DE3844034A1 - Vorrichtung zum bearbeiten von halbleiterscheiben unter anwendung eines durch elektronenzyklotronresonanz erzeugten plasmas - Google Patents

Vorrichtung zum bearbeiten von halbleiterscheiben unter anwendung eines durch elektronenzyklotronresonanz erzeugten plasmas

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Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Bearbeiten von Halbleiterscheiben mit einem durch eine Mikrowellenentla­ dung in einem Magnetfeld, z. B. eine Elektronenzyklotron­ resonanz-Entladung, erzeugten Plasma.
Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen wie Tran­ sistoren und integrierten Schaltungen werden halbleiter­ substrate oder -scheiben Bearbeitungsschritten wie Dünn­ filmbildung, Ätzen, Oxidation und Dotierung, unterzogen. Vor einiger Zeit wurde eine Bearbeitungsvorrichtung für Halbleiterscheiben entwickelt, die ein Plasma verwendet, das durch eine Elektronenzyklotronresonanz-Entladung, die eine Art Mikrowellenentladung in einem Magnetfeld ist, erzeugt wird; diese Vorrichtung bietet einige Vorteile gegenüber konventionellen chemischen Bedampfungsvorrich­ tungen, u. a. niedrige Betriebstemperaturen und hohe Bear­ beitungsgüte.
Die US-Pat.-Anm. 3 15 730 zeigt eine Grundkonstruktion einer solchen Halbleiterscheiben-Bearbeitungsvorrichtung, die ein durch Elektronenzyklotronresonanz-Entladung erzeugtes Plas­ ma verwendet. Wie Fig. 4 der Zeichnung zeigt, umfaßt eine solche Vorrichtung im wesentlichen eine Scheibenbearbei­ tungskammer 1, die einen Träger 8 für eine Scheibe 9 ent­ hält, und eine zylindrische Plasmaerzeugungskammer 2, die über der Scheibenbearbeitungskammer 1 angeordnet ist. In die Plasmaerzeugungskammer 2 wird eine von einem Mikrowel­ lengeber (nicht gezeigt) erzeugte Mikrowelle durch einen Rechteck- bzw. Kastenwellenleiter 3 eingeleitet, der Recht­ eckquerschnitt hat und einen Rechteck-Rund-Mikrowellenum­ former 4 sowie eine Quarzplatte 2 a aufweist. Ferner ist eine solenoidförmige Magnetspule 5 vorgesehen, die die Plasmaerzeugungskammer 2 umgibt zwecks Ausbildung eines Magnetfeldes in der Plasmaerzeugungskammer 2 und der Schei­ benbearbeitungskammer 1. Eine Gaseintrittsöffnung 6 bzw. eine Gasaustrittsöffnung 7 sind in der Decke der Plasma­ erzeugungskammer 2 bzw. im Boden der Scheibenbearbeitungs­ kammer 1 ausgebildet.
Die Funktionsweise der Vorrichtung nach Fig. 4 ist wie folgt: Nachdem das in den Kammern 1 und 2 verbliebene Gas durch die Austrittsöffnung 7 gründlich abgezogen ist, wird ein reaktives Gas durch die Eintrittsöffnung 6 in die Kam­ mern 1 und 2 eingeleitet, wobei ein Teil des Gases durch die Austrittsöffnung 7 abgezogen wird, um den Gasdruck in den Kammern 1 und 2 auf einem vorbestimmten Pegel zu hal­ ten. Dann wird eine von dem Mikrowellengeber erzeugte Mikrowelle einer Frequenz von 2,45 GHz der Plasmaerzeu­ gungskammer 2 durch den Wellenleiter 3 und den Umformer 4 zugeführt. Gleichzeitig wird die Spule 5 erregt zur Erzeu­ gung eines Magnetfeldes in der Plasmaerzeugungskammer 2 und der Scheibenbearbeitungskammer 1; die Flußdichte des Ma­ gnetfeldes in der Plasmaerzeugungskammer wird auf 875 G geregelt, so daß dort eine Elektronenzyklotronresonanz im Zusammenwirken mit der Mikrowelle hervorgerufen wird; das von der Spule 5 erzeugte Magnetfeld divergiert von der Plasmaerzeugungskammer 2 in Richtung zum Träger 8.
Somit werden die Elektronen in der Plasmaerzeugungskammer 2 auf spiralförmigen Bahnen in Elektronenzyklotronresonanz beschleunigt unter Absorption der Mikrowellenenergie in der Kammer 2; durch die Zusammenstöße zwischen diesen sehr schnell bewegten Elektronen wird ein dichtes Gasplasma in der Plasmaerzeugungskammer 2 erzeugt. Das so erzeugte Plas­ ma wird entlang den divergierenden Linien des von der Ma­ gnetspule 5 erzeugten Magnetfeldes zu der Scheibe 9 trans­ portiert. Dadurch wird eine Bearbeitung der Scheibe, z. B. eine Dünnfilmbildung oder Ätzen, bewirkt. In bekannter Wei­ se werden die Art oder der Druck des für die Bearbeitung eingesetzten Gases, die Leistung der Mikrowellenversorgung etc. entsprechend der an der Scheibe durchzuführenden Be­ arbeitung gewählt.
Die vorstehend beschriebene konventionelle Scheibenbear­ beitungsvorrichtung mit ECR-Plasma weist folgende Nachteile auf.
Eine Mikrowelle im zirkularen TE 11-Modus wird bei der kon­ ventionellen Vorrichtung der Plasmaerzeugungskammer 2 direkt zugeführt. Die Kraftlinien E des elektrischen Feldes der der Plasmaerzeugungskammer 2 zugeführten Mikrowelle sind jedoch entsprechend Fig. 5 verteilt. Das heißt, die Dichte der Kraftlinien ist nahe der Achse der Kammer 2 hoch (d. h. die elektrische Feldstärke ist dort groß) und nahe dem Kammerumfang niedrig (d. h. die elektrische Feldstärke ist dort klein). Sie ist auch entlang den kreisförmigen Bahnen veränderlich, die in Umfangsrichtung auf einer zur Achse der Kammer 2 senkrechten Ebene verlaufen. Somit wird die Plasmaerzeugungsdichte in der Plasmaerzeugungskammer 2 räumlich ungleichmäßig, so daß die Menge der an der Halb­ leiterscheibe 9 ankommenden reaktiven Ionen sich von einer Stelle zu einer anderen auf der Oberfläche der Scheibe 9 ändert, was für die Gleichförmigkeit der Scheibenbearbei­ tung nachteilig ist.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist somit die Bereit­ stellung einer Halbleiterscheiben-Bearbeitungsvorrichtung, die mit einem Plasma arbeitet und bei der die Gleichförmig­ keit der Bearbeitung einer Scheibenoberfläche verbessert ist. Dabei soll die Scheibenbearbeitungsvorrichtung einfach und kostengünstig sein, und ferner soll die Bearbeitungs­ reaktion in einfacher Weise kontrollierbar sein.
Die Scheibenbearbeitungsvorrichtung nach der Erfindung umfaßt eine erste und eine zweite Kammer (also eine Schei­ benbearbeitungs- und eine Plasmaerzeugungskammer), einen Mikrowellengeber, einen Wellenleiter, der eine von der Mikrowellenversorgung erzeugte Mikrowelle in die zweite Kammer leitet, eine die zweite Kammer umgebende Magnetspule und eine Gasversorgung, die der zweiten Kammer ein reakti­ ves Gas zuführt. Der Wellenleiter liefert eine Mikrowelle mit Kreisquerschnitt. Ferner umfaßt die Vorrichtung einen mit dem Wellenleiter gekoppelten Polarisationsumformer, der die vom Wellenleiter übertragene Mikrowelle im zirkularen TE 11-Modus in eine zirkular polarisierte Mikrowelle um­ formt, indem er die Richtung des elektrischen Feldes der Mikrowelle während einer Periodendauer der Mikrowelle um eine ganze Umdrehung in Umfangsrichtung dreht. Die vom Wandler so gebildete zirkular polarisierte Mikrowelle wird der zweiten bzw. Plasmaerzeugungskammer zugeführt.
Damit wird die elektrische Feldstärke der der Plasmaerzeu­ gungskammer zugeführten Mikrowelle entlang den gesamten Kreisbahnen, die in Umfangsrichtung auf zur Achse der Plas­ maerzeugungskammer senkrechten Ebenen verlaufen, über die Zeit gemittelt; dadurch wird die Gleichmäßigkeit der Plas­ maerzeugung in der Plasmaerzeugungskammer verbessert, wo­ durch wiederum die Gleichförmigkeit der Bearbeitung der Scheibenoberfläche verbessert wird.
Anhand der Zeichnung wird die Erfindung beispielsweise näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1a eine schematische Schnittansicht der mit einem Plasma arbeitenden Scheibenbearbeitungsvor­ richtung nach der Erfindung,
Fig. 1b einen Schnitt durch einen Kreispolarisations­ umformer der Vorrichtung nach Fig. 1a entlang der Schnittlinie B-B von Fig. 1a;
Fig. 2a und 2b die horizontalen Querschnittsverteilungen der elektrischen Feldlinien der der Plasmaerzeu­ gungskammer der Vorrichtung nach den Fig. 1a und 1b zugeführten Mikrowelle zu zwei bestimm­ ten Zeitpunkten;
Fig. 3 eine der Fig. 1a ähnliche Ansicht, die eine weitere Ausführungsform der Vorrichtung nach der Erfindung zeigt;
Fig. 4 eine der Fig. 1 ähnliche Ansicht, die eine konventionelle Scheibenbearbeitungsvorrichtung zeigt; und
Fig. 5 die horizontale Querschnittsverteilung der Kraftlinien der elektrischen Feldstärke der der Plasmaerzeugungskammer zugeführten Mikro­ welle.
Unter Bezugnahme auf die Fig. 1a und 1b wird ein erstes Ausführungsbeispiel erläutert.
Die Plasma-Scheibenbearbeitungsvorrichtung umfaßt eine zylindrische Scheibenbearbeitungskammer 1, auf deren Boden ein Träger 8 für eine Halbleiterscheibe 9 angeordnet ist. Eine zylindrische Plasmaerzeugungskammer 2 ist koaxial über der Scheibenbearbeitungskammer 1 angeordnet, und der zy­ lindrische Raum in der Plasmaerzeugungskammer 2 bildet eine nach oben projizierte Fortsetzung des zylindrischen Raums in der Scheibenbearbeitungskammer 1. Ein Mikrowellengeber, d. h. ein Magnetron, erzeugt eine Mikrowelle von 2,45 GHz, die durch einen Kastenwellenleiter 3 mit Rechteckquer­ schnitt und einen Rechteck-Rund-Mikrowellenumformer (R/C- Umformer) 4 zu einem Kreispolarisationsumformer 10 über­ tragen wird. Der R/C-Umformer 4 hat an seinem mit dem Wel­ lenleiter 3 gekoppelten Ende Rechteckquerschnitt und an seinem mit der Plasmaerzeugungskammer 2 gekoppelten Ende Kreisquerschnitt, so daß eine vom Kastenwellenleiter 3 zugeführte, im Rechteck-TE 10-Modus schwingende Mikrowelle in eine im zirkularen TE 11-Modus schwingende Mikrowelle umgeformt wird.
Der Kreispolarisationsumformer 10 besteht aus einem Rund­ wellenleiter 10 a in Form eines Hohlzylinders aus einem elektrischen Leiter, z. B. Metall, und einer im Rundwel­ lenleiter 10 a angeordneten viereckigen Trennplatte bzw. Phasenschieberplatte 10 b aus einem Dielektrikum. Die Pha­ senschieberplatte 10 b verläuft quer über den Durchmesser und entlang der Achse des vom Hohlzylinder 10 a umschlos­ senen zylindrischen Innenraums unter einem Winkel von 45° zur Schwingungsrichtung T E 11 des elektrischen Feldes der Mikrowelle im TE 11-Modus, die vom Rechteck-Rund-Mikrowel­ lenumformer 4 zugeführt wird. Eine Quarzplatte 2 a bildet ein Trennelement zwischen dem Umformer 10 und der Plasma­ erzeugungskammer 2.
Eine Magnetspu1e 5 umgibt die Plasmaerzeugungskammer 2 und die Scheibenbearbeitungskammer 1 und erzeugt in diesen Kammern ein Magnetfeld. Die Kraftliniendichte des Magnet­ feldes in der Plasmaerzeugungskammer 2 wird auf 875 G geregelt, so daß im Zusammenwirken mit der zugeführten Mikrowelle eine Elektronenzyklotronresonanz in wirksamer Weise erzeugt wird. In der Decke der Plasmaerzeugungskammer 2 ist eine Gaseintrittsöffnung 6 gebildet, und im Boden der Scheibenbearbeitungskammer 1 ist eine Gasaustrittsöffnung 7 gebildet.
Die Bearbeitung einer Scheibe 9, z. B. das Ätzen eines Siliciumsubstrats, läuft wie folgt ab.
Nachdem in den Kammern 1 und 2 verbliebenes Restgas durch die Gasaustrittsöffnung 7 gründlich abgezogen ist, wird ein reaktives Gas, z. B. Cl2, in die Kammern 1 und 2 durch die Eintrittsöffnung 6 eingeleitet, wobei ein Teil des Gases aus der Austrittsöffnung 7 abgezogen wird, um den Druck in den Kammern 1 und 2 auf einem vorbestimmten Pegel zu hal­ ten. Dann wird ein nicht gezeigter Mikrowellengeber akti­ viert und liefert eine Mikrowelle von 2,45 GHz in die Plas­ maerzeugungskammer 2 durch den Kastenwellenleiter 3, den RC-Umformer 4 und den Kreispolarisationsumformer 10. Dadurch wird die im Kastenwellenleiter 3 im Rechteckmodus T E 10 übertragene Mikrowelle zuerst vom R/C-Umformer 4 in einen zirkularen Modus T E 11 umgeformt. Danach wird die im zirkularen Modus T E 11 schwingende Mikrowelle in eine kreispolarisierte Mikrowelle vom Kreispolarisationsumformer 10 umgeformt. Insbesondere dreht dabei der Umformer 10 die Richtung des elektrischen Feldes E der im zirkularen Modus T E 11 schwingenden Mikrowelle in Umfangsrichtung, während die Schwingungsebene des elektrischen Feldes E der Mikro­ welle konstantgehalten wird, so daß eine vollständige Dre­ hung der Richtung des Feldes E während einer Periodendauer der Mikrowelle erfolgt. Die Fig. 2a und 2b zeigen horizon­ tale Querschnittsverteilungen der Kraftlinien des der Plas­ maerzeugungskammer 2 vom Umformer 10 zu einem bestimmten Zeitpunkt t und zu einem Zeitpunkt t + 1/4 T in den Fig. 2a bzw. 2b zugeführten elektrischen Feldes E, wobei T die Periodendauer der Mikrowelle ist. Wie diese Figuren zeigen, wird die Richtung des elektrischen Feldes E im Uhrzeiger­ sinn in Umfangsrichtung während 1/4 Periodendauer T der Mikrowelle um 90° gedreht. Damit dreht sich die Richtung des elektrischen Feldes E während jeder Viertelperioden­ dauer 1/4 T der Mikrowelle jeweils um 90°, so daß innerhalb einer ganzen Periodendauer eine vollständige Drehung durch­ geführt wird. Infolgedessen wird die ungleichmäßige Ver­ teilung der elektrischen Feldstärke der im zirkularen TE 11 -Modus schwingenden Mikrowelle entlang der Umfangsrichtung in der Plasmaerzeugungskammer über die Zeit im wesentlichen gemittelt.
Gleichzeitig mit der Zuführung der Mikrowelle zu der Plas­ maerzeugungskammer 2 wird die Magnetspule 5 aktiviert und erzeugt in der Plasmaerzeugungskammer 2 und der Scheiben­ bearbeitungskammer 1 ein Magnetfeld. Die Kraftliniendichte des Magnetfeldes in der Plasmaerzeugungskammer 2 wird auf 875 G geregelt, so daß die Elektronen in der Kammer 2 auf Spiralbahnen beschleunigt werden unter Absorption der Ener­ gie der Mikrowelle in Elektronenzyklotronresonanz. Somit wird infolge der Kollisionen der Hochgeschwindigkeitselek­ tronen ein Gasplasma von Cl2 in der Kammer 2 ausgebildet. Da die der Plasmaerzeugungskammer 2 zugeführte Mikrowelle eine kreispolarisierte Welle ist, in der die Richtung des elektrischen Feldes in Umfangsrichtung der Plasmaerzeu­ gungskammer 2 rotiert, wird die Gleichmäßigkeit der Plas­ maerzeugungsdichte erhöht. Andererseits divergiert das von der Spule 5 in der Scheibenbearbeitungskammer 1 gebildete Magnetfeld von der Plasmaerzeugungskammer 2 zur Halblei­ terscheibe 9 auf dem Träger 8. Dadurch wird das in der Kammer 2 erzeugte Gasplasma entlang den Linien des von der Spule 5 erzeugten Magnetfeldes zu der Scheibe 9 auf dem Träger 8 transportiert unter Bearbeitung der Oberfläche der Scheibe 9. Dank der gleichmäßigen Erzeugung des Plasmas in der Plasmaerzeugungskammer 2 wird die Menge der an der Oberfläche der Scheibe 9 ankommenden reaktiven Ionen über die Gesamtfläche der Scheibe 9 vergleichmäßigt, was in einer besseren Gleichmäßigkeit der Bearbeitung resultiert.
Die Dimensionen und Parameter der Vorrichtung nach Fig. 1 sind wie folgt:
Durchmesser der Plasmaerzeugungskammer|200 mm
Durchmesser der Scheibe 150 mm
Frequenz des Mikrowellengebers 2,45 GHz
Ausgangsleistung des Mikrowellengebers 1 kW
Kraftliniendichte des Magnetfeldes in der Plasmaerzeugungskammer 875 G
Gasdruck 5×10-4 Torr
Die Dimension des Kreispolarisationsumformers 10 sind wie folgt:
Innendurchmesser|100 mm
Länge in Axialrichtung 280 mm
Dicke der Phasenschieberplatte 18 mm
Material der Phasenschieberplatte Polystyrol
Im Fall der vorstehend erläuterten Ausführungsform umfaßt der Kreispolarisationsumformer 10 die Phasenschieberplatte 10 b aus einem Dielektrikum, die in dem metallischen kreis­ förmigen Wellenleiter 10 a angeordnet ist. Die Platte 10 b kann aber auch aus einem Magnetwerkstoff wie Ferrit beste­ hen; ferner kann sie ein dünnes Metallblatt sein, das in einen kreisförmigen Wellenleiter eingesetzt ist, oder sie kann eine Metallmasse sein, die einen Teil des Innenraums eines kreisförmigen Wellenleiters ausfüllt und den Innen­ querschnitt des Wellenleiters verformt und seine axiale Symmetrie zerstört, so daß sich die Phasenübertragungs- Charakteristik des Wellenleiters gegenüber derjenigen des Rundwellenleiters ändert. Außerdem kann der Kreispolarisa­ tionsumformer 10 aus einem Drehkreuz-Zweigschaltkreis in Form eines Wellenleiter-Trennfilters bestehen, das zwei Rechteckwellenleiter umfaßt, die einander unter rechten Winkeln kreuzen, sowie einen Hohlzylinder aufweist, dessen Durchmesser im wesentlichen gleich der Abmessung der grö­ ßeren Seite der Rechteckwellenleiter ist und der am Schnittpunkt der beiden Wellenleiter unter Bildung eines Buchstabens Y angeordnet ist.
Unter Bezugnahme auf Fig. 3 wird eine zweite Ausführungs­ form der Vorrichtung erläutert.
Grundsätzlich ist die Vorrichtung nach Fig. 3 wie diejenige nach den Fig. 1a und 1b aufgebaut. Dabei ist ein horizontal verlaufender Kastenwellenleiter 3 mit einem Kreispolarisa­ tionsumformer 10 über einen Rechteck-Rund-Mikrowellenum­ former 4 gekoppelt; der Polarisationsumformer 10 ist ent­ sprechend demjenigen der Vorrichtung nach Fig. 1a und 1b aufgebaut. Der zylindrische Raum im Polarisationsumformer 10 ist jedoch durch eine halbkugelige Quarzplatte bzw. -kuppel 11 unterteilt unter Bildung einer kuppelförmigen Plasmaerzeugungskammer 2, in die durch eine Eintrittsöff­ nung 6 ein reaktives Gas geleitet wird und in der ein Trä­ ger 8 zur Halterung einer Scheibe 9 angeordnet ist. Der Träger 8 ist mit einer Vorspannungsquelle 12 verbunden, so daß die reaktiven Ionen in dem im Raum unter der Quarzkup­ pel 11 erzeugten Plasma angezogen und zu der Oberfläche der Scheibe 9 auf dem Träger 8 transportiert werden. Die Vor­ spannungsquelle 12 kann eine HF- oder eine Gleichspannungs­ quelle sein. Eine Magnetspule 5 umgibt den zylindrischen Abschnitt des Kreispolarisationsumformers 10. Aufbau und Funktionsweise dieser Ausführungsform entsprechen im übri­ gen im wesentlichen der Ausführungsform nach den Fig. 1a und 1b, so daß weitere Einzelheiten entfallen können.

Claims (5)

1. Vorrichtung zum Bearbeiten von Halbleiterscheiben unter Anwendung eines durch Elektronenzyklotronresonanz erzeugten Plasmas, mit:
einer ersten Kammer (1), in der ein Träger (8) für eine Halbleiterscheibe (9) angeordnet ist;
eine der ersten Kammer (1) benachbarte und damit in Ver­ bindung stehende zweite Kammer (2);
Gaszuführmitteln (6) zur Einleitung eines Gases in die zweite Kammer (2);
einem Mikrowellengeber; und
einem funktionsmäßig mit dem Mikrowellengeber gekoppelten Wellenleiter (3), der eine vom Mikrowellengeber erzeugte Mikrowelle zu der zweiten Kammer (2) leitet, wobei der Wellenleiter einen Umformer (4) zur Zuführung einer Mikro­ welle mit Kreisquerschnitt aufweist,
gekennzeichnet durch
eine Kreispolarisationseinheit (10), die zwischen dem Wel­ lenleiter (3, 4) und der zweiten Kammer (2) angeordnet ist und die Schwingungsrichtung eines elektrischen Feldes einer von dem Wellenleiter (3, 4) zugeführten Mikrowelle mit zirkularem TE 11-Modus derart dreht, daß die Schwingungs­ richtung des elektrischen Feldes der Mikrowelle innerhalb einer Periodendauer der Mikrowelle in Umfangsrichtung einmal vollständig gedreht wird, wodurch die im zirkularen TE 11-Modus schwingende Mikrowelle in eine kreispolarisierte Mikrowelle umgeformt wird, wobei die Kreispolarisationsein­ heit ein Element zur Zuführung der kreispolarisierten Mikrowelle zu der zweiten Kammer (2) aufweist; und
einen Elektromagneten (5), der die erste und die zweite Kammer (1, 2) umgibt und in beiden Kammern ein Magnetfeld ausbildet, wobei der Elektromagnet in der zweiten Kammer (2) ein Magnetfeld einer Kraftliniendichte ausbildet, die ausreicht, um im Zusammenwirken mit der von der Kreispola­ risationseinheit (10) zugeführten Mikrowelle Elektronen­ zyklotronresonanz zu erzeugen, wodurch ein Plasma des Gases in der zweiten Kammer (2) erzeugt wird, und wobei der Elek­ tromagnet (5) in der ersten Kammer (1) ein Magnetfeld aus­ bildet, das in Richtung von der zweiten Kammer (2) zu dem Träger (8) divergiert, wodurch das in der zweiten Kammer (2) erzeugte Plasma zu der auf dem Träger (6) liegenden Halbleiterscheibe (9) transportiert wird.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kreispolarisationseinheit (10) einen Hohlzylinder (10 a) und eine in diesem angeordnete und sich in Axialrich­ tung desselben erstreckende Phasenschieberplatte (10 b) aufweist.
3. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Wellenleiter ferner ein Rechteck- bzw. Kastenwel­ lenleiter (3) ist, der zwischen den Mikrowellengeber und den Umformer (4) geschaltet ist.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Kammer (2) von einer Quarzkuppel (11) um­ schlossen ist, die in einen zylindrischen Raum ragt, der von einem von der Magnetspule (5) umgebenen elektrisch leitenden Hohlzylinder gebildet ist (Fig. 3).
5. Vorrichtung nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch eine Vorspannungsquelle (12), die den eine Halbleiter­ scheibe (9) aufnehmenden Träger (8) mit einer Vorspannung beaufschlagt.
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