DE3012360C2 - Photothermoplastic recording process for optical information and recording material for carrying out this process - Google Patents

Description

to Octylmethacrylat 30—50to octyl methacrylate 30-50

Vinylphenylamin 5—15Vinylphenylamine 5-15

Halogenstyrol 35—65Halostyrene 35-65

20. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die thermoplastische Speicherschicht aus einem Terpolymeren aus folgenden Monomer-Komponenten (in Mol-%) hergestellt ist:20. Recording material according to claim 17, characterized in that the thermoplastic storage layer is made from a terpolymer made from the following monomer components (in mol%):

Octylmethacrylat 30—35Octyl methacrylate 30-35

Vmylphenylisothiocyanat 5—10Vmylphenyl isothiocyanate 5-10

Halogenstyrol 35—60Halostyrene 35-60

21. Aufzeichnungsmaterial nach einem beliebigen der Ansprüche 2 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß es einen flexiblen Schichtträger auf der Basis von Polyethylenterephthalat mit einem Anteil von 0,05 bis 0,5 Gew.-Teilen 1,1-Diacetylferrocen aufweist.21. Recording material according to any one of claims 2 to 20, characterized in that it a flexible support based on polyethylene terephthalate in a proportion of 0.05 to 0.5 part by weight of 1,1-diacetylferrocene.

Die Erfindung betrifft ein fotothermoplastisches Aufzeichnungsverfahren gemäß dem Oberbegriff des Anspruches 1 und Aufzeichnungsmaterialien zur Durchführung solcher Verfahren.The invention relates to a photothermoplastic recording method according to the preamble of the claim 1 and recording materials for carrying out such processes.

Die Erfindung kann auf dem Gebiet der Foto- und Kinotechnik Anwendung finden.The invention can be used in the field of photo and cinema technology.

Es sind bereits verschiedene fotothermoplastische Aufzeichnungsverfahren für optische Informationen bekannt. So beschreibt die US-PS 28 33 648 ein Verfahren, bei dem auf einer fotoleitfähigen Schicht in herkömmlicher Weise ein latentes elektrostatisches Bild ausgebildet wird. Die fotoleitfähige Schicht mit dem latenten elektrostatischen Bild wird dann mit einer dielektrischen thermoplastischen Schicht in Berührung gebracht, die vorher mittels einer Corona-Entladung entgegengesetzt zur fotoleitfähigen Schicht aufgeladen wurde. Nach der Ladungsübertragung werden die Schichten voneinander getrennt, und wenn sich die Größe des Luftspalts einem kritischen Wert nähert, kommt es im Bereich der Abbildung zu einem elektrischen Durchschlag, der sich als Übertragung des elektrostatischen Bildes auf die dielektrische thermoplastische Schicht äußert Die verschiedenen Variationen dieses Verfahrens, die z. B. in den US-PS 29 37 943 oder 30 55 006 beschrieben sind, werden als Ladungsbildübertragungsverfahren über einen Luftspalt bezeichnet. Bei derartigen Verfahren werden jedoch auf der thermoplastischen Schicht Spiegelbilder erhalten. Es ist ferner schwierig, die Spaltweite über die gesamte belichtete Fläche konstant zu halten. Ferner nimmt das Auflösungsvermögen mit steigender Spaltweite ab, und es kommt zu einer beträchtlichen Schleierbildung.Various photothermoplastic optical information recording methods are known. For example, US-PS 28 33 648 describes a method in which on a photoconductive layer in conventional Manner, an electrostatic latent image is formed. The photoconductive layer with the latent electrostatic image is then brought into contact with a dielectric thermoplastic layer which was previously charged opposite to the photoconductive layer by means of a corona discharge. After Charge transfer, the layers are separated from each other, and when the size of the air gap becomes one approaches a critical value, an electrical breakdown occurs in the area of the figure, which turns out to be Transfer of the electrostatic image to the dielectric thermoplastic layer expresses the various Variations of this procedure, e.g. B. in US-PS 29 37 943 or 30 55 006 are described as Charge image transfer process referred to over an air gap. However, in such procedures obtained mirror images on the thermoplastic layer. It is also difficult to keep the gap width across the entire keep exposed area constant. Furthermore, the resolution decreases with increasing slit width, and there is considerable fogging.

Zur Verringerung der Schleierbildung erfolgt nach Ausbildung eines elektrostatischen Bildes eine Neutralisierung der Ladungen auf den Hintergrunds-Bildbereichen durch Aufladen mit einem entgegengesetzten Vorzeichen, vergl. US-PS 31 96 011.To reduce fogging, neutralization is carried out after an electrostatic image has formed the charges on the background image areas by charging with an opposite sign, See U.S. Patent 3,196,011.

Bei einem weiteren Aufzeichnungsverfahren unter Verwendung eines thermoplastischen fotoleitfähigen Materials gemäß US-PS 32 83 309 und 33 60 784 wird eine auf einen transparenten leitenden Schichtträger aufgetragene transparente fotoleitfähige Schicht mit thermoplastischen Eigenschaften aufgeladen und bildmäßig belichtet. Danach wird das Aufzeichnungsmaterial auf seine Fließtemperatur erhitzt, damit die Bildelemente aufweisenden Abschnitte verformt werden und sich das Bild in Form eines sichtbaren Reliefs entwickelt. Durch Abkühlen auf Raumtemperatur wird das Bild fixiert.Another recording method using a thermoplastic photoconductive material according to US-PS 32 83 309 and 33 60 784 one is applied to a transparent conductive layer support transparent photoconductive layer with thermoplastic properties charged and imagewise exposed. Thereafter, the recording material is heated to its flow temperature, so that the picture elements having sections are deformed and the image develops in the form of a visible relief. By The image is fixed when it is cooled to room temperature.

Da bei diesem Verfahren innerhalb einer einzigen Schicht sowohl eine Fotoleitfähigkeit als auch thermoplastische Eigenschaften vorliegen müssen, ist die Fotoempfndlichkeit gering. Ferner sind wegen der Instabilität der fotoleitfähigen Schichten nur wenige Arbeitszyklen möglich, es tritt ein beträchtlicher Randeffekt bei der Verformung an der Grenze von Licht und Schatten auf, und zur Halbtonübertragung ist eine zusätzliche Rasterung des projezierten Bildes erforderlich.Because in this process both photoconductivity and thermoplastic within a single layer Properties must be present, the photosensitivity is low. Furthermore, because of the instability of the photoconductive layers only a few working cycles possible, there is a considerable edge effect in the Deformation at the border of light and shadow, and halftone transfer is an additional one Screening of the projected image required.

Bei anderen Aufzeichnungsmaterialien für optische Informationen werden Aufzeichnungsmaterialien verwendet, die eine fotoleitfähige Schicht und eine thermoplastische Speicherschicht aufweisen, die in der angegebenen Reihenfolge auf einem elektrisch leitenden Schichtträger übereinander angeordnet sind.In other optical information recording materials, recording materials are used which have a photoconductive layer and a thermoplastic memory layer disclosed in US Pat Sequence are arranged one above the other on an electrically conductive layer support.

Derartige Verfahren sind in den US-PS 31 96 008 und 35 60 206 beschrieben. Bei diesen Verfahren wird die freie Oberfläche der thermoplastischen Schicht gleichmäßig elektrostatisch aufgeladen. Dann wird diese Oberfläche mit einem Licht, auf das die fotoleitfähige Schicht anspricht, bildmäßig belichtet. Unter dem Einfluß dieser Belichtung bildet sich ein räumlich moduliertes Potentialrelief aus, das der Vorlage entspricht Dieses kann entweder sofort entwickelt werden, oder die Entwicklung wird nach einer gleichförmigen Wiederaufladung durchgeführt Zur Entwicklung wird die thermoplastische Schicht rasch auf eine Temperatur erhitzt, die deren Fließtemperatur kurzzeitig überschreitet Unter der Wirkung elektrostatischer Kräfte (pondcromolorischcr Kräfte: elektrostatische Kräfte pro Flächeneinheit) entsteht ein Rauhigkeitsbild, das dem räumlich moduliertenSuch processes are described in US Pat. Nos. 3,196,008 and 3,560,206. In these procedures, the Free surface of the thermoplastic layer is evenly charged electrostatically. Then this surface becomes imagewise exposed to light to which the photoconductive layer is responsive. Under the influence of this Exposure forms a spatially modulated potential relief that corresponds to the original either to be developed immediately, or to be developed after a uniform recharge carried out For development, the thermoplastic layer is quickly heated to a temperature that corresponds to its Flow temperature briefly exceeded Under the effect of electrostatic forces (pondcromolorischcr Forces: electrostatic forces per unit area) creates a roughness pattern that is spatially modulated

Potentialrelief entspricht.Corresponds to potential relief.

Der Hauptnachteil eines solchen Verfahrens mit den Stufen Aufladen, Belichten und Entwickeln, ist die lange Dauer des Verfahrens, die geringe Fotoempfindlichkeit infolge einer hohen Dunkelrelaxation unter Ladungsabfluß vor der Erweichung der thermoplastischen Aufzeichnungsschicht sowie ein geringes Signal-Rausch-Verhältnis infolge von Verformungen in unbelichteten Abschnitten der thermoplastischen Schicht.The main disadvantage of such a process with the steps of charging, exposure and development is that it is long Duration of the process, the low photosensitivity due to a high degree of dark relaxation with discharge of charge before softening of the thermoplastic recording layer and a low signal-to-noise ratio as a result of deformations in unexposed portions of the thermoplastic layer.

Zur Erhöhung der Fotoempfindlichkeit wird die thermoplastische Schicht nach der Belichtung direkt vor der Entwicklung zusätzlich aufgeladen. Dabei wird zwar die Empfindlichkeit erhöht, aber auch das Rauschen. Ohne die übrigen genannten Nachteile zu vermeiden, vergrößert sich ferner auch die Gesamtzeit des Aufzeichnungsvorgangs. To increase the photosensitivity, the thermoplastic layer is applied directly before the exposure after the exposure Development charged additionally. This increases the sensitivity, but also the noise. Without Avoiding the other disadvantages mentioned also increases the total time of the recording process.

Die Durchführung von Lade- und Umladc-Schrittcn im Rahmen einer Verfahrensführung, die eine Ein wir- in kung elektrostaischer Kräfte auf einen Oberflächenabschnitt für einen solchen Zeitraum sichert, daß sich in diesem Abschnitt infolge der Verformung der thermoplastischen Schicht Eisbtumenmuster bilden (vgl. US-PS 31 96 011 und GB-PS 1049 881), ermöglicht eine Eliminierung des Randeffekts. Die erhaltenen Moire-Muster ermöglichen es, großflächige Abschnitte konstanter Beleuchtungsstärke in optischen Bildern mit einem konstanten Hintergrund analog zur Fotografie mit Silberhalogenid-Aufzeichnungsmaterialien zu reproduzieren, ohne daß das Verfahren jedoch von den übrigen Nachteilen befreit wird.The implementation of loading and Umladc-steps in the context of a process management, which we in kung of electrostatic forces on a surface section for such a period ensures that in form this section as a result of the deformation of the thermoplastic layer ice bloom pattern (see. US-PS 31 96 011 and GB-PS 1049 881), enables the edge effect to be eliminated. The obtained moiré patterns allow large-area sections of constant illuminance in optical images with a constant Background to reproduce analogous to photography with silver halide recording materials without however, that the process is relieved of the remaining disadvantages.

Zur Vergrößerung des Signal-Rausch-Verhältnisses werden bei dem bekannten Aufzeichnungsverfahren zusätzliche Arbeitsschritte zur gleichmäßigen Belichtung der fotoempfindlichen Schicht nach einer vorherigen Ladung, zur Wiederaufladung nach der gleichmäßigen Belichtung mit gleichem Vorzeichen, wie die vorausgehende Aufladung, sowie zur Umladung auf ein Potential mit entgegengesetztem Vorzeichen nach der Belichtung und direkt vor der Entwicklung durchgeführt.To increase the signal-to-noise ratio, in the known recording method additional work steps for uniform exposure of the photosensitive layer after a previous one Charge, for recharging after the uniform exposure with the same sign as the previous one Charging, as well as recharging to a potential with the opposite sign after exposure and performed right before development.

Eine große Anzahl von Arbeitsschritten während des Aufzeichnungsvorgangs erfordert kompliziert gestaltete Aufzeichnungsgeräte sowie Aufzeichnungsmaterialien, bei denen die spezifischen Widerstände der thermoplastischen Schicht und der fotogleitfähigen Schicht erhöhten Ansprüchen genügen müssen. Als Untergrenze für praktisch verwendbare Aufzeichnungsmaterialien zur schrittweisen Aufzeichnung, insbesondere mit zusätzlichen Stufen zur Auf- und Umladung, sind spezifische Widerstände im Bereich von 10^u bis 10¹⁵Ohm · cm anzusehen. Zur Eliminierung der die Leitfähigkeit der Schichten erhöhenden Randeffekte werden größere Schichtdicken verwendet, die die Grenzauflösung verringern, es jedoch nicht gestatten, anorganische Fotoleiter auf einem flexiblen Schichtträger zu verwenden. Diese hohen Widerstandswerte und das Fehlen von Leckströmen erfordern eine kapazitive Ersatzschaltung des Aufzeichnungsmaterials. Im Augenblick der Belichtung wird der einem beleuchteten Bereich der fotoleitfähigen Schicht entsprechende Kondensator kurzgeschlossen. Eine derartige Auffassung vom Aufzeichnungsmaterial entspricht nur einer groben Näherung und ermöglicht keine Charakterisierung optimaler Aufzeichnungsbedingungen.A large number of working steps during the recording process require recording devices of complicated design and recording materials in which the specific resistances of the thermoplastic layer and the photoconductive layer have to meet increased requirements. ^{Specific resistances in the range from 10 μ} to 10 ¹⁵ ohm · cm are to be regarded as the lower limit for recording materials which can be used in practice for step-by-step recording, in particular with additional steps for charging and recharging. To eliminate the edge effects that increase the conductivity of the layers, greater layer thicknesses are used, which reduce the boundary resolution, but do not allow the use of inorganic photoconductors on a flexible layer carrier. These high resistance values and the absence of leakage currents require a capacitive equivalent circuit of the recording material. At the moment of exposure, the capacitor corresponding to an illuminated area of the photoconductive layer is short-circuited. Such a conception of the recording material corresponds only to a rough approximation and does not allow a characterization of optimal recording conditions.

Ein gemeinsamer Nachteil aller beschriebenen bekannten Aufzeichnungsverfahren ist, daß Aussagen fehlen, die einen Zusammenhang zwischen den für einen Aufzeichnungsvorgang kritischen Größen Ladungspotential, Zeitdauer der Aufladung, Belichtung, Umladung und Entwickeln mit den Parametern der das Aufzeichnungsmaterial bildenden Schichten herstellen. Ohne die Kenntnis derartiger Zusammenhänge ist es unmöglich, optimale Aufzeichnungsbedingungen zu erreichen, bei denen eine maximale Empfindlichkeit, ein großes Signal-Rausch-Verhältnis und die erforderlichen Werte für den Kontrastfaktor und den Belichtungsspielraum gewährleistet sind.A common disadvantage of all known recording methods described is that there are no statements the relationship between the critical values for a recording process, the charge potential, Duration of charging, exposure, reloading and developing with the parameters of the recording material make forming layers. Without knowledge of such relationships, it is impossible to achieve optimal results To achieve recording conditions where maximum sensitivity, a large signal-to-noise ratio and ensures the required values for the contrast factor and the exposure latitude are.

Aus der GB-PS 11 81 093 ist ein Verfahren bekannt, bei dem zur Ausbildung eines Rauhigkeitsbildes die bekannten Schritte durchlaufen werden, und bei dem eine Korrelation der Parameter einer ersten Aufladung mit denen der Wiederaufladung nach der Belichtung hergestellt wird, um die erforderlichen Werte für den Kontrastfaktor zu erhalten. Bei diesem Verfahren wird ein Aufzeichnungsmaterial verwendet, das einen elektrisch leitenden Schichtträger, eine auf diesem angeordneten fotoleitfähige Schicht mit einer Dicke d_s und einer absoluten Dielektrizitätskonstanten e„s_s sowie eine thermoplastische Speicherschicht mit einer Dicke d_p und einer absoluten Dielektrizitätskonstenten ε,£_ρ umfaßt. Dieses Aufzeichnungsmaterial wird auf ein erstes Potential V« aufgeladen, dann so belichtet, daß das Potential in den bcleuchietcn Abschnitten auf einen Wert Vf abfällt und danach erneut auf ein Potential V«(Wiederaufladungspoiential) aufgeladen wird, wobei sich eine Verteilung der Oberflächenladungen oru gemäß dem folgenden Ausdruck ergibt:From GB-PS 11 81 093 a method is known in which the known steps are carried out to form a roughness image, and in which a correlation of the parameters of a first charge with those of the recharge after the exposure is established in order to obtain the required values for to get the contrast factor. In this method, a recording material is used which has an electrically conductive layer support, a photoconductive layer arranged thereon with a thickness d _s and an absolute dielectric constant e "s _s as well as a thermoplastic storage layer with a thickness d _p and an absolute dielectric constant ε, _ρ includes. This recording material is charged to a first potential V ", then exposed in such a way that the potential in the bcleuchietcn sections drops to a value Vf and is then charged again to a potential V" (recharge potential), a distribution of the surface charges oru according to the gives the following expression:

Ore = Cc Ore = Cc

in der V« und V„ so gewählt sind, daß der Wert am- ausreichend groß wird, so daß ein vorausgegebener Wert für den Kontrastfaktor nach der Ausbildung des Rauhigkeitsbildes infolge einer Verformung der thermoplastischen Schicht bei einer raschen Entwicklung erhalten wird.that the value is sufficiently large am- so that a preceding given value of the contrast factor after formation of the Rauhigkeitsbildes is obtained as a result of deformation of the thermoplastic layer at a rapid development are selected in the V 'and V "in such a way.

Um niedrige Werte für den Kontrastfaktor zu erhalten, wird das Aufzeichnungsmaterial zuerst auf ein relativ niedriges Anfangspotential aufgeladen, während zur Wiederaufladung eine höhere Spannung angelegt wird, die gemäß der obigen Gleichung zur erforderlichen Erhöhung des Kontrastfaktors ausreicht.In order to obtain low values for the contrast factor, the recording material is first switched to a relative low initial potential, while a higher voltage is applied for recharging according to the above equation is sufficient for the required increase in the contrast factor.

Um höhere Werte für den Kontrastfaktor zu erhalten, werden verhältnismäßig hohe Potentiale für die erste Aufladung und entsprechende Potentiale für die Wiederaufladung angewandt.In order to obtain higher values for the contrast factor, relatively high potentials are used for the first Charging and corresponding potentials applied for recharging.

Das beschriebene Verfahren geht von zwei Annahmen aus:The procedure described is based on two assumptions:

1. Bei einer beliebigen Ausbildung eines Rauhigkeitsbildes muß bereits vor dessen Ausbildung ein bestimmter Minimalwert für die Ladungsdichte erreicht sein;1. In the case of any formation of a roughness pattern, a certain one must already be formed before it is formed The minimum value for the charge density must be reached;

2. es existiert ein bestimmter Maximalwert für die Ladungsdichie, über dem die Dichte des Rauhigkeitsbildes nicht mehr nennenswert ansteigt.2. There is a certain maximum value for the charge density, above which the density of the roughness image no longer increases appreciably.

Unter Vernachlässigung von Leckströmen werden bei dem bekannten Verfahren zur Schaffung eines Aufzeichnungsmaterials sehr hochohmige Werkstoffe für die fotolcitfähige Schicht und die thermoplastische Spcicherschicht vorgeschlagen, sowie ein Arbeiten bei verhältnismäßig niedrigen elektrischen Feldstärken, die nicht in der Lage sind, in nennenswertem Umfange Leckströme zu erzeugen.Disregarding leakage currents in the known method for creating a recording material very high-resistance materials for the photoconductive layer and the thermoplastic storage layer proposed, as well as working at relatively low electric field strengths that are not are able to generate leakage currents to a significant extent.

Das bekannte beschriebene Verfahren, bei dem Leckströme und damit zusammenhängend Dunkelpotentialabfälle auf der thermoplastischen Speicherschichl und der fotoleitfähigen Schicht ausgeschlossen werden, enthält keine technische Lehre für die Korrelation der Ladungszeit. Belichtungszeit. Wiedcraufladungszeit und Erhitzungszeit, weshalb dieses Verfahren nicht unter Verwendung von Aufzeichnungsmaterialien durchgeführt werden kann, die dünne fotoleitfähige Schichten und thermoplastische Speicherschichten aufweisen, insbesondere solche aus Werkstoffen mit relativ geringen spezifischen Widerständen (unterhalb von 10^{1 J} Ohm · cm).The known method described, in which leakage currents and associated dark potential drops on the thermoplastic storage layer and the photoconductive layer are excluded, does not contain any technical teaching for the correlation of the charge time. Exposure time. Recharge time and heating time, which is why this process cannot be carried out using recording materials that have thin photoconductive layers and thermoplastic storage layers, in particular those made of materials with relatively low resistivities (below 10 ^{1 J} ohm · cm).

Zur Durchführung des Aufzeichnungsverfahrens für eine optische Information wird ein Aufzeichnungsmaterial mit einer verformbaren dielektrischen Schicht verwendet, in der sich das Bild als ungeordnete Erhöhungen und Vertiefungen mit gleichen Abständen voneinander in einer Zone ausbildet, die 1 bis 5 mal größer ist als die Schichtdicke, wobei der Abstand von der Spitze bis in die Talsohle von der Größe der elektrostatischen Kräfte abhängen. Das verwendete Aufzeichnungsmaterial setzt sich aus einem Schichtträger mit einem elektrisch leitenden Überzug sowie einer fotoleitfähigen Schicht und einer thermoplastischen Speichcrschicht aus hochohmigen Werkstoffen zusammen.In order to carry out the optical information recording method, a recording material used with a deformable dielectric layer in which the image appears as disordered bumps and forming pits equidistant from each other in a zone 1 to 5 times larger than that Layer thickness, the distance from the top to the bottom of the size of the electrostatic forces depend. The recording material used consists of a support with an electrical conductive coating as well as a photoconductive layer and a thermoplastic storage layer made of high-resistance Materials together.

Der Schichtträger ist wie bei üblichen elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien aus Metall, beispielsweise aus Aluminium oder Messing oder aus Glas mit einem elektrisch leitenden Überzug hergestellt. Es ist an sich bekannt-, als Schichtträger für Aufzeichnungsmaterialien flexible Materialien zu verwenden, beispielsweise Siliciumdioxid enthaltendes Polyethylenterephthalat (US-PS 35 47 644), Cellulosetriacetat (US-PS 35 51 152) oder Polyethylenterephthalat (SU-Erfinderschein Nr. 4 79 146).As in the case of conventional electrophotographic recording materials, the substrate is made of metal, for example made of aluminum or brass or of glass with an electrically conductive coating. It is known per se to use flexible materials as support for recording materials, for example silica-containing polyethylene terephthalate (US-PS 35 47 644), cellulose triacetate (US-PS 35 51 152) or polyethylene terephthalate (SU Inventor's Certificate No. 4 79 146).

Die Verwendung dieser flexiblen Materialien für Aufzeichnungsmaterialien, die eine thermoplastische Speicherschicht und eine fotoleitfähige Schicht aus einem anorganischen Fotoleitermaterial aufweisen, ist für die Schaffung von Aufzeichnungsmaterialien unbegrenzter Länge hinderlich, da derartige flexible Schichtträger bei geringfügig erhöhten Temperaturen von ca. 60 bis 80⁰C bereits erweichen und eine beträchtliche Quer- und Längsschrumpfung zeigen, was zu einer Verschlechterung der Bildqualität führt.The use of these flexible materials for recording materials, which have a thermoplastic storage layer and a photoconductive layer made of an inorganic photoconductor material, is a hindrance to the creation of recording materials of unlimited length, since such flexible substrates already soften ^{at slightly elevated temperatures of approx. 60 to 80 ° C} and exhibit considerable transverse and longitudinal shrinkage, which leads to a deterioration in image quality.

Die fotoleitfähige Schicht des Aufzeichnungsmaterials kann zur Durchführung des bekannten Aufzeichnungsverfahrens aus einem der üblichen fotoleitfähigen Materialien bestehen, beispielsweise amorphem Selen, Se-As-. Se-Te-Gemischen, Arsentrisulfid-Arsentriselenid, unter der Voraussetzung, daß aus ihnen Schichten mit einem spezifischen Widerstand von mehr als 10¹⁴ Ohm · cm bei der Aufzeichnungstemperatur erhalten werden können. To carry out the known recording process, the photoconductive layer of the recording material can consist of one of the customary photoconductive materials, for example amorphous selenium, Se-As-. Se-Te mixtures, arsenic trisulfide-arsenic triselenide, with the proviso that layers with a specific resistance of more than 10 ¹⁴ ohm · cm at the recording temperature can be obtained from them.

Es ist günstiger. Schichten aus meist zur Herstellung von Speicherplatten für Vidikone verwendeten Werkstoffen — Arsentriselenid mit Zuschlagen von SbiSj, Sb₂Sc₁ und HeteroStrukturen auf der Basis dieser und AⁿB^vl-Verbindungen — zu verwenden.It's cheaper. Layers of materials mostly used to manufacture storage disks for Vidikone - arsenic triselenide with additions of SbiSj, Sb ₂ Sc ₁ and heterostructures based on these and A ⁿ B ^vl compounds - to be used.

Das glasartige Selen mit einer Quantenausbeute nahe 1 und mit einem gegenüber anderen Werkstoffen aufgrund von Zuschlagen breiteren Bereich der spektralen Empfindlichkeit weist eine gute Lichtempfindlichkeit auf, kristallisiert jedoch bei Erwärmung intensiv aus und ändert infolgedessen seine Eigenschaften, d. h. es altert. Diese Eigenschaft macht es ungeeignet für eine Dauerspeicherung und mehrfache Aufzeichnungsübertragung. Alle übrigen Werkstoffe weisen eine sehr viel niedrigere Quanlenausbeule als Se auf, was die Dauer und den Faktor eines fotoelektrischen Signals verringert.The vitreous selenium with a quantum yield close to 1 and with one compared to other materials due to slamming wider range of spectral sensitivity indicates good photosensitivity on, but crystallizes out intensively when heated and as a result changes its properties, i. H. it ages. This property makes it unsuitable for continuous storage and multiple record transmission. All other materials have a much lower Quanlenausbeule than Se, which is the duration and the Photoelectric signal factor decreased.

Üblicherweise wird die thermoplastische Spcicherschicht aus Polymeren hergestellt, beispielsweise aus Styrol-Butylmethacrylat-Copolymeren (US-PS 31 18 776) mit dem folgenden Monomerverhältnis (Mol-%):The thermoplastic storage layer is usually produced from polymers, for example from styrene-butyl methacrylate copolymers (US-PS 31 18 776) with the following monomer ratio (mol%):

Styrol 30 bis 60Styrene 30 to 60

Butylmethacrylat 40 bis 70.Butyl methacrylate 40 to 70.

Derartige Aufzeichnungsmaterialien weisen jedoch keine hohe Verarbeitungs-, Registrier- und Informationserfassungs-Geschwindigkeit auf, und zwar infolge der hohen, über 100⁰C liegenden Aufzeichnungstemperatur die durch die Fließtemperaturen der thermoplastischen Speicherschicht bestimmt wird. Die hohen Temperaturen erfordern ihrerseits Entwicklungsgeräte mit erhöhtem Leistungsverbrauch. Infolge des relativ langen Kühlvorgangs bei den aufeinanderfolgenden Vorgängen der Aufladung, Belichtung und Entwicklung, verhindern die hohen Fließtemperaturen eine schnelle Entwicklung und Fixierung der aufgezeichneten Information, und sie verringern die Fotoempfindlichkeit des Aufzeichnungsmaterials bei den gleichzeitigen Vorgängen der Aufladung, Belichtung und Entwicklung, da es dabei zu einer thermischen Löschung der Fotoleitfähigkeit der fotoleit fähigen Schicht kommtHowever, such recording materials have no high processing, recording and information acquisition speed, namely, the flow is determined by the temperatures of the thermoplastic memory layer due to the high, over 100 ⁰ C lying recording temperature. The high temperatures in turn require development equipment with increased power consumption. As a result of the relatively long cooling process in the successive processes of charging, exposure and development, the high flow temperatures prevent rapid development and fixing of the recorded information, and they reduce the photosensitivity of the recording material during the simultaneous processes of charging, exposure and development thermal extinction of the photoconductivity of the photoconductive layer occurs

Es ist bekannt, daß die Temperatur der Entwicklung eines auf einer thermoplastischen Schicht erzeugter elektrostatischen Bildes in der Nähe der Fließtemperatur des thermoplastischen Kunststoffs liegt, weshalb hoh( Werte dieser Fließtemperatur Entwicklungsgeräte mit erhöhtem Leistungsverbrauch erfordern, was den Wir kungsgrad derartiger Aufzeichnungsgeräte vermindert. Die Erwärmung der thermoplastischen Speicherschich auf hohe Entwicklungstemperaturen und ihre Abkühlung auf Einfriertemperaturen erfordern längere Zeiträu me, was die Registriergeschwindigkeit und die Geschwindigkeit der Informationserfassung herabsetzt.It is known that the temperature of the development of a generated on a thermoplastic layer electrostatic image is close to the flow temperature of the thermoplastic material, which is why high ( Values of these flow temperature development devices with increased power consumption require what we efficiency of such recording devices reduced. The heating of the thermoplastic storage layer to high development temperatures and their cooling to freezing temperatures require longer periods of time me, which slows down the registration speed and the speed of information acquisition.

Die meisten für mehrschichtige Aufzeichnungsmaterialien für fotothermoplastische Aufzeichnungsverfahre verwendeten fotoleitfähigen Materialien zeigen bei steigender Temperatur eine geringere Fotoempf indlichkei weshalb hohe Fließtemperaturendes thermoplastischen Kunststoffs zu einer Abnahme der gesamten Fotoemp findlichkeit derartiger Aufzeichnungsmaterialien führt.Most for multilayer recording materials for photothermoplastic recording processes Photoconductive materials used show a lower photo sensitivity with increasing temperature therefore, high flow temperatures of the thermoplastic resin lead to a decrease in the total photo temp sensitivity of such recording materials leads.

Gemäß der US-PS 31 18 766 sollen zur Aufzeichnung einer optischen Information nur hochohmige thermc plastische Materialien verwendet werden, die hohe Potentialwerte über einen längeren Zeitraum speicherAccording to US-PS 31 18 766 to record optical information only high-resistance thermc plastic materials are used that store high potential values over a longer period of time

können, denn nur hochohmige Materialien können auf Potentiale über 300 V aufgeladen werden und sind zur Aufzeichnung geeignet, während sich Materialien, die nur eine Aufladung auf Werte unter 300 V eignen, für die Erzeugung von Moirc-Rauhigkcitsmustcrn nicht eignen. Diese Einschränkung hängt zusammen mit den von den thermoplastischen Materialien zu erfüllenden Anforderungen, eine elektrostatische Ladung auch im erweichten Zustand speichern zu können, und das engt den Kreis der für eine ihermoplastischc Aufzeichnung geeigneten thermoplastischen Werkstoffe beträchtlich ein. Gleichzeitig ist ein hoher Reinheitsgrad der Ausgangsprodukte und große Sorgfalt bei der Herstellung der Aufzeichnungsmaterialien erforderlich, was deren Kosten erhöht und was es verhindert, in die thermoplastische Speichcrschicht Zusätze einzuführen, die ihre thermomechanischen Eigenschaften und ihre Haftvermögen ändern, da die überwiegende Anzahl derartiger Zusätze den spezifischen Widerstand thermoplastischer Materialien herabsetzt.can, because only high-resistance materials can be charged to potentials above 300 V and are for Recording, while materials that can only be charged to values below 300 V are suitable for the Generation of Moirc roughness patterns not suitable. This limitation is related to the thermoplastic materials to meet requirements, an electrostatic charge even in softened To be able to save the state, and that narrows the circle of those suitable for thermoplastic recording thermoplastic materials considerably. At the same time, there is a high degree of purity of the starting products and great care is required in the manufacture of the recording materials, which increases their cost and which prevents additives from being introduced into the thermoplastic storage layer, which would reduce its thermomechanical properties Properties and their adhesiveness change, as the vast majority of such additives are specific Reduces the resistance of thermoplastic materials.

Wie bei herkömmlichen elektrofotografischen Aufzeichnungsverfahren wird das Aufzeichnungsmaterial auf ein Potential aufgeladen, das sich proportional zum Verhältnis ihrer Kapazitäten pro Flächeneinheit auf die fotoleitfähige und die thermoplastische Schicht verteilt. Der größere Teil des Potentials gelangt dabei auf die fotoleitfähige Schicht, weil diese trotz ihrer gegenüber der thermoplastischen Schicht größeren Dielektrizitätskonstanten eine größere Dicke aufweist und durch eine niedrigere Kapazität pro Flächeneinheit gekennzeichnet ist. Bei einer Belichtung wird die fotoleitfähige Schicht elektrisch leitend und ermöglicht es den an der Grenze zwischen der fotoleitfähigen Schicht und dem Schichtträger befindlichen Ladungen, sich in Richtung der Grenzflächen zur Schicht des thermoplastischen Materials zu bewegen.As with conventional electrophotographic recording processes, the recording material is on a potential charged, which is proportional to the ratio of their capacities per unit area to the photoconductive and distributed the thermoplastic layer. The greater part of the potential comes to the photoconductive layer because it has a higher dielectric constant than the thermoplastic layer has a greater thickness and is characterized by a lower capacitance per unit area is. When exposed, the photoconductive layer becomes electrically conductive and enables the at the border Charges located between the photoconductive layer and the substrate move in the direction of the interfaces to move to the layer of thermoplastic material.

Bei einer vorübergehenden Erweichung des thermoplastischen Materials verformen die elektrostatischen Kräfte an der Oberfläche dieses thermoplastische Material unter Bildung eines eisblumenartigen Rauhigkeitsbildes mit einer Verformungstiefe, die der von den verschiedenen Bildbereichen aufgenommenen Belichtungsmenge entspricht.With a temporary softening of the thermoplastic material, the electrostatic deform Forces on the surface of this thermoplastic material with the formation of an ice flower-like roughness pattern with a deformation depth that corresponds to the amount of exposure captured by the various image areas is equivalent to.

Die spezifischen Besonderheiten eines Auf/.eiehnungsmaterials für eine Aufzeichnung unter Bildung von eisblumenartigen Rauhigkeitsbildern sowie die hohen spezifischen Widerstände der fotoleitfähigen und der thermoplastischen Schichten ermöglichen es, die Aufzeichnung schrittweise durchzuführen, indem eine getrennte Aufzeichnung mit einem Ladungstransport von der fotoleitfähigen Schicht zur thermoplastischen Schicht erfolgt, wenn die Schritte der Aufladung, der Belichtung und der Entwicklung zeitlich voneinander getrennt sind. Derartige Aufzeichnungsmaterialien weisen jedoch ein beträchtliches Vermögen zur Speicherung von Ladungen auf, was eine rasche Wiederholung der Aufzeichnung auf dem gleichen Material verhindert, den Kreis der verwendbaren fotoleitfähigen Materialien auf den Bereich herkömmlicher elektrofotografischer Materialien beschränkt, größere Dicken der anorganischen fotoleitfähigen Schichten (20 μηι) erfordert, was wiederum deren Ausbildung auf einem flexiblen Schichtträger verhindert.The specifics of a recording material for a recording with the formation of Ice flower-like roughness images as well as the high specific resistances of the photoconductive and the thermoplastic layers make it possible to carry out the recording step by step, adding a separate Recording with charge transport from the photoconductive layer to the thermoplastic layer occurs when the steps of charging, exposure and development are separated in time. Such recording materials, however, have a considerable capacity for storing charges on what prevents rapid repetition of the recording on the same material, the circle of useful photoconductive materials to the field of conventional electrophotographic materials limited, greater thicknesses of the inorganic photoconductive layers (20 μηι) requires, which in turn Prevents training on a flexible substrate.

Das eisblumenartige Rauhigkeitsbild wird sowohl auf belichteten als auch auf unbelichteten Bereichen des Aufzeichnungsmaterials ausgebildet, was selbstverständlich die Qualität der erhaltenen Bilder infolge eines niedrigen Signal-Rausch-Verhältnisses verschlechtert.The ice flower-like roughness image is created on both exposed and unexposed areas of the Formed recording material, which of course the quality of the images obtained as a result of a low signal-to-noise ratio deteriorates.

Die großen spezifischen Widerstände der zur Ausbildung eines eisblumenartigen Rauhigkeitsbildes verwendeten Schichten führen zu einer langsamen Ladungsumverteilung bei der Belichtung. Die optimalen Aufnahmebedingungen sind daher lange Zeiten, die zwischen dem Anfang der Belichtung und der Entwicklung liegen (z. B. Aufzeichnung bei geringen Beleuchtungsstärken und langen Belichtungszeiten). Da bei derartigen Systemen das Gesetz der gegenseitigen Austauschbarkeit nicht gilt, fällt bei einem Übergang zu geringen Belichtungszeiten die Foloempfindlichkeit des Aufzeichnungsverfahrens unter Ausbildung von Eisblumenmustern steil ab. Das verhindert es praktisch vollständig, ein Aufzeichnungsmaterial der beschriebenen bekannten Art und ein entsprechendes Aufzeichnungsverfahren für Momentaufnahmen zu verwenden. Außerdem erschweren die langen Zeiten, die für eine Ladungsumverteilung erforderlich sind, die Schaffung von Geräten zur Aufzeichnung auf einem beweglichen Aufzeichnungsmaterial.The large specific resistances used to form an ice flower-like roughness pattern Layers lead to a slow charge redistribution during exposure. The optimal recording conditions are therefore long times that lie between the start of exposure and development (e.g. Recording at low illuminance levels and long exposure times). Since in such systems the The law of mutual interchangeability does not apply if there is a transition to low exposure times the folosensitivity of the recording process drops sharply with the formation of ice flower patterns. That it practically completely prevents a recording material of the known type described and a corresponding one Use the capture method for snapshots. In addition, the long ones make it difficult Times required for charge redistribution, the creation of devices for recording a movable recording material.

Die Ausbildung von eisblumenartigen Rauhigkeitsbildern erfolgt bei Entwicklungstemperaturen, die ein Erweichen der thermoplastischen Schicht über ihre Fließtemperatur ermöglichen. Daher muß die Entwicklung möglichst rasch erfolgen, um ein sich bei der Erwärmung ausbildendes elektrostatisches Bild nicht wieder verschwingen zu lassen. Die hohen Entwicklungstemperaturen erfordern eine rasche Abkühlung, damit es nicht zu einer Löschung des Bildes infolge der Oberflächenspannung kommt.The formation of ice flower-like roughness images takes place at development temperatures that a Allow softening of the thermoplastic layer above its flow temperature. Hence development must as quickly as possible so as not to restore an electrostatic image that forms during heating to swing. The high development temperatures require rapid cooling so that it does not the image is erased due to surface tension.

Bei dem bekannten Verfahren wird nur eine Korrelation zwischen dem Kontrastfaktor und den Werten der Aufladepotentiale hergestellt, jedoch keine Korrelation zwischen anderen Parametern des Aufzeichnungsvorgangs und den Kennwerten für das verwendete Aufzeichnungsmaterial, was eine Optimierung der Aufzeichnungsbedingungen verhindert.In the known method, only a correlation between the contrast factor and the values of the Charging potentials established, but no correlation between other parameters of the recording process and the characteristics for the recording material used, which optimizes the recording conditions prevented.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein fotothermoplatisches Aufzeichnungsverfahren so auszubilden, daß es möglich ist, Halbtonbilder ohne spezielle zusätzliche Rasterung bei einem gleichzeitig großen Signal-Rausch-Verhältnis und kleinen Belichtungszeiten zu erhalten sowie ein Aufzeichnungsmaterial zur Durchführung dieses Verfahrens zu schaffen.The invention is based on the object of developing a photothermoplatic recording method in such a way that that it is possible to produce halftone images without special additional screening and at the same time have a large signal-to-noise ratio and to obtain short exposure times as well as a recording material for implementation to create this procedure.

Diese Aufgaben werden durch ein Aufzeichnungsverfahren gemäß dem kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 sowie durch Aufzeichnungsmaterialien gelöst, wie sie im kennzeichnenden Teil der Patentansprüche 2 und 3 beschrieben sind. Vorteilhafte Ausgestallungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.These objects are achieved by a recording method according to the characterizing part of the claim 1 as well as by recording materials as described in the characterizing part of patent claims 2 and 3 are described. Advantageous configurations of the invention are specified in the subclaims.

Dabei ermöglicht es die Verwendung einer fotoleitfähigen Schicht gemäß Anspruch 4, die Spektralempfindlichkeit in den Bereich längerer Wellen zu verschieben.The use of a photoconductive layer according to claim 4 enables the spectral sensitivity to move into the area of longer waves.

Die Verwendung einer fotoleitfähigen Schicht gemäß Anspruch 5 ermöglicht es, den Bereich der spektralen Empfindlichkeit des Aufzeichnungsmaterials zu erweitern.The use of a photoconductive layer according to claim 5 allows the range of the spectral To expand the sensitivity of the recording material.

Die Verwendung einer fotogleitfähigen Schicht aus Selen der monoklincn Modifikation ermöglicht eine Erhöhung der Fotoempfindlichkeit des Aufzeichnungsmaterials.The use of a photoconductive layer of selenium of the monoclinic modification enables one Increase in the photosensitivity of the recording material.

Es ist ferner möglich, zur Herstellung der erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmatcrialien foioleitfähigeIt is also possible to use foil-conductive materials for the production of the recording materials according to the invention

Schichten aus amorphem Galliumchalkogenid unter Verwendung von Galliumlrisulfid, Galliumtriselenid und ihrer festen Lösungen zu verwenden.Amorphous gallium chalcogenide layers using gallium trisulfide, gallium triselenide and to use their solid solutions.

Besonders vorteilhaft kann die fotoleitfähige Schicht aus Ga2.Sj oder Ga₂Sci hergestellt werden. Es ist ferner wünschenswert, die fotoleitfähige Schicht aus einem anorganischen fololcitfähigen Material mit einer persislenten Leitfähigkeit herzustellen.The photoconductive layer can be produced particularly advantageously from Ga2.Sj or Ga ₂ Sci. It is also desirable to produce the photoconductive layer from an inorganic folicite-capable material with a persistent conductivity.

Es ist auch vorteilhaft, die fotoleitfähige Schicht zweischichtig aufzubauen, wobei die Materialien der Einzclschichten jeweils einen spezifischen Widerstand von weniger als 10" Ohm - cm aufweisen und der wirksame spezifische Gesamtwiderstand der fotolcitfühigcn Schicht 10'" und 10^I2Ohm - cm beträgt.It is also advantageous to build up the photoconductive layer in two layers, the materials of the individual layers each having a specific resistance of less than 10 "ohm-cm and the effective total resistivity of the photoconductive layer being 10" and 10 ¹² ohm-cm.

Bei den erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterialien ist es ferner möglich, die funktionellcn MöglichkeitenIn the case of the recording materials according to the invention, it is also possible to use the functional possibilities

to einer thermoplastischen Speichcrschicht auf der Basis von Copolymercn vinylaromatischer Kohlenwasserstoffe mit Alkylmethacrylat dadurch zu erweitern, daß die thermoplastische Speicherschacht aus einem Terpolymeren aus einem vinylaromatischen Kohlenwasserstoff, einem Alkylmethacrylat sowie als dritter Komponente einem Styrolderivat mit einem chemisch aktiven Rest, der eine Isocyanatgruppe. eine Aminogruppc oder eine Isothiocyanatgruppc sein kann, besteht, wobei das Styrolderivat mit dem genannten chemisch aktiven Rest in einer Menge von 2 bis tO Mol-% des Terpolymeren vorliegt.to a thermoplastic storage layer based on copolymers of vinyl aromatic hydrocarbons expand with alkyl methacrylate in that the thermoplastic storage shaft is made of a terpolymer from a vinyl aromatic hydrocarbon, an alkyl methacrylate and a third component Styrene derivative with a chemically active residue, which is an isocyanate group. an amino group or an isothiocyanate group can be, there is, wherein the styrene derivative with said chemically active radical in one Amount of 2 to 10 mol% of the terpolymer is present.

Bevorzugte Aufzcichnungsmaterialien dieser Art sind in den Unteransprüchen 10 bis 16 beschrieben. Dabei ermöglicht ein Aufzeichnungsmaterial gemäß Anspruch 11 eine Verlängerung der Speicherzeit der aufgezeichneten Information ohne Verschlechterung ihrer Qualität. Bei dem Aufzeichnungsmaterial gemäß Anspruch 12 ist die Fließtemperatur der thermoplastischen Schicht erniedrigt, was eine Beschleunigung des Aufzeichnungsvorgangs und eine Erhöhung der Empfindlichkeit des Aufzeichnungsmaterials ermöglicht.Preferred recording materials of this type are described in subclaims 10 to 16. A recording material according to claim 11 enables the storage time to be extended recorded information without deteriorating its quality. With the recording material according to Claim 12 is the flow temperature of the thermoplastic layer is lowered, which accelerates the Recording process and an increase in the sensitivity of the recording material allows.

Die Empfindlichkeit des Aufzeichnungsmaterial wird bei gleichzeitiger Zunahme der mechanischen Festigkeit der thermoplastischen Schicht verbessert, wenn das Aufzeichnungsmaterial eine thermoplastische Speicherschicht aus einem Terpolymeren aufweist, wie es in Anspruch 17 definiert ist.The sensitivity of the recording material increases with a simultaneous increase in mechanical strength the thermoplastic layer is improved if the recording material has a thermoplastic storage layer of a terpolymer as defined in claim 17.

Ein Aufzeichnungsmaterial gemäß Anspruch 13 weist einen erweiterten Belichtungsspielraum auf, insbesondere wenn als Alkylmethacrylat Octylmeihacrylat verwendet wird.A recording material according to claim 13 has an extended exposure latitude, in particular when octylmeihacrylat is used as the alkyl methacrylate.

Die Arbeit mit dem erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterial wird ferner erleichtert, wenn man einen Schichtträger gemäß Anspruch 2t verwendet. Ein derartiger flexibler Schichtträger weist eine gegenüber bekannten flexiblen Schichtträgern erhöhte Temperaturwechselbeständigkeit und Elastizität auf.The work with the recording material according to the invention is further facilitated if one Layer support according to claim 2t used. Such a flexible layer support has an opposite known one flexible layer supports increased thermal shock resistance and elasticity.

Weitere Aufgaben ergeben sich für den Fachmann aus der nachstehenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf eine Zeichnung, in der die Fläche eines Aufzeichnungsmaterials nach der Aufzeichnung einer optischen Information gezeigt ist.Further tasks will become apparent to those skilled in the art from the following description of exemplary embodiments with reference to a drawing, in which the area of a recording material after recording an optical information is shown.

Das erfindungsgemäße fotothermoplastisehc Aufzeichnungsverfahren beruht auf einer gleichzeitigen Durchführung der Aufladung und bildmäßigen Belichtung eines vorgewärmten Aufzeichnungsmaterial, wobei dieses Aufzeichnungsmaterial einen Schichtträger mit einem aufgebrachten elektrisch leitenden Überzug, eine fotoleitfähige Schicht und eine thermoplastische Speicherschicht mit den in den Patentansprüchen wiedergegebenen Eigenschaften umfaßt.The photothermoplastic recording method of the present invention is based on simultaneous execution the charging and imagewise exposure of a preheated recording material, this Recording material has a substrate with an applied electrically conductive coating, a photoconductive one Layer and a thermoplastic storage layer with those recited in the claims Features included.

Die elektrophysikalischen und thermomcchanischcn Kenngrößen der Schichten des Aufzeichnungsmaterials bestimmen die verfahrensmäßige Durchführung der Aufzeichnung (Wahl der Beleuchtungsstärke, Belichtungszeit, Ladungszeit und des Potentials der Sprühelektrode).The electrophysical and thermomechanical parameters of the layers of the recording material determine the procedural implementation of the recording (choice of illuminance, exposure time, Charging time and the potential of the spray electrode).

Der Vorgang einer Umverteilung von Spannungen V auf die einzelnen Schichten infolge einer Belichtung von Flächenbereichen des Aufzeichnungsmaterials wird durch ein Gleichungssystem der folgenden Art beschrieben:The process of redistribution of voltages V to the individual layers as a result of exposure of Areas of the recording material is described by a system of equations of the following type:

(1) P^ as as at PpUp ap at (1) P ^ as as at PpUp ap at

unter der Anfangsbedingungunder the initial condition

4 |0),4 | 0),

4 r/(/ 0) |4 r / (/ 0) |
as dpas dp

wobeipi.p;ii.p;f,„£i.pdiespezifischen Widerslände.die Dicken bzw.die absoluten Dielektrizitätskonstanten der fotoleitfähigen Schicht (s) bzw. der thermoplastischen Speicherschicht (p) bedeuten. Die Indexzahlen d. 1 entsprechen einem unbelichteten und einem belichteten Teil des Aufzeichnungsmaterials; k ist das Verhältnis von Dunkelwiderstand zum Widerstand der fotoleitfähigen Schicht im Bereich maximaler Helligkeit.wobeipi.p; ii.p; f, "£ i.p the specific contradictions. mean the thicknesses or the absolute dielectric constants of the photoconductive layer (s) or the thermoplastic storage layer (p) . The index numbers d. 1 correspond to an unexposed and an exposed part of the recording material; k is the ratio of dark resistance to the resistance of the photoconductive layer in the region of maximum brightness.

Die Potentialumverteilung führt zur Ausbildung eines latenten elektrostatischen Bildes, dessen Charaklerisiikum ein elektrostatischer Kontrast Δ Vist. der als Spannungsdifferenz zwischen einem belichteten Abschnitt V₁,' und einem unbelichteten Abschnitt V_p ^d auf der thermoplastischen Speicherschicht des Aufzeichnungsmaterials gemäß^V = Kp¹ - V/ definiert wird.The potential redistribution results in the formation of an electrostatic latent image whose Charaklerisiikum an electrostatic contrast Δ Vist. which is defined as the voltage difference between an exposed section V ₁ , ' and an unexposed section V _p ^d on the thermoplastic storage layer of the recording material according to ^ V = Kp ¹ - V /.

Die Aufzeichnung einer optischen Information auf der thermoplastischen Spcicherschicht setzt stets deren Verformung unter Einwirkung der elektrostatischen Kräfte pro Flächeneinheit voraus. Um eine gute Bildqualitat mit einem größen Signal-Rausch-Verhältnis zu erhalten, ist daher ein maximaler Unterschied der elektrischen Felder der thermoplastischen Speicherschicht auf beleuchteten und unbeleuchteten Abschnitten des Aufzeichnungsmaterials anzustreben. Das zu einer schnellen Hildatif/.cichtuing vorgesehene crfindungsgcmäßc Aufzeichnungsmaterial ist aus Werkstoffen mit einem spezifischen Widerstand im Bereich von 10'" bis ΙΟ¹*' Ohm · cmThe recording of optical information on the thermoplastic storage layer always requires its deformation under the action of the electrostatic forces per unit area. In order to obtain a good image quality with a high signal-to-noise ratio, a maximum difference between the electrical fields of the thermoplastic storage layer on illuminated and unilluminated sections of the recording material should therefore be aimed for. The recording material intended for rapid development is made of materials with a specific resistance in the range from 10 ″ to ΙΟ ¹ * Ω · cm

hergestellt und gewährleistet eine Ladungsumverteilung selbst auf den unbeleuchteten Abschnitten des Auf-/eichnungsmaterials innerhalb einer Zeit von 10 ² bis 1 s. Deshalb wird zweckmäßigerweise die Bildaufzeichnung zum Zeitpunkt des Auftretens großer Feldstärken in unbelichteten Abschnitten der thermoplastischen Speicherschicht des Aufzeichnungsmaterials beendet. Bei dem erfindungsgemäßen Aufzeichnungsverfahren unter Verwendung eines vorgewärmten Aufzeichnungsmaterials wird der Prozeß der Ausbildung eines Potentialreliefs von einer gleichzeitigen Verformung der Oberfläche der thermoplastischen Speicherschicht begleitet. Der Maximalwert des Signal-Rausch-Verhältnisses wird in diesem Fall bei arbeitender Ladevorrichtung zu einem solchen Zeitpunkt erreicht, bei dem der Unterschied zwischen den Spannungsabfällen auf der thermoplastischen Speicherschicht auf unbelichteten und belichteten Abschnitten einen Maximalwert erreicht.produced and ensures a charge redistribution even on the unilluminated sections of ^{the recording / recording material within a time of 10 2} to 1 s. In the recording method according to the invention using a preheated recording material, the process of forming a potential relief is accompanied by a simultaneous deformation of the surface of the thermoplastic storage layer. The maximum value of the signal-to-noise ratio is reached in this case with the charging device operating at a point in time at which the difference between the voltage drops on the thermoplastic storage layer on unexposed and exposed sections reaches a maximum value.

Die Auflösung des Gleichungssystems (1) gestattet es, die Kinetik der Bildungeines elektrostatischen Kontrastes AV{2) in Abhängigkeit vom Verhältnis der Parameter der das Aufzeichnungsmaterial bildenden Schichten zu untersuchen, wobei die als optimale Belichtungszeit angenommene Belichtungszeit /„, für die Bildung eines Maximums wie folgt beschrieben wird:The solution of the system of equations (1) makes it possible to investigate the kinetics of the formation of an electrostatic contrast AV {2) as a function of the ratio of the parameters of the layers forming the recording material is described as follows:

-C₅PJ-C ₅ PJ

Bei der Verwendung niederohmiger fotoleitfähigcr Schichten, d. h. wenn /λ¹' < p^ und zwar um wenigstens eine Größenordnung kleiner ist, kann der Ausdruck (3) in folgende Form umgeschrieben werden:When using low-resistance photoconductive layers, i.e. if / λ ¹ '< p ^ and that is at least one order of magnitude smaller, the expression (3) can be rewritten in the following form:

Λ.« -Ar In k, Λ. « -Ar In k, (4)(4)

worin rdie Dunkelrelaxationszeit einer Ladung auf dem Aufzeichnungsmaterial ist.where r is the dark relaxation time of a charge on the recording material.

Aus dem Ausdruck (3) folgt, daß für eine Verkürzung der Belichtungszeit, d. h. für eine Erhöhung der Geschwindigkeit der Ausbildung des elektrostatischen Kontrastes niederohmigere fotoleitfähige Schichten und/oder größere Werte für das Verhältnis von Dunkelwiderstand zum Widerstand der fotoleitfähigen Schicht im Bereich maximaler Helligkeit anzuwenden sind (größere Beleuchtungsstärken oder Fotoleiter mit einer großen Fotoempfindlichkeit). Die der Belichtungszeit entsprechende Maximalwert des elektrostatischen Kontrastes wird in der folgenden Form geschrieben:From the expression (3) it follows that for a shortening of the exposure time, i. H. for an increase in Speed of the formation of the electrostatic contrast lower resistance photoconductive layers and / or larger values for the ratio of dark resistance to resistance of the photoconductive layer are to be used in the area of maximum brightness (higher illuminance levels or photoconductors with a great photosensitivity). The maximum value of the electrostatic contrast corresponding to the exposure time is written in the following form:

AV_1n-V₀ /(A), (5) * AV _1n -V ₀ / (A), (5) *

c„ ■ ds+e_s -dpc "■ ds + e _s -dp

Aus dem Ausdruck (6) folgt, daß zur Erzielung hoher Kontraste ein Verhältniswerk A=IO bis 15 genügt, weil /'(10 bis 15) ungefähr 1 ist. Eine weitere Erhöhung des Verhältnisses A über 10 bis 15 bewirkt keine nennenswerte Kontraststeigerung.From expression (6) it follows that a ratio A = IO to 15 is sufficient to achieve high contrasts, because / '(10 to 15) is approximately 1. A further increase in the ratio A above 10 to 15 does not have any noteworthy effect Contrast enhancement.

Der obige Fall setzt die Ausbildung eines latenten elektrostatischen Bildes nur bei Lichteinwirkung voraus. Die nötige Belichtungszeit /,„ kann auf t,,' um das /V-fache gegenüber der Aufladungszeit /,, für welche der erforderliche Kontrastiv,,, erzeugt werden muß, verringert werden, wenn die fotoleitfähige Schicht aus einem Fotoleiter mit einer persistenten Leitfähigkeit ausgebildet wird. Die Verkürzung der Belichtungszeit ist darauf zurückzuführen, daß eine Steigerung des elektrostatischen Kontrastes in einem solchen System eine gewisse Zeit nach Beendigung der Belichtung aufgrund der persistenten Leitfähigkeit anhält.The above case assumes the formation of an electrostatic latent image only when exposed to light. The necessary exposure time / "can be reduced to t ,," by / V times compared to the charging time / ,, for which the required contrast ,,, has to be generated, if the photoconductive layer consists of a photoconductor with a persistent conductivity is trained. The shortening of the exposure time is due to the fact that an increase in the electrostatic contrast in such a system persists for a certain time after the end of the exposure due to the persistent conductivity.

Wenn sich der Faktor für die persistente Leitfähigkeit A'nach Abschluß der Belichtung infolge eines praktisch augenblicklichen (kurzzeitigen) und eines langsamen (langzeitigen) Abfalls (λΒ< 1) in der Zeit nach dem HyperbelgesetzIf the factor for the persistent conductivity A 'after the end of the exposure as a result of a practically instantaneous (short-term) and a slow (long-term) decrease (λΒ < 1) in the time according to the hyperbola law

ändert, wobei γ < 1 ist und λ,ß,y-Parameter bezeichnen, die den zeitlichen Abfall der persistenten Leitfähigkeit der fotoleitfähigen Schicht nach Beendigung der Belichtung kennzeichnen, so kann man die Belichtungszeit um «j eine Zeit von etwachanges, where γ < 1 and λ, ß, y denote parameters which characterize the temporal decrease in the persistent conductivity of the photoconductive layer after the end of the exposure, the exposure time can be increased by about

/-/ -JL (8)/ - / -JL (8)

^ss ' aß'ate

verringern und dabei ausreichend hohe Werte von ^'erhalten.decrease while maintaining sufficiently high values of ^ '.

Aus dem Ausdruck (8) ergibt sich, daß die Belichtungszeit um das N-fache verringert werden kann, wobei gilt:From expression (8) it follows that the exposure time can be reduced by N times, where:

(9) aßtJ (9) aasstJ

Die Empfindlichkeit der thermoplastischen Spcichcrschichl gegenüber einer Verformung ist der vierten Potenz eines an die thermoplastische Schicht angelegten elektrischen Feldes proportional. Deshalb ist es zweckmäßig, 0.1 bis 3 μπι dicke thermoplastische Speichcrschichtcn zu verwenden. Das ermöglicht es, vcrhällnismäßig einfach (bei geringen Potentialwerten der Ladevorrichtung) hohe elektrische Feldstärken zu erreichen und hohe Auflösungen zu erhalten, da der Verformungsgrad mit abnehmender Dicke der thermoplastischen Schicht abnimmt Die Abnahme der Stärke der fotoleitfähigcn Schicht führt zu einer Verbesserung der Auflösung des Aufzeichnungsmaterials, weil die Verwaschung eines projizierten optischen Bildes bei geringer Driftlänge von Minoritäts-Ladungsträgern in der Tiefe eines Fotoleiters abnimmt.The sensitivity of the thermoplastic material to deformation is fourth Proportional to the power of an electric field applied to the thermoplastic layer. That's why it is expedient to use 0.1 to 3 μm thick thermoplastic storage layers. That makes it possible, proportionally easy to achieve high electric field strengths (with low potential values of the charging device) and to obtain high resolutions, since the degree of deformation with decreasing thickness of the thermoplastic Layer decreases The decrease in the thickness of the photoconductive layer leads to an improvement in the resolution of the recording material because the blurring of a projected optical image with a short drift length of minority charge carriers in the depth of a photoconductor decreases.

Die kleinen Dicken der verwendeten Schichten erleichtern die Aufgabe, Aufzeichnungsmaterialien auf einem flexiblen Schichtträgerin Form einer Rolle zu schaffen.The small thicknesses of the layers used facilitate the task of recording materials on a to provide flexible support in the form of a roll.

Bei dem erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterial ist es nicht möglich, einen elektrostatischen Kontrast über einen längeren Zeitraum aufrechtzuerhalten. Deshalb ist eine schrittweise Aufzeichnung, bei der die Stufen der Aufladung, Belichtung und Entwicklung zeitlich gelrennt ablaufen, unmöglich. ErfindungsgemäB werden daher die Stufen der Aufladung und der Belichtung gleichzeitig unter F.insatz einer auf die Auf/.eichnungslempcratur vorerwärmten thermoplastischen Speicherschicht durchgeführt. Konkret wird das erfindungsgemäße fotothermoplastische Aufzeichnungsmaterial auf eine Temperatur erwärmt, die zwischen ihrer Einfrier- und ihrer Fließtemperatur liegt. Der einfachste Weg ist dabei die Anordnung des Aufzeichnungsmaterials auf einem auf die erforderliche Temperatur erwärmten flachen Ofen mit Abmessungen, die die Bildabmessungen übersteigen, um eine gleichmäßige Erwärmung der Ränder des Aufzeichnungsmaterial zu erhalten. Nachdem die thermoplastische Speicherschicht auf die vorgegebene Temperatur erwärmt wurde, wird die Ladeeinrichtung eingeschaltet und gleichzeitig wird bildmäßig belichtet. Bildmäßige Belichtung kann auch konstant sein, denn ein nicht-aufgeladenes Aufzeichnungsmaterial, das auf der thermoplastischen Speicherschicht kein Oberflächenpotential aufweist, reagiert bei einer Belichtung nicht.In the case of the recording material according to the invention, it is not possible to use an electrostatic contrast to be maintained over a longer period of time. This is why it is a step-by-step recording in which the steps the charging, exposure and development run separately in time, impossible. According to the invention hence the steps of charging and exposure at the same time using an on / .eichnungslempcratur preheated thermoplastic storage layer carried out. The invention is concretely photothermoplastic recording material is heated to a temperature between its freezing and their flow temperature. The simplest way is to arrange the recording material on one flat furnace heated to the required temperature with dimensions exceeding the dimensions of the picture, in order to obtain a uniform heating of the edges of the recording material. after the thermoplastic storage layer has been heated to the specified temperature, the charging device becomes switched on and at the same time the image is exposed. Imagewise exposure can also be constant because a non-charged recording material which has no surface potential on the thermoplastic storage layer does not respond to an exposure.

Die unter der Einwirkung von Licht und eines elektrischen Feldes erfolgenden Ladungsumverteilung führt zur Ausbildung des oben untersuchten elektrostatischen Konlrasts. An hellen Stellen werden die für die thermoplastische Speicherschicht kritischen elektrischen Feldstärken schneller erreicht Infolge einer fluktuierenden Verteilung einer elektrischen Aufladung und möglicher lokaler Inhomogenitäten der Dicke der thermoplastischen Speicherschicht werden in der thermoplastischen Schicht Vertiefungen ausgebildet Mit wachsender Vertiefung nimmt die Kapazität eines derartigen Abschnitts zu und das Potential nimmt ab. was eine Übertragung von Oberflächenladungen in Gebiete mit einer minimalen Dicke der thermoplastischen Schicht bewirkt. Auf diese Weise ergibt sich ein sich selbst beschleunigender Prozeß: Die in die Vertiefung abfließenden Ladungen verstärken diese Vertiefung in der erwärmten thermoplastischen Schicht Diese Ausbildung der Vertiefungen endet, wenn die Ladung die Möglichkeit erhält, den restlichen Teil der thermoplastischen Schicht zu durchdringen. Die hohen, beinahe kritischen elektrischen Feldstärken bewirken also eine Verringerung der Oberflächenladung der thermoplastischen Schicht aufgrund von chaotisch entstehenden Strom-Mikrokanälen, entlang denen sich Vertiefungen in der thermoplastischen Schicht ausbilden. Bei einem hohen Homogenitätsgrad der Dicke der thermoplastischen Schicht weisen die längs des Stromkanals ausgebildeten Vertiefungen eine gleichmäßige Kreisform mit ungefähr gleichen Durchmessern auf (vergl. die Figur). Die Abmessungen dieser Vertiefungen hängen von der Viskosität des Werkstoffes der thermoplastischen Speicherschicht ab. Bei einem weniger zähflüssigen Material erfolgt die Verschiebung des thermoplastischen Werkstoffes leichter, durch die eine gewisse Menge des Werkstoffs aus der Mitte des Kanals verdrängt und in Richtung der Ränder herausgedrückt wird, so daß eine Art »Brustwehr« ausgebildet wird. Der Durchmesser der lokalen Verformungen der thermoplastischen Speicherschicht wächst daher mit steigender Temperatur an. Der Durchmesser der Verformungen wächst auch mit der Erhöhung der Geschwindigkeit der Erreichung einer kritischen elektrischen Feldstärke auf der thermoplastischen Speicherschicht an.The charge redistribution that occurs under the action of light and an electric field leads to Formation of the electrostatic contrast investigated above. In bright places, those for the thermoplastic Storage layer reaches critical electric field strengths faster as a result of a fluctuating distribution an electrical charge and possible local inhomogeneities in the thickness of the thermoplastic Storage layer, depressions are formed in the thermoplastic layer As the deepening increases, the capacitance of such a section increases and the potential decreases. resulting in a transfer of surface charges in areas with a minimum thickness of thermoplastic Layer causes. In this way there is a self-accelerating process: the process of deepening Leaking charges reinforce this recess in the heated thermoplastic layer. This training the depressions ends when the charge is given the opportunity to use the remaining part of the thermoplastic Layer to penetrate. The high, almost critical electric field strengths therefore cause a reduction the surface charge of the thermoplastic layer due to chaotically arising current microchannels, along which depressions are formed in the thermoplastic layer. At a high The degree of homogeneity of the thickness of the thermoplastic layer is exhibited by that formed along the flow channel Wells have a uniform circular shape with approximately the same diameter (see the figure). the Dimensions of these depressions depend on the viscosity of the material of the thermoplastic storage layer away. In the case of a less viscous material, the thermoplastic material is shifted easier, by which a certain amount of the material is displaced from the center of the channel and towards the Edges are pushed out, so that a kind of "parapet" is formed. The diameter of the local Deformations of the thermoplastic storage layer therefore increase with increasing temperature. The diameter the deformation also increases with the increase in the speed of reaching a critical one electric field strength on the thermoplastic storage layer.

Der sich selbst beschleunigende Prozeß der Bildung einer Vertiefung entlang eines Kanals führt zu einer schnellen Ausbildung einer Verformung und ermöglicht es, einen elektrostatischen Kontrast zu registrieren, der auf einem Aufzeichnungsmaterial mit einer fotoleitfähigcn Schicht entsteht deren Widerstand unterhalb von 10^t2 Ohm - cm liegt Das vergrößert die Anzahl der zur Schaffung fotothermoplastischer Aufzeichnungsmaterialien geeigneten Werkstoffe wesentlich und ermöglicht es, deren Empfindlichkeit in den langweiligen Bereich des Spektrums zu verschieben.The self-accelerating process of the formation of a depression along a channel leads to a rapid formation of a deformation and makes it possible to register an electrostatic contrast that arises on a recording material with a photoconductive layer, the resistance of which is below 10 ^t2 ohm-cm, which increases significantly increases the number of materials suitable for creating photothermoplastic recording materials and enables their sensitivity to be shifted into the boring region of the spectrum.

Ein derartiges Aufzeichnungsverfahren schließt das Auftreten eines Randeffektes aus. Abschnitte des fotothermoplastischen Aufzeichnungsmaterials mit einer homogenen Ladungsverteilung werden mit einer gleichen mittleren statistischen Dichte verformt. Der Zuwachs der Obcrflächcnladung der thermoplastischen Speicherschicht führt zu einem Anwachsen der mittleren statistischen Dichte der Anzahl der Stromkanäle. Dieser letztere Umstand ermöglicht es, Halbtonbilder in Form einer unterschiedlichen Verformungsdichte wiederzugeben — ein Fall, der der Anzahl der Schwärzungspunktc der Silberhalogenid-Folografie analog ist — und eliminiert die Notwendigkeit einer Rasterung bei der Aufzeichnung von I lalbtonbildern.Such a recording method eliminates the occurrence of an edge effect. Sections of the photothermoplastic Recording material with a homogeneous charge distribution are with an equal deformed mean statistical density. The increase in the surface charge of the thermoplastic storage layer leads to an increase in the mean statistical density of the number of current channels. This the latter circumstance makes it possible to reproduce halftone images in the form of a different deformation density - a case analogous to the number of blackening points of the silver halide folography - and eliminates the need for halftoning when recording half-tone images.

Μ Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen Aufzeichnungsverfahrens gegenüber einer Ausbildung cisblumenarliger Rauhigkeitsbilder liegt in der Möglichkeit ein großes Signal-Rausch-Verhältnis durch Verringerung des Rauschens auf den unbelichteten Abschnitten des fotothermischen Aufzeichnungsmaterial zu erhalten. Dies wird dadurch erreicht, daß für niedrige (die Einfricrtcmpcraliir geringfügig übersteigenden) Aufzeichnungstcm-Another advantage of the recording method according to the invention compared to a cis-flowered formation Roughness images lie in the possibility of a large signal-to-noise ratio by reducing them of the noise on the unexposed portions of the photothermal recording material. this is achieved by the fact that for low recording levels (slightly exceeding the freezing level)

pcraturen für thermoplastische Werkstoffe große Werte der Schubmodulen charakteristisch sind. Infolgedessen existiert eine Grenze für die Aufladung, über die eine Verformung der thermoplastischen Speicherschicht möglich wird. Wird die Aufladevorrichtung in dem Augenblick abgeschaltet, in dem die Kräfte des elektrostatischen Feldes in der thermoplastischen Speicherschicht an den belichteten Stellen diese Grenze überschritten haben, während diese Grenze in den unbelichteten Abschnitten noch nicht erreicht wurde, erfolgt eine Verformung des fotothcrmoplastischen Aufzeichnungsmaterial nur in belichteten Bereichen. Das Signal-Rausch-Verhältnis erreicht in diesem Fall einen Maximalwert.pcratures for thermoplastic materials large values of the shear modulus are characteristic. Consequently there is a limit to the charge beyond which a deformation of the thermoplastic storage layer becomes possible. The charger is switched off at the moment when the forces of the electrostatic Field in the thermoplastic storage layer exceeded this limit at the exposed areas while this limit has not yet been reached in the unexposed sections, deformation occurs of the photothermoplastic recording material only in exposed areas. The signal-to-noise ratio in this case reaches a maximum value.

Die Lösung der Hauptaufgaben der vorliegenden Erfindung — Erhöhung der Fotoempfindlichkeit, Beschleunigung des Aufzeichnungsvorgangs und Erreichung großer Auflösungen — wird durch Verwendung dünner fotoleilfähiger Schichten und thermoplastischer Schichten des Aufzeichnungsmaterials erreicht. Da die dünnen Schichten elastischer sind, ergab sich der sehr vorteilhafte Effekt, daß ein Aufzeichnungsmaterial mit einer Schicht aus einem anorganischen Fotoleiter auf einem flexiblen Schichtträger hergestellt weiden konnte.The solution to the main objects of the present invention - increase in photosensitivity, acceleration of the recording process and achieving large resolutions - becomes thinner by using achieved photoconductive layers and thermoplastic layers of the recording material. Because the thin Layers are more elastic, there was the very advantageous effect that a recording material with a Layer made of an inorganic photoconductor on a flexible substrate could graze.

Die Ausführung des Aufzeichnungsmaterials mit einem flexiblen Schichtträger ist für Anwendungen im Bereich der Foto- und Kinotechnik zur Aufzeichnung elektrischer Signale mittels eines Abtaststrahls zweckmäßig. Die Hauptforderung an den Schichtträger ist in diesem Falle dessen Temperaturbeständigkeit, die es ihm ermöglicht, thermische Belastungen beim Auftragen von Metall- und Fotoleiter-Schichten durch thermisches Aufdampfen sowie bei der Informationsaufzeichnung und -löschung, ohne Verformung (Verzerrung) auszuhalten. Die vorliegende Erfindung ermöglicht es, für thermoplastische Aufzeichnungsmaterialien Schichtträger auf Polyethylenterephthalat-Basis an sich bekannter Art zu verwenden.The execution of the recording material with a flexible layer support is for applications in The field of photo and cinema technology is useful for recording electrical signals by means of a scanning beam. In this case, the main requirement placed on the substrate is its temperature resistance, which makes it possible for it enables thermal loads when applying metal and photoconductor layers through thermal Vapor deposition and information recording and erasure without enduring deformation (distortion). The present invention makes it possible to use film supports for thermoplastic recording materials To use polyethylene terephthalate base known per se.

Zur Erhöhung der Elastizität und Temperaturbeständigkeit des flexiblen Schichtträgers erwies es sich dabei als ganz besonders vorteilhaft, diesen Schichtträger aus Polyethylenterephthalat mit einem Gehalt von 0,05 bis 0,5 Gew.-Teilen 1,1-Diacetylferrocen herzustellen. Die Anwesenheit des 1,1-Diacetylferrocens erhöht die Erweichungstemperatur des Schichtträgers auf 90 bis 100°C. Die Dicke des Schichtträgers wird üblicherweise in einer Größenordnung von 40 bis 200 μπι gewählt.It was found to increase the elasticity and temperature resistance of the flexible layer carrier as very particularly advantageous, this layer support made of polyethylene terephthalate with a content of 0.05 to 0.5 part by weight of 1,1-diacetylferrocene to be produced. The presence of the 1,1-diacetylferrocene increases the softening temperature of the support to 90 to 100 ° C. The thickness of the support is usually in a Selected order of magnitude from 40 to 200 μπι.

Das Schichtträgermaterial wird bei einem Herstellungsverfahren gebildet, bei dem kein Katalysator verwendet wird. Die Ausbildung der Polymerfolie erfolgt durch Extrudieren der Schmelze durch eine Spaltdüse unter Erzeugung einer Schicht gleichförmiger Dicke auf einer festen ebenen Fläche und durch deren anschließende Abkühlung.The support material is formed in a manufacturing process that does not use a catalyst will. The polymer film is formed by extruding the melt through a slot nozzle Creation of a layer of uniform thickness on a solid flat surface and through its subsequent Cooling down.

Es erwies sich als möglich, einen solchen Schichtträger praktisch unter den gleichen Verhältnissen wie bei einem herkömmlichen fotografischen Film zu verwenden. Außer einer bequemen Handhabung ermöglicht es der flexible Schichtträger auf Polyethylenterephthalat-Basis mit einem Diacetylferrocengehalt im genannten Verhältnis, die wärmemechanischen Eigenschaften des Aufzeichnungsmaterials im ganzen zu verbessern.It was found possible to use such a support under practically the same conditions as in a conventional photographic film. In addition to being easy to use, it enables the flexible support based on polyethylene terephthalate with a diacetylferrocene content in the above Ratio to improve the thermal mechanical properties of the recording material as a whole.

Bei der Herstellung des Aufzeichnungsmaterials mit einem Schichtträger der angegebenen Zusammensetzung steigt die Temperaturbeständigkeit an, und das Verziehen verringert sich infolge einer Verringerung der Längs- und Quer-Schwindung auf 1 bis 2%.When producing the recording material with a support of the specified composition the temperature resistance increases and the warpage decreases due to a decrease in the Longitudinal and transverse shrinkage to 1 to 2%.

Die Erhöhung der Erweichungstemperatur des Schichtträgers ermöglicht es, die Arbeitstemperatur bei der Aufzeichnung der optischen Information zu steigern und damit die Kennwerte eines Aufzeichnungsmaterials zu regeln, wie sie beispielsweise das Verhältnis k und der spezifische Dunkelwiderstand sind. Bei Benutzung des erfindungsgemäßen Schichtträgers steigt auch der Bildkontrast des Aufzeichnungsmaterials beim Informationslesen in einem reflektierten Licht an, weil er braun gefärbt ist. Die Durchsichtigkeit des beschriebenen Aufzeich- nungsmaterials beträgt bei einer Wellenlänge von 400 bis 1100 nm 35 bis 45%.The increase in the softening temperature of the substrate makes it possible to increase the working temperature when recording the optical information and thus to regulate the characteristics of a recording material, such as the ratio k and the specific dark resistance. When the support according to the invention is used, the image contrast of the recording material also increases when information is read in reflected light because it is colored brown. The transparency of the recording material described is 35 to 45% at a wavelength of 400 to 1100 nm.

Auf den flexiblen Schichtträger ist unmittelbar eine elektrisch leitende Schicht aufgebracht, die für einen ohmschen oder sperrwiderstand zur fotoleitfähigen Schicht sorgt. Die über eine hohe Injektionsfähigkeit für Majoritäts-Ladungsträger verfügende stromleitende Schicht verringert die Fotoempfindlichkeit des Aufzeichnungsmaterials infolge hoher Dunkelströme. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird vom Aufbringen von elektrisch leitenden Schichten aus verschiedenen Metallen wie Ni, Cr, Al, Bi, Sb Gebrauch gemacht.An electrically conductive layer is applied directly to the flexible layer support, which is suitable for a ohmic or blocking resistance to the photoconductive layer ensures. Which have a high injectability for Electroconductive layer having majority charge carriers reduces the photosensitivity of the recording material as a result of high dark currents. In the method according to the invention, from the application of Electrically conductive layers made of various metals such as Ni, Cr, Al, Bi, Sb use.

Der Anspruch an die Obcrflächenleitfähigkeit der elektrisch leitenden Schicht steigt mit der Abnahme des spezifischen Widerstands der in dem Aufzeichnungsmaterial zur Anwendung kommenden Fotoleiter und mit der Vergrößerung der Fläche des belichtenden Bildes.The demand on the surface conductivity of the electrically conductive layer increases with the decrease in the specific resistance of the photoconductors used in the recording material and with the Enlargement of the area of the exposed image.

Auf den Schichtträger mit der elektrisch leitenden Schicht wird nunmehr die fotoleitfähige Schicht aufgetragen. The photoconductive layer is now applied to the substrate with the electrically conductive layer.

Gemäß der vorliegenden Erfindung ist die Hauptanforderung an diese fotoleitfähige Schicht, daß diese verglichen mit früher verwendeten Aufzeichnungsverfahren für optische Bilder (Elektrofotografie und thermoplastische Aufzeichnung) einen niedrigeren Wert für die spezifischen Wirkwiderstände (10¹⁰ bis 10^l2Ohm · cm) bei der Aufzeichnungstemperatur aufweist. Das ermöglicht es, die Palette der zur Herstellung der für Aufzeichnungsmaterialien geeigneten Werkstoffe wesentlich zu erweitern. So können sämtliche in der Elektrofotografie üblicherweise verwendeten Fotoleiter (beispielsweise Selen, Selen-Tellur-, Selen-Arsen-Gemische, anorganische Halbleiter in Bindemitteln) bei der Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens eingesetzt werden, wenn sie mit temperaturbeständigen thermoplastischen Materialien verbunden werden. Dabei gestattet es die Durchführung der Aufzeichnung bei hohen Temperaturen, das vorliegende Verfahren dann durchzuführen, wenn der Widerstand der fotoleitfähigen Schicht bei diesen höheren Temperaturen auf die erforderliehen Werte absinkt.According to the present invention, the main requirement of this photoconductive layer is that it has a lower resistivity value (10 ¹⁰ to 10 12 ohm · cm) at the recording ^{temperature as compared with previously used optical image recording methods (electrophotography and thermoplastic recording).} This makes it possible to significantly expand the range of materials suitable for the production of recording materials. All photoconductors commonly used in electrophotography (for example selenium, selenium-tellurium, selenium-arsenic mixtures, inorganic semiconductors in binders) can be used when carrying out the method according to the invention if they are bonded with temperature-resistant thermoplastic materials. Carrying out the recording at high temperatures allows the present method to be carried out when the resistance of the photoconductive layer drops to the required values at these higher temperatures.

Die zu Feldeffekten in einem Fotolekermatcrial führenden starken elektrischen Felder dienen ebenfalls der Verwirklichung des erfindungsgemäßen Verfahrens, wobei die Aufzeichnung bei Grenzwerten für die elektrische Feldstärke durchgeführt wird, die den Widerstand der fotoleiifähigen Schicht auf einen erforderliehen Wert b^r> herabsetzt.The strong electrical fields leading to field effects in a photolecular material also serve to implement the method according to the invention, the recording being carried out at limit values for the electrical field strength which reduce the resistance of the photoconductive layer to a required value b ^r > .

Bei den meisten Fotoleitern ist mit der Erhöhung der Temperatur und/oder mit einer steigenden elektrischen Feldstärke eine Verringerung der Fotoempfindlichkeit — eine temperatur- und/oder feld-abhängige Unterdrük-For most photoconductors, the temperature increases and / or the electrical power increases Field strength a reduction in photosensitivity - a temperature- and / or field-dependent suppression

kung der Fotoleitfähigkeit — zu verzeichnen. Zur Gewährleistung hoher Werte der Fotoempfindlichkeit werden zweckmäßigerweise Fotoleiterverbindungen mit spezifischen Widerständen von 10ⁱⁿ bis 10¹² Ohm - cm bei nicht zu hohen Aufzeichnungstemperaturen verwendet.reduction of the photoconductivity - to be recorded. In order to ensure high values of sensitivity expediently photoconductor compounds having resistivities of ¹⁰ to 10 ¹² Ohm - cm at not used for recording high temperatures.

Zu derartigen Werkstoffen gehört vor allem die gesamte Gruppe von Fotoleitern, die für Vidikon-Spcichcr-■j platten verwendet werden, beispielsweise Sb₂S i, Sb₂Sc \, As^S ι, As₂Sc ι und ähnliche.Such materials include, above all, the entire group of photoconductors that are used for Vidikon Spcichcr- ■ j plates, for example Sb ₂ S i, Sb ₂ Sc \, As ^ S ι, As ₂ Sc ι and the like.

Zur Erhöhung der Temperaturbeständigkeit eines Selen als fotolcitfähige Schicht aufweisenden Aufzeichnungsmaterial wird dieses vorzugsweise in seiner monoklincn Modifikation verwendet. Der Belichtungsspiclraum (Dynamik der Bildaufzeichnung) wird bei dem erfindungsgemäßen Aufzeichnungsverfahren durch diejenigen Beleuchtungsstärken bestimmt, bei denen das Verhältnis von Dunkelwiderstand zum Widerstand der ίο fotoleitfähigen Schicht im Bereich maximaler Helligkeit Werte von 10 bis 15 erreicht. Deshalb ergeben sich die besten Resultate bei der Aufzeichnung von schwach beleuchteten Objekten auf Aufzeichnungsmaterialien mit fotogleitfähigen Schichten aus den empfindlichsten Schichten (Arsentriselenid). Durch eine Änderung der Herstellungsverfahren für die As₂Se3-Schichten kann man eine große Auswahl von Verhältnissen spezifischer Widerstände zu Empfindlichkeiten zur Schaffung von Aufzeichnungsmaterialien für verschiedene Anwendungszwecke durch eine Variation von Kombinationen dieser Schichten mit thermoplastischen Werkstoffen erhallen. Es ist vorteilhaft, zur Schaffung von Aufzeichnungsmaterialien für das erfindungsgemäße Aufzeichnungsverfahren Lösungen von (As₂Ss)I-I-(As₂SeS)₁-Verbindungen zu verwenden, die es in Abhängigkeit von dem Wert χ erlauben, die Empfindlichkeitsgrenze im langwelligen Bereich und die Lage des Empfindlichkeitsmaximums im sichtbaren Spektrum einzuregeln.To increase the temperature resistance of a recording material having selenium as a photoconductive layer, this is preferably used in its monoclinic modification. The exposure space (dynamics of image recording) is determined in the recording method according to the invention by those illuminance levels at which the ratio of dark resistance to resistance of the photoconductive layer reaches values of 10 to 15 in the range of maximum brightness. This is why the best results are obtained when recording weakly illuminated objects on recording materials with photo-slidable layers made up of the most sensitive layers (arsenic triselenide). By changing the manufacturing process for the As ₂ Se3 layers, a wide range of ratios of specific resistances to sensitivities can be obtained for creating recording materials for different purposes by varying combinations of these layers with thermoplastic materials. To create recording materials for the recording process according to the invention, it is advantageous to use solutions of (As ₂ Ss) II- (As ₂ SeS) ₁ compounds which, depending on the value χ, allow the sensitivity limit in the long-wave range and the location of the maximum sensitivity in the visible spectrum.

Es ist vorteilhaft, zur Erweiterung der spektralen Empfindlichkeil Dotierungszusätze für Arsenchalkogenide zu verwenden. So führt ein Zusatz von Thallium in einer Menge von 1 bis 7 Gew.-% zu Arsenlriselenid und/oder zu Arsentrisulfid zu einer Verringerung des spezifischen Widerstands und einer Verschiebung des spektralen Empfindlichkeitsbereichs.It is advantageous to add doping additives for arsenic chalcogenides to expand the spectral sensitivity wedge to use. An addition of thallium in an amount of 1 to 7% by weight leads to arsenic riselenide and / or to arsenic trisulfide to a decrease in resistivity and a shift in the spectral Sensitivity range.

Zur Erweiterung des Bereichs der spektralen Empfindlichkeit wird die Fotoleitfähige Schicht aus einem amorphen Arsenchalkogenid gebildet das mit Wismut in einer Menge von 3 bis 10 Gew.-% dotiert istTo expand the range of spectral sensitivity, the photoconductive layer is made of a amorphous arsenic chalcogenide is formed which is doped with bismuth in an amount of 3 to 10 wt .-%

Zur Erhöhung der Fotoempfindlichkeit wird die fotoleitfähige Schicht aus Selen der monoklinen Modifikation hergestellt.To increase the photosensitivity, the photoconductive layer made of selenium is of the monoclinic modification manufactured.

Es können auch niederohmigere Werkstoffe GaA und Ga₂SeJ eingesetzt werden.Lower resistance materials GaA and Ga ₂ SeJ can also be used.

Da sie in der amorphen Modifikation spezifische Widerstände von 10¹⁰ bis 10" Ohm - cm besitzen, ermöglichen sie es, ein elektrostatisches Bild mit einem maximalen Kontrast auf der thermoplastischen Speicherschicht innerhalb von Zeiten von 10~² bis 10~³ s auszubilden.Since it is in the amorphous modification resistivities of 10 ¹⁰ to 10 "ohm - have cm, they allow the electrostatic image with a maximum contrast on the thermoplastic memory layer within times of 10 ^-2 to 10 ^-3 form s.

Bei der gleichzeitigen Verformung und Ausbildung eines elektrostatischen Kontrasts wird gemäß dem erfindungsgemäßen Aufzeichnungsverfahren eine solche Arbeitsweise des Aufzeichnungsmaterials erhalten, bei der die sich ausbildenden flukturierenden Anstiege der elektrischen Feldstärke in der thermoplastischen Speicherschicht zu lokalen Verformungen längs der Stromkanäle führen. Das Vorhandensein derartiger Strom-Mikrokanäle bewirkt eine Selbstrasterung des projizierten Bildes und beseitigt eine Verwaschung des elektrostatischen Bildes. Infolgedessen wird es möglich, als fotoleitfähige Schicht eine Fotoleiter-Heterostruktur einzusetzen, die sogar aus bekannten niederohmigen Werkstoffen mit einem spezifischen Widerstand unterhalb von 10⁸OtIm - cm hergestellt werden kann, wenn der durch eine Sperrschicht bedingte wirksame gesamte Widerstand einen Wert von 10'° bis 10¹² Ohm · cm, umgerechnet auf die Gesamtdicke der Heterosiruktur, gewährleistet Eine derartige Ausführung der fotoleitfähigen Schicht erweitert den Bereich ihrer spektralen Empfindlichkeit da zu dem erhaltenen Fotosignal beide in der Hetcrostruktur verwendeten Werkstoffe beitragen, und es erhöht sich die Fotoempfindlichkeit infolge einer vollständigeren Ausnutzung der Energie einer auffallenden integralen Strahlung. Ferner verbessert sich dabei das zeitliche Verhalten des Aufzeichnungsmaterial bei einer Aufnahme mit großen Beleuchtungstärken.With the simultaneous deformation and formation of an electrostatic contrast, according to the recording method according to the invention, such a mode of operation of the recording material is obtained in which the fluctuating increases in the electric field strength in the thermoplastic storage layer lead to local deformations along the current channels. The presence of such current microchannels self-rasterizes the projected image and eliminates blurring of the electrostatic image. As a result, it becomes possible to use a photoconductor heterostructure as the photoconductive layer, which can even be produced from known low-resistance materials with a specific resistance below 10 ⁸ OtIm - cm if the effective total resistance caused by a barrier layer has a value of 10 ° Up to 10 ¹² ohm cm, converted to the total thickness of the heterostructure, guaranteed.This type of design of the photoconductive layer extends the range of its spectral sensitivity since both materials used in the heterostructure contribute to the photo signal obtained, and the photosensitivity increases as a result of more complete utilization the energy of an incident integral radiation. Furthermore, the behavior of the recording material over time is improved in the case of a recording with high illuminance levels.

Zur Verkürzung der Belichtungszeit wird die fotoleitfähige Schicht vorzugsweise aus einem Fotoleiter mit einer persistenten Leitfähigkeit (Gedächtniseffekt) erzeugt Dabei wird die Belichtungszeit um die Zeit des Andauerns der persistenten Leitfähigkeit verkürzt, da der elektrostatische Kontrast dabei unter der Einwirkung des Ladestroms einen für eine Verformung erforderlichen Wert erreicht. Auf die fotoleitfähige Schicht ist eine so thermoplastische Speicherschicht so aufgetragen, daß die beiden Schichten einen elektrischen Kontakt zueinander aufweisen. Die thermoplastische Speicherschicht wird aus einem Werkstoff hergestellt, der in einem Temperaturbereich zwischen seiner Einfrier- u nd Fließtemperatur von einem elektrischen Feld einer Stärke von mehr als 10⁶ V/cm verformt wird.To shorten the exposure time, the photoconductive layer is preferably produced from a photoconductor with a persistent conductivity (memory effect). The exposure time is shortened by the duration of the persistent conductivity, since the electrostatic contrast under the action of the charging current is a value necessary for deformation achieved. A storage layer that is thermoplastic is applied to the photoconductive layer in such a way that the two layers are in electrical contact with one another. The thermoplastic storage layer is made of a material that is deformed in a temperature range between its freezing and flow temperature by an electric field with a strength of more than 10 ⁶ V / cm.

In dem genannten Temperaturbereich werden unter Ausbildung trichterförmiger Vertiefungen im wesentlichen nur diejenigen Flächenbereiche der thermoplastischen Schicht verformt, die belichtet wurden. Die Verformung unbestrahlter Flächenabschnitte wird erheblich verringert, wordurch die Empfindlichkeit des Aufzeichnungsmaterials und der Kontrast des aufgezeichneten Bildes verbessert werden.In the temperature range mentioned, funnel-shaped depressions are essentially formed only those areas of the thermoplastic layer that were exposed are deformed. The deformation unirradiated surface sections is considerably reduced, which means that the sensitivity of the recording material is reduced and the contrast of the recorded image can be improved.

In Abhängigkeit von einer gewünschten konkreten Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens kann die thermoplastische Speicherschicht bei Zimmertemperatur (beispielsweise bei der Aufzeichnung auf einem sich kontinuierlich bewegenden Band des Aufzeichnungsmaterials) ein merkliches kaltes Fließen zeigen, oder sie kann während der Ausbildung der Verformungen zum Zwecke einer dauerhaften Registrierung der aufgezeichneten Information vernetzt werden. Die thermoplastische Speichcrschicht kann eine beliebige Färbung aufweisen. Für jede konkrete Ausführungsform des Aufzeichnungsmaterials wird aber entweder die Schicht oder der Schichtträger so ausgeführt daß sie durchlässig für einen Spektralbereich sind, der der Empfindlichkeit des Fotoleiters entsprichtDepending on a desired specific application of the method according to the invention, the thermoplastic storage layer at room temperature (for example when recording on a self continuously moving tape of the recording material) show a noticeable cold flow, or they can be recorded during the formation of the deformations for the purpose of permanent registration Information to be networked. The thermoplastic storage layer can have any coloration. For each specific embodiment of the recording material, however, either the layer or the Supports designed so that they are permeable to a spectral range that corresponds to the sensitivity of the Photoconductor

Das Aufzeichnungsmaterial wird so ausgebildet, daß die Dicke der thermoplastischen Speicherschicht kleiner ist als die Dicke der fotoleitfähigen Schicht, wobei die Gcsamtdicke beider Schichten unter 5 μηι liegt. Dadurch werden bei der Aufzeichnung einer optischen information in den unbeleuchteten Flächcnbcreichcn des Auf-The recording material is formed so that the thickness of the thermoplastic memory layer becomes smaller is than the thickness of the photoconductive layer, the total thickness of both layers being below 5 μm. Through this when optical information is recorded in the unlit surface areas of the recording

/eichnungsmaterials elektrische Feldstärken erreicht, daß die resultierenden elektrostatischen Kräfte pro Flächeneinheit um 5 bis 10% kleiner sind als der Wert des Schubmoduls des Werkstoffs der thermoplastischen Speicherschicht bei der Aufzeichnungstemperatur. Somit kommt es in den unbelichteten Flächenbereichen des Aufzeichnungsmaterials zu keiner Verformung, und das aufgezeichnete Bild zeichnet sich durch einen hohen Kontrast aus./ calibration material electric field strengths achieved that the resulting electrostatic forces per unit area are 5 to 10% smaller than the value of the shear modulus of the material of the thermoplastic Storage layer at the recording temperature. Thus it occurs in the unexposed areas of the Recording material does not deform, and the recorded image is characterized by a high Contrast off.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird ein Aufzeichnungsmaterial mit einer Speicherschicht aus einem thermoplastischen Werkstoff verwendet, dessen spezifischer Widerstand zwischen der Einfrier- und Fließtemperatur (d. h. bei der Aufzeichnungstemperatur) unterhalb von 10'^J Ohm - cm liegt, wobei die Speicherschicht eine Stärke von 0,1 bis 3 μηι aufweist. Das gestattet es, das Auflösungsvermögen der Aufzeichnungsmaterialien zu erhöhen, die sowohl eine thermoplastische Speicherschicht aus bekannten Werkstoffen wie Butylmethacrylat- : Acrylnitril-Copolymeren, Styrol-Butadien-Butylmethacrylat-Copolymeren oder Copolymeren ungesättigterIn the inventive method, a recording material is used with a storage layer made of a thermoplastic material, whose resistivity is between the freezing and flow temperature (ie, at the recording temperature) is below 10 ^'J Ohm - is cm, wherein the memory layer has a thickness of 0.1 to 3 μm. This makes it possible to increase the resolution of the recording materials, which have both a thermoplastic storage layer made of known materials such as butyl methacrylate: acrylonitrile copolymers, styrene-butadiene-butyl methacrylate copolymers or copolymers of unsaturated

Ester von Harzsäuren, als auch aus den im Rahmen der vorliegenden Anmeldung vorgeschlagenen Terpolymeren der angegebenen Zusammensetzungen aufweisen können.Esters of resin acids, as well as from the terpolymers proposed in the context of the present application the specified compositions can have.

Bei der elektrostatischen Aufladung derartiger Schichten werden starke elektrische Felder einer Stärke von mehr als 10⁶ V/cm ausgebildet, und es tritt eine Erhöhung der Leitfähigkeit der thermoplastischen Schicht ein. Das ermöglicht es, zur Herstellung eines Aufzeichnungsmaterials Copolymere zu verwenden, die in einem elektrischen Feld leicht polarisierbare polare Gruppierungen aufweisen. Dadurch wurde es möglich, den Aufzcichnungsmaterialien unter Beibehaltung der gewünschten Auflösung durch Änderung der Zusammensetzung der thermoplastischen Schicht bestimmte vorgegebene Eigenschaften zu verleihen.When such layers are electrostatically charged, strong electric fields with a strength of more than 10 ⁶ V / cm are formed and the conductivity of the thermoplastic layer increases. This makes it possible to use copolymers for the production of a recording material which have polar groups which are easily polarizable in an electric field. This made it possible to impart certain predetermined properties to the recording materials while maintaining the desired resolution by changing the composition of the thermoplastic layer.

Die gemäß der vorliegenden Erfindung erstmals in vorteilhafter Weise für die Ausbildung der thermoplastisehen Speicherschicht verwendeten Terpolymeren weisen Monomereinheiten von Styrol, Alkylmethacryiat und von Styrolderivaten mit einem chemisch aktiven Rest auf. Sie können durch die folgende allgemeine Formel beschrieben werden:According to the present invention, for the first time in an advantageous manner for the formation of the thermoplastic Storage layer terpolymers used have monomer units of styrene, alkyl methacrylate and of styrene derivatives with a chemically active residue. You can through the following general formula to be discribed:

CH,CH,

-CH₂-CH-CH₂-C-CH₂-CH--CH ₂ -CH-CH ₂ -C-CH ₂ -CH-

R COORi /\R COORi / \

35 in der 35 in the

R ein Phenyl-, Naphthyl-, Chlorphenyl- oder Fluorphenyl-Rest,R is a phenyl, naphthyl, chlorophenyl or fluorophenyl radical,

Ri ein Butyl-oderOctyl-Rest,Ri is a butyl or octyl radical,

X ein Wasserstoffatom, ein Alkyl-, Alkoxy-Rest oder ein Halogenatom, undX is a hydrogen atom, an alkyl, alkoxy radical or a halogen atom, and

Y eine Amino-, eine Isocyanato- oder lsothiocyanato-Gruppe sind.Y is an amino, an isocyanato or isothiocyanato group.

Das Material der thermoplastischen Schicht wird durch eine radikalische Copolymerisation entsprechender Monomerer in Gegenwart eines Aktivators erhalten. Das Verhältnis der Monomeren wird im Ausgangsgemisch so gewählt, daß durchsichtige filmbildende thermoplastische Werkstoffe mit folgenden optimalen Parametern erhalten werden:The material of the thermoplastic layer becomes more appropriate through a radical copolymerization Monomers obtained in the presence of an activator. The ratio of the monomers is in the starting mixture chosen so that transparent film-forming thermoplastic materials with the following optimal parameters will be obtained:

Grenzviskosität 0,14 bis 0,21Intrinsic viscosity 0.14 to 0.21

Einfriertemperatur 32 bis 6O⁰CFreezing temperature 32 to 6O ^{0 C}

Fließtemperatur 70 bis 86" C.Flow temperature 70 to 86 "C.

Die thermoplastische Speicherschicht wird durch Aufgießen einer Lösung eines Copolymeren in einem organischen Lösungsmittel, beispielsweise in Toluol, auf die fotoleitfähige Schicht aufgebracht. Die Dicke der thtermoplastischen Speicherschicht beträgt ca. 1 bis 3 μηι.The thermoplastic storage layer is made by pouring a solution of a copolymer in a organic solvent, for example in toluene, applied to the photoconductive layer. The thickness of the The thermoplastic storage layer is approximately 1 to 3 μm.

Als Styrolderivate mit chemisch aktiven Resten kommen insbesondere Vinylphenylisocyanat, Vinylphenylamin, Vinylphenylisothiocyanat in Betracht.The styrene derivatives with chemically active residues are in particular vinylphenyl isocyanate, vinylphenylamine, Vinylphenyl isothiocyanate into consideration.

Ein Aufzeichnungsmaterial, das eine thermoplastische Speicherschicht auf der Basis eines Terpolymeren aus Styrol-Butylmethacrylat-Vinylphenylisocyanat bei einem Verhältnis der Monomerkomponenten (in Mol-%) vonA recording material that consists of a thermoplastic storage layer based on a terpolymer Styrene-butyl methacrylate-vinylphenyl isocyanate with a ratio of the monomer components (in mol%) of

Styrol 34 bis 38 ωStyrene 34 to 38 ω

Butylmethacrylat 56 bis 60Butyl methacrylate 56 to 60

Vinylphcnylisocyanat 2 bis 6Vinylphynyl isocyanate 2 to 6

aufweist, fixiert ein aufgezeichnetes Bild bis zur Fließtemperatur der thermoplastischen Schicht, was durch die Einführung von NCO-Gruppen in das Copolymere erreicht wird, da diese eine Vernetzung der Makromoleküle b5 während der Aufzeichnung und bei der weiteren Speicherung der aufgezeichneten Information bewirken. Gleichzeitig erhöht sich die Haftung der thermoplastischen Speicherschicht auf der fotoleitfähigen Schicht, was es ermöglicht, das Aufzeichnungsmaterial zur Erzeugung einer großen Anzahl von Kopien zu verwenden.has, fixes a recorded image up to the flow temperature of the thermoplastic layer, which is achieved by the Introduction of NCO groups into the copolymer is achieved, since this crosslinking of the macromolecules b5 cause during the recording and in the further storage of the recorded information. At the same time, the adhesion of the thermoplastic storage layer to the photoconductive layer increases, which it enables the recording material to be used to produce a large number of copies.

Die Verwendung eines Aufzeichnungsmaterials der angegebenen ArI eliminiert zusätzliche Arbeitsgänge beim Kopieren, wie sie die Erzeugung von Nickelmatrizen oder eine Bestrahlung der thermoplastischen Schicht mit ultravioletten Strahlen zur Fixierung des Bildes infolge einer Vernetzung des Polymeren darstellen.The use of a recording material of the specified ArI eliminates additional operations when copying, such as the production of nickel matrices or an irradiation of the thermoplastic layer with ultraviolet rays to fix the image due to crosslinking of the polymer.

Die Verlängerung der Speicherzeil für die aufgezeichnete Information ohne Verschlechterung des Kontrastes wird auch bei Verwendung eines Aufzeichnungsmaterial* erreicht, bei dem die thermoplastische Speicherschacht auf der Basis eines Terpolymeren aus Styrol-Butylmclhacrylat-Vinylphenylamin mit folgendem Verhältnis der Komponenten (Mol-°/o) hergestellt ist:The extension of the memory line for the recorded information without deteriorating the contrast is also achieved when using a recording material * in which the thermoplastic storage shaft on the basis of a terpolymer of styrene-butyl methacrylate-vinylphenylamine with the following ratio of Components (mol- ° / o) is made:

Styrol 30 bis 40Styrene 30 to 40

ίο Butylmethacrylat 55 bis 60ίο Butyl methacrylate 55 to 60

Vinylphenylamin 5 bis 10Vinylphenylamine 5 to 10

Die auf dem Aufzeichnungsmaterial ausgebildeten Bilder werden für eine unbegrenzte Zeitdauer gespeichert. Die Stabilität der aufgezeichneten Bilder gestattet es, das erfindungsgemäße Aufzeichnungsmaterial für das Mehrfachkopieren als Fotoklischee zu verwenden.The images formed on the recording material are stored for an unlimited period of time. The stability of the recorded images allows the recording material according to the invention for the To use multiple copying as photo cliché.

Ein Aufzeichnungsmaterial, bei dem die thermoplastische Speicherschicht auf der Basis eines Terpolymeren aus Styrol-Butylmethacrylat-Vinylphcnylisothiocyanat bei folgendem Verhältnis der Monomerkomponentcn (Mol-o/o):A recording material in which the thermoplastic storage layer is based on a terpolymer from styrene-butyl methacrylate-vinylphynyl isothiocyanate with the following ratio of monomer components (Mol-o / o):

Styrol 30 bis 40Styrene 30 to 40

Butylmethacrylat 50 bis 60Butyl methacrylate 50 to 60

Vinylphenylisothiocyanat 5 bis 10Vinyl phenyl isothiocyanate 5 to 10

ausgebildet ist. ermöglicht es. die Fotoempfindlichkeil des Aufzeichnungsmaterials im Vergleich zur Empfindüchkeit eines Aufzeichnungsmaterials mit einer thermoplastischen Speicherschicht aus einem Styrol-Butylmethacrylat-Copolymeren zu erhöhen, sowie die aufgezeichnete Information über eine längere Zeitdauer zu speichern.is trained. allows. the photosensitive wedge of the recording material compared to the sensitivity of a recording material with a thermoplastic storage layer made of a styrene-butyl methacrylate copolymer to increase, as well as to store the recorded information over a longer period of time.

Eine praktisch vollständige Eliminierung des kalten Fließens wird durch die Einführung von NCS-Gruppen in das Copolymere bewirkt, da diese eine Vernetzung des Copolymeren bewirken. Die zu einer Erhöhung der Gesamt-Fotoempfindlichkeit des Aufzeichnungsmaterials führende Erniedrigung der Fließtemperatur der thermoplastischen Speicherschicht wird durch eine Erhöhung des Gehalts an Butylmethacrylat-GIiedern im Copolymeren erreicht Die Erniedrigung der Fließtemperatur der thermoplastischen Speicherschicht erlaubt es auch, die Entwicklungs- und Fixiergeschwindigkeit für die aufgezeichnete Information zu erhöhen.Virtually complete elimination of cold flow is achieved with the introduction of NCS groups in causes the copolymer, since these cause crosslinking of the copolymer. Which lead to an increase in Overall photosensitivity of the recording material leading to a lowering of the flow temperature of the thermoplastic The storage layer is created by increasing the content of butyl methacrylate members in the copolymer achieved The lowering of the flow temperature of the thermoplastic storage layer also allows to increase the speed of developing and fixing the recorded information.

Zur Vergrößerung der Fotoempfindlichkeit unter Beibehaltung der übrigen vorteilhaften Eigenschaften des Aufzeichnungsmaterials (Bildfixierung, hohe Verschleißfestigkeit beim Mehrfachkopieren, erhöhte Adhäsion u. a.) wird bei einem Terpolymeren der obigen Art an Stelle des Styrols ein Halogcnslyrol verwendet, wobei die Bestandteile in folgenden Verhältnissen vorliegen (Mol-%):To increase the photosensitivity while maintaining the other advantageous properties of the Recording material (image fixation, high wear resistance when copying multiple times, increased adhesion inter alia) in the case of a terpolymer of the above type, a halo-glycol is used instead of styrene, the Components are present in the following proportions (mol%):

Alkylmethacrylat 30 bis 50Alkyl methacrylate 30 to 50

Styrolderivat mit chemisch aktivem Rest 5 bis 15Styrene derivative with a chemically active residue 5 to 15

Halogenstyrol 35 bis 65Halostyrene 35 to 65

Wenn es erforderlich ist, den Belichtungsspielraum zu vergrößern, wird vorieilhafierweise ein Terpolymeres verwendet,das Vinylnaphthalin-Glieder bei folgendem Verhältnis der Komponenten aufweist (Mol-%):When it is necessary to increase the exposure latitude, a terpolymer is preferably used used, which has vinylnaphthalene members at the following ratio of components (mol%):

Alkylmethacrylat 50 bis 55Alkyl methacrylate 50 to 55

Styrolderivat mit chemisch aktivem Rest 5 bis 10Styrene derivative with a chemically active residue 5 to 10

Vinylnaphthalin 40 bis 45Vinyl naphthalene 40 to 45

Dieser Effekt ist Folge einer Vergrößerung der Kette der konjugierten Doppelbindungen bei einem Aus tausch von Benzolresten gegen Naphthalinreste.
Nachstehend wird die Erfindung anhand konkreter Ausführungsbeispiele näher erläutert.This effect is the result of an increase in the chain of conjugated double bonds when benzene residues are exchanged for naphthalene residues.
The invention is explained in more detail below on the basis of specific exemplary embodiments.

B e i s ρ i e 1 1B e i s ρ i e 1 1

Es wird ein fotothermoplastisches Aufzeichnungsmaterial verwendet, der einen flexiblen Schichtträger m'r einer Polyethylenterephthalatbasis mit einem dünnen Chromüberzug, eine fotoleitfähige Schicht aus Arsentrise lenid AsaSej mit einer Dicke von 3 μπι sowie eine thermoplastische Speicherschicht aus einem Butylmethacrylat Acrylnitril-Copolymeren mit einer Dicke von 1,8 μπι umfaßt. Die Einfriertemperalur der thermoplastischer Speicherschicht beträgt 45,0⁰C, die Fließtemperatur 92°C. Die Aufzeichnungstemperatur wird auf 65°C einge stellt. Der spezifische Widerstand der fotoleitfähigen Schicht beträgt bei dieser Aufzeichnungstempcratu 3 - 10" Ohm - cm, und der der thermoplastischen Schicht 7 - 10¹² Ohm - cm. Das Aufzeichnungsmaterial wire in ein Aufzeichnungsgerät eingegeben und auf eine Aufzeichnungstemperatur von 65° C erwärmt. In Abhängig keit von der Beleuchtungsstärke des Objekts wird die Blende des Objektivs in der Weise eingestellt, daß daA photothermoplastic recording material is used, which has a flexible layer support m'r a polyethylene terephthalate base with a thin chrome coating, a photoconductive layer of arsenic trisene lenid AsaSej with a thickness of 3 μm and a thermoplastic storage layer made of a butyl methacrylate acrylonitrile copolymer with a thickness of 1, 8 μπι includes. The Einfriertemperalur the thermoplastic memory layer is 45.0 ⁰ C, the flow temperature 92 ° C. The recording temperature is set to 65 ° C. The resistivity of the photoconductive layer at this recording temperature is 3-10 "ohm-cm, and that of the thermoplastic layer is 7-10 ¹² ohm-cm. The recording material is placed in a recording device and heated to a recording temperature of 65 ° C. Depending Depending on the illuminance of the object, the aperture of the lens is adjusted in such a way that there

Verhältnis der Änderung des Widerstands der fotoleitfähigen Schicht auf Abschnitten maximaler Beleuchtungs stärke gegenüber dem Dunkelwiderstand einen Wert von 10 überschreitet, d. h. die Beleuchtungsstärke betrag für die vorliegende fotoleitfähige Schicht 17 1 χ. Die Geometrie der Corona-Entladungs-Vorrichtung sowie da Potential am Sprühfaden werden derart vorgewählt, daß während der Zeit der Belichtung und der gleichzeitige!Ratio of the change in the resistance of the photoconductive layer on sections of maximum illumination strength against the dark resistance exceeds a value of 10, d. H. the illuminance amount for the present photoconductive layer 17 1 χ. The geometry of the corona discharge device as well as there Potential at the spray thread are preselected in such a way that during the time of exposure and the simultaneous!

Aufladung die elektrische Feldstärke auf den unbelichteten Abschnitten des Aufzeichnungsmaterials um 5 bis 10% niedriger liegt als ein Wert, der eine betragsmäüig dem Schubmodul der thermoplastischen Schicht bei einer Temperatur von 65°C entsprechende elektrostatische Kraft pro Flächeneinheit von 0,8 kg/cm² gewährleistet. Charging, the electric field strength on the unexposed sections of the recording material is 5 to 10% lower than a value that ensures an ^{electrostatic force per unit area of 0.8 kg / cm 2 corresponding to the amount of the shear modulus of the thermoplastic layer at a temperature of 65 ° C} .

Nachdem also auf diese Weise die Blende eingestellt wurde, und zwar auf 4, was auf den hellsten beleuchteten Abschnitten eine Widerstandsänderung von 10 gewährleistet, und das Potential der Sprühelektrode auf 6 kV eingestellt wurde, wird ein auf den erwähnten Träger projiziertes Bild innerhalb eines Zeitraums von t_s = 0,2 s aufgezeichnet. Die Rolle eines Verschlusses spielt in diesem Falle die Einschaltzeit der Ladeeinrichtung.After the aperture has been set in this way, namely to 4, which ensures a resistance change of 10 in the brightest illuminated sections, and the potential of the spray electrode has been set to 6 kV, an image projected onto the aforementioned carrier is produced within a period of t _s = 0.2 s recorded. In this case, the switch-on time of the charging device plays the role of a shutter.

Es wird ein Bild erhalten, das durch feine Mikro-Deformationen (ca. 3 μΐη) gebildet ist, deren Verteilungsdichte mit der Beleuchtungsstärke von 10 bis ΙΟ⁴ mrn~- zunimmt. Der Belichtungsspielraum der aufgezeichneten Beleuchtungsstärken betrug 2 bis 17 1 x.An image is obtained which is formed by fine micro-deformations (approx. 3 μΐη), the distribution density of which increases ^{with the illuminance from 10 to ΙΟ 4 mrn ~ -.} The exposure latitude of the recorded illuminance levels was 2 to 17 1 ×.

Beispiel 2Example 2

Es wird das gleiche Aufzeichnungsmaterial wie in Beispiel 1 verwendet und die Aufzeichnungstemperatur auf 80"C eingestellt. Der spezifische Widerstand der fotoleitfähigen Schicht beträgt bei dieser Temperatur 1,4 - 10'° Ohm · cm. Der Schubmodul verringert sich auf einen Wert von 0,11 kg/cm². Die Fotoempfindlichkeit der fotoleitfähigen Schicht nimmt ebenfalls ab, und das Verhältnis für die Widerstandsänderung von 10 wird bei einer Beleuchtungsstärke von 25 1 χ erreicht. Die Blende wird auf einen Wert von 3,5 vergrößert, die Spannung an der Sprühelektrode auf 4,5 kV verringert, und die Ladungs- und Belichtungszeit beträgt 0,01 s.The same recording material is used as in Example 1 and the recording temperature is set to 80 "C. The specific resistance of the photoconductive layer at this temperature is 1.4-10 'ohm · cm. The shear modulus is reduced to a value of 0. 11 kg / cm ^2. The photosensitivity of the photoconductive layer also decreases, and the ratio for the change in resistance of 10 is reached at an illuminance of 25 1 χ The aperture is increased to a value of 3.5, the voltage at the spray electrode reduced to 4.5 kV, and the charge and exposure time is 0.01 s.

Im Ergebnis wird ein Bild erhalten, das von einzelnen Mikro-Deformationen mit Abmessungen von etwa 5 μπι unter guter Wiedergabe von Halbtönen ohne Randeffekt ausgebildet ist. Der Belichtungsspielraum beträgt 1 bis 25 Ix.As a result, an image is obtained that μπι of individual micro-deformations with dimensions of about 5 is formed with good reproduction of halftones without edge effect. The exposure latitude is 1 to 25 Ix.

B e i s ρ i e I 3B e i s ρ i e I 3

Es wird ein Aufzeichnungsmaterial verwendet, das einen flexiblen Schichtträger auf Polyethylenterephthalat-Basis mit einem dünnen Chromüberzug, eine fotoleitfähige Schicht aus Arsentrisulfid sowie eine thermoplastische Speicherschicht aus einem Butylmethacrylat-Styrol-Copolymeren mit einer Dicke von 1 μηπ umfaßt. Die Einfriertemperatur beträgt 45°C, die Fließtemperatur 29° C. Der spezifische Wirkwiderstand beträgt bei einer Dicke von 1,5 μπι 1,2 · 10¹²ohm · cm. Die Aufzeichnungstemperatur wird auf 84° C eingestellt. Der Schubmodul beträgt bei dieser Temperatur 0,105 kg/cm·². Der spezifische Widerstand der fotoleitfähigen Schicht beträgt bei der Aufzeichnungstemperatur 1,4 · 10" Ohm · cm. Die Beleuchtungsstärke zur Erreichung eines Verhältnisses von 10 für die Widerstandsänderung beträgt 200 1 χ, die Ladungs- und Belichtungszeit 0,1 s bei einem Potential von 3 kV. Es wird ein Bild erhalten, das von Verformungen mit Abmessungen von etwa 3 μίτι gebildet wird, das Halbtöne in einem Belichtungsbereich von 27 bis 200 1 χ abbildet.A recording material is used which comprises a flexible support based on polyethylene terephthalate with a thin chrome coating, a photoconductive layer made of arsenic trisulfide and a thermoplastic storage layer made of a butyl methacrylate-styrene copolymer with a thickness of 1 μm. The freezing temperature is 45 ° C., the flow temperature 29 ° C. The specific effective resistance is 1.2 · 10 ¹² ohm · cm at a thickness of 1.5 μm. The recording temperature is set to 84 ° C. The shear modulus at this temperature is 0.105 kg / cm · ² . The specific resistance of the photoconductive layer at the recording temperature is 1.4 · 10 ″ ohm · cm kV. An image is obtained which is formed by deformations with dimensions of about 3 μίτι, which depicts halftones in an exposure range of 27 to 200 1 χ.

Beispiel 4Example 4

Es wird ein Aufzeichnungsmaterial analog Beispiel 3 verwendet, bei dem die fotoleitfähige Schicht aus Arsentriselenid hergestellt ist. Die Aufzeichnungstempcraiur wird auf 70"C eingestellt. Bei dieser Temperatur beträgt der Schubmodul 0,6 kg/cm², der spezifische Wirkwiderstand der thermoplastischen Schicht 7 - 10¹¹OhIT) · cm bei einer Dicke von 0,3 μπι und der entsprechende Widerstand der fotoleitfähigen Schicht 3 · 10^lflOhm · cm. Bei einer Beleuchtungsstärke von 1 1 χ beträgt das Verhältnis der Widerstandsänderung 8. Für eine Belichtungszeit von 0,1 s und ein Potential von 6 kV ergibt sich ein Bild mit einer Abbildung von Halbtongradationen in einem Bereich von Beleuchtungsstärken von 0,13 1 χ bis 1 1 χ.A recording material analogous to Example 3 is used, in which the photoconductive layer is made of arsenic triselenide. The recording temperature is set to 70 ° C. At this temperature, the shear modulus is 0.6 kg / cm ² , the specific resistance of the thermoplastic layer is 7-10 ¹¹ OhIT) · cm at a thickness of 0.3 μm and the corresponding resistance is Photoconductive layer 3 · 10 ^lfl ohm · cm At an illuminance of 1 1 χ the ratio of the change in resistance is 8. For an exposure time of 0.1 s and a potential of 6 kV, an image is obtained with an image of halftone gradations in one area of illuminance levels from 0.13 1 χ to 1 1 χ.

Beispiel 5Example 5

Es wird ein Aufzeichnungsmaterial verwendet, das einen 50 μΐη starken flexiblen Schichtträger auf der Basis von Polyethylenterephthalat mit einem Gehall von 0,5 Gew.-Teilen 1,1-Diacetylferrocen aufweist. Auf den Schichtträger wird durch Vakuumbedampfen eine fotoleitfühige Schicht aus amorphem Ar.senselenid mit einer Dicke von 2 μπι aufgetragen. Auf die fotoleitfähige Schicht wird durch Aufgießen einer toluolischen Lösung eine thermoplastische Schicht aufgebracht, die ein Tcrpolymeres auf der Basis Slyrol-Butylmethacrylat-Vinylphenylisocyanat und eine Stärke von 1,5 μίτι aufweist. Die Monomerbestandieile des Terpolymeren liegen im folgenden Verhältnis vor(Mol-°/o):A recording material is used which has a 50 μm thick flexible layer support on the base of polyethylene terephthalate with a content of 0.5 part by weight of 1,1-diacetylferrocene. On the A photoconductive layer of amorphous ar.senselenide with a Thickness of 2 μπι applied. A toluene solution is poured onto the photoconductive layer applied thermoplastic layer, which is a Tcrpolymeres based on slyrole-butyl methacrylate-vinylphenyl isocyanate and has a thickness of 1.5 μίτι. The monomer components of the terpolymer are as follows Ratio before (mol- ° / o):

Styrol 38Styrene 38

Butyl-methacrylat 60Butyl methacrylate 60

Vinylphenylisocyanat 2 t>oVinylphenyl isocyanate 2 t> o

Eine derartige thermoplastische Speicherschicht weist eine Einfrierlemperatur von 33°C und eine Fließtemperatur von 58°C auf. Die Aufzeichnungstemperatur wird auf 48°C eingestellt. Der spezifische Wirkwiderstand der fotoleitfähigen Schicht beträgt bei dieser Temperatur 10¹² Ohm · cm. Das Verhältnis der Widerstandsänderung bei der Belichtung beträgt 10 bei einer Beleuchtungsstärke von 16 1 χ. Die Ladespannung wird mit 4,5 kV vorgegeben. Es ergibt sich ein von lokalen Verformungen mit Abmessungen von ca. 2 μπι gebildetes Bild, das Halbtöne in einem Beleuchtungsstärken-Bereich von 6 bis 20 1 χ abbildet. Während der Aufzeichnung kommt es zu einer Vernetzung von Molekülen, die es gestattet, das erhaltene Bild über längere Zeiträume bei erhöhtenSuch a thermoplastic storage layer has a freezing temperature of 33 ° C and a flow temperature of 58 ° C. The recording temperature is set to 48 ° C. The specific resistance of the photoconductive layer at this temperature is 10 ¹² ohm · cm. The ratio of the change in resistance during exposure is 10 at an illuminance of 16 1 χ. The charging voltage is given as 4.5 kV. The result is an image formed by local deformations with dimensions of approx. 2 μm, which depicts halftones in an illuminance range from 6 to 20 1 χ. During the recording, there is a crosslinking of molecules, which allows the image obtained to be viewed over long periods of time at increased levels

Temperaturen aufzubewahren. Eine Bildlöschung war bei der Speicherung eines Musters bet der Fließtemperatur im Verlaufe von 5 Sld. nicht zu verzeichnen.Temperatures. An image erasure was when a pattern was saved as the flow temperature in the course of 5 Sld. not recorded.

Beispiel 6Example 6

Es wird ein Aufzeichnungsmaterial mit der gleichen .Schichtfoigc wie in Beispiel 5 verwendet, bei dem die thermoplastische Speicherschicht eine Dicke von 3,2 μπι aufweist und aus einem Terpolymcren Styrol-Butylmethacrylat-Vinylphenylisothiocyanal in folgendem Komponcntcnvcrhältnis (Mol-%) besteht:A recording material with the same .Schichtfoigc as in Example 5 is used, in which the thermoplastic storage layer has a thickness of 3.2 μm and consists of a terpolymer styrene-butyl methacrylate-vinylphenylisothiocyanal consists of the following component ratio (mol%):

to Styrol 30to styrene 30

Butylmethacrylat 60Butyl methacrylate 60

Vinylphenylisothiocyanat 10Vinyl phenyl isothiocyanate 10

Die Einfrieriemperatur beträgt 55°C,die Fließtemperatur 70"C. Die Aufzeichnung.stcmpcratur wird auf 60°CThe freezing temperature is 55.degree. C., the flow temperature is 70.degree. C. The recording temperature is set to 60.degree

Ij eingestellt. Bei diesen Temperatur beträgt der spezifische Wirkwiderstand der fotolcitfähigcn Schicht 10" Ohm - cm, und bei einer Beleuchtungsstärke von 28 1 χ beträgt das Verhältnis der Widerstandsänderung 9.Ij set. At this temperature the specific resistance of the photoconductive layer is 10 "Ohm - cm, and at an illuminance of 28 1 χ the ratio of the change in resistance is 9.

Es ergibt sich ein von lokalen Verformungen mit Abmessungen von ca. 2,5 μΐη gebildetes Bild, das Halbtöne in einem Beleuchlungsstärkenbereich von 2 bis 25 1 χ wiedergibt.The result is an image formed by local deformations with dimensions of approx. 2.5 μΐη, which is halftones in an illuminance range from 2 to 25 1 χ.

Beispiel 7Example 7

Es wird ein Aufzeichnungsmaterial mit der gleichen Schichtfolge wie in Beispiel 5 verwendet, bei dem die thermoplastische Speicherschicht 2 μπι dick ist und aus einem Terpolymeren Styrol-Butylmethacryiat-Vinylphenylamin mit folgendem Komponentenverhältnis (Mol-%) besteht: 25 A recording material with the same layer sequence as in Example 5 is used, in which the thermoplastic storage layer is 2 μm thick and consists of a terpolymer styrene-butyl methacrylate-vinylphenylamine with the following component ratio (mol%): 25

Styrol 32Styrene 32

Butylmethacrylat 60Butyl methacrylate 60

Vinylphenylamin 8Vinylphenylamine 8

Die Einfriertemperatur beträgt45°C, die Fließtemperatur 82"C. Die Aufzeichnungstemperatur wird mit 68°C gewählt Bei dieser Temperatur beträgt der spezifische Wirkwiderstand der fotoleitfähigen Schicht 2,5 - 10" Ohm · cm, und das Verhältnis für die Widerstandsänderung von 10 wird bei einer Beleuchtungsstärke von 35 1 χ erreicht. Es wird ein von lokalen Verformungen mit Abmessungen von 1 μηι gebildetes Bild erhalten, das Halbtöne in einem Bereich von 10 bis 40 1 χ wiedergibt. Die erhaltenen Bilder können beliebig lange gespeichert werden. Die Beständigkeit der aufgezeichneten Bilder ermöglicht eine Verwendung des Aufzeichnungsmaterials zum Mehrfachkopieren.The freezing temperature is 45 ° C, the flow temperature 82 "C. The recording temperature becomes 68 ° C selected The specific resistance of the photoconductive layer is at this temperature 2.5-10 "ohm · cm, and the ratio for change in resistance of 10 becomes at illuminance of 35 1 χ achieved. An image formed by local deformations with dimensions of 1 μm is obtained, that reproduces semitones in a range of 10 to 40 1 χ. The images obtained can be of any length get saved. The durability of the recorded images enables the recording material to be used for multiple copying.

Beispiel 8Example 8

Es wird ein Aufzeichnungsmaterial mit der gleichen Schichtfolge wie in Beispiel 5 verwendet, bei dem die thermoplastische Speicherschicht eine Dicke von 3,5 μπι aufweist und aus einem Terpolymeren aus Octylmethacrylat-VinylnaphthaUn-Vinylphenylisothiocyanat mit folgendem Komponentenverhältnis (Mol-%) besteht:A recording material with the same layer sequence as in Example 5 is used, in which the thermoplastic storage layer has a thickness of 3.5 μm and consists of a terpolymer of octyl methacrylate-vinylnaphtha-un-vinylphenyl isothiocyanate with the following component ratio (mol%):

Octylmethacrylat 50Octyl methacrylate 50

Vinylnaphthalin 40Vinyl naphthalene 40

Vinylphenylisothiocyanat 10Vinyl phenyl isothiocyanate 10

Die Einfriertemperatur beträgt 54°C und die Fließtemperatur 67"C. Die Aufzeichnungstemperatur wird auf 60⁰C eingestellt Der spezifische Wirkwiderstand der fotoleitfähigen Schicht beträgt bei der Aufzeichnungstemperatur 5,8 · 10" Ohm - cm, und ein Verhältnis von 9 für die Widerstandsänderung wird bei einer Beleuchtungsstärke von 28 1 χ erreicht Das Potential des Sprühfadens beträgt 5 kV, die Ladungs- und Belichtungszeit 0,4 s. Es wird ein von tokalen Verformungen mit Abmessungen von etwa 2 μιη gebildetes Bild erhalten. Der Belichtungsspielraum für die von dem Aufzeichnungsmaterial registrierten Beleuchtungsstärken beträgt 0,2 bis 26 1 χ.The glass transition temperature is 54 ° C and the flow temperature of 67 Ohm "C, the recording temperature is set at 60 ⁰ C. The specific effective resistance of the photoconductive layer is 5.8 × 10 at the recording temperature." - cm, and a ratio of 9 for the resistance change is achieved at an illuminance of 28 1 χ The potential of the spray thread is 5 kV, the charging and exposure time 0.4 s. An image formed by tocal deformations with dimensions of about 2 μm is obtained. The exposure latitude for the illuminance levels recorded by the recording material is 0.2 to 26 1 χ.

Beispiel 9Example 9

Es wird ein Aufzeichnungsmaterial mit der gleichen Schichtfolge wie in Beispiel 5 verwendet, bei dem die thermoplastische Speicherschicht eine Dicke von 1,5 μπι aufweist und aus einem Terpolymeren aus Octylmethacrylat-FluorstyroI-Vinylphenylamin bei folgendem Komponentenverhältnis (Mol-%) besteht:A recording material with the same layer sequence as in Example 5 is used, in which the thermoplastic storage layer has a thickness of 1.5 μm and consists of a terpolymer of octyl methacrylate-fluorostyrene-vinylphenylamine with the following component ratio (mol%):

Octylmethacrylat 50Octyl methacrylate 50

Fluorstyrol 35Fluorostyrene 35

Vinylphenylamin 15Vinylphenylamine 15

Die Einfriertemperatur beträgt 35°C, die Fließtemperatur 64°C. Die Aufzeichnungstemperatur wird auf 50⁰C eingestellt. Bei dieser Temperatur beträgt der spezifische Wirkwiderstand der fotoleitfähigen Schicht 9 - 10^u Ohm · cm, und ein Verhältnis von 10 für die Widerstandsänderung wird bei einer Beleuchtungsstärke von 16 1 χ erreicht. Das auf dem Aufzeichnungsmaterial ausgebildete-Bild wird von lokalen Verformungen mitThe freezing temperature is 35 ° C, the flow temperature 64 ° C. The recording temperature is adjusted to 50 ⁰ C. At this temperature, the specific contact resistance of the photoconductive layer is 9 - 10 ^u ohm-cm, and a ratio of 10 for the resistance change is χ achieved at an illuminance of 16. 1 The image formed on the recording material is affected by local deformations

Abmessungen von 2,5 μιη gebildet und gibt Halblönc in einem Beleuchtungsstärken-Bereich von 0,2 bis 26 1 χ wieder.Dimensions of 2.5 μιη formed and gives Halblönc in an illuminance range of 0.2 to 26 1 χ again.

Beispiel 10Example 10

Es wird ein Aufzeichnungsmaterial mit einem flexiblen Schichtträger, der eine Polyethylentercphthalat-Basis mit einer leitenden Chrom-Überzugsschicht aufweist, verwendet, das als fotoleitfähige Schicht eine im Vakuum aufgedampfte Arsentriselenid-Schicht mit einer Thallium-Dotierung in einer Menge von 5 Gew.-% aufweist. Die Dicke der fotoleitfähigen Schicht beträgt 2 μιη, der spezifische Dunkelwiderstand bei der Aufzeichnungstemperalur5 -10" Ohm · cm. Bei einer auffallenden Energie von 5 ■ 10~ ⁷ J/cm² und einer Wellenlänge des verwendeten Lichts von 0,7 μίτι beträgt das Verhältnis der Widerstandsänderung der fotoleitfähigen Schicht gleich 15. Durch Aufgießen wird eine thermoplastische Speicherschicht aus einem Terpolymeren folgender Zusammensetzung aufgebracht:A recording material is used with a flexible layer support which has a polyethylene terephthalate base with a conductive chromium coating layer and which has, as the photoconductive layer, an arsenic triselenide layer with a thallium doping in an amount of 5% by weight which is vapor-deposited in vacuo . The thickness of the photoconductive layer is 2 μιη, the specific dark resistance at the recording temperature 5 -10 "ohm · cm. With a striking energy of 5 · 10 ~ ⁷ J / cm ² and a wavelength of the light used of 0.7 μίτι the ratio the change in resistance of the photoconductive layer is equal to 15. A thermoplastic storage layer made of a terpolymer of the following composition is applied by casting:

30 Mol-% Styrol, 60 Mol-% Butylmethacrylat und
10 Mol-% Vinylphenylisothiocyanat.30 mol% styrene, 60 mol% butyl methacrylate and
10 mole percent vinyl phenyl isothiocyanate.

Die Dicke der thermoplastischen Speicherschicht beträgt 1,5 μιη, die Einfrieriemperatur 55°C, die Fließtemperatur 70°C. Der Elastizitätsmodul ist bei der Aufzeichnungstemperatur 0,12 kg/cm².The thickness of the thermoplastic storage layer is 1.5 μm, the freezing temperature 55 ° C, the flow temperature 70 ° C. The elastic modulus at the recording temperature is 0.12 kg / cm ² .

Die Bildaufzeichnung erfolgt unter Vorerwärmung des Aufzeichnungsmateriais auf eine Temperatur von 6O⁰C und bei einer Spannung an der Sprühelektrode von 4,5 kV. Die Aufladungszeit ist gleich der Belichtungszeit und beträgt 0,2 s. Es wird mit Licht verschiedener Wellenlängen in einem Bereich der auffallenden Energie von 3 · 10~⁸ bis 10~⁶ J/cm² belichtet. Es wird ein von lokalen Verformungen der thermoplastischen Schicht mit Abmessung von 1 μιη gebildetes Bild für Wellenlängenbereiche von 0,5 bis 1 μιη erhalten. Die Spektralempfindlichkeit des verwendeten Aufzeichnungsmaterials ist somit verglichen mit einem Aufzeichnungsmaterial unter Verwendung von undotiertem Arsentriselenid um 0,2 μιη in den langwelligen Bereich verschoben.The image recording is carried out under preheating the Aufzeichnungsmateriais to a temperature of 6O ⁰ C and at a voltage to the discharge electrode of 4.5 kV. The charging time is equal to the exposure time and is 0.2 s. It is exposed to light of different wavelengths in a range of the incident energy of 3 × 10 ^-8 to 10 ^-6 J / cm ^2. An image formed by local deformations of the thermoplastic layer with dimensions of 1 μm is obtained for wavelength ranges from 0.5 to 1 μm. The spectral sensitivity of the recording material used is thus shifted by 0.2 μm into the long-wave range compared with a recording material using undoped arsenic triselenide.

Beispiel 11Example 11

Es wird ein Aufzeichnungsmaterial mit der in Beispiel 10 beschriebenen Schichtfolge verwendet, bei dem sich die 2 μιη dicke fotoleitfähige Schicht aus Arsenselenid zusammensetzt, das mit Wismut in einer Menge von 7 Gew.-% dotiert ist. Der spezifische Dunkelwiderstand der fotoleitfähigen Schicht beträgt bei der Aufzeichnungstemperatur 7 ■ 10¹⁰Ohm · cm.A recording material with the layer sequence described in Example 10 is used in which the 2 μm thick photoconductive layer is composed of arsenic selenide doped with bismuth in an amount of 7% by weight. The specific dark resistance of the photoconductive layer at the recording temperature is 7 ^{× 10 10} ohm · cm.

Zur Bildaufzeichnung wird das Aufzeichnungsmaterial auf eine Temperatur von 6O⁰C erwärmt und die Spannung an der Sprühelektrode wird auf 4,5 kV eingestellt. Die Aufladungszeit ist gleich der Belichtungszeit und beträgt 0,05 s. Die Belichtung erfolgt mit einer Strahlung unterschiedlicher spektraler Zusammensetzung in einem Wellenlängenbereich von 0,6 bis 1,0 μπι mit Energien von 10 -"* bis 10~⁷ J/cm².For image recording, the recording material is heated to a temperature of 6O ⁰ C and the voltage on the discharge electrode is set to 4.5 kV. The charging time is equal to the exposure time and is 0.05 s. The exposure takes place with radiation of different spectral composition in a wavelength range from 0.6 to 1.0 μm with energies from 10- "* to 10 ~ ⁷ J / cm ² .

Auf dem Aufzeichnungsmaterial bildet sich ein Verformungsbild im Wellenlängenbereich von 0,6 bis 1,0 μηι aus. Der Bereich der spektralen Empfindlichkeit überschreitet den Bereich der spektralen Empfindlichkeit eines Aufzeichnungsmaterials unter Verwendung von undotiertem Arsentriselenid um 0,2 μηι.A deformation image in the wavelength range from 0.6 to 1.0 μm is formed on the recording material the end. The range of spectral sensitivity exceeds the range of spectral sensitivity of one Recording material using undoped arsenic triselenide by 0.2 μm.

Beispiel 12Example 12

Es wird ein Aufzeichnungsmaterial mit der gleichen Schichtfolge wie in Beispiel 10 verwendet, bei dem die 1,5 μηι dicke thermoplastische Speicherschicht aus einem Terpolymeren Styrol-Butylmethacrylat-Vinylphenylisocyanat mit folgendem Komponentenverhältnis (Mol-%) besteht:A recording material with the same layer sequence as in Example 10 is used, in which the 1.5 μm thick thermoplastic storage layer made of a terpolymer styrene-butyl methacrylate-vinylphenyl isocyanate with the following component ratio (mol%):

Styrol 38Styrene 38

Butylmethacrylat 60Butyl methacrylate 60

Vinylphenylisocyanat 2Vinyl phenyl isocyanate 2

Die Einfriertemperalur beträgt 33°C, die Fließtemperatur 58" C. Die fololeitfähige Schicht weist eine Dicke von 2,5 μιη auf und ist aus Selen der monoklinen Modifikation hergestellt. Ihr spezifischer Dunkelwiderstand beträgt 10¹⁰Ohm · cm. Das Verhältnis der Widerstandsänderung ist bei einer Beleuchtungsstärke von 2 1 χ gleich 15.The freezing temperature is 33 ° C., the flow temperature 58 "C. The foil-conductive layer has a thickness of 2.5 μm and is made from selenium of the monoclinic modification. Its specific dark resistance is 10 ¹⁰ ohm · cm. The ratio of the change in resistance is at an illuminance of 2 1 χ equals 15.

Zur Bildaufzeichnung wird das Aufzeichnungsmaterial auf 48°C erwärmt, und die Aufladung erfolgt mit einer Sprühelektrode einer Spannung von 4,5 kV. Gleichzeitig wird das Aufzeichnungsmaterial für einen Zeitraum von 0,1 s belichtet. Das aufprojizierte Bild wird in Form lokaler Deformationen der thermoplastischen Speicherschicht abgebildet, die Halbtöne in einem Bereich von Beleuchtungsstärken von 0,1 bis 2 1 χ wiedergeben. Die niedrigen Werte der registrierten Beleuchtungsstärken belegen eine erhebliche Empfindlichkeitszunahme des verwendeten Aufzeichnungsmateriais für die einmalige Benutzung gegenüber Aufzeichnungsmatcrialien auf der Basis anderer fotoleitfähiger Schichten.For image recording, the recording material is heated to 48 ° C. and charged with a Spray electrode with a voltage of 4.5 kV. At the same time the recording material is used for a period of time exposed for 0.1 s. The projected image is in the form of local deformations of the thermoplastic storage layer that reproduce halftones in a range of illuminance levels from 0.1 to 2 1 χ. the low values of the registered illuminance levels show a considerable increase in the sensitivity of the used recording materials for single use compared to recording materials on the Base of other photoconductive layers.

B e i s ρ i e I 13 ö5B e i s ρ i e I 13 ö5

Es wird ein Aufzeichnungsmaterial mit der gleichen Schichtfolge wie in Beispiel 10 verwendet, bei dem die fotoleitfähige Schicht eine Stärke von 2 μηι aufweist und aus amorphem Galliumtriselenid hergestellt ist. Bei derA recording material with the same layer sequence as in Example 10 is used, in which the photoconductive layer has a thickness of 2 μm and is made of amorphous gallium triselenide. In the

Aufzeichnungstemperatur beträgt der spezifische Dunkelwiderstand der fotoleitfähigen Schicht 10¹⁰ Ohm · cm. Das Verhältnis für die Widerstandsänderung beträgt bei einer Beleuchtungsstärke von 12 1 χ 15.Recording temperature, the specific dark resistance of the photoconductive layer is 10 ¹⁰ ohm · cm. The ratio for the change in resistance is 1 χ 15 at an illuminance of 12.

Die Bildaufzeichnung erfolgt mit einem Aufzeichnungsmaterial einer Temperatur von 60'C. Die Spannung der Sprühelektrode beträgt 4,5 kV, und während der Aufladung wird eine Belichtung für einen Zeitraum von 0,01 s durchgeführt Es bildet sich ein Bild aus, das Halbtöne für einen Beleuchtungsstärkenbcreich von 5 bis 12 1 χ bei kurzen Ladungs- und Belichtungs-Zeiten wiedergibt.The image is recorded with a recording material at a temperature of 60.degree. The voltage of the spray electrode is 4.5 kV, and during charging there is an exposure for a period of 0.01 s carried out An image is formed that contains halftones for an illuminance range of 5 to 12 1 χ with short charging and exposure times.

Beispiel 14Example 14

ίο Es wird ein Aufzeichnungsmaterial mit der gleichen Schichtfolge wie in Beispiel 10 verwendet, dessen 2,5 μηι dicke fotoleitfähige Schicht aus einem Cadmiumsclcnid mit persistenter Leitfähigkeit hergestellt ist. Der spezifische Dunkelwiderstand der fotoleitfähigen Schicht beträgt bei der Aufzeichnungstemperatur 10'" Ohm · cm. Ein Verhältnis von 10 für die Widerstandsänderung wird bei einer Beleuchtungsstärke von b 1 χ erreicht. Der Wert der persistenten Leitfähigkeit beträgt 1 Sek. nach der Abschaltung der Belichtung 80% des vorherigen Wertes.ίο A recording material with the same layer sequence as in Example 10 is used, whose 2.5 μm thick photoconductive layer is made of a cadmium chloride with persistent conductivity. The specific one Dark resistance of the photoconductive layer at the recording temperature is 10 '"ohm · cm. A ratio of 10 for the change in resistance is achieved with an illuminance of b 1 χ. Of the The value of the persistent conductivity is 80% of the previous one 1 second after switching off the exposure Worth.

Zur Bildaufzeichnung wird der Träger auf 60"C vorerwärmt. Gleichzeitig werden die Spannung an der Sprühelektrode (4,5 kV) und die Belichtung eingeschaltet. Die Belichtungszeit beträgt 0,01 s. Danach wird die Belichtung eingestellt und die Aufladung des Trägers für weitere 0.5 s fortgesetzt. Die Ausbildung und die Verstärkung des Bildkontrastes erfolgen nach dem Abschalten der Belichtung aufgrund der persistenten Leilfähigkeit For image recording, the carrier is preheated to 60 ° C. At the same time, the voltage at the spray electrode (4.5 kV) and the exposure are switched on. The exposure time is 0.01 s. The exposure is then stopped and the carrier is charged for a further 0.5 s continued The development and intensification of the image contrast take place after the exposure is switched off due to the persistent leilability

Beispiel 15Example 15

Es wird ein Aufzeichnungsmaterial mit der gleichen Schichtfolge wie in Beispiel 10 verwendet, bei dem als fotoleitfähige Schicht eine HeteroStruktur auf der Basis von Cadmiumsulfid sowie Arsenselenid, das mit Thallium in einer Menge von 5 Gew.-% dotiert ist, verwendet wird. Die Schichtdicke des Cadmiumsulfids beträgt 1 μηι, und ein Verhältnis von 10 für die Widerstandsänderung bei Belichtung wird bei einer Beleuchtungsstärke von 11 χ erreicht Der spezifische Dunkelwiderstand beträgt 10^l" Ohm - cm. Die Schichtdicke des mit Thallium dotierten Arsenselenids beträgt 1,5 μΐη. Der spezifische Gesamt-Wirkwiderstand der fotoleitfähigen Schicht beträgt 10^u Ohm - cm. Bei der Bildaufzeichnung wird das Aufzeichnungsmaterial auf eine Temperatur von 60⁰C erwärmt und durch eine Corona-Entladung bei einer Spannung von 4,5 kV an der Sprühelektrode aufgeladen. Die Ladungszeit ist gleich der Belichtungszeit und beträgt 0,5 s. Das Bild wird in Form lokaler Verformungen der thermoplastischen Schicht mit Unterschieden der Verformungsdichte zwischen Abschnitten verschiedener Beleuchtungsstärke ausgebildet Die Bildaufzeichnung ist in einem weiten Spektralbereich von 0,4 bis 1 μπι möglich.A recording material with the same layer sequence as in Example 10 is used, in which a heterostructure based on cadmium sulfide and arsenic selenide doped with thallium in an amount of 5% by weight is used as the photoconductive layer. The layer thickness of the cadmium sulfide is 1 μm, and a ratio of 10 for the change in resistance during exposure is achieved at an illuminance of 11 χ. The specific dark resistance is 10 ^l "ohm-cm. The layer thickness of the thallium-doped arsenic selenide is 1.5 μm. The specific total effective resistance of the photoconductive layer is 10 ^u ohm-cm. During image recording, the recording material is ^{heated to a temperature of 60 °} C. and charged by a corona discharge at a voltage of 4.5 kV at the spray electrode is equal to the exposure time and is 0.5 s. The image is formed in the form of local deformations of the thermoplastic layer with differences in the deformation density between sections of different illuminance levels.

Beispiel 16Example 16

Das Aufzeichnungsmaterial weist einen 50 μηι dicken flexiblen Schichtträger auf der Basis von Polyethylenterephthalat auf, das 0,5 Gew.-Teile 1,1-Diacetylferrocen enthält Auf den Schichtträger ist eine 50 nm dicke elektrisch leitende Chromschicht vakuumaufgedampft Auf diese Chromschicht wurde ebenfalls durch Vakuumaufdampfen eine fotoleitfähige Schicht aus amorphem Galliumselenid einer Dicke von 3 μπι aufgebracht. Auf dieser Schicht ist durch Aufgießen einer toluolischen Lösung eine 2 μΐη dicke Schicht aus einem Terpolymeren Styrol-Butylmethacrylat-Vinylphenylisocyanat vorliegen (MoI-%):The recording material has a 50 μm thick flexible layer support based on polyethylene terephthalate which contains 0.5 part by weight of 1,1-diacetylferrocene. The layer support is 50 nm thick Electrically conductive chromium layer vacuum-deposited onto this chromium layer, likewise by means of vacuum deposition applied a photoconductive layer of amorphous gallium selenide a thickness of 3 μm. on this layer is a 2 μm thick layer of a terpolymer by pouring on a toluene solution Styrene-butyl methacrylate-vinylphenyl isocyanate are present (MoI-%):

Styrol 38Styrene 38

Butylmethacrylat 60Butyl methacrylate 60

Vinylphenylisocyanat 2Vinyl phenyl isocyanate 2

so Die erhaltene thermoplastische Schicht weist eine Grenzviskosität von 0,21, eine Einfriertemperatur von 33°C und eine Fließtemperatur von 58°/o°C auf. Die Aufzeichnungstemperatur des Aufzeichnungsmaterials betrug 48° C, das Potential der Sprühelektrode 4,5 kV. Die Empfindlichkeit des Aufzeichnungsmaterials betrug 10⁷ cm²/J. Die Speicherzeit für das Bild ist bei einer Temperatur von 20⁰C praktisch unbegrenztThe thermoplastic layer obtained has an intrinsic viscosity of 0.21, a glass transition temperature of 33.degree. C. and a flow temperature of 58.degree. The recording temperature of the recording material was 48 ° C. and the potential of the spray electrode was 4.5 kV. The sensitivity of the recording material was 10 ⁷ cm ² / yr. The storage time for the image is practically unlimited ^{at a temperature of 20 ° C}

Beispiel 17Example 17

Das Aufzeichnungsmaterial weist die gleiche Schichtfolge wie in Beispiel 16 auf und ist auf die gleiche Weise hergestelltThe recording material has the same layer sequence as in Example 16 and is in the same way manufactured

Die thermoplastische Schicht ist 3 μπι dick und besteht aus einem Terpolymeren Styrol-Butylmethacrylat-Vinylphenylamm mit folgendem Komponentenverhältnis (Mol-%):The thermoplastic layer is 3 μm thick and consists of a terpolymer styrene-butyl methacrylate-vinylphenylamm with the following component ratio (mol%):

Styrol . 32Styrene. 32

Butylmethacrylat .60Butyl methacrylate .60

Vinylphenylamin 8Vinylphenylamine 8

Die Grenzviskosität der thermoplastischen Schicht beträgt 0.17. die Einfriertemperatur 45°C und die Fließtemperatur 82°C. Die Aufzeichnungstemperatur betrug 65°C. das Potential der Sprühelektrode 4,5 kV. Die Empfindlichkeit des Aufzeichnungsmatcrials beträgt 10⁷ cm²/J.The intrinsic viscosity of the thermoplastic layer is 0.17. the freezing temperature 45 ° C and the flow temperature 82 ° C. The recording temperature was 65 ° C. the potential of the spray electrode 4.5 kV. The sensitivity of the recording material is 10 ⁷ cm ² / J.

Claims (19)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Fotothcrmoplastisches Aufzeichnungsverfahren für eine optische Information auf einem Aufzeichnungsmaterial mit einer fololeilfähigcn Schicht und mit einer thermoplastischen Spcichcrschicht. das die ■3 Vorgänge einer Aufladung der thermoplastischen Spcicherschicht, einer bildmäßigen Belichtung der fotolcit-1. Photo-thermoplastic recording process for optical information on a recording material with a film-permeable layer and with a thermoplastic memory layer. that the ■ 3 processes of a charging of the thermoplastic storage layer, an imagewise exposure of the photolite fähigen Schicht, einer Erwärmung und einer Kühlung des Aufzeichnungsmaterial zur Fixierung eines durch Obcrflächenrauhigkeilen der thermoplastischen Speicherschicht gebildeten sichtbaren Bildes einschließt, dadurch gekenn zeichne t,capable layer, heating and cooling of the recording material to fix a through Includes surface roughness wedges of the thermoplastic storage layer formed visible image, characterized, to a) daß die thermoplastische Speicherschicht des Aufzeichnungsmaterials auf eine aus einem Temperaturbereich zwischen ihrer Einfrier- und ihrer Fließtemperatur gewählte Temperatur vorgewärmt wird, die bis zur Beendigung der Aufladung und bildmäßigen Belichtung aufrecht erhalten wird,to a) that the thermoplastic storage layer of the recording material on one of a temperature range between its freezing and its flow temperature selected temperature is preheated, the is maintained until the end of charging and imagewise exposure, b) daß die Aufladung und die bildmäßige Belichtung des Aufzeichnungsmaterial gleichzeitig erfolgen,b) that the charging and the imagewise exposure of the recording material take place simultaneously, c) daß die Aufladungsrate der thermoplastischen Schicht so bemessen ist, daß die elektrostatischen Kräfte pro Flächeneinheit in den unbelichteten Bereichen des Aufzeichnungsmaterials um 5—10% kleiner sind als der Wert des Schubmoduls des Werkstoffes der thermoplastischen Speicherschicht bei der Aufzeichnungstemperatur, c) that the charging rate of the thermoplastic layer is such that the electrostatic forces per unit area in the unexposed areas of the recording material are 5-10% smaller as the value of the shear modulus of the material of the thermoplastic storage layer at the recording temperature, d) daß die Beleuchtungsstärke so bemessen ist. daß sich in den Bereichen maximaler Helligkeit der Widerstand der fotoleitfähigcn Schicht gegenüber dem Dunkelwiderstand um das 10—15fache ändert,d) that the illuminance is so dimensioned. that in the areas of maximum brightness the The resistance of the photoconductive layer to the dark resistance changes by 10-15 times, e) daß die Zeit für die Aufladung und bildmäßige Belichtung durch die Gleichunge) that the time for charge and imagewise exposure by the equation bestimmt ist,is determined worin t_s die Aufladungszeit, /„, die Belichtungszeit, τ die Dunkelrelaxationszeit für die Ladung auf dem Aufzeichnungsmaterial und k das Verhältnis von Dunkelwiderstand zum Widerstand der fotoleitfähigen Schicht im Bereich maximaler Helligkeit bedeuten, oderwhere t _{s is} the charging time, / n, the exposure time, τ is the dark relaxation time for the charge on the recording material and k is the ratio of dark resistance to resistance of the photoconductive layer in the region of maximum brightness, or f) daß alternativ bei Verwendung einer fotoleitfähigen Schicht mit Gedächtnis-Effekt die Belichtungszeit i_m um das N-fache gegenüber der Aufladungszeit t_s verringert wird, wobei der Wert N nach der Gleichungf) that alternatively, when using a photoconductive layer with memory effect, the exposure time i _m is reduced by N times compared to the charging time t _s , the value N according to the equation α ·β - Uj
35 α · β - Uj
35 bestimmt ist in der <x,ß, γ Parameter bezeichnen, die den zeitlichen Abfall der persistenten Leitfähigkeit der fotoleitfähigen Schicht nach Beendigung der Belichtung kennzeichnen.is determined in the <x, ß, γ denote parameters that characterize the temporal decrease in the persistent conductivity of the photoconductive layer after the end of the exposure. 2. Aufzeichnungsmaterial zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, mit einem elektrisch leitenden Schichtträger, einer fotoleitfähigen Schicht aus einem anorganischen Fotoleiter und einer thermoplastischen Speicherschicht auf der fotoleitfähigen Schicht, dadurch gekennzeichnet,2. Recording material for carrying out the method according to claim 1, with an electrically conductive one Layer base, a photoconductive layer made of an inorganic photoconductor and a thermoplastic Storage layer on the photoconductive layer, characterized in that a) daß die thermoplastische Speicherschicht innerhalb eines zwischen ihrer Einfricr- und ihrer Fließtemperatur gelegenen Temperaturbereiches einen spezifischen Widerstand unterhalb von 10^l3Ohm · cm aufweist und mit der fotoleitfähigen Schicht in elektrischem Kontakt steht,a) that the thermoplastic storage layer has a resistivity below 10 ^l3 ohm cm within a temperature range between its freezing temperature and its flow temperature and is in electrical contact with the photoconductive layer, b) daß die fotoleitfähige Schicht in dem unter a) angegebenen Temperaturbereich einen spezifischen Widerstand zwischen 10¹⁰und 10^I2Ohm - cm besitzt, der jedoch mindestens um den Faktor 10 innerhalb des spezifischen Widerstandes der thermoplastischen Speicherschicht liegt, wobeib) that the photoconductive layer in the temperature range specified under a) has a specific resistance between 10 ¹⁰ and 10 ^I2 ohm-cm, which, however, is at least a factor of 10 within the specific resistance of the thermoplastic storage layer, wherein c) die Gesamldicke der fotoleitfähigen und der thermoplastischen Speicherschicht unter 5 μπι liegtc) the total thickness of the photoconductive and the thermoplastic storage layer is below 5 μm 3. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 2 zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1 gemäß Merkmal f), dadurch gekennzeichnet, daß die Fotoleitfähige Schicht aus einem anorganischen Fotoleiter mit persistenter Leitfähigkeit hergestellt ist3. Recording material according to claim 2 for performing the method according to claim 1 according to Feature f), characterized in that the photoconductive layer consists of an inorganic photoconductor with persistent conductivity is established 4. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die fotoleitfähige Schicht aus einem amorphen Arsenchalkogenid hergestellt ist, das mit Thallium in einer Menge von 1—7 Gew.-°/o dotiert ist4. Recording material according to claim 2 or 3, characterized in that the photoconductive layer is made from an amorphous arsenic chalcogenide mixed with thallium in an amount of 1-7% by weight is endowed 5. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 2 oder 3. dadurch gekennzeichnet, daß die fotoleitfähige Schicht aus einem amorphen Arsenchalkogenid hergestellt ist, die mit Wismut in einer Menge von 3—10 Gew.-% dotiert ist5. Recording material according to claim 2 or 3, characterized in that the photoconductive layer is made from an amorphous arsenic chalcogenide, which is mixed with bismuth in an amount of 3–10% by weight is endowed 6. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die fotoleitfähige Schicht aus Selen der monoklinen Modifikation hergestellt ist.6. Recording material according to claim 2 or 3, characterized in that the photoconductive layer is made from selenium of the monoclinic modification. 7. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die fotoleitfähige Schicht aus amorphem Galliumchalkogenid hergestellt ist7. Recording material according to claim 2 or 3, characterized in that the photoconductive layer is made from amorphous gallium chalcogenide 8. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 2^oder 3. dadurch gekennzeichnet, daß die fotoleitfähige Schicht einen zweischichtigen Aufbau aufweist, wobei die Materialien der Einzelschichten jeweils einen spezifischen Widerstand von weniger als 10⁸ Ohm · cm aufweisen und der wirksame spezifische Gesamtwiderstand der fotoleitfähigen Schicht zwischen 10¹⁰ und 10¹² Ohm - cm liegt.8. Recording material according to claim 2 ^ or 3, characterized in that the photoconductive layer has a two-layer structure, the materials of the individual layers each having a specific resistance of less than 10 ⁸ ohm cm and the effective total resistance of the photoconductive layer between 10 ¹⁰ and 10 ¹² ohms - cm. 9. Aufzeichnungsmaterial nach einem der Ansprüche 2 bis 8, bei dem die thermoplastische Spcicherschicht9. Recording material according to one of Claims 2 to 8, in which the thermoplastic storage layer aus einem Kunststoff auf der Basis von Copolymeren von vinylaromatischen Kohlenwasserstoffen und Alkylmethacrylat hergestellt ist, dadurch gekennzeichnet, daß die thermoplastische Speicherschicht aus einem Terpolymeren aus einem vinylaromatischen Kohlenwasserstoff, einem Alkylmethacrylat sowie einem Styrolderivat mit einem chemisch aktiven Rest, der eine Isocyanatgruppe, eine Aminogruppe oder eine Isothiocyanatgruppe sein kann, besteht, wobei das Styrolderivai mit dem chemisch aktiven Rest in einer Menge von 2 bis 10 Mol-% des Terpolymeren vorliegt.made of a plastic based on copolymers of vinyl aromatic hydrocarbons and Alkyl methacrylate is produced, characterized in that the thermoplastic storage layer is made of a terpolymer of a vinyl aromatic hydrocarbon, an alkyl methacrylate and a Styrene derivative with a chemically active radical which is an isocyanate group, an amino group or a Isothiocyanate group, there is, wherein the styrene derivative with the chemically active radical in one Amount of 2 to 10 mole percent of the terpolymer is present. 10. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die thermoplastische Speicherschicht aus einem Terpolymeren aus folgenden Monomer-Komponenten (in Mol-%) hergestellt ist:10. Recording material according to claim 9, characterized in that the thermoplastic storage layer is made from a terpolymer made from the following monomer components (in mol%): Styrol 34-38 toStyrene 34-38 to Butylmethacrylat 56—60Butyl methacrylate 56-60 Vinylphenylisocyanat 2— 6Vinyl phenyl isocyanate 2-6 11. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die thermoplastische Speicherschicht aus einem Terpolymeren aus folgenden Monomer-Komponenten (in Mol-%) hergestellt ist:11. Recording material according to claim 9, characterized in that the thermoplastic storage layer is made from a terpolymer made from the following monomer components (in mol%): Styrol 30-40Styrene 30-40 Butylmethacrylat 55—60Butyl methacrylate 55-60 Viny Iphenylamin 5—10Viny Iphenylamine 5-10 12. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die thermoplastische Speicherschicht aus einem Terpolymeren aus folgenden Monomer-Komponenten (in Mol-%) hergestellt ist:12. Recording material according to claim 9, characterized in that the thermoplastic storage layer is made from a terpolymer made from the following monomer components (in mol%): Styrol 30-40Styrene 30-40 Butylmethacrylat 50—60Butyl methacrylate 50-60 Vinylphenylisothiocyanat 5—10Vinyl phenyl isothiocyanate 5-10 13. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die thermoplastische Speicherschicht aus einem Terpolymeren mit folgender Monomer-Komponenten-Zusammensetzung (in Mol-%) hergestellt ist:13. Recording material according to claim 9, characterized in that the thermoplastic storage layer from a terpolymer with the following monomer component composition (in mol%) is made: Alkylmethacrylat 50-55Alkyl methacrylate 50-55 Styrolderivat mit dem chemisch aktiven Rest 5—10 Vinylnaphthalin 40—45Styrene derivative with the chemically active residue 5–10 Vinyl naphthalene 40-45 14. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die thermoplastische Speicherschicht aus einem Terpolymeren aus folgenden Monomer-Komponenten (in Mol-%) hergestellt ist:14. Recording material according to claim 13, characterized in that the thermoplastic storage layer is made from a terpolymer made from the following monomer components (in mol%): Octylmethacrylat 50—55Octyl methacrylate 50-55 Vinylphenylisocyanat 5— 7Vinyl phenyl isocyanate 5-7 Vinylnaphthalin 43—47Vinyl naphthalene 43-47 15. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die thermoplastische Speicherschicht aus einem Terpolymeren aus folgenden Monomer-Komponenten (in Mol-%) hergestellt ist:15. Recording material according to claim 13, characterized in that the thermoplastic storage layer is made from a terpolymer made from the following monomer components (in mol%): Octylmethacrylat 50—55Octyl methacrylate 50-55 Vinylphenytamin 5—10Vinylphenytamine 5-10 Vinylnaphthalin 40—45Vinyl naphthalene 40-45 16. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die thermoplastische Speicherschicht aus einem Terpolymeren aus folgenden Monomer-Komponenten (in Mol-%) hergestellt ist:16. Recording material according to claim 13, characterized in that the thermoplastic storage layer is made from a terpolymer made from the following monomer components (in mol%): Octylmethacrylat 50—55Octyl methacrylate 50-55 Vinylphenylisothiocyanat 5—10Vinyl phenyl isothiocyanate 5-10 Vinylnaphthalin 40—45Vinyl naphthalene 40-45 17. Aufzeichnungsmaterial nach einem der Ansprüche 2 bis 8, bei dem die thermoplastische Speicherschicht aus einem Kunststoff auf der Basis von Copolymeren von Alkylmethacrylaten hergestellt ist, dadurch gekennzeichnet, daß die thermoplastische Speicherschicht aus einem Terpolymeren aus dem Alkylmethacrylat, einem Halogenstyrol und einem Styrolderivat mit einem chemisch aktiven Rest, der eine Isocyanatgruppe, eine Aminogruppe oder eine Isothiocyanatgruppe sein kann, hergestellt ist, wobei die Monomer-Komponenten-Zusammensetzung (in Mol-%) in den folgenden Grenzen liegt:17. Recording material according to one of claims 2 to 8, in which the thermoplastic storage layer is made from a plastic based on copolymers of alkyl methacrylates, thereby characterized in that the thermoplastic storage layer consists of a terpolymer from the alkyl methacrylate, a halostyrene and a styrene derivative with a chemically active residue that is an isocyanate group, an amino group or an isothiocyanate group, is prepared, the monomer component composition (in mol%) is within the following limits: Alkylmethacrylat 30—50Alkyl methacrylate 30-50 Styrolderivat mit einem chemisch aktiven Rest 5—15 t^r> Styrene derivative with a chemically active residue 5-15 t ^r > Halogenstyrol 35—65Halostyrene 35-65 18. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die thermoplastische Spei-18. Recording material according to claim 17, characterized in that the thermoplastic storage cherschicht aus einemTerpolymeren aus folgenden Monomcr-Komponenlcn (in Mol-%) hergestellt ist:is made of a terpolymer from the following monomer components (in mol%): Octylmethacrylal 30—50Octyl methacrylal 30-50 Vinylphenylisocyanat 5—7Vinyl phenyl isocyanate 5-7 Halogcnstyrol 35—63Halostyrene 35-63 19. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die thermoplastische Speicherschacht aus einem Terpolymeren aus folgenden Monomcr-Komponenten (in Mol-%) hergestellt ist:19. Recording material according to claim 17, characterized in that the thermoplastic storage shaft is made from a terpolymer of the following monomer components (in mol%):