DE3034530A1 - TUNING DEVICE - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Abstimmvorrichtung, speziell auf eine Abstimmvorrichtung, die eine Vorrichtung mit spannungsgesteuertem Blindwiderstand, wie z. B. eine spannungsgesteuerte Kapazitätsdiode,verwendet,für die Benutzung in einem Fernseh-Rundfunk-Empfanger und dgl.The invention relates to a tuning device, and more particularly to a tuning device comprising a device with voltage controlled reactance, such as B. a voltage controlled capacitance diode, used for use in a television radio receiver and the like.

Figo 1 zeigt ein Blockschaltbild eines Beispiels einer Abstimmvorrichtung eines Fernsehempfängers vom Superhettyp, in dem die vorliegende Erfindung vorteilhafterweise verwendet werden kann. Da solch ein Fernsehabstimmkreis Fachleuten wohl bekannt ist, werden nur die Teile, die mit der Erfindung zusammenhängen, kurz beschrieben. Die AbstimmvorrichtungFig. 1 shows a block diagram of an example of a tuning device of a television receiver of the superhett type; in which the present invention can be used to advantage. As such a television voting group professionals is well known, only the parts related to the invention will be briefly described. The tuning device

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zeigt zwei Anschlußklemmen 117 und 119. Die Eingangsklemme 117 ist geschaltet, um ein Fernsehsignal aufzunehmen, das von einer VHF-Antenne 1 empfangen wurde. Die Eingangsklemme 119 empfängt das Fernsehsignal, das von der UiIF-Antenne 2 empfangen wurde. Das vom VHF-Antenneneingang 117 empfangene Signal wird an den VHF-Hochfrequenzverstärker 103 angelegt, wird verstärkt und das verstärkte Ausgangssignal wird an die VHF-Mischstufe 105 angelegt. Die Abstimmvorrichtung 1OC weist ferner einen VHF-Uberlagerungsoszillator 107 auf. Das Ausgangssignal des VHF-ÜberlagerungsOszillators 107 wird an die VHF-Mischstufe 105 angelegt. Die VHF-Mischstufe 105 dient also dazu, das VHF-Fernsehsignal mit dem Oszillatorausgangssignal vom VHF-Uberiagerungsoszillator 107 zu mischen, um dadurch das VHF-Fernsehsignai in ein VHF-Zwischenfrequenzsignal umzuwandeln. Auf der anderen Seite wird das vom UHF-Eingang 119 empfangene Signal an einen UHF-Hochfrequenzverstärker 109 angelegt und verstärkt und das verstärkte Ausgangssignal wird an die UHF-Mischstufe 111 angelegt,. Die Abstimmvorrichtung 100 weist ferner einen UHF-Uberlagerungsoszillator 113 auf, dessen Ausgangssignal an die UHF-Mischstufe 111 angelegt wird. Folglich dient die UHF-Mischstufe 111 dazu, das UHF-Fernsehsignal mit dem Ausgangssignal des UHF-Überlagerungsoszillators 113 zu mischen» um dadurch das UHF-Fernsehsignal in ein UHF-Zwischenfrequenzsignal umzuwandein. Das Ausgangssignal der UHF-Mischstufe 111, d. h. das UHF-ZF-Signal wird durch einen UHF-Zwischenfrequenzverstärker 115 verstärkt und an die VHF-Mischstufe 105 angelegt. Beishows two terminals 117 and 119. The input terminal 117 is connected to receive a television signal received by a VHF antenna 1. The input terminal 119 receives the television signal sent by the UiIF antenna 2 was received. The one received from VHF antenna input 117 Signal is applied to the VHF high frequency amplifier 103, is amplified, and the amplified output signal becomes on the VHF mixer 105 is applied. The tuning device 10C also has a VHF local oscillator 107. That The output of the VHF local oscillator 107 becomes on the VHF mixer 105 is applied. The VHF mixer 105 thus serves to combine the VHF television signal with the oscillator output signal from VHF local oscillator 107 to mix, thereby converting the VHF television signal into a VHF intermediate frequency signal to convert. On the other hand, the signal received from UHF input 119 is sent to a UHF radio frequency amplifier 109 is applied and amplified and the amplified output signal is applied to the UHF mixer 111. The tuning device 100 also has a UHF local oscillator 113, the output signal of which is sent to the UHF mixer stage 111 is applied. Consequently, the UHF mixer 111 is used to convert the UHF television signal with the output signal of the UHF local oscillator 113 to mix »thereby the UHF television signal to be converted into a UHF intermediate frequency signal. The output of the UHF mixer 111, i. H. the The UHF-IF signal is amplified by a UHF intermediate frequency amplifier 115 and applied to the VHF mixer stage 105. at

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Empfang eines UHF-Signais sind der VHF-Hochfrequenzverstärker 103 und der VHF-Uberlagerungsoszillator 107 inaktiviert, während die VHF-Mischstufe 105 aktiviert ist. Also dient beim Empfang eines UHF-Signals die VHF-Mischstufe 105 als UHF-Zwischenfrequenzverstärker, um das UHF-Zwischenfrequenzsignal zu verstärken. Andererseits werden beim Empfang eines VHF-Signals die Schaltkreise 109, 111, 113 und 115, die zum UHF-Signal gehören, inaktiviert, während nur die Schaltkreise 103, 105 und 107, die zum VHF-Signal gehören, aktiviert sind. Das VHF-Zwischenfrequenzsignal oder das UHF-Zwischenfrequenzsignal, die von der VHF-Mischstufe 105 erhalten werden, werden von der Ausgangsklemme 121 an die darauffolgende Zwischenfrequenzschaltstufe gelegt, die nicht gezeigt ist. Die Schaltkreise 103 bis 115 sind in einer Abschirmung 101, wie z. B. einem metallischen Gehäuse oder Rahmen untergebracht. Dadurch wird Jegliche unerwünschte Abstrahlung von diesen Schaltkreisen, die innerhalb der Abschirmung 101 angeordnet sind, zu anderen Funkgeräten vermieden, während auch Jegliche unerwünschte Einstrahlung von anderen Funkgeräten zu diesen Schaltkreisen vermieden wird„ Die oben beschriebenen Antenneneingangsklemmen 117, 119 und die Zwischenfrequenzausgangsklemme 121 sind in vorbestimmten Positionen auf der Abschirmung 101 ausgebildet, wobei diese Klemmen elektrisch isoliert von der Abschirmung 101 sind.Reception of a UHF signal are the VHF high frequency amplifiers 103 and the VHF local oscillator 107 inactivated, while the VHF mixer stage 105 is activated. So the VHF mixer is used when receiving a UHF signal 105 as a UHF intermediate frequency amplifier to generate the UHF intermediate frequency signal to reinforce. On the other hand, when a VHF signal is received, the circuits 109, 111, 113 and 115, which belong to the UHF signal, are inactivated, while only the circuits 103, 105 and 107 which belong to the VHF signal are activated. The VHF intermediate frequency signal or the UHF intermediate frequency signal produced by the VHF mixer 105 are obtained from the output terminal 121 to the subsequent intermediate frequency switching stage, which is not shown. The circuits 103 to 115 are in a shield 101, such as. B. housed a metallic housing or frame. This will make any undesirable Radiation from these circuits, which are located within the shield 101, to other radio devices while also avoiding any unwanted radiation from other radios to these circuits “The antenna input terminals described above 117, 119 and the intermediate frequency output terminal 121 are in predetermined positions on the shield 101 formed, these terminals being electrically isolated from the shield 101.

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Z₃ ⁸JZ ₃ ⁸ y

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Der. VHF-Hochfrequenzverstärker 103, der VHF-Überlagerungsoszillator 107, der UHF-Hochfrequenzverstärker 109 und der UHF-Uberlagerungsoszillator 113 weisen jeweils einen Abstimmschaltkreis auf, nicht gezeigt, um die Abstimmfrequenz zur Auswahl eines gewünschten Kanales innerhalb eines gewünschten Empfangsfrequenzbandes zu variieren. Jeder dieser Abstimmschaltkreise weist eine Vorrichtung mit sparmungsgesteuertem Blindwiderstand, wie z. B. eine spannungsgesteuerte Kapazitätsdiode, auf. Zu diesem Zweck istOf the. VHF high frequency amplifier 103, the VHF local oscillator 107, the UHF high-frequency amplifier 109 and the UHF local oscillator 113 each have a tuning circuit, not shown, to adjust the tuning frequency to select a desired channel within a desired reception frequency band to vary. Each of these tuning circuits includes a device with a voltage controlled reactance such. B. a voltage controlled Capacitance diode, on. To that end is

Iq der Tuner 100, der in der Abschirmung 101 untergebracht ist_p auch mit einer Abstimmspannungseingangsklemme 123, isoliert von der Abschirmung 101, versehen, um die Abstimmspannung Vt zuzuführen. Die Abstimmspannung Vt von der Klemme 123 wird an die zugehörigen Schaltkreise 103, 107, 109 und 113 angelegt. Die Abschirmung 101, d. h. der Tuner 100, weist ferner einen Testanschluß (TP) 127 isoliert von der Abschirmung 101 auf, um das Ausgangssignal des Tuners 100 an eine Abgleichvorrichtung, nicht gezeigt, zum Abgleichen der Ausgangssignalform beim Abgleichen des Tuners 100 zu führen. Normalerweise enthält das VHF-Band ein VHF-Tiefband (das erste Band) mit einem relativ niedrigen Frequenzbereich und ein VHF-Hochband (das zweite Band) mit einem relativ hohen Frequenzbereich. Das UHF-Band kann als drittes Band mit einem Frequenzbereich höher als dem des VHF-Hochbandes betrachtet werden. Deshalb weist der Tuner 100 ferner Anschlußklemmen 129, 131 und 133 isoliert von der Abschirmung 101 auf, um Spannungssignale zur Auswahl eines dieser Fre-Iq the tuner 100 housed in the shield 101 _p also provided with a tuning voltage input terminal 123 isolated from the shield 101 for supplying the tuning voltage Vt. The tuning voltage Vt from the terminal 123 is applied to the associated circuits 103, 107, 109 and 113. The shield 101, ie the tuner 100, furthermore has a test connection (TP) 127 isolated from the shield 101 in order to route the output signal of the tuner 100 to an adjustment device, not shown, for adjusting the output signal form when the tuner 100 is adjusted. Usually, the VHF band includes a VHF low band (the first band) with a relatively low frequency range and a VHF high band (the second band) with a relatively high frequency range. The UHF band can be viewed as a third band with a frequency range higher than that of the VHF high band. Therefore, the tuner 100 also has terminals 129, 131 and 133 isolated from the shield 101 in order to receive voltage signals for selecting one of these frequencies.

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quenzbänder zuzuführen. D. h. im einzelnen, der Anschluß 129 ist vorgesehen, um eine Bandwahlspannung BL zur Auswahl des VHF-Tiefbandes anzulegen, der Anschluß 131 zum Anlegen der Bandwahlspannung BH zur Auswahl des VHF-Hochbandes und die Anschlußklemme 133 zum Anlegen der Bandwahlspannung BU zur Auswahl des UHF-Bandes. Der Tuner weist ferner eine Anschlußklemme 125 zum Anl'egen einer automatischen Verstärkungssteuerspannung (AGC) auf, die vom Zwischenfrequenzschaltkreis (nicht gezeigt) erhalten wird und eine Anschlußklemme 135 zum Zuführen einer automatischen Feinabstimmspannung (AFT), wobei beide Anschlußklemmen elektrisch isoliert von der Abschirmung 101 sind. Jede der Klemmen 129, 131 und 133 wird mit der Bandwahlspannung BL, BH oder BU von + 15 V versorgt, wenn das entsprechende Empfangsfrequenzband ausgewählt werden soll. Jeder der Abstimmschaltkreise im Tuner 100 ist so aufgebaut, daß er auf die gegebene Bandwahlspannung BL, BH oder BU ansprichtj um die Schaltungskonstanten oder die Schaltverbindungen des Abstimmaufbaus zu ändern, so daß er auf das zugehörige Frequenzband abgestimmt ist, wie Fachleuten wohl bekannt ist.feed quenzbands. I. E. in detail, the connection 129 is provided in order to apply a band selection voltage BL for selecting the VHF low band, the terminal 131 to apply the band selection voltage BH to select the VHF high band and the connection terminal 133 for applying the band selection voltage BU for selecting the UHF band. The tuner also has a connection terminal 125 for applying an automatic gain control voltage (AGC), the from the intermediate frequency circuit (not shown) and a terminal 135 for supplying an automatic Fine tuning voltage (AFT) with both terminals electrically isolated from shield 101. Each of the terminals 129, 131 and 133 is supplied with the band selection voltage BL, BH or BU of + 15 V, if the corresponding one Frequency band should be selected. Each of the tuning circuitry in tuner 100 is constructed so that he is on the given band selection tension BL, BH or BU responds to the circuit constants or the circuit connections of the tuning structure so that it is tuned to the associated frequency band, as would be the case with those skilled in the art is well known.

Wie oben beschrieben, verwendet der Tuner 100 eine spannungsgesteuerte Kapazitätsdiode als Abstimmelement eines Jeden der Abstimmschaltkreise. In solch einem herkömmlichen Tuner wird die Abstimmspannung Vt, die an die spannungsgesteuerte Kapazitätsdiode angelegt wird, in ÜbereinstimmungAs described above, the tuner 100 uses a voltage controlled one Capacitance diode as a tuning element of each of the tuning circuits. In such a conventional one Tuner becomes the tuning voltage Vt applied to the voltage controlled varactor diode in accordance

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mit den gegebenen Bedingungen bestimmt. Im folgenden wird deshalb die Bestimmung der Abstimmspannung unter Bezugnahme auf ein Beispiel eines Fernsehtuners in Westdeutschland beschrieben, wie Fig. 2 zeigt. In Fig. 2 ist die x-Achse die Abstimmspannung und die y-Achse zeigt die Jeweiligen Kanäle im VHF-Tiefband, im VHF-Hochband und im UHF-Band. In Westdeutschland überdeckt z. B. das VHF-Tiefband (das erste Band) die Kanäle E2 bis E4, während das VHF-Hochband (das zweite Band) die Kanäle E5 bis E12 bedeckt. Das UHF-Band (das dritte Band) bedeckt die Kanäle E21 bis E69. Solch ein Tuner ist so entwickelt, daß die untere Frequenzgrenze des VHF-Tiefbandes ausgewählt wird und somit Kanal E2 empfangen werden kann, wenn die Abstimmspannung Vt z. B. 3 V ist. Ein Fernsehtuner muß aber in der Lage sein, den Kanal E2 in jeder Situation und auch unter den schlechtesten Bedingungen sicher auszuwählen. Unter Berücksichtigung einer Frequenzdrift aufgrund von Versorgungsspannungsschwankungen, Umgebungstemperaturschwankungen, zeitabhängigen Änderungen usw., einer Frequenzabweichung aufgrund einer mechanischen Erschütterung und dgl. muß der Fernsehtuner so gestaltet sein, daß er in der Lage ist, z. B. den Kanal E2 auch unter den schlechtesten Bedingungen, die selten auftreten, sicher zu empfangene Deshalb war der Tuner entsprechend einer herkömmlichen Lösung so gestaltet, daß die Abstimmspannung Vt, diedetermined with the given conditions. The following will therefore the determination of the tuning voltage is described with reference to an example of a television tuner in West Germany, as Fig. 2 shows. In Fig. 2, the x-axis is the tuning voltage and the y-axis shows the respective channels in the VHF low band, in the VHF high band and in the UHF band. In West Germany covers z. B. the VHF low band (the first band) channels E2 to E4, while the VHF high band (the second Tape) covers channels E5 to E12. The UHF band (the third volume) covers channels E21 to E69. Such a tuner is designed so that the lower frequency limit of the VHF low band is selected and thus channel E2 can be received when the tuning voltage Vt z. B. 3V. A The television tuner must, however, be able to use channel E2 in every situation and even under the worst conditions safe to choose. Taking into account a frequency drift due to supply voltage fluctuations, ambient temperature fluctuations, time-dependent changes, etc., a frequency deviation due to mechanical shock and the like. The television tuner must be designed so that it is able to z. B. the channel E2 also under the worst conditions that rarely occur, safe to receive Therefore the tuner was like a conventional one Solution designed so that the tuning voltage Vt, the

z. B. 0,2 bis 0,3 V und somit genügend kleiner als die oben beschriebenen 3 V ist, von einer nicht gezeigten Kanalwahlvorrichtung geliefert wird· Als Ergebnis erstreckte sich beiz. B. 0.2 to 0.3 V and thus sufficiently smaller than the above 3 V described is supplied from a channel selection device not shown · As a result, extended at

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solch einem herkömmlichen Fernsehtuner der empfangbare Frequenzbereich unter normalen Bedingungen über das tiefere Gebiet unterhalb des notwendigen empfangbaren Frequenzbereiches, der durch die gestrichelte Linie in Fig. 2 gezeigt ist. Z. B. war ein herkömmlicher Tuner so ausgestaltet, daß im Falle des VHF-Tiefbandes, gezeigt durch die Kurve L von Fig. 2, das Signal empfangen werden kann, auch wenn die Frequenz um eine einem Kanal entsprechende Frequenzdifferenz niedriger als die von Kanal E2 wird. Ferner war ein herkömmlicher Tuner so ausgestaltet, daß im Falle des VHF-Hochbandes, gezeigt durch die Kurve H, das Signal auch dann empfangen werden kann, wenn die Frequenz um eine drei Kanälen entsprechende Frequenzdifferenz geringer als der untere Grenzkanal E5 wird.such a conventional television tuner the receivable frequency range under normal conditions over that deeper area below the necessary receivable frequency range indicated by the dashed line in Fig. 2 is shown. For example, a conventional tuner was designed as shown in the case of the VHF low band by the curve L of Fig. 2, the signal can be received even when the frequency is around a corresponding channel Frequency difference becomes lower than that of channel E2. Furthermore, a conventional tuner was designed in such a way that that in the case of the VHF high band, shown by the curve H, the signal can be received even when the frequency becomes lower than the lower limit channel E5 by a frequency difference corresponding to three channels.

Ferner war ein herkömmlicher Tuner so ausgestaltet, daß im Falle des UHF-Bandes, gezeigt durch die Kurve U, das Signal auch dann empfangen werden kann, wenn die Frequenz um eine zehn Kanälen entsprechene Frequenzdifferenz geringer als der untere Grenzkanal E 21 wird. Ferner war ein herkömmlicher Fernsehtuner so gestaltet, daß auch bezüglich der oberen Grenze Jedes jeweiligen Bandes das Signal irgendeines gewünschten Empfangsfrequenzbandes mit einem ausreichenden Randbereich unter Berücksichtigung Jeder vorstellbaren schlechten Bedingung sicher empfangen werden kann.Further, a conventional tuner was designed so that in the case of the UHF band shown by the curve U, the Signal can also be received if the frequency is lower by a frequency difference corresponding to ten channels than the lower limit channel E becomes 21. Furthermore, a conventional television tuner was designed so that also with respect to the upper limit of each respective band the signal of any one desired reception frequency band with a sufficient margin, taking into account every imaginable bad condition can be safely received.

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Es sind aber zum Zwecke einer effektiven Ausnutzung der Wellenbereiche und der Wahrung des Fernmeldegeheimnisses in einzelnen Ländern Tendenzen aufgekommen, den Empfangsbereich eines Tuners z. B. auf den von einem Fernsehempfänger empfangbaren Frequenzbereich zu beschränken. Genauer gesagt haben einzelne Länder Tendenzen in der Gesetzgebung gezeigt, den Empfangsbereich eines Tuners eines Fernsehempfängers an der oberen und unteren Grenze der jeweils empfangbaren Frequenzbänder von Fig. 2 zu beschränken mit einem Randfrequenzbereich, der Jeweils einem Kanal entspricht.But it is for the purpose of effective use of the wave ranges and the preservation of telecommunications secrecy In some countries there have been tendencies to reduce the reception range of a tuner e.g. B. on that of one Limit the receivable frequency range. More precisely, individual countries have tendencies shown in the legislation, the reception range of a tuner of a television receiver at the top and to restrict the lower limit of the frequency bands that can be received in each case from FIG. 2 with an edge frequency range, each corresponding to a channel.

Z. B_e hat in Westdeutschland das FTZ (Fernmelde Technisches Zentralamt) den folgenden Vorschlag in seinem Entwurf vom Januar 1979 gemacht: In Westdeutschland ist der Frequenzbereich für Fernsehsendungen so bestimmt, daß das Band I den Bereich 47 MHz bis 68 MHz, das Band III den Bereich 174 Mz bis 230 MHz und die Bänder IV und V den Bereich 470 MHz bis 790 MHz überdecken. Die Abweichungstoleranz außerhalb des Frequenzbereiches jeweils an der oberen und unteren Grenze des Frequenzbereiches eines jeden Bandes wurde auf im Prinzip 300 kHz bestimmt. Als Ausnahme wurde bezüglich des Empfangsbandes von 47 MHz bis 870 MHz eine Abweichungstoleranz außerhalb des Frequenzbereiches auf 7 MHz an der unteren Grenze und auf 8 MHz an der oberen Frequenzgrenze bestimmt.Z. B _e made in West Germany the FTZ (Telecommunications Technical Central Office) the following proposal in its draft dated January 1979 in West Germany, the frequency range for television programs is determined so that the strip I the range 47 MHz to 68 MHz, the band III the range 174 Mz to 230 MHz and the bands IV and V cover the range 470 MHz to 790 MHz. The deviation tolerance outside the frequency range at the upper and lower limit of the frequency range of each band was determined to be in principle 300 kHz. As an exception, with regard to the reception band from 47 MHz to 870 MHz, a deviation tolerance outside the frequency range of 7 MHz at the lower limit and 8 MHz at the upper frequency limit was determined.

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Auch beim kanadischen Fernsehen wurde der Versuch einer ähnlichen Beschränkung gemacht, wie Fig. 3 zeigt. Entsprechend dem kanadischen Fernsehstandard enthält das VHF-Tiefband die Kanäle 2 bis 6, das VHF-Hochband die Kanäle 7 bis 13 und das UHF-Band die Kanäle 14 bis Entsprechend einem Entwurf vom Oktober 1978 des kanadischen DOC (Department of Communications) und den weiteren Entwicklungen wurde folgende Einschränkung geplant. Entsprechend dem kanadischen Fernsehstandard wurden die Kanäle für das CATV im Gebiet unterhalb Kanal 7 und oberhalb Kanal 13 angeordnet. Deshalb wurde für kanadische Fernsehempfänger eine Beschränkung geplant, se daß einzelne CATV-Kanäle, die im Gebiet unterhalb Kanal 7 und oberhalb Kanal 13 liegen,, absolut unempfangbar sind. D. h., daß es für Fernsehempfänger» die nicht für den Empfang solcher CATV-Sendungen entworfen wurden, ausreicht, wenn sie in der Lage sind, nur die Fernsehsignale der Kanäle 2 bis 6, 7 bis 13 und 14 bis 83 zu empfangen, und deshalb wurde geplant, solche Empfänger außer Lage zu setzen, die CATV-Kanäle A bis I im Gebiet unterhalb von Kanal 7 und die CATV-Kanäle J bis W im Gebiet oberhalb Kanal 13 zu empfangene Bei dieser Beschränkung wurde aber ein Kanal, d. h. Kanal I im Gebiet unmittelbar unterhalb Kanal 7 und ein Kanal, d. h. Kanal J im Gebiet unmittelbar oberhalb Kanal 13 als Abweichungsbereich freigegeben.A similar restriction has been attempted on Canadian television as well, as shown in FIG. 3. According to the Canadian television standard, the VHF low band contains channels 2 to 6, the VHF high band channels 7 to 13 and the UHF band channels 14 to According to a draft from October 1978 by the Canadian DOC (Department of Communications) and the The following restriction was planned for further developments. According to the Canadian television standard the channels for the CATV are arranged in the area below channel 7 and above channel 13. That is why it was made for Canadian TV receivers planned a restriction that individual CATV channels that are in the area below channel 7 and are above channel 13 ,, are absolutely unreceivable. That means that it is for television receivers »which are not for reception Such CATV broadcasts are designed to be sufficient if they are able to only view the television signals of the channels 2 to 6, 7 to 13 and 14 to 83, and therefore it was planned to disable those receivers who CATV channels A to I in the area below channel 7 and CATV channels J to W in the area above channel 13 received With this restriction, however, a channel was d. H. Channel I in the area immediately below Channel 7 and one channel, i.e. H. Channel J in the area immediately above Channel 13 released as a deviation range.

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Wie oben beschrieben, gibt es in einzelnen Ländern Tendenzen zu einer strikten Beschränkung der Abweichungen nach unten und nach oben vom ursprünglichen Empfangsfrequenzband, um die Wellenbereiche effektiv auszunutzen und das Fernmeldegeheimnis zu wahren.As described above, there is a tendency in individual countries to strictly limit the deviations down and up from the original receiving frequency band in order to use the wavebands effectively and to maintain telecommunications secrecy.

Unter diesen Umständen könnte man, um mit solch strengen Frequenzbegrenzungen fertig zu werden, daran denken, die obere und untere Grenze der oben beschriebenen Abstimmspannung zu begrenzen. Im allgemeinen haben aber Abstimmvorrichtungen für jeden Satz \'erschiedene Abstimmspannung/ Empfangsfrequenz-Kennlinien. Fig. 2 zeigt die Unterschiedlichtkeit anhand der Bereiche, die als A bis F in Verbindung mit den Punkten a bis f der unteren und oberen Grenzen der Jeweiligen Empfangsbänder U, H und L bezeichnet sind. Z. B. kann es, soweit das obere Ende des UHF-Bandes und des VHF-Hochbandes betroffen sind, passieren, daß ein bestimmter Tuner ein Verhältnis mit sich bringt, in dem die Abstimmspannung des oberen Endkanals des UHF-Bandes tiefer als die Abstimmspannung des oberen Endkanales des VHF-Hochbandes ist. Das glaiche gilt auch für die Beziehung zwischen der Abstimmspannung des unteren Endkanals des VHF-Hochbandes und der Abstimmspannung des unteren Endkanals des VHF-Tiefbandes. Im Falle, wo solche Verschiedenheiten im Verhältnis, was Höhe und Tiefe ist,In these circumstances, in order to cope with such severe frequency limitations, one might think of to limit the upper and lower limits of the tuning voltage described above. But generally they have voting devices Different tuning voltage / receiving frequency characteristics for each set. Fig. 2 shows the difference using the ranges identified as A through F in conjunction with points a through f of the lower and upper limits of the respective reception bands U, H and L are designated. For example, as far as the upper end of the UHF band and the VHF high band, it happens that a certain tuner brings with it a relationship in which the tuning voltage of the upper end channel of the UHF band is lower than the tuning voltage of the upper end channel of the VHF high band is. The same applies to the relationship between the tuning voltage of the lower end channel of the VHF high band and the tuning voltage of the lower End channel of the VHF low band. In case where such differences in relation to what is height and depth,

^5 zwischen der Abstimmspannung des oberen Endkanals und/oder der Abstimmspannung des unteren Endkanals in den verschie-^ 5 between the tuning voltage of the upper end channel and / or the tuning voltage of the lower end channel in the various

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denen Bändern auftreten, erfordert die oben beschriebene Beschränkung der Abstimraspannung, daß solch eine Abstimmspannungsbeschrankungsvorrichtung für jedes der Empfangsbänder vorgesehen sein muß. Beim Begrenzen der oberen Grenze der empfangbaren Frequenz des UHF-Bandes kann, um dem FTZ-Standard zu genügen, wenn das Verhältnis von Fig. 2 angenommen wird, z. B. die obere Grenze der Abstimmspannung nicht einheitlich auf einen Minimalwert, z. B. 20 V, eines Verschiedenheitsbereichs E ge- where bands occur, the tuning voltage restriction described above requires that such a tuning voltage limiting device be provided for each of the receiving bands. When limiting the upper limit of the receivable frequency of the UHF band, in order to meet the FTZ standard, if the relationship of FIG. 2 is assumed, e.g. B. the upper limit of the tuning voltage not uniformly to a minimum value, z. B. 20 V, a range of differences E

-jO setzt werden. Das kann begründet werden durch die Annahme, daß, wenn der obere Endkanal des VHF-Hochbandes mit einer Abstimmspannung von etwa 22 V empfangen werden kann, solch ein oberer Endkanal durch einen solchen Aufbau nicht empfangen werden kann. Folglich wird es notwendig, sowohl die obere Grenze als auch die untere Grenze der Abstimmspannung für jedes Empfangsband zu begrenzen. Das Vorsehen einer solchen Abstimmspannungsbegrenzungsvorrichtung für jedes Empfangsband macht den Aubau einer Abstimmvorrichtung aber kompliziert und macht die Herstellungskosten einer solchen Abstimmvorrichtung teuer.-jO will be set. This can be justified by the assumption that if the upper end channel of the VHF high band can be received with a tuning voltage of about 22 V, such an upper end channel cannot be received by such a structure. Consequently it becomes necessary both to limit the upper limit as well as the lower limit of the tuning voltage for each receiving band. Providence such a tuning voltage limiting device for each receiving band makes the construction of a tuning device but it is complicated and makes the manufacturing cost of such a tuner expensive.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Abstimmvorrichtung zu schaffen _t die ohne großen Strukturaufwand und Kosten in der Lage ist, zuverlässig den Schwankungsbereich der Abstimmfrequenz einzuschränken. The invention has for its object to provide a tuning _t is without major structural work and costs in a position to reliably limit the fluctuation range of the tuning frequency.

Zur Lösung dieser Aufgabe enthält die Abstimmvorrichtung erfindungsgemäß eine Vorrichtung mit spannungsge-130012/0897 To achieve this object, the tuning device according to the invention contains a device with a voltage regulator

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3teuertem Blindwiderstand, die gemeinsam für eine Vielzahl von Empfangsbändern vorgesehen ist und mit einer Abstimmspannung von einem einzigen Abstimmspannungsgenerator versorgt wird. Die Abstimmvorrichtung weist ferner eine Vorrichtung zum Begrenzen der oberen und unteren Abstimmspannungsgrenzen auf, die an die Vorrichtung mit spannungsgesteuertem Blindwiderstand angelegt wird. Die erfindungsgemäße Abstimmvorrichtung ist in der Lage, ein Verhältnis einzustellen, bei dem die Abstimmspannung zum Abstimmen der maximal empfangbaren Frequenz eines Empfangebandes aus der Vielzahl von Empfangsbändern gleich oder höher ist als die Abstimmspannung zum Abstimmen auf die maximale empfangbare Frequenz des verbleibenden Empfangsbandes und die Abstimmspannung zum Abstimmen auf die mini- male empfangbare Frequenz des verbleibenden einen Empfangs= bandes aus der Vielzahl von Empfangsbändern gleich oder kleiner ist als die Abstimmspannung zum Abstimmen auf die minimale empfangbare Frequenz des verbleibenden Empfangsbandes. Deshalb ist es erfindungsgemäß nicht notwendig, eine Abstimmspannungsbegrenzungsvorrichtung für Jedes der Empfangsbänder vorzusehen, um den Schwankungsbereich der Abstimrafrequenz, die schon beschränkt sind oder beschränkt werden werden,zu begrenzen. Folglich kann bei der erfindungsgemäßen Abstimmvorrichtung die Abstimmfrequenz durch eine einfache Schaltkreiskonfiguration zuverlässig auf einen beschränkten Frequenzbereich eingeschränkt werden.3 controlled reactance common to a variety of receiving bands is provided and with a tuning voltage from a single tuning voltage generator is supplied. The tuning device also includes a device for limiting the upper and lower Tuning voltage limits applied to the voltage controlled reactance device. the Tuning device according to the invention is able to set a ratio in which the tuning voltage to Matching the maximum receivable frequency of a receiving band from the large number of receiving bands equal or is higher than the tuning voltage for tuning to the maximum receivable frequency of the remaining reception band and the tuning voltage for tuning to the minimum times the receivable frequency of the remaining one receiving band from the multitude of receiving bands equal or is smaller than the tuning voltage for tuning to the minimum receivable frequency of the remaining reception band. Therefore, according to the invention, it is not necessary to provide a tuning voltage limiting device for each of the receiving bands in order to reduce the fluctuation range of the Limiting voting frequencies that are already restricted or will be restricted. Consequently, in the invention Tuner the tuning frequency reliably by a simple circuit configuration be restricted to a limited frequency range.

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In einer bevorzugten Ausführungsform ist der Abstimmspannungsgenerator vom Spannungssynthesizertyp. Die Abstimmspannungsgeneratorvorrichtung eines solchen Span·= nungssynthesizertyps enthält eine Schaltvorrichtung, die in Abhängigkeit von einem Pulssignal leitfähig gemacht wird, und einen Glättschaltkreis zum Glätten des Ausgangssignales der Schaltvorrichtung. In dieser Ausführungsform sind Impedanzvorrichtungen in den Strompfad der Schaltvorrichtung zwischengeschaltet, um zu erlauben, daß eine vorbestimmte Restspannung an den Glättschaltkreis angelegt werden kann, auch wenn die Schaltvorrichtung leitfähig gemacht ist. Gemäß der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform kann die untere Grenze der Abstimmspannung durch eine sehr einfache Schaltkreisstruktur begrenzt werden. In a preferred embodiment, the tuning voltage generator is of the voltage synthesizer type. The tuning voltage generator device of such a span · = tion synthesizer type includes a switching device that is made conductive in response to a pulse signal, and a smoothing circuit for smoothing the output signal the switching device. In this embodiment, impedance devices are in the current path of the switching device interposed to allow a predetermined residual voltage to be applied to the smoothing circuit can be made even if the switching device is made conductive. According to the preferred embodiment described above the lower limit of the tuning voltage can be limited by a very simple circuit structure.

In einer weiteren erfindungsgemäßen Ausführungsform enthält die Abstlmmspannungsgeneratorvorrichtung für jeden Kanal vorgesehene Potentiometer, so daß die Quellspannung durch jedes der Potentiometer aufgeteilt wird, um die Ab-Stimmspannung entsprechend für jeden Kanal vorzusehen.In a further embodiment according to the invention contains the voltage generator device provided potentiometers for each channel so that the source voltage is divided by each of the potentiometers to provide the tuning voltage for each channel accordingly.

Eine Diode ist mit dem Gleitkontakt eines jeden Potentiometers verbunden, wobei die Anode der Diode gemeinsam mit der Eingangselektrode eines Transistors verbunden ist. Die zweite Elektrode des Transistors ist mit der Spannungsquelle und die dritte Elektrode des Transistors mit einerA diode is with the sliding contact of each potentiometer connected, wherein the anode of the diode is commonly connected to the input electrode of a transistor. The second electrode of the transistor is connected to the voltage source and the third electrode of the transistor is connected to a

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Abstimmspannungsabzugsklemme verbunden. Ein vorbestimmter Ausgangswiderstand ist zwischen die Abstimmspannungsabzugsklemme und Massepotential geschaltet. Die Spannungsquelle ist durch eine Konstantspannungsdiode stabilisiert, wodurch die obere Grenze der Abstimmspannung, die von der Abstimmspannungsabzugsklemme erhalten wird, begrenzt ist. Ein vorbestimmter Widerstand ist zwischen die Spannungsquelle und den Ausgangswiderstand geschaltet, so daß normalerweise ein konstanter Stromfluß durch den Ausgangswiderstand verursacht ist, wodurch die untere Grenze der Spannung über den Ausgangswiderstand oder die Ausgangsspannung (die Abstimmspannung), die von der Abstimmspannungsabzugsklemme erhalten wird, auf einen vorbestimmten Wert begrenzt ist. In der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform kann die untere Grenze der Abstimmspannung dadurch begrenzt werden, daß nur ein Widerstand zum herkömmlichen Abstimmspannungsgenerator hinzugefügt wird, während die obere Grenze der Abstimmspannung ebenso begrenzt werden kann, dadurch daß nur eine Konstantspannungsdiode benutzt wird, mit dem Ergebnis, daß die Abstimmvorrichtung,die in der Lage ist, die Abstimmfrequenz zu beschränken, durch eine sehr einfache Struktur geschaffen ist.Tuning voltage release terminal connected. A predetermined one Output resistance is connected between the tuning voltage withdrawal terminal and ground potential. The voltage source is stabilized by a constant voltage diode, whereby the upper limit of the tuning voltage obtained from the tuning voltage extraction terminal is limited. A predetermined resistor is connected between the voltage source and the output resistor, so that normally a constant flow of current is caused by the output resistance, which is the lower limit the voltage across the output resistor or the output voltage (the tuning voltage) provided by the tuning voltage puller is limited to a predetermined value. In the above described preferred embodiment, the lower limit of the tuning voltage can be limited by having only one resistor is added to the conventional tuning voltage generator while the upper limit of the tuning voltage can also be limited by using only one constant voltage diode, with the result, that the tuning device, which is able to limit the tuning frequency, by a very simple Structure is created.

Im folgenden wird die Erfindung anhand der Figuren genauer beschrieben. Es zeigen:The invention is described in more detail below with reference to the figures. Show it:

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Fig. 1 ein Blockschaltbild eines Beispiels eines herkömmlichen Fernsehtuners, in dem die vorliegende Erfindung vorteilhaft verwendet werden kann;Fig. 1 is a block diagram showing an example of a conventional television tuner in which the present invention Invention can be used advantageously;

Fig. 2 eine grafische Darstellung der Beziehung zwischen der Abstimmspannung und der Frequenz (der Empfangskanäle) für ein in Westdeutschland vorgeschlagenes Fernsehsystem, zum Erläutern des Hintergrundes der Erfindung;Fig. 2 is a graph showing the relationship between tuning voltage and frequency (the Reception channels) for a proposed in West Germany Television system, for explaining the background of the invention;

Fig. 3 eine grafische Darstellung der Kanalverteilung beim kanadischen Fernsehsenderstandard;3 shows a graphical representation of the channel distribution in the Canadian television broadcast standard;

Fig. 4 eine grafische Darstellung der Beziehung zwischen der Abstimmspannung und der Frequenz (der Empfangskanäle) zum Erläutern des erfindungsgemäßen Prinzips;Fig. 4 is a graph showing the relationship between tuning voltage and frequency (the Receiving channels) to explain the principle according to the invention;

Fig. 5A und 5B schematische Diagramme eines Fernsehtuners als Beispiel für die vorliegende Erfindung, wobei Fig. 5A den UHF-Teil und Fig. 5B den VHF-Teil zeigt;Figures 5A and 5B are schematic diagrams of a television tuner as an example of the present invention, FIG. 5A showing the UHF part and FIG. 5B showing the VHF part shows;

Fig. 6 eine Übersicht zur Erläuterung einer erfindungsgemäßen Ausführungsform;6 shows an overview to explain an embodiment according to the invention;

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Fig. 7j 8 und 9 Übersichtszeichnungen zum Beschreiben verschiedener erfindungsgemäßer Ausführungsformen bei Benutzung verschiedener Typen von Kanalwahlvorrichtungen, d. h. verschiedener Abstimmspannungsgeneratoren;7j, 8 and 9 are overview drawings for descriptive purposes different embodiments according to the invention when using different types of channel selection devices, d. H. various tuning voltage generators;

Fig. 10 bis 13 schematische Diagramme größerer Teile einer bevorzugten Ausführungsform des Abstimmspannungsgenerators; Figures 10 to 13 are schematic diagrams of major parts of a preferred embodiment of the tuning voltage generator;

Fig. 14 und 15 schematische Diagramme, die Beispiele von Impedanzvorrichtungen zeigen;Figs. 14 and 15 are schematic diagrams showing the examples of impedance devices show;

Fig. 16 eine grafische Darstellung der Signalform
zum Erläutern der Betriebsweise der Ausführungsform
von Fig. 10 und 13;Fig. 16 is a graph showing the waveform
for explaining the operation of the embodiment
of Figures 10 and 13;

Fig. 17 ein schematisches Diagramm eines Hauptteiles einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Abstimmspannungsgeneratorvorrichtung; Fig. 17 is a schematic diagram of a main part of another preferred embodiment of the tuning voltage generating device;

Flg. 18 eine grafische Darstellung zur Beschreibung der Betriebsweise der Ausführungsform von Fig. 7, wobei die Abszisse die Drehungsanzahl eines Feinabstimmungsknopfes und die Ordinate die Abstimmspannung zeigt;Flg. Fig. 18 is a graph used to describe the operation of the embodiment of Fig. 7, wherein the abscissa is the number of rotations of a fine-tuning knob and the ordinate shows the tuning voltage;

Fig. 19 ein Blockschaltbild einer weiteren erfindungsgemäßen Ausführungsform 5 und19 shows a block diagram of a further embodiment 5 and according to the invention

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Fig. 20 einen Graph, der die Beziehung zwischen der Abstimmfrequenz (dem Empfangskanal) und der Abstimmspannung zeigt, zur Erläuterung der Ausführungsform von Fig. 19.Fig. 20 is a graph showing the relationship between the tuning frequency (the receiving channel) and the tuning voltage shows, for explaining the embodiment of FIG. 19.

In der folgenden Beschreibung wird die vorliegende Erfindung durch Darstellung verschiedener Beispiele, in denen sie in einen Fernsehtuner eingebaut ist, beschrieben. Es soll aber klargestellt werden, daß die Erfindung nicht auf Fernsehtuner allein» sondern auch auf FM-Empfanger und dgl. angewendet werden kann.In the following description, the present invention is illustrated by various examples, in which it is built into a television tuner. But it should be made clear that the Invention not only on television tuners but also on FM receivers and the like. Can be applied.

Kurz gesagt ist das Prinzip der Erfindung, daß eine Abstimmvorrichtung in der Lage ist, die Empfangsfrequenz» kennlinie zwischen den Abstimmfrequenzen einer Vielzahl von Empfangskanälen und der Abstimmspannung so zu gestalten, daß die Abstimmspannung zum Abstimmen auf die maximal empfangbare Frequenz eines Empfangsbandes gleich oder größer ist als die Abstimmspannung zum Abstimmen auf die maximale empfangbare Frequenz im restlichen ^mpfangsband und daß die Abstimmspannung zum Abstimmen auf die minimal empfangbare Frequenz des restlichen einen Empfangsbandes aus der Vielzahl von Empfangsbändern gleich oder kleiner ist als die Abstimmspannung zum Abstimmen auf die minimal empfaigbare Frequenz des restlichen Empfangsbandes.In short, the principle of the invention is that a tuning device is able to adjust the receiving frequency » to design the characteristic curve between the tuning frequencies of a large number of receiving channels and the tuning voltage in such a way that that the tuning voltage for tuning to the maximum receivable frequency of a receiving band is the same or greater than the tuning voltage for tuning to the maximum receivable frequency in the rest ^ reception band and that the tuning voltage for tuning to the minimum receivable frequency of the remaining one receiving band from the plurality of receiving bands or is smaller than the tuning voltage for tuning to the minimum receivable frequency of the rest Receiving tape.

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Fig. 4 ist eine grafische Darstellung eines Beispiels einer solchen Empfangsfrequenzkennlinie, in der die Abszisse, die Abstimmspannung und die Ordinate die Abstimmfrequenzen (Empfangskanäle) der jeweiligen Empfangsbänder des VHF-Tiefbandes, des VHF-Hochbandes und des UPiF-Bandes zeigt. In der gezeigten Ausführungsform ist angenommen, daß die Abstimmspannung zum Abstimmen auf die obere Grenzfrequenz (die maximal empfangbare Frequenz) des UHF-Bandes V6 ist, die Abstimmspannung zum Abstimmen auf die obere Grenzfrequenz im VHF-Hochband ist V5 und die Abstimmspannung zum Abstimmen auf die obere Grenzfrequenz im VHF-Tiefband ist V4. Ferner ist angenommen, daß die Abstimmspannung zum Abstimmen auf die untere Grenzfrequenz (minimal empfangbare Frequenz) im VHF-Tiefband V1 ist, die Abstimmspannung zum Abstimmen auf die untere Grenzfrequenz des VHF-Hochbandes V2 ist,und die Abstimmspannung zum Abstimmen aif die untere Grenzfrequenz im UHF-Band V3 ist. Die Beziehung zwischen diesen Spannungen V1 bis V6 ist so gewählt, daß V6 > V5» V6 > V4, V1 < V2 und V1 < V3 ist. Speziell wird die Einstellung so vorgenommen, daß im UHF-Band, wenn die Abstimmspannung V6 angelegt wird, der obere Endkanal E69 zuverlässig empfangen werden kann, aber der Kanal E69 + 8 MHz als oberer Grenzwert nicht überschritten werden kann. Auf der anderen Seite wird die Einstellung so vorgenommen,FIG. 4 is a graph showing an example of such a receiving frequency characteristic, in FIG the abscissa, the tuning voltage and the ordinate the tuning frequencies (receiving channels) of the respective Receiving bands of the VHF low band, the VHF high band and the UPiF tape shows. In the embodiment shown, it is assumed that the tuning voltage for tuning to the upper limit frequency (the maximum receivable frequency) of the UHF band is V6, the tuning voltage for tuning to the upper limit frequency in the VHF high band is V5 and the tuning voltage for tuning to the upper limit frequency in the VHF low band is V4. It is also assumed that the tuning voltage for tuning to the lower cutoff frequency (minimum receivable frequency) in the VHF low band V1 is the tuning voltage for tuning to the lower Cutoff frequency of the VHF high band is V2, and the tuning voltage for tuning aif is the lower cutoff frequency in the UHF band V3. The relationship between these tensions V1 to V6 is chosen so that V6> V5 »V6> V4, V1 <V2 and V1 <V3. Specifically, the setting is made so that in the UHF band when the tuning voltage V6 is applied, the upper end channel E69 can be reliably received, but the channel E69 + 8 MHz as upper limit cannot be exceeded. On the other hand, the setting is made so

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daß im VHF-Tiefband im Falle der Abstimmspannung V1 der untere Endkanal E2 zuverlässig empfangen werden kann, aber der Kanal E2 - 7 MHz nicht überschritten wird. Die untere Grenzfrequenz des UHF-Bandes ist durch die Abstimmspannung V3 beschränkt und die obere und untere Grenzfrequenz des VHF-Hochbandes sind durch die Abstimmspannungen V5 und V2 beschränkt und die obere Grenzfrequenz des VHF-Hochbandes ist durch die Abstimmspannung V4 beschränkt. Alternativ können die Abstimmet) spannungen V1 bis V6in eine Beziehung von V6 = V5 = V4 und V1 = V2 = V3 gesetzt ;?erden. Es soll betont werden, daß die Beispiele der Abstimmspannungsgeneratoren, die im folgenden beschrieben werden, so aufgebaut sind, daß sie eine Abstimmspannung gemeinsam für die verschiedenen Empfangsbänder in Übereinstimmung mit der letztgenannten Beziehung erzeugen.that in the VHF low band in the case of the tuning voltage V1, the lower end channel E2 can be reliably received can, but channel E2 - 7 MHz is not exceeded. The lower limit frequency of the UHF band is limited by the tuning voltage V3 and the upper and lower limit frequency of the VHF high band are through the tuning voltages V5 and V2 are limited and the upper limit frequency of the VHF high band is limited by the tuning voltage V4 limited. Alternatively, the voting) voltages V1 to V6in a relationship of V6 = V5 = V4 and V1 = V2 = V3 set;? It should be emphasized that the examples of the tuning voltage generators to be described below are constructed so that they share a tuning voltage for the various receiving bands in accordance with the latter Create relationship.

Fig. 5A und 5B sind schematische Darstellungen eines Beispieles eines erfindungsgemäßen Fernsehtuners. Fig. 5A zeigt den UHF-Teil und Fig. 5B zeigt den VHF-Teil. Diese UHF- und VHF-Teile sind in einem einheitlichen Tuner innerhalb einer einzigen Abschirmung 101 untergebracht. Zur Vereinfachung der Darstellung sind diese Teile aber als in verschiedenen Abschirmungen untergebracht in Fig. 5A und 5B dargestellt.Figs. 5A and 5B are schematic representations of an example of a television tuner according to the present invention. Figure 5A Fig. 5B shows the UHF part and Fig. 5B shows the VHF part. These UHF and VHF parts are in a unified tuner inside housed a single shield 101. To simplify the representation, these parts are as housed in various shields in Figure 5A and 5B.

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In Fig. 5A wird zuerst der UHF-Teil beschrieben. Die Abschirmung 101 ist durch geeignete Abschirmplatten in geeignete Zellen unterteilt. In der ersten Zelle ist ein UHF-Hochfrequenzverstärker 109 mit einem Eingangsabstimmschaltkreis vorgesehen. In der nächsten Zelle ist eine Zwischenstufenabstimmschaltung 110 untergebracht und zwischen dem UHF-Hochfrequenzverstärker 109 und der UHF-Mischstufe 111 angeordnet. Eine Mischdiode Dm, die die UHF-Mischstufe 111 bildet, ist in der gleichen Zelle untergebracht, wie die Zwischenstufe 110. Der UHF-Hochfrequenzverstärker 109 besteht aus einem Eingangsabstimmkreis, der einen Resonanzkreis aufweist, der eine erste spannungsgesteuerte Kapazitätsdiode D1 und einen ersten Resonanzleiter L1 aufweist.In Fig. 5A, the UHF part will first be described. The shield 101 is by suitable shielding plates divided into suitable cells. In the first cell is a UHF radio frequency amplifier 109 with a Input tuning circuit provided. An interstage tuning circuit 110 is housed in the next cell and arranged between the UHF high-frequency amplifier 109 and the UHF mixer 111. One Mixer diode Dm, which forms the UHF mixer stage 111, is accommodated in the same cell as the intermediate stage 110. The UHF radio frequency amplifier 109 consists from an input tuning circuit, which has a resonant circuit, the a first voltage-controlled capacitance diode D1 and a first resonance conductor L1.

Der Resonanzschaltkreis dient dazu, das gewünschte der Sendersignale im UHF-Band, das von der UHF-Antennenanschlußklemme 119 zugeführt wird, auszuwählen. Ein Verstärkungstransistor T1 verstärkt das ausgewählte UHF-Fernsehsignal. Das verstärkte Fernsehsignal wird an einen ersten Resonanzschaltkreis der Zwischenstufe 110 gelegt. Der erste Resonanzschaltkreis weist eine zweite spannungsgesteuerte Kapazitätsdiode D2 und einen zweiten Resonanzleiter L2 auf. Der erste Resonanzschaltkreis ist elektromagnetisch an den zweiten Resonanzschaltkreis angekoppelt. Der zweite Resonanzschaltkreis weist eine dritte spannungsgesteuerte Kapazitätsdiode D3 und einenThe purpose of the resonance circuit is to generate the desired signal from the transmitter in the UHF band, which is sent by the UHF antenna connection terminal 119 is supplied to select. An amplification transistor T1 amplifies the selected UHF television signal. The amplified television signal is sent to a first resonance circuit of the intermediate stage 110 placed. The first resonance circuit has a second voltage-controlled capacitance diode D2 and a second Resonance conductor L2 on. The first resonance circuit is electromagnetically connected to the second resonance circuit coupled. The second resonance circuit has a third voltage-controlled capacitance diode D3 and a

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dritten Resonanzleiter L3 auf. Folglich wird das vom Transistor T1 verstärkte Fernsehsignal durch die Kopplung zwischen dem ersten Resonanzschaltkreis und dem zweiten Resonanzschaltkreis zur Anode der Mischdiode Dm geführt. Andererseits weist der UHF-Überlagerungsoszillator 113 einen Oszillationstransistor T2, eine vierte spannungsgesteuerte Kapazitätsdiode D4 und einen vierten Resonanzleiter L4 auf_e Das Ausgangssignal des UHF-Uberlagerungsoszillators wird an die Kathode der Mischdiode Dm gelegt. Folglich dient die Mischdiode Dm dazu, die zwei zugeführten Frequenzsignale zu mischen, um dadurch das UHF-Zwischenfrequenzsignal zu liefern, das an den UHF-Zwischenfrequenzverstärker 115 gelegt wird. Der UHF-Zwischenfrequenzverstärker 115 weist einen Verstärkungstransistor T3 auf, dessen Ausgangssignal an die VHF-Mischstufe 105 von Fig. 5B gelegt wird. Die Abstimmspannung Vt, die vom Abstinunspannungseingang 123 des Tuners 100 erhalten wird, wird gemeinsam an die erste, zweite, dritte und vierte spannungsgesteuerte Kapazitätsdiode D1, D2, D3 und D4, die die jeweiligen Resonanzschaltkreise bilden, geliefert. Die Abstimmspannung Vt wird auch an den VHF-Teil von Fig. 5B geliefert. Das an Klemme 133 empfangene UHF-Bandwahlspannungssignal BU wird an die Transistoren T1, T2 und T3 gelegt. Bei Anlegen der Spannung BU an der Klemme 133 sind folglich die Transistoren T1 bis T3 aktiviert.third resonance conductor L3. As a result, the television signal amplified by the transistor T1 is fed to the anode of the mixer diode Dm through the coupling between the first resonance circuit and the second resonance circuit. On the other hand 113, the UHF local oscillator an oscillating transistor T2, a fourth voltage-controlled variable capacitance diode D4 and a fourth resonant conductors L4 on _e The output of the UHF oscillator superposition is applied to the cathode of the mixer diode Dm. As a result, the mixer diode Dm serves to mix the two applied frequency signals, thereby delivering the UHF intermediate frequency signal which is applied to the UHF intermediate frequency amplifier 115. The UHF intermediate frequency amplifier 115 has an amplification transistor T3, the output signal of which is applied to the VHF mixer stage 105 of FIG. 5B. The tuning voltage Vt obtained from the tuning voltage input 123 of the tuner 100 is commonly supplied to the first, second, third and fourth voltage-controlled varactor diodes D1, D2, D3 and D4 which constitute the respective resonance circuits. The tuning voltage Vt is also provided to the VHF part of Fig. 5B. The UHF band selection voltage signal BU received at terminal 133 is applied to transistors T1, T2 and T3. When the voltage BU is applied to the terminal 133, the transistors T1 to T3 are consequently activated.

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Die Fraquenzanpassung des UHF-Teils wird auf folgendeThe frequency adjustment of the UHF part is based on the following

Weise vorgenommen. Zum Zwecke der Anpassung der Abstimmfrequenz im UHF-Teil wird zuerst die Spannung BU an die Klemme 133 angelegt. Wenn die Abstimmspannung Vt an die Klemme 123 angelegt wird, wird z. B. die Abstimmspannung V6 von Fig. 4 bestimmt. Dann wird die Überlagerungsfrequenz des UHF-Überlagerungsoszillators 113 eingestellt. Die Frequenzeinstellung wird durch die Trimmerschleife TL4_j die an den vierten Resonanzleiter IA gekoppelt ist_? vorgenoramen. Zu diesem Zeitpunkt wird die Überlagerungsfrequenz so abgestimmt, daß sie um einige MHz kleiner ist als die normale Überlagerungsfrequenz des oberen Endkanals des UHF-Bandes und diese kann eine Frequenz sein, die höchtens einem Kanal entspricht. Dann wird die Abstimmspannung Vt, die von der Klemme 123 erhalten wird, als Spannung V3 angelegt. Der Trennkondensator Tc4_f der im UHF-Überlagerungsoszillator 113 enthalten ist, wird zu dieser Zeit eingestellt, so daß die normale Überlagerungsfrequenz des unteren Endkanales des UHF-Bandes durch die Spannung V3 erhalten wird. Nachdem die Frequenz des UHF-Überlagerungsoszillators 113 so eingestellt ist, werden der Eingangsabstimmschaltkreis des UHF-Hochfrequenzverstärkers 109 und der Zwischenstufenabstimmschaltkreis 110 eingestellt,, so daß der Ausgang der UHF-Mischstufe 111 das normale Zwischenfrequenzsignal ist. Genauer gesagt werden, wenn die Abstimmspannung Vt die durch die Zenerdiode ZD abgeschnit-Way made. For the purpose of adapting the tuning frequency in the UHF section, the voltage BU is first applied to terminal 133. When the tuning voltage Vt is applied to the terminal 123, e.g. B. the tuning voltage V6 of Fig. 4 is determined. Then, the local frequency of the local UHF oscillator 113 is adjusted. The frequency setting is made by the trimmer loop TL4 _j which is coupled to the fourth resonance _{conductor IA?} pre-mapped. At this time, the heterodyne frequency is tuned so that it is smaller by several MHz than the normal heterodyne frequency of the upper end channel of the UHF band, and this may be a frequency which corresponds to at most one channel. Then, the tuning voltage Vt obtained from the terminal 123 is applied as the voltage V3. The separating capacitor Tc4 _{f included} in the UHF local oscillator 113 is set at this time so that the normal local frequency of the lower end channel of the UHF band is obtained by the voltage V3. After the frequency of the UHF local oscillator 113 is so set, the input tuning circuit of the UHF high frequency amplifier 109 and the interstage tuning circuit 110 are set so that the output of the UHF mixer 111 is the normal intermediate frequency signal. More precisely, if the tuning voltage Vt is cut off by the Zener diode ZD

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tene obere Grenzspannung ist, die Trennkondensatoren Tc5, Tc6 und Tc7 und die entsprechenden Trimmerschleifen TL1, TL2 und TL3 so eingestellt, daß die normale Zwischenfrequenz bei der höchsten Empfangsfrequenz des UHF-Bandes erhalten werden kann. Dann werden die Trennkondensatoren Td, Tc2 und Tc3 eingestellt, so daß, wenn die Abstimmspannung Vt auf die untere Grenze gebracht wird» die normale Zwischenfrequenz für die tiefste Empfangsfrequenz des UHF-Bandes erhalten werden kann.-34.
tene upper limit voltage is set, the separating capacitors Tc5, Tc6 and Tc7 and the corresponding trimmer loops TL1, TL2 and TL3 so that the normal intermediate frequency can be obtained at the highest receiving frequency of the UHF band. Then, the isolating capacitors Td, Tc2 and Tc3 are adjusted so that when the tuning voltage Vt is brought to the lower limit, the normal intermediate frequency for the lowest reception frequency of the UHF band can be obtained.

Im allgemeinen wird dieses Abstimmen des Unterschiedes zwischen der Uberlagerungsfrequenz und der Eingangs- und Zwischenstufenabstimmresonanzfrequenz auf die normale Zwischenstufenfrequenz als Gleichlaufabstimmung bezeichnet. Solch eine Gleichlaufabstimmung sollte nicht nur am oberen und unteren Ende des UHF-Frequenzbandes, sondern auch im Gebiet dazwischen vorgenommen werden. Diese Gleichlaufabstimmung im Zwischengebiet wird durch die Trimmerspulen TL1, TL2 und TL3 vorgenommen. Die Kennlinie der Empfangsfrequenz bezüglich der Abstimmspannung Vt wird so bestimmt, wie die Kurve U von Fig. 2 z. B. zeigt. Danach ist die Kennlinie der Empfangsfrequenzen im UKF-Band bezüglich der Abstimmspannung Vt durch Einstellen des UHF-Teiles bestimmt*In general, this will adjust the difference between the beat frequency and the input and Interstage tuning resonance frequency to the normal Interstage frequency referred to as synchronization tuning. Such a synchronization should not only at the upper and lower end of the UHF frequency band, but also in the area in between. These Synchronization in the intermediate area is carried out by the trimmer coils TL1, TL2 and TL3. The characteristic the reception frequency with respect to the tuning voltage Vt is determined as the curve U of FIG. B. shows. Thereafter, the characteristic of the reception frequencies in the UKF band with respect to the tuning voltage Vt is by setting of the UHF part determined *

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Fig. 5 B zeigt den VHF-Teil des Tuners 100. Der VHF-Teil weist einen VHF-Hochfrequenzverstärker 103 auf. Der VHF-Hochfrequenzverstärker 103 weist einen Eingangsabstimmschaltkreis auf, der das VHF-Fernsehsignal von der VHF-Antenneneingangsklemrae 117 empfängt. Der Eingangsabstimmschaltkreis weist die Spulen L5 und L6 und eine spannungsgesteuerte Kapazitätsdiode D5 auf, die mit den Spulen zusammenwirkt, um die Abstimmfrequenz des Resonanzschaltkreises festzulegen. Ferner weist der VHF-Hochfrequenzverstärker 103 einen Verstärkungstransistor T4 auf, dessen Ausgangssignal an den ersten Resonanzschaltkreis angelegt wird, der eine Zwischenstufe 104 darstellt. Der erste Resonanzschaltkreis weist eine spannungsgesteuerte Kapazitätsdiode D6 und die Spulen L7 und L8 auf, die an einem zweiten Resonanzschaltkreis angekoppelt sind. Der zweite Resonanzschaltkreis weist die Spulen L9 und L10 und eine spannungsgesteuerte Kapazitätsdiode D7 auf. Folglich wird das VHF-Fernsehsignal, das durch den Eingangsabstimmschaltkreis des VHF-Hochfrequenzverstärkers 103 ausgewählt ist, verstärkt durch den Transistor T4 und über den ersten Resonanzschaltkreis und den zweiten Resonanzschaitkreis der Zwischenstufe 104 an einen Transistor T5 geliefert, der eine VHF-Misehstufe 105 bildet. Andererseits weist der VHF-Überlagerungsoszillator 107 einen Oszillations-5B shows the VHF part of the tuner 100. The VHF part has a VHF high frequency amplifier 103. The VHF high frequency amplifier 103 has an input tuning circuit which receives the VHF television signal from the VHF antenna input terminal 117. The input tuning circuit has the coils L5 and L6 and a voltage-controlled capacitance diode D5, which with the Coils cooperate to set the tuning frequency of the resonant circuit. Furthermore, the VHF high-frequency amplifier 103 an amplification transistor T4, the output signal of which is sent to the first resonance circuit which represents an intermediate stage 104. The first resonance circuit has a voltage controlled Capacitance diode D6 and the coils L7 and L8, which are coupled to a second resonance circuit. Of the second resonance circuit has the coils L9 and L10 and a voltage-controlled capacitance diode D7. Consequently the VHF television signal selected by the input tuning circuit of the VHF high frequency amplifier 103 is selected is amplified by the transistor T4 and through the first resonance circuit and the second resonance circuit of the intermediate stage 104 is supplied to a transistor T5 which forms a VHF mixing stage 105. On the other hand, points the VHF local oscillator 107 an oscillation

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transistor T6, eine spannungsgesteuerte Kapazitätsdiode D8 und die Spulen L11 und L12 auf. Die Schaltdioden SD11, SD12, SD13 und SD14 sind mit dem Eingangsabstimmschaltkreis des Hochfrequenzverstärkers 103, dem ersten und zweiten Resonanzschaltkreis der Zwischenstufe 104 und dem VHF-Überlagerungsoszillator 107 verbunden. Eine VHF-Tiefbandwahlspannung BL wird vom Anschluß 129 an die Kathoden dieser Schaltdioden SD11 bis SD14 angelegt und eine VHF-Hochbandwahlspannung BH von Anschluß 131 wird an die Anoden der Schaltdioden SD11 bis SD14 angelegt. Folglich werden, wenn das VHF-Hochband gewählt werden soll, die Spulen L6, L8, L10 und L12 aus den jeweiligen Resonanzschaltkreisen ausgeschaltet, da die entsprechenden Schaltdioden SD11 bis SD14 durch die Bandwahlspannung BH leitend gemacht sind. Der Transistor T5 der VHF-Mischstufe 105 wird mit seiner Betriebsspannung nicht nur bei VHF-Empfang, sondern auch bei UHF-Empfang versorgt_s wodurch der Transistor T5 bei UHF-Empfang als UHF-Zwischenfrequenzverstärker dient.transistor T6, a voltage controlled capacitance diode D8 and the coils L11 and L12. The switching diodes SD11, SD12, SD13 and SD14 are connected to the input tuning circuit of the high frequency amplifier 103, the first and second resonance circuits of the intermediate stage 104 and the VHF local oscillator 107. A VHF low band selection voltage BL is applied from terminal 129 to the cathodes of these switching diodes SD11 to SD14, and a VHF high band selection voltage BH from terminal 131 is applied to the anodes of the switching diodes SD11 to SD14. Consequently, when the VHF high band is to be selected, the coils L6, L8, L10 and L12 of the respective resonance circuits are turned off because the respective switching diodes SD11 to SD14 are rendered conductive by the band selection voltage BH. The transistor T5 of the VHF mixing stage 105 is, with its operating voltage not only at VHF reception, but also at UHF receiver _s supplied whereby the transistor T5 at UHF receiver as a UHF intermediate frequency amplifier is used.

Das Ausgangssignal der VHF-Mischstufe 105 wird an die Ausgangsklemme 121 als Zwischenfrequenzsignal gelegt. Die Anschlußklemme 127, die als Meßpunkt TP dient, wird an den Ausgang des zweiten Resonanzschaltkreises der Zwischenstufe 104 angeschlossen. Eine Anschlußklemme 135 für eine automatische Feinabstimmspannung ist in Verbindung mit dem VHF-Überlagerungsoszillator 107 und dem UHF-Überlagerungsoszillator 113 verbunden, auch wenn es nichtThe output of the VHF mixer 105 is sent to the Output terminal 121 applied as an intermediate frequency signal. The terminal 127, which serves as the measuring point TP, is connected to the output of the second resonance circuit of the intermediate stage 104. A connector 135 for automatic fine tuning voltage is in conjunction with the VHF local oscillator 107 and the UHF local oscillator 113 connected, even if it isn't

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gezeigt ist. Eine Anschlußklemme 125 für eine automatische Verstärkungssteuerspannung ist vorgesehen, um eine automatische Verstärkungssteuerspannung an den Transistor T1 von Fig. 5A und den Transistor T4 von Fig. 5B zu Iegen. is shown. An automatic gain control voltage terminal 125 is provided to connect a automatic gain control voltage to be applied to transistor T1 of Fig. 5A and transistor T4 of Fig. 5B.

Die Frequenzabstimmung des VHF-Teiles wird vorgenommen,nachdem die Frequenzabstimmung des UHF-Teiles wie oben beschrieben vorgenommen worden ist. Bei der Frequenzabstimmung des VHF-Teiles wird zuerst das VHF-Hochband eingestellt, woraufhin das VHF-Tiefband eingestellt wird. Die Reihenfolge der Abstimmschritte von VHF-Hochband und VHF-Tiefband kann aber auch umgekehrt werden. Zuerst wird die Spannung BH an die Klemme 131 angelegt, wodurch der VHF-Teil auf die VHF-Hochbandbetriebsweise eingestellt ist. Dann wird als Abstimmspannung Vt z. B. Spannung V5 von Fig. 4 angelegt. Die Spule L11 des VHF-Uberlagerungsoszillators wird abgestimmt, wodurch die Einstellung zum Abstimmen auf den oberen Endkanal E 12 des VHF-Hochbandes gemacht ist. Daraufhin wird als Abstimmspannung Vt die Spannung V2 von Fig. 4 angelegt und die Spule L11 wird eingestellt, so daß die Frequenz auf den unteren Endkanal des VHF-Hochbandes abgestimmt ist. Dann werden die Spulen L5, L7 und L9 eingestellt, um eine Gleichlaufabstimmung zu erreichen.The frequency tuning of the VHF part is done after the frequency tuning of the UHF part has been carried out as described above. When tuning the frequency of the VHF part, the VHF high band is set first, after which the VHF low band is set. The sequence of the tuning steps for VHF high band and VHF low band can, however, also be reversed. First the voltage BH is applied to the terminal 131, whereby the VHF part is set to the VHF high band mode. Then the tuning voltage Vt z. B. Voltage V5 of FIG. 4 is applied. The coil L11 of the VHF local oscillator is tuned, whereby the setting for tuning to the upper end channel E 12 of the VHF high band is made. Thereupon is used as the tuning voltage Vt, the voltage V2 of Fig. 4 is applied and the coil L11 is set so that the frequency is set to the is tuned to the lower end channel of the VHF high band. Then the coils L5, L7 and L9 are set to one To achieve synchronization.

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Dann wird die Spannung BL an die Klemme 129 angelegt, um das VHF-Tiefband auszuwählen. Dann werden als Abstimmspannung Vt die Spannungen V1 und V4 von Fig. 4 angelegt und die Spule L12 wird eingestellt, so daß die Frequenz auf den unteren Endkanal und den oberen Endkanal des VHF-Tiefbandes abgestimmt werden kann. Zu diesem Zeitpunkt wird die Einstellung so gemacht, daß die untere Grenze der Überlagerungsfrequenz um einige MHz, z. B. innerhalb von 7 MHz, kleiner sein kann als die normale Überlagerungsfrequenz für den unteren Endkanal E2. Auf der anderen Seite wird eine Gleichlaufabstimmung durch Abstimmen der Spulen L6, L8 und L10 durchgeführt. Nachdem die oben beschriebene Einstellung für jedes Frequenzband vorgenommen ist ρ wird die Abstimmung des VHF-Hoch- bandes wiederholt, um einen Einfluß durch die Abstimmung des VHF-Tiefbandes zu korrigieren.Then the voltage BL is applied to the terminal 129 to select the VHF low band. Then as a tuning voltage Vt the voltages V1 and V4 of Fig. 4 are applied and the coil L12 is adjusted so that the frequency can be tuned to the lower end channel and the upper end channel of the VHF low band. At this time the setting is made so that the lower limit of the heterodyne frequency is around a few MHz, e.g. B. within 7 MHz, can be smaller than the normal heterodyne frequency for the lower end channel E2. on on the other hand, synchronism tuning is performed by tuning coils L6, L8 and L10. After the setting described above has been made for each frequency band ρ, the tuning of the VHF high- band repeatedly to correct an influence by adjusting the VHF low band.

In der Praxis wird bei der oben beschriebenen Frequenzeinstellung eine Temperaturdrift der Überlagerungsfrequenz des UHF-ÜberlagerungsOszillators 113 und des VHF-Überlagerungsoszillators 107, eine zeitabhängige Drift und die Einzugsfrequenz (pull-in frequency) und der Haltebereich der automatischen Feinabstimmung berücksichtigt.In practice, with the frequency setting described above, a temperature drift of the superimposition frequency becomes the UHF local oscillator 113 and the VHF local oscillator 107, a time-dependent drift and the pull-in frequency and the hold range automatic fine-tuning is taken into account.

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Bei der Frequenzeinstellung werden Temperaturdrift und zeitabhängige Drift der Uberlagerungsfrequenz des UHF-Uberlagerungsoszillators 113 und eine Einzugsfrequenz der automatischen Feinabstimmung berücksichtigt. Genauer gesagt liegt die Temperaturdrift der überlagerungsoszillationsfrequenz des UHF-Uberlagerungsoszillators 113 bei derzeit erhältlichen Tunern innerhalb von ί 1,5 MHz bei einem Temperaturschwankungsbereich von -10° bis + 60° und die zeitabhängige Drift der überlagerungsfrequenz des UHF-Überlagerungsoszillators liegt innerhalb von ί 2 MHz» während der Einzugsbereich der automatischen Feinabstimmung - 1,5 MHz ist. Folglich kann die höchste empfangbare Frequenz im UHF-Band auf eine Frequenz bestimmt werden, die um 2 MHz höher liegt als der höchste Kanal (E69). Durch Auswahl der höchsten Frequenz in der oben beschriebenen Weise wäre die Gesamtsumme (+7 MHz) aus Temperaturdrift (+1,5 MHz) + zeitabhängiger Drift (+2 MHz) + Einzugsbereich der automatischen Feinabstimmung (+1,5 MHz) und der oben beschriebenen 2 MHz ein Frequenzbereich, der die Möglichkeit einer Abweichung zu höheren Frequenzen, die den oben beschriebenen höchsten Empfangskanal überschreiten, einschließt. Da der Frequenzbereich, der über die obere Grenze des UHF-Kanales in Westdeutschland erlaubt ist, 8 MHz ist, · folgt, daß immer noch ein Randbereich von 1 MHz bleibt, selbst wenn der schlimmste Fall auftritt unter Berücksich-When setting the frequency, temperature drift and time-dependent drift of the superposition frequency of the UHF local oscillator 113 and a pull-in frequency automatic fine-tuning is taken into account. More specifically, the temperature drift is the local oscillation frequency of the UHF local oscillator 113 in currently available tuners within ί 1.5 MHz with a temperature fluctuation range from -10 ° to + 60 ° and the time-dependent drift of the superimposition frequency of the UHF local oscillator is within ί 2 MHz »while the catchment area of the automatic Fine tuning - 1.5 MHz is. As a result, the highest receivable frequency in the UHF band can be reduced to one Frequency can be determined which is 2 MHz higher than the highest channel (E69). By choosing the highest frequency in the manner described above, the total sum (+7 MHz) of temperature drift (+1.5 MHz) + would be more time-dependent Drift (+2 MHz) + catchment area of the automatic fine-tuning (+1.5 MHz) and those described above 2 MHz a frequency range that has the possibility of a deviation from higher frequencies than those described above exceed the highest receiving channel, includes. Since the frequency range that exceeds the upper limit of the UHF channel is allowed in West Germany, 8 MHz is, it follows that a marginal area of 1 MHz still remains, even if the worst case occurs, taking into account

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tlgung der oben beschriebenen verschiedenen Drifts und des Einzugsbereiches, und folglich erfüllt ein derartig ausgestalteter Tuner immer noch die Erfordernisse des FTZ-Standards. Auch wenn die Temperaturdrift und die zeitabhängige Drift einen Einfluß in Richtung niedriger Frequenzen zeigen, wären solche Drifts -1,5 MHz bzw. - 2 NHz. Da die Einstellung auf eine um 2 MHz höhere Frequenz als die normale Freqeunz des höchsten Kanales gewählt worden ist, tritt kein Problem mit dem Empfang des höchsten Kanales auf.the various drifts and the catchment area described above, and consequently a tuner designed in this way still meets the requirements of the FTZ standard. Even if the temperature drift and the time-dependent drift show an influence in the direction of lower frequencies, such drifts would be -1.5 MHz and -2 NHz, respectively. Since the setting has been chosen to a higher frequency by 2 MHz than the normal frequenz of the highest channel, there is no problem with the reception of the highest channel.

Auf der anderen Seite kann die minimale empfangbare Frequenz des VHF-Tiefbandes auf eine um 1,5 MHz tiefere Frequenz bestimmt werden als der tiefste Kanal E2. Z. B. liegt die Temperaturdrift der Überlagerungsfrequenz des VHF-Überlagerungsoszillators 107 innerhalb von ί 0,4 MHz bei einem Temperaturschwankungsbereich von - 10° C bis + 60° C und die zeitabhängige Drift liegt innerhalb von - 1,0 MHz. Der Einzugsbereich der automatischen Frequenzabstimmung ist i 1,5 MHz. Bei Berücksichtigung der oben beschriebenen minimalen empfangbaren Frequenz ist also die Summe (- 4,4 MHz) aus Temperaturdrift ( - 0,4 MHz) + zeitabhängiger Drift ( - 1 MHz) + Einzugsbereich der automatischen Feinabstimmung (- 1,5 MHz) + (- 1,5 MHz) ein Frequenzbereich, in dem die Frequenz in Richtung auf tiefere Frequenzen driften kann, um tiefer zu werden als derOn the other hand, the minimum receivable frequency of the VHF low band can be 1.5 MHz lower Frequency can be determined as the deepest channel E2. For example, the temperature drift is the superposition frequency of the VHF local oscillator 107 within ί 0.4 MHz with a temperature fluctuation range from - 10 ° C to + 60 ° C and the time-dependent drift is within - 1.0 MHz. The catchment range of the automatic frequency tuning is 1.5 MHz. Taking into account the above The minimum receivable frequency described is the sum (- 4.4 MHz) of temperature drift (- 0.4 MHz) + time-dependent drift (- 1 MHz) + catchment range of the automatic fine tuning (- 1.5 MHz) + (- 1.5 MHz) Frequency range in which the frequency can drift towards lower frequencies to become lower than the

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tiefste Empfangskanal. Da der Frequenzbereich, der für die untere Grenze des VHF-Tiefbandes in Westdeutschland erlaubt ist, 7 MHz ist, ist immer noch ein Spielraum von 2,6 MHz übrig, selbst wenn der schlimmste Fall der oben beschriebenen Drifts und des Einzugsbereiches angenommen wird. Folglich kann der so ausgestaltete erfindungsgemäße Tuner die Erfordernisse des FTZ-Standards voll erfüllen. Auch wenn die Frequenz aufgrund von Temperaturdrift und zeitabhängigen Drifts sich ändert, sind solche Drifts + 0,4 MHz und + 1,5 MHz und, da die Einstellung so gemacht worden ist, daß die Frequenz um 1,5 MHz tiefer sein kann als die normale Frequenz des tiefsten Kanales, tritt kein Problem mit dem Empfang des tiefsten Kanales auf.deepest receiving channel. Since the frequency range allowed for the lower limit of the VHF low band in West Germany is 7 MHz, there is still a margin of 2.6 MHz, even if the worst case of the drifts and catchment area described above is assumed. Consequently, the tuner according to the invention configured in this way can fully meet the requirements of the FTZ standard. Even if the frequency changes due to temperature drift and time-dependent drift, such drifts are + 0.4 MHz and + 1.5 MHz and, since the setting has been made so that the frequency can be 1.5 MHz lower than that normal frequency of the deepest channel, there is no problem with the reception of the deepest channel.

Fig. 6 ist ein schematisches Diagramm einer erfindungsgemäßen Ausführungsform. In Fig. 6 ist der Abstimmspannungsgenerator 200 angeschlossen, um die Abstimmspannung Vt an den vorher beschriebenen Tuner 100 zu liefern. Es soll betont werden, daß der Schaltkreisweg, der die Anschlußklemme 137 und die Zenerdiode ZD enthält, und der in Fig. 6 gestrichelt gezeigt ist, auch in die Ausführungsform von Fig. 8, die im folgenden beschrieben wird, eingebracht werden kann. Im folgenden sollen verschiedene bevorzugte Ausführungsformen der Abstimmspannungsgeneratorschaltung 200 von Fig. 6 unter Bezugnahme auf Fig. 7 bis 18 beschrieben werden. Figure 6 is a schematic diagram of an embodiment of the present invention. In Fig. 6, the tuning voltage generator 200 is connected to supply the tuning voltage Vt to the tuner 100 previously described. It should be emphasized that the circuit path which contains the connection terminal 137 and the Zener diode ZD, and which is shown in phantom in FIG. 6, can also be introduced into the embodiment of FIG. 8, which will be described below. Various preferred embodiments of the tuning voltage generator circuit 200 of FIG. 6 will now be described with reference to FIGS. 7-18.

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Fig. 7 ist ein schematisches Diagramm des Hauptteiles einer bevorzugten Ausführungsform der Abstimmspannungsgeneratorschaltungo In dieser Ausführungsform wird die Zenerdiode ZD benutzt, um die obere Grenze der Abstimmspannung Vt zu beschränken. Die Spannung, die über den Widerstand R von der Spannungsquelle Vco angelegt wird, wird mit Hilfe der Zenerdiode ZD zu einer konstanten Spannung gemachte Die konstante Spannung, die so durch die Zenerdiode erhalten wird, wird mit Hilfe des HaIbfestwiderstandes VR1 so eingestellt, daß die Abstimmspannung V6 nur für das Abstimmen auf den oberen Endkanal E69 des UHF-Bandes erhalten wird. Auf der anderen Seite wirdFig. 7 is a schematic diagram of the main part a preferred embodiment of the tuning voltage generator circuit o In this embodiment, the Zener diode ZD is used to set the upper limit of the tuning voltage Vt to restrict. The voltage applied across the resistor R from the voltage source Vco, is made to a constant voltage with the help of the Zener diode ZD the zener diode is obtained with the help of the semi-fixed resistor VR1 set so that the tuning voltage V6 is only used for tuning to the upper end channel E69 of the UHF band is obtained. On the other hand will

.Endkanal, die Abstimmspannung V1 zum Abstimmen auf den tieferen^ E2 des VHF-Tiefbandes über den variablen Widerstand VR2 von der Klemme 129 aus der Spannung BL zum Einstellen des Tuners 100 auf das VHF-Tiefband erhalten. Potentiometer oder einstellbare Widerstände P1 bis Pn werden parallel vorgesehen zwischen der Abstimmspannungsversorgungsklemme 123 und dem Ausgang des Halbfestwiderstandes VR1, um so vorbestimmte Abstimmspannungen für jeden der jeweiligen Kanäle zu erhalten. Durch Schließen eines der Schalter SW1 bis SWn, die mit den jeweiligen Gleitkontakten der Potentiometer verbunden sind, wird die Spannung des Potentiometers, das dem geschlossenen Schalter entspricht, von der Klemme 123 über die Diode D1O an den Tuner 100 angelegt. Auch wenn einige der Potentiometer so eingestellt End channel, the tuning voltage V1 for tuning to the lower ^ E2 of the VHF low band received via the variable resistor VR2 from the terminal 129 from the voltage BL for setting the tuner 100 to the VHF low band. Potentiometers or adjustable resistors P1 to Pn are provided in parallel between the tuning voltage supply terminal 123 and the output of the semi-fixed resistor VR1 so as to obtain predetermined tuning voltages for each of the respective channels. By closing one of the switches SW1 to SWn, which are connected to the respective sliding contacts of the potentiometers, the voltage of the potentiometer, which corresponds to the closed switch, is applied from the terminal 123 to the tuner 100 via the diode D10. Even if some of the potentiometers are set that way

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sind, daß sie eine Spannung liefern, die kleiner ist als die untere Grenzspannung V1 der Abstimmspannung, wird die Diode D10 umgekehrt vorgespannt und somit gesperrt, da die Spannung, die durch den variablen Widerstand VR2 gesetzt wird, größer ist als diese Spannung, so daß Spannungen, die kleiner sind als die Spannung Vt, gehindert werden, an den Tuner 100 angelegt zu werden. In diesem Falle wird die untere Grenzspannung V1, die durch den variablen Widerstand VR2 eingestellt ist, über die Diode D9 an den Tuner 100 angelegt. Gemäß der Ausführungsform von Fig. 7 wird die obere Grenze der Abstimmspannung Vt auf die Spannung V6 und die untere Grenze der Abstimmspannung Vt auf die Spannung V1 begrenzt. Entsprechend sind, wie vorher in Fig. 4 gezeigt, die maximal empfangbaren Frequenzen des UHF-Bandes und die minimal empfangbare Frequenz des VHF-Tiefbandes beschränkt. Der Abstimmspannungsgenerator 200 ist also in der Lage, die Spannungen V6 = V5 = V4 und V1 = V2 = V3 an den Tuner zu liefern und das gleiche gilt für verschiedene Ausführungsformen, die im folgenden beschrieben werden, genau wie für die Ausführungsform von Fig. 7. Dadurch wird der Vorteil erreicht, daß die Beschränkungsvorrichtung für die Abstimmspannung so eingerichtet werden kann, daß sie nur die obere Grenze und die untere Grenze bestimmt. Entsprechend ist es nicht notwendig, die obere Grenze und die untere Grenze der Abstimmspannung Vt getrennt für jedesare that they deliver a voltage that is smaller than the lower limit voltage V1 of the tuning voltage, the diode D10 is reverse biased and thus blocked because of the voltage generated by the variable resistor VR2 is set is greater than this voltage, so that voltages that are less than the voltage Vt, prevented from being applied to the tuner 100. In this case, the lower limit voltage V1, the is set by the variable resistor VR2 is applied to the tuner 100 through the diode D9. According to the embodiment of Fig. 7, the upper limit of the tuning voltage Vt becomes the voltage V6 and the lower limit the tuning voltage Vt is limited to the voltage V1. Correspondingly, as previously shown in FIG. 4, the maximums receivable frequencies of the UHF band and the minimum receivable frequency of the VHF low band. Of the Tuning voltage generator 200 is therefore able to send the voltages V6 = V5 = V4 and V1 = V2 = V3 to the tuner and the same applies precisely to various embodiments described below as for the embodiment of Fig. 7. This has the advantage that the restriction device for the tuning voltage can be set to determine only the upper limit and the lower limit. Corresponding it is not necessary to set the upper limit and the lower limit of the tuning voltage Vt separately for each

012/(^19-7012 / (^ 19-7

- M- - M-

der Empfangsbänder zu bestimmen. Auf diese Weise kann die Schaltkreiskonfiguration sehr einfach gehalten werden. to determine the reception bands. In this way, the circuit configuration can be kept very simple.

Ferner ist die Ausführungsform von Fig. 7 so ausgestaltet, daß die Spannung BL zum Setzen des VHF-Tiefbandes benutzt werden kann, um die Spannung V1 zu erhalten. Der Zweck ist, daß, da es ausreicht die minimal empfangbare Frequenz mindestens des VHF-Tiefbandes durch die Spannung V1 zu bestimmen, die Benutzung der BL die Struktur sehr einfach macht. Die Bandsetzspannung BL muß aber nicht benutzt werden, um dieVSpannung V1 zu erhalten, wie dies in der Ausführungsform von Fig. 7 getan wurde, sondern die Spannung kann auch von irgendeinem willkürlichen anderen Teil abgenommen werden.Deshalb kann der Tuner so aufgebaut sein, daß die Spannung V1 in jedem der Empfangsbänder immer erhalten wird. Währenddessen ist der Halbfestwiderstand VR1 vorgesehen zum Zwecke der Feinabstimmung und ist nicht unbedint notwendig.Furthermore, the embodiment of FIG. 7 is designed in such a way that that the voltage BL can be used to set the VHF low band in order to obtain the voltage V1. The purpose is that, as it is sufficient, the minimum receivable frequency of at least the VHF low band passes through to determine the voltage V1, the use of the BL makes the structure very simple. The band setting voltage BL must but not used to obtain V voltage V1 as was done in the embodiment of Fig. 7, but the tension can also be relieved of any arbitrary other part. Therefore the Tuner be constructed so that the voltage V1 is always obtained in each of the reception bands. Meanwhile the semi-fixed resistor VR1 is provided for the purpose of fine-tuning and is not absolutely necessary.

Fig. 8 zeigt eine Variante der Ausführungsform von ~Fig. 7. Die Ausführungsform von Fig. 8 benutzt den Weg, der in Fig. 6 gestrichelt gezeigt war, um die obere Grenzspannung V6 der Abstimmspannung Vt festzusetzen. Der variable Widerstand VR2 zum Setzen der unteren Grenzspannung V1 ist innerhalb des Tuners 100 vorgesehen.Fig. 8 shows a variant of the embodiment of ~ Fig. 7. The embodiment of Fig. 8 uses the way which was shown in phantom in Fig. 6 to set the upper limit voltage V6 of the tuning voltage Vt. The variable Resistor VR2 for setting the lower limit voltage V1 is provided inside the tuner 100.

1 3 0 0 1 27 &$ 1 3 0 0 1 27 & $

3Q34530 -te-3Q34530 -te-

Fig. 9 zeigt ein Schemabild eines Hauptteiles einer weiteren bevorzugten Ausführungsform des Abstimmspannungsgeneratorschaltkreises. Sie ist das einfachste Beispiel. Die Ausführungsform benutzt einen Schaltdraht 201. In dieser Ausführungsform wird zuerst der Schaltdraht 201 entfernt und die Spannung von z. B. + 30 V von einer nicht gezeigten externen Spannungsquelle an den Verbindungspunkt 204 angelegt. Die Minimalspannung V1 der Abstimmspannung Vt wird bestimmt durch Einstellung des variablem Halbfestwiderstandes VR3_? der zwischen ein Ende eines jeden Potentiometers P1 bis Pn und Masse geschaltet ist. Daraufhin wird der Schaltdraht 201 zwischen die Klemmen 202 und 203 geschaltet und ein Voltmeter, nicht gezeigt, wird am Verbindungspunkt 204 angeschlossen. Durch Kontrollieren des Voltmeters wird der Halbfestwiderstand VR1 eingestellt, so daß die Anzeige des Voltmeters 30 V ist, wodurch die Maximalspannung V6 der Abstimmspannung Vt bestimmt ist. Der Schaltdraht 201 bleibt zwischen den Klemmen 202 und 203, auch wenn der Tuner in einen Fernsehempfänger eingebaut wird.Fig. 9 is a schematic diagram showing a main part of another preferred embodiment of the tuning voltage generator circuit. It is the simplest example. The embodiment uses a jumper wire 201. In this embodiment, the jumper wire 201 is first removed and the voltage of e.g. B. + 30 V is applied to the connection point 204 from an external voltage source (not shown). The minimum voltage V1 of the tuning voltage Vt is determined by setting the variable semi-fixed resistor VR3 _? which is connected between one end of each potentiometer P1 to Pn and ground. The jumper wire 201 is then connected between terminals 202 and 203 and a voltmeter, not shown, is connected to junction 204. By controlling the voltmeter, the semi-fixed resistor VR1 is set so that the display of the voltmeter is 30 V, whereby the maximum voltage V6 of the tuning voltage Vt is determined. The jumper wire 201 remains between the terminals 202 and 203, even if the tuner is built into a television receiver.

Fig. 10 bis 13 zeigen weitere bevorzugte Ausführungsformen des Abstimmspannungsgenerators und Fig. 14 und 15 zeigen Beispiele der Impedanzvorrichtung zur Benutzung in den oben beschriebenen Ausführungsformen. Die Ausfüh-FIGS. 10 to 13 show further preferred embodiments of the tuning voltage generator and FIGS. 14 and 15 show examples of the impedance device for use in the above-described embodiments. The execution

rungsformen von Fig. 10 bis 13 sind Abstimmspannungsgeneratorschaltkreise vom sogenannten Spannungssynthesizertyp. Eine Kanalwahlvorrichtung vom Spannungssynthesizertyp ist z. B. in der US-PS 3 968 440 offenbart.Forms of Figures 10 through 13 are tuning voltage generator circuits of the so-called voltage synthesizer type. A voltage synthesizer type channel selector is z. As disclosed in U.S. Patent 3,968,440.

In der Ausführungsform von Fig. 10 wird ein pulsives Signal, wie z. B. in Fig. 16A gezeigt, von der Anschlußklemme 207 erhalten. Die Pulsbreite eines solchen Signales wird durch einen nicht gezeigten Steuerkreis gesteuert, so daß sie mit dem bezeichneten Kanal verknüpft werden kann. Die Leitfähigkeitszeit des Schalttransistors Tr, der im Schalterkreis 205 enthalten ist, wird als· Funktion des pulsiven Signales, das an die Klemme 207 angelegt wird, gesteuert und während der Leitfähigkeitszeit des Transistors Tr fließt ein Strom von der Spannungsquelle von 120 V über den Widerstand R3 zum Transistor Tr. Entsprechend taucht eine Spannung von einer Größe, die mit der Leitfähigkeitszeit des Transistors Tr verknüpft ist, d. h. mit der Pulsbreite des pulsiven Signales, am Verbindungspunkt oder dem Eingang des Glättschaltkreises auf. Die auftretende Spannung an der Verbindung 208 wird durch den Glättschaltkreis 206 geglättet und an die Klemme 123 des Tuners 100 als Abstimmspannung Vt angelegt. In der gezeigten Ausführungsform ist eine Impedanzvorrichtung Z in den Strompfad des Schalterkreises 205 eingeschaltet, d. h. in den Emitterschaltkreis des Transistors Tr. Ferner ist eine Zenerdiode ZD zwischen den Verbindungs-In the embodiment of FIG. 10, a pulsive signal, such as e.g. As shown in Fig. 16A, from the terminal 207 received. The pulse width of such a signal is controlled by a control circuit, not shown, so that it can be linked to the designated channel. The conductivity time of the switching transistor Tr, which is contained in the switching circuit 205, is applied as a function of the pulsive signal which is applied to the terminal 207 is controlled, and during the conduction time of the transistor Tr, a current flows from the voltage source of 120 V via the resistor R3 to the transistor Tr. Correspondingly, a voltage of a magnitude that corresponds to the conductivity time of the transistor Tr is linked, d. H. with the pulse width of the pulsive signal, at the connection point or the input of the smoothing circuit. The voltage occurring at connection 208 is smoothed by the smoothing circuit 206 and applied to the terminal 123 of the tuner 100 as a tuning voltage Vt. In the embodiment shown, an impedance device Z is switched into the current path of the switch circuit 205, d. H. in the emitter circuit of the transistor Tr. Furthermore, a Zener diode ZD is between the connection

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punkt 208 und Masse geschaltet. Die Zenerdiode ZD dient zum Beschränken der Eingangsspannung des Glättschaltkreises 206 und somit der oberen Grenze der Abstimmspannung Vt auf die konstante Spannung (V6). Auf der anderen Seite dient die Impedanzvorrichtung Z zum Beschränken der unteren Grenze (V1) der Abstimmspannung Vt. Genauer gesagt wird die Spannung V im Falle der Leitfähigkeit des Transistors Tr am Verbindungspunkt 208point 208 and ground switched. The Zener diode ZD is used to limit the input voltage of the smoothing circuit 206 and thus the upper limit of the tuning voltage Vt to the constant voltage (V6). On the other hand, the impedance device Z serves to restrict the lower limit (V1) of the tuning voltage Vt. More specifically, the voltage V becomes in the case of Conductivity of transistor Tr at connection point 208

120 - V_CE
V » ^— x Z + V_CE mit Hilfe der Impedanzvorrichtung Z, wobei die Spannung V^g die Sattigungsspannung zwischen Kollektor und Emitterelektroden bei Leitfähigkeit des Transistors Tr ist. Auf der anderen Seite ist die Spannung ohne die Impedanzvorrichtung Z gleich der Spannung V_CE und entsprechend ist die Spannung V bei Vorhandensein der Impedanzvorrichtung Z größer als die Spannung bei Vorhandensein der Impedanzvorrichtung Z und zwar um den Wert(120 - V^g) χ . Entsprechend wird die untere Grenze der Abstimmspannung Vt auf die konstante Spannung V1 (z. B. 1,25 V) beschränkt. So wird entsprechend der Ausführungsform von Fig. 10 die Impedanzvorrichtung Z zwischengeschaltet, so daß eine vorgegebene Restspannung am Ausgangspunkt 208 auftreten kann, auch wenn das Schalterelement leitfähig gemacht ist und dadurch wird die untere Grenze der Abstimmspannung Vt gehindert, unerwünschterweise kleiner zu werden als die Spannung V1.120 - V _CE
V »^ - x Z + V _CE using the impedance device Z, the voltage V ^ g being the saturation voltage between the collector and emitter electrodes when the transistor Tr is conductive. On the other hand, the voltage without the impedance device Z is equal to the voltage V _CE and accordingly the voltage V in the presence of the impedance device Z is greater than the voltage in the presence of the impedance device Z by the value (120 - V ^ g) χ . Accordingly, the lower limit of the tuning voltage Vt is restricted to the constant voltage V1 (e.g. 1.25 V). Thus, according to the embodiment of FIG. 10, the impedance device Z is interposed so that a predetermined residual voltage can appear at the starting point 208 even if the switch element is made conductive, and thereby the lower limit of the tuning voltage Vt is prevented from being undesirably lower than the voltage V1.

13 0 012 /35B8-9 713 0 012 / 35B8-9 7

Fig. 11 zeigt ein Beispiel, in dem die Impedanzvorrichtung Z nicht zwischen Eaiitterdiode des Schalttransistors Tr und Masse geschaltet ist, sondern zwischen die Kollektorelektrode des Schalttransistors Tr und den Verbindungspunkt 208. In diesem Falle tritt ebenso eine Restimpedanz im Strompfad auf bei Leitfähigkeit des Schalttransistors Tr und entsprechend tritt eine vorgegebene Restspannung am Verbindungspunkt 208 auf. Entsprechend ist die Abstimmspannung Vt beschränkt, so daß sie keinen tieferen Wert annehmen kann als die Konstantspannung V1.Fig. 11 shows an example in which the impedance device Z not between the Eaiitterdiode of the switching transistor Tr and ground is connected, but between the collector electrode of the switching transistor Tr and the connection point 208. In this case, there is also a residual impedance in the current path in the case of conductivity of the switching transistor Tr and, accordingly, a predetermined residual voltage occurs at the connection point 208 on. Accordingly, the tuning voltage Vt is restricted so that it cannot be lower than that Constant voltage V1.

Fig. 12 und 13 zeigen Beispiele, in denen als Schalttransistor Tr ein Feldeffekttransistor verwendet wird, während die restlichen Teile die gleichen wie in den Ausführungsformen von Fig. 10 und 11 sind.Figs. 12 and 13 show examples in which as a switching transistor Tr a field effect transistor is used, while the remaining parts are the same as in the 10 and 11 are embodiments.

Fig. 14 zeigt ein Beispiel der Impedanzvorrichtung Z. Die Ausführungsform von Fig. 14 benutzt einen Widerstand als Impedanzvorrichtung Z.14 shows an example of the impedance device Z. The embodiment of Fig. 14 uses a resistor as the impedance device Z.

Fig. 15 zeigt ein weiteres Beispiel der Impedanzvorrichtung Z. Diese Ausführungsform verwendet eine Reihenverbindung einer Vielzahl von Dioden D11 bis DIn als Impedanzvorrichtung Z. Die Verbindungsrichtung der Reihenschaltung der Dioden ist so gewählt, daß die Strom-Fig. 15 shows another example of the impedance device Z. This embodiment uses series connection a plurality of diodes D11 to DIn as the impedance device Z. The connection direction of the series connection of the diodes is chosen so that the current

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flußrichtung im Strompfad des Schaltelementes 205 die Vorwärtsrichtung dieser Serienschaltung ist. Durch Verwendung der Reihenschaltung der Dioden D11 bis D1n als Impedanzvorrichtung Z wird die Spannung V am Verbindungspunkt 208 V = Vp^ + nVak, wobei Vak der Vorwärtsspannungsabfall an jeder der Dioden D1 bis Dn ist. Entsprechend wird in dem Fall, wo als Impedanzvorrichtung Z eine Reihenschaltung von Dioden verwendet wird, die Spannung V um die Summe der Spannungsabfälle der Dioden nVak vergrößert und entsprechend die Abstimmspannung Vt auf den Konstantspannungswert V1 beschränkt.Direction of flow in the current path of the switching element 205 the Forward direction of this series connection is. By using the series connection of the diodes D11 to D1n as Impedance device Z becomes the voltage V at junction 208 V = Vp ^ + nVak, where Vak is the forward voltage drop on each of the diodes D1 to Dn. Accordingly, in the case where the impedance device Z a series connection of diodes is used, the voltage V by the sum of the voltage drops of the diodes nVak is increased and accordingly the tuning voltage Vt is limited to the constant voltage value V1.

Im folgenden soll repräsentativ für die anderen Ausführungsformen die Arbeitsweise der Ausführungsform gemäß Fig. 10 in Verbindung mit der Ausführungsform von Fig. 14 unter Bezugnahme auf Fig. 16 beschrieben werden. Ein impulsartiges Signal (Fig. 16A), dessen Pulsbreite dem gewählten Kanal entspricht, wird von einem Impulsgenerator, nicht gezeigt, an die Klemme 207 geliefert. Der Transistor Tr wird als Funktion der Pulsbreite des Impulssignales leitfähig gemacht. Zu diesem Zeitpunkt bleibt die Spannung am Verbindungspunkt 208 mit Hilfe der Impedanzvorrichtung Z, d. h. dem Widerstand, auf der vorher beschriebenen Spannung V1, auch wenn der Transistor Tr leitfähig ist, ohne 0(Vp_E) zu werden. Entsprechend wird die Spannung am Verbindungspunkt 208, wie in Fig. 16B gezeigt, durch den Glättschaltkreis 206 ge-In the following, the operation of the embodiment according to FIG. 10 in connection with the embodiment of FIG. 14 will be described with reference to FIG. 16 as representative of the other embodiments. A pulse-like signal (FIG. 16A), the pulse width of which corresponds to the selected channel, is supplied to the terminal 207 from a pulse generator, not shown. The transistor Tr is made conductive as a function of the pulse width of the pulse signal. At this point in time, the voltage at the connection point 208 remains at the previously described voltage V1 with the aid of the impedance device Z, ie the resistor, even if the transistor Tr is conductive without _{becoming 0 (Vp E} ). Correspondingly, as shown in FIG. 16B, the voltage at connection point 208 is reduced by smoothing circuit 206.

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glättet in einen Gleichstrom ohne eine Brummkomponente zu enthalten, wie in Fig. 16C und 16D gezeigt ist. Die Pulsbreite des Irapulssignales ist zu diesem Zeitpunktsmooths into a direct current without containing a ripple component, as shown in Figs. 16C and 16D. the The pulse width of the Ira pulse signal is at this point in time

beschränkt ι sehr groß und die untere Grenze ist(durch den Widerstand, der mit der Emitterelektrode des Transistors Tr verbunden ist, auch wenn der Transistor Tr für einen wesentlichen Teil dieses Zeitraumes leitfähig gemacht ist, und die Gleichspannung, d. h„ die Abstimmspannung Vt kann nicht kleiner werden als die Konstantspannung V1 (z. B. 1,25 V) limited ι very large and the lower limit is ( by the resistance connected to the emitter electrode of the transistor Tr, even if the transistor Tr is made conductive for a substantial part of this period, and the DC voltage, i.e. "the tuning voltage Vt cannot be less than the constant voltage V1 (e.g. 1.25 V)

Fig. 17 ist ein schematisches Diagramm eines Hauptteiles einer weiteren Ausführungsform des Abstimmspannungsgeneratorschaltkreises und Fig. 18 ist ein Graph, der seine Betriebsweise zeigt. Ein wesentliches Merkmal der gezeigten Ausführungsform ist, daß der Widerstand R9 zwisehen Kollektor- und Emitterelektrode des Transistors Tr1 geschaltet ist.Fig. 17 is a schematic diagram of a main part of another embodiment of the tuning voltage generator circuit, and Fig. 18 is a graph showing its operation. An essential feature of the embodiment shown is that the resistor R9 is connected between the collector and emitter electrodes of the transistor Tr1.

Im Betrieb wird ein Kanalwahlsignal an eine der Eingangsklemmen A1 bis An des Kanalwahlteiles 209, der durch einen integrierten Schaltkreis z. B. verwirklicht sein kann, angelegt. Dann wird einer der Transistoren Q1 bis Qn entsprechend dem Kanalwahlsignal leitfähig gemacht und ein Strom fließt von der Spannungsquelle Vcc zum entsprechenden variablen Widerstand VR11 bis VR1n entsprechend dem nun leitfähigen Transistor. Folglich wird eine derIn operation, a channel selection signal to one of the input terminals A1 to An of the channel selection part 209 , which is z. B. can be realized, created. Then one of the transistors Q1 to Qn is made conductive in accordance with the channel selection signal and a current flows from the voltage source Vcc to the corresponding variable resistor VR11 to VR1n corresponding to the transistor now conductive. Consequently, one of the

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Dioden D21 bis D2n, die mit den Gleitkontakten der variablen Widerstände verbunden sind, in Abhängigkeit von dem nun leitfähigen Transistor auch leitfähig gemacht und die Spannung, die durch den entsprechenden variablen Widerstand gesetzt wird, wird an die Basiselektrode des Transistors Tr1 gelegt. Die Basiselektrode des Transistors Tr1 ist gemeinsam verbunden mit den Anoden der jeweiligen Dioden D21 bis D2n, wie vorher beschrieben, und ist außerdem verbunden über die Widerstände R8 und R10 mit der Spannungsquelle Vcc, seine Emitterdiode ist mit dem Ausgangswiderstand R7 und dem Kondensator C1 zum Entfernen des Brumms verbunden. Außerdem ist die Diode D41 umgekehrt parallel zwischen der Basis- und Emitterelektrode des Transistors Tr1 verbunden. Die Diode D41 wird leitfähig gemacht in dem Falle, wo die Abstimmspannung Vt von der Ausgangsklemme 210 von einem hohen Wert auf einen niedrigen Wert wechselt, um dadurch eine Entladung des Kondensators C4 zu unterstützen. Der Transistor Tr1 ist vorgesehen, um eine Schwankung in der Abstimmspannung Vt zu kompensieren, die durch eine Schwankung der Spannungsabfälle an den Dioden D21 bis D2n verursacht ist, die von der Temperatur abhängt, unddiese Kompensation wird erreicht durch einen PN-Übergang, der in umgekehrter Richtung zu den Dioden D21 bis D2n zwischengeschaltet ist. Die Zenerdiode ZD hat die Aufgabe, die obere Gren-Diodes D21 to D2n, which are connected to the sliding contacts of the variable resistors, are also made conductive depending on the now conductive transistor, and the voltage set by the corresponding variable resistor is applied to the base electrode of the transistor Tr1. The base electrode of the transistor Tr1 is commonly connected to the anodes of the respective diodes D21 to D2n, as previously described, and is also connected through the resistors R8 and R10 to the voltage source Vcc, its emitter diode is connected to the output resistor R7 and the capacitor C1 for removal connected to the hum. In addition, the diode D41 is reversely connected in parallel between the base and emitter electrodes of the transistor Tr1. The diode D41 is made conductive in the case where the tuning voltage Vt from the output terminal 210 changes from a high value to a low value, thereby helping to discharge the capacitor C4. The transistor Tr1 is provided to compensate for a fluctuation in the tuning voltage Vt, which is caused by a fluctuation in the voltage drops across the diodes D21 to D2n, which depends on the temperature, and this compensation is achieved by a PN junction, which is in reverse Direction to the diodes D21 to D2n is interposed. The Zener diode ZD has the task of reducing the upper limit

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ze der Abstimmspannung Vt auf den vorbestimmten Wert V6 zu begrenzen. Die Eingangsklemmen 211, 212 und 213 sind die Eingangsklemmen für die Bandwahlspannungen BL, BH bzw. BU und sind wahlweise verbunden mit den Klemmen b1 bis bn des Kanalwahlteils 209 über die Wahlschalter S1 bis Sn. Währenddessen sind die Dioden D31 bis D3n vorgesehen, um die Klemmen 211 bis 213 mit den Klemmen b1 bis on zu verbinden nur unter Berücksichtigung des gewählten Kanales und nicht unter Berücksichtigung der anderen Kanäle. ze of the tuning voltage Vt to the predetermined value V6. The input terminals 211, 212 and 213 are the input terminals for the band selection voltages BL, BH and BU and are optionally connected to the terminals b1 to bn of the channel selection part 209 via the selector switches S1 to Sn. Meanwhile, the diodes D31 to D3n are provided to connect the terminals 211 to 213 with the terminals b1 to on only taking into account the selected channel and not taking into account the other channels.

In der gezeigten Ausführungsform ist der Widerstand R9 zwischen der Spannungsquellenleitung 214 und dem Ausgangswiderstand R7 verbunden. Folglich fließt normalerweise ein konstanter Strom im Ausgangswiderstand R 7 durch den Widerstand R9 unabhängig von der Leitfähigkeit oder Nichtleitfähigkeit des Transistors Tr1. Deshalb wird ein konstanter Spannungsabfall aufgrund dieses Konstantstromes an beiden Enden des Ausgangswiderstandes R7 erhalten, d. h. an der Ausgangsklemme 210. Folglich kann durch geeignete Auswahl des Verhältnisses der Widerstände R9 und R7 die untere Grenze der Abstimmspannung Vt auf den konstanten Spannungswert V1 beschränkt werden. Z. B. wird der Widerstandswert R7„ wenn die Spannung auf der Spannungsquellenleitung 214 32 V ist, auf 100 kXI gewählt und der Widerstandswert des Widerstandes R9 ist gewählt auf ungefähr 2,2 MH. Dann ist die untere Grenze der Abstimmspannung Vt auf die konstante Spannung V1 (z. B«, 1,25 V) beschränkt.In the embodiment shown, resistor R9 is between voltage source line 214 and the output resistor R7 connected. As a result, a constant current normally flows through the output resistor R 7 Resistance R9 independent of conductivity or non-conductivity of the transistor Tr1. Therefore, there will be a constant voltage drop due to this constant current obtained at both ends of the output resistor R7, d. H. at the output terminal 210. Consequently, by appropriate Selecting the ratio of the resistors R9 and R7 the lower limit of the tuning voltage Vt to the constant Voltage value V1 can be limited. For example, the resistance value R7 becomes “when the voltage on the voltage source line 214 is 32 V, chosen to be 100 kXI and the resistance value of resistor R9 is chosen to be approximately 2.2 MH. Then the lower limit of the tuning voltage is Vt limited to the constant voltage V1 (e.g., 1.25 V).

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Genauer gesagt wird in Fig. 17 die Spannung, die von irgendeinem der variablen Widerstände VR11 bis VR1n erhalten wird und eine Funktion des Wahlsignales ist, an die Basiselektrode des Transistors Tr1 gelegt. Dann ist die Größe der Spannung und somit die Leitfähigkeit des Transistors Tr1 bestimmt und folglich wird der Kondensator C4 geladen, während die Spannung an der Ausgangsklemme 210, d. h. die Abstimmspannung Vt anwächst, um den Spannungswert des Kanals zu erreichen, der mit dem Kanalwahlsignal verknüpft ist. Wenn die Abstimmspannung Vt von dem Wert für einen höheren Kanal auf den für einen tieferen Kanal umgeschaltet wird, wird die im Kondensator C4 gespeicherte elektrische Ladung über die Diode D41 entladen, und entsprechend fällt die Spannung an derJAusgangsklemme ab, wie vorher beschrieben. In solch einem Fall wird aber, auch wenn die Spannung kleiner als die Setzspannung V1 (z. B. 1,25 V) von einem der variablen Widerstände VR1 bis VRn an die Basiselektrode des Transistors Tr1 gelegt wird, keine Vorwärtsvorspannung zwischen die Basis- und Emitterelektrode des Transistors Tr1 angelegt und deshalb wird der Transistor Tr1 nicht leitfähig gemacht, mit der Folge, daß die Abstimmspannung Vt, die kleiner als die Spannung V1 (z. B. 1,25 V) ist, nicht an der Ausgangsklemme 210 auftreten kann.More specifically, in Fig. 17, the voltage which is obtained from any one of the variable resistors VR11 to VR1n and is a function of the selection signal is applied to the base electrode of the transistor Tr1. Then the magnitude of the voltage and thus the conductivity of the transistor Tr1 is determined and consequently the capacitor C4 is charged while the voltage at the output terminal 210, ie the tuning voltage Vt, increases in order to reach the voltage value of the channel which is linked to the channel selection signal . When the tuning voltage Vt is switched from the value for a higher channel to that for a lower channel, the electric charge stored in the capacitor C4 is discharged through the diode D41 and the voltage at the output terminal drops accordingly, as previously described. In such a case, however, even if the voltage smaller than the set voltage V1 (e.g. 1.25 V) is applied from one of the variable resistors VR1 to VRn to the base electrode of the transistor Tr1, no forward bias is applied between the base and the base Emitter electrode of the transistor Tr1 is applied and therefore the transistor Tr1 is made non-conductive, with the result that the tuning voltage Vt, which is lower than the voltage V1 (e.g. 1.25 V), cannot appear at the output terminal 210.

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Auf der anderen Seite wird die obere Grenze V6 der Abstimmspannung Vt durch den Spannungsabfall zwischen Kollektor und Emitterelektrode des Transistors Tr1 auf einen Wert beschränkt, der kleiner als die Spannung auf der Spannungsquellenleitung 203 ist.On the other hand, the upper limit V6 of the tuning voltage Vt is made by the voltage drop between Collector and emitter electrode of the transistor Tr1 limited to a value that is smaller than the voltage of the power source line 203 is.

Fig. 16 zeigt das Verhältnis der Abstimmspannung Vt zur Drehanzahl eines nicht gezeigten Feinabstimmknopfes für den Fall, daß der Gleitkontakt irgendeines der variablen Widerstände VR1 bis VR1n mit Hilfe des Feinabstimmknopfes in der Ausführungsform von Fig. 17 bewegt wird. Wie aus Fig. 18 zu sehen ist, wird, auch wenn die Umdrehungsanzahl des Feinabstimmknopfes extrem klein ist, d. h. die vom variablen Widerstand erhaltene Spannung klein ist, der Minimalwert der Abstimmspannung Vt nicht kleiner als die Spannung V1 (z. B. 1,25 V). Ohne den Widerstand R9 würde, wenn die Umdrehungsanzahl des Feinabstimmknopfes klein ist, wie durch die gestrichelte Linie in Fig. 18 gezeigt, die Abstimmspannung Vt ungefähr 0 V werden, mit der Folge, daß die minimal empfangbare Frequenz des VHF-Tiefbandes außerhalb der Beschränkung durch den FTZ-Standard z* B. liegen würde. Die Ausführungsformen von Fig. 7 bis 18 sind so gestaltet, daß die untere Grenze der Abstimmspannung Vt durch die Konstantspannung V1 beschränkt ist. Auf der anderen Seite enthält ein herkömmlicher Tuner keine solche Beschränkung der unteren GrenzeFig. 16 shows the ratio of the tuning voltage Vt to the number of rotations of an unillustrated fine tuning knob in the event that the sliding contact of any one of the variable resistors VR1 to VR1n by means of the fine-tuning knob in the embodiment of Fig. 17 is moved. As can be seen from Fig. 18, even if the Number of revolutions of the fine-tuning knob is extremely small, i.e. H. the voltage obtained from the variable resistor is small, the minimum value of the tuning voltage Vt is not smaller than the voltage V1 (e.g. 1.25 V). Without the resistance R9 would when the number of revolutions of the fine tuning knob is small, as shown by the dashed line shown in Fig. 18, the tuning voltage Vt becomes approximately 0 V, with the result that the minimum receivable frequency of the VHF low band would be outside the restriction of the FTZ standard, for example. The embodiments 7 to 18 are designed so that the lower limit of the tuning voltage Vt is restricted by the constant voltage V1 is. On the other hand, a conventional tuner does not include such a lower limit restriction

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der Abstiramspannung Vt und folglich kann die Spannung kleiner als 0,3 V werden. Folglich ist es nötig, um die minimal empfangbare Frequenz im VHF-Tiefband zu beschränken, um die Erfordernisse des FTZ-Standards zu erfüllen, einen Tuner so zu gestalten, daß der unterste Kanal E2 mit einer Abstimmspannung von ungefähr 0,5 V" empfangen werden kann. Der Empfang des Kanales E2 ist aber im Vergleich zu dem der anderen Kanäle verschlechtert. Der Grundjdafür ist, daß Je kleiner die angelegte Abstimmspannung ist, desto schlechter der Qualitätsfaktor der spannungsgesteuerten Kapazitätsdiode ist. Im Gegensatz dazu ist es bei Beschränkung der unteren Grenze der Abstimmspannung Vt auf den Konstant spannungswert V1 (z. B. 1,25 V), wie es erfindungsgemäß getan wird, ausreichend, den Tuner so zu gestalten, daß der Kanal E2 mit solch einer relativ hohen Abstimmspannung empfangen werden kann,und folglich ist die Qualität des Tuners verbessert.of the stripping voltage Vt and consequently the voltage become less than 0.3 V. Consequently, in order to limit the minimum receivable frequency in the VHF low band, it is necessary to meet the requirements of the FTZ standard to design a tuner so that the lowest channel E2 with a tuning voltage of approximately 0.5 V "can be received. The reception of the channel E2 is, however, in comparison deteriorated to that of the other channels. The reason for this is that the smaller the applied tuning voltage is, the worse the quality factor of the voltage-controlled capacitance diode. In contrast to if the lower limit of the tuning voltage Vt is restricted to the constant voltage value V1 (e.g. 1.25 V), as it is done according to the invention, is sufficient to design the tuner so that the channel E2 with such a relatively high tuning voltage can be received, and hence the quality of the tuner is improved.

Es bedarf keiner Erwähnung, daß die Ausführungsformen von Fig. 7 bis 18 nicht nur verwendet werden können für die Anpassung an den FTZ-Standard, sondern ebenso für die Anpassung an andere Standarde, wie z. B. den DOC-Standard. It goes without saying that the embodiments of FIGS. 7 to 18 can be used not only for the adaptation to the FTZ standard, but also for the adaptation to other standards, such as e.g. B. the DOC standard.

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Fig. 19 ist eine Variante eines Fernsehtuners vom Doppelüberlagerungstyp. Ein Fernsehtuner eines solchen Doppelüberlagerungstypes ist z. B. in der US-PS 3 639 offenbart. Bei einem solchen Fernsehtuner vom Doppel-Überlagerungstyp ist es notwendig, die Abstimmfrequenz durch einen einzigen variablen Überlagerungsoszillator in einem weiten Bereich vom VHF-Tiefband bis zum UHF-Band zu variieren. Beim Erreichen eines solchen Breitenbereiches von Abstimmfrequenzen treten aber beim Benutzen eines einzigen spannungskontrollierten Überlagerungsoszillators Schwierigkeiten mit dem Oszillator 504 auf und um diese Schwierigkeiten zu vermeiden, werden in der Ausführungsform von Fig. 19 zwei spannungskontrollierte Überlagerungsoszillatoren 504V und 504U verwendet. Der Überlagerungs- oszillator 504V wird für das VHF-Band verwendet und kann über den Frequenzbereich von 2 bis 2,35 GHz variieren. Der spannungskontrollierte Überlagerungsoszillator 504U ist für das UHF-Band vorgesehen und in der Lage, über einen Frequenzbereich von 2,5 bis 2,9 GHz zu variieren. Die Oszillationsausgänge dieser beiden Überlagerungsoszillatoren 504V und 504U werden an die Kontakte 511V und 511U eines Bandwahlschalters 511 geliefert. Der Schalter 511 wird in Abhängigkeit von den Bandwahlspannungen BV und BU, die an die Anschlüsse 531 und 533 des Tuners 500 angelegt werden, umgeschaltet. Wenn von der Kanalwahlvorrichtung, nicht gezeigt, das VHF-Bandwahlsignal BV zur Wahl desFig. 19 is a variant of a double-overlay type television tuner. A television tuner of such a kind Double overlay type is e.g. Disclosed, for example, in U.S. Patent 3,639. In such a double-overlay type television tuner it is necessary to adjust the tuning frequency by a single variable local oscillator to vary in a wide range from the VHF low band to the UHF band. When reaching such a latitude tuning frequencies occur when using a single voltage-controlled local oscillator Difficulties with oscillator 504 arise, and in order to avoid these difficulties, two voltage controlled local oscillators 504V and 504U are used in the embodiment of FIG. The overlay oscillator 504V is used for the VHF band and can vary over the frequency range from 2 to 2.35 GHz. The voltage controlled local oscillator 504U is intended for the UHF band and is able to use a Frequency range to vary from 2.5 to 2.9 GHz. The oscillation outputs of these two local oscillators 504V and 504U are connected to contacts 511V and 511U a band selector switch 511 is supplied. The switch 511 is dependent on the band selection voltages BV and BU, which are applied to the connections 531 and 533 of the tuner 500 are switched. If from the channel selection device, not shown, the VHF band selection signal BV for selecting the

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VHF-Bandes angelegt wird, wird der Schalter 511 zum Kontakt 511V geschaltet. Andererseits wird, wenn das UHF-Bandwahlsignal BU anliegt, der Schalter 511 zum Kontakt 511U geschaltet. Folglich wird bei Auswahl des VHF-Bandes das Ausgangssignal des Überlagerungsoszillators 504V an die erste Mischstufe 503 gelegt. Umgekehrt wird, wenn das UHF-Band ausgewählt ist, das Ausgangssignal des Uberlagerungsoszillators 504U an die erste Mischstufe gelegt.VHF band is applied, switch 511 is switched to contact 511V. On the other hand, if that UHF band selection signal BU is applied, the switch 511 for Contact 511U switched. Consequently, when selected of the VHF band, the output signal of the local oscillator 504V is applied to the first mixer 503. Conversely, when the UHF band is selected, the output of local oscillator 504U will be on laid the first mixing stage.

Fig. 20 zeigt die Beziehung zwischen den Sendekanälen (Frequenz) und den Abstimmspannungen, wenn die Ausführungsform von Fig. 10 als Fernsehtuner bei westdeutschem Standard verwendet wird. Auch bei einer solchen modifizierten Ausführungsform vom Doppelüberlagerungstyp reicht es aus, die Abstimmspannung Vt mit der, wie in Fig.Fig. 20 shows the relationship between the transmission channels (frequency) and the tuning voltages when the embodiment of Fig. 10 is used as a television tuner in the West German standard. Even with a modified one In the embodiment of the double superposition type, it is sufficient to set the tuning voltage Vt with that as shown in FIG.

bis 18 gezeigten, beschränkten oberen und unteren Grenze an die Klemme 523 anzulegen. Dadurch werden die maximal empfangbare Frequenz im UHF-Band bzw. die minimal empfangbare Frequenz im UHF-Band auf die konstanten Abstimmspannungen V6 bzw. V1 beschränkt.14 through 18, limited upper and lower limits to be applied to the terminal 523. This will be the maximum receivable frequency in the UHF band or the minimum receivable frequency in the UHF band to the constant tuning voltages V6 or V1 limited.

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- SS-eer s e- SS-eer s e

iteite

Claims (13)

PatentansprücheClaims ( 1.yAbstimmvorrichtung, gekennzeichnet durch eine von einer angelegten Spannung abhängige Vorrichtung mit spannungsgesteuertem Blindwiderstand, deren Reaktanzwert sich als Funktion der Spannung ändert, eine Vielzahl von Abstimmkreisen, die gemeinsam die Vorrichtung mit spannungsgesteuertem Blindwiderstand enthalten und einzeln für eine Vielzahl von Empfangsbändern vorgesehen sind, wobei jeder Abstimmkreis eine vorbestirnm-ce Abstimracnarakxeristik aufweist s, die von der an die Vorrichtung mit spannungsgesteuertem Blindwiderstand angelegten Spannung abhängt, eine Vorrichtung zum Erzeugen einer gemeinsamen Abstimmspannung für die Vielzahl von Empfangsbändern, eine obere Spannungsbegrenzungsvorriehtung zum Begrenzen der oberen Grenze der(1.y tuning device, marked by a voltage-controlled reactance device dependent on an applied voltage, whose Reactance value changes as a function of voltage, a large number of tuning circuits that make up the device with voltage controlled reactance and individually intended for a large number of receiving bands, Each voting group has a predetermined voting system has s, which is controlled by the voltage controlled device to the device Reactance depends on applied voltage, a device for generating a common tuning voltage for the multitude of reception bands, an upper voltage limiting device to limit the upper limit of the 130012/0897130012/0897 an die Vorrichtung mit spannungsgesteuertem Blindwiderstand angelegten Abstimmspannung _f eine untere Spannungsbegrenzungsvorrichtung zum Begrenzen der unteren Grenze der an die Vorrichtung mit spannungsgesteuerten Blindwiderstand angelegten Abstimmspannung, eine erste Vorrichtung zum Bestimmen der maximalen empfangbaren Frequenz eines Empfangsbandes aus der Vielzahl von Empfangsbändern in Verbindung mit der Abstimmspannung, die von der oberen Spannungsbegrenzungsvorrichtung begrenzt ist, und eine erste Vorrichtung zum Bestimmen der minimalen empfangbaren Frequenz eines anderen Empfangsbandes aus der Vielzahl von Empfangsbändern in Verbindung mit der Abstimmspannung, die von der unteren Spannungsbegrenzungsvorrichtung begrenzt ist.to the device with voltage-reactance tuning voltage applied, a lower voltage limiting device for limiting the lower limit of the voltage applied to the device voltage controlled reactance tuning voltage, a first device for determining the maximum receivable frequency _f of a receiving band from the plurality of receiving bands in connection with the tuning voltage is limited by the upper voltage limiting device, and a first device for determining the minimum receivable frequency of another receiving band from the plurality of receiving bands in connection with the tuning voltage which is limited by the lower voltage limiting device. 2. Abstimmvorrichtung nach Anspruch 1₉ dadurch gekennzeichnet , daß sie ferner aufweist, eine zweite Vorrichtung zum Bestimmen der maximal empfangbaren Frequenz des verbleibenden Empfangsbandes, das das andere Frequenzband aus der Vielzahl von Frequenzbändern enthälty in Verbindung mit einer Abstimmspannung, die gleich oder kleiner ist als die Abstimmspannung, die von der oberen Spannungsbegrenzungsvorrichtung begrenzt ist.2. Tuning device according to claim 1 _9, characterized in that it further comprises a second device for determining the maximum receivable frequency of the remaining receiving band which contains the other frequency band from the plurality of frequency bands in connection with a tuning voltage which is equal to or less than the tuning voltage, which is limited by the upper voltage limiting device. 130012/0897130012/0897 3.Abstimmvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß sie ferner aufweist, eine zweite Vorrichtung zum Bestimmen der minimal empfangbaren Frequenz des verbleibenden Frequenzbandes, das das eine Frequenzband aus der Vielzahl von Frequenzbändern enthält, in Verbindung mit einer Abstimmspannung, die gleich oder größer ist als die Abstimmspannung, die von der unteren Spannungsbegrenzungsvorrichtung begrenzt ist.3.Abstimmvorrichtung according to claim 1 or 2, characterized characterized in that it further comprises second means for determining the minimum receivable frequency of the remaining frequency band that is one frequency band from the Contains a plurality of frequency bands associated with a tuning voltage that is equal to or greater than that than the tuning voltage given by the lower voltage limiting device is limited. 4. Abstimmvorrichtungtiach Anspruch 2, die in einen Fernsehempfänger eingebaut ist und in der Lage ist, abgestimmt zu werden auf drei Empfangsbänder, die ein UHF-Band, ein VHF-Hochband und ein VHF-Tiefband enthalten, dadurch gekennzeichnet , daß die erste und zweite Vorrichtung zum Bestimmen der maximal empfangbaren Frequenz eine Vorrichtung aufweist zum Setzen der Abstimmspannung entsprechend der maximalen empfangbaren Frequenz des UHFr-Bandes, so daß sie gleich oder größer ist als die Abstimmspannung, die der Jeweiligen maximalen empfangbaren Frequenz des und des VHF-Tiefbandes entspricht.4. Tuner tiach claim 2, which is built into a television receiver and is able to be tuned to three reception bands including a UHF band, a VHF high band and a VHF low band, characterized in that the first and second Device for determining the maximum receivable frequency comprises a device for setting the tuning voltage corresponding to the maximum receivable frequency of the UHFr band, so that it is equal to or greater than the tuning voltage corresponding to the respective maximum receivable frequency of the VHF low band. 130012/0897130012/0897 5. Abstimmvorrichtung nach Anspruch 3» die in einen Fernsehempfänger eingebaut ist und in der Lage ist, abgestimmt zu werden auf drei Empfangsbänder, die ein UHF-Band, ein VHF-Hochband und ein VHF-Tiefband enthalten, dadurch gekennzeichnet , daß die erste und die zweite Vorrichtung zum Bestimmen der minimalen Empfangsfrequenz eine Vorrichtung aufweist zum Setzen der Abstimmspannung entsprechend der minimalen empfangbaren Frequenz des VHF-Tiefbandes, so daß sie gleich oder kleiner ist als die Abstimmspannung _f die den jeweiligen minimalen empfangbaren Frequenzen des UHF-Bandes und des VHF-Kochbandes entspricht.5. Tuning device according to claim 3 »which is built into a television receiver and is able to be tuned to three reception bands, which contain a UHF band, a VHF high band and a VHF low band, characterized in that the first and the second device for determining the minimum reception frequency has a device for setting the tuning voltage corresponding to the minimum receivable frequency of the VHF low band, so that it is equal to or less than the tuning voltage _f that corresponds to the respective minimum receivable frequencies of the UHF band and the VHF- Cooking band corresponds. 6. Abstimmvorrichtung nach Anspruch 2, die in einen Fernsehempfänger eingebaut ist und in der Lage ist, abgestimmt zu werden auf zwei Empfangsbänder, die ein UHF-Band und ein VHF-Band enthalten, dadurch gekennzeichnet , daß die erste und die zweite Vorrichtung zum Bestimmen der maximal empfangbaren Frequenz eine Vorrichtung aufweist sum Setzen der Abstimmspannung entsprechend der maximal empfangbaren Frequenz des UHF-Bandes,, so daß sie gleich oder größer ist als die Abstimmspannung, die der jeweiligen maximal empfangbaren Frequenz des VHF-Bandes entspricht.6. Tuning device according to claim 2, which is built into a television receiver and is able to be tuned to two reception bands, which contain a UHF band and a VHF band, characterized in that the first and the second device for determining the maximum receivable frequency has a device sum setting the tuning voltage according to the maximum receivable frequency of the UHF band, so that it is equal to or greater than the tuning voltage corresponding to the respective maximum receivable frequency of the VHF band. - 4 130012/0897 - 4 130012/0897 7. Abstimmvorrichtung nach Anspruch 3, die in einen Fernsehempfänger eingebaut ist und in der Lage ist, abgestimmt zu werden auf zwei Empfangsbänder, die ein UHF-Band und ein VHF-Band enthalten, dadurch gekennzeichnet , daß die erste und die zweite Vorrichtung zum Bestimmen der minimalen Empfangsfrequenz eine Vorrichtung aufweist zum Setzen der Abstimmspannung entsprechend der minimalen empfangbaren Frequenz des VHF-Bandes, so daß sie gleich oder kleiner ist als die Abstimmspannung, die der jeweiligen minimalen empfangbaren Frequenz des UHF-Bandes entspricht. 7. Tuning device according to claim 3, which is built into a television receiver and is capable of being tuned to be on two reception bands, which contain a UHF band and a VHF band, characterized in that the first and the second Device for determining the minimum reception frequency comprises a device for setting the tuning voltage according to the minimum receivable frequency of the VHF band, so that it is equal to or less than the tuning voltage that corresponds to the respective minimum receivable frequency of the UHF band. 8. Abstimmvorrichtung, gekennzeichnet durch eine spannungsgesteuerte Kapazitätsdiode, die als Abstimmelement dient, eine Vorrichtung zum Erzeugen einer Abstimmspannung, die an die Kapazitätsdiode angelegt wird, wobei die spannungsgesteuerte Kapazitätsdiode so ausgestaltet ist, daß sie gemeinsam in einer Vielzahl von Empfangsbändern betrieben werden kann, eine Vorrichtung zum Einstellen des Verhältnisses zwischen der Abstimmspannung, die an die Kapazitätsdiode angelegt wird und der Empfangsfrequenz, die von der Abstimmvorrichtung empfangen wird, wobei die Verhältniseinstellvorrichtung aufweist, eine erste Einstellvorrichtung zum Setzen der Abstimmspannung entsprechend dem oberen Endkanal eines Empfangsbandes aus der Vielzahl von Empfangs-8. tuning device, characterized by a voltage-controlled capacitance diode, which as The tuning element is a device for generating a tuning voltage that is applied to the capacitance diode is, wherein the voltage-controlled capacitance diode is designed so that they are common in a plurality can be operated by receiving bands, a device for adjusting the ratio between the Tuning voltage that is applied to the varactor diode and the reception frequency that is used by the tuning device is received, the ratio setting device comprising a first setting device for Setting the tuning voltage according to the upper end channel of a receiving band from the multitude of receiving 130012/0δ9£7-130012 / 0δ9 £ 7- — L" - L " bändern, so daß sie gleich oder größer ist als die Abstimmspannung, die dem oberen Endkanal des verbleibenden Frequenzbandes entspricht, und eine zweite Einstellvorrichtung zum Setzen der Abstimmspannung entsprechend dem unteren Endkanal des anderen Empfangsbandes aus der Vielzahl von Empfangsbändern, so daß sie gleich oder kleiner ist als die Abstimmspannung, die dem unteren Endkanal des verbleibenden Empfangsbandes entspricht, und eine Vorrichtung zum Begrenzen des Spannungsvariationsbereiches zum Begrenzen des Variationsbereiches der Abstimmspannung, die an die spannungsgesteuerte Kapazitätsdiode angelegt wird.bands so that it is equal to or greater than the tuning voltage, which corresponds to the upper end channel of the remaining frequency band, and a second setting device to set the tuning voltage corresponding to the lower end channel of the other receiving band from the A plurality of receiving bands so that it is equal to or less than the tuning voltage applied to the lower end channel of the remaining reception band, and a device for limiting the range of voltage variation to limit the range of variation of the tuning voltage applied to the voltage-controlled capacitance diode is created. 9. Abstimmvorrichtung nach Anspruch 1 oder 8, dadurch gekennzeichnet , daß die Vorrichtung zum Erzeugen der Abstimmspannung aufweist, eine Schaltvorrichtung, die in Abhängigkeit von einem gegebenen Impulssignal geschaltet werden kann, und eine Abzugsvorrichtung, die in Verbindung mit dem Strompfad der Schaltvorrichtung vorgesehen ist, zum Abziehen einer Spannung, die mit der Leitfähigkeitsperiode des Impulssignals verknüpfe ist, als Abstimmspannung, und daß die untere Begrenzungsvorrichtung eine Impedanzvorrichtung aufweist, die in dem Strompfad der Schaltvorrichtung zwischengeschaltet ist, um einen Spannungsabfall in den Strompfad um eine gegebene Restspannung zu verursachen, wenn die Schaltvorrichtung leitend ist.9. tuning device according to claim 1 or 8, characterized in that the device for Generating the tuning voltage comprises a switching device which is dependent on a given pulse signal can be switched, and a trigger device that is in connection with the current path of the switching device is provided for subtracting a voltage that is linked to the conductivity period of the pulse signal, as a tuning voltage, and that the lower limiting device has an impedance device which is in the Current path of the switching device is interposed to a voltage drop in the current path by a given To cause residual voltage when the switching device is conductive. 130012/0897130012/0897 10. Abstimmvorrichtung nach Anspruch 9» dadurch gekennzeichnet , daß die Impedanzvorrichtung eine Widerstandskomponente aufweist.10. Tuning device according to claim 9 »characterized in that the impedance device has a resistance component. 11. Abstimmvorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet , daß die Impedanzvorrichtung einen Diodenübergang aufweist_y dessen Vorwärtsrichtung in Richtung des Stromflusses des Strompfades gewählt ist»11. Tuning device according to claim 9, characterized in that the impedance device has a diode junction _y whose forward direction is selected in the direction of the current flow of the current path » 12. Abstimmvorrichtung nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet , daß die Schaltvorrichtung einen Transistor aufweist.12. Tuning device according to claim 10 or 11, characterized in that the Switching device comprises a transistor. 13. Abstimmvorrichtung nach Anspruch 1 oder 8, dadurch gekennzeichnet , daß die Vorrichtung zum Erzeugen der Abstimmspannung aufweist, eine Vielzahl von variablen Widerständen, die Jeweils einen Gleitkontakt aufweisen, eine Spannungsquelle, eine Vorrichtung zum gemeinsamen Verbinden jeweils sines Endes der Vielzahl von Widerständen mit der Spannungsquelle, eine Vielzahl von Dioden die jeweils mit dem Gleitkontakt verbunden sind, eine Abstimmspannungsabzugsklemme, einen Transistor, mit einer Eingangselektrode, die gemeinsam verbunden ist mit den jeweiligen Anoden der Vielzahl von Dioden,13. Tuning device according to claim 1 or 8, characterized in that the Apparatus for generating the tuning voltage comprises a plurality of variable resistors which Each have a sliding contact, a voltage source, a device for common connection each sine end of the plurality of resistors with the voltage source, a plurality of diodes the each connected to the sliding contact, a tuning voltage extraction terminal, a transistor, with an input electrode commonly connected to the respective anodes of the plurality of diodes, 130012/0897
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- 7 - einer zweiten Elektrode, die mit der Spannungsquelle verbunden ist und einer dritten Elektrode, die mit der Abstimmspannungsabzugsklemme verbunden ist, und einen Ausgangswiderstand, der zwischen die Abstimmspannungsabzugsklemme und ein Bezugspotential geschaltet ist, wobei die obere Spannungsbegrenzungsvorrichtung eine Konstantspannungsdiode aufweist, die mit der Spannungsquelle verbunden ist und die untere Spannungsbegrenzungsvorrichtung eine Widerstandsverrichtung aufweist, die zwischen die zwischen die Spannungsquelle und den Ausgangswiderstand geschaltet 1st.a second electrode which is connected to the voltage source and a third electrode which is connected to the tuning voltage extraction terminal, and an output resistor which is connected between the tuning voltage extraction terminal and a reference potential, wherein the upper voltage limiting device comprises a constant voltage diode which is connected to the voltage source and the lower voltage limiting device has a resistance performing the 1st connected between the between the voltage source and the output resistance. - 8 130012/0897 - 8 130012/0897