DE367780C - Device on X-ray spectrographs for the spectroscopic methods of Seemann and of Seemann and Friedrich - Google Patents

Description

Vorrichtung an Röntgenspektrographen für die spektroskopischen Methoden von Seemann und von Seemann und Friedrich. Die Erfindung .ermöglicht 3n der Hauptsache 'die schnelle Umstellung eines Röntgenspektrographen für die verschiedenen von Seemann und von Seemann und Friedrich angegebenen röntgenspektroskop.nschen (Annal. d. .'Physik . 49, p. 470. igi6 und Physikall. Zeitschr. 20, p. 55 bis 57. igig), indem die eine .-Spaltbacke des Spektrographen mi`t dem Krnstall fest verhunrden und dieses .System sowohl dnnerhalb ,des Spektroigraphen verschicbfbar als auch ganz aus ihm herausnehmbar angeordnet wird, so ,daß es leicht gegen ein anderes mit anders geformten Spaltbacken oder :anderen Kristallen oder anderer gegenseitigen Lage von Kristall und Spaltbacke ausgewechselt werden kann. Außerdem ,gestattet die feste Verbindung von. Kristall und Spailtbacke zu einem -System eine einfache tund sichere Spaltweitenveränderung: Ganz besondere Vorteile bietet ein System. von, scalcher Anordnung, nvie A@bb. i arid . Abb. 2 es zeigen. Dort liegt die Schneides, der Spaltbacke E unmittelbar an einer Kante ,der reflektierenden Fläche ides Kristalls K an. A, B, C, D stellt das Gehäuse dar. s, ist die andere Spaltschneide.Device on X-ray spectrographs for the spectroscopic methods of Seemann and of Seemann and Friedrich. The invention 'mainly enables' the rapid conversion of an X-ray spectrograph for the various X-ray spectroscopes specified by Seemann and by Seemann and Friedrich (Annal. D.' Physik. 49, p. 470. igi6 and Physikall. Zeitschr. 20, pp. 55 to 57. igig) by jamming one of the spectrograph's slit jaws firmly with the crystal and arranging this system so that it can be moved either inside or out of the spectrograph so that it can easily be placed against a something else with differently shaped split jaws or: other crystals or another mutual position of crystal and split jaw can be exchanged. In addition, allows the permanent connection of. Crystal and Spailtbacken to one system a simple and safe gap width change: One system offers very special advantages. from, scalcher arrangement, nvie A @ bb. i arid. Fig 2 show it. There the cutting edge, the split jaw E, lies directly on an edge, the reflective surface of the crystal K. A, B, C, D represents the housing. S, is the other riving knife.

In Abh. i ist ;die Anordnung des Systems K, E an der Kamera so, -daß ider Spek-. trograph nach 'dier Locbkameramethode arbeitet: s, .und s2 .bildgen den ,Spalt, idurch d'en -der Kristälti die an. seiner Oberfläche reflektierten und spektral zerlegten ,Strahlen von außen in die Lochkamera A, B, C, D' hineinwirft.In dependence i; the arrangement of the system K, E on the camera is such that ider spec-. Trograph works according to the Locbkameramethode: s, .and s2 .image the, gap, idurch d'en -the Kristälti the. its surface reflected and spectrally dispersed, throwing rays from the outside into the pinhole camera A, B, C, D '.

Verschiebt man nun das System K, E längs D;, C nach C zu, wie es Abb. 2 zeigt, so tritt an die Stelle von E ein Teil des Kristalls K, der (dann. :die für die Schneidenmetho'de kennzeichnende Stellung gegen s,_ einnimmt, während E nur noch als @Bleüde gegen,unmittelbar von. der Röntgenröhre schief einfallende Strahlung wirkt. Diese Umstellung von der Lochkamera- auf die !Schneidenmethodekann zwar auch dadurch, erfolgen, daß man sl in ,der Richtung auf D zu. verschiebt, während das System K, E sitzenbleibt. Dadurch würde aber (die Konstante des Apparates; -der. Abstand von sl Ibis zur photographischen Platte P, verändert.If one now shifts the system K, E along D ;, C to C, as shown in Fig. 2 shows, a part of the crystal K takes the place of E, which (then.: The for the cutting method characteristic position against s, _ assumes, while E only as @ Bleüde against, immediately from. the X-ray tube inclined Radiation works. This switch from the pinhole camera to the cutting method can this also takes place in that one sl in, the direction towards D. moves while the system K, E remains in place. But this would (the constant of the apparatus; -der. Distance from sl ibis to photographic plate P, changed.

Ein besonderer Vorzug der .beschriebenen ; Form des Systems K, E ist der, daß die Länge der reflektierenden Kristallfläche, die für einen gegebenen. Reflexionswinkel -der .Strahlen und eine gegebene Spaltweite !beansprucht wird, ein Minimum ist. Bei Untersuchung sehr harter Strahlen, die einen entsprechenden sehr .kleinen Reflexionswinkel haben., muß die reflektierende Kristallfläche beii größeren Spaltweiten selbst ein der beschriebenen günstIgsten Anordnung schon eine Länge von mehreren Zentimetern haben. Solche langen Flächen von: der erforderlichen Güte des Wachstums sind sehr viel seltener zu finden als solche von ,etwa nur i cm Länge. A special advantage of the .described; The form of the system K, E is that of the length of the reflective crystal face that is necessary for a given. The angle of reflection of the rays and a given gap width is a minimum. When examining very hard rays, which have a corresponding very small angle of reflection, the reflecting crystal surface with larger gap widths, even one of the most favorable arrangements described, must already have a length of several centimeters. Such long areas of: the required quality of growth are much rarer to be found than those of about only 1 cm in length.

In A ibb. r stellt f1, f2 ein, von der Strahlenquelle kommendes, arm Kristall reflektiertes und vom Spalt s1, s2 ausgeblendetes Strahlenbündel einer bestimmten Wellenlänge där. Das Bündel wird von der zwischen s.. und F liegenden Fläche (des Kristalls K reflektiert. Würde man den Kristall parallel sieh selbst nur wenig nach rechts verschieben, während s1, s. 'bleibt, so würde die Grenze F um ein beträchtliches Stück weiter nach D zu rücken. Der Kristall müßte daher erheblich länger sein .als s1, F, wenn er E noch berühren soll, um auch unter großen Reflexionswinikeln noch writksam zu sein.In A ibb. r sets f1, f2, coming from the radiation source, poor A beam of rays reflected from the crystal and masked out by the slit s1, s2 certain wavelength där. The bundle is from the one lying between s .. and F Surface (of the crystal K is reflected. If one were to see the crystal parallel to itself shift only a little to the right while s1, s. 'remains, the limit F to move a considerable way further to D. The crystal would therefore have to be substantial be longer than s1, F, if it is still supposed to touch E, in order also under large reflection angles still being able to write.

Die beschriebene besondere Anordnung des Kristalls am Spalt, die durch Abb. i wiedergegeben wird, stellt eine --sehr vorteilhafte neue Spektralmethode .dar, die als Grenzfall zwischen Lochkamera- und Schneiidenmethode aufgefaßt werden kann. Hierbei können K und E auch nicht fest miteinander verbunden sein.The described special arrangement of the crystal at the gap, which by Fig. I represents a very advantageous new spectral method .dar, which are seen as a borderline case between the pinhole camera and the cutting method can. Here, K and E cannot be permanently connected to one another.

Abb.3 stellt denselben Spektrographen A, B, C, D wie in Abb. i und z dar, jedoch init einem anderen System. K, E für -die Fenstermethode nach F r i e d r i c 'h und S e -e -m a n n , das gegen das System K, E der Abb. i und 2 ausgewechselt ,wurde. Die Spaltbacke E hat eine stumpfwinklige Schneide sl, -die den Vorteil größerer Undurchlässigkeit hat, und der Kristall ist eine Platte (Fenster), die vorwiegend im Innern reflektiert.Fig.3 shows the same spectrograph A, B, C, D as in Fig. I and z, but with a different system. K, E for -the window method according to F riedric'h and S e -e -mann, which was replaced by the system K, E in Figs. I and 2. The split jaw E has an obtuse-angled cutting edge sl, which has the advantage of greater impermeability, and the crystal is a plate (window) that mainly reflects inside.

Bei allen Methoden kann, die Veränderung der Spaltweite dadurch 'bewirkt werden, daß die Systeme K, E parallel sich selbst oder auch nicht parallel sich selbst nach rechts oder links verschoben werden, etwa durch Veränderung der Dicke von Platten, die als Zwischenlage zwischen K, E rund der Gehäusewand C, D dienen. Ohne die übrigen Vorteile der Erfindung zu beeinträchtigen, kann aber auch s1 -am Gehäuse verschielbbar gemacht werden, während s., sitzenb@l@eibt.With all methods, the change in the gap width can thereby be effected that the systems K, E parallel themselves or not parallel themselves can even be shifted to the right or left, for example by changing the thickness of plates that serve as an intermediate layer between K, E around the housing wall C, D. Without impairing the other advantages of the invention, however, s1 -am Housing can be made lockable, while s., Sitzb @ l @ eibt.

Die starre Verbindung von E mit K kann bei allen beschriebenen Methoden sowohl durch einfache Verkittung :der @Grenizfläch@en als auch durch Befestigung in oder an einem gemein-.3amen Halter oder Fassung hergestellt werden.The rigid connection of E with K can be used in all of the methods described both by simple cementing: the @ Grenizflächen @ en as well as by fastening in or on a common holder or socket.

Es ist kein: allgemeines Kennzeichen -der Erfindung, daß E und K sich an iirgendein.er Stelle vollkommen berühren. Lediglich bei ler besonderen Systemanordnung der Abb. i muß K die Schneide s. in ihrer ganzen Länge, soweit sie von reflektierten Strahlen getroffen wird, berühren.It is not a general characteristic of the invention that E and K are mutually exclusive touch completely anywhere. Only with a special system arrangement In Fig. i, K must have the entire length of the cutting edge, as far as it is reflected from Rays is hit, touch.

.Die Vorteile der starren Verbindung von Kristall und Spaltbacke s2 werden seicht aufgehoben" wenn der Kristall bei der Schneidenanordnung der Abb. i nicht unmittelbar an der Schneide s; anNeigt, sondern ein Stück nach rechts oder schräg rechts nach D zu verschoaben isitzt. Auch dann kann durch Verschiebung des Systems in der Richtung auf C zu ein Übergang von der Lochkameramethode zur Schneidenmethode erzielt werden, Z@enn auch iin !diesen Fällen der Abstand von s, nach s2 im allgemeinen ein anderer sein wird als von s, bis zur Kristalloberfläche. Die Spaltweite s1, s2 bei Einstellung auf die Lochkameramethode wird dann .eine andere sein als der Albstand zwischen s, und K bei Einstellung auf -die Schneidenmethode..The advantages of the rigid connection between crystal and split jaw s2 are shallowly lifted "if the crystal with the cutting edge arrangement in Fig. i not directly at the cutting edge s; inclines, but a bit to the right or diagonally to the right to D is shifted. Even then, by shifting the System in the direction of C to a transition from the pinhole method to the cutting method In these cases, too, the distance from s to s2 in general can be achieved will be different than from s to the crystal surface. The gap width s1, When the pinhole camera method is set, s2 will then be different from the Al distance between s, and K when set to -the cutting edge method.

Claims (1)

PATENT-ANSPRUCH Vorrichtung an Röntgenspektrographen für die spektraskopischen Methoden von Seemann ,und von Seemann und F r e,d r i c h, !dadurch gekennzeichnet, daß der Kristall und die auf der Seite des Kristalls liegende Spaltbaake starr miteinander verbunden werden -und dieses starre System; sowohl ,ganz aus dem Spektrographen herausnebmibar als -auch im Spektroigraphen verschiebbar ist, letzteres bei .allen Methodien in Richtung der Spaltschneidenebene zwecks 'Spaltweitenveränderung, bei ider Lochkamera- und Schneidenmethode außerdem noch in Richtung der reflektierenden Kristallfläche zwecks Umstellung von einer der beiden Methoden auf die andere, .insbesondere bei einer Systemanordnung, bei der die Spaltschneide unmittelbar an :der einen Kante der reflektierenden Kristallfläche anliegt, so daß eine Verschiebung des Systems parallel der Ebene der reflektierenden Kristallfläche eine .derartige Umstellung des Spektrographen von der Lochkameramethode auf die Schneidenmethode und umgekehrt ibewirkt, daß der Abstand -der festsitzenden Schneide vom System konstant bleibt.PATENT CLAIM Device on X-ray spectrographs for spectroscopic Methods of Seemann, and of Seemann and F r e, d r i c h,! Characterized by that the crystal and the split baake lying on the side of the crystal are rigid with one another be connected - and this rigid system; both, entirely from the spectrograph can also be moved out of the spectrograph, the latter in all cases Methodologies in the direction of the cutting edge plane for the purpose of changing the gap width ider pinhole camera and cutting edge method also in the direction of the reflective Crystal face for the purpose of switching from one of the two methods to the other, in particular in a system arrangement in which the riving knife is directly on: the one edge the reflective crystal surface is applied, so that a shift of the system parallel to the plane of the reflective crystal surface. Such a conversion of the spectrograph from the pinhole camera method to the cutting edge method and vice versa i has the effect that the distance between the stuck cutting edge and the system remains constant.