DE3419010A1

DE3419010A1 - Integrierter spannungs-regelschaltkreis

Info

Publication number: DE3419010A1
Application number: DE19843419010
Authority: DE
Inventors: James H. Atherton; Silvo Freeport Ill. Stanojevic
Original assignee: Honeywell Inc
Current assignee: Honeywell Inc
Priority date: 1983-05-26
Filing date: 1984-05-22
Publication date: 1984-11-29
Also published as: NL192891C; DE3419010C2; NL192891B; NL8401648A; JPS59225416A; JPH0571968B2

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft einen integrierten Spannungs-Regelschaltkreis nach dem Gattungsbegriff des Anspruches 1. Sie bezieht'sich insbesondere auf einen Regelschaltkreis, der in der Lage ist, hohe Störspannungen auszuregeln, wie sie im kraftfahrtechnischen Anwendungsbereich vorkommen.

Elektronische Systeme weisen oftmals Spannungsregler auf, denen ein Strom von einer ungeregelten versorgungsspannungsquelle zugeführt wird und die eine geregelte Spannung an eine elektrische Last anlegen. Heutzutage sind die mit Spannung zu versorgenden Systeme vielfach durch integrierte Schaltkreise vorgegeben. Integrierte Schaltkreise und im Zusammenhang mit diesen benutzte Sensoren erfordern relativ geringe Versorgungsspannungen, die sich typischerweise bei 6 Volt oder darunter bewegen. Bei solchen Schaltkreisen und Sensoren ist es üblich, die Spannungsregler ebenfalls in integrierter Schaltkreistechnik entweder auf einem getrennten Chip oder auf dem gleichen Chip wie der zu versorgende integrierte Schaltkreis aufzubauen.

Monolithisch integrierte Schaltkreise finden zunehmend Anwendung im kraftfahrtechnischen Bereich. In diesem Bereich werden besonders strenge Anforderungen an die Spannungsregler gestellt. Störspannungsspitzen von 80 oder 90 Volt mit positiver oder negativer Polarität in Bezug auf Masse können dort im Zusammenspiel zwischen Wechselstromgenerator und Hauptspannungsregler auftreten, wenn der Motor ausgeschaltet oder z.B. mit einem überbrückungskabel gestartet wird. Darüberhinaus ist im kraftfahrtechnischen Bereich ein Betrieb der Schaltungen über einen breiten Temperaturbereich erforderlich.

Somit muß ein Spannungsregler für die elektronischen Schaltkreise in der Kraftfahrtechnik eine relativ eng geregelte niedrige Spannung aus einer Spannungsquelle erzeugen, die

positive und negative Spannungsspitzen aufweist, welche die Größe der geregelten Spannung um ein Vielfaches übersteigen. Ferner muß die Regelung über einen breiten Temperaturbereich erfolgen. Schließlich sind für kraftfahrtechnische Anwendungszwecke die Kosten und die Zuverlässigkeit einer Regelschaltung sehr bedeutende Aspekte. Die Kosten sollen gering sein und der Schaltkreis soll einfach und leicht herzustellen sein und zuverlässig funktionieren.

Ein Problem bei dem Aufbau von Schaltkreisen mit bipolaren Transistoren liegt darin, daß solche Transistoren, die mit den herkömmlichen Herstellverfahren für monolithisch integrierte Schaltkreise gebildet werden,nicht in der Lage sind, die hohen Störspannungsspitzen zu verarbeiten, die im kraftfahrtechnischen Anwendungsbereich vorkommen. Demzufolge müssen derartige integrierte Spannungsregler mit einem Störspannungsschutz in irgendeiner Form ausgerüstet sein.

Aus der US-PS 4 319 179 ist eine derartige Schaltungsanordnung bekanntgeworden, die einen Transistor zur Unterdrückung von hohen Spannungen zwischen einer Reglerschaltung und einem Fehlerverstärker aufweist. Die Unterdrückung der hohen Spannung erfolgt mittels eines Schaltkreises, der die Impedanz zwischen der Basis des Transistors und Masse im Falle einer bescheidenen Störspannung auf der Versorgungsleitung vermindert. Wenn eine große Störspannung auftritt, so wird die Basis des Transistors im wesentlichen gegen Masse kurzgeschlossen.

Obgleich eine solche Schaltung dia Möglichkeit des Transistors, Störspannungen zu unterdrücken,verbessert, ist die maximal zulässige Spannung immer noch begrenzt auf einen Wert, der geringfügig unter der Durchbruchspannung des Transistorsliegt, wenn dessen Basis mit Masse kurzgeschlossen wird. Diese Spannungsbegrenzung ist für viele kraftfahrtechnische Anwendungs-

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fälle nicht genügend. Die Zuführung einer Spannung, welche höher als die Durchbruchspannung während einer gewünschten Dauer ist, führt zu einer Zerstörung des Transistors und zu einem Ausfall des Reglers. Ferner führt das Anlegen einer ' Spannung, die das Kurzschließen der Basis gegen Masse bewirkt/ zu einer verringerten Spannungsregelung. Selbst ein kurzzeitiger Ausfall der Regelung kann zur Fehlfunktion von logischen Schaltkreisen führen, die von dem Regler gespeist werden. Ferner sind bestimmte andere Transistoren in dem Regler relativ ungeschützt und können unter bestimmten Bedingungen mit sie zerstörendenSpannungen beaufschlagt werden.

Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen integrierten Spannungs-Regelschaltkreis der eingangs genannten Art so auszugestalten, daß er einen einfachen integrierten Aufbau aufweist und in der Lage ist, auch hohe Störspannungen auszuregeln. Die Lösung dieser Aufgabe gelingt gemäß den kennzeichnenden Merkmalen des Patentanspruches 1. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Regelschaitkreises sind den Unteransprüchen entnehmbar.

Durch die vorliegende Erfindung wird ein Spannungsregler in integrierter Schaltkreistechnik angegeben, der einen die Spannung durchreichenden Transistor mit einem ersten Leitfähigkeitstyp aufweist, welcher gegen Störspannungsspitzen beider Polaritäten mittels eines Vorregel-Transistors geschützt ist, der dem eigentlichen Regeltransistor den elektrischen Strom zuführt. Eine in Sperrichtung gepolte Diode verbindet die stromführenden und beiden Transistoren gemeinsamen Elektroden mit einer Bezugsspannung. Durch erste und zweite Basis-Ansteuerschaltungen werden konstante Basis-Ansteuersignale den beiden Transistoren zugeführt, wobei der Vorregeltransistor und seine Basisansteuerung den die Spannung durchreichenden Transistor gegen Stör-

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spannungen einer ersten Polarität schützen und die Diode den die Spannung durchreichenden Transistor gegen Störspannungen einer zweiten Polarität schützt.

Zu dem Vorregeltransistor ist ein Widerstand in Reihe ge-. schaltet, um den Strom durch diesen Transistor zu begrenzen, wenn er aufgrund einer exzessiven Spannung der zweiten Polarität elektrisch durchbricht. Der Widerstand ist vom ersten Leitfähigkeitstyp und ist in eine elektrisch isolierte Wanne des zweiten Leitfähigkeitstyps eindiffundiert, um zusätzlich Störspannungen mit der ersten Polarität zu blockieren. Die Basisansteuerung des die Spannung durchreichenden Transistors umfaßt eine Zenerdiode und eine Stromquelle, die einen Strom liefert, welcher ausreicht, die Durchbruchspannung der Diode aufrechtzuerhalten. Die Basis des die Spannung durchreichenden Transistors kann gegen exzessive Spannungsverläufe der ersten Polarität geschützt werden, indem ein weiterer eindiffundierter Widerstand und ein Transistor in der gleichen Weise verwendet werden, wie es hinsichtlich des Vorregeltransistors geschah. Die Zenerdiode schützt die Basis des die Spannung durchreichenden Transistors gegen exzessive Spannungsverläufe mit der zweiten Polarität.

Anhand von in den Figuren der beiliegenden Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispielen sei im folgenden die Erfindung näher erläutert: Es zeigen:

Fig. 1 ein Schaltungsdiagramm eines Ausführungsbeispieles des erfindungsgemäßen Regelschaltkreises; und

Fig.2 ein Schaltungsdiagramm eines zweiten Ausführungsbeispieles des Regelschaltkreises gemäß der Erfindung.

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Gemäß Figur 1 liegt an einem Eingangsanschluss 11 eine ungeregelte Spannung an, die beträchtliche positive und negative Störspannungsspitzen aufweisen kann. Diese Spannung wird geregelt und als konstante Spannung am Ausgangsanschluss 12 ausgegeben. Der Regelschaltkreis ist so aufgebaut, daß er mit Vorteil als monolithisch integrierter Schaltkreis unter Verwendung eines üblichen epitaxialen Herstellungsverfahrens fabriziert werden kann.

In dem Regelschaltkreis erfolgt die endgültige Regelung mittels eines die Regelspannung durchreichenden Transistors 13, der als npn-Transistor ausgebildet ist und mit seinem Emitter an den Ausgangsanschluss 12 angeschlossen ist. Der Eingangsanschluss 11 mit der ungeregelten Spannung ist an den Kollektor des Transistors 13 Über einen Vorregelschaltkreis 14 angeschlossen. Eine Ansteuerung der Basis des Transistors 13 mit einer konstanten Spannung wird durch eine Zenerdiode 15 vorgegeben, die mit ihrer Kathode an die Basis des Transistors und mit ihrer Anode an Masse oder eine andere Referenzspannungsquelle 16 angeschlossen ist. Die Zenerdiode 15 ist in Durchbruchrichtung durch einen Vorspannungsschaltkreis 17 vorgespannt. Wie noch in Einzelheiten zu beschreiben sein wird, sind sowohl der Vorregelschaltkreis 14 als auch der Vorspannungsschaltkreis 17 so ausgelegt, daß exzessive positive und negative Störspannungsspitzen daran gehindert werden, den Regeltransistor 13 zu erreichen.

Der Vorregelschaltkreis 14 umfaßt einen pnp-Transistor 20, der mit seinem Emitter über einen Widerstand 21 an die Versorgungs-Spannungsquelle 11 und mit seinem Kollektor an den Kollektor des Regeltransistors 13 angeschlossen ist. Aus Gründen/die noch beschrieben werden, ist der Widerstand 21 vorzugsweise als Widerstand aus Material vom p-Leitfähigkeitstyp ausgeführt, der in eine elektrisch isolierte Wanne vom n-Leit-

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fähigkeitstyp eindiffundiert 1st. Der gemeinsame Schaltungspunkt der Kollektoren der Transistoren 13 und 20 ist über eine Diode 22 an das Massepotential 16 angeschlossen, wobei die Kathode der Diode mit dem gemeinsamen Kollektoran-Schluss und die Anode der Diode mit Masse verbunden ist. Die Basis des Transistors 20 ist an die Senkenelektrode eines Feldeffekttransistors 23 angeschlossen, dessen Steuerelektrode an Massepotential 16 liegt und dessen Quellenelektrode mit dem Kollektor eines npn-Transistors 24 verbunden ist. Der Transistor 24 ist mit einem npn-Transistor 25 zu einem Stromspiegel zusammengeschaltet. Insbesondere sind die Basen der Transistoren 24 und 25 miteinander verbunden und die Emitter der beiden Transistoren sind an das Massepotential 16 angeschlossen. Der Kollektor des Transistors 25 ist an die Basen beider Transistoren des Stromspiegels angeschlossen und ferner über einen Widerstand 26 mit dem Ausgangsanschluss 12 verbunden. Ein Feldeffekttransistor 27 ist mit seiner Senkenelektrode an die Basis des Transistors 20 und mit seiner Quellen- und Steuerelektrode an das Massepotential 16 angeschlossen.

In einer praktischen Ausfuhrungsform begrenzt der Vorregelschaltkreis 14 die positive Spannung am Kollektor-des Regeltransistors 13 auf ungefähr 34 Volt, wodurch der Transistor 13 gegen exzessive positive Versorgungsspannungsspitzen geschützt wird. Diese Klemmwirkung wird durch die Diode 22 erzielt, wobei der Transistor 20 den Strom begrenzt, wenn die Diode 22 durchbricht. Der Transistor 20 und der Widerstand 21 begrenzen den Strom, wenn die Versorgungsspannung negative Werte in Bezug auf Masse einnimmt. Insbesondere bilden sowohl der Transistor 20 als auch der Widerstand 21 in Sperrrichtung vorgespannte Dioden, wenn an sie eine negative Ver·- sorgungsspannung angelegt wird. Daher wird weder der Transistor noch der Widerstand normalerweise bei diesem PoIaritätszustand der Spannung einen Strom führen.

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Die Ansteuerung der Basis des Transistors 20 erfolgt über den Widerstand 26 und den die Transistoren 24 und 25 umfassenden Stromspiegel. Der Emitterstrom in dem Transistor 25 wird durch die geregelte Spannung am Ausgangsanschluss und den Wert des Widerstandes 26 vorgegeben. Die Transistoren 24 und 25 besitzen geeignete entwurfsbedingte Parameter, wodurch dieser Emitterstrom um einen gewünschten Faktor (z.B.5) in dem Transistor 24 verstärkt wird. Der Kollektorstrom in dem Transistor 24 wird der Basis des Transistors 20 über einen Feldeffekttransistor 23 zugeführt. Der Feldeffekttransistor 23 dient der Spannungsbegrenzung am Kollektor des Transistors 24 und somit dem Schutz des Transistors gegen große positive Störspannungsspitzen. Ein Feldeffekttransistor 27 stellt einen ausreichenden Basis-Ansteuerstrom für den Transistor 20 sicher bei einer Betriebsauslösung des Regelschaltkreises.

Der Vorspannschaltkrei3 17 liefert einen geeigneten Strom zur Aufrechterhaltung des Durchbruchs der Zenerdiode 15 und er schützt die Basis des Transistors 13 gegen exzessive. Störspannungen. Der Vorspannschaltkreis umfaßt einen Stromspiegel bestehend aus den pnp-Transistoren 30 und 31, deren Emitter über einen Widerstand 32 an den Versorgungsspannungs-. anschluss angeschlossen sind. Die Transistoren 30 und 31 und der Widerstand 32 blockieren negative Versorgungsspannungsspitzen in der gleichen Weise,wie dies der Transistor und der Widerstand 21 tun. Der Kollektor des Transistors ist an die Senkenelektroden der Feldeffekttransistoren und 34 angeschlossen, deren Gatter an das Massepotential angeschlossen sind. Die Quellenelektrode des Feldeffekttransistors 33 1st an die Basis eines npn-Transistors 35 und an den Kollektor eines npn-Transistors 36 angeschlossen. Die Quellenelektrode des Feldeffekttransistors 34 ist mit dem Kollektor des Transistors 35 verbunden. Der Emitter des

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Transistors 35 ist direkt mit der Basis des Transistors"36 verbunden und über einen Widerstand 37 an das Massepotential 15 angeschlossen. Der Emitter des Transistors 36 ist ebenfalls mit dem Massepotential 16 verbunden.

Im Betrieb ergibt sich der Kollektorstrom im Transistor 30 als Summe der Ströme durch die Feldeffekttransistoren 33 und 34. Der Emitterstrom des Transistors 30 wird mit einem vorbestimmten Faktor (z.B.4) in dem Transistor 31 multipliziert und als Vorspannstrom der Zenerdiode 15 zugeführt. Der Teil des Kollektorstromes des Transistors 30, der über den Feldeffekttransistor 33 fließt, ermöglicht die Einschaltung des Transistors 35, welcher den Strom führt, der von dem Feldeffekttransistor 34 über den Widerstand 37 nach dem Massepotential 16 fließt. Der Transistor 36 begrenzt den Kollektorstrom des Transistors 35 auf die Basis/Emitterspannung des Transistors 36 dividiert durch den Wert des Widerstandes 37. Der Strom durch den Feldeffekttransistor wird wirksam durch die Charakteristik dieser Anordnung auf den Strom begrenzt, den die Anordnung führt, wenn die Steuerelektrode und die Quellenelektrode kurzgeschlossen sind. Somit wird ein fester Strom zur Vorspannung der Zenerdiode geliefert. Der Feldeffekttransistor 34 dient dem Schutz des Transistors 35 gegen positive Versorgungsspannungsspitzen.

Durch den eng geregelten Strom durch den Transistor 30 wird ebenfalls der der Kathode der Zenerdiode 15 zugeführte Strom eng geregelt und die Spannung an der Basis des Transistors wird gegen die Einwirkung von positiven und negativen Störungen geschützt.

In dem bisher beschriebenen Ausführungsbeispiel gemäß Figur gibt die Zenerdiode 15 eine Referenzspannung für den Regeltransistor 13 vor. In einem typischen Ausführungsbeispiel wurden die Werte der Schaltkreiskomponenten so gewählt, daß eine geregelte Spannung von ungefähr 5,4 Volt erzeugt wird.

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Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Figur 2 wird eine Bandlückenreferenz verwendet, um eine temperaturstabilisierte geregelte Spannung von ungefähr 3,2 Volt zu erzeugen. Mit Ausnahme des Spannungsreferenzschaltkreises sind die Schaltkreise der Figuren 1 und 2 im wesentlichen identisch. Gleiche Komponenten in den Schaltkreisen beider Figuren werden daher mit den gleichen Bezugsziffern versehen. Die Beschreibung des Ausführungsbeispieles gemäß Figur 2 soll daher auf die Beschreibung des Bandlücken-Referenzschaltkreises begrenzt werden.

Der Bandlücken-Spannungsreferenzschaltkreis gemäß Figur 2 umfaßt einen npn-Transistor 40, dessen Kollektor an den Ausgangsanschluss 12 angeschlossen ist und dessen Basis ein Signal von einem Spannungsteiler zugeführt erhält, der zwei Widerstände 41 und 42 umfaßt, welche in Reihe zwischen den Ausgangsanschluss 12 und das Massepotential 16 geschaltet sind. Der Emitter des Transistors 4 0 ist an die Kollektoren eines Paares von npn-Transistoren 43 und 44 über Widerstände 45 und 46 entsprechend angeschlossen. Die Werte der Widerstände 45 und 46 können voneinander verschieden sein. Der Kollektor des Transistors 43 ist an die Basen der Transistoren 43 und 44 angeschlossen. Der Kollektor des Transistors 44 ist mit der Basis eines npn-Transistors 47 verbunden, dessen Kollektor an die Basis des Regeltransistors 13 angeschlossen ist und dessen Emitter an das Massepotential 16 gelegt ist. Der Emitter des Transistors 43 ist direkt mit dem Massepotential 16 verbunden und der Emitter des Transistors 44 ist über einen Widerstand 48 an das Massepotential 16 angeschlossen. Die Transistoren 43 und 44 bilden zusammen mit dem Widerstand 48 eine logarithmische Stromquelle.

Im Betrieb wird die Spannung an der Basis des Transistors durch den Zustand des Transistors 47 festgelegt, welcher

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seinerseits durch den Transistor 40 gesteuert wird. Die Spannung an der Basis des Transistors 40 ist eine temperaturstabilisierte Bezugsspannung, welche durch die Summe der Basis/Emitter-Spannungsabfälle der Transistoren 40 und 47 und durch den Spannungsabfall über dem Widerstand 46_gebildet wird. Der Strom Über den Widerstand 46 wird durch die logarithmische Stromquelle festgelegt. Die Spannung über dem Widerstand 46 besitzt daher einen positiven Temperaturkoeffizienten, der die negativen Temperatjirkoeffizienten der Basis/Emitter-Sperrschichten der Transistoren 40 und 47 kompensiert. Der aus den Widerständen 41 und 42 bestehende Spannungsteiler dient der Einstellung der Referenzspannung.

Bei dem Schaltkreis gemäß Figur 2 wird durch die Bandlückenreferenz eine niedrigere geregelte Spannung als mit der Zenerdiode 15 in Figur 1 erzielt. Die Zenerdiode 15 in Figur 2 bildet einen Schutz gegen exzessive positive Störspannungen, die zu schnell für ein geeignetes Ansprechen der Bandlückenreferenz verlaufen.

Der vorstehend beschriebene integrierte Spannungsregler zeichnet sich durch eine wesentlich höhere Spannungsfestigkeit gegenüber bekannten integrierten Reglerschalt- kreisenaus. Die Regelung funktioniert solange, bis die Grenze der Spannungsfestigkeit überschritten wird. Im Falle des Transistordurchbruchs begrenzen innere Schaltkreisimpedanzen den Strom durch den Regler in einer solchen Weise, daß er bei allen anzutreffenden Zuständen unbeschädigt bleibt.

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Claims

Patentansprüche:

Integrierter Spannungs-Regelschaltkreis, dem von einer Speisespannungsquelle ein Strom zugeführt wird, wobei die abgegebene Spannung in Bezug auf eine Referenzspannung positive und negative Spannungsspitzen aufweist, gekennzeichnet durch:

erste und zweite Transistoren (13,20) entgegengesetzten Leitfähigkeittyps, die zwischen der Speisespannungsquelle

(11) und einem Ausgang in Reihe geschaltet sind; ein Strombegrenzungselement (21) zwischen der Speisespannungsquelle (11) und den beiden Transistoren (13,20); eine Diode (22) zwischen der Referenzspannung (16) und zwei stromführenden,den beiden Transistoren (13,20) gemeinsamen Änschlußelektroden,um Spannungsverläufe mit einer Polarität an diesen gemeinsamen Anschlußelektroden auf einen Wert unterhalb der Durchbruchspannung des ersten Transistors (13) zu begrenzen; und erste und zweite Basis-Ansteuerschaltungen (15,17;23-25) zur Zuführung von im wesentlichen konstanten Signalen zu den Basen der beiden Transistoren (13,20).
2. Regelschaltkreis nach Anspruch 1, wobei die geregelte Spannung am Ausgang positiv in Bezug auf die Referenzspannung ist, dadurch gekennzeichnet,
daß die ersten und zweiten Transistoren (13,20) durch

NPN- und PNP-Transistoren vorgegeben sind, daß das Strombegrenzungselement (21) zwischen dem Emitter des zweiten Transistors (20) und der Speisespannungsquelle (11) angeordnet ist und der Emitter des ersten Transistors (13) den Ausgang (12) bildet; und daß die Diode (22) mit ihrer Kathode an die gemeinsamen Kollektoren beider Transistoren (13,20) und mit ihrer Anode an die Referenzspannung (16) angeschlossen ist.
3. Regelschaltkreis nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Strombegrenzungselement (21) ein Widerstand vom p-Leitfähigkeitstyp ist, der in eine elektrisch isolierte Wanne vom n-Leitfähigkeitstyp eindiffundiert ist.
4. Regelschaltkreis nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Basis-Ansteuerschaltung umfaßt:

einen ersten Stromspiegel (24,25) mit ersten, zweiten und dritten Anschlüssen, der bei einem Strom mit einer vorbestimmten Größe am zweiten Anschluss einen proportionalen Strom am dritten Anschluss bewirkt und dessen erster Anschluss an die Referenzspannung (16) angeschlossen ist; Schaltungsmittel (26) zwischen dem Ausgang (12) und dem zweiten Anschluss des ersten Stromspiegels (24,25); und einen ersten Feldeffekttransistor (23),der mit seiner Senken/Quellenstrecke zwischen die Basis des zweiten Transistors (20) und den dritten Anschluss des ersten Stromspiegels (24,25) geschaltet ist und der mit seiner Steuerelektrode an die Referenzspannung (16) angeschlossen ist.
5. Regelschaltkreis nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Ansteuerschaltung eine von einer Stromquelle (17) angesteuerte und im Basis-

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kreis des ersten Transistors (13) angeordnete Zenerdiode (15) aufweist, wobei die Stromquelle (17) umfaßt: dritte und vierte Transistoren (36_f35) vom npn-Leitfähigkeitstyps, wobei der Kollektor des dritten Transistors (36) mit der Basis des vierten Transistors (35), der Emitter des vierten Transistors (35) mit der Basis des dritten Transistors (36) und, der Emitter des dritten Transistors (36) an die Referenzspannung (16) angeschlossen ist;

einen Widerstand (37)rder die Basis des dritten Transistors (36) und den Emitter des vierten Transistors (35) mit der Referenzspannung (16) verbindet; einen zweiten Stromspiegel (30,31) mit ersten, zweiten und dritten Anschlüssen, der bei einem Strom mit einer vorbestimmten Größe am zweiten Anschluß einen proportio- ^r nalen Strom am dritten Anschluss bewirkt; einen Widerstand (32) zwischen der Speisespannungsquelle (11) und dem ersten Anschluss des zweiten Stromspiegels (30,31);

zweite und dritte Feldeffekttransistoren (33,34), deren Steuerelektroden an die Referenzspannung (16) ange- * schlossen sind, deren Senkenelektroden mit dem zweiten ? Anschluss des zweiten Stromspiegels (30,31) verbunden * sind und deren Quellenelektroden an die Kollektoren der ; dritten und vierten Transistoren (36,35) angeschlossen * sind; und

eine Verbindung des dritten Anschlusses des zweiten Stromspiegels (30,31) mit der Basis des ersten Transistors (13) und der Kathode der Zenerdiode (15).
6. Regelschaltkreis nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand (32) zwischen der Speisespannungsquelle (11) und dem ersten Anschluss des zweiten Stromspiegels (30,31) ein Widerstand vom

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p-Leitfähigkeitstyp ist, der in eine elektrisch isolierte Wanne vom n-Leitfähigkeitstyp eindiffundiert ist.
7. Regelschaltkreis nach Anspruch 6, dadurch g e kennzeichnet, daß die Zenerdiode (15) der ersten Ansteuerschaltung (15,17) zwischen die Basis des ersten Transistors (13) und die Referenzschaltung (16) geschaltet 1st.
8. Regelschaltkreis nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Ansteuerschaltung ferner eine Referenzspannungsquelle aufweist, welche umfaßt:
einen fünften Transistor (47) vom npn-Leltfähigkeitstyp, dessen Kollektor an die Basis des ersten Transistors (13) und dessen Emitter an die Referenzspannung (16) angeschlossen ist;

eine logarithmische Stromquelle (43,44,48) mit ersten, zweiten, dritten und vierten Anschlüssen, welche bei einem Strom mit einer ersten Größe am dritten Anschluss einen Strom mit einer eindeutig bezogenen Größe am vierten Anschluss bewirkt, wobei der vierte Anschluss an die Basis des fünften Transistors (47) angeschlossen ist; einen Widerstand (48) zur Verbindung der ersten und zweiten Anschlüsse der logarithmischen Stromquelle mit der Referenzspannung (16) ;

einen sechsten Transistor (40) vom npn-Leitfähigkeitstyp, dessen Kollektor an den Emitter des ersten Transistors (13) und dessen Emitter über Widerstände (45,46) an den dritten und vierten Anschluss der logarithmischen Stromquelle (43,44, 48) angeschlossen ist; und

eine dritte Ansteuerschaltung (41,42) zur Zuführung einer im wesentlichen konstanten Spannung an die Basis des sechsten Transistors (40).

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9. Regelschaltkreis nach den Ansprüchen 6,7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß die
zweite Ansteuerschalturig ferner einen vierten Feldeffekttransistor (27) aufweist, der mit seiner Senkenelektrode an die Basis des zweiten Transistors (20) und mit seiner Quellen- und Steuerelektrode an die Referenzspannung (16) angeschlossen ist.
10. Regelschaltkreis nach Anspruch 9, dadurch g e kennzeichnet, daß die dritte Ansteuerschaltung aus einem Spannungsteiler (41,42) zwischen dem Ausgang (12) und der Referenzspannung (16) besteht.

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