DE3142900C2 - - Google Patents
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung,
mit denen im Vakuum insbesondere elektrisch nicht oder nur
gering leitende Werkstoffe unter Ioneneinwirkung beschichtet
werden können. Damit werden die bei elektrisch leitenden
Substraten erzielten Vorteile der ionengestützten Beschichtung,
vor allem die gute Haftfestigkeit der Beschichtung
auf dem Grundmaterial, auch bei elektrisch isolierenden
Substraten erreichbar.
Es ist bekannt, elektrisch isolierende Substrate durch
ionengestützte Vakuumverfahren zu beschichten. Dabei ionisieren
elektrisch geladene Teilchen eines durch Edel- und/
oder Reaktionsgas aufrechterhaltenen Plasmas Teile des Beschichtungsmaterials,
die auf die negativ vorgespannten
Substrate beschleunigt und dort abgeschieden werden. Mit
zunehmender Beschichtungsdauer weisen die isolierenden
Substrate eine positive Aufladung auf, da die Ladungen der
ankommenden Ionen nicht abgebaut werden können, so daß der
Ionenzufluß und die dadurch an der Oberfläche der Substrate
imitierten und für die Schichthaftung vorteilhaften Effekte
nicht wirksam werden können.
Diese nachteiligen Wirkungen werden durch die vorgeschlagene
Anbringung (DD-PS 74 998) einer um die Substrate angeordneten
Elektronenquelle vermieden. Durch diesen ständigen
Elektronenbeschuß der Oberfläche werden Ladungen, die
durch Ionen des Beschichtungsmaterials und Reaktionsplasmas
erzeugt werden, neutralisiert. Ein ungehinderter Ionenbeschuß
der Oberfläche der elektrisch isolierenden Substrate
kann bei richtiger Dimensionierung der Elektronenquellen
sicher gewährleistet werden. Allerdings ist die
konstruktive Ausbildung der Elektronenquellen in jedem
Falle den Substraten anzupassen und verursacht einen nicht
unerheblichen zusätzlichen Aufwand.
Weiterhin ist bei allen Veränderungen der Verfahrensführung,
die bei technologisch komplizierten Prozessen häufig
erforderlich ist, die Anpassung der Elektronenemission
an den Ionenstrom jeweils neu erforderlich. Hierzu
sind umfangreiche Regelungen vorzusehen, um einen entsprechenden
Betrieb der Einrichtung störungsfrei zu gestalten.
Auch ist es seit längerem bekannt, die elektrische Aufladung
isolierender Substrate bei ionengestützten Beschichtungstechniken
durch die Anordnung einer hochfrequenten
Wechselspannung zu beseitigen. Diese in der Zerstäubungstechnik
vielfach angewendete Methode sichert den Abbau
der Ladungen und garantiert einen sicheren Beschichtungsvorgang.
Das setzt jedoch einen erheblichen apparativen
Aufwand voraus, da neben einem leistungsfähigen Hochfrequenzgenerator
entsprechende Anpassungs- und Zuführungsglieder
zu den Substraten mit den unterschiedlichsten
dielektrischen Werten und geometrischen Abmessungen benötigt
werden.
Das Ziel der Erfindung besteht darin, die ionengestützte
Beschichtung technisch und technologisch einfach durchzuführen,
wobei der hohe apparative Aufwand zu vermeiden ist.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren
und eine Vorrichtung zu schaffen, die es ermöglichen,
elektrisch isolierende Substrate bei Anwendung von Ionen-
oder Plasmaeinwirkungen unter Beibehaltung der Vorteile
dieser Verfahrenstechniken und unter Vermeidung spezieller
Anpassungs- und Zuführungsgliedern zu den Substraten einwandfrei
zu beschichten.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß in
der Anodenspannungszuleitung einer an sich bekannten, aus
Glühkatode und positivem Anodengitter bestehenden Plasmaquelle
ein Vorwiderstand, und zwischen Anode und Katode
ein Kondensator angeordnet sind, deren Größe vom vorgegebenen
Arbeitsdruck im Rezipienten bestimmt werden. Die Anordnung
der Plasmaquelle ist sowohl in konzentrischer wie
auch in ebener Ausführung möglich, wobei die ebene Anordnung,
in Abhängigkeit vom durchzuführenden Verfahren, die
Installation mehr als einer Plasmaquelle gestattet.
Das Verfahren zeichnet sich dadurch aus, daß die für die
ionengestützte Beschichtung erforderliche Plasmaquelle
alternierend betrieben wird. Dabei wechseln in ständiger
Reihenfolge Phasen der Ionisierung und der Neutralisation
der an den Substraten aufgebauten Ladungen ab, während
die Elektronenemission der thermischen Katode stabil gehalten
wird. Bei selbständiger Entladung, d. h. bei relativ
hohem Gasdruck um 1 . . . 10 Pa, dient die Katode als
Lieferant der zur Neutralisierung der sich auf den Substraten
aufbauenden positiven Ladung notwendigen Elektronen
während der Zeit, da die Plasma- und somit die Ionenerzeugung
erfindungsgemäß aussetzt. Bei Drücken unter
1 Pa bis hin zu etwa 10-2 Pa dienen die Elektronen zusätzlich
zur Aufrechterhaltung der Entladung, einer sogenannten
unselbständigen Gasentladung.
Die Arbeitsfrequenz des Verfahrens, d. h. der ständige
Phasenwechsel liegt vorteilhafterweise im Bereich von
einigen kHz bis zu einigen hundert kHz und ergibt sich
aus der Wahl der Zünd- und Löschspannung der Entladung
bei vorgegebenem Entladungsdruck im Rezipienten und den
technischen Daten des Widerstandes und des Kondensators
zu
wobei U O die maximal an der Plasmaquelle zur Verfügung
stehende Spannung ist.
Die Wirkungsweise der erfindungsgemäßen Einrichtung soll
kurz erläutert werden.
Nach Einschalten der Spannungsversorgung für die Plasmaquelle
wird die Glühkatode auf Emissionstemperatur erhitzt
und der parallel zur Entladungsstrecke liegende
Kondensator über den Vorwiderstand aufgeladen. Nach Erreichen
der Zündspannung U Z zündet die Entladung. Da dabei
der Stromfluß über die Entladungsstrecke größer ist
als der durch den Vorwiderstand bedingte Aufladestrom des
Kondensators, wird dieser entladen und die Spannung an
der Anode sinkt unter die Löschspannung U L , so daß die
Entladung in der Vakuumkammer aussetzt. In diesem Falle
wird der Kondensator wieder aufgeladen bis die Entladung
erneut zünden kann und sich eine sogenannte Kippschwingung
einstellt. Während der Brennphase der Entladung werden
die in der Entladung erzeugten positiven Ionen in Richtung
auf den negativ vorgespannten Substrathalter beschleunigt,
wobei sie zum Aufladen der dort angebrachten elektrisch
isolierenden Substrate führen. In der anschließenden
Löschphase werden diese störenden Ladungen durch die aus
der Glühkatode ständig austretenden Elektronen, die durch
die zwar unter die Löschspannung gesunkene aber nach wie
vor vorhandene Anodenspannung beschleunigt werden und auf
die Substrate auftreffen, beseitigt.
Das Beschichtungsmaterial kann dabei im Rezipienten zerstäubt
bzw. verdampft wie auch in gasförmiger Form eingebracht,
in der Plasmaquelle durch Ioneneinwirkung entsprechend
gespalten und teilweise ionisiert und als hochwertige
Beschichtung auf den Substraten niedergeschlagen werden.
Bei der Anordnung mehr als einer Plasmaquelle ist sowohl
der gleichläufige als auch der wechselweise Betrieb aller
vorhandenen Plasmaquellen möglich. Ebenso ist es möglich,
daß die Plasmaquellen gleichzeitig, aber mit unterschiedlicher
Arbeitsfrequenz, wie auch pulsierend und mit unterschiedlicher
Arbeitsfrequenz, arbeiten.
Anhand von zwei Ausführungsbeispielen soll die Erfindung
näher erläutert werden. In der zugehörigen Zeichnung zeigt
Fig. 1 eine Variante der erfindungsgemäßen Einrichtung
mit ebener Anordnung der Elektroden
Fig. 2 eine konzentrische Anordnung der erfindungsgemäßen
Einrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen
Verfahrens.
Fig. 1 zeigt die Beschichtungskammer 1 mit dem Vakuumerzeugungssystem
2 und dem Gaseinlaßsystem 3. In der Beschichtungskammer
1 befindet sich die aus 0,3 mm Tantaldraht
bestehende Glühkatode 4 und die aus 0,1 mm Wolframdraht
zylinderförmig gewickelte Anode 5, die im Abstand von
100 mm zur Glühkatode 4 angeordnet ist. Die aus Glühkatode
4 und Anode 5 bestehende Plasmaquelle ist mit der Spannungsversorgung
6 verbunden. Im Anodenstromkreis befindet
sich dabei ein Widerstand 7 von 100 Ohm und parallel zur
Entladungsstrecke ein Kondensator 8 von 47 µF mit ausreichender
Spannungsfestigkeit.
Des weiteren ist in der Beschichtungskammer 1 die Beschichtungseinrichtung
9 und ihr gegenüber der Substrathalter 10
angeordnet, der mit der Spannungsversorgungseinheit 11
verbunden ist, die ihn mit einer ausreichenden negativen
Spannung versorgt.
Das Vakuumerzeugungssystem 2, das Gaseinlaßsystem 3 und
die Beschichtungseinrichtung 9 sind dem Anwendungsfall
entsprechend ausgewählt. Zur rationellen Verfahrensgestaltung
wurde bei diesem Ausführungsbeispiel ein transversal
aufgebauter Elektronenstrahlverdampfer als Beschichtungseinrichtung
9 vorgesehen.
Durch Argoneinlaß wird nun ein Arbeitsdruck von 10-2 Pa
eingestellt. Die Glühkatode 4 wird mit einem Heizstrom von
etwa 30 A und die Anode mit einer positiv zur Katode gemessenen
Spannung von 250 V versorgt. Bei diesen Betriebsparametern
ergibt sich eine ausreichende Elektronenemission,
wobei die Elektronen um die gitterförmige Anode 5
pendeln und dabei das Arbeitsgas ionisieren, bevor sie
auf die auf dem Substrathalter 10 befindlichen isolierenden
und durch positive Ionen aufgeladene Substrate 12 beschleunigt
werden. Der aus dem Plasma extrahierte Ionenstrom
beträgt dabei 4 Am-2, bei -800 V angelegter Beschleunigungsspannung,
der Plasmastrom 1,5 A und die Arbeitsfrequenz
150 kHz.
In Fig. 2 ist eine koaxiale Anordnung dargestellt, die besonders
bei Nutzung von gasförmigen Beschichtungswerkstoffen
Anwendung findet. Die zentrale, aus 0,5 mm Wolframdraht
bestehende Glühkatode 4 ist dabei im Abstand von
150 mm von einer aus 0,1 mm Wolframdraht gefertigten gitterförmigen
Anode 5 umgeben. Der aus Kupferblech bestehende
Substrathalter 10 ist im Abstand von 190 mm zur Katode
4 angeordnet.
Der Arbeitsdruck wurde mit 1 Pa festgelegt, wobei sich
bei einem Katodenheizstrom von 55 A und einer an der
Stromversorgung 6 anliegenden Spannung von +200 V und
einer Beschleunigungsspannung von -600 V am Substrathalter
10 ein Plasmastrom von 0,8 A und eine Arbeitsfrequenz
von 320 kHz ergibt. Der Widerstand 7 wurde mit 1000 Ohm
und der Kondensator 8 mit 100 nF festgelegt. Durch Einlaß
von Benzen an der Beschickungseinrichtung B können unter
den genannten Bedingungen isolierende Substrate mit harten
transparenten Kohlenstoffschichten belegt werden.
Claims (2)
1. Verfahren zur ionengestützten Beschichtung elektrisch
isolierender Substrate, dadurch gekennzeichnet, daß
die aus Glühkatode (4) und Anode (5) bestehende Plasmaquelle
alternierend betrieben wird, wobei die Anodenspannung
mit einer Frequenz von einigen kHz bis zu
einigen Hundert kHz ständig zwischen einer Zündspannung
U Z und einer Löschspannung U L pendelt und daß die
Glühkatode dabei ständig gleichmäßig Elektronen emittiert.
2. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch
1, dadurch gekennzeichnet, daß im Anodenstromkreis
ein Widerstand (7) und parallel zum Entladungsstromkreis
ein Kondensator (8) angeordnet sind.
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Also Published As
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