DE3903248A1 - WRITABLE, MAGNETO-OPTICAL RECORD CARRIER - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft einen überschreibbaren, magneto­ optischen Aufzeichnungsträger mit gesteuerter Austausch- Koppelkraft zwischen magnetischen Schichten.The invention relates to an overwritable, magneto optical recording medium with controlled exchange Coupling force between magnetic layers.

In den vergangenen Jahren wurden umfangreiche Anstrengungen unternommen, um ein optisches Aufzeichnungs-/Wiedergabe- Verfahren und eine dazu geeignete Vorrichtung in Verbindung mit einem brauchbaren Aufzeichnungsträger zu entwickeln, wobei Verfahren, Gerät und Aufzeichnungsträger einer Reihe von Forderungen genügen sollten: Hohe Aufzeichnungsdichte, große Speicherkapazität, schneller Zugriff und hohe Aufzeichnungs- und Wiedergabegeschwindigkeit.Extensive efforts have been made in recent years made an optical recording / playback Method and a suitable device in connection to develop with a usable record carrier, the method, device and record carrier of a series should meet requirements: high recording density, large storage capacity, quick access and high recording and playback speed.

Von verschiedenen in Frage kommenden optischen Aufzeichnungs-/ Wiedergabe-Verfahren ist das magnetooptische Verfahren das am meisten attraktive, und zwar aufgrund seines besonderen Vorteils, daß die Information nach Gebrauch gelöscht und darüber neue Information aufgezeichnet werden kann.From various optical recording / Reproduction is the magneto-optical process most attractive, because of its special Advantage that the information is deleted after use and new information about it can be recorded.

Ein Aufzeichnungsträger, bei dem ein magnetooptisches Aufzeichnungs-/ Wiedergabe-Verfahren eingesetzt wird, besitzt eine oder mehrere senkrechte magnetische Schichten als Aufzeichnungs­ schicht. Die magnetische Schicht enthält beispielsweise amorphes GdFe, GdCo, GdFeCo, TbFe, TbCo, TbFeCo und dergleichen. Auf der Aufzeichnungsschicht sind konzentrische oder spiralförmige Spuren gebildet, und auf den Spuren werden Daten aufgezeichnet. Im vorliegenden Zusammenhang soll folgende Vereinbarung gelten: Bezüglich der Film- oder Schichtoberfläche wird die Magnetisierungsrichtung "aufwärts" und "abwärts" als "A-Richtung" definiert, während die jeweils andere Richtung als "Nicht-A-Richtung" bezeichnet wird. Die aufzuzeichnenden Daten werden vorab in Binärwerte umgesetzt und in Form eines Bits (B₁) mit einer "A-gerichteten" Magnetisierung sowie in Form eines Bits (B₀) mit einer "nicht-A-gerichteten" Magnetisierung aufgezeichnet. Diese genannten Bits B₁ und B₀ entsprechen den Digitalwerten oder den Pegeln "Eins" bzw. "Null". Im allgemeinen jedoch läßt sich die Magnetisierungsrichtung der Aufzeichnungsspuren in die "Nicht-A-Richtung" ausrichten, indem man vor der Aufzeichnung ein starkes Vormagnetisierungsfeld anlegt. Diese Vorbehandlung nennt man "Initialisierung". Danach wird das Bit (B₁) mit der "A-gerichteten" Magnetisierung auf den Spuren gebildet. Daten werden entsprechend dem Vorhandensein/ Fehlen und/oder durch eine Bitlänge des Bits (B₁) aufgezeichnet.A recording medium in which a magneto-optical recording / reproduction method is used has one or more perpendicular magnetic layers as the recording layer. The magnetic layer contains, for example, amorphous GdFe, GdCo, GdFeCo, TbFe, TbCo, TbFeCo and the like. Concentric or spiral tracks are formed on the recording layer and data is recorded on the tracks. In the present context, the following agreement should apply: With regard to the film or layer surface, the magnetization direction "upwards" and "downwards" is defined as "A direction", while the other direction is referred to as "non-A direction". The data to be recorded are previously converted into binary values and recorded in the form of a bit (B ₁) with an "A-directed" magnetization and in the form of a bit (B ₀) with a "non-A-directed" magnetization. These bits B ₁ and B ₀ correspond to the digital values or the levels "one" and "zero". In general, however, the direction of magnetization of the recording tracks can be oriented in the "non-A direction" by applying a strong bias field before recording. This pretreatment is called "initialization". Then the bit (B ₁) with the "A-directed" magnetization is formed on the tracks. Data is recorded according to the presence / absence and / or by a bit length of the bit (B ₁).

Prinzip der Bit-ErzeugungPrinciple of bit generation

Bei der Bit-Erzeugung wird ein besonderes Merkmal des Laserstrahls ausgenutzt, d. h., die hervorragende räumliche und zeitliche Kohärenz. Durch diese ist es möglich, einen Laserstrahl wirksam auf einen Fleck zu lenken, der so klein ist wie die Beugungsgrenze des Lichts, die sich aus der Wellenlänge des Laserlichts bestimmt. Das fokussierte Licht wird auf die Spurfläche gelenkt, um Daten zu schreiben, indem Bits von weniger als 1 µm Durchmesser auf der Aufzeichnungsschicht gebildet werden. Bei der optischen Aufzeichnung läßt sich theoretisch eine Aufzeichnungsdichte von bis zu 10⁸ bit/cm² erreichen, da sich ein Laserstrahl auf einen Fleck mit der Größe der Laser-Wellenlänge konzentrieren läßt.Bit generation is a special feature of the laser beam exploited, d. that is, the excellent spatial and temporal coherence. Through this it is possible to use a laser beam to effectively steer to a spot that is so small like the diffraction limit of light resulting from the wavelength of the laser light. The focused light will  directed to the track surface to write data by bits of less than 1 µm in diameter on the recording layer be formed. With optical recording you can theoretically a recording density of up to 10⁸ bit / cm² because a laser beam hits a spot with the Size of the laser wavelength can be concentrated.

Wie Fig. 1 zeigt, wird beim magnetooptischen Aufzeichnen ein Laserstrahl L auf eine Aufzeichnungsschicht 1 fokussiert, um diese zu erhitzen, während von außen ein Vormagnetisierungsfeld (Hb) an den aufgeheizten Bereich gelegt wird, und zwar in der Richtung entgegengesetzt zu der Initialisierungs­ richtung. Die Koerzitivkraft Hc der lokal aufgeheizten Zone nimmt unter die Vormagnetisierungsfeldstärke (Hb) ab. Als Folge davon richtet sich die Magnetisierungsrichtung dieser Zone in Richtung des Vormagnetisierungsfeldes (Hb) aus. Auf diese Weise werden umgekehrte magnetisierte Bits erzeugt.As shown in Fig. 1, in the magneto-optical recording, a laser beam L is focused on a recording layer 1 to heat it, while externally a bias field (Hb) is applied to the heated area, in the direction opposite to the initialization direction. The coercive force Hc of the locally heated zone decreases below the bias field strength (Hb) . As a result, the direction of magnetization of this zone is aligned in the direction of the bias field (Hb) . In this way, reverse magnetized bits are generated.

Ferromagnetische und ferrimagnetische Stoffe unterscheiden sich in der Temperaturabhängigkeit der Magnetisierung und der Koerzitivkraft Hc. Ferromagnetische Stoffe haben eine Koerzitivkraft Hc, die bei der Curie-Temperatur abnimmt, und sie ermöglichen eine Datenaufzeichnung auf der Grundlage dieses Phänomens. Somit bezeichnet man die Datenaufzeichnung in ferromagnetischen Stoffen als "Tc-Aufzeichnung" (Curie-Temperatur-Aufzeichnung). Ferromagnetic and ferrimagnetic substances differ in the temperature dependence of the magnetization and the coercive force Hc. Ferromagnetic materials have a coercive force Hc that decreases at the Curie temperature, and enable data recording based on this phenomenon. Thus, data recording in ferromagnetic materials is referred to as "Tc recording" (Curie temperature recording).

Andererseits besitzen ferrimagnetische Stoffe eine unterhalb der Curie-Temperatur liegende sog. Kompensationstemperatur, bei der die Magnetisierung (M) Null wird. Die Koerzitivkraft Hc nimmt in der Umgebung dieser Temperatur sprunghaft zu und folglich außerhalb dieser Temperatur sprunghaft ab. Die verringerte Koerzitivkraft Hc wird durch ein relativ schwaches Vormagnetisierungsfeld (Hb) gelöscht. Dadurch ist eine Aufzeichnung von Daten möglich. Diesen Prozeß nennt man Tcomp.-Aufzeichnung (Kompensationspunkt- Aufzeichnung).On the other hand, ferrimagnetic substances have a so-called compensation temperature below the Curie temperature, at which the magnetization (M) becomes zero. The coercive force Hc increases suddenly in the vicinity of this temperature and consequently decreases suddenly outside this temperature. The reduced coercive force Hc is canceled out by a relatively weak bias field (Hb) . This enables data to be recorded. This process is called Tcomp. Recording (compensation point recording).

In diesem Falle jedoch steht nicht das Erfordernis, an dem Curie-Punkt oder einer in dessen Nähe gelegenen Temperatur und der Kompensationstemperatur zu arbeiten. In anderen Worten: Wenn ein Vormagnetisierungsfeld Hb, welches eine verringerte Koerzitivkraft Hc zu löschen vermag, an ein magnetisches Material gelegt wird, welches bei einer bestimmten Temperatur oberhalb der Zimmertemperatur eine verringerte Koerzitivkraft Hc besitzt, ist eine Aufzeichnung möglich.In this case, however, there is no need to operate at or near the Curie point and the compensation temperature. In other words, if a bias field Hb capable of erasing a reduced coercive force Hc is applied to a magnetic material having a reduced coercive force Hc at a certain temperature above room temperature, recording is possible.

Prinzip des LesensPrinciple of reading

Fig. 2 zeigt das Prinzip des Lesens von Daten auf der Grundlage des magnetooptischen Effekts. Licht ist eine elektro­ magnetische Welle mit einem Elektromagnetfeld-Vektor, der normalerweise in einer senkrecht auf dem Licht stehenden Ebene in sämtliche Richtungen geht. Wenn Licht in linear polarisierte Strahlen (Lp) umgesetzt und auf eine Auf­ zeichnungsschicht 1 gelenkt wird, wird es entweder von der Aufzeichnungsschicht 1 reflektiert oder gelangt durch sie hindurch. Zu diesem Zeitpunkt dreht sich die Polarisationsebene entsprechend der Richtung der Magnetisierung (M). Dieses Phänomen bezeichnet man als den magnetischen Kerr- Effekt oder den magnetischen Faraday-Effekt. Fig. 2 shows the principle of reading data based on the magneto-optical effect. Light is an electromagnetic wave with an electromagnetic field vector that normally goes in all directions in a plane perpendicular to the light. When light is converted into linearly polarized rays (Lp) and directed onto a recording layer 1 , it is either reflected by or passes through the recording layer 1 . At this time, the plane of polarization rotates according to the direction of magnetization (M). This phenomenon is called the magnetic Kerr effect or the magnetic Faraday effect.

Wenn beispielsweise die Polarisationsebene des reflektierten Lichts für die "A-gerichtete" Magnetisierung um R _k dreht, dreht sie sich bei der "nicht-A-gerichteten" Magnetisierung um -R _k Grad. Wenn also die Achse eines optischen Analysators (Polarisators) senkrecht zur um -R _k geneigten Ebene eingestellt wird, kann das von einem "nicht-A-gerichteten" magnetisierten Bit (B₀) reflektierte Licht nicht durch den Analysator gelangen. Hingegen gelangt ein Produkt (X sin2R _k )² des von einem in "A-Richtung" magnetisierten Bit (B₁) reflektierten Lichts durch den Analysator und trifft auf einen Detektor (photoelektrisches Wandelelement) auf. Als Ergebnis sieht das in "A-Richtung" magnetisierte Bit (B₁) heller aus als das in "Nicht-A-Richtung" magnetisierte Bit (B₀), und der Detektor erzeugt ein stärkeres elektrisches Signal bei dem Bit (B₁). Das von dem Detektor kommende elektrische Signal wird entsprechend den aufgezeichneten Daten moduliert, wodurch schließlich die Daten gelesen werden.For example, if the plane of polarization of the reflected light rotates by R _k for the "A-directed" magnetization, it rotates by - R _k degrees for the "non-A-directed" magnetization. So if the axis of an optical analyzer (polarizer) is set perpendicular to the plane inclined by - R _k , the light reflected from a "non-A-directed" magnetized bit (B ₀) cannot pass through the analyzer. On the other hand, a product (X sin2 R _k ) ² of the light reflected from a bit (B ₁) magnetized in the "A direction" passes through the analyzer and strikes a detector (photoelectric conversion element). As a result, the "A direction" magnetized bit (B ₁) looks brighter than the "non-A direction" bit (B ₀), and the detector generates a stronger electrical signal at the bit (B ₁) . The electrical signal coming from the detector is modulated according to the recorded data, which ultimately reads the data.

Es ist schwierig, einen magnetischen Stoff zu finden, der einen niedrigen Curie-Punkt aufweist, das einfache Auf­ zeichnen von Daten gestattet und eine hohe Koerzitivkraft, hohe Speicherstabilität, einen großen Wert R _k und einen hohen Rauschabstand (C/N-Abstand) in einem Wiedergabe/ (Lese-)Modus besitzt. Aus diesem Grund wurde ein mehr­ schichtiger magnetooptischer Aufzeichnungsträger vorgeschlagen, in welchem notwendige Funktionen getrennt und zwei unter­ schiedliche magnetische Stoffe geschichtet angeordnet sind (Japanische Patent-Offenlegungsschrift 57-78 652). Der Aufzeichnungsträger enthält einen zweischichtigen Film mit einer Schicht hoher Koerzitivkraft bei niedrigem Curie-Punkt, die in der Lage ist, senkrecht magnetisiert zu werden, und eine Schicht geringer Koerzitivkraft mit hohem Curie-Punkt, die senkrecht magnetisiert werden kann. Die Schichten hoher und niedriger Koerzitivkraft sind miteinander austausch-gekoppelt. Aus diesem Grund zeichnet die Schicht hoher Koerzitivkraft mit niedrigem Curie-Punkt auf und speichert Information, während die aufgezeichnete Information in die Schicht niedriger Koerzitivkraft übertragen wird. Deshalb gestattet die Schicht niedriger Koerzitivkraft mit hohem Curie-Punkt und großem R _k den lesenden Zugriff auf die Information.It is difficult to find a magnetic substance which has a low Curie point, which allows easy recording of data, and which has a high coercive force, high storage stability, a large value R _k and a high signal-to-noise ratio (C / N ratio) in has a playback / (read) mode. For this reason, a multilayer magneto-optical recording medium has been proposed in which the necessary functions are separated and two different magnetic substances are arranged in layers (Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-78,652). The recording medium contains a two-layer film with a layer of high coercive force at a low Curie point which is capable of being magnetized perpendicularly and a layer of low coercive force at a high Curie point which can be magnetized perpendicularly. The high and low coercive force layers are inter-coupled. For this reason, the high coercive force layer records with low Curie point and stores information while the recorded information is transferred to the low coercive force layer. Therefore, the low coercivity layer with high Curie point and large R _k allows read access to the information.

Dann wurde ein überschreibbarer mehrschichtiger magneto­ optischer Aufzeichnungsträger entwickelt (DE-Patentanmeldung P 36 19 618.5 vom 11. Juni 1986), bei welchem eine Auf­ zeichnungsschicht als erste Schicht und eine Bezugsschicht als zweite Schicht vorgesehen sind, und der mit lediglich Lichtmodulation unter Verwendung der Unterschiede zwischen Austausch-Kopplungskräften σ _w , den Curie-Punkten und den Koerzitivkräften der Schichten arbeitet. Die genannte ältere Anmeldung soll im Folgenden lediglich als "ältere Anmeldung" bezeichnet werden. In der älteren Anmeldung wird die Austausch- Koppelkraft σ _w als Grenzwandenergie oder ähnlich bezeichnet.Then, a rewritable multilayer magneto-optical recording medium was developed (DE patent application P 36 19 618.5 dated June 11, 1986), in which a recording layer is provided as the first layer and a reference layer as the second layer, and with only light modulation using the differences between the exchange coupling forces σ _w , the Curie points and the coercive forces of the layers. The older application mentioned is only to be referred to below as "older application". In the earlier application, the exchange coupling force σ _{w is} referred to as boundary wall energy or similar.

Der Stand der Technik nach der älteren AnmeldungThe state of the art after the older application

Bei einem überschreibenden Zugriff auf den Aufzeichnungs­ träger nach der älteren Anmeldung wird lediglich Licht moduliert, es wird aber nicht das magnetische Aufzeichnungsfeld moduliert. Es ist schwierig, ein magnetisches Feld mit hoher Geschwindigkeit zu modulieren. Ein für die Aufzeichnung verwendeter Laserstrahl wird entsprechend der aufzuzeichnenden Information pulsmoduliert. Dieser Vorgang wird auch bereits bei herkömmlichen magnetooptischen Aufzeichnungs­ vorgängen eingesetzt, wobei die Einrichtung für die Puls­ modulation einer Strahlintensität nach Maßgabe aufzuzeichnender binärer Information Stand der Technik ist. Es wird z. B. verwiesen auf "The Bell System Technical Journal", Vol. 62 (1983) S. 1923-1936.When overwriting access to the recording carriers after the older registration only light is modulated, but it does not become the magnetic recording field modulated. It is difficult to use a magnetic field modulate high speed. One for the record Laser beam used is according to the one to be recorded Information pulse modulated. This process will even with conventional magneto-optical recording Operations used, the device for the pulse modulation of a beam intensity as required binary information is state of the art. It is e.g. B. referenced "The Bell System Technical Journal", vol. 62 (1983) pp. 1923-1936.

Das besondere Merkmal eines überschreibenden Zugriffs gemäß der älteren Anmeldung sind der hohe und der niedrige Pegel einer Strahlintensität. Wenn die Strahlintensität einen hohen Pegel aufweist, wird die "A-gerichtete" Magnetisierung der Bezugsschicht (der zweiten Schicht) umgekehrt in eine "nicht-A-gerichtete" Magnetisierung, und zwar durch ein Aufzeichnungs-Magnetfeld (Hb), und ein Bit mit einer "nicht-A-gerichteten" Magnetisierung (oder einer "A-gerichteten" Magnetisierung) wird in der Aufzeichnungs­ schicht (erste Schicht) gebildet durch die "nicht-A-gerichtete" Magnetisierung der zweiten Schicht. Hat die Strahlintensität einen geringen Wert, so wird ein Bit mit einer "A-gerichteten" Magnetisierung (oder einer "nicht-A- gerichteten" Magnetisierung) durch die "A-gerichtete" Magnetisierung der Bezugsschicht erzeugt. Bei den Strahlen handelt es sich um "zwei Näherungsstrahlen", wobei der erste Strahl einen niedrigen Pegel besitzt und grundsätzlich nicht moduliert ist, so daß er stets ein Bit in der "Nicht-A- Richtung" (oder in "A-Richtung") erzeugt (d. h.: Die frühere Information wird gelöscht), während der zweite Strahl auf einem Pegel zwischen hohem Pegel und Basispegel (darunter auch der Null-Pegel) pulsmoduliert wird, wobei der Basispegel genauso groß ist wie, oder niedriger ist als, der niedrige Pegel. Die Modulation erfolgt nach Maßgabe der Information. Dadurch wird zur Aufzeichnung ein "A-gerichtetes" (oder ein "nicht-A-gerichtetes") Bit bei lediglich hohem Pegel erzeugt.The special feature of an overwrite access according to the older application is the high and the low level of a beam intensity. When the beam intensity is high, the "A-directed" magnetization of the reference layer (the second layer) is reversed to "non-A-directed" magnetization by a recording magnetic field (Hb) and a bit with "Non-A-directed" magnetization (or "A-directed" magnetization) is formed in the recording layer (first layer) by the "non-A-directed" magnetization of the second layer. If the beam intensity is low, a bit with "A-directed" magnetization (or "non-A-directed" magnetization) is generated by the "A-directed" magnetization of the reference layer. The beams are "two approximation beams", the first beam being of a low level and not fundamentally modulated so that it is always one bit in the "non-A direction" (or in the "A direction") is generated (ie: the previous information is erased) while the second beam is pulse-modulated to a level between the high level and the base level (including the zero level), the base level being the same as or lower than the low level . The modulation takes place according to the information. This creates an "A-directed" (or a "non-A-directed") bit at only a high level for recording.

In jedem Fall ist es, falls die notwendigen hohen und niedrigen Pegel und, in einigen Fällen, der Basispegel gegeben sind, für den Fachmann einfach, die Strahlintensität in der beschriebenen Weise zu modulieren, indem eine Modulier­ schaltung, wie sie zum Beispiel in dem oben erwähnten Artikel beschrieben ist, teilweise modifiziert wird. In any case, it is if the necessary high and low Level and, in some cases, the base level are, for the person skilled in the art, the beam intensity in the described modulate by modulating circuit, as for example in the above mentioned Article is described, is partially modified.  

Man beachte, daß die "A-Richtung" eine nach oben oder nach unten laufende Richtung bezüglich einer Magnetschicht bedeutet, während die verbleibende Richtung die "Nicht-A- Richtung" ist.Note that the "A direction" is one up or one down downward direction with respect to a magnetic layer means while the remaining direction is the "non-A- Direction ".

Im Folgenden sollen noch folgende Zeichen vereinbart werden: Bei einem Ausdruck bei dem ○○○ außerhalb der Klammern steht, sollte ○○○ auch außerhalb der Klammern bei den folgenden Ausdrücken gelesen werden. Wenn hingegen ohne das Lesen von ○○○ der Teil in den Klammern gelesen wird, so sollte das ∆∆∆ ohne das Lesen von ○○○ auch in den folgenden Ausdrücken gelesen werden.The following symbols are to be agreed below: When printing with the ○○○ outside of the brackets, ○○○ should also be outside the brackets read in the following terms will. If, on the other hand, without reading ○○○ the part is read in brackets, the ∆∆∆ should be without reading ○○○ also in the following expressions  to be read.

Wie beschrieben wurde, besteht der überschreibbare Aufzeichnungs­ träger aus zumindest zwei magnetischen Schichten mit senkrechter magnetischer Anisotropie, wobei die erste Schicht als Aufzeichnungsschicht und die zweite Schicht als Referenzschicht dient.As has been described, the rewritable record exists with at least two magnetic layers perpendicular magnetic anisotropy, the first Layer as the recording layer and the second layer serves as a reference layer.

Die ältere Anmeldung umfaßt zwei Aspekte. Bei beiden Aspekten besteht der Aufzeichnungsträger aus einer Mehr­ schichtstruktur, die in zwei Schichten unterteilt ist, wie die Fig. 3A zeigt.The older application has two aspects. In both aspects, the recording medium consists of a multilayer structure which is divided into two layers, as shown in FIG. 3A.

Bei der ersten Schicht handelt es sich um die Aufzeichnungs­ schicht, die eine hohe Koerzitivkraft bei Zimmertemperatur und eine niedrige Umkehrtemperatur aufweist. Die zweite Schicht ist die Bezugsschicht, die bei Zimmertemperatur eine geringe Koerzitivkraft aufweist und eine höhere Umkehr­ temperatur als die erste Schicht besitzt. Beide Schichten umfassen senkrecht magnetische Schichten.The first layer is the recording layer which has a high coercive force at room temperature  and has a low reverse temperature. The second Layer is the reference layer that is at room temperature has a low coercive force and a higher reversal temperature than the first layer. Both layers include perpendicular magnetic layers.

Bei dem ersten Aspekt wird die Koerzitivkraft der ersten Schicht mit H _C ₁ bezeichnet, die Koerzitivkraft der zweiten Schicht mit H _C ₂. Die Curie-Temperatur der ersten Schicht ist mit T _C ₁ und die der zweiten Schicht mit T _C ₂ bezeichnet. Die Zimmertemperatur ist mit T _R bezeichnet. Die Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlung mit einem Laserstrahl niedriger Leistung ist mit T _L , bei Bestrahlung mit hoher Leistung mit T _H bezeichnet. Ein an die erste Schicht gelegtes Koppelfeld ist mit H _D ₁, ein an die zweite Schicht gelegtes Koppelfeld ist mit H _D ₂ bezeichnet. In diesem Fall erfüllt der Aufzeichnungsträger die folgende Formel 1 und genügt den durch die Formeln 2 bis 5 angegebenen Bedingungen bei Zimmertemperatur:In the first aspect, the coercive force of the first layer is denoted by H _C ₁, the coercive force of the second layer by H _C ₂. The Curie temperature of the first layer is denoted by T _C ₁ and that of the second layer by T _C ₂. The room temperature is labeled T _R. The temperature of the recording medium when irradiated with a laser beam of low power is denoted by T _L , when irradiated with high power by T _H. A switching matrix placed on the first layer is labeled H _D ₁, a switching matrix placed on the second layer is labeled H _D ₂. In this case, the recording medium fulfills the following formula 1 and meets the conditions specified by formulas 2 to 5 at room temperature:

T _R < T _C ₁ = T _L < T _C ₂ = T _H (1) T _R < T _C ₁ = T _L < T _C ₂ = T _H (1)

H _C ₁ < H _C ₂ + |H _D ₁ ∓ H _D ₂| (2) H _C ₁ < H _C ₂ + | H _D ₁ ∓ H _D ₂ | (2)

H _C ₁ < H _D ₁ (3) H _C ₁ < H _D ₁ (3)

H _C ₂ < H _D ₂ (4) H _C ₂ < H _D ₂ (4)

H _C ₂ + H _D ₂ < |Hini.| < H _C ₁ ± H _D ₁ (5) H _C ₂ + H _D ₂ <| Hini. | < H _C ₁ ± H _D ₁ (5)

In den Formeln bedeutet das Symbol "≃" im vorliegenden Zusammenhang "gleich" oder "im wesentlichen gleich". Doppel- Vorzeichen ± und ∓ sind zu verstehen als Bezeichnung für einen Typ von Aufzeichnungsträger, bei dem jeweils das obere Vorzeichen einem A-Typ-Aufzeichnungsträger (einem Antiparallel- Typ) entspricht, während das untere Vorzeichen einem B-Typ- Aufzeichnungsträger (Parallel-Typ) entspricht (diese Auf­ zeichnungsträger werden weiter unten noch beschrieben). Man beachte, daß der P-Typ einen ferromagnetischen Stoff und ein magnetostatisches Kopplungsmedium enthält.In the formulas, the symbol "≃" means in the present context "equal" or "substantially the same". Double Sign ± and ∓ are to be understood as a designation for a type of record carrier, in which the upper Sign of an A-type recording medium (an anti-parallel Type), while the lower sign corresponds to a B-type Record carrier (parallel type) corresponds to (this on drawings are described below). Man note that the P-type is a ferromagnetic substance and a contains magnetostatic coupling medium.

Die Beziehung zwischen der Koerzitivkraft und der Temperatur ist in der graphischen Darstellung in Fig. 4 dargestellt. In Fig. 4 bedeutet die dünne Kurve die Kennlinie für die erste Schicht, die dicke Kurve die Kennlinie für die zweite Schicht.The relationship between the coercive force and the temperature is shown in the graph in FIG. 4. In Fig. 4 the thin curve means the characteristic for the first layer, the thick curve the characteristic for the second layer.

Wenn ein Anfangsfeld (Hini) bei Zimmertemperatur an den Auf­ zeichnungsträger angelegt wird, dreht sich die Magnetisierungs­ richtung der zweiten Schicht um, ohne daß sich diejenige der ersten Schicht umkehrt, was der Formel 5 entspricht. Wenn vor dem Aufzeichnen das Anfangsfeld (Hini) an die Aufzeichnungs­ schicht gelegt wird, kann die zweite Schicht in der "A-Richtung" magnetisiert werden (in der Zeichnung ist die "A-Richtung" durch einen breiten Pfeil "⇑" angegeben, während die "Nicht-A-Richtung" durch einen breiten Pfeil nach unten "" angegeben ist). Wenn das Anfangsfeld (Hini) auf Null abnimmt, bleibt die Magnetisierungsrichtung ⇑ der zweiten Schicht unverändert und wird nicht umgedreht, was der Formel 4 entspricht.If an initial field (Hini) is applied to the record carrier at room temperature, the magnetization direction of the second layer reverses without that of the first layer being reversed, which corresponds to Formula 5. If the initial field (Hini) is applied to the recording layer before recording, the second layer can be magnetized in the "A direction" (in the drawing, the "A direction" is indicated by a wide arrow "⇑" while the "non-A direction" is indicated by a wide down arrow ""). If the initial field (Hini) decreases to zero, the magnetization direction ⇑ of the second layer remains unchanged and is not reversed, which corresponds to Formula 4.

Fig. 3B zeigt schematisch einen Zustand, bei dem lediglich die zweite Schicht in der "A-Richtung" ⇑ unmittelbar vor dem Aufzeichnen magnetisiert ist. Fig. 3B schematically shows a state in which only the second layer in the "A direction" ⇑ is magnetized immediately before recording.

Gemäß Fig. 3B stellt die Magnetisierungsrichtung in der ersten Schicht zuvor aufgezeichnete Daten dar. Da die Magnetisierungs­ richtung in der ersten Schicht 1 den grundsätzlichen Arbeitsmechanismus nicht ändert, ist sie bei der folgenden Beschreibung durch X angegeben. Die in Fig. 3B dargestellte Übersicht wird der Einfachheit halber in der Weise modifiziert, wie es in Fig. 5 bei Zustand 1 dargestellt ist.According to Fig. 3B, the direction of magnetization in the first layer previously recorded data. Since the magnetization direction is not in the first layer 1 the basic working mechanism is changed, it is specified in the following description by X. For the sake of simplicity, the overview shown in FIG. 3B is modified in the manner shown in state 1 in FIG. 5.

Im Zustand 1 wird ein Laserstrahl hoher Leistung auf den Auf­ zeichnungsträger gestrahlt, um die Trägertemperatur auf T _H zu erhöhen. Da T _H höher liegt als die Curie-Temperatur T _C ₁, verschwindet die Magnetisierung der ersten Schicht 1. Da weiterhin T _H in der Nähe der Curie-Temperatur T _H ₂ liegt, verschwindet auch die Magnetisierung der zweiten Schicht 2 vollständig oder fast vollständig. Das Vormagnetisierungsfeld (Hb) in der "A-Richtung" oder der "Nicht-A-Richtung" wird entsprechend dem Typ des Aufzeichnungsträgers an den Träger angelegt. Das Vormagnetisierungsfeld (Hb) kann ein Streufeld vom Aufzeichnungsträger selbst sein. Aus Gründen der Vereinfachung sei angenommen, daß das Vormagnetisierungsfeld (Hb) in der "Nicht-A-Richtung" an den Träger angelegt wird. Da sich der Aufzeichnungsträger bewegt, wird ein gegebener bestrahlter Abschnitt sofort von dem Laserstrahl getrennt und kühlt sich über die Luft ab. Wenn die Temperatur des Trägers bei vorhandenem Feld Hb abnimmt, wird die Magnetisierungsrichtung der zweiten Schicht umgekehrt in die "Nicht-A-Richtung", und zwar aufgrund des Feldes Hb (Zustand 2 _H in Fig. 5).In state 1, a high power laser beam is irradiated onto the recording medium in order to raise the carrier temperature to T _H. Since T _{H is} higher than the Curie temperature T _C ₁, the magnetization of the first layer 1 disappears. Since T _{H is} still close to the Curie temperature T _H ₂, the magnetization of the second layer 2 also disappears completely or almost completely. The bias field (Hb) in the "A direction" or the "non-A direction" is applied to the carrier according to the type of the recording medium. The bias field (Hb) can be a stray field from the recording medium itself. For the sake of simplicity, assume that the bias field (Hb) is applied to the carrier in the "non-A direction". As the record carrier moves, a given irradiated section is immediately separated from the laser beam and cools down over the air. When the temperature of the carrier decreases with the field Hb present, the direction of magnetization of the second layer becomes reversed in the "non-A direction" due to the field Hb (state 2 _H in Fig. 5).

Wenn der Aufzeichnungsträger weiter kühlt und die Träger­ temperatur unter T _C ₁ fällt, verschwindet die Magnetisierung der ersten Schicht erneut. In diesem Fall wird die Magnetisierungs­ richtung der ersten Schicht durch diejenige der zweiten Schicht beeinflußt aufgrund einer magnetischen Kopplungskraft (Austausch- oder magnetostatische Kopplungskraft). Als Ergebnis wird entsprechend dem Typ von Aufzeichnungs­ träger eine Magnetisierung (beim P-Typ) oder ⇑ (beim A-Typ) gebildet, was in Fig. 5 bei dem Zustand 3 _H dargestellt ist.If the record carrier continues to cool and the carrier temperature belowT _C. ₁ falls, the magnetization disappears the first layer again. In this case the magnetization direction of the first layer through that of the second Layer affects due to a magnetic coupling force (Exchange or magnetostatic coupling force). As a result, according to the type of recording magnetization (with P-type) or ⇑ (with A type) formed what inFig. 5 in condition 3 _H shown is.

Eine Änderung der Zustände aufgrund der Bestrahlung mit Laser hoher Leistung soll hier als Hochtemperaturzyklus bezeichnet werden.A change in conditions due to laser irradiation high performance is referred to here as a high temperature cycle will.

Als nächstes wird im Zustand 1 gemäß Fig. 6 der Laserstrahl niedriger Leistung auf den Aufzeichnungsträger gestrahlt, um die Trägertemperatur auf T _L anzuheben. Da sich T _L in der Nähe der Curie-Temperatur T _C ₁ befindet, verschwindet die Magnetisierung der ersten Schicht vollständig oder fast vollständig. Da jedoch T _L unterhalb der Curie-Temperatur T _C ₂ liegt, verschwindet die Magnetisierung der zweiten Schicht nicht (Zustand 2 _L in Fig. 6). Im Zustand 2 _L kann das Vormagnetisierungsfeld Hb, obschon es nicht benötigt wird, nicht mit hoher Geschwindigkeit ein- und ausgeschaltet werden. Daher bleibt das Vormagnetisierungsfeld Hb unvermeidlich angelegt.Next, in state 1 of FIG. 6, the low power laser beam is irradiated on the recording medium to raise the carrier temperature to T _L. Since T _{L is} close to the Curie temperature T _C ₁, the magnetization of the first layer disappears completely or almost completely. However, since T _{L is} below the Curie temperature T _C ₂, the magnetization of the second layer does not disappear (state 2 _L in Fig. 6). In state 2 _L , the bias field Hb, although not required, cannot be switched on and off at high speed. Therefore, the bias field Hb remains inevitably applied.

Da allerdings die Koerzitivkraft H _C ₂ groß bleibt, wird aufgrund des Feldes Hb die Magnetisierungsrichtung der zweiten Schicht nicht umgekehrt. Da sich der Träger bewegt, wird ein gegebener bestrahlter Abschnitt des Trägers rasch von dem Laserstrahl getrennt und kühlt sich über die Luft ab. Beim Kühlvorgang erscheint die Magnetisierung der ersten Schicht. Die Magnetisierungsrichtung wird von derjenigen der zweiten Schicht wegen der magnetischen Kopplungskraft beeinflußt. Im Ergebnis erscheint abhängig vom Aufzeichnungsträger- Typ die Magnetisierung ⇑ (P-Typ) oder (A-Typ). Diese Magnetisierung ändert sich auch bei Zimmertemperatur nicht (Zustand 3 _L in Fig. 6).However, since the coercive force H _C ₂ remains large, the direction of magnetization of the second layer is not reversed due to the field Hb . As the carrier moves, a given irradiated portion of the carrier is quickly separated from the laser beam and cools down in the air. The magnetization of the first layer appears during the cooling process. The direction of magnetization is influenced by that of the second layer due to the magnetic coupling force. As a result, the magnetization ⇑ (P type) or (A type) appears depending on the type of recording medium. This magnetization does not change even at room temperature (state 3 _L in Fig. 6).

Die Zustandsänderung aufgrund der Bestrahlung mit Laserstrahl niedriger Leistung soll hier als Niedrigtemperaturzyklus bezeichnet werden.The change in state due to laser beam irradiation low power is said to be a low temperature cycle be designated.

Fig. 7 faßt die obige Beschreibung zusammen: Gemäß Fig. 7 werden in Hoch- und in Niedrigtemperaturzyklen einander entgegengesetzte Bits mit entweder der Magnetisierung ⇑ oder erzeugt, ungeachtet der Magnetisierung in der ersten Schicht. Genauer gesagt: es ist ein Überschreiben möglich durch Pulsmodulieren des Laserstrahls zwischen hoher Leistung (Hochtemperaturzyklus) und niedriger Leistung (Niedrigtemperatur­ zyklus), abhängig von den aufzuzeichnenden Daten. Fig. 7 summarizes the above description: According to Fig. 7, opposite bits are generated in either high or low temperature cycles with either the magnetization ⇑ or regardless of the magnetization in the first layer. More specifically, overwriting is possible by pulse modulating the laser beam between high power (high temperature cycle) and low power (low temperature cycle), depending on the data to be recorded.

Man beachte, daß der Aufzeichnungsträger normalerweise die Form einer Platte oder Scheibe besitzt und sich beim Aufzeichnungs­ vorgang dreht. Deshalb wird ein mit einer Aufzeichnung versehener Abschnitt (Bit) wiederum durch das Anfangsfeld (Hini) beeinflußt, welches bei einer einzelnen Umdrehung durch eine Anfangsfeld-Erzeugungseinrichtung angelegt wird. Als Folge davon wird die Magnetisierungsrichtung der zweiten Schicht entlang der ursprünglichen "A-Richtung" ⇑ ausgerichtet, wie in Fig. 10 gezeigt ist. Bei Zimmertemperatur jedoch kann die Magnetisierung der zweiten Schicht nicht länger diejenige der ersten Schicht beeinflussen, und die aufgezeichneten Daten können gehalten werden.Note that the recording medium is usually in the form of a disk or disc and rotates during the recording process. Therefore, a recorded portion (bit) is again affected by the start field (Hini) , which is applied by a start field generator in one revolution. As a result, the magnetization direction of the second layer is aligned along the original "A direction" ⇑ as shown in FIG. 10. However, at room temperature, the magnetization of the second layer can no longer affect that of the first layer, and the recorded data can be held.

Wenn auf die erste Schicht linear polarisiertes Licht gestrahlt wird, können, da das von der Schicht reflektierte Licht Dateninformation enthält, Daten wie bei einem herkömmlichen magnetooptischen Aufzeichnungsträger reproduziert (gelesen) werden.When linearly polarized light is radiated onto the first layer can, since that is reflected by the layer Light contains data information, data like a conventional one reproduced magneto-optical recording medium (to be read.

Ein senkrecht magnetischer Film, der die erste und die zweite Schicht bildet, wird ausgewählt aus der Gruppe, die (1) kristalline oder amorphe ferromagnetische oder ferrimagnetische Stoffe mit einer Curie-Temperatur und keiner Kompensations­ temperatur und (2) kristalline oder amorphe ferrimagnetische Stoffe mit sowohl der Kompensationstemperatur als auch der Curie-Temperatur enthält.A perpendicular magnetic film, the first and the second Layer is selected from the group consisting of (1) crystalline or amorphous ferromagnetic or ferrimagnetic Fabrics with a Curie temperature and no compensation  temperature and (2) crystalline or amorphous ferrimagnetic Substances with both the compensation temperature as well as the Curie temperature.

Gemäß dem ersten Aspekt wird in der beschriebenen Weise die Curie-Temperatur ausgenutzt. Im Gegensatz dazu wird gemäß dem zweiten Aspekt die verringerte Koerzitivkraft H _C bei einer vorbestimmten Temperatur oberhalb der Zimmertemperatur ausgenutzt. Dieser zweite Aspekt macht Gebrauch von einer Temperatur T _S ₁, bei der die erste Schicht magnetisch mit der zweiten Schicht gekoppelt ist, im Gegensatz zu der Ausnutzung der Temperatur T _C ₁ beim ersten Aspekt. Weiterhin wird anstelle der Temperatur T _C ₁ eine Temperatur T _S ₂ verwendet, bei der zweite Schicht unter dem Einfluß des Feldes Hb umgekehrt wird. Dadurch vermag der zweite Aspekt den gleichen Effekt zu zeigen wie der erste Aspekt.According to the first aspect, the Curie temperature is used in the manner described. In contrast, according to the second aspect, the reduced coercive force H _{C is} exploited at a predetermined temperature above the room temperature. This second aspect makes use of a temperature T _S ₁ at which the first layer is magnetically coupled to the second layer, in contrast to the use of the temperature T _C ₁ in the first aspect. Furthermore, a temperature T _S ₂ is used instead of the temperature T _C ₁, is reversed in the second layer under the influence of the field Hb . As a result, the second aspect can show the same effect as the first aspect.

Bei dem zweiten Aspekt wird die Koerzitivkraft der ersten Schicht mit H _C ₁ bezeichnet, diejenige der zweiten Schicht wird mit H _C ₂ bezeichnet. T _S ₁ bedeutet eine Temperatur, bei der die erste Schicht magnetisch mit der zweiten Schicht gekoppelt ist; T _S ₂ bedeutet eine Temperatur, bei der die Magnetisierungsrichtung der zweiten Schicht durch den Einfluß des Feldes Hb umgekehrt wird; T _R bedeutet die Zimmertemperatur; T _L bedeutet eine Temperatur des Trägers beim Anlegen eines Laserstrahls mit niedriger Leistung; T _H bedeutet eine Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlung mit einem Laserstrahl hoher Leistung; H _D ₁ bedeutet ein an die erste Schicht gelegtes Koppelfeld; und H _D ₂ bedeutet ein an die zweite Schicht gelegtes Koppelfeld. In diesem Fall erfüllt der Aufzeichnungsträger die durch die folgende Formel 6 angegebene Bedingung, und erfüllt bei Zimmer­ temperatur die Formeln 7 bis 10.In the second aspect, the coercive force of the first layer is denoted by H _C ₁, that of the second layer is denoted by H _C ₂. T _S ₁ means a temperature at which the first layer is magnetically coupled to the second layer; T _S ₂ means a temperature at which the direction of magnetization of the second layer is reversed by the influence of the field Hb ; T _R means the room temperature; T _L means a temperature of the carrier when a low power laser beam is applied; T _H means a temperature of the record carrier when irradiated with a high power laser beam; H _D ₁ means a switching matrix placed on the first layer; and H _D ₂ means a switching matrix placed on the second layer. In this case, the recording medium fulfills the condition specified by the following formula 6 and, at room temperature, fulfills formulas 7 to 10.

T _R < T _S ₁ = T _L < T _S ₂ = T _H (6) T _R < T _S ₁ = T _L < T _S ₂ = T _H (6)

H _C ₁ < H _C ₂ + |H _D ₁ ∓ H _D ₂| (7) H _C ₁ < H _C ₂ + | H _D ₁ ∓ H _D ₂ | (7)

H _C ₁ < H _D ₁ (8) H _C ₁ < H _D ₁ (8)

H _C ₂ < H _D ₂ (9) H _C ₂ < H _D ₂ (9)

H _C ₂ + H _D ₂ < |Hini.| < H _C ₁ ± H _D ₁ (10) H _C ₂ + H _D ₂ <| Hini. | < H _C ₁ ± H _D ₁ (10)

In den obigen Formeln bedeuten obere Vorzeichen der Doppel­ vorzeichen ± und ∓ einen Aufzeichnungsträger vom A-Typ (Antiparallel-Typ), während die unteren Vorzeichen einem Aufzeichnungsträger vom P-Typ (Parallel-Typ) entsprechen (diese Aufzeichnungsträger werden unten noch näher erläutert).In the formulas above, upper signs mean the double sign ± and ∓ an A-type record carrier (Anti-parallel type), while the lower sign one P-type (parallel type) recording media (These record carriers are explained in more detail below).

Bei dem ersten und dem zweiten Aspekt wird der Aufzeichnungs­ träger gebildet durch die erste und die zweite Schicht, von denen jede vorzugsweise aus amorphem ferrimagnetischem Material besteht, ausgewählt aus einer Übergangsmetall-(z. B. Fe, Co)-Schwere-Seltene-Erden-Metall-(z. B. Gd, Tb, Dy und dergl.)-Legierung.In the first and second aspects, the recording carrier formed by the first and second layers, of each of which is preferably made of amorphous ferrimagnetic material consists of a transition metal (e.g. Fe, Co) Heavy Rare Earth Metal (e.g. Gd, Tb, Dy and The like.) - Alloy.

Wenn die erste und die zweite Schicht beide aus den Übergangsmetall- Schwere-Seltene-Erden-Metall-Legierungen ausgewählt sind, bestimmen sich die Richtung und die Stärke der außerhalb der Legierung in Erscheinung tretenden Magnetisierung durch die Beziehung zwischen der Richtung und der Stärke des Spins der Übergangsmetall-Atome (im Folgenden entsprechend dem englischen Ausdruck transition metal mit TM abgekürzt) sowie der Atome des Schwere-Seltene-Erden- Metalls (entsprechend dem englischen Ausdruck rare earth RE abgekürzt) im Inneren der Legierung. Beispielsweise werden Richtung und Stärke des TM-Spins durch einen gestrichelten Vektor ↑ dargestellt, Richtung und Stärke des RE-Spins werden durch einen durchgehenden Vektor ↑ dargestellt. Richtung und Stärke der Magnetisierung der Legierung insgesamt werden durch einen doppelten, ausgezogenen Vektor oder Pfeil ⇑ dargestellt. In diesem Fall wird der Pfeil ⇑ durch die Summe der Vektoren oder Pfeile ↑ und ↑ dargestellt. In der Legierung jedoch sind die Pfeile ↑ und ↑ aufgrund des gegenseitigen Effekts vom TM-Spin und RE-Spin entgegen­ gesetzt gerichtet. Wenn diese Vektoren also einander gleichen, ist die Summe der Vektoren ↓ und ↑ oder die Summe der Vektoren ↑ und ↓ Null (d. h.: die Magnetisierungsstärke, die sich außerhalb der Legierung zeigt, ist Null). Die zu einer sich auslöschenden Summe von Vektoren führende Legierungszusammensetzung wird als Kompensationszusammensetzung bezeichnet. Wenn die Legierung eine andere Zusammensetzung aufweist, besitzt sie eine Stärke, die der Differenz zwischen den Stärken der beiden Spins entspricht, und es ergibt sich ein Pfeil oder Vektor (⇑ oder ), dessen Richtung dem größeren oder stärkeren Vektor entspricht. Die Magnetisierung dieses Vektors erscheint außerhalb der Legierung. Beispielsweise entsprechen die Vektoren ↑↓ einem Pfeil ⇑, während die Vektoren ↑↓ einem Pfeil entsprechen.If the first and second layers are both made of transition metal Heavy Rare Earth Metal Alloys selected direction and strength are determined  the magnetization that appears outside the alloy through the relationship between the direction and the strength of the spin of the transition metal atoms (hereinafter according to the English expression transition metal abbreviated with TM) and the atoms of the heavy-rare earth- Metals (according to the English expression rare earth Abbreviated RE) inside the alloy. For example the direction and strength of the TM spin are shown by a dashed line Vector ↑ shown, direction and strength of the RE spin are represented by a continuous vector ↑. Direction and strength of the magnetization of the alloy as a whole are represented by a double, solid vector or Arrow ⇑ shown. In this case, the arrow ⇑ is shown the sum of the vectors or arrows ↑ and ↑ is shown. In the alloy, however, the arrows ↑ and ↑ are due the mutual effect of TM spin and RE spin set directed. So if these vectors are each other same, is the sum of the vectors ↓ and ↑ or the Sum of the vectors ↑ and ↓ zero (i.e. the magnetization strength, that appears outside the alloy is zero). Which results in an extinguishing sum of vectors Alloy composition is called compensation composition designated. If the alloy has a different composition it has a strength that of difference between the strengths of the two spins, and it matches the result is an arrow or vector (⇑ or) whose Direction corresponds to the larger or stronger vector. The Magnetization of this vector appears outside of the  Alloy. For example, the vectors correspond to ↑ ↓ an arrow ⇑, while the vectors ↑ ↓ an arrow correspond.

Wenn eine der Stärken der Vektoren des RE-Spins und des TM-Spins größer als die andere ist, bezeichnet man die Legierungszusammensetzung auch als "○○-reich", bezeichnet nach dem jeweils größeren Spin-Namen (z. B. RE-reich).If one of the strengths of the RE spin and TM spins larger than the other, they are called Alloy composition also referred to as "○○ -rich" after the larger spin name (e.g. RE-rich).

Die erste und die zweite Schicht lassen sich klassifizieren in TM-reiche und in RE-reiche Zusammensetzungen. Wenn daher die Legierungszusammensetzung der ersten Schicht entlang der Ordinate und diejenige der zweiten Schicht entlang der Abszisse aufgezeichnet wird, können die Typen von Aufzeichnungs­ trägern gemäß der Erfindung in vier Quadranten klassifiziert werden, wie in Fig. 8 dargestellt ist. Der oben beschriebene Aufzeichnungsträger vom P-Typ gehört zu den Quadranten I und III, während der A-Typ zu den Quadranten II und IV gehört. Gemäß Fig. 8 stellt der Schnittpunkt (Ursprung) von Abszisse und Ordinate die Kompensations­ zusammensetzung beider Schichten dar.The first and second layers can be classified into TM-rich and RE-rich compositions. Therefore, when the alloy composition of the first layer is recorded along the ordinate and that of the second layer along the abscissa, the types of recording media according to the invention can be classified into four quadrants, as shown in FIG. 8. The P-type recording medium described above belongs to quadrants I and III, while the A-type belongs to quadrants II and IV. According to Fig. 8, the intersection (origin) of the abscissa and ordinate represents the compensation composition of both layers.

Angesichts einer Änderung der Koerzitivkraft bei einer Temperaturänderung besitzt eine gewisse Legierungszusammen­ setzung Kennlinien, bei denen die Koerzitivkraft vorübergehend unendlich stark zunimmt, um dann abrupt abzunehmen, bevor die Temperatur die Curie-Temperatur (bei der die Koerzitivkraft Null beträgt) erreicht. Die der unendlich hohen Koerzitivkraft entsprechende Temperatur bezeichnet man als Kompensationstemperatur (Tcomp.). Bei der TM-reichen Legierungszusammensetzung ist zwischen der Zimmertemperatur und der Curie-Temperatur keine Kompensationstemperatur vorhanden. Die Kompensationstemperatur unterhalb der Zimmertemperatur ist bei der magnetooptischen Aufzeichnung sinnlos, und folglich wird im vorliegenden Zusammenhang angenommen, daß die Kompensationstemperatur wenn, dann zwischen Zimmertemperatur und Curie-Temperatur vorhanden ist.In view of a change in the coercive force due to a change in temperature, a certain alloy composition has characteristics in which the coercive force temporarily increases infinitely, only to decrease abruptly before the temperature reaches the Curie temperature (at which the coercive force is zero). The temperature corresponding to the infinitely high coercive force is called the compensation temperature (Tcomp.). With the TM-rich alloy composition, there is no compensation temperature between the room temperature and the Curie temperature. The compensation temperature below the room temperature is meaningless in the magneto-optical recording, and consequently it is assumed in the present context that the compensation temperature is present between the room temperature and the Curie temperature.

Wenn man die erste und die zweite Schicht nach Maßgabe des Vorhandenseins/Fehlens der Kompensationstemperatur klassifiziert, läßt sich ein Aufzeichnungsträger in vier Typen klassifizieren. Der Aufzeichnungsträger im Quadranten I umfaßt sämtliche vier Typen. Die graphischen Darstellungen in den Fig. 9A bis 9D zeigen die Beziehung zwischen der Koerzitivkraft und der Temperatur der vier Aufzeichnungsträger- Typen. Man beachte, daß die jeweils dünnen Kurven Kennlinien für die erste Schicht und die dicken Kurven Kennlinien für die zweite Schicht bedeuten.If the first and second layers are classified according to the presence / absence of the compensation temperature, a recording medium can be classified into four types. The record carrier in quadrant I comprises all four types. The graphs in Figs. 9A to 9D show the relationship between the coercive force and the temperature of the four types of recording media. Note that the thin curves represent characteristics for the first layer and the thick curves represent characteristics for the second layer.

Wenn die erste (Aufzeichnungs-)Schicht und die zweite (Bezugs-)Schicht im Hinblick auf ihren RE- oder TM-Anteil und im Hinblick auf das Vorhandensein/Fehlen der Kompensations­ temperatur klassifiziert werden, ergeben sich insgesamt neun Klassen, die in der nachstehenden Tabelle zusammengestellt sind. When the first (recording) layer and the second (Reference) layer with regard to its RE or TM content and in terms of the presence / absence of the compensation temperature are classified as a whole nine classes compiled in the table below are.  

Tabelle 1 Table 1

Im Folgenden soll anhand eines der Klasse 1 zugehörigen speziellen Aufzeichnungsträgers (P-Typ, Quadrant I, Typ 1) gemäß Tabelle 1 das Prinzip des Überschreibens erläutert werden.The following is intended to be based on one belonging to class 1 special record carrier (P-type, quadrant I, type 1) the principle of overwriting is explained in accordance with Table 1 will.

Der Aufzeichnungsträger Nr. 1 erfüllt folgende Bedingung gemäß Gleichung 11:The record carrier No. 1 fulfills the following condition according to equation 11:

T _R < Tcomp.1 < T _{C 1} ≈ T _L ≈ Tcomp.2 < T _C ₂ ≈ T _H (11) T _R < Tcomp. 1 < T _{C 1} ≈ T _L ≈ Tcomp. 2 < T _C ₂ ≈ T _H (11)

Fig. 10 veranschaulicht diese Beziehung anhand einer graphischen Darstellung. Man beachte, daß sich die dünnen Kurven auf die erste Schicht und die dicken Kurven auf die zweite Schicht beziehen. Dies gilt auch für die nachfolgenden graphischen Darstellungen. Figure 10 illustrates this relationship using a graph. Note that the thin curves relate to the first layer and the thick curves relate to the second layer. This also applies to the graphic representations below.

Eine Bedingung oder ein Zustand, wodurch die Magnetisierungs­ richtung der zweiten Schicht umgekehrt wird, ohne daß die Magnetisierungsrichtung der ersten Schicht umgekehrt wird, wenn ein Anfangsfeld (Hini) bei Zimmertemperatur T _R angelegt wird, wird durch folgende Formel 12 beschrieben, wobei der Aufzeichnungsträger Nr. 1 diese Bedingung 12 bei Zimmertemperatur T _R erfüllt:A condition or condition whereby the direction of magnetization of the second layer is reversed without reversing the direction of magnetization of the first layer when an initial field (Hini) is applied at room temperature T _R is described by the following Formula 12, where the recording medium No. 1 fulfills this condition 12 at room temperature T _R :

H _C ₁ < H _C ₂ + (σ _w /2M _S ₁t₁) + (σ _w /2M _S ₂t₂) (12) H _C ₁ < H _C ₂ + ( σ _w / 2 M _S ₁ t ₁) + ( σ _w / 2 M _S ₂ t ₂) (12)

wobeiin which

H _C ₁: Koerzitivkraft der 1. Schicht
H _C ₂: Koerzitivkraft der 2. Schicht
M _S ₁: Sättigungsmagnetisierung der 1. Schicht
M _S ₂: Sättigungsmagnetisierung der 2. Schicht
t₁: Schichtdicke der 1. Schicht
t₂: Schichtdicke der 2. Schicht
σ _w : Grenzwandenergie (Austausch-Koppelkraft). H _C ₁: Coercive force of the 1st layer
H _C ₂: Coercive force of the 2nd layer
M _S ₁: Saturation magnetization of the 1st layer
M _S ₂: saturation magnetization of the 2nd layer
t ₁: layer thickness of the 1st layer
t ₂: layer thickness of the second layer
σ _w : boundary wall energy (exchange coupling force).

Dabei wird die Bedingung für das Feld Hini durch die Formel 15 angegeben. Wenn das Feld Hini verschwindet, wird die umgekehrte Magnetisierung der zweiten Schicht aufgrund einer Austausch- Koppelkraft beeinflußt durch die Magnetisierung der ersten Schicht. Die Bedingung, die die Magnetisierungsrichtung der zweiten Schicht aufrechterhalten kann, ist durch die Formeln 13 und 14 angegeben, wobei der Aufzeichnungsträger Nr. 1 diese Formeln erfüllt:Formula 15 specifies the condition for the Hini field. When the Hini field disappears, the reverse magnetization of the second layer due to an exchange coupling force is affected by the magnetization of the first layer. The condition that the direction of magnetization of the second layer can maintain is given by the formulas 13 and 14, the record carrier No. 1 fulfilling these formulas:

H _C ₁ < (σ _w /2M _S ₁t₁) (13) H _C ₁ <( σ _w / 2 M _S ₁ t ₁) (13)

H _C ₂ < (σ _w /2M _S ₂t₂) (14) H _C ₂ <( σ _w / 2 M _S ₂ t ₂) (14)

H _C ₂ + (σ _w /2M _S ₂t₂) < |Hini.| < H _C ₁ -(σ _w /2M _S ₁t₁) (15) H _C ₂ + ( σ _w / 2 M _S ₂ t ₂) <| Hini. | < H _C ₁ - ( σ _w / 2 M _S ₁ t ₁) (15)

Die Magnetisierung der zweiten Schicht des Aufzeichnungsträgers, welcher den Formeln 12 bis 14 bei der Temperatur T _R entspricht, ist entlang der "A-Richtung" ⇑ (↑↓) aufgrund des der Formel 15 entsprechenden Feldes Hini ausgerichtet. The magnetization of the second layer of the recording medium, which corresponds to the formulas 12 to 14 at the temperature T _R , is aligned along the "A direction" ⇑ (↑ ↓) on the basis of the field Hini corresponding to the formula 15.

Jetzt wird die Aufzeichnungsschicht 1 im aufgezeichneten Zustand gehalten (Zustand 1 in den Fig. 11 und 12).Now, the recording layer 1 is kept in the recorded state (state 1 in Figs. 11 and 12).

Der Zustand 1 wird bis zu einem Punkt unmittelbar vor der Aufzeichnung aufrechterhalten. In diesem Fall wird das Vor­ magnetisierungsfeld (Hb) in Richtung ↑ angelegt.State 1 is maintained up to a point immediately prior to recording. In this case, the pre-magnetic field (Hb) is applied in the ↑ direction.

Nachstehend soll unter Bezugnahme auf die Fig. 11 der Hoch­ temperaturzyklus erläutert werden.The high temperature cycle will be explained below with reference to FIG. 11.

HochtemperaturzyklusHigh temperature cycle

Wenn im Zustand 1 die Trägertemperatur durch Bestrahlung mit Laserstrahl hoher Leistung auf T _L erhöht wird, verschwindet die Magnetisierung der ersten Schicht 1, da die Temperatur T _L etwa so groß ist wie die Curie-Temperatur T _C ₁ der ersten Schicht (Zustand 2 _H ).If in state 1 the carrier temperature is increased to T _L by irradiation with high power laser beam, the magnetization of the first layer 1 disappears since the temperature T _{L is} approximately as high as the Curie temperature T _C ₁ of the first layer (state 2 _H ).

Wenn die Bestrahlung mit dem Laserstrahl anhält, steigt die Temperatur des Aufzeichnungsträgers entsprechend. Wenn die Temperatur des Trägers geringfügig die Temperatur Tcomp. 2 der zweiten Schicht übersteigt, dreht sich die Beziehung zwischen den Stärken der Vektoren um (↑↓ → ↑↓), obschon die Richtungen der RE- und der TM-Spins die gleichen bleiben. Aus diesem Grund wird die Magnetisierungsrichtung der zweiten Schicht umgekehrt und nimmt die "Nicht-A-Richtung" an (Zustand 3 _H ). If the exposure to the laser beam continues, the temperature of the recording medium rises accordingly. If the temperature of the carrier slightly exceeds the temperature Tcomp. 2 of the second layer, the relationship between the strengths of the vectors reverses (↑ ↓ → ↑ ↓), although the directions of the RE and TM spins remain the same. For this reason, the direction of magnetization of the second layer is reversed and assumes the "non-A direction" (state 3 _H ).

Da aber die Koerzitivkraft H _C ₂ bei dieser Temperatur noch groß ist, wird die Magnetisierungsrichtung der zweiten Schicht von dem Feld Hb (↑) nicht umgekehrt. Wenn die Temperatur weiter ansteigt und die Temperatur T _H erreicht, entspricht die Temperatur der zweiten Schicht im wesentlichen der Curie- Temperatur T _C ₂, und die Magnetisierung der zweiten Schicht verschwindet ebenfalls (Zustand 4 _H ).However, since the coercive force H _C ₂ is still large at this temperature, the direction of magnetization of the second layer is not reversed by the field Hb (↑). If the temperature continues to rise and reaches the temperature T _H , the temperature of the second layer essentially corresponds to the Curie temperature T _C ₂, and the magnetization of the second layer also disappears (state 4 _H ).

Wenn im Zustand 4 _H der bestrahlte Bereich von dem Laser- Auftrefffleck getrennt wird, beginnt die Temperatur des Auf­ zeichnungsträgers an dieser Stelle zu sinken. Wenn die Temperatur etwas unter die Temperatur T _C ₂ abfällt, erscheint die Magnetisierung in der zweiten Schicht. In diesem Fall wird von dem Feld ↑Hb die Magnetisierung ⇑ (↓↑) erzeugt (Zustand 5 _H ). Da aber die Temperatur noch oberhalb der Temperatur T _C ₁ liegt, erscheint in der ersten Schicht keine Magnetisierung.If the irradiated area is separated from the laser impingement spot in state 4 _H , the temperature of the recording medium begins to drop at this point. If the temperature drops slightly below the temperature T _C ₂, the magnetization appears in the second layer. In this case, the ↑ Hb field generates the magnetization von (↓ ↑) (state 5 _H ). But since the temperature is still above the temperature T _C ₁, no magnetization appears in the first layer.

Wenn die Temperatur des Trägers weiter unter die Temperatur Tcomp. 2 abnimmt, dreht sich die Beziehung zwischen den Stärken der Vektoren oder Pfeile um (↓↑ → ↓↑), obschon die Richtungen der RE- und der TM-Spins die gleichen bleiben. Als Ergebnis dreht sich die Richtung der Magnetisierung der Legierung insgesamt um von ⇑ in die "Nicht-A-Richtung" (Zustand 6 _H ).If the temperature of the carrier continues to fall below the temperature Tcomp. 2 decreases, the relationship between the strengths of the vectors or arrows turns (↓ ↑ → ↓ ↑), although the directions of the RE and TM spins remain the same. As a result, the direction of magnetization of the alloy rotates altogether from ⇑ in the "non-A direction" (state 6 _H ).

Da im Zustand 6 _H die Temperatur des Aufzeichnungsträgers höher ist als T _C ₁, ist die Magnetisierung der ersten Schicht noch nicht erfolgt. Da weiterhin die Koerzitivkraft H _C ₂ bei dieser Temperatur groß ist, kann die Magnetisierungs­ richtung der zweiten Schicht durch das Feld ↑Hb nicht umgekehrt werden.Since in state 6 _H the temperature of the recording medium is higher than T _C ₁, the magnetization of the first layer has not yet taken place. Furthermore, since the coercive force H _C ₂ is large at this temperature, the direction of magnetization of the second layer cannot be reversed by the field ↑ Hb .

Wenn die Temperatur des Aufzeichnungsträgers abnimmt und etwas unter die Temperatur T _C ₁ sinkt, erscheint die Magnetisierung in der ersten Schicht. Jetzt hat die Austausch-Koppelkraft von der zweiten Schicht die Wirkung, jeden der RE- und der TM-Spins (↓ und ↑) der ersten und der zweiten Schicht auszurichten. Da die Temperatur der ersten Schicht höher liegt als die Temperatur Tcomp. 1, ist der TM-Spin größer als der RE-Spin, und folglich erscheint die Magnetisierung ↓↑, d. h. ⇑, in der ersten Schicht. Dies ist der Zustand 7 _H .When the temperature of the recording medium decreases and drops slightly below the temperature T _C ₁, the magnetization appears in the first layer. Now the exchange coupling force from the second layer has the effect of aligning each of the RE and TM spins (↓ and ↑) of the first and second layers. Since the temperature of the first layer is higher than the temperature Tcomp. 1, the TM spin is larger than the RE spin, and consequently the magnetization ↓ ↑, ie ⇑, appears in the first layer. This is the 7 _H state.

Wenn die Trägertemperatur von der Temperatur gemäß Zustand 7 _H weiter abnimmt und unter die Temperatur Tcomp. 1 gelangt, werden die Verhältnisse zwischen den Stärken der RE- und der TM-Spins der ersten Schicht umgekehrt (↓↑ → ↓↑). Als Folge davon erscheint die Magnetisierung (Zustand 8 _H ).If the carrier temperature continues to decrease from the temperature according to state 7 _H and below the temperature Tcomp. 1, the relationships between the strengths of the RE and TM spins of the first layer are reversed (↓ ↑ → ↓ ↑). As a result, the magnetization appears (state 8 _H ).

Wenn dann die Temperatur des Trägers von der Temperatur gemäß Zustand 8 _H auf Zimmertemperatur abfällt, wird, da die Koerzitivkraft H _C ₁ bei Zimmertemperatur genügend groß ist, der Zustand 8 _H beibehalten, ohne daß sich die Magnetisierungs­ richtung der ersten Schicht durch das Feld ↑Hb ändert. Auf diese Weise ist die Bit-Erzeugung in der "Nicht-A- Richtung" abgeschlossen. If the temperature of the carrier then drops from the temperature according to state 8 _H to room temperature, since the coercive force H _C ₁ is sufficiently large at room temperature, state 8 _{H is} maintained without the direction of magnetization of the first layer being changed by the field ↑ Hb changes. In this way, bit generation in the "non-A direction" is completed.

Im Folgenden wird anhand der Fig. 12 ein Niedrigtemperatur­ zyklus beschrieben.A low temperature cycle is described below with reference to FIG. 12.

NiedrigtemperaturzyklusLow temperature cycle

Im Zustand 1 unmittelbar vor dem Aufzeichnen wird die Träger­ temperatur durch Bestrahlung mit einem Laserstrahl niedriger Leistung auf T _L erhöht. Da die Temperatur T _L etwa so groß ist wie die Curie-Temperatur T _C ₁ der ersten Schicht, verschwindet die Magnetisierung der ersten Schicht (Zustand 2 _L ).In state 1 immediately before recording, the carrier temperature is increased to T _L by irradiation with a low-power laser beam. Since the temperature T _{L is} approximately as high as the Curie temperature T _C ₁ of the first layer, the magnetization of the first layer disappears (state 2 _L ).

Wenn im Zustand 2 _L ein bestrahlter Abschnitt von dem Auftreffpunkt des Laserstrahls getrennt wird, beginnt die Temperatur abzufallen. Wenn die Temperatur etwas unterhalb der Temperatur T _C ₁ liegt, wird die erste Schicht durch die RE- und die TM-Spins (↑↓) der zweiten Schicht wegen der Austausch- Koppelkraft beeinflußt. In anderen Worten: Die Austausch- Koppelkraft hat die Wirkung, jede der RE- und der TM-Spins (↑ und ↓) der ersten und der zweiten Schicht auszurichten. Als Ergebnis erscheint die Magnetisierung ↑↓, d. h. , in der ersten Schicht, ungeachtet des Vormagnetisierungsfeldes ↑Hb (Zustand 3 _L ). Da die Temperatur im Zustand 3 _L oberhalb der Temperatur Tcomp. 1 liegt, ist der TM-Spin größer als der RE-Spin.In state 2 _L, when an irradiated section is separated from the point of incidence of the laser beam, the temperature begins to drop. If the temperature is slightly below the temperature T _C ₁, the first layer is influenced by the RE and TM spins (↑ ↓) of the second layer because of the exchange coupling force. In other words, the exchange coupling force has the effect of aligning each of the RE and TM spins (↑ and ↓) of the first and second layers. As a result, the magnetization ↑ ↓ appears, that is, in the first layer, regardless of the bias field ↑ Hb (state 3 _L ). Since the temperature in the state 3 _L above the temperature Tcomp. 1, the TM spin is larger than the RE spin.

Wenn die Trägertemperatur unter die Temperatur Tcomp. 1 absinkt, wird die Beziehung zwischen den RE- und den TM-Spins in der ersten Schicht umgekehrt (↑↓ → ↑↓), wie es beim Hochtemperaturzyklus der Fall ist. Als Ergebnis stellt sich in der ersten Schicht die Magnetisierung ⇑ ein (Zustand 4 _L ).If the carrier temperature is below the temperature Tcomp. 1 decreases, the relationship between the RE and TM spins in the first layer is reversed (↑ ↓ → ↑ ↓), as is the case with the high temperature cycle. As a result, the magnetization ⇑ occurs in the first layer (state 4 _L ).

Der Zustand 4 _L wird auch dann beibehalten, wenn die Auf­ zeichnungsträger-Temperatur auf Zimmertemperatur abnimmt. Auf diese Weise ist die Bit-Erzeugung in der "A-Richtung" ⇑ abgeschlossen.The state 4 _L is maintained even when the recording medium temperature decreases to room temperature. In this way, the bit generation in the "A direction" ⇑ is completed.

Als nächstes soll das Prinzip des Verfahrens der Erfindung gemäß der älteren Anmeldung anhand eines speziellen Aufzeichnungs­ trägers Nr. 2 erläutert werden, welcher zu der Klasse 2 (P-Typ, Quadrant I, Typ 2) der Tabelle 1 gehört. Speziell soll ein Aufzeichnungsträger Nr. 2′ hergenommen werden.Next is the principle of the method of the invention according to the older application based on a special record carrier No. 2 are explained, which belongs to class 2 (P-type, Quadrant I, Type 2) belongs to Table 1. Especially should a record carrier No. 2 'can be taken.

Der Aufzeichnungsträger Nr. 2 erfüllt folgende Bedingung:The record carrier No. 2 fulfills the following condition:

T _R < T _C ₁ ≈ T _L ≈ Tcomp. 2 < T _C ₂ ≈ T _H (16) T _R < T _C ₁ T _L ≈ Tcomp. 2 < T _C ₂ ≈ T _H (16)

Fig. 13 veranschaulicht diese Beziehung. Figure 13 illustrates this relationship.

Eine Bedingung, welche die Magnetisierungsrichtung der zweiten Schicht ohne Umkehrung der Magnetisierung der ersten Schicht durch das Anfangsfeld (Hini) bei Zimmertemperatur T _R umkehrt, wird durch die Formel 17 angegeben. Der Aufzeichnungs­ träger Nr. 2 erfüllt die Formel 17 bei der Temperatur T _R : A condition that reverses the magnetization direction of the second layer without reversing the magnetization of the first layer by the initial field (Hini) at room temperature T _R is given by Formula 17. The recording medium No. 2 fulfills the formula 17 at the temperature T _R :

H _C ₁ < H _C ₂ + (σ _w /2M _S ₁t₁) + (σ _w /2M _S ₂t₂) (17) H _C ₁ < H _C ₂ + ( σ _w / 2 M _S ₁ t ₁) + ( σ _w / 2 M _S ₂ t ₂) (17)

wobeiin which

H _C ₁: Koerzitivkraft der 1. Schicht
H _C ₂: Koerzitivkraft der 2. Schicht
M _S ₁: Sättigungsmagnetisierung der 1. Schicht
M _S ₂: Sättigungsmagnetisierung der 2. Schicht
t₁: Schichtdicke der 1. Schicht
t₂: Schichtdicke der 2. Schicht
σ _w : Grenzwandenergie (Austausch-Koppelkraft). H _C ₁: Coercive force of the 1st layer
H _C ₂: Coercive force of the 2nd layer
M _S ₁: Saturation magnetization of the 1st layer
M _S ₂: saturation magnetization of the 2nd layer
t ₁: layer thickness of the 1st layer
t ₂: layer thickness of the second layer
σ _w : boundary wall energy (exchange coupling force).

Jetzt entspricht die Bedingung für das Feld Hini der Beziehung gemäß Formel 20. Wenn das Feld Hini verschwindet, wird die umgekehrte Magnetisierung der zweiten Schicht wegen einer Austausch-Koppelkraft beeinflußt durch die Magnetisierung der ersten Schicht. Die Bedingung, welche die Magnetisierungs­ richtung der zweiten Schicht aufrechterhalten kann, ist in den Formeln 18 und 19 angegeben, welchen der Aufzeichnungs­ träger Nr. 2 entspricht:Now the condition for the Hini field corresponds to the relationship according to formula 20. When the Hini field disappears, the reverse magnetization of the second layer due to an exchange coupling force is influenced by the magnetization of the first layer. The condition which the direction of magnetization of the second layer can maintain is given in formulas 18 and 19, which corresponds to the recording medium No. 2:

H _C ₁ < (σ _w /2M _S ₁t₁) (18) H _C ₁ <( σ _w / 2 M _S ₁ t ₁) (18)

H _C ₂ < (σ _w /2M _S ₂t₂) (19) H _C ₂ <( σ _w / 2 M _S ₂ t ₂) (19)

H _C ₂ + (σ _w /2M _S ₂t₂) < |Hini.| < H _C ₁ - (σ _w /2M _S ₁t₁) (20) H _C ₂ + ( σ _w / 2 M _S ₂ t ₂) <| Hini. | < H _C ₁ - ( σ _w / 2 M _S ₁ t ₁) (20)

Die Magnetisierung der zweiten Schicht des Aufzeichnungsträgers, welcher den Formeln 17 bis 19 bei der Temperatur T _R entspricht, wird entlang der "A-Richtung" ⇑ (↑↓) durch das Feld Hini, das der Formel 20 entspricht, ausgerichtet. Jetzt wird die erste Schicht im Aufzeichnungszustand gehalten (Zustand 1 in den Fig. 14 und 15).The magnetization of the second layer of the recording medium, which corresponds to the formulas 17 to 19 at the temperature T _R , is aligned along the “A direction” ⇑ (↑ ↓) by the field Hini, which corresponds to the formula 20. Now the first layer is kept in the recording state (state 1 in Figs. 14 and 15).

Der Zustand 1 wird bis zu einem Zeitpunkt unmittelbar vor dem Aufzeichnen aufrechterhalten. In diesem Fall wird das Vor­ magnetisierungsfeld (Hb) in Richtung ↑ angelegt.State 1 is maintained until just before recording. In this case, the pre-magnetic field (Hb) is applied in the ↑ direction.

Im Folgenden soll anhand der Fig. 14 der Hochtemperatur­ zyklus beschrieben werden.The high temperature cycle will be described below with reference to FIG. 14.

HochtemperaturzyklusHigh temperature cycle

Wenn im Zustand 1 die Trägertemperatur durch Bestrahlen mit Laserlicht hoher Leistung auf T _L ansteigt, verschwindet die Magnetisierung der ersten Schicht, da die Temperatur T _L etwa so groß ist wie die Curie-Temperatur T _C ₁ der ersten Schicht (Zustand 2 _H ).If in state 1 the carrier temperature rises to T _L by irradiation with high-power laser light, the magnetization of the first layer disappears, since the temperature T _{L is} approximately as high as the Curie temperature T _C ₁ of the first layer (state 2 _H ).

Wenn die Bestrahlung mit Laserlicht weiter fortgesetzt wird, steigt entsprechend die Temperatur des Trägers an. Wenn die Trägertemperatur geringfügig die Temperatur Tcomp. 2 der zweiten Schicht übersteigt, wird die Beziehung zwischen den Stärken der Vektoren umgekehrt (↑↓ → ↑↓), obschon die Richtungen der RE- und der TM-Spins die gleichen bleiben. Aus diesem Grund ändert sich die Magnetisierungsrichtung der zweiten Schicht auf die "Nicht-A-Richtung" (Zustand 3 _H ). If the irradiation with laser light is continued, the temperature of the carrier increases accordingly. If the carrier temperature slightly exceeds the temperature Tcomp. 2 of the second layer, the relationship between the strengths of the vectors is reversed (↑ ↓ → ↑ ↓), although the directions of the RE and TM spins remain the same. For this reason, the magnetization direction of the second layer changes to the "non-A direction" (state 3 _H ).

Da jedoch die Koerzitivkraft H _C ₂ bei dieser Temperatur noch groß ist, wird die Magnetisierungsrichtung der zweiten Schicht nicht von dem Feld Hb (↑) umgekehrt. Wenn die Temperatur weiter zunimmt und die Temperatur T _H erreicht, entspricht die Temperatur der zweiten Schicht etwa der Curie-Temperatur T _C ₂, und es verschwindet auch die Magnetisierung der zweiten Schicht (Zustand 4 _H ).However, since the coercive force H _C ₂ is still large at this temperature, the direction of magnetization of the second layer is not reversed by the field Hb (↑). If the temperature continues to increase and the temperature T _H reaches, the temperature of the second layer corresponds approximately to the Curie temperature T _C ₂, and the magnetization of the second layer also disappears (state 4 _H ).

Wenn im Zustand 4 _H ein bestrahlter Abschnitt von dem Auftreffpunkt des Laserstrahls getrennt wird, beginnt die Temperatur des Trägers zu fallen, und wenn sie etwas unterhalb der Temperatur T _C ₂ liegt, erscheint die Magnetisierung in der zweiten Schicht. In diesem Fall wird von dem Feld ↑ Hb eine Magnetisierung ⇑ (↓↑) erzeugt (Zustand 5 _H ). Da jedoch die Temperatur noch oberhalb der Temperatur T _C ₁ liegt, erscheint in der ersten Schicht keine Magnetisierung.If in the state 4 _H an irradiated section is separated from the point of incidence of the laser beam, the temperature of the carrier begins to drop, and if it is slightly below the temperature T _C ₂, the magnetization appears in the second layer. In this case, the ↑ Hb field generates a magnetization Zustand (↓ ↑) (state 5 _H ). However, since the temperature is still above the temperature T _C ₁, no magnetization appears in the first layer.

Wenn die Temperatur des Trägers weiter unter die Temperatur Tcomp. 2 abfällt, wird die Beziehung zwischen den Stärken der Vektoren umgekehrt (↓↑ → ↓↑), obschon die Richtungen der RE- und der TM-Spins die gleichen bleiben. Als Folge kehrt sich die Magnetisierungsrichtung der Legierung insgesamt um von ⇑ in die "Nicht-A-Richtung" (Zustand 6 _H ).If the temperature of the carrier continues to fall below the temperature Tcomp. 2 falls, the relationship between the strengths of the vectors is reversed (↓ ↑ → ↓ ↑), although the directions of the RE and TM spins remain the same. As a result, the magnetization direction of the alloy reverses overall from ⇑ to the "non-A direction" (state 6 _H ).

Da im Zustand 6 _H die Temperatur des Trägers höher ist als die Temperatur T _C ₁, erscheint die Magnetisierung in der ersten Schicht noch nicht. Da weiterhin die Koerzitivkraft H _C ₂ bei dieser Temperatur hoch ist, kann die Magnetisierung der zweiten Schicht von dem Feld ↑ Hb nicht umgekehrt werden.Since in state 6 _H the temperature of the carrier is higher than the temperature T _C ₁, the magnetization does not yet appear in the first layer. Furthermore, since the coercive force H _C ₂ is high at this temperature, the magnetization of the second layer cannot be reversed by the field ↑ Hb .

Wenn die Temperatur des Trägers weiter sinkt und etwas unter der Temperatur T _C ₁ liegt, erscheint die Magnetisierung in der ersten Schicht. Jetzt wirkt die Austausch-Koppelkraft von der zweiten Schicht so, daß sie die RE- und TM-Spins (↓ und ↑) der ersten und der zweiten Schicht ausrichtet. Damit erscheint die Magnetisierung ↓↑, d. h. , in der ersten Schicht. Dies ist der Zustand 7 _H .If the temperature of the carrier continues to drop and is slightly below the temperature T _C ₁, the magnetization appears in the first layer. Now the exchange coupling force from the second layer acts to align the RE and TM spins (↓ and ↑) of the first and second layers. The magnetization ↓ ↑ thus appears, ie in the first layer. This is the 7 _H state.

Dann sinkt die Temperatur des Trägers von der Temperatur im Zustand 7 _H auf Zimmertemperatur ab. Da die Koerzitivkraft H _C ₁ bei Zimmertemperatur ausreichend hoch ist, wird der Zustand 7 _H aufrechterhalten, ohne daß die Magnetisierungsrichtung der ersten Schicht durch das Feld ↑ Hb umgekehrt wird. Auf diese Weise ist die Erzeugung der "Nicht-A-Richtung" abgeschlossen.Then the temperature of the carrier drops from the temperature in the state 7 _H to room temperature. Since the coercive force H _C ₁ is sufficiently high at room temperature, the state 7 _{H is} maintained without the direction of magnetization of the first layer being reversed by the field ↑ Hb . In this way, the generation of the "non-A direction" is completed.

Anhand von Fig. 15 soll nun der Niedrigtemperaturzyklus beschrieben werden.The low temperature cycle will now be described with reference to FIG .

NiedrigtemperaturzyklusLow temperature cycle

Im Zustand 1 unmittelbar vor dem Aufzeichnen wird die Träger­ temperatur durch Bestrahlen mit Laserlicht niedriger Leistung auf T _L angehoben. Da T _L etwa der Curie-Temperatur T _C ₁ der ersten Schicht entspricht, verschwindet die Magnetisierung der ersten Schicht (Zustand 2 _L ). In state 1 immediately before recording, the carrier temperature is raised to T _L by irradiation with low-power laser light. Since T _L corresponds approximately to the Curie temperature T _C ₁ of the first layer, the magnetization of the first layer disappears (state 2 _L ).

Wenn im Zustand 2 _L ein bestrahlter Bereich von dem Auftreffpunkt des Laserstrahls getrennt wird, beginnt die Temperatur des Aufzeichnungsträgers zu fallen. Wenn sie etwas unter der Temperatur T _C ₁ liegt, wird die erste Schicht von den RE- und TM-Spins (↑↓) der zweiten Schicht aufgrund der Austausch- Koppelkraft beeinflußt. Anders ausgedrückt: Die Austausch- Koppelkraft hat die Wirkung, sämtliche RE- und TM-Spins (↑ und ↓) der ersten und der zweiten Schicht auszurichten. Im Ergebnis erscheint in der ersten Schicht die Magnetisierung ↑↓, d. h. ⇑ (Zustand 3 _L ).In state 2 _L, when an irradiated area is separated from the point of incidence of the laser beam, the temperature of the recording medium begins to drop. If it is slightly below the temperature T _C ₁, the first layer is influenced by the RE and TM spins (↑ ↓) of the second layer due to the exchange coupling force. In other words, the exchange coupling force has the effect of aligning all RE and TM spins (↑ and ↓) of the first and second layers. As a result, the magnetization ↑ ↓ appears in the first layer, ie ⇑ (state 3 _L ).

Der Zustand 3 _L wird auch dann aufrechterhalten, wenn die Träger­ temperatur auf Zimmertemperatur fällt. Als Ergebnis ist in der ersten Schicht ein Bit in der "A-Richtung" erzeugt.The state 3 _L is maintained even when the carrier temperature drops to room temperature. As a result, a bit in the "A direction" is generated in the first layer.

Im Folgenden soll das Prinzip des erfindungsgemäßen Verfahrens im einzelnen anhand eines speziellen Aufzeichnungsträgers Nr. 3 beschrieben werden, der zu der Klasse 3 (P-Typ, Quadrant I, Typ 3) der obigen Tabelle 1 gehört.In the following the principle of the method according to the invention in detail using a special record carrier No. 3 class 3 (P-type, quadrant I, Type 3) belongs to Table 1 above.

Die Aufzeichnungsträger Nr. 3 erfüllt die Formel 21:The record carrier No. 3 fulfills the formula 21:

T _R < Tcomp. 1 < T _C ₁ ≈ T _L < T _C ₂ ≈ T _H (21) T _R < Tcomp. 1 < T _C ₁ ≈ T _L < T _C ₂ ≈ T _H (21)

Fig. 16 zeigt diese Beziehung. Fig. 16 shows this relationship.

Eine Bedingung, welche die Magnetisierungsrichtung der Bezugsschicht 2 durch das Anfangsfeld (Hini) bei Zimmer­ temperatur T _R umkehrt, ohne die Magnetisierungsrichtung der Aufzeichnungsschicht umzukehren, ist durch die Formel 22 angegeben, welcher der Aufzeichnungsträger 3 bei der Temperatur T _R genügt:A condition which reverses the magnetization direction of the reference layer 2 by the initial field (Hini) at room temperature T _R without reversing the magnetization direction of the recording layer is given by the formula 22, which the recording medium 3 at the temperature T _R satisfies:

H _C ₁ < H _C ₂ + (σ _w /2M _S ₁t₁) + (σ _w /2M _S ₂t₂) (22) H _C ₁ < H _C ₂ + ( σ _w / 2 M _S ₁ t ₁) + ( σ _w / 2 M _S ₂ t ₂) (22)

wobeiin which

H _C ₁: Koerzitivkraft der 1. Schicht
H _C ₂: Koerzitivkraft der 2. Schicht
M _S ₁: Sättigungsmagnetisierung der 1. Schicht
M _S ₂: Sättigungsmagnetisierung der 2. Schicht
t₁: Schichtdicke der 1. Schicht
t₂: Schichtdicke der 2. Schicht
σ _w : Grenzwandenergie (Austausch-Koppelkraft). H _C ₁: Coercive force of the 1st layer
H _C ₂: Coercive force of the 2nd layer
M _S ₁: Saturation magnetization of the 1st layer
M _S ₂: saturation magnetization of the 2nd layer
t ₁: layer thickness of the 1st layer
t ₂: layer thickness of the second layer
σ _w : boundary wall energy (exchange coupling force).

Formel 25 gibt die Bedingung für das Feld Hini an. Wenn das Feld Hini verschwindet, wird die umgekehrte Magnetisierung der Bezugsschicht 2 wegen der Austausch-Koppelkraft beeinflußt durch die Magnetisierung der Aufzeichnungsschicht 1. Die Bedingung, die Magnetisierungsrichtung der Schicht 2 hält, ist durch die Formeln 23 und 24 angegeben, denen der Auf­ zeichnungsträger Nr. genügt:Formula 25 specifies the condition for the Hini field. When the field Hini disappears, the reverse magnetization of the reference layer 2 due to the exchange coupling force is affected by the magnetization of the recording layer 1 . The condition that holds the direction of magnetization of the layer 2 is given by the formulas 23 and 24, which the record carrier no.

H _C ₁ < (σ _w /2M _S ₁t₁) (23) H _C ₁ <( σ _w / 2 M _S ₁ t ₁) (23)

H _C ₂ < (σ _w /2M _S ₂t₂ (24) H _C ₂ <( σ _w / 2 M _S ₂ t ₂ (24)

H _C ₂ + (σ _w /2M _S ₂t₂) < |Hini.| < H _C ₁ - (σ _w /2M _S ₁t₁) (25) H _C ₂ + ( σ _w / 2 M _S ₂ t ₂) <| Hini. | < H _C ₁ - ( σ _w / 2 M _S ₁ t ₁) (25)

Die Magnetisierung der Schicht 2 des Aufzeichnungsträgers, welcher den Formeln 22 bis 24 bei der Temperatur T _R genügt, ist in "A-Richtung" ⇑ (↑↓) von dem Feld Hini ausgerichtet, welches der Formel 25 entspricht. Jetzt wird die Aufzeichnungs­ schicht 1 im Aufzeichnungszustand gehalten (Zustand 1 in Fig. 17 und 18).The magnetization of layer 2 of the recording medium , which satisfies formulas 22 to 24 at temperature T _R , is oriented in the "A direction""(↑ ↓) from the field Hini , which corresponds to formula 25. Now, the recording layer 1 is kept in the recording state (state 1 in Figs. 17 and 18).

Der Zustand 1 läßt sich bis zu einem Zeitpunkt unmittelbar vor dem Aufzeichnungsvorgang aufrechterhalten. In diesem Fall wird ein Vormagnetisierungsfeld (Hb) in Richtung ↓ angelegt.State 1 can be maintained up to a point in time immediately before the recording process. In this case, a bias field (Hb) is applied towards ↓.

Anhand der Fig. 17 wird der Hochtemperaturzyklus erläutert.The high-temperature cycle is explained with reference to FIG. 17.

HochtemperaturzyklusHigh temperature cycle

Wenn im Zustand 1 die Trägertemperatur durch Bestrahlung mit einem Laserstrahl hoher Leistung auf T _L angehoben wird, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1, da die Temperatur T _L etwa der Curie-Temperatur T _C ₁ der Aufzeichnungsschicht 1 gleicht (Zustand 2 _H ). In state 1 when the substrate temperature is raised by irradiation with a laser beam of high power to T _L, the magnetization of the layer 1 disappears, since the temperature T _{L is} about the Curie temperature T _C ₁ the recording layer 1 is similar (state 2 _H).

Wenn die Bestrahlung mit dem Laserstrahl weiter anhält, ver­ schwindet auch die Magnetisierung der Schicht 2, da die Temperatur T _H des Aufzeichnungsträgers etwa der Temperatur T _C ₂ gleicht (Zustand 3 _H ).If the irradiation with the laser beam continues, the magnetization of layer 2 also disappears, since the temperature T _{H of} the recording medium is approximately equal to the temperature T _C ₂ (state 3 _H ).

Wenn im Zustand 3 _H ein bestrahlter Bereich von dem Auftreffpunkt des Laserstrahls getrennt wird, beginnt die Temperatur des Aufzeichnungsträgers zu fallen. Wenn sie etwas unter der Temperatur T _C ₂ liegt, erscheint die Magnetisierung in der Schicht 2. In diesem Fall wird durch ↓ Hb die Magnetisierung (↓↑) erzeugt. Da aber die Temperatur noch höher ist als die Temperatur T _C ₁, erscheint in der Schicht 1 keine Magnetisierung. Dies ist der Zustand 4 _H .In state 3 _H, when an irradiated area is separated from the point of incidence of the laser beam, the temperature of the recording medium begins to drop. If it is slightly below the temperature T _C ₂, the magnetization appears in layer 2 . In this case the magnetization (↓ ↑) is generated by ↓ Hb . But since the temperature is still higher than the temperature T _C ₁, no magnetization appears in layer 1 . This is the 4 _H state.

Wenn die Temperatur des Trägers etwas unter die Temperatur T _C ₁ fällt, erscheint die Magnetisierung in der Schicht 1. Jetzt hat die Austausch-Koppelkraft seitens der Schicht 2 die Wirkung, sämtliche RE- und TM-Spins (↓ und ↑) der Schichten 1 und 2 auszurichten. Da die Temperatur des Trägers größer ist als die Temperatur Tcomp. 1, ist der TM-Spin größer als der RE-Spin (↓↑). Als Ergebnis erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung ⇑ (Zustand 5 _H ).If the temperature of the carrier falls slightly below the temperature T _C ₁, the magnetization appears in layer 1 . Now the exchange coupling force on the part of layer 2 has the effect of aligning all RE and TM spins (↓ and ↑) of layers 1 and 2 . Since the temperature of the carrier is higher than the temperature Tcomp. 1, the TM spin is larger than the RE spin (↓ ↑). As a result, the magnetization ⇑ (state 5 _H ) appears in layer 1 .

Wenn die Temperatur von der Temperatur im Zustand 5 _H weiter abnimmt und unter der Temperatur Tcomp. 1 liegt, kehrt sich die Beziehung zwischen den Stärken der TM- und der RE-Spins der Schicht 1 um (↓↑ → ↓↑). Aus diesem Grund wird die Magnetisierungsrichtung der Schicht 1 in die "Nicht-A-Richtung" ⇑ umgekehrt (Zustand 6 _H ). When the temperature is further decreased from the temperature in 5 _H state and below the temperature Tcomp. 1, the relationship between the strengths of the TM and RE spins of layer 1 is reversed (↓ ↑ → ↓ ↑). For this reason, the direction of magnetization of layer 1 is reversed in the “non-A direction” ⇑ (state 6 _H ).

Dann nimmt die Temperatur des Trägers von der Temperatur gemäß Zustand 6 _H auf Zimmertemperatur ab. Da die Koerzitiv­ kraft H _C ₁ bei Zimmertemperatur genügend groß ist, bleibt die Magnetisierung der Schicht 1 stabil. Auf diese Weise ist die Erzeugung eines Bits in der "Nicht-A-Richtung" abgeschlossen.Then the temperature of the carrier decreases from the temperature according to state 6 _H to room temperature. Since the coercive force H _C ₁ is sufficiently large at room temperature, the magnetization of layer 1 remains stable. In this way, the generation of a bit in the "non-A direction" is completed.

Fig. 18 dient zur Veranschaulichung des im Folgenden beschriebenen Niedrigtemperaturzyklus. Fig. 18 is illustrative of the low-temperature cycle described in the following.

NiedrigtemperaturzyklusLow temperature cycle

Im Zustand 1 unmittelbar vor dem Aufzeichnen wird die Temperatur des Trägers durch Bestrahlen mit einem Laserstrahl geringer Leistung auf T _L erhöht. Da die Temperatur T _L etwa so groß ist wie die Curie-Temperatur T _C ₁ der Aufzeichnungs­ schicht 1, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1. Allerdings ist bei dieser Temperatur die Koerzitivkraft H _C ₂ der Schicht 2 genügend stark, so daß die Magnetisierung der Schicht 2 durch das Vormagnetisierungsfeld ↓ Hb nicht umgekehrt wird (Zustand 2 _L ).In state 1 immediately before recording, the temperature of the carrier is increased to T _L by irradiation with a low-power laser beam. Since the temperature T _{L is} approximately as high as the Curie temperature T _C ₁ of the recording layer 1 , the magnetization of the layer 1 disappears. However, the coercive force H _C ₂ of layer 2 is sufficiently strong at this temperature that the magnetization of layer 2 is not reversed by the bias field ↓ Hb (state 2 _L ).

Wenn im Zustand 2 _L ein bestrahlter Abschnitt von dem Auftreffpunkt des Laserstrahls getrennt wird, sinkt die Temperatur des Trägers. Wenn die Temperatur etwas unter der Temperatur T _C ₁ liegt, werden die jeweiligen Spins der Aufzeichnungsschicht 1 von den RE- und TM-Spins (↑↓) der Bezugsschicht 2 wegen der Austausch-Koppelkraft beeinflußt. In anderen Worten: Die Austausch-Koppelkraft hat die Wirkung, sämtliche RE- und TM- Spins (↑ und ↓) der Schichten 1 und 2 auszurichten. Als Folge erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung ↑↓, d. h. . Da in diesem Fall die Trägertemperatur höher ist als die Temperatur Tcomp. 1, ist der TM-Spin größer als der RE-Spin (Zustand 3 _L ).In state 2 _L, when an irradiated section is separated from the point of incidence of the laser beam, the temperature of the carrier drops. When the temperature is slightly below the temperature T _C ₁, the respective spins of the recording layer 1 of the RE and TM spins (↑ ↓) of the reference layer 2 is influenced due to the exchange coupling force. In other words, the exchange coupling force has the effect of aligning all RE and TM spins (↑ and ↓) of layers 1 and 2 . As a result, the magnetization ↑ ↓ appears in layer 1 , ie. In this case, since the carrier temperature is higher than the temperature Tcomp. 1, the TM spin is larger than the RE spin (state 3 _L ).

Wenn die Temperatur weiter unter die Temperatur Tcomp. 1 sinkt, dreht sich die Beziehung zwischen den Stärken der RE- und der TM-Spins der Schicht 1 wie beim Hochtemperaturzyklus um (↑↓ → ↑↓). Demzufolge erscheint die Magnetisierung ⇑ ungeachtet des Vormagnetisierungsfeldes ↓ Hb in der Schicht 1 (Zustand 4 _L ).If the temperature remains below the temperature Tcomp. 1 decreases, the relationship between the strengths of the RE and TM spins of layer 1 reverses as in the high-temperature cycle (↑ ↓ → ↑ ↓). As a result, the magnetization ⇑ appears in layer 1 (state 4 _L ) regardless of the premagnetization field ↓ Hb .

Der Zustand 4 _L wird auch bei Zimmertemperatur aufrechterhalten, und damit ist die Bit-Erzeugung in der "A-Richtung" ⇑ abgeschlossen.The state 4 _L is maintained even at room temperature, and the bit generation in the "A direction" ⇑ is thus completed.

Im Folgenden soll das Prinzip des erfindungsgemäßen Verfahrens anhand eines speziellen Aufzeichnungsträgers Nr. 4 beschrieben werden. Dieser gehört zur Klasse 4 (P-Typ, Quadrant I, Typ 4), wie er in Tabelle 1 gezeigt ist.In the following the principle of the method according to the invention described using a special record carrier No. 4 will. This belongs to class 4 (P-type, Quadrant I, type 4), as shown in Table 1.

Der Aufzeichnungsträger Nr. 4 entspricht der Formel 26:The record carrier No. 4 corresponds to the formula 26:

T _R < T _C ₁ ≈ T _L < T _C ₂ ≈ T _H (26) T _R < T _C ₁ ≈ T _L < T _C ₂ ≈ T _H (26)

Fig. 19 veranschaulicht diese Beziehung. Figure 19 illustrates this relationship.

Eine Bedingung, welche die Magnetisierungsrichtung der Bezugsschicht 2 durch das Anfangsfeld (Hini) bei Zimmertemperatur T _R umkehrt, ohne daß dabei die Magnetisierung der Auf­ zeichnungsschicht 1 umgekehrt wird, ist durch die nachstehende Formel 27 angegeben, welcher der Aufzeichnungsträger Nr. 4 bei Zimmertemperatur entspricht:A condition which reverses the magnetization direction of the reference layer 2 by the initial field (Hini) at room temperature T _R without reversing the magnetization of the recording layer 1 is given by the following formula 27, which corresponds to the recording medium No. 4 at room temperature :

H _C ₁ < H _C ₂ + (σ _w /2M _S ₁t₁) + (σ _w /2M _S ₂t₂) (27) H _C ₁ < H _C ₂ + ( σ _w / 2 M _S ₁ t ₁) + ( σ _w / 2 M _S ₂ t ₂) (27)

wobeiin which

H _C ₁: Koerzitivkraft der 1. Schicht
H _C ₂: Koerzitivkraft der 2. Schicht
M _S ₁: Sättigungsmagnetisierung der 1. Schicht
M _S ₂: Sättigungsmagnetisierung der 2. Schicht
t₁: Schichtdicke der 1. Schicht
t₂: Schichtdicke der 2. Schicht
σ _w : Grenzwandenergie (Austausch-Koppelkraft). H _C ₁: Coercive force of the 1st layer
H _C ₂: Coercive force of the 2nd layer
M _S ₁: Saturation magnetization of the 1st layer
M _S ₂: saturation magnetization of the 2nd layer
t ₁: layer thickness of the 1st layer
t ₂: layer thickness of the second layer
σ _w : boundary wall energy (exchange coupling force).

Die Bedingung für das Feld Hini ist durch die Formel 30 angegeben. Verschwindet Hini, so wird die umgekehrte Magnetisierung der Bezugsschicht 2 wegen der Austausch-Koppelkraft beeinflußt durch die Magnetisierung der Aufzeichnungsschicht 1. Die Bedingung, unter der die Magnetisierungs­ richtung der Schicht 2 gehalten werden kann, ist durch nachstehende Formeln 28 und 29 angegeben. Der Aufzeichnungs­ träger Nr. 4 erfüllt diese Bedingungen:Formula 30 specifies the condition for the Hini field. If Hini disappears, the reverse magnetization of the reference layer 2 due to the exchange coupling force is influenced by the magnetization of the recording layer 1 . The condition under which the magnetization direction of the layer 2 can be kept is given by the following formulas 28 and 29. The recording medium No. 4 meets these conditions:

H _C ₁ < (σ _w /2M _S ₁t₁) (28) H _C ₁ <( σ _w / 2 M _S ₁ t ₁) (28)

H _C ₂ < (σ _w /2M _S ₂t₂) (29) H _C ₂ <( σ _w / 2 M _S ₂ t ₂) (29)

H _C ₂ + (σ _w /2M _S ₂t₂) < |Hini.| < H _C ₁ - (σ _w /2M _S ₁t₁) (30) H _C ₂ + ( σ _w / 2 M _S ₂ t ₂) <| Hini. | < H _C ₁ - ( σ _w / 2 M _S ₁ t ₁) (30)

Die Magnetisierung der Schicht 2 des Aufzeichnungsträgers, der den Formeln 27 bis 29 bei Zimmertemperatur T _R genügt, ist in der "A-Richtung" ⇑ (↑↓) durch das Feld Hini, das der Formel 30 genügt, ausgerichtet. Jetzt wird die Aufzeichnungsschicht 1 im Aufzeichnungszustand gehalten (Zustand 1 in den Fig. 20 und 21).The magnetization of layer 2 of the recording medium, which satisfies the formulas 27 to 29 at room temperature T _R , is aligned in the "A direction" ⇑ (↑ ↓) by the field Hini, which satisfies the formula 30. Now, the recording layer 1 is kept in the recording state (state 1 in Figs. 20 and 21).

Der Zustand 1 wird bis zu einem Punkt unmittelbar vor der Aufzeichnung aufrechterhalten. Dann wird das Vormagnetisierungsfeld (Hb) in Richtung ↓ angelegt.State 1 is maintained up to a point immediately prior to recording. Then the bias field (Hb) is applied towards ↓.

Fig. 20 veranschaulicht den im Folgenden beschriebenen Hochtemperaturzyklus. Fig. 20 illustrates the high-temperature cycle described in the following.

HochtemperaturzyklusHigh temperature cycle

Wenn die Trägertemperatur durch Bestrahlen eines Laserstrahls hoher Leistung auf T _L erhöht wird, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1, da die Temperatur T _L etwa der Curie- Temperatur T _C ₁ der Schicht 1 gleicht (Zustand 2 _H ).If the carrier temperature is increased to T _L by irradiating a high-power laser beam, the magnetization of layer 1 disappears, since the temperature T _{L is} approximately equal to the Curie temperature T _C ₁ of layer 1 (state 2 _H ).

Wenn durch weiteres Bestrahlen mit dem Laserstrahl die Temperatur die Temperatur T _H erreicht, verschwindet auch die Magnetisierung der Schicht 2, da die Temperatur T _H der Schicht 2 etwa der Curie-Temperatur T _C ₂ gleicht. Dies ist der Zustand 3 _H .If the temperature T _{H is} reached by further irradiation with the laser beam, the magnetization of layer 2 also disappears, since the temperature T _H of layer 2 is approximately the same as the Curie temperature T _C ₂. This is the 3 _H state.

Wenn im Zustand 3 _H ein bestrahlter Bereich von dem Auftreffpunkt des Laserstrahls getrennt wird, sinkt die Temperatur des Trägers. Wenn die Temperatur etwas unter die Temperatur T _C ₂ sinkt, erscheint die Magnetisierung der Schicht 2. In diesem Fall wird von dem Feld ↓ Hb die Magnetisierung (↓↑) erzeugt. Da aber die Temperatur noch höher ist als die Temperatur T _C ₁, erscheint keine Magnetisierung in der Schicht 1. Dies ist der Zustand 4 _H .If an irradiated area is separated from the point of incidence of the laser beam in state 3 _H , the temperature of the carrier drops. If the temperature drops slightly below the temperature T _C ₂, the magnetization of the layer 2 appears . In this case the magnetization (↓ ↑) is generated by the field ↓ Hb . However, since the temperature is still higher than the temperature T _C ₁, no magnetization appears in layer 1 . This is the 4 _H state.

Wenn die Trägertemperatur weiter sinkt und etwas unter der Temperatur T _C ₁ liegt, erscheint die Magnetisierung in der Schicht 1. Jetzt wirkt die Austausch-Koppelkraft seitens der Schicht 2 so, daß sämtliche RE- und TM-Spins (↓ und ↑) der Schichten 1 und 2 ausgerichtet werden. Als Ergebnis erscheint die Magnetisierung ↓↑, d. h. in der Schicht 1 (Zustand 5 _H ). If the carrier temperature drops further and is slightly below the temperature T _C ₁, the magnetization appears in layer 1 . Now the exchange coupling force on the part of layer 2 acts in such a way that all RE and TM spins (↓ and ↑) of layers 1 and 2 are aligned. The magnetization ↓ ↑ appears as a result, ie in layer 1 (state 5 _H ).

Dann fällt die Temperatur vom Zustand 5 _H auf Zimmertemperatur ab. Da dann die Koerzitivkraft H _C ₁ genügend groß ist, bleibt die Magnetisierung der Schicht 1 stabil. Damit ist die Bit-Erzeugung in "Nicht-A-Richtung" abgeschlossen.Then the temperature drops from state 5 _H to room temperature. Since then the coercive force H _C ₁ is sufficiently large, the magnetization of the layer 1 remains stable. This completes the bit generation in the "non-A direction".

Anhand von Fig. 21 wird nun ein Niedrigtemperaturzyklus erläutert.A low temperature cycle will now be explained with reference to FIG .

NiedrigtemperaturzyklusLow temperature cycle

Im Zustand 1 unmittelbar vor der Aufzeichnung wird die Trägertemperatur durch Bestrahlung mit einem Laserstrahl niedriger Leistung auf T _L angehoben. Da T _L größer ist als die Curie-Temperatur T _C ₁ der Aufzeichnungsschicht 1, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1. Allerdings ist bei dieser Temperatur die Koerzitivkraft H _C ₂ der Schicht 2 genügend hoch, um zu verhindern, daß die Magnetisierung der Schicht 2 von dem Vormagnetisierungsfeld ↓ Hb umgekehrt wird. Dies ist der Zustand 2 _L .In state 1 immediately before the recording, the carrier temperature is raised to T _L by irradiation with a laser beam of low power. Since T _L is greater than the Curie temperature T _C ₁ the recording layer 1, the magnetization of the layer 1 disappears. However, at this temperature the coercive force H _C ₂ of the layer 2 is sufficiently high to prevent the magnetization of the layer 2 from the bias field ↓ Hb being reversed. This is the state 2 _L.

Wenn im Zustand 2 _L der bestrahlte Bereich vom Auftreffpunkt des Laserstrahls getrennt wird, fällt die Temperatur. Liegt sie etwas unter der Temperatur T _C ₁, werden die jeweiligen Spins der Aufzeichnungsschicht 1 von den RE- und den TM-Spins (↑↓) der Bezugsschicht 2 wegen der Austausch- Koppelkraft beeinflußt. In anderen Worten: Die Austausch- Koppelkraft hat die Wirkung, sämtliche RE- und TM-Spins (↑ und ↓) der Schichten 1 und 2 auszurichten. Dies hat zur Folge, daß ungeachtet des Vormagnetisierungsfeldes ↓ Hb in der Schicht 1 die Magnetisierung ↑↓, d. h., ⇑, erscheint. Dies ist der Zustand 3 _L .When the irradiated area is separated from the point of incidence of the laser beam in state 2 _L , the temperature drops. If it is slightly below the temperature T _C ₁, the respective spins of the recording layer 1 of the RE and TM spins (↑ ↓) are influenced of the reference layer 2 due to the exchange coupling force. In other words, the exchange coupling force has the effect of aligning all RE and TM spins (↑ and ↓) of layers 1 and 2 . As a result, the magnetization ↑ ↓, ie, ⇑, appears in layer 1 regardless of the premagnetization field ↓ Hb . This is the 3 _L state.

Der Zustand 3 _L wird auch beibehalten, nachdem der Träger Zimmer­ temperatur angenommen hat. Auf diese Weise ist die Bit- Erzeugung in der "A-Richtung" ⇑ abgeschlossen.Condition 3 _L is maintained even after the wearer has reached room temperature. In this way, the bit generation in the "A direction" ⇑ is completed.

Im Folgenden soll das Prinzip des erfindungsgemäßen Verfahrens im einzelnen anhand eines speziellen Aufzeichnungsträgers Nr. 5 erläutert werden, welcher der Klasse 5 (A-Typ, Quadrant II, Typ 3) der Tabelle 1 zugerechnet wird.In the following the principle of the method according to the invention specifically using a special record carrier No. 5, which is class 5 (A-type, Quadrant II, type 3) is included in Table 1.

Der Aufzeichnungsträger Nr. 5 erfüllt die Formel 31:The record carrier No. 5 fulfills the formula 31:

T _R < Tcomp. 1 < T _C ₁ ≈ T _L < T _C ₂ ≈ T _H (31) T _R < Tcomp. 1 < T _C ₁ ≈ T _L < T _C ₂ ≈ T _H (31)

Fig. 22 veranschaulicht diese Beziehung. Figure 22 illustrates this relationship.

Eine Bedingung, welche die Magnetisierungsrichtung der Bezugsschicht 2 durch das Anfangsfeld (Hini) bei Zimmer­ temperatur T _R umkehrt, ohne diejenige der Aufzeichnungs­ schicht umzukehren, ist durch die nachstehende Formel 32 beschrieben, welcher der Aufzeichnungsträger Nr. 5 bei T _R genügt:A condition which reverses the direction of magnetization of the reference layer 2 through the initial field (Hini) at room temperature T _R without reversing that of the recording layer is described by the following formula 32, which the recording medium No. 5 at T _R satisfies:

H _C ₁ < H _C ₂ + |(σ _w /2M _S ₁t₁) - (σ _w /2M _S ₂t₂)| (32) H _C ₁ < H _C ₂ + | ( σ _w / 2 M _S ₁ t ₁) - ( σ _w / 2 M _S ₂ t ₂) | (32)

wobeiin which

H _C ₁: Koerzitivkraft der 1. Schicht
H _C ₂: Koerzitivkraft der 2. Schicht
M _S ₁: Sättigungsmagnetisierung der 1. Schicht
M _S ₂: Sättigungsmagnetisierung der 2. Schicht
t₁: Schichtdicke der 1. Schicht
t₂: Schichtdicke der 2. Schicht
σ _w : Grenzwandenergie (Austausch-Koppelkraft). H _C ₁: Coercive force of the 1st layer
H _C ₂: Coercive force of the 2nd layer
M _S ₁: Saturation magnetization of the 1st layer
M _S ₂: saturation magnetization of the 2nd layer
t ₁: layer thickness of the 1st layer
t ₂: layer thickness of the second layer
σ _w : boundary wall energy (exchange coupling force).

Eine Bedingung für Hini ist durch Formel 35 gegeben. Wenn das Feld Hini verschwindet, wird die umgekehrte Magnetisierung der Bezugsschicht 2 aufgrund der Austausch-Koppelkraft beeinflußt von der Magnetisierung der Aufzeichnungsschicht 1. Die Bedingung, die die Magnetisierungsrichtung der Schicht 2 zu halten vermag, ist durch die Formeln 33 und 34 angegeben, denen der Aufzeichnungsträger Nr. 5 genügt:A condition for Hini is given by Formula 35. When the field Hini disappears, the reverse magnetization of the reference layer 2 due to the exchange coupling force is affected by the magnetization of the recording layer 1 . The condition that the direction of magnetization of layer 2 is able to maintain is given by formulas 33 and 34, which recording medium no. 5 satisfies:

H _C ₁ < (σ _w /2M _S ₁t₁) (33) H _C ₁ <( σ _w / 2 M _S ₁ t ₁) (33)

H _C ₂ < (σ _w /2M _S ₂t₂) (34) H _C ₂ <( σ _w / 2 M _S ₂ t ₂) (34)

H _C ₂ + (σ _w /2M _S ₂t₂) < |Hini.| < H _C ₁ + (σ _w /2M _S ₁t₁) (35). H _C ₂ + ( σ _w / 2 M _S ₂ t ₂) <| Hini. | < H _C ₁ + ( σ _w / 2 M _S ₁ t ₁) (35).

Die Magnetisierung der Schicht 2 des Aufzeichnungsträgers, der den Formeln 32 bis 34 bei Zimmertemperatur T _R genügt, wird in der "A-Richtung" ⇑ (↓↑) durch das Feld Hini entsprechend der Formel 35 ausgerichtet. Jetzt wird die Auf­ zeichnungsschicht 1 im Aufzeichnungszustand gehalten (Zustand 1 in den Fig. 23 und 24).The magnetization of layer 2 of the recording medium , which satisfies the formulas 32 to 34 at room temperature T _R , is aligned in the "A direction" ⇑ (↓ ↑) by the field Hini in accordance with the formula 35. Now, the recording layer 1 is kept in the recording state (state 1 in Figs. 23 and 24).

Der Zustand 1 wird beibehalten bis zu einem Punkt unmittelbar vor dem Aufzeichnen. Dann wird das Vormagnetisierungsfeld (Hb) in Richtung ↓ angelegt.State 1 is maintained up to a point immediately before recording. Then the bias field (Hb) is applied towards ↓.

Fig. 23 veranschaulicht den im Folgenden beschriebenen Hoch­ temperaturzyklus. Fig. 23 illustrates the high temperature cycle described below.

HochtemperaturzyklusHigh temperature cycle

Wenn die Temperatur durch Bestrahlen mit einem Laserstrahl hoher Leistung auf T _L steigt, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1, da T _L etwa der Curie-Temperatur T _C ₁ der Aufzeichnungsschicht 1 gleicht (Zustand 2 _H ).As the temperature increases by irradiation with a laser beam of high power to T _L, the magnetization of the layer 1 disappears because T _L about the Curie temperature T _C ₁ the recording layer 1 is similar (state 2 _H).

Wenn bei fortgesetzter Bestrahlung mit dem Laserstrahl die Trägertemperatur die Temperatur T _H annimmt, verschwindet auch die Magnetisierung der Schicht 2, da T _H der Schicht 1 etwa der Curie-Temperatur T _C ₂ gleicht (Zustand 3 _H ).If the carrier temperature assumes the temperature T _H with continued irradiation with the laser beam, the magnetization of the layer 2 also disappears, since T _{H of} the layer 1 is approximately the same as the Curie temperature T _C ₂ (state 3 _H ).

Wenn im Zustand 3 _H ein bestrahlter Bereich von dem Auftreffpunkt des Laserstrahls getrennt wird, beginnt die Trägertemperatur zu sinken. Ist sie etwas niedriger als die Temperatur T _C ₂, erscheint die Magnetisierung der Schicht 2. In diesem Fall wird von ↓ Hb die Magnetisierung (↑↓) erzeugt. Da aber die Temperatur noch über der Temperatur T _C ₁ liegt, erscheint keine Magnetisierung in der Schicht 1. Dies ist der Zustand 4 _H .When an irradiated area is separated from the point of incidence of the laser beam in state 3 _H , the carrier temperature begins to decrease. If it is somewhat lower than the temperature T _C ₂, the magnetization of the layer 2 appears . In this case, ↓ Hb generates the magnetization (↑ ↓). But since the temperature is still above the temperature T _C ₁, no magnetization appears in layer 1 . This is the 4 _H state.

Wenn die Trägertemperatur weiter unter die Temperatur T _C ₁ absinkt, erscheint die Magnetisierung in der Schicht 1. Jetzt hat die Austausch-Koppelkraft seitens der Schicht 2 die Wirkung, sämtliche RE- und TM-Spins (↑ und ↓) der Schichten 1 und 2 auszurichten. Da in diesem Fall die Temperatur noch oberhalb der Temperatur Tcomp. 1 liegt, ist der TM-Spin größer als der RE-Spin (↑↓). Als Folge erscheint die Magnetisierung in der Schicht 2 (Zustand 5 _H ).If the carrier temperature drops further below the temperature T _C ₁, the magnetization appears in layer 1 . Now the exchange coupling force on the part of layer 2 has the effect of aligning all RE and TM spins (↑ and ↓) of layers 1 and 2 . In this case, since the temperature is still above the temperature Tcomp. 1, the TM spin is larger than the RE spin (↑ ↓). As a result, the magnetization appears in layer 2 (state 5 _H ).

Wenn die Temperatur aus dem Zustand 5 _H absinkt unter die Temperatur Tcomp. 1, dreht sich die Beziehung zwischen den Stärken der TM- und der RE-Spins der Schicht 1 um (↑↓ → ↑↓). Aus diesem Grund wird die Magnetisierung der Schicht 1 in die "A-Richtung" ⇑ umgekehrt (Zustand 6 _H ).If the temperature drops from the state 5 _H below the temperature Tcomp. 1, the relationship between the strengths of the TM and RE spins of layer 1 turns around (↑ ↓ → ↑ ↓). For this reason, the magnetization of layer 1 is reversed in the "A direction" ⇑ (state 6 _H ).

Dann sinkt die Trägertemperatur aus dem Zustand 6 _H auf Zimmertemperatur ab, aber da die Koerzitivkraft bei Zimmer­ temperatur ausreichend groß ist, bleibt die Magnetisierung der Schicht 1 erhalten, und somit ist die Bit-Erzeugung in der "A-Richtung" abgeschlossen.Then the carrier temperature drops from state 6 _H to room temperature, but since the coercive force at room temperature is sufficiently large, the magnetization of layer 1 is retained, and thus the bit generation in the "A direction" is completed.

Als nächstes soll anhand der Fig. 24 ein Niedrigtemperaturzyklus beschrieben werden. Next, a low temperature cycle will be described with reference to FIG. 24.

NiedrigtemperaturzyklusLow temperature cycle

Im Zustand 1 unmittelbar vor dem Aufzeichnen wird die Temperatur durch Bestrahlung eines Laserstrahls niedriger Leistung auf T _L angehoben. Da T _L etwa de 67115 00070 552 001000280000000200012000285916700400040 0002003903248 00004 66996r Curie-Temperatur T _C ₁ der Aufzeichnungsschicht 1 entspricht, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1. Da aber bei dieser Temperatur die Koerzitivkraft H _C ₂ der Schicht 2 genügend groß ist, wird die Magnetisierung der Schicht 2 durch das Vormagnetisierungsfeld ↓ Hb nicht umgekehrt (Zustand 2 _L ).In state 1 immediately before recording, the temperature is raised to T _L by irradiation of a low power laser beam. Since T _L about de 67115 00070 552 00004 001000280000000200012000285916700400040 0002003903248 66996r Curie temperature T _C ₁ corresponds to the recording layer 1, the magnetization of the layer 1 disappears. However, since the coercive force H _C ₂ of layer 2 is sufficiently large at this temperature, the magnetization of layer 2 is not reversed by the bias field ↓ Hb (state 2 _L ).

Wenn im Zustand 2 _L die Bestrahlung beendet wird, nimmt die Temperatur des Aufzeichnungsträgers ab. Liegt sie etwas unter der Temperatur T _C ₁, werden die jeweiligen Spins der Aufzeichnungs­ schicht 1 beeinflußt durch die RE- und die TM-Spins (↓↑) der Bezugsschicht 2, und zwar aufgrund der Austausch- Koppelkraft. In anderen Worten: Die Austausch-Koppelkraft hat die Wirkung, sämtliche RE- und TM-Spins (↓ und ↑) der Schichten 1 und 2 auszurichten, mit dem Ergebnis, daß ungeachtet des Vormagnetisierungsfeldes ↓ Hb in der Schicht 1 die Magnetisierung ↓↑, d. h. ⇑, erscheint. Da in diesem Fall die Trägertemperatur oberhalb der Temperatur Tcomp. 1 liegt, ist der TM-Spin größer als der RE-Spin (Zustand 3 _L ).If the irradiation is ended in state 2 _L , the temperature of the recording medium decreases. If it is slightly below the temperature T _C ₁, the respective spins of the recording layer 1 are influenced by the RE and TM spins (↓ ↑) of the reference layer 2 , due to the exchange coupling force. In other words, the exchange coupling force has the effect of aligning all RE and TM spins (↓ and ↑) of layers 1 and 2 , with the result that, regardless of the bias field ↓ Hb in layer 1, the magnetization ↓ ↑, ie ⇑ appears. In this case, since the carrier temperature is above the temperature Tcomp. 1, the TM spin is larger than the RE spin (state 3 _L ).

Wenn die Trägertemperatur unter die Temperatur Tcomp. 1 abfällt, wird die Beziehung zwischen den Stärken der RE- und der TM-Spins der Schicht 1 wie im Hochtemperaturzyklus umgekehrt (↓↑ → ↓↑). Im Ergebnis wird die Magnetisierung der Schicht 1 zu (Zustand 4 _L ).If the carrier temperature is below the temperature Tcomp. 1 falls, the relationship between the strengths of the RE and TM spins of layer 1 is reversed as in the high temperature cycle (↓ ↑ → ↓ ↑). As a result, the magnetization of the layer 1 becomes (state 4 _L ).

Der Zustand 4 _L wird auch dann aufrechterhalten, wenn die Temperatur des Trägers auf Zimmertemperatur abfällt. Auf diese Weise ist die Bit-Erzeugung in der "Nicht-A-Richtung" abgeschlossen.State 4 _L is maintained even when the temperature of the wearer drops to room temperature. In this way, bit generation in the "non-A direction" is completed.

Das Prinzip des erfindungsgemäßen Verfahrens soll nun anhand eines speziellen Aufzeichnungsträgers Nr. 6 beschrieben werden, der gemäß der obigen Tabelle 1 zur Klasse 6 gehört (A-Typ, Quadrant II, Typ 4).The principle of the method according to the invention is now to be described of a special record carrier No. 6 that belongs to class 6 according to Table 1 above (A-type, Quadrant II, type 4).

Der Aufzeichnungsträger Nr. 6 genügt der Formel 36:The record carrier No. 6 satisfies the formula 36:

T _R < T _C ₁ ≈ T _L < T _C ₂ ≈ T _H (36) T _R < T _C ₁ ≈ T _L < T _C ₂ ≈ T _H (36)

Fig. 25 veranschaulicht diese Beziehung. Figure 25 illustrates this relationship.

Eine Bedingung, welche die Magnetisierungsrichtung der Bezugs­ schicht 2 durch das Anfangsfeld (Hini) bei Zimmertemperatur T _R umkehrt, ohne daß dabei die Magnetisierungsrichtung der Aufzeichnungsschicht 1 umgekehrt wird, entspricht der Formel 37, welcher der Aufzeichnungsträger Nr. 6 bei Zimmertemperatur T _R genügt:A condition which reverses the direction of magnetization of the reference layer 2 by the initial field (Hini) at room temperature T _R without reversing the direction of magnetization of the recording layer 1 corresponds to the formula 37, which the recording medium No. 6 at room temperature T _R suffices:

H _C ₁ < H _C ₂ + |(σ _w /2M _S ₁t₁) - (σ _w /2M _S ₂t₂)| (37) H _C ₁ < H _C ₂ + | ( σ _w / 2 M _S ₁ t ₁) - ( σ _w / 2 M _S ₂ t ₂) | (37)

wobeiin which

H _C ₁: Koerzitivkraft der 1. Schicht
H _C ₂: Koerzitivkraft der 2. Schicht
M _S ₁: Sättigungsmagnetisierung der 1. Schicht
M _S ₂: Sättigungsmagnetisierung der 2. Schicht
t₁: Schichtdicke der 1. Schicht
t₂: Schichtdicke der 2. Schicht
σ _w : Grenzwandenergie (Austausch-Koppelkraft). H _C ₁: Coercive force of the 1st layer
H _C ₂: Coercive force of the 2nd layer
M _S ₁: Saturation magnetization of the 1st layer
M _S ₂: saturation magnetization of the 2nd layer
t ₁: layer thickness of the 1st layer
t ₂: layer thickness of the second layer
σ _w : boundary wall energy (exchange coupling force).

Jetzt ist eine Bedingung für das Feld Hini durch die Formel 40 gegeben. Wenn das Feld Hini verschwindet, wird die umgekehrte Magnetisierung der Bezugsschicht 2 aufgrund einer Austausch-Koppelkraft beeinflußt durch die Magnetisierung der Aufzeichnungsschicht 1. Die Bedingung, welche die Magnetisierungsrichtung der Schicht 2 aufrechterhält, entspricht den unten angegebenen Formeln 38 und 39, denen der Aufzeichnungsträger Nr. 6 genügt:Formula 40 now provides a condition for the Hini field. When the field Hini disappears, the reverse magnetization of the reference layer 2 due to an exchange coupling force is affected by the magnetization of the recording layer 1 . The condition which maintains the direction of magnetization of layer 2 corresponds to formulas 38 and 39 given below, to which the recording medium No. 6 suffices:

H _C ₁ < (σ _w /2M _S ₁t₁) (38) H _C ₁ <( σ _w / 2 M _S ₁ t ₁) (38)

H _C ₂ < (σ _w /2M _S ₂t₂) (39) H _C ₂ <( σ _w / 2 M _S ₂ t ₂) (39)

H _C ₂ + (σ _w /2M _S ₂t₂) < |Hini.| < H _C ₁ + (σ _w /2M _S ₁t₁) (40). H _C ₂ + ( σ _w / 2 M _S ₂ t ₂) <| Hini. | < H _C ₁ + ( σ _w / 2 M _S ₁ t ₁) (40).

Die Magnetisierung der Schicht 2 des Aufzeichnungsträgers, der den Formeln 37 bis 39 bei T _R genügt, wird durch das Feld Hini entlang der "A-Richtung" ⇑ (↓↑) ausgerichtet, wenn Hini der Formel 40 genügt. Jetzt wird die Aufzeichnungs­ schicht 1 im Aufzeichnungszustand gehalten (Zustand 1 in den Fig. 26 und 27).The magnetization of layer 2 of the recording medium, which satisfies the formulas 37 to 39 at T _R , is aligned by the Hini field along the “A direction” ⇑ (↓ ↑) if Hini satisfies the formula 40. Now, the recording layer 1 is kept in the recording state (state 1 in Figs. 26 and 27).

Der Zustand 1 wird bis zu einem Punkt unmittelbar vor dem Aufzeichnen aufrechterhalten. In diesem Fall wird das Vor­ magnetisierungsfeld (Hb) in Richtung ↓ angelegt.State 1 is maintained up to a point immediately before recording. In this case the magnetic field (Hb) is applied in the direction ↓.

Anhand der Fig. 26 wird nun ein Hochtemperaturzyklus beschrieben.A high temperature cycle will now be described with reference to FIG. 26.

HochtemperaturzyklusHigh temperature cycle

Im Zustand 1, wenn die Trägertemperatur durch Bestrahlung mit einem Laserstrahl hoher Leistung auf T _L erhöht wird, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1, da die Temperatur T _L etwa der Curie-Temperatur T _C ₁ der Aufzeichnungs­ schicht 1 entspricht (Zustand 2 _H ).In state 1, when the carrier temperature is increased to T _L by irradiation with a high-power laser beam, the magnetization of layer 1 disappears since the temperature T _L corresponds approximately to the Curie temperature T _C ₁ of recording layer 1 (state 2 _H ) .

Wenn die Bestrahlung mit Laserlicht weiter fortfährt und die Temperatur der Temperatur T _H entspricht, verschwindet auch die Magnetisierung der Schicht 2, da die Temperatur T _H der Schicht 2 im wesentlichen gleich der Curie-Temperatur T _C ₂ ist. Dies ist der Zustand 3 _H .If the irradiation with laser light continues and the temperature corresponds to the temperature T _H , the magnetization of the layer 2 also disappears, since the temperature T _{H of} the layer 2 is substantially equal to the Curie temperature T _C ₂. This is the 3 _H state.

Wenn im Zustand 3 _H ein bestrahlter Bereich von dem Laserstrahl- Auftreffpunkt getrennt wird, beginnt die Temperatur des Aufzeichnungsträgers zu fallen. Wenn sie etwas unterhalb der Temperatur T _C ₂ liegt, erscheint die Magnetisierung der Schicht 2. In diesem Fall wird von ↓ Hb die Magnetisierung (↑↓) erzeugt. Allerdings erscheint in der Schicht 1 keine Magnetisierung, weil die Temperatur noch oberhalb der Temperatur T _C ₁ liegt. Dies ist der Zustand 4 _H .When an irradiated area is separated from the laser beam impingement point in the 3 _H state, the temperature of the recording medium begins to drop. If it is slightly below the temperature T _C ₂, the magnetization of the layer 2 appears . In this case, ↓ Hb generates the magnetization (↑ ↓). However, no magnetization appears in layer 1 because the temperature is still above the temperature T _C ₁. This is the 4 _H state.

Wenn die Temperatur des Aufzeichnungsträgers weiter abfällt und etwas unter der Temperatur T _C ₁ liegt, erscheint Magnetisierung in der Schicht 1. Jetzt hat die Austausch- Koppelkraft seitens der Schicht 2 die Wirkung, sämtliche RE- und TM-Spins (↑ und ↓) der Schichten 1 und 2 auszurichten. Aus diesem Grund erscheint ungeachtet des Vormagnetisierungsfeldes ↓ Hb in der Schicht 1 die Magnetisierung ↑↓, d. h. ⇑. Dies ist der Zustand 5 _H .If the temperature of the recording medium drops further and is slightly below the temperature T _C ₁, magnetization appears in layer 1 . Now the exchange coupling force from layer 2 has the effect of aligning all RE and TM spins (↑ and ↓) of layers 1 and 2 . For this reason, the magnetization ↑ ↓, ie ⇑, appears in layer 1 regardless of the premagnetization field ↓ Hb . This is the 5 _H state.

Dann nimmt die Temperatur vom Zustand 5 _H aus auf Zimmer­ temperatur ab, da aber die Koerzitivkraft H _C ₁ bei Zimmer­ temperatur groß genug ist, bleibt die Magnetisierung der Schicht 1 stabil. Auf diese Weise ist die Bit-Erzeugung in der "A-Richtung" ⇑ abgeschlossen.Then the temperature decreases from state 5 _H to room temperature, but since the coercive force H _C ₁ is large enough at room temperature, the magnetization of layer 1 remains stable. In this way, the bit generation in the "A direction" ⇑ is completed.

Fig. 27 veranschaulicht den Niedrigtemperaturzyklus. Fig. 27 illustrates the low-temperature cycle.

NiedrigtemperaturzyklusLow temperature cycle

Im Zustand 1 unmittelbar vor dem Aufzeichnen wird die Temperatur des Aufzeichnungsträgers lokal auf T _L erhöht, indem der Aufzeichnungsträger mit einem Laserstrahl niedriger Leistung bestrahlt wird. Da die Temperatur T _L etwa der Curie- Temperatur T _C ₁ der Aufzeichnungsschicht 1 entspricht, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1. In diesem Zustand jedoch wird die Magnetisierung ⇑ der Schicht 2 durch das Vormagnetisierungsfeld ↓ Hb nicht umgekehrt, da die Koerzitivkraft H _C ₂ der Schicht 2 ausreichend groß ist. Dies ist der Zustand 2 _L .In state 1 immediately before the recording, the temperature of the recording medium is locally increased to T _L by irradiating the recording medium with a low-power laser beam. Since the temperature T _L corresponds approximately to the Curie temperature T _C ₁ the recording layer 1, the magnetization of the layer 1 disappears. In this state, however, the magnetization ⇑ of the layer 2 is not reversed by the bias field ↓ Hb , since the coercive force H _C ₂ of the layer 2 is sufficiently large. This is the state 2 _L.

Wenn im Zustand 2 _L ein bestrahlter Abschnitt von dem Auftreffpunkt des Laserstrahls getrennt wird, beginnt die Trägertemperatur zu sinken. Wenn die Temperatur etwas unter der Temperatur T _C ₁ liegt, werden aufgrund der Austausch- Koppelkraft die jeweiligen Spins der Aufzeichnungsschicht 1 durch die RE- und TM-Spins (↓↑) der Bezugsschicht 2 beeinflußt. In anderen Worten: Die Austausch-Koppelkraft hat die Wirkung, sämtliche RE- und TM-Spins (↓ und ↑) der Schichten 1 und 2 auszurichten. Als Ergebnis erscheint eine Magnetisierung ↓↑, d. h. , in der Schicht 1. Dies ist der Zustand 3 _L .When an irradiated section is separated from the point of incidence of the laser beam in state 2 _L , the carrier temperature begins to decrease. If the temperature is slightly below the temperature T _C ₁, the respective spins of the recording layer 1 are influenced by the RE and TM spins (↓ ↑) of the reference layer 2 due to the exchange coupling force. In other words, the exchange coupling force has the effect of aligning all RE and TM spins (↓ and ↑) of layers 1 and 2 . The result is a magnetization ↓ ↑, that is, in layer 1 . This is the 3 _L state.

Der Zustand 3 _L wird auch dann beibehalten, wenn die Temperatur auf Zimmertemperatur absinkt. Auf diese Weise ist die Bit-Erzeugung in der "Nicht-A-Richtung" abgeschlossen.The 3 _L state is maintained even if the temperature drops to room temperature. In this way, bit generation in the "non-A direction" is completed.

Im Folgenden soll das Prinzip des erfindungsgemäßen Verfahrens im einzelnen anhand des Aufzeichnungsträgers Nr. 7 der obigen Tabelle 1 erläutert werden, welcher zu der Klasse 7 gehört (P-Typ, Quadrant III, Typ 4). In the following the principle of the method according to the invention in detail on the basis of record carrier No. 7 Table 1 above, which corresponds to the Class 7 belongs (P-Type, Quadrant III, Type 4).  

Der Aufzeichnungsträger Nr. 7 entspricht der Formel 41:Record carrier No. 7 corresponds to Formula 41:

T _R < T _C ₁ ≈ T _L < T _C ₂ ≈ T _H (41) T _R < T _C ₁ ≈ T _L < T _C ₂ ≈ T _H (41)

Die graphische Darstellung in Fig. 28 veranschaulicht diese Beziehung.The graph in Fig. 28 illustrates this relationship.

Eine Bedingung, welche die Magnetisierungsrichtung der Bezugs­ schicht 2 durch das Anfangsfeld (Hini) bei Zimmertemperatur umkehrt, ohne dabei die Magnetisierungsrichtung der Aufzeichnungs­ schicht 1 umzukehren, ist durch die Formel 42 angegeben, welcher der Aufzeichnungsträger Nr. 7 genügt:A condition which reverses the magnetization direction of the reference layer 2 by the initial field (Hini) at room temperature without reversing the magnetization direction of the recording layer 1 is given by the formula 42, which the recording medium No. 7 satisfies:

H _C ₁ < H _C ₂ + (σ _w /2M _S ₁t₁) + (σ _w /2M _S ₂t₂) (42) H _C ₁ < H _C ₂ + ( σ _w / 2 M _S ₁ t ₁) + ( σ _w / 2 M _S ₂ t ₂) (42)

wobeiin which

H _C ₁: Koerzitivkraft der 1. Schicht
H _C ₂: Koerzitivkraft der 2. Schicht
M _S ₁: Sättigungsmagnetisierung der 1. Schicht
M _S ₂: Sättigungsmagnetisierung der 2. Schicht
t₁: Schichtdicke der 1. Schicht
t₂: Schichtdicke der 2. Schicht
σ _w : Grenzwandenergie (Austausch-Koppelkraft). H _C ₁: Coercive force of the 1st layer
H _C ₂: Coercive force of the 2nd layer
M _S ₁: Saturation magnetization of the 1st layer
M _S ₂: saturation magnetization of the 2nd layer
t ₁: layer thickness of the 1st layer
t ₂: layer thickness of the second layer
σ _w : boundary wall energy (exchange coupling force).

Zu diesem Zeitpunkt wird eine Bedingung für das Feld Hini durch die Formel 45 beschrieben. Wenn das Feld Hini verschwindet, wird aufgrund einer Austausch-Koppelkraft die umgekehrte Magnetisierung der Bezugsschicht 2 beeinflußt durch die Magnetisierung der Aufzeichnungsschicht 1. Die Bedingung, unter der die Magnetisierungsrichtung der Schicht 2 aufrechterhalten wird, ist durch die nach­ stehenden Formeln 43 und 44 angegeben, denen der Aufzeichnungs­ träger Nr. 7 genügt.At this time, a condition for the Hini field is described by Formula 45. If the field Hini disappears due to an exchange coupling force is reversed magnetization of the reference layer 2 affected by the magnetization of the recording layer. 1 The condition under which the magnetization direction of the layer 2 is maintained is given by the following formulas 43 and 44, which the recording medium No. 7 satisfies.

H _C ₁ < (σ _w /2M _S ₁t₁) (43) H _C ₁ <( σ _w / 2 M _S ₁ t ₁) (43)

H _C ₂ < (σ _w /2M _S ₂t₂) (44) H _C ₂ <( σ _w / 2 M _S ₂ t ₂) (44)

H _C ₂ + (σ _w /2M _S ₂t₂) < |Hini.| < H _C ₁ - (σ _w /2M _S ₁t₁) (45) H _C ₂ + ( σ _w / 2 M _S ₂ t ₂) <| Hini. | < H _C ₁ - ( σ _w / 2 M _S ₁ t ₁) (45)

Die Magnetisierung der Schicht 2 des Aufzeichnungsträgers, welcher den Formeln 42 bis 44 bei Zimmertemperatur T _R genügt, ist entlang der "A-Richtung" ⇑ (↓↑) durch das Feld Hini ausgerichtet, welches der Formel 45 genügt. Jetzt wird die Aufzeichnungsschicht 1 im Aufzeichnungszustand gehalten (Zustand 1 in den Fig. 29 und 30).The magnetization of layer 2 of the recording medium , which satisfies the formulas 42 to 44 at room temperature T _R , is aligned along the "A direction" ⇑ (↓ ↑) by the field Hini , which satisfies the formula 45. Now, the recording layer 1 is kept in the recording state (state 1 in Figs. 29 and 30).

Die Bedingung 1 gilt bis zu einem Punkt unmittelbar vor der Aufzeichnung. Dann wird das Vormagnetisierungsfeld (Hb) in Richtung ↓ angelegt.Condition 1 applies up to a point immediately before the recording. Then the bias field (Hb) is applied towards ↓.

Der Hochtemperaturzyklus wird anhand der Fig. 29 erläutert. The high temperature cycle is explained with reference to FIG. 29.

HochtemperaturzyklusHigh temperature cycle

Wenn im Zustand 1 die Temperatur auf T _L mittels Bestrahlung durch einen Laserstrahl hoher Leistung erhöht wird, verschwindet die Magnetisierung aus der Schicht 1, wenn die Temperatur T _L etwa der Curie-Temperatur T _C ₁ der Aufzeichnungsschicht 1 entspricht (Zustand 2 _H ).In state 1 when the temperature T _L is increased by means of irradiation by a high power laser beam, the magnetization disappears from the layer 1 when the temperature T _{L is} about the Curie temperature T _C ₁ the recording layer 1 corresponds to (condition 2 _H).

Wenn der Laserstrahl weiter auf den Aufzeichnungsträger gestrahlt wird und die Trägertemperatur den Wert T _H erreicht, verschwindet auch die Magnetisierung der Schicht 2, da die Temperatur T _H der Schicht 2 etwa der Curie-Temperatur T _C ₂ entspricht.If the laser beam is further radiated onto the recording medium and the carrier temperature reaches the value T _H , the magnetization of the layer 2 also disappears, since the temperature T _{H of} the layer 2 corresponds approximately to the Curie temperature T _C ₂.

Wenn im Zustand 3 _H ein bestrahlter Abschnitt von dem Laser- Auftreffpunkt getrennt wird, beginnt die Temperatur des Auf­ zeichnungsträgers zu fallen. Liegt sie etwas unter der Temperatur T _C ₂, erscheint die Magnetisierung der Schicht 2. In diesem Fall wird von ↓ Hb die Magnetisierung (↑↓) erzeugt. Da jedoch die Temperatur noch oberhalb der Temperatur T _C ₁ liegt, erscheint in der Schicht 1 keine Magnetisierung. Dies ist der Zustand 4 _H .When an irradiated section is separated from the laser impingement point in state 3 _H , the temperature of the recording medium begins to drop. If it is slightly below the temperature T _C ₂, the magnetization of layer 2 appears . In this case, ↓ Hb generates the magnetization (↑ ↓). However, since the temperature is still above the temperature T _C ₁, no magnetization appears in layer 1 . This is the 4 _H state.

Wenn die Temperatur des Trägers weiter abnimmt und etwas unter der Temperatur T _C ₁ liegt, erscheint Magnetisierung in der Schicht 1. Jetzt hat die Austausch-Koppelkraft seitens der Schicht 2 (↑↓) die Wirkung, sämtliche RE- und TM-Spins (↑ und ↓) der Schichten 1 und 2 auszurichten. Aus diesem Grund erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung ↑↓, d. h. . Dies ist der Zustand 5 _H .If the temperature of the carrier continues to decrease and is slightly below the temperature T _C ₁, magnetization appears in layer 1 . Now the exchange coupling force from layer 2 (↑ ↓) has the effect of aligning all RE and TM spins (↑ and ↓) of layers 1 and 2 . For this reason, the magnetization ↑ ↓ appears in layer 1 , ie. This is the 5 _H state.

Dann nimmt die Temperatur vom Zustand 5 _H aus den Wert der Zimmertemperatur an. Da aber die Koerzitivkraft bei Zimmer­ temperatur ausreichend groß ist, bleibt die Magnetisierung der Schicht 1 stabil. Auf diese Weise wird die Bit-Erzeugung in der "Nicht-A-Richtung" abgeschlossen.Then the temperature from state 5 _{H takes} on the value of the room temperature. However, since the coercive force at room temperature is sufficiently large, the magnetization of layer 1 remains stable. In this way, bit generation in the "non-A direction" is completed.

Anhand von Fig. 30 soll der Niedrigtemperaturzyklus beschrieben werden.The low temperature cycle will be described with reference to FIG. 30.

NiedrigtemperaturzyklusLow temperature cycle

Im Zustand 1 unmittelbar vor dem Aufzeichnen wird die Träger­ temperatur durch Bestrahlen mit einem Laserstrahl niedriger Leistung auf T _L erhöht. Da T _L etwa der Curie-Temperatur T _C ₁ der Aufzeichnungsschicht entspricht, verschwindet dort die Magnetisierung. Da in diesem Zustand jedoch die Koerzitivkraft H _C ₂ der Schicht 2 groß genug ist, wird die Magnetisierung ⇑ der Schicht 2 nicht durch das Vormagnetisierungsfeld ↓ Hb umgekehrt. Dies ist der Zustand 2 _L .In state 1 immediately before recording, the carrier temperature is increased to T _L by irradiation with a low-power laser beam. Since T _L corresponds approximately to the Curie temperature T _C ₁ of the recording layer, the magnetization disappears there. However, since the coercive force H _C ₂ of layer 2 is large enough in this state, the magnetization ⇑ of layer 2 is not reversed by the bias field ↓ Hb . This is the state 2 _L.

Wenn im Zustand 2 _L ein bestrahlter Bereich des Aufzeichnungs­ trägers von dem Fleck, auf den der Laserstrahl auftrifft, getrennt wird, beginnt die Trägertemperatur zu sinken. Liegt sie etwas unter der Temperatur T _C ₁, werden die jeweiligen Spins der Aufzeichnungsschicht 1 aufgrund der Austausch- Koppelkraft beeinflußt durch die RE- und die TM-Spins (↓↑) der Bezugsschicht 2. In anderen Worten: Die Austausch- Koppelkraft hat die Wirkung, sämtliche RE- und TM-Spins (↓ und ↑) der Schichten 1 und 2 auszurichten. Im Ergebnis erscheint in der Schicht 1 ungeachtet des Vormagnetisierungsfeldes ↓ Hb eine Magnetisierung ↓↑, d. h. ⇑. Dies entspricht dem Zustand 3 _L .In state 2 _L, when an irradiated area of the recording medium is separated from the spot on which the laser beam is incident, the temperature of the medium begins to decrease. If it is slightly below the temperature T _C ₁, the respective spins of the recording layer 1 are due to the exchange coupling force influenced by the RE and TM spins (↓ ↑) of the reference layer. 2 In other words, the exchange coupling force has the effect of aligning all RE and TM spins (↓ and ↑) of layers 1 and 2 . As a result, magnetization ↓ ↑, ie ⇑, appears in layer 1 regardless of the premagnetization field ↓ Hb . This corresponds to state 3 _L.

Der Zustand 3 _L wird auch dann aufrechterhalten, wenn die Temperatur weiter auf Zimmertemperatur fällt. Auf diese Weise ist die Bit-Erzeugung in der "A-Richtung" ⇑ abgeschlossen.The 3 _L state is maintained even if the temperature continues to drop to room temperature. In this way, the bit generation in the "A direction" ⇑ is completed.

Im Folgenden soll das Prinzip des erfindungsgemäßen Verfahrens anhand eines Aufzeichnungsträgers Nr. 8 erläutert werden, der gemäß der obigen Tabelle 1 zur Klasse 8 gehört (A-Typ, Quadrant IV, Typ 2).In the following the principle of the method according to the invention be explained with reference to a recording medium No. 8, the belongs to class 8 according to table 1 above (A-type, Quadrant IV, type 2).

Der Aufzeichnungsträger Nr. 8 genügt der Bedingung entsprechend der Formel 46:The record carrier No. 8 satisfies the condition Formula 46:

T _R < T _C ₁ ≈ T _L ≈ Tcomp. 2 < T _C ₂ ≈ T _H (46) T _R < T _C ₁ T _L ≈ Tcomp. 2 < T _C ₂ ≈ T _H (46)

Fig. 31 veranschaulicht diese Beziehung. Figure 31 illustrates this relationship.

Eine Bedingung, die die Magnetisierungsrichtung der Bezugs­ schicht 2 durch das Anfangsfeld (Hini) bei Zimmertemperatur T _R umkehrt, ohne die Magnetisierungsrichtung der Aufzeichnungsschicht 1 umzukehren, ist durch die Formel 47 beschrieben, welcher der Aufzeichnungsträger 8 bei der Temperatur T _R genügt:A condition which reverses the magnetization direction of the reference layer 2 by the initial field (Hini) at room temperature T _R without reversing the magnetization direction of the recording layer 1 is described by the formula 47, which the recording medium 8 at the temperature T _R satisfies:

H _C ₁ < H _C ₂ + |(σ _w /2M _S ₁t₁) - (σ _w /2M _S ₂t₂)| (47) H _C ₁ < H _C ₂ + | ( σ _w / 2 M _S ₁ t ₁) - ( σ _w / 2 M _S ₂ t ₂) | (47)

wobeiin which

H _C ₁: Koerzitivkraft der 1. Schicht
H _C ₂: Koerzitivkraft der 2. Schicht
M _S ₁: Sättigungsmagnetisierung der 1. Schicht
M _S ₂: Sättigungsmagnetisierung der 2. Schicht
t₁: Schichtdicke der 1. Schicht
t₂: Schichtdicke der 2. Schicht
σ _w : Grenzwandenergie (Austausch-Koppelkraft). H _C ₁: Coercive force of the 1st layer
H _C ₂: Coercive force of the 2nd layer
M _S ₁: Saturation magnetization of the 1st layer
M _S ₂: saturation magnetization of the 2nd layer
t ₁: layer thickness of the 1st layer
t ₂: layer thickness of the second layer
σ _w : boundary wall energy (exchange coupling force).

Zu dieser Zeit wird die Bedingung für das Feld Hini durch die Formel 50 beschrieben. Wenn Hini verschwindet, wird die Magnetisierung der Bezugsschicht 2 aufgrund einer Austausch- Koppelkraft beeinflußt durch die Magnetisierung der Aufzeichnungsschicht 1. Die Bedingung, unter der die Magnetisierungs­ richtung der Schicht 2 gehalten wird, wird durch die Formeln 48 und 49 beschrieben, denen der Aufzeichnungs­ träger 8 genügt.At this time, the condition for the Hini field is described by Formula 50. If Hini disappears, the magnetization of the reference layer 2 due to an exchange coupling force is affected by the magnetization of the recording layer 1 . The condition under which the magnetization direction of the layer 2 is maintained is described by the formulas 48 and 49, which the recording medium 8 satisfies.

H _C ₁ < (σ _w /2M _S ₁t₁) (48) H _C ₁ <( σ _w / 2 M _S ₁ t ₁) (48)

H _C ₂ < (σ _w /2M _S ₂t₂) (49) H _C ₂ <( σ _w / 2 M _S ₂ t ₂) (49)

H _C ₂ + (σ _w /2M _S ₂t₂) < |Hini.| < H _C ₁ + (σ _w /2M _S ₁t₁) (50) H _C ₂ + ( σ _w / 2 M _S ₂ t ₂) <| Hini. | < H _C ₁ + ( σ _w / 2 M _S ₁ t ₁) (50)

Die Magnetisierung der Schicht 2 des Aufzeichnungsträgers, der den Formeln 47 bis 49 bei Zimmertemperatur genügt, wird durch das Feld Hini, welches der Formel 50 entspricht, entlang der "A-Richtung" ⇑ (↑↓) ausgerichtet. Jetzt wird die Aufzeichnungsschicht 1 im Aufzeichnungszustand gehalten (Zustand 1 in den Fig. 32 und 33).The magnetization of layer 2 of the recording medium, which satisfies the formulas 47 to 49 at room temperature, is aligned along the “A direction” ⇑ (↑ ↓) by the field Hini, which corresponds to the formula 50. Now, the recording layer 1 is kept in the recording state (state 1 in Figs. 32 and 33).

Der Zustand 1 wird bis zu einem Zeitpunkt unmittelbar vor der Aufzeichnung aufrechterhalten. In diesem Fall wird das Vor­ magnetisierungsfeld (Hb) in Richtung des Pfeils ↑ angelegt.State 1 is maintained until just before the recording. In this case, the pre-magnetic field (Hb) is applied in the direction of arrow ↑.

Fig. 32 veranschaulicht einen Hochtemperaturzyklus. Fig. 32 illustrates a high-temperature cycle.

HochtemperaturzyklusHigh temperature cycle

Wenn im Zustand 1 die Trägertemperatur durch Bestrahlung mit Laserstrahl hoher Leistung erhöht wird, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 2 (Zustand 2 _H ), da T _L etwa der Curie-Temperatur T _C ₁ der Aufzeichnungsschicht 1 entspricht.If in state 1 the carrier temperature is increased by irradiation with high-power laser beam, the magnetization of layer 2 disappears (state 2 _H ) since T _L corresponds approximately to the Curie temperature T _C ₁ of recording layer 1 .

Bei fortgesetzter Bestrahlung mit dem Laserstrahl steigt die Temperatur auf mehr als die Temperatur Tcomp. 2 an, wobei die Beziehung zwischen den Stärken der RE- und der TM- Spins umgekehrt wird (↑↓ → ↑↓), obschon deren Richtungen (↑ und ↓) dieselben bleiben. Als Folge davon wird die Magnetisierungs­ richtung der Schicht 2 umgekehrt in die "Nicht- A-Richtung" . Dies ist der Zustand 3 _H . With continued irradiation with the laser beam, the temperature rises to more than the temperature Tcomp. 2, reversing the relationship between the strengths of the RE and TM spins (↑ ↓ → ↑ ↓), although their directions (↑ and ↓) remain the same. As a result, the magnetization direction of the layer 2 is reversed in the "non-A direction". This is the 3 _H state.

Bei dieser Temperatur jedoch ist die Koerzitivkraft H _C ₂ noch hoch, so daß die Magnetisierung der Schicht 2 von dem Vor­ magnetisierungsfeld ↑ Hb nicht umgekehrt wird. Es sei angenommen, der Laserstrahl bestrahlt weiterhin das Medium, und dessen Temperatur steigt auf T _H an. Da T _H etwa der Temperatur T _C ₂ entspricht, verschwindet auch die Magnetisierung der Schicht 2 (Zustand 4 _H ).At this temperature, however, the coercive force H _C ₂ is still high, so that the magnetization of the layer 2 is not reversed by the pre-magnetization field ↑ Hb . It is assumed that the laser beam continues to irradiate the medium and its temperature rises to T _H. Since T _H corresponds approximately to the temperature T _C ₂, the magnetization of layer 2 also disappears (state 4 _H ).

Wenn im Zustand 4 _H der bestrahlte Bereich vom Laserstrahl getrennt wird, beginnt die Temperatur abzunehmen, und wenn sie etwas unter der Temperatur T _C ₂ liegt, erscheint Magnetisierung in der Schicht 2. In diesem Fall wird von dem Feld ↑ Hb die Magnetisierung ⇑ (↓↑) erzeugt. Da aber die Temperatur noch oberhalb der Temperatur T _C ₁ liegt, erscheint in der Schicht 1 keine Magnetisierung. Dies ist der Zustand 5 _H .If the irradiated area is separated from the laser beam in state 4 _H , the temperature begins to decrease, and if it is somewhat below the temperature T _C ₂, magnetization appears in layer 2 . In this case, the ↑ Hb field generates the magnetization ⇑ (↓ ↑). But since the temperature is still above the temperature T _C ₁, no magnetization appears in layer 1 . This is the 5 _H state.

Wenn die Temperatur des Trägers weiter abfällt und unterhalb der Temperatur Tcomp. 1 liegt, wird die Beziehung zwischen den Stärken der RE- und der TM-Spins umgekehrt (↓↑ → ↓↑), ohne daß deren Richtungen (↓ und ↑) sich ändern. Im Ergebnis wird die Magnetisierungsrichtung der Schicht 2 in die "Nicht-A-Richtung" umgekehrt. Da in diesem Zustand die Koerzitivkraft H _C ₂ noch genügend groß ist, wird von dem Vormagnetisierungsfeld ↑ Hb die Magnetisierung der Schicht 2 nicht umgekehrt. Da die Temperatur des Trägers noch größer ist als die Temperatur T _C ₁, erscheint in der Schicht 1 noch keine Magnetisierung (Zustand 6 _H ). If the temperature of the carrier continues to drop and below the temperature Tcomp. 1, the relationship between the strengths of the RE and TM spins is reversed (↓ ↑ → ↓ ↑) without changing their directions (↓ and ↑). As a result, the magnetization direction of the layer 2 is reversed to the "non-A direction". Since the coercive force H _C ₂ is still sufficiently large in this state, the magnetization of the layer 2 is not reversed by the bias field ↑ Hb . Since the temperature of the carrier is still higher than the temperature T _C ₁, no magnetization appears in layer 1 (state 6 _H ).

Wenn die Trägertemperatur weiter abnimmt und etwas unter der Temperatur T _C ₁ liegt, erscheint auch Magnetisierung in der Schicht 1. Jetzt beeinflußt die Magnetisierung (↓↑) der Schicht 2 die Schicht 1 wegen der Austausch-Koppelkraft, um sämtliche RE- und TM-Spins (↓ und ↑) der Schichten 1 und 2 auszurichten. Aus diesem Grund erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung ↓↑, d. h. ⇑ (Zustand 7 _H ).If the carrier temperature continues to decrease and is slightly below the temperature T _C ₁, magnetization also appears in layer 1 . Now the magnetization (↓ ↑) of layer 2 affects layer 1 due to the exchange coupling force in order to align all RE and TM spins (↓ and ↑) of layers 1 and 2 . For this reason, the magnetization ↓ ↑, ie ⇑ (state 7 _H ) appears in layer 1 .

Dann nimmt die Trägertemperatur aus dem Zustand 7 _H auf Zimmertemperatur ab. Da dann die Koerzitivkraft H _C ₁ genügend groß ist, bleibt die Magnetisierung der Schicht 1 stabil erhalten. Auf diese Weise ist die Bit-Erzeugung in der "A-Richtung" ⇑ abgeschlossen.Then the carrier temperature decreases from state 7 _H to room temperature. Since then the coercive force H _C ₁ is sufficiently large, the magnetization of the layer 1 remains stable. In this way, the bit generation in the "A direction" ⇑ is completed.

Fig. 33 zeigt den Niedrigtemperaturzyklus. Fig. 33 shows the low temperature cycle.

NiedrigtemperaturzyklusLow temperature cycle

Im Zustand 1 unmittelbar vor der Aufzeichnung wird durch Bestrahlen mit einem Laserstrahl niedriger Leistung die Trägertemperatur auf T _L erhöht, da T _L etwa der Curie- Temperatur T _C ₁ der Aufzeichnungsschicht 1 entspricht, verschwindet dort die Magnetisierung. Da in diesem Zustand jedoch die Koerzitivkraft H _C ₂ der Schicht 2 ausreichend hoch ist, wird deren Magnetisierung durch das Vormagnetisierungsfeld ↑ Hb nicht umgekehrt (Zustand 2 _L ).In state 1 immediately before recording, the carrier temperature is increased to T _L by irradiation with a low-power laser beam, since T _L corresponds approximately to the Curie temperature T _C ₁ of the recording layer 1 , the magnetization disappears there. However, since in this state the coercive force H _C ₂ of the layer 2 is sufficiently high, its magnetization is not reversed by the premagnetization field ↑ Hb (state 2 _L ).

Wenn im Zustand 2 _L ein bestrahlter Abschnitt von dem Fleck, auf den der Laserstrahl auftrifft, getrennt wird, beginnt die Temperatur zu sinken. Liegt sie etwas unter der Temperatur T _C ₁, werden die jeweiligen Spins der Aufzeichnungs­ schicht 1 aufgrund der Austausch-Koppelkraft beeinflußt durch die RE- und die TM-Spins (↑↓) der Bezugsschicht 2. In anderen Worten: Die Austausch-Koppelkraft hat die Wirkung, daß sämtliche RE- und TM-Spins (↑ und ↓) der Schichten 1 und 2 ausgerichtet werden. Im Ergebnis erscheint in der Schicht 1 Magnetisierung (↑↓), d. h. , ungeachtet des Vormagnetisierungsfeldes ↑ Hb. Dies ist der Zustand 3 _L .In state 2 _L, when an irradiated section is separated from the spot that the laser beam strikes, the temperature begins to decrease. If it is slightly below the temperature T _C ₁, the respective spins of the recording layer 1 due to the exchange coupling force influenced by the RE and TM spins (↑ ↓) of the reference layer. 2 In other words, the exchange coupling force has the effect that all RE and TM spins (↑ and ↓) of layers 1 and 2 are aligned. As a result, magnetization (↑ ↓) appears in layer 1 , ie, regardless of the premagnetization field ↑ Hb . This is the 3 _L state.

Der Zustand 3 _L wird auch dann aufrechterhalten, wenn die Trägertemperatur auf Zimmertemperatur absinkt. Auf diese Weise wird die Bit-Erzeugung in der "Nicht-A-Richtung" abgeschlossen.The 3 _L state is maintained even if the carrier temperature drops to room temperature. In this way, bit generation in the "non-A direction" is completed.

Im Folgenden soll schließlich das Prinzip des erfindungsgemäßen Verfahrens anhand eines speziellen Aufzeichnungsträgers Nr. 9 erläutert werden, der zu der Klasse 9 in obiger Tabelle 1 gehört (A-Typ, Quadrant IV, Typ 4).Finally, the principle of the invention is described below Procedure based on a special record carrier No. 9 explained to class 9 in Table 1 above belongs (A-type, Quadrant IV, type 4).

Der Aufzeichnungsträger Nr. 9 entspricht der Formel 51:Record carrier No. 9 corresponds to Formula 51:

T _R < T _C ₁ ≈ T _L < T _C ₂ ≈ T _H (51) T _R < T _C ₁ ≈ T _L < T _C ₂ ≈ T _H (51)

Fig. 34 zeigt diese Beziehung anschaulich. Fig. 34 clearly shows this relationship.

Eine Bedingung, unter der die Magnetisierungsrichtung der Bezugsschicht 2 durch das Anfangsfeld (Hini) bei Zimmer­ temperatur T _R umgekehrt wird, ohne daß die Magnetisierung der Aufzeichnungsschicht 1 umgekehrt wird, ist durch folgende Formel 52 beschrieben, welcher der Aufzeichnungsträger 9 bei Zimmertemperatur T _R entspricht:A condition under which the magnetization direction of the reference layer 2 is reversed by the initial field (Hini) at room temperature T _R without the magnetization of the recording layer 1 being reversed is described by the following formula 52, which corresponds to the recording medium 9 at room temperature T _R :

H _C ₁ < H _C ₂ + |(σ _w /2M _S ₁t₁) - (σ _w /2M _S ₂t₂)| (52) H _C ₁ < H _C ₂ + | ( σ _w / 2 M _S ₁ t ₁) - ( σ _w / 2 M _S ₂ t ₂) | (52)

wobeiin which

H _C ₁: Koerzitivkraft der 1. Schicht
H _C ₂: Koerzitivkraft der 2. Schicht
M _S ₁: Sättigungsmagnetisierung der 1. Schicht
M _S ₂: Sättigungsmagnetisierung der 2. Schicht
t₁: Schichtdicke der 1. Schicht
t₂: Schichtdicke der 2. Schicht
σ _w : Grenzwandenergie (Austausch-Koppelkraft). H _C ₁: Coercive force of the 1st layer
H _C ₂: Coercive force of the 2nd layer
M _S ₁: Saturation magnetization of the 1st layer
M _S ₂: saturation magnetization of the 2nd layer
t ₁: layer thickness of the 1st layer
t ₂: layer thickness of the second layer
σ _w : boundary wall energy (exchange coupling force).

Zu dieser Zeit wird eine Bedingung für das Feld Hini durch die Formel 50 beschrieben. Wenn das Feld Hini verschwindet, wird die umgekehrte Magnetisierung der Bezugsschicht 2 aufgrund einer Austausch-Koppelkraft beeinflußt durch die Magnetisierung der Aufzeichnungsschicht 1. Die Bedingung, unter der die Magnetisierungsrichtung der Schicht 2 aufrecht­ erhalten bleibt, ist durch die Formeln 53 und 54 beschrieben, denen der Aufzeichnungsträger Nr. 9 genügt:At this time, a condition for the Hini field is described by Formula 50. When the field Hini disappears, the reverse magnetization of the reference layer 2 due to an exchange coupling force is affected by the magnetization of the recording layer 1 . The condition under which the magnetization direction of the layer 2 is maintained is described by the formulas 53 and 54, to which the recording medium No. 9 satisfies:

H _C ₁ < (σ _w /2M _S ₁t₁) (53) H _C ₁ <( σ _w / 2 M _S ₁ t ₁) (53)

H _C ₂ < (σ _w /2M _S ₂t₂) (54) H _C ₂ <( σ _w / 2 M _S ₂ t ₂) (54)

H _C ₂ + (σ _w /2M _S ₂t₂) < |Hini.| < H _C ₁ + (σ _w /2M _S ₁t₁) (55) H _C ₂ + ( σ _w / 2 M _S ₂ t ₂) <| Hini. | < H _C ₁ + ( σ _w / 2 M _S ₁ t ₁) (55)

Die Magnetisierung der Schicht 2 des Aufzeichnungsträgers, der den Formeln 52 bis 54 bei T _R genügt, wird in "A-Richtung" ⇑ (↑↓) durch das der Formel 55 entsprechende Feld Hini ausgerichtet. Jetzt wird die Aufzeichnungsschicht 1 im Aufzeichnungszustand gehalten (Bedingung 1 in den Fig. 35 und 36). Die Bedingung 1 wird bis zu einem Punkt unmittelbar vor dem Aufzeichnen aufrechterhalten. In diesem Fall wird das Vormagnetisierungsfeld (Hb) in Richtung ↓ angelegt.The magnetization of layer 2 of the recording medium, which satisfies the formulas 52 to 54 at T _R , is aligned in the "A direction" ⇑ (↑ ↓) by the field Hini corresponding to the formula 55. Now, the recording layer 1 is kept in the recording state (condition 1 in Figs. 35 and 36). Condition 1 is maintained up to a point immediately before recording. In this case the bias field (Hb) is applied towards ↓.

Fig. 35 veranschaulicht einen Hochtemperaturzyklus. Fig. 35 illustrates a high-temperature cycle.

HochtemperaturzyklusHigh temperature cycle

Wenn im Zustand 1 die Trägertemperatur durch Bestrahlen mit einem Laserstrahl hoher Leistung auf T _L erhöht wird, verschwindet die Magnetisierung aus der Schicht 1, da die Temperatur T _L etwa der Curie-Temperatur T _{C 1} der Aufzeichnungsschicht 1 entspricht (Zustand 2 _H ).If the substrate temperature is increased by irradiation with a high power laser beam on T _L in the state 1, the magnetization disappears from the layer 1, since the temperature T _{L is} about _1, the recording layer 1 corresponds to the Curie temperature T _C (condition 2 _H).

Wenn die Bestrahlung mit dem Laserstrahl fortgesetzt wird und die Trägertemperatur der Temperatur T _H entspricht, verschwindet auch die Magnetisierung der Schicht 2, da die Temperatur T _H etwa der Temperatur T _C ₂ entspricht. Dies ist der Zustand 3 _H .If the irradiation with the laser beam is continued and the carrier temperature corresponds to the temperature T _H , the magnetization of the layer 2 also disappears, since the temperature T _H corresponds approximately to the temperature T _C ₂. This is the 3 _H state.

Wenn im Zustand 3 _H ein bestrahlter Bereich von dem Auftreffpunkt des Laserstrahls getrennt wird, beginnt die Trägertemperatur abzunehmen. Liegt sie etwas unter der Temperatur T _C ₂, erscheint die Magnetisierung der Schicht 2. In diesem Fall wird von dem Feld ↓ Hb die Magnetisierung (↓↑) erzeugt. Da aber die Temperatur noch höher ist als die Temperatur T _C ₁, erscheint in der Schicht 1 keine Magnetisierung. Dies ist der Zustand 4 _H .When a irradiated area is separated from the point of incidence of the laser beam in state 3 _H , the carrier temperature begins to decrease. If it is slightly below the temperature T _C ₂, the magnetization of layer 2 appears . In this case the magnetization (↓ ↑) is generated by the field ↓ Hb . But since the temperature is still higher than the temperature T _C ₁, no magnetization appears in layer 1 . This is the 4 _H state.

Wenn die Trägertemperatur weiter unter die Temperatur T _C ₁ abnimmt, erscheint Magnetisierung in der Schicht 1. Zu dieser Zeit hat die Austausch-Koppelkraft seitens der Schicht 2 (↓↑) die Wirkung, sämtliche RE- und TM-Spins (↓ und ↑) der Schichten 1 und 2 auszurichten. Aus diesem Grund erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung ↓↑, d. h. ⇑, ungeachtet des Vormagnetisierungsfeldes ↓ Hb. Dies ist der Zustand 5 _H .If the carrier temperature decreases further below the temperature T _C ₁, magnetization appears in layer 1 . At this time, the layer 2 (↓ ↑) exchange coupling force has the effect of aligning all RE and TM spins (↓ and ↑) of layers 1 and 2 . For this reason, the magnetization ↓ ↑, ie ⇑, appears in layer 1 regardless of the bias field ↓ Hb . This is the 5 _H state.

Dann nimmt die Temperatur des Aufzeichnungsträgers weiter aus dem Zustand 5 _H auf Zimmertemperatur ab. Da dort die Koerzitivkraft H _C ₁ genügend groß ist, bleibt die Magnetisierung der Schicht 1 stabil erhalten. Damit ist die Bit-Erzeugung in der "A-Richtung" ⇑ abgeschlossen. Then the temperature of the recording medium continues to decrease from the state 5 _H to room temperature. Since there the coercive force H _C ₁ is sufficiently large, the magnetization of the layer 1 remains stable. This completes the bit generation in the "A direction" ⇑.

Fig. 36 zeigt einen Niedrigtemperaturzyklus. Fig. 36 shows a low-temperature cycle.

NiedrigtemperaturzyklusLow temperature cycle

Im Zustand 1 unmittelbar vor dem Aufzeichnen wird durch einen Laserstrahl geringer Leistung die Trägertemperatur auf T _L angehoben. Da T _L etwa der Curie-Temperatur T _C ₁ der Aufzeichnungsschicht 1 entspricht, verschwindet deren Magnetisierung. Da in diesem Zustand jedoch die Koerzitivkraft H _C ₂ der Schicht 2 genügend groß ist, wird durch das Vormagnetisierungsfeld ↓ Hb die Magnetisierung ⇑ der Schicht 2 nicht umgekehrt. Dies ist der Zustand 2 _L .In state 1 immediately before recording, the carrier temperature is raised to T _L by a low-power laser beam. Since T _L corresponds approximately to the Curie temperature T _C ₁ of the recording layer 1 , its magnetization disappears. However, since in this state the coercive force H _C ₂ of the layer 2 is sufficiently large, the magnetization ⇑ of the layer 2 is not reversed by the bias field ↓ Hb . This is the state 2 _L.

Wenn im Zustand 2 _L ein bestrahlter Abschnitt von dem Auftreffpunkt des Laserstrahls getrennt wird, fällt die Temperatur des Trägers. Liegt sie etwas unter der Temperatur T _C ₁, wird die Aufzeichnungsschicht 1 aufgrund der Austausch- Koppelkraft von den RE- und den TM-Spins (↑↓) der Bezugs­ schicht 2 beeinflußt. In anderen Worten: Die Austausch- Koppelkraft richtet sämtliche RE- und TM-Spins (↑ und ↓) der Schichten 1 und 2 aus. Im Ergebnis erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung ↑↓, d. h. . Dies ist der Zustand 3 _L .In state 2 _L, when an irradiated portion is separated from the point of incidence of the laser beam, the temperature of the carrier drops. If it is slightly below the temperature T _C ₁, the recording layer 1 due to the exchange coupling force from the RE and TM spins (↑ ↓) is the reference layer 2 is influenced. In other words: the exchange coupling force aligns all RE and TM spins (↑ and ↓) of layers 1 and 2 . As a result, the magnetization ↑ ↓ appears in layer 1 , ie. This is the 3 _L state.

Der Zustand 3 _L wird auch dann beibehalten, wenn die Träger­ temperatur weiter auf Zimmertemperatur absinkt. Damit ist die Bit-Erzeugung in der "Nicht-A-Richtung" abgeschlossen. The state 3 _L is maintained even if the carrier temperature continues to drop to room temperature. This completes the bit generation in the "non-A direction".

Um die Lebensdauer der magnetischen Schicht zu verlängern, muß eine Schichtbildung in Hochvakuum erfolgen.To extend the life of the magnetic layer, a layer must be formed in a high vacuum.

Von den Erfindern des Anmeldungsgegenstandes vorgenommene Untersuchungen haben jedoch gezeigt, daß, wenn die erste und die zweite Schicht kontinuierlich in Hochvakuum erzeugt werden, ungeachtet der Reihenfolge der Schichtbildung, die Austausch-Koppelkraft σ _w zwischen den magnetischen Schichten häufig zu stark von den verwendeten Stoffen abhängt.However, studies made by the inventors of the subject matter of the application have shown that if the first and second layers are continuously produced in high vacuum, regardless of the order of layer formation, the exchange coupling force σ _w between the magnetic layers often depends too much on the substances used .

In dem überschreibbaren Aufzeichnungsträger muß, damit ein Löschen der in der ersten Schicht enthaltenen Information durch die Magnetisierung der initialisierten zweiten Schicht verhindert wird, folgende Beziehung erfüllt sein:In the rewritable record carrier must be a Delete the information contained in the first layer by magnetizing the initialized second layer the following relationship is prevented:

Um zu verhindern, daß die Magnetisierung der initialisierten zweiten Schicht durch die Magnetisierung der ersten Schicht umgekehrt wird, muß folgende Beziehung erfüllt sein:To prevent the magnetization of the initialized second layer by magnetizing the first layer reversed, the following relationship must be fulfilled:

Wenn daher die Austausch-Koppelkraft σ _w zu stark ist, bestimmen sich die Koerzitivkraft H _C und das magnetische Sättigungsmoment M _S durch die Stoffe der Magnetschichten. Deshalb muß man die Schichtdicke t erhöhen.Therefore, if the exchange coupling force σ _{w is} too strong, the coercive force H _C and the magnetic saturation moment M _{S are} determined by the materials of the magnetic layers. Therefore you have to increase the layer thickness t .

Wenn aber die Gesamt-Filmdicke t₁₂ der ersten und der zweiten Schicht zu groß wird, erhöht sich die Wärmekapazität der magnetischen Schichten. Wenn also ein Laserstrahl beim Auf­ zeichnungsbetrieb auf den Aufzeichnungsträger gelenkt wird, um dort die Temperatur des Aufzeichnungsträgers auf T _H oder auf T _L zu erhöhen, muß die Leistung des Laserstrahls erhöht werden, was zu einem schwachen Strahlungswirkungsgrad führt.But if the total film thickness t ₁₂ of the first and second layers is too large, the heat capacity of the magnetic layers increases. Thus, if a laser beam is directed to the recording medium during the recording operation in order to raise the temperature of the recording medium to T _H or T _L there, the power of the laser beam must be increased, which leads to poor radiation efficiency.

Aus diesen Umständen heraus wurden intensive Untersuchungen angestellt, um ein Mittel zu finden, mit dessen Hilfe man in der Lage ist, die Austausch-Koppelkraft σ _w selbst ungeachtet der Stoffe der magnetischen Schichten nach unten zu korrigieren (zu steuern). Im Ergebnis wurde herausgefunden, daß, wenn ein nicht-magnetisches Element, z. B. Si, Ge, oder dergl., vorab in eine oder in beide der ersten und zweiten Schicht dotiert wird, die Austausch-Koppelkraft σ _w nach Maßgabe der Dotierstoffmenge gesteuert werden kann.Under these circumstances, intensive investigations were carried out in order to find a means by which one is able to correct (control) the exchange coupling force σ _w downwards regardless of the materials of the magnetic layers. As a result, it was found that when a non-magnetic element, e.g. B. Si, Ge, or the like, is doped in advance in one or both of the first and second layers, the exchange coupling force σ _w can be controlled in accordance with the amount of dopant.

Wenn allerdings das nicht-magnetische Element bloß eindotiert wird, um die Austausch-Koppelkraft σ _w zu steuern, läßt sich ein überschreibbarer Aufzeichnungsträger entsprechend dem Entwurf kaum erhalten. However, if the non-magnetic element is merely doped in to control the exchange coupling force σ _w , a rewritable recording medium according to the design can hardly be obtained.

Demnach ist es Aufgabe der Erfindung, einen überschreibbaren magnetooptischen Aufzeichnungsträger mit entwurfsgemäßer großer Austausch-Koppelkraft zu schaffen, indem ein nicht- magnetisches Element dotiert wird, ohne dabei die Gesamt­ schichtdicke von erster und zweiter Schicht zu erhöhen.It is therefore an object of the invention to provide an overwritable magneto-optical recording medium with design-based create great exchange coupling force by a non- magnetic element is doped without losing the total to increase the layer thickness of the first and second layers.

Die Lösung dieser Aufgabe ist in den Ansprüchen angegeben.The solution to this problem is specified in the claims.

Die Erfinder haben umfangreiche Untersuchungen angestellt und herausgefunden, daß in einem Aufzeichnungsträger, in dem ein nicht-magnetisches Element lediglich eindotiert ist, um eine Austausch-Koppelkraft σ _w zu steuern, und welches nicht in der Lage ist, das vorgesehene Überschreiben durchzuführen, (1) Information in der ersten Schicht durch die initialisierte zweite Schicht gelöscht wird oder (2) die Magnetisierung der initialisierten zweiten Schicht gestört wird durch die Magnetisierung der ersten Schicht und sich in einem nicht-initialisierten Zustand befindet.The inventors have carried out extensive studies and found that in a record carrier in which a non-magnetic element is only doped in order to control an exchange coupling force σ _w and which is not able to carry out the intended overwriting (1 ) Information in the first layer is deleted by the initialized second layer or (2) the magnetization of the initialized second layer is disturbed by the magnetization of the first layer and is in an uninitialized state.

Als Ergebnis weiterer Untersuchungen wurde herausgefunden, daß, wenn ein nicht-magnetisches Element dotiert ist, die Austausch-Koppelkraft σ _w verringert ist und gleichzeitig das Produkt aus Koerzitivkraft H _C und einem magnetischen Sättigungsmoment M _S ebenfalls verkleinert ist.As a result of further investigations, it was found that when a non-magnetic element is doped, the exchange coupling force σ _{w is} reduced and at the same time the product of the coercive force H _C and a magnetic saturation moment M _{S is} also reduced.

Aus diesem Grund werden die oben angegebenen Formeln 56 und 57 wie folgt modifiziert: For this reason, the above formulas 56 and 57 modified as follows:  

Wenn aber das Produkt H _C · M _S eine Abnahme des Werts von σ _w übersteigt, so erhöht sich häufig der Wert vonBut if the product H _C · M _S exceeds a decrease in the value of σ _w , the value of often increases

In diesem Fall können die Bedingungen nach den Formeln 56 und 57 nicht erfüllt werden, ohne die Gesamtschichtdicke t₁₂ zu erhöhen. Somit bleibt das Überschreiben unmöglich oder unvollständig.In this case, the conditions according to formulas 56 and 57 cannot be met without increasing the total layer thickness t ₁₂. This means that overwriting remains impossible or incomplete.

Dotiert man aber ein nicht-magnetisches Element in jene der ersten und zweiten Schichten, in der das Produkt H _C · M _S kleiner ist, bevor das nicht-magnetische Element eindotiert wird, erfährt das VerhältnisHowever, if a non-magnetic element is doped into that of the first and second layers in which the product H _C · M _{S is} smaller before the non-magnetic element is doped, the relationship is experienced

praktisch keine Zunahme (Fig. 40). Obschon die Schichtdicke t der dotierten Schicht nicht verringert werden kann, kann daher aber die Schichtdicke t der undotierten Schicht so verringert werden, daß die Formeln 56 und 57 erfüllt sind, weil das Produkt H _C · M _S das gleiche bleibt, wenn σ _w abnimmt. Im Ergebnis läßt sich die Gesamtschichtdicke t₁₂ kleiner als vor dem Dotieren machen, wodurch die erfindungsgemäße Ausgabe gelöst ist. Wenn im Gegensatz dazu das nicht- magnetische Element in die Schicht eindotiert wird, die ein größeres Produkt H _C · M _S aufweist, erhöht sich der Wertpractically no increase ( Fig. 40). Therefore, although the layer thickness t of the doped layer cannot be reduced, the layer thickness t of the undoped layer can be reduced so that the formulas 56 and 57 are satisfied because the product H _C · M _S remains the same as σ _w decreases . As a result, the total layer thickness t ₁₂ can be made smaller than before doping, whereby the output according to the invention is solved. In contrast, if the non-magnetic element is doped into the layer which has a larger product H _C · M _S , the value increases

spürbar (Fig. 42). Deshalb muß die Schichtdicke t der dotierten Schicht beträchtlich größer werden, um die Bedingungen nach den Formeln 56 und 57 zu erfüllen. Dadurch aber kann die Gesamtschichtdicke nicht kleiner sein als vor dem Dotieren.noticeable ( Fig. 42). Therefore, the layer thickness t of the doped layer must be considerably larger in order to meet the conditions according to formulas 56 and 57. As a result, however, the total layer thickness cannot be less than before doping.

Wenn ein nicht-magnetisches Element sowohl in die erste als auch in die zweite Schicht eindotiert wird, kann die Gesamt­ schichtdicke ebenfalls kleiner sein als vor dem Dotieren.If a non-magnetic element in both the first and The total can also be doped into the second layer layer thickness can also be smaller than before doping.

Durch die vorliegende Erfindung wird also ein überschreibbares magnetooptisches Aufzeichnungsmedium geschaffen, in welchem ein nicht-magnetisches Element zumindest in jene der ersten und zweiten Schicht eindotiert ist, die ein kleineres Produkt H _C · M _S aufweist, um so die Austausch- Koppelkraft σ _w auf einen vorbestimmten Wert einzustellen und dadurch die Gesamtschichtdicke t₁₂ zu verringern. The present invention thus creates a rewritable magneto-optical recording medium in which a non-magnetic element is doped at least into that of the first and second layers, which has a smaller product H _C · M _S , so that the exchange coupling force σ _w set a predetermined value and thereby reduce the total layer thickness t ₁₂.

Das magnetische Moment eines magnetischen Körpers wird verursacht durch einen Bahndrehimpuls und einen Spindrehimpuls des Außenhüllen-Elektrons eines Atoms, und seine Austausch- Wechselwirkung basiert auf dem Pauli-Prinzip und der elektrostatischen Wechselwirkung zwischen dem Elektron und einem benachbarten Elektron. Wenn daher der Abstand zwischen magnetischen Atomen erhöht wird oder die Anzahl dichtester magnetischer Atome verringert wird, verringert sich die Über­ lappung der Wellenfunktionen der Elektronen der Atome, und es reduziert sich die Austausch-Wechselwirkung.The magnetic moment of a magnetic body becomes caused by an orbital angular momentum and a spin angular momentum of the outer shell electron of an atom, and its exchange Interaction is based on the Pauli principle and the electrostatic interaction between the electron and a neighboring electron. Therefore, if the distance between magnetic atoms is increased or the number densest magnetic atoms is reduced, the over decreases lapping the wave functions of the electrons of the atoms, and the exchange interaction is reduced.

Erfindungsgemäß wird ein nicht-magnetisches Element in die magnetische Schicht eindotiert, um den Abstand zwischen magnetischen Atomen in den beiden Schichten zu verlängern und die Anzahl dichtester magnetischer Atome zu verringern, um die Austausch-Wechselwirkung zu reduzieren und so die Austausch- Kopplungskraft σ _w zu steuern (zu verringern).According to the invention, a non-magnetic element is doped into the magnetic layer in order to extend the distance between magnetic atoms in the two layers and to reduce the number of densest magnetic atoms in order to reduce the exchange interaction and thus the exchange coupling force σ _w control (decrease).

Beispiele für das nicht-magnetische Element sind Si, Ge, Ti, Cr, Cu und In.Examples of the non-magnetic element are Si, Ge, Ti, Cr, Cu and In.

Mindestens 0,5 Atom-% des nicht-magnetischen Elements werden vorzugsweise eindotiert, um den Dotiereffekt zu verbessern. Allerdings sollte die tatsächliche Dotiermenge empirisch überprüft werden, abhängig von den Erfordernissen für eine vorbestimmte Austausch-Koppelkraft σ _w und einem entsprechenden Produkt H _C · M _S . At least 0.5 atom% of the non-magnetic element is preferably doped to improve the doping effect. However, the actual doping amount should be checked empirically, depending on the requirements for a predetermined exchange coupling force σ _w and a corresponding product H _C · M _S.

Die Erfindung schafft also zum ersten Mal die Möglichkeit, bei einem magnetooptischen Aufzeichnungsträger Information zu überschreiben, ohne dazu das Vormagnetisierungsfeld Hb ein- oder auszuschalten oder die Richtung des Vormagnetisierungs­ feldes Hb zu ändern.The invention therefore creates for the first time the possibility of overwriting information in a magneto-optical recording medium without switching the bias field Hb on or off or changing the direction of the bias field Hb .

Im Folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. In den Zeichnungen zeigtThe following are exemplary embodiments of the invention explained in more detail with reference to the drawing. In the drawings shows

Fig. 1 eine Darstellung, die das Grundprinzip des magnetooptischen Aufzeichnungsverfahrens veranschaulicht, Fig. 1 is a diagram illustrating the basic principle of magnetooptical recording method,

Fig. 2 eine Ansicht zur Erläuterung des Prinzips beim Lesen von Information bei einem magnetooptischen Aufzeichnungsverfahren, Fig. 2 is a view for explaining the principle in reading information in a magneto-optical recording method,

Fig. 3A ein Diagramm einer Mehrschichtstruktur eines Aufzeichnungsträgers, Fig. 3A is a diagram of a multilayer structure of a recording medium,

Fig. 3B ein Diagramm, welches die Magnetisierungsrichtung einer Aufzeichnungsschicht und einer Bezugsschicht veranschaulicht, Fig. 3B is a diagram illustrating the direction of magnetization of a recording layer and a reference layer,

Fig. 4 eine graphische Darstellung, die die Beziehung zwischen Koerzitivkraft und Temperatur verdeutlicht, Fig. 4 is a graph illustrating the relationship between coercive force and temperature,

Fig. 5 eine Ansicht von Änderungen in der Magnetisierungs­ richtung bei hohem Pegel, Fig. 5 is a view of changes in the magnetization direction at a high level,

Fig. 6 Änderungen der Magnetisierungsrichtung bei niedrigem Pegel, Fig. 6 changes the direction of magnetization at low level,

Fig. 7 Änderungsflüsse der Magnetisierungsrichtung gemäß Fig. 5 und 6 für Aufzeichnungsträger vom P- bzw. A-Typ, Fig. 7 flows change the magnetization direction according to Fig. 5 and 6 for record carriers of the P- or A-type

Fig. 8 eine Übersicht, gemäß der die Aufzeichnungsträgertypen gemäß der Erfindung in vier Quadranten klassifiziert sind, Fig. 8 is an overview, in accordance with the types of record carrier according to the invention are classified into four quadrants,

Fig. 9A-9D graphische Darstellungen der Beziehung zwischen der Koerzitivkraft und der Temperatur für Aufzeichnungsträger der Typen I bis IV, FIG. 9A-9D are graphical representations of the relationship between the coercive force and the temperature for recording media of types I to IV,

Fig. 10 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen Koerzitivkraft und Temperatur für einen Aufzeichnungsträger Nr. 1, Fig. 10 is a graph showing the relationship between coercive force and temperature for a recording medium Nos. 1,

Fig. 11 und 12 Diagramme, die Änderungen der Magnetisierungs­ richtung in Hoch- und Niedrigtemperaturzyklen bei einem Aufzeichnungsträger Nr. 1 zeigen, FIGS. 11 and 12 are graphs showing changes in magnetization direction in high- and low-temperature cycles of a recording medium no. 1 show

Fig. 13 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen Koerzitivkraft und Temperatur für einen Aufzeichnungsträger Nr. 2, Fig. 13 is a graph showing the relationship between coercive force and temperature for a recording medium no. 2,

Fig. 14 und 15 Diagramme, die die Änderungen der Magnetisierungs­ richtung in Hoch- und Niedrigtemperaturzyklen des Aufzeichnungsträgers Nr. 2 darstellen, FIGS. 14 and 15 are diagrams illustrating the changes in the magnetization direction No in high and low temperature cycles of the record carrier. 2,

Fig. 16 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen Koerzitivkraft und Temperatur für einen Aufzeichnungs­ träger Nr. 3, Fig. 16 is a graph showing the relationship between coercive force and temperature for a recording medium No. 3.

Fig. 17 und 18 Diagramme, die die Änderungen der Magnetisierungs­ richtung bei Hoch- und Niedrigtemperaturzyklen des Aufzeichnungsträgers Nr. 3 zeigen, FIGS. 17 and 18 diagrams changes direction of magnetization in high- and low-temperature cycles of the record carrier no. 3 show

Fig. 19 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen Koerzitivkraft und Temperatur eines Aufzeichnungs­ trägers Nr. 4, Fig. 19 is a graph showing the relationship between coercive force and temperature of a recording medium no. 4,

Fig. 20 und 21 Diagramme, die die Änderungen der Magnetisierungs­ richtung in Hoch- und Niedrigtemperaturzyklen des Aufzeichnungsträgers Nr. 4 zeigen, FIGS. 20 and 21 diagrams changes direction of magnetization in high- and low-temperature cycles of the record carrier no. 4 show,

Fig. 22 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen der Koerzitivkraft und der Temperatur für einen Aufzeichnungsträger Nr. 5, Fig. 22 is a graph showing the relationship between the coercive force and the temperature for a recording medium no. 5,

Fig. 23 und 24 Diagramme der Änderungen der Magnetisierungs­ richtung bei einem Hoch- und einem Niedrigtemperaturzyklus des Aufzeichnungsträgers Nr. 5, FIGS. 23 and 24 diagrams showing the changes of the magnetization direction of the recording medium No. at a high and a low-temperature cycle. 5,

Fig. 25 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen der Koerzitivkraft und der Temperatur eines Aufzeichnungsträgers Nr. 6, Fig. 25 is a graph showing the relationship between the coercivity and the temperature of a recording medium # 6.

Fig. 26 und 27 Diagramme der Änderungen der Magnetisierungs­ richtung bei einem Hoch- und einem Niedrigtemperaturzyklus des Aufzeichnungsträgers Nr. 6, FIGS. 26 and 27 diagrams showing the changes of the magnetization direction of the recording medium No. at a high and a low-temperature cycle. 6,

Fig. 28 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen der Koerzitivkraft und der Temperatur bei einem Aufzeichnungsträger Nr. 7, Fig. 28 is a graph showing the relationship between the coercive force and the temperature in a No. 7 recording medium.

Fig. 29 und 30 Diagramme der Änderungen der Magnetisierungs­ richtung bei einem Hoch- und einem Niedrigtemperaturzyklus des Aufzeichnungsträgers Nr. 7, FIGS. 29 and 30 diagrams showing the changes of the magnetization direction of the recording medium No. at a high and a low-temperature cycle. 7,

Fig. 31 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen der Koerzitivkraft und der Temperatur bei einem Aufzeichnungsträger Nr. 8, Fig. 31 is a graph showing the relationship between the coercivity and the temperature of a recording medium no. 8,

Fig. 32 und 33 Diagramme der Änderungen der Magnetisierungs­ richtung bei einem Hoch- und einem Niedrigtemperaturzyklus des Aufzeichnungsträgers Nr. 8, FIGS. 32 and 33 diagrams showing the changes of the magnetization direction of the recording medium No. at a high and a low-temperature cycle. 8,

Fig. 34 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen Koerzitivkraft und Temperatur bei einem Aufzeichnungsträger Nr. 9, Fig. 34 is a graph showing the relationship between coercive force and temperature on a recording medium no. 9,

Fig. 35 und 36 Diagramme der Änderungen der Magnetisierungs­ richtung bei einem Hoch- und einem Niedrigtemperaturzyklus des Aufzeichnungsträgers Nr. 9, FIGS. 35 and 36 diagrams showing the changes of the magnetization direction of the recording medium No. at a high and a low-temperature cycle. 9,

Fig. 37 eine Darstellung einer Mehrschichtstruktur eines Aufzeichnungsträgers gemäß einer Ausführungsform der Erfindung, Fig. 37 is an illustration of a multilayer structure of a recording medium according to an embodiment of the invention,

Fig. 38 ein schematisches Diagramm eines Aufbaus einer magnetooptischen Aufzeichnungsvorrichtung, Fig. 38 is a schematic diagram of a structure of a magneto-optical recording device,

Fig. 39 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen einer Dotierstoffmenge eines nicht-magnetischen Elements und einer Austausch-Koppelkraft w′ die zwischen den magnetischen Schichten wirkt, wenn das nicht-magnetische Element in eine Schicht eindotiert wird, die ein kleineres Produkt H _C · M _S aufweist, Fig. 39 is a graphical representation of the relationship between an amount of dopant of a non-magnetic element and an exchange coupling force w ' which acts between the magnetic layers when the non-magnetic element is doped into a layer having a smaller product H _C · M _S has

Fig. 40 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen einer Dotierstoffmenge eines nicht-magnetischen Elements und der Beziehung σ _w /H _C · M _S , wenn das nicht-magnetische Element in einer Schicht mit kleinerem Produkt H _C · M _S dotiert ist, Fig. 40 is a graph showing the relationship between an amount of dopant of a non-magnetic element and the relationship σ _w / H _C M · _S, when the non-magnetic element is doped in a layer with a smaller product H _C M · _S,

Fig. 41 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen einer Dotierstoffmenge eines nicht-magnetischen Elements und einer Austausch-Koppelkraft σ _w , die zwischen den magnetischen Schichten wirkt, wenn das nicht-magnetische Element in eine Schicht eindotiert ist, die ein größeres Produkt H _C · M _S aufweist, Shows a graph showing the relationship _w. 41 between a dopant of a non-magnetic element and an exchange-coupling force σ acting between the magnetic layers, when the non-magnetic element is doped into a layer containing a larger product H _C · M _S has

Fig. 42 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen der Dotierstoffmenge eines nicht-magnetischen Elements und der Beziehung σ _w /H _C · M _S , wenn das nicht-magnetische Element in eine Schicht dotiert ist, die ein größeres Produkt H _C · M _S aufweist, und Figure 42 σ. A graph showing the relationship between the amount of dopant of a non-magnetic element and the relation of _w / H _C · M _S, when the non-magnetic element is doped in a layer having a larger product H _C · M _S , and

Fig. 43 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen einer Dotierstoffmenge eines nicht-magnetischen Elements und einer Austausch-Koppelkraft σ _w , die zwischen den magnetischen Schichten wirkt, wenn das nicht-magnetische Element sowohl in die erste als auch in die zweite Schicht eindotiert ist. Fig. 43 is a graph showing the relationship between an amount of dopant of a non-magnetic element and an exchange-coupling force σ _W, which acts between the magnetic layers, when the non-magnetic element is doped both in the first and in the second layer.

Bezugsbeispiel 1Reference Example 1

Unter Verwendung einer Dreielement-HF-(Hochfrequenz-)Magnetron- Zerstäubungsapparatur wurde ein scheibenförmiges Glassubstrat mit einer Dicke von 1,2 mm und einem Durchmesser von 200 mm in einer Vakuumkammer der Apparatur bearbeitet.Using a three element RF (radio frequency) magnetron Atomizing apparatus became a disc-shaped glass substrate with a thickness of 1.2 mm and a diameter of 200 mm processed in a vacuum chamber of the apparatus.

Nachdem die Vakuumkammer vorübergehend auf 5 × 10^-5 Pa evakuiert worden war, wurde Ar-Gas in die Kammer eingeleitet, und es erfolgte ein Zerstäubungsvorgang bei einer Schicht­ bildungsgeschwindigkeit von etwa 0,3 nm/sec, wobei ein Ar- Gas-Druck von 2 × 10^-1 Pa aufrechterhalten wurde.After the vacuum chamber was temporarily evacuated to 5 × 10 ^-5 Pa, Ar gas was introduced into the chamber, and atomization was carried out at a film formation rate of about 0.3 nm / sec, with an Ar gas pressure of 2 × 10 ^-1 Pa was maintained.

Als erstes Target zur Bildung einer ersten Schicht (Aufzeichnungs­ schicht), die eine senkrecht-magnetische Schicht mit einer Schichtdicke t₁ = 50 nm auf dem Substrat aufwies, wurde eine Tb₂₀Fe₈₀-Legierung verwendet (Anmerkung: Die Ziffernangaben bedeuten Atomprozent-Einheiten).A Tb₂₀Fe₈₀ alloy was used as the first target to form a first layer (recording layer) which had a perpendicular magnetic layer with a layer thickness t ₁ = 50 nm on the substrate (note: the numerals mean atomic percent units).

Anschließend wurde ein gemeinsames Aufstäuben durchgeführt mit einer Dy₂₈Fe_50,4Co_21,6-Legierung und Si als nicht- magnetisches Element als Targets, während ein Vakuum beibehalten wurde, so daß eine zweite Schicht (Bezugsschicht) auf der ersten Schicht gebildet wurde, wobei die zweite Schicht eine senkrecht magnetische DyFeCoSi-Schicht mit einer Schichtdicke t₂ = 50 nm war.Subsequently, sputtering was carried out with a Dy₂₈Fe _50.4 Co _21.6 alloy and Si as a non-magnetic element as targets while maintaining a vacuum so that a second layer (reference layer) was formed on the first layer, whereby the second layer was a perpendicular magnetic DyFeCoSi layer with a layer thickness t ₂ = 50 nm.

Durch Ändern der an das Si-Target gelegten elektrischen Leistung wurden verschiedene zweischichtige magneto­ optische Aufzeichnungsträger (Fig. 37) mit unterschiedlichen Si-Dotieranteilen in der zweiten Schicht hergestellt. Das Produkt H _C · M _S und die Austausch-Koppelkraft σ _w der ersten Schicht sowie das Produkt H _C · M _S der zweiten Schicht wurden für jeden hergestellten Aufzeichnungsträger gemessen, und die Beziehung zwischen σ _w und dem Produkt H _C · M _S einerseits und der Si-Dotierstoffmenge in der zweiten Schicht wurde untersucht. Die Untersuchungsergebnisse sind in den Fig. 39 und 40 dargestellt. Die Fig. 39 und 40 zeigen außerdem Ergebnisse, die mit dem Dotierstoff Ge anstelle von Si erhalten wurden.By changing the electrical power applied to the Si target, different two-layer magneto-optical recording media ( FIG. 37) with different Si doping proportions were produced in the second layer. The product H _C · M _S and the exchange coupling force σ _{w of} the first layer and the product H _C · M _{S of} the second layer were measured for each recording medium produced, and the relationship between σ _w and the product H _C · M _S on the one hand and the amount of Si dopant in the second layer was examined. The examination results are shown in FIGS. 39 and 40. The Figs. 39 and 40 also show results obtained with the dopant instead of Ge were obtained from Si.

Ein Ergebnis: Wurde kein Element eindotiert, betrug das Produkt H _C · M _S der ersten Schicht 200 000, und das der zweiten Schicht 150 000. Bei diesem Beispiel war das Element in die Schicht mit dem kleineren Produkt H _C · M _S eindotiert.One result: If no element was doped, the product H _C · M _{S of} the first layer was 200,000 and that of the second layer was 150,000. In this example, the element was doped into the layer with the smaller product H _C · M _S.

Wie in Fig. 40 gezeigt ist, nimmt σ _w /H _C · M _S fast nicht zu, wenn das nicht-magnetische Element dotiert ist. Obschon also die Schichtdicke t₂ der zweiten Schicht entsprechend Formel 57A nicht verringert werden kann, läßt sich die Schichtdicke t₁ der ersten Schicht entsprechend Formel 56A verkleinern, da der Wert σ _w abnimmt, wenn das nicht- magnetische Element eindotiert ist, wie aus Fig. 39 hervorgeht. Ein Ergebnis besteht darin, daß die Gesamtschichtdicke t₁₂ verringert werden kann. As shown in Fig. 40, σ _w / H _C · M _S almost does not increase when the non-magnetic element is doped. Thus, although the layer thickness t ₂ of the second layer according to formula 57A cannot be reduced, the layer thickness t ₁ of the first layer can be reduced according to formula 56A, since the value σ _w decreases when the non-magnetic element is doped, as shown in Fig evident.. 39 One result is that the total layer thickness t ₁₂ can be reduced.

Bezugsbeispiel 2Reference Example 2

In die erste Schicht wurde Si oder Ge eindotiert, während in die zweite Schicht kein nicht-magnetisches Element eindotiert wurde, um magnetooptische Aufzeichnungsträger mit Zweischicht­ struktur und unterschiedlichen Dotierungsstärken zu erhalten. Die Herstellung erfolgte unter den gleichen Bedingungen wie beim Beispiel 1.Si or Ge was doped in the first layer, while in the second layer doped no non-magnetic element was used to make two-layer magneto-optical recording media structure and different doping levels. The production was carried out under the same conditions as in example 1.

Das Produkt H _C · M _S und die Austausch-Koppelkraft σ _w der zweiten Schicht sowie das Produkt H _C · M _S der ersten Schicht jedes Aufzeichnungsträgers wurden gemessen. Die Beziehung zwischen σ _w und dem Produkt H _C · M _S einerseits und der Dotier­ stoffmenge in der ersten Schicht wurde untersucht. Die Ergebnisse sind in den Fig. 41 und 42 dargestellt.The product H _C · M _S and the exchange coupling force σ _{w of} the second layer and the product H _C · M _{S of} the first layer of each recording medium were measured. The relationship between σ _w and the product H _C · M _S on the one hand and the amount of dopant in the first layer was examined. The results are shown in Figs. 41 and 42.

Ein Ergebnis: Wurde kein Element dotiert, betrug das Produkt H _C · M _S der ersten Schicht 200 000, dasjenige der zweiten Schicht 150 000. Bei diesem Beispiel wurde das Element in die Schicht mit dem größeren Produkt H _C · M _S eindotiert.One result: If no element was doped, the product H _C · M _{S of} the first layer was 200,000, that of the second layer 150,000. In this example, the element was doped into the layer with the larger product H _C · M _S.

Wie aus Fig. 42 hervorgeht, wird bei Dotierung des nicht- magnetischen Elements der Wert σ _w /H _C · M _S spürbar erhöht. Aus diesem Grund muß die Schichtdicke t₁ der ersten Schicht entsprechend Formel 56A beträchtlich vergrößert werden. Da, wie Fig. 41 zeigt, der Wert σ _w abnimmt, wenn das nicht- magnetische Element eindotiert ist, kann die Schichtdicke t₂ der zweiten Schicht entsprechend Formel 57A verringert werden. As can be seen from FIG. 42, the value σ _w / H _C · M _{S is} noticeably increased when the non-magnetic element is doped. For this reason, the layer thickness t ₁ of the first layer according to formula 56A must be increased considerably. Since, as shown in FIG. 41, the value σ _w decreases when the non-magnetic element is doped, the layer thickness t ₂ of the second layer can be reduced according to formula 57A.

Allerdings kann die Abnahme der Dicke der zweiten Schicht nicht eine Zunahme der Dicke der ersten Schicht übersteigen, so daß die Gesamtschichtdicke t₁₂ nicht kleiner gemacht werden kann als vor dem Dotieren.However, the decrease in the thickness of the second layer cannot exceed an increase in the thickness of the first layer, so that the total layer thickness t ₁₂ cannot be made smaller than before doping.

Bezugsbeispiel 3Reference example 3

In sowohl die erste als auch die zweite Schicht wurde die gleiche Menge Si oder Ge eindotiert, um zweischichtige magnetooptische Aufzeichnungsträger mit unterschiedlichen Dotierungsmengen unter den gleichen Bedingungen herzustellen wie im Bezugsbeispiel 1.In both the first and second layers, the equal amount of Si or Ge doped to two-layer magneto-optical recording media with different To produce doping amounts under the same conditions as in reference example 1.

Die Austausch-Koppelkraft σ _w und die Produkte H _C · M _S der ersten und der zweiten Schicht jedes Aufzeichnungsträgers wurden gemessen, und die Beziehung zwischen σ _w und dem Produkt H _C · M _S einerseits und der Dotierstoffmenge der ersten Schicht wurde untersucht. Die Ergebnisse sind in Fig. 43 dargestellt.The exchange coupling force σ _w and the products H _C · M _{S of} the first and second layers of each recording medium were measured, and the relationship between σ _w and the product H _C · M _S on the one hand and the amount of dopant in the first layer was examined. The results are shown in Fig. 43.

Da in diesem Fall für die erste Schicht der Wert σ _w /H _C · M _S erhöht wurde, wie Fig. 42 zeigt, muß die Schichtdicke t₁ beträchtlich heraufgesetzt werden. Da bei der zweiten Schicht der Wert σ _w /H _C · M _S praktisch keine Zunahme erfährt, wie in Fig. 40 zu sehen ist, kann die Schichtdicke t₂ nicht verringert werden. Folglich muß die Gesamtschichtdicke t₁₂ größer gemacht werden als beim Bezugsbeispiel 2. Since in this case the value σ _w / H _C · M _{S was} increased for the first layer, as shown in FIG. 42, the layer thickness t ₁ must be increased considerably. Since the value σ _w / H _C · M _S experiences practically no increase in the second layer, as can be seen in FIG. 40, the layer thickness t ₂ cannot be reduced. Consequently, the total layer thickness t ₁₂ must be made larger than in Reference Example 2.

Beispielexample

Nach dem gleichen Verfahren wie im Bezugsbeispiel 1 wurde auf einem Substrat mit Hilfe einer HF-Magnetron-Zerstäubungsapparatur eine erste Schicht (die Aufzeichnungsschicht) mit einem senkrecht magnetischen Tb₈₀Fe₂₀-Film mit einer Schichtdicke t₁ = 50 nm gebildet. Das Produkt H _C · M _S der ersten Schicht betrug 200 000.According to the same method as in Reference Example 1, a first layer (the recording layer) with a perpendicular magnetic Tb₈₀Fe₂₀ film with a layer thickness t ₁ = 50 nm was formed on a substrate with the aid of an HF magnetron sputtering apparatus. The product H _C · M _{S of} the first layer was 200,000.

Anschließend wurde auf der ersten Schicht unter Vakuum eine zweite Schicht (Bezugsschicht) mit einem senkrecht magnetischen (Dy₂₈Fe_46,8Co_25,2)_96,5Si_3,5-Film mit einer Schichtdicke von t₂ = 100 nm gebildet. Das Produkt H _C · M _S der Magnetschicht der Zusammensetzung für die zweite Schicht ohne das Si betrug 150 000.Subsequently, a second layer (reference layer) with a perpendicular magnetic (Dy₂₈Fe _46.8 Co _25.2 ) _96.5 Si _3.5 film with a layer thickness of t ₂ = 100 nm was formed on the first layer under vacuum. The product H _C · M _{S of} the magnetic layer of the composition for the second layer without the Si was 150,000.

In der nachstehenden Tabelle 2 sind die magnetischen Kennwerte eines zweischichtigen magnetooptischen Aufzeichnungsträgers angegeben, der in der genannten Weise hergestellt wurde und zur Klasse 8 gehört (A-Typ, Quadrant IV, Typ 2). Table 2 below shows the magnetic characteristics of a two-layer magneto-optical recording medium specified, which is produced in the manner mentioned was and belongs to class 8 (A-type, Quadrant IV, type 2).  

Tabelle 2 Table 2

Da dieser Aufzeichnungsträger zur Klasse 8 gehört, sind die Bedingungen, die der Aufzeichnungsträger bei Zimmertemperatur erfüllen sollte, folgende:Since this record carrier belongs to class 8, the Conditions that the record carrier at room temperature should meet the following:

Bei Berechnung der Formeln 58 bis 60 ergibt sich:When formulas 58 to 60 are calculated:

Formel 58: linke Seite = 5000 < rechte Seite = 4788
Formel 59: linke Seite = 5000 < rechte Seite = 4688
Formel 60: linke Seite = 720 < rechte Seite =  620.Formula 58: left side = 5000 <right side = 4788
Formula 59: left side = 5000 <right side = 4688
Formula 60: left side = 720 <right side = 620.

Damit sind die einzelnen Formel-Bedingungen erfüllt. The individual formula conditions are thus fulfilled.  

Für Formel 61 gilt:The following applies to Formula 61:

linke Seite = 40 < |Hini.| < rechte Seite = 9,688.left side = 40 <| Hini. | <right side = 9.688.

Damit läßt sich die Bedingung nach Formel 61 beispielsweise mit Hini = 2000 Oe erfüllen.The condition according to formula 61 can thus be met, for example, with Hini = 2000 Oe.

Damit kann dieser Aufzeichnungsträger einen Überschreib­ vorgang gemäß der Erfindung nach der älteren Anmeldung durchführen.This means that this record carrier can be overwritten operation according to the invention after the earlier application carry out.

VergleichsbeispielComparative example

Zu Vergleichszwecken wurde ein zweischichtiger magnetooptischer Aufzeichnungsträger nach dem Verfahren des obigen Beispiels hergestellt, mit der Ausnahme, daß kein nicht- magnetisches Element eindotiert wurde.A two-layer magneto-optical was used for comparison purposes Recording medium according to the procedure of the above Example, except that no non- magnetic element was doped.

Die magnetischen Kennwerte dieses Aufzeichnungsträgers sind in der nachstehenden Tabelle 3 zusammengefaßt. The magnetic characteristics of this record carrier are summarized in Table 3 below.  

Tabelle 3 Table 3

Bei Ausrechnen der Formeln 58 bis 60 wie im obigen Beispiel ergab sich:When calculating formulas 58 to 60 as in the example above arose:

(a) Formel 58: linke Seite = 5000 < rechte Seite = 8619
(b) Formel 59: linke Seite = 5000 < rechte Seite = 8437
(c) Formel 60: linke Seite = 1000 < rechte Seite = 818.(a) Formula 58: left side = 5000 <right side = 8619
(b) Formula 59: left side = 5000 <right side = 8437
(c) Formula 60: left side = 1000 <right side = 818.

Damit lassen sich die Bedingungen nach den Formeln 58 und 59 nicht erfüllen.This allows the conditions according to formulas 58 and 59 not meet.

Daher ist es mit einem solchen Aufzeichnungsträger nicht möglich, lediglich die zweite Schicht zu initialisieren, ohne dabei die erste Schicht zu beeinflussen, und mithin ist ein Überschreiben nicht möglich.Therefore it is not with such a record carrier possible to initialize only the second layer without to influence the first layer, and therefore there is a Cannot overwrite.

Um ein Überschreiben mit einem solchen magnetischen Material zu ermöglichen, müßte die Schichtdicke t₁ größer als 675 Å gemacht werden, um der Formel 59 zu genügen, während die Schichtdicke t₂ größer als 687 Å sein müßte, um der Formel 58 zu genügen. Damit erhöhte sich die Gesamtschichtdicke t₁₂ auf das 1,2fache oder einen noch höheren Wert der Schichtdicke gemäß dem Beispiel (≈ (687 + 1100) : (400 + 1100).In order to enable overwriting with such a magnetic material, the layer thickness t ₁ would have to be made greater than 675 Å to satisfy Formula 59, while the layer thickness t ₂ would have to be greater than 687 Å to satisfy Formula 58. Thus, the total layer thickness t ₁₂ increased to 1.2 times or an even higher value of the layer thickness according to the example (≈ (687 + 1100): (400 + 1100).

Bezugsbeispiel 4Reference example 4

Magnetooptisches Aufzeichnungsgerät zum Überschreiben.Magneto-optical recording device for overwriting.

Diese Apparatur wird ausschließlich zum Aufzeichnen verwendet. Fig. 38 zeigt den Gesamtaufbau. This equipment is used exclusively for recording. Fig. 38 shows the overall structure.

Das Gerät umfaßt grundsätzlich:
eine Antriebseinheit 21 zum Drehen eines Aufzeichnungs­ trägers 20,
eine Laserstrahlquelle 23,
einen Modulator 24, mit welchem die Strahlintensität nach Maßgabe aufzuzeichnender Binärinformation pulsmoduliert wird zwischen (1) einem hohen Pegel für eine gegebene Auf­ zeichnungsträgertemperatur T _L , geeignet zum Ausbilden eines Bits mit Aufwärtsmagnetisierung oder eines Bits mit Abwärts­ magnetisierung, und (2) einem niedrigen Pegel, mit dem eine Aufzeichnungsträgertemperatur T _H erreicht wird, die sich für das übrige Bit eignet.The device basically includes:
a drive unit 21 for rotating a recording medium 20 ,
a laser beam source 23 ,
a modulator 24 , with which the beam intensity is pulse-modulated in accordance with the binary information to be recorded, between (1) a high level for a given recording medium temperature T _L , suitable for forming a bit with upward magnetization or a bit with downward magnetization, and (2) a low level with which a recording medium temperature T _{H is} reached which is suitable for the remaining bit.

Außerdem ist eine Einrichtung 22 zum Anlegen eines magnetischen Initialisierungs- oder Anfangsfeldes Hini und eines magnetischen Aufzeichnungsfeldes Hb vorgesehen. Means 22 are also provided for applying a magnetic initialization or initial field Hini and a magnetic recording field Hb .

Als Einrichtung 22 wird ein Permanentmagnet mit Hb = Hini = 2000 Oe und ein "A-gerichtetes" ↑ Magnetfeld verwendet. Der Permanentmagnet 22 hat Stabform und seine Länge entspricht dem Radius des scheibenförmigen Aufzeichnungsträgers 20. Der Permanentmagnet 22 wird an dem Gerät fixiert, und er wird nicht zusammen mit einem die Lichtquelle 23 enthaltenden Aufnehmer bewegt. A permanent magnet with Hb = Hini = 2000 Oe and an "A-directed" ↑ magnetic field are used as device 22 . The permanent magnet 22 has a rod shape and its length corresponds to the radius of the disk-shaped recording medium 20 . The permanent magnet 22 is fixed to the device and is not moved together with a sensor containing the light source 23 .

Bezugsbeispiel 5Reference Example 5 Magnetisches Aufzeichnen mit ÜberschreibenMagnetic recording with overwriting

Unter Verwendung der in Fig. 38 gezeigten und oben beschriebenen Aufzeichnungsapparatur gemäß Bezugsbeispiel 4 wurde das magnetooptische Aufzeichnen durchgeführt. Der Aufzeichnungsträger (Klasse 8) 20 nach dem Beispiel wurde mit einer konstanten Lineargeschwindigkeit von 8,5 m/sec von der Treibereinrichtung 21 gedreht. Ein Laserstrahl wurde auf den Aufzeichnungsträger 20 gelenkt. Der Strahl wurde von dem Modulator 28 so eingestellt, daß er (auf der Platte) eine Ausgangsleistung 8,0 mW bei hohem Pegel und (ebenfalls auf der Platte) eine Ausgangsleistung von 4,4 mW bei niedrigem Pegel hatte. Der Strahl wurde von dem Modulator 24 entsprechend der aufzuzeichnenden Information puls­ moduliert. Die aufzuzeichnende Information war ein 1-MHz- Signal. Deshalb wurde der Strahl auf den Aufzeichnungsträger 20 gelenkt, während er bei einer Frequenz von 1 MHz moduliert wurde. Demzufolge war ein Signal von 1 MHz aufzuzeichnen. Bei der Wiedergabe der aufgezeichneten Information durch ein separates magnetooptisches Wiedergabegerät betrug der Rauschabstand (C/N-Verhältnis) 55 dB, und es wurde bestätigt, daß die Information aufgezeichnet worden war.Using the recording apparatus shown in Fig. 38 and described above according to Reference Example 4, the magneto-optical recording was carried out. The recording medium (class 8) 20 according to the example was rotated by the driver device 21 at a constant linear speed of 8.5 m / sec. A laser beam was directed onto the recording medium 20 . The beam was adjusted by modulator 28 to have an 8.0 mW high level output (on the plate) and an 4.4 mW low level output (also on the plate). The beam was pulsed by the modulator 24 in accordance with the information to be recorded. The information to be recorded was a 1 MHz signal. Therefore, the beam was directed onto the record carrier 20 while being modulated at a frequency of 1 MHz. As a result, a signal of 1 MHz had to be recorded. When the recorded information was reproduced by a separate magneto-optical reproducing apparatus, the signal-to-noise ratio (C / N ratio) was 55 dB, and it was confirmed that the information had been recorded.

Dann wurde in den bereits beschriebenen Bereich des Auf­ zeichnungsträgers 20 ein 2-MHz-Signal als neue Information eingeschrieben. Als diese Information in ähnlicher Weise wiedergegeben wurde, wurde diese neue Information mit einem Rauschabstand (C/N-Verhältnis) von 53 dB wiedergegeben. In diesem Fall betrug die Fehlerrate 10^-5 bis 10^-6. Es erschien überhaupt kein 1-MHz-Signal (also die frühere Information).Then a 2 MHz signal was written into the already described area of the record carrier 20 as new information. When this information was reproduced in a similar manner, this new information was reproduced with a signal-to-noise ratio (C / N ratio) of 53 dB. In this case the error rate was 10 ^-5 to 10 ^-6 . No 1 MHz signal appeared at all (i.e. the earlier information).

Es wurde also bestätigt, daß ein Überschreiben möglich ist.So it was confirmed that overwriting is possible.

Unter den oben beschriebenen Bedingungen erreichte die Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei T _H den Wert 200°C bei hohem Pegel und den Wert T _L = 120°C bei niedrigem Pegel.Under the conditions described above, the temperature of the recording medium at T _H reached 200 ° C at high level and T _L = 120 ° C at low level.

Wurde diese Information in ähnlicher Weise auf dem Aufzeichnungsträger nach dem Vergleichsbeispiel aufgezeichnet, ließ sich kein Überschreiben durchführen.This information was similarly posted on the Recording medium recorded according to the comparative example, could not be overwritten.

Claims (16)

1. Überschreibbarer, magnetooptischer Aufzeichnungsträger, gekennzeichnet durch einen Aufbau aus:

• - einem Substrat,
• - einem magnetischen Film mit einer ersten und einer zweiten Schicht, die auf dem Substrat übereinander geschichtet sind und senkrechte magnetische Anisotropie besitzen, und
• - mit einem nicht-magnetischen Element, das in diejenige der Schichten eindotiert ist, deren Produkt aus magnetischem Sättigungsmoment M _S und Koerzitivkraft H _C kleiner ist, um eine zwischen der ersten und der zweiten Schicht wirkende Austausch-Koppelkraft σ _w auf einen vorbestimmten Wert zu steuern.

1. Overwritable, magneto-optical recording medium, characterized by a structure of:

• - a substrate,
• a magnetic film with a first and a second layer, which are stacked on the substrate and have perpendicular magnetic anisotropy, and
• with a non-magnetic element that is doped into that of the layers, the product of the magnetic saturation moment M _S and the coercive force H _{C is} smaller, in order to increase an exchange coupling force σ _w acting between the first and the second layer to a predetermined value Taxes.

2. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 1, bei dem die Dotierstoffmenge des nicht-magnetischen Elements mindestens 0,5 Atom-% beträgt. 2. Record carrier according to claim 1, wherein the amount of dopant of the non-magnetic element at least 0.5 atomic% is.   3. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 1 oder 2, bei dem das nicht-magnetische Element ein Element ist, welches aus der Gruppe Si, Ge, Ti, Cr, Cu und In ausgewählt ist.3. Record carrier according to claim 1 or 2, in which the non-magnetic element is an element which consists of the Group Si, Ge, Ti, Cr, Cu and In is selected. 4. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 1, bei dem, wenn eine der Aufwärts- und Abwärts-Richtungen bezüglich des Auf­ zeichnungsträgers durch "A-Richtung" und die andere Richtung durch "Nicht-A-Richtung" dargestellt wird,
lediglich eine Magnetisierung der zweiten Schicht durch ein Anfangsfeld Hini unmittelbar vor der Aufzeichnung in der "A-Richtung" ausgerichtet ist, und
in einem Abschnitt des Aufzeichnungsträgers, der mit einem Laserstrahl hoher Energie bestrahlt wird, eine "A-gerichtete" Magnetisierung der zweiten Schicht umgekehrt wird in eine "nicht-A-gerichtete" Magnetisierung mittels eines magnetischen Aufzeichnungsbildes, und ein Bit mit der "nicht-A-gerichteten" oder der "A-gerichteten" Magnetisierung in der ersten Schicht erzeugt wird durch die "nicht-A-gerichtete" Magnetisierung der zweiten Schicht, und in einem Abschnitt des Aufzeichnungsträgers, der mit einem Laserstrahl geringer Energie bestrahlt wird, ein Bit mit der "A-gerichteten" oder der "nicht-A- gerichteten" Magnetisierung in der ersten Schicht gebildet wird durch die "A-gerichtete" Magnetisierung der zweiten Schicht.4. A recording medium according to claim 1, wherein when one of the upward and downward directions with respect to the recording medium is represented by "A direction" and the other direction is represented by "non-A direction",
only a magnetization of the second layer is oriented in the "A direction" by an initial field Hini immediately before the recording, and
in a section of the recording medium which is irradiated with a high-energy laser beam, an "A-directed" magnetization of the second layer is reversed into "non-A-directed" magnetization by means of a magnetic recording image, and a bit with the "non- A-directional "or" A-directional "magnetization in the first layer is generated by the" non-A-directional "magnetization of the second layer, and a bit in a portion of the record carrier that is irradiated with a low energy laser beam with the "A-directed" or the "non-A-directed" magnetization in the first layer is formed by the "A-directed" magnetization in the second layer. 5. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 4, bei dem die erste Schicht eine magnetische Dünnschicht mit hoher Koerzitivkraft und niedrigem Curie-Punkt bei Zimmertemperatur aufweist, während die zweite Schicht eine magnetische Dünnschicht mit relativ niedriger Koerzitivkraft und hohem Curie-Punkt bei Zimmer­ temperatur aufweist.5. Record carrier according to claim 4, wherein the first layer a magnetic thin film with high coercive force and  has low Curie point at room temperature while the second layer is a magnetic thin film with relative low coercivity and high Curie point in Zimmer temperature. 6. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 4, bei dem, wenn eine Temperatur, bei der die erste Schicht magnetisch mit der zweiten Schicht gekoppelt ist, mit T _S ₁ bezeichnet wird, und eine Temperatur, bei der die zweite Schicht durch das magnetische Aufzeichnungsfeld umgekehrt wird, mit T _S ₂ bezeichnet wird, die erste Schicht bei Zimmertemperatur eine hohe Koerzitiv­ kraft besitzt, die zweite Schicht bei Zimmertemperatur eine niedrige Koerzitivkraft besitzt und die Beziehung T _S ₁ < T _S ₂ gilt.6. The recording medium according to claim 4, wherein when a temperature at which the first layer is magnetically coupled to the second layer is denoted by T _S ₁ and a temperature at which the second layer is reversed by the magnetic recording field, is denoted by T _S ₂, the first layer has a high coercive force at room temperature, the second layer has a low coercive force at room temperature and the relationship T _S ₁ < T _S ₂ applies. 7. Aufzeichnungsträger nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und die zweite Schicht jeweils aus einer Übergangsmetall-Schwere-Seltene-Erden-Legierung besteht.7. Record carrier according to one of claims 1 to 6, characterized in that the first and second layers each consist of one Transition metal heavy rare earth alloy. 8. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 7, bei dem die erste Schicht eine seltene-Erden-reiche Übergangsmetall-Schwere-Seltene- Erden-Legierung mit einer Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und einem Curie-Punkt aufweist, während die zweite Schicht eine seltene-Erden-reiche Übergangsmetall- Schwere-Seltene-Erden-Legierung mit einer Kompensations­ temperatur zwischen Zimmertemperatur und einem Curie-Punkt aufweist, wobei der Aufzeichnungsträger folgender Bedingung genügt: T _R < T _comp. ₁ < T _C ₁ ≈ T _L ≈ T _comp. ₂ < T _C ₂ ≈ T _H (1)und bei Zimmertemperatur folgenden Bedingungen entspricht: wobeiT _R : Zimmertemperatur
T _comp. ₁: Kompensationstemperatur der 1. Schicht
T _comp. ₂: Kompensationstemperatur der 2. Schicht
T _C ₁: Curie-Punkt der 1. Schicht
T _C ₂: Curie-Punkt der 2. Schicht
T _L : Trägertemperatur bei Bestrahlung mit Laserstrahl geringer Leistung
T _H : Trägertemperatur bei Bestrahlung mit Laserstrahl hoher Leistung
H _C ₁: Koerzitivkraft der 1. Schicht
H _C ₂: Koerzitivkraft der 2. Schicht
M _S ₁: magnetisches Sättigungsmoment der 1. Schicht
M _S ₂: magnetisches Sättigungsmoment der 2. Schicht
t₁: Schichtdicke der 1. Schicht
t₂: Schichtdicke der 2. Schicht
σ _w : Austausch-Koppelkraft
Hini: Anfangsfeld.8. The record carrier of claim 7, wherein the first layer comprises a rare earth-rich transition metal-heavy-rare earth alloy with a compensation temperature between room temperature and a Curie point, while the second layer comprises a rare earth-rich transition metal - Heavy-rare earth alloy with a compensation temperature between room temperature and a Curie point, the record _{carrier satisfying the} following condition: T _R < T _comp. ₁ < T _C ₁ ≈ T _L ≈ T _comp. ₂ < T _C ₂ ≈ T _H (1) and at room temperature corresponds to the following conditions: where T _R : room temperature
T _comp. ₁: compensation temperature of the 1st layer
T _comp. ₂: compensation temperature of the 2nd layer
T _C ₁: Curie point of the 1st layer
T _C ₂: Curie point of the 2nd layer
T _L : carrier temperature when irradiated with low power laser beam
T _H : carrier temperature when irradiated with high power laser beam
H _C ₁: Coercive force of the 1st layer
H _C ₂: Coercive force of the 2nd layer
M _S ₁: magnetic saturation moment of the 1st layer
M _S ₂: magnetic saturation moment of the 2nd layer
t ₁: layer thickness of the 1st layer
t ₂: layer thickness of the second layer
σ _w : exchange coupling force
Hini: Starting field . 9. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 7, bei dem die erste Schicht eine seltene-Erden-reiche Übergangsmetall-Schwere-Seltene-Erden- Legierung aufweist, die nicht eine Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und einem Curie-Punkt besitzt, während die zweite Schicht eine seltene-Erden-reiche Übergangsmetall-Schwere-Seltene-Erden-Legierung mit einer Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und einem Curie-Punkt aufweist, wobei der Aufzeichnungsträger folgender Bedingung genügt: T _R < T _{C 1} ≈ T _L ≈ T _comp. ₂ < T _C ₂ ≈ T _H (1)sowie bei Zimmertemperatur folgenden Bedingungen genügt: wobeiT _R : Zimmertemperatur
T _comp. ₂: Kompensationstemperatur der 2. Schicht
T _C ₁: Curie-Punkt der 1. Schicht
T _C ₂: Curie-Punkt der 2. Schicht
T _L : Trägertemperatur bei Bestrahlung mit Laserstrahl geringer Leistung
T _H : Trägertemperatur bei Bestrahlung mit Laserstrahl hoher Leistung
H _C ₁: Koerzitivkraft der 1. Schicht
H _C ₂: Koerzitivkraft der 2. Schicht
M _S ₁: magnetisches Sättigungsmoment der 1. Schicht
M _S ₂: magnetisches Sättigungsmoment der 2. Schicht
t₁: Schichtdicke der 1. Schicht
t₂: Schichtdicke der 2. Schicht
σ _w : Austausch-Koppelkraft
Hini: Anfangsfeld.9. The record carrier of claim 7, wherein the first layer comprises a rare earth-rich transition metal-heavy rare earth alloy that does not have a compensation temperature between room temperature and a Curie point, while the second layer contains a rare earth -have a transition metal-heavy-rare earth alloy with a compensation temperature between room temperature and a Curie point, the recording medium satisfying the following condition: T _R < T _{C 1} ≈ T _L ≈ T _comp. ₂ < T _C ₂ ≈ T _H (1) and at room temperature the following conditions are sufficient: where T _R : room temperature
T _comp. ₂: compensation temperature of the 2nd layer
T _C ₁: Curie point of the 1st layer
T _C ₂: Curie point of the 2nd layer
T _L : carrier temperature when irradiated with low power laser beam
T _H : carrier temperature when irradiated with high power laser beam
H _C ₁: Coercive force of the 1st layer
H _C ₂: Coercive force of the 2nd layer
M _S ₁: magnetic saturation moment of the 1st layer
M _S ₂: magnetic saturation moment of the 2nd layer
t ₁: layer thickness of the 1st layer
t ₂: layer thickness of the second layer
σ _w : exchange coupling force
Hini: Starting field . 10. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 7, bei dem die erste Schicht eine seltene-Erden-reiche Übergangsmetall-Schwere-Seltene- Erden-Legierung mit einer Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und einem Curie-Punkt aufweist, während die zweite Schicht eine seltene-Erden-reiche Übergangsmetall- Schwere-Seltene-Erden-Legierung aufweist, die nicht eine Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und einem Curie-Punkt besitzt, wobei der Aufzeichnungsträger folgender Bedingung genügt: T _R < T _comp. ₁ < T _C ₁ ≈ T _L < T _C ₂ ≈ T _H (1)sowie bei Zimmertemperatur den folgenden Bedingungen genügt: wobeiT _R : Zimmertemperatur
T _comp. ₁: Kompensationstemperatur der 1. Schicht
T _C ₁: Curie-Punkt der 1. Schicht
T _C ₂: Curie-Punkt der 2. Schicht
T _L : Trägertemperatur bei Bestrahlung mit Laserstrahl geringer Leistung
T _H : Trägertemperatur bei Bestrahlung mit Laserstrahl hoher Leistung
H _C ₁: Koerzitivkraft der 1. Schicht
H _C ₂: Koerzitivkraft der 2. Schicht
M _S ₁: magnetisches Sättigungsmoment der 1. Schicht
M _S ₂: magnetisches Sättigungsmoment der 2. Schicht
t₁: Schichtdicke der 1. Schicht
t₂: Schichtdicke der 2. Schicht
σ _w : Austausch-Koppelkraft
Hini: Anfangsfeld.10. The record carrier of claim 7, wherein the first layer comprises a rare earth-rich transition metal-heavy-rare earth alloy with a compensation temperature between room temperature and a Curie point, while the second layer comprises a rare earth-rich transition metal - Heavy-rare earth alloy, which does not have a compensation temperature between room temperature and a Curie point, the record _{carrier satisfying the} following condition: T _R < T _comp. ₁ < T _C ₁ ≈ T _L < T _C ₂ ≈ T _H (1) and at room temperature the following conditions are sufficient: where T _R : room temperature
T _comp. ₁: compensation temperature of the 1st layer
T _C ₁: Curie point of the 1st layer
T _C ₂: Curie point of the 2nd layer
T _L : carrier temperature when irradiated with low power laser beam
T _H : carrier temperature when irradiated with high power laser beam
H _C ₁: Coercive force of the 1st layer
H _C ₂: Coercive force of the 2nd layer
M _S ₁: magnetic saturation moment of the 1st layer
M _S ₂: magnetic saturation moment of the 2nd layer
t ₁: layer thickness of the 1st layer
t ₂: layer thickness of the second layer
σ _w : exchange coupling force
Hini: Starting field . 11. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht eine seltene-Erden-reiche Übergangsmetall- Schwere-Seltene-Erden-Legierung, die nicht eine Kompensations­ temperatur zwischen Zimmertemperatur und einem Curie-Punkt besitzt, aufweist, daß die zweite Schicht eine seltene- Erden-reiche Übergangsmetall-Schwere-Seltene-Erden-Legierung, die nicht eine Kompensationstemperatur zwischen Zimmer­ temperatur und einem Curie-Punkt besitzt, aufweist, und daß der Aufzeichnungsträger folgende Formel erfüllt: T _R < T _C ₁ ≈ T _L < T _C ₂ ≈ T _H (1)sowie bei Zimmertemperatur folgende Formeln erfüllt: wobeiT _R : Zimmertemperatur
T _C ₁: Curie-Punkt der 1. Schicht
T _C ₂: Curie-Punkt der 2. Schicht
T _L : Trägertemperatur bei Bestrahlung mit Laserstrahl geringer Leistung
T _H : Trägertemperatur bei Bestrahlung mit Laserstrahl hoher Leistung
H _C ₁: Koerzitivkraft der 1. Schicht
H _C ₂: Koerzitivkraft der 2. Schicht
M _S ₁: magnetisches Sättigungsmoment der 1. Schicht
M _S ₂: magnetisches Sättigungsmoment der 2. Schicht
t₁: Schichtdicke der 1. Schicht
t₂: Schichtdicke der 2. Schicht
σ _w : Austausch-Koppelkraft
Hini: Anfangsfeld.11. Recording medium according to claim 7, characterized in that the first layer has a rare earth-rich transition metal-heavy-rare earth alloy, which does not have a compensation temperature between room temperature and a Curie point, that the second layer a rare earth-rich transition metal-heavy rare earth alloy, which does not have a compensation temperature between room temperature and a Curie point, and that the record carrier fulfills the following formula: T _R < T _C ₁ ≈ T _L < T _C ₂ ≈ T _H (1) as well as the following formulas at room temperature: where T _R : room temperature
T _C ₁: Curie point of the 1st layer
T _C ₂: Curie point of the 2nd layer
T _L : carrier temperature when irradiated with low power laser beam
T _H : carrier temperature when irradiated with high power laser beam
H _C ₁: Coercive force of the 1st layer
H _C ₂: Coercive force of the 2nd layer
M _S ₁: magnetic saturation moment of the 1st layer
M _S ₂: magnetic saturation moment of the 2nd layer
t ₁: layer thickness of the 1st layer
t ₂: layer thickness of the second layer
σ _w : exchange coupling force
Hini: Starting field . 12. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht eine seltene-Erden-reiche Übergangsmetall- Schwere-Seltene-Erden-Legierung mit einer Kompensations­ temperatur zwischen Zimmertemperatur und einem Curie-Punkt aufweist, daß die zweite Schicht eine übergangsmetallreiche Übergangsmetall-Schwere-Seltene-Erden-Legierung, die nicht eine Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und einem Curie-Punkt aufweist, enthält, und daß der Aufzeichnungs­ träger folgende Formel erfüllt: T _R < T _comp. ₁ < T _C ₁ ≈ T _L < T _C ₂ ≈ T _H (1)sowie bei Zimmertemperatur folgende Formeln erfüllt: wobeiT _R : Zimmertemperatur
T _comp. ₁: Kompensationstemperatur der 1. Schicht
T _C ₁: Curie-Punkt der 1. Schicht
T _C ₂: Curie-Punkt der 2. Schicht
T _L : Trägertemperatur bei Bestrahlung mit Laserstrahl geringer Leistung
T _H : Trägertemperatur bei Bestrahlung mit Laserstrahl hoher Leistung
H _C ₁: Koerzitivkraft der 1. Schicht
H _C ₂: Koerzitivkraft der 2. Schicht
M _S ₁: magnetisches Sättigungsmoment der 1. Schicht
M _S ₂: magnetisches Sättigungsmoment der 2. Schicht
t₁: Schichtdicke der 1. Schicht
t₂: Schichtdicke der 2. Schicht
σ _w : Austausch-Koppelkraft
Hini: Anfangsfeld.12. A recording medium according to claim 7, characterized in that the first layer has a rare earth-rich transition metal-heavy-rare earth alloy with a compensation temperature between room temperature and a Curie point, that the second layer has a transition metal-rich transition metal. Heavy-rare earth alloy, which does not have a compensation temperature between room temperature and a Curie point, and that the recording medium fulfills the following formula: T _R < T _comp. ₁ < T _C ₁ ≈ T _L < T _C ₂ ≈ T _H (1) as well as the following formulas at room temperature: where T _R : room temperature
T _comp. ₁: compensation temperature of the 1st layer
T _C ₁: Curie point of the 1st layer
T _C ₂: Curie point of the 2nd layer
T _L : carrier temperature when irradiated with low power laser beam
T _H : carrier temperature when irradiated with high power laser beam
H _C ₁: Coercive force of the 1st layer
H _C ₂: Coercive force of the 2nd layer
M _S ₁: magnetic saturation moment of the 1st layer
M _S ₂: magnetic saturation moment of the 2nd layer
t ₁: layer thickness of the 1st layer
t ₂: layer thickness of the second layer
σ _w : exchange coupling force
Hini: Starting field . 13. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht eine seltene-Erden-reiche Übergangsmetall- Schwere-Seltene-Erden-Legierung, die nicht eine Kompensations­ temperatur zwischen Zimmertemperatur und einem Curie-Punkt aufweist, enthält, daß die zweite Schicht eine übergangs­ metallreiche Übergangsmetall-Schwere-Seltene-Erden-Legierung, die nicht eine Kompensationstemperatur zwischen Zimmer­ temperatur und Curie-Punkt besitzt, aufweist, und daß der Aufzeichnungsträger folgender Bedingung genügt: T _R < T _C ₁ ≈ T _L < T _C ₂ ≈ T _H (1)und bei Zimmertemperatur folgende Bedingungen erfüllt: wobeiT _R : Zimmertemperatur
T _C ₁: Curie-Punkt der 1. Schicht
T _C ₂: Curie-Punkt der 2. Schicht
T _L : Trägertemperatur bei Bestrahlung mit Laserstrahl geringer Leistung
T _H : Trägertemperatur bei Bestrahlung mit Laserstrahl hoher Leistung
H _C ₁: Koerzitivkraft der 1. Schicht
H _C ₂: Koerzitivkraft der 2. Schicht
M _S ₁: magnetisches Sättigungsmoment der 1. Schicht
M _S ₂: magnetisches Sättigungsmoment der 2. Schicht
t₁: Schichtdicke der 1. Schicht
t₂: Schichtdicke der 2. Schicht
σ _w : Austausch-Koppelkraft
Hini: Anfangsfeld.13. Record carrier according to claim 7, characterized in that the first layer contains a rare earth-rich transition metal-heavy-rare earth alloy, which does not have a compensation temperature between room temperature and a Curie point, that the second layer a transition metal-rich transition metal-heavy-rare earth alloy, which does not have a compensation temperature between room temperature and Curie point, and that the recording medium meets the following condition: T _R < T _C ₁ ≈ T _L < T _C ₂ ≈ T _H (1) and the following conditions are met at room temperature: where T _R : room temperature
T _C ₁: Curie point of the 1st layer
T _C ₂: Curie point of the 2nd layer
T _L : carrier temperature when irradiated with low power laser beam
T _H : carrier temperature when irradiated with high power laser beam
H _C ₁: Coercive force of the 1st layer
H _C ₂: Coercive force of the 2nd layer
M _S ₁: magnetic saturation moment of the 1st layer
M _S ₂: magnetic saturation moment of the 2nd layer
t ₁: layer thickness of the 1st layer
t ₂: layer thickness of the second layer
σ _w : exchange coupling force
Hini: Starting field . 14. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht eine übergangsmetall-reiche Übergangsmetall- Schwere-Seltene-Erden-Legierung, die nicht eine Kompensations­ temperatur zwischen Zimmertemperatur und einem Curie-Punkt besitzt, aufweist, daß die zweite Schicht eine übergangs­ metall-reiche Übergangsmetall-Schwere-Seltene-Erden- Legierung, die nicht eine Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und einem Curie-Punkt aufweist, enthält, und daß der Aufzeichnungsträger folgender Bedingung genügt: T _R < T _C ₁ ≈ T _L < T _C ₂ ≈ T _H (1)sowie bei Zimmertemperatur folgende Bedingungen erfüllt: wobeiT _R : Zimmertemperatur
T _C ₁: Curie-Punkt der 1. Schicht
T _C ₂: Curie-Punkt der 2. Schicht
T _L : Trägertemperatur bei Bestrahlung mit Laserstrahl geringer Leistung
T _H : Trägertemperatur bei Bestrahlung mit Laserstrahl hoher Leistung
H _C ₁: Koerzitivkraft der 1. Schicht
H _C ₂: Koerzitivkraft der 2. Schicht
M _S ₁: magnetisches Sättigungsmoment der 1. Schicht
M _S ₂: magnetisches Sättigungsmoment der 2. Schicht
t₁: Schichtdicke der 1. Schicht
t₂: Schichtdicke der 2. Schicht
σ _w : Austausch-Koppelkraft
Hini: Anfangsfeld.14. Record carrier according to claim 7, characterized in that the first layer has a transition metal-rich transition metal-heavy rare earth alloy, which does not have a compensation temperature between room temperature and a Curie point, that the second layer has a transition metal-rich transition metal heavy rare earth alloy, which does not have a compensation temperature between room temperature and a Curie point, and that the recording medium meets the following condition: T _R < T _C ₁ ≈ T _L < T _C ₂ ≈ T _H (1) and at room temperature the following conditions are met: where T _R : room temperature
T _C ₁: Curie point of the 1st layer
T _C ₂: Curie point of the 2nd layer
T _L : carrier temperature when irradiated with low power laser beam
T _H : carrier temperature when irradiated with high power laser beam
H _C ₁: Coercive force of the 1st layer
H _C ₂: Coercive force of the 2nd layer
M _S ₁: magnetic saturation moment of the 1st layer
M _S ₂: magnetic saturation moment of the 2nd layer
t ₁: layer thickness of the 1st layer
t ₂: layer thickness of the second layer
σ _w : exchange coupling force
Hini: Starting field . 15. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht eine übergangsmetall-reiche Übergangsmetall- Schwere-Seltene-Erden-Legierung, die nicht eine Kompensations­ temperatur zwischen Zimmertemperatur und einem Curie-Punkt aufweist, enthält, daß die zweite Schicht eine seltene- Erden-reiche Übergangsmetall-Schwere-Seltene-Erden-Legierung, die eine Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und einem Curie-Punkt besitzt, enthält, und daß der Auf­ zeichnungsträger die folgende Bedingung erfüllt: T _R < T _C ₁ ≈ T _L ≈ T _comp. ₂ < T _C ₂ ≈ T _H (1)und bei Zimmertemperatur die folgenden Bedingungen erfüllt: wobeiT _R : Zimmertemperatur
T _comp. ₂: Kompensationstemperatur der 2. Schicht
T _C ₁: Curie-Punkt der 1. Schicht
T _C ₂: Curie-Punkt der 2. Schicht
T _L : Trägertemperatur bei Bestrahlung mit Laserstrahl geringer Leistung
T _H : Trägertemperatur bei Bestrahlung mit Laserstrahl hoher Leistung
H _C ₁: Koerzitivkraft der 1. Schicht
H _C ₂: Koerzitivkraft der 2. Schicht
M _S ₁: magnetisches Sättigungsmoment der 1. Schicht
M _S ₂: magnetisches Sättigungsmoment der 2. Schicht
t₁: Schichtdicke der 1. Schicht
t₂: Schichtdicke der 2. Schicht
σ _w : Austausch-Koppelkraft
Hini: Anfangsfeld.15. Record carrier according to claim 7, characterized in that the first layer contains a transition metal-rich transition metal-heavy-rare earth alloy, which does not have a compensation temperature between room temperature and a Curie point, that the second layer contains a rare one - Earth-rich transition metal-heavy-rare earth alloy, which has a compensation temperature between room temperature and a Curie point, and that the record carrier meets the following condition: T _R < T _C ₁ ≈ T _L ≈ T _{comp .} ₂ < T _C ₂ ≈ T _H (1) and fulfills the following conditions at room temperature: where T _R : room temperature
T _comp. ₂: compensation temperature of the 2nd layer
T _C ₁: Curie point of the 1st layer
T _C ₂: Curie point of the 2nd layer
T _L : carrier temperature when irradiated with low power laser beam
T _H : carrier temperature when irradiated with high power laser beam
H _C ₁: Coercive force of the 1st layer
H _C ₂: Coercive force of the 2nd layer
M _S ₁: magnetic saturation moment of the 1st layer
M _S ₂: magnetic saturation moment of the 2nd layer
t ₁: layer thickness of the 1st layer
t ₂: layer thickness of the second layer
σ _w : exchange coupling force
Hini: Starting field . 16. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht eine übergangsmetall-reiche Übergangsmetall- Schwere-Seltene-Erden-Legierung, die nicht eine Kompensations­ temperatur zwischen Zimmertemperatur und einem Curie-Punkt besitzt, enthält, daß die zweite Schicht eine seltene-Erden- reiche Übergangsmetall-Schwere-Seltene-Erden-Legierung, die nicht eine Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und einem Curie-Punkt besitzt, enthält, und daß der Auf­ zeichnungsträger folgender Bedingung genügt: T _R < T _C ₁ ≈ T _L < T _C ₂ ≈ T _H (1)und bei Zimmertemperatur die folgenden Bedingungen erfüllt: wobeiT _R : Zimmertemperatur
T _C ₁: Curie-Punkt der 1. Schicht
T _C ₂: Curie-Punkt der 2. Schicht
T _L : Trägertemperatur bei Bestrahlung mit Laserstrahl geringer Leistung
T _H : Trägertemperatur bei Bestrahlung mit Laserstrahl hoher Leistung
H _C ₁: Koerzitivkraft der 1. Schicht
H _C ₂: Koerzitivkraft der 2. Schicht
M _S ₁: magnetisches Sättigungsmoment der 1. Schicht
M _S ₂: magnetisches Sättigungsmoment der 2. Schicht
t₁: Schichtdicke der 1. Schicht
t₂: Schichtdicke der 2. Schicht
σ _w : Austausch-Koppelkraft
Hini: Anfangsfeld.16. Recording medium according to claim 7, characterized in that the first layer contains a transition metal-rich transition metal-heavy-rare earth alloy which does not have a compensation temperature between room temperature and a Curie point, in that the second layer contains a rare one -Earth-rich transition metal-heavy-rare earth alloy, which does not have a compensation temperature between room temperature and a Curie point, and that the record carrier meets the following condition: T _R < T _C ₁ ≈ T _L < T _C ₂ ≈ T _H (1) and fulfills the following conditions at room temperature: where T _R : room temperature
T _C ₁: Curie point of the 1st layer
T _C ₂: Curie point of the 2nd layer
T _L : carrier temperature when irradiated with low power laser beam
T _H : carrier temperature when irradiated with high power laser beam
H _C ₁: Coercive force of the 1st layer
H _C ₂: Coercive force of the 2nd layer
M _S ₁: magnetic saturation moment of the 1st layer
M _S ₂: magnetic saturation moment of the 2nd layer
t ₁: layer thickness of the 1st layer
t ₂: layer thickness of the second layer
σ _w : exchange coupling force
Hini: Starting field .