DE3308182A1 - Rauscharme ccd-ausgangsschaltung - Google Patents
Rauscharme ccd-ausgangsschaltungInfo
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 20
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 8
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 235000002566 Capsicum Nutrition 0.000 description 1
- 239000006002 Pepper Substances 0.000 description 1
- 235000016761 Piper aduncum Nutrition 0.000 description 1
- 235000017804 Piper guineense Nutrition 0.000 description 1
- 244000203593 Piper nigrum Species 0.000 description 1
- 235000008184 Piper nigrum Nutrition 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/762—Charge transfer devices
- H01L29/765—Charge-coupled devices
- H01L29/768—Charge-coupled devices with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/76816—Output structures
-
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Picture Signal Circuits (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
■3-
US-Ser.No. 356 212
AT: 8. Harz 1982 RCA. 77804/Dr. Zi/Ro.
RCA Corporation, New York, N-Y. (V.St.A.)
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Signalverarbeitungseinrichtung
gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs Generell betrifft die Erfindung Schaltungsanordnungen
zur Verarbeitung von Ausgangssignalen, beispielsweise von ladungsgekoppelten Einrichtungen (CCD), wie sie
für die Bildaufnahme und andere Zwecke verwendet werden, und insbesondere auf Signalverarbeitungen zur Verbesserung
des S/N-Verhältnisses (Signal-Rausch-Verhältnis).
Das Ausgangssignal eines CCD-Bildaufnahmegerätes wird typischerweise von einem taktgesteuerten "C"-Register
abgegeben. Dieses Ausgangssignal kann entweder über einen im gleichen Chip integrierten Ladungs-Spannungs-Wandler,
wie beispielsweise eine schwimmende Diffundierung oder als Signalstrom direkt aus einer ·Drain-Diffundierung
wie beispielsweise einem Rückstoll-Drain gewonnen werden. Bei Abnahme des Ausgangssignals von
einer schwimmenden Diffundierung wird es durch einen MOSFET-Verstärker zwischenverstärkt, der gemeinsam mit
der Bildaufnahmeanordnung auf demselben Chip integriert sein muß, um eine niedrige Eingangskapazität zu erreichen.
Derartige Transistoren zeigen jedoch ein starkes 1/f-Rauschen, d.h. die Rauschenergie pro Bandbreiteneinheit
nimmt mit abnehmender Frequenz zu. Insbesondere im Frequenzbereich von 0 bis ungefähr 100 kHz
ist dieses Rauschen besonders störend und verursacht auf dem Bildschirm regellos auftretende, horizontale Streifen
und Flimmererscheinungen. Bei schwacher Beleuchtung sind diese Streifen- und Flimmererscheinungen sehr deutlich
sichtbar. Bei Abnahme des Ausgangssignals von einem Rückstell-Drain wird es einem Verstärker zugeführt, der
für ein niedriges 1/f-Rauschen mit einem J-FET (Sperrschicht-Feldeffekttransistor)
ausgestattet werden kann, der wiederum von Natur aus eine hohe Eingangskapazität
hat. Diese Eingangskapazität bewirkt einen Verlust von hohen Frequenzen, die durch eine Hochfrequenzversteilerung
ausgeglichen werden kann. Diese Versteilerung führt jedoch zu hochfrequentem Rauschen, das auf dem Bildschirm
als "Schnee" oder "Salz und Pfeffer" sichtbar
15 wird.
Eine wesentliche Aufgabe der Erfindung ist dementsprechend
die Signalverarbeitung von CCD-AusgangsSignalen, um das Signal-Rausch-Verhältnis zu verbessern und
hierbei Streifenbildung und Schnee auf dem Bildschirm zu verhindern. Tatsächlich besteht allgemein das Bedürfnis,
das Signal-Rausch-Verhältnis von Signalen zu verbessern.
Diese Aufgabe wird bei einer Signalverarbeitungseinrichtung der eingangs erwähnten Art erfindungsgemäß
durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. Bei der vorliegenden Erfindung kann eine Verbesserung
des SIN-Verhältnisses oder Rauschabstandes immer dann erreicht werden, wenn ein erstes und ein
zweites Signal verfügbar sind, deren Informationsgehalt gleich und deren Rausch-Frequenz-Charakteristik
ungefähr entgegengesetzt ist, wie es bei einem CCD-Bildaufnahmegerät der Fall ist oder erreicht werden kann.
Die Erfindung umfaßt die Filterung dieser Signale mit
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-5-
komplementären Tief- bzw. Hochpaß-Filtern zur Erzeugung gefilterter Signale mit reduziertem Rauschen und die
Summation der gefilterten Signale.
Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung einer bekannten CCD-Bildaufnahmeeinrichtung;
Fig. 2 eine Teilschnittzeichnung eines Teiles der Bildaufnahmeeinrichtung
gemäß Fig. 1 und ein teilweise in Blockform gehaltenes Schaltbild einer Signalverarbeitungsschaltung entsprechend einer ersten Ausführungsform der
Erfindung, und
Fig. 3 eine zweite Ausführungsform der Erfindung.
Das CCD-Bildaufnahmegerät in Fig. 1 ist typisch für eine Anwendung in Fernsehkameras und eine solche soll im
folgenden angenommen werden. Ferner wird angenommen, daß es sich um eine Zweiphaseneinrichtung handelt, obwohl
die Erfindung auch bei Drei- oder Vierphasen-Bildaufnahmeeinrichtungen verwendet werden kann. Allgemein
umfaßt es A-, B- und C-Register 10, 12 bzw. 14 und einen Ausgangsteil 16. Das A-Register 10 umfaßt eine Matrix
mit photoempfindlichen Elementen, die von Strahlungsenergie, beispielsweise Licht, aus einer nicht gezeigten
Aufnahmeszene bestrahlt wird. Ladung wird proportional zur Energieintensität freigesetzt und für etwas weniger
als eine Fernseh-Halbbildperiode aufakkumuliert. Während des vertikalen Austastintervalls wird die akkumulierte
Ladung unter Taktsignalsteuerung (Quelle ist nicht
gezeigt) spaltenweise aus dem A-Register 10 in das B-Register
12 übergeführt. Während jedes horizontalen Austastintervalls wird das gesamte Ladungsbild im B-Register
12 unter Steuerung durch ein Taktsignal von einer nicht dargestellten Taktsignalquelle zeilenweise
parallel nach unten in das C-Register 14 geschoben. Während dem nächsten aktiven Zeitabschnitt der Horizontalzeilenperiode
werden die Ladungspäckchen aus dem Ausgangsteil 16 unter Steuerung durch ein zweiphasiges Taktsignal
von einer Quelle 18, deren Ausgangssignale mit φ..
und Φ2 bezeichnet sind, seriell ausgelesen. Die Ausgangssignalfrequenz
der Taktsignalquelle kann beispielsweise ca. 10 MHz für ein Bildaufnahmegerät, das mit NTSC-Abtastfrequenzen
arbeitet und ca. 500 Elemente in horizontaler Richtung aufweist, betragen. Während des nächsten
horizontalen Austastintervalls wird eine weitere Horizontalzeile durch Parallelschiebung aus dem B-Register
12 in das C-Register 14 gebracht, usw.. Schließlich sind dann alle im B-Register 12 gespeicherte Zeilen
20. in das C-Register 14 verschoben und dann aus diesem
wieder ausgelesen worden. Jetzt kann das B-Register 12
ein anderes Feld der vom A-Register 10 akkumulierten Ladungen aus dem A-Register 10 aufnehmen.
Fig. 2 zeigt in seinem oberen linken Teil Einzelheiten des rechten Endes des C-Registers 14 (hier ist eine
Ausführung mit innengeführter Kanalstruktur gezeigt ("buried channel device"), geeignet sind jedoch auch
Oberflächen-Kanalstrukturen ("surface channel device") und den Ausgangsteil 16. Auf einer SiO^-Schicht (nicht
gezeigt) auf einem P-Substrat 20 (für einenN-Kanal CCD)
ist eine Vielzahl von Gate-Elektroden 22 angeordnet, denen alternierend die gegenphasigen Taktsignale φ. und
φ? zugeführt werden. Diese Elektrodenanordnung erstreckt
5 sich nach links im wesentlichen über die gesamte Substrat-
· ♦
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länge 20. Durch eine N-leitend dotierte Schicht 19 werden die Potentialwannen von der oberen Oberfläche weg verlagert,
um einen Betrieb mit vergrabenem oder innengeführten Kanal ("buried channel operation") zu erreichen.
Unter der Taktsignalsteuerung werden die Ladungspäckchen (nicht gezeigt) nach rechts geschoben. Bei Abfall des
Taktsignals φ. auf einen niedrigen oder negativen Pegelwert (für eine Anordnung mit N-leitendem Kanal) wird
ein Päckchen fast momentan an einem Gate 23 vorbei zu einer schwimmenden Diffundierung 24 des Ausgangsteils 16
verschoben. Die Diffundierung 24 dient als Source-Elektrode eines FET mit einem Rückstell- oder Reset-Gate 26,
Gleichstrom-oder D.C.-Gates 25 und 27 und einem Reset-Drain
28. Das Drain 28 ist mit einer (für einen N-Kanal-CCD) positiven, von einem weiter unten beschriebenen
Verstärker 40 gespeisten Spannungsquelle verbunden, über einen Anschluß 34 wird dem Gate 26 ein Rückstellsignal
R zugeführt. Das Gate 23 wird mit einer Gleichvorspannung gespeist und schirmt die Diffundierung 24
von den C-TaktSignalen an den Elektroden 22 ab. In ähnlicher
Weise verhindern die Gates 25 und 27 das übersprechen des Rückstell-Taktsignals auf die schwimmende .
Diffundierung 24 bzw. das Reset-Drain 28. Weiterhin verhindern die Gates 23, 25, 27 im wesentlichen die
übertragung von weißen Rauschen in den Takt- und Rückstellsignalen,
je nach Fall, an die Diffundierung 24 und das Drain 28. Man braucht daher keine rauschfreien
Takt- und Rückstellsignale. Beim Auftreten des R-Signals (übergang zu einem hohen ("H") oder positiven Wert) wird
die am Eingang des Verstärkers 40 liegende Spannung Vnr,
über einen leitenden Kanal im Substrat 20 an die Diffundierung 24 weitergeleitet. Wenn das Signal R niedrig
("L") wird, wird der Kanal nichtleitend und nach einer kleinen·Zeitverzögerung wird auch das Signal φ1 niedrig.
Dadurch werden die Elektronen des Ladungspäckchens unter
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-8-
einer Elektrode 92 zur Diffundierung 24 transportiert, wodurch deren positives Potential um einen zu der Zahl
der Elektronen in dem Ladungspäckchen proportionalen Betrag gesenkt wird, der wiederum proportional zu der
Lichtenergie ist, die auf die Fläche des A-Registers 10, gefallen war, von der das spezielle Ladungspäckchen
ursprünglich stammte. Dieser neue, niedrigere Spannungswert der Diffundierung 24 wird bis zum übergang des
Signals R in den Η-Bereich aufrechterhalten.
Eine brauchbare Ausgangsspannung kann wegen der relativ geringen Zahl von Elektronen in einem Ladungspäckchen
nur bei einer kleinen Kapazität der Diffundierung 24 erhalten werden. Der Ausgangsteil 16 enthält daher
einen MOSFET-Zwischen- oder Trennverstärker, der unter anderem aus einem mit der Diffundierung 24 verbundenen
Gate 35, einem über einen Anschluß 38 mit einer positiven Spannungsquelle V _ verbundenen Drain 36 und
einer über einen Widerstand 44 mit Erde verbundenen Source 4 2 besteht. Diese Anordnung stellt eine Sourcefolger-Schaltung
dar. Im allgemeinen sollte der Widerstand 44 für große Bandbreiten klein sein, jedoch nicht
zu klein, da er zusammen mit dem MOSFET-Innenwiderstand einen Spannungsteiler bildet, der die Ausgangsspannung
reduziert. Ein Problem bei MOSFET ist der große Anteil an 1/f-Rauschen, das bedeutet den Anstieg der
Rauschenergie pro Bandbreiteneinheit bei sinkender Frequenz, während andererseits die niedrige Kapazität
der Diffundierung 24 ein hohes Signal-Rausch-Verhältnis bei hohen Frequenzen garantiert. Im Gegensatz dazu wird
das vom Drain 28 erhaltene Ausgangsstromsignal dem Verstärker 40 zugeführt, der wegen der kapazitiven Eingangsbelastung des Drains 28 eine Hochfrequenzversteilerung
erfordert und dadurch ein schlechtes Signal-Rausch-Verhältnis bei hohen Frequenzen aufweist. Der Verstärker
kann jedoch Sperrschicht-FET oder bipolare Eingangstransistoren, die relativ frei von i/f-Rauschen sind,
enthalten. Derartige Transistoren können nicht ohne weiteres mit dem CCD-Bildaufnahmegerät auf einem gemeinsamen
Substrat hergestellt werden, um die Eingangskapazität zu reduzieren, und können daher auch nicht
als im gleichen Chip integrierter Sourcefolger anstelle des MOSFET verwendet werden. Die vorliegende Erfindung
ist auf die Vermeidung im wesentlichen der nachteiligen Auswirkungen dieser Probleme gerichtet.
Das Ausgangssignal des auf dem Chip integrierten Sourcefolgers wird über einen Emitterfolger 46 zur
Impedanzanpassung einem Tiefpaßfilter 48 zugeführt.
Der Tiefpaßfilter 48 hat vorzugsweise eine Grenzfrequenz bei der halben C-Taktfrequenz 18, d.h. bei der Nyquist-Frequenz,
die für einen 10 N!Hz-Takt 5 MHz ist. Der Tiefpaßfilter 48 reduziert auch die Spektrumüberlappung
("aliasing") des Basisband-Videosignals mit dem unteren Seitenband der beiden um die Taktfrequenz zentrierten
Videosignal-Seitenbänder.
Das Ausgangssignal des Tiefpaßfilters 48 wird einer
getasteten Klemmschaltung 50 zugeführt. Der Klemmschaltung 50 wird ein Klemmsignal von einer nicht gezeigten
Quelle zugeführt, das eine Dauer von ungefähr Ο,5με hat und während der Überabtastung des C-Registers 14 auftritt,
während der die Taktsignale Φ1 und φ~ für eine
kurze Dauer während des horizontalen Austastintervalls nach dem vollständigen Auslesen der aus dem B-Register
12 übertragenen Ladung fortdauern. Das erlaubt den Dunkelstrom aus dem C-Register 14 auf einen gewünschten
Referenzpegel zu klemmen. Während der gesamten überabtastzeit wird der Klemmschaltung 50 ein Austastsignal
zugeführt, um Rauschen und restliche C-Taktsignale
-ΙΟΙ im Ausgangssignal der Klemmschaltung 50 zu unterdrücken.
Die Klemmschaltung 50 hat, wie später erklärt werden wird,
eine niedrige Ausgangsimpedanz und gibt ihre Ausgangssignale an einen Kondensator 52 ab. Die Klemmschaltung
hat ferner einen invertierenden Ausgang, da die Signale von der Diffundierung 24 invertiert werden (ansteigende
Amplitude bedeutet Schwarzrichtung) und Signale mit positivem Anstieg bei steigender Helligkeit bevorzugt
werden.
Das Ausgangssignal des Reset-Drains 28 wird dem mit einer Gleichspannungsquelle 56, in einer speziellen Ausführungsform
20 Volt, verbundenen Verstärker 40 zugeführt. Dieser Verstärker 40 legt ein 15 Volt-Potential VDr. an
die Rückstell-Drain-Elektrode 28. O'er Verstärker 40
enthält eine Sperrschicht-FET-Eingangsstttfe mit sehr
niedrigem 1/f-Rauschen. Der Verstärker hat außerdem eine sehr niedrige Eingangsimpedanz um einen ausreichend
hohen Strom zur Rückstellung der Diffundierung 24 in einen Anfangszustand während der zur Verfügung stehenden
Zeit liefern zu können. Diese niedrige Eingangsimpedanz kann man durch Gegenkopplung erreichen. Das
Ausgangssignal des Verstärkers 40 wird einem Tiefpaßfilter 58 zugeführt, der mit dem Tiefpaßfilter 48 identisch
sein kann. Dieser Filter entfernt die von der C-Taktsignalquelle 18 durchgeschaltenen Signale aus dem
Ausgangsvideosignal, aber er braucht wegen der weiteren, unten erläuterten Tiefpaßfilterung des Videosignals die
Spektrumüberlappung nicht zu unterdrücken. Das Ausgangssignal des Tiefpaßfilters 58 wird einer getasteten
Klemmschaltung 60 zugeführt, die mit der Klemmschaltung 50 übereinstimmt und gleiche Tast- und Klemmsignale erhält.
Die Klemmschaltung 60 hat eine niedrige Ausgangsimpedanz und gibt ihr Ausgangssignal an einen variablen
Widerstand 62 ab.
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-It-
Wegen der niedrigen Ausgangsimpedanz der Klemmschaltung
50 wird das Signal aus der Klemmschaltung 60 einem R-C {Widerstands-Kondensator)-Tiefpaßfilter mit dem Widerstand
62 und dem Kondensator 52 zugeführt. Folglich wird das Hochfrequenzsignal und das Rauschen aufgrund
der Hochfrequenzversteuerung des Verstärkers 40 abgeschwächt.
Wegen der niedrigen Ausgangsimpedanz der Klemmschaltung 60 wird das Ausgangssignal aus der Klemmschaltung
50 dem R-C-Hochpaßfilter mit dem Widerstand 62 und dem Kondensator 52 zugeführt. Die so gefilterten
Signale werden summiert und gemeinsam einem Verstärker beispielsweise einem Emitterfolger zugeführt, der das
Ausgangssignal liefert.
Da der Hochpaßfilter und der Tiefpaßfilter dieselben
Komponenten 62 und 52 enthält, sind ihre Ubertragungscharakteristiken
exakt komplementär. Dies ist auch dann wichtig, wenn die Rauschverhältnisse nicht genau komplementär
sind, da das Einschwingverhalten des Hoch- und Tiefpasses genau gegenphasig sind. Daher heben sich
die Einschwingvorgänge bei der Addition der Ausgangssignale im wesentlichen auf. Die Kontrolle der Uberschneidungsfrequenz
erfolgt durch Änderung des Widerstandes 62 oder als Alternative des Kondensators 52.
Diese Frequenz ist nich kritisch und Frequenzen zwischen 50 kHz und 1 MHz wurden erfolgreich verwendet. Es stellt
sich eine 3-dB-Verbesserung des Signal-Rausch-Abstandes bei der Überschneidefrequenz ein, da sich die Signale
- kohärent, das Rauschen aber inkohärent addiert. Für ein richtiges Arbeiten des Hoch- und Tiefpaßfilters müssen
die dem Widerstand 62 und dem Kondensator 52 zugeführten Signale in Phase sein. Dies kann eine Verzögerungsleitung
in einem der Ausgangssignalkanäle 46, 48 und 50 oder 40, 58 und 60 erforderlich machen.
-12-
Natürlich sind auch viele andere Ausführungsformen der
vorliegenden Erfindung möglich.
Beispielsweise können komplementäre Filter auch mittels eines Tiefpaßfilters in dem an das Rückstell-Drain 28
angekoppelten Signalweg und eines Hochpaßfilters in der an die freie Diffundierung 24 angekoppelten Signalleitung
gebildet werden, wobei der Hochpaßfilter ein identisches Tiefpaßfilter und ein Verzögerungselement, die
mit entsprechenden Eingängen einer Subtrahierschaltung gekoppelt sind, enthält. Es soll auch darauf hingewiesen
werden, daß, wie in Fig. 3 gezeigt, das schwimmende Gate 24' als Signalausgang die schwimmende Diffundierung 24
in Fig. 2 ersetzen kann, wobei die Schaltkreise außerhalb des Chips dieselben bleiben. Dieses Gate 24' wird
nicht über die CCD-Ausgangs-Drain-Diffundierung 28 in ihren Ausgangszustand rückgestellt, sondern mit einem
Rückstellsignal am Anschluß 34 über einen Transistor auf die Spannung V_ . Dadurch wird die Forderung nach
einem niedrigem Eingangswiderstand für den Verstärker gemildert. Der schwimmende Gate-Ausgang kann einmal pro
Zeile mittels eines dem Anschluß 34 zugeführten Rückstellsignals rückgestellt werden. Dieser Rückstellvorgang
liefert eine Störung mit der Zeilenfrequenz, die vom Hochpaßfilter 52, 62 nicht übertragen wird.
Das Erfindungsprinzip kann auch auf andere ladungsgekoppelte Einrichtungen angewendet werden, beispielsweise
auf sog. Eimerkettenschaltungen ("bucket brigade devices") und für andere Verwendungszwecke als Bildaufnahmegeräte,
beispielsweise auf eine Verwendung mit Verzögerungsleitungen.
Leerseite
Claims (6)
1.)' Signalverarbeitungseinrichtung, gekennzeichnet durch Anordnungen (40, 46) zum
Anlegen zweier Signale mit entgegengesetzten Rausch-Frequenz-Charakteristiken an eine Filteranordnung
(52, 62) zur entsprechenden Filterung der Signale mit komplementärer Tiefpaß- bzw. Hochpaß-Filterwirkung für
die Erzeugung gefilterter Signale mit reduziertem Rauschanteil, und durch eine Anordnung (52, 62, 64) zum
Summieren der gefilterten Signale.
COPY
2.) Einrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine ladungsgekoppelte Einrichtung
(14) zur Abgabe der beiden Signale an entsprechenden Ausgängen (24, 28).
3.) Einrichtung-nach Anspruch 1, gekennzeichnet
durch ein CCD-Bildaufnahmegerät (14) mit einem Signal-Drain-Anschluß (28) und einem schwimmenden
Gate (241, Fig. 3) oder einer schwimmenden Diffundierung
(24, Fig. 2), von denen die beiden Signale abgenommen und den entsprechenden Filteranordnungen (52, 62) zugeführt
sind.
4.) Einrichtung nach Anspruch 3, dadurch g e kennzeichnet,
daß die Signale Fernseh-Videosignale enthalten.
5.) Einrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die
Anordnungen für die Signalfilterung und -summation gemeinsam zur Aufnahme der entsprechenden Signale eine
Widerstand (62)-Kondensator(52)-Reihenschaltung mit einem Ausgangspunkt zwischen Widerstand und Kondensator
zur Abgabe der Signale enthalten.
6.) Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch Schaltkreise
(50, 60) zum Klemmen und Austasten jedes Signales vor der Filterung.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/356,212 US4435730A (en) | 1982-03-08 | 1982-03-08 | Low noise CCD output |
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---|---|
DE3308182A1 true DE3308182A1 (de) | 1983-09-15 |
DE3308182C2 DE3308182C2 (de) | 1995-09-07 |
Family
ID=23400591
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3308182A Expired - Fee Related DE3308182C2 (de) | 1982-03-08 | 1983-03-08 | Rauscharme CCD-Ausgangsschaltung |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4435730A (de) |
JP (1) | JPS58166821A (de) |
CA (1) | CA1191910A (de) |
DE (1) | DE3308182C2 (de) |
GB (1) | GB2116398B (de) |
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JPS58166821A (ja) | 1983-10-03 |
GB2116398A (en) | 1983-09-21 |
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D2 | Grant after examination | ||
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8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |