DE3627775A1 - Verfahren zur herstellung von targets - Google Patents
Verfahren zur herstellung von targetsInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung
hochreiner und mechanisch stabiler Targets mit hoher
Dichte, insbesondere Targets, die überwiegend aus
Seltenen Erden und Übergangsmetallen oder aus Silizium und
refraktären Metallen bestehen, für das Beschichten von Gegenständen mittels
Kathodenzerstäubung oder Bedampfung, die aufgrund ihrer
Zusammensetzung im Gleichgewichtszustand hohe Anteile
an spröden Phasen enthalten und leicht mit der
Umgebungsatmosphäre und/oder den Tiegelmaterialien
reagieren.
Mit Hilfe der Kathodenzerstäubung (Sputtern) und des
Bedampfens, können dünne Schichten auf Substraten
erzeugt werden, deren Anwendung von funktionalen
Schichten in der Elektronik und Datentechnik über
Korrosions- und Verschleißschutzschichten bis zu
optischen Schichten für dekorative und wärmetechnische
Zwecke reicht.
Beim Kathodenzerstäuben findet zwischen Kathode (Target)
und Gegenelektrode eine elektrische Gasentladung statt,
bei der von den aufprallenden Ionen aus dem Target
Teilchen von atomarer Größe herausgeschlagen und auf
Substraten, die im Bereich der Gegenelektrode angeordnet
sind, niedergeschlagen werden.
Als Gasentladungsatmosphäre werden entweder inerte Gase,
wie beispielsweise Argon oder Helium, oder reaktive
Gase, wie z.B. Sauerstoff, Stickstoff oder Acetylen, bei
geringem Druck eingesetzt.
Beim Inertgassputtern besteht das Target üblicherweise
aus dem Material, aus dem die zu bildende Schicht
bestehen soll, während beim Reaktivsputtern die
herausgeschlagenen Targetteilchen mit dem Reaktionsgas
reagieren und in Form eines Reaktionsproduktes als
Schicht niedergeschlagen werden.
Beim Bedampfungsverfahren wird das Targetmaterial im
Vakuum durch Elektronenstrahl- oder Widerstandsbeheizung
thermisch verdampft und als dünne Schicht auf dem
Substrat abgeschieden.
Die Targets können üblicherweise schmelztechnisch
hergestellt werden mit entsprechender Nachbearbeitung
durch umformende und spanende Verfahren, oder
pulvermetallurgisch durch Pressen und Sintern
entsprechender Pulver bzw. Pulvergemische.
Bei Targetmaterialien, die aufgrund ihrer Zusammensetzung
höhere Anteile an spröden Phasen enthalten, erweisen sich
schmelztechnische Herstellverfahren als problematisch,
da solche Targets beim Abkühlen nach dem Gießen aufgrund
von thermischen Spannungen Risse aufweisen und in
Stücke zerfallen können. Darüberhinaus sind solche
Materialien meist nicht mechanisch bearbeitbar, so daß
bestimmte wünschenswerte Targetgeometrien nicht
herstellbar sind.
Pulvermetallurgische Verfahren zeigen bei denjenigen
Targetmaterialien Probleme, die höhere Anteile an
reaktionsempfindlichen Komponenten enthalten, und z.B.
mit dem Luftsauerstoff reagieren. Wegen der großen
spezifischen Oberfläche der Pulver und der daraus
resultierenden Reaktionsfreudigkeit lassen sich
hochwertige Targetqualitäten z.B. mit niedrigem
Sauerstoffgehalt nicht pulvermetallurgisch herstellen.
Außerdem weisen pulvermetallurgisch hergestellte
Produkte meist eine zum Teil offene Restporosität auf,
die bei sauerstoffempfindlichen Targetmaterialien wegen
der möglichen Oxidation des gesamten Targets nicht
tolerierbar ist.
Diese Herstellungsschwierigkeiten treten insbesondere bei
Targets auf, die überwiegend Seltene Erden und übergangs
metalle bzw. Silizium und refraktäre Metalle enthalten.
Es war daher Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur
Herstellung hochreiner und mechanisch stabiler Targets
mit hoher relativer Dichte, insbesonders Targets, die
überwiegend aus seltenen Erden und Übergangsmetallen
oder aus Silizium und refraktären Metallen bestehen,
für das Beschichten von Gegenständen mittels Kathoden
zerstäubung oder Bedampfung zu entwickeln, die
aufgrund ihrer Zusammensetzung im Gleichgewichtszustand
hohe Anteile an spröden Phasen enthalten und leicht mit
der Umgebungsatmosphäre und/oder den Tiegelmaterialien
reagieren, wobei die Targets mechanisch bearbeitbar und
porenfrei sein sollten.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß
zuerst aus zumindest einem Teil der höherschmelzenden
Komponenten der gewünschten Targetzusammensetzung ein
poröser Körper erzeugt wird, daß anschließend mit dem
Rest der Targetkomponenten ein tiefschmelzendes
Tränkmaterial hergestellt und der poröse Körper damit
getränkt wird, wobei die Zusammensetzung des
Tränkmaterials so gewählt werden muß,
daß durch Reaktion des Tränkmaterials mit dem porösen
Körper keine gegenüber dem Tränkmaterial merklich
tieferschmelzenden Phasenanteile entstehen, und wobei
die Tränkzeit durch ein entsprechendes Ofenprogramm so
kurz gewählt werden muß, daß in bezug auf die Sprödig
keit nur vernachlässigbare Anteile an Gleichgewichts
phasen entstehen.
Vorzugsweise werden die gegenüber der Umgebungsatmosphäre
und/oder Tiegelmaterialien reaktionsempfindlichen
Komponenten der Targetzusammensetzung dem Tränkmaterial
zugegeben.
Der poröse Körper, der zumindest einen Teil der
höherschmelzenden Komponenten der gewünschten
Targetzusammensetzung enthält, wird normalerweise als
lose Pulverschüttung und/oder durch Pressen und/oder
durch Sintern hergestellt. Er kann aber durchaus aus
Drahtgeflechten, Drahtwolle, Vliesen oder Lochblechen
sowie durch mechanische Bearbeitung von kompakten
Materialien hergestellt sein.
Der Tränkvorgang kann, als Auflage-, Unterlage-,
Tauch- oder Drucktränkung im Vakuum, unter Schutzgas
oder in reduzierender Atmosphäre erfolgen. Die treibende
Kraft für eine vollständige Tränkung sind die in den
Poren wirkenden Kapillarkräfte und die gegenseitige
Benetzungsfähigkeit.
Als Tränkmaterial wird eine tiefschmelzende Komponente
der Targetzusammensetzung oder eine tiefschmelzende
(z.B. eutektische) Legierung benutzt, die den Rest der
erforderlichen Komponenten enthält. Die Zusammensetzung
des Tränkmaterials muß dabei so gewählt werden, daß durch
Reaktion mit dem porösen Körper keine Phasen entstehen,
die eine merklich tiefere Schmelztemperatur aufweisen als das
Tränkmaterial. Die Tränkzeit (Aufheizen, Halten bei
Tränktemperatur, Abkühlen) muß so kurz gewählt
werden, daß zwar eine vollständige Benetzung und Füllung
des porösen Körpers stattfindet, die Reaktion zwischen
Tränkmaterial und porösem Körper, bei der spröde Phasen
entstehen würden, jedoch vernachlässigbar gering ist.
Die Gesamtzusammensetzung der Targets wird bei
vollständiger Durchtränkung sowohl durch die
Zusammensetzung des porösen Körpers und des
Tränkmaterials, als auch durch das Porenvolumen des
porösen Körpers bestimmt. Es ist daher notwendig, das
Porenvolumen des porösen Körpers mit Hilfe von z.B.
abgesiebten Pulverfraktionen und entsprechenden
Kompaktierungsbedingungen genau einzustellen.
Überraschenderweise führt dieses Herstellungsverfahren
bei spröden und reaktionsempfindlichen Targetmaterialien
zu kompakten, porenfreien, mechanisch stabilen
Formteilen, die den Sputteranforderungen entsprechen und
die für die Herstellung von komplizierten Geometrien
mechanisch bearbeitbar sind. Sie weisen sehr geringe
Gehalte an Gasen und Verunreinigungen auf. Der
Tränkvorgang ermöglicht überraschenderweise neben der
Entgasung im Vakuum oder in reduzierender Atmosphäre
einen weiteren Reinigungsschritt: nicht geschmolzene
Verunreinigungen, wie z.B. Oxide, die das Tränkmaterial
gegebenenfalls aufweist, verbleiben nach dem Tränken
als Schlacke außerhalb des Tränkkörpers, während nur
gereinigte Schmelze in die Kapillaren des porösen
Körpers gelangt.
In folgenden Beispielen soll das erfindungsgemäße
Verfahren näher erläutert werden.
- 1) Zur Herstellung von hochreinen, kompakten, mechanisch stabilen Sputtertargets zur Erzeugung von magnetooptischen Speicherschichten aus einer Eisen- Terbium-Legierung mit einem Gehalt von 25 At % Terbium wird ein poröser Eisenkörper sintertechnisch unter Vakuum aus Reinsteisenpulver hergestellt (1000°C/1 h/10-4 Pa).
- Die Korngrößenverteilung des Eisenpulvers muß durch Absieben so ausgewählt werden, daß bei den obigen Sinterbedingungen eine Porosität von 54,3% eingestellt wird. Diese Porosität erreicht man, indem eine Fraktion von 50-150 µm Teilchengröße mit linearer RRS-Verteilung (Din 66 145) verwendet wird.
- Die Zusammensetzung des Tränkmaterials entspricht in diesem Fall der eutektischen Zusammensetzung des Systems Eisen-Terbium (72 At% Terbium, 847°C Schmelztemperatur), so daß bei vollständiger Durchtränkung die gewünschte Gesamtzusammensetzung von 25 At % Terbium, Rest Eisen, erhalten wird.
- Der Tränkprozeß erfolgt als Auflagetränkung im Vakuumofen. Die benötigte Auflageplatte des Tränkmaterials kann schmelztechnisch im Vakuuminduktionsofen hergestellt werden. Legierungen der eutektischen Zusammensetzung sind hinreichend duktil und mechanisch stabil.
- Nach dem Chargieren des Vakuumofens erfolgt der Tränkvorgang in drei Minuten bei 900°C/10-6 mbar.
- 2) Bei einer Verlängerung der Tränkzeit auf 20 Minuten bei 900°C/10-4 Pa, erfolgt über die Durchtränkung und Benetzung hinaus eine intensive Reaktion zwischen dem Tränkmaterial und dem Eisenkörper, bei der ein hoher Gefügeanteil an spröden Phasen entsteht. Das Target ist aufgrund der Sprödigkeit ähnlich wie bei schmelztechnischer Herstellung nicht mechanisch stabil und zerfällt in einzelne Stücke.
- Wird die Tränkzeit dagegen gemäß Beispiel 1 auf drei Minuten begrenzt, so erfolgt über die Durch tränkung hinaus keine nennenswerte Reaktion, so daß das Produkt eine gute mechanische Stabilität aufweist und auch komplizierte Geometrien durch spanende Bearbeitung herstellbar sind.
- Die erzielbaren Gasgehalte liegen bei diesen Targetmaterialien unterhalb 500 ppm.
- 3) Zur Herstellung eines hochreinen, kompakten und mechanisch stabilen Tantalsilizid (TaSi2)-Sputtertargets wird als zu tränkender Körper ein poröser Tantalkörper durch Sintern von hochreinem, agglomerierten Tantalpulver im Vakuum hergestellt (1480°C/1 h/ 10-4 Pa) Es hat sich gezeigt, daß durch entsprechende Wahl der Korngrößenverteilung von 105-210 µm bei obigen Sinterbedingungen die notwendige Porosität von 69% erreicht wird, so daß bei Verwendung von eutektischem Tränkmaterial (99 At% Silizium, 1 At% Tantal, Ts=1385°C) und bei vollständiger Durchtränkung die gewünschte Gesamtzusammensetzung von 66,6 At % Silizium erreicht wird. Der Tränkprozeß erfolgt als Tauchtränkung im Vakuum bei 1450°C/2 min/10-4 Pa.
Die beschriebenen Tränkverfahren lassen sich entsprechend
den ähnlichen Verhältnissen auf alle Materialien auf
der Basis von seltenen Erden und Übergangsmetallen bzw.
Refraktärmetallen und Silicium übertragen, um
hochreine, kompakte mechanisch stabile Targets
herzustellen.
Claims (2)
1. Verfahren zur Herstellung hochreiner und mechanisch
stabiler Targets mit hoher relativer Dichte,
insbesondere Targets, die überwiegend aus Seltenen
Erden und Übergangsmetallen oder aus Silizium und
refraktären Metallen bestehen, für das Beschichten
von Gegenständen mittels Kathodenzerstäubung oder
Bedampfung, die aufgrund ihrer Zusammensetzung im
Gleichgewichtszustand hohe Anteile an spröden Phasen
enthalten und leicht mit der Umgebungsatmosphäre
und/oder Tiegelmaterialien reagieren,
dadurch gekennzeichnet,
daß zuerst zumindest aus einem Teil der höherschmel
zenden Komponenten der gewünschten Targetzusammen
setzung ein poröser Körper erzeugt wird, daß an
schließend mit dem Rest der Targetkomponenten ein
tiefschmelzendes Tränkmaterial hergestellt und der
poröse Körper damit getränkt wird, wobei die Zusammen
setzung des Tränkmaterials so gewählt werden muß,
daß durch Reaktion des Tränkmaterials mit dem porösen
Körper keine gegenüber dem Tränkmaterial merklich
tieferschmelzenden Phasenanteile entstehen, und
wobei die Tränkzeit durch ein entsprechendes Ofen
programm so kurz gewählt werden muß, daß in bezug
auf die Sprödigkeit nur vernachlässigbare Anteile an
Gleichgewichtsphasen entstehen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die gegenüber der Umgebungsatmosphäre und/oder
Tiegelmaterialien reaktionsempfindlichen Komponenten
im Tränkmaterial enthalten sind.
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Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3716852C1 (de) * | 1987-05-20 | 1988-07-14 | Demetron | Sputtertarget zur Erzeugung optisch transparenter Schichten und Verfahren zur Herstellung dieser Targets |
JPS6431966A (en) * | 1987-07-25 | 1989-02-02 | Tokin Corp | Alloy target material and its production |
US5052448A (en) * | 1989-02-10 | 1991-10-01 | Huyck Corporation | Self stitching multilayer papermaking fabric |
US5126102A (en) * | 1990-03-15 | 1992-06-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Fabricating method of composite material |
JP2950436B2 (ja) * | 1990-03-15 | 1999-09-20 | 株式会社東芝 | 複合化材料の製造方法 |
US5096661A (en) * | 1990-10-22 | 1992-03-17 | Raybestos Products Company | Resilient metallic friction facing material and method |
WO1995004167A1 (fr) * | 1993-07-27 | 1995-02-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Cible en siliciure metallique a point de fusion eleve, son procede de production, couche en siliciure metallique a point de fusion eleve, et dispositif a semi-conducteurs |
US5439500A (en) * | 1993-12-02 | 1995-08-08 | Materials Research Corporation | Magneto-optical alloy sputter targets |
US6521173B2 (en) * | 1999-08-19 | 2003-02-18 | H.C. Starck, Inc. | Low oxygen refractory metal powder for powder metallurgy |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2944482A1 (de) * | 1978-11-09 | 1980-05-29 | Cominco Ltd | Verstaeubbares target und verfahren zu seiner herstellung |
DE3103509A1 (de) * | 1981-02-03 | 1982-08-12 | Günter Dipl.-Phys. 6601 Heusweiler Kleer | Verfahren zum herstellen duenner schichten, target zum durchfuehren dieses verfahrens und verfahren zum erzeugen dieses targets |
DE3300525A1 (de) * | 1983-01-10 | 1984-07-12 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Targets fuer die kathodenzerstaeubung |
DE3531085A1 (de) * | 1984-08-30 | 1986-03-20 | Mitsubishi Kinzoku K.K., Tokio/Tokyo | Sputter-quellenmaterial und verfahren zu seiner herstellung |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2946700A (en) * | 1957-12-24 | 1960-07-26 | Crucible Steel Co America | Production of infiltrated composites |
DE2536153B2 (de) * | 1975-08-13 | 1977-06-08 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen mehrschichtiger kontaktstuecke fuer vakuummittelspannungsleistungsschalter |
JPS6029431A (ja) * | 1983-07-28 | 1985-02-14 | Toyota Motor Corp | 合金の製造方法 |
JPS60177110A (ja) * | 1984-02-24 | 1985-09-11 | Mazda Motor Corp | 多孔質鉄系焼結部材表面の封孔方法 |
JPS60211069A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-23 | Hitachi Ltd | スパツタリング用タ−ゲツト |
JPS60218819A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-11-01 | Yaskawa Electric Mfg Co Ltd | スパツタ方法 |
JPS6158866A (ja) * | 1984-08-30 | 1986-03-26 | 三菱マテリアル株式会社 | 高融点金属珪化物基複合材料の製造法 |
US4620872A (en) * | 1984-10-18 | 1986-11-04 | Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha | Composite target material and process for producing the same |
US4612047A (en) * | 1985-10-28 | 1986-09-16 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Preparations of rare earth-iron alloys by thermite reduction |
-
1986
- 1986-08-16 DE DE19863627775 patent/DE3627775A1/de active Granted
-
1987
- 1987-07-30 KR KR1019870008337A patent/KR880003026A/ko not_active Application Discontinuation
- 1987-08-13 EP EP87111729A patent/EP0257463A3/de not_active Withdrawn
- 1987-08-14 US US07/085,502 patent/US4803046A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-08-14 JP JP62201988A patent/JPS6350471A/ja active Granted
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2944482A1 (de) * | 1978-11-09 | 1980-05-29 | Cominco Ltd | Verstaeubbares target und verfahren zu seiner herstellung |
DE3103509A1 (de) * | 1981-02-03 | 1982-08-12 | Günter Dipl.-Phys. 6601 Heusweiler Kleer | Verfahren zum herstellen duenner schichten, target zum durchfuehren dieses verfahrens und verfahren zum erzeugen dieses targets |
DE3300525A1 (de) * | 1983-01-10 | 1984-07-12 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Targets fuer die kathodenzerstaeubung |
DE3531085A1 (de) * | 1984-08-30 | 1986-03-20 | Mitsubishi Kinzoku K.K., Tokio/Tokyo | Sputter-quellenmaterial und verfahren zu seiner herstellung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6350471A (ja) | 1988-03-03 |
EP0257463A2 (de) | 1988-03-02 |
JPH057461B2 (de) | 1993-01-28 |
KR880003026A (ko) | 1988-05-13 |
US4803046A (en) | 1989-02-07 |
DE3627775C2 (de) | 1989-05-18 |
EP0257463A3 (de) | 1989-06-14 |
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