DE4011145A1 - Lumineszenz-halbleiterelement - Google Patents
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Description
Bei der Herstellung von Lumineszenz-Halbleiterelementen
oder Leuchtdioden-Chips (LED-Chips) werden auf einem
Halbleitersubstrat mehrere Epitaxieschichten - eine
Pufferschicht, mehrere Übergangsschichten, eine Anpaß
schicht (overgraded-Schicht) sowie eine konstante
Schicht - beispielsweise mittels der Dampfphasenepi
taxie (VPE) abgeschieden, die aktive lichtemittierende
Schicht eindiffundiert, das Halbleitersubstrat bis auf
ein Restsubstrat abgeschliffen, auf die aktive Schicht
ein Vorderseitenkontakt und auf das Restsubstrat ein
Rückseitenkontakt aufgebracht.
Bei einem derartigen LED-Chip absorbiert jedoch das
nicht-transparente - beispielsweise 120-220 µm
dicke - Restsubstrat die von der aktiven Schicht in
Richtung Rückseitenkontakt emittierte Strahlung, so daß
nur die in Richtung Vorderseitenkontakt emittierte
Strahlung zur Lichtausbeute bzw. zur Gesamtstrahlung
des LED-Chips beiträgt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein verbes
sertes LED-Chip anzugeben.
Dies wird erfindungsgemäß durch die Merkmale des Pa
tentanspruchs 1 erfüllt.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich
aus den Unteransprüchen.
Gemäß der Figur besteht das fertige LED-Chip nach der
Erfindung nur aus epitaxial aufgewachsenen Verbindungs
halbleiterschichten 1, 2 und 3; der Rückseitenkontakt 6
wird auf die dicke Übergangsschicht 1 aufgebracht.
Restsubstrat 10 sowie die weiteren Übergangsschichten
12 sind nicht mehr vorhanden.
Die in Richtung der transparenten Übergangsschicht 1
emittierte Strahlung 14 wird am Rückseitenkontakt 6
reflektiert und trägt somit zur Gesamtstrahlung 13 des
LED-Chips bei, wodurch zum einen Lichtausbeute und Hel
ligkeit des Bauelements erhöht werden und zum andern
die Ausfallrate reduziert wird. Des weiteren können
beim fertigen LED-Chip - falls erforderlich - Dotier
stoffe in die Übergangsschicht 1 regulierbar eingebaut
werden, was bei einem konventionellen LED-Chip mit
Restsubstrat nicht möglich ist.
Außerdem sind die Bauelemente weniger bruchanfällig, da
die Gesamtschichtdicke bis zum Abtragen des Substrats
und der Übergangsschichten wesentlich größer ist.
Die Dicke der Übergangsschicht wird nach montagetechni
schen Gesichtspunkten gewählt; die Zusammensetzung der
Übergangsschicht 1 wird so gewählt, daß sie sich von
derjenigen der konstanten Schicht unterscheidet.
Das erfindungsgemäße LED-Chip sowie dessen Herstel
lungsverfahren soll nachstehend anhand eines Ausfüh
rungsbeispieles - einer rot-emittierenden ternären Gal
lium-Arsenid-Phosphid-LED - beschrieben werden.
Auf ein nicht-transparentes, beispielsweise 350-
400 µm dickes Gallium-Arsenid(GaAs)-Substrat 10 werden
mittels des VPE-Verfahrens eine 3-6 µm dicke
GaAs-Pufferschicht 11 und mehrere Gallium-Arsenid-Phos
phid(GaAsxP1-x)-Übergangsschichten 12, 1 abgeschieden.
In den Übergangsschichten 12, 1 wird die Phos
phor-Konzentration langsam stufenweise erhöht - d. h.
der Wert von x erniedrigt -, um von dem reinen
GaAs-Substrat 10 bzw. der GaAs-Pufferschicht 11 zu der
konstanten Schicht 3 mit der Zusammensetzung
GaAs0,6P0,4 zu gelangen, die aufgrund der gewünschten
Rot-Emission der LED vorgegeben ist. Die letzte Über
gangsschicht 1 besitzt einen höheren Phosphoranteil
(beispielsweise GaAs0,52P0,48) als die konstante
Schicht 3, damit mittels der Anpaßschicht 2 (over
graded-Schicht), die zum Ausgleich der Scheiben
verwölbung dient, die Schichtzusammensetzung wieder an
diejenige der konstanten Schicht 3 (GaAs0,6P0,4) ange
paßt werden kann. Die Übergangsschichten 12 sind - ohne
die letzte Übergangsschicht 1 - zusammen beispielsweise
20-40 µm dick, während die transparente letzte Über
gangsschicht 1 bis zu einer Dicke von beispielsweise
240 µm aufgewachsen wird. Die Dicke der over
graded-Schicht 2 ist von der Scheibenverwölbung ab
hängig und beträgt beispielsweise 2-10 µm.
Anschließend wird die konstante Schicht 3 mit der durch
die Farbe der Rot-LED vorgegebenen Zusammensetzung
GaAs0,6P0,4 - beispielsweise mit einer Dicke von 20-
60 µm - abgeschieden.
In die Oberfläche der konstanten Schicht 3 - die bei
spielsweise N-Leitfähigkeit besitzt - wird durch Diffu
sion kontradotierender Elemente, beispielsweise Zn, die
aktive Schicht 4 bzw. ein PN-Übergang 5 erzeugt.
Anschließend wird der Vorderseitenkontakt 7
- beispielsweise aus einer Aluminium-Legierung - mit
tels photolithographischer Prozesse aufgebracht, durch
Schleifen und Polieren der Rückseite das GaAs-Substrat
10, die GaAs-Pufferschicht 11 und die Übergangsschich
ten 12 bis zur obersten Übergangsschicht 1 abgetragen
und der Rückseitenkontakt 6 auf die letzte Übergangs
schicht 1 aufgebracht.
Mit einem derartigen LED-Chip konnte gegenüber konven
tionellen Bauelementen eine beträchtliche Steigerung
der Lichtausbeute erreicht werden. Beispielsweise wurde
bei Verwendung eines speziellen, gut reflektierenden
Rückseitenkontakts aus AuGe-Ag-Au-Material eine Erhö
hung der Lichtausbeute von 27% erzielt.
Gemäß der Erfindung können auch LEDs mit anderen Mate
rialzusammensetzungen aus Verbindungshalbleitermaterial
hergestellt werden, beispielsweise GaAs0,35P0,65-LEDs
für die Emission im orangenen Spektralbereich.
Claims (9)
1. Lumineszenz-Halbleiterelement, bestehend aus:
- a) einer ersten dicken Verbindungshalbleiterschicht (1) mit einheitlicher Materialzusammensetzung,
- b) einer auf der ersten Halbleiterschicht (1) ange ordneten dünnen Anpaßschicht (2) aus Verbindungs halbleitermaterial, deren Zusammensetzung einen linearen Gradienten aufweist,
- c) einer weiteren, auf der Anpaßschicht (2) angeord neten Verbindungshalbleiterschicht (3) mit ein heitlicher Materialzusammensetzung, die die Wel lenlänge der vom Lumineszenz-Halbleiterelement emittierten Strahlung bestimmt,
- d) einer aktiven Schicht (4), die im Oberflächenbe reich der weiteren Halbleiterschicht (3) angeord net ist und die zur Bildung eines PN-Übergangs (5) eine zur weiteren Halbleiterschicht (3) entgegen gesetzte Leitfähigkeit aufweist,
- e) einem auf der ersten Verbindungshalbleiterschicht (1) angeordneten Rückseitenkontakt (6)
- f) und einem auf der Oberfläche der aktiven Schicht (4) angeordneten Vorderseitenkontakt (7).
2. Lumineszenz-Halbleiterelement nach Anspruch 1, da
durch gekennzeichnet, daß die Materialzusammensetzung
der ersten Verbindungshalbleiterschicht (1) sich von
derjenigen der weiteren Halbleiterschicht (3) unter
scheidet, und daß die Zusammensetzung der Anpaßschicht
(2) an ihren beiden Oberflächen (8 bzw. 9) gerade der
jenigen der angrenzenden Verbindungshalbleiterschicht
(1 bzw. 3) entspricht.
3. Lumineszenz-Halbleiterelement nach Anspruch 1 oder
2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Verbindungs
halbleiterschicht (1) eine Dicke von mindestens 240 µm,
die Anpaßschicht (2) eine Dicke von 2 µm bis 10 µm, die
weitere Halbleiterschicht (3) eine Dicke von 20 µm bis
60 µm und die aktive Schicht (4) eine Dicke von 1 µm
bis 5 µm aufweist.
4. Lumineszenz-Halbleiterelement nach einem der Ansprü
che 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Verbin
dungshalbleitermaterial eine ternäre III-V-Verbindung
ist.
5. Lumineszenz-Halbleiterelement nach Anspruch 4, da
durch gekennzeichnet, daß die ternäre III-V-Verbindung
Gallium-Arsenid-Phosphid der Zusammensetzung GaAsxP1-x
ist, wobei in der ersten Halbleiterschicht (1)
x=0,52, in der weiteren Halbleiterschicht (3) x=0,6
gewählt wird und daß in der Anpaßschicht (2) der Wert
für x von 0,55 auf 0,6 geändert wird.
6. Lumineszenz-Halbleiterelement nach einem der Ansprü
che 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die weitere
Halbleiterschicht (3) N-Leitfähigkeit bei einer Dotie
rungskonzentration von 1017 cm-3 besitzt, und daß die
aktive Schicht (4) P-Leitfähigkeit bei einer Dotie
rungskonzentration von ca. 1018 cm-3 aufweist.
7. Verfahren zur Herstellung eines Lumineszenz-Halblei
terelements nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch
gekennzeichnet, daß auf einem Halbleitersubstrat (10)
aus binärem III-V-Verbindungshalbleitermaterial eine
Pufferschicht (11) mit der gleichen Zusammensetzung wie
das Halbleitersubstrat (10) und mehrere Übergangs
schichten (12, 1) aus ternärem
III-V-Verbindungshalbleitermaterial epitaxial aufge
wachsen werden, wobei die Zusammensetzung der Über
gangsschichten (12, 1) variiert wird, daß die letzte
Übergangsschicht (1) so lange aufgewachsen wird, bis
ihre Dicke in etwa das gewünschte Maß des fertigen Bau
elements erreicht hat, und daß auf die letzte Über
gangsschicht (1) die Anpaßschicht (2) und eine kon
stante Schicht (3) aufgewachsen werden.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
daß in die konstante Schicht (3) die aktive Schicht (4)
eindiffundiert wird, daß das Substrat (10), die Puffer
schicht (11) und alle Übergangsschichten (12) bis zur
letzten Übergangsschicht (1) abgetragen werden, und daß
auf die letzte Übergangsschicht (1) der Rückseitenkon
takt (6) und auf die aktive Schicht (4) der Vordersei
tenkontakt (7) aufgebracht wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Halbleiterschichten (11, 12, 1, 2, 3)
mittels des Dampfphasen-Epitaxieverfahrens (VPE-Verfah
rens) aufgewachsen werden.
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19819543A1 (de) * | 1998-04-30 | 1999-11-11 | Siemens Ag | Lichtemissions-Halbleitereinrichtung |
DE10345413A1 (de) * | 2003-09-30 | 2005-05-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer epitaktischen Bauelementschichtenfolge und optoelektronischer Halbleiterchip |
US7317202B2 (en) | 2003-09-30 | 2008-01-08 | Osram Opto Semiconductors, Gmbh | Method for manufacture of an epitaxial structural element layer sequence and optoelectronic semiconductor chip |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3341564B2 (ja) * | 1996-01-12 | 2002-11-05 | 信越半導体株式会社 | 化合物半導体エピタキシャルウエーハ |
JP3301371B2 (ja) | 1997-05-27 | 2002-07-15 | 信越半導体株式会社 | 化合物半導体エピタキシャルウェーハの製造方法 |
TW497277B (en) * | 2000-03-10 | 2002-08-01 | Toshiba Corp | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
JP2014011243A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Nitto Denko Corp | Ledの製造方法 |
JP2014011241A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Nitto Denko Corp | Ledの製造方法 |
DE102015002513A1 (de) * | 2015-03-02 | 2016-09-08 | Azur Space Solar Power Gmbh | Solarzellenvorrichtung |
US9548421B2 (en) | 2015-04-01 | 2017-01-17 | International Business Machines Corporation | Optoelectronic devices with back contact |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3725749A (en) * | 1971-06-30 | 1973-04-03 | Monsanto Co | GaAS{11 {11 {11 P{11 {11 ELECTROLUMINESCENT DEVICE DOPED WITH ISOELECTRONIC IMPURITIES |
DE2819781A1 (de) * | 1977-05-06 | 1978-11-09 | Mitsubishi Monsanto Chem | Verfahren zur herstellung eines epitaktischen iii-v- halbleiterplaettchens |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2175571B1 (de) * | 1972-03-14 | 1978-08-25 | Radiotechnique Compelec | |
GB1477415A (en) * | 1974-06-06 | 1977-06-22 | Ibm | Light emitting diodes |
FR2319980A1 (fr) * | 1975-07-28 | 1977-02-25 | Radiotechnique Compelec | Dispositif optoelectronique semi-conducteur reversible |
US4495514A (en) * | 1981-03-02 | 1985-01-22 | Eastman Kodak Company | Transparent electrode light emitting diode and method of manufacture |
US4544938A (en) * | 1982-11-18 | 1985-10-01 | Codenoll Technology Corporation | Wavelength-selective photodetector |
JPS60214524A (ja) * | 1984-04-10 | 1985-10-26 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 燐化砒化ガリウムエピタキシヤル膜の成長方法 |
JPS61291491A (ja) * | 1985-06-19 | 1986-12-22 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | りん化ひ化ガリウム混晶エピタキシヤルウエハ |
JPS63226918A (ja) * | 1987-03-16 | 1988-09-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 燐化砒化ガリウム混晶エピタキシヤルウエ−ハ |
DE3721761A1 (de) * | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Telefunken Electronic Gmbh | Leuchtdiode aus iii/v-verbindungs-halbleitermaterial |
US4912532A (en) * | 1988-08-26 | 1990-03-27 | Hewlett-Packard Company | Electro-optical device with inverted transparent substrate and method for making same |
US5060028A (en) * | 1989-01-19 | 1991-10-22 | Hewlett-Packard Company | High band-gap opto-electronic device |
US5008718A (en) * | 1989-12-18 | 1991-04-16 | Fletcher Robert M | Light-emitting diode with an electrically conductive window |
-
1990
- 1990-04-06 DE DE4011145A patent/DE4011145A1/de not_active Ceased
-
1991
- 1991-03-28 US US07/676,311 patent/US5194922A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-04-05 GB GB9107192A patent/GB2242783A/en not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3725749A (en) * | 1971-06-30 | 1973-04-03 | Monsanto Co | GaAS{11 {11 {11 P{11 {11 ELECTROLUMINESCENT DEVICE DOPED WITH ISOELECTRONIC IMPURITIES |
DE2819781A1 (de) * | 1977-05-06 | 1978-11-09 | Mitsubishi Monsanto Chem | Verfahren zur herstellung eines epitaktischen iii-v- halbleiterplaettchens |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
DE-Firmenschrift: SCHWARZMICHEL, K. * |
u.a.: Her- stellung und Eigenschaften rotorange-leuchtender Ga(As,P)-Mischkristall-Lumineszenzdioden nach dem Gasphasen-Epitaxieverfahren. In: Siemens Forsch.- u. Entwickl.-Ber. 9, 1980, S.158-162 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19819543A1 (de) * | 1998-04-30 | 1999-11-11 | Siemens Ag | Lichtemissions-Halbleitereinrichtung |
DE10345413A1 (de) * | 2003-09-30 | 2005-05-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer epitaktischen Bauelementschichtenfolge und optoelektronischer Halbleiterchip |
US7317202B2 (en) | 2003-09-30 | 2008-01-08 | Osram Opto Semiconductors, Gmbh | Method for manufacture of an epitaxial structural element layer sequence and optoelectronic semiconductor chip |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2242783A (en) | 1991-10-09 |
GB9107192D0 (en) | 1991-05-22 |
US5194922A (en) | 1993-03-16 |
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---|---|---|
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