DE3607932A1 - Datenspeicher, sowie verfahren zur herstellung eines datenspeichers und einer sonde zur informationseingabe und abnahme sowie loeschung - Google Patents

Datenspeicher, sowie verfahren zur herstellung eines datenspeichers und einer sonde zur informationseingabe und abnahme sowie loeschung

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Description

Die Erfindung betrifft einen Datenspeicher mit einer Speichermatrix, insbesondere einen Speicher mit hoher Speicherkapazität. Bisher werden für Speicher mit hoher Speicherkapazität und bei gleichzeitig geringem Raumbedarf, Halbleiterspeicher verwendet. Solche Halbleiterspeicher haben eine Speicherkapazität im Mega- Byte-Bereich pro cm2.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Datenspeicher zu schaffen, der bei sehr geringem Platzbedarf eine wesentlich höhere Speicherkapazität aufweist.
Zur Lösung dieser Aufgabe wird erfindungsgemäß insbesondere vorgeschlagen, daß die Speicherzellen der Speichermatrix aus Molekülen besteht, die durch physikalische Störverfahren in ihrem molekularen Zustand veränderbar sind, daß diese jeweiligen molekularen Zustände zeitlich und räumlich fixierbar sind und daß die Informationsabnahme durch physikalische Signale erfolgt. Bei diesem Datenspeicher liegt die Speicherplatzgröße im Nanometer- Bereich, so daß dementsprechend auf sehr kleinem Raum eine Speicherkapazität unterbringbar ist, die gegenüber dem Stand der Technik bei Halbleiterspeichern mindestens um den Faktor 103 bis 106 größer ist.
Nach einem weiteren Merkmal der Erfindung sind als Moleküle solche vorgesehen, die insbesondere durch Photonenabsorption, Aufnahme elektrischer Ladungen, Magnetisierung, induzierte chemische Strukturveränderungen od. dgl. ausgezeichnet sind.
Solche Moleküle können unterschiedliche Zustände einnehmen, wobei die Zustandsänderung von außen beeinflußbar ist. Dementsprechend ist eine binäre Speicherung möglich.
Zur Informationseingabe und/oder zur Informationsabgabe und/oder zur Löschung ist eine relativ zu der Speichermatrix positionierbare Sonde vorgesehen. Mit Hilfe dieser Sonde können physikalische Signale auf die Moleküle appliziert werden, um eine entsprechende Zustandsänderung herbeizuführen.
Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung einer Speichermatrix hoher Speicherkapazität. Dieses Verfahren ist insbesondere dadurch gekennzeichnet, daß Moleküle, die durch Photonenabsorption, Aufnahme elektrischer Ladungen, Magnetisierung, induzierte chemische Strukturveränderungen od. dgl. ausgezeichnet sind, auf eine Trägerplatte aufgezogen oder aufkondensiert werden und daß anschließend die Molekül-Matrix fixiert wird. Durch diesen Molekül- Speicher wird eine extrem hohe Speicherdichte und somit eine große Speicherkapazität bei geringem Platzbedarf erzielt.
Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung einer Sonde zur Informationseingabe, Informationsabnahme und gegebenenfalls zur Löschung bei einem Datenspeicher hoher Speicherkapazität, der mit Molekül-Speichern arbeitet. Dieses Verfahren ist insbeondere dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung einer keilförmigen Hohlleiter-Sonde eine erste plattenförmige Außenwand auf einer Seite in Langmuir-Technik z. B. mit Lipid-Molekülen treppenartig beschichtet wird, daß auf die Treppenkanten dieser Treppenschichtung eine zweite, plattenförmige Außenwand aufgelegt wird, daß dann Außenwände gegeneinander fixiert werden und daß anschließend die treppenartigen Schichten zwischen den Außenwänden herausgelöst werden. Diese Sonde ist durch Verwendung des Langmuir-Verfahrens und durch die treppenartige Ausbildung der Schichten mit hoher Präzision herstellbar.
Zusätzliche Ausgestaltungen der Erfindung sind in den weiteren Unteransprüchen aufgeführt. Nachstehend ist die Erfindung an Hand von Ausführungsbeispielen in den Zeichnungen noch näher erläutert.
Es zeigt etwas schematisiert:
Fig. 1 eine Seitenansicht eines Datenspeichers mit Hohlleiter- Sonden zur Informationseingabe und Informationsentnahme,
Fig. 2 eine Seitenansicht einer Hohlleiter-Sonde während des Herstellungsprozesses,
Fig. 3 eine perspektivische Ansicht einer Hohlleiter-Sonde für Photonenstrahlung,
Fig. 4 eine perspektivische Darstellung einer Sondenanordnung für geladene Partikel und Felder,
Fig. 5 die in Fig. 3 gezeigte Anordnung in Verbindung mit einer Speichermatrix
Fig. 6 eine etwa Fig. 5 entsprechende Anordnung, hier jedoch für Partikelstrahlung und
Fig. 7 eine Datenspeicheranordnung mit Polsonden zum applizieren elektrischer oder magnetischer Felder zur Veränderung des molekularen Zustandes der Matrixmoleküle.
Ein im ganzen mit 1 bezeichneter Datenspeicher ist mit seinen wesentlichen Bestandteilen in Fig. 1 dargestellt. Er besteht im wesentlichen aus einem Molekülspeicher, wobei auf einer Trägerplatte 2, z. B. aus Glas Moleküle 3 z. B. durch Aufziehen, Aufkondensieren od. dgl. aufgebracht sind. Weiterhin gehört zu den Datenspeicher, der hier als "optischer" Speicher ausgebildet ist und mit Photonen für das physikalische Störverfahren zur Veränderung des molekularen Zustandes der Moleküle arbeitet, eine Hohlleitersonde 4 zur Informationseingabe und auf der anderen Seite gegenüberliegend eine weitere Hohlleitersonde 6 zur Informationsabnahme. Die Platte 2 mit der Molekülmatrix 5 ist als rotierende Speicherplatte mit der Drehwelle 7 ausgebildet. Die Drehzahl kann bis zu 60 000 Umin betragen. Die Sonden 4 und 6 sind etwas radial zu der Platte positionierbar, wie dies durch die Pfeile PF 1 angedeutet ist. Dadurch entsteht eine spiralige Speicherplatzverteilung ohne Überlappung der einzelnen Speicherplätze.
An Hand von Fig. 1 sei der Ablauf einer Datenspeicherung bzw. einer Zustandsänderung der Molekülspeicher 3 erläutert.
Die Datenspeicherung wird durch Moleküle ermöglicht, die eine chromphore Gruppe besitzen, die in zwei stabilen Zuständen existieren kann, mit zwei unterschiedlichen Absorptionsspektren im sichtbaren Wellenlängenbereich und zusätzlich Unterschiede in der Molekülkonformation aufweist, d. h. unterschiedliche Absorptionsspektren im infraroten Adsorptionsbereich besitzt. Solche Eigenschaften besitzen z. B. die Biomoleküle, Phytochrom, Rhodopsin von Invertebraten oder Bacteriorhodopsine. Die Verwendungsmöglichkeit dieser Biomoleküle als Datenspeicher soll am Beispiel des Phytochroms erläutert werden. Phytochrom besitzt zwei stabile Molekülzustände, die maximale Absorption bei 660 nm und 730 nm zeigen:
Wird Phytochrom I mit Licht von 660 nm Wellenlänge bestrahlt, so erfolgt eine Transformation von Phytochrom II, umgekehrt wird Phytochrom II durch Bestrahlung von Licht mit 730 nm Wellenlänge in Phytochrom I zurückverwandelt. Beim Übergang von Zustand I in Zustand II (und umgekehrt) erfolgt gleichzeitig aufgrund von konformativen Änderungen in der chromophoren Gruppe eine Änderung des infraroten Absorptionsspektrums. Diese intrinsischen Moleküleigenschaften erlauben es, den Übergang des Zustands I in Zustand II (oder umgekehrt) als Datenspeicherung zu nutzen und diese Datenspeicherung durch Messung des geänderten Konformationszustandes im infraroten Bereich abzurufen. Dieser Abruf kann beliebig oft vollzogen werden, da die Energie der infraroten Photonen nicht ausreicht, den Zustand II in I (oder umgekehrt) zu überführen. Andererseits kann eine Datenlöschung durch Einstrahlung von Licht, das der maximalen Absorption des Zustands II entspricht (oder umgekehrt) wieder gelöscht werden.
Wenn auf eine Datenlöschung verzichtet wird (Permanentspeicher ohne Datenlöschung) können chromophore Gruppen verwendet werden, die durch Licht einer bestimmten Wellenlänge in ihrer chemischen Struktur irreversibel verändert oder zerstört werden. Als Beispiel möge eine Matrix aus Diacetylenen dienen, die durch Photonenabsorption im Bereich der Absorption polymerisieren und zum Teil ihre C≡C-Dreifachbindung verlieren:
Die einmal erfolgte Datenspeicherung kann dann über IR-Signale die im vorliegenden Fall den Verlust der C≡C-Dreifachbindung bzw. das Erscheinen von C=C-Doppelbindungen anzeigen würden, beliebig oft abgerufen werden. Als Beispiel für irreversible optische Datenspeicherung mit einem Biomolekül kann das Rhodopsin von Vertebraten angeführt werden, bei dem durch Absorption eines Lichtquants eine Reaktionskaskade eingeleitet wird, die dazu führt, daß das Rhodopsinmolekül in sein Proteinträgermolekül und die chromophore Gruppe (Retinal) zerfällt, begleitet von Absorptionsverschiebungen der chromophoren Gruppe sowohl im sichtbaren als auch im infraroten Wellenlängenbereich. In diesem speziellen Fall kann der Datenabgriff sowohl im infraroten als auch im sichtbaren Bereich erfolgen, da der Chromophor durch Absorption von sichtbarem und infrarotem Licht nicht mehr in den Ausgangszustand zurücktransformiert werden kann. Bei den vorstehend beschriebenen Möglichkeiten irreversibler Umwandlungsprozesse vollzieht sich die Umwandlung durch Photonenabsorption in definierter irreversibler Weise. Es können aber auch undefinierte Umwandlungsvorgänge als Speichervorgänge eingesetzt werden, etwa durch destruktive Elektronenstrahleinwirkung als Speichervorgang.
Der Datenabruf erfolgt mit einer Infrarotdauerlichtquelle mit möglichst breiter spektraler Verteilung zur Erfassung der integralen Lichtintensitätsänderung oder mit einem monochromatischen sichtbaren Lichtstrahl über den gleichen Lichtspalt, der auch der Speicherung dient oder über einen zweiten dazu parallelen Spalt. Das durch die Scheibe 2, 5 tretende Licht wird auf der Rückseite der Scheibe von einem Detektor 15 registriert, vor dessen Eintrittsspalt die zweite, zur gegenüberliegenden Mikrosonde 3 justierte Mikrosonde 6, angeordnet ist. Damit Durchlichtregistrierung möglich ist, muß die Trägerplatte 2, auf der die Speichermatrix 5 aufgebracht ist, und die die Antriebsachsaufnahme 7 enthält, aus einem sichtbaren lichtdurchlässigen bzw. infrarotlichtdurchlässigem Material bestehen.
Die Hohlleitersonden 4 und 6 sind keilförmig ausgebildet und weisen in ihrem schmaleren Ende einen Spalt 8 auf, dessen lichte Spaltbreite a im Nanometer-Bereich liegt und beispielsweise etwa 4 Nanometer beträgt. Der jeweils am rückseitigen Ende befindliche Spalt 9 liegt im Makro-Dimensionsbereich und kann beispielsweise 4 oder 0,4 Mikro-Meter (b) betragen. Dadurch besteht mit diesen Hohlleitersonden die Möglichkeit des optischen, elektrischen, elektronischen oder magnetischen Zugriffes aus makroskopischen Dimensionen in den Mikrobereich bzw. Nanometer-Bereich. Dementsprechend muß die Sonde(n) 4, 6 am Mikroende Moleküldimensionen, also mindestens Abmessungen kleiner als 10 Nanometer besitzen und am Makroende größer als 0,1 Makro-Meter aufweisen, um eine Ankopplung von optischen, elektrischen oder magnetischen Zu- und Ableitsystemen zu erlauben. Die Abtastung der einzelnen Speicherplätze erfolgt dann wie bereits vorerwähnt durch eine Rotationsbewegung der Speicherplatte und eine gleichzeitige radiale Schiebebewegung der Sonde mit einer Positioniergeschwindigkeit im Bereich von einigen Zehntel-Millimeter pro Sekunde bis zu einem Millimeter pro Sekunde.
Bei der auf der Trägerplatte 2 aufgezogenen oder aufkondensierten Molekülmatrix 5 kann deren mechanische Stabilität durch kovalente Vernetzung von Einbettmaterial mit der Trägerplatte 2 oder durch eine Abdeckplatte aus lichtdurchlässigem und nichtmagnetischem Material erzielt werden.
In Fig. 1 und auch in den Fig. 3 und 5 ist erkennbar, daß beim Austrittsspalt 8 der Hohlleitersonde 4 ein rechtwinklig zum Spalt 8 angeordnetes Parallellichtfilter 13, z. B. einer aus Acrylglas oder Glas bestehenden Lichtleiterplatte angeordnet ist. Dieses Lichtfilter dient als zweidimensionaler Lichtleiter und eliminiert gestreutes oder am Spalt 8 gebeugtes Licht. Dabei wird dieses Streulicht oder gebeugte Licht seitlich zu den Rändern der Platte abgeleitet, so daß im wesentlichen nur senkrecht auf die Platte auftreffendes Licht 14 durchtreten kann. Dadurch wird eine Aufweitung des durch die Hohlleitersonde 4 dimensionierten Lichtbündels verhindert. Die Ränder 22 der Filterplatte 13 sind schwarz eingefärbt. In die Parallellichtfilter-Platte 12 können auch noch Substanzen eingelagert sein, die Elektronenstrahlen in sichtbares Licht umwandeln können, so daß durch die Hohlleitersonde gebündelte Elektronenstrahlen im Parallellichtfilter in sichtbares Licht umgewandelt wird und gleichzeitig parallel Lichtbündel erzeugt werden können. Dadurch kann eine unerwünschte Schädigung der Matrixspeichermoleküle durch Elektronenstrahlen verhindert werden.
Die Hohlleitersonde 4 bzw. 6 kann nach einem Verfahren hergestellt werden, daß an Hand von Fig. 2 erläutert ist. Dabei wird zunächst eine erste Platte 10, die z. B. aus Glas besteht, auf einer Seite in Langmuir-Technik mit Lipiden oder lipidartigen Molekülen treppenartig beschichtet und anschließend werden auf die Treppenkanten 11 dieser Schichten 12 eine zweite Platte 16 aufgelegt. Durch die Anzahl der Schichten 12 und auch durch deren Treppenabstufung kann einerseits der Keilwinkel und andererseits auch die Spaltbreite des Spaltes 8, der wenige Nanometer beträgt, beeinflußt werden.
Anstatt dieser treppenartigen Ausbildung der Schichten 12 können auch eine oder mehrere gleichlange bis zum Ende der Sonde bei dem Spalt 8 reichende (Langmuir-) Schichten 12 aufgetragen werden, die ausschließlich zur Bestimmung der Spaltbreite des Spaltes 8 dienen. Zur Bestimmung des am anderen Ende befindlichen Spaltes 9 können wegen der größeren Dimensionen auch mechanische Abstandhalter in Form eines Plättchens od. dgl. vorgesehen sein.
Beim Aufbringen der Schichten 12 nach dem Langmuir-Verfahren, werden Lipid-Schichten z. B. Stearatschichten in Eintauch- und Ausziehtechnik aufgetragen. Durch systematische Änderung der Eintauchtiefen werden die bipolaren Lipidschichten mit jeweils etwa 4 Nanometer Dicke stufen- oder treppenartig aufgetragen. Beispielsweise kann dabei bei 100 Schichten ein Dickeunterschied zur ersten Platte 10 zwischen der ersten und der hundersten Stufe von 4 Nanometer bis 0,4 Mikrometer entstehen. Nach dem Auflegen der zweiten Platte 16, werden die beiden Platten durch Kunststoffeinlagerungen an den seitlichen Randpartien gegeneinander fixiert. Anschließend werden die Stearatschichten 12 herausgelöst, so daß dann ein Hohlleiter höchster Präzision entsteht.
In Fig. 3 ist noch eine Maßnahme zur Eingrenzung der Länge des Spaltes 8 der Hohlleitersonde 4 erkennbar. Dazu dient ein weiterer Hohlleiterspalt 17, der gekreuzt zu dem Hohlleiterspalt 8 angeordnet ist. Gemäß Fig. 3 ist der Hohlleiterspalt 17 als Schlitzblende mit planparallelen Platten 18 gebildet, wobei der Abstand dieser beiden Platten 18 durch Beschichtung in Langmuir-Technik und den weiteren Verfahrensschritten etwa vergleichbar mit denen bei der Herstellung der Hohlleitersonde 4 bestimmt wird.
Je nach Plattenabstand des zweiten Hohlleiterspaltes 17 kann der Speicherplatzbedarf bis auf etwa 10 nm × 10 nm eingegrenzt werden. Dadurch würde sich eine Kapazität von 1012 Speicherplätzen pro cm2 ergeben, d. h. ein Tera-Byte pro cm2.
Damit eine diskrete Speicherplatzbelgung auf der homogenen Matrix erfolgen kann, muß die Speichersignalfrequenz so abgestimmt sein, daß die Pulsdauer der Fortschreitungszeit auf der Spiralspur der Molekülmatrix 5 einer Speicherplatzbreite von 10 nm entspricht. Dieser Forderung entspricht eine Taktzeit der Signalpulse von 100 Pico-Sekunden.
Fig. 6 zeigt eine Anordnung, die mit Partikelstrahlung z. B. mit Elektronen, Protonen oder Alpha-Teilchen arbeitet. Um eine seitliche "Streuung" der Partikelstrahlung nach Austritt aus dem Spalt 8 zu vermeiden, sind dort elektrisch aufladbare Fokussierplatten 19 einander gegenüberliegend angeordnet. Gegebenenfalls können hier auch noch weitere rechtwinklig zu den Fokussierplatten 19 angeordnete Fokussierplatten vorgesehen sein.
Eine abgewandelte Form eines im ganzen mit 1 a bezeichneten Datenspeichers zeigt Fig. 7. Hierbei werden für das physikalische Störverfahren zur Veränderung des molekularen Zustandes der Moleküle elektrische oder magnetische Felder verwendet. In diesem Fall ist die Sonde zur Informationseingabe und/oder Abnahme und/oder zur Löschung durch einander gegenüberliegende, beidseitig der Speichermatrix 5 angeordnete, keilförmige Pole 20 gebildet. Das der Speichermatrix zugewandte Ende der keilförmigen Pole 20 weist dabei, etwa vergleichbar mit den Hohlleitersonden 4 und 6 aus Fig. 1 eine Breite im Nanometer-Dimensionsbereich, z. B. 4 Nanometer und das abgewandte Ende eine Breite im Makrodimensionsbereich (z. B. 4 Mikrometer) auf.
Die Herstellung der Pole 20 kann unter Verwendung der keilförmigen Hohlleitersonden 4 bzw. 6 erfolgen, die dazu praktisch als "Fertigungsform" verwendet werden. Dabei wird in die Hohlleitersonde elektrolytisch Metall abgeschieden und anschließend kann bedarfsweise die "Fertigungsform" entfernt werden. Andererseits besteht aber auch die Möglichkeit, daß sie mit dem Pol 20 verbunden bleibt. Auch bei diesen Polen 20 können an den der Molekülmatrix 5 zugewandten Enden ein oder mehrere Fokussierplatten-Paare angeordnet sein, wie dies in Fig. 7 angedeutet ist.
Bei Verwendung von Magnetfeldern sei noch auf folgendes hingewiesen: Molekulare Permanentmagnete sind aus der Biologie bekannt.
Ein Proteinmolekül mit magnetischen Eigenschaften ist das sogenannten Ferritin, ein Enzyn-Molekül mit ca. 950 Eisenatomen als Kern. Solche stark eisenhaltigen Molekülen mit Dimensionen im Bereich von 5 bis 10 Nanometern können als Permanentmagnet Einheiten eines Magnetspeichers dienen. Die freie Rotationsdiffusion solche Moleküle kann durch vernetzte Kunststoff- oder Lipid-Moleküle als Einbettungsmaterial verhindert oder eingeschränkt werden.
Bei elektrischen Feldern eignen sich zur Erzeugung ortsgebundener elektrischer Ladungen in der Speichermatrix in besonderer Weise gebundene positive Ladungen, also Kation-Speicherplätze, die durch Lichtabsorption oder durch Spannungsstöße erzeugt werden können und durch ein angelegtes elektrisches Permanentfeld oder durch eine Elektronensperre aufrecht erhalten werden können. Für solche translatorisch immobilen Kationenspeicher können sowohl Biomoleküle wie z. B. Cytochrome, Hämoglobin, eisenhaltige Redoxproteine oder manganhaltige Proteine, als auch an eine Kunststoffmatrix kovalent gebundene, mehrwertige Kationen benutzt werden.
Erwähnt sei, daß die Fokussierplatten 19 bzw. die planparallelen Platten für den Hohlleiterspalt 17 mit Hilfe der bereits vorbeschriebenen Aufziehtechnik (Langmuir) gefertigt werden. Die als Schlitzblende dienende Platten 18 bestehen dabei vorzugsweise aus Glas, während die Fokussierplatten 19 innen metallisierte Oberflächen aufweisen. Die Fokussierplatten 19 werden nach der Herstellung über die Sonden geschoben und durch Kunststoffeinlagerungen auf Distanz gehalten und bei den Polen 20 auch gleichzeitig elektrisch isoliert, so daß eine Gegenladung für die Feldeingrenzung der Pole angelegt werden kann.
Alle in der Beschreibung den Ansprüchen und der Zeichnung dargestellten Merkmale können sowohl einzeln als auch in beliebiger Kombination miteinander erfindungswesentlich sein.

Claims (39)

1. Datenspeicher mit einer Speichermatrix, insbesondere Speicher mit hoher Speicherkapazität, dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherzellen (3) der Speichermatrix aus Molekülen besteht, die durch physikalische Störverfahren in ihrem molekularen Zustand veränderbar sind, daß diese jeweiligen molekularen Zustände zeitlich und räumlich fixierbar sind und daß die Informationsabnahme durch physikalische Signale erfolgt.
2. Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zu einer Informationslöschung auf die Moleküle applizierte physikalische Signale vorgesehen sind.
3. Speicher nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Moleküle solche vorgesehen sind, die insbesondere durch Photonenabsorption, Aufnahme elektrischer Ladungen, Magnetisierung, induzierte chemische Strukturveränderungen und dgl. ausgezeichnet sind.
4. Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß für einen Permanent-Speicher ohne Datenlöschmöglichkeit Moleküle vorgesehen sind, deren chemische und/oder physikalische Struktur irreversibel veränderbar bzw. zerstörbar ist.
5. Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß für die Moleküle eine Trägerplatte (2) vorgesehen ist und daß die Moleküle z. B. durch Aufziehen, Aufkondensieren od. dgl. aufgebracht sind.
6. Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß zur Informations-Eingabe und/oder zur Informations-Abnahme und/oder zur Löschung wenigstens eine relativ zur Matrix (5) positionierbare Sonde (4, 6) vorgesehen ist.
7. Speicher, insbesondere nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß als Sonde wenigstens eine Hohlleiter-Sonde (4, 6) für Photonen- oder Teilchenstrahlen vorgesehen ist, die an einem Ende einen Einzelspalt (9) im Makrodimensionsbereich und am anderen Ende einen Einzelspalt (8) im Nanometer-Dimensionsbereich aufweist.
8. Speicher nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Einzelspalt (9) im Makro-Dimensionsbereich eine Spaltbreite von etwa 0,1 bis 1 µm, vorzugsweise 0,4 µm, und der Einzelspalt (8) im Nano-Meter-Dimensionsbereich eine Spaltbreite von etwa 1 bis 10 nm, vorzugsweise 4 nm aufweist.
9. Speicher nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Hohlleiter-Sonde (4, 6) keilförmig ausgebildet ist und daß zumindest zur Bildung des Spaltes im Nanometer-Dimensionsbereich eine Schichtung in Langmuir-Aufziehtechnik vorgesehen ist.
10. Speicher nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung der keilförmigen Hohlleiter-Sonde (4, 6) eine plattenförmige Außenwand (10) z. B. aus Glas mit ggfs. metallisierter Oberfläche, in Langmuir-Technik zunächst auf einer Seite z. B. mit Lipiden oder lipidartigen Molekülen treppenartig beschichtet ist, daß auf die Treppenkanten dieser Treppenschichtung (12) eine zweite plattenförmige Außenwand (16) aufgelegt ist und daß die Außenwände (10, 16) randseitig gegeneinander vorzugsweise durch eine Kunststoffeinbettung od. dgl. fixiert sind.
11. Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß zu der Hohlleiter-Sonde (4, 6) ein weiterer Hohlleiterspalt (17) zur Eingrenzung oder Länge des ersten Hohlleiter-Spaltes gekreuzt angeordnet ist.
12. Speicher nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der weitere Hohlleiterspalt (17) als Schlitzblende ausgebildet ist, die vorzugsweise in Langmuir-Technik mit einer oder mehreren, insbesondere gleichlangen Schichten gebildet ist.
13. Speicher nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Hohlleiterspalte (4, 17) durch gleiche, keilförmige Hohlleiter gebildet sind, die mit ihren Nanometer- Spalten (8) zueinandergewandt sind und vorzugsweise etwa rechtwinklig zueinander verlaufen.
14. Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Speichermatrix (5) auf einer drehbaren Trägerplatte (2) aus für sichtbares Licht oder Infrarotlicht durchlässigem Material aufgebracht ist und daß die Sonde(n) (4, 6, 20) relativ zu dieser Speichermatrix etwa radial postionierbar bzw. bewegbar ist (sind).
15. Speicher nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerplatte mit der Speichermatrix mit einer Rotationsdrehzahl bis etwa 60 000 Umdrehungen pro Minute drehbar ist und daß die Sonde(n) (4, 6, 20) in radialer Richtung mit einer Geschwindigkeit von bis zu einem Millimeter pro Sekunde, vorzugsweise mit etwa einigen Zehntel Millimetern pro Sekunde positionierbar ist (sind).
16. Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß beidseitig der Speichermatrixflächen, einander gegenüberliegend eine Einspeicher-Sonde (4) und auf der anderen Seite eine Abgriffs-Sonde (6) angeordnet sind.
17. Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Moleküle der Speichermatrix zusammen mit einem Einbettungsmaterial, z. B. lipidartigen Substanzen, Kunststoff od. dgl. zur Fixierung in lateraler Richtung aufgetragen sind und/oder, daß eine Abdeckplatte aus lichtdurchlässigem, nichtmagnetischem und nichtleitendem Material vorgesehen ist.
18. Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß für das physikalische Störverfahren zur Veränderung des molekularen Zustandes der Moleküle Photonen-Strahlung (Licht) unterschiedlicher Wellenlänge vorgesehen ist.
19. Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß für das physikalische Störverfahren zur Veränderung des molekularen Zustandes der Moleküle eine Partikel-Strahlung, z. B. mit Elektronen, Protonen oder Alphateilchen vorgesehen ist.
20. Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß für das physikalische Störverfahren zur Veränderung des molekularen Zustandes der Moleküle ein elktrisches oder magnetisches Feld vorgesehen ist.
21. Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von Photonen-Strahlung als physikalisches Störverfahren, am Austritt (8) der Sonde (4) ein rechtwinklig zum Spalt (8) angeordnetes Parallel-Lichtfilter (13), vorzugsweise aus einer Lichtleiterplatte, z. B. aus Acrylglas oder Glas, angeordnet ist und daß vorzugsweise der Außenseiten (22) der Lichtleiterplatte zur Absorption des Streulichtes geschwärzt ist.
22. Speicher nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß in die Parallel-Lichtleiterplatte (3) Substanzen eingelagert sind, die zur Umwandlung von Elektronenstrahlen in sichtbares Licht dienen.
23. Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von Partikelstrahlung als physikalisches Störverfahren, am Austritt (8) der Sonde elektrisch aufladbare Fokussierplatten (19) angeordnet sind.
24. Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 23, dadurch gekennzeichnet, daß an dem der Speichermatrix zugewandten Ende der Hohlleitersonde zwei etwa rechtwinklig zueinander angeordnete Fokussierplatten-Paare vorgesehen sind.
25. Speicher nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß bei einem physikalischen Störverfahren unter Verwendung elektrischer oder magnetischer Felder, die Sonde durch einander gegenüberliegende, beidseitig der Speichermatrix (5) angeordnete, keilförmige Pole (20) gebildet ist.
26. Speicher nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, daß das der Speichermatrix zugewandte Ende der keilförmigen Pole eine Breite im Nanometerdimensionsbereich und das gegenüberliegende Ende eine Breite im Makrodimensionsbereich aufweist.
27. Speicher nach Anspruch 25 oder 26, dadurch gekennzeichnet, daß an den der Speichermatrix (5) zugewandten Enden (21) der keilförmigen Pole (20) ein oder mehrere Fokussierplatten-Paare angeordnet sind.
28. Speicher nach Anspruch 1 bis 27, dadurch gekennzeichnet, daß die verfügbare Speicherkapazität größer als 1 Giga- Byte pro cm2 ist und ggf. bis in den Tera-Bereich reicht.
29. Speicher nach Anspruch 1 bis 28, dadurch gekennzeichnet, daß die Speichermatrix eine Fläche von etwa 30 cm2 bis 400 cm2 aufweist.
30. Speicher nach Anspruch 1 bis 29, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere, vorzugsweise acht Sonden (4, 6) zur Dateneingabe und/oder zur Datenentnahme nebeneinander, synchron positionierbar vorgesehen sind, und daß der Abstand benachbarter Sonden mindestens der Breite des für eine Sonde vorgesehenen Speicherbandes entspricht.
31. Verfahren zur Herstellung eines Datenspeichers mit einer Speichermatrix hoher Speicherkapazität, dadurch gekennzeichnet, daß Moleküle, die durch Photonenabsorption, Aufnahme elektrischer Ladungen, Magnetisierung, induzierte chemische Strukturveränderungen od. dgl. ausgezeichnet sind, auf eine Trägerplatte aufgezogen oder aufkondensiert werden und daß anschließend die Molekül- Matrix fixiert wird.
32. Verfahren nach Anspruch 31, dadurch gekennzeichnet, daß das Fixieren durch kovalente Vernetzung eines Einbettmaterials mit der Trägerplatte und/oder durch eine Abdeckplatte aus lichtdurchlässigem und nichtmagnetischem Material vorgenommen wird.
33. Verfahren zur Herstellung einer Sonde zur Informationseingabe, Informationsabgabe und ggf. Löschung bei einem Datenspeicher hoher Speicherkapazität, der mit Molekülspeichern arbeitet, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung einer keilförmigen Hohlleiter-Sonde eine erste plattenförmige Außenwand auf einer Seite in Langmuir- Technik z. B. mit Lipid-Molekülen treppenartig beschichtet wird, daß auf die Treppenkanten dieser Treppenschichtung eine zweite, plattenförmige Außenwand aufgelegt wird, daß wenn die Außenwände gegeneinander fixiert werden und daß anschließend die treppenartigen Schichten zwischen den Außenwänden herausgelöst werden.
34. Verfahren nach Anspruch 33, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung einer Sonde für elektrische oder magnetische Felder eine in Langmuir-Technik hergestellte Hohlleiter- Sonde als "Fertigungsform" verwendet wird, in die elektrolytisch Metall zur Bildung der Sonde abgeschieden wird.
35. Verfahren zum Herstellen einer Sonde mit Fokussier-Platten nach einem der Ansprüche 31 bis 34, dadurch gekennzeichnet, daß eine erste plattenförmige Außenwand auf einer Seite mit einer oder mehreren Schichten z. B. von Lipid-Molekülen in Langmuir-Technik beschichtet wird, daß anschließend eine zweite plattenförmige Außenwand planparallel zu der ersten Außenwand auf die Beschichtung aufgelegt wird, daß anschließend die Außenwandplatten fixiert werden und daß schließlich die Schichten zwischen den Außenwänden herausgelöst werden.
36. Verfahren zur Herstellung einer Sonde mit einer Schlitzblende nach einem der Ansprüche 31 bis 35, dadurch gekennzeichnet, daß eine erste plattenförmige Außenwand auf einer Seite mit einer metallisierten Schicht versehen wird, daß auf diese Schicht in Langmuir-Technik z. B. mit Lipid-Moleküle eine oder mehrere Schichten aufgetragen wird, daß anschließend eine zweite plattenförmige Außenwand mit einer metallisierten Innenseite mit dieser auf die Beschichtung der ersten Außenwandplatte aufgelegt wird, daß die Außenwandplatte gegeneinander fixiert werden und daß anschließend die in Langmuir- Technik aufgetragenen Abstandhalte-Schichten zwischen den Außenwänden herausgelöst werden.
37. Verfahren nach einem der Ansprüche 31 bis 36, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von Photonen zur Veränderung des molekularen Zustandes der Moleküle zur Einspeicherung Licht mit einer ersten Wellenlänge, zum Abgriff Licht mit einer anderen Wellenlänge und bedarfsweise zur Löschung Licht mit einer dritten Wellenlänge auf die Molekülmatrix appliziert wird.
38. Verfahren nach einem der Ansprüche 31 bis 36, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von magnetischen Feldern zur Veränderung des molekularen Zustandes der Moleküle, zur Einspeicherung bzw. Veränderung ein Magnetsignal zum Magnetisieren oder Ummagnetisieren appliziert wird und daß das Auslesen durch Störung eines angelegten Permanentmagnetfeldes erfolgt.
39. Verfahren nach einem der Ansprüche 31 bis 36, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von elektrischen Ladungen zur Veränderung des molekularen Zustandes der Moleküle ein Signal zur Ladungstrennung appliziert wird und daß das Auslesen durch Störung eines permanent angelegten elektrischen Feldes erfolgt.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0354499A2 (de) * 1988-08-11 1990-02-14 BASF Aktiengesellschaft Verfahren zur Informationsspeicherung
EP0363147A2 (de) * 1988-10-04 1990-04-11 Canon Kabushiki Kaisha Gerät und Verfahren zur Aufzeichnung und Wiedergabe und Aufzeichnungsmedium für das Aufzeichungs- und Wiedergabeverfahren
EP0381158A2 (de) * 1989-02-02 1990-08-08 Olympus Optical Co., Ltd. Speichervorrichtung
FR2643492A1 (fr) * 1989-02-17 1990-08-24 Schlumberger Ind Sa Procede et systemes d'enregistrement optique
EP0457168A2 (de) * 1990-05-16 1991-11-21 BASF Aktiengesellschaft Verfahren zur zeitlich stabilen Markierung einzelner Atome oder Atomgruppen einer Festkörperoberfläche sowie Verwendung dieses Verfahrens zur Speicherung von Informationseinheiten im atomaren Bereich
EP0568753A1 (de) * 1992-05-07 1993-11-10 International Business Machines Corporation Optische Speichereinheit mit hoher Datendichte und Informations-, Schreib- und Leseverfahren
WO1999041746A1 (fr) * 1998-02-13 1999-08-19 Adam Francois Procede et dispositif pour la deterioration de disques d'enregistrement
EP1211680A2 (de) * 2000-12-01 2002-06-05 Hewlett-Packard Company Datenspeichervorrichtung

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0354499A3 (de) * 1988-08-11 1991-02-13 BASF Aktiengesellschaft Verfahren zur Informationsspeicherung
EP0354499A2 (de) * 1988-08-11 1990-02-14 BASF Aktiengesellschaft Verfahren zur Informationsspeicherung
EP0363147A2 (de) * 1988-10-04 1990-04-11 Canon Kabushiki Kaisha Gerät und Verfahren zur Aufzeichnung und Wiedergabe und Aufzeichnungsmedium für das Aufzeichungs- und Wiedergabeverfahren
EP0363147A3 (de) * 1988-10-04 1991-07-17 Canon Kabushiki Kaisha Gerät und Verfahren zur Aufzeichnung und Wiedergabe und Aufzeichnungsmedium für das Aufzeichungs- und Wiedergabeverfahren
EP0381158A3 (de) * 1989-02-02 1992-05-27 Olympus Optical Co., Ltd. Speichervorrichtung
EP0381158A2 (de) * 1989-02-02 1990-08-08 Olympus Optical Co., Ltd. Speichervorrichtung
FR2643492A1 (fr) * 1989-02-17 1990-08-24 Schlumberger Ind Sa Procede et systemes d'enregistrement optique
EP0457168A3 (en) * 1990-05-16 1992-08-12 Basf Aktiengesellschaft Method for the temporary stable marking of individual atoms or atom groups as well as utilisation of this method for storing information units in the atomic domain
EP0457168A2 (de) * 1990-05-16 1991-11-21 BASF Aktiengesellschaft Verfahren zur zeitlich stabilen Markierung einzelner Atome oder Atomgruppen einer Festkörperoberfläche sowie Verwendung dieses Verfahrens zur Speicherung von Informationseinheiten im atomaren Bereich
EP0568753A1 (de) * 1992-05-07 1993-11-10 International Business Machines Corporation Optische Speichereinheit mit hoher Datendichte und Informations-, Schreib- und Leseverfahren
US5461600A (en) * 1992-05-07 1995-10-24 International Business Machines Corporation High-density optical data storage unit and method for writing and reading information
US5598387A (en) * 1992-05-07 1997-01-28 International Business Machines Corporation High-density optical data storage unit and method for writing and reading information
WO1999041746A1 (fr) * 1998-02-13 1999-08-19 Adam Francois Procede et dispositif pour la deterioration de disques d'enregistrement
FR2775113A1 (fr) * 1998-02-13 1999-08-20 Francois Adam Procede et dispositif pour la deterioration de disques d'enregistrement
EP1211680A2 (de) * 2000-12-01 2002-06-05 Hewlett-Packard Company Datenspeichervorrichtung
EP1211680A3 (de) * 2000-12-01 2003-08-27 Hewlett-Packard Company Datenspeichervorrichtung

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