DE3629937C2 - - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung mit einer elektronischen Drossel, die in einer Fernsprechanlage zwischen eine erste Ader und eine zweite Ader eines Schleifenschlusses einer Fernsprechverbindung geschaltet ist.The invention relates to a circuit arrangement with a electronic choke used in a telephone system between a first wire and a second wire of one Loop closure of a telephone connection switched is.

Soll eine Herstellung einer Fernsprechverbindung zwischen einer Fernsprechanlage und einem Amt des öffentlichen Fernsprechnetzes eingeleitet werden, so erfolgt ein Schleifenschluß der Amtsleitung üblicherweise mittels einer sogenannten Haltedrossel. Diese Haltedrossel ist in einem Amtsverbindungssatz der Fernsprechanlage zwischen eine erste Ader - a-Ader - und einer zweiten Ader - b-Ader - eines Sprechadernpaares geschaltet. Diese Haltedrossel hat einen kleinen Gleichstromwiderstand, so daß auch bei verhältnismäßig langen Amtsleitungen ein Schleifenschluß im Amt noch sicher erkannt wird. Außerdem wird der Sprechweg aufgrund der hohen Induktivität der Haltedrossel nicht gedämpft.Should a telephone connection be established between a telephone system and a public office Telephone network are initiated, so takes place Loop closure of the outside line usually by means of a so-called restrictor. This restrictor is in an exchange connection set of the telephone system between a first core - a core - and a second core - b core - a pair of speaking wires switched. This restrictor has a small DC resistance, so that also at relatively long trunks a loop  is still reliably recognized in office. In addition, the Speech path due to the high inductance of the Holding choke not damped.

Da bei kurzen Amtsleitungen der Leitungsschleifenstrom einen verhältnismäßig hohen Wert annimmt, erfolgt eine hohe Gleichstromvormagnetisierung der Haltedrossel. Um nun die geforderte hohe Induktivität der Haltedrossel zu realisieren, ergeben sich räumlich große und entsprechend teure Wickelgüter.Because with short exchange lines the line loop current assumes a relatively high value, one takes place high DC bias of the holding choke. Around now the required high inductance of the choke realize, there are spatially large and corresponding expensive winding goods.

Die verhältnismäßig hohe Induktivität zur Vermeidung von Sprachsignaldämpfungen und der niedrige Gleichstrominnenwiderstand zur Vermeidung von Leitungslängenbeschränkungen muß auch dann beibehalten werden, wenn über die Amtsleitung ein zur Gebührenerfassung gepulstes, amtsleitungslängenabhängiges Signal mit einer Frequenz von 16 KHz und mit einer hohen Amplitude (beispielsweise bis zu 30 Vss) übertragen wird, und wenn ferner über Erdkapazitäten der Amtsleitung longitudinale Störspannungen eingekoppelt werden.The relatively high inductance to avoid Speech signal attenuation and the low DC internal resistance to avoid Line length restrictions must then also be maintained become, if via the outside line to Pulsed, trunk line dependent Signal with a frequency of 16 kHz and with a high Amplitude (for example up to 30 Vpp) is transmitted, and if further on earth capacities of the trunk longitudinal interference voltages are injected.

Der Ersatz von Induktivitäten durch eine elektronische Schaltungsanordnung in Form von sogenannten Gyratoren ist zwar bekannt, doch ist deren Einsatz dort begrenzt, wo die Sinalspannungsamplitude den zur Verfügung stehenden Gleichspannungshub übersteigt. Weiterhin dann, wenn longitudinal eingekoppelte Störspannungen am hohen dynamischen Innenwiderstand der Gyratoren abfallen und den zur Verfügung stehenden Gleichspannungshub ebenfalls übersteigen. Dies führt zur Übersteuerung der elektronischen Anordnung, wodurch der hohe dynamische Innenwiderstand verloren geht.The replacement of inductors with an electronic one Circuit arrangement in the form of so-called gyrators Although known, their use is limited where the sinus voltage amplitude the available DC voltage swing exceeds. Continue if longitudinally coupled interference voltages at high dynamic internal resistance of the gyrators drop and the available DC voltage swing as well  exceed. This leads to overmodulation of the electronic arrangement, which makes the high dynamic Internal resistance is lost.

Der Einsatz von Gyratoren ist ferner dort begrenzt, wo aufgrund der galvanischen Verbindung mit dem Leitungsnetz eine Schutzschaltung gegen Überspannungen (z.B. aufgrund eines Blitzes) erforderlich ist. Eine solche Schutzschaltung verlangt zur Strombegrenzung serielle Schutzvorwiderstände von beispielsweise 2 × 100 Ω, um den Wert dieser Schutzwiderstände muß dann aber der Gleichstrominnenwiderstand der Ersatzschaltung geringer sein, und damit wird der zur Verfügung stehende Gleichspannungsabfall verkleinert.The use of gyrators is also limited where due to the galvanic connection to the line network a protective circuit against overvoltages (e.g. due to a flash) is required. Such Protection circuit requires serial to limit current Protective resistors of, for example, 2 × 100 Ω, around the The value of these protective resistors must then, however DC internal resistance of the equivalent circuit lower and that will be the one available DC voltage drop reduced.

Die technische Aufgabe gemäß der Erfindung besteht darin, in einer Fernsprechanlage einen Schleifenschluß mit einer Amtsleitung zum Aufrechterhalten einer Fernsprechverbindung herzustellen.The technical object according to the invention is in a telephone system a loop with one Trunk to maintain one Establish telephone connection.

Eine Lösung dieser Aufgabe erfolgt mit den im Patentanspruch 1 angegebenen Mitteln.This task is solved with the im Claim 1 specified means.

Der Gleichstrominnenwiderstand der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung nimmt bei einer Verkleinerung des Widerstandes der Amtsleitung zu, um einen Anstieg des Schleifenstroms bei kurzen Amtsleitungen zu verhindern. Dagegen wird der Gleichstrominnenwiderstand bei langen Amtsleitungen so klein, daß auch serielle Schutzvorwiderstände ohne Amtsleitungslängenverluste für einen Überspannungsschutz vorgeschaltet werden können. Insbesondere kann der Gleichstrominnenwiderstand auch negative Werte annehmen, um den Amtsleitungslängenbereich trotz vorgeschalteter Schutzvorwiderstände zu erweitern.The DC internal resistance of the invention Circuitry takes a downsizing Resistance of the outside line to an increase of the Prevent loop current on short trunks. In contrast, the DC internal resistance at long Trunks so small that serial too Protective resistors without trunk length loss for Surge protection can be installed upstream. In particular, the DC internal resistance can also  take negative values around the trunk length range to expand despite upstream protective resistors.

Ferner wird die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung weder durch ein zur Gebührenerfassung gepulstes, amtsleitungslängenabhängiges Signal großer Amplitude noch durch über Erdkapazitäten der Amtsleitung eingekoppelte longitudinale Störspannungen übersteuert.Furthermore, the circuit arrangement according to the invention neither by a pulsed for fee collection, trunk-dependent signal of large amplitude by coupled in via earth capacities of the outside line longitudinal interference voltages overdriven.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen des Gegenstandes der Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen.Further advantageous embodiments of the subject of Invention can be found in the subclaims.

Ein Ausführungsbeispiel wird im folgenden anhand der Zeichnungen erläutert.An embodiment is shown below with reference to Drawings explained.

Fig. 1 Ein Schaltbild der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung und Fig. 1 is a circuit diagram of the circuit arrangement according to the invention and

Fig. 2 eine Darstellung des Gleichstrominnenwiderstandes der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung als Funktion des variablen Widerstandes RX. Fig. 2 shows the DC internal resistance of the circuit arrangement according to the invention as a function of the variable resistor RX.

Eine elektronische Drossel, wie in Fig. 1 gezeigt, ist zwischen eine erste Ader a und eine zweite Ader b eines Sprechadernpaares geschaltet. Die symmetrisch aufgebaute elektronische Drossel Dr weist eine einen ersten Darlington-Transistor T1, T1′ (vom npn-Typ) enthaltende Gleichstromsenke und eine einen zweiten Darlington-Transistor (T2, T2′) (vom pnp-Typ) enthaltende Gleichstromquelle auf. Dabei ist die erste Ader a über eine Reihenschaltung aus der Kollektor-Emitter-Strecke K1, E1 des ersten Transistors T1, T1′, einem ersten vergleichsweise niederohmigen Stromeinstellwiderstand SR1 und einer ersten Konstantspannungseinheit T3, R5, R6 mit einem ersten Pol - einer internen Versorgungsspannung UB1 verbunden.An electronic choke, as shown in FIG. 1, is connected between a first wire a and a second wire b of a pair of speech wires. The symmetrical electronic choke Dr has a first Darlington transistor T 1 , T 1 ' (of the npn-type) containing direct current sink and a second Darlington transistor (T 2 , T 2' ) containing (pnp-type) direct current source on. The first wire is a via a series connection of the collector-emitter path K 1 , E 1 of the first transistor T 1 , T 1 ' , a first comparatively low-resistance current setting resistor SR 1 and a first constant voltage unit T 3 , R 5 , R 6 connected to a first pole - an internal supply voltage UB 1 .

Symmetrisch dazu ist die zweite Ader b über eine Reihenschaltung aus der Kollektor-Emitter-Strecke K2, E2 des zweiten Transistors T2, T2′, einem zweiten Stromeinstellwiderstand SR2 und einer zweiten Konstantspannungseinheit T3, R4, R7 mit einem zweiten Pol + der internen Versorgungsspannung UB1 verbunden. Die beiden Stromeinstellwiderstände werden hier zu SR1 = SR2 = 1 K Ω gewählt. Die Basis B1 und der Kollektor K1 des ersten Transistors T1, T1′ sind über einen ersten vergleichsweise hochohmigen Spannungsteiler R10, R11 miteinander verbunden. Entsprechend symmetrisch ist die Basis B2 und der Kollektor K2 des zweiten Transistors T2, T2′ über einen zweiten auch vergleichsweise hochohmigen Spannungsteiler R20, R21 miteinander verbunden. Dabei ist ein Mittelabgriff 1 des ersten Spannungsteilers R10. R11 über einen ersten vergleichsweise sehr hochohmigen Widerstand R1 mit dem ersten Pol - der internen Versorgungsspannung UB1 und entsprechend ein Mittelabgriff 2 des zweiten Spannungsteilers R20. R21 über einen zweiten sehr hochohmigen Widerstand R2 mit dem zweiten Pol + der internen Versorgungsspannung UB1 verbunden. Weiterhin ist der erste Mittelabgriff 1 über einen ersten Kondensator C1 und parallel dazu über eine Reihenschaltung aus einem dritten Widerstand R3 und einer in Durchlaßrichtung gepolten Diode D1 mit dem zweiten Mittelabgriff 2 verbunden. Die Spannungsteilerwiderstände sind zu R10 = R20 = 25 K Ω und zu R11 = R21 = 50 K Ω gewählt und die sehr hochohmigen Widerstände R1 und R2 weisen einen Widerstandswert von R1 = R2 = 300 K Ω auf. Der dritte Widerstand R3 hat einen Widerstandswert von R3 = 30 K Ω.Symmetrical to this is the second wire b via a series connection of the collector-emitter path K 2 , E 2 of the second transistor T 2 , T 2 ' , a second current setting resistor SR 2 and a second constant voltage unit T 3 , R 4 , R 7 with a second pole + of the internal supply voltage UB 1 connected. The two current setting resistors are selected here for SR 1 = SR 2 = 1 K Ω. The base B 1 and the collector K 1 of the first transistor T 1 , T 1 ' are connected to one another via a first comparatively high-resistance voltage divider R 10 , R 11 . The base B 2 and the collector K 2 of the second transistor T 2 , T 2 'are connected correspondingly symmetrically via a second, also comparatively high-impedance, voltage divider R 20 , R 21 . There is a center tap 1 of the first voltage divider R 10 . R 11 via a first comparatively very high-resistance resistor R 1 with the first pole - the internal supply voltage UB 1 and correspondingly a center tap 2 of the second voltage divider R 20 . R 21 is connected to the second pole + of the internal supply voltage UB 1 via a second very high-resistance resistor R 2 . Furthermore, the first center tap 1 is connected to the second center tap 2 via a first capacitor C 1 and in parallel via a series circuit comprising a third resistor R 3 and a diode D 1 polarized in the forward direction. The voltage divider resistors are selected for R 10 = R 20 = 25 K Ω and for R 11 = R 21 = 50 K Ω and the very high-resistance resistors R 1 and R 2 have a resistance value of R 1 = R 2 = 300 K Ω. The third resistor R 3 has a resistance value of R 3 = 30 K Ω.

Wie Fig. 1 zu entnehmen ist, enthält die erste Konstantspannungseinheit T3, R5, R7 einen dritten Transistor T3 (vom pnp-Typ) und die zweite Konstantspannungseinheit T4, R5, R6 einen vierten Transistor T4 (vom npn-Typ).As can be seen from FIG. 1, the first constant voltage unit T 3 , R 5 , R 7 contains a third transistor T 3 (of the pnp type) and the second constant voltage unit T 4 , R 5 , R 6 contains a fourth transistor T 4 (from npn type).

Der Emitter E3 des dritten Transistors T3 und symmetrisch dazu der Emitter E4 des vierten Transistors T4 sind mit dem ersten Stromeinstellwiderstand SR1 bzw. mit dem zweiten Stromeinstellwiderstand SR2 verbunden. Weiterhin ist der Emitter E3 des dritten Transistors T3 über einen vierten Widerstand R4 mit der Basis B4 des vierten Transistors T4 und entsprechend der Emitter E4 des vierten Transistors T4 über einen fünften Widerstand R5 mit der Basis B3 des dritten Transistors T3 verbunden. Der Kollektor K3 des dritten Transistors T3 ist mit dem ersten Pol - der internen Versorgungsspannung UB1 und über einen sechsten Widerstand R6 mit seiner Basis B3 verbunden. Symmetrisch dazu ist der Kollektor K4 des vierten Transistor T4 mit dem zweiten Pol + der internen Versorgungsspannung UB1 und über einen siebten Widerstand R7 mit seiner Basis B4 verbunden. Zwischen dem gemeinsamen Verbindungspunkt 3 der Basis B3 des dritten Transistors T3, des fünften Widerstandes R5 und des sechsten Widerstandes R6 und dem gemeinsamen Verbindungspunkt 3 der Basis B4 des vierten Transistors T4, des vierten Widerstandes R4 und des siebten Widerstandes R7 ist ein zweiten Kondensator C2 angeordnet. Bei einer zu UB1 = -60 V gewählten internen Versorgungsspannung ergeben sich für die Widerstände der Konstantspannungseinheiten die folgenden Werte:The emitter E 3 of the third transistor T 3 and, symmetrically thereto, the emitter E 4 of the fourth transistor T 4 are connected to the first current setting resistor SR 1 and to the second current setting resistor SR 2 , respectively. Furthermore, the emitter E 3 of the third transistor T 3 is connected via a fourth resistor R 4 to the base B 4 of the fourth transistor T 4 and, accordingly, the emitter E 4 of the fourth transistor T 4 is connected to the base B 3 of the fifth transistor R 5 third transistor T 3 connected. The collector K 3 of the third transistor T 3 is connected to the first pole - the internal supply voltage UB 1 and via a sixth resistor R 6 to its base B 3 . Symmetrically to this, the collector K 4 of the fourth transistor T 4 is connected to the second pole + of the internal supply voltage UB 1 and via a seventh resistor R 7 to its base B 4 . Between the common connection point 3 of the base B 3 of the third transistor T 3 , the fifth resistor R 5 and the sixth resistor R 6 and the common connection point 3 of the base B 4 of the fourth transistor T 4 , the fourth resistor R 4 and the seventh resistor R 7 , a second capacitor C 2 is arranged. With an internal supply voltage selected for UB 1 = -60 V, the following values result for the resistances of the constant voltage units:

R4 = R5 = 220 K Ω und R6 = R7 = 3 K Ω.R 4 = R 5 = 220 K Ω and R 6 = R 7 = 3 K Ω.

Ein über eine Amtsbatterie mit einer Amtsversorgungsspannung UB2 eingespeister Schleifenstrom i fließt über Amtsvorwiderstände RV und über einen Amtsleitungswiderstand RL, der je nach der Leitungslänge unterschiedlich hoch ist, zur Fernsprechanlage. Der sich aus dem Amtsvorwiderstand RV und dem variablen Amtsleitungswiderstand RL jeweils ergebende Gesamtwiderstand wird im folgenden mit RX bezeichnet.A loop current i fed in via an exchange battery with an exchange supply voltage UB 2 flows via exchange series resistors RV and via an exchange line resistor RL, which varies depending on the line length, to the telephone system. The total resistance resulting from the trunk resistor RV and the variable trunk resistance RL is referred to below as RX.

Desweiteren wird in Fig. 1 mit S1 ein von der Fernsprechanlage abgehendes, amtsleitungslängenunabhängiges Sprechsignal mit S2 ein ankommendes, amtsleitungslängenabhängiges Sprechsignal und mit S3 ein zur Gebührenerfassung gepulstes, amtsleitungslängenabhängiges Signal mit einer Frequenz von 16 KHz bezeichnet. Mit UL ist eine über Erdkapazitäten in das Sprechadernpaar a, b eingekoppelte longitudinale Störspannung dargestellt.Furthermore, in Fig. 1, S 1 is an outgoing from the telephone system, independent of the trunk line length speech signal with S 2, an incoming, trunk line length-dependent speech signal and S 3 is a pulsed, trunk line dependent signal with a frequency of 16 KHz. UL represents a longitudinal interference voltage coupled into the speech wire pair a, b via earth capacitances.

Der von der Amtsbatterie über die Sprechadern eingespeiste Schleifenstrom i teilt sich in der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung in einen Hauptstrom i1 und einen Nebenstrom i2 auf. Der Nebenstrom i2 teilt sich weiter in Ströme i3 und i4 auf. Der Nebenstrom i2 verursacht über den ersten Spannungsteiler R10, R11 und den zweiten Spannungsteiler R20, R21, deren Mittelabgriffe 1, 2 über den dritten Widerstand R3 und die in Durchlaßrichtung gepolte Diode D1 verbunden sind, einen definierten Spannungsabfall an den Kollektor-Basis-Strecken des ersten Darlington-Transistors T1, T1′ und des zweiten Darlington-Transistors T2, T2′, so daß beide Darlington-Transistoren in den aktiven Zustand gesteuert werden. Aufgrund des symmetrischen Aufbaus der Gleichstromsenke und der Gleichstromquelle ist der über die erste Ader a ankommende Schleifenstrom i betragsmäßig gleichgroß wie der über die zweite Ader b abgehende Schleifenstrom i und zwar unabhängig von der Amtsversorgungsspannung UB2 und des Widerstandes RX (Stromspiegelprinzip).In the circuit arrangement according to the invention, the loop current i fed in by the official battery via the speech wires is divided into a main current i 1 and a secondary current i 2 . The secondary flow i 2 is further divided into currents i 3 and i 4 . The secondary current i 2 causes a defined voltage drop across the first voltage divider R 10 , R 11 and the second voltage divider R 20 , R 21 , whose center taps 1, 2 are connected via the third resistor R 3 and the diode D 1 polarized in the forward direction the collector-base paths of the first Darlington transistor T 1 , T 1 ' and the second Darlington transistor T 2 , T 2' , so that both Darlington transistors are controlled in the active state. Due to the symmetrical structure of the direct current sink and the direct current source, the loop current i arriving via the first wire a is of the same magnitude as the loop current i leaving via the second wire b, regardless of the external supply voltage UB 2 and the resistor RX (current mirror principle).

Bei kleinen Amtsleitungslängen, d.h. bei kleinem Widerstand RX ergibt sich an der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung ein maximaler Spannungsabfall Uab zwischen der ersten Ader a und der zweiten Ader b. Folglich fließt ein maximaler Nebenstrom i2 und somit ein maximaler Strom i4 (der Teilstrom i3 ist aufgrund der sehr hochohmigen Widerstände R1, R2 sehr klein). Die über den ersten Spannungsteiler R10, R11 und den zweiten Spannungsteiler R20, R21 resultierenden hohen Spannungsabfälle erzeugen einen großen Gleichspannungsaussteuerungsbereich (große Kollektor-Emitter-Spannung) an den beiden Darlington-Transistoren. Somit kann, neben den Sprechsignalen S1, S2 insbesondere die Signalspannung S3, die aufgrund der kurzen Amtsleitung eine maximale Amplitude aufweist, durch die Darlington-Transistoren ohne Übersteuerung ausgesteuert werden. Die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung weist einen großen Gleichstrominnenwiderstand Ri aufWith small exchange line lengths, ie with a small resistance RX, the circuit arrangement according to the invention results in a maximum voltage drop Uab between the first wire a and the second wire b. As a result, a maximum secondary current i 2 flows and thus a maximum current i 4 (the partial current i 3 is very small due to the very high-resistance resistors R 1 , R 2 ). The high voltage drops resulting via the first voltage divider R 10 , R 11 and the second voltage divider R 20 , R 21 generate a large DC voltage control range (large collector-emitter voltage) at the two Darlington transistors. Thus, in addition to the speech signals S 1 , S 2, in particular the signal voltage S 3 , which has a maximum amplitude due to the short exchange line, can be driven by the Darlington transistors without overdriving. The circuit arrangement according to the invention has a large DC internal resistance Ri

In Fig. 2 ist der Gleichstrominnenwiderstand Ri, als Funktion des aus den Amtsvorwiderständen RV und des variablen Amtsleitungswiderstandes RL gebildeten Widerstandes RX gezeigt. In Abhängigkeit von RX (und der Amtsversorgungsspannung UB2, die hier zwischen -57 V und -64 V angenommen wird) ergibt sich ein Schleifenstrom i gemäß der Kennlinie 1.In FIG. 2, the direct current internal resistance Ri, as a function of the resistance RX from the Amtsvorwiderständen RV and the variable resistor RL formed trunk. Depending on RX (and the exchange supply voltage UB 2 , which is assumed here between -57 V and -64 V), a loop current i results according to characteristic curve 1 .

Einer Vergrößerung des Amtsleitungswiderstandes RL entspricht eine Verkleinerung des Teilstromes i4 und damit eine Verringerung des Spannungsabfalls UB3 am dritten Widerstand R3. In einem Punkt P der Kennlinie, wie Fig. 2 zu entnehmen ist, erreicht die Spannung UR3 am dritten Widerstand R3 den Wert Null. Eine weitere Vergrößerung des Amtsleitungswiderstandes RL bewirkt eine Umkehrung der Spannung UR3 am dritten Widerstand R3 und somit ein Sperren der Diode D1. Der Nebenstrom i2 fließt jetzt vollständig über den sehr hochohmigen Widerstand R1 ab. Der Schleifenstrom i verläuft ab dem Punkt P gemäß der eingezeichneten Kennlinien 2.An increase in the trunk resistance RL corresponds to a reduction in the partial current i 4 and thus a decrease in the voltage drop UB 3 across the third resistor R 3 . At a point P on the characteristic curve, as can be seen in FIG. 2, the voltage UR 3 at the third resistor R 3 reaches the value zero. A further increase in the trunk resistance RL causes a reversal of the voltage UR 3 at the third resistor R 3 and thus a blocking of the diode D 1 . The secondary current i 2 now flows completely through the very high resistance R 1 . The loop current i runs from the point P in accordance with the characteristic curves 2 .

Gemäß Kennlinie 1 weist die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung für kurze Amtsleitungen einen hohen Gleichstrominnenwiderstand und somit einen großen Gleichspannungshub auf, um die großen Signalpegel der Signale S1, S2, S3 aufnehmen zu können. Da mit zunehmender Amtsleitungslänge die Signalpegel der Signale S2, S3 abnehmen (leitungslängenabhängige Signale) kann auch der Gleichstrominnenwiderstand Ri entsprechend der Steilheit der Kennlinie 1 abnehmen. Einerseits verringert sich der Gleichspannungsabfall an den Darlington-Transistoren mit zunehmender Amtsleitungslänge andererseits muß jedoch sichergestellt sein, daß bei jeder Amtsleitungslänge ein genügend großer Aussteuerungsbereich zur Aufnahme der Signalspannungen S1, S2, S3 zur Verfügung steht. Da das Signal S1 amtsleitungslängenunabhängig ist, ist die Kennlinie 2 "so eingestellt", daß die Darlington-Transistoren nicht übersteuert werden. Durch die geringere Steilheit der Kennlinie 2 wird der zur Verfügung stehende Gleichspannungsabfall UCE (ab Punkt P, infolge der Diode D1) an den Darlington-Transistoren gegenüber dem Verlauf nach Kennlinie 1 vergrößert. Dies ermöglicht auch noch bei sehr langen Amtsleitungen, zum Schutz vor Überspannungen, den Einsatz von seriellen Schutzvorwiderständen (2×100 Ω). Insbesondere kann der Gleichstrominnenwiderstand Ri, vgl. Fig. 2, auch negative Werte annehmen, um den Amtsleitungslängenbereich zu erweitern.According to characteristic curve 1 , the circuit arrangement according to the invention for short exchange lines has a high DC internal resistance and thus a large DC voltage swing in order to be able to record the large signal levels of the signals S 1 , S 2 , S 3 . Since the signal levels of the signals S 2 , S 3 decrease with increasing trunk line length (signals dependent on the line length), the internal DC resistance Ri can also decrease in accordance with the steepness of the characteristic curve 1 . On the one hand, the DC voltage drop at the Darlington transistors decreases with increasing trunk line length, on the other hand, however, it must be ensured that there is a sufficiently large modulation range for receiving the signal voltages S 1 , S 2 , S 3 for each trunk line length. Since the signal S 1 is independent of the length of the trunk line, the characteristic curve 2 is "set" so that the Darlington transistors are not overdriven. Due to the lower steepness of the characteristic curve 2 , the available DC voltage drop UCE (from point P, due to the diode D 1 ) at the Darlington transistors is increased compared to the curve according to characteristic curve 1 . This enables serial protective resistors (2 × 100 Ω) to be used even for very long trunk lines to protect against overvoltages. In particular, the DC internal resistance Ri, cf. Fig. 2, also assume negative values to expand the trunk length range.

Die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung wird durch über Erdkapazitäten eingekoppelte longitudinale Störspannungen UL nicht übersteuert. Solche Störspannungen UL sind Spannungen, die im Gleichtakt in die erste Ader a und die zweite Ader b mit gleicher Amplitude eingekoppelt werden. Die zwischen der ersten Ader a und der zweiten Ader b durch die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung zu bildende Impedanz wird dann nicht durch Längsstörströme ausgesteuert, wenn der Steuereingang B1 des ersten Darlington-Transistors T1, T1′ und der Steuereingang B2 des zweiten Darlington-Transistors T2, T2′ nicht von dem Längsstörstrom durchflossen wird. Da sich die Basen B1, B2, d. h. die Steuereingänge der beiden Darlington-Transistoren in einem Querzweig befinden, werden sie von dem Längsstörstrom auch nicht durchflossen. Über den sehr hochohmig gewählten ersten Widerstand R1 und zweiten Widerstand R2 wird nur ein vernachlässigbar kleiner Längsstörstrom fließen, so daß praktisch keine Aussteuerung der beiden Darlington-Transistoren der Gleichstromsenke bzw. der Gleichstromquelle erfolgt.The circuit arrangement according to the invention is not overdriven by longitudinal interference voltages UL coupled in via earth capacitances. Such interference voltages UL are voltages that are coupled into the first wire a and the second wire b with the same amplitude in common mode. The impedance to be formed between the first wire a and the second wire b by the circuit arrangement according to the invention is not controlled by longitudinal interference currents when the control input B 1 of the first Darlington transistor T 1 , T 1 ' and the control input B 2 of the second Darlington Transistors T 2 , T 2 'is not flowed through by the longitudinal interference current. Since the bases B 1 , B 2 , ie the control inputs of the two Darlington transistors are located in a shunt arm, the longitudinal interference current does not flow through them either. Only a negligibly small longitudinal interference current will flow through the very high-resistance selected first resistor R 1 and second resistor R 2 , so that there is practically no control of the two Darlington transistors of the direct current sink or the direct current source.

Der Längsstörstrom wird somit über die sehr niederohmigen Stromeinstellwiderstände SR1, SR2, welche vom gleichen Längsstörstrom durchflossen werden, über den ersten Pol - bzw. den zweiten Pol + der internen Versorgungsspannung UB1 abfließen. Da die Längsstörströme über Erdkapazitäten eingekoppelt werden, welche ungleich größere Impedanzen darstellen, als die beiden Stromeinstellwiderstände SR1, SR2, fällt auch nur eine verhältnismäßig kleine Längsstörspannung an den Stromeinstellwiderständen SR1, SR2 ab. Somit fallen an vermittlungsseitig nachfolgenden Schaltkreisen keine große Längsstörspannung an, wodurch eine Entkopplung durch nachgeschaltete Überträger (kleiner Abmessung) entfallen kann.The series interference current will therefore flow out via the very low-resistance current setting resistors SR 1 , SR 2 , through which the same series interference current flows, via the first pole or the second pole + of the internal supply voltage UB 1 . Since the longitudinal interference currents are coupled in via earth capacitances, which represent much greater impedances than the two current setting resistors SR 1 , SR 2 , only a relatively small longitudinal interference voltage drops across the current setting resistors SR 1 , SR 2 . This means that there is no large longitudinal interference voltage on the switching circuits downstream on the switching side, which means that decoupling by downstream transmitters (small dimensions) can be omitted.

Die hochohmige Wechselstromimpedanz (für z.B. Sprachsignale) wird im wesentlichen dadurch gebildet, daß die Basis B1 und die Basis B2 des ersten Darlington-Transistors T1, T1′ bzw. des zweiten Darlington-Transistors T2, T2′ durch einen ersten Kondensator C1 über den ersten Spannungsteiler R10, R11 bzw. den zweiten Spannungsteiler R20, R21 niederohmig verbunden sind (Gyratorprinzip). Der Kapazitätswert des ersten Kondensators C1 ergibt sich für eine untere Grenzfrequenz des Sprachsignalbereiches von ca. 300 Hz zu C1 = 0,47 µF. The high-impedance AC impedance (for example, voice signals) is essentially formed in that the base B 1 and the base B 2 of the first Darlington transistor T 1 , T 1 ' and the second Darlington transistor T 2 , T 2' by one first capacitor C 1 are connected via the first voltage divider R 10 , R 11 and the second voltage divider R 20 , R 21 with low resistance (gyrator principle). The capacitance value of the first capacitor C 1 results for a lower limit frequency of the speech signal range from approx. 300 Hz to C 1 = 0.47 µF.

Da ferner der dritte Transistor T3 und der vierte Transistor T4 kollektorseitig mit dem ersten Pol - bzw. dem zweiten Pol + der internen Versorgungsspannung UB1 verbunden sind, werden auch Geräuschspannungen, welche aus der Amtsversorgungsspannung UB2 auf die erste Ader a und die zweite Ader b gelangen könnten, dadurch unterbunden, daß die Basen B3, B4 der beiden Transistoren T3, T4 ebenfalls niederohmig über einen zweiten Kondensator C2 verbunden sind.Furthermore, since the third transistor T 3 and the fourth transistor T 4 are connected on the collector side to the first pole - and the second pole + of the internal supply voltage UB 1 , noise voltages which result from the exchange supply voltage UB 2 on the first wire a and could reach second core b, prevented in that the bases B 3 , B 4 of the two transistors T 3 , T 4 are also connected in a low-resistance manner via a second capacitor C 2 .

Die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung verhält sich also wie eine ideale Drosselspule, solange ein Schleifenstrom i fließt.The circuit arrangement according to the invention behaves so like an ideal choke coil as long as one Loop current i flows.

Claims (3)

1. Schaltungsanordnung mit einer elektronischen Drossel (Dr), die in einer Fernsprechanlage zwischen eine erste Ader (a) und eine zweite Ader (b) eines Sprechadernpaares zum Aufrechterhalten eines Schleifenschlusses einer Fernsprechverbindung geschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die elektronische Drossel (Dr), symmetrisch aufgebaut, eine einen ersten Transistor (T1, T1′) enthaltende Gleichstromsenke und eine einen zweiten, komplementären Transistor (T2, T2′) enthaltende Gleichstromquelle aufweist, daß die erste Ader (a) über eine Reihenschaltung aus der Kollektor-Emitter-Strecke (K1, E1) des ersten Transistors (T1, T1′), einem ersten, vergleichsweise niederohmigen Stromeinstellwiderstand (SR1) und einer ersten Konstantspannungseinheit (T3, R5, R6) mit einem ersten Pol (-) einer internen Versorgungsspannung (UB1) verbunden ist, daß die zweite Ader (b) über eine Reihenschaltung aus der Kollektor-Emitter-Strecke (K2, E2) des zweiten Transistors (T2, T2′), einem zweiten, auch vergleichsweise niederohmigen Stromeinstellwiderstand (SR2) und einer zweiten Konstantspannungseinheit (T4, R4, R7) mit einem zweiten Pol (+) der internen Versorgungsspannung (UB1) verbunden ist, daß die Basis (B1) und der Kollektor (K1) des ersten Transistors (T1, T 1′) über einen ersten, vergleichsweise hochohmigen Spannungsteiler (R10, R11) verbunden sind, daß die Basis (B2) und der Kollektor (K2) des zweiten Transistors (T2, T2′) über einen zweiten, auch vergleichsweise hochohmigen Spannungsteiler (R20, R21) verbunden sind, daß ein Mittelabgriff (1) des ersten Spannungsteilers (R10, R11) über einen ersten, vergleichsweise sehr hochohmigen Widerstand (R1) und ein Mittelabgriff (2) des zweiten Spannungsteilers (R20, R21) über einen zweiten, auch vergleichsweise sehr hochohmigen Widerstand (R2) mit dem ersten Pol (-) bzw. dem zweiten Pol (+) der internen Versorgungsspannung (UB1) verbunden sind, und daß der erste Mittelabgriff (1) über einen ersten Kondensator (C1), und parallel dazu über eine Reihenschaltung aus einem dritten Widerstand (R3) und einer in Durchlaßrichtung gepolten Diode (D1) mit dem zweiten Mittelabgriff (2) verbunden ist.1. Circuit arrangement with an electronic choke (Dr), which is connected in a telephone system between a first wire (a) and a second wire (b) of a pair of speech wires to maintain a loop closure of a telephone connection, characterized in that the electronic choke (Dr) , symmetrically constructed, a first transistor (T 1 , T 1 ' ) containing direct current sink and a second, complementary transistor (T 2 , T 2' ) containing direct current source that the first wire (a) via a series circuit from the collector -Emitter path (K 1 , E 1 ) of the first transistor (T 1 , T 1 ' ), a first, comparatively low-resistance current setting resistor (SR 1 ) and a first constant voltage unit (T 3 , R 5 , R 6 ) with a first Pol (-) of an internal supply voltage (UB 1 ) is connected so that the second wire (b) via a series circuit from the collector-emitter path (K 2 , E 2 ) of the second Transi stors (T 2 , T 2 ' ), a second, also comparatively low-resistance current setting resistor (SR 2 ) and a second constant voltage unit (T 4 , R 4 , R 7 ) connected to a second pole (+) of the internal supply voltage (UB 1 ) is that the base (B 1 ) and the collector (K 1 ) of the first transistor (T 1 , T 1 ' ) are connected via a first, comparatively high-resistance voltage divider (R 10 , R 11 ), that the base (B 2 ) and the collector (K 2 ) of the second transistor (T 2 , T 2 ' ) are connected via a second, also comparatively high-resistance voltage divider (R 20 , R 21 ) that a center tap ( 1 ) of the first voltage divider (R 10 , R 11 ) via a first, comparatively very high-resistance (R 1 ) and a center tap ( 2 ) of the second voltage divider (R 20 , R 21 ) via a second, also comparatively very high-resistance (R 2 ) with the first pole (- ) or the second pole (+) of the internal supply voltage (UB 1 ) v are connected, and that the first center tap ( 1 ) via a first capacitor (C 1 ), and in parallel via a series circuit comprising a third resistor (R 3 ) and a diode (D 1 ) which is polarized in the forward direction, with the second center tap ( 2 ) connected is. 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Konstantspannungseinheit (T3, R5, R6) einen dritten Transistor (T3) und die zweite Konstantspannungseinheit (T4, R4, R7) einen vierten, komplementären Transistor (T4) aufweist, daß der Emitter (E3) des dritten Transistors (T3) und der Emitter (E4) des vierten Transistors (T4) mit dem ersten Stromeinstellwiderstand (SR1) bzw. mit dem zweiten Stromeinstellwiderstand (SR2) verbunden ist, daß der Emitter (E3) des dritten Transistors (T3) über einen vierten Widerstand (R4) mit der Basis (B4) des vierten Transistors (T4) und der Emitter (E4) des vierten Transistors (T4) über einen fünften Widerstand (R5) mit der Basis (3) des dritten Transistors (T3) verbunden sind, daß der Kollektor (K3) des dritten Transistors (T3) mit dem ersten Pol (-) der internen Versorgungsspannung (UB1) und über einen sechsten Widerstand (R6) mit seiner Basis (B3) verbunden ist, daß der Kollektor (K4) des vierten Transistors (T4) mit dem zweiten Pol (+) der internen Versorgungsspannung (UB1) und über einen siebten Widerstand (R7) mit seiner Basis (B4) verbunden ist, und daß zwischen dem gemeinsamen Verbindungspunkt (4) der Basis (B3) des dritten Transistors (T3), des fünften Widerstandes (R5) und des sechsten Widerstandes (R6) und dem gemeinsamen Verbindungspunkt (3) der Basis (B4) des vierten Transistors (T4), des vierten Widerstandes (R4) und des siebten Widerstandes (R7) ein zweiter Kondensator (C2) angeordnet ist.2. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that the first constant voltage unit (T 3 , R 5 , R 6 ) a third transistor (T 3 ) and the second constant voltage unit (T 4 , R 4 , R 7 ) a fourth, complementary transistor (T 4 ) that the emitter (E 3 ) of the third transistor (T 3 ) and the emitter (E 4 ) of the fourth transistor (T 4 ) with the first current setting resistor (SR 1 ) and with the second current setting resistor (SR 2 ) is connected that the emitter (E 3 ) of the third transistor (T 3 ) via a fourth resistor (R 4 ) to the base (B 4 ) of the fourth transistor (T 4 ) and the emitter (E 4 ) of the fourth Transistors (T 4 ) are connected via a fifth resistor (R 5 ) to the base ( 3 ) of the third transistor (T 3 ) such that the collector (K 3 ) of the third transistor (T 3 ) is connected to the first pole (-) the internal supply voltage (UB 1 ) and connected to its base (B 3 ) via a sixth resistor (R 6 ) is that the collector (K 4 ) of the fourth transistor (T 4 ) is connected to the second pole (+) of the internal supply voltage (UB 1 ) and via a seventh resistor (R 7 ) to its base (B 4 ), and that between the common connection point ( 4 ) of the base (B 3 ) of the third transistor (T 3 ), the fifth resistor (R 5 ) and the sixth resistor (R 6 ) and the common connection point ( 3 ) of the base (B 4 ) the fourth transistor (T 4 ), the fourth resistor (R 4 ) and the seventh resistor (R 7 ) a second capacitor (C 2 ) is arranged. 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Transistor (T1, T1′) und der zweite Transistor (T2, T2′) als komplementäre Darlington-Transistoren ausgebildet sind.3. Circuit arrangement according to claim 1 or 2, characterized in that the first transistor (T 1 , T 1 ' ) and the second transistor (T 2 , T 2' ) are designed as complementary Darlington transistors.