted turn-off technique", Second European Conference on Power Electronics and Applications EPE, pp, 69 bis 75; L. Malesani, P. Tenti: 1987, "Medium-frequency GTO inverter for induction heating applications", Second European Conference on Power Electronics and Applications EPE, pp. 271 bis 276 und C. J. Hammerton, F. A. Woodworth: 1987, "The GTO as a fast thyristor", Second European Conference on Power Electronics and Applications EPE, pp. 81 bis 85 mit der Problematik von GTO-Thyristoren, die unter Einsatz eines Löschkreises als schneller Schalter Verwendung finden.

Die Schaltverluste werden durch den Löschkreis minimiert. Eine Verkleinerung des Löschkreises erhöht jedoch die Schaltverluste. Der Löschkreis ist trotzdem - verglichen mit dem eines normalen Thyristors - sehr "klein". Auf Ausschaltentlastungsnetzwerke (Beschaltung) kann gegebenenfalls ganz verzichtet werden. Dies hat jedoch zur Folge, daß nach einem Abschaltvorgang nach Beendigung der Schonzeit die Anoden-Kathoden-Spannung am GTO mit relativ hohem du/dt wiederkehrt. Wenn dies zusätzliche Ströme innerhalb des GTO verursacht, entstehen zusätzliche nachteilige Verluste. Als Abhilfe ist bereits vorgeschlagen worden, die Gate-Induktivität zu minimieren und die negative Gate-Spannung zu erhöhen (siehe Bornhardt).

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Ansteuerverfahren für einen als schneller Schalter eingesetzten GTO-Thyristor anzugeben, das eine Verminderung der Ausschaltverluste bewirkt. Des weiteren soll eine Ansteuerschaltung zur Durchführung des Verfahrens angegeben werden.

Diese Aufgabe wird bezüglich des Ansteuerverfahrens in Verbindung mit den Merkmalen des Oberbegriffes erfindungsgemäß durch die im Kennzeichen des Anspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöst. Die Aufgabe wird bezüglich der Ansteuerschaltung erfindungsgemäß durch die im Anspruch 5 gekennzeichneten Merkmale gelöst.

Die mit der Erfindung erzielbaren Vorteile bestehen insbesondere darin, daß das schnelle Ansteigen des negativen Gate-Stroms ermöglicht wird, wobei der zusätzliche Ausräumstrom durch das Gate und nicht - auch nicht teilweise - durch die Kathode abfließt. Hierdurch werden neue Injizierungen im Gate-Kathoden-Übergang vermieden und folglich die Ausschaltverluste verringert. Es sind nur kurze Schonzeiten des GTO erforderlich, was die möglichen Schaltfrequenzen erhöht. Die Löscheinrichtung kann gering dimensioniert werden, das Ausschaltentlastungsnetzwerk kann gegebenenfalls ganz entfallen oder zumindest stark reduziert werden.

Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.

Die Erfindung wird nachstehend anhand der in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiele erläutert. Es zeigt

Fig. 1 einen GTO mit üblicher Beschaltung (Ausschalt­ entlastungsnetzwerk),

Fig. 2 die zeitlichen Verläufe des Anodenstroms, des Gatestroms und der Anoden-Kathoden-Spannung am gemäß Fig. 1 beschalteten GTO beim Ausschalten,

Fig. 3 einen GTO mit spezieller Beschaltung (Löschkreis+ eventuell Ausschaltentlastungsnetzwerk) zur Anwendung als schneller Schalter,

Fig. 4 die zeitlichen Verläufe des Anodenstroms, des Gatestroms und der Anoden-Kathodenspannung am gemäß Fig. 3 beschalteten GTO beim Ausschalten,

Fig. 5 eine Weiterbildung der Anordnung gemäß Fig. 3 mit zusätzlichem Schalter und zusätzlicher negativer Gleichspannungsquelle zur Erzielung eines zusätzlichen Löschimpulses bei Wiederkehr der Anoden-Kathoden-Spannung,

Fig. 6 die zeitlichen Verläufe des Anodenstroms, des Gatestromes und der Anoden-Kathoden-Spannung am gemäß Fig. 5 beschalteten GTO beim Ausschalten,

Fig. 7 eine mögliche Ansteuerschaltung für den zusätzlichen Schalter,

Fig. 8 eine mögliche Ansteuerschaltung für den zusätzlichen Schalter mit zusätzlicher Schaltung zur Gewinnung der Spannung für die zusätzliche negative Gleichspannungsquelle.

In Fig. 1 ist ein GTO Gate-turn-off-Thyristor) mit üblicher Beschaltung dargestellt. Es ist ein GTO 1 mit antiparalleler Diode 2 zu erkennen, dessen Anode A und Kathode K mit einem Ausschaltentlastungsnetzwerk 3 verbunden sind. Der in die Anode A fließende Anodenstrom ist mit iA und die zwischen Anode und Kathode liegende Anoden-Kathoden-Spannung ist mit uAK bezeichnet. Eine negative Gleichspannungsquelle 4 liegt mit ihrem positiven Anschluß an der Kathode K, während ihr negativer Anschluß über einen Schalter 5 und eine Gate-Induktivität LG mit dem Gate G des GTO 1 verbindbar ist. Der Gate-Strom ist mit iG und die negative Gleichspannung ist mit UG- bezeichnet.

In Fig. 2 sind die zeitlichen Verläufe des Anodenstroms iA, des Gatestroms iG und der Anoden-Kathoden-Spannung uAK am gemäß Fig. 1 beschalteten GTO beim Ausschalten dargestellt. Zum Zeitpunkt t=t0 wird der Schalter 5 geschlossen, worauf ein Gatestrom iG vom Gate G über die Gate-Induktivität LG und den Schalter 5 zur Gleichspannungsquelle 4 fließt. Die negative Gatestromspitze wird zum Zeitpunkt t=t1 erreicht, in dem der GTO 1 zu sperren beginnt (Anodenstrom iA fällt steil ab, Anoden- Kathoden-Spannung uAK steigt an). Bedingt durch die Gate- Induktivität LG wird die Gate-Kathoden-Strecke des GTO 1 in den Durchbruch geführt. Der Ausräumstrom im GTO fließt - für normale du/dt - aus dem Gate G und erzeugt keine neue Injizierung im Gate-Kathoden-Übergang.

In Fig. 3 ist ein GTO mit spezieller Beschaltung (Löschkreis+ eventuell Ausschaltentlastungsnetzwerk) zur Anwendung als schneller Schalter dargestellt. Im Unterschied zur Anordnung gemäß Fig. 1 sind Anode A und Kathode K des GTO 1 mit einem Löschkreis/Ausschaltentlastungsnetzwerk 6 anstelle eines reinen Ausschaltentlastungsnetzwerk 3 beschaltet, wobei dieses Ausschaltentlastungsnetzwerk relativ gering im Vergleich zum Ausschaltentlastungsnetzwerk 3 gemäßFig. 1 dimensioniert ist (minimierte Beschaltung). Gegebenenfalls kann das Ausschaltentlastungsnetzwerk auch ganz entfallen. Die weitere Beschaltung mit Diode 2, Gate-Induktivität LG, Schalter 5 und Gleichspannungsquelle 4 ist wie unter Fig. 1 beschrieben. Bei der Anordnung gemäß Fig. 3 wird durch den Löschkreis erreicht, daß beim Löschen des GTO 1 die Anoden-Kathoden-Spannung uAK erst nach einer Schonzeit tq erscheint. Hierdurch werden die Ausschaltverluste stark reduziert. Die nötige Löscheinrichtung des Löschkreises/Ausschaltentlastungsnetzwerkes 6 kann wegen der kurzen benötigten Schonzeit tq relativ gering dimensioniert werden. Das Ausschaltentlastungsnetzwerk kann "klein" sein oder entfallen, da der GTO bei Strom Null sperrt und daher sehr hohe du/dt aushält.

In Fig. 4 sind die zeitlichen Verläufe des Anodenstroms iA, des Gatestroms iG und der Anoden-Kathodenspannung uAK am gemäß Fig. 3 beschalteten GTO beim Ausschalten dargestellt. Ab dem Zeitpunkt t=t1′ fällt der Anodenstrom iA steil ab und erreicht zum Zeitpunkt t=t2 den Wert 0. Die negative Gatespannung uG- hilft zur Ausräumung des GTO 1, da durch die antiparallele Diode 2 ein positiver Anodenstrom iA entsteht. Zum Zeitpunkt t=t3 erreichen der Gatestrom iG eine negative Gatestromspitze und der Anodenstrom iA gleichzeitig eine positive Anodenstromspitze.

Bei Rückkehr der Anoden-Kathoden-Spannung uAK ab dem Zeitpunkt t=t4 ist - je nach Schonzeit tq - der GTO 1 schon ausgeräumt, d. h. iA und iG weisen bereits den Wert 0 auf. Die Schonzeit tq entspricht dabei dem Zeitraum zwischen t2 und t4.

Nach Beendigung der Schonzeit tq zum Zeitpunkt t4 erscheint die Anoden-Kathoden-Spannung uAK mit einem relativ hohen du/dt, da das Ausschaltentlastungsnetzwerk (Teil des Löschkreises/Ausschaltentlastungsnetzwerkes 6) sehr gering dimensioniert ist oder gegebenenfalls völlig weggelassen wird.

War der GTO 1 am Ende der Schonzeit zum Zeitpunkt t4 ganz ausgeräumt, so entsteht durch das du/dt von uAK nur ein kleiner Verschiebungsstrom, der kaum eine neue Injizierung erzeugt. War der GTO 1 am Ende der Schonzeit jedoch noch nicht ganz ausgeräumt, so entsteht durch das du/dt von uAK wegen der restlichen Ladungsträger ein zusätzlicher Ausräumstrom. Da der Gatestrom iG schon abgeklungen war, fließt dieser Ausräumstrom teilweise durch die Kathode und erzeugt eine neue Injizierung und dadurch eine Erhöhung der Verluste (siehe zusätzliche Anodenstromspitze und negative Gatestromspritze zum Zeitpunkt t=t5).

Um dieses Verhalten zu verbessern, ist es vorteilhaft, die Gateinduktivität zu minimieren (wobei LS der unvermeidbaren Streuinduktivität entspricht) und die negative Gatespannung uG- zu erhöhen. So kann erreicht werden, daß der negative Gatestrom iG so schnell wie möglich ansteigt und der Kathodenstrom klein bleibt.

In Fig. 5 ist eine Weiterbildung der Anordnung gemäß Fig. 3 mit zusätzlichem Schalter und zusätzlicher negativer Gleichspannungsquelle zur Erzielung eines zusätzlichen Löschimpulses bei Wiederkehr der Anoden-Kathoden- Spannung uAK dargestellt. Zusätzlich zur Schaltung gemäß Fig. 3 ist ein Kondensator C1 vorgesehen, dessen eine Anschlußklemme an der Kathode K des GTO 1 liegt und dessen weitere Anschlußklemme über einen zusätzlichen Schalter 8 und die Induktivität LS mit dem Gate G des GTO 1 verbindbar ist. Die Kondensatorspannung an C1 ist mit uC bezeichnet und ist größer als uG-. Zwischen der Induktivität LS und dem Schalter 5 liegt eine Diode 7, deren Kathode mit dem Schalter 5 verbunden ist. Diese Schaltung ermöglicht eine zusätzliche Gate-Ansteuerung des GTO 1 bei dessen Anwendung als schneller Thyristor.

In Fig. 6 sind die zeitlichen Verläufe des Anodenstroms iA, des Gatestroms iG und der Anoden-Kathoden-Spannung uAK am gemäß Fig. 5 beschalteten GTO beim Ausschalten dargestellt. Die Zeitverläufe der Ströme und der Spannung sind bis zum Zeitpunkt t=t4 unverändert gegenüber der Darstellung gemäß Fig. 4. Um das schnelle Ansteigen des negativen Gatestroms iG zu ermöglichen, wird bei Wiederkehr der Anoden-Kathoden-Spannung uAK zum Zeitpunkt t=t4 eine hohe negative Gatespannung (UC) an LS angelegt, die die Gate-Kathoden-Strecke in Durchbruch bringt. Wie vorstehend unter Fig. 4 beschrieben, fließt nun der zusätzliche Ausräumstrom durch das Gate G ab und erzeugt keine neue Injizierung. Es ergibt sich eine zusätzliche negative Gatestromspitze zum Zeitpunkt t=t4 und eine minimale positive Anodenstromspitze zum Zeitpunkt t=t5 (Verschiebungsstrom). Durch diese Maßnahme (zusätzlicher Löschimpuls bei Wiederkehr der Anoden- Kathoden-Spannung) werden die Ausschaltverluste bei kurzen Schonzeiten vermindert.

Zur Erzeugung der zusätzlichen hohen negativen Gatespannung wird der Schalter 8 zum Zeitpunkt t=t4 geschlossen, wodurch die Kondensatorspannung uC des vorgeladenen Kondensators C1 über die Induktivität LS an das Gate des GTO 1 gelegt wird. Eine mögliche Schaltung zur Ladung des Kondensators C1 ist unter Fig. 8 beschrieben.

In Fig. 7 ist eine mögliche Ansteuerschaltung für den zusätzlichen Schalter dargestellt. Dabei ist der zusätzliche Schalter 8 gemäß Fig. 5 als Feldeffekttransistor S2 ausgebildet, dessen Drain D an der Induktivität LS liegt, dessen Source S mit dem Kondensator C1 verbunden ist und an dessen Gate G2 die Kathode einer Zenerdiode 9, ein Widerstand RG sowie die Kathode einer Diode 10 angeschlossen sind. Die Anode der Diode 10 liegt an der ersten Klemme einer Sekundärwicklung 11 eines Übertragers Ü. Die zweite Klemme dieser Sekundärwicklung 11 ist mit dem weiteren Anschluß des Widerstands RG, der Anode der Zenerdiode 9 und dem gemeinsamen Anschluß von Source S von S2 und Kondensator C1 verbunden. Die Primärwicklung 12 des Übertragers Ü liegt einerseits an der Anode A des GTO 1, andererseits über einen Beschaltungskondensator C2 und eine Diode 13 an der Kathode K des GTO (die Kathode der Diode 13 ist mit der Kathode K verbunden). Der Diode 13 kann ein Widerstand 14 parallel geschaltet sein. Die weitere Beschaltung mit Induktivität LS, Diode 7, Schalter 5 und negativer Gleichspannungsquelle 4 ist wie unter Fig. 5 beschrieben.

Für die Funktionsweise der Schaltung gemäß Fig. 7 gilt allgemein, daß der Feldeffekttransistor S2 (respektive der Schalter 8) dann leiten muß, wenn ein positives du/dt von uAK am GTO 1 erscheint. Das Ansteuersignal für den Feldeffekttransistor S2 wird mit Hilfe des relativ gering dimensionierten Übertragers Ü aus dem Beschaltungsstrom gewonnen, der von der Anode A über die Primärwicklung 12, den Kondensator C2 und die Diode 13 fließt, sobald die Anoden-Kathoden-Spannung uAK ansteigt.

Die Beschaltung des GTO 1 kann bei Anwendung als schneller Thyristor relativ gering dimensioniert werden und ist für das sichere Verhalten des GTO unkritisch. Die Streuinduktivität des Übertragers Ü sowie der gering dimensionierte Widerstand RG können daher in Kauf genommen werden.

Die Zenerdiode 9 begrenzt die Spannung zwischen Source S und Gate G2 des Feldeffekttransistors S2. Der Widerstand RG stellt sicher, daß der Schalter S2 (MOSFET) nicht zu "leicht" in den leitenden Zusand gebracht wird.

Bei der Schaltung gemäß Fig. 7 muß der Widerstand R14 vorhanden sein, um den Kondensator C2 wieder (bei Zündung des GTO 1, negatives du/dt) zu entladen (bei der nachfolgenden Schaltung gemäß Fig. 8 geschieht dies über die Umschwingdrossel LU). Hierbei befindet sich der Schalter S2 im nichtleitenden Zustand (wegen RG).

In Fig. 8 ist eine mögliche Ansteuerschaltung für den zusätzlichen Schalter mit zusätzlicher Schaltung zur Gewinnung der Spannung für die zusätzliche negative Gleichspannungsquelle dargestellt. Die aus GTO 1, Induktivität LS, Diode 7, Schalter 5, negativer Gleichspannungsquelle 4, Feldeffekttransistor S2, Zenerdiode 9, Widerstand RG, Diode 10, Übertrager Ü mit Wicklungen 11, 12, Beschaltungskondensator C2 und Diode 13 bestehende Anordnung ist wie unter Fig. 7 beschrieben aufgebaut. Dem Beschaltungskondensator C2 ist zusätzlich eine Diode 15 parallelgeschaltet (die Kathode der Diode 15 liegt an Wicklung 12). Der Verbindungspunkt des Kondensators C1 mit dem Source S des Feldeffekttransistors S2 liegt über einer Diode 16 und einer Umschwingdrossel LU am Verbindungspunkt des Beschaltungskondensators C2 mit der Diode 13 (die Kathode der Diode 16 ist an die Umschwingdrossel LU angeschlossen). Dem Kondensator C1 liegt eine Zenerdiode 17 parallel. Die Anode der Zenerdiode 17 ist an den Verbindungspunkt des Kondensators C1 mit S2 angeschlossen, während der Anschluß der Kathode der Zenerdiode 17 an den Kondensator C1 gleichzeitig einen Verbindungspunkt P1 bildet. Dieser Verbindungspunkt P1 kann entweder direkt an die Kathode K des GTO 1 oder an einen Verbindungspunkt P2 angeschlossen sein, wobei P2 den Verbindungspunkt zwischen Schalter 5 und negativer Gleichspannungsquelle 4 bezeichnet.

Bei der Schaltung gemäß Fig. 8 wird die negative Gleichspannung für den Kondensator C1 aus dem Beschaltungskondensator C2 gewonnen, indem der Beschaltungskondensator C2 durch eine Umschwingung entladen wird. Wenn der Verbindungspunkt P1 nicht an die Kathode K, sondern an den Verbindungspunkt P2 gelegt wird, so kann während desselben Entladungsvorganges die negative Gleichspannung der Gleichspannungsquelle 4 erhalten werden (bei Ausbildung der negativen Gleichspannungsquelle 4 als Kondensator).

Ist der GTO 1 gesperrt (Spannung uAK liegt an), so wird der Beschaltungskondensator C2 über die Primärwicklung 12 des Übertragers Ü und die Diode 13 geladen. Wird der GTO 1 gezündet, so ergibt sich ein Entladestrom für den Kondensator C2 über die Primärwicklung 12 des Übertragers Ü, die Anoden-Kathoden-Strecke des GTO 1, die negative Gleichspannungsquelle 14 (es wird dabei vorausgesetzt, daß Verbindungspunkt P1 an den Verbindungspunkt P2 angeschlossen ist; liegt der Verbindungspunkt P1 an der Kathode K des GTO 1, so wird die negative Gleichspannungsquelle überbrückt und nicht vom Entladestrom aufgeladen, den Kondensator C1, die Diode 16 und die Umschwingdrossel LU. Die zusätzliche Umschwingdrossel LU ist nur notwendig, wenn die Induktivität der Wicklung 12 des Übertragers Ü zu gering oder der Überträger Ü nicht vorhanden ist (der Übertrager Ü kann entfallen, wenn der zusätzliche Schalter 8 respektive der Feldeffekttransistor S2 auf andere Art und Weise angesteuert wird, beispielsweise durch Messen der Gate-Kathoden-Spannung des GTO 1). Während des vorstehend beschriebenen Umschwingvorganges wird Energie vom Beschaltungskondensator C2 (mit relativ geringer Kapazität) in den Kondensator C1 und die negative Gleichspannungsquelle 4 übertragen. Die Umschwingdrossel LU und die Wicklung 12 nehmen ebenfalls Energie auf.

Nach erfolgter Entladung des Besschaltungskondensators C2 fließt der Strom über die dem Kondensator C2 parallelgeschaltete Diode 15, bis sich die Umschwingdrossel LU und die Wicklung 12 entladen haben. Ist der Überträger Ü mit Wicklung 12 nicht vorhanden, so fließt der Strom über die Umschwingdrossel LU, die Diode 13 und die negative Gleichspannungsquelle 4 zum Kondensator C1.

Die während des Umschwingvorganges erzeugten Verluste hängen von der Güte des Umschwingkreises ab (ohmsche Anteile). Die Spannung am Kondensator C1 wird durch die Zenerdiode 17 begrenzt.

Wird die Umschwingung auch zur Ladung der negativen Gleichspannungsquelle 4 benutzt, so wird weiterhin eine kleinere Spannungsquelle benötigt, um die Anfangsladung der negativen Gleichspannungsquelle 4 bereitzustellen.

Claims (10)

1. Ansteuerverfahren für einen mit einem Löschkreis beschalteten, als schneller Schalter eingesetzten GTO-Thyristor, wobei zum Sperren des GTO eine negative Spannung an das Gate des GTO angelegt wird, dadurch gekennzeichnet, daß bei Wiederkehr der Anoden-Kathoden- Spannung (uAK) am Ende der Schonzeit (tq) eine zusätzliche negative Spannung an das Gate des GTO (1) angelegt wird, die die Gate-Kathoden-Strecke des GTO in Durchbruch bringt.

2. Ansteuerverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zusätzliche negative Spannung aus der Ausschaltentlastung für den GTO (1) gewonnen wird.

3. Ansteuerverfahren nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zusätzliche negative Spannung auf einen vorgebbaren Wert begrenzt wird.

4. Ansteuerverfahren nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Signal zur Aufschaltung der zusätzlichen negativen Spannung aus der Ausschaltentlastung für den GTO (1) gewonnen wird.

5. Ansteuerschaltung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, wobei das Gate des mit einem Löschkreis beschalteten GTO-Thyristors über einen Schalter mit einer negativen Gleichspannungsquelle verbindbar ist, dadurch gekennzeichnet, daß das Gate (G) des GTO (1) über einen zusätzlichen Schalter (8, S2) mit einer zusätzlichen negativen Gleichspannungsquelle (C1) verbindbar ist.

6. Ansteuerschaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der zusätzliche Schalter (8) als Feldeffekttransistor (S2) ausgebildet ist.

7. Ansteuerschaltung nach Anspruch 5 und/oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Ansteuersignal für den zusätzlichen Schalter (8, S2) mit Hilfe eines Übertragers (U) aus den Strömen und/oder Spannungen der Ausschaltentlastung für den GTO (1) gewonnen wird.

8. Ansteuerschaltung nach wenigstens einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß als zusätzliche negative Gleichspannungsquelle ein Kondensator (C1) dient.

9. Ansteuerschaltung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladung des Kondensators (C1) durch Umladung des Beschaltungskondensators (C2) der Ausschaltentlastung für den GTO (1) gewonnen wird.

10. Ansteuerschaltung nach wenigstens einem der Ansprüche 5 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß sowohl negative Gleichspannungsquelle (4) als auch zusätzliche negative Gleichspannungsquelle (C1) als Kondensatoren ausgebildet und derart in Reihe geschaltet sind, daß sie vom gleichen Umladestrom des Beschaltungskondensators (C2) der Ausschaltentlastung für den GTO (1) durchflossen werden.