DE3536781A1 - Process for the production of a planar optical waveguide - Google Patents

Abstract

In a process for the production of a planar optical waveguide having light-conducting regions (1), thin, glass-like layers are deposited from the gas phase in a heterogeneous reaction onto a substrate (2) by first applying a layer (3) containing a dope (dopant) (boron, fluorine) which lowers the refractive index and then a cover layer (4) as diffusion barrier for this dope onto the substrate (2) in a structured manner using conventional mask technology in accordance with a desired stripe pattern, subsequently substantially diffusing the dope out of the uncovered areas by heating, and thus forming the or part of the core region of the light-conducting regions, and then completing the optical waveguide by applying a further layer system (5). <IMAGE>

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines planaren Lichtwellenleiters mit lichtführenden Be­ reichen, durch Abscheiden dünner glasartiger Schichten aus der Gasphase nach einem Schema, das einen vorgegebenen Brechzahlverlauf ermöglicht, auf einem Substrat, so daß ein lichtführender Kernbereich und an diesen Kernbereich an­ grenzende Mantelschichten gebildet werden.The invention relates to a method of manufacture a planar optical waveguide with light-guiding Be are sufficient by depositing thin glass-like layers the gas phase according to a scheme that a given Refractive index curve enables, on a substrate, so that a light-guiding core area and to this core area bordering cladding layers are formed.

Planare Lichtwellenleiter werden in optischen Kommunika­ tionssystemen als Kopplungselemente von optischen Wellen­ leitern eingesetzt. Je nach Anordnung dienen diese Kopp­ lungselemente zur Signalverzweigung oder zum Mischen von Signalen (Demultiplexer/Multiplexer).Planar optical fibers are used in optical communications tion systems as coupling elements of optical waves ladders used. Depending on the arrangement, these are used tion elements for signal branching or for mixing Signals (demultiplexer / multiplexer).

Ein bekanntes Verfahren zur Herstellung dieser Wellenleiter ist das OVD-Verfahren, bei dem hochreines SiCl₄ mit einigen Prozent TiCl₄ vermischt und in einer offenen Flamme mit Sauerstoff zur Reaktion gebracht wird. Diese durch Flammen­ hydrolyse hergestellten Glaspartikel werden auf einem Substrat abgelagert. Während der Ablagerung wird der Brenner ständig hin- und herbewegt, so daß sich mehrere Schichten ausbilden. Der Brechungsindex wird dabei durch den TiCl₄ -Strom gesteuert. Danach wird das Substrat mit den porösen Glasschichten erhitzt, damit sich die einzelnen Schichten verfestigen (Kawachi et al., Electronics Letters 1983, Vol. 19, No. 15, S. 583).A known method for producing these waveguides is the OVD method, in which high-purity SiCl _{4 is} mixed with a few percent TiCl ₄ and reacted with oxygen in an open flame. These glass particles produced by flame hydrolysis are deposited on a substrate. The burner is constantly moved back and forth during the deposition, so that several layers are formed. The refractive index is controlled by the TiCl ₄ current. The substrate with the porous glass layers is then heated so that the individual layers solidify (Kawachi et al., Electronics Letters 1983, Vol. 19, No. 15, p. 583).

Anschließend wird das Schichtensystem mit einer Silizium­ maske bedeckt und durch gezieltes Wegätzen werden die Führungsnuten zur Aufnahme der Wellenleiter sowie die lichtführenden Streifen hergestellt (Yamada et al., Electronics Letters 1984 Vol. 20, No. 8, S. 313). Diese bekannten planaren Wellenleiter haben jedoch den Nachteil, daß der Verlauf der Brechzahl durch die Schichtenablagerung nur in einer Richtung - nämlich in Richtung der Flächennormalen des Substrates - vorgegeben werden kann. Nach dem Ätzen hat der lichtführende Streifen einen im wesentlichen rechteckigen Querschnitt und das Profil des lichtführenden Kerns ist seitlich nicht angepaßt, was zu erheblichen Dämpfungsver­ lusten führt. Ein weiterer Nachteil besteht darin, daß nur relativ dicke Schichten hergestellt werden können, so daß kein fein abgestuftes Brechzahlprofil hergestellt werden kann.Then the layer system with a silicon mask and through targeted etching away the Guide grooves for receiving the waveguide and the light guiding  Strips made (Yamada et al., Electronics Letters 1984 Vol. 20, No. 8, p. 313). These well-known planar However, waveguides have the disadvantage that the course of the Refractive index due to layer deposition only in one Direction - namely in the direction of the surface normal of the Substrates - can be specified. After the etching, the light-guiding strips an essentially rectangular Cross section and the profile of the light-guiding core is not laterally adjusted, which leads to considerable Dämpfungsver lust leads. Another disadvantage is that only relatively thick layers can be produced, so that no finely graduated refractive index profile can be produced can.

Aus der EP-00 52 901 ist ein Verfahren bekannt, mit dem Kopplungselemente mit im Querschnitt runden lichtführenden Streifen hergestellt werden. Hierzu werden in die Substrat­ glasplatte Nuten mit einem halbkreisförmigen Querschnitt nach einem vorgegebenen Muster eingeätzt oder mechanisch eingebracht. Im nächsten Schritt werden aus der Gasphase mittels eines CVD-Verfahrens glasartige Schichten auf der Glasplatte und in diesen Nuten abgeschieden. Mit Zunahme der Schichtdicke wird immer mehr Dotiermaterial zusammen mit dem Quarzglas abgeschieden. Dies wird solange fortgeführt, bis die Nuten mit diesen Schichten vollständig ausgefüllt sind. Das gleiche wird mit einem Substrat durchgeführt, das mit dem spiegelbildlichen Nutenmuster versehen ist. Danach werden beide Substratplatten abgeschliffen und aneinanderge­ fügt, so daß die Nuten mit den glasartigen Schichten übereinanderliegen. Obwohl diese Streifenleiter einen kreis­ förmigen Querschnitt mit einer radial nach außen abnehmender Brechzahl aufweisen, ist ihre Herstellung nicht unproblema­ tisch. From EP-00 52 901 a method is known with which Coupling elements with light guiding round in cross section Strips are made. This is done in the substrate glass plate grooves with a semicircular cross section etched according to a given pattern or mechanically brought in. In the next step, the gas phase by means of a CVD process glassy layers on the Glass plate and deposited in these grooves. With increasing Layer thickness becomes more and more dopant along with the Quartz glass deposited. This will continue until the grooves are completely filled with these layers. The same is done with a substrate using the mirrored groove pattern is provided. After that both substrate plates are sanded and joined together inserts so that the grooves with the vitreous layers lie on top of each other. Although this strip line is a circle shaped cross section with a radially decreasing outward Have a refractive index, their production is not without problems table.  

Das Herstellungsverfahren und insbesondere der Poliervorgang sind sehr aufwendig. Die Nuten müssen exakt übereinan­ derliegen, wobei an der Nahtstelle zwischen den Substrat­ platten im Bereich der lichtführenden Schichten weder Verunreinigungen noch Luftspalten vorhanden sein dürfen.The manufacturing process and especially the polishing process are very expensive. The grooves must be exactly aligned derlie, being at the interface between the substrate neither in the area of the light-guiding layers Impurities or air gaps may still be present.

Ziel der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von planaren Wellenleitern, mit dem die oben genannten Nachteile des Standes der Technik vermieden werden. Das Verfahren soll wesentlich einfacher sein, wobei sich gleichzeitig der planare Wellenleiter durch geringere Verluste gegenüber den bekannten planaren Wellenleitern auszeichnen soll.The aim of the present invention is a method for Manufacture of planar waveguides with which the above mentioned disadvantages of the prior art avoided will. The process is said to be much simpler, whereby the planar waveguide at the same time due to the smaller Losses compared to the known planar waveguides should honor.

Dieses Ziel wird mit einem Verfahren erreicht, das dadurch gekennzeichnet ist, daß dieses Abscheiden aus der Gasphase mittels einer Heterogen-Reaktion (CVD-Verfahren) durchge­ führt wird, daß auf dieses Substrat zunächst eine Schicht mit einem die Brechzahl erniedrigenden Dotierungsmittel aufgebracht wird, daß dann auf diese Schicht eine Abdeck­ schicht als Diffusionssperre für diese Dotierungsmittel aufgebracht wird, wobei diese Abdeckschicht in üblicher Maskentechnik entsprechend dem gewünschten Streifenmuster struktiert wird, daß anschließend das mit diesem Schichten versehene Substrat so stark erhitzt wird, daß dieses Dotierungsmittel aus den nicht abgedeckten Bereichen weit­ gehend ausdiffundiert und so der Kernbereich oder ein Teil des Kernbereichs der lichtführenden Bereiche gebildet wird, und daß danach weitere Schichten aufgebracht werden, deren Brechzahlen so gesteuert werden, daß sie den Lichtwellenlei­ ter vervollständigen.This goal is achieved with a method which thereby is characterized in that this separation from the gas phase by means of a heterogeneous reaction (CVD method) is that a layer is first on this substrate with a dopant that lowers the refractive index is applied that then a cover on this layer layer as a diffusion barrier for these dopants is applied, this cover layer in the usual Mask technique according to the desired stripe pattern is structured that then with this layers provided substrate is heated so much that this Dopants from the uncovered areas far diffuses outward and so the core area or a part the core area of the light-guiding areas is formed, and that further layers are then applied, the Refractive indices can be controlled so that they complete.

Diese mit dem die Brechzahl erniedrigenden Dotierungsmittel versehene Schicht kann auch einen vorgegebenen Brechzahlver­ lauf aufweisen. This with the dopant that lowers the refractive index provided layer can also a predetermined refractive index ver have run.  

Durch die Ausdiffusion des Dotierungsmittels, für das vorzugsweise Fluor verwendet wird, wird in den nicht abgedeckten Bereichen dieser ersten Schicht ein halbzylin­ derförmiger Bereich mit zur Zylinderachse hin ansteigender Brechzahl erzeugt. Außer Fluor kann auch jedes andere Dotierungsmittel verwendet werden, das brechzahlsenkend wirkt und ausdiffundierbar ist. Dieser halbzylinderförmige Kernbereich wird dann durch die weiteren Schichten, die gegebenenfalls auch mit Fluor dotiert sein können, so ergänzt, daß sich ein lichtführender Bereich mit geringer Dämpfung ausbildet.By diffusing out the dopant for which preferably fluorine is not used in the covered areas of this first layer a half cylin deriform area with increasing towards the cylinder axis Refractive index generated. In addition to fluorine, anyone else can Dopants are used that lower the refractive index works and is diffusible. This semi-cylindrical The core area is then covered by the other layers can optionally also be doped with fluorine, so adds that there is a light guiding area with less Damping trains.

Vorzugsweise wird zum Abscheiden der glasartigen Schichten ein nichtisothermes Plasma-CVD-Verfahren benutzt.It is preferred to deposit the glass-like layers used a non-isothermal plasma CVD process.

Unter diesem bereits beispielsweise aus der EP-00 17 296 bekannten Verfahren ist ein Verfahren zu verstehen, bei dem mit einem sogenannten kalten Plasma gearbeitet wird, in dem nur Elektronen eine hohe kinetische Energie besitzen. Mit einem solchen Plasma kann man selbst Gasgemische zur Reaktion bringen, die thermisch nicht reaktiv sind. Mit diesem nicht-isothermen PCVD-Verfahren lassen sich bei ziemlich niedriger Temperatur direkt aus der Gasphase glasartige Schichten abscheiden, so daß sich eine nachfolg­ ende Erhitzung zur Verglasung erübrigt. Ein weiterer Vorteil besteht darin, daß sich bei Abscheidung niedriger Tempera­ tur, d.h. zwischen Raumtemperatur und 300°C, ein etwaiger Unterschied in den Wärmeausdehnungskoeffizienten des Glas­ plattenmaterials und der abgeschiedenen Schichten nicht nachteilig bemerkbar macht.Among them, for example from EP-00 17 296 known method is to be understood as a method in which a so-called cold plasma is used, in which only electrons have high kinetic energy. With Such a plasma can even be used for gas mixtures Bring reaction that are not thermally reactive. With this non-isothermal PCVD process can be used pretty low temperature straight from the gas phase deposit vitreous layers, so that a subsequent end heating for glazing unnecessary. Another advantage is that when the tempera tur, i.e. between room temperature and 300 ° C, any Difference in the coefficient of thermal expansion of the glass plate material and the deposited layers not disadvantageously noticeable.

Die Abdeckschicht, die beispielsweise mit B₂O₃ dotiert ist, wirkt als Diffusionssperre für das Dotierungsmittel der darunterliegenden Schicht. Dadurch wird erreicht, daß lediglich in den nicht abgedeckten Bereichen dieser ersten Schicht sich ein Brechzahlgradient durch Ausdiffusion ausbilden kann. The cover layer, which is doped with B ₂ O ₃ , for example, acts as a diffusion barrier for the dopant of the layer below. The result of this is that a refractive index gradient can only develop in the areas of this first layer that are not covered by diffusion.

Das Brechzahlprofil und die Abmessungen des Kernbereichs werden durch die Breite der nicht abgedeckten Bereiche, durch die Temperatur und die Zeit der Ausdiffusion so eingestellt, daß entweder ein Monomodewellenleiter oder ein Multimodenwellenleiter entsteht. Die Brechzahlen der übrigen Schichten sowie die numerische Apertur werden dem jeweiligen Verwendungszweck ebenfalls angepaßt.The refractive index profile and the dimensions of the core area are determined by the width of the areas not covered, through the temperature and the time of diffusion so set that either a single mode waveguide or a Multimode waveguide is created. The refractive indices of the rest Layers as well as the numerical aperture are given to the respective Purpose also adapted.

Da beim Ausdiffundieren des die Brechzahl erniedrigenden Dotierungsmittels auch das Dotierungsmittel der Abdeck­ schicht aus den oberflächennahen Bereichen ausdiffundiert, kann ein Leckwellenleiter entstehen, der zu höheren Ver­ lusten führt. Deshalb wird vorzugsweise nach dem Ausdiffun­ dieren eine dünne Oberflächenschicht der nicht abgedeckten Bereiche und der Abdeckschicht abgeätzt.Since the diffraction factor that lowers the refractive index Dopant also the dopant of the cover diffused out of the near-surface areas, can lead to a leaky waveguide that leads to higher ver lust leads. Therefore, preferably after diffusion a thin surface layer of the uncovered Areas and the cover layer etched off.

Damit die Wellenenergie vollständig von Substrat getrennt wird, wird diese mit einem Dotierungsmittel versehene Schicht in einer solchen Dicke auf das Substrat aufgebracht, daß nach der Ausdiffusion dieses Dotierungsmittels aus den nicht abgedeckten Bereichen zwischen dem so gebildeten Kernbereich und diesem Substrat noch ein entsprechend großer dotierter Bereich erhalten bleibt. Diese Maßnahme hat den Vorteil, daß das Substrat an der Lichtführung nicht beteiligt wird, so daß das Substrat nicht aus hochreinem Material hergestellt zu werden braucht. Dadurch werden Kosten bei der Herstellung der planaren Wellenleiter eingespart.So that the wave energy is completely separated from the substrate is, this is provided with a dopant Layer applied to the substrate in such a thickness, that after the diffusion of this dopant from the uncovered areas between the so formed Core area and this substrate still a correspondingly large doped area is preserved. This measure has the Advantage that the substrate on the light guide is not is involved so that the substrate is not made of high purity Material needs to be made. This will Cost of manufacturing the planar waveguide saved.

Zur Faserankopplung werden vor den lichtführenden Streifen in dem Substrat Führungsnuten ausgebildet, in die die anzukoppelnden Wellenleiter eingesetzt werden.For fiber coupling, in front of the light-guiding strips formed in the substrate guide grooves into which the to be coupled waveguide are used.

Bei den nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten planaren Lichtwellenleitern betragen die Dämpfungsverluste deutlich weniger als 0,2 dB/cm.In those produced by the method according to the invention The attenuation losses are planar optical fibers significantly less than 0.2 dB / cm.

Nachfolgend werden beispielhafte Ausführungsformen der Erfindung unter Hinweis auf die Zeichnungen näher erläuert. Exemplary embodiments of the Invention explained with reference to the drawings.  

Es zeigen:Show it:

Fig. 1 einen Schnitt durch einen nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten planaren Wellenleiter Fig. 1 shows a section through a planar waveguide produced by the inventive method

Fig. 2 den Brechnungsindexverlauf der Schichten 3 und 5 längs der Linie II-II in Fig. 1. FIG. 2 shows the course of the refractive index of the layers 3 and 5 along the line II-II in FIG. 1.

Die Fig. 1 zeigt den erfindungsgemäßen planaren Wellenleiter im Schnitt mit der Substratplatte 2 und den lichtführenden Bereichen 1. Auf das Substrat 2 ist die mit dem Dotierungs­ mittel versehene Schicht 3 aufgebracht, die anschließend mit der Schicht 4 selektiv abgedeckt wird. Diese Abdeckschicht 4 wirkt als Diffusionssperre für das in der Schicht 3 enthaltene Dotierungsmittel. Durch Erhitzen wird an­ schließend das Dotierungsmittel aus den nicht abgedeckten Bereichen ausdiffundieren lassen, so daß sich in etwa der durch die gestrichelte Linie 6 begrenzte Bereich ausbildet, in dem die Brechzahl kontinuierlich zur Achse dieses halbzylinderförmigen Bereichs hin ansteigt. Die Dicke der Schicht 3 wird so gewählt, daß zwischen der Linie 6 und dem Substrat 2 ein noch ausreichend großer Bereich der Schicht 3 mit Dotierungsmittel erhalten bleibt, damit die Wellenener­ gie vom Substrat abgekoppelt ist und das Substrat nicht an der Lichtführung teilnimmt. Danach wird ein weiteres Schichtensystem 5 aufgebracht, wobei der Brechzahlverlauf so gewählt wird, daß der Kernbereich vervollständigt und der Mantelbereich ausgebildet wird. Fig. 1 shows the planar waveguide according to the invention in section, with the substrate sheet 2 and the light-guiding portions 1. The layer 3 provided with the doping agent is applied to the substrate 2 and is then selectively covered with the layer 4 . This cover layer 4 acts as a diffusion barrier for the dopant contained in layer 3 . The dopant can then be diffused out of the uncovered areas by heating, so that approximately the area delimited by the dashed line 6 is formed, in which the refractive index increases continuously towards the axis of this semi-cylindrical area. The thickness of the layer 3 is chosen so that a sufficiently large area of the layer 3 with dopant is retained between the line 6 and the substrate 2 , so that the wave energy is decoupled from the substrate and the substrate does not participate in the light guidance. A further layer system 5 is then applied, the course of the refractive index being selected such that the core area is completed and the cladding area is formed.

Der Verlauf der Brechzahl durch die Schichten 3 und 5 in X-Richtung längs der Linie II-II in Fig. 1 ist in der Fig. 2 dargestellt.The course of the refractive index through the layers 3 and 5 in the X direction along the line II-II in FIG. 1 is shown in FIG. 2.

Zur Herstellung beispielsweise einer Monomodefaser wird ein Kernbereich von etwa 2-8 µm ausgebildet. Das in der Schicht 3 enthaltene Fluor wird etwa 1-2 min lang bei einer Temperatur von 2000-2200°C ausdiffundieren lassen. Danach werden in bekannter Weise die übrigen Schichten 5 aufge­ bracht.For example, a core area of approximately 2-8 μm is formed to produce a single-mode fiber. The fluorine contained in layer 3 is allowed to diffuse out at a temperature of 2000-2200 ° C. for about 1-2 minutes. Then the other layers 5 are brought up in a known manner.

Claims (8)

1. Verfahren zur Herstellung eines planaren Lichtwellen­ leiters mit lichtführenden Bereichen, durch Abscheiden dünner glasartiger Schichten aus der Gasphase nach einem Schema, das einen vorgegebenen Brechzahlverlauf ermöglicht, auf einem Substrat, so daß ein lichtführender Kernbereich und an diesen Kernbereich angrenzende Mantelschichten gebildet werden, dadurch gekennzeichnet,
daß dieses Abscheiden aus der Gasphase mittels einer Heterogen-Reaktion (CVD-Verfahren) durchgeführt wird,
daß auf dieses Substrat zunächst eine Schicht mit einem die Brechzahl erniedrigenden Dotierungsmittel aufgebracht wird,
daß dann auf diese Schicht eine Abdeckschicht als Diffus­ ionssperre für dieses Dotierungsmittel aufgebracht wird, wobei diese Abdeckschicht in üblicher Maskentechnik ent­ sprechend einem gewünschten Streifenmuster strukturiert wird,
daß anschließend das mit diesen Schichten versehene Substrat so stark erhitzt wird, daß dieses Dotierungsmittel aus den nicht abgedeckten Bereichen weitgehend ausdiffundiert und so der Kernbereich oder ein Teil des Kernbereichs der lichtfüh­ renden Bereiche gebildet wird, und
daß danach weitere Schichten aufgebracht werden, deren Brechzahlen so gesteuert werden, daß sie den Lichtwellen­ leiter vervollständigen.1. A method for producing a planar optical waveguide with light-guiding areas, by depositing thin glass-like layers from the gas phase according to a scheme that enables a predetermined refractive index curve, on a substrate, so that a light-guiding core area and cladding layers adjacent to this core area are formed, thereby featured,
that this separation from the gas phase is carried out by means of a heterogeneous reaction (CVD process),
that a layer with a dopant which lowers the refractive index is first applied to this substrate,
that a cover layer is then applied to this layer as a diffusion barrier for this dopant, this cover layer being structured in accordance with a desired stripe pattern using conventional masking technology,
that the substrate provided with these layers is then heated to such an extent that this dopant largely diffuses out of the uncovered regions and the core region or part of the core region of the light-guiding regions is formed, and
that further layers are then applied, the refractive indices of which are controlled so that they complete the optical waveguide. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dieses Abscheiden dieser glasartigen Schichten mittels eines nichtisothermen Plasma-CVD-Verfahrens durchgeführt wird.2. The method according to claim 1, characterized in that this deposition of these glass-like layers by means of a non-isothermal plasma CVD process is performed. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich­ net, daß nach dem Ausdiffundieren dieses Dotierungsmittels eine dünne Oberflächenschicht der nicht abgedeckten Bereiche und der Abdeckschicht abgeätzt wird.3. The method according to claim 1 or 2, characterized net that after the diffusion of this dopant a thin surface layer of the uncovered areas and the cover layer is etched off. 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß als diese Abdeckschicht eine mit Bor dotierte Schicht aufgebracht wird. 4. The method according to any one of claims 1 to 3, characterized characterized in that as this cover layer with boron doped layer is applied.   5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß als dieses Dotierungsmittel Fluor verwendet wird.5. The method according to any one of claims 1 to 4, characterized characterized in that as this dopant fluorine is used. 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Brechzahlprofil, die numerische Apertur und die Abmessungen des Kernbereichs so gestaltet werden, daß ein Monomodewellenleiter mit vorgegebenen Eigenschaften gebildet wird.6. The method according to any one of claims 1 to 5, characterized characterized in that the refractive index profile, the numerical The aperture and the dimensions of the core area are designed in this way be that a single mode waveguide with predetermined Properties is formed. 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Brechzahlprofil, die numerische Apertur und die Abmessungen des Kernbereichs so gestaltet werden, daß ein Multimodenwellenleiter mit vorgegebenen Eigenschaften gebildet wird.7. The method according to any one of claims 1 to 5, characterized characterized in that the refractive index profile, the numerical The aperture and the dimensions of the core area are designed in this way be that a multimode waveguide with predetermined Properties is formed. 8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß diese mit einem die Brechzahl erniedrig­ enden Dotierungsmittel versehene Schicht in einer solchen Dicke auf das Substrat aufgebracht wird, daß nach der Ausdiffusion dieses Dotierungsmittel zwischen diesem so gebildeten Kernbereich und diesem Substrat eine derart großer dotierter Bereich erhalten bleibt, daß die Wellenen­ ergie vollständig von Substrat getrennt wird.8. The method according to any one of claims 1 to 7, characterized characterized in that this lowers the refractive index end provided in such a layer Thickness is applied to the substrate that after the Diffusion of this dopant between them so formed core area and this substrate one such large doped area remains that the waves ergie is completely separated from the substrate.