DE3619618C2 - Magnetooptisches Aufzeichnungsverfahren, magnetooptische Aufzeichnungsvorrichtung und magnetooptischer Aufzeichnungsträger, jeweils mit Überschreibmöglichkeit - Google Patents

Magnetooptisches Aufzeichnungsverfahren, magnetooptische Aufzeichnungsvorrichtung und magnetooptischer Aufzeichnungsträger, jeweils mit Überschreibmöglichkeit

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Description

Die Erfindung betrifft ein magnetooptisches Aufzeichnungs­ verfahren mit Überschreibmöglichkeit, eine magnetooptische Aufzeichnungsvorrichtung mit Überschreibmöglichkeit und einen magnetooptischen Aufzeichnungsträger, der ein Überschrei­ ben von Daten ermöglicht.
In den vergangenen Jahren wurden beträchtliche Anstrengun­ gen darauf verwandt, ein optisches Aufzeichnungs-/Wiedergabe- Verfahren und eine optische Aufzeichnungsvorrichtung sowie einen dazugehörigen Aufzeichnungsträger zu entwickeln, der verschiedenen Anforderungen genügt, z. B. eine hohe Spei­ cherdichte, eine große Speicherkapazität, raschen Zugriff und schnelle Aufzeichnungs-/Wiedergabegeschwindigkeit besitzt.
Unter verschiedenen optischen Aufzeichnungs-/Wiedergabe- Verfahren ist das magnetooptische Verfahren das attrak­ tivste, und zwar aufgrund seiner besonderen Vorteile, zu denen die Möglichkeit gehört, Information nach Benutzung wieder zu löschen und neue Information auf der gelöschten Stelle aufzuzeichnen.
Der bei einem magnetooptischen Aufzeichnungs-/Wiedergabe- Verfahren verwendete Aufzeichnungsträger enthält als Auf­ zeichnungsschicht eine oder mehrere senkrecht magnetische (magnetisierbare) Schichten. Die magnetische Schicht ent­ hält beispielsweise amorphes GdFe, GdCo, GdFeCo, TbFe, TbCo, TbFeCo und dergleichen. Auf der Aufzeichnungsschicht sind konzentrische oder spiralförmige Spuren gebildet, und auf diesen Spuren werden Daten aufgezeichnet. Es sei für den vorliegenden Zusammenhang vereinbart, daß eine der "Aufwärts"- und "Abwärts"-Richtungen der Magnetisierung be­ züglich einer Schichtoberfläche definiert ist als eine "A"-Richtung, während die andere, verbleibende Richtung definiert ist als eine "nicht-A-Richtung". Die aufzuzeich­ nenden Daten werden vorab binär umgesetzt und in Form von Bits aufgezeichnet, wobei ein Bit (B₁) eine "A-gerichtete" Magnetisierung und ein Bit (B₀) eine "nicht-A-gerichtete" Magnetisierung aufweist. Diese Bits B₁ und B₀ entsprechen den Pegeln "1" bzw. "0" eines digitalen Signals. Im allge­ meinen kann jedoch die Magnetisierungsrichtung der Auf­ zeichnungsspuren dadurch in die "nicht-A-Richtung" ausge­ richtet werden, daß vor der Aufzeichnung ein starkes Vor­ magnetisierungsfeld angelegt wird. Diesen Vorgang be­ zeichnet man als "Initialisierung". Danach werden auf den Spuren die Bits (B₁) mit der "A-gerichteten" Magnetisierung erzeugt. Das Aufzeichnen der Daten erfolgt entsprechend dem Vorhandensein/Nicht-Vorhandensein und/oder einer Bit- Länge des Bits (B₁).
Prinzip der Bit-Erzeugung
Bei der Bit-Erzeugung wird ein charakteristisches Merkmal eines Laserstrahls ausgenutzt, nämlich dessen ausgezeichnete Kohärenz in Raum und Zeit, um einen Laserstrahl auf einen Fleck zu richten, der so klein ist wie die durch die Wellen­ länge des Laserlichts bestimmte Beugungsgrenze. Das fo­ kussierte Licht wird auf die Spuroberfläche gestrahlt, um dadurch Daten zu schreiben, daß Bits auf der Aufzeichnungs­ schicht erzeugt werden, die einen Durchmesser von weniger als 1 µm aufweisen. Bei der optischen Aufzeichnung läßt sich theoretisch eine Aufzeichnungsdichte von bis zu 10⁸ Bit/cm² erreichen, da man einen Laserstrahl auf einen Fleck konzentrieren kann, dessen Größe so klein ist wie die Wellenlänge des Laserstrahls.
Wie Fig. 1 zeigt, wird bei der magnetooptischen Aufzeichnung ein Laserstrahl L auf eine Aufzeichnungsschicht 1 fokussiert, um die Schicht zu erwärmen, während von außen ein Vormag­ netisierungsfeld (Hb) an den aufgeheizten Abschnitt gelegt wird, und zwar in bezüglich der Initialisierungsrichtung entgegengesetzter Richtung. Die Koerzitivkraft Hc des lokal erwärmten Bereichs verringert sich unter den Wert des Vor­ magnetisierungsfeld (Hb). Demzufolge wird die Magnetisie­ rungsrichtung dieses Bereichs in Richtung des Vormagneti­ sierungsfeld (Hb) ausgerichtet. Auf diese Weise werden um­ gekehrt magnetisierte Bits erzeugt.
Ferromagnetische und ferrimagnetische Stoffe unterscheiden sich voneinander in der Temperaturabhängigkeit der Magne­ tisierung und Hc (Koerzitivkraft). Ferromagnetische Stoffe besitzen einen Wert Hc, der um die Curie-Temperatur herum abnimmt und aufgrund dieses Phänomens eine Datenaufzeich­ nung ermöglicht. Demzufolge wird das Aufzeichnen von Daten in ferromagnetischen Stoffen als Tc-Aufzeichnung (Curie- Temperatur-Aufzeichnung) bezeichnet.
Andererseits besitzen ferrimagnetische Stoffe eine Kompen­ sationstemperatur, unterhalb der Curie-Temperatur, bei der die Magnetisierung (M) Null wird. Der Wert Hc nimmt bei dieser Temperatur abrupt zu und nimmt folglich außerhalb dieser Temperatur abrupt ab. Der verminderte Wert von Hc wird durch ein relativ schwaches Vormagnetisierungsfeld (Hb) beseitigt. Hierdurch wird ein Aufzeichnen ermöglicht. Den Vorgang bezeichnet man als Tcomp.-Aufzeichnung (Kompensationspunkt-Aufzeichnung).
In diesem Fall ist man nicht auf den Curie-Punkt oder in dessen Nähe befindliche Temperaturen sowie auf die Kompen­ sationstemperatur festgelegt. In anderen Worten: Eine Auf­ zeichnung ist möglich, wenn ein zum Auslöschen eines ver­ minderten Werts von Hc geeignetes Vormagnetisierungsfeld (Hb) an ein magnetisches Material gelegt wird, das die ver­ minderte Koerzitivkraft Hc bei einer vorbestimmten Tempera­ tur aufweist, die über der Zimmertemperatur liegt.
Prinzip des Lesevorgangs
Fig. 2 veranschaulicht das Grundprinzip des Lesens von Daten auf der Grundlage des magnetooptischen Effekts. Licht ist eine elektromagnetische Welle, bei der normalerweise ein Vektor des elektromagnetischen Felds in einer senkrecht zum Lichtweg befindlichen Ebene in alle Richtungen abgeht. Wird Licht umgesetzt in linear polarisierte Lichtstrahlen (Lp) und auf eine Aufzeichnungsschicht (1) gelenkt, so wird es durch die Aufzeichnungsschicht (1) reflektiert oder durch die Schicht hindurchgelassen. Dabei dreht sich die Polari­ sierungsebene entsprechend der Richtung der Magnetisierung (M). Dieses Phänomen wird als magnetischer Kerr-Effekt oder magnetischer Faraday-Effekt bezeichnet.
Wenn beispielsweise die Polarisationsebene des reflektierten Lichtes für die "A-gerichtete" Magnetisierung um Θk dreht, dreht sie sich um den Winkel -Θk Grad bei einer "nicht-A- gerichteten" Magnetisierung. Wenn daher die Achse eines optischen Analysators (Polarisators) senkrecht auf die um -Θk geneigte Ebene eingestellt wird, kann das von dem "nicht- A-gerichteten" magnetisierten Bit (B₀) den Analysator nicht passieren. Im Gegensatz dazu passiert ein Produkt (X sin2Θk)² des von einem in "A-Richtung" magnetisierten Bits (B₁) den Analysator und fällt auf einen Detektor (bei dem es sich um eine photoelektrische Wandlereinrichtung handelt). Als Folge davon erscheint das in "A-Richtung" magnetisierte Bit (B₁) heller als das in "nicht-A-Richtung" magnetisierte Bit (B₀), und der Detektor erzeugt für das Bit (B₁) ein stärkeres elektrisches Signal. Das von dem Detektor erzeugte elektrische Signal ist nach Maßgabe der aufgezeichneten Daten moduliert. Somit werden die Daten ge­ lesen.
Um einen Aufzeichnungsträger erneut zu verwenden, muß (i) der Aufzeichnungsträger von einer Initialisierungs-Vorrich­ tung neu initialisiert werden, (ii) der Aufzeichnungsvor­ richtung sowohl ein Löschkopf als auch ein Aufzeichnungs­ kopf hinzugefügt werden, oder (iii) aufgezeichnete Daten im Zuge einer Vorverarbeitung mit Hilfe einer Aufzeich­ nungsvorrichtung oder einer Löschvorrichtung gelöscht werden.
Deshalb ist bei dem bekannten magnetooptischen Aufzeichnungs­ verfahren ein Überschreiben, welches das Aufzeichnen neuer Daten unabhängig vom Vorhandensein oder Nicht-Vorhandensein aufgezeichneter Daten gestattet, nicht möglich.
Wenn die Richtung eines Vormagnetisierungsfelds (Hb) zwischen der "A-Richtung" und der "nicht-A-Richtung" frei geändert werden kann, ist ein Überschreiben möglich. Allerdings kann man die Richtung des Vormagnetisierungsfelds (Hb) nicht mit hoher Geschwindigkeit ändern. Wenn z. B. eine Einrichtung zum Anlegen eines Vormagnetisierungsfelds (Hb) ein Perma­ nentmagnet ist, so muß die Richtung des Magneten mechanisch umgekehrt werden. In diesem Fall ist es nicht möglich, die Richtung des Magneten mit hoher Geschwindigkeit zu drehen. Ebenfalls läßt sich dann, wenn die Einrichtung zum Anlegen eines Vormagnetisierungsfelds (Hb) ein Elektromagnet ist, die Richtung des hohen Stroms nicht sehr schnell ändern.
Aus der EP 0 051 296 A1 sind ein thermomagnetisches Aufzeichnungsverfahren und ein thermomagnetischer Aufzeichnungsträger bekannt, welche umfassen erste und zweite miteinander magnetisch wechselwirkende Magnetschichten, wobei die Koerzitivkraft der vertikal magnetisierbaren ersten Schicht höher ist als diejenige der zweiten Schicht, und wobei der Curie-Punkt der ersten Schicht niedriger ist als derjenige der zweiten Schicht. Das Schreiben von Information erfolgt auf die erste Schicht mit hoher Koerzitivkraft, um eine möglichst hohe Schreibgeschwindigkeit zu realisieren und die eingeschriebene Information vor extern magnetischen Feldern und Temperaturänderungen zu schützen. Das Lesen der eingeschriebenen Information erfolgt über die zweite Schicht mit niedriger Koerzitivkraft, um dabei ein möglichst hohes Signal-/Rauschverhältnis erzielen zu können.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein magnetooptisches Aufzeichnungsverfahren zu schaffen, welches die Möglichkeit des Überschreibens durch Modulieren von Licht bietet, ohne daß die Richtung des Vormagnetisierungsfeldes (Hb) geändert wird. Außerdem sollen eine magnetooptische Aufzeichnungsvorrichtung und ein magnetooptischer Aufzeichnungsträger mit der Möglichkeit des Überschreibens geschaffen werden.
Diese Aufgabe wird hinsichtlich des magnetooptischen Aufzeichnungsverfahrens durch die Merkmale des Anspruchs 1, hinsichtlich der magnetooptischen Aufzeichnungsvorrichtung durch die Merkmale des Anspruchs 6 und hinsichtlich des magnetooptischen Aufzeichnungsträgers durch die Merkmale des Anspruchs 11 bzw. des Anspruchs 12 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird der Laserstrahl auf der Grundlage der aufzuzeichnenden Daten impulsmoduliert. Dieser Vorgang an sich wurde auch bei dem herkömmlichen magnetooptischen Aufzeichnungsverfahren durchgeführt. Eine Einrichtung zum Pulsmodulieren der Strahlintensität auf der Grundlage von auszuzeichnenden zweiwertigen oder binä­ ren Daten ist bekannt, beispielsweise aus "THE BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL", Vol. 62 (1983), S. 1923 bis 1936.
Ein charakteristisches Merkmal der Erfindung liegt in den hohen und niedrigen Pegeln der Strahlintensität. Ist die Strahlintensität auf hohem Pegel, wird die "A-gerichtete" Magnetisierung der Bezugsschicht mit Hilfe eines Vormagne­ tisierungsfelds (Hb) umgekehrt in die "nicht-A-Richtung", und ein Bit mit der "nicht-A-gerichteten" (oder der "A-ge­ richteten") Magnetisierung wird so mit Hilfe der "nicht-A- gerichteten" Magnetisierung der Bezugsschicht in der Auf­ zeichnungsschicht erzeugt. Hat die Strahlintensität nie­ drigen Pegel, wird ein Bit mit der "A-gerichteten" (oder der "nicht-A-gerichteten") Magnetisierung mit Hilfe der "A-gerichteten" Magnetisierung der Bezugsschicht in der Auf­ zeichnungsschicht erzeugt. Wenn die erforderlichen hohen und niedrigen Pegel gegeben sind, ist es für den Fachmann einfach, die Strahlintensität erfindungsgemäß zu modulieren, indem lediglich die Modulationseinrichtung teilweise modifi­ ziert wird.
Wenn im vorliegenden Zusammenhang der Ausdruck "ooo (oder xxx)" erscheint, so entspricht der Ausdruck "ooo" außerhalb der Klammern auch dem Ausdruck "ooo" in den nachfolgenden Ausdrücken "ooo (oder xxx)" oder umgekehrt.
Es ist bekannt, daß auch dann, wenn keine Aufzeichnung er­ folgt, ein Laserstrahl häufig auf einem sehr niedrigen Pegel* gehalten wird, um z. B. Zugriff auf eine vorbestimmte Stelle des Aufzeichnungsträgers zu erhalten. Wenn dieser Laserstrahl auch beim Lesen verwendet wird, wird der Laser­ strahl häufig auf eine Intensität des sehr niedrigen Pegels* geschaltet. Im Rahmen der Erfindung kann die Inten­ sität des Laserstrahls auf diesen sehr niedrigen Pegel ein­ gestellt werden. Allerdings ist der niedrige Pegel zur Er­ zeugung eines Bits höher als der genannte sehr niedrige Pegel*. Deshalb hat die Ausgangswellenform des Laserstrahls gemäß der Erfindung das in Fig. 5 skizzierte Aussehen.
Bei der erfindungsgemäßen magnetooptischen Aufzeichnungseinrich­ tung kann die Modulierungseinrich­ tung dadurch erhalten werden, daß eine herkömmliche Strahl-Modulierungseinrichtung modifiziert wird, wenn hohe und niedrige Pegel der Strahlintensität gegeben sind. Eine solche Modifizierung liegt im Rahmen des fachmännischen Könnens.
Die Erfindung läßt sich grundsätzlich unterteilen in einen ersten und einen zweiten Aspekt. In beiden Aspekten besitzt der Aufzeichnungsträger eine Mehrschichtstruktur, die sich gemäß Fig. 7A in zwei Schichten unterteilt.
Die erste Schicht ist die Aufzeichnungsschicht, die bei Zimmertemperatur eine hohe Koerzitivkraft aufweist und eine niedrige Umkehrtemperatur besitzt. Die zweite Schicht ist die Bezugsschicht, die bei Zimmertemperatur eine geringe Koerzitivkraft besitzt und eine höhere Umkehrtemperatur aufweist als die erste Schicht. Beide Schichten weisen quermagnetische Schichten auf. Man beachte, daß sowohl die erste als auch die zweite Schicht Mehrschichtstruktur be­ sitzen können. Falls notwendig, kann zwischen der ersten und der zweiten Schicht eine dritte Schicht angeordnet werden. Außerdem muß zwischen der ersten und der zweiten Schicht keine klare Grenze vorhanden sein, die eine Schicht kann nach und nach in die andere Schicht übergehen.
Gemäß dem ersten Aspekt wird die Koerzitivkraft einer Auf­ zeichnungsschicht 1 dargestellt durch HC1, diejenige einer Bezugsschicht durch HC2, die Curie-Temperatur der Aufzeich­ nungsschicht 1 durch TC1, diejenige der Bezugsschicht 2 durch TC2, die Zimmertemperatur durch TR, die Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlung mit einem Laserstrahl niedrigen Pegels mit TL, diejenige bei Bestrahlung mit einem Laserstrahl hohen Pegels mit TH, ein an die Aufzeichnungs­ schicht 1 angelegtes Koppelfeld mit HD1 und ein an die Bezugsschicht 2 angelegtes Koppelfeld mit HD2. In diesem Fall genügt der Aufzeichnungsträger der folgenden Formel 1 und erfüllt bei Zimmertemperatur die Formeln 2 bis 5:
TR ≦ωτ TC1 ≈ TL ≦ωτ TC2 ≈ TH Formel 1
HC1 ≦λτ HC2 + |HD1 ∓ HD2| Formel 2
HC1 ≦λτ HD1 Formel 3
HC2 ≦λτ HD2 Formel 4
HC2 + HD2 ≦ωτ |Hini.| ≦ωτ HC1 ± HD1 Formel 5
In den obigen Formeln bedeutet das Symbol "≈" entweder "gleich" oder "etwa gleich". Außerdem bedeutet bei den Doppel-Vorzeichen ± und ∓ das obere Vorzeichen einen A- (Antiparallel-)Typ-Aufzeichnungsträger, während das untere Vorzeichen einen P-(Parallel-)Typ-Aufzeichnungsträger bedeutet. Diese Aufzeichnungsträger werden unten näher erläutert. Man beachte, daß der P-Typ-Träger ein ferromagnetisches Material und ein magnetostatisches Kopplungsmedium enthält.
Die Beziehung zwischen der Koerzitivkraft und der Temperatur ist in Fig. 6 skizziert. In Fig. 6 stellt die dünne Kurve die Kennlinie der Aufzeichnungsschicht 1 und die dicke Kurve diejenige der Bezugsschicht 2 dar.
Wenn daher bei Zimmertemperatur ein Initialisierungs- oder Anfangsfeld (Hini.) an den Aufzeichnungsträger angelegt wird, wird die Magnetisierungsrichtung der Bezugsschicht 2 umgekehrt, ohne daß diejenige der Aufzeichnungsschicht 1 um­ gekehrt wird, was Formel 5 entspricht. Wenn das Anfangs­ feld Hini. an die Aufzeichnungsschicht vor der Aufzeichnung gelegt wird, läßt sich die Bezugsschicht 2 in "A-Richtung" magnetisieren (in der Zeichnung ist die "A-Richtung" durch einen nach oben gerichteten Doppelpfeil "⇑" angegeben, während die "nicht-A-Richtung" durch einen nach unten ge­ richteten Doppelpfeil "" angegeben ist). Wenn das An­ fangsfeld Hini. auf Null abnimmt, kann die Magnetisierungs­ richtung ⇑ der Bezugsschicht 2 unverändert bleiben, ohne umgekehrt zu werden, was Formel 4 entspricht.
Fig. 7B zeigt schematisch den Zustand, daß lediglich die Bezugsschicht 2 in "A-Richtung" ⇑ unmittelbar vor dem Auf­ zeichnen magnetisiert ist.
Nach Fig. 7B repräsentiert die Magnetisierungsrichtung der Aufzeichnungsschicht 1 zuvor aufgezeichnete Daten. Da die Magnetisierungsrichtung in der Aufzeichnungsschicht 1 sich durch den grundlegenden Betriebsmechanismus nicht ändert, wird sie bei der folgenden Beschreibung durch "X" angegeben. Die Tabelle in Fig. 7B ist zur Vereinfachung in Fig. 8 im Zustand 1 modifiziert dargestellt.
Im Zustand 1 wird der Laserstrahl hohen Pegels auf den Auf­ zeichnungsträger gerichtet, um die Trägertemperatur auf TH zu erhöhen. Da TH höher ist als die Curie-Temperatur TC1, verschwindet die Magnetisierung der Aufzeichnungsschicht 1. Da außerdem TH in der Nähe der Curie-Temperatur TH₂ liegt, verschwindet auch die Magnetisierung der Bezugsschicht 2 vollständig oder fast vollständig. Je nach Typ wird das Vormagnetisierungsfeld (Hb) in die "A-Richtung" oder in die "nicht-A-Richtung" an den Träger gelegt. Das Vormag­ netisierungsfeld (Hb) kann ein Streufeld vom Träger selbst sein. Zur Vereinfachung sei angenommen, daß das Vormagne­ tisierungsfeld (Hb) an den Träger in die "nicht-A-Richtung" gelegt werde. Da sich der Träger bewegt, wird ein gegebener bestrahlter Abschnitt sofort von dem Laserstrahl getrennt und durch Luft gekühlt. Wenn die Temperatur des Trägers bei Vorhandensein des Felds Hb abnimmt, wird die Magneti­ sierungsrichtung der Bezugsschicht 2 aufgrund des Feldes Hb umgekehrt in die "nicht-A-Richtung" (Bedingung 2H in Fig. 8).
Wird der Träger weiter abgekühlt und sinkt die Trägertempe­ ratur unter TC1, so erscheint die Magnetisierung der Auf­ zeichnungsschicht 1 wieder. In diesem Fall wird die Magne­ tisierungsrichtung der Aufzeichnungsschicht 1 durch diejenige der Bezugsschicht 2 beeinflußt aufgrund einer magnetischen Kopplungskraft (Austausch oder magnetostatische Kopplung). Deshalb wird entsprechend dem Träger-Typ eine Magnetisie­ rung (im P-Träger) oder ⇑ (im A.Medium) erzeugt, wie in Fig. 8 durch die Bedingung 3H gezeigt ist.
Eine Änderung der Bedingungen aufgrund der Bestrahlung mit einem Laserstrahl hohen Pegels wird im folgenden als Hoch­ temperaturzyklus bezeichnet.
Als nächstes wird unter der Bedingung 1 in Fig. 9 der Laserstrahl niedrigen Pegels auf den Träger gelenkt, um die Trägertemperatur auf TL anzuheben. Da TL in der Nähe der Curie-Temperatur TC1 liegt, verschwindet die Magnetisie­ rung der Aufzeichnungsschicht 1 vollständig oder fast voll­ ständig. Da jedoch TL unterhalb der Curie-Temperatur TC2 liegt, verschwindet die Magnetisierung der Bezugsschicht 2 nicht (Bedingung 2L in Fig. 9). Bei der Bedingung 2L kann das Vormagnetisierungsfeld (Hb) auch wenn es nicht benötigt wird, nicht mit hoher Geschwindigkeit ein- oder ausgeschaltet werden. Daher wird die Vormagnetisierung unvermeidlich angelegt.
Da jedoch die Koerzitivkraft HC2 auf hohem Wert gehalten wird, wird die Magnetisierungsrichtung der Bezugsschicht 2 wegen des Feldes Hb nicht umgekehrt. Da sich der Aufzeich­ nungsträger bewegt, wird ein gegebener bestrahlter Bereich unmittelbar von dem Laserstrahl getrennt und durch Luft gekühlt. Mit fortschreitender Kühlung erscheint die Magneti­ sierung der Aufzeichnungsschicht 1. Die Magnetisierungs­ richtung wird durch diejenige der Bezugsschicht 2 wegen der magnetischen Koppelkraft beeinflußt. Als Ergebnis ergibt sich entsprechend dem Aufzeichnungsträger-Typ die Magneti­ sierung ⇑ (beim P-Träger) oder (beim A-Träger). Diese Magnetisierung ändert sich auch bei Zimmertemperatur nicht (Bedingung 3L in Fig. 9).
Eine Änderung der Bedingungen aufgrund einer Bestrahlung mit einem Laserstrahl niedrigen Pegels wird hier als Niedrig­ temperaturzyklus bezeichnet.
Fig. 10 stellt die obigen Erläuterungen zusammen. Gemäß Fig. 10 werden Bits, die entweder eine Magnetisierung ⇑ oder , die einander entgegengesetzt sind, besitzen, werden unabhängig von der Magnetisierungsrichtung der Aufzeich­ nungsschicht 1 im Hochtemperatur- und Niedrigtemperatur­ zyklus erzeugt. Insbesondere wird ein Überschreiben ermög­ licht durch Impulsmodulierung des Laserstrahls zwischen hohem Pegel (Hochtemperaturzyklus) und niedrigem Pegel (Niedrigtemperaturzyklus), entsprechend den aufzuzeichnenden Daten.
Man beachtet, daß es sich bei dem Aufzeichnungsträger norma­ lerweise um eine Scheibe oder Platte handelt, die sich während des Aufzeichnungsvorgangs dreht. Aus diesem Grund wird ein aufgezeichneter Abschnitt (Bit) während einer einzelnen Umdrehung wiederum durch das Anfangsfeld Hini. beeinflußt. Als Ergebnis ist die Magnetisierungsrichtung der Bezugsschicht 2 entlang der ursprünglichen "A-Richtung" ⇑ ausgerichtet. Bei Zimmertemperatur jedoch kann die Magnetisierung der Bezugsschicht nicht länger diejenige der Aufzeichnungsschicht 1 beeinflussen, und die aufgezeichneten Daten können gehalten werden.
Wenn die Aufzeichnungsschicht 1 mit linear polarisiertem Licht bestrahlt wird, lassen sich, weil das reflektierte Licht Dateninformation enthält, Daten reproduzieren, wie es bei einem herkömmlichen magnetooptischen Aufzeichnungsträger der Fall ist.
Eine die Aufzeichnungsschicht 1 und die Bezugsschicht 2 bildende quermagnetische Schicht wird ausgewählt aus der Gruppe, die besteht aus (1) kristallinen oder amorphen ferro­ magnetischen oder ferrimagnetischen Stoffen mit einer Curie-Temperatur und keiner Kompensationstemperatur, und (2) kristallinen oder amorphen ferrimagnetischen Stoffen mit sowohl Kompensationstemperatur als auch der Curie-Tempe­ ratur.
Der erste Aspekt der Erfindung, bei dem die Curie-Temperatur ausgenutzt wird, wurde oben beschrieben. Im Gegensatz dazu wird beim zweiten Aspekt der Erfindung die verminderte Koerzitivkraft HC bei einer vorbestimmten Temperatur, die die Zimmertemperatur übersteigt, ausgenutzt. Bei dem zwei­ ten Aspekt der Erfindung wird eine Temperatur TS1 verwendet, bei der die Aufzeichnungsschicht 1 magnetisch mit der Be­ zugsschicht 2 gekoppelt ist, gegenüber der Temperatur TC1 gemäß dem ersten Aspekt der Erfindung. Außerdem wird an­ stelle der Temperatur TC2 eine Temperatur TS2 verwendet, bei der die Bezugsschicht 2 unter dem Einfluß des Feldes Hb umgekehrt wird. Dadurch kann der zweite Aspekt den gleichen Effekt erzielen wie der erste Aspekt.
Für den zweiten Aspekt werden die gleichen Bezeichnungen wie bei dem ersten Aspekt verwendet. Zusätzlich bedeutet TS1 eine Temperatur, bei der die Aufzeichnungsschicht 1 magne­ tisch an die Bezugsschicht 2 gekoppelt ist, und TS2 eine Temperatur, bei der die Magnetisierungsrichtung der Bezugs­ schicht 2 unter dem Einfluß des Feldes Hb umgekehrt wird. In diesem Fall erfüllt der Aufzeichnungsträger die folgende Bedingung 6 sowie die Bedingungen 7 bis 10 bei Zimmertempe­ ratur.
TR ≦ωτ TS1 ≈ TL ≦ωτ TS2 ≈ TH Formel 6
HC1 ≦λτ HC2 + |HD1 ∓ HD2| Formel 7
HC1 ≦λτ HD1 Formel 8
HC2 ≦λτ HD2 Formel 9
HC2 + HD2 ≦ωτ |Hini.| ≦ωτ HC1 ± HD1 Formel 10.
In den obigen Formeln (Bedingungen) entsprechen die oberen Vorzeichen der Doppel-Vorzeichen ± und ∓ einem A-(Anti­ parallel-)Träger, während die unteren Vorzeichen einem P-(Parallel-)Träger entsprechen (diese Träger werden unten näher beschrieben).
In dem ersten und dem zweiten Aspekt der Erfindung wird der Aufzeichnungsträger gebildet durch die Aufzeichnungs­ schicht 1 und die Bezugsschicht 2, die jeweils vorzugsweise ein amorphes ferrimagnetisches Material aufweisen, ausge­ wählt aus Legierungszusammensetzungen aus Übergangsmetall (z. B.: Fe, Co) mit schweren Seltene-Erden-Metallen (z. B.: Gd, Tb, Dy und dergleichen).
Wenn sowohl die Aufzeichnungsschicht 1 als auch die Bezugs­ schicht 2 aus den Übergangsmetall-Seltene-Erden-Metall- Legierungen ausgewählt wird, bestimmen sich Richtung und Pegel der außerhalb der Legierung in Erscheinung tretenden Magnetisierung durch die Beziehung zwischen Richtung und Pegel des Spins der Übergangsmetall-Atome (das Übergangs­ metall wird im folgenden abgekürzt mit TM) sowie der Atome des Seltene-Erden-Metalls innerhalb der Legierung (das Seltene-Erden-Metall wird im folgenden als RE abgekürzt). Beispielsweise werden Richtung und Betrag (Pegel des TM- Spins dargestellt durch einen gestrichelten Vektor ↑, während Richtung und Betrag des RE-Spins durch einen ausge­ zogenen Vektor ↑ dargestellt werden. Richtung und Betrag der Magnetisierung der Legierung insgesamt werden durch einen ausgezogenen Doppelvektor oder Doppelpfeil ⇑ darge­ stellt. In diesem Fall wird der Vektor ⇑ dargestellt durch eine Summe der Vektoren ↑ und ↑. Allerdings sind die Vekto­ ren ↑ und ↑ aufgrund des gegenseitigen Effekts von TM-Spin und RE-Spin entgegengesetzt gerichtet. Wenn daher diese Vektoren gleich groß sind, ergeben sich die Summen der Vek­ toren ↓ und ↑ oder die Summe der Vektoren ↓ und ↑ zu Null (d. h.: der Betrag der Magnetisierung, der außerhalb der Legierung in Erscheinung tritt, ist Null). Man bezeichnet die Legierung, bei der die Vektor-Summe Null ist, als Kompen­ sationszusammensetzung. Besitzt die Legierung eine andere Zusammensetzung, so besitzt sie eine Stärke, die der Diffe­ renz zwischen den Stärken der beiden Spins entspricht, und es ergibt sich ein Vektor (⇑ oder ), dessen Richtung demjenigen des größeren Vektors entspricht. Die Magnetisie­ rung dieses Vektors tritt außerhalb der Legierung in Er­ scheinung. Beispielsweise entsprechen die Vektoren ↑↓ einem Vektor ⇑ , während die Vektoren ↑↓ einem Vektor ent­ sprechen.
Ist einer der Vektor-Beträge oder -Stärken des RE-Spins und des TM-Spins größer als der andere, so bezeichnet man die Legierungszusammensetzung als "oo-reich", benannt entspre­ chend dem Material mit dem größeren Spin (z. B. RE-reich).
Die Aufzeichnungsschicht 1 und die Bezugsschicht 2 lassen sich in TM-reiche und RE-reiche Zusammensetzungen klassifi­ zieren. Wenn daher die Zusammensetzung der Aufzeichnungs­ schicht 1 entlang der Ordinate und diejenige der Bezugs­ schicht 2 entlang der Abszisse aufgetragen werden, lassen sich die Typen der Aufzeichnungsträger gemäß der Erfindung gemäß Fig. 11 in vier Quadranten unterteilen. Der oben be­ schriebene P-Typ-Träger gehört zu dem Quadranten I und III, während der A-Typ-Träger zu dem Quadranten II und IV gehört. Gemäß Fig. 11 repräsentiert der Schnittpunkt (Ursprung) von Abszisse und Ordinate die Kompensationszusammensetzung für beide Schichten.
Im Hinblick auf eine durch eine Temperaturänderung bedingte Koerzitivkraft-Änderung hat eine gewisse Legierungszusammen­ setzung eine Kennlinie, bei der die Koerzitivkraft vorüber­ gehend unendlich stark zunimmt und dann abrupt abnimmt, be­ vor eine Temperatur die Curie-Temperatur erreicht (bei der die Koerzitivkraft Null ist). Die der unendlich großen Koerzitivkraft entsprechende Temperatur wird Kompensations­ temperatur (Tcomp.) genannt. Zwischen Zimmertemperatur und Curie-Temperatur gibt es in der TM-reichen Legierungszu­ sammensetzung keine Kompensationstemperatur. Die Kompensa­ tionstemperatur unterhalb der Zimmertemperatur ist bei der magnetooptischen Aufzeichnung sinnlos, und deshalb wird im vorliegenden Zusammenhang davon ausgegangen, daß die Kompensationstemperatur zwischen der Zimmertemperatur und der Curie-Temperatur liegt.
Werden die erste und die zweite Schicht im Hinblick auf das Vorhandensein/Nicht-Vorhandensein der Kompensations­ temperatur klassifiziert, so läßt sich der Aufzeichnungs­ träger in vier Typen unterteilen. Der Aufzeichnungsträger im Quadranten I umfaßt sämtliche vier Träger-Typen. Die graphischen Darstellungen nach Fig. 12A bis 12D zeigen die Beziehung zwischen der Koerzitivkraft und der Temperatur für die vier Typen von Aufzeichnungsträgern. Man beachte, daß die dünnen Kurven die Kennlinien der Aufzeichnungsschicht 1 und die dicken Kurven die Kennlinien der Bezugsschicht 2 darstellen.
Wenn die Aufzeichnungsschicht 1 und die Bezugsschicht 2 im Hinblick auf ihre RE-reiche oder TM-reiche Eigenschaft und im Hinblick auf das Vorhandensein/Nicht-Vorhandensein der Kompensationstemperatur klassifiziert werden, so erhält man 9 Klassen.
Tabelle 1
Im folgenden wird das Grundprinzip des erfindungsgemäßen Verfahrens im einzelnen anhand eines speziellen Aufzeich­ nungsträgers Nr. 1 der Klasse 2 gemäß Tabelle 1 beschrie­ ben (Träger vom P-Typ, Quadrant I, Typ 1).
Der Träger Nr. 1 erfüllt folgende Formel 11:
TR ≦ωτ Tcomp.1 ≦ωτ TC1 ≈ TL ≈ Tcomp.2 ≦ωτ TC2 ≈ TH
Die graphische Darstellung in Fig. 13 veranschaulicht diese Beziehung. Die dünnen Kurven kennzeichnen die erste Schicht, die dicken Kurven die zweite Schicht. Diese Zuordnungen gelten auch für die nachfolgenden graphischen Darstellungen.
Eine Bedingung, welche die Magnetisierungsrichtung der Be­ zugsschicht 2 umkehrt, ohne diejenige der Aufzeichnungs­ schicht 1 durch das Anfangsfeld (Hini.) bei Zimmertempera­ tur TR umzukehren, ist durch die Formel 12 angegeben. Der Träger Nr. 1 erfüllt die Bedingung 12 bei TR.
HC1 ≦λτ HC2 + (σw/2MS1t₁) + (σw/2MS2t₂)
wobei
HC1: Koerzitivkraft der Aufzeichnungsschicht 1
HC2: Koerzitivkraft der Bezugsschicht 2
MS1: Sättigungsmagnetisierung der Schicht 1
MS2: Sättigungsmagnetisierung der Schicht 2
t₁: Schichtdicke der Schicht 1
t₂: Schichtdicke der Schicht 2
σw: Grenzschichtwandenergie.
Eine Bedingung für das Feld Hini. ist durch die Formel 15 gegeben. Wenn das Feld Hini. verschwindet, wird die umge­ kehrte Magnetisierung der Bezugsschicht 2 aufgrund eines Koppelkraft-Austauschs beeinflußt durch die Magnetisierung der Aufzeichnungsschicht 1. Die Bedingung, durch die die Magnetisierungsrichtung der Schicht 2 gehalten werden kann, ist durch die Formeln 13 und 14 angegeben. Der Träger Nr. 1 erfüllt die Bedingungen 13 und 14.
HC1 ≦λτ (σw/2MS1t₁) Formel 13
HC2 ≦λτ (σw/2MS2t₂) Formel 14
HC2 + (σw/2MS2t₂) ≦ωτ |Hini.| ≦ωτ HC1 - (σw/2MS1t₁) Formel 15
Die Magnetisierung der Schicht 2 des Aufzeichnungsträgers, der die Bedingungen 12 bis 14 bei TR erfüllt, wird durch Hini. entlang der "A-Richtung" ⇑ (↑↓) wobei Hini. der Be­ dingung 15 genügt. Zu diesem Zeitpunkt wird die Aufzeich­ nungsschicht 1 im Aufzeichnungszustand gehalten (Bedingung 1 in den Fig. 14 und 15).
Die Bedingung 1 wird bis zu einem Punkt unmittelbar vor der Aufzeichnung aufrechterhalten. In diesem Fall wird das Vor­ magnetisierungsfeld (Hb) in Richtung von ↑ angelegt.
Im folgenden wird anhand der Fig. 14 der Hochtemperatur­ zyklus beschrieben.
Hochtemperaturzyklus
Wenn unter der Bedingung 1 die Trägertemperatur nach Bestrah­ lung mit dem Laserstrahl hohen Pegels auf TL angestiegen ist, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1, da die Tempe­ ratur TL im wesentlichen so groß ist wie die Curie-Tempera­ tur TC1 der Aufzeichnungsschicht 1 (Bedingung 2H).
Wenn die Bestrahlung mit dem Laserstrahl weiter anhält, er­ höht sich die Temperatur des Trägers dementsprechend. Wenn die Temperatur des Trägers die Temperatur Tcomp.2 der Be­ zugsschicht 2 geringfügig überschreitet, kehrt sich die Be­ ziehung zwischen den Beträgen der Vektoren um (↑↓→↑↓), ob­ schon die Richtungen der RE- und der TM-Spins die gleichen bleiben. Aus diesem Grund wird die Magnetisierungsrichtung der Schicht 2 umgekehrt, so daß sie entlang der "nicht-A- Richtung" auf ausgerichtet ist (Bedingung 3H).
Da jedoch die Koerzitivkraft HC2 bei dieser Temperatur noch hoch ist, wird die Magnetisierungsrichtung der Schicht 2 durch das Feld Hb (↑) nicht umgekehrt. Wenn die Temperatur weiter ansteigt und die Temperatur TH erreicht, entspricht die Temperatur der Schicht 2 im wesentlichen der Curie- Temperatur TC2, und es verschwindet auch die Magnetisierung der Schicht 2 (Bedingung 4H).
Bei der Bedingung 4H beginnt die Temperatur des Trägers ab­ zunehmen, wenn ein bestrahlter Abschnitt von dem Laser­ strahlfleck getrennt wird. Wenn die Temperatur des Trägers etwas unter die Temperatur TC2 absinkt, erscheint die Magne­ tisierung in der Schicht 2. In diesem Fall wird die Magne­ tisierung ⇑ (↓↑) durch ↑Hb erzeugt (Bedingung 5H). Da jedoch die Temperatur noch höher ist als die Temperatur TC1, er­ scheint in der Schicht 1 keine Magnetisierung.
Wenn die Temperatur des Trägers weiter unter die Temperatur Tcomp.2 abnimmt, wird die Beziehung der Beträge der Vektoren umgekehrt (↓↑→↓↑), obschon die Richtungen der RE- und der TM-Spins die gleichen bleiben. Als Folge davon wird die Magnetisierungsrichtung der Legierung insgesamt umgekehrt von ⇑ in die "nicht-A-Richtung" (Bedingung 6H).
Unter der Bedingung 6H ist, weil die Temperatur des Trägers höher ist als die Temperatur TC1, die Magnetisierung der Schicht 1 noch nicht in Erscheinung getreten. Außerdem kann wegen der hohen Koerzitivkraft HC2 bei dieser Temperatur die Magnetisierungsrichtung der Schicht 2 nicht durch das Feld ↑Hb umgekehrt werden.
Wenn die Temperatur des Trägers abnimmt und geringfügig unterhalb der Temperatur TC1 liegt, erscheint die Magneti­ sierung der Schicht 1. Zu dieser Zeit richtet der Kopp­ lungskraftaustausch von der Schicht 2 alle RE- und TM-Spins (↓ und ↑) der Schichten 1 und 2 aus. Da die Temperatur der Schicht 1 größer ist als die Temperatur Tcomp.1, ist der TM-Spin größer als der RE-Spin, und deshalb erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung von ↓↑, d. h.: ⇑. Dieser Zu­ stand entspricht der Bedingung 7H.
Wenn die Temperatur des Trägers von der Temperatur der Be­ dingung 7H sinkt und unterhalb der Temperatur Tcomp.1 liegt, kehren sich die Verhältnisse zwischen den Beträgen der RE- und der TM-Spins in der Schicht 1 um (↓↑→↓↑). Demzufolge erscheint die Magnetisierung ⇑ (Bedingung 8H).
Dann nimmt die Temperatur des Trägers von der Temperatur der Bedingung 8H auf Zimmertemperatur ab. Da die Koerzitivkraft HC1 bei Zimmertemperatur ausreichend groß ist, bleibt die Bedingung 8H aufrechterhalten, ohne Umkehrung der Magneti­ sierungsrichtung der Schicht 1 durch das Feld ↑Hb. Auf diese Weise wird die Biterzeugung in "A-Richtung" abge­ schlossen.
Als nächstes soll anhand der Fig. 15 ein Niedrigtemperatur­ zyklus erläutert werden.
Niedrigtemperaturzyklus
Unter der Bedingung 1 unmittelbar vor dem Aufzeichnen wird die Trägertemperatur durch das Bestrahlen mit dem Laser­ strahl niedrigen Pegels auf TL erhöht. Da die Temperatur TL im wesentlichen gleich ist der Curie-Temperatur TC1 der Aufzeichnungsschicht 1, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1 (Bedingung 2L).
Wenn bei der Bedingung 2L ein bestrahlter Abschnitt von dem Laserstrahlfleck getrennt wird, beginnt die Temperatur des Trägers zu fallen. Wenn die Trägertemperatur etwas unter­ halb der Temperatur TC1 liegt, wird die Aufzeichnungs­ schicht 1 durch die RE- und die TM-Spins (↑↓) der Aufzeich­ nungsschicht 2 aufgrund des Kopplungskraft-Austausches be­ einflußt. Mit anderen Worten: Der Kopplungskraft-Austausch hat die Wirkung, jeden der RE- und TM Spins (↑ und ↓) der Schichten 1 und 2 auszurichten. Im Ergebnis erscheint unge­ achtet des Vormagnetisierungsfelds ⇑Hb die Magnetisierung d. h.: , innerhalb der Schicht 1 (Bedingung 3L). Da die Temperatur bei der Bedingung 3L höher ist als die Tempera­ tur Tcomp.1, ist der TM-Spin größer als der RE-Spin.
Wenn die Trägertemperatur unter die Temperatur Tcomp.1 ab­ sinkt, wird die Beziehung zwischen den RE- und den TM-Spins der ersten Schicht umgekehrt (↑↓→↑↓), genauso wie bei dem Hochtemperaturzyklus. Als Ergebnis ergibt sich die Magneti­ sierung der Schicht 1 als ⇑ (Bedingung 4L).
Die Bedingung 4L wird aufrechterhalten, selbst wenn die Trägertemperatur auf Zimmertemperatur absinkt. Auf diese Weise wird die Biterzeugung in "A-Richtung" ⇑ abgeschlossen.
Im folgenden wird das Grundprinzip des erfindungsgemäßen Verfahrens anhand eines speziellen Trägers Nr. 2, der zu der Klasse 2 in Tabelle 1 gehört, beschrieben (Träger vom P-Typ, Quadrant I, Typ 2).
Der Träger Nr. 2 erfüllt folgende Formel 16:
TR ≦ωτ TC1 ≈ TL ≈ Tcomp.2 ≦ωτ TC2 ≈ TH
Die graphische Darstellung in Fig. 16 veranschaulicht diese Beziehung.
Eine Bedingung, die die Magnetisierungsrichtung der Bezugs­ schicht 2 ohne Umkehrung der Aufzeichnungsschicht 1 durch das Anfangsfeld Hini. bei Zimmertemperatur TR umkehrt, ist durch die Formel 17 gegeben. Der Träger 2 erfüllt die For­ mel 17 bei TR:
HC1 ≦λτ HC2 + (σw/2MS1t₁) + (σw/2MS2t₂)
wobei
HC1: Koerzitivkraft der Aufzeichnungsschicht 1
HC2: Koerzitivkraft der Bezugsschicht 2
MS1: Sättigungsmagnetisierung der Schicht 1
MS2: Sättigungsmagnetisierung der Schicht 2
t₁ Schichtdicke der Schicht 1
t₂: Schichtdicke der Schicht 2
σw: Grenzschichtwandenergie.
Jetzt wird die Bedingung für das Feld Hini. durch die Formel 20 dargestellt. Wenn das Feld Hini. verschwindet, wird die umgekehrte Magnetisierung der Bezugsschicht 2 durch die Magnetisierung der Aufzeichnungsschicht 1 wegen des Kopp­ lungskraft-Austauschs beeinflußt. Die Bedingung, welche die Magnetisierungsrichtung der Schicht 2 aufrechterhalten kann, wird durch die Formeln 18 und 19 angegeben. Der Träger Nr. 2 erfüllt die Formeln 18 und 19.
HC1 ≦λτ (σw/2MS1t₁) Formel 18
HC2 ≦λτ (σw/2MS2t₂) Formel 19
HC2 + (σw/2MS2t₂) ≦ωτ |Hini.| ≦ωτ HC1 - (σw2MS1t₁) Formel 20
Die Magnetisierung der Schicht 2 des Aufzeichnungsträgers, der die Formeln 17 bis 19 bei TR erfüllt, wird entlang der "A-Richtung" ⇑ (↑↓) durch das Feld Hini., welches der Formel 20 genügt, ausgerichtet. Zu dieser Zeit wird die Aufzeichnungsschicht 1 im Aufzeichnungszustand gehalten (Bedingung 1 in den Fig. 17 und 18).
Die Bedingung 1 wird bis zu einem Punkt unmittelbar vor der Aufzeichnung aufrechterhalten. In diesem Fall wird das Vor­ magnetisierungsfeld (Hb) in Richtung ↑ angelegt.
Im folgenden wird unter Bezugnahme auf Fig. 17 der Hoch­ temperaturzyklus erläutert.
Hochtemperaturzyklus
Bei der Bedingung 1, wenn die Trägertemperatur aufgrund der Strahlung durch den Laserstrahl hohen Pegels auf TL ange­ stiegen ist, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1, da die Temperatur TL im wesentlichen der Curie-Temperatur TC1 der Aufzeichnungsschicht 1 entspricht (Bedingung 2H).
Wenn die Bestrahlung mit dem Laserstrahl anhält, steigt dementsprechend die Temperatur des Trägers an. Wenn die Trägertemperatur geringfügig die Temperatur Tcomp.2 der Bezugsschicht 2 übersteigt, wird die Beziehung zwischen den Beträgen der Vektoren umgekehrt (↑↓→↑↓), obschon die Rich­ tungen der RE- und der TM-Spins die gleichen bleiben. Aus diesem Grund wird die Magnetisierungsrichtung der Schicht 2 in die "nicht-A-Richtung" umgekehrt (Bedingung 3H).
Da jedoch die Koerzitivkraft HC2 bei dieser Temperatur noch hoch ist, wird die Magnetisierungsrichtung der Schicht 2 durch das Feld Hb(↑) nicht umgekehrt. Wenn die Temperatur weiter ansteigt und die Temperatur TH erreicht, entspricht die Temperatur der Schicht 2 im wesentlichen der Curie- Temperatur TC2, und auch die Magnetisierung der Schicht 2 verschwindet (Bedingung 4H).
Wenn bei der Bedingung 4H der bestrahlte Bereich von dem Laserstrahlfleck getrennt wird, beginnt die Trägertemperatur abzufallen. Wenn die Trägertemperatur etwas unter die Tempe­ ratur TC2 abfällt, erscheint die Magnetisierung in der Schicht 2. In diesem Fall wird von ↑Hb die Magnetisierung ⇑(↓↑) erzeugt (Bedingung 5H). Da jedoch die Temperatur noch höher ist als die Temperatur TC1, erscheint in der Schicht 1 keine Magnetisierung.
Wenn die Temperatur des Trägers weiter unter die Tempera­ tur Tcomp.2 absinkt, wird die Beziehung zwischen den Beträ­ gen der Vektoren umgekehrt (↓↑→↓↑), obschon die Richtun­ gen der RE- und der TM-Spins die gleichen bleiben. Als Folge davon wird die Magnetisierungsrichtung der Legierung insgesamt von ⇑ in die "nicht-A-Richtung" umgekehrt (Bedingung 6H).
In dem Zustand 6H ist, weil die Temperatur des Trägers höher ist als die Temperatur TC1, die Magnetisierung der Schicht 1 noch nicht in Erscheinung getreten. Da außerdem die Koerzi­ tivkraft HC2 bei dieser Temperatur hoch ist, kann die Magne­ tisierungsrichtung der Schicht 2 von dem Feld ↑Hb nicht umgekehrt werden.
Wenn die Temperatur des Trägers abnimmt und etwas unterhalb der Temperatur TC1 liegt, erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung. Jetzt wirkt der Doppelkraft-Austausch von der Schicht 2 so, daß er sämtliche RE- und TM-Spins (↓ und ↑) der Schichten 1 und 2 ausrichtet. Somit erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung ↓↑, d. h., . Dieser Zustand ist die Bedingung 7H.
Anschließend sinkt die Trägertemperatur von der Temperatur gemäß Bedingung 7H auf Zimmertemperatur ab. Da die Koerzitiv­ kraft HC1 bei Zimmertemperatur ausreichend groß ist, wird die Bedingung 7H aufrechterhalten; ohne daß die Magneti­ sierungsrichtung der Schicht 1 durch das Feld ↑Hb umge­ kehrt wird. Auf diese Weise wird die Biterzeugung in der "nicht-A-Richtung" abgeschlossen.
Im folgenden wird anhand der Fig. 18 der Niedrigtemperatur­ zyklus beschrieben.
Niedrigtemperaturzyklus
Unter der Bedingung 1 unmittelbar vor dem Aufzeichnen wird die Trägertemperatur durch Bestrahlen mit dem Laserstrahl geringen Pegels auf TL erhöht. Da die Temperatur TL im we­ sentlichen der Curie-Temperatur TC1 der Aufzeichnungs­ schicht 1 entspricht, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1 (Bedingung 2L).
Wenn bei der Bedingung 2L der bestrahlte Bereich von dem Laserstrahlfleck getrennt wird, beginnt die Trägertemperatur abzufallen. Wenn die Trägertemperatur etwas unter der Tempe­ ratur TC1 liegt, wird die Aufzeichnungsschicht 1 von den RE- und den TM-Spins (↑↓) der Bezugsschicht 2 aufgrund des Koppelkraft-Austauschs beeinflußt. In anderen Worten: Der Austausch der Koppelkraft bewirkt die Ausrichtung sämtlicher RE- und TM-Spins (↑ und ↓) der Schichten 1 und 2. Demzu­ folge erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung ↑↓ d. h., ⇑ (Bedingung 3L).
Die Bedingung 3L wird selbst dann aufrechterhalten, wenn die Trägertemperatur auf Zimmertemperatur abfällt. Als Ergebnis wird ein Bit in der "A-Richtung" innerhalb der Aufzeich­ nungsschicht 1 erzeugt.
Im folgenden wird das erfindungsgemäße Verfahren im einzelnen anhand eines speziellen Trägers Nr. 3 der Klasse 3 gemäß Tabelle 1 erläutert (P-Typ, Quadrant I, Typ 3).
Der Träger Nr. 3 erfüllt folgende Formel 21:
TR ≦ωτ Tcomp.1 ≦ωτ TC1 ≈ TL ≦ωτ TC2 ≈ TH
Die graphische Darstellung in Fig. 19 veranschaulicht diese Beziehung.
Eine Bedingung, welche die Magnetisierungsrichtung der Be­ zugsschicht 2 ohne Umkehrung der Magnetisierung der Auf­ zeichnungsschicht 1 durch das Anfangsfeld Hini. bei Zimmer­ temperatur TR umkehrt, ist durch die nachstehende Formel 22 angegeben. Der Träger Nr. 3 erfüllt die Formel 22 bei der Temperatur TR:
HC1 ≦λτ HC2 + (σw/2MS1t₁) + (σw/2MS2t₂)
wobei
HC1: Koerzitivkraft der Aufzeichnungsschicht 1
HC2: Koerzitivkraft der Bezugsschicht 2
MS1: Sättigungsmagnetisierung der Schicht 1
MS2: Sättigungsmagnetisierung der Schicht 2
t₁: Schichtdicke der Schicht 1
t₂: Schichtdicke der Schicht 2
σw: Grenzschichtwandenergie.
Die Bedingung für das Feld Hini. wird jetzt durch die Formel 25 dargestellt. Wenn das Feld Hini. verschwindet, wird die umgekehrte Magnetisierung der Bezugsschicht 2 durch den Koppelkraftaustausch beeinflußt durch die Magnetisierung der Aufzeichnungsschicht 1. Die Bedingung, unter der die Magne­ tisierungsrichtung der Schicht 2 aufrechterhalten wird, ist durch die Formeln 23 und 24 angegeben, welche der Träger Nr. 3 erfüllt.
HC1 ≦λτ (σw/2MS1t₁) Formel 23
HC2 ≦λτ (σw/2MS2t₂) Formel 24
HC2 + (σw/2MS2t₂) ≦ωτ |Hini.| ≦ωτ HC1 - (σw/2MS1t₁) Formel 25
Die Magnetisierung der Schicht 2 des Aufzeichnungsträgers, der die Formeln 22 bis 24 bei der Temperatur TR erfüllt, ist in "A-Richtung" ⇑ (↑↓) durch das Feld Hini., das der Formel 25 genügt, ausgerichtet. Jetzt wird die Aufzeichnungs­ schicht 1 im Aufzeichnungszustand gehalten (Bedingung 1 in den Fig. 20 und 21).
Die Bedingung 1 wird bis zu einem Punkt unmittelbar vor der Aufzeichnung aufrechterhalten. In diesem Fall wird das Vor­ magnetisierungsfeld Hb in Richtung ↓ angelegt.
Anhand der Fig. 20 wird im folgenden der Hochtemperaturzyklus beschrieben.
Hochtemperaturzyklus
Wenn unter der Bedingung 1 die Trägertemperatur durch Bestrah­ lung mit einem Laserstrahl hohen Pegels auf TL erhöht wird, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1, da die Tempe­ ratur TL im wesentlichen der Curie-Temperatur TC1 der Schicht 1 entspricht (Bedingung 2H).
Wenn die Bestrahlung mit dem Laserstrahl weiter anhält, ver­ schwindet auch die Magnetisierung der Schicht 2, da die Tempe­ ratur TH des Trägers im wesentlichen der Temperatur TC2 ent­ spricht (Bedingung 3H).
Wenn in der Bedingung 3H der bestrahlte Bereich von dem Laserstrahlfleck getrennt wird, beginnt die Trägertempera­ tur abzufallen. Wenn sie etwas unter die Temperatur TC2 ge­ langt, erscheint die Magnetisierung in der Schicht 2. In diesem Fall wird durch das Feld ↓Hb die Magnetisierung (↓↑) erzeugt. Da jedoch die Temperatur noch höher ist als die Temperatur TC1, erscheint in der Schicht 1 keine Magne­ tisierung. Dies ist der Zustand der Bedingung 4H.
Wenn die Temperatur des Trägers etwas unter die Temperatur TC1 absinkt, erscheint die Magnetisierung in der Schicht 1. Jetzt wirkt der Koppelkraftaustausch von der Schicht 2 so, daß sämtliche RE- und TM-Spins (↓ und ↑) der Schichten 1 und 2 ausgerichtet werden. Da die Trägertemperatur größer ist als die Temperatur Tcomp.1, ist der TM-Spin größer als der RE-Spin (↓↑). Als Ergebnis erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung ⇑ (Bedingung 5H).
Wenn die Trägertemperatur von der Temperatur in Bedingung 5H weiter absinkt und unter die Temperatur Tcomp.1 fällt, wird die Beziehung zwischen den Beträgen der TM- und der RE-Spins der Schicht 1 umgekehrt (↓↑→↓↑). Aus diesem Grund wird die Magnetisierungsrichtung der Schicht 1 in die "nicht- A-Richtung" umgekehrt (Bedingung 6H).
Dann sinkt die Temperatur des Trägers von der Temperatur in Bedingung 6H auf Zimmertemperatur ab. Da die Koerzitivkraft HC1 bei Zimmertemperatur ausreichend groß ist, bleibt die Magnetisierung der Schicht 1 stabil. Auf diese Weise wird die Biterzeugung in "nicht-A-Richtung" abgeschlossen.
Im folgenden soll unter Bezugnahme auf Fig. 21 der Niedrig­ temperaturzyklus beschrieben werden.
Niedrigtemperaturzyklus
Unter der Bedingung 1 unmittelbar vor dem Aufzeichnen wird die Trägertemperatur durch Bestrahlen mit einem Laserstrahl niedrigen Pegels auf TL erhöht. Da TL etwa der Curie-Tempe­ ratur TC1 der Schicht 1 entspricht, verschwindet die Magne­ tisierung der Schicht 1. Da jedoch bei dieser Temperatur die Koerzitivkraft HC2 der Schicht 2 ausreichend hoch ist, wird deren Magnetisierung durch das Vormagnetisierungsfeld ↓Hb nicht umgekehrt (Bedingung 2L).
Wenn unter der Bedingung 2L der bestrahlte Bereich von dem Laserstrahlfleck getrennt wird, beginnt die Temperatur des Trägers abzufallen. Wenn sie etwas unter die Temperatur TC1 gelangt, werden die jeweiligen Spins der Aufzeichnungs­ schicht 1 durch die RE- und TM-Spins (↑↓) der Bezugsschicht 2 aufgrund des Koppelkraftaustauschs beeinflußt. In anderen Worten: Die den Austausch oder Wechsel bewirkende Koppel­ kraft richtet sämtliche RE- und TM-Spins (↑ und ↓) der Schichten 1 und 2 aus. Als Ergebnis erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung ↑↓, d. h., . Da in diesem Fall die Trägertemperatur oberhalb der Temperatur Tcomp.1 liegt, ist der TM-Spin größer als der RE-Spin (Bedingung 3L).
Wenn die Temperatur weiter unter die Temperatur Tcomp.1 sinkt, wird die Beziehung zwischen den Beträgen der RE- und TM-Spins der Schicht 1 genauso wie bei dem Hochtemperatur­ zyklus umgekehrt (↑↓→↑↓). Als Ergebnis erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung ⇑ ungeachtet des Vormagneti­ sierungsfeld ↓Hb (Bedingung 4L).
Die Bedingung 4L wird selbst dann aufrechterhalten, wenn die Trägertemperatur auf Zimmertemperatur abfällt. Auf diese Weise wird die Biterzeugung in "A-Richtung" ⇑ abgeschlossen.
Im folgenden wird das erfindungsgemäße Verfahren anhand eines speziellen Trägers Nr. 4 der Klasse 4 erläutert (P-Typ, Quadrant I, Typ 4), wie er in Tabelle 1 aufgeführt ist.
Der Träger Nr. 4 erfüllt folgende Formel 26:
TR ≦ωτ TC1 ≈ TL ≦ωτ TC2 ≈ TH
Fig. 22 veranschaulicht diese Beziehung.
Eine Bedingung, welche die Magnetisierungsrichtung der Be­ zugsschicht 2 ohne Umkehrung der Magnetisierung der Auf­ zeichnungsschicht 1 durch das Anfangsfeld Hini. bei Zimmer­ temperatur TR umkehrt, ist in Formel 27 angegeben. Der Träger Nr. 4 erfüllt die Formel 27 bei TR.
HC1 ≦λτ HC2 + (σw/2MS1t₁) + (σw/2MS2t₂)
wobei
HC1: Koerzitivkraft der Aufzeichnungsschicht 1
HC2: Koerzitivkraft der Bezugsschicht 2
MS1: Sättigungsmagnetisierung der Schicht 1
MS2: Sättigungsmagnetisierung der Schicht 2
t₁: Schichtdicke der Schicht 1
t₂: Schichtdicke der Schicht 2
σw: Grenzschichtwandenergie.
Jetzt wird eine Bedingung für das Feld Hini. durch die Formel 30 vorgegeben. Wenn das Feld Hini. verschwindet, wird die umgekehrte Magnetisierung der Bezugsschicht 2 aufgrund eines Koppelkraftaustauschs durch die Magnetisierung in der Schicht 1 beeinflußt. Die Bedingung, unter der die Magneti­ sierungsrichtung der Schicht 2 gehalten wird, ist in den Formeln 28 und 29 angegeben, welche der Träger Nr. 4 erfüllt.
HC1 ≦λτ (σw/2MS1t₁) Formel 28
HC2 ≦λτ (σw/2MS2t₂) Formel 29
HC2 + (σw/2MS2t₂) ≦ωτ |Hini.| ≦ωτ HC1 - (σw/2MS1t₁) Formel 30
Die Magnetisierung der Schicht 2 des Aufzeichnungsträgers, der die Formeln 27 bis 29 bei der Temperatur TR erfüllt, wird in der "A-Richtung" ⇑ (↑↓) durch das Feld Hini. aus­ gerichtet, welches der Formel 30 genügt. Jetzt wird die Auf­ zeichnungsschicht 1 im Aufzeichnungszustand gehalten (Be­ dingung 1 in den Fig. 23 und 24).
Die Bedingung 1 wird bis zu einem Punkt unmittelbar vor dem Aufzeichnen aufrechterhalten. In diesem Fall wird das Vor­ magnetisierungsfeld Hb in Richtung ↓ angelegt.
Anhand der Fig. 23 soll nun der Hochtemperaturzyklus be­ schrieben werden.
Hochtemperaturzyklus
Wenn der Aufzeichnungsträger durch die Strahlung des Laser­ strahls hohen Pegels auf TL erwärmt wird, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1, weil die Temperatur TL etwa der Curie-Temperatur TC1 gleicht (Bedingung 2H).
Wenn die Laserbestrahlung weiter anhält und die Träger­ temperatur der Temperatur TH gleicht, verschwindet auch die Magnetisierung der Schicht 2, da die Temperatur TH der Schicht 2 etwa der Curie-Temperatur TC2 entspricht. Dieser Zustand ist die Bedingung 3H.
Wenn bei der Bedingung 3H der bestrahlte Bereich von dem Laserstrahlfleck getrennt wird, beginnt die Temperatur des Trägers zu sinken. Wenn sie etwas unter die Temperatur TC2 gelangt, erscheint die Magnetisierung der Schicht 2. Jetzt wird die Magnetisierung (↓↑) durch ↓Hb erzeugt. Da aber die Temperatur noch höher ist als die Temperatur TC1, erscheint in der Schicht 1 keine Magnetisierung. Dieser Zustand entspricht der Bedingung 4H.
Wenn die Trägertemperatur absinkt und etwas unterhalb der Temperatur TC1 liegt, erscheint in der Schicht 1 die Magne­ tisierung. Jetzt richtet die Austausch-Koppelkraft von der Schicht 2 alle Re- und TM-Spins (↓ und ↑) der Schichten 1 und 2 aus. Als Ergebnis erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung . Dieser Zustand entspricht der Bedingung 5H.
Wenn die Trägertemperatur von der Temperatur der Bedingung 5H auf Zimmertemperatur abfällt, bleibt die Magnetisierung der Schicht 1 stabil, da die Koerzitivkraft HC1 bei Zimmer­ temperatur genügend groß ist. Auf diese Weise wird die Bit­ erzeugung in "nicht-A-Richtung" abgeschlossen.
Anhand der Fig. 24 wird nun der Niedrigtemperaturzyklus beschrieben.
Niedrigtemperaturzyklus
In der Bedingung 1 unmittelbar vor dem Aufzeichnen wird die Trägertemperatur durch die Bestrahlung mit dem Laserstr 85575 00070 552 001000280000000200012000285918546400040 0002003619618 00004 85456ahl niedrigen Pegels auf die Temperatur TL erhöht, und da diese die Curie-Temperatur TC1 der Aufzeichnungsschicht 1 über­ steigt, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1. Al­ lerdings wird bei dieser Temperatur wegen der genügend großen Koerzitivkraft HC2 der Schicht 2 die Magnetisierung der Schicht 2 durch das Vormagnetisierungsfeld ↓Hb nicht umgekehrt. Dieser Zustand entspricht der Bedingung 2L.
Wenn in der Bedingung 2L der bestrahlte Bereich von dem Laserstrahlfleck getrennt wird, beginnt die Temperatur des Trägers zu sinken, und wenn sie etwas unterhalb von TC1 liegt, werden die jeweiligen Spins der Aufzeichnungsschicht 1 durch die RE- und die TM-Spins (↑↓) der Bezugsschicht 2 durch die Koppelkraft beeinflußt. In anderen Worten: Die Koppelkraft richtet alle RE- und TM-Spins (↑ und ↓) der Schichten 1 und 2 aus, mit dem Ergebnis, daß die Magnetisierung von ↑↓, d. h.: ⇑, ungeachtet des Vormagnetisierungsfeldes ↓Hb in der Schicht 1 auftritt. Dies ist die Bedingung 3L.
Die Bedingung 3L wird selbst dann aufrechterhalten, wenn die Temperatur des Trägers auf Zimmertemperatur sinkt. Auf diese Weise wird die Biterzeugung in der "A-Richtung" ⇑ abgeschlossen.
Im folgenden wird das erfindungsgemäße Verfahren anhand eines speziellen Trägers Nr. 5 der Tabelle 1 erläutert (A-Typ, Quadrant II, Typ 3).
Der Träger Nr. 5 erfüllt die Formel 31:
TR ≦ωτ Tcomp.1 ≦ωτ TC1 ≈ TL ≦ωτ TC2 ≈ TH.
Fig. 25 zeigt diese Beziehung anschaulich.
Die Bedingung, welche die Magnetisierungsrichtung der Bezugs­ schicht 2 ohne Umkehrung der Magnetisierung der Aufzeich­ nungsschicht 1 durch das Anfangsfeld Hini. bei Zimmertempe­ ratur TR umkehrt, ist durch die Formel 32 angegeben, die durch den Träger Nr. 5 bei TR erfüllt wird:
HC1 ≦λτ HC2 + |(σw/2MS1t₁) - (σw/2MS2t₂)|
wobei
HC1: Koerzitivkraft der Aufzeichnungsschicht 1
HC2: Koerzitivkraft der Bezugsschicht 2
MS1: Sättigungsmagnetisierung der Schicht 1
MS2: Sättigungsmagnetisierung der Schicht 2
t₁: Schichtdicke der Schicht 1
t₂: Schichtdicke der Schicht 2
σw: Grenzschichtwandenergie.
Die Bedingung für das Feld Hini. wird durch die Formel 35 angegeben. Wenn das Feld Hini. verschwindet, wird die umge­ kehrte Magnetisierung der Bezugsschicht 2 aufgrund der Kop­ pelkraft durch die Magnetisierung der Aufzeichnungsschicht 1 beeinflußt. Die Bedingung, welche die Magnetisierungsrich­ tung der Schicht 2 erhalten kann, wird durch die Formeln 33 und 34 definiert, die durch den Träger Nr. 5 erfüllt werden:
HC1 ≦λτ (σw/2MS1t₁) Formel 33
HC2 ≦λτ (σw/2MS2t₂) Formel 34
HC2 + (σw/2MS2t₂) ≦ωτ |Hini.| ≦ωτ HC1 + (σw/2MS1t₁) Formel 35
Die Magnetisierung der Schicht 2 des Aufzeichnungsträgers, der die Formeln 32 bis 34 bei TR erfüllt, wird entlang der "A- Richtung" ⇑ (↓↑) durch das Feld Hini., welches die Formel 35 erfüllt, ausgerichtet. Jetzt wird die Aufzeichnungsschicht 1 im Aufzeichnungszustand gehalten (Bedingung 1 in den Fig. 26 und 27).
Die Bedingung 1 wird bis zu einem Punkt unmittelbar vor der Aufzeichnung gehalten. In diesem Fall wird das Vormagneti­ sierungsfeld (Hb) in Richtung ↓ angelegt.
Im folgenden wird anhand der Fig. 26 der Hochtemperatur­ zyklus beschrieben.
Hochtemperaturzyklus
Wenn die Trägertemperatur durch den energiereichen Laser­ strahl auf TL erhöht wird, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1, weil die Temperatur TL im wesentlichen so groß ist wie die Curie-Temperatur TC1 der Aufzeichnungs­ schicht 1 (Bedingung 2H).
Wenn die Laserbestrahlung weiter anhält und die Trägertempe­ ratur der Temperatur TH entspricht, verschwindet auch die Magnetisierung der Schicht 2, da die Temperatur TH der Schicht 2 im wesentlichen der Curie-Temperatur TC2 ent­ spricht (Bedingung 3H).
Wenn bei der Bedingung 3H der bestrahlte Bereich von dem Laserstrahlfleck getrennt wird, fällt die Temperatur des Trägers, und wenn sie etwas unter die Temperatur TC2 ge­ langt, erscheint die Magnetisierung der Schicht 2. In diesem Fall wird durch ↓Hb die Magnetisierung (↓↑) er­ zeugt. Da aber die Temperatur noch höher ist als die Tempe­ ratur TC1, erscheint in der Schicht 1 keine Magnetisierung (Bedingung 4H).
Wenn die Trägertemperatur weiter etwas unter die Temperatur TC1 absinkt, erscheint die Magnetisierung der Schicht 1. Jetzt richtet die Koppelkraft aus der Schicht 2 alle RE- und TM-Spins (↑ und ↓) der Schichten 1 und 2 aus. Da in diesem Fall die Trägertemperatur noch höher ist als die Temperatur Tcomp.1, ist der TM-Spin größer als der RE-Spin (↑↓). Als Ergebnis erscheint in der Schicht 2 die Magneti­ sierung (Bedingung 5H).
Wenn die Trägertemperatur unter die Temperatur Tcomp.1 aus der Temperatur in Bedingung 5H absinkt, wird die Beziehung zwischen den Beträgen der TM- und RE-Spins in der Schicht 1 umgekehrt (↑↓→↑↓). Aus diesem Grund wird die Magnetisie­ rung der Schicht 1 in die "A-Richtung" ⇑ umgekehrt (Be­ dingung 6H).
Dann fällt die Trägertemperatur von der Temperatur in Be­ dingung 6H auf Zimmertemperatur ab, und da die Koerzitiv­ kraft HC1 bei der Zimmertemperatur genügend groß ist, bleibt die Magnetisierung der Schicht 1 stabil. Auf diese Weise wird die Biterzeugung in der "A-Richtung" abgeschlossen.
Anhand der Fig. 27 soll nun der Niedrigtemperaturzyklus beschrieben werden.
Niedrigtemperaturzyklus
In der Bedingung 1 unmittelbar vor dem Aufzeichnen steigt die Trägertemperatur nach Bestrahlung mit dem Laserstrahl niedrigen Pegels auf TL an, und da dieser Wert etwa der Curie-Temperatur TC1 der Aufzeichnungsschicht 1 entspricht, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1. Da aller­ dings bei dieser Temperatur die Koerzitivkraft HC2 der Schicht 2 genügend groß ist, wird die Magnetisierung der Schicht 2 durch das Vormagnetisierungsfeld ↓Hb nicht umge­ kehrt (Bedingung 2L).
Wenn die Bestrahlung mit dem Laserstrahl in der Bedingung 2L beendet wird, beginnt die Trägertemperatur abzufallen. Liegt sie etwas unter der Temperatur TC1, werden die jeweiligen Spins der Aufzeichnungsschicht 1 durch die RE- und TM-Spins (↓↑) der Bezugsschicht 2 durch die Koppelkraft beeinflußt. In anderen Worten: Die Koppelkraft richtet alle RE- und TM- Spins (↓ und ↑) der Schichten 1 und 2 aus, mit dem Ergebnis, daß in der Schicht 1 ungeachtet des Vormagnetisierungs­ feldes ↓Hb die Magnetisierung ↓↑, d. h., ⇑, erscheint. Da in diesem Fall die Trägertemperatur höher ist als die Temperatur Tcomp.1, ist der TM-Spin größer als der RE-Spin (Bedingung 3L).
Wenn die Trägertemperatur unter die Temperatur Tcomp.1 ab­ sinkt, wird die Beziehung zwischen den Beträgen der RE- und der TM-Spins in der Schicht 1 umgekehrt, wie es im Hochtemperaturzyklus der Fall ist (↓↑→↓↑). Als Ergebnis erhält man die Magnetisierung in der Schicht 1 (Be­ dingung 4L).
Die Bedingung 4L wird auch dann aufrechterhalten, wenn die Trägertemperatur auf Zimmertemperatur abfällt. Auf diese Weise wird die Biterzeugung in der "nicht-A-Richtung" abgeschlossen.
Im folgenden soll der spezielle Träger Nr. 6 der Klasse 6 in Tabelle 1 beschrieben werden (A-Typ, Quadrant II, Typ 4).
Der Träger Nr. 6 erfüllt die Formel 36:
TR ≦ωτ TC1 ≈ TL ≦ωτ TC2 ≈ TH.
Fig. 24 veranschaulicht diese Beziehung.
Eine Bedingung, welche die Magnetisierungsrichtung der Be­ zugsschicht 2 ohne Umkehrung der Magnetisierung der Auf­ zeichnungsschicht 1 durch das Anfangsfeld Hini. bei Zimmer­ temperatur TR umkehrt, ist durch die Formel 37 angegeben, welche von dem Träger Nr. 6 bei TR erfüllt wird:
HC1 ≦λτ HC2 + |(σw/2MS1t₁) - (σw/2MS2t₂)|
wobei
HC1: Koerzitivkraft der Aufzeichnungsschicht 1
HC2: Koerzitivkraft der Bezugsschicht 2
MS1: Sättigungsmagnetisierung der Schicht 1
MS2: Sättigungsmagnetisierung der Schicht 2
t₁: Schichtdicke der Schicht 1
t₂: Schichtdicke der Schicht 2
σw: Grenzschichtwandenergie.
Die Bedingung für Hini. wird jetzt durch die Formel 40 dar­ gestellt. Wenn das Feld Hini. verschwindet, wird die umge­ kehrte Magnetisierung der Schicht 2 aufgrund der Koppel­ kraft beeinflußt durch die Magnetisierung der Aufzeichnungs­ schicht 1. Die Bedingung, welche die Magnetisierungsrichtung der Schicht 2 hält, ist durch die Formeln 38 und 39 defi­ niert, welche der Träger Nr. 6 erfüllt:
HC1 ≦λτ (σw/2MS1t₁) Formel 38
HC2 ≦λτ (σw/2MS2t₂) Formel 39
HC2 + (σw/2MS2t₂) ≦ωτ |Hini.| ≦ωτ HC1 + (σw/2MS1t₁) Formel 40
Die Magnetisierung der Schicht 2 des Aufzeichnungsträgers, der den Formeln 37 bis 39 bei TR entspricht, wird durch das Feld Hini. entlang der "A-Richtung" ⇑ (↓↑) ausge­ richtet, wobei Hini. der Formel 40 entspricht. Die Auf­ zeichnungsschicht wird jetzt im Aufzeichnungszustand ge­ halten (Bedingung 1 in Fig. 29 und 30).
Die Bedingung 1 wird bis zu einem Punkt unmittelbar vor dem Aufzeichnen gehalten. In diesem Fall wird das Vormagne­ tisierungsfeld (Hb) in Richtung ↓ angelegt.
Anhand der Fig. 29 wird nun der Hochtemperaturzyklus er­ läutert.
Hochtemperaturzyklus
Wenn in der Bedingung 1 die Trägertemperatur durch den Laserstrahl hohen Pegels auf TL erhöht wird, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1, da die Temperatur TL etwa der Curie-Temperatur TC1 der Aufzeichnungsschicht gleicht (Bedingung 2H).
Wenn die Laserbestrahlung anhält und die Trägertemperatur der Temperatur TH gleicht, verschwindet auch die Magneti­ sierung der Schicht 2, weil die Temperatur TH der Schicht 2 etwa der Curie-Temperatur TC2 gleicht. Dieser Zustand ent­ spricht der Bedingung 3H.
Wenn unter der Bedingung 3H der bestrahlte Bereich von dem Laserstrahlfleck getrennt wird, beginnt die Temperatur des Trägers abzufallen, und wenn sie etwas unter der Temperatur TC2 liegt, erscheint die Magnetisierung der Schicht 2. In diesem Fall wird von dem Feld ↓Hb die Magnetisierung (↑↓) erzeugt. Da jedoch die Temperatur noch höher ist als die Temperatur TC1, erscheint in der Schicht 1 keine Magne­ tisierung. Dieser Zustand entspricht der Bedingung 4H.
Wenn die Trägertemperatur weiter absinkt und etwas unter der Temperatur TC1 liegt, erscheint die Magnetisierung der Schicht 1. Jetzt richtet die Koppelkraft aus der Schicht 2 alle RE- und TM-Spins (↑ und ↓) der Schichten 1 und 2 aus. Aus diesem Grund erscheint in der Schicht 1 ungeachtet des Vormagnetisierungsfelds ↓Hb die Magnetisierung ↑↓, d. h. ⇑. Dies entspricht der Bedingung 5H.
Dann sinkt die Temperatur des Trägers von der Temperatur ge­ mäß Bedingung 5H auf Zimmertemperatur ab, und weil dabei die Koerzitivkraft HC1 genügend groß ist, bleibt die Magneti­ sierung der Schicht 1 stabil. Dadurch wird die Biterzeugung in "A-Richtung" ⇑ abgeschlossen.
Fig. 30 zeigt den Niedrigtemperaturzyklus.
Niedrigtemperaturzyklus
Bei der Bedingung 1 unmittelbar vor dem Aufzeichnen wird die Trägertemperatur durch die Bestrahlung mit dem Laser­ strahl niedrigen Pegels auf TL erhöht. Da TL etwa der Curie- Temperatur TC1 der Schicht 1 entspricht, verschwindet dort die Magnetisierung. Da in diesem Zustand jedoch die Koerzi­ tivkraft HC2 der Schicht 2 genügend groß ist, wird durch das Vormagnetisierungsfeld ↓Hb die Magnetisierung ⇑ der Schicht 2 nicht umgekehrt. Diesem Zustand entspricht die Be­ dingung 2L.
Wenn unter der Bedingung 2L der bestrahlte Abschnitt von dem Laserstrahlfleck getrennt wird, beginnt die Trägertemperatur abzufallen. Wenn sie etwas unter der Temperatur TC1 liegt, werden die jeweiligen Spins der Aufzeichnungsschicht 1 durch die RE- und TM-Spins (↓↑) der Bezugsschicht 2 durch die Koppelkraft beeinflußt. Die Koppelkraft richtet die RE- und TM-Spins (↓ und ↑) der Schichten 1 und 2 aus. Als Ergebnis erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung ↓↑, d. h., . Dieser Zustand entspricht der Bedingung 3L.
Die Bedingung 3L wird auch dann aufrechterhalten, wenn die Trägertemperatur auf Zimmertemperatur absinkt. Auf diese Weise wird die Biterzeugung in "nicht-A-Richtung" abge­ schlossen.
Im folgenden soll ein Beispiel für das erfindungsgemäße Ver­ fahren anhand eines speziellen Trägers Nr. 7 der Klasse 7 nach Tabelle 1 beschrieben werden (P-Typ, Quadrant III, Typ 4).
Der Träger Nr. 7 erfüllt die Formel 41:
TR ≦ωτ TC1 ≈ TL ≦ωτ TC2 ≈ TH
Fig. 31 veranschaulicht diese Beziehung.
Eine Bedingung, die die Magnetisierungsrichtung der Bezugs­ schicht 2 ohne Umkehrung der Magnetisierung der Aufzeich­ nungsschicht 1 durch das Anfangsfeld Hini. bei Zimmertempe­ ratur TR umkehrt, ist durch die Formel 42 angegeben, die von dem Träger Nr. 7 bei TR erfüllt wird:
HC1 ≦λτ HC2 + (σw/2MS1t₁) + (σw/2MS2t₂)
wobei
HC1: Koerzitivkraft der Aufzeichnungsschicht 1
HC2: Koerzitivkraft der Bezugsschicht 2
MS1: Sättigungsmagnetisierung der Schicht 1
MS2: Sättigungsmagnetisierung der Schicht 2
t₁: Schichtdicke der Schicht 1
t₂: Schichtdicke der Schicht 2
σw: Grenzschichtwandenergie.
Hierbei wird eine Bedingung für das Feld Hini. durch die Formel 45 angegeben. Wenn das Feld Hini. verschwindet, wird die umgekehrte Magnetisierung der Schicht 2 aufgrund einer Koppelkraft durch die Magnetisierung der Aufzeichnungs­ schicht 1 beeinflußt. Die Bedingung, die die Magnetisierungs­ richtung der Schicht 2 halten kann, ist durch die Formeln 43 und 44 gegeben, welche der Aufzeichnungsträger Nr. 7 erfüllt:
HC1 ≦λτ (σw/2MS1t₁) Formel 43
HC2 ≦λτ (σw/2MS2t₂) Formel 44
HC2 + (σw/2MS2t₂) ≦ωτ |Hini.| ≦ωτ HC1 - (σw/2MS1t₁) Formel 45
Die Magnetisierung der Schicht 2 des Aufzeichnungsträgers, der die Formeln 42 bis 44 bei TR erfüllt, wird durch das Feld Hini., das der Formel 45 genügt, entlang der "A-Rich­ tung" ⇑ (↓↑) ausgerichtet. Jetzt wird die Aufzeichnungs­ schicht 1 im Aufzeichnungszustand gehalten (Bedingung 1 in den Fig. 32 und 33).
Die Bedingung 1 wird bis zu einem Punkt unmittelbar vor der Aufzeichnung gehalten. In diesem Fall wird das Vormagneti­ sierungsfeld Hb in Richtung ↓ angelegt.
Anhand von Fig. 32 soll nun der Hochtemperaturzyklus beschrie­ ben werden.
Hochtemperaturzyklus
Wenn unter der Bedingung 1 die Trägertemperatur durch Bestrah­ lung mit einem Laserstrahl hohen Pegels auf TL erwärmt wird, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1, weil die Temperatur TL im wesentlichen so groß ist wie die Curie- Temperatur TC1 der Aufzeichnungsschicht (Bedingung 2H).
Wird die Bestrahlung mit dem Laserstrahl fortgesetzt, und er­ reicht die Trägertemperatur den Wert TH, verschwindet auch die Magnetisierung der Schicht 2, weil TH der Schicht 2 etwa der Curie-Temperatur TC2 entspricht. Dieser Zustand entspricht der Bedingung 3H.
Wenn unter der Bedingung 3H ein bestrahlter Bereich von dem Laserstrahlfleck getrennt wird, beginnt die Temperatur des Trägers zu sinken. Wenn sie etwas unter TC2 liegt, erscheint die Magnetisierung der Schicht 2. Jetzt wird von ↓Hb die Magnetisierung (↑↓) erzeugt. Da jedoch die Temperatur noch höher ist als die Temperatur TC1, erscheint in der Schicht 1 keine Magnetisierung (Bedingung 4H).
Wenn die Trägertemperatur weiter etwas unter die Temperatur TC1 sinkt, erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung. Jetzt richtet die Koppelkraft aus der Schicht 2 (↑↓) die RE- und die TM-Spins (↑ und ↓) der Schichten 1 und 2 aus. Aus diesem Grund erscheint in der Schicht 1 die Magnetisie­ rung ↑↓, d. h., . Dieser Zustand entspricht der Bedingung 5H.
Dann nimmt die Temperatur des Trägers von derjenigen in Be­ dingung 5H auf Zimmertemperatur ab. Da die Koerzitivkraft HC1 bei Zimmertemperatur genügend groß ist, bleibt die Mag­ netisierung der Schicht 1 stabil. Auf diese Weise wird die Erzeugung eines Bits in "nicht-A-Richtung" abgeschlossen.
Anhand der Fig. 33 soll nun der Niedrigtemperaturzyklus er­ läutert werden.
Niedrigtemperaturzyklus
Unter der Bedingung 1 wird unmittelbar vor dem Aufzeichnen die Trägertemperatur durch Bestrahlung mit dem Laserstrahl niedrigen Pegels auf TL erhöht. Da TL etwa der Curie- Temperatur TC1 des Aufzeichnungsträgers entspricht, ver­ schwindet die Magnetisierung der Schicht 1. Da in diesem Zustand jedoch die Koerzitivkraft HC2 der Schicht 2 genü­ gend groß ist, wird die Magnetisierung ⇑ der Schicht 2 von dem Vormagnetisierungsfeld ↓Hb nicht umgekehrt. Dieser Zu­ stand entspricht der Bedingung 2L.
Wenn unter der Bedingung 2L ein bestrahlter Bereich von dem Laserstrahlfleck getrennt wird, beginnt die Trägertemperatur zu fallen. Wenn sie etwas unterhalb der Temperatur TC1 liegt, werden die jeweiligen Spins in der Aufzeichnungsschicht 1 durch die Koppelkraft von den RE- und TM-Spins (↓↑) der Be­ zugsschicht 2 beeinflußt. In anderen Worten: Die Koppel­ kraft richtet die RE- und die TM-Spins (↓↑) der Schichten 1 und 2 aus. Im Ergebnis erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung ↓↑, d. h., ⇑ , ungeachtet des Vormagnetisie­ rungsfelds ↓Hb. Dieser Zustand entspricht der Bedingung 3L.
Die Bedingung 3L wird selbst dann aufrechterhalten, wenn die Trägertemperatur auf Zimmertemperatur abfällt. Auf diese Weise wird die Erzeugung eines Bits in die "A-Richtung" ⇑ abgeschlossen.
Das Verfahren wird nun anhand des speziellen Trägers Nr. 8 der Klasse 8 in Tabelle 1 beschrieben (A-Typ, Quadrant IV, Typ 2).
Der Träger Nr. 8 erfüllt die Formel 46:
TR ≦ωτ TC1 ≈ TL ≈ Tcomp.2 ≦ωτ TC2 ≦ωτ TH
Fig. 34 veranschaulicht diese Beziehung.
Eine Bedingung, welche die Magnetisierungsrichtung der Be­ zugsschicht 2 ohne Umkehrung der Magnetisierung der Schicht 1 durch das Anfangsfeld Hini. bei Zimmertemperatur TR um­ kehrt, ist durch die Formel 47 gegeben, die von dem Träger Nr. 8 bei TR erfüllt wird:
HC1 ≦λτ HC2 + |(σw/2MS1t₁) - (σw/2MS2t₂)|
wobei
HC1: Koerzitivkraft der Aufzeichnungsschicht 1
HC2: Koerzitivkraft der Bezugsschicht 2
MS1: Sättigungsmagnetisierung der Schicht 1
MS2: Sättigungsmagnetisierung der Schicht 2
t₁: Schichtdicke der Schicht 1
t₂: Schichtdicke der Schicht 2
σw: Grenzschichtwandenergie.
Die Bedingung für Hini. wird durch die Formel 50 angegeben. Wenn Hini. verschwindet, wird die umgekehrte Magnetisie­ rung der Schicht 2 durch die Koppelkraft von der Magneti­ sierung der Schicht 1 beeinflußt. Die Bedingung, die die Magnetisierungsrichtung der Schicht 2 halten kann, ist durch die Formeln 48 und 49 gegeben, die von dem Träger Nr. 8 erfüllt werden.
HC1 ≦λτ (σw/2MS1t₁) Formel 48
HC2 ≦λτ (σw/2MS2t₂) Formel 49
HC2 + (σw/2MS2t₂) ≦ωτ |Hini.| ≦ωτ HC1 + (σw/2MS1t₁) Formel 50
Die Magnetisierung der Schicht 2 des Aufzeichnungsträgers, der die Formeln 47 bis 49 bei TR erfüllt, wird durch das Feld Hini. entlang der "A-Richtung" ⇑ (↑↓) ausgerichtet, wobei Hini. die Formel 50 erfüllt. Die Aufzeichnungs­ schicht 1 wird jetzt im Aufzeichnungszustand gehalten (Be­ dingung 1 in den Fig. 35 und 36).
Die Bedingung 1 wird bis zu einem Punkt unmittelbar vor dem Aufzeichnen gehalten. Das Vormagnetisierungsfeld Hb wird in Richtung ↑ angelegt.
Anhand von Fig. 35 soll nun der Hochtemperaturzyklus be­ schrieben werden.
Hochtemperaturzyklus
Wenn unter der Bedingung 1 die Trägertemperatur durch Be­ strahlung mit einem Laserstrahl hohen Pegels auf TL erhöht wird, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1, weil TL etwa der Curie-Temperatur TC1 der Schicht 1 gleicht (Bedingung 2H).
Wenn die Bestrahlung mit dem Laserstrahl anhält und die Trä­ gertemperatur etwas größer ist als die Temperatur Tcomp.2, wird die Beziehung der Beträge der RE- und der TM-Spins um­ gekehrt (↑↓→↑↓), obschon deren Richtungen (↑ und ↓) die gleichen bleiben. Im Ergebnis wird die Magnetisierungsrich­ tung der Schicht 2 in die "nicht-A-Richtung" umgekehrt. Dieser Zustand entspricht der Bedingung 3H.
Da bei dieser Temperatur jedoch die Koerzitivkraft HC2 noch hoch ist, wird die Magnetisierung der Schicht 2 durch das Vormagnetisierungsfeld ↑Hb nicht umgekehrt. Wenn die Laser­ bestrahlung weiter anhält und die Trägertemperatur auf TH ansteigt, verschwindet auch die Magnetisierung der Schicht 2, weil TH etwa so groß ist wie TC2 (Bedingung 4H).
Wenn unter der Bedingung 4H ein bestrahlter Bereich von dem Laserstrahlfleck getrennt wird, beginnt die Temperatur abzu­ fallen. Wenn sie etwas unter der Temperatur TC2 liegt, er­ scheint die Magnetisierung der Schicht 2. In diesem Fall wird von dem Feld ↑Hb die Magnetisierung ⇑ (↓↑) erzeugt. Da die Temperatur aber noch höher ist als die Temperatur TC1, erscheint in der Schicht 1 keine Magnetisierung. Dieser Zustand entspricht der Bedingung 5H.
Wenn die Temperatur des Trägers weiter absinkt und etwas unter der Temperatur Tcomp.1 liegt, werden die Verhältnisse zwischen den Beträgen der RE- und TM-Spins umgekehrt (↓↑→↓↑), ohne deren Richtungen (↓ und ↑) zu ändern. Im Ergebnis wird die Magnetisierungsrichtung der Schicht 2 in die "nicht-A- Richtung" umgekehrt.
Da in diesem Zustand die Koerzitivkraft HC2 noch ausreichend groß ist, wird von dem Vormagnetisierungsfeld ↑Hb die Magne­ tisierung der Schicht 2 nicht umgekehrt. Da jetzt die Trägertemperatur noch höher ist als die Temperatur TC1, er­ scheint in der Schicht 1 keine Magnetisierung (Bedingung 6H).
Wenn die Trägertemperatur weiter etwas unter die Temperatur TC1 absinkt, erscheint auch in der Schicht 1 Magnetisierung. Jetzt beeinflußt die Magnetisierung (↓↑) der Schicht 1 wegen der Koppelkraft die Schicht 1 und richtet die RE- und die TM-Spins (↓ und ↑) der Schichten 1 und 2 aus. Deshalb er­ scheint in der Schicht 1 die Magnetisierung ↓↑ , d. h., ⇑ (Bedingung 7H).
Dann nimmt die Trägertemperatur von der Temperatur in Be­ dingung 7H auf Zimmertemperatur ab. Weil die Koerzitivkraft HC1 bei Zimmertemperatur genügend groß ist, bleibt die Mag­ netisierung der Schicht 1 stabil. Hierdurch wird die Erzeu­ gung eines Bits in "A-Richtung" ⇑ abgeschlossen.
Anhand von Fig. 34 wird der Niedrigtemperaturzyklus er­ läutert.
Niedrigtemperaturzyklus
Unter der Bedingung 1 wird unmittelbar vor dem Aufzeichnen die Temperatur des Trägers durch Bestrahlen mit dem Laser­ strahl niedrigen Pegels auf TL erhöht. Da TL etwa TC1 der Aufzeichnungsschicht 1 entspricht, verschwindet die Magne­ tisierung der Schicht 1. Da in diesem Zustand jedoch die Koerzitivkraft HC2 der Schicht 2 genügend groß ist, wird von dem Vormagnetisierungsfeld ↑Hb die Magnetisierung der Schicht 2 nicht umgekehrt (Bedingung 2L).
Wenn unter der Bedingung 2L ein bestrahlter Bereich von dem Laserstrahlfleck getrennt wird, beginnt die Trägertemperatur zu fallen. Wenn sie etwas unterhalb der Temperatur TC1 liegt, werden die jeweiligen Spins der Aufzeichnungsschicht 1 durch die RE- und TM-Spins der Bezugsschicht 2 aufgrund der Koppelkraft beeinflußt. Die Koppelkraft richtet die RE- und die TM-Spins (↑↓) der Schichten 1 und 2 aus. Dem­ zufolge erscheint in der Schicht 1 unabhängig vom Feld ⇑Hb die Magnetisierung ↑↓, d. h., . Dies entspricht der Be­ dingung 3L.
Die Bedingung 3L wird beibehalten, auch wenn die Temperatur des Trägers auf Zimmertemperatur abfällt. Auf diese Weise wird die Erzeugung eines Bits in "nicht-A-Richtung" ab­ geschlossen.
Das Verfahren soll nun anhand eines speziellen Trägers Nr. 9 der Klasse 9 in Tabelle 1 beschrieben werden (A-Typ, Quadrant IV, Typ 4).
Der Träger Nr. 9 erfüllt die Formel 51:
TR ≦ωτ TC1 ≈ TL ≦ωτ TC2 ≈ TH
Fig. 37 veranschaulicht diese Beziehung.
Eine Bedingung, die die Magnetisierungsrichtung der Bezugs­ schicht 2 ohne Umkehrung der Magnetisierung der Schicht 1 durch das Anfangsfeld Hini. bei Zimmertemperatur TR um­ kehrt, ist durch die Formel 52 gegeben, die der Träger Nr. 9 bei TR erfüllt:
HC1 ≦λτ HC2 + |(σw/2MS1 t₁) - (σw/2MS2t₂)|
wobei
HC1: Koerzitivkraft der Aufzeichnungsschicht 1
HC2: Koerzitivkraft der Bezugsschicht 2
MS1: Sättigungsmagnetisierung der Schicht 1
MS2: Sättigungsmagnetisierung der Schicht 2
t₁: Schichtdicke der Schicht 1
t₂: Schichtdicke der Schicht 2
σw: Grenzschichtwandenergie.
Jetzt wird eine Bedingung für das Feld Hini. durch die Formel 50 angegeben. Wenn Hini. verschwindet, wird die umgekehrte Magnetisierung der Schicht 2 aufgrund der Koppelkraft durch die Magnetisierung der Schicht 1 beeinflußt. Die Bedingung, die die Magnetisierungsrichtung der Schicht 2 halten kann, ist durch die Formeln 53 und 54 angegeben, die der Träger Nr. 5 erfüllt:
HC1 ≦λτ (σw/2MS1t₁) Formel 53
HC2 ≦λτ (σw/2MS2t₂) Formel 54
HC2 + (σw/2MS2t₂) ≦ωτ |Hini.| ≦ωτ HC1 + (σw/2MS1t₁) Formel 55
Die Magnetisierung der Schicht 2 des Aufzeichnungsträgers, der den Formeln 52 bis 54 bei TR genügt, wird durch das Feld Hini., das der Formel 55 entspricht, entlang der "A-Richtung" ⇑ (↑↓) ausgerichtet. Die Schicht 1 wird jetzt im Aufzeichnungszustand gehalten (Bedingung 1 in den Fig. 38 und 39).
Die Bedingung 1 wird bis zu einem Punkt unmittelbar vor dem Aufzeichnen gehalten. Das Vormagnetisierungsfeld (Hb) wird jetzt in Richtung ↓ angelegt.
Anhand der Fig. 38 wird der Hochtemperaturzyklus erläutert.
Hochtemperaturzyklus
Wenn unter der Bedingung 1 die Trägertemperatur durch Be­ strahlung mit dem Laserstrahl hohen Pegels auf TL erhöht wird, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1, weil TL etwa der Curie-Temperatur TC1 der Schicht 1 entspricht (Bedingung 2H).
Wenn die Laserbestrahlung anhält und die Trägertemperatur etwa der Temperatur TH gleicht, verschwindet auch die Magne­ tisierung der Schicht 2, weil TH etwa der Temperatur TC2 entspricht. Der Zustand entspricht der Bedingung 3H.
Wenn unter der Bedingung 3H der bestrahlte Bereich von dem Laserstrahlfleck getrennt wird, beginnt die Temperatur des Trägers zu fallen. Wenn sie etwas unter der Temperatur TC2 liegt, erscheint die Magnetisierung der Schicht 2. Jetzt wird von dem Feld ↓Hb die Magnetisierung (↓↑) erzeugt. Da jedoch die Temperatur noch höher ist als die Temperatur TC1, erscheint in der Schicht 1 keine Magnetisierung (Be­ dingung 4H).
Wenn die Trägertemperatur weiter fällt und etwas unter der Temperatur TC1 liegt, erscheint die Magnetisierung der Schicht 1. Die Koppelkraft von der Schicht 2 (↓↑) richtet die RE- und die TM-Spins (↓↑ und ↑) der Schichten 1 und 2 aus. Des­ halb erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung ↓↑, d. h., ⇑, ungeachtet des Vormagnetisierungsfelds ↓Hb (Bedingung 5H).
Die Temperatur des Trägers fällt dann von der Temperatur der Bedingung 5H auf Zimmertemperatur ab. Da bei Zimmertemperatur die Koerzitivkraft HC1 genügend groß ist, bleibt die Magne­ tisierung der Schicht 1 stabil. Auf diese Weise wird die Er­ zeugung eines Bits in "A-Richtung" ⇑ abgeschlossen.
Anhand der Fig. 39 soll nun der Niedrigtemperaturzyklus be­ schrieben werden.
Niedrigtemperaturzyklus
Unter der Bedingung 1 unmittelbar vor dem Aufzeichnen wird die Trägertemperatur durch die Bestrahlung mit dem Laser­ strahl niedrigen Pegels auf TL erhöht. Weil TL etwa der Curie-Temperatur TC1 der Schicht 1 entspricht, verschwindet die Magnetisierung der Schicht 1. Da in diesem Zustand die Koerzitivkraft HC2 der Schicht 1 jedoch genügend groß ist, wird die Magnetisierung der Schicht 1 durch das Vormag­ netisierungsfeld ⇑Hb nicht umgekehrt. Dieser Zustand ent­ spricht der Bedingung 2L.
Wenn unter der Bedingung 2L ein bestrahlter Bereich von dem Laserstrahlfleck getrennt wird, beginnt die Trägertemperatur zu fallen. Liegt sie etwas unter der Temperatur TC1, wird die Aufzeichnungsschicht 1 durch die RE- und die TM-Spins (↑↓) der Bezugsschicht 2 aufgrund der Koppelkraft beein­ flußt. Die Koppelkraft richtet die RE- und die TM-Spins (↑ und ↓) der Schichten 1 und 2 aus und als Folge erscheint in der Schicht 1 die Magnetisierung von ↑↓, d. h., . Die­ ser Zustand entspricht der Bedingung 3L.
Die Bedingung 3L bleibt aufrechterhalten, selbst wenn die Trägertemperatur auf Zimmertemperatur sinkt. Auf diese Weise wird die Erzeugung eines Bits in "nicht-A-Richtung" abge­ schlossen.
Durch die vorliegende Erfindung wird gemäß obiger Beschrei­ bung zum ersten mal das Überschreiben ermöglicht, ohne daß das Vormagnetisierungsfeld Hb ein- oder abgeschaltet wird, oder das Vormagnetisierungsfeld Hb die Richtung ändert.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Beispielen näher erläutert. In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1 eine Skizze, die das Prinzip des Aufzeichnens bei einem magnetooptischen Aufzeichnungsverfahren veranschau­ licht,
Fig. 2 eine Skizze, die das Grundprinzip des Lesens beim magnetooptischen Aufzeichnen veranschaulicht,
Fig. 3 ein Diagramm, das prinzipiell den Aufbau eines magne­ tooptischen Aufzeichnungsverfahrens gemäß Beispiel 10 der Erfindung darstellt,
Fig. 4 ein Diagramm, das den Aufbau einer magnetooptischen Aufzeichnungsvorrichtung nach den Beispielen 11 und 12 der Erfindung darstellt,
Fig. 5 ein Impulsdiagramm einer Ausgangs-Wellenform,
Fig. 6 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen Koerzitivkraft und Temperatur,
Fig. 7A ein Diagramm einer Mehrschichtstruktur eines Auf­ zeichnungsträgers gemäß der Erfindung,
Fig. 7B ein Diagramm, das die Magnetisierungsrichtung einer Aufzeichnungsschicht und einer Bezugsschicht veranschaulicht,
Fig. 8 eine Skizze, die die Richtungsänderungen der Magne­ tisierung bei hohem Pegel darstellt,
Fig. 9 eine Skizze, die die Magnetisierungsrichtungs-Ände­ rungen bei niedrigem Pegel veranschaulicht,
Fig. 10 die Änderungen der Magnetisierungsrichtung gemäß Fig. 8 und 9 für Träger vom P- und vom A-Typ,
Fig. 11 ein Koordinatensystem, bei dem die erfindungsgemäßen Aufzeichnungsträger typenweise in vier Quadranten klassi­ fiziert sind,
Fig. 12A bis 12D graphische Darstellungen, welche die Be­ ziehung zwischen Koerzitivkraft und Temperatur der Auf­ zeichnungsträger der Typen I bis IV darstellen,
Fig. 13 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen Koerzitivkraft und Temperatur für einen Träger Nr. 1,
Fig. 14 und 15 Skizzen, die die Magnetisierungsrichtungs- Änderungen bei Hoch- und Niedrigtemperaturzyklen eines Trägers Nr. 1 veranschaulichen,
Fig. 16 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen Koerzitivkraft und Temperatur eines Trägers Nr. 2,
Fig. 17 und 18 Skizzen, die die Änderungen der Magnetisie­ rungsrichtung bei Hoch- und Niedrigtemperaturzyklen eines Trägers Nr. 2 veranschaulichen,
Fig. 19 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen Koerzitivkraft und Temperatur eines Trägers Nr. 3,
Fig. 20 und 21 Skizzen, die die Änderungen der Magnetisie­ rungsrichtung in Hoch- und Niedrigtemperaturzyklen für den Träger Nr. 3 veranschaulichen,
Fig. 22 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen Koerzitivkraft und Temperatur eines Trägers Nr. 4,
Fig. 23 und 24 Skizzen, die die Änderung der Magnetisie­ rungsrichtung in Hoch- und Niedrigtemperaturzyklen für den Träger Nr. 4 zeigen,
Fig. 25 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen Koerzitivkraft und Temperatur für einen Aufzeichnungs­ träger Nr. 5,
Fig. 26 und 27 Diagramme, die die Änderungen der Magnetie­ sierungsrichtung in Hoch- und Niedrigtemperaturzyklen für den Träger Nr. 5 zeigen,
Fig. 28 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen Koerzitivkraft und Temperatur für einen Aufzeichnungsträger Nr. 6,
Fig. 29 und 30 Skizzen, die die Änderungen der Magnetisie­ rungsrichtung in Hoch- und Niedrigtemperaturzyklen des Trägers Nr. 6 zeigen,
Fig. 21 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen Koerzitivkraft und Temperatur für einen Träger Nr. 7,
Fig. 32 und 33 Skizzen, die die Änderungen der Magnetisie­ rungsrichtung in Hoch- und in Niedrigtemperaturzyklen des Trägers Nr. 7 zeigen,
Fig. 34 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen Koerzitivkraft und Temperatur für einen Träger Nr. 8,
Fig. 35 und 36 Skizzen, die die Änderungen der Magnetisie­ rungsrichtung in Hoch- und Niedrigtemperaturzyklen des Trägers Nr. 8 zeigen,
Fig. 37 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen Koerzitivkraft und Temperatur eines Trägers Nr. 9 und
Fig. 38 und 39 Skizzen, die die Änderungen der Magnetisie­ rungsrichtung in Hoch- und in Niedrigtemperaturzyklen des Trägers Nr. 9 veranschaulichen.
Im folgenden werden Beispiele für die Erfindung näher be­ schrieben.
Beispiel 1 Einer der Träger Nr. 1
Bei diesem Beispiel wurde eine Apparatur für die Vakuum- Dampfniederschlagung verwendet. Die Apparatur enthielt als Verdampfungsquellen zwei Tiegel gemäß Tabelle 2 sowie zwei Einheiten zum Aufheizen der Quellen mit einem Elektronen­ strahl.
In der Kammer der Apparatur wurde ein 1,2 mm dickes Glas­ substrat mit 200 mm Durchmesser angeordnet. Die Kammer der Apparatur wurde vorübergehend auf ein Vakuum von 1 × 10-6 Torr oder weniger evakuiert. Dann erfolgte das Nieder­ schlagen mit einer Geschwindigkeit von etwa 0,3 nm/s, wo­ bei die Kammer unter einem Vakuum von 1 bis 2 × 10 Torr gehalten wurde. Dann wurde auf dem Substrat eine 100 nm dicke erste Schicht (Aufzeichnungsschicht) aus Gd₁₄Gy₁₂Fe₇₄ aufgebracht (die Indices bedeuten Atom-%). Anschließend wurden die Verdampfungsquellen ausgetauscht, während der Vakuumzustand aufrechterhalten wurde. Dann wurde wiederum Niedergeschlagen, um eine 200 nm dicke zweite Schicht (Bezugsschicht) aus Gd₂₄Tb₃Fe₇₃ zu bilden.
Bei der ersten und der zweiten Schicht handelt es sich um quermagnetische Schichten.
Auf diese Weise wurde ein doppelschichtiger Aufzeichnungs­ träger Nr. 1 der Klasse 1 erhalten (ein Aufzeichnungsträger vom P-Typ, Quadrant I, Typ 1).
Die nachstehende Tabelle 2 faßt die Herstellungsbedingungen und Kennwerte des Trägers Nr. 1 zusammen.
Tabelle 2
Mit TL = 170°C und TH = 230°C (siehe Beispiel 13) er­ hält man für diesen Träger nach Formel 11:
TR ≦ωτ Tcomp.1 ≦ωτ TC1 ≈ TL ≈ Tcomp.2 ≦ωτ TC2 ≈ TH
und die Formel 12:
HC1 = 5.600 Oe ≦λτ HC2 + (σw/2MS1t₁) + (σw/2MS2t₂) = 868 Oe.
Wegen
HC1 - (σw/2MS1t₁) = 5.100 Oe
HC2 + (σw/2MS2t₂) = 468 Oe
kann der Träger Nr. 1 die Formel 15 erfüllen, wenn das An­ fangsfeld Hini. 600 Oe beträgt. Die Magnetisierungsrichtung der Bezugsschicht 2 wird also bei Zimmertemperatur durch das Anfangsfeld Hini. umgekehrt, ohne daß die Magnetisierungs­ richtung der Aufzeichnungsschicht 1 umgekehrt wird.
Außerdem erfüllt der Träger Nr. 1 die Formel 13:
HC1 = 5.600 Oe ≦λτ (σw/2MS1t₁) = 400 Oe
sowie die Formel 14:
HC2 = 350 Oe ≦λτ (σw/2MS2t₂) = 118 Oe
Wenn das Anfangsfeld Hini. verschwindet, läßt sich die Mag­ netisierung der Schichten 1 und 2 aufrechterhalten.
Wenn also das Anfangsfeld Hini. = 600 Oe in "A-Richtung" (↑) angelegt wird und das Vormagnetisierungsfeld Hb = 600 Oe in "A-Richtung" (↑) angelegt wird, ist ein Überschreiben mög­ lich. Da Beträge und Richtungen der Felder Hb und Hini. gleich sind, verwendet die Aufzeichnungsvorrichtung eine einzelne Einrichtung zum Anlegen der beiden Felder Hb und Hini.
Beispiel 2 Einer der Träger Nr. 2
Wie im Beispiel 1 wurden auf einem Substrat eine 500 Å dicke erste Schicht (Aufzeichnungsschicht) aus Tb₂₇Fe₇₃ und eine 2000 Å dicke zweite Schicht (Bezugsschicht) aus Gd₂₄Tb₃Fe₇₃ gebildet. Dann wurde ein Aufzeichnungsträger Nr. 2 der Klasse 2 (P-Typ, Quadrant I, Typ 2) hergestellt.
Tabelle 3 faßt die Herstellungsbedingungen und Kennwerte des Trägers Nr. 2 zusammen.
Tabelle 3
Mit TL = 170°C und TH = 230°C (siehe Beispiel 14) er­ füllt der Träger Formel 16:
TR ≦ωτ TC1 ≈ TL ≈ Tcomp.2 ≦ωτ TC2 ≈ TH
sowie die Formel 17:
HC1 = 7.000 Oe ≦λτ HCs + (σw/2MS₁t₁) + (σw/2MS₂t₂) = 1.330 Oe.
Wegen
HC1 - (σw/2MS₁t₁) = 6.167 Oe
HC2 + (σw/2MS₂t₂) = 497 Oe
kann der Träger Nr. 2 die Formel 20 erfüllen, wenn das An­ fangsfeld Hini. 600 Oe beträgt. Die Magnetisierungsrichtung der Bezugsschicht 2 läßt sich also wegen des Anfangsfelds Hini. bei Zimmertemperatur umkehren, ohne die Magnetisie­ rungsrichtung der Aufzeichnungsschicht 1 umzukehren.
Außerdem erfüllt der Träger Nr. 2 die Formel 18:
HC1 = 7.000 Oe (σw/2MS₁t₁) = 833 Oe
sowie die Formel 19:
HC2 = 350 Oe ≦λτ (σw/2MS₂t₂) = 147 Oe
Wenn folglich das Anfangsfeld Hini. beseitigt wird, läßt sich die Magnetisierung der Schichten 1 und 2 aufrechterhal­ ten.
Wenn also das Anfangsfeld Hini. = 600 Oe in "A-Richtung" (↑) und das Vormagnetisierungsfeld Hb = 600 Oe in "A-Richtung" (↑) angelegt werden, wird ein Überschreiben möglich. Da Be­ träge und Richtungen der Felder Hb und Hini. gleich sind, benötigt die Aufzeichnungsvorrichtung nur eine einzige Vor­ richtung zum Anlegen der beiden Felder Hb und Hini.
Beispiel 3 Einer der Träger Nr. 3
Wie beim Beispiel 1 wurden auf einem Substrat nacheinander eine 500 Å dicke erste Schicht (Aufzeichnungsschicht) aus Gd₂₃Tb₃Fe₇₄ und eine 1000 Å dicke zweite Schicht (Bezugs­ schicht) gebildet. Dann wurde ein Träger der Nr. 3 der Klasse 3 (P-Typ, Quadrant I, Typ 3) hergestellt.
Tabelle 4 faßt die Herstellungsbedingungen und Kennwerte des Trägers Nr. 3 zusammen.
Tabelle 4
Mit TL = 170°C und TH = 220°C (siehe Beispiel 15) er­ füllt der Träger die Formel 21:
TR ≦ωτ Tcomp.1 ≦ωτ TC1 ≈ TL ≦ωτ TC2 ≈ TH
sowie die Formel 22:
HC1 = 8.000 Oe ≦λτ HC2 + (σw/2MS₁t₁) + (σw/2MS₂t₂) = 4.389 Oe.
Wegen
HC1 - (σw/2MS₁t₁) = 6.889 Oe
HC2 + (σw/2MS₂t₂) = 3.278 Oe
kann der Träger Nr. 3 die Formel 25 erfüllen, wenn das An­ fangsfeld Hini. 4000 Oe beträgt. Die Magnetisierungsrichtung der Bezugsschicht 2 läßt sich also wegen des Anfangsfelds Hini. bei Zimmertemperatur umkehren, ohne die Magnetisierungs­ richtung der Schicht 1 umzukehren.
Da außerdem der Träger Nr. 3 die Formel 23
HC1 = 8.000 Oe ≦λτ (σw/2MS1t₁) = 1.111 Oe
und die Formel 24
HC2 = 3.000 Oe ≦λτ (σw2MS₂t₂) = 278 Oe
erfüllt, läßt sich die Magnetisierung der Schichten 1 und 2 aufrechterhalten, wenn das Anfangsfeld Hini. entfernt wird.
Wenn daher das Anfangsfeld Hini. = 4000 Oe in "A-Richtung" (↑) und das Vormagnetisierungsfeld Hb = 300 Oe in "nicht-A- Richtung" (↓) angelegt wird, ist ein Überschreiben möglich.
Beispiel 4 Einer der Träger Nr. 4
Wie im Beispiel 1 wurden auf einem Substrat nacheinander eine 1000 Å dicke erste Schicht (Aufzeichnungsschicht) aus Tb₁₃Dy₁₃Fe₇₄ und eine 1000 Å dicke zweite Schicht (Bezugs­ schicht) aus Gd₁₄Dy₁₄Fe₇₂ gebildet. Dann wurde ein Aufzeich­ nungsträger Nr. 4 der Klasse 4 (P-Typ, Quadrant I, Typ 4) hergestellt.
Tabelle 5 faßt die Herstellungsbedingungen sowie die Kenn­ werte des Trägers Nr. 4 zusammen.
Tabelle 5
Mit TL = 120°C und TH = 160°C (siehe Beispiel 16) er­ füllt dieser Träger die Formel 26:
TR ≦ωτ TC1 ≈ TL ≦ωτ TC2 ≈ TH
sowie die Formel 27:
HC1 = 8.000 Oe ≦λτ HC2 + (σw/2MS₁t₁) + (σw/2MS2t₂) = 3.750 Oe.
Wegen
HC1 - (σw/2MS₁t₁) = 7.500 Oe
HC2 + (σw/2MS₂t₂) = 3.250 Oe
kann der Träger Nr. 4 die Formel 30 erfüllen, wenn ein An­ fangsfeld Hini. von 4000 Oe angelegt wird. Die Magnetisie­ rungsrichtung der Bezugsschicht 2 wird bei Zimmertemperatur wegen des Anfangsfelds Hini. umgekehrt, ohne daß diejenige der Aufzeichnungsschicht 1 umgekehrt wird.
Da außerdem der Träger Nr. 4 die Formel 28:
HC1 = 8.000 Oe ≦λτ (σwSMS1t₁) = 500 Oe
und die Formel 29:
HC2 = 3.000 Oe ≦λτ (σw/2MS₂t₂) = 250 Oe
erfüllt, läßt sich die Magnetisierung der Schichten 1 und 2 aufrechterhalten, wenn das Anfangsfeld Hini. verschwindet.
Wenn daher das Anfangsfeld Hini. = 4000 Oe in "A-Richtung" (↑) und das Vormagnetisierungsfeld Hb = 300 Oe in "nicht-A- Richtung" (↓) angelegt wird, ist ein Überschreiben möglich.
Beispiel 5 Einer der Träger Nr. 5
Wie im Beispiel 1 wurden auf einem Substrat nacheinander eine 500 Å dicke erste Schicht (Aufzeichnungsschicht) aus Gd₁₃Dy₁₃Fe₇₄ und eine 600 Å dicke zweite Schicht (Bezugs­ schicht) aus Tb₁₈Fe₇₄Co₈ gebildet. Dann wurde ein Träger Nr. 5 der Klasse 5 (A-Typ, Quadrant II, Typ 3) hergestellt.
Tabelle 6 faßt die Herstellungsbedingungen und Kennwerte des Aufzeichnungsträgers Nr. 5 zusammen.
Tabelle 6
Mit TL = 165°C und TH = 210°C (siehe Beispiel 17) er­ füllt dieser Träger die Formel 31:
TR ≦ωτ Tcomp.1 ≦ωτ TC1 ≈ TL ≦ωτ TC2 ≈ TH
sowie die Formel 32:
HC1 = 6.000 Oe ≦λτ HC2 + |(σw/2MS₁t₁) - (σw/2MS₂t₂)| = 3.445 Oe.
Wegen
HC1 + (σw/2MS₁t₁) = 6.889 Oe
HC2 + (σw/2MS₂t₂) = 3.444 Oe
kann der Aufzeichnungsträger Nr. 5 die Formel 35 erfüllen, wenn das Anfangsfeld Hini. 4000 Oe beträgt. Die Magnetisie­ rungsrichtung der Bezugsschicht 2 wird also bei Zimmer­ temperatur wegen des Anfangsfelds Hini. umgekehrt, ohne daß diejenige der Aufzeichnungsschicht 1 umgekehrt wird.
Da außerdem der Träger Nr. 5 die Formel 33:
HC1 = 6.000 Oe ≦λτ (σw/2MS1t₁) = 889 Oe
und die Formel 34:
HC2 = 3.000 Oe ≦λτ (σw/2MS₂t₂) = 444 Oe
erfüllt, wird die Magnetisierung der Schichten 1 und 2 aufrechterhalten, wenn das Anfangsfeld Hini. entfernt wird.
Wenn daher das Anfangsfeld Hini. = 4000 Oe in "A-Richtung" (↑) und das Vormagnetisierungsfeld Hb = 300 Oe in der "nicht- A-Richtung" (↓) angelegt wird, ist ein Überschreiben möglich.
Beispiel 6 Einer der Träger Nr. 6
Es wurde eine 3-Element-HF-Magnetron-Zerstäubungsapparatur verwendet, die drei Targets Tb, Fe und FeCo-Legierung gemäß Tabelle 7 enthielt. Zunächst wurden die Targets Tb und Fe verwendet, und anschließend wurden Tb und die FeCo-Legierung verwendet. In das Innere einer Kammer der Apparatur wurde ein 1,2 mm dickes Glassubstrat mit 200 mm Durchmesser ge­ bracht.
Die Kammer der Apparatur wurde vorübergehend auf ein Vakuum von 7 × 10-7 Torr oder weniger evakuiert, und es wurde Ar- Gas bei einem Druck von 5 × 10-3 Torr eingeleitet. Dann er­ folgte das Zerstäuben mit einer Niederschlagungsgeschwindig­ keit von etwa 2 Å/s. Dadurch wurde auf dem Substrat eine 500 Å dicke erste Schicht (Aufzeichnungsschicht) aus Tb₂₇Fe₇₃ erzeugt. Anschließend wurden die Targets bei Auf­ rechterhaltung des Vakuums ausgetauscht. Danach erfolgte ein erneutes Zerstäuben, um auf der ersten Schicht eine 1000 Å dicke zweite Schicht aus Tb₁₈Fe₇₄Co₈ zu bilden. Die erste und die zweite Schicht waren quermagnetische Schichten.
In der genannten Weise erhielt man einen doppelschichtigen magnetooptischen Aufzeichnungsträger Nr. 6 der Klasse 6 (A-Typ, Quadrant II, Typ 4).
Tabelle 7 faßt die Herstellungsbedingungen und die Kennwerte des Trägers Nr. 6 zusammen.
Tabelle 7
Wenn TL = 155°C und TH = 220°C (siehe Beispiel 18) be­ tragen, gilt für diesen Träger die Formel 36:
TR ≦ωτ TC1 ≈ TL ≦ωτ TC2 ≈ TH
sowie die Formel 37:
HC1 = 7.000 Oe ≦λτ HC2 + |(σw/2MS1t₁) - (σw/2MS₂t₂)| = 3.750 Oe.
Wegen
HC1 + (σw/2MS₁t₁) = 8.250 Oe
HC2 + (σw/2MS₂t₂) = 3.500 Oe
kann der Träger Nr. 6 die Formel 40 erfüllen, wenn ein An­ fangsfeld Hini. von 4000 Oe vorhanden ist. Die Magnetisie­ rungsrichtung der Bezugsschicht 2 wird also bei Zimmertempe­ ratur durch das Anfangsfeld Hini. umgekehrt, ohne daß die­ jenige der Aufzeichnungsschicht 1 umgekehrt wird.
Außerdem erfüllt der Träger Nr. 6 die Formel 38:
HC1 = 7.000 Oe ≦λτ (σw/2MS₁t₁) = 1.250 Oe
sowie die Formel 39:
HC2 = 3.000 Oe ≦λτ (σw/2MS₂t₂) = 500 Oe
Wenn also das Anfangsfeld Hini. entfernt wird, läßt sich die Magnetisierung der Schichten 1 und 2 aufrechterhalten.
Wenn daher das Anfangsfeld Hini. = 4000 Oe in "A-Richtung" (↑) und das Vormagnetisierungsfeld Hb = 300 Oe in der "nicht- A-Richtung" (↓) angelegt wird, ist ein Überschreiben mög­ lich.
Beispiel 7 Einer der Träger Nr. 7
Wie im Beispiel 6 wurden auf einem Substrat nacheinander eine 1000 Å dicke erste Schicht (Aufzeichnungsschicht) aus Tb₂₁Fe₇₉ und eine 1000 Å dicke zweite Schicht (Bezugsschicht) aus Tb₁₈Fe₇₄Co₈ gebildet. Dann wurde ein Träger Nr. 7 der Klasse 7 hergestellt (P-Typ, Quadrant III, Typ 4).
Tabelle 8 faßt die Herstellungsbedingungen und die Kenn­ werte des Trägers Nr. 7 zusammen.
Tabelle 8
Mit TL = 155°C und TH = 220°C (siehe Beispiel 19) erfüllt dieser Träger die Formeln 41 und 42:
TR ≦ωτ TC1 ≈ TL ≦ωτ TC2 ≈ TH
HC1 = 7.000 Oe ≦λτ HC2 + |(σw2MS₁t₁) + (σw2MS₂t₂)| = 4.571 Oe.
Wegen der Formel 45
HC1 - (σw/2MS₁t₁) = 5.929 Oe
HC2 + (σw/2MS₂t₂) = 3.500 Oe
erfüllt der Träger Nr. 7 die Formel 45, wenn ein Anfangsfeld Hini. von 4000 Oe vorhanden ist. Die Magnetisierungsrichtung der Bezugsschicht 2 wird also wegen des Anfangsfeldes Hini. bei Zimmertemperatur umgekehrt, ohne daß diejenige der Auf­ zeichnungsschicht 1 umgekehrt wird.
Da außerdem der Träger Nr. 7 die Formeln 43 und 44
HC1 = 7.000 Oe ≦λτ (σw/2MS₁t₁) = 1.071 Oe
HC2 = 3.000 Oe ≦λτ (σw/2MS₂t₂) = 500 Oe
erfüllt, läßt sich die Magnetisierung der Schichten 1 und 2 aufrechterhalten, wenn das Anfangsfeld Hini. entfernt wird.
Wenn daher das Anfangsfeld Hini. = 4000 Oe in der "A- Richtung" (↑) und das Vormagnetisierungsfeld Hb = 300 Oe in der "nicht-A-Richtung" (↓) angelegt wird, ist ein Über­ schreib-Vorgang möglich.
Beispiel 8 Einer der Träger 8
Wie im Beispiel 6 wurden auf einem Substrat nacheinander eine 500 Å dicke erste Schicht (Aufzeichnungsschicht) aus Tb₂₁Fe₇₉ und eine 2000 Å dicke zweite Schicht (Bezugs­ schicht) aus Gd₂₄Tb₃Fe₇₃ gebildet. Dann wurde ein Träger Nr. 8 der Klasse 8 (A-Typ, Quadrant IV, Typ 2) hergestellt.
Tabelle 9 faßt die Herstellungsbedingungen und die Kenn­ werte des Trägers Nr. 8 zusammen.
Tabelle 9
Mit TL = 155°C und TH = 230°C (siehe Beispiel 20) er­ füllt dieser Träger die Formeln 46 und 47:
TR ≦ωτ TC1 ≈ TL ≈ Tcomp.2 ≦ωτ TC2 ≈ TH
HC1 = 7.000 Oe ≦λτ HC2 + |(σw/2MS₁t₁) - (σw/2MS₂t₂)| = 2.273 Oe.
Wegen der Formel 50
HC1 + (σw/2MS₁t₁) = 9.143 Oe
HC2 + (σw/2MS₂t₂) = 570 Oe
kann der Träger Nr. 8 die Formel 50 erfüllen, wenn das An­ fangsfeld Hini. 800 Oe beträgt. Die Magnetisierungsrichtung der Bezugsschicht 2 wird also bei Zimmertemperatur durch das Anfangsfeld Hini. umgekehrt, ohne daß die Magnetisierungs­ richtung der Schicht 1 umgekehrt wird.
Außerdem erfüllt der Träger Nr. 8 die Formeln 48 und 49:
HC1 = 7.000 Oe ≦λτ (σw/2MS₁t₁) = 2.143 Oe
HC2 = 350 Oe ≦λτ (σw/2MS₂t₂) = 220 Oe.
Wenn daher das Anfangsfeld Hini. entfernt wird, bleibt die Magnetisierung der Schichten 1 und 2 erhalten.
Wenn demnach das Anfangsfeld Hini. = 800 Oe in der "A- Richtung" (↑) und das Vormagnetisierungsfeld Hb = 800 Oe in der "A-Richtung" (↑) angelegt wird, ist ein Überschreiben möglich. Da Betrag und Richtung der Felder Hb und Hini. gleich sind, benötigt die Aufzeichnungsvorrichtung nur eine einzige Vorrichtung zum Anlegen der beiden Felder Hb und Hini.
Beispiel 9 Einer der Träger 9
Wie im Beispiel 1 wurden nacheinander auf einem Substrat eine 1000 Å dicke erste Schicht (Aufzeichnungsschicht) aus Gd₄Tb₁₉Fe₇₇ und eine 500 Å dicke zweite Schicht (Bezugs­ schicht) aus Tb₂₉Fe₆₁Co₁₀ gebildet. Dann wurde ein Auf­ zeichnungsträger Nr. 9 der Klasse 9 (A-Typ, Quadrant IV, Typ 4) hergestellt.
Tabelle 10 faßt Herstellungsbedingungen und Kennwerte des Trägers Nr. 9 zusammen.
Tabelle 10
Mit TL = 170°C und TH = 220°C (siehe Beispiel 21) er­ füllt dieser Träger die Formeln 51 und 52:
TR ≦ωτTC1 ≈ TL ≦ωτ TC2 ≈ TH
HC1 = 7.000 Oe ≦λτ HC2 + |(σw/2MS₁t₁) - (σw/2MS₂t₂)| = 4.167 Oe.
Wegen der Formel 55
HC1 + (σw/2MS₁t₁) = 8.667 Oe
HC2 + (σw/2MS₂t₂) = 3.500 Oe
erfüllt der Träger 9 die Formel 55, wenn ein Anfangsfeld Hini. von 4000 Oe angelegt wird. Die Richtung der Magneti­ sierung der Bezugsschicht 2 läßt sich also bei Zimmertempe­ ratur durch das Anfangsfeld Hini. umkehren, ohne daß dieje­ nige der Aufzeichnungsschicht 1 umgekehrt wird.
Außerdem erfüllt der Träger Nr. 9 die Formeln 53 und 54:
HC1 = 7.000 Oe ≦λτ (σw/2MS₁t₁) = 1.667 Oe
HC2 = 3.000 Oe ≦λτ (σw/2MS₂t₂) = 500 Oe.
Wenn also das Anfangsfeld Hini. beseitigt wird, läßt sich die Magnetisierung der Schichten 1 und 2 aufrechterhalten.
Wenn daher das Anfangsfeld Hini. = 4000 Oe in der "A-Rich­ tung" (↑) und das Vormagnetisierungsfeld Hb = 300 Oe in der "nicht-A-Richtung" (↓) angelegt wird, läßt sich ein Überschreiben erreichen.
Beispiel 10 Magnetooptische Aufzeichnungsvorrichtung
Diese Vorrichtung dient nur zum Aufzeichnen. Fig. 3 zeigt ihren Gesamtaufbau. Die Vorrichtung enthält grundsätzlich folgende Teile:
  • (a) eine Drehvorrichtung 21 als Mittel zum Bewegen eines Aufzeichnungsträgers 20;
  • (b) eine Einrichtung 22 zum Anlegen eines Anfangs- oder Initialisierungsfeldes (Hini.);
  • (c) eine Laserstrahl-Lichtquelle 23;
  • (d) eine Einrichtung 24, mit der nach Maßgabe der aufzu­ zeichnenden Binärdaten eine Strahlintensität pulsmodu­ liert wird, um (1) einen hohen Pegel zu erreichen, der eine Trägertemperatur TH liefert, die sich eignet zur Erzeugung entweder eines Bits mit Aufwärts-Magnetisie­ rung oder eines Bits mit Abwärts-Magnetisierung, und (2) einen niedrigen Pegel zu erreichen, der eine Träger­ temperatur TL schafft, die sich zur Erzeugung des je­ weils anderen Bits eignet; und
  • (e) eine Einrichtung 25 zum Anlegen eines Vormagnetisierungs­ feldes (Hb).
Die Einrichtung 25 für das Vormagnetisierungsfeld Hb ent­ hält normalerweise einen Elektromagneten, vorzugsweise einen Permanentmagneten. Alternativ läßt sich ein Streu­ feld von einem sich von den Aufzeichnungsspuren des Auf­ zeichnungsträgers unterscheidenden Bereich als Vormagneti­ sierungsfeld Hb verwenden. In diesem Fall bedeutet die Ein­ richtung 25 eine Zone von quermagnetischen Schichten (erste oder zweite Schicht) des Aufzeichnungsträgers 20, die das Streufeld erzeugt.
In dem Beispiel wurde ein Permanentmagnet verwendet, der ein Vormagnetisierungsfeld Hb = 300 Oe mit einer Magneti­ sierungsrichtung in "nicht-A-Richtung" (↓) erzeugte. Der Permanentmagnet 25 hatte Stabform, und seine Länge entsprach dem Radius des scheibenförmigen Trägers 20. Der Stab war in der Vorrichtung festgelegt. Der Permanentmagnet 25 wurde nicht zusammen mit einem Aufzeichnungskopf (Aufnehmer), der die Lichtquelle 23 enthielt, bewegt. Die Lichtquelle er­ zeugte das Aufnehmerlicht und gestattete einen Hochge­ schwindigkeits-Zugriff.
Für das Initialisierungsfeld (Hini.) wurde ein Elektromagnet, vorzugsweise ein Permanentmagnet, als Einrichtung 22 ver­ wendet. Bei diesem Beispiel erzeugte ein Permanentmagnet ein Initialisierungsfeld Hini. = 4000 Oe mit einer Magneti­ sierungsrichtung entsprechend der "A-Richtung" (↑). Der Permanentmagnet 22 hatte Stabform mit einer Länge entspre­ chend dem Radius des scheibenförmigen Aufzeichnungsträgers 20. Der Stab war in der Vorrichtung festgelegt.
Der Aufzeichnungsvorrichtung nach dem obigen Beispiel kann eine Wiedergabevorrichtung zugefügt werden, so daß man eine Aufzeichnungs/Wiedergabe-Vorrichtung erhält.
Beispiel 11 Magnetooptische Aufzeichnungsvorrichtung
Diese Vorrichtung dient nur zum Aufzeichnen. Fig. 4 zeigt den Gesamtaufbau.
Die Vorrichtung enthält:
  • (a) eine Drehvorrichtung 21 als Mittel zum Bewegen des Auf­ zeichnungsträgers 20;
  • (c) eine Laserstrahl-Lichtquelle 23;
  • (d) eine Einrichtung 24, mit der nach Maßgabe der aufzu­ zeichnenden Binärdaten eine Strahlintensität pulsmodu­ liert wird, um (1) einen hohen Pegel zu erhalten, der eine Trägertemperatur TH erzeugt, die sich zur Erzeugung eines Bits mit Aufwärts-Magnetisierung oder eines Bits mit Abwärts-Magnetisierung eignet, und (2) einen niedri­ gen Pegel zu erhalten, der eine Trägertemperatur TL liefert, die sich zur Erzeugung des jeweils anderen Bits eignet; und
  • (b, e) eine Einrichtung (25) zum Anlegen eines Vormagneti­ sierungsfelds (Hb), wobei die Einrichtung auch als Ein­ richtung (22) zum Anlegen eines Anfangsfelds (Hini.) dient.
Wenn die Richtungen des Vormagnetisierungsfelds Hb und des Anfangsfelds Hini. übereinstimmen, läßt sich die Einrichtung 25 auch als Einrichtung 22 verwenden. Wenn insbesondere die Einrichtung 25 an einer Aufzeichnungsstelle angeordnet ist (also an einer Stelle, wo sich der bestrahlte Fleck befindet), wo das Magnetfeld konzentriert wird, ist es möglich, das Magnetfeld an einem Punkt zu konzentrieren. In anderen Worten: Um den Aufzeichnungspunkt herum wird unvermeidlich ein Streu-Magnetfeld angelegt. Wenn daher das Streu-Magnet­ feld verwendet wird, läßt sich das Anfangsfeld (Hini.) vor dem Aufzeichnen anlegen. Aus diesem Grund dient bei der Vorrichtung nach diesem Beispiel die Einrichtung 25 auch als Einrichtung 22.
Die Einrichtungen 25 und 22 enthalten normalerweise Elektro­ magneten, vorzugsweise Permanentmagneten. Bei diesem Bei­ spiel wurden Permanentmagneten für ein Vormagnetisierungs­ feld Hb (Hini.) = 600 Oe mit einer Magnetisierungsrichtung "A" (↑) als Einrichtungen 22, 25 verwendet. Die Permanent­ magneten 22 und 25 hatten Stabform. Ihre Länge entsprach dem Radius des scheibenförmigen Aufzeichnungsträgers 20. Die Magneten 22 und 25 waren in der Vorrichtung fixiert und wurden nicht zusammen mit dem die Lichtquelle 23 enthalten­ den Abnehmer bewegt. Das Abnehmer-Licht gestattete somit einen Hochgeschwindigkeits-Zugriff.
Beispiel 12 Magnetooptische Aufzeichnungsvorrichtung
Diese Vorrichtung dient nur zum Aufzeichnen. Fig. 4 zeigt den Gesamtaufbau. Dieser enthält im wesentlichen:
  • (a) eine Drehvorrichtung 21 als Mittel zum Bewegen des Auf­ zeichnungsträgers 20;
  • (c) eine Laserstrahl-Lichtquelle 23;
  • (d) eine Einrichtung 24, mit der nach Maßgabe der aufzu­ zeichnenden Binärdaten eine Strahlintensität (1) puls­ moduliert wurde, um (1) einen hohen Pegel zu erzeugen, der eine Trägertemperatur TH schaffte, um ein Bit mit Aufwärts-Magnetisierung oder ein Bit mit Abwärts-Magne­ tisierung zu erzeugen, und (2) einen niedrigen Pegel zu erhalten, der eine Trägertemperatur TL schafft, die sich zur Erzeugung des jeweils anderen Bits eignet; und
  • (b, e) eine Einrichtung 25 zum Anlegen eines Vormagneti­ sierungsfelds Hb, die auch als Einrichtung 22 zum An­ legen eines Anfangsfelds Hini. diente.
Bei diesem Beispiel wurden als Einrichtungen 22 und 25 Permanentmagneten verwendet, die ein Vormagnetisierungs­ feld Hb (Hini.) = 600 Oe erzeugten, wobei die Magnetisie­ rungsrichtung der "A-Richtung" (↑) entsprach. Die Magneten 22 und 25 hatten Stabform sowie eine Länge, die dem Radius des scheibenförmigen Aufzeichnungsträgers 20 entsprach. Sie waren in der Vorrichtung fixiert und wurden nicht zusammen mit dem die Lichtquelle 23 enthaltenden Aufnehmer bewegt.
Beispiel 13 Magnetooptische Aufzeichnung
Unter Verwendung der Aufzeichnungsvorrichtung nach Beispiel 11 (Fig. 4) wurde eine magnetooptische Aufzeichnung durch­ geführt. Zunächst wurde der Aufzeichnungsträger 20 nach Beispiel 1 mit einer konstanten Geschwindigkeit von 8,5 m/s durch die Drehvorrichtung 21 gedreht. Auf den Träger 20 wurde ein Laserstrahl gerichtet, der durch die Einrichtung 24 so eingestellt wurde, daß (auf der Platte) eine Aus­ gangsleistung von 9,3 mW mit hohem Pegel erhalten wurde, während für den niedrigen Pegel eine Ausgangsleistung von 6,6 mW (auf der Platte) erhalten wurde. Der Laserstrahl wurde mit Hilfe der Einrichtung 24 entsprechend den aufzu­ zeichnenden Daten pulsmoduliert. Bei diesem Beispiel han­ delte es sich bei den Daten um ein Signal der Frequenz 1 MHz. Der Laserstrahl wurde daher auf den Träger 20 ge­ lenkt, während er mit einer Frequenz von 1 MHz moduliert wurde. Dadurch wurde das 1-MHz-Signal aufgezeichnet. Als dieses Signal von einer anderen magnetooptischen Wiedergabe­ einrichtung reproduziert wurde, ergab sich ein Rauschab­ stand oder C/N-Verhältnis von 51 dB, was bestätigte, daß das Signal tatsächlich aufgezeichnet worden war.
Es wurde dann erneut ein Signal mit der Frequenz von 5 MHz auf dem bereits beschriebenen Bereich des Trägers 20 auf­ gezeichnet.
Als das Signal in ähnlicher Weise reproduziert wurde, konnte ein C/N-Verhältnis von 48 dB erzielt werden. In diesem Fall betrug die Bit-Fehlerrate 10-5 bis 10-6. Außerdem wurde das 1-MHz-Signal (d. h., die früheren Daten) überhaupt nicht reproduziert.
Im Ergebnis wurde also festgestellt, daß ein Überschreiben der älteren Daten möglich ist.
Bei den genannten Bedingungen erreichte die Temperatur des Trägers bei hohem Pegel einen Wert TH = 230°C und bei nie­ drigem Pegel einen Wert TL = 170°C.
Beispiel 14 Magnetooptische Aufzeichnung
Es wurde unter Verwendung der Vorrichtung nach Beispiel 11 (Fig. 4) eine magnetooptische Aufzeichnung vorgenommen. Zu­ nächst wurde der Aufzeichnungsträger 20 nach Beispiel 2 mit konstanter Geschwindigkeit von 8,5 m/s durch die Dreh­ vorrichtung 21 gedreht. Dann wurde auf den Träger 20 ein Laserstrahl gerichtet, der von der Einrichtung 24 so einge­ stellt wurde, daß (auf der Scheibe) bei hohem Pegel eine Ausgangsleistung von 9,3 mW erzielt wurde, während bei niedrigem Pegel (auf der Scheibe) eine Ausgangsleistung von 5,7 mW erreicht wurde. Der Laserstrahl wurde entspre­ chend den aufzuzeichnenden Daten durch die Einrichtung 24 pulsmoduliert. Bei diesem Beispiel handelte es sich bei den Daten um ein Signal mit einer Frequenz von 1 MHz. Der Laserstrahl wurde also auf den Träger 20 gerichtet, während er mit einer Frequenz von 1 MHz moduliert wurde. Als Ergeb­ nis erfolgte die Aufzeichnung eines 1-MHz-Signals. Bei der Wiedergabe dieses Signals durch eine andere magnetooptische Wiedergabeeinrichtung erhielt man ein C/N-Verhältnis von 52 dB, was bestätigte, daß das Signal effektiv aufgezeichnet worden war.
Dann wurde über den bereits beschriebenen Bereich des Trä­ gers 20 ein Signal mit der Frequenz 5 MHz neu aufgezeichnet.
Bei der Reproduktion des Signals erhielt man ein C/N-Ver­ hältnis von 49 dB. Die Bit-Fehlerrate betrug 10-5 bis 10-6. Außerdem wurde das 1-MHz-Signal (die früheren Daten) überhaupt nicht wiedergegeben.
Das Überschreiben der älteren Daten war also möglich.
Bei den genannten Bedingungen betrug die Temperatur des Trägers bei hohem Pegel TH = 230°C und bei niedrigem Pegel TL = 150°C.
Beispiel 15 Magnetooptische Aufzeichnung
Unter Verwendung der Aufzeichnungsvorrichtung nach Beispiel 10 (Fig. 3) wurde eine magnetooptische Aufzeichnung durch­ geführt. Zunächst wurde mit Hilfe der Drehvorrichtung 21 der Aufzeichnungsträger 20 nach Beispiel 3 mit konstanter Geschwindigkeit von 8,5 m/s gedreht. Auf den Träger 20 wurde ein Laserstrahl gerichtet, der durch die Einrichtung 24 so eingestellt wurde, daß bei hohem Pegel (auf der Platte) eine Ausgangsleistung von 8,9 mW und bei niedrigem Pegel eine Ausgangsleistung (auf der Platte) von 6,6 mW erreicht wurde. Der Laserstrahl wurde entsprechend den aufzuzeichnen­ den Daten von der Einrichtung 24 pulsmoduliert. Bei diesem Beispiel handelte es sich bei den aufzuzeichnenden Daten um ein Signal der Frequenz 5 MHz. Der Laserstrahl wurde also auf den Träger 20 gelenkt, während er mit der Fre­ quenz 5 MHz moduliert wurde. Dadurch wurde ein 5-MHz- Signal aufgezeichnet. Als dieses Signal durch eine andere magnetooptische Wiedergabeeinrichtung reproduziert wurde, betrug das C/N-Verhältnis 51 dB, was bestätigte, daß das Signal tatsächlich aufgezeichnet worden war.
Dann wurde über den bereits beschriebenen Bereich des Trägers 20 ein Signal mit der Frequenz 2 MHz aufgezeichnet.
Als das Signal in ähnlicher Weise reproduziert wurde, konnte ein C/N-Verhältnis von 54 dB erreicht werden. Die Bit-Fehler­ rate betrug 10-5 bis 10-6. Außerdem wurde das frühere 5-MHz- Signal überhaupt nicht reproduziert.
Als Ergebnis stellte sich also heraus, daß das Überschreiben der älteren Daten möglich ist.
Bei den genannten Bedingungen betrug die Temperatur des Trägers bei hohem Pegel TH = 220°C, bei niedrigem Pegel TL = 170°C.
Beispiel 16 Magnetooptische Aufzeichnung
Es wurde mit der Aufzeichnungsvorrichtung nach Beispiel 10 (Fig. 3) eine magnetooptische Aufzeichnung durchgeführt, wo­ zu zunächst der Aufzeichnungsträger 20 nach Beispiel 4 durch die Drehvorrichtung 21 mit konstanter Geschwindig­ keit von 8,5 m/s gedreht wurde. Der auf den Träger 20 ge­ richtete Laserstrahl wurde von der Einrichtung 24 so einge­ stellt, daß bei hohem Pegel (auf der Platte) eine Ausgangs­ leistung von 6,1 mW und bei niedrigem Pegel (auf der Platte) eine Ausgangsleistung von 4,3 mW erhalten wurde. Der Laser­ strahl wurde von der Einrichtung 24 entsprechend den auf­ zuzeichnenden Daten pulsmoduliert. Bei diesem Beispiel waren die aufzuzeichnenden Daten ein Signal der Frequenz 5 MHz, so daß der Laserstrahl bei einer Modulation der Frequenz 5 MHz auf den Träger 20 gerichtet wurde und dadurch das 5-MHz-Signal aufgezeichnet wurde. Bei der Reproduktion dieses Signals mit Hilfe einer anderen magnetooptischen Wiedergabe­ vorrichtung ergab sich ein C/N-Verhältnis von 47 dB, was bestätigte, daß das Signal effektiv aufgezeichnet worden war.
Der bereits beschriebene Bereich des Trägers 20 wurde mit einem Signal der Frequenz von 2 MHz erneut beschrieben.
Bei der Reproduktion des Signals erhielt man ein C/N-Ver­ hältnis von 50 dB. Die Bit-Fehlerrate betrug 10-5 bis 10-6. Ferner wurde das frühere 5-MHz-Signal überhaupt nicht re­ produziert.
Es ergab sich also, daß ein Überschreiben möglich war.
Bei den genannten Bedingungen betrug die Temperatur des Trägers bei hohem Pegel TH = 160°C und bei niedrigem Pegel TL = 120°C.
Beispiel 17 Magnetooptische Aufzeichnung
Mit Hilfe der Aufzeichnungsvorrichtung nach Beispiel 10 (Fig. 3) wurde eine magnetooptische Aufzeichnung durchge­ führt, wobei zunächst der Aufzeichnungsträger 20 nach Bei­ spiel 5 mit Hilfe der Drehvorrichtung 21 mit konstanter Geschwindigkeit von 8,5 m/s gedreht wurde. Auf den Träger 20 wurde ein Laserstrahl gerichtet, welcher von der Einrich­ tung 24 so eingestellt war, daß eine Ausgangsleistung von 8,4 mW (auf der Scheibe) bei hohem Pegel und eine Ausgangs­ leistung von 6,4 mW (auf der Scheibe) bei niedrigem Pegel erhalten wurde. Der Laserstrahl war von der Einrichtung 24 entsprechend den aufzuzeichnenden Daten pulsmoduliert. Bei den Daten handelte es sich um ein Signal der Frequenz 5 MHz. Der auf den Träger 20 gerichtete Laserstrahl zeichnete also bei Modulation mit der Frequenz 5 MHz ein 5-MHz-Signal auf. Bei der Wiedergabe dieses Signals mit Hilfe einer anderen magnetooptischen Wiedergabeeinrichtung ergab sich ein C/N- Verhältnis von 48 dB, was bestätigte, daß das Signal tat­ sächlich aufgezeichnet worden war.
Der bereits beschriebene Bereich des Trägers 20 wurde dann mit einem Signal der Frequenz 4 MHz überschrieben.
Bei der Reproduktion des Signals erhielt man ein C/N-Ver­ hältnis von 49 dB. Die Bit-Fehlerrate betrug 10-5 bis 10-6 Die vorausgehenden Daten, d. h., das 5-MHz-Signal wurde überhaupt nicht reproduziert.
Im Ergebnis zeigte sich also, daß ein Überschreiben möglich war.
Bei den genannten Bedingungen betrug die Temperatur des Trägers bei hohem Pegel TH = 210°C, bei niedrigem Pegel TL = 165°C.
Beispiel 18 Magnetooptische Aufzeichnung
Es wurde eine magnetooptische Aufzeichnung unter Verwendung der Aufzeichnungsvorrichtung nach Beispiel 10 (siehe Fig. 3) durchgeführt. Zunächst wurde der Aufzeichnungsträger 20 nach Beispiel 6 durch die Drehvorrichtung 21 mit einer kon­ stanten Geschwindigkeit von 8,5 m/s gedreht. Auf den Träger 20 wurde ein Laserstrahl gerichtet, der von der Einrichtung 24 so eingestellt wurde, daß eine Ausgangsleistung von 8,1 mW (auf der Platte) bei hohem Pegel und eine Ausgangs­ leistung von 5,9 mW (auf der Platte) bei niedrigem Pegel erhalten wurde. Der Laserstrahl wurde von der Einrichtung 24 mit den aufzuzeichnenden Daten pulsmoduliert. Die Daten waren ein Signal von 5 MHz, so daß der modulierte Laser­ strahl auf dem Träger 20 ein 5-MHz-Signal aufzeichnete. Bei der Wiedergabe dieses Signals mit Hilfe einer anderen magnetooptischen Aufzeichnungsvorrichtung erhielt man ein C/N-Verhältnis von 49 dB, was die tatsächliche Aufzeichnung des Signals bestätigte.
Über den bereits beschriebenen Bereich des Trägers 20 wurde ein Signal mit der Frequenz 3 MHz geschrieben.
Bei der Wiedergabe des Signals ergab sich ein C/N-Verhältnis von 51 dB und eine Bit-Fehlerrate von 10-5 bis 10-6. Das 5-MHz-Signal (die früheren Daten) wurden überhaupt nicht reproduziert.
Es zeigte sich also die Möglichkeit des Überschreibens der alten Daten.
Bei den genannten Bedingungen betrug die Temperatur des Trägers bei hohem Pegel TH = 220°C und bei niedrigem Pegel TL = 155°C.
Beispiel 19 Magnetooptische Aufzeichnung
Mit Hilfe der Aufzeichnungsvorrichtung nach Beispiel 10 (Fig. 3) wurde eine magnetooptische Aufzeichnung vorge­ nommen. Zunächst wurde mit Hilfe der Drehvorrichtung 21 der Aufzeichnungsträger 20 nach Beispiel 7 mit konstanter Geschwindigkeit von 8,5 m/s gedreht. Auf den Träger 20 wurde ein Laserstrahl gerichtet, der durch die Einrichtung 24 so eingestellt wurde, daß eine Ausgangsleistung von 8,9 mW (auf der Platte) bei hohem Pegel und von 5,9 mW (auf der Platte) bei niedrigem Pegel erhalten wurde. Der von der Einrichtung 24 entsprechend den aufzuzeichnenden Daten pulsmodulierte Laserstrahl zeichnete auf dem Träger 20 also ein Signal mit der Frequenz 5 MHz auf. Bei der Wiedergabe dieses Signals mit Hilfe einer anderen magnetooptischen Wiedergabeeinrichtung erhielt man ein C/N-Verhältnis von 49 dB, was die effektive Aufzeichnung des Signals bestätigte.
Dann wurde auf den bereits beschriebenen Bereich des Trägers 20 ein Signal mit der Frequenz 2 MHz aufgezeichnet.
Als das Signal in ähnlicher Weise dann reproduziert wurde, erhielt man ein C/N-Verhältnis von 52 dB und eine Bit- Fehlerrate von 10-5 bis 10-6. Das alte 5-MHz-Signal wurde überhaupt nicht reproduziert.
Es zeigte sich also, daß ein Überschreiben der alten Daten möglich war.
Bei den genannten Bedingungen betrug die Temperatur des Trä­ gers bei hohem Pegel TH = 220°C, bei niedrigem Pegel TL = 155°C.
Beispiel 20 Magnetooptische Aufzeichnung
Es wurde mit der Aufzeichnungsvorrichtung nach Beispiel 12 (Fig. 4) eine magnetooptische Aufzeichnung vorgenommen, wo­ zu zunächst der Aufzeichnungsträger 20 nach Beispiel 8 mit Hilfe der Drehvorrichtung 21 mit konstanter Geschwindigkeit von 8,5 m/s gedreht wurde. Auf den Träger 20 wurde ein von der Einrichtung 24 pulsmodulierter Laserstrahl gerichtet, wobei der Strahl nach Maßgabe der aufzuzeichnenden Daten von der Einrichtung 24 moduliert war und so eingestellt war, daß sich eine Ausgangsleistung von 9,3 mW (auf der Platte) bei hohem Pegel und eine Ausgangsleistung von 5,9 mW (auf der Platte) bei niedrigem Pegel ergab. Die aufzuzeichnenden Daten waren ein Signal der Frequenz 1 MHz. Das aufgezeichnete 1-MHz-Signal ergab bei der Reproduktion mit Hilfe einer anderen magnetooptischen Wiedergabeeinrichtung ein C/N-Ver­ hältnis von 52 dB, was die effektive Aufzeichnung des Signals bestätigte.
Dann wurde der bereits beschriebene Bereich des Trägers 20 mit einem Signal der Frequenz 2 MHz überschrieben.
Als dieses Signal in ähnlicher Weise reproduziert wurde, ergab sich ein C/N-Verhältnis von 51 dB und eine Bit-Fehler­ rate von 10-5 bis 10-6. Das 1-MHz-Signal (alte Daten) wurde überhaupt nicht reproduziert, was zeigte, daß ein Über­ schreiben möglich war.
Bei den genannten Bedingungen betrug die Temperatur des Trägers bei hohem Pegel TH = 230°C, bei niedrigem Pegel TL = 155°C.
Beispiel 21 Magnetooptische Aufzeichnung
Unter Verwendung der Aufzeichnungsvorrichtung nach Beispiel 10 (Fig. 3) wurde eine magnetooptische Aufzeichnung durch­ geführt, wozu zunächst der Aufzeichnungsträger 20 nach Bei­ spiel 9 von der Drehvorrichtung 21 mit konstanter Geschwin­ digkeit von 8,5 m/s gedreht wurde. Auf den Träger 20 wurde ein Laserstrahl gerichtet, der von der Einrichtung 24 so eingestellt war, daß auf der Scheibe bei hohem Pegel eine Ausgangsleistung von 8,9 mW und bei niedrigem Pegel eine Ausgangsleistung von 6,6 mW erhalten wurde. Der Laserstrahl wurde von der Einrichtung 24 entsprechend den aufzuzeichnen­ den Daten pulsmoduliert. Die Daten waren ein Signal von 5 MHz, so daß auf dem Träger ein 5-MHz-Signal aufgezeichnet wurde. Bei der Reproduktion dieses Signals durch eine andere magnetooptische Wiedergabeeinrichtung ergab sich ein C/N-Verhältnis von 51 dB, was die effektive Aufzeich­ nung des Signals bestätigte.
Der beschriebene Bereich des Trägers 20 wurde mit einem Signal der Frequenz 6 MHz erneut beschrieben.
Als dieses Signal in ähnlicher Weise reproduziert wurde, erhielt man ein C/N-Verhältnis von 49 dB und eine Bit-Fehler­ rat von 10-5 bis 10-6. Das alte 5-MHz-Signal (frühere Daten) wurde überhaupt nicht reproduziert.
Als Ergebnis wurde also herausgefunden, daß ein Überschreiben möglich war.
Unter den genannten Bedingungen betrug die Temperatur des Trägers bei hohem Pegel TH = 220°C, bei niedrigem Pegel TL = 170°C.

Claims (37)

1. Verfahren zur magnetooptischen Aufzeichnung von Daten auf einer Aufzeichnungs-/Wiedergabeschicht eines magnetooptischen Aufzeichnungsträgers (20) unter Verwendung eines Bits mit Aufwärts­ magnetisierung und eines Bits mit Abwärtsmagnetisierung, wobei das Verfahren die Möglichkeit des Überschreibens von Daten aufweist und folgende Schritte umfaßt:
  • (a) Als Aufzeichnungsträger (20) wird ein mehrschichtiger magneto­ optischer Träger verwendet, der als Aufzeichnungsschicht eine erste Schicht (1) mit senkrechter magnetischer Anisotropie und als Hilfsaufzeichnungsschicht eine zweite Schicht (2) mit senkrechter magnetischer Anisotropie besitzt;
  • (b) der Aufzeichnungsträger (20) wird bewegt;
  • (c) lediglich die Magnetisierung der Hilfsaufzeichnungsschicht (2) wird so angeordnet, daß die Schicht vor der Aufzeichnung entweder eine Aufwärts- oder eine Abwärtsmagnetisierung aufweist;
  • (d) der Aufzeichnungsträger (20) wird mit einem Laserstrahl bestrahlt;
  • (e) die Intensität des Laserstrahls wird nach Maßgabe der aufzuzeichnenden binären Daten impulsmoduliert;
  • (f) an den bestrahlten Abschnitt wird ein Aufzeichnungs­ magnetfeld (Hb) gelegt; und
  • (g) wenn die Intensität des Strahls einen hohen Pegel hat, wird entweder das Bit mit der Aufwärtsmagneti­ sierung oder das Bit mit der Abwärtsmagnetisierung gebildet, und das jeweils andere Bit wird erzeugt, wenn die Intensität des Strahls einen niedrigen Pegel hat.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem lediglich die Magnetisierung der Hilfsaufzeichnungs­ schicht (2) entweder in Aufwärts- oder in Abwärtsrichtung vor der Aufzeichnung angeordnet wird, indem im Schritt (c) ein Anfangs-Hilfsmagnetfeld (Hini) angelegt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß, wenn die Magnetisierung lediglich der Hilfsaufzeichnungs­ schicht (2) in "A-Richtung" angeordnet wird, bei der es sich entweder um die Aufwärts- oder die Abwärtsrichtung durch Anlegen des Anfangs-Hilfsmagnetfeldes (Hini) handelt, die "A- gerichtete" Magnetisierung der Hilfsaufzeichnungsschicht (2) umgekehrt wird in eine "nicht-A-gerichtete" Magnetisierung, in dem das Aufzeichnungsmagnetfeld (Hb) zu einem Zeitpunkt ange­ legt wird, zu dem die Intensität des Strahls einen hohen Pegel hat, um ein Bit mit der "nicht-A-Richtung" oder "A-Richtung" in der Aufzeichnungs-/Wiedergabe-Schicht (1) durch die "nicht-A-gerichtete" Magnetisierung der Hilfsaufzeich­ nungsschicht (2) zu erzeugen, wobei ein Bit mit der "A-gerichteten" Magnetisierung (bzw. der "nicht-A-gerichteten" Magnetisierung) in der Aufzeichnungs-/Wiedergabe-Schicht (1) gebildet wird durch die "A-gerichtete" Magnetisierung der Hilfsaufzeich­ nungsschicht (2) zu einer Zeit, zu der die Intensität des Strahls niedrigen Pegel hat.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3 unter Verwendung eines mehrschichtigen magnetooptischen Aufzeichnungsträgers (20), bei dem der Curie-Punkt der zweiten Schicht (2) höher liegt als derjenige der ersten Schicht (1), gekennzeichnet durch das Impulsmodulieren einer Laserstrahlintensität zwischen (1) einem hohen Pegel zum Anheben der Temperatur des Aufzeich­ nungsträgers (20) auf angenähert den Curie-Punkt der zwei­ ten Schicht (2) und (2) einem niedrigen Pegel zum Anheben der Temperatur des Aufzeichnungsträgers auf angenähert den Curie-Punkt der ersten Schicht (1).
5. Verfahren zur magnetooptischen Aufzeichnung von Daten auf einer Aufzeichungs-/Wiedergabeschicht eines magneto­ optischen Aufzeichnungsträgers (20) unter Verwendung eines Bits mit Aufwärtsmagnetisierung und eines Bits mit Abwärts­ magnetisierung, wobei das Verfahren die Möglichkeit des Überschreibens von Daten aufweist und folgende Schritte umfaßt:
  • a) Als Aufzeichnungsträger (20) wird ein mehrschichtiger magnetooptischer Träger verwendet, der als Aufzeich­ nungsschicht eine erste Schicht (1) mit senkrechter magnetischer Anisotropie und als Hilfsaufzeichnungs­ schicht eine zweite Schicht (2) mit senkrechter magne­ tischer Anisotropie besitzt, wobei die Schichten magnetisch gekoppelt sind, die Magnetisierungsrichtung der zweiten Schicht in eine vorbestimmte Richtung ohne Umkehr der Magnetisierungsrichtung der ersten Schicht orientiert werden kann und die Magnetisierung der zweiten Schicht an wenigstens einem Teil des Aufzeich­ nungsträgers (20) in die vorbestimmte Richtung orien­ tiert worden ist;
  • b) der Aufzeichnungsträger (20) wird bewegt
  • c) der Aufzeichnungsträger (20) wird mit einem Laserstrahl bestrahlt;
  • d) die Intensität des Laserstrahls wird nach Maßgabe der aufzuzeichnenden binären Daten impulsmoduliert;
  • e) an den bestrahlten Abschnitt wird ein Aufzeichnungs­ magnetfeld (Ab) gelegt; und
  • f) wenn die Intensität des Strahls einen hohen Pegel hat, wird entweder das Bit mit der Aufwärtsmagnetisierung oder das Bit mit der Abwärtsmagnetisierung gebildet, und das jeweils andere Bit wird erzeugt, wenn die Intensität des Strahls einen niedrigen Pegel hat.
6. Magnetooptische Aufzeichnungsvorrichtung mit der Möglich­ keit des Überschreibens, gekennzeichnet durch
  • (a) eine Einrichtung (21) zum Bewegen eines magnetooptischen Aufzeichnungsträgers (20),
  • (b) eine Laserstrahlquelle (23),
  • (c) eine Einrichtung (24) zum Impulsmodulieren der Strahl­ intensität entsprechend der aufzuzeichnenden binären Daten, um (1) einen hohen Pegel zu erreichen, der dem Träger eine Temperatur verleiht, die zur Bildung eines Bits mit Aufwärtsmagnetisierung oder eines Bits mit Ab­ wärtsmagnetisierung geeignet ist, und um (2) einen niedrigen Pegel zu erhalten, der dem Träger eine Tem­ peratur verleiht, die sich zur Bildung des anderen Bits eignet, und
  • (d) eine Einrichtung (22, 25) zum Anlegen eines Magnetfel­ des (Hb).
7. Magnetooptische Aufzeichnungsvorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß weiter
  • (e) eine Einrichtung (22) zum Anlegen eines Initialisie­ rungsfeldes (Hini) vorgesehen ist, und
  • (d1) die Einrichtung (22, 25) zum Anlegen eines Magnetfel­ des als eine Einrichtung zum Anlegen eines magneti­ schen Aufzeichnungsfeldes (Hb), welches auch als die Einrichtung zum Anlegen eines Initialisierungsfeldes (Hini) dienen kann, ausgebildet ist.
8. Magnetooptische Aufzeichnungsvorrichtung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß
  • (a1) die Einrichtung (21) zum Bewegen eines magnetoopti­ schen Aufzeichnungsträgers (20) ausgebildet ist als Einrichtung zum Bewegen des mehrschichtigen magneto­ optischen Aufzeichnungsträgers (20), welcher eine er­ ste Schicht (1) mit einer senkrechten magnetischen Anisotropie als Aufzeichnungs-Wiedergabe-Schicht und eine zweite Schicht (2) mit einer senkrechten magneti­ schen Anisotropie als Hilfsaufzeichnungsschicht ent­ hält, wobei der Curie-Punkt der zweiten Schicht höher liegt als derjenige der ersten Schicht.
9. Vorrichtung nach Anspruch 6, bei der die Einrichtung (22, 25) zum Anlegen des magneti­ schen Aufzeichnungsfeldes (Hb) benutzt wird als die Ein­ richtung zum Anlegen des anfänglichen Hilfsmagnetfeldes (Hini).
10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 8 für die magne­ tooptische Aufzeichnung auf einen mehrschichtigen magneto­ optischen Aufzeichnungsträger (20), welcher eine erste Schicht (1) mit einer senkrechten magnetischen Anisotropie als Aufzeichnungs-Wiedergabe-Schicht und eine zweite Schicht (2) mit einer senkrechten magnetischen Anisotropie als Hilfsaufzeichnungsschicht aufweist, wobei der Curie- Punkt der zweiten Schicht (2) höher liegt als derjenige der ersten Schicht (1), dadurch gekennzeichnet, daß
  • (c1) die Einrichtung (24) zum Impulsmodulieren so ausgebil­ det ist, daß eine Impulsmodulation der Intensität ei­ nes Laserstrahls zwischen (1) einem hohen Pegel zum Anheben der Temperatur eines Trägers auf etwa den Curie-Punkt der zweiten Schicht und (2) einem niedri­ gen Pegel zum Anheben des Trägers auf angenähert den Curie-Punkt der ersten Schicht erfolgt.
11. Mehrschichtiger überschreibbarer magnetooptischer Aufzeich­ nungsträger, bei dem eine erste Schicht (1) mit einer senkrechten magnetischen Anisotropie als Aufzeichnungs-/Wiedergabe­ schicht und eine zweite Schicht (2) mit einer senkrechten magnetischen Anisotropie als eine Hilfsaufzeichnungsschicht vorgesehen sind.
12. Mehrschichtiger überschreibbarer magnetooptischer Aufzeich­ nungsträger, umfassend:
  • - mindestens zwei Schichten mit einer ersten Schicht (1), die eine senkrechte magnetische Anisotropie aufweist und als Aufzeichnungs-/Wiedergabeschicht dient, und einer zweiten Schicht (2) mit einer senkrechten magnetischen Anisotropie, die als Hilfsaufzeichnungsschicht dient, wo­ bei beide Schichten magnetisch gekoppelt sind und, wäh­ rend die Richtung der Magnetisierung der ersten Schicht (1) unverändert bleibt, lediglich die Magnetisierung der zweiten Schicht (2) imstande ist, entweder nach oben oder nach unten orientiert zu werden.
13. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der arrangierte Magnetisierungszustand bei Raumtemperatur aufrechterhaltbar ist.
14. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Magnetisierung der zweiten Schicht (2) imstande ist, entweder nach oben oder nach unten orientiert zu werden, und der arrangierte Magnetisierungszustand bei Raum­ temperatur aufrechterhaltbar ist.
15. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, daß ein Bit mit einer "A-gerichteten" Magnetisierung oder einer "invertierten A-gerichteten" Magnetisierung in der Auf­ zeichnungs-Wiedergabe-Schicht (1) durch die "A-gerichtete" Magnetisierung der Hilfsaufzeichnungsschicht (2) gebildet wird, wenn eine Bestrahlung mit einem Laserstrahl erfolgt.
16. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die "A-gerichtete" Magnetisierung der Hilfsaufzeichnungs­ schicht (2) zu einer "invertierten A-Richtung" umgekehrt wird durch ein magnetisches Aufzeichnungsfeld (Hb), wenn mit einer Laserstrahl hohen Pegels bestrahlt wird, und ein Bit mit der "invertierten A-gerichteten" Magnetisierung (oder "A-gerichteten" Magnetisierung) auf der Aufzeich­ nungs-Wiedergabeschicht (1) gebildet wird durch die "inver­ tierte A-gerichtete" Magnetisierung der Hilfsaufzeichnungs­ schicht (2), und ein Bit mit der "A-gerichteten" Magneti­ sierung (oder der "invertierten A-gerichteten" Magnetisie­ rung) auf der Aufzeichnungs-Wiedergabeschicht (1) gebildet wird durch "A-gerichtete" Magnetisierung der Hilfsaufzeichnungsschicht (2), wenn mit einem Laserstrahl niedrigen Pe­ gels bestrahlt wird.
17. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 12, bei dem die erste Schicht (1) eine magnetische Dünnschicht mit einer relativ hohen Koerzitivkraft und einem relativ niedrigen Curie-Punkt bei Zimmertemperatur ist, während die zweite Schicht (2) eine magnetische Dünnschicht mit einer relativ geringen Koerzitivkraft und einem relativ hohen Curie-Punkt bei Zimmertemperatur ist.
18. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 17, welcher folgenden Formeln genügt: wobei
HC1 Koerzitivkraft der ersten Schicht
HC2 Koerzitivkraft der zweiten Schicht
MS1 Sättigungsmagnetisierung der ersten Schicht
MS2 Sättigungsmagnetisierung der zweiten Schicht
t₁ Schichtdicke der ersten Schicht
t₂ Schichtdicke der zweiten Schicht
Tr Zimmertemperatur
TC1 Curie-Punkt der ersten Schicht
TC2 Curie-Punkt der zweiten Schicht
σw Grenzschichtwandenergie.
19. Mehrschichtiger magnetooptischer Aufzeichnungsträger nach Anspruch 12, bei dem die magnetische Kopplung eine austauschbare Kopp­ lung ist.
20. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 11, der folgende Bedingung erfüllt: TR ≦ωτ TC1 ≈ TL ≦ωτ TC2 ≈ THund der bei Zimmertemperatur folgende vier Bedingungen erfüllt:HC1 ≦λτ HC2 + |HD1 ∓ HD2|HC1 ≦λτ HD1HC2 ≦λτ HD2HC2 + HD2 ≦ωτ |Hini.| ≦ωτ HC1 ± HD1wobei
≈ etwa gleich
TR: Zimmertemperatur
TC1: Curie-Punkt der ersten Schicht
TC2: Curie-Punkt der zweiten Schicht
TL: Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl niedrigen Pegels
TH: Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl hohen Pegels
HC1: Koerzitivkraft der ersten Schicht
HC2: Koerzitivkraft der zweiten Schicht
HD1: an die erste Schicht angelegtes Koppel­ feld
HD2: an die zweite Schicht angelegtes Koppel­ feld
Hini.: Initialisierungs-Hilfsmagnetfeld.
21. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 11, bei dem eine erste Schicht mit einer relativ hohen Koerzitivkraft bei Zimmertemperatur, eine zweite Schicht mit einer relativ niedrigen Koerzitivkraft bei Zimmer­ temperatur aufweist und TS1 ≦ωτ TS2 gilt, vorausgesetzt, die Temperatur, bei der die erste Schicht magnetisch mit der zweiten Schicht gekoppelt ist, beträgt T₁, während die Temperatur, bei der die zweite Schicht in einem magnetischen Aufzeichnungsfeld invertiert wird, den Wert TS2 hat.
22. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 17, bei dem folgende Bedingung erfüllt ist: TR ≦ωτ TS1 ≈ TL ≦ωτ TS2 ≈ THund bei Zimmertemperatur die folgenden Bedingungen erfüllt sind:HC1 ≦λτ HC2 + |HD1 ∓ HD2|HC1 ≦λτ HD1HC2 ≦λτ HD2HC2 + HD2 ≦ωτ |Hini.| ≦ωτ HC1 ± HD1wobei
≈ etwa gleich
TR Zimmertemperatur
TS1 die Temperatur, bei der die erste Schicht magnetisch mit der zweiten Schicht gekoppelt wird,
TS2 die Temperatur, bei der die zweite Schicht in einem magnetischen Aufzeichnungsfeld inver­ tiert wird,
TL Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl niedrigen Pegels,
TH Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl hohen Pegels,
HC1 Koerzitivkraft der ersten Schicht,
HC2 Koerzitivkraft der zweiten Schicht,
HD1 von der ersten Schicht empfangenes Koppel­ feld,
HD2 von der zweiten Schicht empfangenes Koppel­ feld,
Hini: Initialisierungs-Hilfsmagnetfeld.
23. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß sowohl die erste als auch die zweite Schicht aus einem Material besteht, welches ausgewählt ist aus Legierungen aus Übergangs- und schweren Seltenen-Erden-Metallen.
24. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht aus einer Übergangsmetall-schwere-Seltene- Erden-Metall-Legierung besteht, die Seltene-Erden-Metall­ reich ist und eine Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und dem Curie-Punkt besitzt, und daß die zweite Schicht aus einer Übergangsmetall-schwere- Seltene-Erden-Metall-Legierung besteht, die Seltene-Erden­ reich ist und eine Kompensationstemperatur zwischen Zimmer­ temperatur und dem Curie-Punkt besitzt, wobei folgende Formel erfüllt ist: TR ≦ωτ Tcomp.1 ≦ωτ TC1 ≈ TL ≦ωτ TC2 ≈ TH (1)und bei Zimmertemperatur jede folgender Bedingungen erfüllt ist:HC1 ≦λτ HC2 + (σw/2MS1t₁) + (σw/2MS2t₂) (2)HC1 ≦λτ (σw/2MS1t₁) (3)HC2 ≦λτ (σw/2MS₂t₂) (4)HC2 + (σw/2MS2t₂) ≦ωτ Hini. ≦ωτ HC1 - (σw/2MS1t₁) (5)wobei
≈ etwa gleich
TR Zimmertemperatur
Tcomp.1 Kompensationstemperatur der ersten Schicht
TC1 Curie-Punkt der ersten Schicht
TC2 Curie-Punkt der zweiten Schicht
TL Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl niedrigen Pegels
TH Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl hohen Pegels
HC1 Koerzitivkraft der ersten Schicht
HC2 Koerzitivkraft der zweiten Schicht
MS1 Sättigungsmagnetisierung der ersten Schicht
MS2 Sättigungsmagnetisierung der zweiten Schicht
t₁ Schichtdicke der ersten Schicht
t₂ Schichtdicke der zweiten Schicht
σw Grenzschichtwandenergie
Hini. Initialisierungs-Hilfsmagnetfeld.
25. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht aus einer Übergangsmetall-schwere- Seltene-Erden-Metall-Legierung besteht, die Seltene-Erden- Metall-reich ist und keine Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und dem Curie-Punkt aufweist, und daß die zweite Schicht aus einer Übergangsmetall-schwere- Seltene-Erden-Metall-Legierung besteht, die Seltene-Erden- Metall-reich ist und eine Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und dem Curie-Punkt aufweist, wobei folgende Beziehung erfüllt ist: TR ≦ωτ TC1 ≈ TL ≦ωτ TC2 ≈ TH (1)und die folgenden Bedingungen bei Zimmertemperatur erfüllt sind:HC1 ≦λτ HC2 + (σw/2MS1t₁) + (σw/2MS2t₂) (2)HC1 ≦λτ (σw/2MS1t₁) (3)HC2 ≦λτ (σw/2MS2t₂) (4)HC2 + (σw/2MS2t₂) ≦ωτ Hini. ≦ωτ HC1 - (σw/2MS1t₁) (5)wobei
≈ etwa gleich
TR Zimmertemperatur
TC1 Curie-Punkt der ersten Schicht
TC2 Curie-Punkt der zweiten Schicht
TL Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl niedrigen Pegels
TH Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl hohen Pegels
HC1 Koerzitivkraft der ersten Schicht
HC2 Koerzitivkraft der zweiten Schicht
MS1 Sättigungsmagnetisierung der ersten Schicht
MS2 Sättigungsmagnetisierung der zweiten Schicht
t₁ Schichtdicke der ersten Schicht
t₂ Schichtdicke der zweiten Schicht
σw Grenzschichtwandenergie
Hini. Initialisierungs-Hilfsmagnetfeld.
26. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht aus einer Übergangsmetall-schwere- Seltene-Erden-Metall-Legierung, die Seltene-Erden-Metall- reich ist, besteht, und eine Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und dem Curie-Punkt aufweist, und daß die zweite Schicht aus einer Übergangsmetall- schwere-Seltene-Erden-Metall-Legierung besteht, die Seltene-Erden-Metall-reich ist und keine Kompensations­ temperatur zwischen Zimmertemperatur und dem Curie- Punkt aufweist, wobei folgende Beziehung erfüllt ist: TR ≦ωτ Tcomp.1 ≦ωτ TC1 ≈ TL ≦ωτ TC2 ≈ TH (1)und außerdem bei Zimmertemperatur folgenden Beziehungen genügt:HC1 ≦λτ HC2 + (σw/2MS1t₁) + (σw/2MS₂t₂) (2)HC1 ≦λτ (σw/2MS₁t₁) (3)HC2 ≦λτ (σw/2MS₂t₂) (4)HC2 + (σw/2MS₂t₂) ≦ωτ Hini. ≦ωτ HC1 - (σw/2MS1t₁) (5)wobei
≈ etwa gleich
TR Zimmertemperatur
Tcomp.1 Kompensationstemperatur der ersten Schicht
TC1 Curie-Punkt der ersten Schicht
TC2 Curie-Punkt der zweiten Schicht
TL Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl niedrigen Pegels
TH Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl hohen Pegels
HC1 Koerzitivkraft der ersten Schicht
HC2 Koerzitivkraft der zweiten Schicht
MS1 Sättigungsmagnetisierung der ersten Schicht
MS2 Sättigungsmagnetisierung der zweiten Schicht
t₁ Schichtdicke der ersten Schicht
t₂ Schichtdicke der zweiten Schicht
σw Grenzschichtwandenergie
Hini. Initialisierungs-Hilfsmagnetfeld.
27. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht aus einer Übergangsmetall-schwere- Seltene-Erden-Metall-Legierung besteht, die Seltene- Erden-Metall-reich ist und keine Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und dem Curie-Punkt aufweist, und daß die zweite Schicht aus einer Übergangsmetall- schwere-Seltene-Erden-Metall-Legierung besteht, die Seltene-Erden-Metall-reich ist und keine Kompensations­ temperatur zwischen Zimmertemperatur und dem Curie-Punkt aufweist, wobei folgende Formel erfüllt ist: TR ≦ωτ TC1 ≈ TL ≦ωτ TC2 ≈ TH (1)und bei Zimmertemperatur folgende Bedingungen erfüllt sind:HC1 ≦λτ HC2 + (σw/2MS₁t₁) + (σw/2MS₂t₂) (2)HC1 ≦λτ (σw/2MS1t₁) (3)HC2 ≦λτ (σw/2MS₂t₂) (4)HC2 + (σw/2MS₂t₂) ≦ωτ Hini. ≦ωτ HC1 - (σw/2MS₁t₁) (5)wobei
≈ etwa gleich
TR Zimmertemperatur
TC1 Curie-Punkt der ersten Schicht
TC2 Curie-Punkt der zweiten Schicht
TL Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl niedrigen Pegels
TH Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl hohen Pegels
HC1 Koerzitivkraft der ersten Schicht
HC2 Koerzitivkraft der zweiten Schicht
MS1 Sättigungsmagnetisierung der ersten Schicht
MS2 Sättigungsmagnetisierung der zweiten Schicht
t₁ Schichtdicke der ersten Schicht
t₂ Schichtdicke der zweiten Schicht
σw Grenzschichtwandenergie
Hini. Initialisierungs-Hilfsmagnetfeld.
28. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht aus einer Übergangsmetall-schwere- Seltene-Erden-Metall-Legierung besteht, die Seltene-Erden- Metall-reich ist und eine Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und dem Curie-Punkt aufweist, und daß die zweite Schicht aus einer Übergangsmetall-schwere-Seltene- Erden-Metall-Legierung besteht, die Seltene-Erden-Metall- reich ist und keine Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und dem Curie-Punkt besitzt, und wobei folgende Bedingung erfüllt ist: TR ≦ωτ Tcomp. ≦ωτ TC1 ≈ TL ≦ωτ TC2 ≈ TH (1)und die folgenden Bedingungen bei Zimmertemperatur erfüllt sind:HC1 ≦λτ HC2 + |(σw/2MS1t₁) - (σw/2MS₂t₂)| (2)HC1 ≦λτ (σw/2MS1t₁) (3)HC2 ≦λτ (σw/2MS₂t₂) (4)HC2 + (σw/2MS₂t₂) ≦ωτ |Hini.| ≦ωτ HC1 + (σw/2MS1t₁) (5)wobei
≈ etwa gleich
TR Zimmertemperatur
Tcomp.1 Kompensationstemperatur der ersten Schicht
TC1 Curie-Punkt der ersten Schicht
TC2 Curie-Punkt der zweiten Schicht
TL Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl niedrigen Pegels
TH Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl hohen Pegels
HC1 Koerzitivkraft der ersten Schicht
HC2 Koerzitivkraft der zweiten Schicht
MS1 Sättigungsmagnetisierung der ersten Schicht
MS2 Sättigungsmagnetisierung der zweiten Schicht
t₁ Schichtdicke der ersten Schicht
t₂ Schichtdicke der zweiten Schicht
σw Grenzschichtwandenergie
Hini. Initialisierungs-Hilfsmagnetfeld.
29. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht aus einer Übergangsmetall-schwere- Seltene-Erden-Metall-Legierung besteht, die Seltene- Erden-Metall-reich ist und keine Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und dem Curie-Punkt aufweist, und daß die zweite Schicht aus einer Übergangsmetall- schwere-Seltene-Erden-Metall-Legierung besteht, die Seltene-Erden-Metall-reich ist und keine Kompensations­ temperatur zwischen Zimmertemperatur und dem Curie-Punkt aufweist, wobei folgende Bedingung erfüllt ist: TR ≦ωτ TC1 ≈ TL ≦ωτ TC2 ≈ TH (1)und die folgenden Bedingungen bei Zimmertemperatur erfüllt sind:HC1 ≦λτ HC2 + |(σw/2MS1t₁) - (σw2MS2t₂)| (2)HC1 ≦λτ (σw/2MS1t₁) (3)HC2 ≦λτ (σw/2MS₂t₂) (4)HC2 + (σw/2MS2t₂) ≦ωτ Hini. ≦ωτ HC1 + (σw/2MS₁t₁) (5)wobei
≈ etwa gleich
TR Zimmertemperatur
TC1 Curie-Punkt der ersten Schicht
TC2 Curie-Punkt der zweiten Schicht
TL Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl niedrigen Pegels
TH Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl hohen Pegels
HC1 Koerzitivkraft der ersten Schicht
HC2 Koerzitivkraft der zweiten Schicht
MS1 Sättigungsmagnetisierung der ersten Schicht
MS2 Sättigungsmagnetisierung der zweiten Schicht
t₁ Schichtdicke der ersten Schicht
t₂ Schichtdicke der zweiten Schicht
σw Grenzschichtwandenergie
Hini. Initialisierungs-Hilfsmagnetfeld.
30. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht aus einer Übergangsmetall-schwere-Seltene- Erden-Metall-Legierung besteht, die Seltene-Erden-Metall- reich ist und keine Kompensationstemperatur zwischen Zimmer­ temperatur und dem Curie-Punkt aufweist, und daß die zweite Schicht aus einer Übergangsmetall-schwere-Seltene-Erden- Metall-Legierung besteht, die Seltene-Erden-Metall-reich ist und keine Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und dem Curie-Punkt aufweist, wobei folgende Bedingung erfüllt ist: TR ≦ωτ TC1 ≈ TL ≦ωτ TC2 ≈ TH (1)und bei Zimmertemperatur folgende Bedingungen erfüllt sind:HC1 ≦λτ HC2 + (σw/2MS1t₁) + (σw2MS₂t₂) (2)HC1 ≦λτ (σw/2MS1t₁) (3)HC2 ≦λτ (σw/2MS₂t₂) (4)HC2 + (σw/2MS₂t₂) ≦ωτ Hini. ≦ωτ HC1 - (σw/2MS1t₁) (5)wobei
≈ etwa gleich
TR Zimmertemperatur
TC1 Curie-Punkt der ersten Schicht
TC2 Curie-Punkt der zweiten Schicht
TL Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl niedrigen Pegels
TH Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl hohen Pegels
HC1 Koerzitivkraft der ersten Schicht
HC2 Koerzitivkraft der zweiten Schicht
MS1 Sättigungsmagnetisierung der ersten Schicht
MS2 Sättigungsmagnetisierung der zweiten Schicht
t₁ Schichtdicke der ersten Schicht
t₂ Schichtdicke der zweiten Schicht
σw Grenzschichtwandenergie
Hini. Initialisierungs-Hilfsmagnetfeld.
31. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht aus einer Übergangsmetall-schwere-Seltene- Erden-Metall-Legierung besteht, die Seltene-Erden-Metall- reich ist und keine Kompensationstemperatur zwischen Zimmertemperatur und dem Curie-Punkt aufweist, und daß die zweite Schicht aus einer Übergangsmetall-schwere-Seltene- Erden-Metall-Legierung besteht, die Seltene-Erden-Metall- reich ist und keine Kompensationstemperatur zwischen Zimmer­ temperatur und dem Curie-Punkt aufweist, wobei folgende Bedingung erfüllt ist: TR ≦ωτ TC1 ≈ TL ≦ωτ TC2 ≈ TH (1)und die folgenden Bedingungen bei Zimmertemperatur erfüllt sind:HC1 ≦λτ HC2 + |(σw/2MS1t₁) - (σw/2MS₂t₂)| (2)HC1 ≦λτ (σw/2MS1t₁) (3)HC2 ≦λτ (σw/2MS2t₂) (4)HC2 + (σw/2MS₂t₂) ≦ωτ Hini. ≦ωτ HC1 + (σw/2MS1t₁) (5)wobei
≈ etwa gleich
TR Zimmertemperatur
TC1 Curie-Punkt der ersten Schicht
TC2 Curie-Punkt der zweiten Schicht
TL Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl niedrigen Pegels
TH Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl hohen Pegels
HC1 Koerzitivkraft der ersten Schicht
HC2Koerzitivkraft der zweiten Schicht
MS1 Sättigungsmagnetisierung der ersten Schicht
MS2 Sättigungsmagnetisierung der zweiten Schicht
t₁ Schichtdicke der ersten Schicht
t₂ Schichtdicke der zweiten Schicht
σw Grenzschichtwandenergie
Hini. Initialisierungs-Hilfsmagnetfeld.
32. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 31, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht eine Übergangsmetall-schwere-Seltene- Erden-Metall-Legierung ist, die Seltene-Erden-Metall-reich ist und keine Kompensationstemperatur zwischen Zimmertem­ peratur und dem Curie-Punkt aufweist, und daß die zweite Schicht aus einer Übergangsmetall-schwere-Seltene-Erden- Metall-Legierung besteht, die Seltene-Erden-Metall-reich ist und keine Kompensationstemperatur zwischen Zimmertem­ peratur und dem Curie-Punkt aufweist, wobei folgende Bedingung erfüllt ist: TR ≦ωτ TC1 ≈ TL ≦ωτ TC2 ≈ TH (1)und bei Zimmertemperatur folgende Bedingungen erfüllt sind: HC1 ≦λτ HC2 + (σw/2MS1t₁) - (σw/2MS₂t₂)| (2)HC1 ≦λτ (σw/2MS₁t₁) (3)HC2 ≦λτ (σw/2MS2t₂) (4)HC2 + (σw/2MS2t₂) ≦ωτ Hini. ≦ωτ HC1 + (σw/2MS1t₁) (5)wobei
≈ etwa gleich
TR Zimmertemperatur
TC1 Curie-Punkt der ersten Schicht
TC2 Curie-Punkt der zweiten Schicht
TL Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl niedrigen Pegels
TH Temperatur des Aufzeichnungsträgers bei Bestrahlen mit einem Laserstrahl hohen Pegels
HC1 Koerzitivkraft der ersten Schicht
HC2 Koerzitivkraft der zweiten Schicht
MS1 Sättigungsmagnetisierung der ersten Schicht
MS2 Sättigungsmagnetisierung der zweiten Schicht
t₁ Schichtdicke der ersten Schicht
t₂ Schichtdicke der zweiten Schicht
σw Grenzschichtwandenergie
Hini. Initialisierungs-Hilfsmagnetfeld.
33. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 11, bei dem jede der folgenden Formeln bei Zimmertemperatur erfüllt ist: wobei
HC1 Koerzitivkraft der ersten Schicht
HC2 Koerzitivkraft der zweiten Schicht
MS1 Sättigungsmagnetisierung der ersten Schicht
MS2 Sättigungsmagnetisierung der zweiten Schicht
t₁ Schichtdicke der ersten Schicht
t₂ Schichtdicke der zweiten Schicht
σw Grenzschichtwandenergie.
34. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 11, bei dem jede der folgenden Formeln bei Zimmertemperatur erfüllt ist: wobei
HC1 Koerzitivkraft der ersten Schicht
HC2 Koerzitivkraft der zweiten Schicht
MS1 Sättigungsmagnetisierung der ersten Schicht
MS2 Sättigungsmagnetisierung der zweiten Schicht
t₁ Schichtdicke der ersten Schicht
t₂ Schichtdicke der zweiten Schicht
σw Grenzschichtwandenergie.
35. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 11, bei dem die folgende Formel erfüllt ist: TR ≦ωτ TC1 ≦ωτ TC2 (1)und jede der folgenden Formeln bei Zimmertemperatur erfüllt ist: wobei
TR Zimmertemperatur
TC1 Curie-Punkt der ersten Schicht
TC2 Curie-Punkt der zweiten Schicht
HC1 Koerzitivkraft der ersten Schicht
HC2 Koerzitivkraft der zweiten Schicht
MS1 Sättigungsmagnetisierung der ersten Schicht
MS2 Sättigungsmagnetisierung der zweiten Schicht
t₁ Schichtdicke der ersten Schicht
t₂ Schichtdicke der zweiten Schicht
σw Grenzschichtwandenergie.
36. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 11, bei dem die folgende Formel erfüllt ist: TR ≦ωτ TC1 ≦ωτ TC2 (1)und wobei jede der folgenden Formeln bei Zimmertemperatur erfüllt ist: wobei
TR Zimmertemperatur
TC1 Curie-Punkt der ersten Schicht
TC2 Curie-Punkt der zweiten Schicht
HC1 Koerzitivkraft der ersten Schicht
HC2 Koerzitivkraft der zweiten Schicht
MS1 Sättigungsmagnetisierung der ersten Schicht
MS2 Sättigungsmagnetisierung der zweiten Schicht
t₁ Schichtdicke der ersten Schicht
t₂ Schichtdicke der zweiten Schicht
σw Grenzschichtwandenergie.
37. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 11, bei dem jede der folgenden Formeln erfüllt ist: wobei
HC1 Koerzitivkraft der ersten Schicht
HC2 Koerzitivkraft der zweiten Schicht
MS1 Sättigungsmagnetisierung der ersten Schicht
MS2 Sättigungsmagnetisierung der zweiten Schicht
t₁ Schichtdicke der ersten Schicht
t₂ Schichtdicke der zweiten Schicht
σw Grenzschichtwandenergie
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3914121A1 (de) * 1988-04-28 1989-11-16 Nikon Corp Ueberschreibbarer magnetooptischer aufzeichnungstraeger

Families Citing this family (91)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4649519A (en) * 1985-09-30 1987-03-10 International Business Machines Corporation Self biasing thermal magneto-optic medium
JPS63316343A (ja) * 1987-06-18 1988-12-23 Canon Inc 光磁気記録媒体
JPS63237238A (ja) * 1987-03-26 1988-10-03 Canon Inc 光磁気記録媒体および光磁気記録方法
JPS63195845A (ja) * 1987-02-10 1988-08-12 Canon Inc 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法
JPS63237236A (ja) * 1987-03-26 1988-10-03 Canon Inc 光磁気記録媒体
JPS63117354A (ja) * 1986-11-05 1988-05-21 Canon Inc 光磁気記録媒体
JPS63237237A (ja) * 1987-03-26 1988-10-03 Canon Inc 光磁気記録媒体および記録方法
JPS6348637A (ja) * 1986-08-16 1988-03-01 Canon Inc 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法
JPS63220440A (ja) * 1987-03-10 1988-09-13 Canon Inc 光磁気記録方法
US6028824A (en) * 1986-07-08 2000-02-22 Canon Kabushiki Kaisha Magnetooptical recording medium allowing overwriting with two or more magnetic layers
EP0258978B1 (de) * 1986-07-08 1998-10-07 Canon Kabushiki Kaisha Magnetoptisches Aufzeichnungsmedium mit der Möglichkeit des Überschreibens mit zwei oder mehr Magnetschichten und dieses Medium verwendende Aufzeichnungsmethode
EP0838815B1 (de) * 1986-07-08 2002-04-17 Canon Kabushiki Kaisha Gerät und System zur Aufzeichnung auf einem magnetooptischen Aufzeichnungsmedium
CA1322408C (en) * 1986-08-20 1993-09-21 Tomiji Tanaka Thermomagnetic recording method applying power modulated laser on a magnetically coupled double layer structure of perpendicular anisotropy film
JP2570270B2 (ja) * 1986-10-08 1997-01-08 株式会社ニコン ツービームによる光磁気記録方法及び装置
JPS63155449A (ja) * 1986-12-19 1988-06-28 Canon Inc 光磁気記録方法
US5265073A (en) * 1987-03-13 1993-11-23 Canon Kabushiki Kaisha Overwritable magneto-optical recording medium having two-layer magnetic films wherein one of the films contains one or more of Cu, Ag, Ti, Mn, B, Pt, Si, Ge, Cr and Al, and a method of recording on the same
EP0282356B1 (de) * 1987-03-13 1994-12-07 Canon Kabushiki Kaisha Magneto-optisches Aufzeichnungsmedium und Verfahren
JPS63239637A (ja) * 1987-03-27 1988-10-05 Canon Inc 光磁気記録媒体およびその記録方法
US5051970A (en) * 1987-05-08 1991-09-24 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Magneto-optic recording system with overwrite capability
US5187694A (en) * 1987-08-21 1993-02-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Magneto-optical recording medium comprising recording layer and thermal bias layer, and method for recording, erasing and overwriting on the medium
US5225289A (en) * 1987-08-25 1993-07-06 Canon Kabushiki Kaisha Opto-magnetic recording medium having plurality of exchange-coupled magnetic layers
JPH0816995B2 (ja) * 1987-09-03 1996-02-21 株式会社ニコン オーバーライト可能な光磁気記録再生装置
JPH01100753A (ja) * 1987-10-13 1989-04-19 Nec Corp 光磁気記録媒体
JPH01118243A (ja) * 1987-10-30 1989-05-10 Nec Corp 光磁気記録媒体
JPH0786984B2 (ja) * 1987-12-08 1995-09-20 キヤノン株式会社 光磁気記録装置
JP2839498B2 (ja) * 1988-02-03 1998-12-16 株式会社日立製作所 光ディスク媒体
EP0330394B1 (de) * 1988-02-22 1996-07-17 Canon Kabushiki Kaisha Zweischichtiger magneto-optischer Aufzeichnungsträger mit einer Schicht niedriger Koerzitivkraft, bestehend aus Gd und mindestens Tb oder Dy
JPH01213847A (ja) * 1988-02-22 1989-08-28 Canon Inc 光磁気記録媒体
US5210724A (en) * 1988-03-07 1993-05-11 Canon Kabushiki Kaisha Optomagnetic recording method and apparatus which precludes an interface magnetic wall within block magnetic wall
JPH0770099B2 (ja) * 1988-03-07 1995-07-31 キヤノン株式会社 光磁気記録方法
DE3811375A1 (de) * 1988-04-05 1989-10-19 Siemens Ag Datenspeichersystem
DE3811374A1 (de) * 1988-04-05 1989-10-19 Siemens Ag Datenspeichersystem und verfahren zu seiner herstellung
JP3078550B2 (ja) * 1988-06-23 2000-08-21 株式会社東芝 光磁気記録方法及びそれに使用される光磁気記録媒体
JP2712312B2 (ja) * 1988-06-24 1998-02-10 株式会社ニコン オーバーライト可能な光磁気記録媒体
JPH0227548A (ja) * 1988-07-15 1990-01-30 Nikon Corp 小型化されたｏｗ型光磁気記録装置
JPH0250336A (ja) * 1988-08-11 1990-02-20 Nikon Corp 兼用可能なオーバーライト型光磁気記録装置
JP2621400B2 (ja) * 1988-08-12 1997-06-18 株式会社ニコン Ｏｗ型光磁気記録媒体カートリッジ
DE68928843T2 (de) * 1988-08-24 1999-06-02 Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo Magnetooptisches speichermedium
US5175714A (en) * 1988-09-30 1992-12-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of magneto-optically recording/erasing information and magneto-optical information storage medium including recording and bias layers satisfying certain conditions
GB2234623B (en) * 1988-11-04 1993-04-14 Ricoh Kk Magneto-optical recording method and magneto-optical recording medium for use in the same
JPH02158939A (ja) * 1988-12-12 1990-06-19 Nikon Corp オーバーライト可能な光磁気記録媒体
JPH02223041A (ja) * 1989-02-23 1990-09-05 Nikon Corp 磁性層間の交換結合力が制御されたオーバーライト可能な光磁気記録媒体
US5087532A (en) * 1989-08-01 1992-02-11 Minnesota Mining And Manufacturing Company Direct-overwrite magneto-optic media
US5512366A (en) * 1989-11-14 1996-04-30 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Magneto-optic recording medium and apparatus
JP2653523B2 (ja) * 1989-09-08 1997-09-17 シャープ株式会社 光磁気メモリ素子の記録再生方法並びにその装置
JPH03113760A (ja) * 1989-09-22 1991-05-15 Nikon Corp 光磁気ピットポジション記録方法及びそれに使用される記録装置
US5273835A (en) * 1989-09-25 1993-12-28 Nikon Corporation Over-write capable magnetooptical recording medium
JPH03127347A (ja) * 1989-10-13 1991-05-30 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 光磁気記録方法及び装置
JP2724003B2 (ja) * 1989-11-10 1998-03-09 キヤノン株式会社 光磁気記録媒体
US6200673B1 (en) * 1989-11-13 2001-03-13 Hitachi, Ltd. Magneto-optical recording medium
JP2575511B2 (ja) * 1989-12-08 1997-01-29 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 光磁気記録方法及び装置
JPH03207038A (ja) * 1990-01-10 1991-09-10 Nikon Corp σｗの小さなオーバーライト可能な光磁気記録媒体
JP3015475B2 (ja) * 1990-01-31 2000-03-06 株式会社東芝 光磁気記録方法及びそれに使用される光磁気記録媒体
JPH03296942A (ja) * 1990-04-17 1991-12-27 Mitsubishi Electric Corp 光磁気記録装置
EP0470546B1 (de) * 1990-08-07 1998-11-04 Hitachi Maxell Ltd. Magnetooptischer Aufzeichnungsträger
JPH04106744A (ja) * 1990-08-28 1992-04-08 Nikon Corp 低レベルのマージンが拡大したオーバーライト可能な光磁気記録媒体
JPH04119542A (ja) * 1990-09-07 1992-04-21 Nikon Corp 光磁気記録媒体カートリッジ
JP3038853B2 (ja) * 1990-09-13 2000-05-08 株式会社ニコン 高レベルのマージンが拡大したオーバーライト可能な光磁気記録媒体
JPH04134741A (ja) * 1990-09-27 1992-05-08 Nikon Corp ４層膜構造のオーバーライト可能な光磁気記録媒体
JP2838908B2 (ja) * 1990-10-19 1998-12-16 キヤノン株式会社 光磁気記録方法
US5263015A (en) * 1990-11-21 1993-11-16 Hitachi, Ltd. Magneto-optical recording media and overwrite recording method using the same
JP2567996B2 (ja) * 1991-01-23 1996-12-25 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 光磁気記録方法及び装置
JP3006124B2 (ja) * 1991-04-10 2000-02-07 株式会社ニコン オーバーライト可能な光磁気記録媒体及びその記録再生装置
JP2839783B2 (ja) * 1991-04-17 1998-12-16 シャープ株式会社 光磁気記録媒体、再生装置及び再生方法
US5637411A (en) * 1991-07-29 1997-06-10 Hitachi Maxell, Ltd. Magneto-optical recording medium and process for producing the same
JPH0573981A (ja) * 1991-09-13 1993-03-26 Nikon Corp パワーマージンが拡大されたオーバーライト可能な光磁気記録方法及びそれに使用される光磁気記録装置
US5341359A (en) * 1991-09-17 1994-08-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Abnormality detection of a recording medium in a magneto-optical recording system
US5428594A (en) * 1991-12-27 1995-06-27 Fujitsu Limited Magneto-optic recording method and apparatus utilizing a two-state modulated light beam
JPH0729231A (ja) * 1992-01-07 1995-01-31 Nikon Corp ５３ｄＢを越えるオーバーライト可能な光磁気記録媒体
US5434844A (en) * 1992-04-10 1995-07-18 Hitachi, Ltd. Magneto-optical recording media and magneto-optical recording device using the same
JP2570948B2 (ja) * 1992-08-06 1997-01-16 三菱電機株式会社 光記録方法
JPH0696468A (ja) * 1992-09-14 1994-04-08 Canon Inc 光記録再生装置及び半導体レーザアレイ
JPH06103622A (ja) * 1992-09-18 1994-04-15 Nikon Corp Ｒ層を有するオーバーライト可能な光磁気記録媒体
JP3183364B2 (ja) * 1992-10-12 2001-07-09 キヤノン株式会社 光学的情報記録再生方式
JPH06131722A (ja) * 1992-10-16 1994-05-13 Canon Inc 光磁気記録媒体およびその記録方法
JP2957367B2 (ja) 1993-01-07 1999-10-04 シャープ株式会社 光磁気記録媒体およびその記録方法と記録再生方法
US5596555A (en) * 1993-07-29 1997-01-21 Canon Kabushiki Kaisha Magnetooptical recording medium having magnetic layers that satisfy predetermined coercive force relationships, and recording/reproduction method for the medium
US5639567A (en) * 1994-03-09 1997-06-17 Imation Corp. Exchange-coupled direct overwrite magneto-optic recording media
EP0686970A3 (de) * 1994-06-10 1996-07-24 Canon Kk Magneto-optisches Aufzeichnungsmedium und Wiedergabemethode dafür
JP3091099B2 (ja) * 1994-11-25 2000-09-25 シャープ株式会社 光磁気記録媒体および光磁気記録再生方法
US5663935A (en) * 1995-02-08 1997-09-02 Canon Kabushiki Kaisha Magneto-optical recording medium having two magnetic layers of exchange-coupled at ferromagnetic phase
JPH08287537A (ja) * 1995-04-14 1996-11-01 Canon Inc 光磁気記録媒体及び該媒体を用いた情報再生方法
JPH0954993A (ja) * 1995-08-15 1997-02-25 Canon Inc 光磁気記録媒体及び該媒体の情報再生方法
JPH09167388A (ja) * 1995-10-11 1997-06-24 Canon Inc 光磁気記録媒体、該媒体を用いた情報記録再生装置及び情報記録再生方法
US5825724A (en) 1995-11-07 1998-10-20 Nikon Corporation Magneto-optical recording method using laser beam intensity setting based on playback signal
US5831943A (en) 1995-11-07 1998-11-03 Nikon Corporation Stabilized overwriteable optical recording method using laser beam intensity settings
US5808972A (en) 1995-12-28 1998-09-15 Nikon Corporation Stabilized overwriteable optical recording method using laser beam intensity settings
US5903526A (en) * 1996-09-20 1999-05-11 Victor Company Of Japan, Ltd. Magneto-optical recording medium having multiple magnetic layers
JP3323782B2 (ja) 1997-09-09 2002-09-09 株式会社日立製作所 情報の記録方法
US6650607B1 (en) * 1998-10-12 2003-11-18 Hitachi, Ltd. Information recording method, information recording medium, and information recording apparatus
US8279733B2 (en) 2005-08-31 2012-10-02 Mediatek Inc. Dynamic write strategy modification method and apparatus

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5730132A (en) * 1980-07-29 1982-02-18 Sharp Corp Magnetooptical storage device
JPS5778652A (en) * 1980-11-01 1982-05-17 Daido Steel Co Ltd Thermal magnetic recording carrier and thermal magnetic recording system
JPS59162653A (ja) * 1983-03-04 1984-09-13 Seiko Instr & Electronics Ltd 光磁気デイスク
JPH0670858B2 (ja) 1983-05-25 1994-09-07 ソニー株式会社 光磁気記録媒体とその製法
DE3429258A1 (de) 1983-08-08 1985-02-28 Xerox Corp., Rochester, N.Y. Magneto-optisches speichermedium

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3914121A1 (de) * 1988-04-28 1989-11-16 Nikon Corp Ueberschreibbarer magnetooptischer aufzeichnungstraeger

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