DE3604894C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft integrierte Solarzellen nach dem
Oberbegriff des Patentanspruches 1 sowie ein Verfahren zur
Herstellung solcher Zellen.
Halbleiterschichten aus amorphen Silizium wurden zum
Zwecke einer Anwendung als Halbleiterschichten in Solarzellen
in großem Umfang untersucht, da sie sich gleichmäßig
in einem großen Bereich auf einer Unterlage bei
niederer Temperatur durch Glimmentladungsabscheidung
von Siliziumwasserstoffgas (Silan) oder dergleichen aufbringen
lassen und dabei die verschiedenartigsten Substrate
oder Unterlagen, beispielsweise Glas, Polymerisatfilme,
keramische Platten und Metallfolien Anwendung finden können.
Als Grundaufbau einer Solarzelle aus amorphem Silizium ist
ein Laminat aus einer metallischen Elektrodenschicht,
einer amporphen Silizium-Halbleiterschicht und einer
transparenten Elektrodenschicht bekannt, wobei das Laminat
auf einer der voranstehenden Unterlagen aufgebracht
ist.
Es ist verhältnismäßig einfach, eine amorphe Siliziumschicht
auf einem bandähnlichen Substrat mit einer Metallelektrodenschicht
abzuscheiden, wenn die obenerwähnten
Merkmale der filmartigen Abscheidung von amorphem Silizium
Anwendung finden und dabei von Rolle zu Rolle gearbeitet
wird, wie dies beispielsweise in der
japanischen Patentveröffentlichung (Kokai) Nr. 59-34 668
und US-PS 44 38 723 beschrieben ist. Auch kann dabei ein
Verfahren mit drei getrennten Kammern Anwendung finden,
wie es in der Zeitschrift "Japanese Journal of Applied
Physics, Vol. 21, No. 3, S. 413 (1982), beschrieben ist.
Es ist ferner auch einfach, eine transparente Elektrodenschicht
auf der amorphen Silizium-Halbleiterschicht auszubilden,
und zwar beispielsweise durch Abscheidung
eines elektrisch leitenden, durchsichtigen Oxids.
Um das sich so ergebende Laminat als elektrische Stromquelle
verwenden zu können, ist die Ausbildung von Anschlußklemmen
für Zuführleitungen an der Metallelektrodenschicht
und der transparenten Elektrodenschicht erforderlich.
Um ferner einen hohen Spannungsausgang, wie
er für praktische Anwendungszwecke erforderlich ist,
zu erzielen, muß das Laminat oder eine Solarzelle in
Einheitszellen unterteilt werden. Diese Einheitszellen
werden durch elektrische Verbindung einer Metallelektrodenschicht
einer Einheitszelle mit einer transparenten
Elektrodenschicht der benachbarten Einheitszelle hintereinandergeschaltet.
Die Ausgangsspannung einer solchen
Solarzelle liegt nämlich in der Größenordnung von lediglich
0,6 bis 5 V, und zwar unabhängig von ihrer Größe.
In diesen Fällen wird gewöhnlich die metallische oder
untere Elektrodenschicht des Laminats zunächst freigelegt
und anschließend mit der durchsichtigen oder oberen
Elektrodenschicht des Laminats verbunden. Zur Freilegung
der metallischen Elektrodenschicht wurden folgende Verfahren
vorgeschlagen:
- a) Anwendung einer Metallmaskierung während der Abscheidung der amorphen Siliziumschicht (Kausche u. a., US-PS 42 45 386).
- b) Entfernung eines Teils der amorphen Siliziumschicht durch einen nassen oder trockenen Ätzprozeß nach Abscheidung der amorphen Siliziumschicht.
- c) Entfernung eines Teils lediglich der amorphen Siliziumschicht durch Bestrahlung mit einem Laserstrahl, um sie nach ihrer Abscheidung zu schmelzen und zu verdampfen (S. Yamazaki u. a., "Mask-Less Fabrication of a Si Solar Cell Using Laser Scribe Process", IEEE, Photovoltaic Specialist Conference, May 1984, S. 206 bis 211).
Von diesen Verfahren eignet sich das Verfahren a) nicht
für ein Arbeiten von Rolle zu Rolle in großtechnischem
Maßstab. Selbst bei einem Abscheideprozeß von amorphem
Silizium ergibt das Verfahren a) kein gutes Muster und
kann nur in unbefriedigendem Maße die Oberfläche der
Metallelektrodenschicht in elektrisch gutem Zustand teilweise
freilegen, weil die Erhitzung während der Abscheidung
des amorphen Siliziums einen guten Kontakt zwischen
der Unterlage und der Maske verhindert, und zwar aufgrund
der unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten.
Infolgedessen wird amorphes Silizium im Raum
zwischen der Unterlage und der Maske abgeschieden.
Weiterhin ist es schwierig, eine Abweichung der Maskenausrichtung
innerhalb 0,5 mm zu steuern.
Das Verfahren b) läßt sich anwenden, wenn es mit der
Beschichtung eines Ätzgrundes und dessen Abätzung kombiniert
wird. Es eignet sich jedoch nicht für die Herstellung
von Solarzellen bei niedrigen Kosten in einer
Massenproduktion, da zahlreiche Verfahrensschritte erforderlich
sind, beispielsweise das Beschichten des Ätzgrundes,
dessen Belichtung, Abwaschen und Ätzen.
Darüber hinaus verlangen integrierte Solarzellen, die
nach dem Verfahren a) oder b) hergestellt sind, die
Bereitstellung großer Bereiche für einen Verbindungsteil,
an dem die Einheitszellen miteinander verbunden
werden. Hierdurch wird der aktive Bereiche reduziert und
somit auch die Flächenausbeute der integrierten Solarzellen.
Die Verwendung eines Laserstrahls zur Zerteilung eines
Laminats oder einer großen Solarzelle in Einheitszellen
ermöglicht eine Auswahl der Breite der Nut, welche die
Zellen unterteilt im Bereich zwischen einigen Zehntel
und mehreren Hundertstel Mikrometern durch Steuerung
des optischen Systems. Somit ist eine genaue Unterteilung
in Einheitszellen in einem gewünschten Muster
unter Zuhilfenahme eines Computersteuersystems möglich,
wobei das System mit Bezug auf die herzustellenden Muster
entsprechend programmiert ist. Ferner ist unter Zuhilfenahme
bewegter Spiegel oder optischer Glasfasern in
einem optischen System eine Unterteilung einer Solarzelle
au einem breiten, kontinuierlich verlaufenden,
bandähnlichen Substrat möglich. Daher gestattet das
Verfahren c) bei der Unterteilung einer Solarzelle die
Erreichung einer guten Produktivität.
Es wurden Versuche unternommen, einen Laserstrahl bei
der Unterteilung einer Solarzelle zu benutzen. Es wurde
gefunden, daß die Metallelektrodenschicht durch einen
Laserstrahl beschädigt wird, der für das Schmelzen und
Verdampfen der Siliziumschicht auf der Metallschicht
erforderlich ist, und zwar selbst dann, wenn die metallische
Elektrodenschicht aus einem Metall mit hohem
Schmelzpunkt bestand. Dieses Phänomen zerstörte den
elektrischen Oberflächenzustand der Metallelektrodenschicht.
Wenn die Metallelektrodenschicht aus einem Metall mit
niederem Schmelzpunkt bestand, war die selektive Entfernung
der Siliziumschicht unmöglich. Darüber hinaus
trat eine Hitzebeschädigung der amorphen Siliziumschicht
rund um den Teil heraum auf, an dem mit dem Laserstrahl
bestrahlt wurde. Insbesondere wurde durch Raman-
Spektrometrie gefunden, daß dort eine Kristallisierung
der amorphen Siliziumschicht auftrat. Bei auftretender
Kristallisation in der Siliziumschicht wurde die Dunkelleitfähigkeit
im kristallisierten Bereich gesteigert
und pin-Übergänge in diesem Bereich wurden gestört, was
letzten Endes zu einem Verschwinden des Gleichrichtungseffektes
führte. Die in der Solarzelle erzeugte, elektromotorische
Kraft ging daher im kristallisierten Teil
nach dem durch Laserstrahlung vollzogenen Einritz- oder
Anreißverfahren verloren. Ferner ergab eine Beobachtung
eines Teils des unterteilten Abschnitts mit einem abtastenden
Elektronenmikroskop, daß die untere Metallelektronenschicht
und die obere durchsichtige Elektrodenschicht
durch Verschmelzung elektrisch miteinander
verbunden war. Auch dies war ein Grund für die Zerstörung
der Kenndaten der Solarzelle.
Die Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, integrierte
Solarzellen mit verbesserter Verbindung der Einheitszellen
vorzuschlagen, die in einem trockenen, maskenlosen Verfahren
durch Laserstrahlbehandlung herstellbar sind, sowie
spezielle Verfahrensmaßnahmen zur Herstellung solcher
Solarzellen anzugeben.
Die Aufgabe wird bei integrierten Solarzellen gemäß dem
Oberbegriff des Patentanspruchs 1 durch die kennzeichnenden
Merkmale dieses Anspruchs gelöst. Die Unteransprüche 2-22
betreffen bevorzugte Ausführungen von integrierten Solarzellen
und die Unteransprüche 23-30 bevorzugte Verfahrensmaßnahmen
zur Herstellung der Solarzellen.
Bei den integrierten Solarzellen gemäß der Erfindung
verhindert der isolierende Streifen eine Beschädigung
der betreffenden Einzelschichten durch Laserstrahlung
und somit eine Beschädigung oder Zerstörung der Solarzellen.
Daher werden die Solarzellen nicht beeinträchtigt,
selbst wenn ein Laserstrahl-Anreißverfahren benutzt
wird, um eine Solarzelle anzutreiben. Weiterhin
ermöglicht die Verwendung eines isolierenden Streifens,
der insbesondere aus für den Laserstrahl durchlässigem
Material besteht, ein selektives Durchschneiden der
das Laminat bildenden Schichten. Das ganze Laminat läßt
sich durch einen Laserstrahl hoher Leistung durchschneiden.
Die nachstehende Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen
der Erfindung dient im Zusammenhang mit beiliegender
Zeichnung der weiteren Erfindung.
Es zeigen
Fig. 1A bis 1F Schnittansichten zur Darstellung
der wesentlichen Verfahrensschritte
zur Herstellung integrierter
Solarzellen,
Fig. 2 eine Draufsicht von Mustern für
eine Laser-Einritzung zur Ausbildung
von Nuten in den integrierten Solarzellen,
Fig. 3 eine Draufsicht von Mustern für
eine Verbindungs- und Kollektorelektrode
an den integrierten Solarzellen,
Fig. 4A und 4B Schnittansichten einer Solarzelle
und von Zellen gemäß Ausführungsbeispiel
1 während der Herstellung von
Zellen,
Fig. 5 eine grafische Darstellung der Strom-
Spannungs-Kennlinie von Solarzellen
gemäß Ausführungsbeispiel 1,
Fig. 6 eine perspektivische Ansicht integrierter
Solarzellen gemäß Ausführungsbeispiel
2 und
Fig. 7 eine Schnittansicht integrierter Solarzellen
gemäß Ausführungsbeispiel 3.
In einem integrierten Solarzellenverband gemäß der Erfindung
kann als Substrat oder Unterlage irgendein elektrisch
isolierendes Material verwendet werden, beispielsweise
ein aus Polymerisat bestehender Film, eine keramische
Schicht, eine Glasschicht oder eine Metallfolie,
auf welche eine isolierende Schicht aufgebracht ist.
Vorzugsweise findet ein Film aus Polymerisat in Gestalt
eines Bandes Anwendung, auf dem die ein Laminat bildenden
Schichten einer Solarzelle nacheinander abgeschieden
werden können, und zwar während des Vorlaufs des Bandes
in einem sogenannten "Von-Rolle-zu-Rolle"-Verfahren,
welches sich insbesondere auch für eine Massenproduktion
eignet. Es kann sich dabei um einen Polymeriat-Film
beliebiger Art handeln, solange er nur die Hitzebeständigkeit
und den Wärmewiderstand aufweist, der für die
Abscheidung der Laminatschichten erforderlich ist. Beispielsweise
können zur Ausbildung der Unterlagen Filme
aus Polyäthylenterephthalat (PET), Polyäthylennaphthalat
(PEN), aus Polyimid, aus Polyestersulphon, aus Polyamid
oder dergleichen verwendet werden. Diese Filme haben
ausgezeichnete mechanische Eigenschaften und werden bevorzugt
eingesetzt.
Bei der unteren oder oberen Elektrodenschicht kann es sich
um eine einfache oder um eine laminierte Schicht handeln,
die aus einem Metall, beispielsweise Aluminium, Silber,
Titan, Wolfram, Kobalt, Chrom, Nickel oder aus Legierungen
dieser Metalle, beispielsweise aus Nickel und
Chrom sowie aus rostfreiem Stahl bestehen kann.
Eine laminierte Schicht aus Aluminium (Al) und rostfreiem
Stahl (SS) oder allgemein eine laminierte
Schicht aus einer Metallschicht, beispielsweise Aluminium
oder Silber mit ausgezeichneter elektrischer Leitfähigkeit
und aus einem schwer schmelzbaren Metall oder einer
Legierungsschicht mit einem Schmelzpunkt von 1000°C oder
mehr, finden bevorzugt Anwendung, da eine solche Schicht
ein hohes Lichtreflexionsvermögen aufweist und einen
guten Kontakt mit einer Halbleiterschicht ausbildet.
Die Dicke der Metallelektrodenschicht beträgt vorzugsweise
0,3 µm oder mehr, um auf diese Weise ihren elektrischen
Widerstand zu reduzieren und eine ausreichende
mechanische Festigkeit zu gewährleisten.
Gewöhnlich ist eine der unteren oder oberen Elektrodenschichten,
gewöhnlich die obere Elektrodenschicht, eine
transparente Schicht, die aus einem an sich bekannten
Material bestehen kann. Geeignet sind beispielsweise
Indiumoxid, Zinnoxid, Cadmiumstannat, Indiumzinnoxid
oder dergleichen. Diese Materialien können als einfache
oder auch als laminierte Schicht vorgesehen werden. Ein
Laminat aus einer dünnen Metallschicht und einer dielektrischen
Schicht, beispielsweise TiO₂/Ag/TiO₂ können
ebenfalls eingesetzt werden.
Als lichtempfindliche Halbleiterschicht eignet sich für
die Erfindung irgendeine Schicht, die bei Lichteinfall
zu einer elektrischen Spannung führt. Ein Beispiel hierfür
ist eine an sich bekannte Schicht aus amorphem Silizium des
pin-Typs. Diese Schicht wird durch Plasma-CVD hergestellt,
unter Verwendung einer Glimmentladungsabscheidung von Silan-
Gas, Disilan-Gas oder dergleichen. In diesem Falle bedeutet
eine Schicht des pin-Typs einen Stapel aus einer
p-dotierten Schicht, einer eigentlichen (undotierten)
Siliziumschicht und einer n-dotierten Schicht. Die
Schicht kann auch viellagige Tnademstrukturen aufweisen,
beispielsweise pin/pin oder pin/pin/pin und kann eine
Halbleiterschicht mit enger oder weiter Bandlücke aufweisen,
beispielsweise amorphe Silizium-Germanium-Legierung,
amorphes Siliziumcarbid oder nicht einkristallines Silizium,
falls gewünscht. Erfindungsgemäß wird eine photoempfindliche
Schicht aus einem amorphen Halbleitermaterial bevorzugt.
Jedoch wird auch eine lichtempfindliche Schicht aus
einem kristallinen Halbleitermaterial bei Ausübung der
Erfindung nicht ausgeschlossen.
Ein isolierender Streifen, wie er bei integrierten Solarzellen
gemäß der Erfindung Anwendung findet, sollte eine
Breite größer als diejenige der mit Laserstrahlung eingeritzten
Nut haben, um die Ausbildung von Kurzschlüssen
und Leckströmen in der Nähe dieser Nut zu verhindern.
Der isolierende Streifen hat vorzugsweise eine Dicke im
Bereich von 0,5 µm bis 50 µm. Unterhalb 0,5 µm Dicke kann
die Ausbildung von Kurzschlüssen und Leckströmen zwischen
den oberen und unteren Elektrodenschichten nicht verhütet
werden. Oberhalb 50 µm Dicke bildet der Streifen eine
Stufe, welche eine gleichförmige Abscheidung der oberen
Elektrodenschicht und/oder Ausbildung der Verbindungselektrode
über der oberen Elektrodenschicht schwierig
macht.
Für den isolierenden Streifen wird bevorzugt ein isolierendes
Harz, beispielsweise ein Epoxy-Harz, ein Polyimid-
Harz oder ein Polyester-Harz verwendet.
Die Abscheidung des isolierenden Streifens läßt sich vorteilhafterweise
durch Siebdruck ausführen.
Wie bereits angegeben, kann der isolierende Streifen mit
Bezug auf den Laserstrahl durchlässig oder undurchlässig
sein. Ein transparenter Streifen ist vorteilhaft, wenn
Schichten zu beiden Seiten des Streifens geschnitten
werden sollen, da dann der für das Schneiden erforderliche
Laserstrahl schwach (geringe Leistung) sein kann.
Ein undurchlässiger Streifen hat den Vorteil, daß er
die Auswahl niederer oder hoher Leistung des Laserstrahls
ermöglicht und somit die Auswahl der Schnittiefe in dem
mit dem Laserstrahl bestrahlten Laminat. Dies bedeutet,
daß lediglich eine Schicht oder Schichten, die an einer
Seite des undurchlässigen Streifens vorliegen, geschnitten
werden, wenn der Laserstrahl geringe Leistungsdichte
hat. Schichten an beiden Seiten des undurchlässigen
Streifens werden geschnitten, wenn der Laserstrahl
eine hohe Energiedichte besitzt. Somit ermöglicht ein
undurchsichtiger Streifen die Auswahl der Schnittiefe
dadurch, daß man die Energiedichte des Laserstrahls entsprechend
wählt. Darüber hinaus erleichtert ein undurchlässiger
Streifen grundsätzlich die Ausbildung einer Nut
mit vorgegebener Tiefe in einem Laminat, in dem der
Streifen sandwichartig eingebaut ist. Ferner erleichtert
ein undurchlässiger Streifen die Auffindung eines zu
schneidenden oder mit einem Laserstrahl zu bestrahlenden
Abschnitts. Dies ist insbesondere vorteilhaft bei der
Musterausbildung und bei der Herstellung eines Moduls
aus Solarzellen.
Unter Verwendung eines Laserstrahls mit optimaler Leistungsdichte
kann eine Solarzelle in gewünschte Muster unterteilt
werden.
Irgendein Laser, welcher Licht mit einer Wellenlänge im
Bereich von 0,2 bis 2 µm erzeugt, kann benutzt werden,
weil die Laminatschichten einer Solarzelle in der Lage
sind, einen solchen Laserstrahl wirksam zu absorbieren.
Ein Yttrium-Aluminium-Granat-(YAG)-Laser, wie er in der
Industrie weit verbreitet Anwendung findet, wird bevorzugt.
Eine zusätzliche Verbindungselektrode oder Kollektorelektrode
besteht gewöhnlich aus einer leitfähigen
Schicht, zusammengesetzt hauptsächlich aus einem Metall
wie Gold, Silber, Kupfer, Aluminium oder Nickel oder
einer Legierung hiervon. Diese Verbindungselektrode wird
an der oberen Elektrodenschicht durch Dampfabscheidung
von Metallen ausgebildet, beispielsweise durch Vakuumverdampfung,
Zerstäubung oder dergleichen. Hieran
schließt sich die Ausbildung eines Musters unter Verwendung
einer Maske an. In diesem Falle soll die Schicht
vorzugsweise eine Dicke von 0,5 µm oder mehr haben.
Alternativ kann eine Verbindungselektrode auch durch
chemische Plattierung oder dergleichen hergestellt
werden. In diesem Fall ist die Dicke der Schicht ähnlich
wie oben. Weiterhin kann die Anwendung eines elektrisch
leitfähigen Harzes mit einem Gehalt an Gold-, Silber-,
Kupfer-, Aluminium- oder Nickelpulver durch Siebdruck
oder dergleichen erfolgen. Dies wird bevorzugt aufgrund
der Tatsache, daß diese Herstellungsmöglichkeit in einem
kontinuierlichen Verfahren eingesetzt werden kann. Die
Dicke einer aufgedruckten leitfähigen Schicht sollte
wegen einer guten elektrischen Leitfähigkeit 5 µm oder
mehr betragen. Der Laser oder Laserstrahl, der für die
Verschweißung eines Laminats aus einer unteren Elektrodenschicht,
einer Halbleiterschicht und einer oberen
Elektrodenschicht sowie wahlweise einer Verbindungselektrode,
wobei dieser Laser zur Herstellung eines
ohmschen Kontaktes zwischen den unteren und oberen
Elektrodenschichten oder der Verbindungselektrode eingesetzt
wird, ist ähnlich demjenigen Laser oder Laserstrahl
zur Durchführung der Eintritts- oder Anreißverfahren,
wie sie oben erwähnt wurden. Der Laserstrahl
wird gewöhnlich von oben her auf die obere Elektrodenschicht
oder die Verbindungselektkrode gerichtet, obwohl
auch eine Bestrahlung von der Rückseite der Unterlage
her erfolgen kann, falls die Unterlage mit Bezug
auf den Laserstrahl durchlässig ist. Die für diesen
Schweißvorgang erforderliche Leistungs- oder Energiedichte,
wobei ein ohmscher Kontakt hergestellt wird,
sollte anhand der Erfahrung bestimmt werden, da diese
Dichte von der Strahlungsorientierung, der Dicke der
Elektrodenschicht und dergleichen abhängt. Die
Energiedichte des Laserstrahls sollte in einem solchen
Bereich gewählt werden, daß er die untere Elektrodenschicht,
die Halbleiterschicht und die obere Elektrodenschicht
und, falls vorhanden, die Verbindungselektrode
schmilzt, obwohl es nicht unbedingt erforderlich
ist, daß die Elektrodenschicht und die Verbindungselektrode
vollständig schmelzen.
Bei dem Isoliermaterial, welches in die Nut eingefüllt
wird, kann es sich um irgendein Isoliermaterial handeln.
Normalerweise findet ein Isolierharz, wie beispielsweise
Epoxy-Harz, Polyamid-Harz, Polyimid-Harz und Polyester-
Harz Einsatz.
Das Ausfüllen der Nut mit dem Isoliermaterial kann mit
Hilfe an sich bekannter Methoden erfolgen, beispielsweise
durch Beschichten oder durch Siebdruck. Siebdruck
wird wegen seiner hohen Produktivität bevorzugt.
Obwohl es nicht erforderlich ist, daß das Isoliermaterial
die Nut vollständig füllt, wird dieses Material
doch so in die Nut eingefüllt, daß seine Oberfläche im
wesentlichen bündig mit der Oberfläche der Solarzellen
liegt, um auf diese Weise eine stabile Zwischenverbindung
erzeugen zu können. In praktischen Fällen wird das
Isoliermaterial vorzugsweise so eingefüllt, daß sich
ein Niveauunterschied innerhalb 100 µm, insbesondere
innerhalb 50 µm zwischen der Oberfläche der eingefüllten
Isolierschicht und der Solarzellenoberfläche ergibt.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung
werden integrierte Solarzellen vorgesehen, bei denen
ein auf einer Unterlage angeordnetes Laminat aus einer
oberen Elektrodenschicht, einer lichtempfindlichen Halbleiterschicht
und einer unteren Elektrodenschicht durch
eine mit Laserstrahlung eingespritzte Nut, welche das gesamte
Laminat durchquert, in Einheitszellen unterteilt
wird. Ferner ist eine zweite durch Laserstrahlung eingeritzte
Nut vorgesehen, welche die obere Elektrodenschicht
neben der und parallel mit der ersten Nut durchquert,
um auf diese Weise einen Verbindungsteil zwischen
den ersten und zweiten Nuten auszubilden, welcher der
gegenseitigen Verbindung der beiden Einheitszellen neben
diesen Nuten dient. Weiterhin wird eine Verbindungselektrode
auf der oberen Elektrodenschicht ausgebildet,
welche die beiden Seiten der ersten Nut überbrückt. Die
Verbindungselektrode und die untere Elektrodenschicht
werden in Reihe geschaltet, und zwar mittels eines ohmschen
Kontaktes, der durch Laserverschweißung im Verbindungsteil
hergestellt wird. Natürlich sind isolierende
Streifen normalerweise zwischen der oberen Elektrodenschicht
und der Halbleiterschicht entlang den ersten
und zweiten Nuten vorgesehen. Weiterhin werden die
ersten und zweiten Nuten vorzugsweise mit Isoliermaterial
gefüllt.
Bei dem obigen Aufbau der integrierten Solarzellen verringert
die Verwendung eines Laser-Anreißverfahrens
Strahlungsschäden durch einen Laserstrahl während des
Aufbringens des Musters. Infolgedessen erhöht sich die
Ausbeute der wirksamen Unterteilung des Laminats beträchtlich.
Dies liegt daran, daß lediglich ein einziger
Verfahrensschritt zur Unterteilung nach Ausbildung
aller das Laminat der Solarzellen bildenden
Schichten erforderlich ist. Andererseits war im Stand
der Technik eine Beschädigung der das Laminat bildenden
Schichten häufig dadurch veranlaßt, daß mehrere Unterteilungsschritte
ausgeführt werden mußten, nachdem
jeweils die betreffende Schicht des Laminats hergestellt
war. Da weiterhin die Zwischenverbindung zwischen den
Einheitszellen durch Laserschweißung im Verbindungsabschnitt
zwischen den ersten und zweiten Nuten erfolgt,
ist eine ausreichende elektrische Verbindung in einem
sehr kleinen Bereich erreicht, was wiederum zu einem
großen aktiven Bereich führt, was bedeutet, daß die
erfindungsgemäßen integrierten Solarzellen einen solchen
aktiven Bereich von großer Ausdehnung haben. Insbesondere
bei integrierten Solarzellen mit Kollektorelektrode
läßt sich eine Sammel- oder Stromschiene der Kollektorelektrode
als Verbindungsteil anwenden, wo die Laserverschweißung
durchgeführt wird. Infolgedessen ist für die
Verbindung zwischen den Einheitszellen kein zusätzlicher
Bereich erforderlich, so daß nahezu keine Reduzierung
des aktiven Bereiches eintritt. In diesem Falle ist die
Ausbildung der zweiten Nut oder des Verbindungsteils
entlang der ersten Nut, nämlich der die Einheitszellen
abteilenden Nut, kritisch.
Die Ausbildung der Verbindungselektrode durch Siebdruck
ermöglicht eine große Produktivitätssteigerung und
weiterhin eine Vergrößerung des aktiven Bereichs, der
als Solarzelle ausnutzbar ist.
Die Ausfüllung der Nut mit Isoliermaterial gestattet
eine Verbesserung der Aufteilung des Laminats einer
Solarzelle. Die Breite des Verbindungsteils kann dabei
reduziert werden.
Die Herstellung der obenerwähnten Ausführungsbeispiele
integrierter Solarzellen gemäß der Erfindung wird nachstehend
im Zusammenhang mit Fig. 1A bis 1F, Fig. 2 und
Fig. 3 beschrieben.
Wie die Fig. 1A zeigt, ist eine untere Elektrodenschicht
2, gewöhnlich eine Metallschicht, auf einer Unterlage 1
ausgebildet. Bei der Unterlage handelt es sich gewöhnlich
um ein Band aus Polyäthylenterephthalat (PET). Eine lichtempfindliche
Halbleiterschicht 3, gewöhnlich eine halbleitende,
amorphe Siliziumschicht des pin-Typs wird anschließend
auf der unteren Elektrode 2 ausgebildet, und
zwar gewöhnlich durch ein Glimmentladungsverfahren.
Wie die Fig. 1B und 2 zeigen, werden isolierende Streifen
4 a und 4 b, normalerweise Streifen aus isolierendem Harz,
auf der Halbleiterschicht 3 ausgebildet, und zwar in
einem vorgegebenen Muster. Die Ausbildung dieser Streifen
erfolgt beispielsweise durch Siebdruck. Die Fig. 2 zeigt
ein Ausführungsbeispiel des Musters, in welchem die
isolierenden Streifen bei drei Einheitszellen C verlaufen,
die aus einem Quadrat von 10×10 cm abgeteilt
sind und zum Zwecke der Ausbildung eines integrierten
Moduls M hintereinandergeschaltet werden. Das Muster der
isolierenden Streifen ist natürlich nicht auf das Muster
gemäß Fig. 2 beschränkt. Weiterhin können die isolierenden
Streifen auch zwischen der unteren Elektrode 2 und
der Halbleiterschicht, anstatt zwischen der oberen
Elektrodenschicht und der Halbleiterschicht 3 angeordnet
werden. Die isolierenden Streifen 4 a und 4 b bestehen vorzugsweise
aus dem gleichen Material, welches sich für
einstufigen Druck eignet, und sind mit Bezug auf einen
Laserstrahl undurchlässig, so daß ein selektives Einschneiden
lediglich einer auf dem Streifen ausgebildeten,
oberen Elektrodenschicht oder ein Schneiden des gesamten
Laminats aus der unteren Elektrodenschicht 2, der Halbleiterschicht
3 und einer oberen Elektrodenschicht ermöglicht
ist.
Wie Fig. 1C zeigt, ist eine obere Elektrodenschicht 5,
gewöhnlich eine transparente, elektrisch leitende
Elektrodenschicht, gleichmäßig über der Halbleiterschicht
3 und den isolierenden Streifen 4 a und 4 b ausgebildet.
Wie die Fig. 1D zeigt, läßt man Laserbündel berechneter
Energiedichte in die isolierenden Streifen 4 a bzw. 4 b
eindringen und diesen Streifen entlanglaufen ("scanning").
Hierdurch ergibt sich eine erste Nut 6, welche das
Laminat 2, 3 und 5 in Einheitszellen unterteilt. Eine
zweite, sich so ergebene Nut 7 unterteilt die obere Elektrodenschicht
5 und bilden dementsprechend einen Verbindungsteil
A zwischen den Nuten 6 und 7. Die Nut 7 braucht
sich nicht über die gesamte Länge der Nut 6 hinweg zu
erstrecken.
Wie die Fig. 1E zeigt, werden die Nuten 6 und 7 mit
einem Isoliermaterial 8 gefüllt, gewöhnlich ein isolierendes
Harz. Die Füllung erfolgt vorzugsweise durch
Siebdruck. Das isolierende Harz kann das gleiche Harz
sein, welches auch die isolierenden Streifen 4 a und 4 b
bildet.
Gemäß Fig. 1F und Fig. 3 wird eine Verbindungs- und
Kollektorelektrode mit einem Strom- oder Sammelschienenteil
10 und einem Fingerelektrodenteil 9, welche die in
Fig. 3 dargestellte Gestalt haben, auf der oberen Elektrodenschicht
5 ausgebildet. In diesem Falle wirkt der
Sammelschienenteil 10 nicht nur als Sammelschiene für
den fingerförmigen Teil 9, sondern verbindet auch wahlweise
zusammen mit dem Fingerelektrodenteil 9 die Einheitszelle
C und den Verbindungsteil A miteinander.
Der Sammelschienenteil 10 und der Fingerelektrodenteil
9 bestehen bevorzugt aus leitfähigem Harz. Anschließend
erfolgt eine Laserverschweißung im Verbindungsteil
A zwischen den mit Isoliermaterial 8 gefüllten Nuten 6
und 7, so daß sich zwischen dem Sammelschienenteil 10
und der unteren Elektrodenschichten 2 ein ohmscher Kontakt
ergibt. Auf diese Weise stellt man eine elektrische Verbindung
zwischen benachbarten Einheitszellen her. Die
Laserverschweißung kann in Form einer Punktschweißung
oder einer kontinuierlichen, linearen Schweißung vorgenommen
werden.
Schließlich werden die sich so ergebenden, integrierten
Solarzellen mit einem Kunstharz beschichtet, in dem sie
eingekapselt werden.
Jeder der voranstehenden Verfahrensschritte läßt sich ausführen,
während eine flexible, bandartige Unterlage von
einer Rolle zu einer anderen Rolle überführt wird. Weiterhin
lassen sich einige oder alle der zuvor erwähnten
Verfahrensschritte nacheinander ausführen, während
eine flexible, bandartige Unterlage von einer Rolle zu
einer anderen Rolle überführt wird.
Die Fig. 4A und 4B zeigen Schnittansichten amorpher
Silizium-Solarzellen. In diesem Ausführungsbeispiel
wurde ein PET-Film in Form eines Bandes als Unterlage
21 benutzt. Das PET-Filmband kann in einem "Von-Rolle-
zu-Rolle"-Verfahren angewandt werden und eignet sich
insbesondere für eine Massenfertigung. Das PET-Filmband
hatte eine Dicke von 100 µm.
Die Unterlage 21 wurde in einen Gleichstrom-Magnetron-
Sprühapparat eingebracht. Eine metallische Doppelschicht
bestehend aus einer Aluminiumschicht mit einer Dicke von
0,5 µm und einer Schicht aus rostfreiem Stahl (SS) mit
einer Dicke von 1 nm bis 30 nm wurden nacheinander auf
der Unterlalge 21 in Argon-Atmosphäre abgeschieden, wobei
diese Atmosphäre einen Druck in der Größenordnung von
10-3 Torr hatte. Auf diese Weise wurde die metallische
Elektrodenschicht 22 hergestellt.
Als amorphe Silizium-Halbleiterschicht 23 wurde eine
Photovolta-Schicht mit an sich bekanntem pin-Aufbau
benutzt. Diese Schicht wurde auf der metallischen Elektrodenschicht
22 durch Glimmentladungsabscheidung von
Silan-Gas oder dergleichen ausgebildet, ähnlich wie in
der japanischen Patentveröffentlichung
(Kokai) Nr. 59-34 668 beschrieben. Die amorphe Silizium-
Halbleiterschicht 23 des pin-Typs wurde so hergestellt,
daß nacheinander auf der Metallelektrodenschicht 22,
die ihrerseits auf der Unterlage 21 ausgebildet war,
folgende Schichten abgeschieden wurden: Eine mit der Bor (B)
dotierte Schicht des p-Typs mit einer Dicke von 30 nm,
eine eigentliche (intrinsic) Schicht mit einer Dicke von
0,5 µm und eine phosphor-(P)-dotierte Schicht des n-Typs
mit einer Dicke von 15 nm.
Als Isolierstreifen zwischen der amorphen Silizium-Halbleiterschicht
23 und einer transparenten Elektrodenschicht
25 wurde eine Epoxy-Harzschicht 24 mit einem
vorgegebenen Muster ausgebildet. Dieser Streifen diente
dem Einritzen durch Laserstrahlung und hatte eine Dicke
von 15 µm. Das Aufbringen des Streifens auf die amorphe
Silizium-Halbleiterschicht 23 erfolgte durch Siebdruck.
Eine Indium-Zinnoxid-(ITO)-Schicht wurde als transparente
Elektrodenschicht 25 mit einer Dicke von etwa 60 nm auf
der amorphen Silizium-Halbleiterschicht 23 und dem Epoxy-
Harzstreifen 24 abgeschieden, und zwar durch Zersprühen
oder Elekronenstrahlverdampfung. Auf diese Weise ergab
sich eine Solarzelle mit folgenden Aufbau: PET/Al/SS//
amorphes Silizium des pin-Typs//in einem Muster verlaufendes
Epoxy-Harz//ITO. Dieser Aufbau ist in Fig. 4A
dargestellt.
Anschließend wurde die Solarzelle dieses Aufbaues mit
einer quadratischen Abmessung von 10×10 cm mit einem
Laserstrahlbündel abgetastet. Das Laserstrahlbündel
stammte aus einem YAG-Laser. Die Abtastung erfolgte
entlang dem Epoxy-Harzstreifen 24. Der mit dem Laser
bestrahlte Teil der Solarzelle wurde geschmolzen und
verdampft, so daß sich eine Nut 26 ergab, die von der
transparenten Elektrodenschicht 25 bis zur metallischen
Elektrodenschicht 22 reichte. Es ergaben sich somit
zwei Zellen von jeweils rechteckiger Form mit den Abmessungen
5×10 cm. Bei dem YAG-Laser handelte es sich
um einen Impulslaser mit Q-Schaltung. Das abtastende
Laserstrahlbündel hatte eine durchschnittliche Leistung
von 0,8 W und eine Impulsfrequenz von 2 kHz. Die Abtastung
erfolgte mit einer Geschwindigkeit von 80 mm/sec.
Die Strom-Spannungs-Kennlinien der sich so ergebenden
Zellen mit den Abmessungen 5×10 cm wurden nach Herstellung
der Zellenunterteilung gemessen. Die Ergebnisse
sind als Kurve B in Fig. 5 dargestellt. In dieser Figur
zeigt die Kurve A die gleiche Kennlinie für die 10×10 cm
große Zelle vor ihrer Unterteilung. Die Kurve C zeigt
die gleiche Kennlinie einer Zelle der Abmessung 5×10 cm,
die sich durch Unterteilung einer 10×10 cm großen Zelle
ergibt und den gleichen Aufbau wie im Ausführungsbeispiel 1
mit der Ausnahme hat, daß kein Epoxy-Harzstreifen 24
vorgesehen ist. Die Abtastung durch Laserstrahlbündel
erfolgte ebenso wie im Ausführungsbeispiel 1.
Aus Fig. 5 geht hervor, daß die Kennlinien erfindungsgemäßer
Solarzellen nach Unterteilung in zwei Teile
mittels Laserstrahlbündel praktisch überhaupt nicht
reduziert waren.
Die Solarzellen gemäß Ausführungsbeispiel 1 der Erfindung
wurden in Luft während 30 Minuten auf 150°C erwärmt,
nachdem die Unterteilung in zwei Teilzellen vollzogen war.
Die sich daraus ergebenden Solarzellen wiesen nahezu die
gleichen Kennlinien, wie sie die Kurve A wiedergibt, auf.
Dies sind die Kennlinien einer Solarzelle vor ihrer Zerlegung
in zwei Teile. Eine Hitzebehandlung von 120°C bis
zu 200°C ergab ähnliche Resultate.
Bei der Ausführungsform gemäß Fig. 6 werden nacheinander
wie im Ausführungsbeispiel 1 eine metallische Elektrodenschicht
32, eine amorphe Silizium-Halbleiterschicht 33
und eine transparente Elektrodenschicht 35 auf einer PET-
Bandunterlage 31 ausgebildet. Jedoch betrug die Dicke
der Al- und SS-Schichten in der Metallelektrodenschicht
32 0,5 µm bzw. 10 nm.
Die Halbleiterschicht 33 weist Epoxy-Harzstreifen 34 a
und 34 b auf, die auf der Schicht angeordnet werden, bevor
die transparente Elektrodenschicht 35 abgeschieden
wird, so daß die Streifen zwischen den Schichten 33 und
35 liegen. Die Epoxy-Harzstreifen 34 a und 34 b sind
schwarz und gegenüber einem YAG-Laserstrahlbündel undurchlässig.
Sie haben eine Breite von 1,0 mm und eine
Dicke von 15 µm. Das Muster der Streifen 34 a, 34 b wird
durch Siebdruck aufgebracht und entspricht demjenigen
der Fig. 2, was bedeutet, daß das Muster eine Zelle von
10×10 cm in drei Zellen unterteilt. Der Zwischenraum
zwischen den Streifen beträgt 2,0 mm.
Durch Einritzen mittels Laserstrahlung wurde eine
erste Nut 36 ausgebildet, welche die Zelle in Einheitszellen
unterteilte. In gleicher Weise wurde eine zweite
Nut 37 zur Ausbildung eines Verbindungsteils A hergestellt.
Bei Ausbildung der Nuten wurde ein YAG-Laser
benutzt. Es wurde ein gepulstes Laserstrahlbündel mit
Q-Schaltung und einer Frequenz von 2 kHz benutzt. Der
Durchmesser des Strahlenbündels war 100 µm. Die maximale
Leistung eines Laserimpulses betrug 1 kW. Die Scanning-
Geschwindigkeit betrug 3,2 cm/sec. Der Laserstrahl mit
seiner maximalen Leistung von 1 kW wurde benutzt, um
das gesamte Laminat 32, 33, 34 und 35 durchzuschneiden.
Ein Laserstrahlbündel mit einer maximalen Leistung von
150 W diente dazu, lediglich die transparente Elektrodenschicht
35 zu durchschneiden.
Somit war die Zelle in drei Einheitszellen mit einer
Größe von 3,3×10 cm unterteilt. Die Breite des Verbindungsteils
A oder des Zwischenraums zwischen den
beiden Nuten 36, 37 betrug 2,0 mm.
Anschließend wurden die isolierenden Streifen 39 a und
39 b aus Epoxy-Harz in die durch Laseranreißen hergestellten
Nuten 36, 37 eingebracht, und zwar mittels
Siebdruck. Die isolierenden Streifen 39 a und 39 b bestanden
aus dem gleichen Material und hatten das gleiche
Muster wie die Streifen 34 a und 34 b. Die Breite und
Dicke der Epoxy-Streifen 39 a und 39 b betrug 2 mm bzw.
12 µm. Diese Streifen 39 a und 39 b boten eine bequeme
Möglichkeit, daß die Verbindungs- und Kollektorelektrode
die Einheitszelle C und den Verbindungsteil A überbrückte,
ohne daß dabei Kurzschlüsse auftraten.
Nach dem Siebdruck wurde eine Silber-Harz-Paste auf die
transparente Elektrodenschicht 35 in den folgenden Mustern
und mit einer Dicke von 13 µm durch Siebdruck aufgeschichtet.
Die in einem Muster angeordnete Silber-Harz-Paste
bildete eine Verbindungs- und Kollektorelektrode 38 mit
einem Sammelschienenabschnitt 38 a und einem Fingerelektrodenabschnitt
38 b. Der Sammelschienenabschnitt 38 a
erstreckte sich entlang dem Verbindungsteil A. Der Fingerelektrodenabschnitt
38 b verlief ausgehend von dem Sammelschienenabschnitt
38 auf der transparenten Elektrodenschicht
35 der abgeteilten Einheitszelle. Der Sammelschienenabschnitt
38 a und der Fingerelektrodenabschnitt
38 b hatten Breiten von 1,0 mm bzw. 0,2 mm.
Dann wurde ein Laserstrahlbündel L unter den gleichen
Bedingungen, wie oben erwähnt, entlang dem Verbindungsteil
A über den Sammelschienenabschnitt 38 a geführt,
mit der Ausnahme, daß die maximale Leistung des Laserimpulses
2 kW betrug. Als Resultat hiervon ergab sich
ein guter ohmscher Kontakt zwischen dem Sammelschienenabschnitt
38 a und der metallischen Elektrodenschicht 32,
wie in Fig. 6 dargestellt. Dies ergibt sich auch klar
aus Tabelle 1, welche die Kenndaten eines Solarzellenmoduls
aus drei hintereinandergeschalteten Zellen
wiedergibt. Die Messung der Kenndaten wurde unter Zuhilfenahme
eines Solar-Simulators mit einer Leistungsdichte
von 100 mW/cm² und einer Luftmasse (AM) von 1
ausgeführt. Zum Vergleich wurde ein Solarzellenmodul
mit den gleichen Bestandteilen wie in diesem Ausführungsbeispiel
gemessen, wobei der Modul jedoch mit
Hilfe eines Maskierungsverfahrens hergestellt war. Auch
die Ergebnisse der Vergleichsmessungen sind in Tabelle 1
dargestellt.
Aus Tabelle 1 geht hervor, daß der erfindungsgemäße
Modul eine Ausbeute und einen Füllfaktor aufweist, die
den entsprechenden Werten des durch ein Maskierungsverfahren
hergestellten Moduls äquivalent sind. Dies
zeigt, daß eine gute Unterteilung in zwei Teile und ein
guter ohmscher Kontakt in den erfindungsgemäßen integrierten
Solarzellen erreicht sind, wobei diese Zelle
durch Laser-Anreißen und -Verschweißen hergestellt sind.
Es war möglich, Solarzellen mit den gleichen Eigenschaften
wie in diesem Ausführungsbeispiel herzustellen,
auch wenn ein Laserstrahlbündel von der Rückseite des
PET-Films her aufgebracht wurde. In diesem Falle läßt
sich ein ähnlicher Effekt der Laserschweißung erreichen
mit der Ausnahme, daß die maximale Leistung des Laserimpulses
500 W beträgt. Die anderen Bedingungen sind die
gleichen wie oben, da ein volles Aufschmelzen der Silber-
Harzschicht des Sammelschienenabschnittes 38 a nicht erforderlich
ist.
Ähnliche wie im Ausführungsbeispiel 1 wurden gemäß Fig. 7
eine PET-Filmunterlage 41, eine Al/SS-Metallelektrodenschicht
42, eine lichtempfindliche, amorphe Silizium-
Halbleiterschicht 43 des pin-Typs und eine transparente
Elektrodenschicht 45 ausgebildet. Epoxy-Harzstreifen
44 a und 44 b wurden ähnlich wie die entsprechenden Streifen
im Beispiel 2 ausgebildet mit der Ausnahme, daß der
Zwischenraum zwischen den Streifen 44 a und 44 b 3,0 mm
betrug. Durch Laser-Anreißen wurden ähnlich wie in Beispiel
1 erste und zweite Nuten 47 und 46 ausgebildet,
mit der Ausnahme, daß eine Durchschnittsleistung des
Laserstrahlbündels von 0,8 W für die Öffnung der
ersten Nut 47 Anwendung fand. Diese Nut reicht von der
transparenten Elektrodenschicht 45 bis zur Metallelektrodenschicht
42. Eine Durchschnittsleistung des Laserstrahlenbündels
von 0,2 W wurde benutzt, um die zweite
Nut 46 zu öffnen, welche lediglich die transparente
Elektrodenschicht 45 durchdringt.
In diesem Falle wurde keine Laserschweißung zur Verbindung
der unteren und oberen Elektrodenschichten 42 und
45 im Verbindungsteil A benutzt. Stattdessen wurde eine
Messerschneide aus rostfreiem Stahl gegen die Oberfläche
der Zelle gehalten, mit einem vorgegebenen Kontaktdruck
gegen die Zelle gepreßt und in horizontaler Richtung
entlang dem Verbindungsteil A oder den ersten und
zweiten Nuten 47 oder 46 bewegt. Auf diese Weise
wurden V-förmige Nuten 48 mit einer oberen Breite von
etwa 100 µm ausgebildet, die sich ausgehend von der
transparenten Eletrodenschicht 45 bis zur Metallelektrodenschicht
42 erstreckten. Die Ausbildung der
V-förmigen Nuten 48 erfolgte mit gleichförmiger Dichte.
Hierdurch wurde die Metallelektrodenschicht 42 freigelegt.
Unter Verwendung des gleichen Epoxy-Harzes wie bei den
Streifen 44 a und 44 b und mit Hilfe von Siebdruck wurden
die ersten und zweiten Nuten 46 und 47 mit dem Epoxy-
Harz 49 gefüllt, und zwar in vorgegebenen Mustern und
mit einer Breite und Dicke von 1,0 mm bzw. 10 µm.
Eine Silber-Harz-Paste wurde durch Siebdruck mit ähnlichen
Mustern wie in Beispiel 2 aufgebracht und bildete
die Verbindungs- und Kollektorelektrode 50, die
ihrerseits einen Sammelschienenabschnitt 50 a und Fingerelektrodenabschnitt
50 b umfaßte und die V-förmigen
Nuten 48 mit Silber-Harz-Paste 50 füllte.
Die Funktionen des sich so ergebenden Moduls aus drei
hintereinandergeschalteten Solarzellen wurden unter
einem Solarsimulator bei AM von 1 und bei 100 mW/cm²
gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 dargestellt.
Funktionen | |
Wert | |
Ausbeute (%) | |
6,07 | |
Spannung bei offener Schaltung (V) | 2,09 |
Kurzschlußstrom (mA) | 316,4 |
Füllfaktor (%) | 56,0 |
Zum Vergfleich wurden Moduln mit drei hintereinandergeschalteten
Solarzellen des gleichen Aufbaus mit der
Ausnahme, daß die Nuten 46 und 47 nicht mit Epoxy-
Harz gefüllt waren, hergestellt und unter den gleichen
Bedingungen, wie oben angegeben, mit Hilfe eines Solarsimulators
gemessen. Das Ergebnis bestand darin, daß
einige Moduln einen Spannungsausgang von Null hatten.
Dies war durch die Kurzschlüsse innerhalb der Nuten 47
veranlaßt.
Dieses Ausführungsbeispiel war dem Ausführungsbeispiel 2
ähnlich mit der Ausnahme, daß die ersten und zweiten
Nuten mit dem schwarzen Polyester-Harz gefüllt wurden. Die
Dicke der isolierenden Streifen aus Polyester betrug
12 µm. Der Zwischenraum zwischen den Polyesterstreifen
oder die Breite des Verbindungsteils war 2 mm. Die maximale
Stärke eines Laserstrahlbündels zum Durchschneiden
der transparenten Elektrodenschicht betrug 200 W. Die
Breite und Dicke des Polyester-Harzes, welches durch
Siebdruck aufgebracht wurde und die ersten und zweiten
Nuten füllte, war 2 mm bzw. 12 µm. Die Dicke der Verbindungs-
und Kollektorelektrode betrug 15 µm.
Das Verhalten des sich so ergebenden Moduls aus drei
hintereinandergeschalteten Solarzellen wurde unter einem
Solarsimulator bei einer Luftmasse (AM) von 1 und 100
mW/cm² gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 3 dargestellt.
Funktionen | |
Wert | |
Aktiver Bereich (cm²) | |
78,5 | |
Ausbeute (%) | 6,2 |
Spannung bei offener Schaltung (V) | 2,68 |
Kurzschlußstrom (mA) | 320,30 |
Füllfaktor (%) | 56,7 |
Claims (30)
1. Integrierte Solarzellen mit einem auf einer Unterlage
angeordneten Laminat aus einer unteren Elektrodenschicht,
einer lichtempfindlichen Halbleiterschicht
und einer oberen Elektrodenschicht und mit mehreren
hintereinandergeschalteten Einheitszellen, wobei
wenigstens die unteren und oberen Elektrodenschichten
zur Ausbildung der Einheitszellen unterteilt sind und
die Hintereinanderschaltung durch elektrische Verbindung
der unteren Elektrodenschicht einer Einheitszelle
benachbarter Einheitszellen mit der oberen
Elektrodenschicht einer anderen Einheitszelle dieser
benachbarten Einheitszellen hergestellt ist,
dadurch gekennzeichnet,
daß wenigstens die obere Elektrodenschicht (5) oder
die Halbleiterschicht (3) des Laminats eine durch
Laserstrahlung in einem bestimmten Muster eingeritzte
Nut (6, 7) aufweist, und entlang diesem Muster ein
isolierender Streifen (4 a, 4 b) zwischen der oberen
Elektrodenschicht und der Halbleiterschicht und/oder
zwischen der unteren Elektrodenschicht (2) und der
Halbleiterschicht angeordnet ist.
2. Solarzellen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der isolierende Streifen (4 a, 4 b) eine Dicke von
0,5 µm bis 50 µm besitzt.
3. Solarzellen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der isolierende Streifen (4 b) für einen Laserstrahl
undurchlässig ist.
4. Solarzellen nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
daß der undurchlässige, isolierende Streifen (4 b)
zwischen der oberen Elektrodenschicht (5) und der
Halbleiterschicht (3) sowie entlang und unter einer
durch Laserstrahlung eingeritzten Nut (7) angeordnet
ist, welche die obere Elektrodenschicht durchquert,
jedoch in die Halbleiterschicht nicht eindringt.
5. Solarzellen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die durch Laserstrahlung eingeritzte Nut (6)
das Laminat durchquert.
6. Solarzellen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß wenigstens eine der unteren und oberen Elektrodenschichten
(2, 5) aus einem durchsichtigen, elektrisch
leitenden Material besteht.
7. Solarzellen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Unterlage (1) ein biegsames, elektrisch
isolierendes Band ist.
8. Solarzellen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die lichtempfindliche Halbleiterschicht (3) aus
amorphem Silizium besteht.
9. Solarzellen nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet,
daß die lichtempfindliche Halbleiterschicht (3)
amorphe Siliziumschichten des p-, i- und n-Typs umfaßt.
10. Solarzellen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das Laminat eine erste Nut (6) aufweist, die
wenigstens die untere Elektrodenschicht (2) durchquert
und das Laminat in Einheitszellen unterteilt,
daß eine von diesen benachbarten Einheitszellen eine
neben und parallel zu der ersten Nut verlaufende
zweite Nut (7) aufweist, die wenigstens die obere
Elektrodenschicht (5), jedoch nicht die untere Elektrodenschicht
durchquert und der Ausbildung eines
Verbindungsteils (A) zwischen der ersten und zweiten
Nut dient, und daß die oberen und unteren Elektrodenschichten
in diesem Verbindungsteil elektrisch miteinander
verbunden sind, wobei die obere Elektrodenschicht
des Verbindungsteils mit der oberen Elektrodenschicht
einer anderen der benachbarten Einheitszellen
elektrisch verbunden ist.
11. Solarzellen nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet,
daß die erste Nut (6) die untere Elektrodenschicht
(2), die Halbleiterschicht (3) und die obere Elektrodenschicht
(5) durchquert, und daß die obere Elektrodenschicht
des Verbindungsteils (A) elektrisch mit
der oberen Elektodenschicht einer anderen der benachbarten
Einheitszellen über eine Verbindungselektrode
(9, 10) verbunden ist, welche auf den jeweiligen
oberen Elektrodenschichten ausgebildet ist
und diese miteinander verbindet.
12. Solarzellen nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet,
daß die Verbindungselektrode (9, 10) aus Gold, Silber,
Kupfer, Aluminium oder Nickel oder aus einer Legierung
dieser Metalle oder aus einem elektrisch leitenden
Harz gefertigt ist.
13. Solarzellen nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet,
daß die Verbindungselektrode die Gestalt eines Kammes
mit einem Steg (10) und davon abstehenden Zähnen (9)
hat, und daß der Steg des Kammes entlang dem Verbindungsteil
(A) verläuft und die Zähne des Kammes von
dem Steg auf die obere Elektrodenschicht der Einheitszelle
reichen.
14. Solarzellen nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet,
daß die erste Nut (6) durch Laserstrahlung eingeritzt
ist.
15. Solarzellen nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet,
daß die zweite Nut (7) durch Laserstrahlung eingeritzt
ist.
16. Solarzellen nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet,
daß die isolierenden Streifen (4 a, 4 b) zwischen der
oberen Elektrodenschicht (5) und der Halbleiterschicht
(3) und/oder zwischen der unteren Elektrodenschicht
(2) und der Halbleiterschicht (3) entlang
der ersten bzw. zweiten Nut (6, 7) angeordnet sind.
17. Solarzellen nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet,
daß die ersten und zweiten Nuten (6, 7) mit einem
elektrisch isolierendem Material (8) gefüllt sind.
18. Solarzellen nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet,
daß die elektrische Verbindung zwischen den oberen
und unteren Elektrodenschichten im Verbindungsteil
(A) durch Laserverschweißung des Laminats in dem Verbindungsteil
vorgenommen ist.
19. Solarzellen nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet,
daß die elektrische Verbindung zwischen den oberen
und unteren Elektrodenschichten im Verbindungsteil
(A) durch Laserverschweißung des Laminats und der
Verbindungselektrode entlang dem Steg (10) des
Kammes vorgenommen ist.
20. Solarzellen nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet,
daß die lichtempfindliche Halbleiterschicht (3) aus
amorphem Silizium besteht.
21. Solarzellen nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet,
daß die lichtempfindliche Halbleiterschicht (3)
amorphe Siliziumschichten des p-, i- und n-Typs umfaßt.
22. Solarzellen nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet,
daß die Unterlage (1) ein flexibles, elektrisch
isolierendes Band ist.
23. Verfahren zur Herstellung integrierter Solarzellen
nach einem der voranstehenden Ansprüche mit einem
auf einer Unterlage angeordneten Laminat aus einer
unteren Elektrodenschicht, einer lichtempfindlichen
Halbleiterschicht und einer oberen Elektrodenschicht
und mit mehreren hintereinandergeschalteten Einheitszellen,
wobei die Hintereinanderschaltung durch
elektrische Verbindung der unteren Elektrodenschicht
einer Einheitszelle benachbarter Einheitszellen mit
der oberen Elektrodenschicht einer anderen Einheitszelle
dieser benachbarten Einheitszelle hergestellt
ist, gekennzeichnet durch folgende
Schritte:
man bildet auf der Unterlage das Laminat aus;
man ordnet hierbei zwischen der lichtempfindlichen Halbleiterschicht und der oberen oder unteren Elektrodenschicht erste und zweite isolierende Streifen an, wobei diese Streifen in bestimmten Mustern verlaufen;
man ritzt in das Laminat mittels Laserstrahlung entlang dem Muster des ersten Streifens eine erste Nut ein, welche das Laminat in die Einheitszellen zerteilt;
man ritzt in die obere Elektrodenschicht mittels Laserstrahlung entlang dem Muster des zweiten Streifens eine zweite Nut ein, welche die obere Elektrodenschicht parallel zur ersten Nut zerteilt;
man füllt die erste und zweite Nut mit elektrisch isolierendem Material;
man bildet auf der oberen Elektrodenschicht und dem in die erste Nut eingefüllten Isoliermaterial eine Verbindungs- und Kollektorelektrode in Gestalt eines Kammes mit einem Steg und davon ausgehenden Zähnen aus, wobei der Steg dieser Elektrode auf der oberen Elektrodenschicht zwischen der ersten und zweiten Nut aufruht und die Zähne vom Steg auf die obere Elektrodenschicht der benachbarten Einheitszelle reichen;
man verbindet durch Laserschweißung die Verbindungs- und Kollektorelektrode und das Laminat zwischen der ersten und zweiten Nut, um so einen ohmschen Kontakt zwischen dieser Elektrode und der unteren Elektrodenschicht herzustellen.
man bildet auf der Unterlage das Laminat aus;
man ordnet hierbei zwischen der lichtempfindlichen Halbleiterschicht und der oberen oder unteren Elektrodenschicht erste und zweite isolierende Streifen an, wobei diese Streifen in bestimmten Mustern verlaufen;
man ritzt in das Laminat mittels Laserstrahlung entlang dem Muster des ersten Streifens eine erste Nut ein, welche das Laminat in die Einheitszellen zerteilt;
man ritzt in die obere Elektrodenschicht mittels Laserstrahlung entlang dem Muster des zweiten Streifens eine zweite Nut ein, welche die obere Elektrodenschicht parallel zur ersten Nut zerteilt;
man füllt die erste und zweite Nut mit elektrisch isolierendem Material;
man bildet auf der oberen Elektrodenschicht und dem in die erste Nut eingefüllten Isoliermaterial eine Verbindungs- und Kollektorelektrode in Gestalt eines Kammes mit einem Steg und davon ausgehenden Zähnen aus, wobei der Steg dieser Elektrode auf der oberen Elektrodenschicht zwischen der ersten und zweiten Nut aufruht und die Zähne vom Steg auf die obere Elektrodenschicht der benachbarten Einheitszelle reichen;
man verbindet durch Laserschweißung die Verbindungs- und Kollektorelektrode und das Laminat zwischen der ersten und zweiten Nut, um so einen ohmschen Kontakt zwischen dieser Elektrode und der unteren Elektrodenschicht herzustellen.
24. Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet,
daß die ersten und zweiten isolierenden Streifen
durch Siebdruck hergestellt werden.
25. Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet,
daß das Isoliermaterial zur Füllung der ersten und
zweiten Nuten durch Siebdruck aufgebracht wird.
26. Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet,
daß die Verbindungs- und Kollektorelektrode durch
Siebdruck ausgebildet wird.
27. Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet,
daß als Unterlage ein flexibles, elektrisch isolierendes
Band verwendet wird.
28. Verfahren nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet,
daß alle Verfahrensschritte ausgeführt werden, während
das flexible Band von einer Rolle auf eine andere
Rolle überführt wird.
29. Verfahren nach Asnpruch 27, dadurch gekennzeichnet,
daß die lichtempfindliche Halbleiterschicht mehrere
Schichten aus amorphem Silizium umfaßt und diese
Schichten nacheinander ausgebildet werden, während
das flexible Band von einer Rolle auf eine andere
überführt wird.
30. Verfahren nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet,
daß nur einige Verfahrensschritte nacheinander ausgeführt
werden, während das flexible Band von einer
Rolle auf eine andere überführt wird.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60026426A JPS61187377A (ja) | 1985-02-15 | 1985-02-15 | 非晶質太陽電池の分割加工方法 |
JP60053255A JPS61214483A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | 集積型太陽電池の製造方法 |
JP60082172A JPS61241981A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
JP60101540A JPS61260681A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | 非晶質太陽電池及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3604894A1 DE3604894A1 (de) | 1986-08-21 |
DE3604894C2 true DE3604894C2 (de) | 1989-06-08 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19863604894 Granted DE3604894A1 (de) | 1985-02-15 | 1986-02-15 | Integrierte solarzellen und verfahren zu ihrer herstellung |
Country Status (3)
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DE (1) | DE3604894A1 (de) |
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Families Citing this family (117)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4594471A (en) * | 1983-07-13 | 1986-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
US4783421A (en) * | 1985-04-15 | 1988-11-08 | Solarex Corporation | Method for manufacturing electrical contacts for a thin-film semiconductor device |
JPS63119586A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
US4769086A (en) * | 1987-01-13 | 1988-09-06 | Atlantic Richfield Company | Thin film solar cell with nickel back |
DE3712589A1 (de) * | 1987-04-14 | 1988-11-03 | Nukem Gmbh | Verfahren zur herstellung von in reihe verschalteten duennschicht-solarzellen |
US4854974A (en) * | 1987-06-29 | 1989-08-08 | Solarex Corporation | Electrical contacts for a thin-film semiconductor device |
DE3727826A1 (de) * | 1987-08-20 | 1989-03-02 | Siemens Ag | Serienverschaltetes duennschicht-solarmodul aus kristallinem silizium |
US4873201A (en) * | 1987-12-10 | 1989-10-10 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for fabricating an interconnected array of semiconductor devices |
US4965655A (en) * | 1987-12-10 | 1990-10-23 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Interconnected semiconductor devices |
MY104396A (en) * | 1988-02-05 | 1994-03-31 | Minnesota Mining & Mfg | Method for manufacturing an amorphous silicon thin film solar cell and schottky barrier diode on a common substrate. |
US5155565A (en) * | 1988-02-05 | 1992-10-13 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for manufacturing an amorphous silicon thin film solar cell and Schottky diode on a common substrate |
US4940495A (en) * | 1988-12-07 | 1990-07-10 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Photovoltaic device having light transmitting electrically conductive stacked films |
DE69024304T2 (de) * | 1989-09-06 | 1996-07-18 | Sanyo Electric Co | Herstellungsverfahren für eine biegsame photovoltaische Vorrichtung |
JPH03124067A (ja) * | 1989-10-07 | 1991-05-27 | Showa Shell Sekiyu Kk | 光起電力装置およびその製造方法 |
JPH0423364A (ja) * | 1990-05-15 | 1992-01-27 | Showa Shell Sekiyu Kk | 鏡として利用可能な光起電力装置 |
JP3035565B2 (ja) * | 1991-12-27 | 2000-04-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜太陽電池の作製方法 |
US6459032B1 (en) | 1995-05-15 | 2002-10-01 | Daniel Luch | Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
US7732243B2 (en) * | 1995-05-15 | 2010-06-08 | Daniel Luch | Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
US20080314433A1 (en) * | 1995-05-15 | 2008-12-25 | Daniel Luch | Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
US5547516A (en) * | 1995-05-15 | 1996-08-20 | Luch; Daniel | Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
JP3017422B2 (ja) * | 1995-09-11 | 2000-03-06 | キヤノン株式会社 | 光起電力素子アレー及びその製造方法 |
JPH09260695A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-10-03 | Canon Inc | 光起電力素子アレーの製造方法 |
US6338809B1 (en) * | 1997-02-24 | 2002-01-15 | Superior Micropowders Llc | Aerosol method and apparatus, particulate products, and electronic devices made therefrom |
JPH11243224A (ja) | 1997-12-26 | 1999-09-07 | Canon Inc | 光起電力素子モジュール及びその製造方法並びに非接触処理方法 |
JP2002520818A (ja) | 1998-07-02 | 2002-07-09 | アストロパワー | シリコン薄膜,集積化された太陽電池,モジュール,及びその製造方法 |
US20030148024A1 (en) * | 2001-10-05 | 2003-08-07 | Kodas Toivo T. | Low viscosity precursor compositons and methods for the depositon of conductive electronic features |
JP3247876B2 (ja) * | 1999-03-09 | 2002-01-21 | 日本板硝子株式会社 | 透明導電膜付きガラス基板 |
US8138413B2 (en) | 2006-04-13 | 2012-03-20 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
US8222513B2 (en) | 2006-04-13 | 2012-07-17 | Daniel Luch | Collector grid, electrode structures and interconnect structures for photovoltaic arrays and methods of manufacture |
US6239352B1 (en) * | 1999-03-30 | 2001-05-29 | Daniel Luch | Substrate and collector grid structures for electrically interconnecting photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
US8076568B2 (en) | 2006-04-13 | 2011-12-13 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
US20090111206A1 (en) | 1999-03-30 | 2009-04-30 | Daniel Luch | Collector grid, electrode structures and interrconnect structures for photovoltaic arrays and methods of manufacture |
US7635810B2 (en) | 1999-03-30 | 2009-12-22 | Daniel Luch | Substrate and collector grid structures for integrated photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
US8664030B2 (en) | 1999-03-30 | 2014-03-04 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
US20090107538A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-04-30 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
US7507903B2 (en) | 1999-03-30 | 2009-03-24 | Daniel Luch | Substrate and collector grid structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
US7898053B2 (en) | 2000-02-04 | 2011-03-01 | Daniel Luch | Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
US8198696B2 (en) | 2000-02-04 | 2012-06-12 | Daniel Luch | Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
US7898054B2 (en) | 2000-02-04 | 2011-03-01 | Daniel Luch | Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
EP1253644A1 (de) * | 2001-04-23 | 2002-10-30 | Diego Dr. Fischer | Vorrichtung zum Erzeugen elektrischer Energie und Herstellungsverfahren |
US20030108664A1 (en) * | 2001-10-05 | 2003-06-12 | Kodas Toivo T. | Methods and compositions for the formation of recessed electrical features on a substrate |
DE10239845C1 (de) * | 2002-08-29 | 2003-12-24 | Day4 Energy Inc | Elektrode für fotovoltaische Zellen, fotovoltaische Zelle und fotovoltaischer Modul |
JP4368151B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2009-11-18 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール |
DE602004032509D1 (de) * | 2004-01-13 | 2011-06-16 | Sanyo Electric Co | Photovoltaisches Bauelement |
JP2005276857A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-10-06 | Kyocera Corp | 光電変換装置およびその製造方法 |
US8334464B2 (en) | 2005-01-14 | 2012-12-18 | Cabot Corporation | Optimized multi-layer printing of electronics and displays |
WO2006076611A2 (en) * | 2005-01-14 | 2006-07-20 | Cabot Corporation | Production of metal nanoparticles |
US7824466B2 (en) * | 2005-01-14 | 2010-11-02 | Cabot Corporation | Production of metal nanoparticles |
US8167393B2 (en) | 2005-01-14 | 2012-05-01 | Cabot Corporation | Printable electronic features on non-uniform substrate and processes for making same |
US8383014B2 (en) | 2010-06-15 | 2013-02-26 | Cabot Corporation | Metal nanoparticle compositions |
US7323699B2 (en) * | 2005-02-02 | 2008-01-29 | Rave, Llc | Apparatus and method for modifying an object |
US7755157B2 (en) * | 2005-03-29 | 2010-07-13 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device and manufacturing method of photovoltaic device |
CN101156251B (zh) * | 2005-04-11 | 2012-01-11 | 欧瑞康太阳能股份公司(特吕巴赫) | 太阳能电池模块及其封装方法 |
US20070144577A1 (en) * | 2005-12-23 | 2007-06-28 | Rubin George L | Solar cell with physically separated distributed electrical contacts |
JP5025135B2 (ja) | 2006-01-24 | 2012-09-12 | 三洋電機株式会社 | 光起電力モジュール |
JP5081389B2 (ja) * | 2006-02-23 | 2012-11-28 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置の製造方法 |
US7498508B2 (en) * | 2006-02-24 | 2009-03-03 | Day4 Energy, Inc. | High voltage solar cell and solar cell module |
US9236512B2 (en) | 2006-04-13 | 2016-01-12 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
US8729385B2 (en) | 2006-04-13 | 2014-05-20 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
US9865758B2 (en) | 2006-04-13 | 2018-01-09 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
US8884155B2 (en) | 2006-04-13 | 2014-11-11 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
US8822810B2 (en) | 2006-04-13 | 2014-09-02 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
US9006563B2 (en) | 2006-04-13 | 2015-04-14 | Solannex, Inc. | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
US8105643B2 (en) * | 2006-05-31 | 2012-01-31 | Cabot Corporation | Process for printing features with smaller dimensions |
TWI466304B (zh) * | 2006-07-07 | 2014-12-21 | Energy Related Devices Inc | 與球形光伏特電池彈性耦合的微型集中器 |
US20080092944A1 (en) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Leonid Rubin | Semiconductor structure and process for forming ohmic connections to a semiconductor structure |
US8066840B2 (en) * | 2007-01-22 | 2011-11-29 | Solopower, Inc. | Finger pattern formation for thin film solar cells |
US8153889B2 (en) * | 2007-01-22 | 2012-04-10 | Solopower, Inc. | Roll-to-roll integration of thin film solar modules |
JP2008205137A (ja) * | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
US20080290368A1 (en) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Day4 Energy, Inc. | Photovoltaic cell with shallow emitter |
US8058195B2 (en) * | 2007-06-19 | 2011-11-15 | Cabot Corporation | Nanoglass and flame spray processes for producing nanoglass |
US8013238B2 (en) * | 2007-07-09 | 2011-09-06 | Energy Related Devices, Inc. | Micro concentrators elastically coupled with spherical photovoltaic cells |
JP4425296B2 (ja) * | 2007-07-09 | 2010-03-03 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置 |
US20090120497A1 (en) * | 2007-11-09 | 2009-05-14 | Schetty Iii Robert A | Method of metallizing solar cell conductors by electroplating with minimal attack on underlying materials of construction |
US8101231B2 (en) * | 2007-12-07 | 2012-01-24 | Cabot Corporation | Processes for forming photovoltaic conductive features from multiple inks |
JP2011507282A (ja) * | 2007-12-18 | 2011-03-03 | デイ4 エネルギー インコーポレイテッド | Pvストリングへの縁部アクセス手段を有する太陽電池モジュール、相互接続方法、装置及びシステム |
KR101463925B1 (ko) * | 2008-06-13 | 2014-11-27 | 주성엔지니어링(주) | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 |
CA2731158A1 (en) * | 2008-07-28 | 2010-02-04 | Day4 Energy Inc. | Crystalline silicon pv cell with selective emitter produced with low temperature precision etch back and passivation process |
TWI478359B (zh) * | 2008-09-05 | 2015-03-21 | Semiconductor Energy Lab | 光電轉換裝置 |
US20100059110A1 (en) * | 2008-09-11 | 2010-03-11 | Applied Materials, Inc. | Microcrystalline silicon alloys for thin film and wafer based solar applications |
WO2010077622A1 (en) * | 2008-12-08 | 2010-07-08 | Arizona Board Of Regents, Acting For And On Behalf Of Arizona State University | Electrical devices including dendritic metal electrodes |
US20100264035A1 (en) * | 2009-04-15 | 2010-10-21 | Solopower, Inc. | Reel-to-reel plating of conductive grids for flexible thin film solar cells |
US8759664B2 (en) | 2009-12-28 | 2014-06-24 | Hanergy Hi-Tech Power (Hk) Limited | Thin film solar cell strings |
US20110232761A1 (en) * | 2010-03-18 | 2011-09-29 | Lomasney Henry L | Solar photovoltaic devices having optional batteries |
US20110232753A1 (en) * | 2010-03-23 | 2011-09-29 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming a thin-film solar energy device |
WO2011148346A1 (en) * | 2010-05-28 | 2011-12-01 | Flisom Ag | Method and apparatus for thin film module with dotted interconnects and vias |
DE202011110969U1 (de) * | 2010-10-15 | 2017-11-16 | Wilhelm Stein | Dünnschichtfotovoltaikmodul |
KR101226446B1 (ko) * | 2010-12-21 | 2013-01-28 | 한국철강 주식회사 | 집적형 박막 광기전력 모듈 및 이의 제조방법 |
DE102011002293B4 (de) * | 2011-04-27 | 2022-11-10 | Hanwha Q Cells Gmbh | Solarzellenverbindungsverfahren, Solarmodul-Herstellungsverfahren und Solarzellenverbindungsvorrichtung |
CN104011877A (zh) | 2011-12-21 | 2014-08-27 | 陶氏环球技术有限责任公司 | 产生两个或更多个薄膜基互连光伏电池的改进方法 |
EP2839502B1 (de) | 2012-04-17 | 2017-01-04 | Global Solar Energy, Inc. | Integrierte dünnschichtsolarzellenverbindung |
KR20130136739A (ko) * | 2012-06-05 | 2013-12-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
WO2014117138A1 (en) | 2013-01-28 | 2014-07-31 | Global Solar Energy, Inc. | Photovoltaic interconnect systems, devices, and methods |
US9525097B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-12-20 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc. | Photovoltaic module having printed PV cells connected in series by printed conductors |
US9437756B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-09-06 | Sunpower Corporation | Metallization of solar cells using metal foils |
US9653638B2 (en) | 2013-12-20 | 2017-05-16 | Sunpower Corporation | Contacts for solar cells formed by directing a laser beam with a particular shape on a metal foil over a dielectric region |
US9178104B2 (en) | 2013-12-20 | 2015-11-03 | Sunpower Corporation | Single-step metal bond and contact formation for solar cells |
MY179233A (en) | 2014-01-31 | 2020-11-02 | Flisom Ag | Method for forming via hole segments in a thin film photovoltaic device |
US9231129B2 (en) | 2014-03-28 | 2016-01-05 | Sunpower Corporation | Foil-based metallization of solar cells |
US9947812B2 (en) | 2014-03-28 | 2018-04-17 | Sunpower Corporation | Metallization of solar cells |
US9257575B1 (en) | 2014-09-18 | 2016-02-09 | Sunpower Corporation | Foil trim approaches for foil-based metallization of solar cells |
US9620661B2 (en) | 2014-12-19 | 2017-04-11 | Sunpower Corporation | Laser beam shaping for foil-based metallization of solar cells |
NL2014040B1 (en) * | 2014-12-23 | 2016-10-12 | Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland | Method of making a curent collecting grid for solar cells. |
US20160380127A1 (en) | 2015-06-26 | 2016-12-29 | Richard Hamilton SEWELL | Leave-In Etch Mask for Foil-Based Metallization of Solar Cells |
WO2017022817A1 (ja) * | 2015-08-06 | 2017-02-09 | 株式会社フジクラ | 光電変換素子 |
US9620655B1 (en) | 2015-10-29 | 2017-04-11 | Sunpower Corporation | Laser foil trim approaches for foil-based metallization for solar cells |
US11424373B2 (en) | 2016-04-01 | 2022-08-23 | Sunpower Corporation | Thermocompression bonding approaches for foil-based metallization of non-metal surfaces of solar cells |
US10290763B2 (en) | 2016-05-13 | 2019-05-14 | Sunpower Corporation | Roll-to-roll metallization of solar cells |
US9882071B2 (en) | 2016-07-01 | 2018-01-30 | Sunpower Corporation | Laser techniques for foil-based metallization of solar cells |
US10115855B2 (en) | 2016-09-30 | 2018-10-30 | Sunpower Corporation | Conductive foil based metallization of solar cells |
US11908958B2 (en) | 2016-12-30 | 2024-02-20 | Maxeon Solar Pte. Ltd. | Metallization structures for solar cells |
US11362234B2 (en) | 2018-04-06 | 2022-06-14 | Sunpower Corporation | Local patterning and metallization of semiconductor structures using a laser beam |
WO2019195803A1 (en) | 2018-04-06 | 2019-10-10 | Sunpower Corporation | Laser assisted metallization process for solar cell fabrication |
WO2019195793A1 (en) | 2018-04-06 | 2019-10-10 | Sunpower Corporation | Laser assisted metallization process for solar cell stringing |
CN112534589A (zh) | 2018-04-06 | 2021-03-19 | 太阳能公司 | 使用激光束对半导体结构进行局部图案化和金属化 |
WO2019195804A1 (en) | 2018-04-06 | 2019-10-10 | Sunpower Corporation | Laser assisted metallization process for solar cell circuit formation |
CN111952406A (zh) * | 2019-05-15 | 2020-11-17 | 苏州联诺太阳能科技有限公司 | 一种电池片制备方法及电池组件 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4042418A (en) * | 1976-08-02 | 1977-08-16 | Westinghouse Electric Corporation | Photovoltaic device and method of making same |
US4133697A (en) * | 1977-06-24 | 1979-01-09 | Nasa | Solar array strip and a method for forming the same |
DE2827049A1 (de) * | 1978-06-20 | 1980-01-10 | Siemens Ag | Solarzellenbatterie und verfahren zu ihrer herstellung |
US4243432A (en) * | 1978-09-25 | 1981-01-06 | Photon Power, Inc. | Solar cell array |
US4292092A (en) * | 1980-06-02 | 1981-09-29 | Rca Corporation | Laser processing technique for fabricating series-connected and tandem junction series-connected solar cells into a solar battery |
FR2503457B1 (fr) * | 1981-03-31 | 1987-01-23 | Rca Corp | Systeme de cellules solaires connectees en serie sur un substrat unique |
JPS5818971A (ja) * | 1981-07-28 | 1983-02-03 | Agency Of Ind Science & Technol | 光起電力装置 |
US4438723A (en) * | 1981-09-28 | 1984-03-27 | Energy Conversion Devices, Inc. | Multiple chamber deposition and isolation system and method |
US4428110A (en) * | 1981-09-29 | 1984-01-31 | Rca Corporation | Method of making an array of series connected solar cells on a single substrate |
JPS58196061A (ja) * | 1982-05-10 | 1983-11-15 | Sharp Corp | 薄膜半導体装置の電極形成方法 |
JPS593981A (ja) * | 1982-06-29 | 1984-01-10 | Sharp Corp | 薄膜半導体装置の製造方法 |
JPS5934668A (ja) * | 1982-08-21 | 1984-02-25 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜太陽電池の製造方法 |
JPS5935491A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 光半導体装置 |
JPS5935487A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 光半導体装置の製造方法 |
JPS5935489A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 光半導体装置の製造方法 |
JPS5996778A (ja) * | 1982-11-24 | 1984-06-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置作製方法 |
US4593152A (en) * | 1982-11-24 | 1986-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
JPS6014441A (ja) * | 1983-07-04 | 1985-01-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置作製方法 |
US4650524A (en) * | 1984-06-20 | 1987-03-17 | Sanyo Electric Co., Ltd | Method for dividing semiconductor film formed on a substrate into plural regions by backside energy beam irradiation |
-
1986
- 1986-02-10 US US06/828,197 patent/US4697041A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-02-14 FR FR868602039A patent/FR2577716B1/fr not_active Expired
- 1986-02-15 DE DE19863604894 patent/DE3604894A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2577716A1 (fr) | 1986-08-22 |
FR2577716B1 (fr) | 1989-12-01 |
DE3604894A1 (de) | 1986-08-21 |
US4697041A (en) | 1987-09-29 |
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