DE3915649A1 - Null voltage circuit detecting AC voltage zero crossing - contains high impedance potential divider, FET and diode controlling semiconductor element - Google Patents

Abstract

The tapping (TP) a.c. voltage of a high impedance potential divider (R1,R2) connected between the connection poles of an a.c. voltage is applied to a FET (T1). Whenever a gate-threshold voltage causing switching starting or finishing approximately at null is reached the FET output is used to control a semiconducting element (T2) during one half wave. During the other half wave, the voltage across an opposite polarity diode in the output circuit (Z) is used. The null point switching signal is taken from a resistor (R3) in the semiconductor (T2) circuit. USE/ADVANTAGE - Switching ringing current voltage in telecommunications. Null point signal is produced at low component cost and with reduced current consumption. Can be realised as integrated component.

Description

Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Erzeugung eines Schalt­ signals angenähert zu den Zeitpunkten der Nulldurchgänge einer Wechselspannung.The invention relates to an arrangement for generating a switch signals approximated at the times of zero crossings AC voltage.

Die zeitliche Lage der Nulldurchgänge von Wechselstromsignalen kann in bekannter Weise auf rein digitale Art bestimmt werden. Hierzu wird z. B. ein Nulldurchgang mittels Vorzeichenüberwa­ chung des Ergebnisses einer Multiplikation zweier Abtastwerte festgestellt. Mit Hilfe der erfaßten Amplitudenwerte einerseits und der anhand dieser Amplitudenwerte berechneten Nullstellen der Wechselstromsignale andererseits lassen sich dann praktisch alle interessierenden Bestimmungsgrößen für solche Wechselstrom­ signale gewinnen.The timing of the zero crossings of AC signals can be determined in a known manner in a purely digital way. For this, z. B. a zero crossing by means of sign monitoring The result of multiplying two samples detected. With the help of the detected amplitude values on the one hand and the zeros calculated on the basis of these amplitude values the AC signals on the other hand can then be practical all parameters of interest for such alternating current win signals.

Durch die DE-OS 31 12 045 ist eine Anordnung bekannt, mit der exakt zum Zeitpunkt des Nulldurchganges einer Wechselspannung ein Schaltsignal erzeugt wird. Dabei wird während des Verlaufs einer Halbwelle der Wechselspannung eine Gleichspannung als Vorspannung gebildet, die sich zum Zeitpunkt des Nulldurchgangs mit der Polarität der folgenden Halbwelle der Wechselspannung überlagert. Auf diese Weise wird erreicht, daß kein Winkelfeh­ ler zwischen dem Nulldurchgang der Wechselspannung und dem Schaltsignal auftritt. Zur Realisierung dieser Nullspannungs­ schaltanordnung werden Optokoppler mitverwendet. Für deren Funktion ist eine in bestimmten Anwendungsfällen unerwünscht hohe Stromaufnahme erforderlich. Es ist auch schon bekannt, z. B. für ein Triac, Ansteuerimpulse in nächster Nähe des Nulldurchgangs einer Wechselspannung zu erzeugen. Damit wird dann erreicht, daß ein Triac im Einschaltmoment nur sehr ge­ ringe Stromsteilheiten verarbeiten muß. Mittels des Triacs wird dann jeweils für eine Periode der Wechselspannung oder ein Vielfaches davon aufgrund des auf den Steuereingang gegebenen und von der Wechselspannung abgeleiteten Schaltsignals ein durch den Verbraucher fließender Strom eingeschaltet. Diese Anordnung zum Ansteuern von Triacs ist relativ einfach mit einer Mehrzahl von Transistoren aufgebaut, die aber einen hohen Strombedarf erfordert und auch einen Speicherkondensator für die Bereitstellung der Versorgungsspannung erforderlich macht (Halbleiterschaltbeispiele, Ausgabe 1971/72, Seiten 151 ff.).From DE-OS 31 12 045 an arrangement is known with which exactly at the time of the zero crossing of an AC voltage a switching signal is generated. Doing so during the course a half wave of the AC voltage a DC voltage as Bias formed at the time of zero crossing with the polarity of the following half wave of the AC voltage overlaid. In this way it is achieved that no angular misalignment between the zero crossing of the AC voltage and the Switching signal occurs. To realize this zero voltage switching arrangement, optocouplers are also used. For their Function is undesirable in certain applications high power consumption required. It is also known e.g. B. for a triac, drive pulses in close proximity to the Generate zero crossing of an AC voltage. So that will then achieved that a triac at switch-on only very ge rings slew rate must process. By means of the triac is then for a period of alternating voltage or a  Multiple of these due to the given on the control input and a switching signal derived from the AC voltage current flowing through the consumer switched on. These Arrangement for driving triacs is relatively easy with built a plurality of transistors, but a high Requires power and also a storage capacitor for the supply voltage is required (Semiconductor switching examples, edition 1971/72, pages 151 ff.).

Es ist die Aufgabe der Erfindung, eine Nullspannungsschaltan­ ordnung zu schaffen, mit der bei geringstmöglichem Bauteileauf­ wand ein Schaltsignal in nächster Nähe des Nulldurchgangs einer Wechselspannung bei insgesamt reduzierter Stromaufnahme erzeug­ bar ist. Die Anordnung soll außerdem als integrierbarer Bau­ stein realisierbar sein.It is the object of the invention to provide a zero voltage switch to create order with the least possible components a switching signal in the immediate vicinity of the zero crossing one Generate AC voltage with a reduced total current consumption is cash. The arrangement is also intended to be an integrable building stone can be realized.

Die Lösung dieser Aufgabe wird dadurch erreicht, daß zwischen den Anschlußstellen der Wechselspannung ein hochohmiger Span­ nungsteiler geschaltet ist, daß mit dem am Teilerpunkt entste­ henden Wechselspannungsanteil unmittelbar ein Feldeffekttran­ sistor derart beaufschlagt wird, daß mit jedem Erreichen der jeweils eine angenähert im Nullpunkt beginnende bzw. endende Änderung im Schaltzustand bewirkenden. Gate-Schwellspannung als Steuerspannung für ein nachgeschaltetes verstärktes Halb­ leiterelement die ausgangsseitige Spannung des Feldeffekt­ transistors während der einen Halbwelle und während der anderen Halbwelle die im Ausgangskreis an einer in Durchlaßrichtung be­ aufschlagten Diode entstehende Spannung der jeweils anderen Po­ larität dient, daß während des Auftretens der jeweiligen Steu­ erspannung einer bestimmten Polarität an dem im Hauptstromkreis des Halbleiterelementes liegenden Widerstand das "Nullpunkt"- Schaltsignal abnehmbar ist.The solution to this problem is achieved in that between a high-resistance chip at the connection points of the AC voltage voltage divider is switched that with that at the dividing point alternating voltage component directly a field effect trans sistor is applied so that each time the one each beginning or ending approximately at the zero point Causing a change in the switching state. Gate threshold voltage as control voltage for a downstream amplified half the output voltage of the field effect transistors during one half-wave and during the other Half wave in the output circuit at a be in the forward direction the resulting voltage of the other Po larity serves that during the occurrence of the respective tax voltage of a certain polarity on that in the main circuit the resistance of the semiconductor element is the "zero point" - Switching signal is removable.

Die erfindungsgemäße Anordnung bedarf einer äußerst geringen Stromaufnahme und ist zudem für einen großen Bereich der Wech­ selspannung einsetzbar. Sie ist bei geringstem Bauteileaufwand platzsparend und äußerst kostengünstig zu realisieren. Die Flanken des entstehenden Schaltsignals liegen sowohl beim Über­ gang von der positiven zur negativen als auch von der negativen zur positiven Halbwelle der Wechselspannung jeweils mit etwa gleichem zeitlichem Abstand in nächster Nähe vor dem Nulldurch­ gang. Das abzuleitende Signal fällt demnach mit Schaltzeitpunk­ ten zusammen, die etwa um die Ansprechzeit bzw. um die Abfall­ zeit eines Relais verzögert vor den tatsächlichen Nulldurch­ gängen liegen. Wird also über einen Kontakt eines solches Relais diese Wechselspannung auf einen Sekundärkreis aufgeschaltet, so erfolgt diese Aufschaltung dann nahezu exakt im Nulldurchgang dieser Wechselspannung. Bei geringstem Bauteileaufwand wird also im Hinblick auf die Anwendung zur Relaissteuerung ohne Winkelfehler die Anschaltung der Wechselspannung erreicht. Die­ se Wechselspannung ist beispielsweise die in einem Kommunika­ tionssystem im jeweiligen Betriebszustand der Rufphase anzule­ gende Rufwechselspannung. Es entstehen somit keine störenden Funken beim Schaltvorgang, was neben der Erhöhung der Lebens­ dauer dieser Kontakte gleichzeitig bedeutet, daß keine Störein­ kopplungen in benachbarte Steuerlogiken erfolgen und damit ein Entstehen von Fehlimpulsen, vermieden wird.The arrangement according to the invention requires extremely little Power consumption and is also for a large area of change voltage can be used. It is with the least amount of components space-saving and extremely inexpensive to implement. The  Flanks of the resulting switching signal are both at the over going from positive to negative as well as from negative to the positive half-wave of the AC voltage with approx same time interval in close proximity before the zero crossing corridor. The signal to be derived therefore falls at the time of switching together about the response time or the drop time of a relay is delayed before the actual zero gears lie. So it is via a contact of such a relay this AC voltage is connected to a secondary circuit, so This connection then takes place almost exactly at the zero crossing this AC voltage. With the least amount of components So with regard to the application for relay control without Angle error reached the connection of the AC voltage. The This alternating voltage is, for example, that in a communica tion system in the respective operating state of the call phase ringing AC voltage. There are therefore no disturbing effects Sparks when switching, which in addition to increasing life The duration of these contacts at the same time means that there is no interference Couplings to neighboring control logics take place and thus a Incorrect impulses are avoided.

Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung ist der Feldeffekttran­ sistor ein selbstleitender MOS-Feldeffekttransistor (SIPMOS- Kleinsignaltransistor), zwischen dessen Drain- und Gate-An­ schluß der eine Teilwiderstand des aus mindestens zwei Wider­ ständen bestehenden Spannungsteilers geschaltet ist. Zwischen dessen Source- und Gate-Anschluß liegt die Parallelschaltung aus der genannten Diode und der Basis-Emitter-Strecke eines als verstärkendes Halbleiterelement eingesetzten bipolaren Transi­ stors. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen sind den restlichen Unteransprüchen zu entnehmen.According to a development of the invention, the field effect oil sistor is a self-conducting MOS field effect transistor (SIPMOS Small signal transistor), between its drain and gate on conclude a partial resistance of at least two contradictions existing voltage divider is switched. Between its source and gate connection is the parallel connection from the said diode and the base-emitter path one as reinforcing semiconductor element used bipolar transi stors. Further advantageous configurations are the rest See subclaims.

Die Erfindung wird anhand eines in der Zeichnung dargestell­ ten Ausführungsbeispieles näher erläutert.The invention is illustrated by one in the drawing th embodiment explained.

Es zeigen Show it  

Fig. 1 die Nullspannungsschaltanordnung im Zusammenhang mit der Anschaltung einer Rufwechselspannung in einem Kom­ munikationssystem und Fig. 1 shows the zero voltage switching arrangement in connection with the connection of a ringing AC voltage in a communication system and

Fig. 2 den zeitlichen Verlauf einiger an bestimmten Schaltungs­ punkten auftretenden Spannungen. Fig. 2 shows the time course of some voltages occurring at certain circuit points.

An der Nullpunktschaltanordnung NS liegt als Eingangswechsel­ spannung beispielsweise eine Rufwechselspannung Ur an. Sollte diese Wechselspannung einer Gleichspannung überlagert sein, so wird durch die Condensatoren C 1 und C 2 eine Entkopplung er­ reicht. Die hochohmigen Widerstände R 1 und R 2 bilden einen Spannungsteiler im Verhältnis 1 : 1, wobei der Widerstand R 1 außerdem den Basisstrom für den Transistor T 2 begrenzt. In der Zeile 1 der Fig. 2 ist eine Periode der Eingangswechselspannung Ur bzw. der am Teilerpunkt TP entstehenden Wechselspannung schematisch angedeutet. Unterschreitet diese Wechselspannung einen bestimmten Wert von beispielsweise 0,7 Volt so wird der von ihr beeinflußte Feldeffekttransistor T 1, der beispielsweise ein Sipmos-Kleinsignaltransistor sein kann, aus dem leitenden Zustand in den Sperrzustand übergeführt. Die sich dadurch zwi­ schen den Sorce-Anschluß S und dem Gateanschluß G ausbildende Spannung Us wird durch die Basisemitterspannung des nachge­ schalteten Transistors T 2 auf einen bestimmten Spannungswert von beispielsweise 0,7 Volt begrenzt. Der Transistor T 2 wird leitend und zwar solange bis im Bereich des Übergangs der po­ sitiven Halbwelle p in die negative Halbwelle n der Wert der genannten Schwellspannung von beispielsweise 0,7 Volt erreicht wird. Im Bereich der negativen Halbwelle n der Eingangswech­ selspannung wird bis zum erneuten Erreichen dieser Schwell­ spannung die Spannung Us auf die Durchlaßspannung der Diode Z begrenzt. Der Spannungsverlauf für die Spannung Us ist der Zeile 2 der Fig. 2 entnehmbar. Während des Zeitraums, in dem diese Spannung Us negativ ist wird der Transistor T 2 gesperrt. Während dieser Zeit bildet sich an seinem Arbeitswiderstand R 3 eine der Versorgungsspannung Uv amplitudenmäßig entsprechende Spannung Ua aus. Der zeitliche Verlauf dieser Spannung ist in der Zeile 3 der Fig. 2 dargestellt. Dieses Ausgangssignal Ua entsteht also eine kurze Zeit t 1 vor jedem Übergang der posi­ tiven Halbwelle p in die negative Halbwelle und endet eine kurze Zeit t 2 vor dem Übergang der negativen Halbwelle n in die positive Halbwelle der Wechselspannung. Diese Zeiten t 1 und t 2 sind in etwa gleich groß und unterscheiden sich in einem weiten Spannungsbereich der Wechselspannung nur gering­ fügig. Diese zeitlichen Abstände des während der Sperrphase des Transistors T 2 entstehenden Signals vom jeweiligen exakten Nulldurchgang der Wechselspannung können einen Wert annehmen, der in etwa der Ansprechzeit bzw. der Abfallzeit bestimmter Relaistypen entspricht. Werden also die Flanken des Schaltsi­ gnals Ua dafür benützt ein Relais zu schalten, so ergibt dies einen Schaltzeitpunkt der um die Ansprechzeit dieses betref­ fenden Relais vor dem jeweiligen Nulldurchgang liegt. Das be­ deutet, daß in den Fällen in denen mit einem solchermaßen ge­ steuerten Relais die betreffende Wechselspannung an einen Schaltkreis oder ein Schaltelement angelegt wird dies dann exakt mit dem Nulldurchgang der betreffenden Wechselspannung erfolgt. Damit werden Bogenentladungen beim Öffnen des Relais­ taktes vermieden und es kann nicht zur Einkopplung von Stör­ impulsen in benachbarte Logikschaltungen kommen.At the zero-point switching arrangement NS , for example, a ringing alternating voltage Ur is present as an alternating input voltage. If this alternating voltage is superimposed on a direct voltage, then a decoupling is sufficient by the capacitors C 1 and C 2 . The high-resistance resistors R 1 and R 2 form a voltage divider in a ratio of 1: 1, the resistor R 1 also limiting the base current for the transistor T 2 . In line 1 of FIG. 2, a period of the input alternating voltage Ur or the alternating voltage arising at the dividing point TP is indicated schematically. If this AC voltage falls below a certain value of, for example, 0.7 volts, the field effect transistor T 1 which is influenced by it and which, for example, can be a Sipmos small signal transistor, is converted from the conductive state into the blocking state. The thus formed between the Sorce connection S and the gate connection G voltage Us is limited by the base emitter voltage of the downstream transistor T 2 to a certain voltage value of, for example, 0.7 volts. The transistor T 2 becomes conductive until the value of said threshold voltage of, for example, 0.7 volts is reached in the region of the transition from positive half-wave p to negative half-wave n . In the region of the negative half-wave n of the input voltage, the voltage Us is limited to the forward voltage of the diode Z until this threshold voltage is reached again. The voltage curve for the voltage Us can be seen in line 2 of FIG. 2. The transistor T 2 is blocked during the period in which this voltage Us is negative. During this time, a voltage Ua corresponding in amplitude to the supply voltage Uv is formed on its load resistor R 3 . The time course of this voltage is shown in line 3 of FIG. 2. This output signal Ua thus arises a short time t 1 before each transition of the positive half-wave p into the negative half-wave and ends a short time t 2 before the transition of the negative half-wave n into the positive half-wave of the AC voltage. These times t 1 and t 2 are approximately of the same size and differ only slightly in a wide voltage range of the AC voltage. These time intervals of the signal arising during the blocking phase of the transistor T 2 from the respective exact zero crossing of the AC voltage can assume a value which roughly corresponds to the response time or the fall time of certain relay types. Thus, if the edges of the switching signal Ua are used to switch a relay, this results in a switching time which is before the respective zero crossing by the response time of this relay. This means that in the cases in which with such a controlled relay the AC voltage in question is applied to a circuit or a switching element, this is then done exactly with the zero crossing of the AC voltage in question. This avoids arc discharges when the relay clock is opened and interference pulses cannot be coupled into adjacent logic circuits.

Im Ausführungsbeispiel soll das Schaltsignal Ua der Nullpunkt­ schaltanordnung NS dazu dienen, die Rufwechselspannung Ur an eine Teilnehmerstelle Tst anzulegen. Besteht im Kommunika­ tionssystem ein Betriebszustand der einer Rufphase entspricht, so wird durch die das System steuernde zentrale Steuereinrich­ tung ZSt eine entsprechende Information an die Steuereinheit St gegeben. Aufgrund dieser Information wird mit einer Flanke des der Steuereinheit St zugeführten Schaltsignals Ua eine dem Steuereingang des Relais R zugeführte Steuerinformation gebil­ det. Nach Ablauf der Ansprechzeit dieses Relais R, also etwa nach der Zeit t 1 wird dann während des verarbeitungssynchronen Nulldurchganges der Rufwechselspannung U diese über den Kontakt kr des Relais R an die Teilnehmeranschlußleitung TL angelegt. Wird die Steuereinheit St durch die zentrale Steu­ ereinheit ZSt darüber informiert, daß von der Rufphase in die Rufpause übergegangen werden soll, so wird mit dem Auftreten des nächstfolgenden Nulldurchganges der Rufwechselspannung mit dem Öffnen des Kontaktes kr die Rufspannung Ur abgeschaltet. Der Abschaltebefehl für das Relais R erfolgt dabei eine kurze Zeit t 1 bzw. t 2 vor dem eigentlichen Nulldurchgang.In the exemplary embodiment, the switching signal Ua of the zero point switching arrangement NS is used to apply the alternating call voltage Ur to a subscriber station Tst . If there is an operating state in the communication system which corresponds to a call phase, the central control device ZSt which controls the system gives corresponding information to the control unit St. Based on this information, control information supplied to the control input of the relay R is formed with an edge of the switching signal Ua supplied to the control unit St. After the response time of this relay R , that is to say approximately after the time t 1 , the ringing alternating voltage U is then applied to the subscriber line TL via the contact kr of the relay R during the processing-synchronous zero crossing. If the control unit St is informed by the central control unit ZSt that the call phase is to be switched over to the call pause, the call voltage Ur is switched off when the next zero crossing of the call alternating voltage occurs when the contact kr is opened . The switch-off command for the relay R is given a short time t 1 or t 2 before the actual zero crossing.

Wie die Fig. 1 zeigt ist eine Teilnehmerstelle Tst vermittels der a-Ader über die Widerstände R 4 und R 5 an den einen Pol (-Ub) eine Speisespannungsquelle und vermittels der b-Ader über die Widerstände R 6 und R 7 an den anderen Pol (Erde) die­ ser Speisespannungsquelle angeschlossen. Durch die Steuerein­ heit St können noch weitere Relais, wie beispielsweise das Relais B, gesteuert werden. Über Kontakte eines solchen Relais kann dann in bestimmten Betriebsfällen der Speisestromkreis niederohmiger geschaltet werden. Dies ist durch den Kontakt kb des Relais B angedeutet. Mit A ist eine Indikationsschaltung bezeichnet, die an leitungsadernbezogenen festen Ankopplungs­ punkten der Teilnehmeranschlußleitung TL angeschlossen ist. Mit ihr können beispielsweise unterschiedliche Indikationen durchgeführt werden. Es kann damit beispielsweise die Indi­ kation des Schleifenschlusses in Folge eines Rufes vorgenommen werden.As shown in FIG. 1, a subscriber station Tst is a supply voltage source by means of the a wire via the resistors R 4 and R 5 to one pole (-Ub) and by means of the b wire via the resistors R 6 and R 7 to the other Pol (earth) of this supply voltage source connected. The control unit St can be used to control further relays, such as relay B. In certain operating cases, the supply circuit can then be switched with low impedance via contacts of such a relay. This is indicated by the contact kb of relay B. A designates an indication circuit which is connected to fixed connection points of the subscriber line TL . With it, for example, different indications can be carried out. For example, the loop closure can be indicated as a result of a call.

Claims (7)

1. Anordnung zur Erzeugung eines Schaltsignals angenähert zu den Zeitpunkten der Nulldurchgänge einer Wechselspannung dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Anschlußstellen der Wechselspannung (Ur) ein hochohmiger Spannungsteiler (R 1, R 2) geschaltet ist, daß mit dem am Tei­ lerpunkt (TP) entstehenden Wechselspannungsanteil unmittelbar ein Feldeffekttransistor (T 1) derart beaufschlagt wird, daß mit jedem Erreichen der jeweils eine angenähert im Nullpunkt be­ ginnende bzw. endende Änderung im Schaltzustand bewirkenden Gate-Schwellspannung als Steuerspannung für ein nachgeschalte­ tes verstärktes Halbleiterelement (T 2) die ausgangsseitige Spannung des Feldeffekttransistors während der einen Halbwelle (p) und während der anderen Halbwelle (n) die im Ausgangskreis an einer in Durchlaßrichtung beaufschlagten Diode (Z) ent­ stehende Spannung der jeweils anderen Polarität dient, daß während des Auftretens der jeweiligen Steuerspannung einer bestimmten Polarität an dem im Hauptstromkreis des Halbleiter­ elementes (T 2) liegenden Widerstandes (R 3) das "Nullpunkt"- Schaltsignal abnehmbar ist.1. Arrangement for generating a switching signal approximately at the times of the zero crossings of an AC voltage, characterized in that between the connection points of the AC voltage (Ur) a high-resistance voltage divider ( R 1 , R 2 ) is connected, that with the at Tei lerpunkt (TP) AC voltage component is directly applied to a field effect transistor ( T 1 ) such that each time the gate threshold voltage, which causes an approximate beginning or ending in the switching state, as the control voltage for a downstream amplified semiconductor element ( T 2 ), the output-side voltage of the Field effect transistor during the one half-wave ( p ) and during the other half-wave ( s ), the voltage in the output circuit at a diode ( Z ) in the forward direction is used for the voltage of the other polarity, that during the occurrence of the respective control voltage of a certain polarity at the main circuit of the semiconductor element ( T 2 ) lying resistor ( R 3 ) the "zero point" switching signal is removable. 2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Feld­ effekttransistor (T 1) ein selbstleitender MOS-Feldeffekttran­ sistor (Sipmos-Kleinsignaltransistor) ist, daß zwischen des­ sen Train-(D) und Gateanschluß (G) der eine Teilwiderstand (R 2) des aus mindestens zwei Widerständen (R 1, R 2) bestehenden Spannungsteiles geschaltet ist, daß zwischen Sorce-(S) und Gateanschluß (G) die Parallelschaltung der genannten Diode (Z) und die Basisemitterstrecke eines als verstärkendes Halblei­ terelement bipolaren Transistors (T 2) liegt.2. Arrangement according to claim 1, characterized in that the field effect transistor ( T 1 ) is a self-conducting MOS field effect transistor (Sipmos small signal transistor) that between the sen train (D) and gate terminal ( G ) of a partial resistor ( R 2 ) of the voltage part consisting of at least two resistors ( R 1 , R 2 ) is connected that between Sorce- (S) and gate connection ( G ) the parallel connection of the said diode ( Z ) and the base emitter path of a bipolar transistor as an amplifying semiconductor element ( T 2 ). 3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Wech­ selspannung Ur der Gleichspannung eines von der Anordnung galvanisch getrennten Schaltkreises überlagert ist.3. Arrangement according to claim 1 or 2, characterized in that the alternating voltage Ur is superimposed on the DC voltage of a circuit electrically isolated from the arrangement. 4. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß an den An­ schlußpunkten der Wechselspannung jeweils ein Kondensator (C 1, C 2) zur galvanischen Trennung vorgesehen ist.4. Arrangement according to claim 3, characterized in that a capacitor ( C 1 , C 2 ) is provided for electrical isolation at the connection points of the AC voltage. 5. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Gate- Anschluß G des MOS-Feldeffekttransistors (T 1) auf festem Be­ zugspotential (Masse) liegt.5. Arrangement according to claim 2, characterized in that the gate terminal G of the MOS field-effect transistor ( T 1 ) is at a fixed potential potential (ground). 6. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Diode (Z) eine Zenerdiode darstellt.6. Arrangement according to claim 1 or 2, characterized in that the diode ( Z ) is a Zener diode. 7. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wech­ selspannung (Ur) die in einem Kommunikationssystem anzulegende Ruf-Wechselspannung darstellt.7. Arrangement according to claim 1, characterized in that the alternating voltage (Ur) represents the call alternating voltage to be applied in a communication system.