DE3128090C2 - Thermischer Zeitschalter - Google Patents
Thermischer ZeitschalterInfo
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Abstract
Es wird ein Zeitschalter beschrieben, der aus einem Bimetalltemperaturschalter und einem dessen Bimetallelement beheizenden Dickschichtwiderstand besteht. Der Bimetall temperaturschalter befindet sich in einem flachen Kunststoffgehäuse, auf dessen einer Breitseite der Dickschichtwiderstand angeordnet ist. Zur Verringerung der Ansprechzeit ist mit dem Dickschichtwiderstand ein Kaltleiter in Reihe verbunden.
Description
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Die Erfindung befaßt sich mit thermischen Zeitschaltern mit den im Oberbegriff des Anspruchs 1 angegebenen
Merkmalen. Ein derartiger Zeitschalter ist aus dem se DE-GM 79 20 923 bekannt.
Ein solcher Zeitschalter eignet sich für einfache Anwendungen, in denen der Widerstand im Normalbetriebszustand
permanent von Strom durchflossen wird. Eine Störung des Normalbetriebszustandes kann in einem
Absinken bzw. Ausbleiben des Stromes oder auch in einem Ansteigen des Stromes, der durch den Dickschichtwiderstand
fließt, bestehen. Im ersten Fall wird der Zeitschalter so ausgelegt, daß die Schalttemperatur
des Bimetallclements unter der Normalbetriebstemperatur liegt, während sie im zweiten Fall über der Normalbetriebstemperatur
liegt. In beiden Fällen erfolgt das Umschalten als Reaktion auf die Betriebsstörung
mit einer zeitlichen Verzögerung, die von der thermischen Trägheit der Schalterkomponenten, insbesondere
des Dickschichtwiderstandes, des Gehäuses und des Bimetallelements abhängt.
Ein solcher Zeitschalter eignet sich ferner für solche Anwendungen, bei denen der Dickschichtwiderstand im
Normalfall nicht vom Strom durchflossen wird und dabei Umgebungstemperatur aufweist; wenn dann der
Dickschichtwiderstand nach Betätigen eines Schalters von Strom durchflossen wird, steigt die Temperatur des
Zeitschalters an und bei Oberschreiten der oberhalb der Umgebungstemperatur liegenden Schalttemperatur des
Zeitschaltes schaltet dieser um. Zum Beispiel kann der Dickschichtwiderstand so im Stromkreis eines elektrischen
Gerätes angeordnet sein, das beim Einschalten des Gerätes der Dickschichtwiderstand vom Strom
durchflossen wird und nach Oberschreiten der Schalttemperatur
der Zeitschalter das Gerät einschaltet und nach Unterbrechen der Heizung mit Verzögerung wieder
automatisch ausschaltet In dieser Weise kann der Zeitschalter z.B. in elektrischen Lüftern verwendet
werden.
Wegen der nur geringen Wärmeentwicklung des Dickschichtwiderstandes werden auch bei permanenter
Widerstandsheizung die Temperaturen auf ein verhältnismäßig niedriges und problemloses Niveau begrenzt
Um dennoch den Bimetalltemperaturschalter hinreichend zuverlässig betreiben zu können, muß dieser hinreichend
klein sein und eine gute Wärmeübertragung ermöglichen. Die Wahl eines flachen Kunststoffgehäuses
für den Bimetalltemperaturschalter, auf dessen einer Breitseite sich der Dickschichtwiderstand befindet, geht
aus von der Erkenntnis, daß zwar das Kunststoffgehäuse ein schlechter Wärmeleiter ist, daß aber die geringe
Wärmekapazität des Kunststoffgehäuses wichtiger ist, wenn es darum geh*, trotz geringer Wärmezufuhr oder
bei Abkühlung des Schalters die Schalttemperatur nicht zu langsam zu erreichen.
Im einfachsten Falle klebt man den Dickschichtwiderstand,
der üblicherweise in Gestalt einer dünnen beschichteten Sinterkeramikplatte vorliegt, mit der beschichteten
Seite außen auf das Gehäuse des gekapselten Bimetalltemperaturschalters auf. Er kann jedoch
auch im Gehäuse auf der Gehäuseinnenwand angebracht sein. Diese Anordnung hat den Vorteil, daß man
mit äußerst geringer Wärmeerzeugung im Dickschichtwiderstand arbeiten kann und daß Schwankungen der
Umgebungstemperatur in ihrem Einfluß auf das Ansprechverhalten des Zeitschalters herabgesetzt sind.
Anstatt den Dickschichtwiderstand auf das Gehäuse aufzukleben, kann man ihn auch lose auf das Gehäuse
auflegen und dann beide gemeinsam mit einem Silikonschlauch umgeben, der sie fest zusammenhält
Anstatt die Sinter?;eramikplatte mit der beschichteten
Seite auf das Gehäuse aufzulegen, kann man sie auch umgekehrt mit nach außen weisender Schichtseite anordnen.
Dies hat den Vorteil, daß die Wärme, die im Dickschichtwiderstand erzeugt wird, gleichmäßiger auf
das Gehäuse übertragen und die Möglichkeit einer lokalen Überhitzung ausgeschlossen wird. Bei dem bekannten
Zeitschalter kann man die Ansprechgeschwindigkeit praktisch nur erhöhen, indem man den Strom
steigert, der durch den Dickschichtwiderstand fließt, oder indem man den ohmschen Widerstand des Dickschichtwiderstands
verkleinert. Dadurch könnte die sich bei konstantem Stromfluß einstellende Gleichgewichtstemperatur aber erheblich über die zulässige Höchsttemperatur
des Kunststoffgehäuses ansteigen und dieses Schaden nehmen. Aus der DE-OS 26 41 014 ist ein
thermischer Zeitschalter bekannt, welcher in einem isolierenden Gehäuse einen Bimetalltemperaturschalter,
einen dessen Bimetallelement beheizenden Widerstand in Form einer Drahtwendel sowie einen mit dieser in
Reihe geschalteten Kaltleiter aufweist, welcher die Schaltverzögerungszeit steuert, indem er — im Vergleich
zu einem Zeitschalter ohne den Kaltleiter — den Temperaturanstieg im Zeitschalter verringert. Die Ansprechzeit
wird in erster Linie durch den Kaltleiter bestimmt, dessen Curie-Punkt unterhalb der vorgegebenen
Schalttemperatur liegt. Dabei ist nachteilig, daß die Widerstandstoleranzen, mit denen handelsübliche Kaltleiter
behaftet sind, sich in entsprechend großen Schwankungen der Ansprechzeit niederschlagen. Demgegenüber
lassen sich Dickschichtwiderstände leicht mit engen Toleranzen ihres Widerstandswertes fertigen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei einem Zeitschalter einfachster Bauart, wie er aus dem DE-GM
79 20 923 bekannt ist, die Ansprechgeschwinüigkeit auf
besonders einfache Weise zu steigern, ohne daß die Gefahr einer Überhitzung des Gehäuses besteht und ohne
die Ansprechzeittoleranzen zu erhöhen.
Diese Aufgabe wird durch einen Zeitschalter mit den im Patentanspruch ί angegebenen Merkmalen gelöst
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
Der neue Zeitschalter eignet sich vor allem für Fälle,
in denen die Schalttemperatur oberhalb der Normalbetriebstemperatur liegt, und zwar insbesondere dann,
wenn der Zeitschalter sich normalerweise auf Umgebungstemperatur befindet, also im Normalzustand der
Dickschichtwiderstand nicht von Strom durchflossen ist
Durch den Einsatz eines zusätzlichen Kaltleiters, der mit dem Dickschichtwiderstand in Serie verbunden ist,
kann man einen kleineren Dickschichtwiderstand wählen und dennoch eine Überhitzung des Gehäuses vermeiden,
weil zunächst bei niederer Temperatur der ohmsche Widerstand des Kaltleiters im Bereich unterhalb
des Curie-Punktes relativ klein bleibt und sich nicht stark ändert. Erst wenn die Temperatur des Kaltleiters
den Curie-Punkt erreicht, erfolgt ein so starker Anstieg des Widerstandes, daß die Wärmeentwicklung gebremst
wird. Dabei soll die Schalttemperatur des Zeitschalters unterhalb des Curie-Punktes liegen, damit die Schalttemperatur
auch sicher erreicht wird, und außerdem soll der Curie-Punkt des Kaltleiters nicht oberhalb der zulässigen
Höchsttemperatur des Gehäuses liegen, damit dieses vor den Auswirkungen einer zu hohen Temperatureinwirkung
geschützt ist
Die Streuung der Ansprechzeiten infolge der unvermeidlichen
Toleranzen der Kaltleiter-Widerstandswerte werden gering gehalten, indem man den ohmschen
Widerstand des Kaltleiters bei Umgebungstemperatur wesentlich niedriger wählt als den ohmschen Widerstand
des Dickschichtwiderstandes, der nur mit geringen Toleranzen behaftet ist
In einem praktischen Beispiel erreicht ein Schalter mit einem 40 kfi-Dickschichtwiderstand, der an
220 Volt elektrische Spannung angeschlossen ist, ausgehend von einer Umgebungstemperatur von 200C seine
vorgegebene Schalttemperatur von 1000C nach einer Ansprechzeit von etwa 2 Minuten. Das Gehäuse erreicht
dabei eine Endtemperatur von 1500C, die noch zulässig ist Ersetzt man den 40 kfl-Dickschichtwiderstand
durch einen solchen, der nur 20 kn aufweist, dann erreicht der Schalter die Schalttemperatur von 1000C
nach etwa 1 Minute, jedoch steigt die Endtemperatur des Gehäuses auf eine Temperatur von 2200C, was unzulässig
ist. Schaltet n.an mit dem 20 kQ-Dickschichtwiderstand
einen Kaltleiter in Serie, der einen Curie-Punkt von 1500C und bei Normaltemperatur einen ohmschen
Widerstand von 2.4 kO, ± 20% besitzt, dann erreicht der Schalter seine Schalttemperatur von 1000C nach
etwas mehr als 1 Minute und die Endtemperatur des Gehäuses liegt kaum oberhalb 150° C auf einem zulässigen
Wert Die Steuung der Widerstandskennwerte der Kaltleiter von ±20% führt jedoch bei der gewählten
Bemessung nur zu einer Streuung der Ansprechzeiten des Zeitschalters von ±2 % und ist für einfache Anwendungen
vernachlässigbar.
Der Kaltleiter kann sich auf demselben Träger wie der Dickschichtwiderstand befinden (Anspruch 2). Zum
Beispiel kann sich der Dickschichtwiderstand auf der Innenseite einer Gehäusewand befinden, während sich
der Kaltleiter auf der Außenseite derselben Gehäusewand befindet Beide können aber auch auf einer gemeinsamen
Trägerplatte des Gehäuses liegen.
Zur weiteren Einstellung der Ansprechzeiten kann ein einstellbarer Dickschichtwiderstand verwendet werden
(Anspruch 4), oder ein als Drehpotentiometer ausgebildeter Dickschichtwiderstand (Anspruch 5), dessen
mit der beschichteten Seite nach auP'i weisende Sinterkeramikpiatic
mit der unbeschichtetsr. Seite auf einer
Breitseite des Gehäuses aufliegt
Ein transparentes oder transluzentes Gehäuse empfiehlt sich, wenn auch Wärmestrahlung nennenswert zur
Erwärmung bzw. Abkühlung des Bimetallelements beitragen soll.
Ein rasches Ansprechen des Zeitschalters wird auch dadurch gefördert daß sich das Bimetallelement des
Schalters auf der dem Dickschichtwiderstand zugewandten Seite des Schalters befindet.
Zwei Ausführungsbeispiele der Erfindung sind schematisch in den zwei Zeichnungen dargestellt,
F i g. 1 ist ein senkrecht durch die Breitseiten des Gehäuses gelegter Längsschnitt durch einen Zeitschalter
und
F i g. 2 ist ein Schnitt analog F i g. 1 durch einen Zeitschalter mit einstellbarem Dickschichtwiderstand.
Der Zeitschalter gemäß F i g. 1 besteht aus einem in ein Gehäuse 8 gekapselten Bimetalltemperaturschalter
und einem Dickschichtwiderstand 12, der mit seiner mit der iViderstandsbahn beschichteten Seite mit einer
Breitseite des Gehäuses 8 verklebt ist. In F i g. 1 sind die
Enden der zur Widerstandsbahn führenden Leiterbahn 13 auf dem plattenförmigen Träger des Dickschichtwiderstandes
zu sehen; sie sind über zwei Lötpunkte 14 mit elektrischen Zuleitungen 15 verbunden.
Das Gehäuse 8 besteht aus formbeständigem, transparentem Kunststoff, vorzugsweise aus Polybutylenterephtalat
Auf der vom Dickschichtwiderstand 12 entfernt liegenden Gehäuseinnenseite (Breitseite) verläuft
eine elektrische Zuleitung 3 zum unbeweglichen Kontaktstück 4. Über de* Zuleitung 3 ist etwa in der
Gehärieinitte die Kontaktfeder 1 mit dem beweglichen Kontaktstück 2 an ihrer Spitze angeordnet Die Kontaktfeder
1 und die Zuleitung 3 werden durch zwei in das Gehäuse 8 eingeschobene Füllstücke 6 und 7 aus
Kunststoff eingespannt und auf Distanz gehalten. Die Gehäuseöffnung, welche an dem von den Kontaktstükken
2 und 4 entfernten Gehäuseende liegt, ist durch eine Gießharzmasse 9 ausgefüllt, durch die die beiden Zuleitungen
10 zum Bimetalltemperaturschalter herausgeführt sind.
Aus der Kontaktfeder 1 sind zwei Laschen 11 ausgestanzt
und hakenförmig nach oben gebogen. Sie halten zwischen sich eine Bitnetallschnappscheibe 5, die lose
auf der Außenseite der Kontaktfeder 1 liegt und damit nur durch die obere transparente Gehäusewand von der
beschichteten Seite des Dickschichtwiderstandes 12 ge-
trennt ist. Unter einer Schnappscheibe versteht man ein in eine gekrümmte Form geprägtes Bimetallelement,
welches bei Überschreiten oder Unterschreiten seiner Schalttemperatur abrupt seine Krümmung von konkav
zu konvex oder umgekehrt wechselt. Zur Erhöhung der Ansprechgeschwindigkeit weist die Schnappscheibe 5
mit ihrer aktiven Seite nach außen. Unter der aktiven Seite des Bimetallelements wird die Seite verstanden,
die aus dem Material mit dem größeren Wärmeausdehnungskoeffizienten besteht. Wendet man diese Seite der
Wärmequelle zu, so wird mit ihr bevorzugt jene Seite erwärmt, welche in erster Linie für das Ändern der
Krümmung verantwortlich ist.
Der Zeitschalter läßt sich sehr kompakt herstellen.
Bewährte Abmessungen sind: Länge 15—20 mm, Breite 5—8 mm. Dicke ca. 3—4 mm.
Zusätzlich zum Dickschichtwiderstand 12 ist auf dessen Rückseite ein Kaltleiter 16 vorgesehen. Der Kaltleiter 16 kann auf der keramischen Trägerplatte des Dickschichtwiderstandes 12 aufgeklebt und/oder durch ei-
nen nicht dargestellten Silikonschlauch, der den kompletten Zeitschalter straff umschließt, befestigt sein. Der
Kaltleiter 16 ist mit dem Dickschichtwiderstand 12 über lediglich schematisch angedeutete Verbindungsleitungen 17 elektrisch in Serie verbunden.
Bei dem in F i g. 2 gezeigten Zeitschalter sind Teile,
die Teilen des Zeitschalters aus F i g. 1 entsprechen, mit übereinstimmenden Bezugszahlen bezeichnet.
Der in F i g. 2 gezeigte Zeitschalter unterscheidet sich
von dem in Figur dargestellten Zeitschalter darin, daß 30 der Dickschichtwiderstand 12 als Drehpotentiometer
ausgebildet ist; deshalb weist bei dieser Ausführungsform der Dickschichtwiderstand mit seiner Schichtseite,
welche den Einstelldrehknopf 18 trägt, nach außen und der PTC-Widerstand 16 ist auf der gegenüberliegenden 35
Breitseite des Gehäuses 8 angeordnet.
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55
60
Claims (7)
1. Thermischer Zeitschalter, bestehend aus einem
in ein flaches, vorzugsweise aus Kunststoff bestehendes Gehäuse gekapselten Bimetalltemperaturschalter
und einem dessen Bimetallelement beheizenden elektrischen Dickschichtwiderstand, der an
einer Breitseite des Gehäuses aufgebracht ist, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich ein
Kaltleiter (= PTC-Widerstand (16) vorgesehen ist, der mit dem Dickschichtwiderstand (12) elektrisch in
Reihe verbunden ist und dessen Curie-Punkt oberhalb der Schalttemperatur liegt, aber nicht höher als
die zulässige Höchsttemperatur des Kunststoffge- ts häuses (8), und daß bei Normalbetriebstemperatur
des Zeitschalters der ohmsche Widerstand des Kaltleiters (16) wesentlich geringer ist als der ohmsche
Widerstand des Dickschichtwiderstands (12).
2. Zeitschalter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
dagder Kaltleiter (16) und der Dickschichtwiderstand (12) auf demselben Träger angeordnet
sind
3. Zeitschalter nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Kaltleiter (16) und der Dickschichtwiderstand
(12) auf gegenüberliegenden Seiten eines plattenförmigen Trägers angeordnet sind.
4. Zeitschalter nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Dickschichtwiderstand
(12) einstellbar ist.
5. Zeitschalter nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,
daL der Dickschichtwiderstand (12) als Drehpotentiometer auf gebildt "ist
6. Zeitschalter nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichr*· *, daß das Gehäuse
(8) bei außen auf dem Gehäuse (8) angeordnetem Dickschichtwiderstand (i2) transparent oder transluzent
ist.
7. Zeitschalter nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet daß sich das Bimetallelement
(5) des Schalters auf der dem Dickschichtwiderstand (12) zugewandten Seite des Schalters
befindet
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