DE3708666C2 - Laser arrangement with separately controllable coupled semiconductor lasers - Google Patents

Laser arrangement with separately controllable coupled semiconductor lasers

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Description

Die Erfindung betrifft eine Laseranordnung mit getrennt an­ steuerbaren verkoppelten Halbleiterlasern.The invention relates to a laser arrangement with separately controllable coupled semiconductor lasers.

Das Arbeitsprinzip des Lasers beruht im wesentlichen darauf, daß die in einem aktiven Bereich erzeugte Strahlung wegen Reso­ nanz nur für gewisse Frequenzen verstärkt wird. Die Oberflächen an den Enden der zumeist streifenförmig ausgebildeten laserak­ tiven Bereiche wirken als teildurchlässige Spiegel. Wenn die Längenausdehnung dieses aktiven Bereiches einer ganzen Anzahl von halben Wellenlängen entspricht, tritt Resonanz auf. Eine Einfrequenz-Laserdiode kann z.B. dadurch hergestellt werden, daß statt nur eines laseraktiven Bereiches deren mehrere vorhanden sind, die untereinander verkoppelt werden.The working principle of the laser is essentially based on that the radiation generated in an active area due to Reso is only amplified for certain frequencies. The surfaces at the ends of the mostly strip-shaped laser tive areas act as partially transparent mirrors. If the Longitude of this active area of a whole number of half wavelengths, resonance occurs. A Single frequency laser diode can e.g. be made by that instead of just one laser-active area, there are several are present, which are coupled together.

Aus der DE 31 44 628 A1 ist eine Laseranordnung mit getrennt ansteuerbaren verkoppelten Halbleiterlasern bekannt, bei der auf einem Trägersubstrat aus dotiertem Halbleitermaterial eines ersten Leitungstyps eine erste Schicht des zweiten Leitungs­ typs, auf der ersten Schicht eine zweite Schicht des ersten Leitungstyps, auf der zweiten Schicht eine dritte Schicht des zweiten Leitungstyps, auf der dritten Schicht eine vierte Schicht des ersten Leitungstyps und auf der vierten Schicht eine fünfte Schicht des zweiten Leitungstyps aufgebracht sind. Diese fünf Schichten sind in der Mitte grabenförmig bis zur Oberfläche des Trägersubstrats ausgespart. In der grabenförmi­ gen Aussparung sind auf der Oberfläche des Trägersubstrats eine erste streifenförmige Schicht des ersten Leitungstyps, auf die­ ser Schicht eine erste laseraktive Schicht, auf dieser Schicht eine zweite streifenförmige Schicht des zweiten Leitungstyps, auf dieser Schicht eine zweite laseraktive Schicht und auf die­ ser Schicht eine dritte streifenförmige Schicht des ersten Lei­ tungstyps aufgebracht. Auf der dritten streifenförmigen Schicht kann noch eine vierte streifenförmige Schicht des ersten Lei­ tungstyps aufgebracht sein. A laser arrangement is also separated from DE 31 44 628 A1 controllable coupled semiconductor lasers known in which on a carrier substrate made of doped semiconductor material first line type a first layer of the second line typs, on the first layer a second layer of the first Conduction type, on the second layer a third layer of the second conduction type, a fourth on the third layer Layer of the first line type and on the fourth layer a fifth layer of the second conductivity type is applied. These five layers are trench-shaped in the middle up to Cut out surface of the carrier substrate. In the trench-shaped gene recess are on the surface of the carrier substrate first strip-like layer of the first conduction type on which a first laser-active layer on this layer a second strip-shaped layer of the second conductivity type, on this layer a second laser active layer and on the this layer a third strip-shaped layer of the first lei application type applied. On the third stripe-shaped layer can still have a fourth strip-shaped layer of the first lei be applied.  

Die erste streifenförmige laseraktive Schicht liegt in Höhe der zweiten Schicht des ersten Leitungstyps und die zweite strei­ fenförmige laseraktive Schicht in Höhe der vierten Schicht des ersten Leitungstyps außerhalb der grabenförmigen Aussparung.The first strip-shaped laser-active layer is at the level of the second layer of the first conduction type and the second stripe fen-shaped laser-active layer at the level of the fourth layer of the first line type outside the trench-shaped recess.

Auf die dritte oder vierte streifenförmige Schicht des ersten Leitungstyps ist eine Elektrode aufgebracht. Die fünf Schichten außerhalb der grabenförmigen Aussparung weisen auf einer Seite dieser Aussparung eine davon getrennte Aussparung bis zur Oberfläche der dritten Schicht des zweiten Leitungstyps auf. Auf diese Oberfläche ist eine Elektrode aufgebracht. Auf der von der dritten oder vierten streifenförmigen Schicht in der grabenförmigen Aussparung abgekehrten freien Seite des Träger­ substrats ist eine Elektrode angeordnet.On the third or fourth strip-like layer of the first An electrode is applied in the conductivity type. The five layers point outside the trench-shaped recess on one side this recess a separate recess up to Surface of the third layer of the second conductivity type. An electrode is applied to this surface. On the from the third or fourth strip-shaped layer in the trench-shaped recess facing away from the free side of the carrier An electrode is arranged on the substrate.

Eine verkoppelte Laserdiodenanordnung ist auch in der DE 34 34 741 A1 beschrieben. Diese Anordnung unterscheidet sich von dem oben beschriebenen Aufbau dadurch, daß die beiden laseraktiven Zonen symmetrisch zu einer epitaktisch abgeschie­ denen Mittelschicht liegen. Bei dieser Anordnung läßt sich keine Einteilung in aktiven und passiven Teil mehr angeben. Insbesondere ist es nicht möglich, die laseraktiven Zonen getrennt anzusteuern. Für ältere Laserarrays mit Verkopplung sei auf die in der genannten Druckschrift angegebenen Litera­ turzitate verwiesen. Eine allgemeine physikalisch-technische Darstellung findet man in dem Artikel "Single-frequency semi- conductor lasers" in IEEE spectrum (1983), Seite 38 bis 45.A coupled laser diode arrangement is also in the DE 34 34 741 A1 described. This arrangement differs differs from the structure described above in that the two laser-active zones symmetrical to an epitaxially fired which are middle class. With this arrangement, no longer specify a division into active and passive parts. In particular, it is not possible to use the laser-active zones to be controlled separately. For older laser arrays with coupling be on the litera specified in the cited publication turzitate referenced. A general physical-technical Representation can be found in the article "Single-frequency semi- conductor lasers "in IEEE spectrum (1983), pages 38 to 45.

Die Verkopplung verschiedener streifenförmiger laseraktiver Schichten läßt sich bei gewinngeführten Lasern dadurch er­ reichen, daß die streifenförmigen laseraktiven Schichten in hinreichend kleinen seitlichen Abständen zueinander angeordnet werden. Wenn verschiedene streifenförmige laseraktive Schichten mit spiegelnden Endflächen zum Beispiel durch Ausätzen von Gruben versehen werden sollen und die einzelnen Streifen ge­ trennt mit elektrischer Kontaktierung belegt werden sollen, müssen Mindestabstände zwischen diesen Laserstreifen eingehal­ ten werden. Bei gewinngeführten Lasern genügt dieser minimale Abstand für eine ausreichende Verkopplung. Bei indexgeführten Lasern wie BH-Lasern sind die streifenförmigen laseraktiven Schichten von Halb­ leitermaterial mit relativ zu diesen Schichten niedrigerem Bre­ chungsindex umgeben. Bei diesen indexgeführten Lasern klingen die Feldintensitäten außerhalb der aktiven Schicht sehr rasch ab, so daß bei den minimalen herstellbaren Abständen der streifenförmigen laserak­ tiven Schichten keine Verkopplung möglich ist. Eine im Prinzip denkbare Verfeinerung der Herstellungstechnik, die auch eine getrennte elektrische Kontaktierung der streifenförmigen laseraktiven Schichten ermögli­ chen würde, könnte keine sinnvolle Verkopplung schaffen, weil bei diesen Lasertypen für eine laterale Verkopplung Abstände nötig wären, die bereits in der Größenordnung der zu emittie­ renden Lichtwellenlänge liegen, was dazu führt, daß das Laserdiodenarray nurmehr wie ein einzelner Resonator wirkt.The coupling of different strip-shaped laser-active This makes it possible to create layers in profit-led lasers suffice that the strip-shaped laser-active layers in sufficiently small lateral distances from each other will. If different stripe-shaped laser active layers with reflective end faces, for example by etching out  Pits are to be provided and the individual strips ge should be connected with electrical contacts, must maintain minimum distances between these laser strips be. This minimum is sufficient for profit-led lasers Distance for sufficient coupling. For index-managed Lasers such as BH lasers are the strip-shaped laser-active layers of half conductor material with a lower Bre relative to these layers surrounding index. Sound with these index-guided lasers the field intensities outside the active layer very quickly from, so that at the minimum producible distances of the strip-shaped laserak tive layers no coupling is possible. In principle conceivable refinement of the manufacturing technology, which is also a Separate electrical contacting of the stripe-shaped laser-active layers enables would not create a meaningful coupling because for these types of lasers for lateral coupling distances would be necessary, which are already of the order of magnitude to be emitted renden light wavelength, which leads to that Laser diode array only acts like a single resonator.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen schichtensparenden Aufbau für eine Halbleiterlaseranordnung mit einer engen Lokalisierung der Strahlungsfeldintensitäten auf die laseraktiven Bereiche, insbesondere durch Indexführung, anzugeben, so daß zum Zweck der Frequenzselektion und -stabilisierung verschiedene laseraktive Bereiche optisch miteinander verkoppelt sind und dennoch getrennt angesteuert werden können.The object of the present invention is to provide a layer-saving structure for a semiconductor laser device with a narrow localization the radiation field intensities on the laser-active areas, in particular by index management, so that for the purpose frequency selection and stabilization various laser-active Areas are optically coupled with each other and yet can be controlled separately.

Diese Aufgabe wird bei einer erfindungsgemäßen Anordnung durch die Merkmale des Anspruches 1 gelöst.This object is achieved in an arrangement according to the invention solved the features of claim 1.

Die Lösung besteht darin, daß auf einem Trägersubstrat eine erste Schicht aus dotiertem Halbleitermaterial des ersten Lei­ tungstyps aufgewachsen ist und auf dieser ersten Schicht eine Folge von streifenförmigen weiteren Schichten aufgebracht ist. Bei dieser Folge von Schichten handelt es sich in der Reihen­ folge, in der sie aufgewachsen sind, um einen ersten Laserstrei­ fen, einen stark dotierten Koppelstreifen des zweiten Leitungs­ typs, einen zweiten Laserstreifen und einen dotierten Deck­ streifen des ersten Leitungstyps. Auf der ersten Schicht be­ findet sich eine zweite Schicht aus dotiertem Halbleiterma­ terial des zweiten Leitungstyps, die die eben beschriebenen streifenförmigen Schichten an den Längsseiten umgibt und bedeckt. Auf der freien Seite des Trägersubstrates ist ein Metallkontakt als Elektrode angebracht. Entsprechend befinden sich auf der freien Seite der zweiten Schicht Metallkontakte als weitere Elektroden. Einer dieser auf der zweiten Schicht aufgebrachten Metallkontakte befindet sich auf einem unmittel­ bar über dem Deckstreifen in dem Material der zweiten Schicht aufgebrachten bis zur Oberfläche dieser zweiten Schicht reichen­ den stark dotierten Bereich des ersten Leitungstyps. Zur Vermeidung von Leckströmen sind in der ersten Schicht parallel zu den Laserstreifen Randstreifen aus dotiertem Halbleiterma­ terial des zweiten Leitungstyps ausgebildet. Dabei ist sicher­ gestellt, daß zwischen diesem Randstreifen und der zweiten Schicht noch soviel Material der ersten Schicht vorhanden ist, daß durch die zweimalige Aufeinanderfolge von Halbleiterma­ terial unterschiedlicher Dotierung ein Stromfluß in diesen Randbereichen unterbunden ist. Auf diese Weise ist erreicht, daß der zu dem auf dem Trägersubstrat aufgebrachten Metall­ kontakt fließende Strom auf einen engen streifenförmigen Bereich der ersten streifenförmigen laseraktiven Schicht konzentriert ist. Mittels des auf der freien Seite des Trägersubstrates aufgebrachten Metallkontaktes kann die erste streifenförmige laseraktive Schicht angesteuert werden; mittels des auf dem in der zweiten Schicht ausgebilde­ ten stark dotierten Bereich aufgebrachten Metallkontaktes kann die zweite streifenförmige laseraktive Schicht angesteuert werden. Die gemeinsame Stromzuführung erfolgt über einen weiteren Metallkontakt, der auf der zweiten Schicht außerhalb des stark dotierten Bereichs aufgebracht ist. Zweckmäßig sind der Koppelstreifen, die zweite Schicht und die strombegrenzenden Randstreifen n-leitend dotiert während die übrigen dotierten Schichten p-leitend ausgebildet sind.The solution is that a first layer of doped semiconductor material of the first Lei type and grew up on this first layer Sequence of further stripe-shaped layers is applied. This sequence of layers is in the series follow where they grew up for a first laser streak fen, a heavily doped coupling strip of the second line typs, a second laser strip and a doped deck  strips of the first conduction type. On the first layer be there is a second layer of doped semiconductor ma material of the second conduction type, which the just described strip-like layers on the long sides and covered. There is a on the free side of the carrier substrate Metal contact attached as an electrode. Are accordingly metal contacts on the free side of the second layer as further electrodes. One of these on the second layer applied metal contacts is on an immediate bar above the cover strip in the material of the second layer applied to the surface of this second layer the heavily doped area of the first conductivity type. For Avoiding leakage currents are parallel in the first layer to the laser strips edge strips made of doped semiconductor ma material of the second conduction type. It is safe put that between this edge strip and the second Layer there is still so much material from the first layer, that by the two-fold succession of semiconductor Ma material different doping a current flow in this Marginal areas is prevented. In this way it is achieved that the to the metal deposited on the carrier substrate contact flowing current on a narrow strip-shaped Area of the first strip-shaped laser active layer is concentrated. By means of the applied on the free side of the carrier substrate Metal contact can drive the first strip-shaped laser-active layer will; by means of that formed in the second layer th heavily doped area applied metal contact can the second strip-shaped laser-active layer can be controlled. The common Power is supplied via another metal contact, the on the second layer outside the heavily doped area is applied. The coupling strip is useful, the second Layer and the current-limiting edge strips n-conductive doped while the remaining doped layers are p-conducting are trained.

Es folgt die Beschreibung eines Ausführungsbeispiels anhand der Figur.The following is a description of an exemplary embodiment based on the Figure.

Auf einem Trägersubstrat 1 aus p-leitend dotiertem InP befinden sich zwei n-leitend dotierte Randstreifen 3 aus InGaAsP, die an den Seiten der Oberfläche des Trägersubstrates verlaufen. Über dem Trägersubstrat 1 und den Randstreifen 3 verläuft eine erste Schicht 2 aus p-leitend dotiertem InP, die einerseits die durch die Randstreifen 3 hervorgerufene Unebenheit der Trä­ gersubstratoberfläche ausgleicht und zusätzlich die Randstrei­ fen 3 nach oben mit InP-Material abdeckt.On a carrier substrate 1 made of p-type doped InP there are two n-type doped edge strips 3 made of InGaAsP, which run on the sides of the surface of the carrier substrate. Above the carrier substrate 1 and the edge strip 3 runs a first layer 2 made of p-doped InP, which on the one hand compensates for the unevenness of the carrier substrate surface caused by the edge strip 3 and additionally covers the edge strip 3 at the top with InP material.

Auf dieser ersten Schicht 2 ist eine dickere zweite Schicht 4 aus n-leitend dotiertem InP-Material aufgebracht. Diese Schicht ist in der Mitte durch eine in Längsrichtung verlaufende gra­ benförmige Aussparung unterbrochen. Diese Aussparung reicht bis zur ersten Schicht 2, während die zweite Schicht 4 an der Ober­ seite, d.h. der der ersten Schicht 2 gegenüberliegenden Seite, nicht unterbrochen ist.A thicker second layer 4 made of n-type doped InP material is applied to this first layer 2 . This layer is interrupted in the middle by a longitudinal gra ben-shaped recess. This recess extends to the first layer 2 , while the second layer 4 on the upper side, ie the side opposite the first layer 2 , is not interrupted.

Der grabenförmige Aussparung enthält eine erste streifenförmige laseraktive Schicht 5 aus InGaAsP-Material, das auf der ersten Schicht 2 aufgebracht ist. Darauf folgt ein Koppelstreifen 6 aus stark n-leitend dotiertem InP-Material. Darauf ist eine zweite streifenförmige laseraktive Schicht 7 aus InGaAsP-Mate­ rial aufgebracht. Der Koppelstreifen 6 dient als n-leitender Bereich für die Strah­ lungserzeugung und als verkoppelnde Schicht zwischen den streifenförmigen laseraktiven Schichten 5 und 7.The trench-shaped recess contains a first strip-shaped laser-active layer 5 made of InGaAsP material, which is applied to the first layer 2 . This is followed by a coupling strip 6 made of InP material doped with a high n-conductivity. A second strip-shaped laser-active layer 7 made of InGaAsP material is applied thereon. The coupling strip 6 serves as an n-type region for generating radiation and as a coupling layer between the strip-shaped laser-active layers 5 and 7 .

Auf der zweiten streifenförmigen laseraktiven Schicht 7 ist ein p-leitend dotierter Deckstreifen 8 aus InP-Material abgeschieden, der den oberen Bereich der grabenförmigen Aussparung auffüllt. Zwischen dem Deckstreifen 8 und der Oberfläche der zweiten Schicht 4 ist in dem InP-Material der zweiten Schicht 4 ein stark p-leitend do­ tierter Bereich 9 ausgebildet, der die Deckschicht 8 über­ deckt und bis zur Oberfläche der zweiten Schicht 4 reicht.A p-type doped cover strip 8 made of InP material is deposited on the second strip-shaped laser-active layer 7 and fills the upper region of the trench-shaped recess. Between the cover strip 8 and the surface of the second layer 4 , a strongly p-conductive area 9 is formed in the InP material of the second layer 4 , which covers the cover layer 8 and extends to the surface of the second layer 4 .

Auf der freien Seite des Trägersubstrates 1 ist ein Metall­ kontakt 12 für den Anschluß des positiven Pols, der zur Ansteuerung des ersten Laserstreifens 5 dient, angebracht. Auf dem stark p-leitend dotierten Bereich 9 ist ein zweiter Metallkontakt 11 für den Anschluß des positiven Pols, der der Ansteuerung der zweiten streifenförmigen laseraktiven Schicht 7 dient, aufgebracht. Die starke Dotierung dient der Ausbildung eines ohmschen Kontaktes, d.h. eines gut leitenden Metall-Halbleiter-Überganges.On the free side of the carrier substrate 1 , a metal contact 12 for the connection of the positive pole, which serves to control the first laser strip 5 , is attached. A second metal contact 11 for the connection of the positive pole, which serves to control the second strip-shaped laser-active layer 7 , is applied to the region 9 , which is heavily p-doped. The strong doping serves to form an ohmic contact, ie a highly conductive metal-semiconductor junction.

Auf der freien Seite der zweiten Schicht 4 ist außerhalb des stark p-leitend dotierten Bereiches 9 mindestens ein weiterer Metallkontakt 10 für eine negative Elektrode aufgebracht. Bei der in der Figur dargestellten Anordnung sind die weiteren Me­ tallkontakte 10 als zwei an den Seiten der freien Oberfläche der zweiten Schicht 4 verlaufende Metallstreifen ausgebildet.At least one further metal contact 10 for a negative electrode is applied to the free side of the second layer 4 outside the region 9 which is heavily p-conductively doped. In the arrangement shown in the figure, the further metal contacts 10 are formed as two metal strips running on the sides of the free surface of the second layer 4 .

Die n-leitend dotierten Randstreifen 3 dienen der seitlichen Einschnürung des Stromes für die Speisung der ersten streifenförmigen laseraktiven Schicht 5 auf einen der ersten streifenförmigen laseraktiven Schicht 5 gegenüberlie­ genden streifenförmigen Bereich in der ersten Schicht 2.The n-type doped edge strips 3 serve for the lateral constriction of the current for feeding the first strip-shaped laser-active layer 5 to a strip-shaped region in the first layer 2 opposite the first strip-shaped laser-active layer 5 .

Claims (4)

1. Laseranordnung mit getrennt ansteuerbaren verkoppelten Halbleiterlasern, wobei
  • - auf einem Trägersubstrat (1) aus dotiertem Halbleitermate­ rial eines ersten Leitungstyps eine erste Schicht (2) aus dotiertem Halbleitermaterial des ersten Leitungstyps,
  • - auf der ersten Schicht (2) eine zweite Schicht (4) aus dotiertem Halbleitermaterial des zweiten Leitungstyps aufge­ bracht ist,
  • - die zweite Schicht (4) in der Mitte grabenförmig bis zur Oberfläche der ersten Schicht (2) ausgespart ist,
  • - in dieser grabenförmigen Aussparung der zweiten Schicht (2) eine erste streifenförmige laseraktive Schicht (5), ein stark dotierter Koppel­ streifen (6) des zweiten Leitungstyps, eine zweite streifenförmige laseraktive Schicht (7) und ein dotierter Deckstreifen (8) übereinander aufgewachsen sind,
  • - die zweite Schicht (4) den Deckstreifen (8) bedeckt,
  • - unmittelbar über dem Deckstreifen (8) in dem Material der zweiten Schicht (4) ein bis zur Oberfläche der zweiten Schicht (4) ausgedehnter und die zweite streifenförmige laseraktive Schicht (7) nicht berührender stark dotierter Bereich (9) des ersten Leitungstyps ausgebildet ist,
  • - im Rand der ersten Schicht (2) parallel zu den streifenförmigen laseraktiven Schichten (5, 7) verlaufende dotierte Randstreifen (3) des zweiten Leitungstyps ausgebildet sind und zwischen diesen Randstrei­ fen (3) und der zweiten Schicht (4) noch Material der ersten Schicht (2) vorhanden ist,
  • - auf der vom Trägersubstrat (1) abgekehrten freien Seite der zweiten Schicht (4) ein Metallkontakt (11) über dem stark dotierten Bereich (9) in der zweiten Schicht (4) und minde­ stens ein Metallkontakt (10) außerhalb dieses stark dotierten Bereiches (9) angeordnet sind, und
  • - auf der von der zweiten Schicht abgekehrten freien Seite des Trägersubstrats (1) ein Metallkontakt (12) angeordnet ist.
1. Laser arrangement with separately controllable coupled semiconductor lasers, wherein
  • - on a carrier substrate ( 1 ) made of doped semiconductor material of a first conductivity type, a first layer ( 2 ) made of doped semiconductor material of the first conductivity type,
  • - On the first layer ( 2 ), a second layer ( 4 ) made of doped semiconductor material of the second conductivity type is brought up,
  • - The second layer ( 4 ) is trench-shaped in the middle up to the surface of the first layer ( 2 ),
  • - In this trench-shaped recess of the second layer ( 2 ), a first strip-shaped laser-active layer ( 5 ), a heavily doped coupling strip ( 6 ) of the second conductivity type, a second strip-shaped laser-active layer ( 7 ) and a doped cover strip ( 8 ) have been grown one above the other ,
  • - the second layer ( 4 ) covers the cover strip ( 8 ),
  • - Immediately above the cover strip ( 8 ) in the material of the second layer ( 4 ) an extended to the surface of the second layer ( 4 ) and the second strip-shaped laser-active layer ( 7 ) not touching heavily doped region ( 9 ) of the first conductivity type is formed ,
  • - In the edge of the first layer ( 2 ) parallel to the strip-shaped laser-active layers ( 5 , 7 ) extending doped edge strips ( 3 ) of the second conductivity type are formed and between these edge strips ( 3 ) and the second layer ( 4 ) material of the first Layer ( 2 ) is present,
  • - On the carrier substrate ( 1 ) facing away from the free side of the second layer ( 4 ) has a metal contact ( 11 ) over the heavily doped region ( 9 ) in the second layer ( 4 ) and at least one metal contact ( 10 ) outside of this heavily doped region ( 9 ) are arranged, and
  • - A metal contact ( 12 ) is arranged on the free side of the carrier substrate ( 1 ) facing away from the second layer.
2. Laseranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägersubstrat (1), die erste Schicht (2) und der Deckstreifen (8) p-leitend dotiert sind und das übrige Halbleitermaterial außerhalb der streifenförmigen laseraktiven Schichten (5, 7) n-leitend dotiert ist.2. Laser arrangement according to claim 1, characterized in that the carrier substrate ( 1 ), the first layer ( 2 ) and the cover strip ( 8 ) are doped p-type and the remaining semiconductor material outside the strip-shaped laser-active layers ( 5 , 7 ) n- is conductively endowed. 3. Laseranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägersubstrat (1), die erste Schicht (2) und der Deck­ streifen (8) schwach n-leitend dotiert sind und das übrige Halbleitermaterial außerhalb der streifenförmigen laseraktiven Schichten (5, 7) stark p-leitend dotiert ist.3. Laser arrangement according to claim 1, characterized in that the carrier substrate ( 1 ), the first layer ( 2 ) and the cover strip ( 8 ) are weakly n-doped and the remaining semiconductor material outside the strip-shaped laser-active layers ( 5, 7 ) is heavily p-conductive. 4. Laseranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägersubstrat (1), die erste Schicht (2), die zweite Schicht (4), der Koppelstreifen (6) und der Deckstreifen (8) aus InP sind und das übrige Halbleitermaterial InGaAsP ist.4. Laser arrangement according to one of claims 1 to 3, characterized in that the carrier substrate ( 1 ), the first layer ( 2 ), the second layer ( 4 ), the coupling strip ( 6 ) and the cover strip ( 8 ) are made of InP and the remaining semiconductor material is InGaAsP.
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