DE3331245A1 - Ebene magnetron-zerstaeubungsvorrichtung - Google Patents

Ebene magnetron-zerstaeubungsvorrichtung

Info

Publication number
DE3331245A1
DE3331245A1 DE19833331245 DE3331245A DE3331245A1 DE 3331245 A1 DE3331245 A1 DE 3331245A1 DE 19833331245 DE19833331245 DE 19833331245 DE 3331245 A DE3331245 A DE 3331245A DE 3331245 A1 DE3331245 A1 DE 3331245A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
source
magnetic
target
atomizing device
coating material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19833331245
Other languages
English (en)
Other versions
DE3331245C2 (de
Inventor
Charles B. 95125 San Jose Calif. Garrett
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Varian Medical Systems Inc
Original Assignee
Gartek Systems Inc 94086 Sunnyvale Calif
Gartek Systems Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gartek Systems Inc 94086 Sunnyvale Calif, Gartek Systems Inc filed Critical Gartek Systems Inc 94086 Sunnyvale Calif
Publication of DE3331245A1 publication Critical patent/DE3331245A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3331245C2 publication Critical patent/DE3331245C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/345Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
    • H01J37/3455Movable magnets
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405Magnetron sputtering
    • H01J37/3408Planar magnetron sputtering

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich insgesamt auf ebene Magnetron-Zerstäubungsvorrichtungen und betrifft insbesondere eine ebene Magnetron-Zerstäubungsvorrichtung mit einem bewegten Magnetfeld. Mit dieser Vorrichtung soll das Zerstäubungsmaterial des Targets stärker und gleichmäßiger ausgenutzt und ein ebenmäßiger Niederschlag auf einem Substrat gebildet werden.
Vorrichtungen, mit denen Substrate durch ein Aufstäubungs-, Aufdampf- oder Zerstäubungsverfahren beschichtet werden, sind allgemein bekannt. Dabei wird ein einem Magnetfeld ausgesetztes Targetmaterial in eine Inertgasumgebung in der Nähe eines Substrates gebracht und eine Gleichstrom-Spannung oder Hochfrequenz angelegt, was dazu führt, dass Targetmaterial vom Target an das Substrat übertragen wird. Seit der Entwicklung dieser Technik hat man sich darum bemüht, das Targetmaterial besser zu nutzen. Da Targets aus teurem Metall bestehen, ist jede Möglichkeit, die eine Nutzung eines größeren Teils dieses Metalls zum Aufstäuben ermöglicht, ehe das Target ersetzt werden muß, ebenso erwünscht wie wirtschaftlich. Außer den Kosten für die Targets selbst ist noch die Fabrikationszeit zu beachten, die verlorengeht, während der Zerstäubungsprozeß zum Austausch des Targets unterbrochen werden muß. Wenn es gelingt, die Lebensdauer eines Targets zu verlängern, kann die verlorene Produktionszeit auf ein Minimum eingeschränkt werden.
Es ist allgemein bekannt, daß die maximale Erosion eines Targets dort auftritt, wo Magnetflußlinien parallel zur Oberfläche des Targets verlaufen. Den Magnetfluß liefern in unmittelbarer Nähe des Targets angeordnete Magnete. Es ist typisch für Magnetflußlinien, daß sie geschlossene Schleifen bilden, welche sich von einem Pol eines Magneten zum entgegengesetzten Pol erstrecken. Wenn das Magnetfeld während des Zerstäubungsverfahrens stationär bleibt, nimmt die stärkste Erosion des Targets die Form einer Nut im Target an. Derartige Erosionsnutcnmuster haben typischerweise
die Form einer Rennbahn, aber sie hängen von der Anbringung der ortsfesten Magneten gegenüber der Targetoberfläche ab. Ein Beispiel für einen Versuch, die Targetnutzung zu verbessern geht aus US-PS 3 956 093 hervor, in dem ein zweites Magnetfeld rechtwinklig zu einem ersten Magnetfeld offenbart ist, um die Gestalt des Magnetflußmusters abzuflachen, damit Magnetflußlinien parallel zur Targetoberfläche in einem größeren Bereich dieser Oberfläche erhalten werden.
Weitere Bemühungen um eine Abflachung des Magnetflußmusters über das Target hinweg gehen aus US-PS ^ 312 731 und 4 162 95^ hervor. Mit anderen Versuchen, das Problem der Targeterosionsmuster zu lösen, befassen sich US-PS 4 175 030 und 4 116 806. Keine der genannten Veröffentlichungen offenbart jedoch eine Bewegung der Quelle des Magnetfeldes, um das jeweilige Ziel zu erreichen. Auch wenn mit den bekannten Vorrichtungen die Nutzung des Targets verbessert werden kann, zeichnen sich diese Vorrichtungen doch immer noch durch Targeterosionsmuster aus, die der Nut ähnlich sind, welche sich über die Oberfläche des Targets erstreckt. Es ist üblich, daß nur ^O bis 50 % des Targetmaterials aufgebraucht ist, wenn es bereits ausgetauscht werden muß.
Wenn es zur Ausbildung eines ErosAonsnutenmusters kommt, besteht die Gefahr, daß die ganze Dicke des Targets am Boden der Nut aufgebraucht wird, wodurch das Substrat mit demjenigen Material verunreinigt wird, an dem das Target angebracht ist. Deshalb kann es aus Gründen der Sicherheit nötig sein, nur ca. kO % des Targets aufzubrauchen, um das Verunreinigungsproblem zu vermeiden. In manchen Fällen ist das Target mit seiner Halterungsplatte verhaftet. Das für diese Anbringung nötige Verfahren ist ziemlich teuer, und diese Kosten erhöhen sich bei zunehmender Häufigkeit des Austausches des Targets.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine ebene Magnetron-Zerstäubungsvorrichtung zu schaffen, hoi dor die Menge des Targetmaterials erhöht ist, das aufgebraucht werden kann,
ehe Austausch des Targets notwendig wird. Damit soll der Zeitabstand von einem TargcLaustausch bis zum nächsten verlängert werden. Es soll auch eine gleichförmige Verarmung oder Ausnutzung des Targets erreicht werden. Schließlich soll damit ein Substrat in gleichmäßiger Dicke mit Targetmaterial beschichtet werden können.
Kurz gesagt sieht ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Erfindung eine Magnetanordnung vor, die über einer ebenen Oberfläche gedreht wird, an der ein ebenes Target befestigt ist, so daß ein Magnetfeldmuster erzeugt wird, welches sich in ständigem Wechsel gegenüber jeder beliebigen Stelle auf der Oberfläche des Targets befindet. Dabei ist eine kreisförmige Magnetanordnung an einem Arm befestigt, der mit einer drehbaren Welle verbunden ist, welche von einem axialen, mit Schaufeln versehenen Wasser- oder Turbinenrad angetrieben wird,wobei die Magnetanordnung gegenüber der Umdrehungsachse exzentrisch angebracht ist. Die Magnetanordnung wird über die Oberfläche einer Platte bewegt. An der entgegengesetzten Seite dieser Platte ist ein ebenes Target befestigt, welches sich in eine Arbeitskammer erstreckt, die zunächst leergepumpt und in die dann ein Inertgas unter niedrigem Druck eingeführt wurde. An das Target wird Gleichspannung angelegt, so daß zwischen dem Target und einem in der Arbeitskammer unmittelbar unterhalb des Targets in einer Ebene parallel zu demselben angeordneten Substrat ein elektrostatisches Feld erzeugt wird. Aus dem Target treten Elektronen heraus, die ihrerseits das Inertgas ionisieren. Beim Aufprall von Gasionen auf das Target werden Atome oder Moleküle aus dem Targetmaterial herausgeschlagen und schlagen sich auf dem Substrat nieder. Wenn eine Zerstäubungsvorrichtung mit einer drehbaren Magnetanordnung verwendet wird, wird das Target gleichmäßig verbraucht, und der Überzug auf dem Substrat erhält eine gleichmäßige Dicke.
Ein Vorteil der ebenen Magnetron-Zerstäubungsvorrichtung gemäß der Erfindung besteht darin, daß die Menge des Targets, die
vor der Notwendigkeit für einen Austausch des Targets aufgebraucht werden kann, erhöht wird.
Ein weiterer Vorteil besteht darin, daß mit dieser Zerstäubungsvorrichtung der Zeitabstand von einem Targetaustausch bis zum nächsten verlängert wird.
Ein Vorteil besteht auch darin, daß das Target über seinen Oberflächenbereich hinweg gleichmäßig aufgebraucht wird bzw. verarmt.
Schließlich erhält dabei die auf einem Substrat niedergeschlagene Beschichtung eine gleichförmige Dicke.
Im folgenden ist die Erfindung mit weiteren vorteilhaften Einzelheiten anhand schematisoh dargestellter Ausführungsbeispiele näher erläutert. In den Zeichnungen zeigt:
Fig. 1 einen Querschnitt durch eine mit Wasser angetriebene Magnetanordnung gemäß der Erfindungi
Fig. 2 eine Draufsicht auf die Magnetanordnung gemäß Fig. Ij Fig. 3 eine Draufsicht auf eine Ring- und Magnet baueinheit;
Fig. 4 eine Vorderansicht einer ebenen Magnetron-Zerstäubungsvorrichtung gemäß der Erfindung mit abgenommener Vorderwandι
Fig. 5 einen Teilschnitt durch die Magnet baueinheit und das Target;
Fig. 6 eine Draufsicht auf ein weiteres Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Vorrichtung nach Abnahme der oberen Halterungsplatte;
Fig. 7 einen Querschnitt durch das Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 6 längs der Linie 7-7/
Flg. 8 einen Querschnitt durch das Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 6 längs der Linie 8-8;
Fig. 9 einen Querschnitt durch das Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 6 längs der Linie 9-9j
- ίο -
Fig. 10 eine Vorderansicht eines weiteren Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen Vorrichtung nach Abnahme der vorderen Abdeckung;
Fig. 11 eine Draufsicht auf das Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 10.
In Fig. 1 ist eine mit Wasser antreibbare Magnetanordnung 10 gezeigt, die eine Isolierkappe 12 aufweist, welche mittels einer Vielzahl von Befestigungselementen 16 an einer geflanschten Halterungsplatte 14 fest angebracht ist (siehe auch Fig. 2). Die Befestigungselemente 16 erstrecken sich durch die Isolierkappe 12 in einen Flansch 18 an der Halterungsplatte 14, so daß eine Magnetgehäuseanordnung 20 gebildet wird. Der Flansch 18 der Halterungsplatte 14 ist an seiner Ober- und Unterseite mit Nuten versehen, in denen Dichtungen 22 bzw. aufgenommen sind. Die Magnetgehauseanordnung 20 ruht auf einem Isolierring 26, der zur Aufnahme einer Dichtung 28 in seiner Unterseite mit einer entsprechenden Nut versehen ist. Der Isolierring 26 seinerseits ruht in einem Umfangsschlitz 30 welcher in einer Arbeitskammerdecke 32 vorgesehen ist (siehe auch Fig. 4). Das Gewicht der Magnetgehäuseanordnung 20 hält sie an Ort und Stelle, und durch einen Druck unterhalb atmosphärischen Drucks, der in einer Arbeitskammer 34 (siehe Fig. 4) während des Betriebs der Vorrichtung aufrechterhalten wird, ist eine Abdichtung erzielt.
Die geflanschte Halterungsplatte 14 hat eine Unterseite 38·, an der mittels einer Vielzahl hier nicht gezeigter Befestigungsmittel oder einer anderen Verbindungseinrichtung ein Target 36 fest angebracht ist. Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist das Target 36 eine kreisförmige Scheibe. Mit der Krfindung sind aber auch verschiedene andere Formen von Targets verträglich ,wie im eirarilncn noch erläutert wird. Die Unterseite 38 fluchtet etwa mit einer Innenfläche '10, der Arbeitskammerdecke 32. Das Target 36 erstreckt sich in die Arbeitskammer 34.
Innerhalb der Magnetgehäuseanardnung 20 ist ein Magnetantrieb 41 angebracht, der eine Antriebswelle 42 aufweist, welche in der Isolierkappe 12 drehbar angebracht ist. An der Antriebswelle 42 ist ein mehrere Schaufeln aufweisendes Schaufelrad 44 fest angebracht. Unterhalb des Schaufelrades 44 sitzt auf der Antriebswelle 42 eine eingekapselte Magnetbaucinheit 46. Der Magnetantrieb 41 ist auf einem an der Isolierkappe 12 mittels einer Vielzahl von Befestigungselementen 50 (von denen nur eins gezeigt ist) befestigten Lagerring 48 abgestützt, auf dem er bewegbar ist. Am äußeren Ende 52 jeder Schaufel des eine Vielzahl von Schaufeln aufweisenden Schaufelrades 44 ist eine Nylonrolle 5^ angebracht, die auf dem Lagerring 48 abläuft, wenn der Magnetantrieb 4l in Umdrehung versetzt wird.
Die Isolierkappe 12 ist mit Durchlässen versehen, an die ein Kühlmitteleinlaß 56 und 'ein Kühlmittelauslaß 58 angeschlossen ist. Die Strömungsrichtung ist in Fig. 2 durch einen Pfeil in einem mit dem Kühlmitteleinlaß 56 verbundenen Durchlaß 59 angedeutet. Der Durchlaß für das Kühlmittel durch die Isolierkappe 12 ist so angeordnet, daß das Kühlmittel in solcher Weise in die Magnetgehäuseanordnung 20 eintritt, daß es auf das Schaufelrad 44 an der Mitte des äußeren Endes 52 auftrifft. An einem der Befestigungselemente 16 ist ein elektrischer Draht 60 anbringbar, der einen Anschluß einer Gleichstromquelle über e geflanschte Halterungsplatte 14 mit dem Target 36 elektrisch verbindet.
In Fig. 3 ist eine Magnet- und Ringunteranordnung 61 gezeigt, die einen magnetisch permeablen Ring 62 mit einer Vielzahl von radial nach innen um den Innenumfang des Ringes 62 herum angeordneten Permanentmagneten 64 aufweist. Die Magnete sind symmetrisch so angeordnet, daß jedem Permanentmagnet 64 ein anderer Permanentmagnet auf einer Diametralen des Ringes 62 paarweise zugeordnet ist. Die Permanentmagnete 64 können so angeordnet sein, daß gleichnamige Pole zur Mitte des Ringes 62 weisen oder daß alternierende Pole zur Mitte gerichtet sind.
- 12 -
Durch die vom Ring 62 auf die Permanentmagnete 64 ausgeübte magnetische Anziehungskraft werden die Permanentmagnete in ihrer allgemeinen Lage gehalten. Um die Positionen der Permanentmagnete dauerhafter festzulegen, kann jeder beliebige Metall- oder Epoxyklebstoff verwendet werden. Es ist auch möglich, die Permanentmagnete 64 in konischer Form und nicht nur in der gleichen Ebene anzuordnen.
Die Magnet- und Ringbauelinheit 6l ist in rostfreien Stahl eingekapselt und bildet auf diese Weise die eingekapselte Magnetbaueinheit 46. Durch das Einkapseln wird verhindert, daß die Baueinheit, 46 beim Eintauchen in das Kühlmittel, bei dem es sich typischerweise um Wasser handelt, korrodiert.
Wie aus Fig. 4 hervorgeht, bildet die durch Wasser angetriebene Magnetanordnung 10 einen Teil einer ebenen Magnetron-Zerstäubungsvorrichtung 66, zu der die Arbeitskammer 34 gehört, in die das Target 36 hineinragt. Das Target 36 ist unmittelbar oberhalb eines Substrates 70 und in einer Ebene parallel zu demselben angeordnet. Wenn das Target 36 und das Substrat 70 kreisförmige Gestalt hat, sind beide konzentrisch angeordnet. Das Substrat 70 ist auf einem pneumatischen Sockel abgestützt. Die Arbeitskammer 3^ ist mit hier nicht gezeigten, herkömmlichen, vakuumdichten Türen zur Beschickung und Entnahme sowie mit einer Einrichtung zur Herstellung des Vakuums in der Kammer und mit einer hier nicht gezeigten Zufuhreinrichtung für ein Inertgas versehen.
Das Substrat 70 ist innerhalb der Arbeitskammer 3^ auf dem Sockel 72 unmittelbar unterhalb des Targets 36 angeordnet. Zunächst wird in der Arbeitskammer 3^ Vakuum erzeugt, und dann wird ein inertes Gas unter niedrigem Druck in die Arbeitskammer 34 eingeleitet. Unter Druck stehendes Kühlmittel kann durch den Kühlmitteleinlaß 56 in das Magnetgehäuse 20 eingeleitet werden. Das Kühlmittel hat zwei Aufgaben zu erfüllen. Zunächst entfernt es die beim Betrieb der Zerstäubungsvorrichtung
ι 4 »φ *. *
- 13 -
66 im Target 36 erzeugte Wärme, die auf dem Weg über die geflanschte Halterungsplatte 14 an das Kühlmittel übertragen wird. Seine zweite Aufgabe erfüllt das Kühlmittel dadurch, daß es auf das eine Vielzahl von Schaufeln aufweisende Schaufelrad 44 aufprallt, wodurch das Schaufelrad zur Drehung veranlaßt wird. Dann strömt das Kühlmittel aus der Magnetgehäuseanordnung 20 durch den Kühlmittelauslaß 58 aus.
Durch das Drehen des Schaufelrades 44 wird die Antriebswelle 42 gedreht und das veranlaßt, daß die eingekapselte Magnetbaueinheit 46 in einem translatorischen und/oder rotatorischen Muster bewegt wird. Wie aus Fig. 2 hervorgeht, ist die Verbindung zwischen der Antriebswelle 42 und der eingekapselten Magnetbaueinheit 46 so gestaltet, daß dieser eine exzentrische Drehbewegung erteilt wird. Die eingekapselte Magnetbaueinheit 46 wird in einer Ebene parallel zum Target 36 bewegt. Von den Permanentmagneten 64 innerhalb der eingekapselten Magnetbaueinheit 46 werden Magnetflußlinien erzeugt, welche geschlossene Schleifenpaare 74 bilden, die sich von einem Pol eines Permanentmagneten 64 zu dessen entgegengesetztem Pol erstrecken. Die Schleifenpaare 74 verlaufen durch und über das Target, wie Fig. 5 zeigt. Aufgrund der axialen Anordnung der Permanentmagnete 64 innerhalb der Magnet- und Ringbaueinheit 61 wird eine Reihe von Schleifenpaaren 74 in Pbenen rechtwinklig zur Ebene des Targets 36 und entlang von Durchmessern durch Magnetpaare erzeugt.
Wenn die Magnetbaueinheit 46 bewegt wird und die dabei entstehenden Magnetflußlinien über die Oberfläche des Targets 36 streichen, wird an das Target 36 durch den elektrischen Draht 60 Gleichspannung angelegt, und durch diese Spannung entsteht zwischen dem Target 36 und dem Substrat 70 ein elektrostatisches Feld. Von dem Target 36 gehen Elektronen aus, die das Inertgas ionisieren, und diese Ionen prallen auf das Target 36 auf und veranlassen, daß Atome oder Moleküle aus
Targetmaterial verlagert werden. Das so abgestoßene Targetmaterial schlägt sich dann auf dem Substrat nieder. Da die Magnetflußlinien, die sich parallel zur Ebene der Targetoberfläche erstrecken, kontinuierlich in einem gleichmäßigen Muster über die Targetoberfläohe bewegt werden, wird das Target gleichförmig aufgebraucht, und das typische Erosionsnutenmuster stellt sich nicht ein.
Das in den Fig. 6 bis 9 gezeigte alternative Ausführungsbeispiel ist eine selbstangetriebene Magnetanordnung 76 mit Doppeltarget, die einen oberen Erdungsring 78 und einen unteren Erdungsring 80 aufweist, welche um eine Magnetgehäuseanordnung 82 herum mit Hilfe einer Vielzahl von Befestigungselementen 84 (von denen nur vier gezeigt sind) angebracht sind. Die Befestigungselemente 84 sind gegenüber der Magnetgehäuseanordnung 82 durch eine Vielzahl von Isolatoren 86 isoliert. Zur Schaffung der Magnetgehäuseanordnung 82 ist eine obere Halterungsplatte 88 mit einer unteren Halterungsplatte 90 durch eine Vielzahl von Befestigungselementen 92 verbunden. Zwischen der oberen und unteren Halterungsplatte 88 bzw. 90 stellt ein O-Ring 94, der .in eine Nut 96 in der oberen Halterungsplatte 88 eingesetzt ist, eine Abdichtung her. Die Verbindung zwischen der oberen und unteren Halterungsplatte 88 und 90 ist von einer oberen horizontalen Lagernut 98, einer unteren horizontalen Lagernut 100 und einer vertikalen Lagernut 102 gebildet. Innerhalb der Magnetgehäuseanordnung 82 ist ein eine Vielzahl von Schaufeln aufweisendes Schaufelrad 104 angebracht, welches einen Ring 106, eine Vielzahl von Lageranordnungshalte runden 108, eine Vielzahl horizontaler Rollenlageranordnungen 110, eine Vielzahl vertikaler Rollenlageranordnungen 112 und eine Vielzahl von Schaufeln 114 aufweist.
Eine eingekapselte Mafjietbaueinhei I 46' ist so an der Innenfläche des Ringes 106 befestigt, daß sie sich gegenüber dem Ring 106 exzentrisch verhält. Diese Baueinheit 46' hat einen ähnlichen Aufbau wie die im Zusammenhang mit Fig. 1 bis
33312A5 .-:: j.: :X.:--:.-..
3 schon beschriebene eingekapselte MapTietbaueinheit 46. An der Außenfläche 116 der oberen Halterungsplatte 88 sowie an der Außenfläche 118 der unteren Halterungsplatte 90 ist jeweils ein Target 36' befestigt. Die Magnetgehäuseanordnung 82 weist zwei Durchlässe 120 und 122 auf, an die ein Kühlmitteleinlaß 56' bzw. ein Kühlmittelauslaß 58' angeschlossen ist, so daß das in die Magnetgehäuseanordnung 82 eintretende Kühlmittel auf die Schaufeln 114 aufprallt. Die selbst angetriebene Magnetanordnung 76 mit doppeltem Target ist so anbringbar, daß die Targets 36 \ sich entweder in einer horizontalen oder in einer vertikalen Ebene innerhalb einer Arbeitskammer erstrecken, wobei die zur Verfügung stehende Gleichstrom- oder Hochfrequenz-ftxx&e so an die Anordnung angeschlossen ist, daß diese kathodisch wirkt, wenn Energie zugeführt wird. Substrate können in der Nähe der Targets 36' in Ebenen parallel zu denselben angeordnet werden. In der Arbeitskammer kann auch mehr als nur eine Magnetanordnung 76 mit doppeltem Target und Wasserantrieb vorgesehen sein, so daß mehr als zwei Substrate gleichzeitig beschichtet werden können.
Wenn Kühlmittel unter Druck durch den Kühlmitteleinlaß 56' eingeführt wird, prallt es auf die Schaufeln 114 auf und bewirkt, daß das Schaufelrad 104 gedreht wird. Wenn die Magnetanordnung 76 mit Selbstantrieb und doppeltem Target so ausgerichtet ist, daß die Targets 36' in einer horizontalen Ebene liegen, läuft das Schaufelrad auf den horizontalen Rollenlageranordnungen 110 in den oberen und unteren Lagernuten 98 und 100. Ist die Anordnung 76 vertikal ausgerichtet, so läuft das Schaufelrad 104 auf den vertikalen Rollenlageranordnungen 112 und der vertikalen Lagernut 102. Wenn sichdas Schaufelrad 104 dreht, bewirkt es, daß dia eingekapselte Magnetbaueinheit 46' exzentrisch umläuft, wodurch das erzeugte Magnetfeld über die Außenflächen der Targets 36' streicht, was zu einer gleichmäßigen Verarmung der Targets 36' in ähnlicher Weise wie schon beschrieben, führt.
Ein zweites alternatives Ausführungsbeispiel ist in den Pig. 10 und 11 gezeigt. Hier weist eine translatorische Magnetanordnung l40 eine obere Abdeckung 1*1-2, eine vordere Abdeckung 144, eine hintere Abdeckung 146, ein erstes Seitenteil 148, ein zweites Seitenteil 150, eine untere Halterungsplatte 152, einen Isolator 154 und eine Halterung 156 für eine Arbeitskammer auf. Die obere Abdeckung 142 ist an der unteren Halterungsplatte 152 und dem Isolator 154 durch eine Vielzahl von Befestigungselementen 158 befestigt, die sich durch die vordere Abdeckung 144, die hintere Abdeckung 146, das erste Seitenteil 148 und das zweite Seitenteil 150 erstrecken, wodurch eine Magnetgehäuseanordnung I5I geschaffen ist.
In einem Flansch 164 der unteren Halterungsplatte 152 ist eine erste und zweite 0-Ringnut 160 bzw. 162vorgesehen. Am Isolator 154 ist eine dritte 0-Ringnut I66 ausgebildet. In jeder der O-Ringnuten 160, 162 und I66 ist jeweils ein O-Ring I68, 170 bzw. 172 aufgenommen, wodurch zwischen der unteren Halterungsplatte I52 und dem Isolator 154 sowie zwischen dem Isolator 154 und der Halterung 156 für die Arbeitskammer eine Abdichtung geschaffen ist. An der unteren Halterungsplatte 156 ist unter Verwendung von hier nicht gezeigten Befestigungselementen oder einer anderen Verbindungseinrichtung ein Target 168 angebracht. In die Magnetgehäuseanordnung I5I ragt durch eine Öffnung 172 in der oberen Abdeckung 142 eine Welle 170 hinein, deren Achse sich rechtwinklig zur Ebene der unteren Halterungsplatte 152 erstreckt und die auf der Längsmittellinie der Magnetgehäuseanordnung 15I angeordnet ist. Die Welle 170 hat ein unteres Ende 174, welche sich durch ein erstes Ende 175 einer ersten Verbindungsstange 176 erstreckt, die in einer Ebene parallel zur Ebene der unteren Halterungsplatte 152 angeordnet ist. Durch die erste Verbindungsstange 176 und das untere Ende 174 erstreckt sich ein erster Zapfen 178, wodurch zwischen der Welle 170 und der ersten Verbindungsstange 176 keine relative Bewegung möglich ist.
—I J_ f —
Die erste Verbindungsstange 176 kann an ihrem zweiten Ende einen zweiten Zapfen 182 aufnehmen, der sich durch die erste Verbindungsstange 176 und in ein erstes Ende 184 einer zweiten Verbindungsstange 186 erstreckt. Durch das erste Ende 184 der zweiten Verbindungsstange 186 und den zweiten Zapfen 182 erstreckt sich ein dritter Zapfen 188, wodurch der ersten Verbindungsstange 1?6 eine Schwenkbewegung um den zweiten Zapfen 182 ermöglicht ist. Die zweite Verbindungsstange 186 kann an ihrem zweiten Ende 190 einen vierten Zapfen 192 aufnehmen, der in einem Aufnahmeglied 194 befestigt ist, welches an einer eingekapselten Magnet baueinheit: 46" fest angebracht ist, wodurch die zweite Verbindungsstange 186 um den vierten Zapfen 192 schwenken kann. Die eingekapselte Magnetbaueinbeit 46" ist ähnlich aufgebaut wie die vorstehend beschriebene und in Pig. I bis 3 gezeigte eingekapselte Magnet baueinheit 46.
An der eingekapselten Magnet baueinheit 46" sind mehrere Stützglieder 196 für Führungswellen fest angebracht, in denen zwei Führungswellen 198 gleitend verschiebbar aufgenommen sind. Die Führungswellen 198 sind in mehreren Schlitzen 200 im ersten und zweiten Seitenteil 148 bzw. 150 angebracht.
Während des Betriebes ist die Welle 170 mit einer Dreheinrichtung verbunden, so daß die Welle 170 um eine Längsachse 202 gedreht wird. Diese Drehbewegung veranlaßt die erste Verbindungsstange 176 in einer Ebene im wesentlichen parallel zur Ebene der unteren Halterungsplatte 152 um die Längsachse 202 zu schwenken.
Wenn die erste Verbindungsstange 176 schwenkt, zieht sie die zweite Verbindungsstange 186 mit sich, so daß auf die eingekapselte Magnet baueinheit 46" durch den vierten Zapfen 192 und das Aufnahmeglied 194 eine Kraft ausgeübt wird. Da die Bewegung der Magnetbaueinheit 46" durch die sich durch die Stützglieder I96 erstreckenden Führungswellen 198 begrenzt ist, bewirkt die auf die Magnet baueinheit 46" ausgeübte
- 18 Kraft eine Translation der Baueinheit 46".
Beim Weiterschwenken der ersten Verbindungsstange 176 wird die eingekapselte Magnet baueinheit 46" so bewegt, wie es in Fig. 11 gestrichelt gezeigt ist, daß nach einer vollständigen Umdrehung der ersten Verbindungsstange 176 um die Längsachse 202 die eingekapselte Magnethiueinheit 46" eine komplette Bewegung über das Target 168 ausgeführt hat und in ihre Ausgangsstellung zurückgekehrt ist, wie Fig. 10 zeigt. Die Bewegung der eingekapselten Magnetbaueinheit 46" wird bei fortgesetzter Umdrehung der Welle 170 wiederholt. Das von der eingekapselten Magnetbaueinheil 46" erzeugte Magnetfeld streicht also über das Target 168, was zu einer gleichförmigen Verarmung des Targetmaterials während des Zerstäubungsprozesses führt. Während des Betriebes erhält die translatorisch bewegbare MagneteinheiL l40 elektrischen Strom und Kühlmittel, um als Gleichstrom- oder HF-Magnetron zu wirken. Die Magneteinheit l40 wird dabei abdichtend über einer Öffnung in einer Arbeitskammer angebracht, wie im Zusammenhang mit der Arbeitskammer 34 beschrieben,, so daß das Target 168 sich in der Nähe einer zu beschichtenden Oberfläche befindet, die in einer im wesentlichen parallel zur Ebene des Targets 168 liegenden Ebene angeordnet ist.
Bei einem anderen alternativen Ausführungsbeispiel ist eine Vielzahl eingekapselter Magnetbaueinheiten vorgesehen, die von einer gemeinsamen Welle exzentrisch angetrieben werden. Dabei kann die Größe der darin enthaltenen Ringe 62 und Permanentmagnete 64 variieren und ist nicht auf die in den Zeichnungen angegebene Größe oder Anzahl beschränkt. Die typische Größe für die zu beschichtenden Substrate liegt jedoch in einem Bereich von ca. 7,62 cm bis 12,70 cm (3 bis 5 Zoll) im Durchmesser. Allerdings hängt dies vollkommen von den Kotwendigkeiten der entsprechenden Industrie ab und bedeutet keinerlei Einschränkung der Erfindung.
Zwar ist der Antrieb gemäß der Erfindung mit Wasser zweckmäßig, da er zwei Punktionen ausüben kann, jedoch sollte diese Antriebsart nicht als das einzige Mittel zum Erzeugen der Bewegung der Hagnetquelle angesehen werden. Außer einer hydraulischen Antriebseinrichtung können auch elektrische oder
magnetische Antriebseinrichtungen vorgesehen sein. Die Geschwindigkeit des Antriebs läßt sich erfindungsgemäß durch
Verstärken oder Verringern der Kühlmittel strömung zur Magnetgehäuseanordnung 20 steuern.
Um die Vorrichtung vor Überhitzung zu schützen, kann eine Wasser/ Dreh-Verrlegelung vorgesehen sein, die die Gleichstromzufuhr unterbricht, wenn sich entweder- die Antriebswelle 42 nicht
dreht oder kein Wasser durch den Kühlmitteleinlaß 56 strömt.
Im Gegensatz zu der gleichförmigen Bewegung kann die Bewegung der Magnetquelle bei einem alternativen Ausführungsbeispiel
stochastisch sein.Es sei auch noch erwähnt, daß die Ebene der Magnetquelle gegenüber dem Target durch Einstellen der Länge der Antriebswelle 42 oder durch Arbeiten ohne Lagerring 48 und Nylonrollen 54 angehoben oder abgesenkt werden kann, was eine Berührung zwischen der eingekapselten Magnetbaueinheit und der Oberseite der geflanschten Halterungsplatte 14 ermöglicht.

Claims (3)

  1. Patentanwälte European Patent Attorneys
    33312Λ5 MÜnChen
    Gl 6 Pl D
    GARTEK SYS1IEMS, INC.
    Sunnyvale, CAL. 9'JO86
    U.S.A.
    EBENE MAGNETRON-ZERSTÄUBUNGSVORFaCHTONG
    Priorität: 3. September I982 - USA - Serial No. Wi
    16. Juni 1983 - USA - Serial No. 504 598
    PATENTANSPRtJCHE
    Ebene Magnetron-Zerstäibungsvorrichtung, ge kennzeichne b durch
    - eine Tiefdruck-Inertgas-Kammer zur Aufnahme eines Objektes mit einer zu beschichtenden Oberfläche,
    - eine Einrichtung in der Kammer, die eine Quelle aus Beschichtungsmaterial darstellt,
    - eine Einrichtung, die zwischen der zu beschichtenden Oberfläche und der Quelle des Beschichtungsmaterials ein elektrostatisches Feld erzeugt,
    - eine Magnetquelle, die mit einer Einrichtung zum Bewegen der Magnetquelle gegenüber der Quelle des Beschichtungsmaterials verbunden ist, so daß die erzeugten Magnetflußlinien über die Quelle des Beschichtungsmaterials streichen, wodurch das Beschichtungsmaterial von der Quelle des Beschichtungsmaterials zu der zu beschichtenden Oberfläche übertragbar ist und die Bewegung der Magnetquelle die Quelle des Beschichtungsmaterials gleichmäßig aufbrauchen und die zu beschichtende Oberfläche gleichmäßig beschichten kann.
  2. 2. Zerstäubungsvorrichtung nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet , daß die zu beschichtende Oberfläche und die Quelle des Beschichtungs-
    materials einander zugewandte ebene Oberflächen haben, die in im wesentlichen parallelen Ebenen ausgerichtet sind.
  3. 3. Zerstäubungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß eine Vielzahl von Magnetquellen vorgesehen ist, die jeweils im Verhältnis zur Quelle des BeSchichtungsmaterials bewegbar sind.
    k. Zerstäubungsvorrichtung nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet , daß die Einrichtung zum Bewegen der Magnetquelle Mittel aufweist, die die Magnetquelle stochastisch bewegen.
    5. Zerstäubungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Einrichtung zum Bewegen der Magnetquelle Mittel aufweist, die die Magnetquelle in einer kreisförmigen Bahn bewegen.
    6. Zerstäubungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Quelle des Beschichtungsmaterials eine erste Scheibe ist.
    7. Zerstäubungsvorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet , daß das Objekt mit einer zu beschichtenden Oberfläche eine zweite Scheibe ist.
    8. Zerstäubungsvorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet , daß die erste und zweite Scheibe konzentrisch zueinander sind.
    9. Zerstäubungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß das Objekt mit einer zu beschichtenden Oberfläche eine Scheibe ist.
    10. Zerstäubungsvorrichtung nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet , daß die Magnetquelle
    aus einer Vielzahl von Permanentmagneten besteht, die innerhalb eines magnetisch permcablen Ringes radial ausgerichtet sind, der von rostfreiem Stahl umhüllt und mit einer Antriebswelle verbunden ist, die von Schaufeln antreibbar ist, auf die eine Kühlmittelströmung leitbar ist, um die exzentrische Drehbewegung der Magnetquelle zu verursachen.
    11. Zerstäubungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Quelle des Beschichtungsmaterials ein Paar ebene Targets aufweist, die in im wesentlichen parallelen Ebenen ausgerichtet sind, wobei die Magnetquelle zwischen diesen und in einer Ebene parallel zu den ebenen Targets angeordnet ist.
    12. Zerstäubungsvorrichtung nach Anspruch 11,
    dadurch gekennzeichnet , daß mehr als ein Paar ebener Targets und der dazugehörigen Magnetquelle innerhalb der Unterdruck -Inertgas-Kammer angeordnet sein kann.
    13· Zerstäubungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Quelle für Beschichtungsmaterial eine rechteckige Platte ist.
    1^. Zerstäubungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Einrichtung zum Bewegen der Magnetquelle eine translatorische Bewegung der Magnetquelle verursacht.
    15. Ebene Magnetron-Zerstäubungsvorrichtung, ge kenn ze i ohne t durch
    - eine Halterungsplatte mit ebenen Oberflächen,
    - eine Vielzahl von Magneteinrichtungen,
    - eine Einrichtung zur Aufnahme der Vielzahl von Magneteinrichtungen und zum Bewegen derselben über eine erste Seite der Halterungsplatte,
    - Targetmaterial, welches an einer zweiten Seite der Halterungsplatte "befestigt ist,
    - eine Einrichtung zum Abführen von Wärme von der Halterungsplatte,
    - eine Einrichtung zum Anlegen eines Gleichstrompotentials an die Halterungsplatte,
    - ein Substrat, welches in einer parallelen Ebene unterhalb des Targets abgestützt ist,
    - eine Arbeitskammer, in der das Targetmaterial und das Substrat angeordnet ist,
    - eine Einrichtung zum Leerpumpen der Arbeitskammer, und
    - eine Einrichtung zum Einspritzen eines Inertgases in die Arbeitskammer,so daß die Magneteinrichtung über die erste Seite der Halterungsplatte bewegt werden kann, um zu veranlasse daß die parallel zur Oberfläche der Platte verlaufenden Magnetflußlinien sich über die Oberfläche des Targetmaterials Bewegen, zur gleichen Zeit GleichstrompoUent. ial angelegt wird, das Ganze in einer Unterdruckumgebung aus dem Inertgas, und das Targetmaterial gleichförmig aufgebraucht und der gleichförmige Niederschlag von Targetmaterial auf dem Substrat erreicht werden kann.
    16. Zerstäubungsvorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet , daß die Einrichtung zum Bewegen der Magneteinrichtung eine hydraulische Druckquelle ist, die so angebracht ist, daß sie auf ein Mehrfachschaufelrad wirkt.
    17. Zerstäubungsvorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet , daß die Einrichtung zum Bewegen der Magneteinrichtung ein Elektromotor ist.
    18. Zerstäubungsvorrichtung nach Anspruch 15} dadurch gekennzeichnet , daß die Magneteinrichtung eine Vielzahl von Permanentmagneten aufweist, die als radiale Speichen innerhalb eines Halteringes angeordnet sind.
    19. Zerstäubungsvorrichtimg nach Anspruch 15,
    dadurch gekennzeichnet , daß die Permanentmagnete so angeordnet sind, daß alternierende Pole zur Mitte des Haiteringes weisen.
DE19833331245 1982-09-03 1983-08-30 Ebene magnetron-zerstaeubungsvorrichtung Granted DE3331245A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US41464982A 1982-09-03 1982-09-03
US06/504,598 US4444643A (en) 1982-09-03 1983-06-16 Planar magnetron sputtering device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3331245A1 true DE3331245A1 (de) 1984-03-08
DE3331245C2 DE3331245C2 (de) 1992-03-12

Family

ID=27022637

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19833331245 Granted DE3331245A1 (de) 1982-09-03 1983-08-30 Ebene magnetron-zerstaeubungsvorrichtung

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4444643A (de)
DE (1) DE3331245A1 (de)
GB (1) GB2126257B (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3619194A1 (de) * 1986-06-06 1987-12-10 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Magnetron-zerstaeubungskatode fuer vakuum-beschichtungsanlagen
FR2704870A1 (fr) * 1993-05-04 1994-11-10 Balzers Hochvakuum Dispositif de pulvérisation à champ magnétique, et installation de traitement sous vide associée.
DE102012211664A1 (de) * 2012-07-04 2014-01-09 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Magnetronsputtereinrichtung

Families Citing this family (85)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4673477A (en) * 1984-03-02 1987-06-16 Regents Of The University Of Minnesota Controlled vacuum arc material deposition, method and apparatus
JPS61501328A (ja) * 1984-03-02 1986-07-03 リ−ジェンツ・オブ・ザ・ユニヴァ−シティ・オブ・ミネソタ 制御された真空ア−クによる材料デポジション方法及び装置
DE3413001A1 (de) * 1984-04-06 1985-10-17 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Katodenzerstaeubungsanlage mit nebeneinander angeordneten stationen
US4552639A (en) * 1984-07-20 1985-11-12 Varian Associates, Inc. Magnetron sputter etching system
EP0169680A1 (de) * 1984-07-20 1986-01-29 Varian Associates, Inc. Magnetron-Zerstäubungsvorrichtung zum Ätzen
US4724058A (en) * 1984-08-13 1988-02-09 Vac-Tec Systems, Inc. Method and apparatus for arc evaporating large area targets
KR910000508B1 (ko) * 1984-08-31 1991-01-26 니찌덴 아넬바 가부시끼가이샤 동적자계를 이용한 방전 반응장치
JPS6260866A (ja) * 1985-08-02 1987-03-17 Fujitsu Ltd マグネトロンスパツタ装置
JPS6247478A (ja) * 1985-08-26 1987-03-02 バリアン・アソシエイツ・インコ−ポレイテツド 磁場の円運動と放射状運動を組み合わせたプレ−ナ・マグネトロン・スパツタリング装置
US4632719A (en) * 1985-09-18 1986-12-30 Varian Associates, Inc. Semiconductor etching apparatus with magnetic array and vertical shield
JPH0812856B2 (ja) * 1986-01-17 1996-02-07 株式会社日立製作所 プラズマ処理方法および装置
DE3789307T2 (de) * 1986-04-04 1994-06-09 Univ Minnesota Bogenbeschichtung von feuerfesten metallverbindungen.
US4842703A (en) * 1988-02-23 1989-06-27 Eaton Corporation Magnetron cathode and method for sputter coating
US4892633A (en) * 1988-11-14 1990-01-09 Vac-Tec Systems, Inc. Magnetron sputtering cathode
US4865708A (en) * 1988-11-14 1989-09-12 Vac-Tec Systems, Inc. Magnetron sputtering cathode
US4915805A (en) * 1988-11-21 1990-04-10 At&T Bell Laboratories Hollow cathode type magnetron apparatus construction
US5409590A (en) * 1989-04-17 1995-04-25 Materials Research Corporation Target cooling and support for magnetron sputter coating apparatus
US5130005A (en) * 1990-10-31 1992-07-14 Materials Research Corporation Magnetron sputter coating method and apparatus with rotating magnet cathode
US6024843A (en) * 1989-05-22 2000-02-15 Novellus Systems, Inc. Sputtering apparatus with a rotating magnet array having a geometry for specified target erosion profile
US4995958A (en) * 1989-05-22 1991-02-26 Varian Associates, Inc. Sputtering apparatus with a rotating magnet array having a geometry for specified target erosion profile
DE3929695C2 (de) * 1989-09-07 1996-12-19 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats
US5252194A (en) * 1990-01-26 1993-10-12 Varian Associates, Inc. Rotating sputtering apparatus for selected erosion
US5320728A (en) * 1990-03-30 1994-06-14 Applied Materials, Inc. Planar magnetron sputtering source producing improved coating thickness uniformity, step coverage and step coverage uniformity
US5242566A (en) * 1990-04-23 1993-09-07 Applied Materials, Inc. Planar magnetron sputtering source enabling a controlled sputtering profile out to the target perimeter
US5171415A (en) * 1990-12-21 1992-12-15 Novellus Systems, Inc. Cooling method and apparatus for magnetron sputtering
EP0496036B1 (de) * 1991-01-25 1994-12-14 Sony Corporation Zerstäubungsvorrichtung
US5108574A (en) * 1991-01-29 1992-04-28 The Boc Group, Inc. Cylindrical magnetron shield structure
DE4107505A1 (de) * 1991-03-08 1992-09-10 Leybold Ag Verfahren zum betrieb einer sputteranlage und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
DE4125110C2 (de) * 1991-07-30 1999-09-09 Leybold Ag Magnetron-Zerstäubungskathode für Vakuumbeschichtungsanlagen
US5194131A (en) * 1991-08-16 1993-03-16 Varian Associates, Inc. Apparatus and method for multiple ring sputtering from a single target
US5314597A (en) * 1992-03-20 1994-05-24 Varian Associates, Inc. Sputtering apparatus with a magnet array having a geometry for a specified target erosion profile
US5374343A (en) * 1992-05-15 1994-12-20 Anelva Corporation Magnetron cathode assembly
US5262028A (en) * 1992-06-01 1993-11-16 Sierra Applied Sciences, Inc. Planar magnetron sputtering magnet assembly
US5417833A (en) * 1993-04-14 1995-05-23 Varian Associates, Inc. Sputtering apparatus having a rotating magnet array and fixed electromagnets
US6199259B1 (en) 1993-11-24 2001-03-13 Applied Komatsu Technology, Inc. Autoclave bonding of sputtering target assembly
US5487822A (en) * 1993-11-24 1996-01-30 Applied Materials, Inc. Integrated sputtering target assembly
US5433835B1 (en) * 1993-11-24 1997-05-20 Applied Materials Inc Sputtering device and target with cover to hold cooling fluid
DE4414470A1 (de) * 1994-04-26 1995-11-02 Leybold Ag Zerstäuberkathode
DE4426200A1 (de) * 1994-07-23 1996-01-25 Leybold Ag Kathodenzerstäubungsvorrichtung
US5597459A (en) * 1995-02-08 1997-01-28 Nobler Technologies, Inc. Magnetron cathode sputtering method and apparatus
US6221217B1 (en) 1995-07-10 2001-04-24 Cvc, Inc. Physical vapor deposition system having reduced thickness backing plate
US6039848A (en) * 1995-07-10 2000-03-21 Cvc Products, Inc. Ultra-high vacuum apparatus and method for high productivity physical vapor deposition.
US5876573A (en) * 1995-07-10 1999-03-02 Cvc, Inc. High magnetic flux cathode apparatus and method for high productivity physical-vapor deposition
US5985115A (en) * 1997-04-11 1999-11-16 Novellus Systems, Inc. Internally cooled target assembly for magnetron sputtering
US6340415B1 (en) 1998-01-05 2002-01-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for enhancing a sputtering target's lifetime
US6342131B1 (en) 1998-04-17 2002-01-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of depositing a multilayer thin film by means of magnetron sputtering which controls the magnetic field
US5980707A (en) * 1998-12-18 1999-11-09 Sierra Applied Sciences, Inc. Apparatus and method for a magnetron cathode with moving magnet assembly
US6306265B1 (en) 1999-02-12 2001-10-23 Applied Materials, Inc. High-density plasma for ionized metal deposition capable of exciting a plasma wave
EP1063679B1 (de) * 1999-06-21 2008-01-09 Bekaert Advanced Coatings NV. Magnetron mit beweglicher Magnetanordnung zur Kompensation des Erosionsprofils
US6258217B1 (en) 1999-09-29 2001-07-10 Plasma-Therm, Inc. Rotating magnet array and sputter source
US6228236B1 (en) * 1999-10-22 2001-05-08 Applied Materials, Inc. Sputter magnetron having two rotation diameters
US6471830B1 (en) 2000-10-03 2002-10-29 Veeco/Cvc, Inc. Inductively-coupled-plasma ionized physical-vapor deposition apparatus, method and system
US6758950B2 (en) * 2002-01-14 2004-07-06 Seagate Technology Llc Controlled magnetron shape for uniformly sputtered thin film
US6852202B2 (en) 2002-05-21 2005-02-08 Applied Materials, Inc. Small epicyclic magnetron with controlled radial sputtering profile
US6841050B2 (en) * 2002-05-21 2005-01-11 Applied Materials, Inc. Small planetary magnetron
US7351480B2 (en) * 2002-06-11 2008-04-01 Southwest Research Institute Tubular structures with coated interior surfaces
US7674360B2 (en) * 2003-12-12 2010-03-09 Applied Materials, Inc. Mechanism for varying the spacing between sputter magnetron and target
US20060049040A1 (en) * 2004-01-07 2006-03-09 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for two dimensional magnetron scanning for sputtering onto flat panels
US7513982B2 (en) 2004-01-07 2009-04-07 Applied Materials, Inc. Two dimensional magnetron scanning for flat panel sputtering
US8500975B2 (en) * 2004-01-07 2013-08-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for sputtering onto large flat panels
US20050178653A1 (en) * 2004-02-17 2005-08-18 Charles Fisher Method for elimination of sputtering into the backing plate of a target/backing plate assembly
JP2008505250A (ja) * 2004-07-01 2008-02-21 カーディナル・シージー・カンパニー マグネトロンスパッタリング用の振動磁石を有する円筒形のターゲット
US7520965B2 (en) * 2004-10-12 2009-04-21 Southwest Research Institute Magnetron sputtering apparatus and method for depositing a coating using same
US7790003B2 (en) * 2004-10-12 2010-09-07 Southwest Research Institute Method for magnetron sputter deposition
US7592051B2 (en) * 2005-02-09 2009-09-22 Southwest Research Institute Nanostructured low-Cr Cu-Cr coatings for high temperature oxidation resistance
US7799190B2 (en) * 2005-04-14 2010-09-21 Tango Systems, Inc. Target backing plate for sputtering system
US8470141B1 (en) * 2005-04-29 2013-06-25 Angstrom Sciences, Inc. High power cathode
JP4923450B2 (ja) * 2005-07-01 2012-04-25 富士ゼロックス株式会社 バッチ処理支援装置および方法、プログラム
US20070012663A1 (en) * 2005-07-13 2007-01-18 Akihiro Hosokawa Magnetron sputtering system for large-area substrates having removable anodes
US20070012559A1 (en) * 2005-07-13 2007-01-18 Applied Materials, Inc. Method of improving magnetron sputtering of large-area substrates using a removable anode
US20070084720A1 (en) * 2005-07-13 2007-04-19 Akihiro Hosokawa Magnetron sputtering system for large-area substrates having removable anodes
US20070012558A1 (en) * 2005-07-13 2007-01-18 Applied Materials, Inc. Magnetron sputtering system for large-area substrates
US20070051616A1 (en) * 2005-09-07 2007-03-08 Le Hienminh H Multizone magnetron assembly
US20070056843A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-15 Applied Materials, Inc. Method of processing a substrate using a large-area magnetron sputtering chamber with individually controlled sputtering zones
US20070056850A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-15 Applied Materials, Inc. Large-area magnetron sputtering chamber with individually controlled sputtering zones
US7588668B2 (en) * 2005-09-13 2009-09-15 Applied Materials, Inc. Thermally conductive dielectric bonding of sputtering targets using diamond powder filler or thermally conductive ceramic fillers
US9771647B1 (en) * 2008-12-08 2017-09-26 Michael A. Scobey Cathode assemblies and sputtering systems
WO2011146673A2 (en) * 2010-05-19 2011-11-24 General Plasma, Inc. High target utilization moving magnet planar magnetron scanning method
US20130017316A1 (en) * 2011-07-15 2013-01-17 Intermolecular, Inc. Sputter gun
US9844828B2 (en) * 2012-08-31 2017-12-19 Illinois Tool Works Inc. Wire feeder assembly with motor mount
US10032872B2 (en) 2013-05-17 2018-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and apparatus for manufacturing semiconductor device
DE102014109991A1 (de) * 2014-07-16 2016-01-21 Von Ardenne Gmbh Magnetron-Anordnung, Prozessieranordnung, Verfahren und Verwendung einer Magnetron-Anordnung
WO2016077549A1 (en) * 2014-11-12 2016-05-19 Proportional Technologies, Inc. Moving magnet assembly to increase the utility of a rectangular magnetron sputtering target
US11479847B2 (en) 2020-10-14 2022-10-25 Alluxa, Inc. Sputtering system with a plurality of cathode assemblies
CN115074678B (zh) * 2022-06-20 2023-05-16 肇庆市科润真空设备有限公司 不锈钢薄板连续镀膜用的多弧靶机构及pvd镀膜装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3956093A (en) * 1974-12-16 1976-05-11 Airco, Inc. Planar magnetron sputtering method and apparatus
DE2707144A1 (de) * 1976-02-19 1977-08-25 Sloan Technology Corp Kathodenzerstaeubungsvorrichtung
US4116806A (en) * 1977-12-08 1978-09-26 Battelle Development Corporation Two-sided planar magnetron sputtering apparatus
US4175030A (en) * 1977-12-08 1979-11-20 Battelle Development Corporation Two-sided planar magnetron sputtering apparatus
US4312731A (en) * 1979-04-24 1982-01-26 Vac-Tec Systems, Inc. Magnetically enhanced sputtering device and method

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE13561T1 (de) * 1980-08-08 1985-06-15 Battelle Development Corp Zylindrische magnetron-zerstaeuberkathode.
US4356073A (en) * 1981-02-12 1982-10-26 Shatterproof Glass Corporation Magnetron cathode sputtering apparatus
GB2101638B (en) * 1981-07-16 1985-07-24 Ampex Moveable cathodes/targets for high rate sputtering system

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3956093A (en) * 1974-12-16 1976-05-11 Airco, Inc. Planar magnetron sputtering method and apparatus
DE2707144A1 (de) * 1976-02-19 1977-08-25 Sloan Technology Corp Kathodenzerstaeubungsvorrichtung
US4116806A (en) * 1977-12-08 1978-09-26 Battelle Development Corporation Two-sided planar magnetron sputtering apparatus
US4175030A (en) * 1977-12-08 1979-11-20 Battelle Development Corporation Two-sided planar magnetron sputtering apparatus
US4312731A (en) * 1979-04-24 1982-01-26 Vac-Tec Systems, Inc. Magnetically enhanced sputtering device and method

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DE-Z.: VDI-Z. 123, 1981, Nr. 12, S. 519-525 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3619194A1 (de) * 1986-06-06 1987-12-10 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Magnetron-zerstaeubungskatode fuer vakuum-beschichtungsanlagen
FR2704870A1 (fr) * 1993-05-04 1994-11-10 Balzers Hochvakuum Dispositif de pulvérisation à champ magnétique, et installation de traitement sous vide associée.
US5490913A (en) * 1993-05-04 1996-02-13 Balzers Aktiengesellschaft Magnetic field enhanced sputtering arrangement with vacuum treatment apparatus
CH690805A5 (de) * 1993-05-04 2001-01-15 Unaxis Balzers Ag Magnetfeldunterstützte Zerstäubungsanordnung und Vakuumbehandlungsanlage hiermit.
DE4405747B4 (de) * 1993-05-04 2006-04-27 Unaxis Balzers Ag Magnetfeldunterstützte Zerstäubungsanordnung und hiermit ausgerüstete Vakuumbehandlungsanlage
DE102012211664A1 (de) * 2012-07-04 2014-01-09 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Magnetronsputtereinrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
US4444643A (en) 1984-04-24
GB8323336D0 (en) 1983-10-05
GB2126257A (en) 1984-03-21
GB2126257B (en) 1986-10-01
DE3331245C2 (de) 1992-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3331245A1 (de) Ebene magnetron-zerstaeubungsvorrichtung
DE2556607C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Kathodenzerstäubung
DE2463431C2 (de)
DE69835324T2 (de) Dampfphasenabscheidungsgerät mit kathodischem Lichtbogen (Ringförmige Kathode)
DE3787328T2 (de) Vorrichtung für ein Trockenverfahren.
DE3506227A1 (de) Anordnung zur beschichtung von substraten mittels kathodenzerstaeubung
EP0211057B1 (de) Sputteranlage zum reaktiven beschichten eines substrates mit hartstoffen
DE3619194A1 (de) Magnetron-zerstaeubungskatode fuer vakuum-beschichtungsanlagen
DE69421157T2 (de) Plasmastrahl-Erzeugungsverfahren und Vorrichtung die einen Hochleistungsplasmastrahl erzeugen Kann
EP1722005B1 (de) Verfahren zum Betreiben einer Sputterkathode mit einem Target
DE69122757T2 (de) Vorrichtung zum magnetronsputtern mit geschlitzter zylindrischer hohlkathode
DE4039101C2 (de) Ortsfeste Magnetron-Zerstäubungskathode für Vakuumbeschichtungsanlagen
DE2707144A1 (de) Kathodenzerstaeubungsvorrichtung
DE19939040B4 (de) Magnetronsputtergerät
DE69828699T2 (de) Vacuumzerstäubungsgerät
DE69605840T2 (de) Magnetron Zerstäubungssystem
CH683778A5 (de) Apparat und Methode für Mehrfachring-Zerstäube-Beschichtung von einem einzigen Target aus.
DE102006016872A1 (de) Ein Magnetron-Sputtern-Target mit der Funktion der In-Situ-Reinigung
DE2208032A1 (de) Zerstäubungsvorrichtung
DE112008000702T5 (de) Magnetron-Sputter-Vorrichtung
EP0550003A1 (de) Vakuumbehandlungsanlage und deren Verwendungen
WO2000039355A1 (de) Verfahren und einrichtung zum beschichten von substraten mittels bipolarer puls-magnetron-zerstäubung und deren anwendung
DE1615287A1 (de) Vorrichtung zur Aufbringung duenner Schichten auf Glas oder andere Materialien unter Vakuum
DE4123274C2 (de) Vorrichtung zum Beschichten von Bauteilen bzw. Formteilen durch Kathodenzerstäubung
DE112009001534T5 (de) Sputter-Vorrichtung und Sputter-Verfahren

Legal Events

Date Code Title Description
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: VARIAN ASSOCIATES, INC., PALO ALTO, CALIF., US

8128 New person/name/address of the agent

Representative=s name: BERNHARDT, K., DIPL.-ING., PAT.-ANW., 8000 MUENCHE

8128 New person/name/address of the agent

Representative=s name: BLUMBACH, P., DIPL.-ING., 6200 WIESBADEN WESER, W.

8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8328 Change in the person/name/address of the agent

Free format text: BLUMBACH, KRAMER & PARTNER, 65193 WIESBADEN

8339 Ceased/non-payment of the annual fee