DE3689428T2 - Elektronenstrahlquelle. - Google Patents

Elektronenstrahlquelle.

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  • Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
  • Vehicle Body Suspensions (AREA)

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf eine Elektronenstrahlvorrichtung.
  • In einer ganzen Reihe von Einrichtungen kann als Elektronenstrahlquelle eine Hohlkathode verwendet werden. Bei entsprechender Gasströmung werden die emittierten Elektronen von Ionen begleitet, woraus sich außerhalb der Kathode ein leitendes Plasma ergibt. Ohne dieses Plasma wären die Elektronenströme durch Raum-Ladungsüberlegungen beschränkt. In Anwesenheit dieses Plasmas sind hohe Ströme bei moderaten Spannungen, zum Beispiel mehrere zehn oder hundert Ampere bei unter 100 Volt, möglich.
  • Der größte Teil des emittierten Stroms hängt bei den Hohlkathoden nach dem bisherigen Stand der Technik von der thermionischen Emission ab. Die Emissionsfläche muß daher heiß sein Die hohen Temperaturen dieser Flächen sind, direkt oder indirekt, Ursache für die meisten Mängel der Hohlkathoden-Vorrichtungen nach dem bisherigen Stand der Technik. Durch Nutzung der sekundären Emission aufgrund von Ionenbeschuß als primären Emissionsmechanismus wird der Vorgang im wesentlichen unabhängig von der Temperatur der Emissionsfläche. Bei ausreichender Kühlung ist es dann möglich, große Elektronenströme zu emittieren, ohne daß heiße Oberflächen vorhanden sind.
  • In der U.S.-Patentschrift 3,515,932 von King, "Hollow Cathode Plasma Generator" wird eine Struktur beschrieben, die auf der Verwendung eines Materials mit niedriger Austrittsarbeit, wie zum Beispiel Barium, Strontium oder Kalziumoxid, beruht, um die Austrittsarbeit der Hohlkathodeninnenfläche zu reduzieren. Durch die Reduzierung der Austrittsarbeit können die Elektronen THERMIONISCH bei niedrigeren Temperaturen als bei einem Material mit hoher Austrittsarbeit emittiert werden. Die niedrigere Temperatur liegt in diesem Fall im Bereich von 900ºC. Um diese Temperatur zu erreichen, muß die Spitze der Hohlkathode mit einer externen Heizvorrichtung oder einem separaten Heizfaden erhitzt werden.
  • King beschrieb einen THERMIONISCHEN Prozeß, in dem die Elektronen durch hohe Temperaturen in den Hohlkathodenraum emittiert werden. In der vorliegenden Erfindung werden keine thermionischen Komponenten verwendet, sondern sie geht einfach von sekundären Elektronenprozessen aus. Die beschriebene Struktur ist daher wesentlich anders. Wie aus der nachfolgenden Beschreibung erkennbar wird, hat die Einrichtung der vorliegenden Erfindung gegenüber der Kathodenstruktur nach King eine Reihe von nicht unmittelbar offensichtlichen Vorteilen.
  • In der U.S.-Patentschrift 3,320,457 von Boring, "Non-thermionic Hollow cathode Electron Beam Apparatus", wird eine Plasma-Einrichtung der sehr frühen Generation mit einer Kathode in Hohlform beschrieben. Sie arbeitet bei sehr hohen Spannungen (20000 V) und hohen Entladungsdrücken (5-12 Millitorr oder 0,7-1,6 Pa). Es scheint sich um eine einfache Variation einer Gleichstrom-Glimmentladung zu handeln, die mit sehr niedrigen Stromstärken (20 Milliampere) arbeitet. Diese Einrichtung unterscheidet sich von der vorliegenden Erfindung in vielfacher Hinsicht. Sie arbeitet in ganz anderen Druck-, Spannungs- und Stromstärkenbereichen und verfügt nicht eigentlich über eine Hohlkathode, sondern lediglich über eine zylindrisch geformte Kathode.
  • In der U.S.-Patentschrift 4,325,000 von Wolfe et al, "Low Work Function Cathode", ist eine Feldemissionseinrichtung in Form einer Spitze enthalten, die mit einem Material mit niedriger Austrittsarbeit beschichtet ist, um die thermionische Emission von Elektronen bei niedrigerer Temperatur zu ermöglichen. Es handelt sich nicht um eine Hohlkathode, noch verwendet sie sekundäre Elektroneneffekte und ist daher in keiner Weise mit der vorgeschlagenen Erfindung in Bezug zu bringen.
  • In der U.S.-Patentschrift 4,298,817 von Carette et al, "Ion- Electron Source Channel Multiplier Having A Feedback Region", wird eine Einrichtung beschrieben, die auf einem Elektronenvervielfacher beruht. Bei einem Elektronenvervielfacher ist entlang der Länge einer fast-isolierenden Röhre oder eines Kanals eine sehr hohe Spannung vorhanden. Elektronen in diesem Kanal werden durch das positive Potential angezogen, treffen auf die Seiten der Röhre mit hoher Energie auf und bewirken die Bildung von sekundären (aus den Elektronen gebildeten) Elektronen. In diesem Patent wurde diese Idee zur Erzeugung von Ionen in diesem Kanal oder in einigen Fällen zur Erzeugung von Elektronen angewendet. Die Einrichtung scheint primär zur Verwendung als Ionenquelle gedacht.
  • Das Patent unterscheidet sich von der vorliegenden Erfindung dadurch, daß es sich im Gegensatz zu unserer Einrichtung nicht um eine Plasma-Einrichtung, sondern um eine Einrichtung mit einzelnen Partikeln handelt. Sie arbeitet mit hohen elektrischen Feldern (1-2000 V) und bei relativ niedrigen Stromstärken. Der primäre Prozeß in diesem Patent ist die Erzeugung sekundärer Elektronen aus ELEKTRONEN, während unsere Einrichtung sekundäre Elektronen aus IONEN verwendet.
  • In der U.S.-Patentschrift 4,377,773 von Herschovitch et al, "Negative Ion Source With Hollow Cathode Discharge Plasma", wird einfach eine negative Ionenquelle beschrieben, bei der negative Ionen durch Beschuß einer Fläche mit niedriger Austrittsarbeit mit positiven Ionen und neutralen Partikeln aus einem Plasma gebildet werden. Das Plasma wird durch Hohlkathodenentladung gebildet.
  • Eine kritische Studie jedes der oben genannten Patente, die bei der Untersuchung des bisherigen Stands der Technik gefunden wurden, weist darauf hin, daß keines von ihnen eine auf sekundären Elektronen basierende Hohlkathodeneinrichtung wie die hierin beschriebene offenbart.
  • In Fig. 1, typisch für die oben beschriebene Technik nach dem bisherigen Stand, hat der äußere Mantel 2 die Form einer Röhre. Das ionisierbare Gas 4 tritt an einem Ende in die Röhre ein, die Emission der Elektronen erfolgt durch die Apertur 6 am anderen Ende. Die emittierten Elektronen verlassen die Röhre in der allgemeinen Richtung 8. Da die Mehrheit der emittierten Elektronen von Natur aus thermionisch ist, muß die Innenseite der Röhre 10 an der Apertur 6 im Bereich thermionischer Temperaturen liegen. Dies kann durch Verwendung einer thermionischen Heizspule 3 erreicht werden, welche die Hohlkathode umgibt. Aufgrund sekundärer Emission durch Ionenkollisionen und der Anreicherung aufgrund hoher elektrischer Felder ist die Emission nicht vollkommen thermionisch. Der größte Teil der Emission ist jedoch seiner Natur nach thermionisch, da der normale Betrieb nicht aufrechterhalten werden kann, ohne daß die Emissionsflächen nahe an die für die thermionische Emission geforderten Werte heranreichen. Genauer gesagt, die Elektronen-Emission sinkt, bei gleichzeitiger Zunahme der Saugspannung, rapide, wenn man diese Flächen abkühlen läßt.
  • Das Aufheizen der Elektronenemissionsfläche 10 erfolgt durch Ionenbeschuß. Im Betrieb füllt sich die Innenseite der Röhre mit einem Plasma. Dieses Plasma ist in der Nähe der Apertur 6, durch welche die Elektronen emittiert werden, am dichtesten. Ein großer Teil der Gesamtbetriebsspannung tritt als eine Potentialdifferenz zwischen diesem Plasma und der Röhre 2 auf. Ionen, die dieses Plasma verlassen, benötigen eine Energie entsprechend dieser Potentialdifferenz, was zu einem Aufheizen der Röhre an den Stellen führt, an denen sie auftreffen. Da das Plasma in der Nähe der Apertur 6 die höchste Dichte aufweist, wird die Röhrenfläche 10 in der Nähe dieser Apertur am stärksten aufgeheizt.
  • Der Betrieb wird gewöhnlich mit einer Hochspannungsentladung zum Ende der Röhre 2 in der Nähe der Apertur 6 eingeleitet. Sobald die Oberfläche 10 auf Betriebstemperatur aufgeheizt ist, ist die normale Entladung mit hoher Stromstärke und niedriger Spannung hergestellt.
  • Durch eine Reihe von Veränderungen hat man versucht, die Wärme von den Emissionsflächen zu erhalten und dadurch die erforderliche Heizleistung zu senken. In diesem Zusammenhang ist die für Kathoden für elektrische Raumfahrtantriebe entwickelte Technologie die am weitesten entwickelte. Eine solche Kathode wird in Fig. 2.1 dargestellt.
  • In Fig. 2.1 haben wir wieder eine äußere Röhre 12, in die von einem Ende ein ionisierbares Gas 14 einströmt. Die Elektronenemission erfolgt durch eine Blende 16 am gegenüberliegenden Ende. Wie in der Einrichtung der Fig. 1 wird die Röhre 12 in der Nähe des Emissionselements 20 von einer thermionischen Heizeinheit 13 umgeben. Die emittierten Elektronen strömen in der allgemeinen Richtung 18. Die Elektronenemission erfolgt in diesem Fall aus einem Barium- und/oder Strontiumoxid; Al&sub2;O&sub4;- oder MgO-Cermet, womit ein Einsatz 20 beschichtet oder imprägniert ist. Die Einzelheiten des Elements 20 sind in der Fig. 2.2 dargestellt. Typischerweise wäre dieses Element aus mehreren umeinander gewickelten Schichten von Folienmaterial gebildet. Weil die thermionische Emission in Anwesenheit eines solchen Oxids bei einer geringeren Temperatur stattfindet, arbeitet dieser Einsatz bei einer geringeren Temperatur, als die entsprechende Fläche 10 in Fig. 1. Außerdem strahlt der Einsatz 20 nicht direkt in den umgebenden Raum ab, sondern wird von der Röhre 12 abgeschirmt. Die Konfiguration der Fig. 2.1 hat daher einen wesentlich geringeren Bedarf an Heizenergie, wodurch bei niedrigeren Spannungen mit derselben Emission sowie auch mit niedrigeren Emissionen gearbeitet werden kann (beides im Vergleich mit der Konfiguration nach Fig. 1).
  • Als eine weitere Verbesserung der Konfiguration von Fig. 2.1 ist die Emissionsblende 16 nicht das offene Ende einer Röhre (Apertur 6 in Fig. 1), sondern befindet sich in einer Platte 22, welche das Ende der Röhre 12 abdeckt. Diese Platte kann entweder an die Röhre 12 angeschweißt oder nur mit dieser in Kontakt gehalten werden. Aufgrund des im Vergleich mit dem offenen Ende einer Röhre verkleinerten Blendenbereichs ist der Gasstrom, der zur Aufrechterhaltung des Betriebsdrucks innerhalb der Kathode erforderlich ist, (typischerweise in der Größenordnung von 10 Torr oder 1300 Pascal) reduziert.
  • Bei der Konfiguration der Fig. 2.1 wird eine Hochspannungsentladung auch zur Einleitung des Betriebs verwendet. Um die bei dieser Entladung benötigte Leistung zu senken, wurde jedoch das in der Fig. gezeigte Heizelement um die Röhre 12 gewickelt, wie es auch bei Fig. 1 der Fall war. In Abhängigkeit von dem im Normalbetrieb erforderlichen Emissionspegel kann auch nach dem Start eine Heizleistung erforderlich sein.
  • Bei Hohlkathodeneinrichtungen nach dem bisherigen Stand der Technik gibt es mehrere Nachteile, wie zum Beispiel die in Verbindung mit Fig. 1 und 2.1 beschriebenen. In allen Fällen ist der größte Teil der Emission seiner Natur nach thermionisch, was bedeutet, daß eine heiße Fläche vorhanden sein muß. Diese heiße Fläche kann thermisch aufgrund einer Abstrahlung auf temperaturempfindliche Oberflächen unerwünscht sein.
  • Ein häufiger auftretendes Problem ist das Stattfinden chemischer Reaktionen an den heißen Oberflächen. Es ist zum Beispiel häufig notwendig, Elektronen in einer Stickstoff- oder Sauerstoffumgebung zu emittieren (wie zum Beispiel für den Betrieb einer Breitstrahl-Ionenquelle in diesen Gasen). Die beim Bau von Hohlkathoden verwendeten feuerfesten Metalle (typischerweise Tantal und Wolfram) werden jedoch bei Betriebstemperaturen von Stickstoff und Sauerstoff angegriffen.
  • Ein anderes Problem in Zusammenhang mit Vorrichtungen nach dem bisherigen Stand der Technik hängt mit ausgedehnten Elektronenquellen zusammen. Es ist manchmal wünschenswert, über eine ausgedehnte Elektronenquelle zu verfügen, so daß Elektronen gleichmäßig über eine größere Fläche, wo eine hohe Stromabweichung im Plasma wünschenswert ist, zugeführt werden. Mehrere Aperturen oder eine längliche schlitzförmige Apertur wurden ausprobiert, um eine solche ausgedehnte Elektronenquelle mit einer einzigen Hohlkathode zu erreichen. Bei einer solchen ausgedehnten Quelle ist es außerdem notwendig, über eine ausgedehnte Elektronenemissionsfläche zu verfügen. Jedoch führt jede Ungleichmäßigkeit der Temperatur einer ausgedehnten Emissionsfläche zu einer ungleichmäßigen Emission. Dies führt zu einer Ungleichmäßigkeit des Plasmas in der Nähe der Oberfläche, insofern, als die Ionen durch Kollisionen emittierter Elektronen mit neutralen Atomen erzeugt werden. Die Ungleichmäßigkeit im Plasma führt dann zu einem ungleichmäßigen Beschuß der Elektronenemissionsfläche, wodurch sich die Anfangstemperaturdifferenz erhöht. Auf diese Weise bleibt die Elektronenemission nur auf einen kleinen Teil jeder ausgedehnten Elektronenemissionsfläche beschränkt.
  • Es ist eine Hauptaufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Hohlkathoden-Elektronen-Plasmaquelle zur Verfügung zu stellen, die bei oder im Bereich der Raumtemperatur arbeiten kann.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine Elektronenstrahlvorrichtung zur Verfügung gestellt, die eine Hohlkathodenstruktur mit einem Außengehäuse aufweist, an dessen einem Ende eine Wand angeordnet ist, wobei die genannte Wand eine durch sie hindurchgehende Apertur für die Elektronenstrahlemission aufweist, eine zweite Wand am gegenüberliegende Ende des genannten Gehäuses, ein Mittel, mit dem ein ionisierbares Gas in das genannte Gehäuse hineingeführt wird, wobei das Gehäuse und die Wände eine Innenkammer festlegen, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Teil der Innenfläche der genannten Kammer aus einem Material besteht, welches über einen hohen sekundären Elektronenemissionskoeffizienten bei Beschuß mit Ionen aus dem genannten Gas verfügt, so daß, wenn der innere Raum mit einem ionisierten Gasplasma gefüllt wird, von der genannten Fläche bei Beschuß mit den genannten Ionen durch sekundäre Emissionseffekte energiereiche Elektronen emittiert werden, um den ionisierten Zustand des genannten Gases aufrechtzuerhalten, und energiearme Elektronen, die durch Kollision zwischen den genannten energiereichen Elektronen mit den Gasionen freigesetzt werden, durch die Öffnung emittiert werden.
  • Eine solche Hohlkathodeneinrichtung kann das gewünschte Elektronenplasma durch sekundäre Emission von Elektronen von einer geeigneten Fläche innerhalb der Hohlkathodenkammer erzeugen und erfordert nach der anfänglichen Startphase keine hohen Betriebsspannungen.
  • Eine solche Hohlkathodeneinrichtung ist besonders dann nützlich, wenn erhöhte Betriebstemperaturen, die gewöhnlich bei thermionischen Hohlkathodeneinrichtungen auftreten, schädlich wären.
  • In einer solchen Hohlkathodeneinrichtung sind verlängerte Emissionsflächen möglich, weil keine Abhängigkeit von dem seiner Natur nach ungleichmäßigen thermionischen Emissionsmechanismus besteht.
  • Die Erfindung soll nachfolgend unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen näher beschrieben werden; es zeigt
  • Fig. 1 einen Querschnitt einer vereinfachten Hohlkathode nach dem bisherigen Stand der Technik.
  • Fig. 2.1 einen Querschnitt einer etwas weiterentwickelten thermionischen Hohlkathode nach dem bisherigen Stand der Technik.
  • Fig. 2.2 eine Perspektive des Emissionselements, dargestellt in der Einrichtung der Fig. 2.1.
  • Fig. 3 eine Kombination aus Querschnitt und Funktionsschema einer Hohlkathodeneinrichtung, die gemäß den Lehren der vorliegenden Erfindung aufgebaut wurde.
  • Fig. 4 einen Querschnitt eines alternativen Ausführungsbeispiels der in der Fig. 3 dargestellten Hohlkathodeneinrichtung.
  • Die vorliegende Erfindung wird am besten anhand der schematischen Darstellung der Fig. 3 deutlich. An einem Ende eines Außengehäuses 32 befindet sich eine Wand 34, die eine Apertur 36 für die Elektronenemission aufweist. Am gegenüberliegenden Ende des Gehäuses 32 befindet sich eine andere Wand 38, mit einer Öffnung 40 für den Eintritt eines ionisierbaren Gases 42. Das Gehäuse 32 und die Wände 34 und 28 definieren einen Innenraum 44. Im Betrieb wird der Raum 44 mit einem Plasma gefüllt und Elektronen werden durch die Apertur 36 emittiert und strömen in die allgemeine Richtung 46.
  • Für die Startphase (das heißt, um die erste Entladeformation bereit zustellen) kann eine externe Hochspannungsentladung angewendet werden. Alternativ kann ein Teil des Gehäuses gegenüber dem verbleibenden Teil elektrisch isoliert werden. In diesem Fall wird die dem Gehäuse 32 gegenüberliegende Wand 38 durch den Isolator 48 isoliert. Die Kontur der Elektrode (in diesem Fall Wand 38) ist in der Nähe des Isolators so geformt, daß der Isolator von der Entladung und dem Ionenbeschuß nicht direkt betroffen ist. Auf diese Weise wird der Aufbau einer leitenden Beschichtung auf dem Isolator verhindert.
  • Für die Startphase wird dann die Wand 38 in bezug auf das Gehäuse 32 und die Wand 34 positiv gemacht, typischerweise durch mehrere hundert Volt. In Fig. 3 ist dies durch die Spannungsquelle 54 und einen Schalter 56 dargestellt. Die in der folgenden Entladung gebildeten Ionen treffen auf die Elektronenemissionsfläche 50 auf, wodurch Elektronen zur Aufrechterhaltung der Entladung emittiert werden. Der größte Teil des Raums 44 füllt sich mit einem leitenden Plasma. Die Elektronenemission aus diesem Plasma durch die Apertur 36 dient zum Aufbau eines elektrischen Kontakts zu einer oder mehreren externen Anoden (zum Beispiel 58 in der Fig. ). Sind die Ströme zu diesen Anoden aufgebaut, kann die an die Wand 38 angelegte Spannung entfernt und der normale Betrieb fortgesetzt werden, zum Beispiel durch Öffnen des Schalters 56.
  • Für den normalen Betrieb muß zwischen dem Plasma im Raum 44 und der emittierenden Fläche 50 eine Potentialdifferenz in der Größenordnung von 200 Volt aufgebaut werden. Das Potential wird von der Spannungsquelle 57, die zwischen der Wand 32 der Hohlkathodenstruktur und der Anode 58 angeschlossen ist, aufgebaut. Das Plasma im Raum 44 ist dicht, so daß der größte Teil dieser Potentialdifferenz über einer Plasmahülle zwischen der Hüllengrenze 52 und der Fläche 50 entsteht. Die von der Fläche 50 emittierten Elektronen werden senkrecht von der Fläche abgelenkt und kollidieren im Raum 44 mit neutralen Atomen oder Molekülen. Aufgrund der Energie dieser Elektronen ist eine Reihe von Kollisionen erforderlich, um die Elektronen auf eine Energie von einem bis mehreren eV zu verlangsamen. Die Form und die Lage der Emissionsfläche 50 wird so ausgewählt, daß die durch die Hülle beschleunigten Elektronen nicht durch die Apertur 36 gelenkt werden, sondern vorher kollidieren müssen. Außerdem werden einige sekundäre Elektronen von anderen Flächen, zum Beispiel der Wand 38, emittiert. In diesem Fall ist die Kontur der Innenfläche der Wand 38 so gestaltet, daß die Anzahl der durch die Apertur 36 gelenkten emittierten Elektronen minimiert wird.
  • Um den effizienten Betrieb der Hohlkathode der Fig. 3 sicherzustellen, sollte die Emission von sekundären Elektronen durch die Emissionsfläche 50 angereichert werden. Dies erreicht man durch Verwendung leichter Gasionen und der richtigen Zusammensetzung der Oberfläche 50, wie in Übersichten über Sekundär-Emission beschrieben wird.
  • Typische Gase für einen effizienten Betrieb sind Wasserstoff, Helium und Neon. Mischungen dieser Gase mit anderen reaktionsfreudigen Gasen, wie zum Beispiel N&sub2; oder O&sub2;, können zur Einleitung bestimmter chemischer Reaktionen, wie zum Beispiel die Bildung eines Oxids, geeignet sein, um eine Oberfläche mit einer hohen Ausbeute an sekundären Elektronen aufrecht zuerhalten. Oxide und Halide sind typische Verbindungen für die Emissionsoberfläche. Zu den Oberflächen mit einer hohen Emission von Sekundär-Elektronen gehören MgO, MgF&sub2;, Al&sub2;O&sub3;, BaO, SrO, NaCl, ZnS und Kombinationen dieser und anderer Oxide und Halide. Bei Aluminium- und Magnesiumoxiden wurden keine Sekundär-Emissionseigenschaften festgestellt, sie kämen jedoch wahrscheinlich als geeignete Verbindungen in Betracht. Da solche Verbindungen gewöhnlich Isolatoren sind, ist es manchmal wünschenswert, sie als gesinterte Mischungen von reaktionsträgen Leiter-Isolator-Verbindungen zu verwenden. Alternativ kann die Bildung einer dünnen Oberflächenschicht der gewünschten Verbindung auf der Innenfläche des Gehäuses 32 durch Fertigen des Gehäuses aus geeignetem Material und durch die Anwesenheit eines kleinen Anteils des Reaktionsgases geeignet sein. Zum Beispiel könnte das Gehäuse aus Magnesium bestehen und eine geringe Menge Sauerstoff könnte anwesend sein, entweder in dem durch die Öffnung 40 eingeleiteten Arbeitsgas oder als Rückstrom aus dem umgebenden Raum durch die Apertur 36.
  • Obwohl es durch die Kollisionen der Ionen mit der Emissionsfläche 50 zu einer Erwärmung kommt, muß diese Fläche, um einen zufriedenstellenden Betrieb zu erzielen, keine hohe Temperatur aufweisen. Dementsprechend gilt, daß, wenn Strahlungsverluste zur Aufrechterhaltung einer niedrigen Oberflächentemperatur nicht ausreichen, Röhren mit einer im Inneren fließenden Kühlflüssigkeit an dem Gehäuse 32 angebracht werden könnten.
  • Bei niedrigen Oberflächentemperaturen sind die Reaktionsraten reaktionsfreudiger Gase reduziert. Da keine hohe Temperatur erforderlich ist, können die Materialien außerdem im Hinblick auf ihre Korrosionsbeständigkeit und nicht auf ihr Temperaturverhalten ausgewählt werden. Daher wäre ein ausgedehnter Betrieb mit reaktionsfreudigen Gasen möglich.
  • Da die thermionische Emission kein bedeutender Faktor ist, müßten die ausgedehnten Emissionsflächen entweder mit einer erweiterten Apertur oder mit mehreren Aperturen arbeiten, um eine ausgedehnte Elektronenquelle zu erzielen. Ein alternatives Ausführungsbeispiel der vorgeschlagenen Erfindung wird am besten anhand des Teilschnitts der Fig. 4 deutlich. Hier sieht man ein Außengehäuse 62. Dieses Außengehäuse legt mit dem Polstück 64 einen umschlossenen Raum 66 fest. Die durch Ionenkollisionen mit der Emissionsfläche 68 erzeugten Elektronen entweichen durch die Apertur 70 in der allgemeinen Richtung 72.
  • Dieses Ausführungsbeispiel der Erfindung ist für den Niederdruckbetrieb geeignet, so daß das meiste oder das gesamte neutrale Gas im Raum 66 aus dem Rückstrom des Gases aus dem umgebenden Raum durch die Apertur 70 herrührt. Mit dem durch diesen Rückstrom gelieferten Gas ergibt sich im allgemeinen eine niedrige Dichte. Das innerhalb des Raums 66 erzeugte Plasma hat daher auch eine niedrige Dichte. Daher ist eine große Aperturfläche erforderlich, um das Entweichen eines signifikanten Elektronenstroms zu ermöglichen. Diese große Aperturfläche würde normalerweise das Entweichen einer großen Anzahl energiegeladener Elektronen ermöglichen, mit Ausnahme der magnetischen Feldlinien 74, die durch den Dauermagnet 76 erzeugt werden. Das magnetische Feld konzentriert sich in der Apertur 70, wenn man das Gehäuse 62 und das Polstück 64 aus magnetisch permeablem Material herstellt. Die Größe und die Ausdehnung des magnetischen Feldes wird (nach dem magnetischen Integral-Ansatz) so ausgewählt, daß energiereiche Elektronen innerhalb des Raums 66 zurückgehalten werden und nicht durch die Apertur 70 entweichen. Dieses Zurückhalten hat zur Folge, daß die entweichenden Elektronen nur eine moderate Energie aufweisen, und der Anteil mit hoher Energie gering ist. Durch das Zurückhalten der energiereichen Elektronen wird auch die Emission der sekundären Elektronen angereichert, indem die örtliche Erzeugung von Ionen, welche wie derum die Emissionsfläche 68 beschießen, erhöht wird.
  • Der Hauptvorteil der vorliegenden Erfindung liegt in ihrer Fähigkeit, bei niedriger Temperatur zu arbeiten. Die besonderen Vorteile dieser Eigenschaft sind: verringerte Abstrahlung auf temperaturempfindliche Komponenten; verringerte Sensibilität der Kathode oder der reaktionsfreudigen Gase; und verbesserte Fähigkeit, räumlich ausgedehnte Elektronenquellen zu betreiben.
  • Die Erfindung nutzt das bereits bekannte, jedoch schwierige Problem bei solchen elektronenemittierenden Plasmasystemen durch ausschließlich sekundäre Emission, die normalerweise unterdrückt wurde. Durch eine richtige Auswahl von leitenden hochemissiven sekundären Oberflächen wurden funktionsfähige Hohlkathoden-Einrichtungen mit durch Ionenbeschuß eingeleiteter sekundärer Elektronenemission mit den oben beschriebenen Eigenschaften gebaut.

Claims (8)

1. Elektronenstrahlvorrichtung mit einer Hohlkathodenstruktur, die ein Außengehäuse (32) umfaßt, das an einem Ende eine Wand (34) besitzt, wobei die genannte Wand über eine Apertur (36) für die Elektronenstrahlemission verfügt, eine zweite Wand (38) am gegenüberliegenden Ende des genannten Gehäuses, ein Mittel (40) für den Eintritt eines ionisierbaren Gases in das genannte Gehäuse, wobei das Gehäuse und die Wände eine Innenkammer (44) festlegen, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest ein Teil der Innenfläche (50) der genannten Kammer aus einem Material besteht, welches unter Beschuß mit Ionen aus dem genannten Gas über einen hohen sekundären Elektronenemissionskoeffizienten verfügt, so daß, wenn der innere Raum mit einem ionisierbaren Gasplasma gefüllt wird, unter Beschuß mit den genannten Ionen durch sekundäre Emissionseffekte energiereiche Elektronen von der genannten Oberfläche emittiert werden, um den ionisierten Zustand des genannten Gases aufrechtzuerhalten, und energiearme Elektronen, die durch Kollisionen zwischen den genannten energiereichen Elektronen mit den Gasionen freigesetzt werden, durch die Apertur emittiert werden.
2. Elektronenstrahlvorrichtung nach Anspruch 1, desweiteren Mittel (54, 56) zur Einleitung des Betriebs der Einrichtung unter Verwendung einer Hochspannungsentladung enthaltend, zur ersten Ionisierung des Gases innerhalb der Kammer (44), wobei die Anordnung so gestaltet ist, daß bei der Kollision der Gasionen mit der genannten Elektronenemissionsfläche zur Freisetzung energiereicher Elektronen aus dieser Fläche die genannten energiereichen Elektronen wiederum mit Gaspartikeln innerhalb der genannten Kammer (44) kollidieren, um den ionisierten Zustand des genannten Gases auch dann aufrechtzuerhalten, nachdem die anfängliche hohe Spannung entfernt wurde.
3. Elektronenstrahlvorrichtung nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, in der das ionisierbare Gas Wasserstoff, Helium, Ne oder Kombinationen dieser Gase mit reaktionsfreudigen Gasen, einschließlich O&sub2;, N&sub2; und Ar, umfaßt.
4. Elektronenstrahlvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, in der die Elektronenemissionsfläche eine Schicht von Oxiden und Haliden aufweist, einschließlich MgO, MgF&sub2;, NaCl, ZnO, Al&sub2;O&sub3;, SiO&sub2;, BaO, SrO und Kombinationen von diesen.
5. Elektronenstrahlvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, in der die Emissionsfläche für sekundäre Elektronen auf denjenigen Flächen der genannten Kammer liegt, die energiereiche Elektronen erzeugen, welche die genannten Flächen in einer Richtung verlassen, die im wesentlichen senkrecht zu dem aus der genannten Hohlkathodenstruktur austretenden Elektronenstrahl liegt.
6. Elektronenstrahlvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, welche Mittel zur Einrichtung eines starken Magnetfeldes quer zum Elektronenstrahlfluß durch die genannte Apertur in der genannten, an einem Ende befindlichen Wand, enthält, so daß energiereiche Elektronen im wesentlichen daran gehindert werden, durch die genannte Apertur hindurchzufließen.
7. Elektronenstrahlvorrichtung nach Anspruch 6, in der das genannte Mittel zur Einrichtung eines Magnetfeldes ein in der genannten Apertur (70) angeordnetes Polstück (64) umfaßt, welches eine Öffnung für die ionisierten Gase und den Elektronenfluß zwischen dem Polstück und den Wänden der genannten Apertur festlegt, und Mittel, um an das genannte Polstück ein starkes Magnetfeld zu liefern.
8. Elektronenstrahlvorrichtung nach Anspruch 7, in der das genannte Mittel zur Lieferung eines starken Magnetfeldes einen Dauermagneten (76) umfaßt, der sich in der Innenkammer (66) der genannten Hohlkathode befindet und der so angeordnet ist, daß er gegenüber dem genannten Polstück (64) am einen Ende und der Struktur, welche die genannte Hohlkathode am anderen Ende festlegt, einen Pfad mit niedriger Permeabilität zur Verfügung stellt.
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