DE3710190A1 - Verfahren zum aufbringen eines loetfaehigen leiterbahnenmusters - Google Patents
Verfahren zum aufbringen eines loetfaehigen leiterbahnenmustersInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren nach
dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Es sind bereits Verfahren bekannt, auf Glas Leiterbah
nen in Dickfilmtechnik unter Verwendung von Glasfritten
und Leitsilberpasten aufzubringen. Nach diesem Verfah
ren hergestellte Leiterbahnen sind verhältnismäßig dick
und benötigen hohe Temperaturen.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde,
ein Verfahren anzugeben, das gut haftende dünne Leiter
bahnenmuster aufzubringen gestattet, die das direkte
Anlöten von IC's in TAB-Technik auf Glassubstraten
ermöglicht.
Diese Aufgabe wird gemäß den im Kennzeichen des Patent
anspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöst.
Nach dem beschriebenen Verfahren hergestellte Leiter
bahnen sind mit Zuleitungen und Kontakten von Schalt
kreisen sehr gut verlötbar. Sie haften auch bei unter
schiedlichen Temperaturen gut auf Glas, und zwar sowohl
auf freien Glasoberflächen als auch auf bereits mit
einer getemperten ITO-Schicht (Indium-Zinnoxydschicht)
versehenen Glasoberflächen, wodurch in einfacher Weise
durch Überlappen der Schichten elektrische Verbindungen
herstellbar sind. Dieser Vorteil ist von besonderer
Bedeutung, wenn das Glassubstrat Teil einer Deckplatte
einer Flüssigkristallanzeigezelle ist, bei der die
ITO-Schichten Zuführungen zu den ITO-Elektroden im
Inneren der Flüssigkristallzellen bilden.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines bevorzugten
Ausführungsbeispiels näher beschrieben.
Zunächst wird auf ein Glassubstrat ein Schwermetallfilm
als Haftvermittler aufgesputtert oder insbesondere
aufgedampft. Als Schwermetall kommt besonders Ti, W,
Ni-Cr oder insbesondere Chrom in Frage. Die Dicke des
aufgedampften Films soll etwa 10 bis 50 Nanometer
betragen.
Auf diesen Schwermetallfilm wird dann eine Kupfer
schicht aufgesputtert oder insbesondere aufgedampft,
und zwar in einer Dicke von etwa 100 bis 500 Nanometer.
Auf diese großflächig aufgebrachte Schichtenfolge wird
nun eine Negativ-Fotolackschicht aufgebracht und ent
sprechend dem gewünschten Leiterbahnenmuster in be
kannter Weise so strukturiert, daß die weiter zu be
schichtenden Flächen frei bleiben.
In einem weiteren Verfahrensschritt wird nun auf die
frei liegenden Cu-Schichtteile galvanisch eine Cu-Ver
stärkung in einer Dicke von etwa 1 bis 10 Mikrometer
bei etwa 0,5 bis 5 A/dm2 abgeschieden.
Dann wird auf der Cu-Schicht eine Zinnschicht in einer
Dicke von etwa 4 bis 20 Mikrometer galvanisch bei etwa
0,7 bis 6 A/dm2 abgeschieden.
Nunmehr wird in einem folgenden Verfahrensschritt die
freigewordene aufgedampfte Kupferschicht durch Ätzen
mit einem Ätzbad entfernt, das die Zinnschicht auf der
verstärkten Kupferschicht weitgehend nicht angreift.
Dazu eignet sich z. B. eine Chromsäurelösung, eine
Schwefelsäurelösung, Kupfer-II-Chlorid oder Ammonium
carbonat-Ammoniak.
Danach wird dann noch der freigewordene Schwermetall
film z. B. mit Kaliumhexacyanoferrat, Natronlauge oder
Schwefelsäure-Ammoniumcersufat entfernt.
Nach folgenden Reinigungs-, Wasch- und Trockenschritten
ist das nunmehr mit lötfähigen Leiterbahnen versehene
Glassubstrat zum Anlöten von integrierten Schaltkreisen
und/oder Anschlußleitungen geeignet.
Claims (8)
1. Verfahren zum Aufbringen eines lötfähigen Leiter
bahnenmusters auf die Oberfläche eines, insbesondere
eine Deckplatte einer Flüssigkristallzelle bildenden
Glassubstrates, gekennzeichnet durch die Kombination
folgender Verfahrensschritte:
- a) Aufdampfen oder Aufsputtern eines Films eines Schwermetalls wie Cr, NiCr, Ti, W oder dergleichen,
- b) Aufdampfen oder Aufsputtern einer Cu-Schicht,
- c) Aufbringen einer derart strukturierten Fotolack schicht, daß die weiter zu beschichtenden Flächen frei bleiben (Negativmuster),
- d) galvanisches Niederschlagen von Cu auf die freien Oberflächen der aufgedampften bzw. aufgesputterten Cu-Schicht,
- e) galvanisches Niederschlagen von Sn auf die Cu-Schicht,
- f) Entfernen des Fotolackmusters,
- g) Entfernen der nicht mit Sn bedeckten aufgedampften Cu-Schicht durch Ätzen,
- h) Entfernen des durch den Verfahrensschritt g) freige legten Schwermetallfilms durch Ätzen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der Schwermetallfilm in einer Dicke von 5 m bis 75
nm, insbesondere 10 nm bis 50 nm, aufgebracht wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die Cu-Schicht in einer Dicke von
0,1 µ bis 1 µ aufgedampft wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß das die weitere Cu-Schicht in einer
Dicke von 1 µm bis 10 µm galvanisch bei etwa 0,5 bis
5 A/dm2 abgeschieden wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die Sn-Schicht in einer Dicke von
ca. 4 µm bis 20 µm auf der Cu-Schicht bei etwa 0,7 bis
6 A/dm2 abgeschieden wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch
gekennzeichnet, daß das Ätzen der nicht mit Sn be
deckten Cu-Schicht mit Chromsäure, Kupfer-II-Chlorid,
Ammoniumcarbonat-Ammoniak und/oder Schwefelsäure vorge
nommen wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch
gekennzeichnet, daß das Ätzen des Schwermetallfilms mit
Kalciumhexacyanoferrat, Natronlauge, Amoniumcersulfat
oder Schwefelsäure vorgenommen wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, daß vor Aufbringen des Schwermetall
films auf die Glasoberfläche eine Indium-Zinnoxyd
schicht (ITO-Schicht) aufgebracht, zu einem Muster
strukturiert und getempert wird, und dann die Leiter
bahnen so aufgebracht werden, daß sich die ITO-Schicht
bahnen und die Leiterbahnen zwecks Kontaktierung stel
lenweise überlappen.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19873710190 DE3710190A1 (de) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | Verfahren zum aufbringen eines loetfaehigen leiterbahnenmusters |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19873710190 DE3710190A1 (de) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | Verfahren zum aufbringen eines loetfaehigen leiterbahnenmusters |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3710190A1 true DE3710190A1 (de) | 1988-10-13 |
DE3710190C2 DE3710190C2 (de) | 1993-06-17 |
Family
ID=6324169
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19873710190 Granted DE3710190A1 (de) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | Verfahren zum aufbringen eines loetfaehigen leiterbahnenmusters |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3710190A1 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3907004A1 (de) * | 1989-03-04 | 1990-09-06 | Contraves Ag | Verfahren zum herstellen von duennschichtschaltungen |
DE4113686A1 (de) * | 1991-04-26 | 1992-10-29 | Licentia Gmbh | Verfahren zum herstellen eines leiterbahnenmusters, insbesondere einer fluessigkristallanzeigevorrichtung |
EP0521354A1 (de) | 1991-07-03 | 1993-01-07 | Etablissement Supervis | Nockenwelle zur Steuerung von Ventilen bei Verbrennungskraftmaschinen |
DE4201612A1 (de) * | 1992-01-22 | 1993-07-29 | Alf Harnisch | Verfahren zur galvanischen metall- und legierungseinbringung in glas- oder glaskeramikkoerper und zum fuegen von metall mit glas bzw. glaskeramik |
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DE3136794A1 (de) * | 1981-09-16 | 1983-04-07 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Loetfaehiges schichtensystem, seine verwendung und verfahren zu seiner herstellung |
DE3341397A1 (de) * | 1983-11-15 | 1985-05-23 | Siemens Ag | Verfahren zur herstellung einer anzeigevorrichtung und danach hergestellte anzeigevorrichtung |
DE3433251A1 (de) * | 1984-08-16 | 1986-02-27 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Verfahren zur herstellung von galvanischen lotschichten auf anorganischen substraten |
-
1987
- 1987-03-27 DE DE19873710190 patent/DE3710190A1/de active Granted
Patent Citations (3)
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3710190C2 (de) | 1993-06-17 |
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