DE3337792A1

DE3337792A1 - Method and system for measuring a potential distribution in an electrolyte

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Publication number: DE3337792A1
Application number: DE19833337792
Authority: DE
Inventors: Manfred Dipl.-Phys. 7424 Heroldstatt Klein
Original assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Current assignee: Mercedes Benz Group AG
Priority date: 1983-10-18
Filing date: 1983-10-18
Publication date: 1985-04-25
Also published as: DE3337792C2

Abstract

In an electrical method of measurement in electrolytes, in particular potential and/or current density measurements in electroplating electrolytes, a measurement system is used which comprises reference and measuring electrodes which are substantially independent of the nature and concentration of the substance to be deposited.

Description

Beschreibungdescription

Verfahren und Anordnung zur Messung einer Potentialverteilung in einem Elektrolyten Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Anordnung zur Messung einer Potentialverteilung in einem Elektrolyten nach den Oberbegriffen der Patentansprüche 1 und 6.Method and arrangement for measuring a potential distribution in one Electrolytes The invention relates to a method and an arrangement for measurement a potential distribution in an electrolyte according to the preambles of the claims 1 and 6.

Die Erfindung ist insbesondere anwendbar bei der Messung der elektrischen Potentialverteilung in einem Galvanikelektrolyten. Dabei ist die Kenntnis der genauen Potentialverteilung sehr wichtig, da diese über die Stromdichte die abzuscheidende Schichtdicke, z.B . eines Metalls, bestimmt.The invention is particularly applicable to the measurement of electrical Potential distribution in a galvanic electrolyte. Here is the knowledge of the exact Potential distribution is very important, as this depends on the current density to be deposited Layer thickness, e.g. of a metal, for sure.

Bleibt bei einem derartigen Elektrolyten die Konzentration eines Ions, z.B. des C1 -Ions, während des gesamten Galvanisiervorganges zeitlich und örtlich unveränderlich, so ist es möglich, die Potentialverteilung mit Hilfe zweier Ag/AgCl-Elektroden zu messen. Dabei wird eine Elektrode, die Bezugselektrode, ortsfest im Elektrolyten gehalten, während die andere Elektrode, die Meßelektrode, im Elektrolyten bewegt wird. Wird nun dabei eine elektrische Potentialdifferenz zwischen den Elektroden gemessen, so ist daraus die gesuchte Potentialverteilung bestimmbar.If the concentration of an ion remains in such an electrolyte, e.g. of the C1 ion, during the entire electroplating process in terms of time and location unchangeable so is it possible to use the potential distribution to measure two Ag / AgCl electrodes. One electrode, the reference electrode, held in place in the electrolyte, while the other electrode, the measuring electrode, is moved in the electrolyte. There is now an electrical potential difference measured between the electrodes, this gives the potential distribution sought determinable.

Es ist weiterhin bekannt, Messungen in einem Elektrolyten mit Hilfe einer sogenannten Lugginkapillare auszufüllen.It is also known to use measurements in an electrolyte a so-called Lugginkapillary to be filled out.

Eine Lugginkapillare besteht im wesentlichen aus einer Glaskapillare, die mit einem Hilfselektrolyten gefüllt ist, der eine unterschiedliche chemische Zusammensetzung gegenüber dem zu vermessenden Elektrolyten haben kann und der lediglich dazu dient, das zu messende elektrische Potential an einen gut zugänglichen Ort zu transferieren, an dem eine Messung mit einer eingangs beispielhaft erwähn ten Ag/AgCl-Elektrode möglich ist.A Luggink capillary consists essentially of a glass capillary, which is filled with an auxiliary electrolyte that has a different chemical Composition in relation to the electrolyte to be measured can and only serves to bring the electrical potential to be measured to an easily accessible place to transfer, on which a measurement with an initially mentioned as an example Ag / AgCl electrode is possible.

Diese bekannten Verfahren und Anordnungen haben einige Nachteile. Beispielsweise können an den Elektroden störende und unbekannte elektro-chemische Reaktionen stattfinden, welche die zu messende Potentialdifferenz verfälschen. Dieses ist insbesondere bei Galvanikelektrolyten sehr störend, da dort größere Meßfehler als ungefähr 10 mV nicht zulässig sind. Weiterhin sind die bekannten Elektroden nachteiligerweise sehr teuer sowie mechanisch empfindlich, so daß insbesondere ein industrieller Einsatz unwirtschaftlich ist, beispielsweise in einem Galvanikelektrolyten, in dem nahezu gleichzeitig das Potential und/oder eine Potentialdifferenz an verschiedenen Meßpunkten gemessen werden soll.These known methods and arrangements have several disadvantages. For example, disturbing and unknown electro-chemical Reactions take place which falsify the potential difference to be measured. This is particularly troublesome in the case of galvanic electrolytes, since there are greater measurement errors there than approximately 10 mV are not permissible. Furthermore, the known electrodes disadvantageously very expensive and mechanically sensitive, so that in particular one industrial use is uneconomical, for example in a galvanic electrolyte, in which almost simultaneously the potential and / or a potential difference should be measured at different measuring points.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein gattungsgemäßes Verfahren und eine gattungsgemäße Anordnung anzugeben, die in kostengünstiger Weise zuverlässige elektrische Messungen innerhalb eines Elektrolyten ermöglichen, insbesondere nahezu punktförmige Messungen auf einem zu galvanisierenden Gegenstand (Ware).The invention is therefore based on the object of providing a generic Specify a method and a generic arrangement that in a cost-effective manner enable reliable electrical measurements within an electrolyte, in particular almost punctiform measurements on an object to be electroplated (goods).

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch die jeweilige Kombination der in den kennzeichnenden Teilen der Patentansprüche 1,2 und 7 angegebenen Merkmale. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen sind den Unteransprüchen entnehmbar.According to the invention, this object is achieved by the respective combination the features specified in the characterizing parts of claims 1, 2 and 7. Advantageous refinements and developments can be found in the subclaims.

Ein erster Vorteil der Erfindung besteht darin, daß eine nahezu stromlose Potentialmessung möglich wird bei niedrigen elektrischen Ausgangsimpedanzen der Meß- und/oder Bezugselektroden.A first advantage of the invention is that an almost currentless Potential measurement becomes possible at low electrical output impedances Measuring and / or reference electrodes.

Ein zweiter Vorteil besteht darin, daß die verwendeten Meß- und/oder Bezugselektroden als robuste sowie kostengünstige Halbleiterbauelemente herstellbar sind, die elektrische Ausgangssignale erzeugen, die mit derzeit üblichen Halbleiterschaltungen, z.B. Mikroprozessoren, kostengünstig auswertbar sind.A second advantage is that the measuring and / or Reference electrodes can be produced as robust and inexpensive semiconductor components that generate electrical output signals that are e.g. microprocessors can be evaluated cost-effectively.

Die Erfindung beruht auf der Verwendung von ionensensitiven Halbleiterbauelementen zur Potentialmessung in Elektrolyten.The invention is based on the use of ion-sensitive semiconductor components for measuring potential in electrolytes.

Dabei wird mindestens eines der ionensensitiven Halbleiterbauelemente als Bezugselektrode verwendet, während mindestens ein weiteres ionensensitives Halbleiterbauelement als Meßelektrode dient. Zwischen Bezugs- und Meßelektrode wird eine elektrische Potentialdifferenz gemessen und ausgewertet. Als ionensensitives Halbleiter bauelement wird ein ionensensitiver Feldeffekttransistor (ISFET) verwendet, der ein Gate und eine darauf angebrachte ionensensitive Schicht besitzt die beispielsweise für ein Ion, z.B. H3 0+-Ion empfindlich ist, dessen Konzentration während der Messung konstant bleibt oder sich vorhersehbar ändert.In this case, at least one of the ion-sensitive semiconductor components used as a reference electrode, while at least one further ion-sensitive semiconductor component serves as a measuring electrode. Between the reference and measuring electrodes there is an electrical Potential difference measured and evaluated. As an ion-sensitive semiconductor component an ion-sensitive field effect transistor (ISFET) is used, which has a gate and an applied ion-sensitive layer has, for example, for a Ion, e.g. H3 0 + ion, whose concentration is constant during the measurement remains or changes predictably.

Die Ausgangssignale von Bezugs- und Meßelektrode werden derart ausgewertet, z.B. mit Hilfe einer Differenzschal tung, daß ein Anzeigesignal entsteht, das lediglich von der Differenz der elektrischen Potentiale des Elektrolyten an den Meßorten abhängt und nicht von den Eigenschaften des Ions. Alternativ dazu ist es möglich, als ionensensitive Schicht eine elektrochemisch weitgehendst inerte Schicht zu wählen, die z.B. organische Polymere enthält.The output signals from the reference and measuring electrodes are evaluated in such a way that E.g. with the help of a differential circuit that a display signal is produced that only depends on the difference in the electrical potentials of the electrolyte at the measurement locations and not from the properties of the ion. Alternatively, it is possible to be ion-sensitive Layer to choose an electrochemically largely inert layer, e.g. the organic Contains polymers.

Mit Hilfe eines ISFET ist es daher möglich, eine Potentialmessung durchzuführen, bei der zwischen dem Meßpunkt sowie dem umgebenden Elektrolyten lediglich ein vernachlässigbarer elektrischer Strom fließt, der z.B. kleiner als ein pA ist.With the help of an ISFET it is therefore possible to measure the potential perform, in which between the measuring point and the surrounding electrolyte only a negligible electrical current flows, which is e.g. less than a pA.

Ein für derartige Potentialmessungen, insbesondere in einem Galvanikelektrolyten, geeignetes Halbleiterbauelement wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert unter Bezugnahme auf eine schematische Zeichnung. Die FIG. 1 bzw. 2 zeigen einen Schnitt bzw.One for such potential measurements, especially in a galvanic electrolyte, A suitable semiconductor component is described below on the basis of exemplary embodiments explained in more detail with reference to a schematic drawing. The FIG. 1 or 2 show a section or

eine Aufsicht eines ionensensitiven Halbleiterbauelements zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens.a plan view of an ion-sensitive semiconductor component for implementation of the method according to the invention.

FIG. 1 zeigt ein ionensensitives Halbleiterbauelement 20, das als ISFET ausgebildet ist. Dieses Halbleiterbauelement 20 besteht aus einem Halbleitersubstrat 10, auf dessen einer Oberfläche Source-, Drainbereiche 11 sowie ein Gate angeordnet ist, das aus mindestens einer elektrisch isolierenden Oxidschicht 13 sowie einer ionensensitiven Schicht 21 besteht. Diese Halbleiterschichtenfolge ist, bis auf die Schicht 21, abgedeckt durch eine Isolationsschicht 14, durch die elektrische Anschlüsse 5 zu den Source- und Drainbereichen 11 führen. Auf der Isolationsschicht 14 ist eine elektrisch leitende Schicht 30 angebracht1 die elektrisch isoliert ist von dem ISFET (FIG. 2).FIG. 1 shows an ion-sensitive semiconductor component 20, which is used as a ISFET is formed. This semiconductor component 20 consists of a semiconductor substrate 10, on one surface of which source and drain regions 11 and a gate are arranged is, which consists of at least one electrically insulating oxide layer 13 and one ion-sensitive layer 21 consists. This semiconductor layer sequence is up to the layer 21, covered by an insulation layer 14, by the electrical Connections 5 lead to the source and drain regions 11. On the insulation layer 14 an electrically conductive layer 30 is applied1 which is electrically insulated from the ISFET (FIG. 2).

Auf der der ionensensitiven Schicht 21 abgewandten Seite des Halbleitersubstrats 10 ist zunächst ein schichtförmiger metallischer Substratanschluß 16 angebracht, der durch eine weitere Isolationsschicht 17 geschützt ist. Wird nun eine derartige Anordnung z.B. als Meßelektrode verwendet, um unmittelbar auf einem Trägerkörper 50, z.B. einem zu galvanisierenden Körper (Ware), elektrische Messungen durchzuführen, so ist eine definierte Zuordnung zwischen der Anordnung und dem Trägerkörper 50 zweckmäßig. Diese Zuordnung erfolgt durch einen Abstandshalter 40, der in diesem Ausführungsbeispiel als Klebefolie ausgebildet ist.On the side of the semiconductor substrate facing away from the ion-sensitive layer 21 10 a layered metallic substrate connection 16 is first attached, which is protected by a further insulation layer 17. Now becomes such a Arrangement e.g. used as a measuring electrode to measure directly on a support body 50, e.g. to carry out electrical measurements on a body (goods) to be electroplated, thus there is a defined association between the arrangement and the carrier body 50 expedient. This assignment is made by a spacer 40 in this Embodiment is designed as an adhesive film.

Mit einer derartigen Anordnung sind vielfältige elektrische Messungen möglich, insbesondere in einem Galvanikelektrolyten, die in den folgenden Beispielen erläutert werden.With such an arrangement, a variety of electrical measurements are possible possible, especially in a galvanic electrolyte, which is shown in the following examples explained.

Beispiel 1: Potential- und Stromdichtemessungen an verschiedenen Stellen der Oberfläche eines zu galvanisierenden Körpers.Example 1: Potential and current density measurements at different points the surface of a body to be electroplated.

Dazu wird in dem Elektrolyten eine Bezugselektrode angebracht, die z.B. einen Aufbau hat gemäß dem in FIG. 1 dargestellten ISFET. Auf dem Körper werden an verschiedenen Stellen, z.B. Kanten, Anordnungen gemäß FIG. 1 angebracht, die als Meßelektroden dienen. Die elektrischen Ausgangssignale der ISFETs der Meß- und Bezugselektroden werden mit Hilfe einer Differenzschaltung so ausgewertet, daß die gewünschte vorzugsweise konstante Potentialverteilung entsteht. Wird zwischen der elektrisch leitenden Schicht 30 und dem Trägerkörper 50 eine Strommessung vorgenommen, die in FIG. 1 durch ein Amperemeter 60 angedeutet ist, so ist die gesuchte Stromdichte berechenbar für die Meßstelle. Eine Umschaltung der verschiedenen Meßstellen ist beispielsweise durch einen rechnergesteuerten Multiplexer möglich. Soll die beschriebene Meßelektrode beweglich auf den Trägerkörper 50 angeordnet werden, so ist es zweckmäßig, den Abstandshalter 40 entsprechend auszubilden, z.B. als induktiven und/oder kapazitiven und/oder optischen Abstandssensor und/oder als Abstandsstücke, z.B. Glasfaser, die an die zweite Isolierschicht geklebt sind.For this purpose, a reference electrode is attached to the electrolyte, which e.g. has a structure according to that shown in FIG. 1 ISFET shown. Be on the body at different points, e.g. edges, arrangements according to FIG. 1 attached to the serve as measuring electrodes. The electrical output signals of the ISFETs of the measuring and Reference electrodes are evaluated with the help of a differential circuit so that the desired, preferably constant potential distribution arises. Will be between the electrically conductive layer 30 and the carrier body 50 carried out a current measurement, in FIG. 1 is indicated by an ammeter 60, then is the current density sought calculable for the measuring point. A switchover of the various measuring points is necessary possible, for example, by a computer-controlled multiplexer. Should the described Measuring electrode are movably arranged on the support body 50, so it is useful to design the spacer 40 accordingly, e.g. as inductive and / or capacitive and / or optical distance sensor and / or as spacers, e.g. glass fiber, the are glued to the second insulating layer.

Beispiel 2: Werden auf einem Halbleitersubstrat zwei benachbarte ISFETs gemäß FIG. 1 angeordnet, so ist diese Anordnung als elektrischer Feldstärkemesser verwendbar, der eine Feldstärkemessung an einer nahezu beliebigen Stelle innerhalb des Elektrolyten ermöglicht. Aus den erwähnten Potential-, Stromdichte- sowie Feldstärkemessungen sind in vorteilhafter Weise chemische Eigenschaften des Elektrolyten be- stimmbar, z.B. die ortsabhängige Konzentrationsänderung des abzuscheidenden Metalls.Example 2: Are two adjacent ISFETs on a semiconductor substrate according to FIG. 1 arranged, this arrangement is as an electric field strength meter can be used to measure the field strength at almost any point within of the electrolyte. From the aforementioned potential, current density and field strength measurements chemical properties of the electrolyte are advantageous tunable, e.g. the location-dependent change in concentration of the metal to be deposited.

Bei einem weiteren Ausführungsbeispiel ist die ionensensitive Schicht 21 derart ausgebildet, daß das elektrische Ausgangssignal der ISFET nahezu unabhängig ist von der Ionenart sowie der Ionenkonzentration des Elektrolyten.In a further embodiment, the ion-sensitive layer is 21 designed such that the electrical output signal of the ISFET is almost independent depends on the type of ion and the ion concentration of the electrolyte.

Dieses ist erreichbar mit Materialien, die ein nahezu inertes chemisches Verhalten haben. Derartige Materialien sind z.B. organische Polymere, die derzeit unter den Handelsnamen Parylen sowie Capton erhältlich sind, und/oder Polytetrafluoräthylen, das derzeit unter dem Handelsnamen Teflon erhältlich ist.This can be achieved with materials that have an almost inert chemical Have behavior. Such materials are, for example, organic polymers currently in use are available under the trade names Parylene and Capton, and / or polytetrafluoroethylene, which is currently available under the trade name Teflon.

Die Erfindung ist nicht auf die beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt, sondern sinngemäß auf weitere anwendbar. Beispielsweise ist es möglich, das ionensensitive Halbleiterbauelement als ionensensitive Diode oder in der Art einer sogenannten "coated wiret'-Elektrode aus zubilden.The invention is not limited to the exemplary embodiments described limited, but can be applied mutatis mutandis to others. For example, it is possible the ion-sensitive semiconductor component as an ion-sensitive diode or in the form of a so-called "coated wire" electrode to form.

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Claims

Patentansprüche 1. Verfahren zur Messung einer Potentialverteilung in einem Elektrolyten, bei welchem zwischen einer Bezugselektrode und mindestens einer Meßelektrode eine elektrische Potentialdifferenz gemessen wird, gekennzeichnet durch die Kombination folgender Merkmale: a) Bezugs- und/oder Meßelektrode enthalten mindestens ein ionensensitives Halbleiterbauelement, dessen elektrisches Ausgangssignal im wesentlichen vom jeweiligen elektrischen Potential des Elektrolyten abhängt, b) die Ausgangssignale der Bezugselektrode sowie der Meßelektrode werden in einer Auswerteeinheit derart verarbeitet, daß lediglich ein von der Potentialdifferenz abhängiges Anzeigesignal entsteht.Claims 1. A method for measuring a potential distribution in an electrolyte in which between a reference electrode and at least a measuring electrode, an electrical potential difference is measured, characterized by combining the following features: a) Contains reference and / or measuring electrode at least one ion-sensitive semiconductor component, its electrical output signal depends essentially on the respective electrical potential of the electrolyte, b) the output signals of the reference electrode and the measuring electrode are in a Evaluation unit processed in such a way that only one of the potential difference dependent display signal arises.

2. Verfahren zur Messung einer Potentialverteilung in einem Elektrolyten, bei welchem zwischen einer Bezugselektrode und mindestens einer Meßelektrode eine elektrische Potentialdifferenz gemessen wird, gekennzeichnet durch die Kombination folgender Merkmale: a) der Elektrolyt enthält mindestens eine Ionenart, deren Konzentration während der Messung im wesentlichen erhalten bleibt, und/oder sich vor Meß- und Bezugselektrode gleichermaßen ändert, b) Bezugselektrode und Meßelektrode enthalten ionensensitive Halbleiterbauelemente, deren elektrische Ausgangssignale von der Ionenart sowie deren Konzentration und dem elektrischen Potential in dem Elektrolyten abhängen, c) durch die Ionenart sowie deren Konzentration bedingte elektrische Ausgangs signale der Bezugselektrode sowie der Meßelektrode werden in einer Auswerteeinheit derart verarbeitet, daß lediglich ein von der Potentialdifferenz abhängiges Anzeigesignal entsteht.2. Method for measuring a potential distribution in an electrolyte, in which between a reference electrode and at least one measuring electrode a electrical potential difference is measured, characterized by the combination the following features: a) the electrolyte contains at least one type of ion, its concentration is essentially retained during the measurement, and / or before measuring and Reference electrode changes equally, b) reference electrode and measuring electrode included ion-sensitive semiconductor components whose electrical output signals from the Ion type as well as their concentration and the electrical potential in the electrolyte depend on, c) the type of ion and its concentration caused electrical output signals from the reference electrode and the measuring electrode are processed in an evaluation unit processed in such a way that only a display signal dependent on the potential difference arises.

3. Verfahren zur Messung einer Potentialverteilung nach Anspruch i oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein ionensensitives Halbleiterbauelement als ionensensitiver Feldeffekttransistor ausgebildet wird.3. A method for measuring a potential distribution according to claim i or Claim 2, characterized in that at least one ion-sensitive semiconductor component is designed as an ion-sensitive field effect transistor.

4. Verfahren zur Messung einer Potentialverteilung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Anzeigesignal durch eine Differenzbildung aus den Ausgangssignalen der Bezugselektrode und der Meßelektrode erzeugt wird.4. Method for measuring a potential distribution according to one of the preceding claims, characterized in that the display signal by a Difference formation from the output signals of the reference electrode and the measuring electrode is produced.

5. Verfahren zur Messung einer Potentialverteilung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Elektrolyt als Galvanikelektrolyt ausgebildet wird.5. Method for measuring a potential distribution according to one of the preceding claims, characterized in that the electrolyte is a galvanic electrolyte is trained.

6. Verfahren zur Messung einer Potentialverteilung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest an der Meßelektrode zusätzlich ein Stromdichtesensor angebracht wird.6. Method for measuring a potential distribution according to one of the preceding claims, characterized in that at least on the measuring electrode a current density sensor is also attached.

7. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens zur Messung einer Potentialdifferenz, dadurch gekennzeichnet, daß auf einem Halbleitersubstrat (10) in integrierter Form mindestens ein ionensensitives Halbleiterbauelement (20) vorhanden ist, dessen ionensensitive Schicht (21) im wesentlichen elektrisch unabhängig ist von einer benachbarten elektrisch leitenden Schicht (30), die als Stromdichtesensor schaltbar ist.7. Arrangement for carrying out the method for measuring a potential difference, characterized in that on a semiconductor substrate (10) in integrated form at least one ion-sensitive semiconductor component (20) is present whose ion-sensitive Layer (21) is essentially electrically independent of an adjacent electrically conductive layer (30) which can be switched as a current density sensor.

8. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterbauelement (20) als ionensensitiver Feldeffekttransistor ausgebildet ist.8. Arrangement for performing the method according to claim 6, characterized characterized in that the semiconductor component (20) is an ion-sensitive field effect transistor is trained.

9. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 6 oder Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die ionensensitive Schicht (21) ringförmig von der elektrisch leitenden Schicht (30) umgeben ist.9. An arrangement for performing the method according to claim 6 or Claim 7, characterized in that the ion-sensitive layer (21) is ring-shaped is surrounded by the electrically conductive layer (30).

10. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß auf der dem Halbleiterbauelement (20) abgewandten Seite des Halbleitersubstrates (10) mindestens ein Abstandshalter (40) angebracht ist, der eine vorherbestimmbare Anordnung zwischen dem Halbleiterbauelement (20) und einem Trägerkörper (50) ermöglicht.10. Arrangement for performing the method according to one of the claims 6 to 8, characterized in that on the one facing away from the semiconductor component (20) Side of the semiconductor substrate (10) attached at least one spacer (40) is, which is a predeterminable arrangement between the semiconductor component (20) and a carrier body (50).

11. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstandshalter (40) als elektrisch isolierende Klebefolie ausgebildet ist und/oder aus elektrisch isolierenden Abstandsstücken besteht.11. Arrangement for performing the method according to claim 9, characterized characterized in that the spacer (40) is an electrically insulating adhesive film is formed and / or consists of electrically insulating spacers.

12. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstandshalter (40) als Abstandssensor ausgebildet ist.12. Arrangement for performing the method according to claim 9, characterized characterized in that the spacer (40) is designed as a distance sensor.

13. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstandssensor als kapazitiver elektrischer Sensor aufgebaut ist und/oder mindestens einen opto-elektrischen Reflexsensor enthält.13. Arrangement for performing the method according to claim 11, characterized characterized in that the distance sensor is constructed as a capacitive electrical sensor and / or contains at least one opto-electrical reflex sensor.